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TWI505991B - 供以Andrussow法製造氰化氫用之反應器 - Google Patents

供以Andrussow法製造氰化氫用之反應器 Download PDF

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TWI505991B
TWI505991B TW097127645A TW97127645A TWI505991B TW I505991 B TWI505991 B TW I505991B TW 097127645 A TW097127645 A TW 097127645A TW 97127645 A TW97127645 A TW 97127645A TW I505991 B TWI505991 B TW I505991B
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TW097127645A
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Thomas Schaefer
Robert Weber
Udo Gropp
Thomas Mertz
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Evonik Roehm Gmbh
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Description

供以Andrussow法製造氰化氫用之反應器
本發明係關於一種供以Andrussow法製造氰化氫用之反應器及使用本發明之反應器製造HCN之方法。
藉Andrussow法合成氰化氫(HCN)述於Ullmann’s Encyclopedia of Industrial Chemistry,Volume 8,VCH Verlagsgesellschaft,Weinheim 1987,p.161-162。此反應氣體混合物通常包含甲烷或含甲烷的天然氣流、氨和氧,其通過反應器中的觸媒網並於約1000℃的溫度轉化。所須的氧基本上以空氣形式使用。此觸媒網一般由鉑或鉑合金所組成。反應氣體混合物之組成粗略地對應於放熱淨反應式之化學計量比。
CH4 +NH3 +3/2O2 →HCN+3H2 OdHr=-473.9焦耳
流出的反應氣包含HCN產物、未轉化的NH3 和CH4 ,和基礎副產物CO、H2 、H2 O、CO2 和高比例的N2
此反應氣體在廢熱煮沸器中迅速冷卻至約150-200℃且後續通過滌氣塔,其中未轉化的NH3 在此滌氣塔中以稀硫酸滌除,且一部分水蒸汽被冷凝出。也已經知道以磷酸氫鈉溶液吸收NH3 及後續回收氨。在下游吸收塔中,HCN被吸收於冷水中,並在下游精餾中以純度高於99.5質量%者製得。塔底部所得之含有HCN的水經冷卻並循環至HCN吸收塔。
Andrussow法之範圍廣泛之可能的體系述於DE 549 055。據此,也已經知道供以Andrussow法製造HCN用之反應器,此反應器的一個例子詳述於EP 1 001 843 B1。這些反應器一般包含供反應物用之入口、供產物用之出口、和觸媒,其可呈,例如,多個鉑網接續排列的形式。緊臨觸媒網上方可為氣體可穿透的保護層,其作為熱屏和作為回沖防護物。
此使用已知反應器進行之方法已提供良好產率和可接受的能量需求。但是,由於產物的重要性,持續努力以改良反應器的性能和效能。
因此,就先前技術觀之,本發明的目的是提供一種得以特別簡單和低成本地製造HCN之反應器。同時,特別應提高產率、產能(公斤HCN/小時)和觸媒壽命。此外,因此,本發明的一個目的係提供一種得以使得在反應氣體中具有高HCN濃度地製造HCN,並因此而使得HCN分離所須能量特別低之反應器。
