TWI592231B - Metal nanoparticle complexes, metal colloidal solutions, and methods of making the same - Google Patents
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Description
本發明係關於一種適合作為製造電子電路基板時所使用之導電性墨水之主成分的金屬奈米粒子複合體、將其分散於介質中而成之金屬膠體溶液及其製造方法。
印刷電路板或半導體器件之製造主要經過光微影製程進行製造，但如下之塗佈型電子器件之製造技術備受矚目：使近年來開發有所進展之奈米級之金屬材料分散於某些介質中製成墨水調配物，將其藉由各種印刷方法圖案化，並組裝成器件。
此種技術稱為印刷電子學(以下，簡稱為PE)，對於該方法，期待具有可藉由卷對卷(roll-to-roll)而大量生產電子電路圖案或半導體元件之可能性、即需即印性、因步驟簡化與節省資源而產生之經濟性，並且期待向顯示器件、發光器件、IC(Integrated Circuit，積體電路)標籤(RFID，Radio Frequency Identification，射頻識別)等之廉價製造方法發展。
於PE中，需要導電材料墨水、半導體材料墨水、絕緣材料墨水作為基礎材料，尤其以貴金屬(金、銀、鉑類)及銅之金屬膠體(金屬奈米粒子)為成分之導電性墨水較重要，且因經濟性與使用之容易性，業界正先行開發銀膠體及其之墨水。
與塊狀銀相比，構成銀膠體之銀奈米粒子(或簡稱為奈米銀)之比表面積非常高，故而相互熔合而使表面能降低之傾向較強。其結果
為，於遠低於塊狀銀之熔點之溫度下粒子相互熔合。有時將此稱為量子尺寸效應(久保效應)，在此具有將銀奈米粒子製成導電材料之優點。
一般而言，奈米材料由於經過特殊製程進行製造，故而往往變得昂貴，此成為妨礙普及之一個原因。為了使銀膠體亦可以低成本製造，無需如真空製程般之特殊裝置的液相還原法較有利。液相還原法係使銀化合物於溶劑中與還原劑反應將其還原而獲得銀膠體之方法，此時，為了將所生成之銀奈米粒子限於一定以下之粒徑且形成穩定之金屬膠體狀態，而揭示有於被稱為「膠體保護劑」之化合物之存在下進行還原之技術。膠體保護劑主要為設計成具有三級胺基、四級銨基、具有鹼性氮原子之雜環、羥基、羧基等可與金屬粒子配位之官能基的高分子化合物(例如參照專利文獻1)。
如上所述，期待良好之低溫熔合現象之銀奈米粒子之直徑為50奈米以下，但若進一步減小則作為膠體保護劑之高分子化合物之需要量根據比表面積而增加，故而有於銀奈米粒子上之殘留量亦增多，反而變得難以表現出低溫煅燒性(將由銀膠體所獲得之薄膜以100~150℃進行煅燒所獲得之比電阻顯示10-6Ωcm級之性能)的問題。就此種導電材料之設計之觀點而言，膠體保護劑必須同時具備製造較小粒子之能力、進而對其加以保護而使之穩定化之能力、於燒結時迅速自粒子表面脫離而不會成為粒子相互熔合之障礙之複數個性質。僅憑使用Solsperse(Zeneca公司商標)或Flowlen(共榮社化學公司商標)等市售之高分子顏料分散劑、或於主鏈/側鏈上具有顏料親和性基(胺)且具有複數個溶劑合部分的市售之高分子化合物等的技術，難以同時實現該等性質(例如參照專利文獻2~4)。
針對此種問題，已揭示有如下情況：包含聚伸烷基亞胺-聚伸烷基二醇-疏水性鏈段之三元系高分子、或包含聚伸烷基亞胺-聚伸烷基
二醇之二元系高分子對銀奈米粒子之製造有效(例如參照專利文獻5~7)。然而，即便使用該等化合物，亦無法獲得粒徑及其分佈之控制，與作為膠體溶液之穩定性及低溫煅燒時之實用之導電性之表現的平衡性優異者。
[專利文獻1]日本專利特開2004-346429號公報
[專利文獻2]日本專利特開平11-080647號公報
[專利文獻3]日本專利特開2006-328472號公報
[專利文獻4]日本專利特開2002-245854號公報
[專利文獻5]日本專利特開2008-037884號公報
[專利文獻6]國際公開WO2008/143061
[專利文獻7]日本專利特開2005-89784號公報
本發明之課題係鑒於如上所述之問題而成者，在於提供一種可意圖性地附加、調節良好之金屬奈米粒子控制能力、較高之分散穩定性、良好之低溫煅燒性、及金屬奈米粒子之易精製分離性之複數個性質，而表現出更實用之導電性的金屬奈米粒子複合體及分散其而成之金屬膠體液、及該等之製造方法。
本發明者等人為解決上述課題而進行了潛心研究，結果發現，藉由使用具有經氧化之氮原子之化合物作為用作金屬奈米粒子之保護劑之化合物，可解決上述課題，從而完成本發明。
即，本發明提供一種金屬奈米粒子複合體、將其分散於介質中而成之金屬膠體溶液及該等之製造方法，該金屬奈米粒子複合體之特
徵在於：其係含有含氮化合物(A)與金屬奈米粒子(B)之複合體，並且含氮化合物(A)包含經氧化之氮原子。
本發明中所獲得之金屬膠體溶液顯示出良好之低溫煅燒性。此種低溫下之良好之導電性能係因如下原因產生：於本發明中用作金屬奈米粒子之保護劑之化合物容易於低溫下迅速自金屬奈米粒子之表面脫離。又，於該特定之保護劑之存在下所獲得之金屬奈米粒子之粒徑充分小，以單分散粒徑計粒徑分佈亦狹窄，顯示出良好之保存穩定性。其原因在於：藉由保護劑中之具有經氧化之氮原子之部分對金屬之較高之配位鍵結能力，而保護金屬奈米粒子。
於本發明中，於製造金屬膠體溶液之情形時，於藉由還原而獲得金屬奈米粒子後去除雜質之精製分離方法步驟中，僅以對包含所生成之金屬奈米粒子與保護劑之複合體之分散液添加不良溶劑之簡單操作，便容易地使該複合體沈澱分離，其原因在於保護劑之較強之聚集力，幾乎無需複雜之步驟或嚴密之條件設定等，因此作為工業製法而優勢較大。
