TWI596200B

TWI596200B - 液晶介質及電光顯示器

Info

Publication number: TWI596200B
Application number: TW100144923A
Authority: TW
Inventors: 馬克傑貝爾; 真邊篤孝; 艾爾維拉蒙特尼果; 戴特利夫普拉斯
Original assignee: 馬克專利公司
Priority date: 2010-12-07
Filing date: 2011-12-06
Publication date: 2017-08-21
Also published as: DE102011117937A1; EP2649154B1; EP2649154A1; CN103391985B; EP3133137B1; KR20190075147A; US9434882B2; KR20220043248A; JP2014505746A; CN103391985A; KR20210022781A; KR102566087B1; WO2012076105A1; TW201231629A; KR20140004119A; EP3133137A1; JP6491410B2; US20130248763A1

Description

液晶介質及電光顯示器

本發明係關於液晶介質及其在液晶顯示器中之用途，及該等液晶顯示器，尤其使用ECB(電控雙折射)效應與呈垂直初始配向之介電負性液晶之液晶顯示器。本發明液晶介質區別在於在本發明顯示器中具有極短的回應時間並同時具有高電壓保持率(簡寫為VHR)。

電控雙折射原理(ECB(電控雙折射)效應或DAP(配向相位形變)效應)首次闡述於1971年(M.F. Schieckel及K. Fahrenschon，「Deformation of nematic liquid crystals with vertical orientation in electrical fields」,Apol. Phys. Lett. 19(1971),3912)。隨後J.F. Kahn(Appl. Phys. Lett. 20(1972),1193)及G. Labrunie及J. Robert(J. Appl. Phys. 44(1973),4869)在其論文中對此加以闡述。

J. Robert及F. Clerc(SID 80 Digest Techn. Papers(1980),30)、J. Duchene(Displays 7(1986),3)及H. Schad(SID 82 Digest Techn. Papers(1982),244)之論文已顯示，為適用於基於ECB效應之高資訊顯示器元件，液晶相必須具有高的彈性常數K₃/K₁比值，高的光學各向異性值Δn且介電各向異性值Δε-0.5。基於ECB效應之電光顯示器元件具有垂直邊緣配向(VA技術=垂直配向)。介電負性液晶介質亦可用於使用所謂IPS效應之顯示器。

該效應在電光顯示器元件中之工業應用需要必須滿足多種要求之LC相。此處尤其重要的是對潮濕、空氣及物理影響(例如熱、紅外線、可見光及紫外線區域輻射、及直流及交流電場)之化學抵抗性。

此外，要求可在工業上使用之LC相在適宜溫度範圍內具有液晶中間相及低黏度。

迄今已揭示之具有液晶中間相的系列化合物中無一者包括滿足該等需求之單一化合物。因此，通常製備2種至25種、較佳3種至18種化合物之混合物以獲得可用作LC相的物質。

矩陣液晶顯示器(MLC顯示器)已為人們所習知。可用於個別切換個別像素之非線性元件係(例如)主動元件(即電晶體)。則使用術語「主動矩陣」，其中通常利用薄膜電晶體(TFT)，該等薄膜電晶體通常佈置於作為基板之玻璃板上。

在以下兩種技術間加以區別：包含化合物半導體(例如CdSe)之TFT或基於多晶矽且尤其非晶形矽之TFT。後一技術目前具有全球最大的商業重要性。

將TFT矩陣施用於顯示器之一個玻璃板內部，同時另一玻璃板在其內側載有透明反電極。與像素電極大小相比較，TFT極小並實質上對影像不具有不利作用。該技術亦可擴展至能顯示全彩色顯示器，其中佈置紅、綠及藍濾色器之鑲嵌以便濾色器元件位於每一可切換像素對面。

迄今使用最多之TFT顯示器通常以傳輸中之交叉偏振器操作且背光。TV應用使用IPS單元或ECB(或VAN)單元，其中監視器通常使用IPS單元或TN單元且筆記型電腦、膝上型電腦及移動應用通常使用TN單元。

本文術語MLC顯示器涵蓋任一具有積體非線性元件之矩陣顯示器，即除主動矩陣外，亦包括具有被動元件(例如，壓敏電阻或二極體(MIM=金屬-絕緣體-金屬))之顯示器。

該類型MLC顯示器尤其適用於TV應用、監視器及筆記型電腦或適用於(例如)汽車製造或飛機製造中之具有高資訊密度的顯示器。除了涉及對比之角度依賴性及回應時間的問題以外，在MLC顯示器中亦會出現因液晶混合物之不夠高的比電阻造成之困難[TOGASHI,S.,SEKIGUCHI,K.,TANABE,H.,YAMAMOTO,E.,SORIMACHI,K.,TAJIMA,E.,WATANABE,H.,SHIMIZU,H.,Proc. Eurodisplay 84,1984年9月：A 210-288 Matrix LCD Controlled by Double Stage Diode Rings，第141頁及以下，Paris；STROMER,M.,Proc. Eurodisplay 84，1984年9月：Design of Thin Film Transistors for Matrix Addressing of Television Liquid Crystal Displays，第145頁及以下，Paris]。隨著電阻降低，MLC顯示器之對比惡化。由於液晶混合物之比電阻通常會因與顯示器內表面相互作用而在MLC顯示器使用壽命期間降低，因此對在長操作期內必須具有可接受電阻值之顯示器而言，高(初始)電阻極為重要。

除IPS(平面內切換)顯示器(例如：Yeo,S.D.之論文15.3：「An LC Display for the TV Application」,SID 2004 International Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV，第II冊，第758頁及第759頁)及早已為人所知之TN(扭轉向列型)顯示器以外，亦已建立使用ECB效應之顯示器，即所謂的VAN(垂直配向向列型)顯示器，其係三種以上較新類型液晶顯示器中目前最重要的一者，尤其對於電視應用而言。

應提及之最重要設計為：MVA(多域垂直配向，例如：Yoshide,H.等人之論文3.1：「MVA LCD for Notebook or Mobile PCs...」,SID 2004 International Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV，第I冊，第6頁至第9頁；及Liu,C.T.等人之論文15.1：「A 46-inch TFT-LCD HDTV Technology...」,SID 2004 International Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV，第II冊，第750頁至第753頁)、PVA(圖案化垂直配向，例如：Kim,Sang Soo之論文15.4：「Super PVA Sets New State-of-the-Art for LCD-TV」,SID 2004 International Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV，第II冊，第760頁至第763頁)及ASV(先進超視覺，例如：Shigeta,Mitzuhiro及Fukuoka,Hirofumi之論文15.2：「Development of High Quality LCDTV」,SID 2004 International Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV，第II冊，第754頁至第757頁)。

