TWI590584B - 電子零件 - Google Patents

Description

電子零件

本發明涉及一種電子零件，更具體而言，涉及具備複數個LC並聯諧振器的電子零件。

作為現有電子零件所涉及的發明，已知有例如在專利文獻1中記載的積層帶通濾波器。該積層帶通濾波器具備5級LC並聯諧振器。由此，通過多級化LC並聯諧振器，能夠增大在通頻帶外的頻帶中信號的衰減量。

而在積層帶通濾波器中，希望進一步增大通頻帶外的頻帶中信號的衰減量。

專利文獻1：國際專利公開2007/119356號

為此，本發明的目的是提供一種電子零件，能夠進一步增大在通頻帶外的頻帶中的高頻信號的衰減量。

本發明的一個實施形態所涉及的電子零件，其特徵在於，包括：將複數個絕緣體層在積層方向上積層而成的積層體；第1LC並聯諧振器至第6LC並聯諧振器，在與上述積層方向正交的第1正交方向上按照該順序排列，並且構成帶通濾波器；第7電容器，連接在上述第1LC並聯諧 振器和上述第6LC並聯諧振器之間；第8電容器，連接在上述第1LC並聯諧振器與上述第3LC並聯諧振器之間；以及第9電容器，連接在上述第4LC並聯諧振器與上述第6LC並聯諧振器之間，第n(n是1至6的整數)LC並聯諧振器分別包含第n電感器及第n電容器，由上述第n電感器及上述第n電容器所包圍形成的第n環形面與上述積層方向實質平行，在從上述第1正交方向俯視時，所述第1環形面至所述第6環形面中在該第1正交方向上相鄰的環形面彼此重疊。

利用本發明能夠進一步增大在通頻帶外的頻帶中的高頻信號的衰減量。

10a~10c‧‧‧電子零件

12‧‧‧積層體

14a~14c‧‧‧外部電極

16a~16n‧‧‧絕緣體層

17a~17f，18a~18f，19a~19f，70a，70b，71a，71b‧‧‧電感器導體層

20a~20f，22，40a，40c，40d，40f，41a，41c，41d，41f，50a，50b，51a，51b‧‧‧電容器導體層

31‧‧‧接地導體層

60‧‧‧連接導體層

C1~C6，Ca~Cg‧‧‧電容器

L1~L8，L10‧‧‧電感器

LC1~LC6‧‧‧LC並聯諧振器

S1~S6‧‧‧環形面

SL1，SL2‧‧‧狹縫

v1~v12，v20~v24，v40，v41‧‧‧通孔導體

圖1是第1個實施形態所涉及的電子零件10a的等效電路圖。

圖2是電子零件10a~10c的外觀立體圖。

圖3A是電子零件10a的分解立體圖。

圖3B是從上側方向透視電子零件10a的圖。

圖4是比較例所涉及的電子零件110a的等效電路圖。

圖5是比較例所涉及的電子零件110b的等效電路圖。

圖6是比較例所涉及的電子零件110c的等效電路圖。

圖7是比較例所涉及的電子零件110d的等效電路圖。

圖8是比較例所涉及的電子零件110e的等效電路圖。

圖9是表示電子零件10a的通過特性(｜S21｜)的曲線圖。

圖10是表示電子零件110a的通過特性(｜S21｜)的曲線圖。

圖11是表示電子零件110b的通過特性(｜S21｜)的曲線圖。

圖12是表示電子零件110c的通過特性(｜S21｜)的曲線圖。

圖13是表示電子零件110d的通過特性(｜S21｜)的曲線圖。

圖14是表示電子零件110e的通過特性(｜S21｜)的曲線圖。

圖15是第2個實施形態所涉及的電子零件10b的等效電路圖。

圖16是電子零件10b的分解立體圖。

圖17是表示電子零件10b的通過特性(｜S21｜)的曲線圖。

圖18是第3個實施形態所涉及的電子零件10c的等效電路圖。

圖19是電子零件10c的分解立體圖。

圖20是表示電子零件10c的通過特性(｜S21｜)的曲線圖。

(第1個實施形態)以下對於本發明的第1個實施形態所涉及的電子零件參照附圖進行說明。圖1是第1個實施形態所涉及的電子零件10a的等效電路圖。

首先，對於電子零件10a的等效電路參照附圖進行說明。電子零件10a如圖1所示，其等效電路的結構具備電感器L1~L6、電容器C1~C6，Ca~Cg及外部電極14a~14c，是使規定頻帶的高頻信號通過的帶通濾波器。

