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TWI505379B - 成形體製造裝置及成形體之製造方法 - Google Patents

成形體製造裝置及成形體之製造方法 Download PDF

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TWI505379B
TWI505379B TW100108523A TW100108523A TWI505379B TW I505379 B TWI505379 B TW I505379B TW 100108523 A TW100108523 A TW 100108523A TW 100108523 A TW100108523 A TW 100108523A TW I505379 B TWI505379 B TW I505379B
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flow path
molded article
cavity
path member
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TW100108523A
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TW201145414A (en
Inventor
上田茂久
野田和男
Original Assignee
住友電木股份有限公司
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Description

成形體製造裝置及成形體之製造方法
本發明係關於成形體製造裝置及成形體之製造方法。
已知有以樹脂製密封材被覆(密封)半導體晶片(半導體元件)而成之半導體封裝。半導體封裝之密封材係將樹脂製成形體例如藉由轉移成形等成形。於製造此成形體之過程，進行將做為其母材之樹脂組成物以打錠機壓縮成形為錠狀(塊狀)(例如參照專利文獻1)。於此打錠機中，接觸樹脂組成物之部分通常為金屬製，當該部分磨損時，會有金屬粉末產生。記載於專利文獻1之發明係在前述金屬粉末等粉末附著於成形體時，以空氣將該粉末吹走之結構。
但是，記載於專利文獻1之發明中，僅靠接觸空氣，無法將附著於成形體之粉末完全吹走。因此，使得成形體上多少有粉末殘留。若殘留之粉末為金屬粉末，造成該成形體會有金屬粉末異物混入。之後在將此成形體使用於密封半導體封裝之情形，無法確實地絕緣密封半導體晶片，可能會使得混入金屬粉末之半導體晶片產生短路。
專利文獻1 日本特開平11-290806號公報
本發明之目的係提供在將樹脂組成物壓縮成形以製造成形體時，可確實防止金屬粉末混入該成形體之成形體製造裝置及成形體之製造方法。
如此之目的藉由下述(1)~(15)之本發明而達成。
(1)一種成形體製造裝置，其係藉由將成形材料 之樹脂組成物壓縮成形以製造為成形體，其特徵在於具備：裝置本體，其係形成為板狀並可繞垂直軸旋轉，且安裝有至少1個成形模具，該成形模具係具有於上下方向開口並被供給前述樹脂組成物的空腔；第1流路構件，其係形成為管狀，並構成於前述裝置本體旋轉指定角度的第1位置將前述樹脂組成物供給至前述空腔內時，使被供給之前述樹脂組成物通過之流路；上側壓縮構件，其係具有上沖壓面，該上沖壓面係於前述裝置本體自前述第1位置旋轉指定角度後之第2位置自上側插入至前述空腔內，並壓縮前述空腔內之前述樹脂組成物；下側壓縮構件，其係具有下沖壓面，該下沖壓面係於前述第2位置自下側插入至前述空腔內，並與前述上沖壓面一起壓縮前述空腔內之前述樹脂組成物；及第2流路構件，其係形成為管狀，並構成於前述裝置本體自前述第2位置旋轉指定角度後之第3位置將前述樹脂組成物壓縮成形而成之前述成形體脫模並在經脫模之前述成形體自前述空腔內排出時，使被排出之前述成形體通過之流路；前述裝置本體之上側面、區劃出前述空腔之壁面、前述第1流路構件之內周面、前述第2流路構件之內周面、前述上沖壓面及前述下沖壓面之總表面積的至少80%以上係以非金屬所構成。
