[go: up one dir, main page]

TWI518176B - 拋光墊及其製造方法 - Google Patents

拋光墊及其製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI518176B
TWI518176B TW104100992A TW104100992A TWI518176B TW I518176 B TWI518176 B TW I518176B TW 104100992 A TW104100992 A TW 104100992A TW 104100992 A TW104100992 A TW 104100992A TW I518176 B TWI518176 B TW I518176B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
resin
polymer layer
polymer
hollow structures
hollow
Prior art date
Application number
TW104100992A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201625765A (zh
Inventor
馮崇智
姚伊蓬
吳文傑
宋欣如
Original Assignee
三芳化學工業股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 三芳化學工業股份有限公司 filed Critical 三芳化學工業股份有限公司
Priority to TW104100992A priority Critical patent/TWI518176B/zh
Priority to US14/872,370 priority patent/US9884400B2/en
Application granted granted Critical
Publication of TWI518176B publication Critical patent/TWI518176B/zh
Publication of TW201625765A publication Critical patent/TW201625765A/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D18/00—Manufacture of grinding tools or other grinding devices, e.g. wheels, not otherwise provided for
    • B24D18/0027—Manufacture of grinding tools or other grinding devices, e.g. wheels, not otherwise provided for by impregnation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/22—Lapping pads for working plane surfaces characterised by a multi-layered structure
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/24—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D3/00—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
    • B24D3/02—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent
    • B24D3/20—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent and being essentially organic
    • B24D3/28—Resins or natural or synthetic macromolecular compounds

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Manufacture Of Porous Articles, And Recovery And Treatment Of Waste Products (AREA)

