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TWI535561B - A molded body, a manufacturing method thereof, an electronic device element, and an electronic device - Google Patents

A molded body, a manufacturing method thereof, an electronic device element, and an electronic device Download PDF

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TWI535561B
TWI535561B TW100130450A TW100130450A TWI535561B TW I535561 B TWI535561 B TW I535561B TW 100130450 A TW100130450 A TW 100130450A TW 100130450 A TW100130450 A TW 100130450A TW I535561 B TWI535561 B TW I535561B
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layer
gas barrier
molded article
group
compound
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TW100130450A
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上村和惠
近藤健
鈴木悠太
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琳得科股份有限公司
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Publication date
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Description

成形體、其製造方法、電子裝置用元件及電子裝置
本發明係關於一種成形體、其製造方法、由該成形體而組成之電子裝置用元件以及包括該電子裝置用元件之電子裝置。
向來，塑膠薄膜等之高分子成形體係低價格且加工性良好，因此，賦予要求之機能而使用在各種領域。
例如為了在食品或醫藥品之包裝用薄膜，抑制蛋白質或油脂等之氧化或變質而保持味道或鮮度，因此，使用防止水蒸氣或氧之透過之氣體障蔽性之塑膠薄膜。
此外，在近年來，為了在液晶顯示器或電激發光(EL)顯示器等之顯示器，實現薄型化、軽量化、可撓曲化等，因此，檢討作為具有電極之基板係使用透明塑膠薄膜，來取代玻璃板。但是，塑膠薄膜係比起玻璃板，還更加容易透過水蒸氣或氧等，有所謂容易引起顯示器內部之元件惡化之問題發生。
為了解決該問題，因此，在專利文獻1，提議：在透明塑膠薄膜來層積由金屬氧化物之所組成之透明氣體障蔽層之可撓曲顯示器基板。
但是，該文獻記載之可撓曲顯示器基板係在透明塑膠薄膜之表面，藉由蒸鍍法、離子植入法、濺鍍法等而層積由金屬氧化物之所組成之透明氣體障蔽層，因此，在該基板變圓或彎曲時，有所謂在氣體障蔽層來發生破裂而降低氣體障蔽性之問題發生。
此外，在專利文獻2，揭示：在薄膜之至少一邊之面，形成聚矽氨烷膜，在該聚矽氨烷膜，施行電漿處理，製造氣體障蔽性薄膜之方法。但是，在該方法，如果氣體障蔽層之厚度無成為微米位級的話，則有所謂無法出現充分之氣體障蔽性能之問題發生。例如記載：在氣體障蔽層之厚度成為0.1μm之時，水蒸氣透過率係0.50g/m2/day。
【先前技術文獻】 【專利文獻】
【專利文獻1】日本特開2000-338901號公報
【專利文獻2】日本特開2007-237588號公報
本發明係有鑒於前述先前技術而完成的，以提供一種氣體障蔽性及透明性呈良好之成形體、其製造方法、由該成形體而組成之電子裝置用元件以及包括該電子裝置用元件之電子裝置，來作為課題。
本發明人們係為了解決前述課題，因此，全心地進行檢討，結果發現：成為基材層、含有含羥基聚合物之底塗佈層和氣體障蔽層來按照該順序而層積來組成的成形體且前述氣體障蔽層至少由包含氧原子和矽原子之材料而構成而其表層部之氧原子、氮原子和矽原子之存在比例以及膜密度成為特定值的成形體係氣體障蔽性及透明性呈良好。此外，發現可以藉由在基材層上，形成含有含羥基聚合物之底塗佈層，並且，在其上面形成包含聚矽氨烷化合物之層來作為氣體障蔽層之後，在包含該聚矽氨烷化合物之層，注入離子，而簡便且效率良好地製造氣體障蔽性及透明性呈良好之成形體，以致於完成本發明。
像這樣，如果藉由本發明之第1種的話，則提供下列之(1)～(8)之成形體。
(1)：一種成形體，係基材層、含有含羥基聚合物之底塗佈層和氣體障蔽層來按照該順序而層積來組成的成形體，前述氣體障蔽層係至少由包含氧原子和矽原子之材料而構成，其表層部之氧原子相對於氧原子、氮原子和矽原子之整體存在量之存在比例係60～75%，氮原子之存在比例係0～10%，矽原子之存在比例係25～35%，並且，該表層部之膜密度係2.4～4.0g/cm3。
(2)：如(1)所述之成形體係前述氣體障蔽層，在包含聚矽氨烷化合物之層來注入離子而得到。
(3)：如(1)或(2)所述之成形體係前述含羥基聚合物，包含羥基之重複單位相對於全重複單位而含有10mol%以上。
(4)：如(2)或(3)所述之成形體係前述離子，由氫、氮、氧、氬、氦、氖、氙和氪而組成之群組來選出之至少一種氣體而進行離子化。
(5)：如(2)至(4)中任一項所述之成形體係前述氣體障蔽層，在包含聚矽氨烷化合物之層，藉由電漿離子注入而注入離子來得到之層。
(6)：如(2)至(5)中任一項所述之成形體係前述聚矽氨烷化合物為全氫化聚矽氨烷。
(7)：如(1)至(6)中任一項所述之成形體係在40℃、相對濕度90%之氣氛下之水蒸氣透過率為未滿0.10g/m2/day。
(8)：如(1)至(7)中任一項所述之成形體係根據JISK7361-1之全光線透過率為90%以上。
