TWI535765B - 聚酯薄膜 - Google Patents

Description

聚酯薄膜

本發明係關於聚酯薄膜，特別係關於因成形性非常優良，而適用於建材、汽車零件或手機、電機製品等之成形構件用途的聚酯薄膜。

近年來因環境意識高漲，對於建材、汽車零件或手機、電機製品等之無溶劑塗裝、鍍層取代等的企盼升高，漸漸導入使用成形用加飾薄片的成形構件之加飾方法。此等中，作為成形用聚酯薄膜，已有若干提議。有例如，具特定熔點、斷裂伸度而成形性優良的聚酯薄膜之提議(參照例如專利文獻1)。並有聚對酞酸乙二酯與聚對酞酸丁二酯以1：1混合而賦予成形性的薄膜之揭示(參照例如專利文獻2)。可是，這些提議之薄膜因成形加工時變形應力高，難以進行複雜形狀之成形。又具特定熔點，採用特定製膜條件的成形構件用聚酯薄膜亦已揭示(參照例如專利文獻3)。又，並有為兼顧成形性、創意性、平滑性而於A層、B層、C層之3層積層薄膜，使中間層B層具成形性的聚酯薄膜之提議(參照例如專利文獻4)。並有，於A層、B層、C層之3層薄膜，規定特定熔點、特定溫度下的薄膜成形應力之聚酯薄膜的提議(參照例如專利文獻5)。然而，這些聚酯薄膜斷裂伸度不足，不耐深拉伸成形。

又有，含有結晶核劑之低熔點壓延加工用聚酯樹脂組成物及薄片之提議(例如專利文獻6)。然而，其耐熱性、尺寸安定性不足，無法作為成形加工用途。

先前技術文獻 專利文獻

專利文獻1：日本專利特開2001-72841號公報

專利文獻2：特開2002-321277號公報

專利文獻3：特開2003-211606號公報

專利文獻4：特開2006-51747號公報

專利文獻5：國際公開2006/104116號小冊

專利文獻6：特開2003-201391號公報

本發明之課題在消除上述問題。亦即提供保持成形時之壓力低、伸度高而成形性優良，並且耐熱性、尺寸安定性優良之聚酯薄膜。

本發明係具有如下構成。亦即，構成聚酯薄膜之二醇成分的60莫耳%以上為乙二醇成分，以聚酯薄膜全體為100質量%時，含有結晶核劑0.01～5質量%，結晶熔化能ΔHm為5～35J/g之聚酯薄膜。

本發明之聚酯薄膜因易於藉熱成形來成形加工，且耐熱性、尺寸安定性優良，可均勻成形出複雜形狀，適用於成形用途，例如建材、汽車零件或手機、電機製品等之成形構件。

實施發明用之形態

本發明之聚酯薄膜係使用聚酯樹脂而成之薄膜。並且，構成本發明之聚酯薄膜的聚酯樹脂係主鏈中的主要鍵結為酯鍵結之高分子化合物的總稱，通常可使二羧酸成分與二醇成分經聚縮合反應而得。

本發明中，從成形性、外觀、耐熱性、尺寸安定性、經濟性之觀點，構成聚酯薄膜之二醇成分的60莫耳%以上必須係乙二醇成分。未達60莫耳%時，耐熱性、尺寸安定性尤差，無法用於成形用途。二醇成分若含60莫耳%以上之乙二醇成分，則亦可含複數之其它二醇成分。

含於本發明之聚酯薄膜的其它二醇成分者有1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、1,5-戊二醇、1,6-己二醇、新戊二醇等脂肪族二羥基化合物，二乙二醇、聚乙二醇、聚丙二醇、聚四亞甲二醇等聚氧伸烷二醇、1,4-環己烷二甲醇等脂環族二羥基化合物，雙酚A、雙酚S等芳香族二羥基化合物等。

又，用於本發明之聚酯薄膜的較佳二羧酸成分有對酞酸、異酞酸、酞酸、2,6-萘二甲酸、二苯二甲酸、二苯碸二甲酸、二苯氧乙烷二甲酸、5-鈉碸二甲酸等芳香族二甲酸、草酸、琥珀酸、己二酸、癸二酸、二聚酸、順丁烯二酸、延胡索酸等脂肪族二甲酸，1,4-環己烷二甲酸等脂環族二甲酸，對羥基苯甲酸等羥基羧酸等。又，二羧酸酯衍生物有上述二羧酸化合物的酯化物，例如對酞酸二甲酯、對酞酸二乙酯、對酞酸2-羥乙甲酯、2,6-萘二甲酸二甲酯、異酞酸二甲酯、己二酸二甲酯、順丁烯二酸二乙酯、二聚酸二甲酯等。

本發明之聚酯薄膜基於成形性、耐熱性、透明性之點，尤以構成聚酯薄膜之二醇成分的60莫耳%以上係乙二醇成分，1～30莫耳%係1,4-環己烷二甲醇為佳。更佳者為，構成聚酯薄膜之二醇成分的60～99莫耳%係乙二醇，1～30莫耳%係1,4-環己烷二甲醇。使含有1,4-環己烷二甲醇1～30莫耳%即因可保持高熔點而可維持耐熱性，且可抑制成形時之配向結晶化故可提升成形性。又因可適當調整結晶性，薄膜透明性亦優良。若含有1,4-環己烷二甲醇5～25莫耳%則更佳，含有10～20莫耳%最佳。

又，於為更提升成形性之點，以構成聚酯薄膜之二醇成分的1～30莫耳%係1,4-丁二醇及/或1,3-丙二醇為佳。1,4-丁二醇及/或1,3-丙二醇以1～30莫耳%使用，則可提升加熱時之分子運動性，降低成形時之應力，故可提升成形性。更佳者為，構成聚酯薄膜之二醇成分的60～98莫耳%係乙二醇，1～30莫耳%係1,4-環己烷二甲醇，1～30莫耳%係1,4-丁二醇及/或1,3-丙二醇。

為更提升成形性，維持耐熱性，以構成聚酯薄膜之二醇成分的60～90莫耳%係乙二醇，2～25莫耳%係1,4-環己烷二甲醇，8～30莫耳%係1,4-丁二醇及/或1,3-丙二醇為佳。

乙二醇係60～80莫耳%，1,4-環己烷二甲醇係3～20莫耳%，1,4-丁二醇及/或1,3-丙二醇係15～30莫耳%則更佳。

為飛躍提升成形性，本發明之聚酯薄膜在以聚酯薄膜全體為100質量%時，必須含有結晶核劑0.01～5質量%。結晶核劑一般以提升薄膜之結晶性為目的，而含於無延伸薄片等。延伸含有結晶核劑之薄膜則因結晶性顯著升高，故被認為與提升成形性相反，但本發明人等進行精心探討發現，含特定之二醇成分，含有結晶核劑而為特定之結晶熔化能，即可提升成形性。含有結晶核劑0.01～5質量%則推測可於聚酯薄膜中形成被認為係結晶前驅物之拘束構造，因此推定，成形時配向結晶化被抑制而成形性飛躍提升。於此，分子運動性可藉固態NMR之羰基碳的緩和時間T1ρ評估，而含有結晶核劑0.01～5質量%則分子運動性低落，推定或許無拘束構造形成。又，含有結晶核劑0.01～5質量%則因加熱成形之際，可抑制結晶大小的肥大化，成形後亦可維持優良之透明性故非常佳。而結晶大小可藉廣角X射線繞射法等求出。

結晶核劑未達0.01質量%則無法獲得充分之效果，結晶核劑超過5質量%則製膜步驟中不進行結晶化，反而成形性(尤以進行真空成形等之際的均勻成形性)低落，有時透明性亦低落故不佳。於成形性與透明性之點，以含有結晶核劑0.05～3質量%為佳，0.1～2質量%最佳。若係0.1～1質量%則於均勻成形性之點為最佳。

此所謂結晶核劑係指添加於聚酯而可提升結晶化速度之結晶性物質，適用者有例如，滑石、脂肪族羧酸醯胺、脂肪族羧酸鹽、脂肪族醇、脂肪族羧酸酯、山梨醇系化合物、有機磷酸化合物等。本發明中，結晶核劑係以選自脂肪族羧酸醯胺、脂肪族羧酸鹽及山梨醇系化合物所構成之群組的至少1種結晶核劑為尤佳。

於此，作為脂肪族羧酸醯胺者可使用，如月桂酸醯胺、棕櫚酸醯胺、油酸醯胺、硬脂酸醯胺、芥酸醯胺、蘿酸醯胺、蓖麻油酸醯胺、羥基硬脂酸醯胺等的脂肪族單羧酸醯胺類，如N-油基棕櫚酸醯胺、N-油基油酸醯胺、N-油基硬脂酸醯胺、N-硬脂基油酸醯胺、N-硬脂基硬脂酸醯胺、N-硬脂基芥酸醯胺、羥甲基硬脂酸醯胺、羥甲基蘿酸醯胺等之N-取代脂肪族單羧酸醯胺類，如亞甲雙硬脂酸醯胺、乙二月桂酸醯胺、乙二辛酸醯胺、乙二油酸醯胺、乙二硬脂酸醯胺、乙二芥酸醯胺、乙二蘿酸醯胺、乙二異硬脂酸醯胺、乙二羥基硬脂酸醯胺、丁二硬脂酸醯胺、六亞甲雙油酸醯胺、六亞甲雙硬脂酸醯胺、六亞甲雙蘿酸醯胺、六亞甲雙羥基硬脂酸醯胺、間二甲苯雙硬脂酸醯胺、間二甲苯雙-12-羥基硬脂酸醯胺等的脂肪族雙羧酸醯胺類，如N,N’-二油基癸二酸醯胺、N,N’-二油基己二酸醯胺、N,N’-二硬脂基己二酸醯胺、N,N’-二硬脂基癸二酸醯胺、N,N’-二硬脂基異酞酸醯胺、N,N’-二硬脂基對酞酸醯胺等的N-取代脂肪族羧酸雙醯胺類，如N-丁基-N’-硬脂尿素、N-丙基-N’-硬脂尿素、N-硬脂基-N’-硬脂尿素、N-苯基-N’-硬脂尿素、二甲苯雙硬脂尿素、甲苯雙硬脂尿素、六亞甲雙硬脂尿素、二苯甲烷雙硬脂尿素、二苯甲烷雙月桂尿素等的N-取代尿素類。這些亦可係一種或二種以上之混合物。其中適用者為脂肪族單羧酸醯胺類、N-取代脂肪族單羧酸醯胺類、脂肪族雙羧酸醯胺類，而棕櫚酸醯胺、硬脂酸醯胺、芥酸醯胺、蘿酸醯胺、蓖麻油酸醯胺、羥基硬脂酸醯胺、N-油基棕櫚酸醯胺、N-硬脂基芥酸醯胺、乙二辛酸醯胺、乙二油酸醯胺、乙二月桂酸醯胺、乙二芥酸醯胺、間二甲苯雙硬脂酸醯胺、間二甲苯雙-12-羥基硬脂酸醯胺尤適用。