Description

拋光墊及其製造方法
本發明係關於一種拋光墊及其製造方法，特別是一種具有中空結構體之拋光墊及其製造方法。
參考圖1及圖2，顯示習知拋光墊之製造方法之示意圖。該習知拋光墊之製造方法為將樹脂10(通常為熱塑性聚胺基甲酸酯之高分子發泡體)灌入一圓形鑄模筒中，待冷卻凝固後形成一塊狀體11，如圖1所示，該塊狀體11具有複數個孔洞(Cell)12。接著，參考圖2，沿著切割線13切割該塊狀體11以形成複數個拋光墊14。該等拋光墊14具有獨立氣泡結構，常被用在高度平坦化拋光。然而，該拋光墊14最大的問題在於因該樹脂10濃度在該圓形鑄模筒中的分佈較不易均勻，成型時該圓形鑄模筒各位置溫度分佈的差異性會造成該等孔洞12大小及分佈不一，且不易控制，再經切片製程後，會使該拋光墊14之切片面的孔洞12大小不一更為明顯。在研磨過程中，大孔徑的孔洞與小孔徑的孔洞滲入研磨液的程度不同，如此會造成研磨不均勻及研磨液的沈積，而容易產生研磨瑕疵(Defect)。
因此，有必要提供一創新且富進步性的拋光墊及其製造方法，以解決上述問題。
本發明係提供一種拋光墊，其包括一高分子彈性體及複數個中 空結構體。該等中空結構體均勻分布於該高分子彈性體中，且該等中空結構體之尺寸大致相同。藉此，在拋光過程中，當該等中空結構體有破洞時，或是該等中空結構體皆被移除而留下孔洞時，研磨液滲入該拋光墊的程度相同，因此可提高研磨效果。
本發明另提供一種拋光墊之製造方法，其包括以下步驟：(a)將複數個中空結構體混合於一高分子樹脂內，其中該等中空結構體之尺寸大致相同，且該等中空結構體係均勻分布於該高分子樹脂中；(b)將部分該高分子樹脂塗佈於一載體上，以形成一第一高分子層，其中該第一高分子層包含至少一排中空結構體；(c)硬化該第一高分子層；(d)將部分該高分子樹脂塗佈於該第一高分子層上，以形成一第二高分子層，其中該第二高分子層包含至少一排中空結構體；(e)硬化該第二高分子層；及(f)重複上述步驟(d)及(e)至少一次，以形成一拋光墊。
本發明另提供一種拋光墊之製造方法，其包括以下步驟：(a)提供一高分子樹脂，且將部分該高分子樹脂塗佈於一載體上，以形成一第一高分子層；(b)將複數個第一中空結構體嵌於該第一高分子層之上表面，使得每一第一中空結構體之下部位於該第一高分子層中，該第一中空結構體之上部顯露於該第一高分子層之外，其中該等第一中空結構體之尺寸大致相同，且均勻分布於該第一高分子層之上表面；(c)硬化該第一高分子層；(d)將部分該高分子樹脂塗佈於該第一高分子層上，以形成一第二高分子層，其中該第二高分子層覆蓋該等第一中空結構體；(e)將複數個第二中空結構體嵌於該第二高分子層之上表面，使得每一第二中空結構體之下部位於該第二高分子層中，該第二中空結構體之上部顯露於該第二高分子層之外，其中該等第二中空結構體之尺寸大致相同，且均勻分布於該第二高分子層之上表面；(f)硬化該第二高分子層；及(g)重複上述步驟(d)至(f)至少一次，以形成 一拋光墊。
3‧‧‧拋光墊
3a‧‧‧拋光墊
10‧‧‧樹脂
11‧‧‧塊狀體
12‧‧‧孔洞
13‧‧‧切割線
14‧‧‧拋光墊
20‧‧‧高分子樹脂
22‧‧‧中空結構體
22a‧‧‧第一中空結構體
22b‧‧‧第二中空結構體
23‧‧‧載體
24‧‧‧第一高分子層
26‧‧‧第二高分子層
28‧‧‧高分子層
30‧‧‧高分子彈性體
221‧‧‧外殼
241‧‧‧第一高分子層之上表面
261‧‧‧第二高分子層之上表面
D‧‧‧中空結構體之尺寸
圖1及圖2顯示習知拋光墊之製造方法之示意圖。
圖3至圖6顯示本發明拋光墊之一實施例之製造方法之製程步驟示意圖。
圖7至圖12顯示本發明拋光墊之另一實施例之製造方法之製程步驟示意圖。