(2)如上述(1)所記載之成形體製造裝置，其中前述非金屬為陶瓷或樹脂材料。
(3)如上述(2)所記載之成形體製造裝置，其中前述陶瓷包括氧化物系陶瓷。
(4)如上述(1)至(3)中任一項所記載之成形體製造裝置，其中前述非金屬以500gf之荷重測定而得之維氏硬度Hv(規定於JIS Z 2244)為1300以上。
(5)如上述(1)至(4)中任一項所記載之成形體製造裝置，其中分別構成前述裝置本體之上側面、前述壁面、前述上沖壓面及前述下沖壓面的前述非金屬係相同。
(6)如上述(1)至(5)中任一項所記載之成形體製造裝置，其中分別構成前述第1流路構件之內周面及前述第2流路構件之內周面的前述非金屬係相同或不同。
(7)如上述(1)至(6)中任一項之成形體製造裝置，其中前述非金屬係為藉由塗布形成之塗布膜。
(8)如上述(7)所記載之成形體製造裝置，其中前述塗布膜之厚度為0.2~1mm。
(9)如上述(1)至(8)中任一項所記載之成形體製造裝置，其中前述空腔之形狀為圓柱狀。
(10)如上述(1)至(9)中任一項所記載之成形體製造裝置，其中前述上沖壓面與前述下沖壓面係分別以平面或彎曲凹面所構成。
(11)如上述(1)至(10)中任一項所記載之成形體製造裝置，其中前述第1流路構件之內周面及前述第2流路構件之內周面分別有至少一部分朝下方傾斜。
(12)如上述(1)至(11)中任一項所記載之成形體製造裝置，其中分別預先在區劃出前述空腔之壁面、前述上沖壓面及前述下沖壓面上塗布脫模劑。
(13)如上述(1)至(12)中任一項所記載之成形體製造裝置，其中前述樹脂組成物形成為粉狀。
(14)如上述(1)至(13)中任一項所記載之成形體製造裝置，其中前述成形體為構成IC封裝之外裝部的成形部。
(15)一種成形體之製造方法，其係使用如上述(1)至(14)中任一項所記載之成形體製造裝置將成形材料之樹脂組成物壓縮成形以製造成形體。
 [實施發明之最佳形態]
以下基於附圖所示之較佳實施形態，詳細說明本發明之成形體製造裝置及成形體之製造方法。
圖1為顯示樹脂組成物之製造步驟之圖，圖2為本發明之成形體製造裝置的透視示意圖，圖3為圖2中的A-A線截面圖、圖4為圖2中的B-B線截面圖，圖5為圖2中的C-C線截面圖，圖6為使用樹脂組成物所得之IC封裝的部分截面圖。以下為了說明的方便，將圖2~圖6中的上側稱為「上」或「上方」，下側稱為「下」或「下方」。
圖2所示之本發明之成形體製造裝置(打錠裝置)1係在自樹脂組成物製造成形體Q2時之錠化步驟中所使用之裝置。在說明此成形體製造裝置1之前，首先說明從原料起到製造樹脂組成物為止之整體製造步驟。
首先，準備做為樹脂組成物之原料的各種材料。
原料有樹脂、硬化劑、填充材料(微粒子)，接著依需要具有硬化促進劑、偶合劑等。做為樹脂，較佳為環氧樹脂。
做為環氧樹脂，可舉出例如甲酚酚醛清漆型、雙酚型、二環戊二烯型、三酚甲烷型、多芳香族環型等。
做為硬化劑，可舉出例如酚系酚醛清漆型、酚芳烷型、三酚甲烷型、多芳香族環型等。
做為填充材料，可舉出例如熔融矽石(破碎狀、球狀)、結晶矽石、氧化鋁等。
做為硬化促進劑，可舉出例如磷化合物、胺化合物等。
