TWI524481B

TWI524481B - 冷卻裝置及冷卻方法

Info

Publication number: TWI524481B
Application number: TW100107335A
Authority: TW
Inventors: 上田茂久; 柴田洋志
Original assignee: 住友電木股份有限公司
Priority date: 2010-03-05
Filing date: 2011-03-04
Publication date: 2016-03-01
Also published as: CN102762345A; JP2011183618A; CN102762345B; US20120318002A1; WO2011108387A1; JP5593741B2; KR20130028047A; TW201145473A; US9849613B2; KR101809765B1; SG183478A1; MY155894A

Description

冷卻裝置及冷卻方法

本發明係關於冷卻裝置及冷卻方法。

已知有藉由樹脂製之密封材來被覆(密封)半導體晶片(半導體元件)而成的半導體封裝。半導體封裝之密封材係將樹脂組成物例如藉由轉移成形等而成形。在製造此樹脂組成物之過程中，係進行將該樹脂組成物在一對輥間加壓而成為片狀，接著再以冷卻裝置予以冷卻(例如，參照專利文獻1)。

專利文獻1所記載之冷卻裝置，係具備有搬送片狀之樹脂組成物的輸送帶(belt conveyor)、以及具有對輸送帶上之樹脂組成物吹送冷風之複數個吹出口的導管(duct)。從各吹出口所各自噴出之冷風之溫度係設定成0～15℃。然而，以此種溫度之冷風，依正要被冷卻前之樹脂組成物本身之溫度的高低不同(例如溫度為40～50℃的情況下)，為了不過度或不足地冷卻該樹脂組成物，會耗費時間，亦即有冷卻效率低的問題。

專利文獻1：日本特開2006-297701號公報

本發明之目的係在於提供一種可高效率冷卻樹脂組成物的冷卻裝置及冷卻方法。

此種目的係藉由下述(1)～(16)之本發明來達成。

(1)　一種冷卻裝置，其特徵在於具備：搬送手段，係沿著其面方向搬送已成形為片狀之樹脂組成物；以及冷卻手段，係將藉由該搬送手段搬送中之該樹脂組成物予以冷卻；且該樹脂組成物在正要被冷卻手段冷卻前之溫度為40～60℃；該冷卻手段係具有將該樹脂組成物以0.2～5℃/秒之冷卻速度冷卻的冷卻能力。

(2)　如上述(1)之冷卻裝置，其中該冷卻手段具備有朝向該樹脂組成物排出-40～0℃之冷氣且至少具有設有1個排氣口的送風部。

(3)　如上述(2)之冷卻裝置，其中該冷氣的濕度為10%以下。

(4)　如上述(2)或(3)之冷卻裝置，其中從該排氣口排出該冷氣時，其壓力為0.2MPa以上。

(5)　如上述(2)至(4)中任一項之冷卻裝置，其中該排氣口係沿著該樹脂組成物之搬送方向配置有複數個。

(6)　如上述(2)至(5)中任一項之冷卻裝置，其中該排氣口係從上方排出該冷氣。

(7)　如上述(2)至(5)中任一項之冷卻裝置，其中該排氣口係從與該樹脂組成物之搬送方向相反側排出該冷氣。

(8)　如上述(2)至(7)中任一項之冷卻裝置，其中該冷卻手段係構成為對該樹脂組成物從其兩面側分別吹送該冷氣。

(9)　如上述(2)至(8)中任一項之冷卻裝置，其中該冷卻手段係構成為階段地逐步降低該冷氣之溫度。

(10)　如上述(1)至(9)中任一項之冷卻裝置，其中該搬送手段具有彼此分離配置之一對滑輪、以及掛在該一對滑輪間轉動且藉由該各滑輪旋轉以載置並搬送該樹脂組成物的皮帶；該皮帶係其至少表面為以非金屬構成。