藉具有申請專利範圍第1項之所有特徵之反應器達到這些目的和未明述但由引言所討論者立即可衍生或可識別的其他目的。本發明之反應器的適當修飾受到附屬項之保護。關於製造HCN之方法,申請專利範圍第25項提供了下文所述目的之解決方式。
據此,本發明提供一種供以Andrussow法製造氰化氫用之反應器,其包含反應槽、至少一個朝氣體入口區開口的氣體入口、供反應產物用之出口、和觸媒,其中在反應槽中介於氣體入口區和觸媒之間,配置至少一個混合元件和至少一個氣體可穿透的中間層,而該混合元件位於氣體入口區和氣體可穿透的中間層之間。
因這些措施的結果,令人訝異地能夠提供得以特別簡單和低成本地製造HCN之反應器。此外,使用本發明之反應器,可提高產率和產能(公斤HCN/小時)。此外,使用本發明之反應器,可以特別低的能量需求製造HCN。此外,憑藉反應器的構造特徵,得以延長觸媒壽命。
本發明之反應器包含反應槽,其中有至少一個氣體入口開口朝向反應槽。此反應槽包含至少一個混合元件、至少一個氣體可穿透的中間層和至少一種觸媒。產物自反應槽經由至少一個出口排放。未限制反應槽本身的形狀,使其可具有矩形或圓形截面。此反應器以具有筒形為佳。反應槽的體積取決於所欲產能,且反應槽可採用具任何慣用體積的槽。適當地,此反應槽的體積可為,例如,在0.01立方米至50立方米的範圍內。反應槽的高度與直徑比(H/D)以在0.4至1.8的範圍內為佳,0.6至1.4更佳。適當地,由來自氣體可穿透的中間層的氣體流動方向觀之,反應槽具有耐熱材料製的內襯。例如,可提供陶瓷纖維材料(如,含Si的陶瓷纖維材料,其可得自商品Nefalit)層,以保護反應槽不受熱之作用。
不同的反應氣體可在反應槽的上游或反應槽中合併。據此,一、二或更多個氣體入口可朝反應槽開口。在反應槽中,此氣體先引至未限定其本身體積的氣體入口區域。
根據本發明,在氣體入口區域和觸媒之間,配置至少一個混合元件。根據此體系,氣體入口區域亦構成混合元件的一部分。此混合元件用以混合供應的反應氣體,且可以使用氣體混合機的所有已知體系。
以簡單和低維護構造為基礎,此混合元件可以較佳地設計成板狀內部物形式,其更佳地包含多個板層。本發明的較佳方面中,此混合元件可具有三、四、五或更多個板層。這些板層以基本上平行排列為佳,各個板層相對於彼此的角度以在-10°至+10°範圍內為佳,-5°至+5°更佳。板層的距離可,例如,為0.5公分至200公分,以1公分至100公分為佳,且5公分至50公分最佳。此處,可以,例如,使用鑽孔的板,其中,孔口偏位(offset),以使氣體混合。特別佳者係使用無法穿透的板。此體系中,氣流可通過孔口,其與板的板平面呈直角或介於板之間。以特別的層為基礎,不同層之特別的孔口可以交替方式配置於反應槽中間(例如,孔口在板中的形式)或在反應槽邊緣(如,介於特別的板和反應器槽壁之間)。較佳地,此構造可設計成環-盤配置(盤-圓環設計),其中,層不直接連接至反應槽,但環仍可與反應槽結合。這些配置以包含2至6個盤為佳。
在使用無法穿透的板達到氣流混合之體系中,相較於具有鑽孔板之體系,特別的層中的孔口數目較低。使用無法穿透的板之體系中的層構造以具有至多10個孔口/平方米為佳,至多5個孔口/平方米更佳。
可使用每平方米具有更多孔口的鑽孔板。例如,鑽孔的板可包含至少11個孔口/平方米,以至少15個孔口/平方米為佳,且至少20個孔口/平方米最佳。
較佳地,此混合元件包含無法穿透的板,其面積相當於反應器截面積的至少40%,至少60%更佳且至少80%最佳,且混合元件中更佳是至少25%,至少50%較佳,至少75%更佳的板具有這樣的面積。於每種情況中,反應器截面積為反應槽平行於特別的板層所測得之面積。
較佳地,前文詳述之構造形成擾流,使得氣體達到極佳的混合。