做為偶合劑，可舉出例如矽烷化合物等。
又，原料亦可省略前述材料中指定的材料，又，可含有前述以外之材料。做為其它材料，可舉出例如著色劑、脫模劑、應力降低劑、阻燃劑等。
做為阻燃劑，可舉出例如溴化環氧樹脂、氧化銻、無鹵素．無銻系等。做為無鹵素．無銻系之阻燃劑，可舉出例如有機磷、金屬水合物、含氮樹脂等。
(微粉碎)
如圖1所示，對原料中指定之材料，首先藉由連續式旋轉球磨機等粉碎裝置，粉碎(微粉碎)成指定之粒度分布。做為此粉碎之原料，例如係樹脂、硬化劑、促進劑等填充材料以外原料，亦可添加一部分的填充材料。
(表面處理)
可對原料中指定之材料，例如填充材料的全部或一部分(剩餘部分)，施加表面處理。做為此表面處理，例如將 偶合劑等附著在填充材料的表面。又，前述微粉碎與表面處理可同時進行，或者亦可任一方先進行。
(混合)
其次，藉由混合裝置將前述各材料完全混合。做為此混合裝置，可使用例如具有旋轉葉片之高速混合機等。
(混練)
其次，藉由混練裝置混練前述經混合材料。做為此混練裝置，可使用例如1軸型混練擠出機、2軸型混練擠出機等擠出混練機及混合輥等輥式混練機。
(脫氣)
其次，對係前述經混練材料之混練物(樹脂組成物)進行脫氣。此脫氣可藉由例如連接至混練裝置之將前述經混練材料排出之排出口的真空泵進行。
(片化)
其次，將前述經脫氣之塊狀混練物以成形裝置成形為片狀，來得到片狀材料(片材)。做為此成形裝置，例如可使用具有一對輥，且於此等輥間將混練物加壓成形為片狀之裝置。
(冷卻)
其次，藉由冷卻裝置冷卻前述片狀材料。藉此可輕易且確實地進行材料之粉碎。
(粉碎)
其次，藉由粉碎裝置將前述片材粉碎成指定之粒度分布，得到粉末狀材料(以下稱為「粉體Q1」)。做為此粉碎裝置，可使用例如錘式粉碎機、刀式粉碎機、角柱式粉碎機(pin mill)等。
又，做為得到顆粒狀或粉末狀之樹脂組成物的方法，可不經過上述片化、冷卻、粉碎步驟，可使用例如於混練裝置的出口設置具有小直徑之模嘴，將自模嘴吐出之溶融狀態的樹脂組成物以切刀等切斷成指定長度，來得到顆粒狀樹脂組成物之熱切法。於此情形，經由熱切法得到顆粒狀之樹脂組成物後，較佳為趁樹脂組成物之溫度尚未明顯下降時進行脫氣。
(錠化)
其次，藉由使用成形體製造裝置1，可將大量粉體Q1壓縮成形而容易且確實地得到成形體Q2。
如圖6所示，此成形體Q2係例如用於半導體晶片(IC晶片)901之被覆(密封)，成為構成半導體封裝(IC封裝)900的外裝部之成形部902者。藉由此成形部902可保護半導體晶片901。又，以樹脂組成物被覆半導體晶片901，可舉例有將樹脂組成物藉由例如轉移成形等成形來被覆半導體晶片901以做為密封材料之方法。圖6所示結構之半導體封裝900係有複數個導線架903自成形部902突出，各導線架903係分別透過例如以金等具有導電性之金屬材料構成之導線904，與半導體晶片901電性連接。
其次，針對成形體製造裝置1進行說明。
圖2所示之成形體製造裝置1係實行本發明成形體之製造方法之裝置，亦即，藉由將成形材料之粉體Q1(樹脂組成物)壓縮成形來製造成形體Q2時所使用之裝置。
成形體製造裝置1係具備裝置本體2、裝載於裝置本體2之複數個(於圖2所示之結構為8個)成形模具3、構成供朝向成形模具3之粉體Q1通過之流路的第1流路構件4 、壓縮成形模具3內之粉體Q1的上側壓縮構件5、與上側壓縮構件5一起壓縮成形模具3內之粉體Q1的下側壓縮構件6、構成供經壓縮成形之成形體Q2通過之流路的第2流路構件7。以下針對各部位之結構進行說明。
裝置本體2係整體形狀為圓板狀者。裝置本體2係以使其中心軸21與垂直方向成平行之位置，設置於成形體製造裝置1。接著，裝置本體2可繞著中心軸21(垂直軸)旋轉。又，裝置本體2具有例如齒輪與馬達，且連結著旋轉該裝置本體2之旋轉機構(未圖示)。