外部電極14a，14b是用於高頻信號輸入輸出的輸入輸出端子。外部電極14c是用於接地的接地端子。

電感器L1~L6和電容器C1~C6各自並聯連接，構成LC並聯諧振器LC1~LC6。

LC並聯諧振器LC1的一端與外部電極14a連接。LC並聯諧振器LC6的一端與外部電極14b連接。此外，LC並聯諧振器LC1~LC6在從外部電極14a到外部電極14b之間按照該順序排列。

LC並聯諧振器LC1~LC6中的相鄰LC並聯諧振器彼此磁場耦合，構成帶通濾波器。

此外，LC並聯諧振器LC1~LC6的另一端與外部電極14c連接。LC並聯諧振器的一端在圖1中表示為LC並聯諧振器的電感器和電容器的連接部內的上側的連接部。LC並聯諧振器的另一端在圖1中表示為LC並聯諧振器的電感器和電容器的連接部內的下側的連接部。

電容器Ca連接在LC並聯諧振器LC1的一端和LC並聯諧振器LC2的一端之間。電容器Cb連接在LC並聯諧振器LC2的一端和LC並聯諧振器LC3的一端之間。電容器Cc連接在LC並聯諧振器LC1的一端和LC並聯諧振器LC3的一端之間。

電容器Cd連接在LC並聯諧振器LC4的一端和LC並聯諧振器LC5的一端之間。電容器Ce連接在LC並聯諧振器LC5的一端和LC並聯諧振器LC6的一端之間。電容器Cf連接在LC並聯諧振器LC4的一端和LC並聯諧振器LC6的一端之間。

電容器Cg通過連接在外部電極14a和外部電極14b之間，連接在LC並聯諧振器LC1的一端和LC並聯諧振器LC6的一端之間。

如上述構成的電子零件10a構成帶通濾波器，該帶通濾波器使具有LC並聯諧振器LC1~LC6的諧振頻率(以下簡稱為諧振頻率)附近的頻率的高頻信號從外部電極14a向外部電極14b通過。更詳細地說，若從 外部電極14a輸入具有諧振頻率附近的頻率的高頻信號，則LC並聯諧振器LC1~LC6的阻抗值將達到最大。因此，由於具有諧振頻率附近的頻率的高頻信號不能通過LC並聯諧振器LC1~LC6，所以不會從外部電極14c輸出。其結果，具有諧振頻率附近的頻率的高頻信號從外部電極14b輸出。此外，具有諧振頻率附近的頻率以外的頻率的高頻信號通過LC並聯諧振器LC1~LC6從外部電極14c輸出。

接著，對於電子零件10a的具體結構參照附圖進行說明。圖2是電子零件10a的外觀立體圖。圖3A是電子零件10a的分解立體圖。圖3B是從上側方向透視電子零件10a的圖。圖3B中僅展示積層體12、電感器導體層17a~17f及通孔導體v1~v12。

以下將電子零件10a的積層方向定義為上下方向。此外，在從上側方向俯視電子零件10a時，將電子零件10a的長邊延伸的方向定義為左右方向，將電子零件10a的短邊延伸的方向定義為前後方向。上下方向、前後方向及左右方向相互正交。

電子零件10a具備積層體12、外部電極14a~14c、電感器導體層17a~17f，18a~18f，19a~19f、電容器導體層20a~20f，22，40a，40c，40d，40f，41a，41c，41d，41f，50a，50b，51a，51b、接地導體層31及通孔導體v1~v12，v20~v24(層間連接導體的一個例子)。

