TWI524480B - 具有改善散熱之薄膜覆晶封裝件 - Google Patents

Description

具有改善散熱之薄膜覆晶封裝件

本發明主張關於2012年02月13日所申請的南韓專利案號10-2012-0014340、2012年02月13日所申請的南韓專利案號10-2012-0014341、2012年02月13日所申請的南韓專利案號10-2012-0014342、2012年02月13日所申請的南韓專利案號10-2012-0014343以及2012年02月23日所申請的南韓專利案號10-2012-0029837的優先權，並在此以引用的方式併入本文中，以作為參考。

本發明係關於薄膜覆晶(COF)封裝件，更詳細來說，係關於具有改善散熱之薄膜覆晶封裝件。

由於半導體裝置近來具有尺寸較薄且較小、高密度整合、高速度以及多接腳(pin)的特徵，所以帶式佈線基板之使用已在半導體晶片安裝技術之領域中有所增加。帶式佈線基板具有佈線圖案及連接該佈線圖案之引線形成於薄膜上之結構，該薄膜由諸如聚醯亞胺樹脂及類似物之絕緣材料構成。用於將預形成於半導體晶片上之凸塊與集總(lump)中之帶佈線基板之引線接合的捲帶式自動接合(TAB)技術可將應用於帶式佈線基板。由於此特性，帶式佈線基板被稱為TAB帶。又，存在作為帶式佈線基板之一個實例的膠帶載具封裝件(TCP)及應用該膠帶載具封裝件之半導體封裝件。

然而，由於較低成本、精細間距、可撓性及能夠載運被動元件之特徵，採用玻璃覆晶(COG)封裝件及薄膜覆晶(COF)封裝件之驅動器IC在大型TFT-LCD面板中的比率已增加。

因此，具有COG及COF封裝件之驅動器IC的市場需求已 增加。

圖1為表示根據習知技術之COF封裝件之結構圖。

如圖1中說明，COF封裝件之結構包括：聚醯亞胺膜110；黏著層120，位於聚醯亞胺膜110之一表面上；金屬層130，位於黏著層120上；阻焊層140，安置於金屬層130上。金屬層130經由蝕刻製程而變為電路圖案層130。IC晶片160經由作為接合墊之金屬凸塊150而接合至電路圖案層130。此外，用於固定及保護IC晶片160之模製單元170可使用樹脂及類似物來形成。

在COF封裝件之此結構中，電路圖案層130由聚醯亞胺膜110及阻焊層140圍繞，且IC晶片160亦由模製單元170模製。因此，COF封裝件結構之散熱能力非常低。

順便提及，採用玻璃覆晶(COG)封裝件及薄膜覆晶(COF)封裝件之驅動器IC在大型TFT-LCD面板中的比率已增加。由於針對TFT-LCD面板已需求較高之畫面頻率(frame frequency)、驅動電壓及較高的顯示通道(display channel)，所以驅動IC之散熱能力已變得愈加重要。

因此，由於對具有COG及COF封裝件之驅動器IC的市場需求已增加，所以已需要改善COF封裝件結構中之散熱能力。

本發明鑑於上述習知技術所發生的問題。。本發明提供一種具有極佳之散熱能力的薄膜覆晶封裝件。

根據本發明之一方面，提供一種薄膜覆晶封裝件，包括：一絕緣層，在其上形成用於熱輻射之一通孔，且該絕緣層包括一晶片安裝區域；一電路單元，位於該絕緣層之一表面上；一IC晶片，電性連接至該電路單元且安裝於該晶片安裝區域中；以及一虛擬圖案單元，位於與該電路單元相同之一層上以對應於該晶片安裝區域，其中該通孔形成，以對應於該虛擬圖案單元。

在顯示裝置中，由於對其中採用COF封裝件之驅動器IC的需求已增加，所以需要改善COF封裝件之結構中的散熱能力。

根據本發明，因為用於輻射安裝於絕緣層之電路單元上之電 子電路晶片的熱之虛擬圖案單元包括在與電路單元相同之層中，且用於將虛擬圖案單元曝露至外部之通孔形成於絕緣層上，使得自COF封裝件產生之熱有效地輻射至外部，所以可防止半導體晶片由於過熱而不正確地操作或被損壞。亦即，本發明藉由降低晶片之溫度而有效地顯著降低由於IC晶片之熱而引起的故障率。

