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TWI534555B - 微影裝置、極紫外線（ｅｕｖ）輻射產生裝置及器件製造方法 - Google Patents

微影裝置、極紫外線（ｅｕｖ）輻射產生裝置及器件製造方法 Download PDF

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TWI534555B
TWI534555B TW100130158A TW100130158A TWI534555B TW I534555 B TWI534555 B TW I534555B TW 100130158 A TW100130158 A TW 100130158A TW 100130158 A TW100130158 A TW 100130158A TW I534555 B TWI534555 B TW I534555B
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TW201222162A (en
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艾瑞克 羅勒夫 洛卜史塔
吉瑞德斯 哈柏特斯 彼佐斯 瑪利亞 史溫克斯
艾瑞克 皮楚斯 柏曼
烏維 布魯諾 海尼 史坦姆
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Ａｓｍｌ荷蘭公司
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Publication of TW201222162A publication Critical patent/TW201222162A/zh
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Description

微影裝置、極紫外線(EUV)輻射產生裝置及器件製造方法
本發明係關於一種微影裝置、一種極紫外線(EUV)輻射產生裝置，及一種器件製造方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分的網路。
微影被廣泛地認為在IC以及其他器件及/或結構之製造中之關鍵步驟中的一者。然而，隨著使用微影所製造之特徵的尺寸變得愈來愈小，微影正變為用於使能夠製造小型IC或其他器件及/或結構之更具決定性的因素。
圖案印刷極限之理論估計可藉由瑞立(Rayleigh)解析度準則給出，如方程式(1)所示：
其中λ為所使用之輻射的波長，NA為用以印刷圖案之投影系統的數值孔徑，k 1為程序相依性調整因數(亦被稱作瑞立常數)，且CD為經印刷特徵之特徵大小(或臨界尺寸)。自方程式(1)可見，可以三種方式來獲得特徵之最小可印刷大小的縮減：藉由縮短曝光波長λ、藉由增加數值孔徑NA，或藉由降低k 1之值。
為了縮短曝光波長且因此縮減最小可印刷大小，已提議使用極紫外線(EUV)輻射源。EUV輻射為具有在5奈米至20奈米之範圍內(例如，在13奈米至14奈米之範圍內(諸如，13.5奈米)，例如，在5奈米至10奈米之範圍內(諸如，6.7奈米或6.8奈米))之波長的電磁輻射。可能的源包括(例如)雷射產生電漿源、放電電漿源，或基於藉由電子儲存環提供之同步加速器輻射之源。
可使用電漿來產生EUV輻射。用於產生EUV輻射之輻射系統可包括用於激發燃料以提供電漿之雷射，及用於含有電漿之源收集器模組。可(例如)藉由將雷射光束引導於燃料(諸如，合適材料(例如，錫)之粒子，或合適氣體或蒸汽(諸如，氙氣體或鋰蒸汽)之串流)處來產生電漿。所得電漿發射輸出輻射(例如，EUV輻射)，其係使用輻射收集器予以收集。輻射收集器可為鏡面式正入射輻射收集器，其接收輻射且將輻射聚焦成光束。源收集器模組可包括經配置以提供真空環境來支援電漿之圍封結構或腔室。通常，此輻射系統被稱為雷射產生電漿(LPP)源。
經引導於燃料處之雷射光束可藉由雷射裝置產生，該雷射裝置經組態以提供具有數十千瓦特之功率的雷射光束。為了提供具有此高功率之雷射光束，雷射裝置可包括以極高增益而操作之增益介質(gain medium)。增益介質之極高增益可產生挑戰。舉例而言，藉由燃料(或電漿)反射之雷射輻射可行進通過增益介質，且可放大至足夠高之功率，使得其可損壞雷射裝置之光學組件。此外，當此輻射行進通過增益介質時，其可造成增益介質之增益耗盡。此外，雷射裝置可遭受非想要自雷射作用(self-lasing)。非想要自雷射作用為當不需要雷射光束時藉由雷射裝置對雷射光束之自發性產生。
需要提供一種微影裝置，及EUV輻射產生裝置及一種器件製造方法，其克服或減輕以上挑戰或與先前技術微影裝置相關聯之某一其他挑戰中至少一者。
根據本發明之一態樣，提供一種EUV輻射產生裝置，該EUV輻射產生裝置包括：一雷射，該雷射經組態以產生雷射輻射脈衝；及一光學隔離裝置，該光學隔離裝置包括一可旋轉安裝式反射器及一徑向定位式反射器。該可旋轉安裝式反射器與該雷射同步，使得當該光學隔離裝置接收一雷射輻射脈衝以允許該雷射輻射脈衝傳遞至一電漿形成部位且使一輻射發射電漿經由一燃料材料小滴之汽化而產生時，該可旋轉安裝式反射器之一反射表面與該徑向定位式反射器進行光學通信。該可旋轉安裝式反射器與該雷射進一步同步，使得當該光學隔離裝置接收自該電漿形成部位所反射之輻射時，該可旋轉安裝式反射器之該反射表面與該徑向定位式反射器至少部分地光學地隔離。
根據本發明之一態樣，提供一種微影裝置，該微影裝置包括：根據本發明之一EUV輻射產生裝置；一照明系統，該照明系統經組態以調節藉由該EUV輻射產生裝置產生之一輻射光束；一支撐件，該支撐件經建構以支撐一圖案化器件，該圖案化器件經組態以在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束；一基板台，該基板台經建構以固持一基板；及一投影系統，該投影系統經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上。