關於本發明中所獲得之金屬膠體溶液，僅憑加熱將其塗佈於玻璃板上而獲得之薄膜至120℃左右，便形成具有良好之導電性、具體而言為體積電阻率10-6Ωcm級之金屬箔。此種低溫導電性能係由如下原因產生：用作金屬奈米粒子之保護劑之化合物中之該粒子上所配位之官能基因具有特定結構，即便為低溫亦自粒子表面迅速脫離。又，本發明之金屬奈米粒子複合體中所含之金屬奈米粒子之平均粒徑約為30nm左右，且粒徑分佈亦狹窄，可將使用其之墨水等之製品性狀保持固定，且其保存穩定性亦良好。基於該等情況，可適宜地用作PE中之導電性材料。
關於本發明中具有作為金屬奈米粒子(B)之保護劑之功能的含氮化合物(A)，需要使其氮原子被氧化。經氧化之氮原子藉由金屬離子之液相還原法被還原並配位於析出之金屬奈米粒子(B)之表面，使之穩定化，藉此阻止金屬之成長，並且將其薄膜化時於低溫下可迅速自金屬表面脫離。因此，對作為本發明之目的之穩定性與低溫煅燒下之導電性表現發揮出較大作用。
作為上述含氮化合物(A)中之經氧化之氮原子之形態，例如較佳為N-氧化物、N-氫氧化物、硝酮、亞硝基、硝基化合物中之任一者，該等亦可於同一化合物中含有複數種。
作為上述含氮化合物(A)中之經氧化之氮原子之含有率，並無特別限定，就可藉由下述氧化處理之方法而容易地獲得該化合物(A)，同時實現使所獲得之金屬奈米粒子複合體分散而成之膠體溶液之保存穩定性與低溫煅燒下之高導電性表現之方面而言，較佳為以對應於含氮化合物(A)中所含之氮原子總數之0.5%以上的化學計量進行氧化。
又，作為上述含氮化合物(A)之分子量，就金屬奈米粒子(B)之保護功能與低溫煅燒時之高導電性表現之平衡性之觀點而言，其重量平均分子量較佳為500~200,000之範圍，尤佳為1,000~100,000之範圍。
作為上述含氮化合物(A)之合成方法，並無特別限定，就可容易地含有經氧化之氮原子之方面而言，較佳為使用氧化劑(C)對以一級~三級之胺官能基之形式含有氮原子之前驅物化合物(a)進行氧化處理的方法。
作為上述前驅物化合物(a)，並無特別限定，藉由具有相對較多
之氮原子而對金屬奈米粒子(B)之保護功能較高，結果可降低金屬奈米粒子複合體中之含氮化合物(A)之存在比率，進而可降低對導電性之影響，就此觀點而言，較佳為具有聚伸烷基亞胺結構之化合物，尤佳為具有聚伸乙基亞胺結構之化合物。
又，含氮化合物(A)就表現出形成金屬膠體溶液時之保存穩定性之觀點而言，較佳為具有對介質之親和性部分。即，該具有對介質之親和性之部分向溶劑中展開，進行溶劑親和且防止由凡得瓦(van der Waals)斥力所引起之凝聚，此係膠體化學之基本見解之一(參照Kodansha Scientific、北原、古澤共著之「最新膠體化學」)。作為此種具有對介質之親和性之部分，較佳為聚環氧烷基，尤其是使用水介質之情形時，較佳為聚環氧乙烷基。
即，作為本發明中使用之含氮化合物(A)之前驅物化合物(a)，最佳為具有聚伸烷基亞胺部分與聚環氧烷部分之共聚物。亦可為進而具有疏水性部分之三元系之共聚物。
關於此種化合物，上述專利文獻5~7中已記載有尤其對銀奈米粒子之保護功能優異。即，已知於聚合度3~3,000之支鏈狀聚伸乙基亞胺鏈上鍵結包含聚合度3~3,000之聚氧乙烯鏈之親水性鏈段而成的化合物、及於聚合度3~3,000之支鏈狀聚伸乙基亞胺鏈上鍵結包含聚合度3~3,000之聚氧乙烯鏈之親水性鏈段且於所獲得者上進而鍵結聚合度3~3,000之疏水性聚合物而成的具有三元結構之化合物可有效地用作銀膠體之保護劑。又，例如根據日本專利特開2006-241372號公報等，亦提供其製法。
然而，即便具有該等文獻中所提供之化合物，但就能否提供作為導電材料良好之銀膠體溶液之觀點而言，亦非常不完善。例如專利文獻5中記載有：將使包含銀奈米粒子之複合體分散於介質中而成之分散液塗佈於玻璃板，並於200℃下進行30分鐘之燒結，此時可獲得
8.7×10-4Ω．cm級之導電性膜。又，於專利文獻6中，於180℃下煅燒30分鐘而獲得4.7~7.6×10-6Ω．cm之導電性膜，導電性之表現均需要較高之煅燒溫度。因此，基材不得不選擇具有耐熱性之原材料，而存在無法選擇廉價之聚酯等通用基材之問題。即，本發明可獲得該等文獻中所提供之具有保護功能之化合物無法達成之即便為極低溫之處理亦表現出高導電性者，且提供作為配線材料之適合性較高之材料。
又，就工業製法之觀點而言，重要的是利用上述保護劑對使金屬化合物溶解或分散於介質中並將其還原所生成之金屬奈米粒子加以保護而成之複合體的簡單之精製分離方法，較佳為採用對反應後之溶液添加作為不良溶劑之丙酮等進行沈澱分離之方法。本發明中使用之保護劑中之經氧化之氮原子部分具有因較高極性而於不良溶劑環境下使含有金屬奈米粒子之複合體彼此迅速聚集的作用，一面製作較大之聚集集團之塊，一面容易地沈澱分離。
又，於將作為含有金屬奈米粒子之複合體之分散液的金屬膠體溶液本身、或將該溶液調整成為電性墨水而成之導電材料印刷或塗佈於基材上之後的燒結過程中，保護劑中之經氧化之氮原子部分與四級胺同樣地因其鍵結能力較弱，故而即便於低溫下亦容易自金屬奈米粒子表面去偶合，其結果顯示出良好之低溫煅燒性。
本發明中之金屬奈米粒子(B)只要為以金屬離子之液相還原法所獲得者即可，作為其金屬種類並無特別限定，就作為導電材料之通用性、導電性及成本等觀點而言，較佳為金、銀、鉑、銅，尤佳為銀。就藉由使用液相還原法而使金屬奈米粒子(B)析出之觀點而言，較佳為使用介質、尤其是於水介質中之溶解性優異之金屬鹽作為原料。或者亦可為藉由併用錯合劑而溶解於水介質中之金屬化合物。就此種觀點而言，可使用金屬之硝酸鹽、硫酸鹽、磷酸鹽等作為原料，又，亦
可將氧化銀等不溶性者與胺類併用使之溶解而使用。又，作為金屬奈米粒子(B)之平均粒徑，以澆鑄本發明之膠體溶液所獲得之膜之利用TEM(穿透式電子顯微鏡)可觀測到之100個粒子之平均值計較佳為5~50nm之範圍，尤其就穩定性與導電性表現良好之方面而言較佳為20~50nm之範圍。
於本發明中，如上所述，可將結構中包含氮原子、尤其是以胺官能基之形式包含氮原子之前驅物化合物(a)氧化而獲得含氮化合物(A)，但關於此時之氧化，藉由將上述前驅物化合物(a)之溶液與氧化劑(C)混合的方法最簡便而為較佳之方法。