積層體12呈長方體狀，通過將絕緣體層16a~16l按照從上側到下側的順序排列積層構成。絕緣體層16a~16l在從上側方向俯視時呈長方形，由例如陶瓷等製成。以下將絕緣體層16a~16l的上側的主面稱為表面，將絕緣體層16a~16l的下側的主面稱為背面。

外部電極14a、14b分別在積層體12的左面及右面上的上下方向上延伸。此外，外部電極14a、14b在積層體12的上面及底面上折返。外部電極14c為設置在積層體12的底面上的長方形的導體層。外部電極14a~14c通過在例如Ag等基底電極上實施鍍Ni及鍍Sn製成。

電感器導體層17a~19a是分別設置在絕緣體層16b~16d的表面上且沿前後方向延伸的帶狀導體層。

通孔導體v1在上下方向上貫通絕緣體層16b~16i。通孔導體v1的上端與電感器導體層17a~19a的前端連接。由此，通孔導體v1從電感器導體層17a~19a向下側延伸。

通孔導體v7在上下方向上貫通絕緣體層16b~16j。通孔導體v7位於比通孔導體v1更靠後側的位置。因此，通孔導體v7的上端與電感器導體層17a~19a的後端連接。由此，通孔導體v7從電感器導體層17a~19a向下側延伸。

在電感器L1中包括如上述構成的電感器導體層17a~19a及通孔導體v1、v7。由此，電感器L1在從左側俯視時，呈向下側開口的四方U字型。

電容器導體層20a是設置在絕緣體層16j的表面上且沿前後方向延伸的帶狀導體層。

接地導體層31是設置在絕緣體層16k的表面上的矩形導體層，覆蓋絕緣體層16k的大致整個面。由此，電容器導體層20a經由絕緣體層16k與接地導體層31相對。

在電容器C1中包含如上述構成的電容器導體層20a及接地 導體層31。此外，通孔導體v1的下端與電容器導體層20a連接。通孔導體v2的下端與接地導體層31連接。由此，將電感器L1和電容器C1相互並聯連接構成LC並聯諧振器LC1。此外，在從左側俯視時，電感器L1從電容器導體層20a向接地導體層31朝逆時針方向旋轉。

在電感器L2中包含電感器導體層17b~19b及通孔導體v2、v8。在電容器C2中包含電容器導體層20b及接地導體層31。電感器L2和電容器C2相互並聯連接構成LC並聯諧振器LC2。

在電感器L3中包含電感器導體層17c~19c及通孔導體v3、v9。在電容器C3中包含電容器導體層20c及接地導體層31。電感器L3和電容器C3相互並聯連接構成LC並聯諧振器LC3。

在電感器L4中包含電感器導體層17d~19d及通孔導體v4、v10。在電容器C4中包含電容器導體層20d及接地導體層31。電感器L4和電容器C4相互並聯連接構成LC並聯諧振器LC4。

在電感器L5中包含電感器導體層17e~19e及通孔導體v5、v11。在電容器C5中包含電容器導體層20e及接地導體層31。電感器L5和電容器C5相互並聯連接構成LC並聯諧振器LC5。

在電感器L6中包含電感器導體層17f~19f及通孔導體v6、v12。在電容器C6中包含電容器導體層20f及接地導體層31。電感器L6和電容器C6相互並聯連接構成LC並聯諧振器LC6。

因為LC並聯諧振器LC1~LC6實質上具有相同結構，所以省略詳細說明。LC並聯諧振器LC1~LC6在積層體12上從左側向右側按照該順序排列。此外，電容器導體層20a、20f分別向絕緣體層16j的左側及右 側的短邊引出。由此，LC並聯諧振器LC1、LC6分別與外部電極14a、14b連接。此外，電感器L2~L6在從左側俯視時，與電感器L1同向旋轉。