(11)　如上述(10)之冷卻裝置，其中該皮帶係以積層體構成，且位於其最外側之外層為以該非金屬構成。

(12)　如上述(1)至(11)中任一項之冷卻裝置，其中進一步具備腔室，該腔室係在以該皮帶搬送該樹脂組成物之期間，連該皮帶一起收納該樹脂組成物，以維持該冷卻手段所形成之冷卻環境氣氛。

(13)　如上述(1)至(12)中任一項之冷卻裝置，其中該樹脂組成物係以混練裝置混練，該混練物係經在一對輥間加壓而成形為片狀；該冷卻裝置係設置於從該一對輥排出該樹脂組成物之下游側。

(14)　如上述(1)至(13)中任一項之冷卻裝置，其中該樹脂組成物的厚度為5mm以下。

(15)　如上述(1)至(14)中任一項之冷卻裝置，其中該樹脂組成物係為構成IC封裝之外裝部的模部。

(16)　一種冷卻方法，其係將已成形為片狀之樹脂組成物，一邊沿著其面方向搬送一邊予以冷卻的冷卻方法，其特徵在於：該樹脂組成物在正要被冷卻手段冷卻前之溫度為40～60℃；且以該樹脂組成物之冷卻速度為0.2～5℃/秒的方式冷卻。

以下，根據附圖所示之較佳實施形態，詳細地說明本發明之冷卻裝置及冷卻方法。

＜第1實施形態＞

圖1係表示樹脂組成物之製造步驟的圖，圖2係本發明之冷卻裝置及其周邊之裝置的部分截面側視圖，圖3係圖2所示之冷卻裝置之皮帶的擴大縱截面圖，圖7係使用樹脂組成物之IC封裝的部分截面圖。此外，以下為了說明方便，係將圖2、圖3、及圖7中(針對圖4至圖6亦相同)之上側稱為「上」或「上方」，而將下側稱為「下」或「下方」。

圖2所示之本發明之冷卻裝置1，係一種製造最終成為成形體之樹脂組成物時在冷卻步驟所使用的裝置。在此冷卻裝置1之說明之前，首先說明從原料起至製造樹脂組成物為止，整體的製造步驟。

首先，準備屬樹脂組成物之原料的各材料。

原料係具有樹脂、硬化劑、以及填充材(微粒子)，進一步視需要具有硬化促進劑、及偶合劑等。就樹脂而言，較佳為環氧樹脂。

就環氧樹脂而言，例如可列舉甲酚酚醛清漆型、聯苯型、雙環戊二烯型、三酚甲烷型、以及多芳香族環型等。

就硬化劑而言，例如可列舉酚系酚醛清漆型、酚芳烷基型、三酚甲烷型、以及多芳香族環型等。

就填充材而言，例如可列舉熔融矽石(破碎狀、球狀)、結晶矽石、以及氧化鋁等。

就硬化促進劑而言，例如可列舉磷化合物、以及胺化合物等。

就偶合劑而言，例如可列舉矽烷化合物等。

此外，原料亦可省略前述材料中既定之材料，另外亦可含有前述以外之材料。就其他之材料而言，例如可列舉著色劑、脫模劑、低應力劑、以及阻燃劑等。

(微粉碎)

如圖1所示，針對原料中既定之材料，首先藉由粉碎裝置進行粉碎(微粉碎)，使其成為既定之粒度分布。就此所欲粉碎之原料而言，例如雖有樹脂、硬化劑、以及促進劑等之填充材以外的原料，不過亦可添加填充材之一部分。又，做為粉碎裝置例如可使用連續式旋轉球磨機等。

(表面處理)

針對原料中之既定材料，例如填充材之全部或一部分(殘餘)，可施以表面處理。就此表面處理而言，例如可使偶合劑等附著於填充材之表面。此外，前述微粉碎與表面處理係可同時地進行，亦可先進行其中任一者。

(混合)