作為此時可使用之氧化劑(C)，可適宜地使用具有過氧化物結構(-O-O-、-N-O-)之化合物，例如過氧化氫、金屬過氧化物、無機過酸及其鹽、有機過氧化合物以及有機過酸及其鹽等過氧化物。進而，藉由將前驅物化合物(a)之溶液與空氣或氧氣於常壓下保存長時間、或者於加壓下保存而亦可同樣地進行氧化反應，故而亦可以此種方式製作。
過氧化氫通常可使用以30~50%之過氧化氫水之形式於工業上供給者。作為金屬過氧化物之例，過氧化鈉、過氧化鉀、過氧化鋰、過氧化鎂、過氧化鋅等容易獲取，而可同樣地使用。作為無機過酸及其鹽，可使用過硫酸、過碳酸、過磷酸、次過氯酸、Oxone(Dupont公司註冊商標，以過硫酸氫鉀為主體之氧化劑)、過硫酸銨、過硫酸鈉、過硫酸鉀、過碳酸鈉等。作為有機過氧化合物以及有機過酸及其鹽，可列舉過乙酸、過苯甲酸、間氯苯甲酸、過氧化苯甲醯、過氧化第三丁基、1,2-二甲基雙環氧乙烷、Davis試劑(2-(苯基磺醯基)-3-芳基氧氮雜環丙烷)等，該等均可使用。該等氧化劑中，可尤其適宜地使用容易獲取及使用且廉價之30%過氧化氫水、過硫酸銨、Oxone、過乙
酸。
上述所列舉之氧化劑(C)可對每1莫耳氮原子提供1個氧原子。與三級及二級胺設想為1：1之反應即可。對於與一級胺之反應可估計複雜性，但不限於與1分子氧化劑之反應，進而與另1分子氧化劑反應會形成C-亞硝基，若進而被氧化則形成硝基型，就化學計量而言可消耗3莫耳之氧化劑(C)。
考慮此種情況並研究氧化劑(C)量，較佳為以可將前驅物化合物(a)中之全部氮原子數之0.5%以上氧化之方式使用氧化劑(C)。
本發明中使用之前驅物化合物(a)如上所述，較佳為具有聚伸烷基亞胺結構之化合物，就具有較高之水溶性之方面而言，較佳為具有聚合度3~3,000之支鏈狀聚伸乙基亞胺結構。進而，就確保膠體溶液之分散穩定性之觀點而言，亦可為使其與聚合度3~3,000之聚氧乙烯鏈共聚合而成之化合物、進而使該共聚合所得之化合物與聚合度3~3,000之疏水性聚合物鍵結而成之三元結構之化合物。
於支鏈狀聚伸乙基亞胺結構中均等且無規地含有三級、二級及一級之胺，若考慮屬於該等之氮原子之親核性之差異、因處於高分子鏈中而引起之較大之位阻(steric hindrance)，則無法明確該等級數不同
之胺對氧化反應之選擇性。因此，於該等併存之環境下，於使充分之氧化劑反應之情形時，推斷三級胺被無規地氧化成氧化胺(C-N+(O-)(-C)-C)，二級胺被無規地氧化成羥胺(C-N(OH)-C)、及其氧化體即硝酮(C=C-N+(O-)-C)，一級胺被無規地氧化成羥胺(C-NH(OH))、亞硝基(C-NO)、硝基(C-NO2)之結構。又，於一併產生羥胺結構與氧化胺結構之情形時，前者將後者還原而使三級胺再生，羥胺可轉化為硝酮化合物，故而推斷亦可包含該等結構(參照下述反應式)。此種複雜之氧化狀態會對所獲得之保護劑之保護能力產生相當大之影響，但就所獲得之金屬膠體溶液之保存穩定性或使用其所獲得之塗膜之低溫燒結性之觀點而言，較佳為與其特意考慮混合狀態而無需形成單獨結構，不如對可取得此種混合狀態之支鏈狀聚伸烷基亞胺鏈段進行氧化處理。
另一方面，作為此種含氮化合物，有以代替二乙基羥胺為目的之銀鹽照片用顯影液或顯影液之保存劑，作為經氧化之高分子之結構，揭示有包含聚(N-羥基烯烴亞胺)(化3)者(例如參照日本專利特開平6-273905號公報)。
羥胺類係作為還原劑而發揮作用，可使氯化2,3,5-三苯基四唑鎓(TTC)之類的還原性指示劑顯色。於本發明中，於進行氧化處理而獲得之含氮化合物(A)中混合TCC，結果亦發現源自三苯基甲之較強之紅色顯色。又，即便為利用0.5%左右之微量之氧化劑進行處理之含氮化合物亦可確認到顯色，而確認羥胺結構之存在。
於使用過氧化氫作為針對三級胺之氧化劑之情形時，為了提高反應速度，較佳為添加過渡金屬、金屬卟啉錯合物、黃素等觸媒進行活化。另一方面，已知二級胺之反應會急遽發生，於如本發明之含氮化合物般混合存在各級胺之情形時，可考慮優先進行二級胺之氧化。尤其於以對應於氮原子總數之0.5~10%之計量使用氧化劑(C)之情形時，根據1H-NMR之分析結果進行推斷，可推測主要生成羥胺聚合物且N-氧化物為副生成之程度。
本發明之金屬膠體溶液之製造方法係於上述作為保護劑之含氮化合物(A)之溶液或分散液中將金屬離子還原而形成金屬奈米粒子者，作為金屬離子之來源，可列舉金屬之鹽或金屬之離子溶液。作為金屬離子之來源，只要為水溶性金屬化合物即可，可使用金屬陽離子與酸基陰離子之鹽類者、或於酸基之陰離子中含有金屬者等，可較佳地使用具有過渡金屬等金屬種類之金屬離子。
作為過渡金屬系離子，其即便為過渡金屬陽離子(Mn+)或包含鹵素類鍵之陰離子(MLx n-)，亦可以錯合物狀態適宜地使之配位。再者，
於本說明書中所謂過渡金屬係指位於週期表第4~12族且第4~6週期之過渡金屬元素。
作為過渡金屬陽離子，可列舉下述過渡金屬之陽離子(Mn+)，例如Cr、Co、Ni、Cu、Pd、Ag、Pt、Au等之一價、二價、三價或四價之陽離子等。該等金屬陽離子之抗衡陰離子可為Cl、NO3、SO4、或羧酸類之有機陰離子中之任一者。
進而，下述含有金屬之陰離子(MLx n-)、例如AgNO3、AuCl4、PtCl4、CuF6等之金屬與鹵素配位而成之陰離子亦可適宜地以錯合物狀態使之配位。
於該等金屬離子中，尤其是銀、金、鉑之金屬離子於室溫或加熱狀態下會自發地還原並轉化為非離子性之金屬奈米粒子，故而較佳。又，於將所獲得之金屬膠體溶液用作導電材料之情形時，就導電性之表現能力或進行印刷、塗佈所獲得之覆膜之抗氧化性之觀點而言，較佳為使用銀之離子。
又，亦可將所含有之金屬種類設為2種以上。於該情形時，藉由同時或分別添加多種金屬之鹽或離子而於介質中使多種金屬離子發生還原反應，從而生成多種金屬粒子，因此可獲得含有多種金屬之膠體溶液。