如上述構成的LC並聯諧振器LC1~LC6如圖3B所示分別形成有被電感器L1~L6及電容器C1~C6包圍且與上下方向實質平行的環形面S1~S6。在本實施形態中，環形面S1~S6是與左右方向正交的平面。環形面S1~S6分別是通過電感器導體層17a~17f的左右方向的中央的平面。

在從左側俯視時，環形面S1~S6中在左右方向上相鄰的環形面彼此重合。在本實施形態中，在從左側俯視時，環形面S1~S6在實質上一致的狀態下重合。由此，LC並聯諧振器LC1~LC6中在左右方向上相鄰的LC並聯諧振器彼此磁場耦合，從而構成帶通濾波器。在本實施形態中，雖然環形面S1~S6在一致的狀態下重合，但是通過使環形面S1~S6的高度方向不同，也存在環形面S1~S6不是以一致的狀態重合的情況。

如圖3B所示，相鄰的2個電感器導體層17a~17f在左右方向上的間隔中，電感器導體層17c和電感器導體層17d在左右方向上的間隔最小。在本實施形態中，雖然電感器導體層17c和電感器導體層17d在左右方向上的間隔最小，但是電感器導體層17c和電感器導體層17d在左右方向上的間隔不一定要是最小。

通孔導體v20~v24在上下方向上貫通絕緣體層16k、16l。通孔導體v20~v24的上端與接地導體層31連接。通孔導體v20~v24的下端與外部電極14c連接。由此，LC並聯諧振器LC1~LC6與外部電極14c連接。

電容器導體層22是設置在絕緣體層16e的表面上且沿左右方向延伸的帶狀導體層。電容器導體層22貫通環形面S1~S6，在從上側方向俯視時，與電感器導體層19a、19f重疊。由此，電感器導體層19a和電感器導體層19f之間經由電容器導體層22形成電容器Cg。

電容器導體層40a、40c是設置在絕緣體層16f的表面上的長方形的導體層。電容器導體層41a、41c是設置在絕緣體層16h的表面上的長方形的導體層。電容器導體層40a、41a分別通過與通孔導體v1連接來與電感器L1連接。電容器導體層40c、41c分別通過與通孔導體v3連接來與電感器L3連接。

電容器導體層50a是設置在絕緣體層16g的表面上且相對于通孔導體v1~v3位於後側的在左右方向上延伸的帶狀導體層。由此，電容器導體層50a在從上側方向俯視時，與電容器導體層40a，40c，41a，41c重疊。其結果，在電容器導體層40a、41a與電容器導體層40c、41c之間，經由電容器導體層50a形成電容器Cc。

電容器導體層51a是設置在絕緣體層16i的表面上且相對于通孔導體v1、v3位於後側的在左右方向上延伸的帶狀導體層。電容器導體層51a通過與通孔導體v2連接，來與電感器L2連接。由此，電容器導體層51a在從上側方向俯視時，與電容器導體層20a，20c，41a，41c重疊。其結果，在電容器導體層20a、41a與電容器導體層51a之間，形成電容器Ca。在電容器導體層20c、41c與電容器導體層51a之間，形成電容器Cb。

電容器導體層40d，40f，41d，41f，50b，51b在從上側方向俯視時，相對於積層體12的左右方向的中央在前後方向上延伸的直線，與 電容器導體層40a，40c，41a，41c，50a，51a成線對稱的關係。由此，電容器導體層40d、41d與電容器導體層40f、41f之間，經由電容器導體層50b形成電容器Cf。在電容器導體層20d、41d與電容器導體層51b之間，形成電容器Cd。在電容器導體層20f、41f與電容器導體層51b之間，形成電容器Ce。此外，省略電容器導體層40d，40f，41d，41f，50b，51b的更詳細的說明。

(效果)利用上述電子零件10a，能夠進一步增大在通頻帶外的頻帶中的高頻信號的衰減量。更詳細地說，相對於在專利文獻1中記載的積層帶通濾波器中使用的5級LC並列諧振器，電子零件10a中使用6級LC並列諧振器。由此，通過多級化LC並聯諧振器，能夠進一步加大在通頻帶外的頻帶中的高頻信號的衰減量。