在一般形式中，舉例而言，在Souk,Jun,SID Seminar 2004,Seminar M-6：「Recent Advances in LCD Technology」,Seminar Lecture Notes，M-6/1至M-6/26及Miller,Ian,SID Seminar 2004,Seminar M-7：「LCD-Television」,Seminar Lecture Notes，M-7/1至M-7/32中對該等技術進行比較。儘管現代ECB顯示器之回應時間已藉由使用超驅動定址方法得以顯著改良，例如：Kim,Hyeon Kyeong等人之論文9.1：「A 57-in. Wide UXGA TFT-LCD for HDTV Application」,SID 2004 International Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV，第I冊，第106頁至第109頁，但達成視訊相容回應時間(具體而言在灰色梯度之切換中)仍係尚未達到令人滿意程度解決的問題。

ECB顯示器(例如ASV顯示器)使用具有負介電各向異性(Δε)之液晶介質，而TN及迄今所有習用IPS顯示器使用具有正介電各向異性之液晶介質。

在此類型液晶顯示器中，使用液晶作為電介質，在施加電壓時其光學性質發生可逆改變。

由於在一般顯示器中(亦即亦在根據該等所提及效應之顯示器中)，操作電壓應盡可能低，故利用通常主要由液晶化合物組成之液晶介質，所有該等液晶化合物均具有相同符號的介電各向異性且具有介電各向異性之最高可能值。一般而言，至多採用相對較小比例之中性化合物且(若可能)不採用具有與介質相反之介電各向異性符號的化合物。因此，在用於ECB顯示器之具有負介電各向異性之液晶介質的情形下，主要採用具有負介電各向異性之化合物。所採用液晶介質通常主要且通常甚至實質上由具有負介電各向異性之液晶化合物組成。

在本發明申請案所用介質中，由於液晶顯示器通常意欲具有最低可能的定址電壓，故介電中性液晶化合物通常以最大量使用且介電正性化合物通常僅以極小量使用或甚至完全不存在。

自(例如)WO 2009/129911 A1已知具有負介電各向異性之向列型液晶混合物，其包含少量作為穩定劑之TINUVIN770，即下式化合物：

類似液晶化合物亦自(例如)EP 2 182 046 A1、WO 2008/009417 A1、WO 2009/021671 A1及WO 2009/115186 A1已知。然而，其中未指示使用穩定劑。

根據其中之揭示內容，該等介質可視情況亦包含各種類型之穩定劑，例如，酚及空間受阻胺(受阻胺光穩定劑，簡寫為HALS)。然而，該等介質之特徵在於具有相對較高臨限電壓及最佳適度穩定性。具體而言，在暴露後其電壓保持率降低。另外，經常出現黃化。

各種穩定劑於液晶介質中之用途闡述於(例如)JP(S)55-023169(A)、JP(H)05-117324(A)、WO 02/18515 A1及JP(H) 09-291282(A)中。

含有經鹵素(F)軸向取代之伸環己基環的化合物尤其自DE 197 14 231、DE 187 23 275、DE 198 31 712及DE 199 45 890已知。Kirsch,P.、Reiffenrath,V.及Bremer,M.,Molecular Design and Synthesis,Synlett 1999(4)，389及以下，Kirsch,P.及Tarumi,K.,Angew. Chem. Int. Ed.,1997(37),484及以下及Kirsch,P.、Heckmeier,M.及Tarumi,K.,Liquid Crystals,1999(26),449及以下亦提及相應化合物。然而，具體而言，對於許多需求應用而言，包含此類型化合物之液晶介質並不足夠穩定。具體而言，在高溫下可發生分解。然而，在UV暴露時通常亦產生問題。具體而言，此處可觀察到電壓保持率(簡寫為VHR或HR)不期望地顯著減小。

在DE 100 50 880中提及藉由添加含有吡啶-5-基單元之化合物來穩定包含相應化合物之液晶混合物。然而，如下文更詳細闡述，此通常並不產生充足穩定性。

相應地具有低定址電壓之先前技術之液晶介質具有相對較低電阻值或低VHR且經常在顯示器中產生不期望閃爍及/或不足透光率。另外，至少若其相應地具有如低定址電壓所需高極性，則其對熱及/或UV暴露不足夠穩定。

另外，先前技術顯示器之定址電壓通常太高，具體而言對於未直接連接或連續地連接至電源網絡之顯示器(例如用於移動應用之顯示器)而言。

另外，相範圍必須足夠寬以便用於預期應用。

必須改良(即縮短)顯示器中液晶介質之回應時間。此對於電視或多媒體應用之顯示器尤為重要。為改良回應時間，過去已反覆提出優化液晶介質之旋轉黏度(γ₁)，即以獲得具有最低可能旋轉黏度之介質。然而，此處所達成之結果不適於諸多應用且因此人們顯然期望發現其他優化方法。

介質對極端負荷、具體而言UV及熱暴露之充足穩定性極為重要。具體而言，在移動設備(例如移動電話)中之顯示器中之應用情形下，此可至關重要。

迄今所揭示MLC顯示器之缺點係由於其相當低對比、相對高視角依賴性及在該等顯示器中產生灰色梯度之困難、以及其不足VHR及其不足壽命。

因此，仍極需要具有極高比電阻同時具有大的工作溫度範圍、短回應時間及低臨限電壓從而可借助該等條件產生多種灰色梯度且(具體而言)具有良好且穩定之VHR的MLC顯示器。

本發明之目標係不僅為監視器及TV應用、而且為移動電話及導航系統提供MLC顯示器，該等顯示器係基於ECB或IPS效應，不具有上述缺點，或僅具有少量缺點，且同時具有極高比電阻值。具體而言，必須確保移動電話及導航系統亦可在極高及極低溫度下工作。

令人驚奇的是，已發現，若使用向列型液晶混合物之該等顯示器元件，則可獲得具體而言在ECB顯示器中具有低臨限電壓與短回應時間且同時具有足夠寬的向列相、有利之低雙折射率(Δn)、對熱分解之良好穩定性及穩定之高VHR的液晶顯示器，該等混合物包含至少一種式I化合物及在每一情形下至少一種式II化合物及至少一種選自式III-1至III-4化合物之群之化合物。