於本發明中，進而亦可利用還原劑使金屬離子還原。
作為上述還原劑，可使用各種還原劑，並無特別限定，較佳為根據所獲得之金屬膠體溶液之使用用途、或所含有之金屬種類等而選擇還原劑。作為可使用之還原劑，例如可列舉：氫氣，硼氫化鈉、硼氫化銨等硼化合物，甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、乙二醇、丙二醇等醇類，甲醛、乙醛、丙醛等醛類，抗壞血酸、檸檬酸、檸檬酸鈉等酸類，丙基胺、丁基胺、二乙胺、二丙胺、二甲基乙基胺、三乙胺、乙二胺、三乙四胺、甲胺基乙醇、二甲胺基乙醇、三乙醇胺等胺類，
肼、碳酸肼等肼類等。於該等中，就工業上之易獲取性、使用方面等而言，更佳為硼氫化鈉、抗壞血酸、檸檬酸鈉、甲胺基乙醇、二甲胺基乙醇等。
於本發明之金屬膠體溶液之製造方法中，作為保護劑即含氮化合物(A)與金屬離子之來源之使用比率，並無特別限定，於將該保護劑中之氮原子總數設為100mol時，以金屬計通常為1~20,000mol之範圍，較佳為1~10,000mol之範圍，尤佳為50~7,000mol。
於本發明之金屬膠體溶液之製造方法中，作為將分散或溶解有保護劑之介質、與金屬之鹽或離子溶液混合之方法，並無特別限定，亦可為於分散或溶解有該保護劑之介質中添加金屬之鹽或離子溶液的方法、於金屬之鹽或離子溶液中添加分散或溶解有該保護劑之介質之方法、或者一面同時投入至另一容器一面進行混合之方法。關於攪拌等混合方法亦無特別限定。
又，還原劑之添加方法並無限定，例如可將還原劑直接混合，或者使其溶解、分散於水溶液或其他溶劑中進行混合。又，關於添加還原劑之順序亦無限定，可預先於保護劑之溶液或分散液中添加還原劑，亦可於混合金屬之鹽或離子溶液之同時添加還原劑，進而亦可為於將保護劑之溶液或分散液與金屬之鹽或離子溶液混合後，經過數天或數週後混合還原劑之方法。
於將本發明之製造方法中使用之金屬之鹽或其離子溶液添加至分散或溶解有保護劑之介質中時，無論為O/W系亦或W/O系，均可直接添加或製備成水溶液添加。銀、金、鈀、鉑等之金屬離子於與保護劑中之經氧化之氮原子結構部分配位後，於室溫或加熱狀態下自發地還原，故而可直接於室溫下或進行加溫，並利用靜置或攪拌，形成金屬奈米粒子，而獲得該金屬奈米粒子經保護劑保護之複合體之分散液即金屬膠體溶液，但為了如上所述有效地進行金屬離子之還原，較佳
為使用還原劑，可於室溫下或進行加溫，並利用靜置或攪拌，而獲得金屬膠體溶液。此時，還原劑較佳為直接使用或預先製備成水溶液使用。作為進行加溫之情形時之溫度，根據保護劑之種類或所使用之金屬、介質、還原劑之種類等而異，通常為100℃以下，較佳為80℃以下。
如上所述，藉由將金屬離子還原，使金屬奈米粒子析出，並且利用上述保護劑保護該粒子之表面而使其穩定化。於該還原反應後之溶液中包含還原劑、金屬離子之抗衡離子、未參與金屬奈米粒子之保護之含氮化合物(A)等雜質，於該狀態下無法表現出對於導電材料而言充分之性能。因此，需要去除上述雜質等之精製步驟，但由於本案發明中使用之含氮化合物(A)之保護能力較強，故而於反應液中添加不良溶劑，可使利用保護劑保護金屬奈米粒子而成之複合體效率良好地沈澱。沈澱之複合體亦可使用離心分離等步驟濃縮或單離。於濃縮後，根據金屬膠體溶液之用途等，利用所需之介質調整非揮發成分(濃度)，而應用於各種用途。
又，作為去除上述雜質等之精製步驟，亦可應用透析、微濾、超濾等通常之精製方法。
作為超濾法之具體方法，並無特別限定，通常為作為工業方法的使用有平板膜型或中空纖維型模組之掃流方式。本發明之情形時亦可使用同樣之形式，使粗製之反應液於超濾組件中進行送液循環，將欲去除之物質以濾液之形式去除即可。若一面不斷添加與濾液之量相當之量之純化水一面繼續進行超濾，則製成不需要物質充分減少之金屬膠體溶液，若停止純化水之添加則亦可進行濃度之調整。假使水溶性之不需要物質之去除完畢，若一面添加乙醇等水溶性有機溶劑一面進一步繼續超濾，則最終可製備非水系金屬膠體溶液。
超濾之膜材質通常使用聚丙烯腈、聚醚碸、乙酸纖維素等，可
使用該等。於進行向有機溶劑之交換之情形時，就耐久性之觀點而言聚醚碸成為良好之選擇。區分分子量已知有各種者，因此根據所獲得之金屬奈米粒子之尺寸選定即可。通常可使用3000~80萬左右者，15萬者由於金屬奈米粒子之漏出較少且過濾阻力亦較低，故而可適宜地使用。
金屬奈米粒子複合體係如其精製方法中所述，藉由分散於水或有機溶劑中而形成金屬膠體溶液。該溶液可實現與目的對應之濃度或溶劑系之變更。作為有機溶劑，例如可列舉甲醇、乙醇、異丙醇、正丙醇等醇類，乙二醇、丙二醇、乙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚等二醇類等，該等可單獨使用，亦可混合2種以上使用，或者亦可與水混合使用。溶液中之金屬奈米粒子複合體(非揮發成分)之濃度可根據其用途而適當選擇，通常較佳為10~85質量%，尤其就室溫下之乾燥容易之方面、及所獲得之金屬皮膜之導電性良好之觀點而言，較佳為調整至20~70質量%之範圍。又，作為該非揮發成分中之金屬奈米粒子之含有率，就容易表現導電性之方面而言，較佳為調整至90質量%以上、較佳為95質量%以上。
通常，位於數十nm之尺寸區域之金屬奈米粒子根據其金屬種類，而具有由表面電漿子激發引起之特徵性之光學吸收。因此，藉由測定本發明中所獲得之金屬膠體溶液之電漿子吸收，可確認金屬以奈米級之微粒子之形式存在於該溶液中，進而亦可利用澆鑄該溶液所獲得之膜之TEM(穿透式電子顯微鏡)照片等來觀測其平均粒徑或分佈幅度等。
上述所獲得之本發明之金屬膠體溶液可直接應用各種塗佈方法而獲得金屬薄膜。又，可混合與各種印刷法(噴墨、反轉印刷等)對應之添加劑、界面活性劑等，亦容易印刷於各種機械材料上而製作配
線。
以下，藉由實施例說明本發明。只要未特別預先說明，則「%」為質量基準。