此反應槽和混合元件可製自任何耐得住所處條件的材料。適當材料特別是金屬,如,鋼。此外,反應器的這些組件可經塗覆以可防止反應氣體分解(特別是選定條件下的NH3 的分解)的材料。這些材料尤其詳述於US 5,431,984。
根據本發明,由氣體流動方向觀之,反應器在混合元件下游具有氣體可穿透的中間層。較佳地,此氣體可穿透的中間層之構形特別使得其提供反沖保護。此外,此層可過濾反應氣體,其特別移除小粒子。此外,此氣體可穿透的中間層導致壓差形成,此導致朝觸媒流動的反應氣流特別均勻。此處,壓力降可在寬範圍內,在相對高壓力降的情況下達到本發明之優點,如,在以特別高的程度通過氣體可穿透的中間層而形成高流動阻力時。另一方面,在高流動阻力情況,需要相對大量的能量來使反應氣體具有所欲的流率。因此,嫻於此技術者將最適地調整氣體可穿透的中間層於指定的環境條件下所造成之壓差和流動阻力。此處,中間層的低氣體穿透性導致高壓差。藉U型管壓力計,於反應氣體混合物的流率為1.5米/秒時測定,此氣體可穿透的中間層可較佳地產生在1至100毫巴範圍內的壓降,5至30毫巴更佳。
一較佳方面,氣體可穿透的中間層和區域性地配置於反應器中之觸媒之間的距離至少30毫米,以至少60毫米為佳。更佳地,此距離可在40毫米至1000毫米範圍內,在60毫米至100毫米範圍內最佳。此氣體可穿透的中間層以基本上與區域性地配置於反應器中的觸媒區域平行為佳。此處,氣體可穿透的中間層和區域性地配置於反應器中之觸媒形成的角度以在-10°至+10°範圍內為佳,-5°至+5°更佳。
此氣體可穿透的中間層可為,例如,非梭織品、梭織品或發泡體形式,且此層可包含一或多個片。此中間層可製自任何耐得住所處條件之材料。這些特別包括金屬(如,鋼)和無機材料(如,陶瓷或無機玻璃)。一較佳體系中,此氣體可穿透的中間層包含在觸媒方向排列的至少一個金屬網,和配備於氣體入口區域方向的至少一種玻璃綿(如,石英綿)片。配置於中間層的金屬網之公稱網格寬度以在1微米至200微米的範圍內為佳,在5微米至100微米的範圍內佳。此公稱網格寬度可藉,例如,根據ISO standard 4003之已知的氣泡試驗(氣泡點試驗)測定。此金屬網可以是,例如,金屬線製成的梭織品或編織品形式。這些包括,例如,Dutch梭織或斜紋織。玻璃綿片的厚度以在0.5公分至10公分範圍內為佳,在1公分至5公分範圍內更佳。此處,金屬網和玻璃綿片可由兩個鑽孔的金屬片包封,此鑽孔的金屬片之孔洞直徑在1毫米至100毫米範圍內,5毫米至40毫米更佳。
一旦反應氣體通過氣體可穿透的中間層,它們朝觸媒流動。可藉Andrussow法製備HCN的觸媒為一般已知者,且詳述於Ullmann’s Encyclopedia of Industrial Chemistry,Volume 8,VCH Verlagsgesellschaft,Weinheim 1987。
通常,此觸媒包含至少一種貴金屬,特別是鉑族金屬。此鉑族特別包括鉑、鈀、銥、鋨和銠,特別佳者係使用鉑。這些金屬可個別使用或以混合物使用。例如,特別可以使用包含鉑和銠的合金。
此觸媒可以以區域性的方式存在於反應器中,更佳地,配置的區域使得氣體基本上以直角通過此區域。此流動角度以在70°至110°範圍內為佳,在80°至100°範圍內更佳。較佳地,區域性地配置的觸媒基本上平行於用以混合氣體之板狀內部物地配置。這些平面所形成的角度以在-10°至+10°範圍內為佳。這些值係以與觸媒層之距離最小的板層為基礎。
在反應器內的觸媒可以,例如,為網形式,如,網編織品、網織品或柵、鑽孔的金屬片或金屬發泡體。較佳者特別是使用包含鉑的網。可以使用一、二、三、四或更多個網。已知觸媒配置的較佳體系尤其述於EP-A-0 680 767、EP-A-1 358 010、WO 02/062466和WO 01/80988。
此觸媒通常位於載體上。此載體可以,例如,製自金屬或陶瓷材料,以陶瓷材料為佳。這些載體尤其詳述於EP-A-0 680 787、EP-A-1 358 010、EP-A-1 307 401、WO 02/062466和WO 01/80988。