此裝置本體2具有分別裝載、固定8個成形模具3之裝載部22。此等裝載部22係繞著裝置本體2之中心軸21以等角度間隔配置。又，如圖3、圖4所示，各裝載部22分別以朝裝置本體2之上側面23開口之凹部所構成。此凹部之形狀係對應於成形模具3的外形形狀之形狀，亦即在圖式的結構中為圓柱狀。
因8個成形模具3彼此為相同的結構，以下針對1個成形模具3進行說明。
如圖2~圖4所示，成形模具3係朝上下方向開口之圓筒狀、其中空部為空腔31之構件。空腔31之形狀為圓柱狀。將粉體Q1供給(填充)至此空腔31，當該粉體Q1被壓縮成形時可得到圓柱狀之成形體Q2(參照圖1)。藉由讓成形體Q2成為如此之簡單形狀，該成形體Q2變得不易破損。
又，區劃出成形模具3之空腔31的內周面(壁面)32，其横截面形狀為圓形。藉此，例如在將脫模劑塗布在內周面32時，可輕易進行該塗布作業，又，可確實的將脫模 劑塗布在整個內周面32。藉由將脫模劑預先塗布在內周面32，可輕易的進行成形體Q2之脫模。又，做為脫模劑並無特別限制，例如舉例為有機聚矽氧烷等矽氧系脫模劑、聚四氟乙烯等氟系脫模劑、聚乙烯醇等醇系脫模劑、石蠟、高級脂肪酸、高級脂肪酸金屬鹽、酯系蠟、聚烯烴系蠟、聚乙烯、氧化聚乙烯等蠟類等，可單獨使用此等中之1種，或可組合2種以上使用。
如圖2、圖4所示，上側壓縮構件5為壓縮成形模具3之空腔31內的粉體Q1且為長圓柱狀構件。
上側壓縮構件5係以移動機構(未圖示)支持為可於上下方向移動。藉此，可讓上側壓縮構件5自空腔31之上側插入空腔31內，並可相反地自空腔31內拔去。又，做為移動上側壓縮構件5之前述移動機構並無特別限定，例如可為具有油壓缸等結構者。
又，上側壓縮構件5係之插入該空腔31內的插入部51之外徑係比成形模具3的內徑略小。插入部51的下側面係構成將粉體Q1自上側壓縮之上沖壓面(壓縮面)52(參照圖4)。上沖壓面52係為平面狀。藉由讓上沖壓面52成為如此之簡單形狀，例如在對上沖壓面52塗布脫模劑時，可輕易的進行該塗布作業，又，可確實的將脫模劑塗布在整個上沖壓面52。藉由對上沖壓面52預先塗布脫模劑，可輕易的進行成形體Q2之脫模。又，上沖壓面52係隨成形體Q2之形狀而不同，但不一定必須為平面。
如圖3、圖4所示，下側壓縮構件6係與上側壓縮構件5一起壓縮成形模具3的空腔31內之粉體Q1且為長圓柱狀構件。
下側壓縮構件6係以移動機構(未圖示)支持為可於上下方向移動。藉此，可讓下側壓縮構件6自空腔31之下側插入空腔31內，並可變更其插入深度(參照圖3、圖4)。又，做為移動下側壓縮構件6之前述移動機構並無特別限定，例如可為具有油壓缸等結構者。
又，下側壓縮構件6之插入該空腔31內的插入部61之外徑係比成形模具3的內徑略小。插入部61的上側面係構成將粉體Q1自下側壓縮之下沖壓面(壓縮面)62(參照圖4)。下沖壓面62係為平面狀。藉由讓下沖壓面62成為如此之簡單形狀，例如在對下沖壓面62塗布脫模劑時，可輕易地進行該塗布作業，又，可確實地將脫模劑塗布在整個下沖壓面62。藉由對下沖壓面62預先塗布脫模劑，可輕易地進行成形體Q2之脫模。又，下沖壓面62係隨成形體Q2之形狀而不同，但不一定必須為平面。
如圖2、圖3所示，第1流路構件4係將粉體Q1供給至1個成形模具3的空腔31內時使用之構件。第1流路構件4係以横截面形狀為圓形之管狀體所構成，其內空腔部可供供給至空腔31內之粉體Q1通過。
第1流路構件4具有朝下方開口之開口部，該開口部具有做為排出粉體Q1之排出口41之功能。在成形模具3定位於排出口41之下方時，粉體Q1係自排出口41排出，而被供給至成形模具3的空腔31內。