如果藉由本發明之第2種的話，則提供下列之(9)～(11)之成形體之製造方法。
(9)：如(2)所述之成形體之製造方法，係具有：在含有含羥基聚合物之底塗佈層來形成於表面之基材之前述底塗佈層之上，形成包含聚矽氨烷化合物之層之製程；以及在包含前述聚矽氨烷化合物之層之表面部，注入離子之製程。
(10)：如(9)所述之成形體之製造方法，係具有：在含有含羥基聚合物之底塗佈層來形成於表面之基材之前述底塗佈層之上，形成包含聚矽氨烷化合物之層之製程；以及在包含該聚矽氨烷化合物之層之表面部，對於由氫、氮、氧、氬、氦、氖、氙和氪而組成之群組來選出之至少一種氣體，進行離子注入之製程。
(11)：如(9)所述之成形體之製造方法，係具有：在含有含羥基聚合物之底塗佈層來形成於表面之基材之前述底塗佈層之上，形成包含聚矽氨烷化合物之層之製程；以及在包含該聚矽氨烷化合物之層之表面部，藉由電漿離子注入法，來對於由氫、氮、氧、氬、氦、氖、氙和氪而組成之群組來選出之至少一種氣體，進行離子注入之製程。
如果藉由本發明之第3種的話，則提供下列之(12)之電子裝置用元件。
(12)：一種電子裝置用元件係由前述(1)至(8)中任一項所述之成形體而組成。
如果藉由本發明之第4種的話，則提供下列之(13)之電子裝置。
(13)：一種電子裝置係包括前述(12)所述之電子裝置用元件。
本發明之成形體係具有良好之氣體障蔽性能，透明性呈良好。於是，本發明之成形體係可以適合使用成為太陽能電池、觸控面板、電子紙、顯示器等之電子裝置用元件。
如果藉由本發明之製造方法的話，則可以安全且簡便地製造具有良好之氣體障蔽性之本發明之成形體。此外，比起無機膜之成膜，還能夠以低成本且容易地達到大面積化。
本發明之電子裝置用元件係具有良好之氣體障蔽性和透明性，因此，可以適合使用在觸控面板、電子紙、有機‧無機EL之可撓性顯示器、太陽能電池等之電子裝置等。
在以下，本發明係分成為1)成形體、2)成形體之製造方法以及3)電子裝置用元件及電子裝置之項目而詳細地進行說明。
1)成形體
本發明之成形體，係基材層、含有含羥基聚合物之底塗佈層和氣體障蔽層來按照該順序而層積來組成的成形體，其特徵在於：前述氣體障蔽層係至少由包含氧原子和矽原子之材料而構成，其表層部之氧原子相對於氧原子、氮原子和矽原子之整體存在量之存在比例係60～75%，氮原子之存在比例係0～10%，矽原子之存在比例係25～35%，並且，該表層部之膜密度係2.4～4.0g/cm3。
(基材層)
本發明之成形體係具有基材層。作為該基材層之素材係如果是聚矽氨烷化合物以外而符合成形體之目的的話，則並無特別限制。列舉例如聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺、聚苯撐基醚、聚醚酮、聚醚醚酮、聚烯烴、聚酯、聚碳酸酯、聚碸、聚醚碸、聚苯撐基硫醚、聚芳基化物、丙烯系樹脂、環烯烴系聚合物、芳香族系聚合物等。
即使是在這些當中，也由於透明性良好且具有通用性，因此，最好是聚酯、聚醯胺、聚碸、聚醚碸、聚苯撐基硫醚、聚芳基化物或環烯烴系聚合物，更加理想是聚酯或環烯烴系聚合物。
作為聚酯係列舉聚乙烯對苯二甲酸酯、聚丁烯對苯二甲酸酯、聚乙烯萘二甲酸酯、聚芳基化物等。
作為聚醯胺係列舉全芳香族聚醯胺、耐綸6、耐綸66、耐綸共聚物等。
作為環烯烴系聚合物係列舉原菠烷系聚合物、單環之環狀烯烴系聚合物、環狀共軛二烯系聚合物、乙烯脂環式烴聚合物、以及這些之氫化物。作為其具體例係列舉apel(三井化學公司製之乙烯-環烯烴共聚物)、ARTON(JSR公司製之原菠烷系聚合物)、ZEONOR(日本ZEON公司製之原菠烷系聚合物)等。
作為基材層之厚度係並無特別限定，可以配合成形體之目的而決定，但是，通常為0.5～500μm，最好是1～100μm。
(含有含羥基聚合物之底塗佈層)
本發明之成形體係在前述基材層和後面敘述之氣體障蔽層之間，具有含有含羥基聚合物之底塗佈層(在以下，僅稱為「底塗佈層」。)。
可以藉由形成此種底塗佈層，而正如後面之敘述，提高基材層和氣體障蔽層之密合性，並且，在包含聚矽氨烷化合物之層來注入離子而形成氣體障蔽層之狀態下，可以防止離子通過包含聚矽氨烷化合物之層而離子注入至基材層來著色基材層。
前述底塗佈層係最好是以重量比，來包含30%以上之含羥基聚合物，更加理想是包含50%以上。
作為含羥基聚合物係如果是含有羥基之聚合物的話，則並無特別限制，但是，最好是相對於整體之重複單位而含有10mol%以上之具有羥基之重複單位，更加理想是含有50mol%以上。如果羥基之含有量為該範圍的話，則可以提高基材層和氣體障蔽層之層間密合性。
作為含羥基聚合物之具體例係列舉聚乙烯醇、聚乙烯醇縮丁醛、聚乙烯基縮醛、乙烯-乙烯醇共聚物等之聚乙烯醇系聚合物；丙烯多元醇、聚酯多元醇、聚醚多元醇等之多元醇系聚合物；聚(2-羥基乙基甲基丙烯酸酯)等之含羥基丙烯系聚合物；纖維素等之纖維素系聚合物等。
即使是在這些當中，也由更加有效地防止成形體之透明性之降低之觀點等來看的話，則最好是聚乙烯醇系聚合物，更加理想是聚乙烯醇。此外，聚乙烯醇係可以是呈部分地鹼化聚乙酸乙烯之鹼化物，也可以完全地進行鹼化，聚乙烯醇之鹼化度係最好是80%以上。
此外，聚乙烯醇縮丁醛或聚乙烯基縮醛係聚乙烯醇進行縮醛化或縮酮化，最好是進行反應而使得羥基殘留前述範圍之量。
含羥基聚合物之數平均分子量係最好是200～1,000,000，更加理想是300～800,000，甚至最好是1,000～20,000。
含有含羥基聚合物之底塗佈層係可以藉由例如含羥基聚合物溶解或分散於適當之溶劑來組成之底塗佈層形成用溶液，塗佈於基材層上，乾燥得到之塗膜，由於要求，來進行加熱，而形成底塗佈層。作為底塗佈層形成用溶液係可以仍然直接地使用市面販賣品(例如日本合成化學工業公司製、gohsenol GL-03等)。
作為底塗佈層形成用溶液來塗佈於基材層之方法係可以使用通常之濕式塗佈方法。列舉例如浸漬法、壓輥塗佈、照相凹版印刷塗佈、刮刀塗佈、空氣刀塗佈、壓輥刮刀塗佈、模塗佈、網版印刷法、噴射塗佈、照相凹版印刷偏位法等。
作為乾燥底塗佈層形成用溶液之塗膜之方法係可以採用熱風乾燥、熱壓輥乾燥、紅外線照射等之向來習知之乾燥方法。
底塗佈層之厚度係通常為1～1000nm，最好是10～100nm。
(氣體障蔽層)