該一或多個徑向定位式反射器可經組態以使該等雷射輻射脈衝在平行於光軸之一方向上位移。或者或另外，該一或多個徑向定位式反射器具有一光學功率。該可旋轉安裝式反射器之該一或多個反射表面可具有一光學功率。該可旋轉安裝式反射器之旋轉可藉由一控制器控制，該控制器經組態以旋轉該可旋轉安裝式反射器，使得該雷射之重複率等於該可旋轉安裝式反射器之旋轉頻率或為該可旋轉安裝式反射器之該旋轉頻率的一倍數。
根據本發明之一態樣，提供一種器件製造方法，該器件製造方法包括：用一雷射產生一雷射輻射脈衝；經由包括一可旋轉安裝式反射器之一光學隔離裝置而傳遞該雷射輻射脈衝，該可旋轉安裝式反射器經定向成使得其與一徑向定位式反射器進行光學通信；及將該雷射輻射脈衝引導至一電漿形成部位以汽化一燃料材料小滴且產生一輻射發射電漿。該方法亦包括：當在該光學隔離裝置處接收自該電漿形成部位所反射之輻射時，將該可旋轉安裝式反射器定向成與該徑向定位式反射器至少部分地光學地隔離。
現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部件。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置100。該裝置包含：源收集器模組(SO)，其經組態以產生輻射光束B(例如，EUV輻射)；照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B；支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩或比例光罩)MA，且連接至經組態以準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM；基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以準確地定位該基板之第二定位器PW；及投影系統(例如，反射投影系統)PS，其經組態以將藉由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構MT以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件MA。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而係固定或可移動的。支撐結構可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。
術語「圖案化器件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何器件。被賦予至輻射光束之圖案可對應於目標部分中所產生之器件(諸如，積體電路)中的特定功能層。
圖案化器件可為透射或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中係熟知的，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於藉由鏡面矩陣反射之輻射光束中。
如同照明系統，投影系統可包括適於所使用之曝光輻射或適於諸如真空之使用之其他因素的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。可能需要將真空用於EUV輻射，此係因為氣體可能吸收過多輻射。因此，可憑藉真空壁及真空泵而將真空環境提供至整個光束路徑。
如此處所描繪，裝置可為反射類型(例如，使用反射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)的類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
參看圖1，照明器IL自源收集器模組SO接收極紫外線(EUV)輻射光束。用以產生EUV輻射之方法包括(但未必限於)用在EUV範圍內之一或多種發射譜線將具有至少一元素(例如，氙、鋰或錫)之材料轉換成電漿狀態。在一種此類方法(通常被稱為雷射產生電漿「LPP」)中，可藉由用雷射光束來輻照燃料而產生所要電漿。燃料可為(例如)具有所要譜線發射元素之材料之小滴、串流或叢集。所得電漿發射輸出輻射(例如，EUV輻射)，其係使用位於源收集器模組中之輻射收集器予以收集。舉例而言，當使用CO2雷射以提供雷射光束時，用以產生雷射光束之雷射裝置與源收集器模組可為分離實體。可認為雷射裝置及源收集器模組SO共同地構成EUV輻射產生裝置。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈的調整器。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如，琢面化場鏡面器件及琢面化光瞳鏡面器件。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且係藉由該圖案化器件而圖案化。在自圖案化器件(例如，光罩)MA反射之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器PS2(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，基板台WT可準確地移動，例如，以使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器PS1可用以相對於輻射光束B之路徑準確地定位圖案化器件(例如，光罩)MA。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，光罩)MA及基板W。
所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構(例如，光罩台)MT之速度及方向。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
