[go: up one dir, main page]

JP2013543210A - リソグラフィ装置、ｅｕｖ放射発生装置、およびデバイス製造方法 - Google Patents

リソグラフィ装置、ｅｕｖ放射発生装置、およびデバイス製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2013543210A
JP2013543210A JP2013527524A JP2013527524A JP2013543210A JP 2013543210 A JP2013543210 A JP 2013543210A JP 2013527524 A JP2013527524 A JP 2013527524A JP 2013527524 A JP2013527524 A JP 2013527524A JP 2013543210 A JP2013543210 A JP 2013543210A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
reflector
radiation
laser
rotatably mounted
pulse
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2013527524A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5921548B2 (ja
Inventor
ループストラ，エリック
スウィンケルズ，ゲラルドス
ビュールマン，エリク
シュタム，ウーヴェ
Original Assignee
エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ．
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． filed Critical エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ．
Publication of JP2013543210A publication Critical patent/JP2013543210A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5921548B2 publication Critical patent/JP5921548B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B23K26/0643—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms comprising mirrors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70025—Production of exposure light, i.e. light sources by lasers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/008—Production of X-ray radiation generated from plasma involving an energy-carrying beam in the process of plasma generation
    • H05G2/0082—Production of X-ray radiation generated from plasma involving an energy-carrying beam in the process of plasma generation the energy-carrying beam being a laser beam
    • H05G2/0086—Optical arrangements for conveying the laser beam to the plasma generation location
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S3/0071—Beam steering, e.g. whereby a mirror outside the cavity is present to change the beam direction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/23—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
    • H01S3/2308—Amplifier arrangements, e.g. MOPA

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • X-Ray Techniques (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

ＥＵＶ放射発生装置は、レーザ放射のパルス（２０５）を発生させるように構成されたレーザ（３００）と、回転可能に取り付けられたリフレクタ（３０５）と半径方向に位置決めされたリフレクタ（３０６）とを備える光分離装置とを含む。回転可能に取り付けられたリフレクタとレーザとは、光分離装置がレーザ放射のパルスを受け取る場合、レーザ放射のパルスがプラズマ形成位置（３１３）を通過でき且つ燃料材料の小滴（３１３ａ）の蒸発を介して放射放出プラズマが発生されるように、回転可能に取り付けられたリフレクタの反射面（３０７、３０８）が半径方向に位置決めされたリフレクタと光学的に連通するように、同期される。回転可能に取り付けられたリフレクタとレーザとはさらに、光分離装置がプラズマ形成位置から反射された放射（３１６）を受け取る場合、回転可能に取り付けられたリフレクタの反射面が半径方向に位置決めされたリフレクタから少なくとも部分的に光学的に分離されるように、同期される。
【選択図】図２