本發明之成形體係在形成於前述基材層上之底塗佈層上，還具有氣體障蔽層。
該氣體障蔽層係以下列之(a)～(c)，來作為特徵。
(a)至少由包含氧原子和矽原子之材料而構成。
(b)表層部之氧原子相對於氧原子、氮原子和矽原子之整體存在量之存在比例係60～75%，最好是60～72%，更加理想是63～70%，氮原子之存在比例係0～10%，最好是0.1～8%，更加理想是0.1～6%，矽原子之存在比例係25～35%，最好是27～35%，更加理想是29～32%。
(c)表層部之膜密度係2.4～4.0g/cm3。
前述氣體障蔽層之所謂表層部係指在氣體障蔽層之表面以及由該表面開始沿著深度方向而直到5nm為止之區域。此外，所謂氣體障蔽層之表面係也是包含和其他層之境界面之狀態之意義而相反於前述底塗佈層之相反面。
表層部之氧原子、氮原子和矽原子之存在比例係在實施例，藉由說明之方法而進行測定。
膜密度係可以使用X射線反射率法(XRR)而算出。
X射線係在對於基板上之薄膜以非常淺之角度來進行反射時，進行全反射。在入射之X射線之角度成為全反射臨界角以上之時，X射線係侵入至薄膜內部而在薄膜表面或界面，分成為透過波和反射波，干涉反射波。可以藉由解析全反射臨界角而求出膜密度。此外，可以改變入射角度，同時，進行測定，由隨著光路差之變化而造成之反射波之干涉訊號之解析，也求出薄膜之膜厚。
膜密度係可以藉由以下之方法而進行測定。
一般而言，知道物質相對於X射線之折射率n以及折射率n之實部部分之δ係滿足以下之公式1及公式2。
n=1-δ-iβ‧‧‧公式1
在此，rc係表示電子之古典半徑(2.818×10-15m)，N0係表示阿伏伽德羅(Avogadro)數，λ係表示X射線之波長，ρ係表示密度(g/cm3)，Zi、Mi、xi係分別表示第i個原子之原子編號、原子量及原子數比(莫爾數比)，fi’係表示第i個原子之原子散亂因子(異常分數項)。此外，全反射臨界角度θc係在忽視關係到吸收之β之時，藉由公式3而賦予。
因此，可以由公式2及公式3之關係，藉由公式4而求出密度ρ。
在此，θc係可以藉由X射線反射率而求出之值，rc、N0、λ係常數，Zi、Mi、fi’係分別在構成原子，成為固有值。此外，關於xi：原子數比(莫爾數比)，使用由XPS測定而得到之結果。
氣體障蔽層之表層部之膜密度係在實施例，藉由說明之方法而進行測定，使用公式4而得到。
在本發明，氣體障蔽層之厚度係並無特別限制，但是，通常為20nm至100μm，最好是30～500nm，更加理想是40～200nm。
在本發明，氣體障蔽層係即使是奈米位級，也可以得到具有充分之氣體障蔽性能之成形體。
此外，本發明之氣體障蔽層係可以在包含聚矽氨烷化合物之層(在以下，稱為「聚矽氨烷層」。)來注入離子而得到之層(在以下，稱為「離子注入層」。)。
前述離子注入層係最好是滿足前述(a)～(c)之要件。
使用於本發明之聚矽氨烷化合物係在分子內而具有包含-Si-N-鍵之重複單位之高分子。具體地說，列舉具有藉由化學式(1)
所表示之重複單位之化合物。
在化學式(1)中，n係表示任意之自然數。
Rx、Ry、Rz係分別獨立地表示氫原子、無取代或具有取代基之烷基、無取代或具有取代基之環烷基、無取代或具有取代基之鏈烯基、無取代或具有取代基之芳基、或者是烷基甲矽烷基等之非水解性基。
作為前述無取代或具有取代基之烷基之烷基係列舉例如甲基、乙基、n-丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、sec-丁基、t-丁基、n-戊基、異戊基、新戊基、n-己基、n-庚基、n-辛基等之碳數1～10之烷基。
作為無取代或具有取代基之環烷基之環烷基係列舉環丁基、環戊基、環己基、環庚基等之碳數3～10之環烷基。
作為無取代或具有取代基之鏈烯基之鏈烯基係列舉例如乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基等之碳數2～10之鏈烯基。
作為前述烷基、環烷基及鏈烯基之取代基係列舉氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等之鹵素原子；羥基；硫代基；環氧基；環氧丙氧基；(甲基)丙烯醯氧基；苯基、4-甲基苯基、4-氯代苯基等之無取代或具有取代基之芳基等。
作為無取代或具有取代基之芳基之芳基係列舉例如苯基、1-萘基、2-萘基等之碳數6～10之芳基。
作為前述芳基之取代基係列舉氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等之鹵素原子；甲基、乙基等之碳數1～6之烷基；甲氧基、乙氧基等之碳數1～6之烷氧基；硝基；氰基；羥基；硫代基；環氧基；環氧丙氧基；(甲基)丙烯醯氧基；苯基、4-甲基苯基、4-氯代苯基等之無取代或具有取代基之芳基等。
作為烷基甲矽烷基係列舉三甲基甲矽烷基、三乙基甲矽烷基、三異丙基甲矽烷基、三t-丁基甲矽烷基、t-丁基二甲基甲矽烷基、甲基二乙基甲矽烷基、二甲基甲矽烷基、二乙基甲矽烷基、甲基甲矽烷基、乙基甲矽烷基等。
即使是在這些當中，作為Rx、Ry、Rz係也最好是氫原子、碳數1～6之烷基或苯基，特別最好是氫原子。
作為具有藉由前述化學式(1)所表示之重複單位之聚矽氨烷化合物係可以是Rx、Ry、Rz全部為氫原子之無機聚矽氨烷、Rx、Ry、Rz之至少一個並非為氫原子之有機聚矽氨烷之任何一種。
作為無機聚矽氨烷係列舉將具有下列之
(在化學式中，a係表示任意之自然數。)所表示之重複單位之直鏈狀構造予以包括且具有690～2000之分子量而在一分子中具有3～10個之SiH3基之全氫化聚矽氨烷(日本特公昭63-16325號公報)、具有化學式(A)
[在化學式中，b、c係表示任意之自然數，Y1係表示氫原子或化學式(B)
(在化學式中，d係表示任意之自然數，＊係表示鍵位置，Y2係表示氫原子或前述(B)所表示之基。)所表示之基。]所表示之重複單位且具有直鏈狀構造和支鏈構造之全氫化聚矽氨烷、以及具有化學式(C)
所表示全氫化聚矽氨烷構造且在分子內具有直鏈狀構造、支鏈構造和環狀構造之全氫化聚矽氨烷等。