110‧‧‧聚醯亞胺膜

120‧‧‧黏著層

130‧‧‧金屬層/電路圖案層

140‧‧‧阻焊層

150‧‧‧金屬凸塊

160‧‧‧IC晶片

200‧‧‧膠帶載具封裝

204‧‧‧晶片安裝區域

210‧‧‧絕緣層

212‧‧‧通孔

215‧‧‧晶種層

230‧‧‧電路單元

233‧‧‧電源端點

235‧‧‧電鍍層

240‧‧‧虛擬圖案單元

242‧‧‧延伸部分

244‧‧‧連接單元

250‧‧‧阻焊層

260‧‧‧IC晶片

262‧‧‧凸塊

265‧‧‧模製單元

270‧‧‧密封單元/熱輻射電鍍單元

274‧‧‧熱層/熱輻射層

280‧‧‧導線/黏著層

285‧‧‧熱墊單元

312‧‧‧通孔

314‧‧‧通孔

340‧‧‧虛擬圖案單元

342‧‧‧延伸部分

350‧‧‧虛擬圖案單元

360‧‧‧金屬貼片單元

402‧‧‧四邊形

410‧‧‧絕緣層

412‧‧‧通孔

430‧‧‧電路單元

440‧‧‧虛擬圖案單元

圖1為顯示根據習知技術之COF封裝件之結構圖。

圖2為繪示根據本發明之一個範例實施例之膠帶載具封裝的正視圖。

圖3為繪示圖2之COF封裝件之剖面圖。

圖4為放大根據本發明之一個範例實施例之COF封裝件的正視圖。

圖5為放大根據本發明之另一範例實施例之COF封裝件的正視圖。

圖6為放大根據本發明之另一範例實施例之COF封裝件的正視圖。

圖7為放大根據本發明之另一範例實施例之COF封裝件的正視及剖面圖。

圖8為放大根據本發明之另一範例實施例之COF封裝件的剖面圖。

圖9為顯示將晶片安裝於圖8之COF封裝件中之組態圖。

圖10為放大根據本發明之另一範例實施例之COF封裝件的正視圖。

圖11為放大根據本發明之又一範例實施例之COF封裝件的每一正視圖。

圖12至圖15為顯示根據本發明之所體現形狀之COF封裝件的每一剖面圖。

現將在下文參照隨附圖式較充分描述根據本發明之範例實施例。然而，本發明之範例實施例可以許多不同形式來體現，且不應解釋為限於本文所陳述的實施例。相反，提供此範例實施例以使得本發明將為詳盡且完整的，且將向熟習此項技術者充分傳達本發明之範疇。此外，當判定關於公眾已知之相關功能或組態的特定描述可能未必與本發明之要點無關時，省略對應的描述。此外，可為了描述方便而放大圖式中每一元件 之尺寸，其不反映對應元件之實際尺寸。

圖2為繪示根據本發明之一個範例實施例之膠帶載具封裝的正面圖。

參照圖2，膠帶載具封裝(tape carrier)200(其為半導體裝置)包括薄膜製成之絕緣層210。絕緣層210使用厚度為10 μm至25 μm之薄膜形成，以便具有可撓性彎曲能力。然而，絕緣層210之厚度不限於此。可判定該厚度在一般熟習此項技術者顯而易見的一範圍內。舉例而言，絕緣層210可由基於聚醯亞胺之樹脂形成。絕緣層210可經切割而使得安裝於絕緣層上之複數個IC晶片(亦即，複數個發光裝置)彼此分離。換言之，絕緣層210形成為帶狀物類型，且COF封裝件沿著長度方向以規則間隔安置。

具體來解釋，在金屬層形成於絕緣層210上後，藉由對金屬層圖案化而形成電路單元230。IC晶片(發光裝置)安裝至晶片安裝區域204中。在此狀況下，電路單元230之佈線電性連接至對應於IC晶片之端點。根據本發明，形成虛擬圖案單元240，在形成電路單元230時自IC晶片產生之熱傳輸至該虛擬圖案單元240。虛擬圖案單元240在進行對金屬層圖案化之製程時形成。其後，絕緣層210經切割而使得COF封裝件彼此分離。參照圖3，將說明一個COF封裝件之組態。