參考圖3至圖6，顯示本發明拋光墊之一實施例之製造方法之製程步驟示意圖。參考圖3，將複數個中空結構體22混合於一高分子樹脂20內，其中該等中空結構體22之尺寸D大致相同，且該等中空結構體22係均勻分布於該高分子樹脂20中。該高分子樹脂20之材質係選自由聚醯胺樹脂(Polyamide Resin)、聚碳酸酯(Polycarbonate)、聚甲基丙烯酸樹脂、環氧樹脂(Epoxy Resin)、酚醛樹脂(Phenolic Resin)、聚氨酯樹脂(Polyurethane Resin)、乙烯苯樹脂(Vinylbenzene Resin)及丙烯酸樹脂(Acrylic Resin)所組成之群，且該等中空結構體22之材質係為水性聚氨酯(Polyurethane)或丙烯酸樹脂(Acrylic)。在本實施例中，該高分子樹脂20之材質係為丙烯酸樹脂，例如環氧丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯或聚醚丙烯酸酯。該等中空結構體22之材質係為水性聚氨酯(Polyurethane)。
在本實施例中，該等中空結構體22係為膠囊狀結構，其係由一外殼221形成一封閉空間，較佳地，該等中空結構體22係為圓球狀。該等中空結構體22之尺寸D係為10μm至100μm，且該等中空結構體22間之尺寸偏差(Size Variation)在20%以內。在本實施例中，該等中空結構體22之尺寸D係為30μm至40μm。在本實施例中，該等中空結構體22係先經過處理，使得其帶電荷。在本實施例中，係利用電噴霧 擠壓注射法使得該等中空結構體22帶電荷，其實施方式如下。首先，提供一金屬毛細管，該金屬毛細管具有一噴霧嘴。同時，距該噴霧嘴之出口1~2公分處放置一片相對電極。接著，將含有該等中空結構體22的水溶液樣本注入該金屬毛細管，並在該金屬毛細管與該相對電極間施加數千伏特的電位差(較佳電壓為5-30kV，更佳為10-20kV)。藉此，當該等中空結構體22從該噴霧嘴被噴出時，即會帶電荷。
接著，將部分該高分子樹脂20塗佈(例如：刮刀式塗佈(Blade Coating))於一載體23上，以形成一第一高分子層24。該第一高分子層24包含至少一排中空結構體22。在本實施例中，係利用刮刀式塗佈，且經由控制適當的加工參數，使得該第一高分子層24之厚度非常薄，導致該第一高分子層24僅包含一排中空結構體22。由於該等中空結構體22已先經過上述電噴霧擠壓注射，該等中空結構體22表面帶有正電荷。在同性相斥之下，該等中空結構體22會排列於該第一高分子層24中，而不會有聚集凝結的情況發生。較佳地，該排中空結構體22係位於該第一高分子層24內之中央位置。可以理解的是，該等中空結構體22之水平位置彼此間可能會略有偏移，亦即有些中空結構體22會偏高，有些會偏低。
在另一實施例中，不論該等中空結構體22是否帶電荷，在塗佈該高分子樹脂20後，可利用一平刮刀，經由控制適當的加工參數，刮掉過多的高分子樹脂20及中空結構體22，使得該第一高分子層24僅包含一排中空結構體22。
接著，利用照UV光或加熱方式以硬化該第一高分子層24。在本實施例中，係利用照UV光方式以硬化該第一高分子層24，照射時間為1分鐘至1小時。該高分子樹脂20利用本身之低聚物(oligomer)及聚合物單體(monomer)中之雙鍵進行鍵結而硬化。
參考圖4，將部分該高分子樹脂20塗佈(例如：刮刀式塗佈 (Blade Coating))於該第一高分子層24上，以形成一第二高分子層26，其中該第二高分子層26包含至少一排中空結構體22。在本實施例中，該第二高分子層26包含一排中空結構體22，且利用上述將該等中空結構體22排列於該第一高分子層24內之相同方式，以使該等中空結構體22排列於該第二高分子層26中。較佳地，該排中空結構體22係位於該第二高分子層26內之中央位置。
接著，利用照UV光或加熱方式以硬化該第二高分子層26。在本實施例中，係利用照UV光方式以硬化該第二高分子層26，照射時間為1分鐘至1小時。該高分子樹脂20利用本身之低聚物(oligomer)及聚合物單體(monomer)中之雙鍵進行鍵結而硬化。
參考圖5，重複上述圖4之步驟至少一次，以形成至少一層高分子層28於該第二高分子層26上，其中該等高分子層24,26,28形成一高分子彈性體30，且該等高分子層24,26,28之材質可以相同或不同。
參考圖6，移除該載體23，以形成一拋光墊3。