其次，藉由混合裝置將前述各材料徹底地予以混合。做為此混合裝置，例如可使用具有旋轉葉片之高速混合機等。

(混練)

其次，藉由混練裝置100對前述混合後之材料進行混練。做為此混練裝置100，例如可使用單軸型混練擠出機、雙軸型混練擠出機等之擠壓混練機或混合輥(mixing roll)等之輥式混練機。

(脫氣)

其次，對屬前述混練後之材料的混練物(樹脂組成物)進行脫氣。此脫氣例如可藉由真空泵(未圖示)進行，其中該真空泵係連接於排出混練裝置100中，排出前述經混練材料的排出口101。

(片化)

其次，將前述脫氣後之塊狀的混練物(以下稱為「混練物Q1」)，以成形裝置200成形為片狀，而製得片狀之材料(以下稱為「片材Q2」)。做為此成形裝置200，例如如圖2所示，可使用具有配置於混練裝置100之排出口101下方(下游側)的輥201、202的裝置。圖2所示之構成中，可在輥201與輥202之間，對從混練裝置100所排出之混練物Q1進行加壓以成形為片狀。

(冷卻)

其次，藉由冷卻裝置1冷卻片材Q2。藉此，即可在下一步驟容易且確實地進行片材Q2之粉碎。此外，針對冷卻裝置1將在之後加以詳述。

(粉碎)

其次，藉由粉碎裝置將片狀之材料粉碎成既定之粒度分布，而製得粉末狀之材料。做為此粉碎裝置，例如可使用鎚磨機(hammer mill)、石臼式磨碎機、以及輥碎機(roll crusher)等。

(錠化)

其次，藉由成形體製造裝置(打錠裝置)，可將前述粉末狀之材料予以壓縮成形，而製得成形體之樹脂組成物。

如圖7所示，此樹脂組成物係例如使用於半導體晶片(IC晶片)901之被覆(密封)，而成為模部902，該模部902係構成半導體封裝(IC封裝)900之外裝部。藉由此模部902即可保護半導體晶片901。此外，欲以樹脂組成物被覆半導體晶片901，係可列舉將樹脂組成物例如藉由轉移成形等予以成形，以做為密封材而來被覆半導體晶片901的方法。圖7所示之構成的半導體封裝900，係為複數個導線架(lead frame)903從模部902突出，且各導線架903分別透過例如以具有如金等之導電性的金屬材料所構成的導線904，而與半導體晶片901電氣連接。

此外，亦可省略前述錠化之步驟，而將粉末狀之材料做為樹脂組成物。此情況下，可藉由例如壓縮成形、射出成形等將密封材予以成形。

其次，針對冷卻裝置1加以說明。

圖2所示之冷卻裝置1，係用以執行本發明之冷卻方法的裝置。此冷卻裝置1係配置在輥201、202之下方，亦即從輥201、202排出片材Q2之下游側。藉此，從輥201、202擠出之片材Q2即迅速地移動至冷卻裝置1。接著，冷卻裝置1即可一邊將片材Q2搬送往下一步驟一邊予以冷卻。此外，就將片材Q2加以冷卻的目的而言，可列舉以下之目的。

從輥201、202所擠出之片材Q2係帶有熱，在正要被冷卻裝置1冷卻前之溫度係為例如40～60℃左右。因此，該片材Q2係呈軟質。又，由於在冷卻步驟之下一步驟的粉碎步驟將片材Q2予以粉碎，因此為了確實地進行該粉碎，而必需將軟質之片材Q2予以冷卻，以形成為硬質者。此即為以冷卻裝置1來冷卻片材Q2之目的。

如圖2所示，冷卻裝置1係具備有：搬送片材Q2之搬送手段2、冷卻片材Q2之冷卻手段3、以及維持冷卻手段3所形成之冷卻環境的腔室4。以下，針對各部分之構成加以說明。

搬送手段2係為將片材Q2沿著其面方向搬送，以送出至下一步驟時用的輸送帶(belt conveyor)。搬送手段2係具有主動滑輪(搬送輥(carrier roller)21、被動滑輪(回行輥(return roller)22、掛在主動滑輪21與被動滑輪22間轉動的皮帶23、以及配置在主動滑輪21與被動滑輪22間之複數個惰輪(輸送帶輥)24。