而且，在電子零件10a中，由於使不相鄰的LC並聯諧振器彼此耦合的電容器Cc、Cf、Cg設置在合適的位置，能實現通頻帶附近的高衰減化。本申請的發明人為了進一步明確電子零件10a所起到的效果，進行了以下說明的電腦類比。圖4至圖8分別是比較例所涉及的電子零件110a~110e的等效電路圖。

本申請的發明人做成電子零件10a，110a~110e的模型，並使電腦計算它們的通過特性。電子零件110a具有從電子零件10a中去除了電容器Cc，Cf，Cg的電路結構。電子零件110b具有從電子零件10a中去除了電容器Cg的電路結構。電子零件110c具有從電子零件10a中去除了電容器Cc，Cf的電路結構。電子零件110d具有從電子零件10a中去除了電容器Cc的電路結構。電子零件110e具有從電子零件10a中去除了電容器Cc， Cg的電路結構。

圖9是表示電子零件10a的通過特性(｜S21｜)的曲線圖。圖10至圖14是表示電子零件110a~110e的通過特性(｜S21｜)的曲線圖。在圖9至圖14中，縱軸表示｜S21｜，橫軸表示頻率。

根據圖10至圖14可知，在電子零件110a~110e中，通頻帶的低頻側的衰減極位於1GHz的附近，通頻帶的高頻側的衰減極位於2.3GHz附近。

另一方面，根據圖9可知，在電子零件10a中，通頻帶的低頻側的衰減極位於1GHz的附近，通頻帶的高頻側的衰減極位於2GHz附近。

根據上述結果，缺少了電容器Cc、Cf、Cg中任意一個的電子零件110a~110e都難以使通頻帶變窄。另一方面，具備全部電容器Cc，Cf，Cg的電子零件10a能夠實現通頻帶附近的高衰減化。即，電子零件10a中，通過將不相鄰的LC並聯諧振器設置在合適的位置，能夠實現通頻帶附近的高衰減化。

(第2個實施形態)以下對於本發明的第2個實施形態所涉及的電子零件參照附圖進行說明。圖15是第2個實施形態所涉及的電子零件10b的等效電路圖。圖16是電子零件10b的分解立體圖。圖17是表示電子零件10b的通過特性(｜S21｜)的曲線圖。由於電子零件10b的外觀立體圖和電子零件10a相同，因此援用圖2。

按如下所說明的那樣，電子零件10b在第1不同點至第4不同點上與電子零件10a不同。如圖16所示那樣，第1不同點是電子零件10b的LC並聯諧振器LC1~LC3具有使電子零件10a的LC並聯諧振器LC1~ LC3的前後反轉的結構。第2不同點是，如圖15所示那樣，電子零件10b具備電感器L10。第3不同點是在接地導體層31上設置狹縫SL1，SL2。第4不同點是電感器導體層17a~17f的左右方向的間隔全部相等。

對於第1不同點進行說明。第1不同點是電子零件10b的LC並聯諧振器LC1~LC3具有使電子零件10a的LC並聯諧振器LC1~LC3的前後反轉的結構。因此，在電子零件10b中，通孔導體v7~v9位於比通孔導體v1~v3更靠前側的位置。其結果，電感器L1~L3和電感器L4~L6反向旋轉。即，在從左側俯視時，電感器L1~L3從電容器導體層20a~20c向接地導體層31朝順時針方向旋轉。在從左側俯視時，電感器L4~L6從電容器導體層20d~20f向接地導體層31朝逆時針方向旋轉。

對於第2不同點進行說明。電感器L10被連接在電感器L1和電感器L6之間，由連接導體層60構成。連接導體層60是設置在絕緣體層16m的表面上的線狀導體層，該絕緣體層16m追加在絕緣體層16j和絕緣體層16k之間。連接導體層60連接通孔導體v7和通孔導體v12。