Description

関連出願への相互参照
[0001] 本出願は、２０１０年９月８日に出願された米国仮出願第６１／３８０，９５９号の優先権を主張する。これは参照によりその全体が本明細書に組み込まれる
[0002] 本発明は、リソグラフィ装置、ＥＵＶ放射発生装置、およびデバイスを製造する方法に関する。
[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ以上のダイの一部を含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。
[0004] リソグラフィは、ＩＣおよび他のデバイスおよび／または構造の製造における重要なステップの１つとして広く認識されている。しかしながら、リソグラフィを使用して作られるフィーチャの寸法が小さくなるにつれて、リソグラフィは小型ＩＣまたは他のデバイスおよび／または構造を製造可能にするためのより重大な要素になりつつある。
[0005] パターンプリンティングの限界の理論推定値は、次式（１）に示されるような解像度についてのレイリー（Rayleigh）基準によって与えることができる。
Figure 2013543210
ここで、λは用いられる放射の波長であり、ＮＡはパターンのプリントに用いられる投影システムの開口数であり、ｋ１はレイリー定数とも呼ばれる、プロセス依存型調節係数であり、ＣＤはプリントされたフィーチャのフィーチャサイズ（またはクリティカルディメンション）である。式（１）から、フィーチャの最小プリント可能サイズの縮小は、３つの方法、すなわち、露光波長λを短くすること、開口数（ＮＡ）を大きくすること、またはｋ１の値を小さくすることによって得られることが分かる。
[0006] 露光波長を短くする、したがってプリント可能な最小サイズを縮小するために、極端紫外線（ＥＵＶ）源を使用することが提案されている。ＥＵＶ放射は、５〜２０ｎｍの範囲内、例えば１３．５ｎｍといった１３〜１４ｎｍの範囲内、例えば６．７ｎｍまたは６．８ｎｍといった５〜１０ｎｍの範囲内、の波長を有する電磁放射である。可能な放射源としては、例えばレーザ生成プラズマ源、放電プラズマ源、または電子蓄積リングによって供給されるシンクロトロン放射に基づいた放射源が挙げられる。
[0007] ＥＵＶ放射はプラズマを用いて生成されうる。ＥＵＶ放射を生成するための放射システムは、燃料を励起してプラズマを供給するためのレーザと、プラズマを閉じ込めるための放射源コレクタモジュールとを含みうる。プラズマは、例えば好適な物質（例えばスズ）の粒子、または、ＸｅガスまたはＬｉ蒸気といった適切なガスまたは蒸気のストリームである燃料にレーザビームを向けることによって生成されうる。結果として生じるプラズマは、例えばＥＵＶ放射である出力放射を放出し、この放射は放射コレクタを用いて集められる。放射コレクタは、放射を受け取りかつ放射をビームに集束するミラー付き法線入射放射コレクタであってよい。放射源コレクタモジュールは、プラズマを支援するために真空環境を与えるように構成された囲い構造またはチャンバを含みうる。このような放射システムは、通常、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源と呼ばれる。
[0008] 燃料に向けられるレーザビームは、数十キロワットのパワーでレーザビームを供給するように構成されたレーザ装置によって発生されうる。この高いパワーでレーザビームを供給するために、レーザ装置は、非常に高い利得で動作する利得媒体を含みうる。利得媒体の非常に高い利得は、課題を生む。例えば燃料（またはプラズマ）によって反射されたレーザ放射は、利得媒体を通過して、レーザ装置の光コンポーネントを損傷しうるのに十分に高いパワーにまで増幅されうる。さらに、この放射が、利得媒体を通過する際、利得媒体の利得の減少を引き起こしうる。さらに、レーザ装置は、望ましくない自己レーザ発振による影響を受けることがある。望ましくない自己レーザ発振とは、レーザビームが所望されていないときのレーザ装置によるレーザビームの自然発生である。
[0009] 上記課題または従来のリソグラフィ装置に関連付けられた他の課題のうちの少なくとも１つを解決するまたは軽減するリソグラフィ装置、ＥＵＶ放射発生装置、およびデバイス製造方法を提供することが望ましい。
[00010] 本発明の一態様では、レーザ放射のパルスを発生させるように構成されたレーザと、回転可能に取り付けられたリフレクタと半径方向に位置決めされたリフレクタとを含む光分離装置と、を含むＥＵＶ放射発生装置が提供される。回転可能に取り付けられたリフレクタとレーザとは、光分離装置がレーザ放射のパルスを受け取る場合、レーザ放射のパルスがプラズマ形成位置を通過でき且つ燃料材料の小滴の蒸発を介して放射放出プラズマが発生されるように、回転可能に取り付けられたリフレクタの反射面が半径方向に位置決めされたリフレクタと光学的に連通するように、同期される。回転可能に取り付けられたリフレクタとレーザとはさらに、光分離装置がプラズマ形成位置から反射された放射を受け取る場合、回転可能に取り付けられたリフレクタの反射面が半径方向に位置決めされたリフレクタから少なくとも部分的に光学的に分離されるように、同期される。
[00011] 本発明の一態様では、本発明のＥＵＶ放射発生装置と、ＥＵＶ放射発生装置によって発生された放射ビームを調整するように構成された照明システムと、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成するパターニングデバイスを支持するように構築されたサポートと、基板を保持するように構築された基板テーブルと、パターン付き放射ビームを基板のターゲット部上に投影するように構成された投影システムとを含むリソグラフィ装置が提供される。
[00012] １つ以上の半径方向に位置決めされたリフレクタは、レーザ放射のパルスを光軸に平行な方向に変位させるように構成されうる。追加的に、または、代替的に、１つ以上の半径方向に位置決めされたリフレクタは屈折力（optical power）を有する。回転可能に取り付けられたリフレクタの１つ以上の反射面が屈折力を有してもよい。回転可能に取り付けられたリフレクタの回転は、レーザの反復率が回転可能に取り付けられたリフレクタの回転周波数と等しいかまたはその倍数であるように、回転可能に取り付けられたリフレクタを回転させるように構成されたコントローラによって制御されうる。
[00013] 本発明の一態様では、レーザによってレーザ放射のパルスを発生させることと、レーザ放射のパルスを、半径方向に位置決めされたリフレクタと光学的に連通するように方向付けられた回転可能に取り付けられたリフレクタを備える光分離装置を介して通過させることと、燃料材料の小滴を蒸発させ、放射放出プラズマを発生させるように、プラズマ形成位置に、レーザ放射のパルスを誘導することとを含むデバイス製造方法が提供される。かかる方法は、プラズマ形成位置から反射された放射が光分離装置において受け取られる場合、半径方向に位置決めされたリフレクタから少なくとも部分的に光学的に分離されるように、回転可能に取り付けられたリフレクタを方向付けることをさらに含む。
[00014] 本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
[00015] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す。 [00016] 図２は、図１のリソグラフィ装置をより詳細に示す。 [00017] 図３ａおよび図３ｂは、本発明の一実施形態によるＥＵＶ放射発生装置を示す。 [00018] 図４は、本発明の一実施形態による遅延線装置を示す。 [00019] 図５は、図３ａおよび図３ｂに示されるＥＵＶ放射発生装置の一部を形成する回転可能に取り付けられたリフレクタの一実施形態を示す。 [00020] 図６は、本発明の一実施形態による回転可能に取り付けられたリフレクタを示す。 [00021] 図７は、本発明の一実施形態による回転可能に取り付けられたリフレクタを示す。 [00022] 図８は、本発明の一実施形態による回転可能に取り付けられたリフレクタを示す。
[00023] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置１００を概略的に示す。このリソグラフィ装置は、放射ビームＢ（例えばＥＵＶ放射）を生成するように構成された放射減コレクタモジュール（ＳＯ）と、放射ビームＢを調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスクまたはレチクル）ＭＡを支持するように構成され、かつパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに接続されたサポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ基板を正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば反射投影システム）ＰＳとを含む。
[0024] 照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、或いはそれらの任意の組み合せ等の様々なタイプの光コンポーネントを含むことができる。
[00025] サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否か等の他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。
[00026] 「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを付与するために使用できるあらゆるデバイスを指していると広く解釈されるべきである。放射ビームに付与されたパターンは、集積回路等のターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応しうる。
[00027] パターニングデバイスは、透過型であっても反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは周知であり、バイナリ、レべンソン型（alternating）位相シフト、およびハーフトーン型（attenuated）位相シフト等のマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられ、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように各小型ミラーを個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射された放射ビームにパターンを付与する。
[00028] 投影システムは、照明システムと同様に、用いられる露光放射に、または真空の使用といった他の要素に適切な屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、または他の型の光コンポーネント、またはそれらのあらゆる組合せを含む様々なタイプの光コンポーネントを含みうる。ガスは放射を吸収しすぎることがあるので、ＥＵＶ放射には真空を用いることが望ましい。したがって、真空環境を、真空壁および真空ポンプを用いてビーム経路全体に提供しうる。
[00029] 本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は反射型装置であってよい（例えば反射型マスクを採用する）。
[00030] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプのものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械では、追加のテーブルを並行して使うことができ、すなわち予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。
