TWI515711B - 畫素結構 - Google Patents

Description

畫素結構

本發明是有關於一種平面顯示技術，且特別是有關於一種畫素結構。

發光二極體(light emitting diode,LED)由於具有省電、使用壽命長、啟動快速、體積小…等多種優點，因此近年來被廣泛的應用在平面顯示器中。其中，有機發光二極體(organic light emitting diode,OLED)又因為高亮度、高對比、自發光、無視角限制、無需背光結構與彩色濾光片結構等優點，在目前已逐漸成為平面顯示器中最具有發展潛力的一種技術。

OLED顯示器又可分為主動式矩陣(active matrix,AM)OLED顯示器以及被動式矩陣(passive matrix,PM)OLED顯示器。AMOLED顯示器與PMOLED顯示器相比，具有使用壽命較長以及耗電量較小等優點，因此常應用於大尺寸的面板。圖1為傳統AMOLED顯示器的畫素結構100的電路圖。畫素結構100包括電晶體M1、電晶體M2、電容C1以及有機發光二極體D1。有機發光二極體D1一端耦接電晶體M1，另一端耦接電壓V2。電晶體M1接收電壓V1用以驅動OLED D1。 資料信號DATA與掃描信號SCAN則藉由電晶體M2的導通或斷開而提供至畫素結構100。

AMOLED顯示器中各畫素結構100的電壓V1是相互連接的，當畫素結構100驅動發光時，電壓V1上會有電流流過。由於電壓V1導線上具有阻抗，所以電流流經電壓V1導線時會產生壓降，造成各畫素結構100之間會存在電流差異。由此可知，流經各OLED D1的電流也不同。另一方面，受到製程的影響，各畫素結構100中電晶體M1的臨界電壓(threshold voltage)也會有所差異。因此，即使在各畫素結構100中都施加相同的資料信號DATA，流經各OLED D1的電流也會不同，因此造成AMOLED顯示器容易產生亮度不均勻的現象。

本發明提供一種畫素結構，可改善顯示面板亮度不均勻的問題。

本發明的畫素結構，用以驅動發光二極體。畫素結構包括驅動電晶體、偏壓電壓產生器、初始化開關、第一掃描開關、第二掃描開關以及耦合開關。驅動電晶體具有第一端、第二端以及控制端，驅動電晶體的第二端耦接至發光二極體，驅動電晶體的第一端接收第一參考操作電壓，驅動電晶體的控制端接收偏壓電壓。偏壓電壓產生器耦接驅動電晶體，依據第一參考電壓、第二參考電壓、第一參考操作電壓以及顯示資料以產生偏壓電壓。初始化開關耦接在偏壓電壓產生器與第一參考電壓間，依據初始 控制信號以導通或斷開。第一掃描開關耦接在偏壓電壓產生器與第二參考電壓間，依據前級掃描信號以導通或斷開。第二掃描開關接收顯示資料及目前掃描信號，依據目前掃描信號以導通或斷開。耦合開關耦接在偏壓電壓產生器以及驅動電晶體的第一端間，依據耦合控制信號以導通或斷開。

基於上述，本發明的畫素結構是利用驅動電晶體、偏壓電壓產生器、初始化開關、第一掃描開關、第二掃描開關以及耦合開關，可使畫素結構中的發光二極體所呈現的亮度只與提供至畫素結構的第一參考電壓以及顯示資料有關。由另一個觀點來看，顯示面板所呈現的亮度與電晶體的臨界電壓以及畫素結構的第一參考操作電壓無關。因此，本發明的畫素結構能有效的改善傳統顯示面板亮度不均勻的問題。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