對於第3不同點進行說明。狹縫SL1、SL2是從接地導體層31的外緣向外緣內側延伸的切口。在本實施形態中，狹縫SL1在接地導體層31的中央靠左側，從接地導體層31的後側的邊向前側延伸。狹縫SL2在接地導體層31的中央靠右側，從接地導體層31的前側的邊向後側延伸。由此，接地導體層31的電感值變大。

如上述構成的電子零件10b也能夠獲得與電子零件10a相同作用效果。

此外，在電子零件10b中，電感器L1~L3和電感器L4~L6 反向旋轉。由此，電感器L1~L3和電感器L4~L6的磁場耦合變弱。因此，在LC並聯諧振器LC1~LC3和LC並聯諧振器LC4~LC6之間難以傳輸高頻信號。其結果，如圖17所示，在電子零件10b中，比通頻帶更低的頻帶的衰減量變大。

此外，在電子零件10b中，設置有連接電感器L1和電感器L6的電感器L10。由此，可以在通頻帶的低頻側形成衰減極。

此外，在電子零件10b中，基於以下理由，比通頻帶更低的頻帶的衰減量也會變大。更詳細地說，由於在接地導體層31上設置狹縫SL1、SL2，接地導體層31的電感值變大。由此，LC諧振器LC1~LC6間的磁場耦合發生變化，能夠調整低頻側的衰減極的位置。作為其結果，能夠增大低頻側的衰減量。

(第3個實施形態)以下對於第3個實施形態所涉及的電子零件參照附圖進行說明。圖18是第3個實施形態所涉及的電子零件10c的等效電路圖。圖19是電子零件10c的分解立體圖。圖20是表示電子零件10c的通過特性(｜S21｜)的曲線圖。由於電子零件10c的外觀立體圖和電子零件10a相同，因此援用圖2。

電子零件10c如圖19所示，與電子零件10a的不同點在於設置有電感器L7、L8。電感器L7連接在外部電極14a與LC並聯諧振器LC1的一端之間。電感器L8連接在外部電極14b與LC並聯諧振器LC6的一端之間。以下，對於該不同點進行說明。

在絕緣體層16e與絕緣體層16f之間追加絕緣體層16m、16n。電感器L7如圖19所示，包含電感器導體層70a、71a及通孔導體v40。 電感器導體層70a是設置在絕緣體層16n的表面上且在從上側方向俯視時呈順時針方向旋轉的線狀導體層。電感器導體層70a的順時針方向的上游側的端部引出到絕緣體層16n的左側邊。由此，電感器L7與外部電極14a連接。

電感器導體層71a是設置在絕緣體層16m的表面上且在從上側方向俯視時呈順時針方向旋轉的線狀導體層。電感器導體層71a的順時針方向的下游側端部與通孔導體v1連接。由此，電感器L7與LC並聯諧振器LC1連接。

通孔導體v40在上下方向上貫通絕緣體層16m，將電感器導體層70a的順時針方向的下游側端部和電感器導體層71a的順時針方向的上游側端部連接。

電感器L8包含電感器導體層70b、71b及通孔導體v41。電感器L8在從上側方向俯視時，相對於積層體12的左右方向的中央在前後方向上延伸的直線，與電感器L7成線對稱的關係。因此，省略對於電感器L8的詳細說明。

如上述構成的電子零件10c也能夠獲得與電子零件10a相同作用效果。

此外，在電子零件10c中，在外部電極14a和外部電極14b之間的電感器L7、L8起到作為低通濾波器的功能。由此，如圖20所示，在電子零件10c中，比通頻帶更高的頻帶的衰減量變大。

(其他實施形態)

本發明所涉及的電子零件不限於上述電子零件10a~10c，能在其發明思想的範圍內進行變更。

此外，可以任意組合電子零件10a~10c的結構。

此外，環形面S1~S6可以相互不平行。

工業上的實用性

如上述的那樣，本發明適用於電子零件，尤其在能夠進一步增大在通頻帶外的頻帶中的高頻信號的衰減量這一方面較為優異。

10a‧‧‧電子零件

12‧‧‧積層體

14a~14c‧‧‧外部電極

16a~16l‧‧‧絕緣體層

17a~17f，18a~18f，19a~19f‧‧‧電感器導體層

20a~20f，22，40a，40c，40d，40f，41a，41c，41d，41f，50a，50b，51a，51b‧‧‧電容器導體層

31‧‧‧接地導體層

v1~v12，v20~v24‧‧‧通孔導體

Claims (12)