作為有機聚矽氨烷係列舉(i)以-(Rx’SiHNH)-(Rx’係表示無取代或具有取代基之烷基、無取代或具有取代基之環烷基、無取代或具有取代基之鏈烯基、無取代或具有取代基之芳基、或者是烷基甲矽烷基。以下之Rx’也相同。)來作為重複單位而主要具有聚合度為3～5之環狀構造者、(ii)以-(Rx’SiHNRz’)-(Rz’係表示無取代或具有取代基之烷基、無取代或具有取代基之環烷基、無取代或具有取代基之鏈烯基、無取代或具有取代基之芳基、或者是烷基甲矽烷基。)來作為重複單位而主要具有聚合度為3～5之環狀構造者、(iii)以-(Rx’Ry’SiNH)-(Ry’係表示無取代或具有取代基之烷基、無取代或具有取代基之環烷基、無取代或具有取代基之鏈烯基、無取代或具有取代基之芳基、或者是烷基甲矽烷基。)來作為重複單位而主要具有聚合度為3～5之環狀構造者、(iv)在分子內具有藉由下列之化學式而表示之構造之聚有機(氫化)矽氨烷
、以及(v)具有藉由下列之化學式
[Rx’、Ry’係表示相同於前面敘述之意義，e、f係表示任意之自然數，Y3係表示氫原子或化學式(E)
(在化學式中，g係表示任意之自然數，＊係表示鍵位置，Y4係表示氫原子或前述(E)所表示之基。)所表示之基。]所表示之重複單位構造之聚矽氨烷等。
前述聚矽氨烷係可以藉由向來習知之方法而進行製造。例如可以藉由在以下列之化學式(2)所表示之無取代或具有取代基之鹵化矽烷化合物和二級胺之反應生成物，反應氨或一級胺而得到。
R1 4-mSiXm　(2)
(在化學式(2)中，m係表示2或3，X係表示鹵素原子，R1係表示前述Rx、Ry、Rz、Rx’、Ry’、Rz’之任何一種取代基。)
使用之二級胺、氨及一級胺係可以配合作為目的之聚矽氨烷化合物之構造而適度地進行選擇。
此外，在本發明，作為聚矽氨烷化合物係也可以使用聚矽氨烷變性物。作為聚矽氨烷變性物係列舉例如包含金屬原子(該金屬原子係可以形成交聯。)之聚金屬矽氨烷、重複單位藉由[(SiH2)g(NH)h]及[(SiH2)iO](在化學式中，g、h、i係分別獨立地成為1、2或3。)所表示之聚矽氧烷(日本特開昭62-195024號公報)、在聚矽氨烷來反應硼化合物而製造之聚硼矽氨烷(日本特開平2-84437號公報)、反應聚矽氨烷和金屬醇鹽而製造之聚金屬矽氨烷(日本特開昭63-81122號公報等)、無機矽氨烷高聚物或改質聚矽氨烷(日本特開平1-138108號公報等)、在聚矽氨烷來導入有機成分之共聚矽氨烷(日本特開平2-175726號公報等)、在聚矽氨烷來加成或添加用以促進陶瓷化之觸媒化合物之低溫陶瓷化聚矽氨烷(日本特開平5-238827號公報等)、矽醇鹽加成聚矽氨烷(日本特開平5-238827號公報)、縮水甘油加成聚矽氨烷(日本特開平6-122852號公報)、乙醯丙酮錯合物加成聚矽氨烷(日本特開平6-306329號公報)、金屬羧酸鹽加成聚矽氨烷(日本特開平6-299118號公報等)、在前述聚矽氨烷或其變性物來添加胺類及/或酸類而組成之聚矽氨烷組成物(日本特開平9-31333號公報)、在全氫化聚矽氨烷而甲醇等之醇或六甲基二矽氨烷來加成於末端N原子而得到之變性聚矽氨烷(日本特開平5-345826號公報、日本特開平4-63833號公報)等。
即使是在這些當中，作為使用於本發明之聚矽氨烷化合物係也最好是Rx、Ry、Rz全部為氫原子之無機聚矽氨烷、Rx、Ry、Rz之至少一個並非為氫原子之有機聚矽氨烷，由可以形成具有得到容易性及良好之氣體障蔽性之注入層之觀點來看的話，則更加理想是無機聚矽氨烷。
使用之聚矽氨烷化合物之數平均分子量係並無特別限定，但是，最好是100～50,000。
此外，在本發明，聚矽氨烷化合物係可以仍然直接地使用市面販賣之市面販賣品，來作為玻璃塗佈材料等。
聚矽氨烷層係除了聚矽氨烷化合物以外，也可以在不妨礙本發明目的之範圍，來包含其他成分。作為其他成分係列舉硬化劑、其他之高分子、老化防止劑、光安定劑、難燃劑等。
聚矽氨烷層中之聚矽氨烷化合物之含有量係由可以形成具有良好之氣體障蔽性之離子注入層之觀點來看的話，則最好是50重量%以上，更加理想是70重量%以上。
作為形成聚矽氨烷層之方法係並無特別限制，列舉例如含有聚矽氨烷化合物之至少一種、由於要求之其他成分以及溶劑等之層形成用溶液，來塗佈於前述底塗佈層之上，適度地乾燥得到之塗膜而形成之方法。
作為塗佈裝置係可以使用旋轉塗佈器、刮刀塗敷器、照相凹版印刷塗佈器等之習知裝置。
由於得到之塗膜之乾燥、成形體之氣體障蔽性之提升，因此，最好是加熱塗膜。加熱係在80～150℃，進行數十秒鐘至數十分鐘。
此外，聚矽氨烷層係也可以藉由二甲基二矽氨烷、四甲基二矽氨烷、六甲基二矽氨烷等之電漿聚合性矽氨烷化合物，接觸到塑膠成形體，施行電漿聚合處理，而形成聚矽氨烷層(日本特開平9-143289號公報)。
在本發明，形成之聚矽氨烷層之厚度係並無特別限制，但是，通常為20nm至100μm，最好是30～500nm，更加理想是40～200nm。
在本發明，聚矽氨烷層係即使是奈米位級，也可以得到具有充分之氣體障蔽性能之成形體。
認為在聚矽氨烷層形成於底塗佈層上之時，正如圖1(a)所示，在聚矽氨烷層30和底塗佈層20之境界部，將聚矽氨烷化合物和含羥基聚合物之所具有之羥基發生反應而形成之反應生成物之層40予以形成。正如圖1(b)所示，該層40係在聚矽氨烷層30來注入離子，在得到圖1(c)所示之形成具有注入離子之區域60之離子注入層(氣體障蔽層)50a之成形體100a之狀態下，將阻止離子通過聚矽氨烷層30而注入至基材層10表面之功能予以發揮。
也就是說，認為在聚矽氨烷層30和底塗佈層20之境界部，聚矽氨烷層30之聚矽氨烷化合物和底塗佈層20中之含羥基聚合物之羥基係發生反應，作為前述反應生成物之層40係正如SiO2等，形成在分子內具有-Si-O-鍵之化合物之層。藉由在該形成之分子內具有-Si-O-鍵之化合物之層之存在，而在聚矽氨烷層30來注入離子之製程，阻止離子注入至基材層10，並無碳化基材層10。於是，可以防止基材層10之著色，結果，無降低成形體之透明性。
反應生成物之層40係可以藉由在實施例，使用說明之方法，測定聚矽氨烷層30和底塗佈層20之境界部之氧原子、氮原子和矽原子之存在比例，而進行確認。
在本發明之成形體，離子注入層係包含聚矽氨烷化合物之至少一種之層，如果是在該層中來注入離子的話，則並無特別限制。
離子之注入量係可以配合形成之成形體之使用目的(必要之氣體障蔽性、透明性等)等而適度地決定。