圖2更詳細地展示裝置100，其包括源收集器模組SO、照明系統IL及投影系統PS。源收集器模組SO經建構及配置成使得可將真空環境維持於源收集器模組SO之圍封結構220中。
雷射裝置LA經配置以經由雷射光束205而將雷射能量沈積至自燃料供應件200所提供之燃料(諸如，氙(Xe)、錫(Sn)或鋰(Li))中，藉此產生具有數十電子伏特之電子溫度的高度離子化電漿210。在此等離子之去激發及再組合期間所產生的高能輻射係自電漿發射、藉由近正入射收集器CO收集及聚焦。
藉由收集器CO反射之輻射聚焦於虛擬源點IF中。虛擬源點IF通常被稱作中間焦點，且源收集器模組SO經配置成使得中間焦點IF位於圍封結構220中之開口221處或附近。虛擬源點IF為輻射發射電漿210之影像。
隨後，輻射橫穿照明系統IL。照明系統IL可包括琢面化場鏡面器件22及琢面化光瞳鏡面器件24，琢面化場鏡面器件22及琢面化光瞳鏡面器件24經配置以提供在圖案化器件MA處輻射光束21之所要角分佈，以及在圖案化器件MA處輻射強度之所要均一性。在圖案化器件MA處輻射光束21之反射後，隨即形成經圖案化光束26，且藉由投影系統PS將經圖案化光束26經由反射元件28、30而成像至藉由基板台WT固持之基板W上。
通常，比所示元件多之元件可存在於照明系統IL及投影系統PS中。另外，可存在比諸圖所示之鏡面多的鏡面，例如，在投影系統PS中可存在1至6個額外反射元件。
圖3a示意性地展示根據本發明之一實施例的EUV輻射產生裝置。該裝置包含雷射(在此處被稱作主控振盪器300)，以及第一功率放大器301、第二功率放大器302及第三功率放大器303。偏振器304位於主控振盪器300與第一功率放大器301之間。可旋轉安裝式反射器305位於第一功率放大器301與第二功率放大器302之間。可旋轉安裝式反射器305係藉由馬達(圖中未繪示)驅動以圍繞該裝置之光軸或實質上平行於該裝置之光軸的軸線而旋轉。具有兩個反射表面之徑向定位式反射器306面對可旋轉安裝式反射器305。徑向定位式反射器306相對於光軸OA而與可旋轉安裝式反射器305徑向地分離。
徑向定位式反射器306經定向成使得當可旋轉安裝式反射器305之第一反射表面307將雷射脈衝205引導至徑向定位式反射器306時，徑向定位式反射器306將該雷射光束反射至該可旋轉安裝式反射器之第二反射表面308。此情形允許雷射脈衝205自第一功率放大器301行進至第二功率放大器302，且向前行進。
該裝置進一步包含兩個光束操控鏡面310、311及聚焦光學器件312。儘管展示兩個光束操控鏡面301、311，但可使用任何數目個光束操控鏡面。一旦雷射光束205已藉由三個功率放大器301至303放大，光束操控鏡面310、311及聚焦光學器件312隨即接收該雷射光束，且經共同地組態以將雷射光束205引導及聚焦於電漿形成部位313處。燃料材料小滴313a藉由燃料供應件(圖中未繪示)傳送至電漿形成部位313。雷射脈衝205造成燃料材料小滴313a汽化，藉此形成EUV輻射產生電漿。收集器C0收集藉由電漿產生之輻射，且將輻射聚焦於微影裝置之中間焦點處(見圖2)。
可認為圖3a所示之組件(惟收集器CO及燃料材料小滴313a除外)構成圖2所示之雷射裝置LA。
EUV產生裝置之可旋轉安裝式反射器305允許第一功率放大器301與第二功率放大器302及第三功率放大器303隔離。圖3b中展示達成此隔離之方式。
圖3b展示與圖3a相同之EUV產生裝置，但其中可旋轉安裝式反射器305旋轉遍及180°。由於此旋轉，第一反射表面307及第二反射表面308不再面向徑向定位式反射器306，而是面向光束截止器314。
主控振盪器300不再產生雷射脈衝。因此，沒有雷射脈衝經展示成自主控振盪器行進。燃料材料小滴313a已接收雷射脈衝且藉由雷射脈衝加熱(此情形將產生EUV輻射發射電漿)。雷射脈衝之部分藉由燃料小滴反射，且接著在反向方向上傳播通過EUV輻射產生裝置。反向地傳播通過EUV輻射產生裝置之輻射在本文中被稱作反向傳播輻射316。反向傳播輻射316傳遞通過收集器CO中之開口，且接著經由聚焦光學器件312及光束操控鏡面310、311而傳遞至第三功率放大器303。反向傳播輻射316可藉由第三功率放大器303放大。反向傳播輻射可接著傳遞至第二功率放大器302中，在第二功率放大器302處，反向傳播輻射被進一步放大。然而，代替經由徑向定位式反射器306而傳遞至第一功率放大器301，反向傳播輻射316藉由可旋轉安裝式反射器305之第二反射表面308反射朝向光束截止器314。光束截止器314吸收反向傳播輻射316，且該反向傳播輻射因此不再在EUV產生裝置內行進。可旋轉安裝式反射器305及徑向定位式反射器306共同地構成光學隔離裝置。
儘管圖3b所示之反向傳播輻射316起因於雷射脈衝自燃料小滴之反射，但該反向傳播輻射亦可起因於雷射脈衝自藉由燃料小滴形成之電漿之反射。雷射脈衝自燃料小滴或自電漿之反射可被集體地稱作輻射自電漿形成部位之反射。此外，一些反向傳播輻射亦可起因於藉由電漿產生之輻射。
光學隔離裝置藉由防止反向傳播輻射316到達第一功率放大器301、偏振器304及主控振盪器300而保護第一功率放大器301、偏振器304及主控振盪器300。光學隔離裝置亦縮減將發生自雷射作用之可能性。此係因為第一功率放大器301與第二功率放大器302及第三功率放大器303隔離，藉此縮減藉由功率放大器301至303提供之累積增益(且亦因為反向傳播輻射與主控振盪器之鏡面隔離，主控振盪器之鏡面因此不能形成雷射空腔之部件)。
儘管圖3a及圖3b中僅在兩個定向上展示可旋轉安裝式反射器305，但應瞭解，該可旋轉安裝式反射器經歷360°旋轉。提供額外光束截止器(圖中未繪示)，使得可旋轉安裝式反射器305之反射表面307、308針對可旋轉安裝式反射器305之大多數定向而面向光束截止器。該裝置可經組態成使得反射表面307、308面向徑向定位式反射器或光束截止器。
在一實施例中，提供僅一個徑向定位式反射器306，且可旋轉安裝式反射器305在惟圖3a所示之定向除外的所有定向上面向光束截止器(在起因於徑向定位式反射器306之大小及雷射光束205之直徑的容許度內)。在一實施例中，提供一個以上徑向定位式反射器。