50‧‧‧顯示面板

100、200、300、400、500‧‧‧畫素結構

202、302、402‧‧‧偏壓電壓產生器

204、304、404‧‧‧初始化開關

206、306、406‧‧‧第一掃描開關

208、308、408‧‧‧第二掃描開關

210、310、410‧‧‧耦合開關

C1、C2、C3‧‧‧電容

D1、D2、D3、D4‧‧‧二極體

DATA‧‧‧資料信號

I、I1、I2‧‧‧電流

INTA‧‧‧初始控制信號

M1、M2、MB、MB1、MC、MC1、MD、MD1、MD2、MF、MF1、MI、MI1、MS、MS1‧‧‧電晶體

OVDD‧‧‧第一參考操作電壓

OVSS‧‧‧第二參考操作電壓

P1‧‧‧初始化期間

P2‧‧‧顯示期間

P11‧‧‧第一子期間

P12‧‧‧第二子期間

SCAN‧‧‧掃描信號

SCAN1‧‧‧前級掃描信號

SCAN2‧‧‧目前掃描信號

V1、V2、V_OLED‧‧‧電壓

Vbias‧‧‧偏壓電壓

Vdata‧‧‧顯示資料

Vint‧‧‧第二參考電壓

Vstd‧‧‧第一參考電壓

COU‧‧‧耦合控制信號

圖1繪示一種傳統主動式矩陣有機發光二極體(AMOLED)顯示器的畫素結構100的電路圖。

圖2繪示本發明一實施例的一種發光二極體顯示器的畫素結構200的電路圖。

圖3A與圖4A分別繪示本發明另一實施例的一種發光二極體 顯示器的畫素結構300與畫素結構400的電路圖。

圖3B與圖4B分別繪示為圖3A與圖4A的畫素結構300與畫素結構400的驅動波形圖。

圖5繪示本發明一實施例的一種顯示面板50的示意圖。

圖2繪示本發明一實施例的一種發光二極體顯示器的畫素結構200的電路圖。畫素結構200用以驅動發光二極體D2。畫素結構200包括驅動電晶體MD、偏壓電壓產生器202、初始化開關204、第一掃描開關206、第二掃描開關208以及耦合開關210。在此實施例中，驅動電晶體MD、初始化開關204、第一掃描開關206、第二掃描開關208以及耦合開關210可以是金氧半場效電晶體(metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor,MOSFET)，偏壓電壓產生器202可以是電容或是由電容與開關元件所組成的電路，發光二極體D2可以是OLED或其他發光元件。

舉例來說，驅動電晶體MD可以是P型MOSFET，驅動電晶體MD具有第一端(例如源極端)、第二端(例如汲極端)以及控制端(例如閘極端)。驅動電晶體MD的第一端接收第一參考操作電壓OVDD，驅動電晶體MD的第二端耦接至發光二極體D2的陽極，驅動電晶體MD的控制端接收偏壓電壓Vbias。發光二極體D2的陰極則耦接至第二參考操作電壓OVSS。

偏壓電壓產生器202耦接驅動電晶體MD，並依據第一參 考電壓Vstd、第二參考電壓Vint、第一參考操作電壓OVDD以及顯示資料Vdata以產生偏壓電壓Vbias，其中，在本實施例中，第一參考電壓Vstd的電壓值低於第一參考操作電壓OVDD。初始化開關204耦接在偏壓電壓產生器202與第一參考電壓Vstd間，並依據初始控制信號INTA以導通(turn on)或斷開(turn off)。第一掃描開關206耦接在偏壓電壓產生器202與第二參考電壓Vint間，並依據前級掃描信號SCAN1以導通或斷開。第二掃描開關208接收顯示資料Vdata以及目前掃描信號SCAN2，並依據目前掃描信號SCAN2以導通或斷開。耦合開關210耦接偏壓電壓產生器202以及驅動電晶體MD的第一端間，並依據耦合控制信號COU以導通或斷開。

畫素結構200利用驅動電晶體MD來提供驅動電流以驅動發光二極體D2。而其中的第一掃描開關206、第二掃描開關208不會同時被導通，且在本發明實施例中，第一掃描開關206、第二掃描開關208可依序被導通。