作為注入之離子係列舉氬、氦、氖、氪、氙等之稀有氣體、氟碳、氫、氮、氧、二氧化碳、氯、氟、硫等之離子；金、銀、銅、白金、鎳、鈀、鉻、鈦、鉬、鈮、鉭、鎢、鋁等之金屬離子等。
即使是在其中，也可以更加簡便地進行注入，得到具有特別良好之氣體障蔽性和透明性之離子注入層，因此，最好是由氫、氮、氧、氬、氦、氖、氙和氪而組成之群組來選出之至少一種之離子。
離子之注入量係可以配合形成之成形體之使用目的(必要之氣體障蔽性、透明性等)等而適度地決定。
注入離子之方法係並無特別限定，列舉例如在形成聚矽氨烷層之後，在該聚矽氨烷層來注入離子之方法。
作為注入離子之方法係列舉照射藉由電場而加速之離子(離子束)之方法、注入電漿中之離子之方法等。即使是在其中，也在本發明，由於簡便地得到氣體障蔽性之成形體，因此，最好是後者之注入電漿離子之方法。
電漿離子注入係例如可以藉由在包含稀有氣體等之電漿生成氣體之氣氛下，產生電漿，在聚矽氨烷層，施加負的高電壓脈衝，而使得該電漿中之離子(陽離子)，注入至聚矽氨烷層之表面部來進行。
可以藉由離子之注入，而以離子之種類或施加電壓、處理時間等之注入條件，來控制注入離子之區域之厚度，可以配合聚矽氨烷層之厚度、成形體之使用目的等而進行決定，但是，通常為10～1000nm。
注入離子係可以藉由使用X射線光電子分光分析(XPS)，進行由表面開始至10nm附近之元素分析測定，而進行確認。
(成形體)
在圖2，顯示本發明之成形體100b之層構造剖面圖。在圖2中，10係基材層，20係底塗佈層，50b係氣體障蔽層。本發明之成形體100b係含有包含羥基之聚合物之底塗佈層20，形成於基材層10和氣體障蔽層50b之間，因此，成為基材層10和氣體障蔽層50b之密合性呈良好且氣體障蔽性和透明性也良好之成形體。
本發明之成形體係並非限定在具有圖2所示之層構造，並且，也可以配置其他層。其他層係可以是一種或同種或異種之2層以上。作為其他層係列舉無機化合物層、撞擊吸收層、導電體層等。
無機化合物層係由無機化合物之一種或二種以上而組成之層。可以藉由設置無機化合物層而還更加地提高氣體障蔽性。
作為無機化合物係一般可以進行真空成膜，具有氣體障蔽性，列舉例如無機氧化物、無機氮化物、無機碳化物、無機硫化物、成為這些之複合體之無機氧化氮化物、無機氧化碳化物、無機氮化碳化物、無機氧化氮化碳化物等。
無機化合物層之厚度係通常為10～1000nm，最好是20～500nm，更加理想是20～100nm之範圍。
撞擊吸收層係用以在氣體障蔽層來施加撞擊之時，保護氣體障蔽層。形成撞擊吸收層之素材係並無特別限定，但是，列舉例如丙烯系樹脂、胺基甲酸乙酯系樹脂、矽酮系樹脂、烯烴系樹脂、橡膠系材料等。
此外，作為黏著劑、塗佈劑、密封劑等係也可以使用市面販賣者，特別最好是丙烯系黏著劑、矽酮系黏著劑、橡膠系黏著劑等之黏著劑。
作為撞擊吸收層之形成方法係並無特別限制，列舉例如相同於前述包含聚矽氨烷化合物之層之形成方法，包含形成前述撞擊吸收層之素材(黏著劑等)以及由於要求之溶劑等之其他成分之撞擊吸收層形成用溶液，來塗佈於應該層積之層上，乾燥得到之塗膜，由於要求，來進行加熱等而形成之方法。
此外，也可以另外在剝離基材上，成膜撞擊吸收層，得到之膜來轉印於應該層積之層上，進行層積。
撞擊吸收層之厚度係通常為1～100μm，最好是5～50μm。
導電體層係用以在使用本發明之成形體來作為電極等之狀態或者是賦予帶電防止性能之狀態下，具有導電性。作為構成導電體層之材料係列舉金屬、合金、金屬氧化物、電傳導性化合物、這些之混合物等。具體地列舉摻雜銻之氧化錫(ATO)；摻雜氟之氧化錫(FTO)；氧化錫、氧化鋅、氧化銦、氧化銦錫(ITO)、氧化鋅銦(IZO)等之半導電性金屬氧化物；金、銀、鉻、鎳等之金屬；這些金屬和導電性金屬氧化物之混合物；碘化銅、硫化銅等之無機導電性物質；聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯等之有機導電性材料等。
作為導電體層之形成方法係並無特別限制。列舉例如蒸鍍法、濺鍍法、離子植入法、熱CVD法、電漿CVD法等。
導電體層之厚度係可以配合其用途等而適度地選擇。通常為10nm至50μm，最好是20nm至20μm。
在本發明之成形體包含其他層之狀態下，只要底塗佈層和氣體障蔽層呈鄰接的話，則其他層之配置位置係並無特別限定。
作為本發明之成形體之形狀係最好是薄膜狀或薄片狀。在本發明之成形體之形狀為薄膜狀或薄片狀之狀態下，厚度係可以藉由作為目的之電子裝置之用途而適度地決定。
本發明之成形體係具有良好之氣體障蔽性和透明性。
本發明之成形體具有良好之氣體障蔽性係可以由本發明之成形體之水蒸氣等之氣體透過率非常小而進行確認。例如水蒸氣透過率係在40℃、相對濕度90%之氣氛下，最好是未滿0.10g/m2/day，更加理想是0.05g/m2/day以下。此外，成形體之水蒸氣等之透過率係可以使用習知之氣體透過率測定裝置而進行測定。
本發明之成形體具有良好之透明性係可以由本發明之成形體之全光線透過率或可見光線透過率變高而進行確認。
例如根據JISK7361-1之全光線透過率係最好是90%以上。
可見光線透過率係波長550nm之透過率，最好是90%以上。成形體之全光線透過率及可見光線透過率係可以使用習知之測定裝置而進行測定。
2)成形體之製造方法
本發明之成形體之製造方法，其特徵在於：具有：在含有含羥基聚合物之底塗佈層來形成於表面之基材之前述底塗佈層之上，形成包含聚矽氨烷化合物之層之製程；以及在包含前述聚矽氨烷化合物之層之表面部，注入離子之製程。
作為在含有含羥基聚合物之底塗佈層來形成於表面之基材之前述底塗佈層上而形成聚矽氨烷層之方法係並無特別限制，但是，最好是例舉在藉由前述基材層上來形成底塗佈層之方法而形成底塗佈層之後，在得到之底塗佈層上，藉由前述形成聚矽氨烷層之方法而形成聚矽氨烷層之方法。
在本發明之成形體之製造方法，最好是在基材層上，形成含有含羥基聚合物之底塗佈層，並且，沿著一定方向，搬送在其上面形成聚矽氨烷層之長尺狀之成形物，同時，在前述聚矽氨烷層之表面部，注入離子而製造成形體。
如果藉由該製造方法的話，則例如可以由捲出壓輥，來捲出長尺狀之成形物，沿著一定方向，搬送這個，同時，注入離子，藉由捲繞壓輥而進行捲繞，因此，可以連續地製造離子注入而得到之成形體。
長尺狀之成形物係如果是聚矽氨烷層形成在表面部並且底塗佈層和聚矽氨烷層呈鄰接的話，則可以包含其他層。作為其他層係列舉相同於前面敘述者。