主動滑輪21與被動滑輪22係透過腔室4彼此分離配置。於主動滑輪21係連結有馬達(未圖示)，該馬達驅動時即可旋轉。又，被動滑輪22係在主動滑輪21旋轉時，透過皮帶23傳達其旋轉力，而可與主動滑輪21一起旋轉。

皮帶23係具有可撓性，且係藉由主動滑輪21及被動滑輪22分別旋轉，以載置並搬送片材Q2。在例如在圖3所示之構成中，此皮帶23係以具有基底層231與外層232之積層體構成。

基底層231係以例如鋼製且構成皮帶23之芯材的部分。

外層232係形成在基底層231上，且位於皮帶23之最外側，用以載置片材Q2之層。此外層232較佳為以非金屬構成。藉此，在搬送片材Q2之過程，即使在片材Q2與外層232之外周面(表面)233之間，產生摩擦導致外周面233磨損而造成一部分被削下，該被削下之物當然亦為非金屬。相對於此，在例如皮帶23本身為以鋼製的情況下，搬送片材Q2之過程中，因前述之摩擦導致從該上面產生金屬粉末，而有該金屬粉末會混入尚未經充分地冷卻之軟質狀態的片材Q2之虞。然而，冷卻裝置1中，即可確實地防止此種金屬粉末混入片材Q2。又，即使前述被削下之非金屬混入片材Q2，該片材Q2係充分經得起使用於半導體封裝900之模部902。

就前述非金屬材料而言，雖無特別限制，不過例如可使用異戊二烯橡膠、丁二烯橡膠、苯乙烯-丁二烯橡膠等的各種橡膠材料、或苯乙烯系、聚烯烴系、聚氯乙烯系、聚胺基甲酸酯系等的各種熱可塑性彈性體，可將此等中之1者或2者以上加以混合使用。

又，亦可對基底層231進行陶瓷塗覆，以取代以此種彈性材料構成的外層232。此時，就陶瓷而言，例如可列舉氧化鋁、矽石、氧化鈦、氧化鋯、氧化釔、磷酸鈣等之氧化物陶瓷、氮化矽、氮化鋁、氮化鈦、氮化硼等之氮化物陶瓷、碳化鎢等之碳化系陶瓷、或者將此等中之2者以上任意地加以組合的複合陶瓷。

又，較佳為配置在冷卻裝置1上游側之成形裝置200之輥201的外層203、輥202的外層203亦以陶瓷構成。藉此，即可更確實地防止金屬粉末混入片材Q2。

各輸送帶輥24係分別以等間隔配置，支承皮帶23上側之部分。藉此，順利地進行皮帶23之驅動，而且亦可防止皮帶23之撓曲(皮帶之下垂)。

冷卻手段3係用以冷卻正在藉由搬送手段2搬送之片材Q2。此冷卻手段3對片材Q2之冷卻速度為0.2～5℃/秒，較佳為具有0.5～1.5℃/秒的冷卻能力。冷卻手段3中，為了獲得(發揮)此冷卻能力，係設定有以下各部之構成及各部的冷卻條件。

如圖2所示，冷卻手段3係具備有用以朝向片材Q2送出冷氣G1的送風部31。冷卻手段3(送風部31)係具有生成冷氣G1的冷氣生成部32、將在冷氣生成部32所生成之冷氣G1排出的複數個噴嘴33、以及連結冷氣生成部32與各噴嘴33的連結管34。