具體而言，此類型介質可用於具有基於ECB效應之主動矩陣定址的電光顯示器及用於IPS(平面內切換)顯示器。

本發明之混合物展示澄清點70℃之極寬向列相範圍、極有利之電容臨限值、相對較高之保持率值且同時在-20℃及-30℃下良好低溫穩定性以及極低之旋轉黏度。此外，本發明混合物區別在於澄清點與旋轉黏度之良好比率及高負介電各向異性。

因此，本發明係關於具有向列相及負介電各向異性之液晶介質，其包含

a)　式I化合物，其較佳濃度為高達1.0%，較佳高達0.10%，尤佳高達0.05%，

b)　一或多種式II化合物

其中R²¹　表示具有1至7個C原子之未經取代之烷基或具有2至7個C原子之未經取代之烯基，較佳正烷基，其尤佳具有3、4或5個C原子，且R²²　表示具有2至7個C原子、較佳具有2、3或4個C原子之未經取代之烯基，更佳乙烯基或1-丙烯基且尤其乙烯基，及

c)　一或多種選自式III-1至III-4化合物之群之化合物

其中R³¹　表示具有1至7個C原子之未經取代之烷基，較佳正烷基，其尤佳具有2至5個C原子，R³²　表示具有1至7個C原子、較佳具有2至5個C原子之未經取代之烷基，或具有1至6個C原子、較佳具有2、3或4個C原子之未經取代之烷氧基，且m、n及o　各自彼此獨立地表示0或1。

在本發明申請案中，烷基　尤佳表示直鏈烷基，具體而言CH₃-、C₂H₅-、n-C₃H₇-、n-C₄H₉-或n-C₅H₁₁-，且烯基　尤佳表示CH₂=CH-、E-CH₃-CH=CH-、CH₂=CH-CH₂-CH₂-、E-CH₃-CH=CH-CH₂-CH₂-或E-(n-C₃H₇)-CH=CH-。

本發明介質較佳包含總濃度範圍為1.0.10^-4%或更高至0.10%或更低、較佳5.0.10^-3%或更高至5.0.10^-3%或更低、尤佳1.0.10^-3%或更高至4.0.10^-3%或更低之式I化合物。

本發明介質較佳包含總濃度範圍為5%或更高至90%或更低、較佳10%或更高至80%或更低、尤佳20%或更高至70%或更低之一或多種式II化合物。

本發明介質較佳包含總濃度範圍為10%或更高至80%或更低、較佳15%或更高至70%或更低、尤佳20%或更高至60%或更低之一或多種選自式III-1至III-4之群之化合物。

本發明介質尤佳包含：一或多種式III-1化合物，其總濃度範圍為5%或更高至30%或更低，一或多種式III-2化合物，其總濃度範圍為3%或更高至30%或更低，一或多種式III-3化合物，其總濃度範圍為5%或更高至30%或更低，一或多種式III-4化合物，其總濃度範圍為1%或更高至30%或更低。

較佳之式II化合物係選自式II-1及II-2化合物之群、較佳選自式II-1化合物之化合物，

其中烷基　表示具有1至7個C原子、較佳具有2至5個C原子之烷基，烯基　表示具有2至5個C原子、較佳具有2至4個C原子、尤佳2個C原子之烯基，烯基'　表示具有2至5個C原子、較佳具有2至4個C原子、尤佳具有2至3個C原子之烯基。

本發明介質較佳包含一或多種式III-1化合物、較佳一或多種選自式III-1-1及III-1-2化合物之群之化合物，

其中各參數具有上文針對式III-1所給出之含義，且較佳地，R³¹　表示具有2至5個C原子、較佳具有3至5個C原子之烷基，且R³²　表示具有2至5個C原子之烷基或烷氧基，較佳具有2至4個C原子之烷氧基，或具有2至4個C原子之烯氧基。

本發明介質較佳包含一或多種式III-2化合物、較佳一或多種選自式III-2-1及III-2-2化合物之群之化合物，

其中各參數具有上文針對式III-2所給出之含義，且較佳地R³¹　表示具有2至5個C原子、較佳具有3至5個C原子之烷基，且R³²　表示具有2至5個C原子之烷基或烷氧基，較佳具有2至4個C原子之烷氧基，或具有2至4個C原子之烯氧基。

本發明介質較佳包含一或多種式III-3化合物、較佳一或多種選自式III-3-1及III-3-2化合物之群之化合物，

其中各參數具有上文針對式III-3所給出之含義，且較佳地R³¹　表示具有2至5個C原子、較佳具有3至5個C原子之烷基，且R³²　表示具有2至5個C原子之烷基或烷氧基，較佳具有2至4個C原子之烷氧基，或具有2至4個C原子之烯氧基。

本發明介質較佳包含所述總濃度之下列化合物：10-60重量%的一或多種式III化合物，及/或30-80重量%的一或多種式IV及/或V化合物，其中介質中之所有化合物之總含量係100%。

本發明亦係關於含有本發明液晶介質之電光顯示器或電光組件。較佳者係基於VA或ECB效應之電光顯示器且具體而言彼等借助主動矩陣定址裝置定址者。

因此，本發明同樣係關於本發明液晶介質在電光顯示器或電光組件中之用途，及用於製備本發明液晶介質之方法，其特徵在於將一或多種式I化合物與一或多種含有子式IIa之一或多個基團之化合物、較佳與一或多種式II化合物、一或多種較佳選自式III及IV及/或V化合物之群之其他化合物混合。

另外，本發明係關於用於穩定液晶介質之方法，該液晶介質包含一或多種式II化合物及一或多種選自式III-1至III-4化合物之群之化合物，該方法之特徵在於向介質中添加化合物TINUVIN770。

在又一較佳實施例中，該介質包含一或多種式IV化合物

其中R⁴¹　表示具有1至7個C原子、較佳具有2至5個C原子之烷基，且R⁴²　表示具有1至7個C原子之烷基或具有1至6個C原子、較佳具有2至5個C原子之烷氧基。

在又一較佳實施例中，該介質包含一或多種選自式IV-1及IV-2化合物之群之式IV化合物：

其中烷基及烷基'　彼此獨立地表示具有1至7個C原子、較佳具有2至5個C原子之烷基，烷氧基　表示具有1至5個C原子、較佳具有2至4個C原子之烷氧基，且烯基及烯基'　彼此獨立地表示具有2至7個C原子、較佳具有2至5個C原子之烯基。

在又一較佳實施例中，該介質包含一或多種式V化合物

其中R⁵¹及R⁵²　彼此獨立地具有針對R²¹及R²²所給出含義中之一者且較佳表示具有1至7個C原子之烷基，較佳正烷基，尤佳具有1至5個C原子之正烷基，具有1至7個C原子之烷氧基，較佳正烷氧基，尤佳具有2至5個C原子之正烷氧基，具有2至7個C原子、較佳具有2至4個C原子之烷氧基烷基、烯基或烯氧基，較佳烯氧基，