主控振盪器300藉由控制器CT驅動以產生作為以預定重複率之一系列脈衝的雷射光束205。重複率可(例如)在40千赫茲至200千赫茲之範圍內，且可(例如)為50千赫茲。可藉由控制器CT使可旋轉安裝式反射器305之旋轉與主控振盪器300同步，使得當該主控振盪器產生雷射輻射脈衝時，該可旋轉安裝式反射器處於圖3a所示之定向(對於提供僅一個徑向定位式反射器306之實施例)。控制器CT亦可使藉由主控振盪器對雷射脈衝之產生與燃料小滴313a至電漿形成部位之傳送同步。因此，當已藉由主控振盪器300產生雷射脈衝時，雷射脈衝經由可旋轉安裝式反射器305及徑向定位式反射器306而行進，且藉由聚焦光學器件312聚焦至燃料材料小滴313a上。雷射輻射脈衝藉由功率放大器301至303放大以提供足以汽化燃料材料小滴313a且藉此產生EUV輻射發射電漿之功率。
當主控振盪器300不產生雷射輻射脈衝時，可旋轉安裝式反射器305之同步係使得反射表面307、308不面向徑向定位式反射器306，而是面向光束截止器。此情形提供主控振盪器300、偏振器304及第一功率放大器301與EUV產生裝置之其他部件之隔離。
可旋轉安裝式反射器305可經驅動成以高頻率(例如，50千赫茲)而旋轉。由於此高頻率，可旋轉安裝式反射器305之定向可在將雷射脈衝205引導至徑向定位式反射器306之第一反射表面307與自該徑向定位式反射器接收該雷射脈衝之第二反射表面308之間稍微改變。必要時，可經由第一反射表面307或第二反射表面308之定向之適當調整(例如，該第一反射表面或該第二反射表面之定向圍繞光軸OA之合適旋轉)而補償此改變。
儘管將可旋轉安裝式反射器305展示為在第一功率放大器301與第二功率放大器302之間，但該可旋轉安裝式反射器可位於其他位置處。使可旋轉安裝式反射器305位於第一功率放大器301與第二功率放大器302之間可提供如下優點：第一功率放大器301與第二功率放大器302及第三功率放大器303隔離。出於下文所描述之原因，此優點可比(例如)使第二功率放大器302與第三功率放大器303隔離更有利。
第一功率放大器301可經組態以提供高增益，而第二功率放大器302及第三功率放大器303可經組態以提供較低增益。此係為了提供藉由主控振盪器300產生之雷射脈衝之強放大。藉由第一功率放大器301接收之雷射脈衝之功率將相對低，且藉由第一功率放大器提供之高增益將實質上增加雷射脈衝之功率。因此，當雷射脈衝入射於第二功率放大器302處時，雷射脈衝之功率相當大。出於此原因，不實務的是使用第二功率放大器302來提供與藉由第一功率放大器301提供之增益相同的增益。因此，第二功率放大器相比於第一功率放大器301以較低增益而操作(但該第二功率放大器相比於該第一功率放大器提供較高功率輸出輻射脈衝)。藉由第三功率放大器303接收之輻射脈衝已經具有高功率。因此，不實務的是使用第三功率放大器303來提供與藉由第一功率放大器301提供之增益相同的增益。因此，第三功率放大器303相比於第一功率放大器301以較低增益而操作(但該第三功率放大器相比於該第一功率放大器及該第二功率放大器提供較高功率輸出輻射脈衝)。因此，第一功率放大器301相比於第二功率放大器302及第三功率放大器303提供顯著較高增益。第一功率放大器301、第二功率放大器302及第三功率放大器303之組合操作可足以(例如)將雷射脈衝205之功率放大至大約數十千瓦特。
當考慮在EUV產生裝置中反向傳播輻射316之潛在損壞效應時，功率放大器301至303之增益可為重要的。若不存在可旋轉安裝式反射器305，則行進通過EUV產生裝置之反向傳播輻射將藉由功率放大器301至303中每一者放大。第二功率放大器302及第三功率放大器303將顯著地增加輻射之功率。第一功率放大器301將接著提供輻射之功率之大增加。在藉由第二功率放大器302及第三功率放大器303之放大之後的反向傳播輻射之功率可足夠低，使得反向傳播輻射不易於損壞EUV產生裝置之光學組件。然而，在藉由第一功率放大器301之放大之後的反向傳播輻射之功率可足夠高，使得反向傳播輻射可損壞偏振器304或主控振盪器300。在第一功率放大器301與第二功率放大器302之間提供可旋轉安裝式反射器305會防止發生此損壞(或實質上縮減發生該損壞之可能性)。
可旋轉安裝式反射器305可位於偏振器304與第一功率放大器301之間。然而，在此部位處提供可旋轉安裝式反射器之潛在缺點將為：第一功率放大器301之增益可藉由反向傳播輻射耗盡。儘管第二功率放大器302及第三功率放大器303之增益之某一耗盡可由反向傳播輻射造成，但此耗盡將為歸因於在該等功率放大器中反向傳播輻射之相對低強度的相對小效應。對比而言，第一功率放大器301之高增益意謂反向傳播輻射可造成該第一功率放大器之增益之顯著耗盡。此外，對於第一功率放大器301，在雷射脈衝205之傳遞與反向傳播輻射之到達之間的經過時間將最大，從而允許更多時間用於恢復第一放大器中之儲存能量(且允許更多增益自第一功率放大器耗盡)。第一功率放大器301之增益之耗盡係不良的，此係因為該增益可能未足夠快速地恢復以將所要放大提供至藉由主控振盪器300產生之下一雷射脈衝。若發生此耗盡，則傳送至燃料材料小滴313a之輻射之強度將縮減，藉此縮減該燃料材料小滴將被汽化之有效性。對於第二功率放大器302及第三功率放大器303，此問題較不顯著，此係因為第二功率放大器302及第三功率放大器303之增益顯著地較低且可更快速地恢復。
可旋轉安裝式反射器305可位於主控振盪器300與偏振器304之間。然而，在此部位處提供可旋轉安裝式反射器305之潛在缺點為：反向傳播輻射可造成偏振器304之損壞(除了耗盡第一功率放大器301之增益以外)。偏振器304可經組態成使得其能透射偏振與藉由主控振盪器205產生之輻射之偏振對應的輻射。反向傳播輻射將包括具有橫向偏振之實質分量，且反向傳播輻射之此分量將藉由偏振器304阻擋。此經阻擋分量之比例可藉由偏振器304吸收且可損壞該偏振器。