脂肪族羧酸鹽之具體例有乙酸鈉、乙酸鉀、乙酸鎂、乙酸鈣等乙酸鹽，月桂酸鈉、月桂酸鉀、月桂酸氫鉀、月桂酸鎂、月桂酸鈣、月桂酸鋅、月桂酸銀等月桂酸鹽，肉豆蔻酸鋰、肉豆蔻酸鈉、肉豆蔻酸氫鉀、肉豆蔻酸鎂、肉豆蔻酸鈣、肉豆蔻酸鋅、肉豆蔻酸銀等肉豆蔻酸鹽，棕櫚酸鋰、棕櫚酸鉀、棕櫚酸鎂、棕櫚酸鈣、棕櫚酸鋅、棕櫚酸銅、棕櫚酸鉛、棕櫚酸鉈、棕櫚酸鈷等棕櫚酸鹽，油酸鈉、油酸鉀、油酸鎂、油酸鈣、油酸鋅、油酸鉛、油酸鉈、油酸銅、油酸鎳等油酸鹽，硬脂酸鈉、硬脂酸鋰、硬脂酸鎂、硬脂酸鈣、硬脂酸鋇、硬脂酸鋁、硬脂酸鉈、硬脂酸鉛、硬脂酸鎳、硬脂酸鈹等硬脂酸鹽，異硬脂酸鈉、異硬脂酸鉀、異硬脂酸鎂、異硬脂酸鈣、異硬脂酸鋇、異硬脂酸鋁、異硬脂酸鋅、異硬脂酸鎳等異硬脂酸鹽，蘿酸鈉、蘿酸鉀、蘿酸鎂、蘿酸鈣、蘿酸鋇、蘿酸鋁、蘿酸鋅、蘿酸鎳等蘿酸鹽，二十八酸鈉、二十八酸鉀、二十八酸鎂、二十八酸鈣、二十八酸鋇、二十八酸鋁、二十八酸鋅、二十八酸鎳等二十八酸鹽等。這些可係一種或二種以上之混合物。硬脂酸鹽類、二十八酸鹽類尤適用，而硬脂酸鈉、硬脂酸鉀、硬脂酸鋅、硬脂酸鋇、二十八酸鈉等尤適用。

脂肪族醇之具體例有十五醇、鯨醇、十七醇、硬脂醇、十九醇、二十醇、蠟醇、蜜蠟醇等脂肪族單醇，1,6-己二醇、1,7-庚二醇、1,8-辛二醇、1,9-壬二醇、1,10-癸二醇等脂肪族多元醇類，環戊-1,2-二醇、環己-1,2-二醇、環己-1,4-二醇等環醇類等。這些可係一種或二種以上之混合物。脂肪族單醇類尤適用，硬脂醇尤適用。

又，作為該脂肪族羧酸酯之具體例，可使用月桂酸鯨酯、月桂酸苯甲醯甲酯、肉豆蔻酸鯨酯、肉豆蔻酸苯甲醯甲酯、棕櫚酸異丙烯酯、棕櫚酸十二酯、棕櫚酸十四酯、棕櫚酸十五酯、棕櫚酸十八酯、棕櫚酸鯨酯、棕櫚酸苯酯、棕櫚酸苯甲醯甲酯、硬脂酸鯨酯、蘿酸乙酯等脂肪族單羧酸酯類，單月桂酸乙二醇、單棕櫚酸乙二醇、單硬脂酸乙二醇等乙二醇單酯類，二月桂酸乙二醇、二棕櫚酸乙二醇、二硬脂酸乙二醇等乙二醇之二酯類，單月桂酸甘油酯、單肉豆蔻酸甘油酯、單棕櫚酸甘油酯、單硬脂酸甘油酯等甘油之單酯類，二月桂酸甘油酯、二肉豆蔻酸甘油酯、二棕櫚酸甘油酯、二硬脂酸甘油酯等甘油之二酯類，三月桂酸甘油酯、三肉豆蔻酸甘油酯、三棕櫚酸甘油酯、三硬脂酸甘油酯、甘油單棕櫚酸二油酸酯、甘油單棕櫚酸二硬脂酸酯、甘油單油酸二硬脂酸酯等甘油的三酯類等。這些可係一種或二種以上之混合物。其中乙二醇之二酯類較合適，乙二醇二硬脂酸酯類尤適用。

又，作為該脂肪族/芳香族羧酸醯肼之具體例，可使用癸二酸二苯甲酸醯肼，三聚氰胺系化合物之具體例可使用三聚氰胺三聚氰酸酯、聚蒎酸三聚氰胺，苯磺酸金屬鹽之具體例可使用苯磺酸鋅鹽、苯磺酸鈣鹽、苯磺酸鎂鹽等。

作為山梨醇系化合物可列舉1,3-二(對甲亞芐基)山梨醇、2,4-二(對甲亞芐基)山梨醇、1,3-二亞芐山梨醇、2,4-二亞芐山梨醇、1,3-二(對乙二亞芐基)山梨醇、2,4-二(對乙二亞芐基)山梨醇等。

可列舉磷酸雙(4-第三丁苯基)鈉、磷酸-2,2’-亞甲雙(4,6-二第三丁苯基)鈉、環狀有機磷酸酯鹼性多價金屬鹽與鹼金屬羧酸鹽、鹼金屬β-二酮根及鹼金屬β-酮乙酸酯鹽有機羧酸金屬鹽之1種所選出之混合物等。

上述之中，由透明性、耐熱性之點，以脂肪族羧酸醯胺、脂肪族羧酸鹽、山梨醇系化合物為適用。

本發明之聚酯薄膜由成形性、耐熱性、尺寸安定性之點，結晶熔化能ΔHm必須係5～35J/g。此所謂結晶熔化能ΔHm係使用微差掃瞄熱量分析儀(DSC)，以升溫速度20℃/分鐘進行測定之際，熔化現象中表現之吸熱尖峰熱量。以不同組成的聚酯樹脂摻合使用，製成聚酯薄膜者有時會出現伴隨複數熔化的吸熱尖峰，此時以出現在最高溫度之吸熱尖峰的熱量作為本發明之聚酯薄膜的結晶熔化能。結晶熔化能ΔHm未達5J/g則結晶性過低，尺寸安定性差故不佳。又，結晶熔化能ΔHm大於35J/g則結晶性過高，成形性低落故不佳。

使本發明之聚酯薄膜的結晶熔化能為5～35J/g之方法可列舉使構成聚酯薄膜的二醇成分由2種以上之二醇成分構成的方法。尤佳構成者係二醇成分的60～99莫耳%為乙二醇，1～30莫耳%為1,4-環己烷二甲醇。更佳者60～90莫耳%為乙二醇，2～25莫耳%為1,4-環己烷二甲醇，8～30莫耳%為1,4-丁二醇及/或1,3-丙二醇。

又，由使結晶熔化能在上述範圍的點，使聚酯薄膜由2種以上之二羧酸成分構成亦係較佳。由對酞酸、異酞酸構成則尤佳。

本發明之聚酯薄膜為兼顧耐熱性、尺寸安定性、成形性，更佳之結晶熔化能ΔHm係10～30J/g，15～25J/g最佳。

本發明之聚酯薄膜亦可係由複數之聚酯層所構成之薄膜。若係由複數之聚酯層所構成之薄膜，則薄膜全體的構成薄膜之二醇成分的60莫耳%以上為乙二醇成分，以聚酯薄膜全體為100質量%時，含有結晶核劑0.01～5質量%，而結晶熔化能ΔHm為5～35J/g即佳。

可是，當本發明之聚酯薄膜係由複數之聚酯層所構成之薄膜時，本發明之聚酯薄膜較佳者為具有聚酯層(b層)，構成聚酯層(b層)之二醇成分的60莫耳%以上係乙二醇成分，以聚酯層(b層)全體為100質量%時，含有結晶核劑0.01～5質量%，而聚酯層(b層)之結晶熔化能ΔHm係5～35J/g。

因具有該聚酯層，可使本發明之效果更明確顯現。

又，上述聚酯薄膜之相關說明中，將「聚酯薄膜」改為「聚酯層(b層)」即係有關b層之說明。

又，本發明中，當聚酯薄膜係積層薄膜時，聚酯層(b層)之層厚Tb(μm)與聚酯薄膜之薄膜厚度TF(μm)之比Tb/TF以係0.6以上為佳。而，複數之聚酯層相當於聚酯層(b層)時，以相當於聚酯層(b層)之所有聚酯層的層厚度合計，作為聚酯層(b層)之層厚度Tb(μm)。Tb/TF未達0.6則會有其它層之影響大，而本發明之效果無法充分顯現。又，Tb/TF以係0.65以上為更佳，0.7以上又更佳。而聚酯薄膜係僅由聚酯層(b層)所構成之單膜薄膜時，Tb/TF即為1。

本發明之聚酯薄膜為得充分之成形性、外觀及取用性，以係由複數之聚酯層所構成的樣態為較佳樣態。例如，可將由聚酯A所構成之聚酯(A層)與由聚酯B所構成之聚酯(B層)以至少2層以上積層。又，本發明中，為使薄膜之捲取性良好，以添加潤滑劑粒子為佳，而為保有透明性則粒子之添加量係以盡可能少為佳，故當係由A層/B層所構成之2層構造薄膜時，僅於A層或僅於B層添加粒子，即可至少於薄膜之單面賦予潤滑性，而能兼顧取用性與透明性。