冷氣生成部32係配置在腔室4之外側。此冷氣生成部32係為高壓氣體G0被送入，再將此高壓氣體G0予以冷卻，以從該高壓氣體G0生成冷氣G1的裝置。就將高壓氣體G0冷卻之構成而言，無特別限制，例如可設置成以液態氮等之冷媒來冷卻高壓氣體G0的構成。又，其他亦可設置成熱泵(heat pump)式冷凍機等的構成。就熱泵式冷凍機而言，雖無特別限制，不過例如可列舉蒸氣壓縮、吸收式、吸附式、史特靈(Stering)式、化學反應式、以及半導體等。

又，就高壓氣體G0而言，無特別限制，例如可列舉空氣、二氧化碳、或氮等惰性氣體等。基於安全上之觀點，較佳為空氣。

各噴嘴33主要係分別沿著片材Q2之搬送方向A配置在腔室4之內側。此外，噴嘴33亦可朝向片材Q2之寬度方向(圖2之紙面內側)配置。各噴嘴33之構成，由於彼此大致相同，因此以下僅針對1個噴嘴33代表性地加以說明。

噴嘴33係以管體構成，且配置成其一端之開口部為朝向下方，亦即皮帶23側。此外，此朝向下方之開口部係具有排出冷氣G1之排氣口331的功能。藉此，在片材Q2通過噴嘴33之下方時，即可從其上方將冷氣G1(冷風)吹送於該片材Q2。又，再配合上沿著片材Q2之搬送方向A配置有前述之複數個噴嘴33，片材Q2即在搬送之期間與冷氣G1接觸，因此即可不會過度或不足地確實且迅速地冷卻。

又，從噴嘴33所排出之冷氣G1的溫度，雖無特別限制，不過較佳為設定於-40～0℃，更較佳為設定於-20～-30℃。就此種溫度設定方法而言，例如可列舉調整高壓氣體G0通過前述冷媒時之每單位時間之流量等的方法、以及冷凍機之設定溫度的調整等。

又，從噴嘴33所排出之冷氣G1的濕度，雖無特別限制，不過較佳為設定於10%以下，更佳為設定於0～5%。藉此，即能以較露點更低之條件下冷卻片材Q2，因此可防止在片材Q2產生結露。就此種濕度設定方法而言，例如可列舉在冷氣生成部32設置除濕劑並使高壓氣體G0通過此除濕劑的方法、以及合併設置乾燥器等除濕裝置的方法等。

從噴嘴33排出冷氣G1時之壓力，雖無特別限制，不過較佳為設定於例如0.2Mpa以上，更佳為設定於0.3～0.5MPa。就此種壓力設定方法而言，例如可舉在冷氣生成部32設置閥，並調節該閥之打開狀態，以調節通過該閥之高壓氣體G0之壓力(流量)的方法等。

根據以上之裝置構成及冷卻條件，即能以前述冷卻速度確實地冷卻片材Q2。藉此，即可高效率地冷卻在溫度為40～50℃時進入之片材Q2，因此在轉移至粉碎步驟前，該片材Q2即可迅速且確實地從軟質改變成硬質。接著在粉碎步驟即可容易且確實地粉碎硬質之片材Q2。

又，由於能夠以高效率亦即以短時間冷卻片材Q2，因此可防止為了使片材Q2與冷氣G1接觸而導致皮帶23過長。藉此，可將冷卻裝置1設置成小型之裝置。

又，片材Q2的厚度較佳為5mm以下，更較佳為0.5～3mm。藉此，即能以冷卻裝置1進行更高效率之冷卻。

又，較佳為成形裝置200具有冷卻片材Q2之功能。藉此，在片材Q2進入冷卻裝置1前即受到預冷，而能以冷卻裝置1進行更高效率之冷卻。

如圖2所示，腔室4係可在以皮帶23搬送片材Q2之期間，連皮帶23一起收納片材Q2。又，在腔室4係設有片材Q2進入之入口41、以及片材Q2離開之出口42。以皮帶23搬送之片材Q2係從入口41進入腔室4內，在該腔室4內藉由冷卻手段3冷卻，再從出口42離開。