請再參考圖6，顯示本發明拋光墊之一實施例之剖視示意圖。該拋光墊3包括一高分子彈性體30及複數個中空結構體22，其中該等中空結構體22均勻分布於該高分子彈性體30中，且該等中空結構體22之尺寸D大致相同。在本實例中，該高分子彈性體30係由一高分子樹脂20硬化而成，該高分子樹脂20之材質係選自由聚醯胺樹脂(Polyamide Resin)、聚碳酸酯(Polycarbonate)、聚甲基丙烯酸樹脂、環氧樹脂(Epoxy Resin)、酚醛樹脂(Phenolic Resin)、聚氨酯樹脂(Polyurethane Resin)、乙烯苯樹脂(Vinylbenzene Resin)及丙烯酸樹脂(Acrylic Resin)所組成之群，且該等中空結構體22之材質係為水性聚氨酯(Polyurethane)或丙烯酸樹脂(Acrylic)。在本實施例中，該高分子樹脂20之材質係為丙烯酸樹脂，例如環氧丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯或聚醚丙烯酸酯。該等中空結構體22之材質係為水性聚 氨酯(Polyurethane)。
在本實施例中，該等中空結構體22係為膠囊狀結構，其係由一外殼221形成一封閉空間，較佳地，該等中空結構體22係為圓球狀。該等中空結構體22之尺寸D係為10μm至100μm，且該等中空結構體22間之尺寸偏差(Size Variation)在20%以內。在本實施例中，該等中空結構體22之尺寸D係為30μm至40μm。在本實施例中，該等中空結構體22係帶電荷。
在本實施例中，其中該高分子彈性體30包括複數層高分子層24,26,28，每一該等高分子層24,26,28包含一排中空結構體22，且該排中空結構體22係位於該高分子層24,26,28內之中央位置。
在拋光過程中，由於該等中空結構體22之尺寸大致相同且均勻分佈於該拋光墊3中，因此，當該排中空結構體22有破洞時(此時該排中空結構體22即為孔洞)，或是該排中空結構體22皆被移除而留下孔洞時，研磨液滲入該拋光墊3的程度相同，因此可提高研磨效果。換言之，該拋光墊3之孔洞並非發泡而成。
參考圖7至圖12，顯示本發明拋光墊之另一實施例之製造方法之製程步驟示意圖。參考圖7，提供一高分子樹脂20，該高分子樹脂20之材質係選自由聚醯胺樹脂(Polyamide Resin)、聚碳酸酯(Polycarbonate)、聚甲基丙烯酸樹脂、環氧樹脂(Epoxy Resin)、酚醛樹脂(Phenolic Resin)、聚氨酯樹脂(Polyurethane Resin)、乙烯苯樹脂(Vinylbenzene Resin)及丙烯酸樹脂(Acrylic Resin)所組成之群。在本實施例中，該高分子樹脂20之材質係為丙烯酸樹脂，例如環氧丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯或聚醚丙烯酸酯。
接著，將部分該高分子樹脂20塗佈(例如：刮刀式塗佈(Blade Coating))於一載體23上，以形成一第一高分子層24。
參考圖8，將複數個第一中空結構體22a嵌於該第一高分子層24之 上表面241，使得每一第一中空結構體22a之下部位於該第一高分子層24中，且該第一中空結構體22a之上部顯露於該第一高分子層24之外。在本實施例中，係利用上述電噴霧擠壓注射法使得該等第一中空結構體22a帶電荷，而且，在該第一高分子層24還未固化前，將該等第一中空結構體22a直接從該噴霧嘴噴出至該第一高分子層24之上表面241。此時，由於該第一高分子層24還未固化及該等第一中空結構體22a本身之重力，該等第一中空結構體22a會嵌於該第一高分子層24之上表面241。
該等第一中空結構體22a之尺寸D大致相同，且均勻分布於該第一高分子層24之上表面241。在本實施例中，該等第一中空結構體22a係為膠囊狀結構，其係由一外殼221形成一封閉空間，較佳地，該等第一中空結構體22a係為圓球狀。該等第一中空結構體22a之尺寸D係為10μm至100μm，且該等第一中空結構體22a間之尺寸偏差(Size Variation)在20%以內。在本實施例中，該等第一中空結構體22a之尺寸D係為30μm至40μm。該等第一中空結構體22a之材質係為水性聚氨酯(Polyurethane)或丙烯酸樹脂(Acrylic)，在本實施例中，該等第一中空結構體22a之材質係為水性聚氨酯(Polyurethane)。
接著，利用照UV光或加熱方式以硬化該第一高分子層24。在本實施例中，係利用照UV光方式以硬化該第一高分子層24，照射時間為1分鐘至1小時。該高分子樹脂20利用本身之低聚物(oligomer)及聚合物單體(monomer)中之雙鍵進行鍵結而硬化。