至若存在，則各自彼此獨立地表示

較佳地

且若存在

較佳表示，Z⁵¹至Z⁵³　各自彼此獨立地表示-CH₂-CH₂-、-CH₂-O-、-CH=CH-、-C≡C-、-COO-或單鍵，較佳-CH₂-CH₂-、-CH₂-O-或單鍵且尤佳單鍵，p及q　各自彼此獨立地表示0或1，(p+q)　較佳表示0或1。

在又一較佳實施例中，該介質包含一或多種選自式V-1至V-10化合物之群、較佳選自式V-1至V-5化合物之群之式V化合物，

其中各參數具有上文根據式V所給出之含義，且Y⁵　表示H或F，且較佳地R⁵¹　表示具有1至7個C原子之烷基或具有2至7個C原子之烯基，且R⁵²　表示具有1至7個C原子之烷基、具有2至7個C原子之烯基或具有1至6個C原子之烷氧基，較佳烷基或烯基，尤佳烯基。

在又一較佳實施例中，該介質包含一或多種選自式V-1a及V-1b、較佳式V-1b化合物之群之式V-1化合物：

其中烷基及烷基'　彼此獨立地表示具有1至7個C原子、較佳具有2至5個C原子之烷基，烷氧基　表示具有1至5個C原子、較佳具有2至4個C原子之烷氧基。

在又一較佳實施例中，該介質包含一或多種選自式V-3a及V-3b化合物之群之式V-3化合物：

其中烷基及烷基'　彼此獨立地表示具有1至7個C原子、較佳具有2至5個C原子之烷基，烷氧基　表示具有1至5個C原子、較佳具有2至4個C原子之烷氧基，且烯基　表示具有2至7個C原子、較佳具有2至5個C原子之烯基。

在又一較佳實施例中，該介質包含一或多種選自式V-4a及V-4b化合物之群之式V-4化合物：

在又一較佳實施例中，該介質包含一或多種式III-4化合物，較佳式III-4-a化合物，

其中烷基及烷基'　彼此獨立地表示具有1至7個C原子、較佳具有2至5個C原子之烷基。

本發明液晶介質可包含一或多種對掌性化合物。

本發明之尤佳實施例滿足下列條件中之一或多者，其中首字母縮略詞(縮寫)於表A至C中加以解釋並由表D中之實例加以闡釋。

i.　液晶介質之雙折射率為0.060或更高，尤佳0.070或更高。

ii.　液晶介質之雙折射率為0.130或更低，尤佳0.120或更低。

iii.　液晶介質之雙折射率在0.090或更高至0.120或更低之範圍內。

iv.　液晶介質之負介電各向異性具有2.0或更高、尤佳3.0或更高之值。

v.　液晶介質之負介電各向異性具有5.5或更低、尤佳4.0或更低之值。

vi.　液晶介質之負介電各向異性具有2.5或更高至3.8或更低範圍內之值。

vii.　該液晶介質包含一或多種選自下文所給出子式之尤佳式II化合物：

其中烷基具有上文所給出之含義且較佳地在每一情形下彼此獨立地表示具有1至6個、較佳具有2至5個C原子之烷基且尤佳正烷基。

viii.　式II化合物於整體混合物中之總濃度係25%或更高、較佳30%或更高，且較佳在25%或更高至49%或更低之範圍內，尤佳在29%或更高至47%或更低之範圍內，且極佳在37%或更高至44%或更低之範圍內。

ix.　液晶介質包含一或多種選自下式之化合物之群的式II化合物：CC-n-V及/或CC-n-Vm，尤佳CC-3-V(其濃度較佳高達50%或更低，尤佳高達42%或更低)，及視情況額外CC-3-V1(其濃度較佳高達15%或更低)、及/或CC-4-V(其濃度較佳高達20%或更低，尤佳高達10%或更低)。

x.　式CC-3-V化合物於整體混合物中之總濃度係20%或更高、較佳25%或更高。

xi.　式III-1至III-4化合物於整體混合物中之比例係50%或更高且較佳75%或更低。

xii.　液晶介質基本上由式I、II、III-1至III-4、IV及V化合物、較佳式I、II及III-1至III-4化合物組成。

xiii.　液晶介質包含一或多種式IV化合物，其總濃度較佳為5%或更高，具體而言10%或更高，且極佳15%或更高至40%或更低。

此外，本發明係關於具有基於VA或ECB效應之主動矩陣定址之電光顯示器，其特徵在於其含有本發明液晶介質作為電介質。

液晶混合物較佳具有寬度為至少80。之向列相範圍及於20℃下至多30 mm²‧s^-1之流動黏度ν₂₀。

本發明液晶混合物之Δε為-0.5至-8.0，尤其-1.5至-6.0，且極佳-2.0至-5.0，其中Δε表示介電各向異性。

旋轉黏度γ₁較佳係120 mPa‧s或更低，尤其100 mPa‧s或更低。

本發明混合物適用於所有VA-TFT應用，例如VAN、MVA、(S)-PVA及ASV。此外，其適用於具有負Δε之IPS(平面內切換)、FFS(邊緣場切換)及PALC應用。

本發明顯示器中向列型液晶混合物通常包含兩種組份A及B，該等組份本身由一或多種單獨化合物組成。

本發明液晶介質較佳包含4至15種、尤其5至12種且尤佳10種或更少化合物。該等化合物較佳選自式I、II及III-1至III-4、及/或IV及/或V化合物之群。

本發明液晶介質可視情況亦包含18種以上化合物。在此情形下，其較佳包含18至25種化合物。

除式I至V化合物外，亦可存在其他成份，該等其他成份之量為(例如)佔整體混合物之高達45%，但較佳高達35%，尤其高達10%。

本發明介質亦可視情況包含介電正性組份，其總濃度以全部介質計較佳為10%或更低。

在較佳實施例中，本發明液晶介質包含以整體化合物計總共，10 ppm或更高至1000 ppm或更低、較佳50 ppm或更高至500 ppm或更低、尤佳100 ppm或更高至400 ppm或更低且極佳150 ppm或更高至300 ppm或更低的式I化合物，20%或更高至60%或更低、較佳25%或更高至50%或更低、尤佳30%或更高至45%或更低的式II化合物，及50%或更高至70%或更低的式III-1至III-4化合物。