在畫素結構200的動作細節方面，請同時參照圖3A以及圖3B，其中圖3A繪示本發明另一實施例的一種發光二極體顯示器的畫素結構300的電路圖，圖3B繪示為圖3A的畫素結構300的驅動波形圖。畫素結構300包括驅動電晶體MD1、偏壓電壓產生器302、初始化開關304、第一掃描開關306、第二掃描開關308以及耦合開關310。在此實施例中，驅動電晶體MD1、初始化開關304、第一掃描開關306、第二掃描開關308以及耦合開關310 可以是P型MOSFET。偏壓電壓產生器302包括電容C2以及電晶體MB。電容C2的第一端耦接至初始化開關304以及耦合開關310，電容C2的第二端耦接至驅動電晶體MD1的控制端。電晶體MB可以是P型MOSFET，電晶體MB具有第一端、第二端以及控制端。電晶體MB的第二端與控制端共同耦接至電容C2的第二端，電晶體MB的第一端耦接至第二掃描開關308。

初始化開關304為電晶體MI(例如：第一電晶體)，具有第一端、第二端以及控制端。電晶體MI的第一端接收第一參考電壓Vstd，電晶體MI的第二端耦接至偏壓電壓產生器302，電晶體MI的控制端接收初始控制信號INTA。第一掃描開關306為電晶體MF(例如：第三電晶體)，具有第一端、第二端以及控制端。電晶體MF的第一端耦接至偏壓電壓產生器302，電晶體MF的第二端接收第二參考電壓Vint，電晶體MF的控制端接收前級掃描信號SCAN1。

第二掃描開關308為電晶體MS(例如：第二電晶體)，具有第一端、第二端以及控制端。電晶體MS的第一端接收顯示資料Vdata，電晶體MS的第二端耦接至偏壓電壓產生器302，電晶體MS的控制端接收目前掃描信號SCAN2。耦合開關310為電晶體MC(例如：第四電晶體)，具有第一端、第二端以及控制端。電晶體MC的第一端耦接至偏壓電壓產生器302，電晶體MC的第二端接收第一參考操作電壓OVDD，電晶體MC的控制端接收耦合控制信號COU。

在圖3B中，畫素結構300的運作可分為初始化期間P1以及顯示期間P2，顯示期間P2發生在初始化期間P1之後。其中，初始化期間P1又分為第一子期間P11以及第二子期間P12。在畫素結構300的初始化期間P1，偏壓電壓產生器302依據第一參考電壓Vstd、第二參考電壓Vint以及顯示資料Vdata來產生並調整偏壓電壓Vbias。舉例來說，在初始化期間P1的第一子期間P11，初始控制信號INTA與前級掃描信號SCAN1例如等於邏輯低準位，初始化開關304以及第一掃描開關306被導通。另一方面，目前掃描信號SCAN2與耦合控制信號COU例如皆等於邏輯高準位，第二掃描開關308以及耦合開關310則會斷開。第一參考電壓Vstd以及第二參考電壓Vint被提供至偏壓電壓產生器302。由另一個觀點來看，在第一子期間P11，施加在電容C2的第一端與第二端上的電壓分別為第一參考電壓Vstd以及第二參考電壓Vint。

接著，在初始化期間P1的第二子期間P12，初始控制信號INTA與目前掃描信號SCAN2例如等於邏輯低準位，而前級掃描信號SCAN1與耦合控制信號COU等於邏輯高準位。因此，初始化開關304以及第二掃描開關308被導通，第一掃描開關306被斷開，顯示資料Vdata被提供至偏壓電壓產生器302以使偏壓電壓Vbias依據顯示資料Vdata而被調整。此時，施加在電容C2的第一端上的電壓仍然為第一參考電壓Vstd。另一方面，施加在電容C2的第二端上的電壓為顯示資料Vdata的電壓值減去電晶體 MB的臨界電壓值，即為偏壓電壓Vbias，偏壓電壓Vbias可依據顯示資料Vdata而被調整。由另一個觀點來看，在初始化期間P1的第二子期間P12時，顯示資料Vdata藉由電晶體MS提供至畫素結構300。