成形物之厚度係由捲出、捲繞及搬送之操作性之觀點來看的話，則最好是1μm～500μm，更加理想是5μm～300μm。
在聚矽氨烷層來注入離子之方法係並無特別限定。即使是在其中，也特別最好是藉由電漿離子注入法而在前述層之表面部來形成離子注入層之方法。
電漿離子注入法係藉由在曝露於電漿中之表面具有聚矽氨烷層之成形物，施加負的高電壓脈衝，而使得電漿中之離子，注入至前述層之表面部，形成離子注入層之方法。
作為電漿離子注入法係最好是(A)使得存在於使用外部電場而產生之電漿中之離子，注入至前述層之表面部之方法；或者是(B)不使用外部電場，使得存在於僅藉由以施加於前述層之負的高電壓脈衝來造成之電場而產生之電漿中之離子，注入至前述層之表面部之方法。
在前述(A)之方法，在注入離子時之壓力(電漿離子注入時之壓力)係最好是0.01～1Pa。在電漿離子注入時之壓力位處於此種範圍時，能夠簡便且效率良好地形成均勻之離子注入層，可以效率良好地形成兼具透明性和氣體障蔽性之離子注入層。
前述(B)之方法係不需要提高減壓度，處理之操作變得簡便，也可以大幅度地縮短處理時間。此外，可以涵蓋前述層之整體而均勻地進行處理，可以在施加負的高電壓脈衝之時，以高能量，在層之表面部，連續地注入電漿中之離子。此外，不需要radio frequency(高頻；在以下，縮寫為「RF」。)或微波等之高頻電力源等之特別之其他手段，可以藉由在層，僅施加負的高電壓脈衝，而在層之表面部，均勻地形成良質之離子注入層。
即使是在前述(A)及(B)之任何一種方法，也在施加負的高電壓脈衝之時、也就是注入離子時之脈衝幅寬係最好是1～15μsec。在脈衝幅寬位處於此種範圍時，能夠更加簡便且效率良好地形成透明且均勻之離子注入層。
此外，在產生電漿時之施加電壓係最好是-1kV～-50kV，更加理想是-1kV～-30kV，特別最好是-5kV～-20kV。在以施加電壓大於-1kV之值來進行離子注入之時，離子注入量(摻雜量)變得不充分，無法得到要求之性能。另一方面，在以小於-50kV之值來進行離子注入之時，於離子注入時，成形體係帶電，並且，發生對於成形體之著色等之意外，變得不理想。
電漿離子注入之離子種係正如前面之敘述。可以更加簡便地進行離子注入，能夠效率良好地製造具有透明且良好之氣體障蔽性之成形體，因此，最好是氫、氮、氧、氬、氦、氖、氙、氪，更加理想是氮、氧、氬、氦。
在聚矽氨烷層之表面部來注入電漿中之離子之際，使用電漿離子注入裝置。
作為電漿離子注入裝置係具體地列舉(α)藉由電漿，而均等地包圍在聚矽氨烷層(在以下，稱為「離子注入之層」。)施加負的高電壓脈衝之場通來重疊高頻電力而進行離子注入之層之周圍，激發‧注入‧撞擊‧堆積電漿中之離子之裝置(日本特開2001-26887號公報)；(β)在處理室內，設置天線，在電漿到達至賦予高頻電力而產生電漿來進行離子注入之層周圍之後，藉由在進行離子注入之層，交互地施加正和負的脈衝，而加熱以正脈衝來激發‧撞擊電漿中之電子而進行離子注入之層，控制脈衝常數，進行溫度控制，並且，施加負脈衝，激發‧注入電漿中之離子之裝置(日本特開2001-156013號公報)；(γ)使用微波等之高頻電力源等之外部電場，產生電漿，施加高電壓脈衝，激發‧注入電漿中之離子之電漿離子注入裝置；以及(δ)不使用外部電場，注入僅藉由以高電壓脈衝之施加來產生之電場而發生之電漿中之離子之電漿離子注入裝置等。
即使是在這些當中，也由於處理之操作變得簡便，也可以大幅度地縮短處理時間，適合於連續使用，因此，最好是使用(γ)或(δ)之電漿離子注入裝置。
在以下，就使用前述(γ)及(δ)之電漿離子注入裝置之方法而言，列舉記載於國際公開WO2010/021326號公報者。
在前述(γ)及(δ)之電漿離子注入裝置，藉由高電壓脈衝電源而兼用產生電漿之電漿產生手段，因此，不需要RF或微波等之高頻電力源等之特別之其他手段，可以僅藉由施加負的高電壓脈衝，而產生電漿，在聚矽氨烷層之表面部，注入電漿中之離子，連續地形成離子注入層，量產形成離子注入層之成形體。
3)電子裝置用元件及電子裝置
本發明之電子裝置用元件，其特徵在於：由本發明之成形體而組成。因此，本發明之電子裝置用元件係具有良好之氣體障蔽性，因此，可以防止由於水蒸氣等之氣體而造成支援件之惡化。此外，光透過性變高，因此，適合成為電子紙、觸控面板、顯示器、太陽能電池等之電子裝置用元件等。
本發明之電子裝置係包括本發明之電子裝置用元件。作為具體例係列舉觸控面板、液晶顯示器、有機EL顯示器、無機EL顯示器、電子紙、太陽能電池等。
本發明之電子裝置係包括由本發明之成形體而組成之電子裝置用元件，因此，具有良好之氣體障蔽性和透明性。
【實施例】
在以下，列舉實施例而更加詳細地說明本發明。但是，本發明係完全非限定於以下之實施例。
使用之X射線光電子分光測定裝置、藉由X射線反射率法而造成之膜密度測定方法、電漿離子注入裝置、水蒸氣透過率測定裝置和測定條件、氧透過率測定裝置和測定條件、全光線透過率測定裝置、可見光線透過率測定裝置係正如以下。此外，使用之電漿離子注入裝係使用外部電場而進行離子注入之裝置。
(X射線光電子分光測定裝置)
藉由顯示於下列之測定條件而進行氣體障蔽層之表層部之氧原子、氮原子及矽原子之存在比例之測定。
測定裝置：「PHI Quantera SXM」、ulvac-phi公司製
X射線源：AlKα
X射線束徑：100μm
電力值：25W
電壓：15kV
取出角度：45°
真空度：5.0×10-8Pa
濺鍍條件
濺鍍氣體：氬
施加電壓：-4kV
(藉由X射線反射率法而造成之膜密度測定方法)
氣體障蔽層之表層部之膜密度係藉由下列顯示之測定條件而測定X射線之反射率，求出全反射臨界角度θc，由該值而算出。
測定裝置及測定條件係正如以下。
測定裝置：薄膜評價用試料水平型X射線繞射裝置「SmartLab」、Rigaku公司製
測定條件：
X射線源：Cu-Kα1(波長：1.54059)
光學系：並行束光學系
入射側縫隙系：Ge(220)2結晶、高度限制縫隙5mm、入射縫隙0.05mm
受光側縫隙系：受光縫隙0.10mm、太陽縫隙5°
檢測器：閃爍計數管
管電壓‧管電流：45kV-200mA
掃描軸：2θ/θ
掃描模式：連續掃描
掃描範圍：0.1-3.0deg.