[00031] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源コレクタモジュールＳＯから極端紫外線（ＥＵＶ）ビームを受け取る。ＥＵＶ光を生成する方法には、これに必ずしも限定されないが、物質を、ＥＵＶ範囲内の１本以上の輝線を有する例えばキセノン、リチウム、またはスズである少なくとも１つの元素を有するプラズマ状態に変換することが含まれる。多くの場合、レーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」）と呼ばれるこのような方法の１つでは、必要とされるプラズマは、燃料をレーザビームによって照射することによって生成することができる。燃料は、例えば必要な輝線を放出する元素を有する物質の小滴、ストリームまたはクラスタであってよい。結果として生じるプラズマは、例えばＥＵＶ放射である出力放射を放出し、この放射は、放射源コレクタモジュール内に配置される放射源コレクタを使って集められる。例えばＣＯ２レーザを用いてレーザビームを提供する場合、レーザビームを生成するために用いられるレーザと放射源コレクタモジュールとは別個の構成要素であってよい。レーザ装置と放射源コレクタモジュールＳＯとは、合わせてＥＵＶ放射発生装置を構成するとみなされてもよい。
[00032] イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するように構成されたアジャスタを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイスおよびファセット瞳ミラーデバイスといった様々な他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布を持たせることができる。
[00033] 放射ビームＢは、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡから反射された後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点を合わせる。この投影システムは、第２ポジショナＰＷおよび位置センサＰＳ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使い、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＰＳ１を使い、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２と、基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使って位置合わせされうる。
[000034] 例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。
１．ステップモードでは、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それにより別のターゲット部分Ｃを露光することができる。
２．スキャンモードでは、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。
３．別のモードでは、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードでは、通常、パルス放射源が採用され、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述のタイプのプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
[00035] 上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、或いは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
[00036] 図２は、放射源コレクタモジュールＳＯ、照明システムＩＬ、および投影システムＰＳを含むリソグラフィ装置１００をより詳細に示す。放射源コレクタモジュールＳＯは、真空環境が、放射源コレクタモジュールＳＯ内の囲い構造２２０内に維持可能であるように構築かつ構成される。
[00037] レーザ装置ＬＡは、燃料供給源２００から供給されるキセノン（Ｘｅ）、スズ（Ｓｎ）、またはリチウム（Ｌｉ）といった燃料に、レーザビーム２０５を介してレーザエネルギーを与えるように構成され、それにより、電子温度が数十ｅＶとなる高度にイオン化されたプラズマ２１０が生成される。これらのイオンの脱励起および再結合時に発生するエネルギー放射は、プラズマから放射され、近法線入射コレクタＣＯによって集められかつ集束される。
[00038] コレクタＣＯによって反射された放射は、仮想放射源点ＩＦに集束される。仮想放射源点ＩＦは、一般的に中間焦点と呼ばれ、放射源コレクタモジュールＳＯは、中間焦点ＩＦが囲い構造２２０内の開口２２１においてまたはその付近に位置するように構成される。仮想放射源点ＩＦは、放射放出プラズマ２１０の像である。
[00039] 次に、放射は、照明システムＩＬを横断する。照明システムＩＬは、パターニングデバイスＭＡにおいて放射ビーム２１の所望の角度分布と、パターニングデバイスＭＡにおいて放射強度の所望の均一性とを提供するように構成されたファセットフィールドミラーデバイス２２とファセット瞳ミラーデバイス２４とを含みうる。パターニングデバイスＭＡにおいて放射ビーム２１が反射すると、パターン付きビーム２６が形成され、パターン付きビーム２６は、投影システムＰＳによって、反射要素２８、３０を介して、基板テーブルＷＴによって保持される基板Ｗ上に結像される。
[00040] 通常は、図示よりも多くの要素が照明システムＩＬおよび投影システムＰＳ内には存在する。さらに図示よりも多くのミラーが存在してよく、例えば投影システムＰＳ内に１〜６個の追加の反射要素が存在してもよい。
[00041] 図３ａは、本発明の一実施形態によるＥＵＶ放射発生装置を概略的に示す。ＥＵＶ放射発生装置は、レーザ（ここでは、マスタオシレータ３００と呼ぶ）と、第１、第２、および第３のパワーアンプ３０１〜３０３とを含む。ポラライザ３０４が、マスタオシレータ３００と第１のパワーアンプ３０１との間に位置する。回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５が、第１のパワーアンプ３０１と第２のパワーアンプ３０２との間に位置する。回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５は、モータ（図示せず）によって駆動されて、装置の光軸、または装置の光軸に実質的に平行な軸周りに回転する。２つの反射面を有する、半径方向に位置決めされたリフレクタ３０６は、回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５に面する。半径方向に位置決めされたリフレクタ３０６は、回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５から、光軸ＯＡに対して半径方向に離れている。
[00042] 半径方向に位置決めされたリフレクタ３０６は、回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５の第１の反射面３０７がレーザパルス２０５を半径方向に位置決めされたリフレクタ３０６に誘導する場合に、半径方向に位置決めされたリフレクタ３０６がレーザビームを回転可能に取り付けられたリフレクタの第２の反射面３０８に反射するように、方向付けられる。これによりレーザパルス２０５は、第１のパワーアンプ３０１から第２のパワーアンプ３０２以降へと進行できる。
[00043] ＥＵＶ放射発生装置はさらに、２つのビームステアリングミラー３１０、３１１と、フォーカス光学部品３１２とを含む。２つのビームステアリングミラー３１０、３１１が図示されているが、任意の数のビームステアリングミラーを用いてよい。ビームステアリングミラー３１０、３１１とフォーカス光学部品３１２とは、３つのパワーアンプ３０１〜３０３によって増幅された後のレーザビーム２０５を受け取り、ビームステアリングミラー３１０、３１１とフォーカス光学部品３１２はともに、レーザビーム２０５をプラズマ形成位置３１３に誘導および集束するように構成される。燃料材料の小滴３１３ａが、燃料供給源（図示せず）によってプラズマ形成位置３１３に供給される。レーザパルス２０５は、燃料材料小滴３１３ａを蒸発させ、それによりＥＵＶ放射生成プラズマを形成する。コレクタＣＯは、プラズマによって生成された放射を集め、それをリソグラフィ装置の中間焦点に集束させる（図２参照）。
[00044] 図３ａに示すコンポーネントは、コレクタＣＯと燃料材料の小滴３１３ａを除いて、図２に示すレーザ装置ＬＡを構成するとみなされうる。
[00045] ＥＵＶ発生装置の回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５は、第１のパワーアンプ３０１が第２および第３のパワーアンプ３０２、３０３から分離されることを可能にする。この分離が達成される様子を図３ｂに示す。
[00046] 図３ｂは、図３ａと同じＥＵＶ発生装置を示すが、回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５は１８０°回転されている。この回転の結果、第１および第２の反射面３０７、３０８は、半径方向に位置決めされたリフレクタ３０６には向かなくなり、その代わりにビームダンプ３１４に向かって向く。
[00047] マスタオシレータ３００は、レーザパルスを生成しなくなる。したがって、マスタオシレータから出ているレーザパルスは示されていない。燃料材料の小滴３１３ａは、レーザパルスを受け取り、それによって加熱される（これはＥＵＶ放射を放出するプラズマを生成する）。レーザパルスの一部は、燃料の小滴により反射されて、ＥＵＶ放射発生装置内を反対方向に伝播する。ＥＵＶ放射発生装置内を反対方向に伝播する放射は、ここでは、反対方向伝播放射３１６を呼ぶ。逆方向伝播放射３１６は、コレクタＣＯ内の開口を通り、次に、第３のパワーアンプ３０３へと、フォーカス光学部品３１２およびビームステアリングミラー３１０、３１１を介して通る。反対方向伝播放射３１６は、第３のパワーアンプ３０３によって増幅されうる。次に、反対方向伝播放射３１６は、第２のパワーアンプ３０２内へと渡され、さらに増幅される。しかし、半径方向に位置決めされたリフレクタ３０６を介して第１のパワーアンプ３０１へと渡される代わりに、反対方向伝播放射３１６は、回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５の第２の反射面３０８によって、ビームダンプ３１４に向かって反射される。ビームダンプ３１４は、反対方向伝播放射３１６を吸収するので、反対方向伝播放射は、ＥＵＶ発生装置内をさらに奥に進むことはない。回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５および半径方向に位置決めされたリフレクタ３０６はともに光分離装置を構成する。
[00048] 図３ｂに示される反対方向伝播放射３１６は、燃料小滴からのレーザパルスの反射により生じるが、反対方向伝播放射は、燃料小滴によって形成されたプラズマからのレーザパルスの反射からも生じうる。燃料小滴からまたはプラズマからのレーザパルスの反射は、集合的に、プラズマ形成位置からの放射の反射と呼びうる。さらに、一部の反対方向伝播放射は、プラズマによって生成された放射からも生じうる。
[00049] 光分離装置は、第１のパワーアンプ３０１、ポラライザ３０４、およびマスタオシレータ３００を、反対方向伝播放射３１６がそれらに到達しないようにすることで保護する。光分離装置はさらに、自己レーザ発進が生じる可能性を減少する。これは、第１のパワーアンプ３０１は、第２および第３のパワーアンプ３０２、３０３から分離され、それにより、パワーアンプ３０１〜３０３によって提供される累積利得を減少するからである（またさらに、反対方向伝播放射はマスタオシレータのミラーから分離されているので、レーザキャビティの一部を形成できないからである）。
[00050] 回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５は、図３ａおよび図３ｂにおける２つの向きのみが示されているが、回転可能に取り付けられたリフレクタは、３６０°回転することは理解できよう。追加のビームダンプ（図示せず）が、回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５の反射面３０７、３０８が、回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５の大部分の向きについて１つのビームダンプに向かって面するように設けられる。ＥＵＶ放射発生装置は、反射面３０７、３０８は、半径方向に位置決めされたリフレクタかまたはビームダンプに向かって面するように構成されうる。