於將化合物之溶液約3mL濃縮並充分減壓乾燥後，使殘渣溶解於含有0.03%四甲基矽烷之氘代氯仿約0.8mL，並將其投入至外徑5mm之玻璃製NMR測定用樣品管，利用JEOL JNM-LA300型核磁共振吸收光譜測定裝置取得1H-NMR光譜。化學位移值δ係以四甲基矽烷為基準物質表示。
將金屬膠體溶液之一部分以純化水稀釋，並利用FPAR-1000型濃厚系粒徑分析儀(大塚電子股份有限公司製造)測定粒徑分佈、平均粒徑。
取金屬膠體溶液約1mL置於玻璃樣品瓶中，於沸水浴上於氮氣流下加熱濃縮，進而將殘渣於50℃下真空乾燥8小時以上，而獲得不揮發物。精密稱取該不揮發物2~10mg置於熱重量分析用鋁鍋中，載置於EXSTAR TG/DTA6300型熱重差熱分析裝置(Seiko Instruments股份有限公司製造)，並於空氣流下，以每分鐘10℃之速度自室溫升溫至500℃，測定加熱所伴隨之重量減少率。不揮發物中之金屬含量係根據下式計算。
金屬含量(%)=100-重量減少率(%)
將金屬膠體溶液約0.5mL滴加至2.5×5cm之清潔之玻璃板之上部，使用棒式塗佈機8號製成塗膜。將所製作之塗膜風乾後，於
120℃、150℃、180℃及250℃之熱風乾燥機中加熱30分鐘而製成煅燒塗膜。使用Optelics C130型真實色共焦顯微鏡(Real Color Confocal Microscope)(Lasertec公司製造)計測所獲得之煅燒塗膜之厚度，繼而使用Loresta-EP MCP-T360型低電阻率計(三菱化學股份有限公司製造)，依據JIS K7194「導電性塑膠之利用四探針法之電阻率試驗」測定表面電阻率(Ω/□)。塗膜厚度係根據上述條件而顯示大致0.3μm之固定值，根據下式，由該厚度與表面電阻率(Ω/□)算出體積電阻率(Ωcm)。
體積電阻率(Ωcm)=表面電阻率(Ω/□)×厚度(cm)
合成例1(甲苯磺醯化聚乙二醇單甲醚之合成)
向於氯仿150ml中混合有聚乙二醇單甲醚(PEGM，數量平均分子量(Mn)2000)25.0g[12.9mmol]與吡啶24g(300mmol)的溶液中添加甲苯磺醯氯7.36g(38.6mmol)，並於室溫下攪拌一夜。於減壓下將吡啶自反應混合物中蒸餾去除，於殘渣中添加氯仿150mL進行稀釋，利用5%HCl水溶液250mL(340mmol)洗淨後，利用飽和食鹽水及水洗淨。利用硫酸鈉使所獲得之氯仿溶液乾燥後，以蒸發器將溶劑蒸餾去除，進而加以減壓乾燥，而獲得23.6g之白色固體(產率為85%)。
1H-NMR(CDCl3)：δ(ppm)=7.8(d,2H,J=7.8Hz，甲苯磺醯基)，7.3(d,2H,J=7.8，甲苯磺醯基)，4.2(t,2H,J=4.2Hz，磺酸酯鄰位)，3.6-3.5(m,PEGM亞甲基)，3.4(s,3H,PEGM鏈末端甲氧基)，2.4(s,3H，甲苯磺醯基甲基)
合成例2(前驅物化合物a-1：聚伸乙基亞胺-聚乙二醇化合物二嵌段共聚物之合成)
使上述合成例1中所獲得之甲苯磺醯化聚乙二醇23.2g(1.1mmol)、與支鏈狀聚伸乙基亞胺(日本觸媒股份有限公司製造，Epomin SP200)15.0g(1.5mmol)溶解於N,N-二甲基乙醯胺180ml中，
添加碳酸鉀0.12g，於氮氣環境下以100℃攪拌6小時。於反應結束後去除固形物，其後於70℃下減壓濃縮，於殘渣中添加乙酸乙酯150ml與己烷450ml之混合物，而獲得沈澱物。將該沈澱物溶解於氯仿100ml中，再次添加乙酸乙酯150ml與己烷450ml之混合溶劑使其再沈澱。將其過濾分離並於減壓下乾燥後，獲得淡黃色之固形物36.1g(產率97%)。
1H-NMR(CDCl3)：δ(ppm)=3.6(m,PEGM亞甲基)，3.3(s,3H,PEGM鏈末端甲氧基)，2.7~2.3(m，支鏈PEI伸乙基)
合成例3(前驅物化合物a-2：聚伸乙基亞胺-聚乙二醇-雙酚A三嵌段共聚物型環氧樹脂)
將EPICLON AM-040-P(DIC股份有限公司製造)37.4g(20mmol)、4-苯基苯酚2.72g(16mmol)溶解於N,N-二甲基乙醯胺100mL中之後，添加65%乙酸乙基三苯基鏻之乙醇溶液0.52mL，並於氮氣環境下以120℃反應6小時。於放置冷卻後滴加至大量之水中，利用大量之水將所獲得之沈澱物洗淨。將殘渣減壓乾燥，獲得改性雙酚A型環氧樹脂。所獲得之生成物之產率為100%。
進行1H-NMR測定並考察環氧基之積分比，結果確認，於1分子雙酚A型環氧樹脂中殘留0.95個環氧環，生成物為具有雙酚A骨架之單官能性之環氧樹脂。
於氮氣環境下將上述改性環氧樹脂4.9g(2.4mmol)之丙酮(50mL)溶液滴加至合成例2中所獲得之聚伸乙基亞胺-聚乙二醇化合物二嵌段共聚物20g(0.8mmol)之甲醇(150mL)溶液中之後，於50℃下攪拌2小時。於反應結束後，於減壓下將溶劑蒸餾去除，進而進行減壓乾燥，藉此獲得聚伸乙基亞胺-聚乙二醇-雙酚A三嵌段共聚物型環氧樹脂。產率為100%。
1H-NMR(CDCl3)：δ(ppm)=7.55~6.75(m),4.40~3.90(m),3.33
(m),2.89(m),2.73(m),1.62(s)
實施例1(利用以過硫酸銨將前驅物化合物a-1氧化而成之含氮化合物的銀膠體溶液之合成)
將合成例2中所獲得之前驅物化合物a-1(3.24g)溶解於水10mL中，添加過硫酸銨(108mg，0.48mmol，相當於N原子之1%)，於室溫下攪拌1小時，其後放置一夜。
取1滴所獲得之高分子之溶液滴加至純化水10mL中，向其中添加氯化2,3,5-三苯基四唑鎓約1mg並振盪混合使之溶解後，立即呈現還原顯色(紅色)。藉此，確認高分子結構中含有N-OH。
於將所獲得之高分子溶液約3mL濃縮並減壓乾燥後，使殘渣溶解於氘代氯仿中測定1H-NMR，結果觀測到氧化前未見之寬訊號(broad signal)為8.0ppm、3.3ppm、2.9ppm。8.0ppm之訊號屬於N-羥基之訊號，後兩個分別屬於與經氧化之氮鄰接之亞甲基質子之訊號。