掃描速度：1deg./min.
採樣間隔：0.002°/step
此外，原子數比(xi)係使用藉由X射線光電子分光測定而得到之氣體障蔽層之表層部之氧原子、氮原子及矽原子之存在比例。
(電漿離子注入裝置)
RF電源：日本電子公司製、型號「RF」56000
高電壓脈衝電源：栗田製作所公司製、「PV-3-HSHV-0835」
(水蒸氣透過率之測定)
水蒸氣透過率測定裝置：mocon公司製、「PERMATRAN-W3/33」
測定條件：相對濕度90%、40℃
(氧透過率之測定)
氧透過率測定裝置：mocon公司製、「OX-TRAN2/21」
測定條件：相對濕度60%、23℃
(全光線透過率之測定)
全光線透過率測定裝置：日本電色工業公司製；使用「NDH2000」，根據JIS K7361-1而測定全光線透過率。
(可見光線透過率之測定)
紫外線可見近紅外線分光透過率計：島津製作所公司製；使用「UV3600」而測定可見光線透過率。
測定條件：波長550nm
在底塗佈層之形成，使用以下者。
●樹脂A：以聚乙烯醇作為主成分之「gohsenol GL-03」(日本合成化學工業公司製；包含羥基之重複單位：86.5-89.0mol%)
●樹脂B：以聚乙烯醇作為主成分之「gohsenol LW-300」(日本合成化學工業公司製；包含羥基之重複單位：53.0-60.0mol%)
●樹脂C：乙烯/乙烯醇(27/73mol%)共聚物「eval L-104B」(kuraray公司製；包含羥基之重複單位：73mol%)
●樹脂D：作為不含有包含羥基之重複單位者係以聚胺基甲酸乙酯丙烯酸酯系UV硬化型樹脂化合物來作為主成分之樹脂(東洋紡織公司製；商品名稱「vylon UR1350」)溶解於甲基乙基甲酮溶媒之溶液(固態成分重量比8%)
●樹脂E：聚乙烯基縮醛樹脂「S-LEC KS-10」(積水化學工業公司製；包含羥基之重複單位：25mol%)
作為聚矽氨烷層形成用組成物係使用以下者。
以全氫化聚矽氨烷來作為主成分之塗佈劑「aqamika NL110-20」(日本clariant公司製)
(實施例1)
在作為基材層之聚乙烯對苯二甲酸酯薄膜(toray公司製、商品名稱「PET25T-61M」、厚度25μm；在以下，稱為「PET薄膜」。)，成為底塗佈層係以樹脂A之水溶液，來作為底塗佈層形成用溶液，藉由旋轉塗佈來進行塗佈而使得乾燥後之厚度成為45nm，在120℃，加熱得到之塗膜2分鐘，形成底塗佈層。
然後，在得到之底塗佈層上，藉由旋轉塗佈法來塗佈樹脂E之塗佈液而使得乾燥後之厚度成為45nm，在120℃，加熱得到之塗膜2分鐘，在PET薄膜上，形成底塗佈層(厚度45nm)和聚矽氨烷層(厚度45nm)，使用電漿離子注入裝置，在聚矽氨烷層之表面，對於氬(Ar)進行電漿離子注入，形成氣體障蔽層，製作成形體1。
在以下，顯示電漿離子注入之條件。
●氣體流量：100sccm
●工作比：0.5%
●重複頻率：1000Hz
●施加電壓：-10kV
●RF電源：頻率13.56MHz、施加電力1000W
●處理室之內壓：0.2Pa
●脈衝幅寬：5μsec
●處理時間(離子注入時間)：5分鐘
●搬送速度：0.2m/分鐘
(實施例2)
除了在實施例1，使用樹脂B，來取代樹脂A以外，其餘係相同於實施例1而得到成形體2。
(實施例3)
除了在實施例1，使用樹脂C溶解於甲基亞碼之溶液，來取代樹脂A之水溶液以外，其餘係相同於實施例1而得到成形體3。
(實施例4)
除了在實施例1，使用樹脂E溶解於甲苯/乙酸乙酯=1：1(容積比)混合液之溶液，來取代樹脂A之水溶液以外，其餘係相同於實施例1而得到成形體4。
(比較例1)
除了不進行離子注入以外，其餘係相同於實施例1而製作成形體。也就是說，在PET薄膜上，形成底塗佈層以及聚矽氨烷層而成為成形體1r。
(比較例2)
除了在底塗佈層上而無形成聚矽氨烷層以外，其餘係相同於實施例1而製作成形體。也就是說，在形成於PET薄膜上之底塗佈層之表面，對於氬進行電漿離子注入而成為成形體2r。
(比較例3)
除了在PET薄膜上而無形成底塗佈層以外，其餘係相同於實施例1而製作成形體。也就是說，在PET薄膜上，形成聚矽氨烷層，在該聚矽氨烷層之表面，對於氬進行電漿離子注入而形成氣體障蔽層，成為成形體3r。
(比較例4)
除了在實施例1，使用樹脂D溶解於甲基乙基甲酮/環己烷=1：1(容積比)混合液之溶液，來取代樹脂A之水溶液，藉由旋轉塗佈來進行塗佈而使得乾燥後之厚度成為45nm，在120℃，加熱2分鐘，使用UV光照射線，進行UV光照射(高壓水銀燈、線速度：20m/分鐘、累積光量100mJ/cm2、波峰強度1.466W、脈衝次數2次)，形成底塗佈層以外，其餘係相同於實施例1而得到成形體4r。
(比較例5)
PET薄膜本身係成為成形體5r。
確認在實施例1～3及比較例2～4，藉由使用X射線光電子分光測定裝置，以X射線光電子分光分析(XPS)，來進行由表面開始至10nm附近之元素分析測定，而注入離子。
在下列之表1，整理及記載使用在各實施例、比較例之底塗佈層等之形成用樹脂之種類、形成之底塗佈層等之厚度、聚矽氨烷層形成用組成物之種類、形成之聚矽氨烷層之厚度以及離子注入之有無。
在圖3及圖4，分別顯示在實施例1及比較例4得到之成形體1、4r之藉由以XPS來造成之元素分析測定而完成之由氣體障蔽層之表面開始沿著深度方向至50nm程度之區域之氧原子、氮原子及矽原子之存在比例之分析結果。在圖3及圖4，縱軸係表示在以氧原子、氮原子及矽原子之存在量之合計來作為100之狀態下之原子存在比例(%)，橫軸係表示濺鍍之累積時間(Sputter Time、分鐘)。濺鍍之條件係成為一定，因此，濺鍍之累積時間(Sputter Time)係對應由氣體障蔽層之表面開始之深度。
此外，在圖5及圖6，分別顯示在實施例1及比較例4得到之成形體1、4r之藉由以XPS來造成之元素分析測定而完成之氧原子、氮原子、碳原子及矽原子之存在比例之分析結果。在圖5及圖6，縱軸係表示在以氧原子、氮原子、碳原子及矽原子之存在量之合計來作為100之狀態下之原子存在比例(%)，橫軸係表示濺鍍之累積時間(Sputter Time、分鐘)。濺鍍之條件係成為一定，因此，濺鍍之累積時間(Sputter Time)係對應由氣體障蔽層之表面開始之深度。