參考圖9，將部分該高分子樹脂20塗佈(例如：刮刀式塗佈(Blade Coating))於該第一高分子層24上，以形成一第二高分子層26，其中該第二高分子層26覆蓋該第一高分子層24上表面241及該等第一中空結構體22a。
參考圖10，將複數個第二中空結構體22b嵌於該第二高分子層26 之上表面261，使得每一第二中空結構體22b之下部位於該第二高分子層26中，且該第二中空結構體22b之上部顯露於該第二高分子層26之外。在本實施例中，係利用上述電噴霧擠壓注射法使得該等第二中空結構體22b帶電荷，而且，在該第二高分子層26還未固化前，將該等第二中空結構體22b直接從該噴霧嘴噴出至該第二高分子層26之上表面261。此時，由於該第二高分子層26還未固化及該等第二中空結構體22b本身之重力，該等第二中空結構體22b會嵌於該第二高分子層26之上表面261。該等第二中空結構體22b之尺寸D大致相同，且均勻分布於該第二高分子層26之上表面261。該等第二中空結構體22b與該等第一中空結構體22a相同或不同。
接著，利用照UV光或加熱方式以硬化該第二高分子層26。在本實施例中，係利用照UV光方式以硬化該第二高分子層26，照射時間為1分鐘至1小時。
參考圖11，重複上述圖9及10之步驟至少一次，以形成至少一層高分子層28於該第二高分子層26上，其中該等高分子層24,26,28形成一高分子彈性體30，其中該等高分子層24,26,28之材質可以相同或不同。
參考圖12，移除該載體23，以形成一拋光墊3a。
請再參考圖12，顯示本發明拋光墊之另一實施例之剖視示意圖。該拋光墊3a包括一高分子彈性體30及複數個中空結構體22a,22b,22，其中該等中空結構體22a,22b,22均勻分布於該高分子彈性體30中，且該等中空結構體22a,22b,22之尺寸D大致相同。在本實例中，該高分子彈性體30係由一高分子樹脂20硬化而成，該高分子樹脂20之材質係選自由聚醯胺樹脂(Polyamide Resin)、聚碳酸酯(Polycarbonate)、聚甲基丙烯酸樹脂、環氧樹脂(Epoxy Resin)、酚醛樹脂(Phenolic Resin)、聚氨酯樹脂(Polyurethane Resin)、乙烯苯樹脂 (Vinylbenzene Resin)及丙烯酸樹脂(Acrylic Resin)所組成之群，且該等中空結構體22a,22b,22之材質係為水性聚氨酯(Polyurethane)或丙烯酸樹脂(Acrylic)。在本實施例中，該高分子樹脂20之材質係為丙烯酸樹脂，例如環氧丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯或聚醚丙烯酸酯，該等中空結構體22a,22b,22之材質係為水性聚氨酯(Polyurethane)。
在本實施例中，該等中空結構體22a,22b,22係為膠囊狀結構，其係由一外殼221形成一封閉空間，較佳地，該等中空結構體22a,22b,22係為圓球狀。該等中空結構體22a,22b,22之尺寸D係為10μm至100μm，且該等中空結構體22a,22b,22間之尺寸偏差(Size Variation)在20%以內。在本實施例中，該等中空結構體22a,22b,22之尺寸D係為30μm至40μm。
在本實施例中，其中該高分子彈性體30包括複數層高分子層24,26,28，每二層高分子層包含一排中空結構體，使得該中空結構體之一部分位於一上層高分子層中，其另一部分位於一下層高分子層中。舉例而言，該第一高分子層24及該第二高分子層26間包含一排第一中空結構體22a，使得該第一中空結構體22a之一部分位於一上層高分子層(該第二高分子層26)中，其另一部分位於一下層高分子層(該第一高分子層24)中。
上述實施例僅為說明本發明之原理及其功效，並非限制本發明，因此習於此技術之人士對上述實施例進行修改及變化仍不脫本發明之精神。本發明之權利範圍應如後述之申請專利範圍所列。
3‧‧‧拋光墊
20‧‧‧高分子樹脂
22‧‧‧中空結構體
24‧‧‧第一高分子層
26‧‧‧第二高分子層
28‧‧‧高分子層
30‧‧‧高分子彈性體
221‧‧‧外殼
D‧‧‧中空結構體之尺寸