最後，在顯示期間P2，初始控制信號INTA、前級掃描信號SCAN1以及目前掃描信號SCAN2皆等於邏輯高準位，而耦合控制信號COU等於邏輯低準位。此時，耦合開關310被導通，第一掃描開關306、第二掃描開關308以及初始化開關304被斷開。第一參考操作電壓OVDD被提供至偏壓電壓產生器302以調整偏壓電壓Vbias，驅動電晶體MD1依據調整後的偏壓電壓Vbias以產生驅動電流來驅動發光二極體D3。值得注意的是，上述初始控制信號INTA、前級掃描信號SCAN1、目前掃描信號SCAN2以及耦合控制信號COU的邏輯準位高低與初始化開關304、第一掃描開關306、第二掃描開關308以及耦合開關310的導通和斷開關係僅為一示範性實施例，但本發明並不侷限於此。

電晶體MC被導通後，顯示資料Vdata能夠經由電晶體MD1提供給發光二極體D3。另一方面，在顯示期間P2，施加在電容C2的第一端上的電壓為第一參考操作電壓OVDD，施加在電容C2的第二端上的電壓為顯示資料Vdata的電壓值減去電晶體MB的臨界電壓絕對值加上第一參考操作電壓OVDD的電壓值並減去第一參考電壓的電壓值Vstd。施加在電容C2的第二端上的電壓即為偏壓電壓Vbias，也就是驅動電晶體MD1閘極端上的電壓。 由此可知，在顯示期間P2，流經驅動電晶體MD1的電流I1可由下列公式(1)表示：I1=K(Vsg-| Vth |)²............(1)其中，K為驅動電晶體MD1的導電參數(conduction parameter)，Vsg為驅動電晶體MD1源極端與閘極端兩端之間的電壓差，Vth為驅動電晶體MD1的臨界電壓。

由於在顯示期間P2，驅動電晶體MD1源極端的電壓即為第一參考操作電壓OVDD。因此，公式(1)可表示為：I1=K[OVDD-(Vdata-| Vth |+OVDD-Vstd-| Vth |)]²=K(Vstd-Vdata)².........................(2)由公式(2)可知，流經發光二極體D3的電流I1只與第一參考電壓Vstd以及顯示資料Vdata有關，而與驅動電晶體MD1的臨界電壓Vth、第一參考操作電壓OVDD以及發光二極體D3的跨壓無關。因此，本發明的畫素架構300利用六個電晶體與一個電容可以克服電晶體在製作過程上的所產生的臨界電壓差異，也不會發生電流流經第一參考操作電壓OVDD導線時所產生的壓降問題。

圖4A與圖4B為畫素結構200動作細節的又一實施例，請同時參照圖4A以及圖4B，其中圖4A繪示本發明又一實施例的一種發光二極體顯示器的畫素結構400的電路圖。圖4B繪示為圖4A的畫素結構400的驅動波形圖。畫素結構400為圖3A中畫素結構300的一種互補式結構。畫素結構400包括驅動電晶體MD2、偏壓電壓產生器402、初始化開關404、第一掃描開關406、第二 掃描開關408以及耦合開關410。在此實施例中，驅動電晶體MD2、初始化開關404、第一掃描開關406、第二掃描開關408以及耦合開關410可以是N型MOSFET。驅動電晶體MD2具有第一端(例如汲極端)、第二端(例如源極端)以及控制端(例如閘極端)。驅動電晶體MD2的第一端接收第一參考操作電壓OVDD，驅動電晶體MD2的第二端耦接至發光二極體D4的陽極，驅動電晶體MD2的控制端接收偏壓電壓Vbias。發光二極體D4的陰極則耦接至第二參考操作電壓OVSS。偏壓電壓產生器402包括電容C3以及電晶體MB1。電容C3的第一端耦接至初始化開關404以及耦合開關410，電容C3的第二端耦接至驅動電晶體MD2的控制端。電晶體MB1可以是N型MOSFET，電晶體MB1具有第一端、第二端以及控制端。電晶體MB1的第二端與控制端共同耦接至電容C3的第二端，電晶體MB1的第一端耦接至第二掃描開關408。