又，第1流路構件4在其長度方向的中途具有傾斜之傾斜部42。於此傾斜部42，第1流路構件4的內周面43的一部分係朝下方傾斜，粉體Q1可輕易地流下。藉此，可將粉體Q1迅速供給至成形模具3。
如圖2所示，在裝置本體2的圓周方向，於與第1流路構件4不同的位置設置第2流路構件7。第2流路構件7係供自成形模具3之空腔31內排出的成形體Q2通過者。此第2流路構件7係以横截面形狀為半圓形之管狀體構成。
又，如圖5所示，第2流路構件7其全體(內周面71)係朝著下方傾斜。藉此可讓成形體Q2輕易地流下，從而迅速地回收。又，在回收目的地設置有例如複數個收納成形體Q2之收納托盤(未圖式)。藉此，可一併運送所得到之複數個成形體Q2。
其次，針對成形體製造裝置1之動作，亦即到在各成形模具3分別成形為成形體Q2為止，進行說明。此處為了便於理解，8個成形模具3之中，代表性的著眼於在圖2所示狀態中，說明於定位在第1流路構件4之排出口41的正下方之「成形模具3a1 」成形之成形體Q2。
當裝置本體2自初期狀態以逆時鐘旋轉旋轉指定角度時，在此位置(以下稱為「第1位置」)成形模具3a1 係定位於第1流路構件4之排出口41的正下方(參照圖2、圖3)。在第1位置，自第1流路構件4將粉體Q1供給、充填至成形模具3a1 。此供給為讓粉體Q1自成形模具3a1 之空腔31溢出的程度(參照圖3)，該溢出的多餘部分Q1’在壓縮成形粉體Q1前被去除。藉此，粉體Q1不會過多或不足，亦即係以一定量填充。又，多餘部分Q1’之去除，例如可使用刮板等進行。
接著，裝置本體2自第1位置逆時鐘旋轉旋轉指定角度(在圖2中為45°)時，成形模具3a1 自第1流路構件4 後退。自此第1位置移動之成形模具3a1 稱為「成形模具3a2 」。然後，此後退位置(以下稱為「第2位置」)中，成形模具3a2 係配置於上側壓縮構件5的正下方。其後如圖4所示，藉由上側壓縮構件5下降、下側壓縮構件6上升，在上側壓縮構件5之上沖壓面52與下側壓縮構件6之下沖壓面62之間，壓縮空腔31內的粉體Q1。在裝置本體2來到後述之第3位置為止維持此壓縮狀態。接著，粉體Q1在其間被壓縮成形固定，而成為成形體Q2。
接下來，裝置本體2自第2位置以逆時鐘旋轉旋轉指定角度(於圖2中為135°)。自此第2位置移動之成形模具3a2 稱為「成形模具3a3 」。然後，於此旋轉後之位置(以下稱為「第3位置」)，上側壓縮構件5上升，且以比其移動量小之移動量進一步令下側壓縮構件6上升時，自成形模具3a3 脫模成形體Q2。接著，成形體Q2一邊脫模，一邊面對第2流路構件7，而通過該第2流路構件7向成形體製造裝置1外排出(參照圖5)。又，第2流路構件7向成形體Q2之移動，例如可使用刮板等進行。
接著，成形體製造裝置1中，以下部分係分別以非金屬所構成。
‧裝置本體2之上側面23
‧成形模具3之內周面32
‧上側壓縮構件5之上沖壓面52
‧下側壓縮構件6之下沖壓面62
‧第1流路構件4之內周面43
‧第2流路構件7之內周面71
此外，非金屬係佔上述各面之總表面積之至少80%以 上，較佳係佔100%。
又，除了上述各面以外，較佳為前述中例示之刮板表面等亦為非金屬化者。
如圖3~圖5所示，裝置本體2之上側面23、成形模具3之內周面32、上側壓縮構件5之上沖壓面52、下側壓縮構件6之下沖壓面62、第1流路構件4之內周面43、第2流路構件7之內周面71係分別成為接觸粉體Q1或成形體Q2之部分(以下將此等部分統稱為「接觸部10」)。