在較佳實施例中，本發明液晶介質包含選自式I、II、III-1至III-4、IV及V化合物之群、較佳選自式I、II及III-1至III-4化合物之群的化合物；其較佳主要、尤佳基本上且極佳實質上完全由該等式化合物組成。

本發明液晶介質在每一情形下較佳具有至少-20℃或更低至70℃或以上、尤佳-30℃或更低至80℃或以上、極佳-40℃或更低至85℃或以上且最佳-40℃或更低至90℃或以上的向列相。

此處表達「具有向列相」意味著一方面在相應溫度之低溫下觀察不到近晶相及結晶且另一方面在加熱時向列相不出現透明。在相應溫度下在流量式黏度儀中實施低溫研究並藉由儲存於具有相應電光應用之單元厚度的測試單元內達至少100小時來檢查。若在-20℃溫度下在相應測試單元中儲存穩定性達1000 h或更長，則認為該介質在該溫度下穩定。在-30℃及-40℃溫度下，相應時間分別係500 h及250 h。在高溫下，在毛細管中藉由習用方法量測澄清點。

在較佳實施例中，本發明液晶介質之特徵在於光學各向異性值在中度至低範圍內。雙折射率值較佳在0.065或更高至0.130或更低範圍內，尤佳在0.080或更高至0.120或更低範圍內且極佳在0.085或更高至0.110或更低範圍內。

在此實施例中，本發明液晶介質具有負介電各向異性及相對較高介電各向異性絕對值(∣Δε|)，該等值之範圍較佳為2.7或更高至5.3或更低、較佳至4.5或更低，較佳2.9或更高至4.5或更低，尤佳3.0或更高至4.0或更低且極佳3.5或更高至3.9或更低。

本發明液晶介質具有範圍為1.7 V或更高至2.5 V或更低、較佳1.8 V或更高至2.4 V或更低、尤佳1.9 V或更高至2.3 V或更低且極佳1.95 V或更高至2.1 V或更低之相對較低臨限電壓(V₀)值。

在又一較佳實施例中，本發明液晶介質具有相對較低平均介電各向異性值(ε_av.≡(ε_∣∣+2ε_⊥)/3)，其範圍較佳為5.0或更高至7.0或更低，較佳5.5或更高至6.5或更低，仍更佳5.7或更高至6.4或更低，尤佳5.8或更高至6.2或更低且極佳5.9或更高至6.1或更低。

另外，本發明液晶介質在液晶單元中具有高VHR值。

在新填充單元中，在20℃下在該等單元中，電壓保持率大於或等於95%、較佳大於或等於97%、尤佳大於或等於98%且極佳大於或等於99%，且在5分鐘後在烘箱中在100℃下在該等單元中，電壓保持率大於或等於90%、較佳大於或等於93%、尤佳大於或等於96%且極佳大於或等於98%。

一般而言，此處具有低定址電壓或臨限電壓之液晶介質的VHR比彼等具有較高定址電壓或臨限電壓者低，且反之亦然。

個別物理性質之該等較佳值在每一情形下亦較佳地藉由本發明介質彼此組合來保持。

在本發明申請案中，除非另有明確說明，否則術語「化合物(compounds)」(亦寫為「化合物(compound(s))」)意指一種以及複數種化合物二者。

除非另有說明，否則個別化合物在每一情形下通常以1%或更高至30%或更低、較佳2%或更高至30%或更低且尤佳3%或更高至16%或更低之濃度用於混合物中。

在較佳實施例中，本發明液晶介質包含式I化合物，一或多種式II化合物，其較佳選自以下之群：式CC-n-V及CC-n-Vm、較佳CC-3-V、CC-3-V1、CC-4-V及CC-5-V化合物之群，尤佳選自化合物CC-3-V、CC-3-V1及CC-4-V、極佳化合物CC-3-V、及視情況額外化合物CC-4-V及/或CC-3-V1之群，一或多種式III-1-1化合物，其較佳選自式CY-3-O2、CY-3-O4、CY-5-O2及CY-5-O4化合物之群之式CY-n-Om化合物，一或多種式III-1-2化合物，其較佳選自式CCY-n-m及CCY-n-Om化合物之群，較佳式CCY-n-Om，較佳選自式CCY-3-O2、CCY-2-O2、CCY-3-O1、CCY-3-O3、CCY-4-O2、CCY-3-O2及CCY-5-O2化合物之群，視情況、較佳必須一或多種式III-2-2化合物，較佳式CLY-n-Om化合物，其較佳選自式CLY-2-O4、CLY-3-O2、CLY-3-O3化合物之群，一或多種式III-3-2化合物，較佳式CPY-n-Om化合物，其較佳選自式CPY-2-O2及CPY-3-O2、CPY-4-O2及CPY-5-O2化合物之群，一或多種式III-4化合物，較佳式PYP-n-m化合物，其較佳選自式PYP-2-3及PYP-2-4化合物之群。

對於本發明，除非在個別情形下另有說明，否則下列定義與對組合物成份之說明結合應用：

-　「包含」：組合物中所述成份之濃度較佳為5%或更高、尤佳為10%或更高、極佳為20%或更高，

-　「主要由......組成」：組合物中所述成份之濃度較佳為50%或更高、尤佳為55%或更高且極佳為60%或更高，

-　「基本上由......組成」：組合物中所述成份之濃度較佳為80%或更高、尤佳為90%或更高且極佳為95%或更高，且

-　「實質上由......組成」：組合物中所述成份之濃度較佳為98%或更高、尤佳為99%或更高且極佳為100.0%。

此既適用於具有多種成份(可為組份及化合物)之介質組合物，且亦適用於具有多種成份(即化合物)之組份。僅在涉及個別化合物相對於作為整體之介質之濃度時，術語「包含」意指：所述化合物之濃度較佳為1%或更高、尤佳2%或更高、極佳4%或更高。

對於本發明，「」意指小於或等於、較佳小於，且「」意指大於或等於、較佳大於。

對於本發明，

表示反式-1,4-伸環己基，且

表示1,4-伸苯基。

對於本發明，表達「介電正性化合物」意指Δε>1.5之化合物，表達「介電中性化合物」意指彼等-1.5Δε1.5者且表達「介電負性化合物」意指彼等Δε<-1.5者。此處化合物之介電各向異性係藉由以下方式測定：將10%的化合物溶解於液晶主體中並在1 kHz下在具有垂直及水平表面配向之20 μm單元厚度之至少一個測試單元中測定所得混合物在每一情形下之電容。量測電壓典型地為0.5 V至1.0 V，但總低於所研究各液晶混合物之電容臨限值。