初始化開關404為電晶體MI1，具有第一端、第二端以及控制端。電晶體MI1的第一端接收第一參考電壓Vstd，電晶體MI1的第二端耦接至偏壓電壓產生器402，電晶體MI1的控制端接收初始控制信號INTA。第一掃描開關406為電晶體MF1，具有第一端、第二端以及控制端。電晶體MF1的第一端耦接至偏壓電壓產生器402，電晶體MF1的第二端接收第二參考電壓Vint，電晶體MF1的控制端接收前級掃描信號SCAN1。

第二掃描開關408為電晶體MS1，具有第一端、第二端以及控制端。電晶體MS1的第一端接收顯示資料Vdata，電晶體 MS1的第二端耦接至偏壓電壓產生器402，電晶體MS1的控制端接收目前掃描信號SCAN2。耦合開關410為電晶體MC1，具有第一端、第二端以及控制端。電晶體MC1的第一端耦接至偏壓電壓產生器402，電晶體MC1的第二端接收第二參考操作電壓OVSS及發光二極體D4的電壓值V_OLED，電晶體MC1的控制端接收耦合控制信號COU。

在圖4B中，畫素結構400的運作可分為初始化期間P1以及顯示期間P2，顯示期間P2發生在初始化期間P1之後。其中，初始化期間P1又分為第一子期間P11以及第二子期間P12。在畫素結構400的初始化期間P1，偏壓電壓產生器402依據第一參考電壓Vstd、第二參考電壓Vint以及顯示資料Vdata來產生並調整偏壓電壓Vbias。舉例來說，在初始化期間P1的第一子期間P11，初始控制信號INTA與前級掃描信號SCAN1例如等於邏輯高準位，初始化開關404以及第一掃描開關406被導通。另一方面，目前掃描信號SCAN2與耦合控制信號COU例如皆等於邏輯低準位，第二掃描開關408以及耦合開關410則會斷開。第一參考電壓Vstd以及第二參考電壓Vint被提供至偏壓電壓產生器402。由另一個觀點來看，在第一子期間P11，施加在電容C3的第一端與第二端上的電壓分別為第一參考電壓Vstd以及第二參考電壓Vint。

接著，在初始化期間P1的第二子期間P12，初始控制信號INTA與目前掃描信號SCAN2例如等於邏輯高準位，而前級掃 描信號SCAN1與耦合控制信號COU等於邏輯低準位。因此，初始化開關404以及第二掃描開關408被導通，第一掃描開關406被斷開，顯示資料Vdata被提供至偏壓電壓產生器402以使偏壓電壓Vbias依據顯示資料Vdata而被調整。此時，施加在電容C3的第一端上的電壓仍然為第一參考電壓Vstd。另一方面，施加在電容C3的第二端上的電壓為顯示資料Vdata的電壓值減去電晶體MB1的臨界電壓值，即為偏壓電壓Vbias，偏壓電壓Vbias可依據顯示資料Vdata而被調整。由另一個觀點來看，在初始化期間P1的第二子期間P12時，顯示資料Vdata藉由電晶體MS1提供至畫素結構400。

最後，在顯示期間P2，初始控制信號INTA、前級掃描信號SCAN1以及目前掃描信號SCAN2皆等於邏輯低準位，而耦合控制信號COU等於邏輯高準位。此時，耦合開關410被導通，第一掃描開關406、第二掃描開關408以及初始化開關404被斷開。第二參考操作電壓OVSS及發光二極體D4的電壓值V_OLED被提供至偏壓電壓產生器402以調整偏壓電壓Vbias，驅動電晶體MD2依據調整後的偏壓電壓Vbias以產生驅動電流來驅動發光二極體D4。值得注意的是，上述初始控制信號INTA、前級掃描信號SCAN1、目前掃描信號SCAN2以及耦合控制信號COU的邏輯準位高低與初始化開關404、第一掃描開關406、第二掃描開關408以及耦合開關410的導通和斷開關係僅為一示範性實施例，但本發明並不侷限於此。