藉由此腔室4來維持冷卻手段3所形成之冷卻環境，因此能以更高效率冷卻片材Q2。又，亦可防止異物混入片材Q2。

此外，構成腔室4之壁部43，較佳為以隔熱材覆蓋或埋設有隔熱材。

＜第2實施形態＞

圖4係表示本發明之冷卻裝置之第2實施形態的部分截面側視圖。

以下，雖參照此圖針對本發明之冷卻裝置及冷卻方法的第2實施形態加以說明，不過係以與前述實施形態之不同點為中心加以說明，同樣之事項則省略其說明。

本實施形態，除了冷卻手段之構成不同以外，係與前述第1實施形態相同。

圖4所示之冷卻手段3A中，各噴嘴33係分別朝向搬送方向A之下游側傾斜設置。藉此，從各噴嘴33係分別從與搬送方向A相反側排出冷氣G1。亦即，冷氣G1的流動係逆流(counter flow)。

本實施形態，相較於前述第1實施形態般從垂直的上方吹送冷氣G1之情形，冷卻裝置1之冷卻效率與前述第1實施形態相同或更高。

＜第3實施形態＞

圖5係表示本發明之冷卻裝置之第3實施形態的部分截面側視圖。

以下，雖參照此圖針對本發明之冷卻裝置及冷卻方法的第3實施形態加以說明，不過係以與前述實施形態之不同點為中心來加以說明，同樣之事項則省略其說明。

圖5所示之冷卻手段3B係構成為對片材Q2從其兩面側分別吹送冷氣G1。以下，針對此加以說明。

冷卻手段3B中，除了噴嘴33之外，係透過皮帶23在與噴嘴33相反側，配置有連通於冷氣生成部32且暫時儲留來自該冷氣生成部32之冷氣G1的儲留部35。

儲留部35係呈箱狀，其上部則以例如彈性材料之襯墊(packing)351構成。襯墊351係呈板狀，並形成有貫通於其厚度方向之多數個貫通孔352。又，襯墊351係抵接於皮帶23之內周面234。

另一方面，皮帶23係形成有貫通於其厚度方向之多數個貫通孔235。各貫通孔235之大小係大於儲留部35之各貫通孔352之大小。

此外，驅動皮帶23後，在既定之貫通孔235與儲留部35之任一貫通孔352連通時，即從該貫通孔235排出冷氣G1。此冷氣G1係可從片材Q2之下面側來冷卻片材Q2。又，如前述般，來自各噴嘴33之冷氣G1係可從片材Q2之上面側來冷卻片材Q2。

以此方式，本實施形態中，藉由擴大片材Q2與冷氣G1之接觸面積，即可增大冷卻效果。又，可從其兩面側來冷卻片材Q2，因此可防止在冷卻中於片材Q2產生翹曲，導致在冷卻中因噴嘴33與片材Q2接觸而產生阻塞。

＜第4實施形態＞

圖6係表示本發明之冷卻裝置之第4實施形態的部分截面側視圖。

以下，雖參照此圖針對本發明之冷卻裝置及冷卻方法的第4實施形態加以說明，不過係以與前述實施形態之不同點為中心加以說明，同樣之事項則省略其說明。

圖6所示之冷卻手段3C中，係具有分別排出溫度互異之冷氣G2及G3的噴嘴33a及33b。例如，從噴嘴33a所排出之冷氣G2的溫度高於從噴嘴33b所排出之冷氣G3。此時，例如可將冷氣G2之溫度設於-20～0℃，而將冷氣G3之溫度設於-40～-20℃。又，亦能夠依冷氣G2所形成之環境與冷氣G3所形成之環境具備有各別的腔室4。