1. 一種電子零件，其特徵在於，包括：將複數個絕緣體層在積層方向上積層而成的積層體；第1LC並聯諧振器至第6LC並聯諧振器，在與上述積層方向正交的第1正交方向上按照此順序排列，並且構成帶通濾波器；第7電容器，連接在上述第1LC並聯諧振器和上述第6LC並聯諧振器之間；第8電容器，連接在上述第1LC並聯諧振器與上述第3LC並聯諧振器之間；以及第9電容器，連接在上述第4LC並聯諧振器與上述第6LC並聯諧振器之間，第nLC並聯諧振器分別包含第n電感器及第n電容器，其中，n是1至6的整數，形成有由上述第n電感器及第n電容器包圍而成且與上述積層方向實質平行的第n環形面，上述第1環形面至上述第6環形面，在從上述第1正交方向俯視時，在該第1正交方向上相鄰的環形面彼此重疊。
2. 如申請專利範圍第1項之電子零件，其中，上述第n電感器分別包括：在上述積層方向上貫通上述絕緣體層的第n層間連接導體及第n+6層間連接導體、和設置在上述絕緣體層上的第n電感器導體層，上述第n層間連接導體及上述第n+6層間連接導體從上述第n電 感器導體層向上述積層方向的一側延伸。
3. 如申請專利範圍第2項之電子零件，其中，上述第n電容器由隔著上述絕緣體層而相對的第n電容器導體層及接地導體層構成，上述第n層間連接導體與上述第n電容器導體層連接，上述第n+6層間連接導體與上述接地導體層連接。
4. 如申請專利範圍第3項之電子零件，其中，上述第7層間連接導體至上述第9層間連接導體比上述第1層間連接導體至上述第3層間連接導體更靠位於與上述積層方向及與上述第1正交方向正交的第2正交方向的一側的位置，上述第10層間連接導體至上述第12層間連接導體比上述第4層間連接導體至上述第6層間連接導體更靠位於上述第2正交方向的另一側的位置。
5. 如申請專利範圍第2至4項中任一項之電子零件，其中，上述第1電感器導體層至上述第6電感器導體層在與上述積層方向及與上述第1正交方向正交的第2正交方向上延伸，上述第m(m是1至5的整數)電感器導體層和上述第m+1電感器導體層在上述第1正交方向上的間隔中，上述第3電感器導體層與第4電感器導體層在第1正交方向上的間隔最小。
6. 如申請專利範圍第3項之電子零件，其中，在上述接地導體層上設置有狹縫，該狹縫從該接地導體層的外緣向該外緣的內側延伸。
7. 如申請專利範圍第1至4、6項中任一項之電子零件，其中，還具備連接導體層，用於連接上述第1電感器與上述第6電感器。
8. 如申請專利範圍第5項之電子零件，其中，還具備連接導體層，用於連接上述第1電感器與上述第6電感器。
9. 如申請專利範圍第1至4、6項中任一項之電子零件，其中，還具備第1外部電極及第7電感器，該第7電感器連接在上述第1外部電極和上述第1LC並聯諧振器之間。
10. 如申請專利範圍第5項之電子零件，其中，還具備第1外部電極及第7電感器，該第7電感器連接在上述第1外部電極和上述第1LC並聯諧振器之間。
11. 如申請專利範圍第7項之電子零件，其中，還具備第1外部電極及第7電感器，該第7電感器連接在上述第1外部電極和上述第1LC並聯諧振器之間。
12. 如申請專利範圍第8項之電子零件，其中，還具備第1外部電極及第7電感器，該第7電感器連接在上述第1外部電極和上述第1LC並聯諧振器之間。