電晶體MC1被導通後，顯示資料Vdata能夠經由電晶體MD2提供給發光二極體D4。另一方面，在顯示期間P2，施加在電容C3的第一端上的電壓為第二參考操作電壓OVSS加上發光二極體D4的電壓值V_OLED，施加在電容C2的第二端上的電壓為顯示資料Vdata的電壓值加上電晶體MB1的臨界電壓絕對值再加上第二參考操作電壓OVSS的電壓值與發光二極體D4的電壓值V_OLED並減去第一參考電壓的電壓值Vstd。施加在電容C3的第二端上的電壓即為偏壓電壓Vbias，也就是驅動電晶體MD2閘極端上的電壓。由此可知，在顯示期間P2，流經驅動電晶體MD2的電流I2可由下列公式(3)表示：I2=K(Vgs-| Vth |)²............(3)其中，K為驅動電晶體MD2的導電參數(conduction parameter)，Vgs為驅動電晶體MD2閘極端與源極端兩端之間的電壓差，Vth為驅動電晶體MD2的臨界電壓。

由上述說明可知，公式(3)又可表示為：I2=K[(Vdata+| Vth |+OVSS+V_OLED-Vstd)-(OVSS+V_OLED)-| Vth |)]²=K(Vdata-Vstd)².........................(4)由公式(4)可知，流經發光二極體D4的電流I2只與第一參考電壓Vstd以及顯示資料Vdata有關，而與驅動電晶體MD2的臨界電壓Vth、第一參考操作電壓OVDD、第二參考操作電壓OVSS以及發光二極體D4的電壓值V_OLED無關。因此，本發明的畫素架構400利用六個電晶體與一個電容可以克服電晶體在製作過程上的所產 生的臨界電壓差異，也不會發生電流流經第一參考操作電壓OVDD導線時所產生的壓降問題。

圖5繪示本發明一實施例的一種顯示面板50的示意圖。顯示面板50包括多數個畫素結構500，多數個畫素結構500配置成多個顯示列，多個顯示列接收對應的初始控制信號INTA、目前掃描信號SCAN1、前級掃描信號SCAN2以及耦合控制信號COU。另一方面，多個顯示列接收對應的第一參考電壓Vstd、第二參考電壓Vint、第一參考操作電壓OVDD以及顯示資料Vdata。其中，多數個畫素結構500的電路配置以及動作細節可參考圖2中的畫素結構200、圖3A中的畫素結構300或是圖4A中的畫素結構400，不在此贅述。與傳統的顯示面板相比，採用畫素結構500的顯示面板50可改善傳統顯示面板在顯示期間亮度不均勻的問題。

綜上所述，本發明的畫素結構是利用驅動電晶體、偏壓電壓產生器、初始化開關、第一掃描開關、第二掃描開關以及耦合開關，在顯示面板的顯示期間，顯示面板所呈現的亮度只與提供至畫素結構的第一參考電壓以及顯示資料有關，而與電晶體的臨界電壓以及畫素結構的第一參考操作電壓無關。因此，本發明的顯示面板與其畫素結構能補償電晶體在製造過程中臨界電壓存在差異的問題。另一方面，由於顯示面板所呈現的亮度與畫素結構的第一參考操作電壓無關，因此，本發明的顯示面板與其畫素結構能有效的改善傳統的顯示面板亮度不均勻的問題。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本 發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

200‧‧‧畫素結構

202‧‧‧偏壓電壓產生器

204‧‧‧初始化開關

206‧‧‧第一掃描開關

208‧‧‧第二掃描開關

210‧‧‧耦合開關

COU‧‧‧耦合控制信號

D2‧‧‧發光二極體

INTA‧‧‧初始控制信號

MD‧‧‧驅動電晶體

OVDD‧‧‧第一參考操作電壓

OVSS‧‧‧第二參考操作電壓

SCAN1‧‧‧前級掃描信號

SCAN2‧‧‧目前掃描信號

Vbias‧‧‧偏壓電壓

Vdata‧‧‧顯示資料

Vint‧‧‧第二參考電壓

Vstd‧‧‧第一參考電壓

I‧‧‧電流

Claims (10)