1H-NMR(CDCl3)：δ(ppm)=8.0(br,N-OH),3.6(m,PEGM亞甲基)，3.3(br,NH-OH鄰接亞甲基或N=O鄰接亞甲基)，3.3(s,3H,PEGM鏈末端甲氧基)，2.9(br,N-OH鄰接亞甲基)，2.7~2.3(m，支鏈PEI伸乙基)
以純化水400mL稀釋所獲得之高分子溶液，並添加N,N-二甲胺基乙醇(113g，1.27mol)，製備保護劑-還原劑溶液。另外使硝酸銀(72.0g，0.424mol)溶解於純化水120mL中，製成硝酸銀水溶液。
於室溫下以30分鐘將硝酸銀水溶液滴加至保護劑-還原劑溶液中，其後於50℃下攪拌3小時。於冷卻後添加丙酮(2.3L)進行攪拌，將生成之沈澱物離心分離。於沈澱物中添加水140mL使之再分散，將殘留丙酮蒸餾去除並且減壓濃縮至不揮發物成約為30%，而獲得銀膠體溶液(以水分散體計為146g，以不揮發物計為43.8g，純銀含量96.5%，產率92%)。該銀膠體溶液之評估結果示於表1。
實施例2、3(利用以過硫酸銨將前驅物化合物a-1氧化而成之含氮化合物的銀膠體溶液之合成)
使合成例2中所獲得之前驅物化合物a-1(3.24g)溶解於水10mL中，並添加過硫酸銨(216mg、0.95mmol、相當於N原子之2%(實施例2)，或540mg、2.37mmol、相當於N原子之5%(實施例3))，於室溫下攪拌1小時，其後放置一夜。除此以外與實施例1相同地進行，獲得約30%之銀膠體溶液(實施例2：以水分散體計為140g，以不揮發物計為42.1g，純銀含量97.0%，產率89%；實施例3：以水分散體計為142g，以不揮發物計為42.5g，純銀含量96.8%，產率90%)。
實施例4(利用以30%過氧化氫水將前驅物化合物a-1氧化而成之含氮化合物的銀膠體溶液之合成)
使合成例2中所獲得之前驅物化合物a-1(3.24g)溶解於水10mL中，並添加30%過氧化氫水(108mg、0.95mmol、相當於N原子之2%)，於室溫下攪拌1小時，其後放置一夜。除此以外與實施例1相同地進行，獲得約30%之銀膠體溶液(以水分散體計為140g，以不揮發物計為42.1g，純銀含量97.0%，產率89%)
實施例5
將合成例2中所獲得之前驅物化合物a-1之36.6g溶解於純水100mL中之後，一面攪拌一面於冰浴下緩慢添加35%過氧化氫水5.68g(58.4mmol，11mol%相對於N當量)，進行5小時之氧化反應。
將所獲得之生成物之1H-NMR及13C-NMR(日本電子股份有限公司製造，AL300，300MHz)及元素分析之測定結果示於以下。
1H-NMR(DMSO-d6)測定結果：δ(ppm)=3.6(m,PEGM亞甲基)，3.3~3.2(m,N-氧化物伸乙基)，3.25(s,3H,PEGM鏈末端甲氧基)，2.9(m,N-氧化物伸乙基)，2.7~2.4(m，支鏈PEI伸乙基).
13C-NMR(DMSO-d6)測定結果：δ(ppm)=36.0(m,N-氧化物伸乙基)，39.0(m),43.0(m,N-氧化物伸乙基)，46.0(m),48.0(m),51.0(m),53.0(m),56.0(m),59.0(s),63.0~68.0(m,N-氧化物伸乙基)，70.0(m),71.5(s).
元素分析之測定結果：C(52.9%)、H(10.0%)、N(17.5%)
於1H-NMR測定中，於2.40~2.70ppm之支鏈PEI伸乙基中更高磁場之2.40~2.55ppm之三級胺波峰減小，其積分比變小，但2.55~2.60ppm之二級胺及2.60~2.70ppm之一級胺之波峰大致無變化。13C-NMR測定結果亦相同，51.0~56.0ppm之三級胺波峰減小，但39.0~51.0ppm之二級胺及一級胺之波峰大致無變化。又，根據元素分析及NMR測定之積分比可認為，前驅物化合物之總氮(N)之約11.0~15.0%之N被氧化而形成N-氧化物。
於1L之反應釜中依序添加純水180g、上述所獲得之生成物之水溶液13.5g、N,N-二甲胺基乙醇113g(1.27mol)並進行攪拌，而製備保護劑與還原劑之混合溶液。另外使硝酸銀72.0g(0.424mol)溶解於純水120g中，於室溫下以約30分鐘滴加所製備之硝酸銀水溶液，其後於40℃下攪拌4小時。於結束反應並冷卻後，添加作為不良溶劑之丙酮1.4L(反應混合液之約3容積倍)並攪拌5分鐘。藉由靜置約1小時而使銀奈米粒子與保護劑之複合體沈澱分離。去除上清液後，將生成之沈澱物離心分離。於已離心分離之糊狀之沈澱物中添加純水80g並充分分散後，將殘留丙酮自脫溶劑中蒸餾去除並且減壓濃縮至不揮發物變成約60%，而獲得銀膠體水溶液77.0g(以不揮發物計為46.0g，產率96%)。熱分析(Tg/DTA)之結果為，不揮發物中之銀含量為96.0%。
實施例6
將合成例2中所獲得之前驅物即聚伸乙基亞胺-聚乙二醇二嵌段共
聚物36.6g溶解於純水100mL中之後，一面攪拌一面於冰浴下緩慢添加35%過氧化氫水15.5g(159.3mmol，30mol%相對於N當量)，進行5小時之氧化反應。
將所獲得之生成物之1H-NMR及13C-NMR(日本電子股份有限公司製造，AL300，300MHz)及元素分析之測定結果示於以下。
1H-NMR(DMSO-d6)測定結果：δ(ppm)=3.6(m,PEGM亞甲基)，3.3~3.2(m,N-氧化物伸乙基)，3.25(s,3H,PEGM鏈末端甲氧基)，2.9(m,N-氧化物伸乙基)，2.7~2.4(m，支鏈PEI伸乙基).
13C-NMR(DMSO-d6)測定結果：δ(ppm)=36.0(m,N-氧化物伸乙基)，39.0(m),43.0(m,N-氧化物伸乙基)，46.0(m),48.0(m),51.0(m),53.0(m),56.0(m),59.0(s),63.0~68.0(m,N-氧化物伸乙基)，70.0(m),71.5(s).