圖3為繪示圖2之COF封裝件之剖面的圖。

參照圖3，COF封裝件包括：絕緣層210，在其上形成用於輻射熱之通孔212；電路單元230，其形成於絕緣層210之一個表面上；及虛擬圖案單元240，其形成於與電路單元230相同之層上。又，COF封裝件可包括阻焊層及IC晶片。IC晶片電性連接至電路單元230。IC晶片可為發光裝置，例如LED。

用於輻射熱之通孔212形成於絕緣層210上。虛擬圖案單元240經定位以對應於IC晶片，且接收及輻射自IC晶片產生之熱。根據一個範例實施例，虛擬圖案單元240可藉由對金屬層圖案化而形成，在該金屬層上對電路單元230圖案化。

通孔212可藉由用雷射蝕刻絕緣層210之一部分而形成。通 孔212形成於絕緣層上，使得虛擬圖案單元240曝露至外部。具體而言，在COF封裝件中，用於輻射IC晶片之熱的虛擬圖案單元240形成於與電路單元230相同的層上。又，虛擬圖案單元240位於IC晶片與通孔212之間以用於輻射熱。因此，自IC晶片產生之熱傳輸至虛擬圖案單元240，且經由通孔212散發。

根據一個範例實施例，由於虛擬圖案單元240經定位以對應於IC晶片，所以通孔212可經形成以對應於絕緣層中安裝IC晶片之區域。根據另一範例實施例，通孔212可形成於絕緣層210中安裝IC晶片之區域外部。在此狀況下，虛擬圖案單元240經形成以對應於其中安裝IC晶片之區域且延伸至該區域外部。因此，通孔212經形成以對應於延伸至晶片安裝區域外部之虛擬圖案單元240。

虛擬圖案單元240可與電路單元230同時形成於絕緣層210上。具體而言，電路單元230藉由在絕緣層210上形成金屬層且其後對該金屬層執行一蝕刻製程而形成。此時，金屬層藉由包括用於熱輻射之虛擬圖案單元240以及電路單元230之圖案來蝕刻。由於虛擬圖案單元240由在其上形成電路單元之金屬層製成，所以其具有較高之導熱性。

根據一個範例實施例，虛擬圖案單元240可選擇性及實體地連接至電路單元230。在此狀況下，自電路單元230產生之熱傳輸至虛擬圖案單元240。根據另一範例實施例，虛擬圖案單元240可包括一連接單元(未繪製)，該連接單元自虛擬圖案單元延伸且連接至電路單元230。

因此，自IC晶片或電路單元230產生之熱傳輸至虛擬圖案單元240。該熱經由虛擬圖案單元240而輻射。又，該熱經由通孔212而輻射至外部，通孔212經形成以連接至虛擬圖案單元240。

圖4為放大根據本發明之另一範例實施例之COF封裝件的正面圖。

參照圖4，放大及示範絕緣層之一部分。IC晶片(未繪製)安裝至晶片安裝區域204中。電路單元230形成於絕緣層210上。又，虛擬圖案單元240形成在與電路單元230相同之層上。如所繪示，虛擬圖案單元240經形成以對應於晶片安裝區域204。又，根據範例實施例，虛擬圖 案單元240延伸至晶片安裝區域204之外部。通孔212可經形成以對應於虛擬圖案240之延伸至晶片安裝區域204外部之延伸部分242。在圖4中，用虛線展示通孔212。

虛擬圖案單元240之延伸至晶片安裝區域204之外部的延伸部分242可形成於經定位以對應於晶片安裝區域204的虛擬圖案單元240之任何部分中。換言之，虛擬圖案單元240之延伸至晶片安裝區域204之外部的延伸部分242可形成於其上未形成電路單元230的絕緣層210上之任何部分中。

又，在本範例實施例中，包括一個虛擬圖案單元240，但本發明不限於此。舉例而言，可在絕緣層210上包括電路單元230及複數個虛擬圖案單元240。

在本範例實施例中，在絕緣層210上形成用於散發熱之一個通孔212。然而，可形成複數個通孔。舉例而言，複數個通孔中之一些通孔可形成於晶片安裝區域204中，且其他通孔可形成於晶片安裝區域204之外部中。甚至在任何狀況下，一或多個通孔應經形成而連接至虛擬圖案單元240。通孔212之數目可根據各種條件來判定，例如，電路圖案之設計及類似者。