例如,此觸媒可置於陶瓷製的載體上。此陶瓷載體以具有多層結構為佳,此處,此載體包含上部陶瓷載體(位於觸媒方向)和下部陶瓷載體。此上部陶瓷載體可以,例如,具有直徑比下部陶瓷載體(其位於反應產物的出口方向)來得小的流動通道。上部陶瓷載體的流動通道的直徑可以是,例如,在2毫米至20毫米範圍內,以4毫米至12毫米為佳,而下部陶瓷載體的流動通道的直徑可以在10毫米至30毫米範圍內,以12毫米至24毫米為佳。此流動通道的直徑係平均值,其可藉由測定(計算尺)統計上夠大數目的通道並繼而計算其平均值而定出。此陶瓷製的載體可以特別製自Al2 O3 含量大於85%的Al2 O3 陶瓷或矽酸鋁陶瓷。在此反應器的一個特別適當的體系中,提供金屬網位於觸媒和陶瓷製的載體之間,此處,此金屬網製自耐得住所處溫度條件的材料。此金屬網製自鋼或鋼合金(例如,Mat. 1.4767或Kanthal)更佳。
本發明之反應器的另一體系中,觸媒可位於載體上,而該載體包含已施用於由金屬所構成的載體柵上之至少一種金屬載體網。此載體以包含一、二、三、四或更多個金屬載體網為佳。此處,載體網可以,例如,具有網格寬度範圍在1毫米至50毫米範圍內。此載體網和載體柵以製自鋼或鋼合金(例如,Mat.1.4767或Kanthal或Inconel 600、Mat.2.4816)為佳,且這些材料必須於所處的溫度條件下安定。
此載體柵可以固定在反應槽底部,此處,載體柵之構形可以使得區域內的觸媒與具有孔口的反應槽底部的距離在50毫米至300毫米範圍內。
適當地,陶瓷材料層可以直接施用在觸媒上。此層可以一或多個陶瓷織品或陶瓷發泡體形式存在。
此反應槽底部可以具有一或多個孔口,使得反應產物經由此孔口離開反應槽。此處,反應槽底部亦可由反應產物的出口形成。在本發明之反應器的一較佳體系中,反應產物的出口可包含熱交換器形式的管束。此處,此管束可以接近反應槽的陶瓷元件(套圈)保護而不受到熱的作用。
本發明之反應器可以包含其他組件,特別是用以啟動催化反應的組件。這些特別包括氫閃燄、點火電極或EP-B-1 001 843中詳述的裝置。
圖式1描述本發明之反應器之較佳體系。反應器(1)包含反應槽(2)、朝氣體入口區(4)開口的氣體入口(3)和供反應產物用之出口(5)。混合元件(7)和氣 體可穿透的中間層(8)介於氣體入口區(4)和觸媒(6)之間。此特定體系中,混合元件(7)設計成盤-圓環設計構形,提供交替的環或盤。此環於反應器中央具有孔口且可以與反應槽接觸。
此盤為無法穿透的盤,藉由介於盤和反應槽之間的居中空間形成孔口。
氣體可穿透的中間層(8)包含金屬網(9)(其網格寬度以在1微米至200微米範圍內為佳,5微米至100微米更佳)和玻璃綿片(10)(其厚度在0.5公分至10公分範圍內,以1公分至5公分較佳。鑽孔的金屬片(11)可用以固定這些元件,且鑽孔的片之孔徑在1毫米至100毫米範圍內,5毫米至40毫米較佳。
本體系中,自中間層(8)由氣體流動方向觀之,反應槽(2)具有耐熱材料製的內襯(12)。
一旦氣體通過中間層(8),氣體與面的形式配置的觸媒(6)接觸。圖1中所示的改良具有陶瓷材料層(13),其被直接置於觸媒(6)上而固定。在所示體系中,此處,觸媒(6)置於陶瓷製的載體(14)上。適當地,此陶瓷觸媒具有兩層結構,其中,由陶瓷所構成的觸媒(14)包含上部陶瓷載體(15)和下部陶瓷載體(16)。
之後,反應產物經由出口(5)離開反應槽。本體系特別包含管束(20),其以熱交換器形式配置,較佳地,此管束(20)受到陶瓷元件(例如,插入的套筒(21))的保護而免受接近反應槽的熱之作用。