為更提升成形性、外觀及取用性，本發明之聚酯薄膜以係聚酯層(A層)/聚酯層(B層)/聚酯層(C層)之3層構造為佳。此時，構成A層之聚酯A及構成C層之聚酯C，在製造薄膜時為防黏著於加熱輥等，玻璃轉移溫度以係50～90℃為佳，55～90℃更佳，60～90℃又更佳。又，60～87℃再更佳，60～85℃最佳。製造薄膜時，經由防止A層、C層黏著於加熱輥，則因薄膜兩面可得優良之外觀而非常佳。

又，以A層/B層/C層之3層構造，僅於A層與C層添加潤滑劑粒子，即可賦予薄膜兩面之潤滑性，更因亦能兼顧透明性故係較佳樣態。

從經濟性、生產力之觀點，以聚酯A作為構成C層的聚酯為佳。亦即，以使A層與C層具同一組成為佳。為更提升經濟性、生產力，以使A層與C層之積層厚度相等為佳。

又，以層厚度最厚之層為主層，其它層為副層時，積層比(主層之層厚度)/(薄膜全體之薄膜厚度)以係0.999以下為佳。積層比大於0.999，則副層之厚度過薄，故製膜安定性差，有時更發生積層不勻。積層比(主層)/(薄膜全體)若係0.99以下則更佳，0.95以下最佳。主層以係B層為佳。

上述積層厚度比可藉調整擠壓各層之聚酯時的吐出量而達成。吐出量可藉擠壓機之螺桿轉數(使用齒輪泵時則為齒輪泵之轉數)、擠壓溫度、聚酯原料之黏度等適當調整。

薄膜之積層厚度及積層厚度比可藉薄膜切面之掃瞄電子顯微鏡、穿透式電子顯微鏡、光學顯微鏡等以500～10000倍之倍率觀察，求出積層各層之厚度及積層比。

具積層構造時，為防成形後層間剝離，A層與B層之層間密著力以係5N/15mm以上為佳。A層與B層之層間密著力未達5N/15mm則聚酯薄膜或使用聚酯薄膜之成形構件經成形加工後，有時於A層/B層之界面發生剝離。更佳之層間密著力係8N/15mm以上，12N/15mm以上最佳。

為使A層與B層之層間密著力在上述範圍，以構成A層之聚酯為聚酯A，構成B層之聚酯為聚酯B時，使聚酯A之組成類似於聚酯B之組成即有效。

例如，構成B層之二醇成分的60%係乙二醇成分時，A層亦同樣以使構成A層之二醇成分的60%係乙二醇成分為較佳。

更具體言之，從成形性之觀點，聚酯B的組成若係由聚對酞酸乙二酯、聚對酞酸丁二酯與1,4-環己烷二甲醇之共聚對酞酸乙二酯所構成，使聚酯A之組成為聚對酞酸乙二酯與聚對酞酸丁二酯及/或1,4-環己烷二甲醇之共聚對酞酸乙二酯，則層間密著力升高。又，使聚酯A與聚酯B之組成相同則可達非常高之層間密著力故尤佳。

為使A層與B層之層間密著力在上述範圍，將A層與B層之結晶熔化能ΔHm控制為同等亦有效。A層與B層之ΔHm同等者因結晶性同等，成形時配向結晶的進行亦無差異，故層間滑移不易發生，非常有效。

使A層與B層之組成類似，使ΔHm為同等，成形時之應力亦可為同等，亦可抑制成形性之低落。

於成形性、耐熱性、尺寸安定性之點，本發明之聚酯薄膜的面配向係數以係0.02～0.13為佳。於此，面配向係數(fn)係由以阿貝折射計等測得之薄膜折射率所定義的數值，以薄膜之長邊方向的折射率為n_MD，寬度方向的折射率為n_TD，厚度方向的折射率為n_ZD時，由關係式fn=(n_MD+n_TD)/2-n_ZD表示。面配向係數未達0.02，亦即近於無配向狀態之薄膜者，成形性雖能滿足但有時尺寸安定性差，故不佳。另一方面，面配向係數超過0.13則有時成形性低落故不佳。用於尺寸安定性特別重要的用途之際，面配向係數以0.04～0.13為佳，0.07～0.13更佳。為拓展到必須要有適度的尺寸安定性與成形性之用途，更佳範圍係0.03～0.12，0.04～0.11最佳。

使本發明之聚酯薄膜的面配向係數為0.02～0.13之方法無特殊限制，有使薄膜組成具如上述之二醇成分的方法、使二羧酸成分具如上述構成之方法之外，使含有結晶核劑0.01～5質量%而至少於單軸以上延伸之方法。由取用性、尺寸安定性之點，以雙軸延伸之方法為佳。該延伸方法之延伸倍率係以2.5～3.5倍為佳，2.6～3.5倍更佳，2.8～3.3倍尤佳。又，延伸速度宜係1,000~200,000%/分鐘。雙軸延伸之方法有，將未延伸薄膜於長邊方向延伸後於寬度方向延伸，或，於寬度方向延伸後於長邊方向延伸之逐次雙軸延伸法，或，大致同時延伸薄膜之長邊方向、寬度方向的同時雙軸延伸法等。以逐次雙軸延伸，於長邊方向延伸後於寬度方向延伸者，長邊方向之延伸前的預熱溫度以80～100℃為佳，85～95℃更佳。延伸溫度係以80～130℃為佳，85～120℃更佳，90～105℃又更佳。又，於長邊方向延伸後的寬度方向之延伸條件係以使預熱溫度低於縱延伸溫度為佳。寬度方向之延伸前的預熱溫度高於長邊方向之延伸溫度時，因結晶核劑之影響而結晶化一口氣進行，薄膜之配向均衡低落，且面配向係數之偏差變大，可能影響成形性故不佳。寬度方向之延伸溫度係以90～110℃為佳。95～100℃更佳。使含有結晶核劑，且採用如上之延伸條件，即可達成適度之低配向。

又，為調整面配向係數，雙軸延伸後之薄膜熱處理條件亦很重要。熱處理可於烘箱中，於經加熱之輥上等任意習知方法進行，而於高溫進行熱處理則配向緩和，可達成如上述之低配向。較佳熱處理溫度係160～250℃，由尺寸安定性、成形性之點則以190～250℃為更佳，200～250℃又更佳，210～245℃最佳。熱處理亦可使薄膜於MD方向及/或TD方向鬆弛而進行。

此所謂MD方向係指薄膜之長邊方向(製膜步驟中薄膜之進行方向)，而TD方向指薄膜之寬度方向(與MD方向正交之方向)。

由耐熱性、成形性之點，本發明之聚酯薄膜的熔點以係230～255℃為佳。熔點超過255℃則因耐熱性過高，將薄膜二次加工之際變形應力過高而難以成形加工為複雜形狀。另一方面，聚酯薄膜之熔點未達230℃則高溫成形時有薄膜熔化之虞，取用性低落故不佳。更佳的聚酯薄膜之熔點係235～255℃，235～250℃最佳。此所謂熔點係使用微差掃瞄熱量計，以升溫速度20℃/分鐘進行測定之際的熔化現象中所出現之吸熱尖峰溫度。摻合不同組成之聚酯樹脂使用，製成薄膜後有時伴隨複數之熔化而出現吸熱尖峰，此時以出現於最高溫之吸熱尖峰溫度作為熔點。

又，聚酯薄膜係積層薄膜時，聚酯層(B層)之熔點以係230～255℃為佳。235～255℃更佳，235～250℃最佳。使聚酯層(B層)之熔點在上述範圍，即易於使聚酯薄膜之熔點在上述範圍。

使本發明之聚酯薄膜的熔點在上述範圍之方法無特殊限制，於使用在薄膜製膜時的聚酯樹脂階段，以先使熔點在230～255℃之範圍為佳，而使用不同組成之聚酯樹脂時，亦有使用熔點在230℃以上之聚酯樹脂，又，摻合低熔點之聚酯樹脂使用時，為抑制熔化混練時因樹脂間的酯交換反應而熔點下降，則採用預先使殘留在樹脂中之觸媒失活，為降低觸媒效能而添加磷化合物等之方法。又，準備殘留觸媒量低之聚酯樹脂，亦可使熔點在233～255℃之範圍。

從熱成形等薄膜二次加工性之觀點，本發明的聚酯薄膜於150℃之長邊方向及寬度方向之斷裂伸度以係300～700%為佳。150℃之長邊方向及寬度方向任一之斷裂伸度未達300%，則會有熱成形時薄膜斷裂，變形不充分。高於700%則非常難以兼顧耐熱性，成形加工之預熱步驟中有時不耐用以輸送薄膜之張力，薄膜變形故不佳。僅使長邊方向或僅使寬度方向之斷裂伸度達上述範圍，成形性之均衡不良，不堪作為成形構件使用，故以使長邊方向及寬度方向之斷裂伸度皆在上述範圍為佳。由取用性、成形性之點，150℃之薄膜長邊方向及寬度方向之斷裂伸度以係400～650%為佳，420～600%更佳，450～600%最佳。為保持成形時之應力低而能放寬成形條件幅度，150℃之長邊方向及寬度方向之F100值以係3～30MPa為佳。F100值未達3MPa則因成形時應力過低，成形時之預熱步驟中薄膜延伸，有時發生成形不勻故不佳。又，F100值大於30MPa則因成形時應力高，有時成形條件幅度變窄故不佳。F100值以5～20MPa為更佳，7～15MPa最佳。

於此，150℃之F100值係，切出試驗長度20mm之矩形薄膜樣本，在設定於150℃之恆溫槽中預熱90秒後，以500mm/分鐘之變形速度進行拉伸試驗之際，100%伸長時之應力。150℃之斷裂伸度係以如上條件進行拉伸試驗之際，薄膜斷裂時的伸度。

本發明中，為使聚酯薄膜在150℃之薄膜長邊方向及寬度方向的F100值、斷裂伸度滿足上述範圍，薄膜以長邊方向及寬度方向各於90～130℃延伸2.5～3.5倍為佳，且以面倍率(長邊方向延伸倍率×寬度方向延伸倍率)係7～11倍為佳。又，延伸後之熱固定步驟中，以高溫熱處理則可使薄膜之非晶部分的配向緩和故較佳。熱處理溫度以200～255℃為較佳，220～255℃更佳。採用面配向係數之達成手段項下所記載之延伸條件更佳。採用該延伸條件即易於形成可視為結晶前驅物之拘束構造，達到F100值、斷裂伸度之較佳範圍。