用於介電正性與介電中性化合物之主體混合物係ZLI-4792且用於介電負性化合物之主體混合物係ZLI-2857，二者皆購自Merck KGaA,Germany。擬研究之各化合物之值係自添加擬研究之化合物後之主體混合物介電常數之變化並外推至使用100%的該化合物而獲得。將擬研究之化合物以10%的量溶於主體混合物中。若該物質溶解性太低而難以達成此目的，則將濃度逐步減半直至可在期望溫度下實施該研究。

本發明液晶介質亦可(若需要)包含常用量之其他添加劑，例如穩定劑及/或多色染料及/或對掌性摻雜劑。該等所用添加劑之量以整體混合物之量計較佳總共為0%或更高至10%或更低、尤佳0.1%或更高至6%或更低。所用單獨化合物之濃度較佳為0.1%或更高至3%或更低。當說明液晶介質中液晶化合物之濃度及濃度範圍時，該等及類似添加劑之濃度通常未被考慮在內。

在較佳實施例中，本發明液晶介質包含聚合物前體，該聚合物前體包含常用量之一或多種反應化合物，較佳為反應液晶原以及(若需要)其他添加劑，例如聚合起始劑及/或聚合緩合劑。該等所用添加劑的量以整體混合物之量計總共為0%或更高至10%或更低、較佳0.1%或更高至2%或更低。當說明液晶介質中液晶化合物之濃度及濃度範圍時，該等及類似添加劑之濃度未被考慮在內。

組合物由複數種化合物組成，較佳3種或更高至30種或更低、尤佳6種或更高至20種或更低且極佳10種或更高至16或更低化合物，該等化合物以習用方式混合。一般而言，將期望量的以較少量使用之組份溶解於構成混合物主要成份之組份中。該溶解在高溫下實施較為有利。若所選溫度高於主要成份之澄清點，則特別容易觀察到溶解操作之完成。然而，亦能以其他習用方式(例如使用預混合或所謂的「多瓶系統」)製備液晶混合物。

本發明之混合物展示澄清點65℃或更高之極寬向列相範圍、極有利之電容臨限值、相對較高之保持率值且同時在-30℃及-40℃下極佳之低溫穩定性。此外，本發明混合物之區別在於低旋轉黏度γ₁。

對熟習此項技術者不言而喻的是，用於VA、IPS、FFS或PALC顯示器之本發明介質亦可包含(例如)H、N、O、Cl、F已經相應同位素替代之化合物。

本發明液晶顯示器之結構符合如(例如)EP-A 0 240 379中所述之常規幾何學。

可借助適宜添加劑以使本發明液晶相能用於目前已揭示(例如)ECB、VAN、IPS、GH或ASM-VA LCD之任一類型顯示器之方式對其進行修改。

下文表E指出可添加至本發明混合物中之可能的摻雜劑。若混合物包含一或多種摻雜劑，則其以0.01%至4%、較佳0.1%至1.0%之量採用。

舉例而言，在下表F中顯示穩定劑，其可較佳以0.01%至6%、具體而言0.1%至3%添加至本發明混合物中。

除非另有明確說明，否則對於本發明之目的而言，所有濃度均以重量%表示且除非另有明確說明，否則其係關於相應混合物或混合物組份。

除非另有明確說明，否則本發明申請案中所指出之所有溫度值(例如熔點T(C,N)、近晶相(S)向向列相(N)轉變T(S,N)及澄清點T(N,I))均以攝氏度(℃)表示且所有溫度差均相應地以差異度(°或度)表示。

除非另有明確說明，否則對於本發明而言，術語「臨限電壓」係關於電容臨限值(V₀)，亦稱為弗裏德裏克茲(Freedericks)臨限值。

除非另有明確說明，否則在每一情形下所有物理性質係且已經根據「Merck Liquid Crystals,Physical Properties of Liquid Crystals」(1997年11月版本，Merck KGaA,Germany)測定，並適用20℃之溫度，且Δn係在589 nm下測定且Δε係在1 kHz下測定。

電光性質(例如臨限電壓(V₀))(電容量測)同切換特性一樣係在Merck Japan有限公司製造之測試單元中測定。該等量測單元具有鈉鈣玻璃基板且以ECB或VA構型由聚醯亞胺配向層(SE-1211與稀釋劑**26(混合比率為1:1)，二者皆購自Nissan Chemicals,Japan)構造而成，該等聚醯亞胺配向層已垂直於彼此摩擦並影響液晶之垂直配向。透明實質上方形ITO電極之表面積係1 cm²。

除非另有說明，否則未向所用液晶混合物中添加對掌性摻雜劑，但後者亦尤其適用於需要此類型摻雜之應用中。

VHR係在Merck Japan有限公司製造之測試單元中測定。該量測單元具有鈉鈣玻璃基板且由層厚度為50 nm之聚醯亞胺配向層(AL-3046，購自Japan Synthetic Rubber,Japan)構造而成，該等聚醯亞胺配向層以垂直方式彼此摩擦。層厚度係均勻6.0 μm。透明ITO電極之表面積為1 cm²。

VHR係在來自Autronic Melchers,Germany之市售儀器中在20℃下測定(VHR₂₀)並在5分鐘後在100℃烘箱中測定(VHR₁₀₀)。所用電壓之頻率為60 Hz。

VHR量測值之精確度取決於各別VHR值。精確度隨著值減小而減小。通常在不同量值範圍內之值情形下觀察到之偏差以其數量級彙集於下表中。

在「Suntest CPS」(來自Heraeus,Germany之市售儀器)中研究對UV輻照之穩定性。將密封測試單元輻照2.0小時而不額外加熱。300 nm至800 nm波長範圍內之輻照功率係765 W/m² V。使用邊緣波長為310 nm之UV「切斷」濾色器以模擬所謂窗玻璃模式。在每一實驗系列中，每一情況研究至少四個測試單元，且各自結果指示為相應個別量測之平均值。

根據下列方程(1)測定通常因暴露(例如因UV輻照、因LCD背光照明)造成之電壓保持率減小(ΔVHR)：

ΔVHR(t)=VHR(t)-VHR(t=0)　(1)。

根據下列方程(2)測定LC混合物對負荷在時間t內之相對穩定性(S_rel)：

其中「ref」代表相應不穩定混合物。

旋轉黏度係使用旋轉永久性磁鐵法測定且流動黏度係在改良之Ubbelohde黏度計中測定。對於液晶混合物ZLI-2293、ZLI-4792及MLC-6608(所有產品均購自Merck KGaA,Darmstadt,Germany)，於20℃下測得之旋轉黏度值分別為161 mPa‧s、133 mPa‧s及186 mPa‧s，且流動黏度值(v)分別為21 mm²‧s^-1、14 mm²‧s^-1及27mm²‧s^-1。