[00051] 一実施形態では、半径方向に位置決めされたリフレクタ３０６は１つしか設けられておらず、回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５は、図３ａに示す向き（半径方向に位置決めされたリフレクタ３０６のサイズおよびレーザビーム２０５の直径から生じる公差内）を除いてすべての向きにおいてビームダンプの方に向く。一実施形態では、２以上の半径方向に位置決めされたリフレクタが設けられる。
[00052] マスタオシレータ３００は、コントローラＣＴによって駆動されて、レーザビーム２０５を、所定の反復率で一連のパルスとして生成する。反復率は、例えば４０〜２００ｋＨｚの範囲内であってよく、また例えば５０ｋＨｚであってよい。回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５の回転は、マスタオシレータがレーザ放射のパルスを生成する場合（半径方向に位置決めされたリフレクタ３０６が１つしか設けられない実施形態では）、回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５は、図３ａに示されるような向きにあるように、コントローラＣＴによって、マスタオシレータ３００と同期されうる。コントローラＣＴはさらに、マスタオシレータによるレーザパルスの生成を、プラズマ形成位置３１３への燃料小滴３１３ａの供給と同期させうる。したがって、レーザパルスがマスタオシレータ３００によって生成されている場合、レーザパルスは、回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５および半径方向に位置決めされたリフレクタ３０６を介して進行し、フォーカス光学部品３１２によって燃料材料の小滴３１３ａ上に集束される。レーザ放射のパルスは、パワーアンプ３０１〜３０３によって増幅されて、燃料材料の小滴３１３ａを蒸発させるのに十分なパワーを提供し、それによりＥＵＶ放射放出プラズマを生成する。
[00053] マスタオシレータ３００がレーザ放射のパルスを生成していない場合、回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５は、反射面３０７、３０８が半径方向に位置決めされたリフレクタ３０６の方に向くのではなく、ビームダンプの方に向くように、同期される。これにより、マスタオシレータ３００、ポラライザ３０４および第１のパワーアンプ３０１が、ＥＵＶ発生装置の他の部品から分離される。
[00054] 回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５は、高周波数（例えば５０ｋＨｚ）で回転するように駆動されうる。この高周波数の結果、回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５の向きは、レーザパルス２０５を半径方向に位置決めされたリフレクタ３０６に誘導する第１の反射面３０７と、半径方向に位置決めされたリフレクタからレーザパルスを受け取る第２の反射面３０８との間でわずかに変化しうる。望ましい場合には、第１の反射面３０７または第２の反射面３０８の向きの適切な調節（例えば光軸ＯＡ周りの第１または第２の反射面の向きの適切な回転）を介して補償されうる。
[00055] 回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５は、第１のパワーアンプ３０１と第２のパワーアンプ３０２との間にあるように示されているが、回転可能に取り付けられたリフレクタは、他の位置に置かれてもよい。第１のパワーアンプ３０１と第２のパワーアンプ３０２との間に回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５を置くことは、第１のパワーアンプ３０１が第２および第３のパワーアンプ３０２、３０３０から分離されるという利点を提供しうる。これは、例えば第２のパワーアンプ３０２を第３のパワーアンプ３０３から分離することよりも、以下の理由により、有利である。
[00056] 第１のパワーアンプ３０１が高利得を提供するように構成されうるのに対して、第２および第３のパワーアンプ３０２、３０３は低利得を提供するように構成されうる。これは、マスタオシレータ３００によって生成されたレーザパルスの強い増幅を提供するためである。第１のパワーアンプ３０１によって受け取られるレーザパルスのパワーは、比較的低く、第１のパワーアンプによって提供される高利得は、レーザパルスのパワーを相当に増加する。したがって、レーザパルスのパワーは、第２のパワーアンプ３０２に入斜する際には相当である。この理由から、第２のパワーアンプ３０２を用いて、第１のパワーアンプ３０１によって提供されたのと同じ利得を提供することは実用的ではない。したがって、第２のパワーアンプは、第１のパワーアンプ３０１よりも低い利得で動作する（しかし、第２のパワーアンプは、第１のパワーアンプよりも高い出力放射パルスを提供する）。第３のパワーアンプ３０３によって受け取られる放射パルスは、すでに高いパワーを有する。したがって、第３のパワーアンプ３０３を用いて、第１のパワーアンプ３０１によって提供されたのと同じ利得を提供することは実用的ではない。したがって、第３のパワーアンプ３０３は、第１のパワーアンプ３０１よりも低い利得で動作する（しかし、第３のパワーアンプは、第１のパワーアンプおよび第２のパワーアンプよりも高い出力放射パルスを提供する）。したがって、第１のパワーアンプ３０１は、第２および第３のパワーアンプ３０２、３０３より著しく高い利得を提供する。第１、第２、および第３のパワーアンプ３０１〜３０３の組み合わされた動作は、例えばレーザパルス２０５のパワーを数十キロワット程度に増幅するのに十分でありうる。
[00057] ＥＵＶ発生装置内で反対方向に伝播する放射３１６の潜在的な悪影響を考慮する際、パワーアンプ３０１〜３０３の利得が重要となりうる。回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５がなければ、ＥＵＶ発生装置内を進む反対方向伝播放射は、パワーアンプ３０１〜３０３のそれぞれによって増幅されてしまうことになる。第２および第３のパワーアンプ３０２、３０３は、放射のパワーを著しく増加することになる。次に、第１のパワーアンプ３０１は、放射のパワーを大幅に増加することになる。第２および第３のパワーアンプ３０２、３０３による増幅後の反対方向伝播放射のパワーは十分に低いので、ＥＵＶ発生装置の光コンポーネントは損傷されにくい。しかし、第１のパワーアンプ３０１による増幅後の反対方向伝播放射のパワーは十分に高いので、ポラライザ３０４またはマスタオシレータ３００を損傷してしまいうる。回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５を、第１のパワーアンプ３０１と第２のパワーアンプ３０２との間に設けることにより、上記が起きないようにする（または上記がおきる可能性を実質的に減少する）。
[00058] 回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５は、ポラライザ３０４と第１のパワーアンプ３０１との間に置かれてもよい。しかし、回転可能に取り付けられたリフレクタをこの位置に設けることの潜在的な不利点は、第１のパワーアンプ３０１の利得が反対方向伝播放射によって減少してしまいうることである。反対方向伝播放射によって、第２および第３のパワーアンプ３０２、３０３の利得がいくらかの減少しうるが、これらのパワーアンプにおける反対方向伝播放射の強度が比較的低いため、影響は比較的小さい。これに対して、第１のパワーアンプ３０１の高利得は、反対方向伝播放射が第１のパワーアンプの利得を著しく減少しうることを意味する。また、レーザパルス２０５の通過と、反対方向伝播放射の到着との間の経過時間は、第１のパワーアンプ３０１について最大となるため、第１のアンプにおいて蓄積されたエネルギーの回復により多くの時間が当てられる（また第１のパワーアンプからより多くの利得を減少させる）。第１のパワーアンプ３０１の利得の減少は望ましくない。これは、利得が、マスタオシレータ３００によって生成された次のレーザパルスに所望の増幅を与えるように十分に迅速に回復しないことがあるからである。利得の減少が生じてしまう場合、燃料材料の小滴３１３ａに供給される放射の強度は減少し、それにより、燃料材料の小滴を蒸発させる有効性も減少する。この問題は、第２および第３のパワーアンプ３０２、３０３では、それらの利得がかなり低く且つより早く回復しうるので、あまり顕著ではない。
[00059] 回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５は、マスタオシレータ３００とポラライザ３０４との間に置かれてもよい。しかし、回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５をこの位置に設けることの潜在的な不利点は、（第１のパワーアンプ３０２の利得の減少に加えて）反対方向伝播放射がポラライザ３０４を損傷しうることである。ポラライザ３０４は、マスタオシレータ２０５によって生成された放射の偏光に対応する偏光を有する放射を透過するように構成されうる。反対方向伝播放射は、横偏光（transverse polarization）を有する実質的な成分を含むので、反対方向伝播放射のこの成分は、ポラライザ３０４によって遮断される。この遮断された成分の一部は、ポラライザ３０４によって吸収され、ポラライザを損傷してしまいうる。
[00060] 回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５は、第２のパワーアンプ３０２と第３のパワーアンプ３０３との間に置かれてもよい。これは、第１および第２のパワーアンプ３０１、３０２を分離する利点を提供しうる。しかし、回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５が有効な光分離を提供することがより困難となりうる。これは、回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５が、マスタオシレータ３００をパワーアンプ３０１〜３０３に光学的に接続する向きから、ＥＵＶ放射放出プラズマ３１５によって放出された放射がマスタオシレータへと進まないように十分に速く、マスタオシレータを分離させる向きに移動することが求められうるからである。この移動に利用可能な時間は、回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５とプラズマ生成位置３１３との間の光路長に依存する。回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５が第１のパワーアンプ３０１と第２のパワーアンプ３０２との間に置かれる場合、回転可能に取り付けられたリフレクタが第２のパワーアンプ３０２と第３のパワーアンプ３０３との間に置かれる場合よりも長い光路長が提供される。
[00061] ＥＵＶ発生装置には、プラズマ形成位置３１３と回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５との間の光路長を長くするために光遅延線が設けられてもよい。図４に、適切な光遅延線の一例を概略的に示す。光遅延線は、遅延線の中にまたは遅延線の外に放射を誘導するように構成された第１および第２のビームステアリングミラー３３０、３３１を含み、また、互いに面する１対のミラー３３２、３３３（ここでは第１および第２の遅延ミラーと呼ぶ）をさらに含む。反対方向伝播放射線３１６は、図４では、遅延線において放射が辿る経路を示す。第３のパワーアンプ３０３を離れると、反対方向伝播放射３１６は、第１のビームステアリングミラー３３１によって、第１の遅延ミラー３３３に向かって反射される。反対方向伝播放射は、第１の遅延ミラー３３３によって、第２の遅延ミラー３３２に向かって反射され、次に第１の遅延ミラーに戻される。第１の遅延ミラーは、次に反対方向伝播放射を、第２のビームステアリングミラー３３０に向かって誘導し、第２のビームステアリングミラー３３０は、反対方向伝播放射を、第２のパワーアンプ３０２内へと誘導する。