藉由此種構成，片材Q2係在搬送之過程階段地逐步冷卻。藉此，可防止片材Q2在過度之低溫下急遽地受到冷卻，因此可防止片材Q2非期望地變質。又，可防止在冷卻中於片材Q2產生翹曲，導致因噴嘴33a及33b與片材Q2接觸而產生阻塞。由於冷卻效果係受到被冷卻體與冷媒之溫度差影響，因此藉由此種構成便能以適切之低溫狀況冷卻，所以能源效率上並無浪費。

以上，雖已針對圖示之實施形態說明了本發明之冷卻裝置及冷卻方法，不過本發明並非限定於此。又，構成冷卻裝置之各部分係可置換成能發揮同樣功能之任意構成。又，亦可附加任意之構成物。

又，本發明之冷卻裝置及冷卻方法，亦可將前述各實施形態中之任意2個以上之構成(特徵)加以組合。

又，本發明之冷卻裝置的皮帶，在各實施形態中雖以積層體構成，且其最外層為以彈性材料等之非金屬構成，不過並不限定於此，例如亦能以單層構成，且其整體以非金屬構成。

又，本發明之冷卻裝置的冷卻手段，在各實施形態中雖配置有複數個噴嘴，不過並不限定於此，例如亦可配置1個噴嘴。

根據本發明，能夠以高效率冷卻溫度為40～50℃之樹脂組成物。藉此，例如在溫度為40～50℃之樹脂組成物為軟質且欲粉碎此樹脂組成物的情況下，在進行粉碎前之期間，將軟質之樹脂組成物予以冷卻，可迅速且確實地使其改變成硬質。接著，即可容易且確實地粉碎硬質之樹脂組成物。

又，在搬送手段具有載置並搬送樹脂組成物的皮帶，且該皮帶之至少表面為以非金屬構成的情況下，在搬送樹脂組成物之過程，即使在樹脂組成物與皮帶之表面之間產生摩擦，導致表面磨損而造成一部分被削下，該被削下之物當然為非金屬。相對於此，在例如皮帶本身為以鋼製的情況下，在搬送樹脂組成物之過程，因前述之磨損，導致從該表面產生金屬粉末，而有該金屬粉末會混入尚未經充分地冷卻之軟質狀態的樹脂組成物之虞。然而，本發明中，即可確實地防止此種金屬粉末混入樹脂組成物，而且即使前述被削下之非金屬混入樹脂組成物，該樹脂組成物亦充分經得起使用。因此，本發明在產業上具有可利用性。

1．．．冷卻裝置

2．．．搬送手段

3、3A、3B、3C．．．冷卻手段

4．．．腔室

21．．．主動滑輪

22．．．被動滑輪

23．．．皮帶

24．．．惰輪

31．．．送風部

32．．．冷氣生成部

33、33a、33b．．．噴嘴

34．．．連結管

35．．．儲留部

41．．．入口

42．．．出口

43．．．壁部

100．．．混練裝置

101．．．排出口

200．．．成形裝置

201、202．．．輥

203．．．外層

231．．．基底層

232．．．外層

233．．．外周面

234．．．內周面

235．．．貫通孔

331．．．排氣口

352．．．貫通孔

900．．．半導體封裝(IC封裝)

901．．．半導體晶片(IC晶片)

902．．．模部

903．．．導線架

904．．．導線

G0．．．高壓氣體

G1、G2、G3．．．冷氣

Q1．．．混練物

Q2．．．片材

圖1係表示樹脂組成物之製造步驟的圖。

圖2係本發明之冷卻裝置及其周邊之裝置的部分截面側視圖。

圖3係圖2所示之冷卻裝置之皮帶的擴大縱截面圖。

圖4係本發明之冷卻裝置之第2實施形態的部分截面側視圖。

圖5係本發明之冷卻裝置之第3實施形態的部分截面側視圖。

圖6係本發明之冷卻裝置之第4實施形態的部分截面側視圖。

圖7係使用樹脂組成物之IC封裝的部分截面圖。