可旋轉安裝式反射器305可位於第二功率放大器302與第三功率放大器303之間。此情形可提供使第一功率放大器301與第二功率放大器302隔離之優點。然而，其可使可旋轉安裝式反射器305更難以提供有效光學隔離。此係因為可能需要可旋轉安裝式反射器305自將主控振盪器300光學地連接至功率放大器301至303之定向移動至使該主控振盪器隔離之定向，該移動足夠地快速，使得藉由EUV輻射發射電漿315發射之輻射不行進至該主控振盪器。用於使此情形發生之可用時間取決於可旋轉安裝式反射器305與電漿產生部位313之間的光徑長度。若可旋轉安裝式反射器305位於第一功率放大器301與第二功率放大器302之間，則此情形相比於該可旋轉安裝式反射器位於第二功率放大器302與第三功率放大器303之間的情況提供較長光徑長度。
EUV產生裝置可具備光學延遲線以增加電漿形成部位313與可旋轉安裝式反射器305之間的光徑長度。圖4中示意性地展示合適光學延遲線之實例。光學延遲線包含經組態以將輻射引導進及引導出延遲線之第一光束操控鏡面331及第二光束操控鏡面330，且進一步包含彼此面對之一對鏡面332、333(在此處被稱作第一延遲鏡面及第二延遲鏡面)。圖4中展示反向傳播輻射316之射線以說明該輻射在延遲線中所採取之路徑。在離開第三功率放大器303時，反向傳播輻射316藉由第一光束操控鏡面331反射朝向第一延遲鏡面333。反向傳播輻射藉由第一延遲鏡面333反射朝向第二延遲鏡面332，且接著返回至該第一延遲鏡面。第一延遲鏡面接著將反向傳播輻射引導朝向第二光束操控鏡面330，第二光束操控鏡面330將反向傳播輻射引導至第二功率放大器302中。
藉由延遲線提供之延遲取決於自光束操控鏡面330、331至第一延遲鏡面333之距離，及自該第一延遲鏡面至第二延遲鏡面332之距離。延遲線可具有足以允許可旋轉安裝式反射器305在雷射脈衝205已藉由該可旋轉安裝式反射器透射之後且在反向傳播輻射316到達該可旋轉安裝式反射器之前移動至使第一放大器301(或其他光學組件)光學地隔離之定向的長度。延遲線之適當長度之計算可考量雷射脈衝205之持續時間，及使光學隔離裝置移動至光學隔離組態所需要之時間。該計算亦可包括燃料小滴之反射屬性。延遲線之長度可(例如)足以允許整個雷射脈衝205(或大多數雷射脈衝)行進至電漿形成部位313，同時允許反向傳播輻射藉由光學隔離裝置隔離。類似地，延遲線之長度可(例如)足以允許整個雷射脈衝205(或大多數雷射脈衝)在反向傳播輻射到達一功率放大器之前藉由該功率放大器放大。
可選擇雷射脈衝之持續時間以提供燃料小滴之良好汽化。雷射脈衝之持續時間可(例如)在100奈秒與2微秒之間，或可具有某一其他持續時間。
延遲線可(例如)具有為3公尺或更長、10公尺或更長或50公尺或更長之光徑長度。延遲線可(例如)具有高達200公尺長之光徑長度。可藉由將第一延遲鏡面333及第二延遲鏡面332組態成使得在第一延遲鏡面333與第二延遲鏡面332之間發生多次反射來達成較長延遲。舉例而言，若第一延遲鏡面333與第二延遲鏡面332之間的距離為8公尺，則在第一延遲鏡面333與第二延遲鏡面332之間的25次反射將提供200公尺之光徑長度。第一延遲鏡面333及第二延遲鏡面332可具有高反射率(例如，R=99.9%)，使得當雷射脈衝205傳遞通過延遲線時，多次反射不會造成雷射脈衝205之功率之顯著縮減。
圖3a及圖3b所示之徑向定位式反射器306具有兩個反射表面。然而，徑向定位式反射器可具有不同數目個反射表面(徑向定位式反射器可(例如)為角隅稜鏡)。徑向定位式反射器306可提供沿著光軸OA之位移，使得雷射光束205在被引導回朝向可旋轉安裝式反射器305之前位移(例如，如圖3a所示)。舉例而言，當可旋轉安裝式反射器305之反射表面經定向成使得雷射光束橫向於該裝置之光軸反射時，此配置可為合適的。在一實施例(未繪示說明)中，可旋轉安裝式反射器之反射表面可經定向成使得雷射光束不橫向於光軸反射，而是在包括在光軸之方向上之分量的定向內反射。在此情況下，當將雷射光束反射回朝向可旋轉安裝式反射器時，可能不需要提供沿著光軸OA之位移。圖3a之徑向定位式反射器306可藉由平坦鏡面或某一其他合適反射器替換。徑向定位式反射器306與可旋轉安裝式反射器之分離可包括在非徑向方向上之分量。
可旋轉安裝式反射器305可安裝於雷射脈衝205行進通過之中空輪軸上，如圖5示意性地所示。圖5展示可旋轉安裝式反射器305及中空輪軸350之部件。中空輪軸350與EUV產生裝置之光軸OA同軸，且藉由馬達(圖中未繪示)驅動以圍繞光軸OA而旋轉。馬達可(例如)鄰近於中空輪軸350而提供，且可(例如)圍繞該中空輪軸之圓周而提供。中空輪軸350為大體上圓柱形，但包括在一末端延伸且不為大體上圓柱形之部分351。可旋轉安裝式反射器305連接至此延伸部分，而非位於中空輪軸350內。此情形允許雷射脈衝205自可旋轉安裝式反射器之第一反射表面307反射，而不使雷射脈衝205達到中空輪軸350之內部表面。類似地，輻射可行進至可旋轉安裝式反射器305之第二反射表面308，而不達到中空輪軸350之外部表面。在一實施例(未繪示說明)中，可旋轉安裝式反射器305位於中空輪軸350內，且在該中空輪軸中提供一開口，該開口允許輻射自該可旋轉安裝式反射器反射及入射於該可旋轉安裝式反射器上。
沒有必要使可旋轉安裝式反射器305安裝於中空輪軸350上。在一實施例(未繪示說明)中，第一反射表面307及第二反射表面308可在平行於光軸之方向上彼此分離。此分離可提供可經提供有可旋轉安裝之空間。
儘管上文所描述之可旋轉安裝式反射器305具有兩個反射表面307、308，但該可旋轉安裝式反射器可具備其他數目個反射表面。圖6及圖7示意性地展示可旋轉安裝式反射器之兩個可能組態。
圖6展示自一側所觀察之可旋轉安裝式反射器305a之實施例。可旋轉安裝式反射器305a包含在該裝置之光軸OA處會合之第一反射表面307a及第二反射表面307b。第三反射表面308a及第四反射表面308b提供於可旋轉安裝式反射器305a之對置側上，且亦在該裝置之光軸OA處會合。雷射光束205經示意性地展示為入射於可旋轉安裝式反射器305a上。雷射光束之一半作為子光束藉由第一反射表面307a反射於第一方向上，且雷射光束之一半作為子光束藉由第二反射表面307b反射於第二方向上。提供徑向定位式反射器(圖中未繪示)以接收輻射且將輻射反射回至可旋轉安裝式反射器305a之第三反射表面308a及第四反射表面308b。