圖5為放大根據本發明之另一範例實施例之COF封裝件的正面圖。

參照圖5，放大及示範絕緣層之一部分。關於圖5，將省略關於與圖4中所繪示之COF封裝件相同的組態的解釋。

參照圖5，虛擬圖案單元340經形成以對應於晶片安裝區域204。又，根據本範例實施例，虛擬圖案單元340延伸至晶片安裝區域204之外部。具體而言，虛擬圖案單元340延伸至電路單元230之諸多引線之間。亦即，虛擬圖案單元340在其中未形成電路單元230之部分中具有延伸部分342。一或多個通孔312形成於延伸部分342中。

如所繪示，用虛線表示通孔312。通孔可經形成以對應於虛擬圖案單元340之延伸至晶片安裝區域204之外部的延伸部分342。通孔312之數目可根據通孔之尺寸及形狀或虛擬圖案單元之延伸部分342之尺寸 及形狀而改變。

在此狀況下，自安裝於晶片安裝區域204中之IC晶片產生之熱經傳輸至虛擬圖案單元340之對應於晶片安裝區域204的一部分，且接著傳輸至虛擬圖案單元340之延伸部分342。該熱經由對應於虛擬圖案單元340之延伸部分342的通孔312而輻射至外部。根據另一範例實施例，通孔312可經形成以對應於定位於晶片安裝區域204上之虛擬圖案單元240的部分。

圖6為放大根據本發明之另一範例實施例之COF封裝件的正面圖。

參照圖6，放大及示範絕緣層之一部分。IC晶片(未繪示)安裝於晶片安裝區域(204)中。電路單元230形成於絕緣層210上。又，虛擬圖案單元350形成在與電路單元230相同之層上。在本範例實施例中，說明COF封裝件包括兩個虛擬圖案單元350。然而，本發明並不限於此。

如所繪示，虛擬圖案單元350經形成以對應於晶片安裝區域204。又，虛擬圖案單元350經形成以分別連接至電路單元230之電源端點。電路單元230之電源端點為接收電力之端點。當供應電力時，該等電源端點可能過熱。因此，在虛擬圖案單元350分別連接至電路單元230之電源端點的狀況下，當電源端點隨著電力之供應而過熱時，虛擬圖案單元350可自電路單元230之電源端點接收熱。

此外，通孔314經形成以分別對應於虛擬圖案單元350。在本範例實施例中，針對一個虛擬圖案單元350而形成一個通孔314，但本發明不限於此。針對一個虛擬圖案單元350之通孔314的數目可根據通孔之尺寸及形狀或虛擬圖案單元350之尺寸及形狀而改變。

又，在本範例實施例中，虛擬圖案單元350經形成以分別對應於電路單元230之電源端點233。然而，本發明並不限於此。一個虛擬圖案單元可連接至電路單元230之所有或選擇性的電源端點233。

圖7為放大根據本發明之另一範例實施例之COF封裝件的正面圖。

參照圖7，放大及示範絕緣層之一部分。IC晶片(未繪示) 安裝於晶片安裝區域204中。電路單元230形成於絕緣層210上。又，複數個虛擬圖案單元240形成在與電路單元230相同之層上。在本範例實施例中，說明COF封裝件包括四個虛擬圖案單元240。然而，本發明並不限於此。舉例而言，可形成一個虛擬圖案單元240。在此狀況下，虛擬圖案單元可具有比圖4中所說明之虛擬圖案單元240大的尺寸。又，如所說明，虛擬圖案單元240經形成以對應於晶片安裝區域204。

此外，通孔212經形成以分別對應於虛擬圖案單元240。在本範例實施例中，針對一個虛擬圖案單元240而形成一個通孔212，但本發明不限於此。針對一個虛擬圖案單元240之通孔212的數目可根據通孔之尺寸及形狀或虛擬圖案單元240之尺寸及形狀而改變。

因此，自安裝於晶片安裝區域204中之IC晶片產生之熱經傳輸至對應於晶片安裝區域204之虛擬圖案單元240。接著，該熱經由通孔212而散發至外部，通孔212經形成以對應於虛擬圖案單元240。