又，為使斷裂伸度在上述範圍，必須盡可能減少製膜中、製膜後之薄膜缺陷。為消除缺陷，製膜環境氣體之防塵設備、擠壓機之維護、延伸輥及捲取輥之維護等即變得重要。

又，防止擠壓時聚合物劣化也很重要。為防擠壓時聚合物劣化，必須進行擠壓溫度、聚合物滯留時間之最適化，擠壓機內之氮氣沖洗及聚合物之水分去除。較佳擠壓溫度係聚合物之熔點+10～40℃。聚合物之最適滯留時間隨聚合物而異，但以無未熔化物產生之短時間為佳。

本發明之聚酯薄膜由作為成形構件之外觀、光澤之點，薄膜之霧度以係0.1～3%為佳。霧度超過3%則薄膜外觀呈白濁，有時外觀、創意性差。而霧度未達0.1%則薄膜之潤滑差，難以取用，薄膜表面有擦傷等產生，將薄膜捲成卷狀之際易於產生皺紋等，不只對於作為成形構件時之外觀造成不良影響，薄膜本身之取用性也變差。由作為成形構件時之外觀，霧度的更佳範圍係0.2～2.5%，0.3～2%尤佳。

使霧度為0.1～3%之方法較倓係僅於A層及B層添加潤滑劑粒子，維持薄膜之取用性，同時控制光學特性之方法。又作成A層/B層/C層之3層構造時，以僅於A層及C層添加粒子為佳。尤佳方法係，以A層之層厚為t_A(單位：μm)時，添加於A層的粒子之投影面積當量直徑(projected area diameter)P(單位：μm)滿足0.5≦P/t_A≦2之關係而該粒子以0.005～0.5質量%添加於A層中，更佳者0.01～0.2質量%。於此，所使用之潤滑劑粒子並非特殊限制之物，但較之內部析出粒子，以使用外部添加粒子為佳。外部添加粒子者可係例如以濕式及乾式矽石、膠體矽石、矽酸鋁、二氧化鈦、碳酸鈣、磷酸鈣、硫酸鋇、氧化鋁等，有機粒子者苯乙烯、矽酮、丙烯酸類、甲基丙烯酸類、聚酯類、二乙烯基化合物等作為構成成分之粒子。其中，以使用以濕式及乾式矽石、氧化鋁等無機粒子及以苯乙烯、矽酮、丙烯酸、甲基丙烯酸、聚酯、二乙烯苯等為構成成分之粒子為較佳。這些外部添加粒子亦可倂用二種以上。

本發明之聚酯薄膜如上述因含有特定量之結晶核劑，使結晶熔化能在特定範圍，故具有非常優良之成形性，並且耐熱性、尺寸安定性優良。

由特定化合物選作結晶核劑，使薄膜之面配向係數在特定範圍，使150℃之長邊方向及寬度方向的斷裂伸度在特定範圍等，將這些適當組合以利用這些的相乘效果，即可製成上述特性更加優良之薄膜。

其次記敘本發明之聚酯薄膜的具體製造方法，但不限於此。首先準備所欲使用之聚酯樹脂。核劑預先配料於聚酯樹脂則於取用性、分散性之點較佳。於氮氣氛圍、真空氛圍等，以例如180℃各乾燥4小時，使聚酯中的水分率為較佳之50ppm以下。混合2種以上之聚酯時，以特定比率計量、混合，進行乾燥。然後，供給於個別擠壓機而熔化擠壓。供給聚酯於擠壓機之際，亦可摻合核劑而供給。又，使用排氣式雙軸擠壓機進行熔化擠壓時，樹脂的乾燥步驟可予省略。繼之，通過過濾器、齒輪泵而去除雜質，整勻擠壓量，由T模以薄片狀吐出於冷卻鼓上。為2層以上之積層構造時，以例如設置在T模上部之入料塊、分歧管積層成A/B型之2層積層薄膜，然後由T模以薄片狀吐出於冷卻鼓上。製作A/B/C型之3層積層薄膜時係將聚酯A、聚酯B、聚酯C供給於個別擠壓機而熔化擠壓。聚酯A與聚酯C若組成相同，以2台擠壓機藉入料塊、分歧管可製成A層/B層/A層之3層積層薄膜。以薄片狀吐出於冷卻鼓上之際，藉例如使用線狀電極或帶狀電極施加靜電之方法，設水膜於流延鼓與經擠壓之聚合物薄片間的流延法，使流延鼓溫度為聚酯樹脂的玻璃轉移點～(玻璃轉移點-20℃)而使經擠壓之聚合物黏著之方法，或，將這些方法複數組合之方法，使薄片狀聚合物密著於流延鼓而冷卻固化，獲得未延伸薄膜。這些流延法之中，使用聚酯時，從生產力、平面性之觀點，以使用施加靜電之方法為佳。本發明的聚酯薄膜作為未延伸薄膜使用亦呈示優良特性，而由耐熱性、尺寸安定性之點係以經雙軸延伸為佳。未延伸薄膜之延伸方法有，於長邊方向延伸後於寬度方向延伸，或於寬度方向延伸後於長邊方向延伸之逐次雙軸延伸法，或，大致同時延伸薄膜之長邊方向、寬度方向的同時雙軸延伸法等。

該延伸方法於各方向之延伸倍率係採用以2.5～3.5倍為佳，2.8～3.5倍更佳，3～3.4倍尤佳。又，延伸速度宜係1,000~200,000%/分鐘。延伸溫度以80～130℃為佳，更佳者係長邊方向之延伸溫度為85～120℃，寬度方向之延伸溫度為90～110℃。亦可於各方向進行複數次延伸。為提高本發明之效果，長邊方向的延伸前之預熱溫度以80～100℃為佳，85～95℃更佳。延伸溫度以80～130℃為佳，85～120℃更佳，90～105℃又更佳。於長邊方向延伸後，寬度方向之延伸條件係以預熱溫度低於縱延伸溫度為佳。寬度方向延伸前之預熱溫度高於長邊方向之延伸溫度時，因結晶核劑之影響而結晶化一口氣進行，薄膜之配向均衡低落，且面配向係數之偏差變大，可能影響到成形性故不佳。寬度方向之延伸溫度以90～110℃為佳。95～100℃更佳，預熱溫度同樣以低於長邊方向之延伸溫度為佳。

雙軸延伸後再進行薄膜之熱處理。熱處理可於烘箱中、經加熱之輥上等依任意習知方法進行。此熱處理係於120℃以上，聚酯之熔點以下的溫度進行，而較佳者為160～250℃，尺寸安定性很重要之用途者，以160～200℃為更佳，165～190℃最佳。由適度之尺寸安定性、成形性之點，熱處理溫度以190～250℃為佳，200～250℃更佳。由薄膜之透明性、尺寸安定性之點以210～245℃為更佳。熱處理時間可在不使特性惡化之任意範圍，1～60秒較佳，1～30秒更佳。亦可使薄膜於長邊方向及/或寬度方向鬆弛而進行熱處理。為提升印墨印刷層、黏著劑、蒸鍍層之黏著力，亦可至少於單面進行電暈處理、設置被覆層。

於薄膜製程內線上設置被覆層之方法，較佳者為，於至少經單軸延伸之薄膜上以分散於水的被覆層組成物使用計量桿、照相凹版輥等均勻塗布，一邊施以延伸一邊使塗劑乾燥之方法，此時，被覆層厚度以0.01～0.5μm為佳。

本發明之聚酯薄膜因成形性、耐熱性、尺寸安定性優良，以用於成形用途為佳。以本發明之聚酯薄膜用於成形用途時，因可成形為複雜形狀，可得非常優良之成形構件。成形用途有例如模內成形用途、插件成形用途。此所謂模內成形係，設置薄膜本身於模具內，以所注射之樹脂壓力成形為所欲形狀，獲得成形加飾體之成形方法。又，插件成形係先以真空成形、真空壓空成形、活塞輔助成形等製作薄膜成形體，設置於模具內，於其形狀充填樹脂，獲得成形加飾體之成形方法。因可製作出更複雜的形狀，本發明之聚酯薄膜尤適用於插件成形用途。

用於插件成形用途時，為提高與射出成形樹脂的密著性，亦可於薄膜之樹脂側表面設置易黏著層。因射出成形用樹脂係以聚酯、聚醯胺、聚碳酸酯、ABS(丙烯腈一丁二烯一苯乙烯(Acrylnitrile-butadiene-styrene))、AS(丙烯腈一苯乙烯Acrylnitrile-styrene))、聚丙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、TPO(熱塑性烯烴彈性體(Thermo Plastic Olefin elastomer))或這些之混合樹脂為佳，與這些樹脂的密著性高故較佳。易黏著層者無特殊限制，可列舉聚酯系、胺甲酸酯系、丙烯酸系、氯化聚丙烯系等。

本發明之聚酯薄膜在用於插件成形用途時，於成形後成形體之拉深性、形狀保持性之點，厚度以係75～500μm為佳，100～300μm更佳，150～250μm最佳。

又，本發明之聚酯薄膜可貼合於成形用基材而使用。與成形用基材貼合，即成為由成形用基材/聚酯薄膜所構成之成形用加飾薄片。又於聚酯薄膜設有耐候性被覆層時，即為成形用基材/聚酯薄膜/耐候層之構造。

成形用基材者無特殊限制，可列舉樹脂薄片、金屬板、紙、木材等。其中於成形性之點，係以樹脂薄片較為適用，於高成形性之點則熱塑性樹脂薄片較適用。

於此，熱塑性樹脂薄片若係可熱成形之聚合物薄片即無特殊限制，而以聚酯系薄片、丙烯酸系薄片、ABS(Acrylnitrile-butadiene-styrene)薄片、聚苯乙烯薄片、AS(Acrylnitrile-styrene)薄片、TPO(Thermo Plastic Olefin elastomer)薄片、TPU(熱塑性胺甲酸酯彈性體(Thermo Plastic Urethane elastomer))等較適用。該薄片之厚度係50μm～2000μm，100μm～1800μm較佳，250～1500μm更佳。聚酯薄膜在與成形用基材貼合使用時，於貼合性、取用性之點係以厚度10～未達75μm為佳，12～50μm更佳，15～40μm最佳。