[00062] 遅延線によって提供される遅延は、ビームステアリングミラー３３０、３３１から第１の遅延ミラー３３３までの距離と、第１の遅延ミラーから第２の遅延ミラー３３２までの距離とに依存する。遅延線は、レーザパルス２０５が回転可能に取り付けられたリフレクタによって透過された後で、且つ反対方向伝播放射３１６が回転可能に取り付けられたリフレクタに到着する前に、回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５を、第１のアンプ３０１（または他の光コンポーネント）を光学的に分離する向きに移動させるのに十分な長さを有しうる。遅延線の適切な長さの計算には、レーザパルス２０５の持続時間と、光分離装置が光分離構成に移動するのに望まれる時間とが考慮されうる。計算はさらに、燃料小滴の反射特性も含まれうる。遅延線の長さは、例えばレーザパルス２０５全体（またはレーザパルスの大部分）がプラズマ形成位置３１３を進むことができる一方で、反対方向伝播放射が光分離装置によって分離可能であるように十分でありうる。同様に、遅延線の長さは、例えばレーザパルス２０５全体（またはレーザパルスの大部分）が、反対方向伝播放射がパワーアンプに到着する前に、当該パワーアンプによって増幅可能であるように十分でありうる。
[00063] レーザパルスの持続時間は、燃料小滴の優れた蒸発を提供するように選択されうる。レーザパルスの持続時間は、例えば１００ｎｓ〜２ｓであってよく、または、何か他の持続時間であってもよい。
[00064] 遅延線は、例えば３メートル以上、１０メートル以上、または５０メートル以上の光路長を有しうる。遅延線は、例えば最大２００メートルの長さの光路長を有しうる。第１および第２の遅延ミラー３３３、３３２を当該ミラー間で複数の反射が生じるように構成することによって、長い遅延が達成されうる。例えば第１および第２の遅延ミラー３３３、３３２間の距離が８メートルである場合、当該ミラー間の２５回の反射によって２００メートルの光路長が提供される。第１および第２の遅延ミラー３３３、３３２は、多数の反射によって、レーザパルス２０５が遅延線を通過する際にそのパワーが著しく減少されないように、高い反射率（例えばＲ＝９９．９％）を有しうる。
[00065] 図３ａおよび図３ｂに示される半径方向に位置決めされたリフレクタ３０６は、２つの反射面を有する。しかし、半径方向に位置決めされたリフレクタは、異なる数の反射面を有してもよい（半径方向に位置決めされたリフレクタは、例えばコーナーキューブであってよい）。（例えば図３ａに示されるように、）回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５に向かって戻るように誘導される前に、レーザビーム２０５が動かされるように、半径方向に位置決めされたリフレクタ３０６は、光軸ＯＡに沿っての変位を提供しうる。このような配置は、回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５の反射面が、例えばレーザビームが装置の光軸を横断して反射されるように方向付けられる場合に適している。一実施形態（図示せず）では、回転可能に取り付けられたリフレクタの反射面は、レーザビームが光軸を横断して反射されるのではなく、光軸の方向におけるコンポーネントを含む配向内に反射されるように、方向付けられうる。この場合、レーザビームを回転可能に取り付けられたリフレクタに向けて反射して戻す際に、光軸ＯＡに沿っての変位を提供することは望ましくない。図３ａの半径方向に位置決めされたリフレクタ３０６は、平面ミラーまたはその他の適切なリフレクタによって置換されてもよい。半径方向に位置決めされたリフレクタ３０６の回転可能に取り付けられたリフレクタからの分離間隔には、非半径方向におけるコンポーネントが含まれうる。
[00066] 回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５は、図５に概略的に示すように、その中をレーザパルス２０５が進む中空アクスル上に取り付けられうる。図５は、回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５と、中空アクスル３５０の一部とを示す。中空アスクル３５０は、ＥＵＶ発生装置の光軸ＯＡと同軸で、モータ（図示せず）によって光軸ＯＡ周りを回転するように駆動される。モータは、例えば中空アスクル３５０に隣接して設けられても、例えば中空アスクル３５０の周囲に設けられてもよい。中空アスクル３５０はほぼ円筒形であるが、一端において延在し、ほぼ円筒形ではない部分３５１を含む。回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５は、中空アスクル３５０内に置かれるのではなく、この延在部分に接続される。これにより、レーザパルス２０５が、回転可能に取り付けられたリフレクタの第１の反射面３０７から、中空アスクル３５０の内面に衝突することなく、反射することが可能となる。同様に、放射は、回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５の第２の反射面３０８にも、中空アスクル３５０の外面に衝突することなく進みうる。一実施形態（図示せず）では、回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５は、中空アスクル３５０内に置かれ、また中空アスクルには、放射が回転可能に取り付けられたリフレクタから反射されるまたは回転可能に取り付けられたリフレクタに入射することを可能にする開口が設けられる。
[00067] 回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５は、必ずしも中空アスクル３５０上に取り付けられる必要はない。一実施形態（図示せず）では、第１および第２の反射面３０７、３０８は、光軸に平行な方向において互いに離されていてもよい。この分離によって、回転可能に取り付けられたリフレクタが設けられる空間が提供されうる。
[00068] 上記回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５は、２つの反射面３０７、３０８を有するが、回転可能に取り付けられたリフレクタは、他の数の反射面が設けられていてもよい。図６および図７は、回転可能に取り付けられたリフレクタの２つの可能な構成を概略的に示す。
[00069] 図６は、一側面から見た回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５ａの一実施形態を示す。回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５ａは、装置の光軸ＯＡにおいて交わる第１および第２の反射面３０７ａ、３０７ｂを含む。第３および第４の反射面３０８ａ、３０８ｂは、回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５ａの反対側に設けられ、これらも装置の光軸ＯＡにおいて交わる。レーザビーム２０５は、回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５ａに入射するものとして概略的に示されている。レーザビームの一半分は、第１の反射面３０７ａによって、第１の方向にサブビームとして反射され、レーザビームの一半分は、第２の反射面３０７ｂによって、第２の方向にサブビームとして反射される。半径方向に位置決めされたリフレクタ（図示せず）が、放射を受け取り、かつ、それを回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５ａの第３および第４の反射面３０８ａ、３０８ｂに反射して戻すように設けられている。
[00070] 図７に、回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５ｂの一実施形態を示す。回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５ｂは、一側面から見て示されているのではなく、装置の光軸に沿って見て示されている。回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５ｂは、一側面側に、４つの反射面３０７ｃ〜ｆが設けられていることがわかる。これらの反射面は、装置の光軸において交わる。レーザビーム（図示せず）は、回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５ｂによって、４つのサブビームに分割される。各サブビームは、異なる半径方向に位置決めされたリフレクタに入射し、回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５ｂの反対側に設けられた対応する反射面（図示せず）に戻される。
[00071] 図７に示す実施形態では、回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５ｂは、光軸ＯＡに対応する軸の周りを回転する。一実施形態では、回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５ｂの回転軸は、光軸ＯＡに対して変位されていてもよい。この変位は、レーザビーム２０５が、所与の時間において、回転可能に取り付けられたリフレクタの４つの反射面３０７ｃ〜ｆすべてには入射しないが、これらの反射面のうちの１つ（またはレーザービーム２０５が隣接する反射面間で側端に重なる場合は２つ）に入射するような変位であってよい。変位がなされる場合、半径方向に位置決めされたリフレクタおよびビームダンプの位置が適宜変更される。
[00072] 図８は、回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５ｃの一実施形態を一側面から見て示す。回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５ｃには、ＥＵＶ放射発生装置内を進む反対方向伝播放射を受け取るように方向付けられた反射面３６１が設けられている。しかし、回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５ｃには、レーザビーム２０５を受け取るように方向付けられた反射面は設けられていない。代わりに、固定リフレクタ３６０が、回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５ｃの前に置かれ、レーザビーム２０５を受け取るように方向付けられている。回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５ｃを回転させるように構成されたモータ（図示せず）が、回転可能に取り付けられたリフレクタと固定リフレクタ３６０との間に設けられうる。
[00073] 図８に示す回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５ｃは、ＥＵＶ放射発生装置の光コンポーネントの反対方向伝播放射からの光分離を、図３に関連して上述した回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５、３０５ａ、３０５ｂと同様に、提供しうる。回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５ｃは、反射面３６１が、半径方向に位置決めされたリフレクタから反射されたレーザパルス２０５を受け取るように方向付けられるように、かつ、反対方向伝播放射を受け取る場合に反対方向伝播放射をビームストップに向かって誘導するように方向付けられるように、マスタオシレータ３００と同期されうる。