除非另有明確說明，否則使用下列符號：V₀　於20℃下之臨限電壓、電容[V]n_e　於20℃及589 nm下測得之非尋常折射率，n_o　於20℃及589 nm下測得之尋常折射率，Δn　於20℃及589 nm下測得之光學各向異性，ε_⊥　於20℃及1 kHz下垂直於定向子之介電極化率，ε∥　於20℃及1 kHz下平行於定向子之介電極化率，Δε　於20℃及1 kHz下之介電各向異性，cl.p.或T(N,I)或　澄清點[℃]，ν　於20℃下測得之流動黏度[mm²‧s^-1]，γ₁　於20℃下測得之旋轉黏度[mPa‧s]，K₁　於20℃下之彈性常數，「展開」形變[pN]，K₂　於20℃下之彈性常數，「扭轉」形變[pN]，K₃　於20℃下之彈性常數，「彎曲」形變[pN]，且LTS　相之低溫穩定性，在測試單元中測定，VHR　電壓保持率，ΔVHR　電壓保持率之減小，S_rel　VHR之相對穩定性。

下列實例闡釋本發明而非對本發明加以限制。然而，該等實例對熟習此項技術人員展示關於較佳地擬採用之化合物及其各自濃度及其彼此之組合的較佳混合物概念。另外，該等實例闡釋可獲得之性質及性質組合。

對於本發明及在下列實例中，液晶化合物之結構係以首字母縮略詞方式給出，其中依照下表A至C轉換成化學式。所有基團C_nH_2n+1、C_mH_2m+1及C₁H₂₁₊₁或C_nH_2n、C_mH_2m及C₁H₂₁均係直鏈烷基或伸烷基，在每一情形下分別具有n、m及1個C原子。表A顯示化合物核之環元素之代碼，表B列示橋接單元，且表C列示分子左側及右側端基之符號的含義。首字母縮略詞係由具有可選連接基團之環元素之代碼、隨後第一連字符及左側端基之代碼、及第二連字符及右側端基之代碼構成。表D結合化合物各自之縮寫展示其闡釋性結構。

其中n及m各自係整數，且三個點「...」係該表格其他縮寫之佔位符。

除式I化合物以外，本發明混合物較佳包含下文所提及化合物中之一或多種化合物。

使用下列縮寫：

(n、m及z各自彼此獨立地為整數，較佳為1至6)

表E顯示較佳用於本發明混合物中之對掌性摻雜劑。

在本發明較佳實施例中，本發明介質包含一或多種選自表E化合物之群之化合物。

表F顯示除式I化合物外可較佳用於本發明混合物中之穩定劑。此處參數n表示1至12範圍內之整數。具體而言，所示酚衍生物可用作額外穩定劑，此乃因其起抗氧化劑之作用。

在本發明之較佳實施例中，本發明介質包含一或多種選自表F化合物之群之化合物，具體而言一或多種選自以下兩式之化合物之群的化合物：

實例

下列實例闡釋本發明而非以任何方式對其加以限制。然而，該等物理性質使得熟習此項技術者明瞭可達成之性質及其可修改之範圍。具體而言，熟習此項技術者由此充分界定較佳可達成之各種性質之組合。

實例1：

製備並研究下列混合物(M-1)。

向混合物M-1中添加250 ppm之化合物TINUVIN770。與混合物M-1本身一樣，借助冷陰極(CCFL) LCD背光照明在具有用於垂直配向之配向材料及平坦ITO電極之測試單元中來研究所得混合物(M-1-1)關於其對照明之穩定性。為此，將測試單元暴露於照明中1000小時。隨後在100℃之溫度下5分鐘後測定電壓保持率。

不同量測系列中之電壓保持率值的再現性在約3%至4%範圍內。

根據下列方程(1)測定通常因負荷造成之電壓保持率減小(ΔVHR)：

ΔVHR(t)=VHR(t)-VHR(t=0)　(1)。

若根據下列方程測定時間t後LC混合物對LCD背光照明之相對穩定性(S_rel)，則方程(2)為：

其中「ref」代表相應不穩定混合物(此處M-1)，針對此實例獲得S_rel(1000 h)=2.0之相對穩定性。此結果對應於經由使用250 ppm之TINUVIN770研究之混合物的穩定性有效加倍。

若TINUVIN770以100 ppm、200 ppm或300 ppm之濃度用於混合物(M-1)(所得混合物為M-1-2、M-1-3及M-1-4)，則獲得針對彼等上述者類似之良好結果。

實例2：

製備並研究下列混合物(M-2)。

如針對實例1所述研究混合物M-2。為此，亦向此混合物中添加250 ppm之化合物TINUVIN770。與混合物M-2本身一樣，借助LCD背光照明在測試單元中研究所得混合物(M-2-1)關於其對照明之穩定性。為此，將測試單元暴露於照明中1000小時。隨後在100℃之溫度下5分鐘後測定電壓保持率。此處電壓保持率之相對改良係S_rel(1000 h)=1.5。

實例3及比較實例3a及3b： 比較實例3：

製備並研究下列混合物(C-3)。

如實例1中所述研究此比較混合物C-3。結果示於下表(表1)中。

實例3：

製備並研究下列混合物(M-3)。

如實例1中所述研究主體混合物M-3，且與混合物M-1一樣，添加250 ppm之化合物TINUVIN770。同樣研究所得混合物(M-3-1)。

此處電壓保持率之相對改良係S_rel(1000 h)=2.9。結果概述於上表(表1)中。

直接比較混合物C-3與M-3之性質可明瞭，對回應時間甚為重要之旋轉黏度在混合物M-3之情形下比在相應比較混合物C-3之情形下顯著較低(參見表1)。在本發明申請案之穩定混合物(M-3-1)情形下，不再出現在混合物M-3情形下與比較混合物C-3相比VHR顯著降低之缺點。