Claims (8)

  1. 一種拋光墊，包括：一高分子彈性體；及複數個中空結構體，均勻分布於該高分子彈性體中，且該等中空結構體間之尺寸偏差(Size Variation)在20%以內，其中該高分子彈性體包括複數層高分子層，每一該等高分子層包含一排中空結構體，且該排中空結構體係位於該高分子層內之中央位置。
  2. 如請求項1之拋光墊，其中該高分子彈性體係由一高分子樹脂硬化而成，該高分子樹脂之材質係選自由聚醯胺樹脂(Polyamide Resin)、聚碳酸酯(Polycarbonate)、聚甲基丙烯酸樹脂、環氧樹脂(Epoxy Resin)、酚醛樹脂(Phenolic Resin)、聚氨酯樹脂(Polyurethane Resin)、乙烯苯樹脂(Vinylbenzene Resin)及丙烯酸樹脂(Acrylic Resin)所組成之群，且該等中空結構體之材質係為水性聚氨酯(Polyurethane)或丙烯酸樹脂(Acrylic)。
  3. 如請求項1之拋光墊，其中該等中空結構體係為膠囊狀結構，其尺寸係為10μm至100μm。
  4. 一種拋光墊，包括：一高分子彈性體；及複數個中空結構體，均勻分布於該高分子彈性體中，且該等中空結構體間之尺寸偏差(Size Variation)在20%以內，其中該高分子彈性體包括複數層高分子層，每二層高分子層包含一排中空結構體，使得該中空結構體之一部分位於一上層高分子層中，其另一部分位於一下層高分子層中。
  5. 如請求項4之拋光墊，其中該高分子彈性體係由一高分子樹脂硬 化而成，該高分子樹脂之材質係選自由聚醯胺樹脂(Polyamide Resin)、聚碳酸酯(Polycarbonate)、聚甲基丙烯酸樹脂、環氧樹脂(Epoxy Resin)、酚醛樹脂(Phenolic Resin)、聚氨酯樹脂(Polyurethane Resin)、乙烯苯樹脂(Vinylbenzene Resin)及丙烯酸樹脂(Acrylic Resin)所組成之群，且該等中空結構體之材質係為水性聚氨酯(Polyurethane)或丙烯酸樹脂(Acrylic)。
  6. 一種拋光墊之製造方法，包括以下步驟：(a)將複數個中空結構體混合於一高分子樹脂內，其中該等中空結構體間之尺寸偏差(Size Variation)在20%以內，且該等中空結構體係均勻分布於該高分子樹脂中；(b)將部分該高分子樹脂塗佈於一載體上，以形成一第一高分子層，其中該第一高分子層包含至少一排中空結構體；(c)硬化該第一高分子層；(d)將部分該高分子樹脂塗佈於該第一高分子層上，以形成一第二高分子層，其中該第二高分子層包含至少一排中空結構體；(e)硬化該第二高分子層；及(f)重複上述步驟(d)及(e)至少一次，以形成一拋光墊。
  7. 如請求項6之方法，其中該步驟(a)中該等中空結構體係帶電荷，該步驟(b)中係施加一電場以使該等中空結構體排列於該第一高分子層中。
  8. 一種拋光墊之製造方法，包括以下步驟：(a)提供一高分子樹脂，且將部分該高分子樹脂塗佈於一載體上，以形成一第一高分子層；(b)將複數個第一中空結構體嵌於該第一高分子層之上表面，使得每一第一中空結構體之下部位於該第一高分子層中，該第 一中空結構體之上部顯露於該第一高分子層之外，其中該等第一中空結構體間之尺寸偏差(Size Variation)在20%以內，且均勻分布於該第一高分子層之上表面；(c)硬化該第一高分子層；(d)將部分該高分子樹脂塗佈於該第一高分子層上，以形成一第二高分子層，其中該第二高分子層覆蓋該等第一中空結構體；(e)將複數個第二中空結構體嵌於該第二高分子層之上表面，使得每一第二中空結構體之下部位於該第二高分子層中，該第二中空結構體之上部顯露於該第二高分子層之外，其中該等第二中空結構體間之尺寸偏差(Size Variation)在20%以內，且均勻分布於該第二高分子層之上表面；(f)硬化該第二高分子層；及(g)重複上述步驟(d)至(f)至少一次，以形成一拋光墊。
TW104100992A 2015-01-12 2015-01-12 拋光墊及其製造方法 TWI518176B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW104100992A TWI518176B (zh) 2015-01-12 2015-01-12 拋光墊及其製造方法
US14/872,370 US9884400B2 (en) 2015-01-12 2015-10-01 Polishing pad and method for making the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW104100992A TWI518176B (zh) 2015-01-12 2015-01-12 拋光墊及其製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TWI518176B true TWI518176B (zh) 2016-01-21
TW201625765A TW201625765A (zh) 2016-07-16