藉由像這樣以非金屬構成接觸部10，於由粉體Q1製造成形體Q2之過程中，粉體Q1及成形體Q2與接觸部10接觸，彼等之間產生摩擦，即便接觸部10磨損而削下一部分，該削下的部分係當然為非金屬。相對於此，例如在接觸部10係以金屬製之情形，於製造成形體Q2時，因如前述之磨損，自該接觸部10會產生金屬粉末，而造成該金屬粉末混入成形體Q2。但是，於成形體製造裝置1中，可確實地防止如此之金屬粉末混入成形體Q2(以金屬増加率計為1.0wtppm以下，較佳為0.1wtppm以下)。又，即便前述削下之非金屬混入成形體Q2，該成形體Q2亦足以耐受使用於半導體封裝900之成形部902。
又，做為非金屬，舉例有陶瓷或樹脂材料，特別較佳為陶瓷。做為此陶瓷並無特別限定，例如舉例為氧化鋁、矽石、二氧化鈦、氧化鋯、氧化釔、磷酸鈣等氧化物陶瓷、氮化矽、氮化鋁、氮化鈦、氮化硼等氮化物陶瓷、碳化鎢等碳化物系陶瓷、或任意組合此等中2者以上而成之複合陶瓷。即便在此等中，特別以含有氧化物系陶瓷者較佳。藉由使用氧化物系陶瓷做為構成接觸部10之陶瓷，使接 觸部10之耐磨損性變得優良。
做為構成接觸部10之氧化系陶瓷，以500gf之荷重測定而得之上述陶瓷(非金屬)的維氏硬度Hv(規定於JIS Z 2244)並無特別限定，例如較佳為1300以上，更佳為1500~1700。藉此，使接觸部10之耐磨損性變得更優良。做為具有上述數值範圍之維氏硬度Hv之氧化系陶瓷，例如可舉出有氧化鋯及高純度之氧化鋁等。
然後，於以陶瓷構成裝置本體2之上側面23之情形，於該欲構成之部分以陶瓷實施塗布，可形成塗布膜24(參照圖3、圖4)。與此相同地，在以陶瓷構成成形模具3之內周面32之情形，可於該欲構成之部分形成塗布膜33(參照圖3、圖4)。在以上側壓縮構件5之上沖壓面52構成之情形，可於該欲構成之部分形成塗布膜53(參照圖4)。在以下側壓縮構件6之下沖壓面62構成之情形，可於該欲構成之部分形成塗布膜63(參照圖3、圖4)。在以第1流路構件4之內周面43構成之情形，可於該欲構成之部分形成塗布膜44(參照圖3)。在以第2流路構件7之內周面71構成之情形，可於該欲構成之部分形成塗布膜72(參照圖5)。又，彼等情形中，形成有各構件之塗布膜以外的部分，可以例如金屬材料構成。又，除了形成陶瓷之塗布膜以外，亦可以陶瓷等非金屬裝置分別構成裝置本體2、成形模具3、上側壓縮構件5、下側壓縮構件6、第1流路構件4、第2流路構件7。
藉由如此之結構，使接觸部10容易且確實地成為以陶瓷構成者。
又，塗布膜24、33、53、63、44及72之厚度並無特 別限制，較佳分別為例如0.2~1mm，更佳為0.3~0.5mm。又，各膜之厚度可為相同亦可為不同。在各膜之厚度相同之情形，例如，可將形成該各膜之形成裝置的設定條件設為相同，使膜的形成變得容易。考慮磨損程度、負荷乘載面，亦可例如讓上沖壓面52之塗布膜53及下沖壓面62之塗布膜63比其它塗布膜24、33、44為厚等，依磨損程度調整膜厚。藉此，而有可確保塗布膜53、63之強度、使到達需要替換構件等的維修時間增長之優點。
又，分別構成裝置本體2之塗布膜24(上側面23)、成形模具3之塗布膜33(內周面32)、上側壓縮構件5之塗布膜53(上沖壓面52)、下側壓縮構件6之塗布膜63(下沖壓面62)之陶瓷(非金屬)為相同，例如較佳為氧化鋯。氧化鋯因即便在陶瓷之中亦為具有優良的破壞靭性者，如上述各面在旋轉及/或滑動部分藉由使用氧化鋯，有可防止塗布膜之破損之優點。
又，在以陶瓷分別構成成形模具3之塗布膜33、上側壓縮構件5之塗布膜53、下側壓縮構件6之塗布膜63之情形，亦可於各表面各自形成微小之凹凸。藉由此微小之凹凸保持前述脫模劑，可讓平均每1次塗布脫模劑之塗布量比較少，又，在成形體製造裝置1之使用途中之脫模劑的塗布次數亦可比較少。