圖7中展示可旋轉安裝式反射器305b之實施例。可旋轉安裝式反射器305b未經展示為自一側被觀察，而是經展示為沿著該裝置之光軸被觀察。可看出，可旋轉安裝式反射器305b提供於具有四個反射表面307c至307f之一側上。此等反射表面在該裝置之光軸處會合。雷射光束(圖中未繪示)藉由可旋轉安裝式反射器305b分裂成四個子光束。每一子光束將入射於一不同徑向定位式反射器處，且將返回至提供於可旋轉安裝式反射器305b之對置側上的對應反射表面(不可見)。
在圖7所示之實施例中，可旋轉安裝式反射器305b圍繞與光軸OA對應之軸線而旋轉。在一實施例中，可旋轉安裝式反射器305b之旋轉軸線可相對於光軸OA位移。此位移可使得雷射光束205不在給定時間入射於可旋轉安裝式反射器之所有四個反射表面307c至307f上，而是入射於此等反射表面中之一者(或兩者(當雷射光束205重疊於鄰近反射表面之間的側邊緣時))上。在此情況下，可相應地修改徑向定位式反射器及光束截止器之位置。
圖8中展示自一側所觀察之可旋轉安裝式反射器305c之實施例。可旋轉安裝式反射器305c具備經定向以接收行進通過EUV輻射產生裝置之反向傳播輻射的反射表面361。然而，可旋轉安裝式反射器305c不具備經定向以接收雷射光束205之反射表面。取而代之，固定反射器360位於可旋轉安裝式反射器305c前方，且經定向以接收雷射光束205。經組態以旋轉可旋轉安裝式反射器305c之馬達(圖中未繪示)可提供於該可旋轉安裝式反射器與固定反射器360之間。
圖8所示之可旋轉安裝式反射器305c可以與上文關於圖3進一步所描述之可旋轉安裝式反射器305、305a、305b相同的方式提供EUV輻射產生裝置之光學組件與反向傳播輻射之光學隔離。可旋轉安裝式反射器305c可與主控振盪器300同步，使得反射表面361經定向以接收自徑向定位式反射器所反射之雷射脈衝205，且經定向成使得在接收反向傳播輻射時將反向傳播輻射引導朝向光束止檔器(beam stop)。
可旋轉安裝式反射器305、305a至305c可具備經定向以接收反向傳播輻射之任何合適數目個反射表面。此數目可為(例如)1、2、3、4、5、6、7、8或更多。對應數目個反射表面可提供於可旋轉安裝式反射器之對置側上。或者，可提供經定向以接收雷射光束205之對應數目個固定反射器。
在一實施例中，可旋轉安裝式反射器305、305a至305c可包括具備光學功率之一或多個反射表面。在一實施例中，一或多個徑向定位式反射器306可包括光學功率。
在一實施例中，雷射光束之直徑可為約30毫米。EUV產生裝置可經組態成如圖3所示，其中可旋轉安裝式反射器305具有各自具有50毫米直徑之第一反射表面307及第二反射表面308(此情形可允許使雷射光束入射於該等反射表面上之某一容許度)。主控振盪器300可以50千赫茲之重複率而操作，藉此提供每隔20微秒一雷射輻射脈衝。該脈衝可具有2微秒之持續時間。可旋轉安裝式反射器305可經驅動成以50千赫茲而旋轉，且可與主控振盪器300同步，使得每當藉由該主控振盪器產生雷射脈衝時，該可旋轉安裝式反射器面對徑向定位式反射器。
在此實施例中，主控振盪器不產生雷射輻射之時段(18微秒)為主控振盪器產生雷射脈衝之時段的九倍(2微秒)。在此實施例中，因此，光束截止器314之長度可為徑向定位式反射器之長度的九倍。徑向定位式反射器可(例如)具有100毫米之長度，且光束截止器可(例如)具有900毫米之長度。因此，徑向定位式反射器及光束截止器314之組合長度可為1公尺。在此實例中，徑向定位式反射器及光束截止器將經提供為呈圍繞可旋轉安裝式反射器305而定位之環，該環具有1公尺之圓周及320毫米之直徑。可藉由改變徑向定位式反射器之長度且進行對光束截止器之長度之對應改變來改變圓周。
主控振盪器之重複率可(例如)在20千赫茲至100千赫茲之範圍內，或可大於100千赫茲。
若不可能或不需要以主控振盪器300之重複率旋轉可旋轉安裝式反射器305，則該可旋轉安裝式反射器可以較低頻率而旋轉。在此情況下，可能需要額外徑向定位式反射器，徑向定位式反射器經分佈成使得每當主控振盪器產生雷射脈衝時，可旋轉安裝式反射器305面對徑向定位式反射器。在一實施例中，主控振盪器之重複率為50千赫茲，且可旋轉安裝式反射器305之旋轉頻率為1.667千赫茲(100,000轉/分鐘)。三十個徑向定位式反射器經分佈以確保藉由主控振盪器300產生之每一雷射脈衝入射於一徑向定位式反射器上。該等雷射脈衝逐次地入射於該等徑向定位式反射器上。在使用此方法之情況下，將增加徑向定位式反射器及光束截止器之組合圓周。舉例而言，若每一徑向定位式反射器為50毫米長，則每一光束截止器可為450毫米長。因為提供三十個徑向定位式反射器，所以此情形引起15公尺之總長度，其對應於4.8公尺之直徑。
上文所描述之方法(藉以，縮減可旋轉安裝式反射器305之旋轉頻率且增加徑向定位式反射器之數目)可能不適於固定反射器經定向朝向主控振盪器之實施例(例如，如圖8所示)。此係因為該等雷射脈衝將總是藉由該固定反射器傳送至同一部位。在一實施例中，固定反射器可具備複數個反射表面，該複數個反射表面經組態以將雷射脈衝分離成複數個子光束。在此情況下，可旋轉安裝式反射器可具備對應數目個反射表面，且亦可提供對應數目個徑向定位式反射器。可旋轉安裝式反射器之旋轉頻率可接著縮減達與固定反射器之反射表面之數目相關的因數。舉例而言，若固定反射器具有兩個反射表面，則旋轉頻率可縮減達原先的二分之一，若固定反射器具有四個反射表面，則旋轉頻率可縮減達原先的二分之一或四分之一，等等。
如上文進一步所解釋，可旋轉安裝式反射器可具備接收反向傳播輻射之複數個反射表面。亦可提供對應數目個可旋轉安裝式反射表面或靜態反射表面，此等反射表面經組態以接收雷射光束205且將子光束引導至不同徑向定位式反射器。在此情況下，徑向定位式反射器之數目可與子光束產生反射表面之數目對應(或若子光束產生表面提供於可旋轉安裝式反射器上，則徑向定位式反射器之數目可為子光束產生反射表面之數目的倍數)。徑向定位式反射器及光束截止器之組合圓周可相應地改變。