在圖7之(b)中，說明沿著圖7之(a)之線A-A'切割的COF封裝件之剖面。如所繪示，為改善熱經由通孔212而散發至外部的效應，使用金屬帶或膏而使熱層274形成於絕緣層210之其他表面或背表面上以對應於通孔212。

熱層274可藉由將金屬帶黏附至絕緣層210之背表面或將金屬膏塗覆至絕緣層210之背表面而形成在絕緣層210上，以便對應於通孔212。與此不同的是，可藉由用金屬電鍍絕緣層210之背表面來形成熱層274。

當自安置於晶片安裝區域204中之IC晶片產生熱時，熱層274經由通孔212快速地接收熱且將該熱散發至外部。因此，防止COF封裝件過熱。

圖8為放大根據本發明之另一範例實施例之COF封裝件的剖面圖。

根據本範例實施例，COF封裝件包括：絕緣層210，在其上形成用於熱輻射之通孔212；電路單元230，其形成於絕緣層210之一個表面上；虛擬圖案單元240，其形成於與電路單元230相同之層上；及金屬貼片單元360，其經形成以對應於通孔212以用於熱輻射。亦即，COF封裝 件包括經定位以便與經由通孔212而曝露至外部之虛擬圖案單元240接觸的金屬貼片單元360。金屬貼片單元360接收自IC晶片或電路單元傳輸至虛擬圖案單元240之熱且將熱輻射至外部。此虛擬圖案單元240可由金屬(較佳為Cu)形成。

又，形成金屬貼片單元360，抵靠於虛擬圖案單元240，以與虛擬圖案單元240之一部分接觸，其中該虛擬圖案單元240係為經由之通孔212而曝露於外部的部分，且亦形成於通孔212之壁上。在此狀況下，根據一個範例實施例，金屬貼片單元360可經形成以自形成於通孔之壁上的部分延伸至絕緣層210之另一表面。根據另一範例實施例，金屬貼片單元360可形成於通孔212之壁上，但可不延伸至絕緣層210。金屬貼片單元360可經形成以僅與通孔212之壁的一部分接觸。

金屬貼片單元360可由散熱片材料形成。根據一個範例實施例，金屬貼片單元360可藉由用金屬電鍍通孔212之壁以及經由具有金屬之通孔212而曝露至外部之虛擬圖案單元240之部分而形成。根據另一範例實施例，金屬貼片單元360可由用於熱輻射之帶或膏形成。在此狀況下，在絕緣層210之另一表面將帶或膏按壓朝向通孔212，因此其形狀可根據通孔212之形狀而改變。

因此，在COF封裝中，自IC晶片或電路單元230產生之熱主要經吸收至虛擬圖案單元，且來自虛擬圖案單元240之熱快速傳輸至金屬貼片單元360且有效散發至外部。因此，可防止半導體晶片由於過熱而不正確地操作或被損壞。

圖9為展示將晶片安裝於圖8之COF封裝件中之組態圖。

參照圖9，COF封裝件包括：絕緣層210，在其上形成用於熱輻射之通孔212；電路單元230，其形成於絕緣層210之一表面上；虛擬圖案單元240，其形成於與電路單元230相同之層上；金屬貼片單元360，被形成以對應於通孔212；IC晶片260；以及密封單元270，用於模製IC晶片260。

IC晶片260經由導線280連接至電路單元230。又，IC晶片260經由凸塊262連接至虛擬圖案單元240。根據另一範例實施例，IC 晶片360可安裝至電路單元330中以與虛擬圖案單元340直接接觸。

自IC晶片260產生之熱可經由凸塊262或藉由IC晶片260與虛擬圖案單元240之間的空間中之空氣而傳輸至虛擬圖案單元240。

如上述描述，金屬貼片單元360形成於虛擬圖案單元240之一部分上，以與虛擬圖案單元240之經由通孔212曝露至外部的部分接觸。因此，金屬貼片單元360接收自IC晶片260或電路單元230傳輸至虛擬圖案單元240之熱且將熱輻射至外部。虛擬圖案單元240可由金屬(較佳為銅)形成。