1. 一種畫素結構，用以驅動一發光二極體，包括：一驅動電晶體，具有第一端、第二端以及控制端，其第二端耦接至該發光二極體，其第一端接收一第一參考操作電壓，其控制端接收一偏壓電壓；一偏壓電壓產生器，耦接該驅動電晶體，依據一第一參考電壓、一第二參考電壓、該第一參考操作電壓以及一顯示資料以產生該偏壓電壓；一初始化開關，耦接在該偏壓電壓產生器與該第一參考電壓間，依據一初始控制信號以導通或斷開；一第一掃描開關，耦接在該偏壓電壓產生器與該第二參考電壓間，依據一前級掃描信號以導通或斷開；一第二掃描開關，接收該顯示資料及一目前掃描信號，依據該目前掃描信號以導通或斷開；以及一耦合開關，耦接在該偏壓電壓產生器以及該驅動電晶體的第一端間，依據一耦合控制信號以導通或斷開。
2. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該第一參考電壓的電壓值低於該第一參考操作電壓。
3. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該偏壓電壓產生器包括：一電容，其第一端耦接至該初始化開關以及該耦合開關，其第二端耦接至該驅動電晶體的控制端；以及 一電晶體，具有第一端、第二端以及控制端，該電晶體的第二端與控制端共同耦接至該電容的第二端，該電晶體的第一端耦接至該第二掃描開關。
4. 如申請專利範圍第3項所述的畫素結構，其中該偏壓電壓產生器在一初始化期間依據該第一參考電壓、該第二參考電壓以及該顯示資料來產生並調整該偏壓電壓，該偏壓電壓產生器並在一顯示期間依據該第一參考操作電壓來調整該偏壓電壓。
5. 如申請專利範圍第4項所述的畫素結構，其中在該初始化期間的一第一子期間時，該初始化開關以及該第一掃描開關被導通，該第一參考電壓及該第二參考電壓被提供至該偏壓電壓產生器，在該初始化期間的一第二子期間時，該初始化開關以及該第二掃描開關被導通，該第一掃描開關被斷開，且該顯示資料被提供至該偏壓電壓產生器以使該偏壓電壓依據該顯示資料被調整。
6. 如申請專利範圍第4項所述的畫素結構，其中在該顯示期間，該耦合開關被導通，該第一掃描開關、該第二掃描開關以及該初始化開關被斷開，且該第一參考操作電壓被提供至該偏壓電壓產生器以調整該偏壓電壓，該驅動電晶體依據調整後的該偏壓電壓以產生驅動電流來驅動該發光二極體。
7. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該初始化開關為一第一電晶體，具有第一端、第二端以及控制端，該第一電晶體的第一端接收該第一參考電壓，該第一電晶體的第二端耦接至該偏壓電壓產生器，該第一電晶體的控制端接收該初始控制信 號。
8. 如申請專利範圍第7項所述的畫素結構，其中該第二掃描開關為一第二電晶體，具有第一端、第二端以及控制端，該第二電晶體的第一端接收該顯示資料，該第二電晶體的第二端耦接至該偏壓電壓產生器，該第二電晶體的控制端接收該目前掃描信號。
9. 如申請專利範圍第8項所述的畫素結構，其中該第一掃描開關為一第三電晶體，具有第一端、第二端以及控制端，該第三電晶體的第一端耦接至該偏壓電壓產生器，該第三電晶體的第二端接收該第二參考電壓，該第三電晶體的控制端接收該前級掃描信號。
10. 如申請專利範圍第9項所述的畫素結構，其中該耦合開關為一第四電晶體，具有第一端、第二端以及控制端，該第四電晶體的第一端耦接至該偏壓電壓產生器，該第四電晶體的第二端接收該第一參考操作電壓，該第四電晶體的控制端接收該耦合控制信號。