為提高與成形用基材之黏著性，本發明之聚酯薄膜以設置黏著層為佳。黏著層者無特殊限制，而聚酯系、胺甲酸酯系、丙烯酸系、氯化聚丙烯系等較適用。

於此具體說明使用本發明之聚酯薄膜的構造如上之成形用加飾薄片的成形方法，但成形方法不限於此。

使用150～400℃之遠紅外線加熱器將本發明之聚酯薄膜或成形用加飾薄片加熱至表面溫度達50～230℃，將模具上推、真空抽吸，即可成形為所欲形狀。成形倍率精密時，更於薄片施以壓力而成形，即可更拉深成形。經如此成形之成形用加飾薄片於進行修邊後成為成形構件。此成形構件可直接使用，而為賦予作為成形品之強度，亦可藉模具按壓，於凹陷部分注入上述樹脂等。如此，成形構件即完成。

使用本發明之聚酯薄膜於模內成形用途、插件成形用途時，積層加飾層於薄膜表面則成形構件可呈優良外觀故較佳。此所謂加飾層係用以附加著色、凹凸、柄模樣、木紋、金屬光澤、珍珠光澤等裝飾之層。加飾層之形成方法無特殊限制，可藉例如金屬蒸鍍、印刷、被覆、轉印等形成。

於此，用於金屬蒸鍍之金屬者無特殊限制，有銦(熔點：156℃)、錫(熔點：228℃)、鋁(熔點：660℃)、銀(熔點：961℃)、銅(熔點：1083℃)、鋅(熔點：420℃)、鎳(熔點：1453℃)、鉻(1857℃)、鈦(1725℃)、鉑(熔點：1772℃)、鈀(熔點：1552℃)等之單體或該等之合金等，而以使用熔點150～400℃之金屬為佳。使用該熔點範圍之金屬，則於聚酯薄膜可成形之溫度範圍，所蒸鍍之金屬層亦能成形加工，因成形而產生之蒸鍍層缺陷即易於抑制故較佳。尤佳之金屬化合物的熔點係150～300℃。熔點係150～400℃之金屬化合物無特殊限制，但以銦(157℃)、錫(232℃)為佳，尤其於金屬光澤、色調之點則以銦較為適用。

又，蒸鍍薄膜之製作方法者可採用真空蒸鍍法、EB蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍敷法等。而為更提升聚酯薄膜與蒸鍍層之密著性，亦可先於薄膜表面以電暈放電處理、塗布釘錨被覆劑等方法作前處理。又，蒸鍍膜之厚度以1～500nm為佳，5～300nm更佳。由生產力之點則以10～200nm為佳。

作為成形用者亦可較佳列舉轉印箔用途之點。轉印箔一般係於為基材的薄膜之一面依序積層易黏著層、脫模層、印刷層及黏著層等而構成。這些轉印箔之轉印方法者一般已知有：使用轉印裝置以加熱輥轉印於被轉印物之所謂熱壓印法，或設置轉印材以使黏著層於射出成形機、吹塑成形機之模具與成形樹脂接觸後，將成形樹脂射出或吹塑，與成形同時轉印，冷卻後自模具取出成形品之模內轉印所代表的所謂成形同時轉印法等。用作轉印箔時，於成形性、耐熱性之點，薄膜厚度以50～200μm為佳，60～150μm更佳。

又，成形用途者，亦適用作加飾薄片的成形保護薄膜。上述模內成形、插件成形於成形時，由抑制加飾薄片表面光澤度低落、損傷之點，有時使用保護薄膜，以謀求成形性與表面光澤。本發明之聚酯薄膜因加熱時的表面性、成形性非常優良，作為成形保護薄膜亦可呈示非常優良之特性。

本發明之聚酯薄膜具有優良的成形性，真空、加壓成形等之熱成形中易於製作依從模具之成形零件，故適用於模內成形、插件成形、轉印箔、成形保護薄膜等成形用途。因此，係有關適用於建材、汽車零件、手機、電機製品等成形構件用途之聚酯薄膜。

實施例

以下舉實施例詳細說明本發明。又，特性係依以下方法測定、評估。

(1)熔點、結晶熔化能、玻璃轉移溫度

使用微差掃瞄熱量計(精工電子工業製，RDC220)，依JIS K7121-1987、JIS K7122-1987測定並進行分析。自聚酯層或聚酯薄膜採樣5mg，25℃起以20℃/分鐘升溫至300℃之際的DSC曲線所得的吸熱尖峰的頂點溫度作為熔點。又，以得自吸熱尖峰面積的每單位質量之熱量作為結晶熔化能。DSC曲線為直線時，於尖峰前後自基線分離之點與返回基線之點以直線連結，DSC曲線彎曲時，該彎曲曲線的二點間予以連結而進行分析。有複數之吸熱尖峰存在時，以最高溫側之吸熱尖峰的頂點之溫度作為熔點，得自該吸熱尖峰面積的每單位質量之熱量作為結晶熔化能。而基線上可見之極微小尖峰面積(換算為結晶熔化能在0.5J/g以下)的吸熱尖峰則視作雜訊予以去除。又，基於自玻璃狀態往橡膠狀態之轉移讀取比熱變化，各基線之延長直線起沿縱軸(呈示熱流之軸)方向等距離之直線，與玻璃轉移之階梯狀變化部分的曲線之交點的中間點玻璃轉移溫度予以求出，作為玻璃轉移溫度。

(2)霧度

基於JIS K 7105(1985年)，使用霧度計(SUGA試驗器公司製HGM-2GP)測定薄膜霧度。測定係於任意3處進行，採用其平均值。

(3)薄膜厚度、層厚度

將薄膜包埋於環氧樹脂，以薄片切片機切出薄膜切面。該切面藉穿透式電子顯微鏡(日立製作所製TEM H7100)以5000倍之倍率觀察，求出薄膜厚度及聚酯層厚度。由所求出之薄膜厚度與層厚度算出TB/TF及積層比。

(4)聚酯層、聚酯薄膜之組成

將聚酯層或薄膜溶解於六氟異丙醇(HFIP)或HFIP與氯仿之混合溶劑，使用¹H-NMR及¹³C-NMR可作二羧酸成分、二醇成分之定性，及含量之定量。積層薄膜的場合依積層厚度削取薄膜之各層即可評估。本發明之薄膜的組成係由製膜時聚酯樹脂的混合比率算出。

(5)面配向係數

以鈉D線(波長589nm)作為光源，使用阿貝折射計測定薄膜長邊方向之折射率(n_MD)、寬度方向之折射率(n_TD)、厚度方向之折射率(n_ZD)，由下式算出面配向係數(fn)。

fn=(n_MD+n_TD)/2-n_ZD。

(6)光澤度

成形品之表面依JIS-Z-8741(1997年)所規定之方法，使用SUGA試驗機製數位變角光澤計UGV-5D，測定60°鏡面光澤度。測定係以n=5進行，以最大值與最小值除外之平均值用作光澤度。

(7)100%伸長時之應力、斷裂伸度

將薄膜沿長邊方向及寬度方向切出長度150mm×寬度10mm之矩形作為樣本。使用拉伸試驗機(Orientec製TENSIRON UCT-100)，以初期拉伸夾頭間距20mm，拉伸速度500mm/分鐘各於薄膜之長邊方向與寬度方向進行拉伸試驗。測定係將薄膜樣本設置於事先設定為150℃之恆溫槽中，預熱60秒後進行拉伸試驗。樣本伸長100%時讀取樣本所承受之荷重，除以試驗前試樣之截面積(薄膜厚度×10mm)之值各為100%伸長時之應力(F100值)。並以薄膜斷裂之際的伸度為斷裂伸度。又，測定係各樣本、各方向各進行5次，以其平均值進行評估。

(8)成形性

於本發明之聚酯薄膜塗布東洋MORTON(股)製之黏著劑AD503、硬化劑CAT10與乙酸乙酯以20：1：20混合成之黏著劑作為黏著層。於黏著層貼合厚度1500μm之ABS薄片，使用積層機加熱壓合(80℃，0.1MPa，3m/min)，製作成形用加飾薄片。使用400℃之遠紅外線加熱器將該成形用加飾薄片加熱至表面溫度達150℃，沿加熱至70℃之模具(底面直徑50mm)進行真空成形。可沿模具成形而得之狀態依以下基準評估成形度(拉深比：成形高度/底面直徑)。

S：可成形至拉深比0.7以上。

A：可成形至拉深比0.6～未達0.7。

B：可成形至拉深比0.5～未達0.6。

C：依從性低，無法成形至拉深比0.5的形狀。

(9)均勻成形性

以於(8)成形之底面的中心為基準，畫出2條直線：通過中心之任意直線及與該直線正交之直線，測定中心及4方向距中心5mm、15mm、25mm、35mm、45mm處(合計21處)之厚度，由薄膜厚度的最大值與最小值之差依下述基準評估成形不勻。

成形不勻=(厚度之最大值-厚度之最小值)/厚度之平均值

S：成形不勻未達0.05

A：成形不勻0.05以上未達0.1

B：成形不勻0.1以上未達0.15

C：成形不勻0.15以上。

(10)耐熱性A

以(8)之方法進行真空成形後的成形體樣本，依下述基準進行評估。

S：成形後於薄膜表面完全未觀察到粗糙，成形前後薄膜的光澤度之差的絕對值未達3。

A：成形後於薄膜表面完全未觀察到粗糙

B：成形後於薄膜表面完全未觀察到粗糙，成形前後薄膜的光澤度之差的絕對值未達5。

C：成形後於薄膜表面完全未觀察到粗糙，成形前後薄膜的光澤度之差的絕對值為5以上。

(11)耐熱性B

以(8)之方法進行真空成形後的成形體樣本，於70℃之熱風烘箱中保持5分鐘後依下述基準進行評估。

S：熱處理前後表面粗度之絕對值差未達10nm。

A：熱處理前後表面粗度之絕對值差為10nm以上未達20nm。

B：熱處理前後表面粗度之絕對值差為20nm以上未達30nm。

C：熱處理前後表面粗度之絕對值差為30nm以上。

(12)尺寸安定性A

將薄膜沿長邊方向及寬度方向切出長度50mm×寬度4mm之矩形作為樣本。使用熱機械分析裝置(SEIKO INSTRUMENTS製，TMA EXSTAR6000)於試驗長度15mm、荷重19.6mN、升溫速度5℃/min之條件下測得80℃之尺寸變化，依下述基準進行評估。