元素分析之測定結果：C(52.5%)、H(10.1%)、N(16.2%)
於1H-NMR測定中，於2.40~2.70ppm之支鏈PEI伸乙基中更高磁場之2.40~2.55ppm之三級胺波峰基本消失，2.55~2.60ppm之二級胺及2.60~2.70ppm之一級胺波峰減小，其積分比變小。13C-NMR測定結果亦相同，51.0~56.0ppm之三級胺波峰基本消失，39.0~51.0ppm之二級胺及一級胺之波峰變小。又，根據元素分析及NMR測定之積分比可認為，前驅物化合物之總氮(N)之約30.0~39.0%之N被氧化而形成N-氧化物。
使用上述所獲得之化合物之水溶液14.5g，除此以外，以與實施例5相同之方式獲得不揮發物約為60%之銀膠體水溶液73.0g(以不揮發物計為45.6g，產率95%)。熱分析(Tg/DTA)之結果為，不揮發物中之銀含量為96.2%。
實施例7
將合成例2中所獲得之前驅物即聚伸乙基亞胺-聚乙二醇二嵌段共聚物36.6g(N當量，531mmol)溶解於純水100mL中之後，一面攪拌一面於冰浴下緩慢添加35%過氧化氫水25.8g(265.5mmol，50mol%相對於N當量)，進行5小時之氧化反應。
將所獲得之生成物之1H-NMR、13C-NMR及15N-NMR(日本電子股份有限公司製造，AL300，300MHz)及元素分析之測定結果示於以下。
1H-NMR(DMSO-d6)測定結果：δ(ppm)=3.6(m,PEGM亞甲基)，3.3~3.2(m,N-氧化物伸乙基)，3.25(s,3H,PEGM鏈末端甲氧基)，2.9(m,N-氧化物伸乙基)，2.7~2.5(m，支鏈PEI伸乙基).
13C-NMR(DMSO-d6)測定結果：δ(ppm)=36.0(m,N-氧化物伸乙基)，39.0(m),43.0(m,N-氧化物伸乙基)，46.0(m),48.0(m),51.0(m),53.0(m),59.0(s),63.0~68.0(m,N-氧化物伸乙基)，70.0(m),71.5(s).
15N-NMR(DMSO-d6)測定結果：δ(ppm)=15.0(m),20.0~30.0(m),112.0~120.0(m,N-氧化物伸乙基)，128.0~132.0(m,N-氧化物伸乙基).元素分析之測定結果：C(50.9%)、H(9.8%)、N(15.9%)
於1H-NMR測定中，於2.40~2.70ppm之支鏈PEI伸乙基中更高磁場之2.40~2.55ppm之三級胺波峰消失，2.55~2.60ppm之二級胺及2.60~2.70ppm之一級胺波峰減小，其積分比變小。13C-NMR測定結果亦相同，51.0~56.0ppm之三級胺波峰消失，39.0~51.0ppm之二級胺及一級胺之波峰變小。15N-NMR測定結果亦相同，30.0~33.0ppm之三級胺波峰消失，20.0~30.0ppm及15.0ppm之二級胺及一級胺之波峰變小。又，根據元素分析及NMR測定之積分比可認為，前驅物化合物之總氮(N)之約50.0~61.0%之N被氧化而形成N-氧化物。
使用上述所獲得之化合物之水溶液15.5g，除此以外，以與實施例5相同之方式獲得不揮發物約為60%之銀膠體水溶液74.0g(以不揮發物計為46.0g，產率96%)。熱分析(Tg/DTA)之結果為，不揮發物中之銀含量為95.8%。
實施例8
將合成例2中所獲得之前驅物即聚伸乙基亞胺-聚乙二醇二嵌段共聚物36.6g(N當量，531mmol)溶解於純水100mL中之後，一面攪拌一面於冰浴下緩慢添加35%過氧化氫水36.1g(371.7mmol，70mol%相對於N當量)，進行5小時之氧化反應。
將所獲得之生成物之1H-NMR及13C-NMR(日本電子股份有限公司製造，AL300，300MHz)及元素分析之測定結果示於以下。
1H-NMR(DMSO-d6)測定結果：δ(ppm)=3.6(m,PEGM亞甲基)，3.3~3.2(m,N-氧化物伸乙基)，3.25(s,3H,PEGM鏈末端甲氧基)，2.9(m,N-氧化物伸乙基)，2.70~2.55(m，支鏈PEI伸乙基).
13C-NMR(DMSO-d6)測定結果：δ(ppm)=36.0(m,N-氧化物伸乙基)，39.0(m),43.0(m,N-氧化物伸乙基)，46.0(m),48.0(m),51.0(m),59.0(s),63.0~68.0(m,N-氧化物伸乙基)，70.0(m),71.5(s).
元素分析之測定結果：C(49.6%)、H(9.3%)、N(15.1%)
於1H-NMR測定中，於2.40~2.70ppm之支鏈PEI伸乙基中更高磁場之2.40~2.55ppm之三級胺波峰消失，2.55~2.60ppm之二級胺及2.60~2.70ppm之一級波峰基本消失。13C-NMR測定結果亦相同，51.0~56.0ppm之三級胺波峰消失，39.0~51.0ppm之二級胺及一級胺之波峰基本消失。又，根據元素分析及NMR測定之積分比可認為，前驅物化合物之總氮(N)之約70.0~76.0%之N被氧化而形成N-氧化物。
使用上述所獲得之生成物之水溶液16.4g，除此以外，以與實施例5相同之方式獲得不揮發物約為60%之銀膠體水溶液75.0g(以不揮發物計為45.1g，產率94%)。熱分析(Tg/DTA)之結果為，不揮發物中之銀含量為96.3%。
實施例9
將合成例2中所獲得之前驅物即聚伸乙基亞胺-聚乙二醇二嵌段共聚物36.6g(N當量，531mmol)溶解於純水100mL中之後，一面攪拌一面於冰浴下緩慢添加35%過氧化氫水51.6g(531.0mmol，100mol%相對於N當量)，進行5小時之氧化反應。
將所獲得之生成物之1H-NMR及13C-NMR(日本電子股份有限公司製造，AL300，300MHz)及元素分析之測定結果示於以下。
1H-NMR(DMSO-d6)測定結果：δ(ppm)=3.6(m,PEGM亞甲基)，3.3~3.2(m,N-氧化物伸乙基)，3.25(s,3H,PEGM鏈末端甲氧基)，2.9(m,N-氧化物伸乙基).
13C-NMR(DMSO-d6)測定結果：δ(ppm)=36.0(m,N-氧化物伸乙基)，43.0(m,N-氧化物伸乙基)，48.0(m),59.0(s),63.0~68.0(m,N-氧化物伸乙基)，70.0(m),71.5(s).