[00074] 回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５、３０５ａ〜ｃには、反対方向伝播放射を受け取るように方向付けられた任意の適切な数の反射面が設けられてよい。その数は、例えば１、２、３、４、５、６、７、８またはそれ以上であってよい。対応する数の反射面が、回転可能に取り付けられたリフレクタの反対側に設けられうる。あるいは、レーザビーム２０５を受け取るように方向付けられた、対応する数の固定リフレクタが設けられてもよい。
[00075] 一実施形態では、回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５、３０５ａ〜ｃには、屈折力（optical power）が与えられている１つ以上の反射面が含まれうる。一実施形態では、１つ以上の半径方向に位置決めされたリフレクタ３０６が屈折力を含みうる。
[00076] 一実施形態では、レーザビームの直径は約３０ｍｍでありうる。ＥＵＶ発生装置は、図３に示されるように構成されてよく、回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５は、それぞれ５０ｍｍの直径を有する（これはレーザビームが反射面に入射するためのいくらかの公差を許可する）第１および第２の反射面３０７、３０８を有する。マスタオシレータ３００は、５０ｋＨｚの反復率で動作し、それによって２０マイクロ秒毎にレーザ放射のパルスを提供する。パルスは、２マイクロ秒の持続時間を有しうる。回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５は、５０ｋＨｚで回転するように駆動されてよく、また、マスタオシレータによってレーザパルスが発生されるたびに、回転可能に取り付けられたリフレクタは、半径方向に位置決めされたリフレクタに面するようにマスタオシレータ３００と同期されうる。
[00077] この実施形態では、マスタオシレータがレーザ放射を発生させない時間（１８マイクロ秒）は、マスタオシレータがレーザパルスを発生させる時間（２マイクロ秒）の９倍長い。本実施形態におけるビームダンプ３１４の長さは、したがって、半径方向に位置決めされたリフレクタの長さの９倍でありうる。半径方向に位置決めされたリフレクタは、例えば１００ｍｍの長さを有し、ビームダンプは、例えば９００ｍｍの長さを有しうる。半径方向に位置決めされたリフレクタとビームダンプ３１４との組み合わされた長さは、したがって１ｍである。本実施例では、半径方向に位置決めされたリフレクタとビームダンプとは、回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５の周りに置かれ、１ｍの円周と３２０ｍｍの直径を有するリング内に設けられる。外周は、半径方向に位置決めされたリフレクタの長さを変更し、また、ビームダンプの長さに対応する変更をすることによって変更することができる。
[00078] マスタオシレータの反復率は、例えば２０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚの範囲内、または１００ｋＨｚより大きくてもよい。
[00079] 回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５をマスタオシレータ３００の反復率で回転させることができない場合、または、これが好ましくない場合、回転可能に取り付けられたリフレクタは、低い周波数で回転されてもよい。この場合、追加の半径方向に位置決めされたリフレクタが必要となることがあり、これらの半径方向に位置決めされたリフレクタは、マスタオシレータがレーザパルスを発生させる度に、回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５が１つの半径方向に位置決めされたリフレクタに面するように、分散配置される。一実施形態では、マスタオシレータの反復率は５０ｋＨｚであり、回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５の回転周波数は１．６６７ｋＨｚ（１００，０００ｒｐｍ）である。３０個の半径方向に位置決めされたリフレクタが分散配置されて、マスタオシレータ３００によって発生された各レーザパルスが確実に１つの半径方向に位置決めされたリフレクタに入射するようにされる。レーザパルスは、連続して、半径方向に位置決めされたリフレクタに入射する。この手法が用いられる場合、半径方向に位置決めされたリフレクタとビームダンプとの組み合わされた円周は、増加する。例えば各半径方向に位置決めされたリフレクタの長さが５０ｍｍであれば、各ビームダンプの長さは４５０ｍｍでありうる。３０個の半径方向に位置決めされたリフレクタが設けられているので、総長は１５ｍとなり、これは４．８ｍの直径に対応する。
[00080] 回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５の回転周波数が減少され、半径方向に位置決めされたリフレクタの数が増加される上記手法は、（例えば図８に示すように）固定リフレクタがマスタオシレータに向かって方向付けられている実施形態には適していない。これは、レーザパルスは、固定リフレクタによって常に同じ位置に供給されるからである。一実施形態では、固定リフレクタには、レーザパルスを複数のサブビームに分離するように構成されている複数の反射面が設けられてよい。この場合、回転可能に取り付けられたリフレクタには、対応する数の反射面が設けられ、また、対応する数の半径方向に位置決めされたリフレクタも設けられる。この場合、回転可能に取り付けられたリフレクタの回転周波数は、固定リフレクタの反射面の数に関連する倍数で減少されうる。例えば固定リフレクタが２つの反射面を有する場合、回転周波数は２倍で減少し、固定リフレクタが４つの反射面を有する場合、回転周波数は２倍または４倍等で減少する。
[00081] 上述したように、回転可能に取り付けられたリフレクタには、反対方向伝播放射を受け取る複数の反射面が設けられうる。対応する数の回転可能に取り付けられた反射面または静止した反射面も設けられてよく、これらの反射面は、レーザビーム２０５を受け取り、サブビームを様々な半径方向に位置決めされたリフレクタに誘導するように構成される。この場合、半径方向に位置決めされたリフレクタの数は、サブビーム発生反射面の数に対応しうる（または、サブビーム発生面が回転可能に取り付けられたリフレクタに設けられる場合、サブビーム発生反射面の数の倍数であってもよい）。半径方向に位置決めされたリフレクタとビームダンプとの組み合わされた円周は、それに応じて変更しうる。
[00082] 半径方向に位置決めされたリフレクタとビームストップとの組み合わされた円周を求めるために用いられうる一般式は、
Figure 2013543210
であり、ｆｆは、燃料小滴発生の周波数であり、ｆｒは、回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５、３０５ａ〜ｃの回転周波数であり、ｔｔは、マスタオシレータ３００によって発生されるレーザパルスの時間間隔であり、ｔｐは、レーザパルスの持続時間であり、ｄは、レーザビームの直径である。
[00083] 上記式から、円周は、例えば回転可能に取り付けられたミラーの回転周波数ｆｒを増加することにより、小さくすることができることが理解できよう。
[00084] 上記式は、半径方向に位置決めされたリフレクタの長さは、レーザビームの直径に対応すると想定している。しかし、半径方向に位置決めされたリフレクタの長さは、これよりも大きくてもよい。
[00085] 半径方向に位置決めされたリフレクタおよびビームダンプは、同じ回転方向で、回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５の周りを回転するように駆動されうる。これにより、それらの組み合わされた円周を減少することができる。
[00086] 本発明の上記実施形態では、回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５、３０５ａ〜ｃは、第１のパワーアンプ３０１、変調されたポラライザ２０４およびマスタオシレータ３００を保護する光分離を提供する。別の実施形態では、別の光コンポーネントが、回転可能に取り付けられたリフレクタによって保護されうる。
[00087] 本発明の実施形態の記載における、上で用いた用語「ビームダンプ」とは、反対方向伝播放射３１６を回転可能に取り付けられたリフレクタ３０５、３０５ａ、３０５ｂに戻さないあらゆる表面を意味するものとして解釈してよい。
[00088] 上記記載では、回転可能に取り付けられたリフレクタが設けられうる位置について言及するが、回転可能に取り付けられたリフレクタは、ＥＵＶ放射発生装置内の任意の適切な位置に設けられうる。回転可能に取り付けられたリフレクタは、例えばマスタオシレータ３００に隣接して置かれても、第３のパワーアンプとプラズマ発生位置との間に置かれてもよい。
[00089] 上記記載では、３つのパワーアンプ３０１〜３０３を有するＥＵＶ放射発生装置について言及するが、ＥＵＶ放射発生装置は、任意の適切な数のパワーアンプを有してよい。
[00090] 上記記載では、燃料材料の小滴の蒸発への言及は、燃料材料の小滴の不完全な蒸発も包含することを意図している。
[00091] 上記記載では、装置の光軸は、（例えば図３ａに示すように）使用時に装置内を通過するレーザ放射ビーム２０５の軸とみなされうる。したがって、光軸は、１つの方向に単に方向付けられているのではなく、ＥＵＶ放射発生装置内の様々な位置において様々な方向に方向付けられている。
[00092] 上記記載の様々な箇所において、レーザビームとの用語は、本発明の説明を容易にするためにレーザパルスの代わりに用いられている。
[00093] 図３に示されるポラライザ３０４は、偏光調節デバイスの一例である。使用してもよい他の偏光調節デバイスには４分の１波長板または光モデュレータが含まれうる。
[00094] 回転可能に取り付けられたリフレクタが、連続回転で動くため、例えばリフレクタが往復移動する場合にリフレクタにかかりうる応力が回避される。
[00095] 本発明の実施形態では、回転可能に取り付けられたリフレクタとレーザとは、光分離装置がプラズマ形成位置から反射された放射を受け取る場合、回転可能に取り付けられたリフレクタの反射面が半径方向に位置決めされたリフレクタから光学的に分離されるように、同期される。しかし、一部の場合では、回転可能に取り付けられたリフレクタは、プラズマ形成位置から反射された放射の一部が受け取られる場合、半径方向に位置決めされたリフレクタから完全には光学的に分離されない場合もある。例えばレーザパルス２０５は、パワーが低い立ち上がりエッジと、パワーが相当に高い中央部分とを含みうる。この状況では、光分離装置は、レーザパルスの立ち上がりエッジの反射された部分が光分離装置において受け取られる場合、半径方向に位置決めされたリフレクタと光学的に連通している。光分離装置は、レーザパルスの中央部分が光分離装置において受け取られる前に、回転可能に取り付けられたリフレクタを、半径方向に位置決めされたリフレクタから光学的に分離しうる。このような状況は、回転可能に取り付けられたリフレクタの半径方向に位置決めされたリフレクタからの部分的光分離と説明されうる。部分光分離は、例えばプラズマ形成位置から反射された放射パルスのエネルギーの大部分からの光分離を提供しうる。
[00096] 本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
[00097] 「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。
[00098] 「ＥＵＶ放射」という用語は、５〜２０ｎｍの範囲内、例えば１３〜１４ｎｍの範囲内、または６．７ｎｍもしくは６．８ｎｍといった例えば５〜１０ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射を包含するとみなすことができる。
[00099] 以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明は、上記に開示した方法を表す１つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、またはこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態であってもよい。