又，分別構成第1流路構件4之塗布膜44(內周面43)、與第2流路構件7之塗布膜72(內周面71)之非金屬係為相同或不同。構成材料相同時，例如以提高強度、磨損幅度之觀點，塗布膜44及塗布膜72可同樣以氧化鋯構成。另一方面，構成材料不同時，可依對膜接觸之負荷來 選擇膜材料，例如可為塗布膜44以氧化鋯構成，塗布膜72以耐綸構成等。又，可依規格選擇適當材質。又，在結構材料不同之情形，因粉末的附著、堵塞的減少、或設備的輕量化等，而有可讓作業性變容易之優點。
以上，針對圖式之實施形態說明了本發明之成形體製造裝置及成形體之製造方法，但本發明並非限定於此，例如構成成形體製造裝置之各部位可用能發揮相同機能之任意構成者來置換。又，亦可添加任意之構成物。
又，本發明之成形體製造裝置中，安裝於裝置本體之成形模具的設置數雖在圖式之結構中為8個，但非限定於此，亦可為例如1個、2個、3個、4個、5個、6個、7個或9個以上。
又，本發明之成形體製造裝置中，上側壓縮構件之上沖壓面及下側壓縮構件之下沖壓面雖在圖式之結構中係分別以平面構成，但並非限定於此，亦可例如以彎曲凹面來構成。於此情形，上沖壓面及下沖壓面之中，可為雙方皆以彎曲凹面來構成，亦可為一方為以平面構成，另一方為以彎曲凹面來構成。
又，上側壓縮構件、下側壓縮構件與成形模具之大小(亦即成形體Q2之尺寸)亦可為可變更(可裝卸)之構造。
又，本發明之成形體製造裝置中，第1流路構件雖於圖式之結構中係以横截面形狀為圓形之管狀體來構成，但並非限定於此，亦可例如像第2流路構件般以横截面形狀為半圓形之管狀體來構成。
又，本發明之成形體製造裝置中，第2流路構件雖於 圖式之結構中係以横截面形狀為半圓形之管狀體來構成，但並非限定於此，亦可例如像第1流路構件般以横截面形狀為圓形之管狀體來構成。
[產業上的可利用性]
依據本發明，接觸樹脂組成物或成形體之部分(以下此部分稱為「接觸部」)係確實以非金屬構成。此外，於將樹脂組成物壓縮成形以製造成形體時，樹脂組成物或成形體與接觸部接觸，彼等間產生摩擦，即便接觸部磨損而削下一部分，該削下的部分當然為非金屬。對此，例如在接觸部為金屬製之情形，於製造成形體時，因如前述之磨損自該接觸部會產生金屬粉末，而造成該金屬粉末混入成形體。但是，本發明中可確實防止像這樣的金屬粉末混入成形體。從而，本發明具有產業利用性。
1‧‧‧成形體製造裝置
10‧‧‧接觸部
2‧‧‧裝置本體
21‧‧‧中心軸
22‧‧‧裝載部
23‧‧‧上側面
24‧‧‧塗布膜
3‧‧‧成形模具
3a1 ‧‧‧成形模具
3a2 ‧‧‧成形模具
3a3 ‧‧‧成形模具
31‧‧‧空腔
32‧‧‧內周面
33‧‧‧塗布膜
4‧‧‧第1流路構件
41‧‧‧排出口
42‧‧‧傾斜部
43‧‧‧內周面
44‧‧‧塗布膜
5‧‧‧上側壓縮構件
51‧‧‧插入部
52‧‧‧上沖壓面
53‧‧‧塗布膜
6‧‧‧下側壓縮構件
61‧‧‧插入部
62‧‧‧下沖壓面
63‧‧‧塗布膜
7‧‧‧第2流路構件
71‧‧‧內周面
72‧‧‧塗布膜
900‧‧‧半導體封裝
901‧‧‧半導體晶片
902‧‧‧成形部
903‧‧‧導線架
904‧‧‧導線
Q1‧‧‧粉體
Q1’‧‧‧多餘部分
Q2‧‧‧成形體
圖1為樹脂組成物之製造步驟之示意圖。
圖2為本發明之成形體製造裝置之透視示意圖。
圖3為圖2中之A-A線截面圖。
圖4為圖2中之B-B線截面圖。
圖5為圖2中之C-C線截面圖。
圖6為使用樹脂組成物所得之IC封裝之部分截面圖。
1‧‧‧成形體製造裝置
2‧‧‧裝置本體
21‧‧‧中心軸
22‧‧‧裝載部
23‧‧‧上側面
3‧‧‧成形模具
3a1 ‧‧‧成形模具
3a2 ‧‧‧成形模具