元素分析之測定結果：C(48.0%)、H(8.8%)、N(14.1%)
於1H-NMR測定中，於2.40~2.70ppm之支鏈PEI伸乙基中更高磁場之2.40~2.55ppm之三級胺波峰、2.55~2.60ppm之二級胺及2.60~2.70ppm之一級胺波峰消失。13C-NMR測定結果亦相同，51.0~56.0ppm之三級胺波峰、39.0~51.0ppm之二級胺及一級胺之波峰均消失。又，根據元素分析及NMR測定之積分比可認為，前驅物化合物之總氮(N)之大致100%之N被氧化而形成N-氧化物。
使用上述所獲得之生成物之水溶液17.9g，除此以外，以與實施例5相同之方式獲得不揮發物約為60%之銀膠體水溶液70.0g(以不揮
發物計為44.1g，產率92%)。熱分析(Tg/DTA)之結果為，不揮發物中之銀含量為96.5%。
實施例10(利用以Oxone(Dupont註冊商標)將前驅物化合物a-2氧化而成之含氮化合物的銀膠體溶液之合成)
將合成例3中所製造之前驅物化合物a-2(1.99g)溶解於水10mL中，並添加Oxone(142mg，0.23mmol)，於室溫下放置一夜。將其以純化水250mL稀釋，添加N,N-二甲胺基乙醇(69.5g，0.78mol)，製備保護劑-還原劑溶液。另外將硝酸銀(44.2g，0.26mol)溶解於純化水75mL中，製成硝酸銀水溶液。
於室溫下以30分鐘將硝酸銀水溶液滴加至保護劑-還原劑溶液中，其後於50℃下攪拌3小時。於冷卻後添加丙酮(1.4L)進行攪拌，將生成之沈澱物離心分離，並於沈澱物中添加水50mL使其再分散，減壓濃縮至不揮發物成為30%，藉此獲得銀膠體溶液(以水分散體計為86.2g，以不揮發物計為25.8g，純銀含量96.7%，產率89%)。
實施例11(利用以過乙酸將前驅物化合物a-2氧化而成之含氮化合物的銀膠體溶液之合成)
將合成例3中所製造之前驅物化合物a-2(1.99g)溶解於水10mL中，並添加32%過乙酸溶液(55mg，相當於0.23mmol，Aldrich公司製造)，於室溫下放置一天。除此以外，以與實施例10相同之方式獲得銀膠體溶液(約30%)(以水分散體計為84.3g，以不揮發物計為25.2g，純銀含量97.0%，產率87%)。
實施例12
將合成例3中所獲得之前驅物即聚伸乙基亞胺-聚乙二醇-雙酚A三嵌段共聚物型環氧樹脂42.5g(N當量，531mmol)溶解於純水100mL中之後，一面攪拌一面於冰浴下緩慢添加35%過氧化氫水25.8g(265.5mmol，50mol%相對於N當量)，進行5小時之氧化反應。
將所獲得之生成物之1H-NMR之測定結果示於以下。
1H-NMR(DMSO-d6)測定結果：δ(ppm)=7.55~6.75(m),4.40~3.90(m),3.6(m,PEGM亞甲基)，3.30~3.20(m,N-氧化物伸乙基)，3.25(s,PEGM鏈末端甲氧基)，2.9(m,N-氧化物伸乙基)，2.70~2.50(m，支鏈PEI伸乙基)，1.62(s).
於1H-NMR測定中，於2.40~2.70ppm之支鏈PEI伸乙基中更高磁場之2.40~2.55ppm之三級胺波峰消失，2.55~2.60ppm之二級胺及2.60~2.70ppm之一級胺波峰減小，其積分比變小。根據NMR測定之積分比可認為，前驅物化合物之總氮(N)之約50.0~55.0%之N被氧化而形成N-氧化物。
使用上述所獲得之生成物之水溶液16.5g，除此以外，以與實施例5相同之方式獲得不揮發物約為60%之銀膠體水溶液76.0g(以不揮發物計為45.6g，產率95%)。熱分析(Tg/DTA)之結果為，不揮發物中之銀含量為95.8%。
比較例1
將合成例2中所獲得之前驅物化合物a-1(3.24g)溶解於水410mL中，添加N,N-二甲胺基乙醇(113g，1.27mol)，而製備保護劑-還原劑溶液。除此以外與實施例1相同地進行，獲得銀膠體溶液(約30%)(以水分散體計為139g，以不揮發物計為41.0g，純銀含量96.1%，產率86%)。
比較例2
將合成例3中所獲得之前驅物化合物a-2(1.99g)溶解於水260mL中，添加N,N-二甲胺基乙醇(69.5g，0.78mol)，而製備保護劑-還原劑溶液。除此以外與實施例5相同地進行，獲得銀膠體溶液(約30%)(以水分散體計為83.9g，以不揮發物計為24.6g，純銀含量95.9%，產率84%)。
O.L.：超出測量範圍(Over Scale)
將實施例5~9、12及比較例1~2中於合成金屬膠體溶液時之利
用丙酮之沈澱處理中處理所耗費之使用量與時間示於下述表中。
本發明之金屬奈米粒子複合體與藉由先前技術所獲得之金屬奈米粒子、及包含該金屬奈米粒子與保護劑之複合體相比，粒徑分佈狹窄而一致，製成膠體溶液時之保存穩定性亦良好。又，亦可簡化精製步驟。進而，所獲得之膠體溶液由於在低溫煅燒下之熔合特性優異，故而可作為PE所使用之導電墨水材料，而應對噴墨法、微觸法、凸版反轉凹版法等印刷方法。因此，除了形成印刷電路板之電路以外，亦可適宜地用於製造液晶顯示器驅動電路、觸控面板電路、IC卡天線等之配線。
Claims (12)
- 一種金屬奈米粒子複合體，其特徵在於：其係含有含氮化合物(A)與金屬奈米粒子(B)之複合體，並且含氮化合物(A)包含經氧化之氮原子。
- 如請求項1之金屬奈米粒子複合體，其中上述含氮化合物(A)中之經氧化之氮原子為選自由N-氧化物、N-氫氧化物、硝酮、亞硝基及硝基化合物所組成之群中之1種以上之形態。
- 如請求項1或2之金屬奈米粒子複合體，其中上述含氮化合物(A)之重量平均分子量為1,000~100,000之範圍。
- 如請求項1或2之金屬奈米粒子複合體，其中上述含氮化合物(A)係藉由將氮原子未經氧化之前驅物化合物(a)之溶液、與氧化劑(C)混合而獲得者。
- 如請求項4之金屬奈米粒子複合體，其中上述前驅物化合物(a)為具有聚伸烷基亞胺結構之化合物。
- 如請求項5之金屬奈米粒子複合體，其中上述前驅物化合物(a)為進而具有親水性鏈段之化合物。
- 如請求項5之金屬奈米粒子複合體，其中上述氧化劑(C)為具有過氧化物(-O-O-、-N-O-)結構之化合物、空氣、或氧氣。
- 如請求項1或2之金屬奈米粒子複合體，其中上述金屬奈米粒子(B)為銀奈米粒子。
- 如請求項1或2之金屬奈米粒子複合體，其中上述金屬奈米粒子(B)之平均粒徑為5~50nm之範圍。
- 一種金屬膠體溶液，其特徵在於：其係將如請求項1至9中任一項之金屬奈米粒子複合體分散於介質中而成。
- 一種金屬膠體溶液之製造方法，其特徵在於：其係於包含經氧 化之氮原子之含氮化合物(A)之存在下，於介質中將金屬離子還原而形成金屬奈米粒子(B)。
- 如請求項11之金屬膠體溶液之製造方法，其中上述金屬奈米粒子(B)為銀奈米粒子。
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