下文中,參考圖2,其描述反應器(1)的第二個體系,其基本上類似於第一個體系,故將僅針對差異處,相同的參考符號用於相同零件且相應地施用前述描述。亦類似於第一個體系,圖2中所示的反應器具有一個反應槽(2)、朝氣體入口區(4)開口的氣體入口(3)和供反應產物用之出口(5)、觸媒(6)、混合元件(7)、和氣體可穿透的中間層(8)。
不同於前述體系,圖2所示改良包含介於觸媒(6)和陶瓷製的載體(14)之間的金屬網(17)。其結果是,令人訝異地可增進反應器的效能。
下文中,參考圖3,其描述反應器(1)的第三個體系,其基本上對應於第一個體系,故下文將僅針對差異處,相同的參考符號用於相同零件且相應地施用前述描述。
亦類似於第一個體系,圖3中所示的反應器亦具有一個反應槽(2)、朝氣體入口區(4)開口的氣體入口(3)和供反應產物用之出口(5)、觸媒(6)、混合元件(7)、和氣體可穿透的中間層(8)。
不同於圖1所示體系,圖3所示改良包含製自金屬的載體(14)。此製自金屬的載體(14)基本上特別包含載於金屬製的載體柵(19)上之金屬載體網(18)。此載體網(18)之網格寬度在1毫米至50毫米範圍內。
此載體柵(19)的支腳置於陶瓷元件(21)上,此陶瓷元件保護管束(20)不受到熱的作用,或者在作為熱交換器的管束(20)底部上。觸媒網(6)和管束(20)底部之間的距離可以是,例如,50毫米至300毫米。
此反應器特別可用以藉Andrussow法製造氰化氫(HCN)。這些方法為目前已知者並詳述於前述的以前技術。
欲製造HCN,以使用含甲烷的氣體為佳。基本上,可以使用甲烷含量夠高的任何氣體。甲烷含量以至少80體積%為佳,至少88體積%更佳。不但是甲烷,反應氣體中也可以使用天然氣。應瞭解此處的天然氣是指含有至少82體積%甲烷的氣體。
此外,欲根據Andrussow法製造氰化氫,使用含氧氣體,可以使用氧或氮-氧混合物。此處,氧體積相對於氮和氧之總體積的比例(O2 /(O2 +N2 ))在0.2至1.0(體積/體積)範圍內。例如,可以使用空氣作為含氧氣體。
本發明之較佳方面中,氧體積相對於氮和氧之總體積的比例(O2 /(O2 +N2 ))在0.25至1.0(體積/體積)範圍內。特別地,此比例以在大於0.4至1.0(體積/體積)範圍內為佳。本發明的另一特徵中,氧體積相對於氮和氧之總體積的比例(O2 /(O2 +N2 ))可在0.25至0.4(體積/體積)範圍內。
反應氣體混合物中的甲烷與氨的莫耳比(CH4 /NH3 )以在0.95至1.05莫耳/莫耳範圍內為佳,在0.98至1.02範圍內更佳。
反應溫度以介於950℃和1200℃之間為佳,介於1000℃和1150℃之間更佳。此反應溫度可經由調整反應氣流中之不同氣體的比例(如,經由調整O2 /NH3 比例)而調整。此處,調整反應氣體混合物之組成,使得反應氣體不在可點燃混合物之濃度範圍內。藉熱元件或藉輻射高溫計測定觸媒網的溫度。輻射高溫計所用的測量點係在灼熱的觸媒上的開放位置。以熱元件測量時,由氣體流動方向觀之,測量點可位於距觸媒網約0-10公分距離處。
氧與氨的莫耳比(O2 /NH3 )以在0.7至1.25(莫耳/莫耳)範圍內為佳。
較佳地,反應混合物可預熱至最高150℃,最高120℃更佳。
反應氣體通至觸媒的流率可在寬廣範圍內。根據本發明之方法的較佳改良中,此反應氣體以0.5至5米/秒速率通至觸媒,0.8至2.5米/秒更佳。所指定的流率係以反應槽截面為基礎,並將通至觸媒之反應氣體混合物的操作條件(壓力、溫度)列入考慮。由於可以改變反應器的截面,所以這些數據係以混合元件和氣體可穿透的中間層之間的反應器平均截面為基礎。
下文將參考實例地詳細說明本發明,但不應以實例對本發明造成任何限制。
下文所述實例之結果係在由供反應氣體(甲烷、氨、空氣)使用之配備熱質流控制器的投料單元、用以將反應氣體預熱至100℃的電熱器、和內徑100毫米的反應槽所組成的實驗設備中得到。測試反應槽、各式各樣的內部物。
實例1:
氣體自頂部供應至反應槽。進料孔口直徑為25毫米。在進料區域下方的是由交替排列的盤和環(其以10毫米的距離彼此平行排列)所組成的混合元件。中心固定的盤之直徑為93毫米。邊緣區域的缺口因此為3.5毫米。此環填滿整個內徑(100毫米),且中間具有直徑40毫米的圓形孔口。在流動方向之元件排列的方式為:盤-環-盤-環-盤。
此混合元件與呈10毫米寬的環形式的邊緣反射器(導盤)相結合。環的下方約10毫米處,配置氣體可穿透的層。此構造由兩個鑽孔的金屬片(外徑100毫米,孔徑:5毫米)(其間有一個公稱網格寬度為80微米的金屬Dutch-梭織物)和位於其上方之約6毫米厚的礦物綿片所組成。
氣體可穿透的層下方30毫米處,配置由6片Pt/Rh10觸媒網(1024網目/公分,線厚度0.076毫米)所組成的觸媒。此觸媒網以寬10毫米且線厚度2毫米的網之金屬載體柵承載,並埋在邊緣區域的Nefalit密封劑(Si-陶瓷纖維混合物)中。此載體柵位於流動通道直徑為6毫米的陶瓷載體上。在陶瓷載體下方,反應氣體進入管束熱交換器,反應氣體於其中冷卻至約200℃。
實例2:
如同實例1,但Pt網觸媒直接位於無金屬載體柵的陶瓷載體上。
實例3:
如同實例1,但在流體方向使用以盤-環-盤方式排列元件之混合元件。
實例4:
如同實例3,但使用由2個直徑100毫米且孔徑5毫米之鑽孔的金屬片所組成的混合元件。此兩個鑽孔的盤相距20毫米且彼此平行排列。
比較例1:
如同實例4,但無混合元件。氣體混合物流直接與氣體可穿透的層接觸。
比較例2:
如同比較例1,但沒有氣體可穿透的層。流入的氣體混合物直接與所述的觸媒網接觸。
在反應槽下游處,反應氣體在管束反應器中冷卻至約200℃,且輸送至下游HCN滌氣器,以供以NaOH溶液中和所形成的HCN。
在GC中同步分析反應氣體。欲評估所形成的HCN量,另行稱重排放的NaCN溶液,並藉銀滴定法測定HCN滌氣器的流出物中之CN含量。
所有的實驗皆以下列條件進行:約25立方米/小時(常態條件)的固定反應氣體體積,相同的反應氣體組成,空氣體積流速約18.2立方米/小時(常態條件)、NH3 體積流約3.35立方米/小時(常態條件),及甲烷體積流約3.27立方米/小時(常態條件)。所有實驗的反應氣體溫度為100℃。表1列出所得的結果。
本發明之反應器體系(實例1-4)顯示相關於反應器性能和產率之較佳結果。反應氣體中之較高HCN濃度進一步有助於操作程序中能量上更有利地分離HCN分離。
1...反應器
2...反應槽
3...氣體入口
4...氣體入口區
5...出口
6...觸媒
7...混合元件
8...氣體可穿透的中間層
9...金屬網
10...玻璃綿片
11...鑽孔的金屬片
12...內襯
13...陶瓷材料層
14...載體
15...上部陶瓷載體
16...下部陶瓷載體
17...金屬網
18...金屬載體網
19...載體柵
20...管束
21...金屬元件
圖1表示本發明之一反應器體系。
圖2表示本發明之另一反應器體系。
圖3表示本發明之第三個反應器體系。
1...反應器
2...反應槽
3...氣體入口
4...氣體入口區
5...出口
6...觸媒
7...混合元件
8...氣體可穿透的中間層
9...金屬網
10...玻璃綿片
11...鑽孔的金屬片
12...內襯
13...陶瓷材料層
14...載體
15...上部陶瓷載體
16...下部陶瓷載體
20...管束
21...金屬元件

Claims (24)

  1. 一種供以Andrussow法製造氰化氫用之反應器(1),其包含反應槽(2)、至少一個朝氣體入口區(4)開口的氣體入口(3)、供反應產物用之出口(5)、和觸媒(6),其特徵在於在反應槽(2)中介於氣體入口區(4)和觸媒(6)之間,配置至少一個混合元件(7)和至少一個氣體可穿透的中間層(8),而該混合元件(7)位於氣體入口區(4)和氣體可穿透的中間層(8)之間,其中該氣體可穿透的中間層(8)包含位於該觸媒(6)方向上的至少一個金屬網(9),及位於該氣體入口區(4)方向上的玻璃或石英棉層(10),及其中該觸媒(6)係以網(選自網編織品、網織品或網柵)、鑽孔的金屬片或金屬發泡體的形式區域性地(areally)配置於反應器中,及其中該混合元件(7)包括數個穿孔的板層,且該板層以交替的環-盤配置方式配置,其中該盤不直接連接至反應槽,但該環與反應槽連接。