具體而言，由於通孔212經形成以對應於虛擬圖案單元240，所以通孔212之一側藉由虛擬圖案單元240阻擋。金屬貼片單元360形成於通孔212的壁上，抵靠虛擬圖案單元240，且亦形成於虛擬圖案單元240之一部份上，其中該虛擬圖案單元240之該部份經由通孔212曝露於外部。在此狀況下，根據一個範例實施例，金屬貼片單元360可自形成於通孔212之壁上的部分延伸至絕緣層210之另一表面。根據另一範例實施例，金屬貼片單元360可形成於通孔212之壁上，但可不延伸至絕緣層210之另一表面。如此，由於金屬貼片單元360沿著通孔212之壁而形成，所以金屬貼片單元360具有與通孔212類似之形狀。當然，金屬貼片單元360可經形成以僅與通孔212之壁表面的一部分接觸。

圖10為放大根據本發明之另一範例實施例之COF封裝件的正視圖。

參照圖10，電路單元230及複數個虛擬圖案單元240形成於絕緣層210上。複數個虛擬圖案單元240定位於其中安裝IC晶片之區域204內。又，複數個通孔212形成於對應於複數個虛擬圖案單元240的位置中。在圖式中，此用虛線來表示。較佳地，通孔212之尺寸小於虛擬圖案單元240之尺寸。通孔212之形狀可類似於虛擬圖案單元240之形狀。然而，本發明並不限於此。通孔212之尺寸可大於對應虛擬圖案單元240之尺寸。

參照圖10之(a)，虛擬圖案單元240可包括連接單元244，該連接單元244自虛擬圖案單元延伸且實體地連接至電路單元230。在此狀 況下，連接至虛擬圖案單元240之電路單元230之端點可為接收電力之電源端點。如上述所述，由於電源端點接收電力，所以在供應電力時，電源端點快速地過熱。根據本發明之另一範例實施例，當電路單元230之電源端點連接至虛擬圖案單元240時，電源端點之熱可藉由虛擬圖案單元240來防止過熱。

與此不同的是，如圖10之(b)中說明，虛擬圖案單元440可與電路單元430實體地間隔。當虛擬圖案單元240經由連接單元244而連接至電路單元230時，自電路單元230產生之熱可更有效地傳輸至虛擬圖案單元240。

據此，自安裝於晶片安裝區域204中之IC晶片(未繪示)產生之熱經傳輸至定位於IC晶片正下方之虛擬圖案單元240。接著，該熱可經由用於熱輻射之通孔212而再次輻射至外部，通孔212經形成以連接至虛擬圖案單元240。具體而言，虛擬圖案單元240藉由自IC晶片產生之熱而變熱。虛擬圖案單元240之熱經由用於曝露虛擬圖案單元240之通孔212而輻射至外部。因此，COF封裝件之熱輻射可容易被實行。

圖11為放大根據本發明之另一範例實施例之COF封裝件的正視圖。

參照圖11，電路單元430及一個虛擬圖案單元440形成於絕緣層410上。通孔412形成於虛擬圖案單元440之正下方，且在圖式中用虛線表示。又，四邊形402包括虛擬圖案單元440的同時也包括電路單元430的一部分且用虛線展示，該四邊形402表示其中將安裝IC晶片460的區域。

如所說明，根據一個實例，複數個通孔412可形成於虛擬圖案單元440之安裝區域中，如圖11之(a)所示。根據另一實例，可形成一個通孔412，如圖11之(b)所示。通孔412之數目可根據各種條件來判定，例如，電路圖案之設計。圖12至圖15為表示根據本發明之所體現形狀之COF封裝件的每一剖面圖。

圖12中所繪示之COF封裝件包括：絕緣層210，在其上形成用於熱輻射之通孔212；電路單元，其形成於絕緣層210之一個表面上； 虛擬圖案單元240，其形成於與電路單元230相同之層上；阻焊層250；IC晶片260；以及模製單元265，用於模製IC晶片。

電路單元230及虛擬圖案單元240定位於絕緣層210之一表面上。電路單元230及虛擬圖案單元240可同時形成。電路單元230以及虛擬圖案單元240藉由在絕緣層210之一表面上形成金屬層且其後根據電路單元230及虛擬圖案單元240之圖案對該金屬層圖案化而形成。舉例而言，在金屬層形成於絕緣層210之一表面上後，可對金屬層形成一蝕刻製程而使得形成電路單元230及虛擬圖案單元240。金屬層可藉由將銅塗覆至絕緣層210而形成。在下文中，電路單元230及虛擬圖案單元240可作為一個金屬層一起被提及。