3a3 ‧‧‧成形模具
31‧‧‧空腔
4‧‧‧第1流路構件
42‧‧‧傾斜部
5‧‧‧上側壓縮構件
51‧‧‧插入部
6‧‧‧下側壓縮構件
61‧‧‧插入部
62‧‧‧下沖壓面
7‧‧‧第2流路構件
71‧‧‧內周面
Q1‧‧‧粉體
Q2‧‧‧成形體

Claims (14)

  1. 一種成形體製造裝置，其係藉由將成形材料之樹脂組成物壓縮成形以製造成形體，其特徵在於具備：裝置本體，其係形成為板狀並可繞垂直軸旋轉，且安裝有至少1個成形模具，該成形模具係具有於上下方向開口並被供給前述樹脂組成物的空腔；第1流路構件，其係形成為管狀，並構成於前述裝置本體旋轉指定角度的第1位置將前述樹脂組成物供給至前述空腔內時，使被供給之前述樹脂組成物通過之流路；上側壓縮構件，其係具有上沖壓面，該上沖壓面係於前述裝置本體自前述第1位置旋轉指定角度後之第2位置自上側插入至前述空腔內，並壓縮前述空腔內之前述樹脂組成物；下側壓縮構件，其係具有下沖壓面，該下沖壓面係於前述第2位置自下側插入至前述空腔內，並與前述上沖壓面一起壓縮前述空腔內之前述樹脂組成物；及第2流路構件，其係形成為管狀，並構成於前述裝置本體自前述第2位置旋轉指定角度後之第3位置將前述樹脂組成物壓縮成形而成之前述成形體脫模並在經脫模之前述成形體自前述空腔內排出時，使被排出之前述成形體通過之流路；前述裝置本體之上側面、區劃出前述空腔之壁面、前述第1流路構件之內周面、前述第2流路構件之內周面、前述上沖壓面及前述下沖壓面係由非金屬所形成的塗布膜所構成； 構成前述上沖壓面及前述下沖壓面之各個前述塗布膜係比構成前述裝置本體之上側面、前述壁面、前述第1流路構件之內周面及前述第2流路構件之內周面之各個前述塗布膜還厚。
  2. 如申請專利範圍第1項之成形體製造裝置，其中前述非金屬為陶瓷或樹脂材料。
  3. 如申請專利範圍第2項之成形體製造裝置，其中前述陶瓷包括氧化物系陶瓷。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之成形體製造裝置，其中前述非金屬以500gf之荷重測定而得之維氏硬度Hv(規定於JIS Z 2244)為1300以上。
  5. 如申請專利範圍第1項之成形體製造裝置，其中分別構成前述裝置本體之上側面、前述壁面、前述上沖壓面及前述下沖壓面的前述非金屬係相同。
  6. 如申請專利範圍第1項之成形體製造裝置，其中分別構成前述第1流路構件之內周面及前述第2流路構件之內周面的前述非金屬係相同或不同。
  7. 如申請專利範圍第1項之成形體製造裝置，其中前述塗布膜之厚度為0.2~1mm。
  8. 如申請專利範圍第1項之成形體製造裝置，其中前述空腔之形狀為圓柱狀。
  9. 如申請專利範圍第1項之成形體製造裝置，其中前述上沖壓面與前述下沖壓面係分別以平面或彎曲凹面所構成。
  10. 如申請專利範圍第1項之成形體製造裝置，其中前述第1流路構件之內周面及前述第2流路構件之內周面 分別有至少一部分朝下方傾斜。
  11. 如申請專利範圍第1項之成形體製造裝置，其中分別預先在區劃出前述空腔之壁面、前述上沖壓面及前述下沖壓面上塗布脫模劑。
  12. 如申請專利範圍第1項之成形體製造裝置，其中前述樹脂組成物形成為粉狀。
  13. 如申請專利範圍第1項之成形體製造裝置，其中前述成形體為構成IC封裝之外裝部的成形部。
  14. 一種成形體之製造方法，其係使用如申請專利範圍第1至13項中任一項之成形體製造裝置將成形材料之樹脂組成物壓縮成形以製造成形體。
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