尺寸變化率(%)={|試驗長度(mm)-保持後之薄膜長度(mm)|/試驗長度(mm)}×100。

S：薄膜長邊方向與寬度方向之尺寸變化率未達±3%

A：薄膜長邊方向與寬度方向之尺寸變化為±3%以上未達±4%

B：薄膜長邊方向與寬度方向之尺寸變化為±4%以上未達±5%

C：薄膜長邊方向與寬度方向之尺寸變化為±5%以上

(13)尺寸安定性B

將薄膜沿長邊方向及寬度方向切出長度50mm×寬度4mm之矩形作為樣本。使用熱機械分析裝置(SEIKO INSTRUMENTS製，TMA EXSTAR6000)於試驗長度15mm、荷重19.6mN、升溫速度5℃/min之條件下測得150℃之尺寸變化，依下述基準進行評估。

尺寸變化率(%)={|試驗長度(mm)-保持後之薄膜長度(mm)|/試驗長度(mm)}×100。

S：薄膜長邊方向與寬度方向之尺寸變化率未達±3%

A：薄膜長邊方向與寬度方向之尺寸變化為±3%以上未達±4%

B：薄膜長邊方向與寬度方向之尺寸變化為±4%以上未達±5%

C：薄膜長邊方向與寬度方向之尺寸變化為±5%以上

(聚酯之製造)

如下準備供製膜的聚酯樹脂。

(PET)

於對酞酸二甲酯100質量份、乙二醇70質量份之混合物加乙酸錳0.04質量份，緩慢升溫，最後於220℃一邊餾出甲醇一邊進行酯交換反應。其次添加磷酸之85%水溶液0.025質量份、二氧化鍺0.02質量份，於290℃、1hPa之減壓下進行聚縮合反應，獲得固有黏度0.65，副生成的二乙二醇2莫耳%之經共聚合的對酞酸乙二酯樹脂。

(PBT)

對酞酸二甲酯100質量份及1,4-丁二醇110質量份之混合物於氮氣氛圍下升溫至140℃成均勻溶液後，添加原鈦酸四正丁酯0.054質量份、單羥丁基氧化錫0.054質量份，進行酯化反應。其次添加原鈦酸四正丁酯0.066質量份，於減壓下進行聚縮合反應，製作固有黏度0.88的聚對酞酸丁二酯樹脂。然後，於140℃、氮氣氛圍下進行結晶化，繼之於氮氣氛圍下進行200℃、6小時之固相聚合，成為固有黏度1.22的聚對酞酸丁二酯樹脂。

(PTT)

對酞酸二甲酯100質量份、1,3-丙二醇80質量份於氮氣氛圍下以鈦酸四丁酯用作觸媒，自140℃緩慢升溫至230℃，餾出甲醇同時進行酯交換反應。更於250℃溫度一定之條件下進行聚縮合反應3小時，獲得極限黏度[η]為0.86之聚對酞酸三亞甲二酯樹脂。

(PET-G)

以1,4-環己二甲醇30mol%共聚之共聚酯(EASTMAN CHEMICAL公司製Eatster PETG6763)與PET以質量比90：10混合，使用排氣式雙軸擠壓機於280℃混練，獲得副生成的二乙二醇2莫耳%共聚合的1,4-環己二甲醇27mol%之共聚合對酞酸乙二酯樹脂。

(PET-I)

於對酞酸二甲酯82.5質量份、異酞酸二甲酯17.5質量份及乙二醇70質量份之混合物中添加0.09質量份的乙酸鎂與0.03質量份之三氧化銻，緩慢升溫，最後於220℃一邊餾出甲醇一邊進行酯交換反應。繼之於該酯交換反應產中物添加0.020質量份的磷酸之85%水溶液後，移往聚縮合反應釜。於聚合釜內一邊加熱升溫一邊將反應系緩慢減壓，1hPa之減壓下於287℃進行聚縮合反應，獲得固有黏度0.7，副生成之二乙二醇為2莫耳%共聚合的異酞酸17.5莫耳%之共聚合對酞酸乙二酯樹脂。

(粒子M)

於對酞酸二甲酯100質量份、乙二醇70質量份之混合物中加入乙酸錳0.04質量份，緩慢升溫，最後於220℃一邊餾出甲醇一邊進行酯交換反應。其次添加磷酸之85%水溶液0.025質量份、二氧化鍺0.02質量份。更以數量平均粒徑1.2μm之濕式矽石凝集粒子的乙二醇漿體添加至粒子濃度達2質量%，於290℃、1hPa之減壓下進行聚縮合反應，獲得固有黏度0.65，副生成的二乙二醇2莫耳%經共聚合的聚對酞酸乙二酯粒子母料。

(核劑M1)

如上製作之PET，與硬脂酸鋇以質量比90：10混合，使用排氣式雙軸擠壓機於280℃混練，獲得硬脂酸鋇10質量%之母料丸粒(核劑M1)。

(核劑M2)

如上製作之PET，與乙二硬脂酸醯胺以質量比90：10混合，使用排氣式雙軸擠壓機於270℃混練，獲得乙二月桂酸醯胺10質量%之母料丸粒(核劑M2)。

(核劑M3)

如上製作之PET與二十八酸鈉以質量比90：10混合，使用排氣式雙軸擠壓機於270℃混練，獲得二十八酸鈉10質量%之母料丸粒(核劑M3)。

(核劑M4)

於對酞酸二甲酯100質量份、乙二醇70質量份之混合物中添加乙酸錳0.04質量份，緩慢升溫，最後於220℃一邊餾出甲醇一邊進行酯交換反應。其次添加0.025質量份的磷酸之85%水溶液、0.02質量份的二氧化鍺，更添加乙酸鈉5質量份，於290℃、1hPa之減壓下進行聚縮合反應，獲得固有黏度0.65，共聚合副生成的二乙二醇2莫耳%之乙酸鈉5質量%的聚對酞酸乙二酯樹脂(核劑M4)。

(核劑M5)

如上製作之PET與2,4-二(對甲亞芐基)山梨醇以質量比90：10混合，使用排氣式雙軸擠壓機於270℃混練，獲得2,4-二(對甲亞芐基)山梨醇10質量%之母料丸粒(核劑M5)。

(實施例1)

製作A層/B層/A層之3層積層薄膜。構成A層之聚酯A係PET、PET-G、PBT、核劑M1與粒子M以質量比38.3：50：10：0.7：1混合使用。構成B層之聚酯B係PET、PET-G、PBT與核劑M1以質量比39.3：50：10：0.7之比例混合使用。各混合聚酯樹脂各以真空乾燥機於180℃乾燥4小時，充分去除水分後，供給於個別單軸擠壓機，於280℃熔化，經個別路徑通過過濾器、齒輪泵去除雜質，整勻擠壓量後，於設置在T模上部之入料塊內積層成A層/B層/A層(積層厚度比參照表列)後，自T模以薄片狀吐出於控溫成25℃之冷卻鼓上。此時，使用直徑0.1mm的線狀電極施加靜電，使密著於冷卻鼓，獲得未延伸薄膜。其次，往長邊方向之延伸前以加熱輥將薄膜升溫至預熱溫度90℃，最後於薄膜溫度95℃沿長邊方向延伸3.1倍，隨即以控溫於40℃之金屬輥冷卻。其次藉拉幅式橫向延伸機以預熱溫度70℃、延伸溫度100℃於寬度方向延伸3.1倍，直接於拉幅機內一邊於寬度方向施以3%之鬆弛一邊於溫度235℃進行熱處理5秒，獲得薄膜厚度25μm之雙軸配向聚酯薄膜。又，所獲得之薄膜於A層、B層皆係構成層之二醇成分的60莫耳%以上係乙二醇成分，以層全體為100質量%時，含有結晶核劑0.01～5質量%，層之結晶熔化能ΔHm係5～35J/g。因而兩層皆相當於聚酯層(b層)。故Tb/TF為1。

(實施例2)

製作A層/B層/A層之3層積層薄膜。構成A層之聚酯A係PET、PET-G、PBT、核劑M1與粒子M以質量比37：50：10：2：1混合使用。構成B層之聚酯B係PET、PET-G、PBT與核劑M1以質量比38：50：10：2之比例混合使用。之後如同實施例1獲得薄膜厚度25μm之雙軸配向聚酯薄膜。又，所獲得之薄膜於A層及B層皆係構成層之二醇成分的60莫耳%以上為乙二醇成分，以層全體為100質量%時，含有結晶核劑0.01～5質量%，層之結晶熔化能ΔHm係5～35J/g。因而兩層皆相當於聚酯層(b層)。故Tb/TF為1。

(實施例3)

製作A層/B層/A層之3層積層薄膜。構成A層之聚酯A係PET、PET-G、PBT、核劑M1與粒子M以質量比34：50：10：5：1混合使用。構成B層之聚酯B係PET、PET-G、PBT與核劑M1以質量比35：50：10：5之比例混合使用。之後如同實施例1獲得薄膜厚度25μm之雙軸配向聚酯薄膜。所獲得之薄膜於A層及B層皆係構成層之二醇成分的60莫耳%以上為乙二醇成分，以層全體為100質量%時，含有結晶核劑0.01～5質量%，層之結晶熔化能ΔHm係5～35J/g。因而兩層皆相當於聚酯層(b層)。故Tb/TF為1。

(實施例4)

製作A層/B層/A層之3層積層薄膜。構成A層之聚酯A係PET、PET-G、PBT、核劑M1與粒子M以質量比29：50：10：10：1混合使用。構成B層之聚酯B係PET、PET-G、PBT與核劑M1以質量比30：50：10：10之比例混合使用。之後如同實施例1獲得薄膜厚度25μm之雙軸配向聚酯薄膜。又，所獲得之薄膜於A層及B層皆係構成層之二醇成分的60莫耳%以上為乙二醇成分，以層全體為100質量%時，含有結晶核劑0.01～5質量%，層之結晶熔化能ΔHm係5～35J/g。因而兩層皆相當於聚酯層(b層)。故Tb/TF為1。