阻焊層250藉由經塗覆於電路單元230而形成。阻焊層250覆蓋電路單元230，使得不會由於在安裝組件時執行之焊接而產生無預期的連接。此外，COF封裝件在絕緣層210與金屬層230、240之間包括晶種層215。晶種層215由Ni與Cr之合金形成。在此狀況下，合金中之Cr含量應為至少大於1%。較佳地，Ni與Cr之合金中之Cr含量可為大於5%，且亦可高達20%。晶種層215藉由將Ni與Cr之合金塗覆至其上待形成絕緣層之電路單元230的一個表面而形成。在此狀況下，用於熱輻射之通孔212在將晶種層215塗覆至絕緣層210後而形成。通孔212可藉由雷射或衝壓工具而形成。在此狀況下，對應於絕緣層210之通孔212之孔亦形成於晶種層215上。亦即，使用單一製程而使通孔212形成於絕緣層210上，且對應於通孔212之孔形成於晶種層215上。晶種層215將電路單元230及虛擬圖案單元240接合至絕緣層210。

此外，COF封裝件包括電鍍層235，該電鍍層235使用金屬電鍍在金屬層230、240上，較佳地，該金屬係為Sn。電鍍層235藉由在金屬層230、240上進行表面處理而產生，使得與IC晶片260之連接容易執行。電鍍層235可由鎳(Ni)、鈀(Pd)、金(Au)及銀(Ag)以及錫(Sn)中之任一者形成。

IC晶片260可裝配於電路單元230上。在此狀況下，IC晶片260可經由凸塊262連接至電路單元230。

參照圖13，說明根據另一範例實施例之COF封裝件。除了形成於通孔上之熱輻射電鍍單元270之外，圖13中說明之COF封裝件具有與圖12中所說明之COF封裝件類似的組態。

如上述所描述，在COF封裝件包括晶種層215的狀況下，因為用於熱輻射之通孔212在將晶種層215塗覆至絕緣層210之後形成，所以對應於絕緣層210之通孔212的孔亦形成於晶種層215上。熱輻射電鍍單元270可藉由用金屬電鍍形成於晶種層215上之孔而形成。熱輻射電鍍單元270藉由形成於晶種層215上之虛擬圖案單元240而被界定(bound)，以對應於絕緣層210之通孔212。因此，熱輻射電鍍單元270可經由虛擬圖案單元240接收來自電路單元230或IC晶片之熱。因為熱輻射電鍍單元270由具有高的導熱性的金屬形成，例如錫(Sn)，所以該熱輻射電鍍單元270可良好接收來自虛擬圖案單元240之熱。自虛擬圖案單元240傳輸至熱輻射電鍍單元270之熱經由形成於絕緣層210上之通孔212而輻射至外部。由於此組態，所以自COF封裝件產生之熱可有效輻射至外部。

參照圖14，說明根據本發明之另一範例實施例之COF封裝件。除了形成於通孔212上之熱墊單元285之外，圖14中說明之COF封裝件具有與圖13中所說明之COF封裝件類似的組態。

熱墊單元285形成於與其中形成絕緣層210之電路單元的一個表面相對的另一表面上。具體而言，熱墊單元285經由黏著層280接合至絕緣層210之另一表面，以對應於絕緣層210之通孔212。

熱墊單元285可由具有與熱輻射電鍍單元270類似的高導熱性的金屬形成。熱輻射經由通孔212傳輸至經定位以對應於通孔212之熱墊單元285。熱墊單元285吸收經由通孔212傳輸之熱，藉此防止COF封裝件過熱。

參照圖15，說明根據本發明之再一範例實施例之COF封裝件。除了形成於絕緣層之背表面上之熱輻射層274之外，圖15中說明之COF封裝件具有與圖12中所說明之COF封裝件類似的組態。

如上述描述，熱層274定位於絕緣層210之另一表面上，其中電路單元230形成於絕緣層210上之一表面上。熱層274可藉由將用於 輻射熱之金屬帶接合至絕緣層210之另一表面或將金屬膏塗覆至該另一表面而形成。與此不同的是，熱層274可藉由用金屬電鍍絕緣層210之另一表面來形成。當熱自安裝於晶片安裝區域中之IC晶片經由通孔212傳輸時，熱層274自通孔212吸收熱且將熱輻射至外部。因此，防止IC晶片過熱。