由圖5及圖6(或者是圖3及圖4)之比較而得知：由氣體障蔽層之表面開始濺鍍至某一定之深度(50nm程度)為止之所需要之濺鍍累積時間係比起比較例4(圖4、圖6)，實施例1(圖3、圖5)變得比較長。顯示所謂濺鍍之累積時間越長而越加不容易進行濺鍍，也就是層變硬。得知所謂在實施例1(圖3、圖5)得到之成形體，在由氣體障蔽層之表面開始某一定之深度(50nm程度)之區域，存在由矽原子和氧原子而組成之不容易進行濺鍍之區域(硬層)。
認為這個係含有含羥基聚合物來作為底塗佈層之實施例1之成形體1，在氣體障蔽層和底塗佈層之境界部，存在聚矽氨烷化合物和含羥基聚合物之所具有之羥基發生反應而形成之反應生成物之層，藉由存在該層而增長成形體1之濺鍍累積時間。
此外，就在實施例1～4以及比較例1、3、4而得到之成形體1～4、1r、3r、4r，測定氣體障蔽層之表層部之氧原子、氮原子及矽原子之存在比例和膜密度。此外，就在實施例1～4以及比較例1～5而得到之成形體1～4、1r～5r，測定全光線透過率、可見光線透過率、氧透過率以及水蒸氣透過率。在下列之表2，顯示測定之結果。
由表2而得知：包括含有含羥基聚合物之底塗佈層以及氧原子相對於氧原子、氮原子和矽原子之整體存在量之存在比例為60～75%、氮原子之存在比例為0～10%、矽原子之存在比例為25～35%且膜密度為2.4～4.0g/cm3之氣體障蔽層之實施例之成形體1～4係比起不具有底塗佈層之比較例3之成形體3r以及不具有含羥基聚合物來作為底塗佈層之比較例4之成形體4r，全光線透過率及可見光線透過率變高，基材層也無進行著色，具有良好之透明性。
此外，實施例之成形體1～4係比起比較例之成形體1r～5r，氧透過率及水蒸氣透過率變小，具有高度之氣體障蔽性。
10．．．基材層
20．．．底塗佈層
30．．．聚矽氨烷層
40．．．聚矽氨烷化合物和含羥基聚合物具有之羥基係發生反應之反應生成物層
50a．．．離子注入層(氣體障蔽層)
50b．．．氣體障蔽層
60．．．注入離子之區域
100a．．．本發明之成形體
100b．．．本發明之成形體
圖1(a)~(c)係藉由在聚矽氨烷層進行離子注入而形成氣體障蔽層來得到本發明之成形體之製程之成形體之層構造剖面圖。
圖2係本發明之成形體之層構造剖面圖。
圖3係顯示實施例1之成形體1之表面部區域(由表面開始至深度方向之50nm程度之區域)之氧原子、氮原子及矽原子之存在比例(%)之圖。
圖4係顯示比較例4之成形體4r之表面部區域(由表面開始至深度方向之50nm程度之區域)之氧原子、氮原子及矽原子之存在比例(%)之圖。
圖5係顯示實施例1之成形體1之氧原子、碳原子、氮原子及矽原子之存在比例(%)之圖。
圖6係顯示比較例4之成形體4r之氧原子、碳原子、氮原子及矽原子之存在比例(%)之圖。
10．．．基材層
20．．．底塗佈層
30．．．聚矽氨烷層
40．．．聚矽氨烷化合物和含羥基聚合物具有之羥基係發生反應之反應生成物層
50a．．．離子注入層(氣體障蔽層)
60．．．注入離子之區域
100a．．．本發明之成形體

Claims (13)

  1. 一種成形體，係基材層、含有含羥基聚合物之底塗佈層和氣體障蔽層來按照該順序而層積來組成的成形體，其中，前述氣體障蔽層係至少由包含氧原子和矽原子之材料而構成，其表層部之氧原子相對於氧原子、氮原子和矽原子之整體存在量之存在比例係60~75%，氮原子之存在比例係0~10%，矽原子之存在比例係25~35%，並且，該表層部之膜密度係2.4~4.0g/cm3。
  2. 如申請專利範圍第1項之成形體，其中，前述氣體障蔽層係在包含聚矽氨烷化合物之層來注入離子而得到。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之成形體，其中，前述含羥基聚合物係包含羥基之重複單位相對於全重複單位而含有10mol%以上。
  4. 如申請專利範圍第2項之成形體，其中，前述離子係由氫、氮、氧、氬、氦、氖、氙和氪而組成之群組來選出之至少一種氣體而進行離子化。
  5. 如申請專利範圍第2項之成形體，其中，前述氣體障蔽層係在包含聚矽氨烷化合物之層，藉由電漿離子注入而注入離子來得到之層。
  6. 如申請專利範圍第2項之成形體，其中，前述聚矽氨烷化合物係全氫化聚矽氨烷。
  7. 如申請專利範圍第1項之成形體，其中，在40℃、相對濕度90%之氣氛下之水蒸氣透過率係未滿0.10g/m2/day。
  8. 如申請專利範圍第1項之成形體，其中，根據JISK7361-1之全光線透過率係90%以上。
  9. 一種成形體之製造方法，係申請專利範圍第2項所述之成形體之製造方法，具有：在含有含羥基聚合物之底塗佈層來形成於表面之基材之前述底塗佈層之上，形成包含聚矽氨烷化合物之層之製程；以及在包含前述聚矽氨烷化合物之層之表面部，注入離子之製程。
  10. 如申請專利範圍第9項之成形體之製造方法，其中，具有：在含有含羥基聚合物之底塗佈層來形成於表面之基材之前述底塗佈層之上，形成包含聚矽氨烷化合物之層之製程；以及在包含該聚矽氨烷化合物之層之表面部，對於由氫、氮、氧、氬、氦、氖、氙和氪而組成之群組來選出之至少一種氣體，進行離子注入之製程。
  11. 如申請專利範圍第9項之成形體之製造方法，其中，具有：在含有含羥基聚合物之底塗佈層來形成於表面之基材之前述底塗佈層之上，形成包含聚矽氨烷化合物之層之製程；以及在包含該聚矽氨烷化合物之層之表面部，藉由電漿離子注入法，來對於由氫、氮、氧、氬、氦、氖、氙和氪 而組成之群組來選出之至少一種氣體，進行離子注入之製程。
  12. 一種電子裝置用元件，由申請專利範圍第1至8項中任一項所述之成形體而組成。
  13. 一種電子裝置，包括申請專利範圍第12項所述之電子裝置用元件。
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