(實施例5)

製作A層/B層/A層之3層積層薄膜。構成A層之聚酯A係PET、PET-G、PBT、核劑M1與粒子M以質量比19：50：10：20：1混合使用。構成B層之聚酯B係PET、PET-G、PBT與核劑M1以質量比20：50：10：20之比例混合使用。之後如同實施例1獲得薄膜厚度25μm之雙軸配向聚酯薄膜。又，所獲得之薄膜於A層及B層皆係構成層之二醇成分的60莫耳%以上為乙二醇成分，以層全體為100質量%時，含有結晶核劑0.01～5質量%，層之結晶熔化能ΔHm係5～35J/g。因而兩層皆相當於聚酯層(b層)。故Tb/TF為1。

(實施例6)

製作A層/B層/A層之3層積層薄膜。構成A層之聚酯A係PET、PET-G、PBT、核劑M1與粒子M以質量比14：50：10：25：1混合使用。構成B層之聚酯B係PET、PET-G、PBT與核劑M1以質量比15：50：10：25之比例混合使用。之後如同實施例1獲得薄膜厚度25μm之雙軸配向聚酯薄膜。所獲得之薄膜於A層及B層皆係構成層的二醇成分之60莫耳%以上為乙二醇成分，以層全體為100質量%時，含有結晶核劑0.01～5質量%，層之結晶熔化能ΔHm係5～35J/g。因而兩層皆相當於聚酯層(b層)。故Tb/TF為1。

(實施例7)

製作A層/B層/A層之3層積層薄膜。構成A層之聚酯A係PET、PET-G、PBT、核劑M1與粒子M以質量比39.6：50：10：5：0.4混合使用。構成B層之聚酯B係PET、PET-G、PBT與核劑M1以質量比39.6：50：10：0.4之比例混合使用。之後如同實施例1獲得薄膜厚度25μm之雙軸配向聚酯薄膜。又，所獲得之薄膜於A層及B層皆係構成層的二醇成分之60莫耳%以上為乙二醇成分，以層全體為100質量%時，含有結晶核劑0.01～5質量%，層之結晶熔化能ΔHm係5～35J/g。因而兩層皆相當於聚酯層(b層)。故Tb/TF為1。

(實施例8)

製作A層/B層/A層之3層積層薄膜。A層、B層皆與實施例3者組成相同，獲得同積層比之未延伸薄膜。所獲得之未延伸薄膜以預熱溫度90℃，最後於薄膜溫度95℃沿長邊方向延伸3.1倍，隨即以控溫於40℃之金屬輥冷卻。其次藉拉幅式橫向延伸機以預熱溫度80℃、延伸溫度102℃於寬度方向延伸3.1倍，直接於拉幅機內一邊於寬度方向施以3%之鬆弛一邊於溫度235℃熱處理5秒，獲得薄膜厚度25μm之雙軸配向聚酯薄膜。所獲得之薄膜因橫向延伸溫度高，均勻成形性略低落。又，所獲得之薄膜於A層及B層皆係構成層的二醇成分之60莫耳%以上為乙二醇成分，以層全體為100質量%時，含有結晶核劑0.01～5質量%，層之結晶熔化能ΔHm係5～35J/g。因而兩層皆相當於聚酯層(b層)。故Tb/TF為1。

(實施例9)

製作A層/B層/A層之3層積層薄膜。獲得A層、B層皆與實施例3者組成相同的，同積層比之未延伸薄膜。所獲得之未延伸薄膜以預熱溫度90℃，最後於薄膜溫度95℃沿長邊方向延伸3.1倍，隨即以控溫於40℃之金屬輥冷卻。其次藉拉幅式橫向延伸機以預熱溫度95℃、延伸溫度112℃於寬度方向延伸3.1倍，直接於拉幅機內一邊於寬度方向施以3%之鬆弛一邊於溫度235℃熱處理5秒，獲得薄膜厚度25μm之雙軸配向聚酯薄膜。所獲得之薄膜因橫向延伸預熱溫度、延伸溫度高，均勻成形性略低落。所獲得之薄膜於A層及B層皆係構成層的二醇成分之60莫耳%以上為乙二醇成分，以層全體為100質量%時，含有結晶核劑0.01～5質量%，層之結晶熔化能ΔHm係5～35J/g。因而兩層皆相當於聚酯層(b層)。故Tb/TF為1。

(實施例10)

製作A層/B層/A層之3層積層薄膜。構成A層之聚酯A係PET、PET-G、PBT與粒子M以質量比19：60：20：1混合使用。構成B層之聚酯B係PET、PET-G、PBT與核劑M1以質量比14.3：60：20：5.7之比例混合使用。使熱處理溫度為240℃以外如同實施例1獲得薄膜厚度25μm之雙軸配向聚酯薄膜。所獲得之薄膜係，構成B層的二醇成分之60莫耳%以上為乙二醇成分，以層全體為100質量%時，含有結晶核劑0.01～5質量%，層之結晶熔化能ΔHm係5～35J/g。因而B層相當於聚酯層(b層)。

(實施例11)

製作A層/B層/A層之3層積層薄膜。構成A層之聚酯A係PET、PET-G、PBT與粒子M以質量比9：70：20：1混合使用。構成B層之聚酯B係PET、PET-G、PBT與核劑M1以質量比4.3：70：20：5.7之比例混合使用。之後如同實施例1獲得薄膜厚度25μm之雙軸配向聚酯薄膜。又，所獲得之薄膜係，構成B層的二醇成分之60莫耳%以上為乙二醇成分，以層全體為100質量%時，含有結晶核劑0.01～5質量%，層之結晶熔化能ΔHm係5～35J/g。因而B層相當於聚酯層(b層)。

(實施例12)

製作A層/B層/A層之3層積層薄膜。構成A層之聚酯A係PET、PET-G與粒子M以質量比18.8：80：1.2混合使用。構成B層之聚酯B係PET、PET-G與核劑M1以質量比14.2：80：5.8之比例混合使用。使長邊方向與寬度方向之延伸倍率為3倍以外如同實施例1獲得薄膜厚度15μm之雙軸配向聚酯薄膜。又，所獲得之薄膜係，構成B層的二醇成分之60莫耳%以上為乙二醇成分，以層全體為100質量%時，含有結晶核劑0.01～5質量%，層之結晶熔化能ΔHm係5～35J/g。因而B層相當於聚酯層(b層)。

(實施例13)

製作A層/B層/A層之3層積層薄膜。構成A層之聚酯A係PET、PET-I與粒子M以質量比28：70：2混合使用。構成B層之聚酯B係PET、PET-I、與核劑M2以質量比19.1：70：10.9之比例混合使用。之後使熱處理溫度為220℃以外如同實施例1獲得薄膜厚度25μm之雙軸配向聚酯薄膜。又，所獲得之薄膜係，構成B層的二醇成分之60莫耳%以上為乙二醇成分，以層全體為100質量%時，含有結晶核劑0.01～5質量%，層之結晶熔化能ΔHm係5～35J/g。因而B層相當於聚酯層(b層)。

(實施例14)

製作A層/B層/A層之3層積層薄膜。構成A層之聚酯A係PET、PET-G、PBT與粒子M以質量比49：30：20：1混合使用。構成B層之聚酯B係PET、PET-G、PBT與核劑M2以質量比39.3：20：30：10.7之比例混合使用。之後使長邊方向之延伸倍率為3.3，寬度方向之延伸倍率為3.4倍，熱處理溫度為220℃以外如同實施例1獲得薄膜厚度32μm之雙軸配向聚酯薄膜。所獲得之薄膜因核劑濃度在最適範圍，而面配向係數略高，成形性稍差。所獲得之薄膜係，構成B層的二醇成分之60莫耳%以上為乙二醇成分，以層全體為100質量%時，含有結晶核劑0.01～5質量%，層之結晶熔化能ΔHm係5～35J/g。故B層相當於聚酯層(b層)。

(實施例15)

製作A層/B層/A層之3層積層薄膜。構成A層之聚酯A係PET、PET-G、PBT與粒子M以質量比49：20：30：1混合使用。構成B層之聚酯B係PET、PET-G、PBT與核劑M2以質量比9.6：20：30：40.4之比例混合使用。之後如同實施例1獲得薄膜厚度15μm之雙軸配向聚酯薄膜。又，所獲得之薄膜係，構成B層的二醇成分之60莫耳%以上為乙二醇成分，以層全體為100質量%時，含有結晶核劑0.01～5質量%，層之結晶熔化能ΔHm係5～35J/g。故B層相當於聚酯層(b層)。

(實施例16)

製作A層/B層之2層積層薄膜。構成A層之聚酯A係PET、PET-G、PBT、核劑M3與粒子M以質量比23.5：20：30：25：1.5混合使用。構成B層之聚酯B係PET、PET-G、PBT與核劑M3以質量比25：20：30：25之比例混合使用。之後如同實施例1獲得薄膜厚度12μm之雙軸配向聚酯薄膜。所獲得之薄膜於A層及B層皆係構成層的二醇成分之60莫耳%以上為乙二醇成分，以層全體為100質量%時，含有結晶核劑0.01～5質量%，層之結晶熔化能ΔHm係5～35J/g。因而兩層皆相當於聚酯層(B層)。故TB/TF為1。

(實施例17)

製作單層薄膜。構成B層之聚酯B係PET、PET-G、PBT、核劑M3與粒子M以質量比34：20：20：25：1之比例混合使用。之後如同實施例1獲得薄膜厚度15μm之雙軸配向聚酯薄膜。又，所獲得之薄膜係單層，B層係構成層的二醇成分之60莫耳%以上為乙二醇成分，以層全體為100質量%時，含有結晶核劑0.01～5質量%，層之結晶熔化能ΔHm係5～35J/g。因而TB/TF為1。

(實施例18)

製作A層/B層之2層積層薄膜。構成A層之聚酯A係PET、PET-G、PBT與粒子M以質量比18.5：60：20：1.5混合使用。構成B層之聚酯B係PET、PET-G、PBT與核劑M4以質量比9.4：60：20：10.6之比例混合使用。之後如同實施例1獲得薄膜厚度20μm之雙軸配向聚酯薄膜。所獲得之薄膜係，構成B層的二醇成分之60莫耳%以上為乙二醇成分，以層全體為100質量%時，含有結晶核劑0.01～5質量%，層之結晶熔化能ΔHm係5～35J/g。因而B層相當於聚酯層(b層)。