如此，根據本發明，因為COF封裝件經配置而使得用於輻射安裝於絕緣上之電路單元上之電路晶片的熱的虛擬圖案單元包括在與虛擬圖案單元相同之層中，且用於將虛擬圖案單元曝露至外部之通孔形成於絕緣層上，所以自COF封裝件產生之熱可有效輻射至外部，藉此防止半導體晶片由於過熱而不正確地操作或被損壞。

如先前描述，在本發明之詳細描述中，已描述本發明之詳細範例實施例，應顯而易見在不偏離本發明之精神或範疇的情況下熟習此項技術者可進行修改及變化。因此，應理解上述內容係本發明之說明且並不將解釋為限於所揭示之特定實施例，且對所揭示實施例以及其他實施例之修改意欲包括在附加申請專利範圍及其等效物之範疇內。

204‧‧‧晶片安裝區域

210‧‧‧絕緣層

212‧‧‧通孔

230‧‧‧電路單元

240‧‧‧虛擬圖案單元

242‧‧‧延伸部份

Claims (19)

1. 一種薄膜覆晶(COF)封裝件，包含：一絕緣層，在該絕緣上形成一用於熱輻射之通孔，且該絕緣層包括一晶片安裝區域；一電路單元，位於該絕緣層之一表面上；一IC晶片，電性連接至該電路單元且安裝於該晶片安裝區域中；以及至少一虛擬圖案單元，位於與該電路單元相同之一層上，以對應於該晶片安裝區域，且具有一部分延伸至該晶片安裝區域之外部，其中該通孔形成，以對應於該虛擬圖案單元。
2. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜覆晶封裝件，其中該延伸部分延伸至該電路單元之多個引線之間。
3. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜覆晶封裝件，其中該電路單元具有至少一電源端點，該電源端點接收電力，且該虛擬圖案單元連接至該電源端點。
4. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜覆晶封裝件，更包含一金屬貼片單元，該金屬貼片單元位於經由該通孔而曝露之該虛擬圖案單元之一部分上。
5. 如申請專利範圍第4項所述之薄膜覆晶封裝件，其中該金屬貼片單元由銅形成。
6. 如申請專利範圍第4項所述之薄膜覆晶封裝件，其中該金屬貼片單元形成於該通孔之一壁上。
7. 如申請專利範圍第6項所述之薄膜覆晶封裝件，其中該金屬貼片單元自形成於該通孔之該壁上之一部分延伸至該絕緣層之另一表面上。
8. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜覆晶封裝件，其中該絕緣層藉由一聚醯亞胺(PI)膜來體現。
9. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜覆晶封裝件，其中該虛擬圖案單元與該電路單元同時形成。
10. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜覆晶封裝件，更包含一晶種層，該 晶種層位於該絕緣層與該電路單元之間，且將該電路單元接合至該絕緣層。
11. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜覆晶封裝件，其中該晶種層包含一孔，對應於形成於該絕緣層上之該通孔。
12. 如申請專利範圍第11項所述之薄膜覆晶封裝件，更包含一熱輻射電鍍單元，藉由用一金屬電鍍該晶種層之該孔而形成。
13. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜覆晶封裝件，更包含一阻焊層在該電路單元上，用於防止該電路單元焊接。
14. 如申請專利範圍第13項所述之薄膜覆晶封裝件，更包含一電鍍層，該電鍍層位於該電路單元與該阻焊層之間，且對該電路單元進行電鍍。
15. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜覆晶封裝件，更包含一熱墊單元，該熱墊單元接合至該絕緣層之另一表面，以對應於該通孔。
16. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜覆晶封裝件，其中該虛擬圖案單元連接至該電路單元。
17. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜覆晶封裝件，其中該虛擬圖案單元包含一連接單元，該連接單元自該虛擬圖案單元延伸且連接至該電路單元。
18. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜覆晶封裝件，其中該通孔具有一比該虛擬圖案單元小的尺寸。
19. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜覆晶封裝件，更包含一熱層，該熱層形成於該絕緣層之另一表面上，且接收熱。