Family

ID=55640399

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104100992A TWI518176B (zh) 2015-01-12 2015-01-12 拋光墊及其製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9884400B2 (zh)
TW (1) TWI518176B (zh)

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5533923A (en) * 1995-04-10 1996-07-09 Applied Materials, Inc. Chemical-mechanical polishing pad providing polishing unformity
US5795218A (en) * 1996-09-30 1998-08-18 Micron Technology, Inc. Polishing pad with elongated microcolumns
JP2000344902A (ja) * 1999-06-04 2000-12-12 Fuji Spinning Co Ltd 研磨パッド用ウレタン成形物の製造法及び研磨パッド用ウレタン成形物
US6623331B2 (en) * 2001-02-16 2003-09-23 Cabot Microelectronics Corporation Polishing disk with end-point detection port
US7182672B2 (en) 2001-08-02 2007-02-27 Sv Probe Pte. Ltd. Method of probe tip shaping and cleaning
TWI222390B (en) 2001-11-13 2004-10-21 Toyo Boseki Polishing pad and its production method
US7579071B2 (en) 2002-09-17 2009-08-25 Korea Polyol Co., Ltd. Polishing pad containing embedded liquid microelements and method of manufacturing the same
US7074115B2 (en) * 2003-10-09 2006-07-11 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pad
KR20050070418A (ko) 2003-12-30 2005-07-07 동부아남반도체 주식회사 화학기계적연마 장비용 다층구조의 폴리싱패드
TW200720017A (en) * 2005-09-19 2007-06-01 Rohm & Haas Elect Mat Water-based polishing pads having improved adhesion properties and methods of manufacture
TWI287486B (en) * 2006-05-04 2007-10-01 Iv Technologies Co Ltd Polishing pad and method thereof
KR100804275B1 (ko) 2006-07-24 2008-02-18 에스케이씨 주식회사 고분자 쉘로 둘러싸인 액상 유기물 코어를 포함하는 ｃｍｐ연마패드 및 그 제조방법
US20100035529A1 (en) 2008-08-05 2010-02-11 Mary Jo Kulp Chemical mechanical polishing pad
JP5959390B2 (ja) 2012-09-26 2016-08-02 富士紡ホールディングス株式会社 研磨パッド用シート、研磨パッド及びその製造方法、並びに研磨方法

Also Published As

Publication number Publication date
US9884400B2 (en) 2018-02-06
US20160199961A1 (en) 2016-07-14
TW201625765A (zh) 2016-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8137166B2 (en) Polishing pad having micro-grooves on the pad surface
TWI689406B (zh) 研磨墊及製造其之方法
TWI675869B (zh) 可ｕｖ硬化之ｃｍｐ研磨墊及其製造方法
TWI629721B (zh) 具有促進控制調節的材料組成之化學機械硏磨墊
WO2013176378A1 (ko) 연마패드 및 그 제조방법
JP7254905B2 (ja) 層状の材料被着により３次元の成形物を製造する方法
WO2013125807A1 (ko) 연마패드 및 그 제조방법
CN104625945A (zh) 抛光垫及其制造方法
TW201206527A (en) Systems and methods for manufacturing a golf ball
CN113286693A (zh) 用于通过逐层施加材料来制造三维的成型对象的方法
KR20160047184A (ko) 미세섬모 구조물의 제조방법 및 미세섬모 구조물
TWI518176B (zh) 拋光墊及其製造方法
CN105983900B (zh) 抛光垫及其制造方法
US10906154B2 (en) Polishing pad and method for making the same
KR102376599B1 (ko) 고분자 연마 패드의 원심 성형법
US9669518B2 (en) Polishing pad and method for making the same
TW201402275A (zh) 用於離心鑄造聚合物拋光墊之方法及系統及由該方法製得之拋光墊
CN107571144B (zh) 研磨层及其制造方法以及研磨方法
TWI531442B (zh) 研磨墊、研磨裝置及研磨墊之製造方法
KR101744694B1 (ko) 혼합 기공 구조를 갖는 ｃｍｐ패드
JP2017148429A (ja) 貫通孔を有するモールドの製造方法、および、突起状パターンを有するパターンシートの製造方法
KR102644165B1 (ko) 선택적 화학 경화 방식 세라믹 3차원 인쇄
TWI848122B (zh) 具有葉狀突出結構之cmp拋光墊
KR102642642B1 (ko) 우레탄 필름의 제조 방법
US20190261770A1 (en) Applicator Having a Microstructured Surface