實例4及比較實例4a及4b： 比較實例4a：

製備並研究下列混合物(C-4)。

如實例1中所述研究此比較混合物C-4。結果示於下表(表2)中。

實例4：

製備並研究下列混合物(M-4)。

如實例1中所述研究主體混合物M-4，且與混合物M-1一樣，向混合物M-4-1中添加250 ppm之TINUVIN770。結果概述於前述表(表2)中。

實例5.0及比較實例5：

製備並研究下列混合物(M-5)。

如上文所述研究主體混合物M-5(比較實例5)。隨後向其中添加250 ppm之TINUVIN770，並同樣研究新混合物(M-5-1)。

實例6：

製備並研究下列混合物(M-6)。

隨後向主體混合物M-6中添加250 ppm之TINUVIN770，隨後如上文所述研究主體混合物M-6關於保持率之穩定性。使用總共具有兩個不同聚醯亞胺配向層之單元。該等結果與前述實例之彼等結果相當。

實例7：

製備並研究下列混合物(M-7)。

隨後向主體混合物M-7中添加250 ppm之TINUVIN770，隨後如上文所述研究主體混合物M-7關於保持率之穩定性。該等結果與前述實例之彼等結果相當。

實例8：

製備並研究下列混合物(M-8)。

隨後向主體混合物M-8中添加250 ppm之TINUVIN770，隨後如上文所述研究主體混合物M-8關於保持率之穩定性。該等結果與前述實例之彼等結果相當。

實例9：

製備並研究下列混合物(M-9)。

隨後向主體混合物M-9中添加250 ppm之TINUVIN770，隨後如上文所述研究主體混合物M-9關於保持率之穩定性。該等結果與前述實例之彼等結果相當。

實例10及比較實例10.1至10.9： 實例10：

製備並研究下列混合物(M-10)。

此混合物M-10本身具有99.4%之初始VHR值(VHR₀)(在用LCD背光照明輻照之前)。向其中添加250 ppm TINUVIN，且隨後對其進行研究。此處電壓保持率之相對改良係S_rel(1000 h)=2.8。

比較實例10.1至10.5：

或者，在每一情形下將250 ppm之每一情形下的下列物質中之一者添加至混合物M-10之相應其他試樣中：

且研究所得混合物(CM-10-1至CM-10-5)。結果示於下表(表3)中。

自該等比較研究之結果可見，儘管電壓保持率之初始值在化合物OH-1至OH-5情形下良好，然而，此處所有該等化合物實質上根本不產生相對穩定性。藉由比較，TINUVIN770產生2.8之相對穩定性。

比較實例10.6至10.9：

且研究所得混合物(CM-10-6至CM-10-9)。結果示於下表(表4)中。

自該等比較研究之結果可見，電壓保持率之初始值在化合物N-1及N-3之情形下低至不可接受。產生極佳相對穩定性值之化合物N-1由此亦同樣不可用於實踐中。N-3最佳產生低相對穩定性且同樣具有極低初始值。儘管N-2具有良好初始值，然而，其根本不產生相對穩定性。聚合化合物N-4與初始混合物相比亦產生顯著較低初始值且最佳產生極低相對穩定性。

實例11.1及11.2： 實例11.1：

向實例10之混合物M-10中添加500 ppm之化合物TINUVIN770，隨後使其在密封玻璃瓶中經受150℃之溫度達4 h。隨後測定VHR並將其與包含500 ppm之TINUVIN770之混合物在加熱之前的初始值進行比較。加熱之前之VHR係99%且加熱之後係68%。

實例11.2：

隨後向混合物M-10中添加500 ppm之化合物TINUVIN770以及200 ppm之化合物OH-1二者。此混合物亦經受150℃之溫度達4 h。與僅包含500 ppm之TINUVIN770但無OH-1的混合物相反，加熱之後之電壓保持率與加熱之前測試同樣在相同值下。加熱之前之VHR係99%且加熱之後係99%。

研究兩種混合物關於其對於經LCD背光照明輻照之穩定性。兩種混合物之結果同樣好。因此，關於特性同時考慮加熱及暴露於背光照明時之特性，實例11.2之混合物優於實例11.1之混合物。

Claims

一種液晶介質，其具有向列相及負介電各向異性，該液晶介質包含a)式I化合物及b)一或多種式II化合物其中R²¹ 表示具有1至7個C原子之未經取代之烷基或具有2至7個C原子之未經取代之烯基，且R²² 表示具有2、3或4個C原子之未經取代之烯基，及c)一或多種式III-2化合物其中R³¹ 表示具有1至7個C原子之未經取代之烷基，R³² 表示具有1至7個C原子之未經取代之烷基或具有1至6個C原子之未經取代之烷氧基，且n 表示0或1。
如請求項1之介質，其中R²²表示乙烯基或1-丙烯基。
如請求項1之介質，其額外包含一或多種選自由式III-1、III-3及III-4化合物之群之化合物其中R³¹ 表示具有1至7個C原子之未經取代之烷基，R³² 表示具有1至7個C原子之未經取代之烷基或具有1至6個C原子之未經取代之烷氧基，且 m及o 各自彼此獨立地表示0或1。
如請求項1至3中任一項之介質，其中其包含一或多種如請求項1中所指示之式II化合物，其中R²²表示乙烯基。
如請求項4之介質，其中其包含如請求項4中所指示之式II化合物，其中R²¹表示正丙基且R²²表示乙烯基。
如請求項5之介質，其中如請求項5中所指示之該式II化合物在該介質整體中之總濃度係25%或更高至45%或更低。
如請求項1至3中任一項之介質，其中其包含一或多種式III-2-2化合物其中R³¹及R³²具有針對請求項1中之式III-2所給出之各自含義。
如請求項1至3中任一項之介質，其包含一或多種式III-3-2化合物其中R³¹及R³²具有針對請求項1中之式III-2所給出之各自含義。
如請求項1至3中任一項之介質，其包含一或多種式III-4化合物其中R³¹ 表示具有1至7個C原子之未經取代之烷基，且R³² 表示具有1至7個C原子之未經取代之烷基或具有1至6個C原子之未經取代之烷氧基。
如請求項1至3中任一項之介質，其中其額外包含一或多種對掌性化合物。
一種如請求項1至10中任一項之液晶介質的用途，其用於電光顯示器或電光組件中。
如請求項11之用途，其中該顯示器係基於VA或ECB效應。
如請求項11之用途，其中該顯示器包含主動矩陣定址裝置。
一種製備液晶介質之方法，其特徵在於使如請求項1之該等式I化合物與一或多種如請求項1之式II化合物及一或多種選自該等式III-1至III-4化合物之群之化合物混合。
一種穩定液晶介質之方法，該液晶介質包含一或多種如請求項1之式II化合物及一或多種選自如請求項1之該式III-2及如請求項3之該等式III-1、III-3及III-4化合物之群之化合物，該方法之特徵在於向該介質中添加該式I化合物及一或多種選自式OH-1至OH-5化合物之群之化合物：