可用以判定徑向定位式反射器及光束止檔器之組合圓周的一般表達式為：
其中f f 為燃料小滴產生頻率，f r 為可旋轉安裝式鏡面305、305a至305c之旋轉頻率，t l 為藉由主控振盪器300產生之雷射脈衝之時間分離度，t p 為雷射脈衝之持續時間，且d為雷射光束之直徑。
自該方程式可看出，可(例如)藉由增加可旋轉安裝式鏡面之旋轉頻率f r 而使圓周較小。
該方程式假定徑向定位式反射器之長度對應於雷射光束之直徑。然而，徑向定位式反射器之長度可大於雷射光束之直徑。
徑向定位式反射器及光束截止器可經驅動成以同一旋轉方向圍繞可旋轉安裝式反射器305而旋轉。此情形可允許徑向定位式反射器及光束截止器之組合圓周縮減。
在上文所描述的本發明之實施例中，可旋轉安裝式反射器305、305a至305c提供保護第一功率放大器301、經調變偏振器204及主控振盪器300之光學隔離。在其他實施例中，其他光學組件可受到可旋轉安裝式反射器保護。
如上文在本發明之實施例之描述中所使用的術語「光束截止器」可被解釋為意謂不將反向傳播輻射316返回至可旋轉安裝式反射器305、305a、305b之任何表面。
儘管該描述提及可經提供有可旋轉安裝式反射器之部位，但可旋轉安裝式反射器可提供於EUV輻射產生裝置中之任何合適部位處。舉例而言，可旋轉安裝式反射器可經定位成緊接於主控振盪器300，或位於第三功率放大器與電漿產生部位之間。
儘管該描述提及具有三個功率放大器301至303之EUV輻射產生裝置，但EUV輻射產生裝置可具有任何合適數目個功率放大器。
在以上描述中，對燃料材料小滴之汽化的參考意欲涵蓋燃料材料小滴之不完全汽化。
在以上描述中，可將該裝置之光軸視為在使用中傳遞通過該裝置之雷射輻射光束205之軸線(如(例如)圖3a所指示)。因此，該光軸不僅僅在一個方向上定向，而是在不同方向上於EUV輻射產生裝置中之不同部位處定向。
在以上描述之各個點處，出於易於解釋本發明起見，已使用術語「雷射光束」來代替雷射脈衝。
圖3所示之偏振器304為偏振調整器件之實例。可使用之其他偏振調整器件包括四分之一波片或光學調變器。
因為可旋轉安裝式反射器以連續旋轉而移動，所以避免(例如)在反射器具有往復移動時將施加至反射器之應力。
在本發明之實施例中，可旋轉安裝式反射器與雷射同步，使得當光學隔離裝置接收自電漿形成部位所反射之輻射時，可旋轉安裝式反射器之反射表面與徑向定位式反射器光學地隔離。然而，在一些例子中，當接收自電漿形成部位所反射之一些輻射時，可旋轉安裝式反射器可能不與徑向定位式反射器完全光學地隔離。舉例而言，雷射脈衝205可包括功率低之上升邊緣及功率顯著較高之中央部分。在此情形中，當在光學隔離裝置處接收雷射脈衝之上升邊緣之反射部分時，光學隔離裝置可與徑向定位式反射器進行光學通信。在光學隔離裝置處接收雷射脈衝之中央部分之前，光學隔離裝置可使可旋轉安裝式反射器與徑向定位式反射器光學地隔離。諸如此情形之情形可被描述為可旋轉安裝式反射器與徑向定位式反射器之部分光學隔離。舉例而言，部分光學隔離可提供與自電漿形成部位所反射之輻射脈衝之大多數能量的光學隔離。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢驗工具中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指代各種類型之光學組件中任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
術語「EUV輻射」可被視為涵蓋具有在5奈米至20奈米之範圍內(例如，在13奈米至14奈米之範圍內，例如，在5奈米至10奈米之範圍內(諸如，6.7奈米或6.8奈米))之波長的電磁輻射。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取如下形式：電腦程式，該電腦程式含有描述如上文所揭示之方法的機器可讀指令之一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，該資料儲存媒體具有儲存於其中之此電腦程式。以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
21．．．輻射光束
22．．．琢面化場鏡面器件
24．．．琢面化光瞳鏡面器件
26．．．經圖案化光束
28．．．反射元件
30．．．反射元件
100．．．微影裝置
200．．．燃料供應件
205．．．雷射光束/雷射脈衝
210．．．高度離子化電漿/輻射發射電漿
220．．．圍封結構
221．．．開口
300．．．主控振盪器
301．．．第一功率放大器
302．．．第二功率放大器
303．．．第三功率放大器
304．．．偏振器
305．．．可旋轉安裝式反射器/可旋轉安裝式鏡面
305a．．．可旋轉安裝式反射器/可旋轉安裝式鏡面
305b．．．可旋轉安裝式反射器/可旋轉安裝式鏡面
305c．．．可旋轉安裝式反射器/可旋轉安裝式鏡面
306．．．徑向定位式反射器
307．．．第一反射表面
307a．．．第一反射表面
307b．．．第二反射表面
307c．．．反射表面
307d．．．反射表面
307e．．．反射表面
307f．．．反射表面
308．．．第二反射表面
308a．．．第三反射表面
308b．．．第四反射表面
310．．．光束操控鏡面
311．．．光束操控鏡面
312．．．聚焦光學器件
313．．．電漿形成部位/電漿產生部位
313a．．．燃料材料小滴
314．．．光束截止器
316．．．反向傳播輻射
330．．．第二光束操控鏡面
331．．．第一光束操控鏡面
332．．．第二延遲鏡面
333．．．第一延遲鏡面
350．．．中空輪軸
351．．．中空輪軸之部分
360．．．固定反射器
361．．．反射表面
B．．．輻射光束
C．．．目標部分
CO．．．近正入射收集器