Claims (15)

  1. レーザ放射のパルスを発生させるレーザと、
    回転可能に取り付けられたリフレクタと半径方向に位置決めされたリフレクタとを備える光分離装置と、を備え、
    前記回転可能に取り付けられたリフレクタと前記レーザとは、前記光分離装置がレーザ放射のパルスを受け取る場合、該レーザ放射のパルスがプラズマ形成位置を通過でき且つ燃料材料の小滴の蒸発を介して放射放出プラズマが発生されるように、前記回転可能に取り付けられたリフレクタの反射面が前記半径方向に位置決めされたリフレクタと光学的に連通するように、同期され、
    前記回転可能に取り付けられたリフレクタと前記レーザとはさらに、前記光分離装置が前記プラズマ形成位置から反射された放射を受け取る場合、前記回転可能に取り付けられたリフレクタの前記反射面が前記半径方向に位置決めされたリフレクタから少なくとも部分的に光学的に分離されるように、同期される、ＥＵＶ放射発生装置。
  2. 前記回転可能に取り付けられたリフレクタは、前記プラズマ形成位置に向かって方向付けられた反射面と、前記レーザに向かって方向付けられた反射面とを備える、請求項１に記載のＥＵＶ放射発生装置。
  3. 前記回転可能に取り付けられたリフレクタは、前記プラズマ形成位置に向かって方向付けられた１つ以上の追加の反射面と、前記レーザに向かって方向付けられた対応する数の追加の反射面とを備え、
    前記半径方向に位置決めされたリフレクタは、複数の半径方向に位置決めされたリフレクタのうちの１つである、請求項２に記載のＥＵＶ放射発生装置。
  4. 半径方向に位置決めされたリフレクタの数は、前記レーザに向かって方向付けられた前記回転可能に取り付けられたリフレクタの反射面の数に等しいかまたはその倍数である、請求項３に記載のＥＵＶ放射発生装置。
  5. 前記分離光学部品は、前記レーザに向かって方向付けられ且つレーザパルスを前記半径方向に位置決めされたリフレクタに誘導する固定リフレクタをさらに備え、
    前記回転可能に取り付けられたリフレクタは、前記プラズマ形成位置に向かって方向付けられた反射面を備える、請求項１に記載のＥＵＶ放射発生装置。
  6. 前記回転可能に取り付けられたリフレクタは、前記プラズマ形成位置に向かって方向付けられた１つ以上の追加の反射面を備え、
    前記固定リフレクタは、前記レーザに向かって方向付けられた１つ以上の追加の反射面を備え、
    前記半径方向に位置決めされたリフレクタは、複数の半径方向に位置決めされたリフレクタのうちの１つである、請求項５に記載のＥＵＶ放射発生装置。
  7. 半径方向に位置決めされたリフレクタの数は、前記レーザに向かって方向付けられた前記固定リフレクタの反射面の数に等しい、請求項６に記載のＥＵＶ放射発生装置。
  8. 当該ＥＵＶ放射発生装置は、前記レーザによって発生された前記レーザ放射のパルスを増幅するパワーアンプをさらに備え、
    前記光分離装置は、前記パワーアンプと前記プラズマ形成位置との間に位置する、請求項１から７のいずれかに記載のＥＵＶ放射発生装置。
  9. 当該ＥＵＶ放射発生装置は、前記レーザ放射のパルスをさらに増幅する１つ以上の追加のパワーアンプをさらに備え、
    少なくとも１つのパワーアンプが、前記光分離装置と前記プラズマ形成位置との間に位置する、請求項８に記載のＥＵＶ放射発生装置。
  10. 当該ＥＵＶ放射発生装置は、前記光分離装置と前記プラズマ形成位置との間に位置する遅延線をさらに備える、請求項１から９のいずれかに記載のＥＵＶ放射発生装置。
  11. 前記光分離装置は、前記プラズマ形成位置から反射された放射のパルスの大部分のエネルギーからの光分離を提供する、請求項１から１０のいずれかに記載のＥＵＶ放射発生装置。
  12. 前記光分離装置は、前記プラズマ形成位置から反射された放射のパルスの全エネルギーからの光分離を提供する、請求項１から１１のいずれかに記載のＥＵＶ放射発生装置。
  13. レーザによってレーザ放射のパルスを発生させることと、
    前記レーザ放射のパルスを、半径方向に位置決めされたリフレクタと光学的に連通するように方向付けられた回転可能に取り付けられたリフレクタを備える光分離装置を介して通過させることと、
    燃料材料の小滴を蒸発させ、放射放出プラズマを発生させるように、プラズマ形成位置に、前記レーザ放射のパルスを誘導することと、
    前記プラズマ形成位置から反射された放射が前記光分離装置において受け取られる場合、前記半径方向に位置決めされたリフレクタから少なくとも部分的に光学的に分離されるように、前記回転可能に取り付けられたリフレクタを方向付けることと、
    を含む、デバイス製造方法。
  14. 前記光分離装置は、前記プラズマ形成位置から反射された放射のパルスの大部分のエネルギーからの光分離を提供する、請求項１８に記載のデバイス製造方法。
  15. 前記光分離装置は、前記プラズマ形成位置から反射された放射のパルスの全エネルギーからの光分離を提供する、請求項１８または１９に記載のデバイス製造方法。
JP2013527524A 2010-09-08 2011-08-04 リソグラフィ装置、ｅｕｖ放射発生装置、およびデバイス製造方法 Expired - Fee Related JP5921548B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US38095910P 2010-09-08 2010-09-08
US61/380,959 2010-09-08
PCT/EP2011/063443 WO2012031841A1 (en) 2010-09-08 2011-08-04 Lithographic apparatus, euv radiation generation apparatus and device manufacturing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013543210A true JP2013543210A (ja) 2013-11-28
JP5921548B2 JP5921548B2 (ja) 2016-05-24