(實施例19)

製作A層/B層/A層之3層積層薄膜。構成A層之聚酯A係PET、PBT、核劑M5與粒子M以質量比63.8：35：0.4：0.8混合使用。構成B層之聚酯B係PET、PBT與核劑M5以質量比64.2：35：0.8之比例混合使用。之後如同實施例4獲得薄膜厚度25μm之雙軸配向聚酯薄膜。所獲得之薄膜於A層及B層皆係構成層的二醇成分之60莫耳%以上為乙二醇成分，以層全體為100質量%時，含有結晶核劑0.01～5質量%，層之結晶熔化能ΔHm係5～35J/g。因而兩層皆相當於聚酯層(B層)。故TB/TF為1。而所獲得之薄膜係，構成B層的二醇成分之60莫耳%以上為乙二醇成分，以層全體為100質量%時，含有結晶核劑0.01～5質量%，層之結晶熔化能ΔHm係5～35J/g。因而B層相當於聚酯層(b層)。

(實施例20)

製作A層/B層/A層之3層積層薄膜。構成A層之聚酯A係PET、PET-G、PBT與粒子M以質量比19.2：60：20：0.8混合使用。構成B層之聚酯B係PET、PET-G、PBT與核劑M5以質量比11.3：60：20：8.7之比例混合使用。其次以雙軸延伸法於薄膜溫度95℃延伸2.8倍×2.8倍，於225℃熱處理7秒，獲得薄膜厚度25μm之雙軸配向聚酯薄膜。又，所獲得之薄膜係，構成B層的二醇成分之60莫耳%以上為乙二醇成分，以層全體為100質量%時，含有結晶核劑0.01～5質量%，層之結晶熔化能ΔHm係5～35J/g。因而B層相當於聚酯層(b層)。

(實施例21)

製作A層/B層/A層之3層積層薄膜。構成A層之聚酯A係PET、PET-G、PBT與粒子M以質量比38.8：50：10：1.2混合使用。構成B層之聚酯B係PET、PET-G、PBT與核劑M5以質量比37.8：50：10：2.2之比例混合使用。之後使熱處理溫度為220℃以外如同實施例1獲得薄膜厚度25μm之雙軸配向聚酯薄膜。又，所獲得之薄膜係，構成B層的二醇成分之60莫耳%以上為乙二醇成分，以層全體為100質量%時，含有結晶核劑0.01～5質量%，層之結晶熔化能ΔHm係5～35J/g。因而B層相當於聚酯層(b層)。

(比較例1)

製作A層/B層/A層之3層積層薄膜。構成A層之聚酯A係PET、PET-G、PBT與粒子M以質量比39：50：10：1混合使用。構成B層之聚酯B係PET、PET-G與PBT以質量比40：50：10之比例混合使用。之後如同實施例4獲得薄膜厚度25μm之雙軸配向聚酯薄膜。又，所獲得之薄膜係，二醇成分的60莫耳%以上為乙二醇成分，以層全體為100質量%時，含有結晶核劑0.01～5質量%，層之結晶熔化能ΔHm係5～35J/g的相當層(b層)不存在。

(比較例2)

製作單層積層薄膜。構成B層之聚酯B係PET、PET-G、PBT、核劑M5與粒子M以質量比38.92：50：10：0.08：1之比例混合使用。之後如同實施例4獲得薄膜厚度40μm之雙軸配向聚酯薄膜。又，所獲得之薄膜係，二醇成分的60莫耳%以上為乙二醇成分，以層全體為100質量%時，含有結晶核劑0.01～5質量%，層之結晶熔化能ΔHm係5～35J/g的相當層(b)層不存在。

(比較例3)

製作A層/B層/A層之3層積層薄膜。構成A層之聚酯A係PET、PET-G、PBT與粒子M以質量比48.5：20：30：1.5混合使用。構成B層之聚酯B係PET-G、PBT與核劑M1以質量比20：20：60之比例混合使用。之後如同實施例1獲得薄膜厚度25μm之雙軸配向聚酯薄膜。又，所獲得之薄膜係，二醇成分的60莫耳%以上為乙二醇成分，以層全體為100質量%時，含有結晶核劑0.01～5質量%，層之結晶熔化能ΔHm係5～35J/g的相當層(b)層不存在。

(比較例4)

製作A層/B層之2層積層薄膜。構成A層之聚酯A係PET、PET-G、PBT與粒子M以質量比9：80：10：1混合使用。構成B層之聚酯B係PET-G、PBT與核劑M3以質量比81.5：10：8.5之比例混合使用。之後如同實施例1獲得薄膜厚度25μm之雙軸配向聚酯薄膜。又，所獲得之薄膜係，二醇成分的60莫耳%以上為乙二醇成分，以層全體為100質量%時，含有結晶核劑0.01～5質量%，層之結晶熔化能ΔHm係5～35J/g的相當層(b)層不存在。

(比較例5)

製作A層/B層之2層積層薄膜。構成A層之聚酯A係PET、PET-G、PBT與粒子M以質量比73.5：10：15：1.5混合使用。構成B層之聚酯B係PET、PET-G、PBT與核劑M4以質量比64.4：10：15：10.6之比例混合使用。之後如同實施例1獲得薄膜厚度25μm之雙軸配向聚酯薄膜。又，所獲得之薄膜係，二醇成分的60莫耳%以上為乙二醇成分，以層全體為100質量%時，含有結晶核劑0.01～5質量%，層之結晶熔化能ΔHm係5～35J/g的相當層(b)層不存在。

(比較例6)

製作A層/B層之2層積層薄膜。構成A層之聚酯A係PET、PET-G、PBT與粒子M以量比73.5：10：15：1.5混合使用。構成B層之聚酯B係PET、PET-G、PBT與核劑M4以質量比20：10：15：55之比例混合使用。各混合聚酯樹脂個別以真空乾燥機於180℃乾燥4小時，充分去除水分後，供給於個別單軸擠壓機，於280℃熔化，經個別路徑通過過濾器、齒輪泵，去除雜質、整勻擠壓量後，藉設置在T模上部之入料塊積層為A層/B層/A層(積層厚度參照表列)後，自T模以薄膜狀吐出於控溫為25℃之冷卻鼓上。此時，使用直徑0.1mm之線狀電極施加靜電，使密著於冷卻鼓而獲得未延伸薄膜。又，所獲得之薄膜係，二醇成分之60莫耳%以上為乙二醇成分，以層全體為100質量%時，含有結晶核劑0.01～5質量%，層之結晶熔化能ΔHm係5～35J/g的相當層(b)層不存在。

(比較例7)

製作A層/B層之2層積層薄膜。構成A層之聚酯A係PET、PET-G、PBT與粒子M以質量比73.5：10：15：1.5混合使用。構成B層之聚酯B係PET、PET-G、PBT與核劑M4以質量比20：10：15：55之比例混合使用。之後如同實施例1進行延伸，但進行薄膜結晶化，無法獲得雙軸延伸薄膜。

(比較例8)

製作A層/B層之2層積層薄膜。構成A層之聚酯A係PET、PET-G、PBT與粒子M以質量比73.5：10：15：1.5混合使用。構成B層之聚酯B係PET、PET-G、PBT與核劑M4以質量比75：10：15之比例混合使用。之後如同比較例6獲得未延伸薄膜。所獲得之薄膜係，二醇成分的60莫耳%以上為乙二醇成分，以層全體為100質量%時，含有結晶核劑0.01～5質量%，層之結晶熔化能ΔHm為5～35J/g的相當層(b)層不存在。

而表中之代號如下。

EG：乙二醇成分

DEG：二乙二醇成分

BD：1,4-丁二醇成分

PG：1,3-丙二醇成分

CHDM：1,4-環己烷二甲醇成分

TPA：對酞酸殘基成分

IPA：異酞酸殘基成分

F100：100%伸長時之應力

產業上之利用可能性

本發明係關於聚酯薄膜，尤因成形性非常優良，適用於建材、汽車零件、手機、電機製品等之成形構件用途。

Claims (10)

1. 一種雙軸配向聚酯薄膜，其特徵為：構成聚酯薄膜之二醇成分的60莫耳%以上係乙二醇成分，以聚酯薄膜全體為100質量%時，含有結晶核劑0.01~5質量%，結晶熔化能△Hm為5~35J/g，面配向係數為0.07~0.13。
2. 如申請專利範圍第1項之雙軸配向聚酯薄膜，其係具有聚酯層(b層)之聚酯薄膜，其中構成該聚酯層(b層)之二醇成分的60莫耳%以上為乙二醇成分，以聚酯層(b層)全體為100質量%時，含有結晶核劑0.01~5質量%，聚酯層(b層)之結晶熔化能△Hm為5~35J/g，聚酯層(b層)之層厚度TB(μm)與聚酯薄膜之薄膜厚度TF(μm)之比TB/TF為0.6以上。
3. 如申請專利範圍第1或2項之雙軸配向聚酯薄膜，其中結晶核劑係選自脂肪族羧酸醯胺、脂肪族羧酸鹽及山梨醇系化合物所構成之群組的至少1種結晶核劑。
4. 如申請專利範圍第1或2項之雙軸配向聚酯薄膜，其中面配向係數為0.07~0.11。
5. 如申請專利範圍第1或2項之雙軸配向聚酯薄膜，其中150℃之薄膜的長邊方向及寬度方向之斷裂伸度為300~700%。
6. 如申請專利範圍第1或2項之雙軸配向聚酯薄膜，其中150℃之薄膜的長邊方向及寬度方向之斷裂伸度為420~700%。
7. 如申請專利範圍第2項之雙軸配向聚酯薄膜，其中構成 聚酯層(b層)之二醇成分的1~30莫耳%係1,4-環己烷二甲醇成分。
8. 如申請專利範圍第2項之雙軸配向聚酯薄膜，其中構成聚酯層(b層)之二醇成分的1~30莫耳%係1,4-丁二醇及/或1,3-丙二醇成分。
9. 如申請專利範圍第1或2項之雙軸配向聚酯薄膜，其中熔點係230~255℃。
10. 如申請專利範圍第1或2項之雙軸配向聚酯薄膜，其係使用於成形用途。