  2. 如申請專利範圍第1項之反應器,其中該混合元件(7)包含不透水的板層,而該板層的面積相當於反應器截面積的至少40%。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之反應器,其中該板層以成層方式排列,此該混合元件(7)包含至少3個板層。
  4. 如申請專利範圍第3項之反應器,其中二個相鄰板層之間的距離為1公分至100公分。
  5. 如申請專利範圍第1項之反應器,其中該觸媒(6)區域性地配置於反應器中,配置的區域使得氣體以70至110°的角度流經此區域。
  6. 如申請專利範圍第5項之反應器,其中該觸媒(6)包含至少一種包含鉑的網。
  7. 如申請專利範圍第1項之反應器,其中該區域性地配置於反應器中之觸媒(6)與存在於該混合元件(7)中的板形成-10°至+10°範圍的角度。
  8. 如申請專利範圍第1項之反應器,其中該氣體可穿透的中間層(8)和該區域性地配置於反應器中之觸媒(6)形成-10°至+10°範圍的角度。
  9. 如申請專利範圍第1項之反應器,其中藉U型管壓力計,於反應氣體混合物的流率為1.5米/秒時測定,氣體可穿透的中間層(8)造成在5至100毫巴範圍內的壓力降。
  10. 如申請專利範圍第9項之反應器,其中該位於中間層中的金屬網(9)之公稱網格寬度在1微米至200微米的範圍內。
  11. 如申請專利範圍第10項之反應器,其中該金屬網(9)之公稱網格寬度在5微米至100微米的範圍內。
  12. 如申請專利範圍第1項之反應器,其中該金屬網(9)和該玻璃棉層(10)以兩個鑽孔的片(11)包封。
  13. 如申請專利範圍第1項之反應器,其中該氣體可穿透的中間層(8)和該區域性地配置於反應器中之觸媒 (6)之間的距離至少30毫米。
  14. 如申請專利範圍第1項之反應器,其中自中間層(8)由氣體流動方向觀之,反應槽(2)具有耐熱材料製的內襯(12)。
  15. 如申請專利範圍第1項之反應器,其中陶瓷材料層(13)已直接施用於觸媒(6)。
  16. 如申請專利範圍第1項之反應器,其中該觸媒(6)置於陶瓷製的載體(14)上。
  17. 如申請專利範圍第16項之反應器,其中該由陶瓷構成的載體(14)具有上部陶瓷載體(15)和下部陶瓷載體(16)。
  18. 如申請專利範圍第16和17項中任一項之反應器,其中金屬網(17)是位於該觸媒(6)和該由陶瓷構成的載體(14)之間。
  19. 如申請專利範圍第1項之反應器,其中該觸媒(6)位於載體(14)上,而該載體(14)包含至少一種金屬載體網(18),而該金屬載體網(18)已施用於由金屬所構成的載體網柵(19)上。
  20. 如申請專利範圍第19項之反應器,其中該載體網(15)的網格寬度在1毫米至50毫米的範圍內。
  21. 如申請專利範圍第1項之反應器,其中該反應產物的出口(5)包含以熱交換機形式配置的管束(20)。
  22. 如申請專利範圍第21項之反應器,其中該管束(20)經接近反應器護套的陶瓷元件(21)所保護以不受 熱的作用。
  23. 一種藉Andrussow法製造HCN之方法,其特徵在於其使用如申請專利範圍第1至22項中任一項之反應器。
  24. 如申請專利範圍第23項之方法,其中該混合元件區中的氣體溫度是至高150℃。
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