CT．．．控制器
IF．．．虛擬源點/中間焦點
IL．．．照明系統/照明器
LA．．．雷射裝置
M1．．．光罩對準標記
M2．．．光罩對準標記
MA．．．圖案化器件
MT．．．支撐結構
OA．．．光軸
P1．．．基板對準標記
P2．．．基板對準標記
PM．．．第一定位器
PS．．．投影系統
PS1．．．位置感測器
PS2．．．位置感測器
PW．．．第二定位器
SO．．．源收集器模組
W．．．基板
WT．．．基板台
圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；
圖2更詳細地描繪圖1之微影裝置；
圖3a及圖3b描繪根據本發明之一實施例的EUV輻射產生裝置；
圖4描繪根據本發明之一實施例的延遲線裝置；
圖5描繪可旋轉安裝式反射器之實施例，該可旋轉安裝式反射器形成圖3a及圖3b所示之EUV輻射產生裝置之部件；
圖6描繪根據本發明之一實施例的可旋轉安裝式反射器；
圖7描繪根據本發明之一實施例的可旋轉安裝式反射器；及
圖8描繪根據本發明之一實施例的可旋轉安裝式反射器。
205．．．雷射光束/雷射脈衝
300．．．主控振盪器
301．．．第一功率放大器
302．．．第二功率放大器
303．．．第三功率放大器
304．．．偏振器
305．．．可旋轉安裝式反射器/可旋轉安裝式鏡面
306．．．徑向定位式反射器
307．．．第一反射表面
308．．．第二反射表面
310．．．光束操控鏡面
311．．．光束操控鏡面
312．．．聚焦光學器件
313．．．電漿形成部位/電漿產生部位
313a．．．燃料材料小滴
314．．．光束截止器
CO．．．近正入射收集器
CT．．．控制器

Claims (15)

  1. 一種極紫外線(EUV)輻射產生裝置，其包含：一雷射，該雷射經組態以產生雷射輻射脈衝；及一光學隔離裝置，該光學隔離裝置包含一可旋轉安裝式(rotatably mounted)反射器及一徑向定位式(radially positioned)反射器，該可旋轉安裝式反射器可圍繞該極紫外線輻射產生裝置之一光軸(optical axis)或實質上平行於在一第一定向(roientation)與一第二定向之間之該光軸之一軸線(axis)而旋轉，該徑向定位式反射器相對於該光軸而與該可旋轉安裝式反射器徑向地分離，該可旋轉安裝式反射器與該雷射同步，使得當該可旋轉安裝式反射器在該第一定向上時，當該光學隔離裝置接收一雷射輻射脈衝以允許該雷射輻射脈衝傳遞至一電漿形成部位且使一輻射發射電漿經由一燃料材料小滴(droplet)之汽化而產生時，該可旋轉安裝式反射器之一反射表面與該徑向定位式反射器進行光學通信，且該可旋轉安裝式反射器與該雷射進一步同步，使得當該可旋轉安裝式反射器在該第二定向上時，當該光學隔離裝置接收自該電漿形成部位所反射之輻射時，該可旋轉安裝式反射器之該反射表面與該徑向定位式反射器至少部分地光學地隔離。
  2. 如請求項1之EUV輻射產生裝置，其中該可旋轉安裝式反射器包含：經定向朝向該電漿形成部位之一反射表面；及經定向朝向該雷射之一反射表面。
  3. 如請求項2之EUV輻射產生裝置，其中該可旋轉安裝式反射器包含：經定向朝向該電漿形成部位之一或多個額外反射表面；及經定向朝向該雷射之對應數目個額外反射表面，且其中該徑向定位式反射器為複數個徑向定位式反射器中之一者。
  4. 如請求項3之EUV輻射產生裝置，其中徑向定位式反射器之數目等於經定向朝向該雷射的該可旋轉安裝式反射器之反射表面之數目或為經定向朝向該雷射的該可旋轉安裝式反射器之該等反射表面之該數目的一倍數。
  5. 如請求項1之EUV輻射產生裝置，其中隔離光學器件進一步包含一固定反射器，該固定反射器經定向朝向該雷射且經組態以將雷射脈衝引導至該徑向定位式反射器，且其中該可旋轉安裝式反射器包含經定向朝向該電漿形成部位之一反射表面。
  6. 如請求項5之EUV輻射產生裝置，其中該可旋轉安裝式反射器包含經定向朝向該電漿形成部位之一或多個額外反射表面，該固定反射器包含經定向朝向該雷射之一或多個額外反射表面，且該徑向定位式反射器為複數個徑向定位式反射器中之一者。
  7. 如請求項6之EUV輻射產生裝置，其中徑向定位式反射器之該數目等於經定向朝向該雷射的該固定反射器之反射表面之數目。
  8. 如請求項1之EUV輻射產生裝置，其中該裝置進一步包含一功率放大器，該功率放大器經組態以放大藉由該雷 射產生之該等雷射輻射脈衝，且其中該光學隔離裝置位於該功率放大器與該電漿形成部位之間。
  9. 如請求項8之EUV輻射產生裝置，其中該裝置進一步包含一或多個額外功率放大器，該一或多個額外功率放大器經組態以進一步放大該等雷射輻射脈衝，且其中至少一功率放大器位於該光學隔離裝置與該電漿形成部位之間。
  10. 如請求項1之EUV輻射產生裝置，其中該裝置進一步包含一延遲線，該延遲線位於該光學隔離裝置與該電漿形成部位之間。
  11. 如請求項1之EUV輻射產生裝置，其中該光學隔離裝置經組態以提供與自該電漿形成部位所反射之一輻射脈衝之大多數能量的光學隔離。
  12. 如請求項1之EUV輻射產生裝置，其中該光學隔離裝置經組態以提供與自該電漿形成部位所反射之一輻射脈衝之全部能量的光學隔離。
  13. 一種器件製造方法，其包含：用一雷射產生一雷射輻射脈衝；經由包含一可旋轉安裝式反射器之一光學隔離裝置而傳遞該雷射輻射脈衝，該可旋轉安裝式反射器經定向成使得其與一徑向定位式反射器進行光學通信；將該雷射輻射脈衝引導至一電漿形成部位以汽化一燃料材料小滴且產生一輻射發射電漿；及當在該光學隔離裝置處接收自該電漿形成部位所反射 之輻射時，將該可旋轉安裝式反射器定向成與該徑向定位式反射器至少部分地光學地隔離。
  14. 如請求項13之器件製造方法，其中該光學隔離裝置提供與自該電漿形成部位所反射之一輻射脈衝之大多數能量的光學隔離。
  15. 如請求項13之器件製造方法，其中該光學隔離裝置提供與自該電漿形成部位所反射之一輻射脈衝之全部能量的光學隔離。
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