Family

ID=44545690

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013527524A Expired - Fee Related JP5921548B2 (ja) 2010-09-08 2011-08-04 リソグラフィ装置、ｅｕｖ放射発生装置、およびデバイス製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9110377B2 (ja)
JP (1) JP5921548B2 (ja)
TW (1) TWI534555B (ja)
WO (1) WO2012031841A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10289006B2 (en) 2012-12-20 2019-05-14 Asml Netherlands B.V. Beam delivery for EUV lithography
US10964637B2 (en) 2018-06-25 2021-03-30 Nichia Corporation Package and light emitting device

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9127981B2 (en) 2013-08-06 2015-09-08 Cymer, Llc System and method for return beam metrology with optical switch
US9539622B2 (en) 2014-03-18 2017-01-10 Asml Netherlands B.V. Apparatus for and method of active cleaning of EUV optic with RF plasma field
US10524345B2 (en) * 2017-04-28 2019-12-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Residual gain monitoring and reduction for EUV drive laser
US11340531B2 (en) * 2020-07-10 2022-05-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Target control in extreme ultraviolet lithography systems using aberration of reflection image

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004509370A (ja) * 2000-09-18 2004-03-25 ヴァンサン・ロウエ 共焦点用光学走査装置
JP2007201466A (ja) * 2006-01-24 2007-08-09 Xtreme Technologies Gmbh 高平均出力のｅｕｖ放射線を発生する装置及び方法
US20100182579A1 (en) * 2009-01-08 2010-07-22 Asml Netherlands B.V. Laser device

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4257017A (en) 1978-07-11 1981-03-17 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Post pulse shutter for laser amplifier
US4194813A (en) 1978-10-13 1980-03-25 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Vacuum aperture isolator for retroreflection from laser-irradiated target
US6339634B1 (en) 1998-10-01 2002-01-15 Nikon Corporation Soft x-ray light source device
US7916388B2 (en) * 2007-12-20 2011-03-29 Cymer, Inc. Drive laser for EUV light source
US7491954B2 (en) * 2006-10-13 2009-02-17 Cymer, Inc. Drive laser delivery systems for EUV light source
US7928416B2 (en) * 2006-12-22 2011-04-19 Cymer, Inc. Laser produced plasma EUV light source
US7164144B2 (en) * 2004-03-10 2007-01-16 Cymer Inc. EUV light source
US7087914B2 (en) * 2004-03-17 2006-08-08 Cymer, Inc High repetition rate laser produced plasma EUV light source
JP4878108B2 (ja) * 2004-07-14 2012-02-15 キヤノン株式会社 露光装置、デバイス製造方法、および測定装置
JP5368261B2 (ja) 2008-11-06 2013-12-18 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法
US8283643B2 (en) * 2008-11-24 2012-10-09 Cymer, Inc. Systems and methods for drive laser beam delivery in an EUV light source
US8173985B2 (en) * 2009-12-15 2012-05-08 Cymer, Inc. Beam transport system for extreme ultraviolet light source

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004509370A (ja) * 2000-09-18 2004-03-25 ヴァンサン・ロウエ 共焦点用光学走査装置
JP2007201466A (ja) * 2006-01-24 2007-08-09 Xtreme Technologies Gmbh 高平均出力のｅｕｖ放射線を発生する装置及び方法
US20100182579A1 (en) * 2009-01-08 2010-07-22 Asml Netherlands B.V. Laser device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10289006B2 (en) 2012-12-20 2019-05-14 Asml Netherlands B.V. Beam delivery for EUV lithography
US10964637B2 (en) 2018-06-25 2021-03-30 Nichia Corporation Package and light emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
WO2012031841A1 (en) 2012-03-15
JP5921548B2 (ja) 2016-05-24
US9110377B2 (en) 2015-08-18
TW201222162A (en) 2012-06-01
US20130141709A1 (en) 2013-06-06
TWI534555B (zh) 2016-05-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102072064B1 (ko) 방사선 소스
US8368040B2 (en) Radiation system and lithographic apparatus
JP2013524525A (ja) Ｅｕｖ放射源およびｅｕｖ放射生成方法
JP5921548B2 (ja) リソグラフィ装置、ｅｕｖ放射発生装置、およびデバイス製造方法
JP6047573B2 (ja) 放射源
US20120280148A1 (en) Euv radiation source and lithographic apparatus
US20140218706A1 (en) Radiation source and lithographic apparatus
JP7241027B2 (ja) レーザ生成プラズマ源
KR102297812B1 (ko) 방사선 소스 및 리소그래피 장치
NL2006550A (en) Lithographic apparatus, euv radiation generation apparatus and device manufacturing method.
JP4695122B2 (ja) リソグラフィ装置
NL2007861A (en) Radiation source and lithographic apparatus.
NL2004978A (en) Euv radiation source and lithographic apparatus.
NL2006106A (en) Lithographic apparatus.
NL2007863A (en) Radiation source.
NL2005750A (en) Euv radiation source and euv radiation generation method.

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140801

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150630

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150709

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20151009

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160330

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160412

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5921548

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees