TWI584451B

TWI584451B - 顯示基板與其製造方法

Info

Publication number: TWI584451B
Application number: TW102145740A
Authority: TW
Inventors: 金星民; 崔俊呼
Original assignee: 三星顯示器有限公司
Priority date: 2013-02-15
Filing date: 2013-12-11
Publication date: 2017-05-21
Also published as: US20140231761A1; KR20140102913A; CN103996690B; CN103996690A; KR102023896B1; US9099413B2; US9287503B2; US20150295177A1; TW201432888A

Description

顯示基板與其製造方法

【0001】

本發明係關於顯示基板及其製造方法。

【0002】

隨顯示技術之發展，顯示裝置正被廣泛地使用於可攜式裝置(例如筆記型電腦、手機與可攜式媒體播放器(portable media players, PMPs))以及家用顯示裝置(例如電視及顯示器)。具體來說，往更輕、更薄的顯示裝置之潮流助長了液晶顯示(liquid crystal display, LCD)裝置、有機發光顯示裝置等等之普及。

【0003】

有機發光顯示裝置為電壓於其中施加於陽極、陰極與設置於陽極與陰極間之有機發光層，使得電子與電洞結合於有機發光層中以發光之自發射顯示裝置。

【0004】

近期研究已指向了提供使用有機發光顯示裝置之大尺寸顯示器。然而，大尺寸顯示器提高了覆蓋所有像素之電極之導線電阻率，且所提高之導線電阻率造成電壓下降，結果導致亮度不均勻。此外，電源消耗也會上升。

【0005】

為解決上述問題，形成輔助電極以避免電極之電壓下降已被建議。然而，有機發光顯示裝置之有機層或電極可能於形成輔助電極之製程時受損。

【0006】

本發明之實施例之態樣導向於其中電壓下降能藉由形成導電層(例如輔助電極)而避免或降低之顯示基板與製造其之方法。

【0007】

本發明之實施例之態樣也導向於其中於形成導電層(例如輔助電極)之製程時有機層或電極能避免受損(或對有機層或電極之損傷能被降低)之顯示基板與製造其之方法。

【0008】

本發明之實施例之態樣也導向於其中透射率之下降能於導電層(例如輔助電極)之形成後藉由量測透射率而被偵測之顯示基板與製造其之方法。

【0009】

然而，本發明之實施例之態樣不受限於文中所說明的這類。本發明之上述及其他態樣隨參閱實施說明與圖式將對本發明相關之領域中具有通常知識者變得更明顯。

【0010】

在實施例中，顯示基板被提供，顯示基板包含基板，基板具有主動區與非主動區；於基板之主動區上之有機發光二極體(organic light-emitting diode, OLED)單元；以及於基板之非主動區上之透射率量測圖案單元，其中透射率量測單元包含位於基板上之沉積協助層。

【0011】

在一實施例中，沉積協助層圖案包含
8-羥基喹啉鋰(8-quinolinolato lithium)、
N,N-聯苯基-N,N-二(9-苯基-9H-咔唑-3-基)聯苯基-4,4’-二胺(N,N-diphenyl-N,N-bis(9-pheny-9H-carbazol-3-yl)biphenyl-4,4’-diamine)、
N(聯苯基-4-基)9,9-二甲基-N-(4(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺(N(diphenyl-4-yl)9,9-dimethyl-N-(4(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)
phenyl)-9H-fluorene-2-amine)或者是
2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并-[D]咪唑(2-(4-(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene-2-yl)phenyl)
-1-phenyl-1H-benzo-[D]imidazole)。

【0012】

在一實施例中，透射率量測圖案單元進一步包含位於沉積協助層圖案上之導電層圖案。

【0013】

在一實施例中，導電層圖案包含鎂。

【0014】

在一實施例中，有機發光二極體單元包含：在基板上之薄膜電晶體(thin-film transistor, TFT)；覆蓋薄膜電晶體之第一絕緣層；在第一絕緣層上並電性耦接薄膜電晶體之第一電極；在該第一絕緣層上之第二絕緣層，第二絕緣層覆蓋第一電極之第一部分並具有暴露第一電極之第二部份之開口；在第二絕緣層的一部分上且在通過該開口所暴露之第一電極之第二部份上之有機發光層；在第二絕緣層及有機發光層上之第二電極；在第二電極之第一區域上之沉積協助層；以及電性耦接於第二電極的導電層，導電層在不包含第二電極之第一區域之第二電極之第二區域上。

【0015】

在一實施例中，第二電極為光透射薄膜。

【0016】

在一實施例中，第二電極包含選自銀、鎂、鋁、鉑、鈀、金、鎳、釹、銥、鉻、鋰、鈣及其之合金之金屬。

【0017】

在一實施例中，導電層接觸沉積協助層之邊緣之側面。

【0018】

在一實施例中，導電層包含鎂。

【0019】

在一實施例中，導電層之厚度相等於或大於第二電極之厚度。

【0020】

在一實施例中，沉積協助層以光透射材料形成。

【0021】

在一實施例中，沉積協助層包含8-羥基喹啉鋰、
N,N-聯苯基-N,N-二(9-苯基-9H-咔唑-3-基)聯苯基-4,4’-二胺、
N(聯苯基-4-基)9,9-二甲基-N-(4(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺、或
2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并-[D]咪唑。

【0022】

在一實施例中，導電層與沉積協助層間之附著力弱於導電層與第二電極間之附著力。

【0023】

在一實施例中，有機發光二極體單元包含配置以透射外在光之透射區以及鄰接於透射區之像素區，其中透射區與像素區之全體或部分位於第二電極之第一區域中，以及其中第一電極重疊於像素區。

【0024】

在一實施例中，第一電極重疊並隱藏薄膜電晶體。

【0025】

在一實施例中，透射區之面積對像素區之面積及透射區之面積之總和之比例於5到90%之範圍中。

【0026】

在另一實施例中，製造顯示基板之方法被提供。方法包含形成薄膜電晶體於基板上，基板包含主動區與非主動區，薄膜電晶體之形成於基板之主動區上；形成電性耦接於薄膜電晶體且包含第一電極、有機發光層及第二電極之有機發光二極體；同時地或同步地於第二電極之第一區域上形成沉積協助層以及於基板之非主動區上形成透射率量測圖案單元之沉積協助層圖案；同時地或同步地藉由沉積導電材料於不包含第一區域之第二電極之第二區域上形成電性耦接於第二電極之導電層，以及形成透射率量測圖案單元之導電層圖案，導電層圖案之沉積包含沉積導電材料於沉積協助層上；以及量測透射率量測圖案單元之透射率以決定缺陷是否存在。

【0027】

在一實施例中，沉積協助層與沉積協助層圖案之形成包含使用具有相對應於沉積協助層與沉積協助層圖案形成於其中之區域之開口之遮罩。

【0028】

在一實施例中，導電層與導電層圖案之形成包含使用具有相對應於主動區與導電層圖案之開口之遮罩。

【0029】

在一實施例中，於導電層之形成後，直接執行透射率量測圖案單元之透射率之量測。

【0030】

在一實施例中，透射率量測圖案單元之透射率之量測導電材料沉積於其中之沉積腔室中執行。

【0031】

在一實施例中，當具有沉積於其上之導電材料之基板被輸送時，執行透射率量測圖案單元之透射率之量測。

【0032】

在一實施例中，透射率量測圖案單元之透射率之量測包含：以於基板之第一側上之光發射器照射光到透射率量測圖案單元；以及以面對相對於第一側之基板之第二側上之光接收器接收通過基板與透射率量測圖案單元而透射之光。

【0033】

在一實施例中，從光發射器照射到透射率量測圖案單元之光垂直於基板。

【0034】

在一實施例中，第二電極形成為光透射薄膜。

【0035】

【0036】

在一實施例中，導電材料包含鎂。

【0037】

【0038】

在一實施例中，沉積協助層與沉積協助層圖案包含光透射材料。

【0039】

在一實施例中，沉積協助層與沉積協助層圖案包含8-羥基喹啉鋰、
N,N-聯苯基-N,N-二(9-苯基-9H-咔唑-3-基)聯苯基-4,4’-二胺、
N(聯苯基-4-基)9,9-二甲基-N-(4(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺、或
2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并-[D]咪唑。

【0040】

【0041】

在一實施例中，主動區包含配置為透射外在光之透射區以及鄰接於透射區之像素區，其中透射區與像素區之全體或部分位於第二電極之第一區域中，以及其中第一電極形成以重疊像素區。

【0042】

在一實施例中，第一電極形成以重疊並隱藏薄膜電晶體。

【0043】

在一實施例中，透射區形成以致透射區之面積對於像素區之面積與透射區之面積之總和之比例於5到90%之範圍間。

【0044】

在一實施例中，製造顯示基板之方法進一步包含基於缺陷之偵測而輸出警告訊號。

10．．．基板

21．．．有積發光二極體單元

23、23a、23b、23c、23d．．．透射率量測圖案單元

211．．．緩衝層

212．．．半導體主動層

213．．．閘極絕緣層

214．．．閘極電極

215．．．層間絕緣薄膜

216．．．源極電極

217．．．汲極電極

218．．．第一絕緣層

219．．．第二絕緣層

219a、31、33、41、43、41a、41b、41c、41d．．．開口

220．．．有機層

221．．．第一電極

221a．．．第一個第一電極

221b．．．第二個第一電極

221c．．．第三個第一電極

222．．．第二電極

223．．．導電層

223’．．．導電層薄膜

223a．．．第二邊緣

224．．．沉積協助層

224a．．．第一邊緣

233．．．導電層圖案

234．．．沉積協助層圖案

3、40．．．遮罩

51．．．光發射器

53．．．光接收器

A．．．主動區

Cst．．．電容

D．．．資料線

D1．．．第一資料線

D2．．．第二資料線

D3．．．第三資料線

E．．．非主動區

E1．．．區域

EL．．．有機發光二極體

L．．．光

M1．．．有機材料

M2．．．材料

P．．．部分

PA．．．像素區

PC．．．像素電路單元

R1．．．第一區域

R2．．．第二區域

S．．．掃描線

TA．．．透射區

TR．．．薄膜電晶體

T1．．．第一薄膜電晶體

T2．．．第二薄膜電晶體

V．．．數位電源線

V1．．．第一數位電源線

V2．．．第二數位電源線

t1、t2、t3、t4、t5、t6、t7、t8．．．厚度

【0045】

當考慮到與所附圖式之結合時，本發明之上述與其他態樣與特徵將藉由參閱以下實施方式而變得更明顯，其中：

【0046】

第1圖係為根據本發明之實施例之顯示基板之剖面圖；

【0047】

第2圖係為第1圖中所示之顯示基板之平面圖；

【0048】

第3圖係為包含於第1圖之顯示基板中之有機發光二極體(organic light-emitting diode)單元與透射率量測圖案單元之剖面圖；

【0049】

第4圖到第9圖係為根據本發明之實施例依序地說明製造顯示基板之方法之示意圖；

【0050】

第10圖係為第7圖中所說明之方法中所使用之遮罩之示意平面圖；

【0051】

第11圖係為根據本發明之另一實施例之有機發光二極體單元之平面圖；

【0052】

第12圖係為根據第11圖之實施例之有機發光二極體單元與透射率量測圖案單元之剖面圖；以及

【0053】

第13圖係為根據本發明之另一實施例之有機發光二極體單元之平面圖。

【0054】

在以下實施方式中，僅有本發明之某些例示性實施例藉由圖式說明之方法而被顯示及描述。如那些於此領域中具有通常知識者能了解的，本發明可被實施於許多不同形式中且不應被詮釋為受限於文中所說明之實施例中。本發明之優點與特徵可藉由對以下實施例之實施方式與所附圖式之參閱而被更輕易地了解。然而，本發明可被實施於許多不同形式中且不應被詮釋為受限於文中所說明之實施例中。相對地，此類實施例藉由範例的方式而被提供。

【0055】

其將被了解的是當元件(例如，層)被稱為於另一元件上(on)時，該元件能直接地於第二元件上，或者是非直接地於第二元件上，而具有於其間之所插入一或多個中間元件。相似圖式參考符號於申請書各處表示相似元件。

【0056】

其將被了解的是，雖然詞彙如「第一(first) 」、「第二(second) 」、「第三(third) 」等等被使用於文中以描述各種相關元件或部分，但此類相關元件或部分並不被此類詞彙所限。相反地，此類詞彙僅使用於區別一元件或其部分與另一元件或其部分。舉例來說，以下所討論之第一元件在不從本發明之教示偏離下能被稱為第二元件。

【0057】

在下文中，本發明之實施例將參閱所附圖式而被描述。

【0058】

第1圖為根據本發明之實施例之顯示基板之剖面圖。第2圖為第1圖中所示之顯示基板之平面圖。

【0059】

參閱第1圖，根據本發明之實施例之顯示基板可包含基板10、有機發光二極體(OLED)單元21以及透射率量測圖案單元23。

【0060】

基板10可用具有絕緣及光透射性之材料形成。基板10可為用玻璃、石英、陶瓷等等形成的透明絕緣基板，或者是可為用塑膠等等形成之透明可撓式基板。

【0061】

主動區A與非主動區E可定義於基板10中。也就是說，在一實施例中，基板10具有主動區A與非主動區E。主動區A可為有機發光二極體單元21位於其上之區域。非主動區E可為基板10上不包含主動區A之區域。舉例來說，非主動區E可定義於圍繞主動區A之基板10之邊緣。

【0062】

有機發光二極體單元21包含發光之一或多個像素。有機發光二極體單元21將於之後被描述。

【0063】

透射率量測圖案單元23可量測顯示基板之透射率以決定顯示基板之透射率是否是有缺陷的，也就是說，決定缺陷是否存在。透射率量測圖案單元23可形成於基板10之非主動區E上。參閱第2圖，透射率量測圖案單元23a到23d可分別地放置於基板10之非主動區E之角落。然而，其僅為實施例而其他透射率量測圖案單元23a到23d之放置位置能被使用。也就是說，透射率量測圖案單元23(見第1圖)之位置非特定地受限，只要其於基板10之非主動區E中。透射率量測圖案單元23之數量同樣地也非特定地受限。

【0064】

第3圖為包含於第1圖之顯示基板中之有機發光二極體單元21與透射率量測圖案單元23之剖面圖。更具體地，包含於有機發光二極體21中之一像素之剖面圖與形成於顯示基板中之一透射率量測圖案單元23之剖面圖做為實施例被說明。

【0065】

參閱第3圖，緩衝層211及薄膜電晶體(thin-film transistor, TFT)TR可形成於基板10之主動區A(見第1圖)上。

【0066】

緩衝層211可避免或降低雜質元素之穿透並平整化基板10之表面。因此，緩衝層211可以能夠實現此類功效之各種適合材料形成。舉例來說，緩衝層211可以例如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦或氮化鈦之無機材料，或者是例如聚醯亞胺、聚酯、丙烯酸酯或此類有機材料之堆疊之有機材料而形成。然而，其僅為範例，以及緩衝層211能使用任何適合於避免或降低雜質元素之穿透以及平整化基板10之表面之適合材料而形成。在一些實施例中，緩衝層211被省略。

【0067】

薄膜電晶體TR可形成於緩衝層211上。薄膜電晶體TR可包含半導體主動層212、閘極絕緣層213、閘極電極214、源極電極216與汲極電極217。

【0068】

半導體主動層212可形成於緩衝層211上。半導體主動層212可以多晶矽形成，然而，本發明之實施例並不受限於此，以及半導體主動層212也可以氧化物半導體形成。舉例來說，半導體主動層212可為，但不受限於，氧化鎵銦鋅(G-I-Z-O)層[(三氧化二銦)a(三氧化二鎵)b(氧化鋅)c層]，此處a、b、c為分別滿足a ≧ 0、b ≧ 0及c > 0之實數。以氧化物半導體形成之半導體主動層212可具有提升之光透射率。

【0069】

閘極絕緣層213可形成於緩衝層211上以覆蓋半導體主動層212，且閘極電極214可形成於閘極絕緣層213上。

【0070】

閘極絕緣層213可以氧化矽(SiO_x)、氮化矽(SiN_x)或氮氧化矽(SiON)形成。具體地，閘極絕緣層213可以單層或多層形成。由多層形成的閘極絕緣層213可具有氧化矽或氮化矽的堆疊結構。在此類實施例中，接觸半導體主動層212之閘極絕緣層213之部份可以氧化矽層形成，以及氮化矽層可設置於氧化矽層下。接觸半導體主動層212之氧化矽層能避免或降低半導體主動層212之劣化。如果閘極絕緣層213以氮氧化矽層形成，氮氧化矽層可製造為具有氧濃度分布。在此類實施例，氧濃度可製造為隨至半導體主動層212之距離下降而上升，藉此避免或降低半導體主動層212之劣化。

【0071】

閘極電極214可以例如鋁或鋁合金之鋁(Al)系金屬、例如銀或銀合金之銀(Ag)系金屬、例如銅或銅合金之銅(Cu)系金屬、例如鉬或鉬合金之鉬(Al)系金屬、鉻(Cr)、鈦(Ti)或鉭(Ta)，但不受限於此。此外，舉例來說，閘極電極214可具有包含具有不同物理性質之兩層導電層之多層結構。舉例來說，兩層導電層之一可以例如鋁系金屬、銀系金屬或銅系金屬之具有低電阻率之金屬形成，以降低閘極電極214之訊號延遲或電壓降低。兩層導電層之另一層可以不同金屬形成，具體來說，例如鉬系金屬、鉻、鈦或鉭之具有與氧化銦錫(ITO)及氧化銦鋅(IZO)之優異接觸性質之材料。多層結構之實施例包含鉻較低層與鋁較高層、鋁較低層與鉬較高層以及鈦較低層與銅較高層。然而，本發明並不受限於此，閘極電極214可以各種適合金屬與導體形成。

【0072】

層間絕緣薄膜215可形成於閘極絕緣層213上以覆蓋閘極電極214，且源極電極216及汲極電極217可形成於層間絕緣薄膜215上並可分別地透過接觸孔接觸半導體主動層212。

【0073】

源極電極216與汲極電極217可具有包含鎳、鈷、鈦、銀、銅、鉬、鋁、鈹、鈮、金、鐵、硒或鉭之單層結構，或者是具有包含鎳、鈷、鈦、銀、銅、鉬、鋁、鈹、鈮、金、鐵、硒以及/或鉭之多層結構。此外，包含以上金屬之一以及一或多種選自鈦、鋯、鎢、鉭、鈮、鉑、鉿、氧及氮之元素之合金能被使用。多層結構之實施例包含，但不限於，例如鈦/銅、鉭/鋁、鉭/銅、鎳/鋁、鈷/鋁或鉬(鉬合金)/銅之雙層以及例如鉬/鋁/鉬、鈦/鋁/鈦、鉭/鋁/鉭、鈦/鋁/氮化鈦、鉭/鋁/氮化鉭、鎳/鋁/鎳或鈷/鋁/鈷之三層。然而，其僅為實施例。形成源極電極216與汲極電極217之材料並不限於以上材料，且源極電極216與汲極電極217之結構不限於以上結構。

【0074】

薄膜電晶體TR不必要結構為以上所述，且各種結構能應用於薄膜電晶體TR。舉例來說，薄膜電晶體TR可具有頂閘極結構。然而，其僅為實施例，且薄膜電晶體TR也可具有閘極電極214於其中設置於半導體主動層212下之底閘極結構。舉例來說，任何用於顯示裝置之適合薄膜電晶體能被使用。

【0075】

於第3圖中，一薄膜電晶體TR被說明。然而，像素可進一步包含一或多個薄膜電晶體與電容以形成像素電路單元。

【0076】

第一絕緣層218可形成以覆蓋薄膜電晶體TR或包含薄膜電晶體TR之像素電路單元。第一絕緣層218可以具有平整化頂面之單絕緣層或多絕緣層形成。第一絕緣層218可以無機材料以及/或有機材料形成。

【0077】

第一電極221可形成於第一絕緣層218上並可電性耦接包含薄膜電晶體TR像素電路單元。第一電極221可形成為於各像素中之獨立島狀區。

【0078】

第二絕緣層219可形成於第一絕緣層218上以覆蓋第一電極221之邊緣。開口219a可形成於第二絕緣層219中以暴露不包含第一電極221之邊緣之第一電極221之中心部位。

【0079】

有機層220與覆蓋有機層220之第二電極222可依序地形成於透過開口219a所暴露之第一電極221上。結果，有機發光二極體EL可形成。

【0080】

有機層220可形成為低分子量有機層或聚合物有機層。當有機層220形成為低分子量有機層時，電洞注入層(hole injection layer, HIL)、電洞傳輸層(hole transport layer, HTL)、發光層(emission layer, EML)、電子傳輸層(electron transport layer, ETL)、電子注入層(electron injection layer, EIL)可單獨地或複合地堆疊。低分子量有機層可藉由真空沉積而形成。此處，發光層獨立地於各紅、綠及藍像素中形成，以及電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層、電子注入層為可共同地實施於紅、綠及藍像素之共用層。

【0081】

電洞注入層以例如銅酞青素之酞青素聚合物或者是例如4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)或1,3,5-三[4-(3-甲基二苯基醚胺基)苯基]苯(m-MTDAPB)之爆樹枝狀胺(starburst anime)形成。

【0082】

電洞傳輸層可以N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺(N,N’-bis(3-methylphenyl)-N,N’-diphenyl-[1,1-biphenyl]-4,4’-diamine, TPD)、N,N-二(1-萘基)' -N,N'-二苯基-聯苯 (N,N’-di(naphthalene-1-yl)-N,N’-diphenyl benzidine, α -NPD)等等形成。

【0083】

電子注入層可以例如氟化鋰、氯化鈉、氟化銫、氧化鋰、氧化鋇、(8-羥基喹啉)鋰(Liq)等等之材料形成。

【0084】

電子傳輸層可以三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)、3-(4-聯苯)-4-苯基-5-(4-叔丁基)-1,2,4-三唑(3-(4-biphenylyl)-4-phenyl-5-(4-tert-butyl phenyl)-1,2,4-triazole, TAZ)等等形成。

【0085】

發光層可包含基質材料與摻雜材料。基質材料之實施例可包含，但不限於三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)、9,10-二(石油腦-2-基) 蒽(9,10-di(naphtha-2-yl)anthracene, AND)、3-叔丁基-9,10-二(石油腦-2-基)蒽(3-tert-butyl-9,10-di(naphtha-2-yl)anthracene, TBADN)、4,4’-二(2,2-聯苯-乙烯-1-基)-4,4’-苯基二甲基(4,4’-bis(2,2-diphenyl-ethene-1-yl)-4,4’-dimethylphenyl, DPVBi)、4,4’-二(2,2-聯苯-乙烯-1-基)-4,4’-苯基二甲基(4,4’-bis(2,2-diphenyl-ethene-1-yl)-4,4’-dimethylphenyl, p-DMDPVBi)、叔(9，9-二芳基芴)(tert(9,9-diarylfluorene)s, TDAF)、2-(9,9’-2-螺二芴-2-基)-9,9’-螺二芴(2-(9,9'-spirobifluorene-2-yl)-9,9'-spirobifluorene, BSDF)、2,7-二(9,9’-螺二芴-2-基)-9,9’-螺二芴(2,7-bis(9,9’-spirobifluorene-2-yl)-9,9’-spirobifluorene, TSDF)、二(9,9-二芳基芴)(bis(9,9-diarylfluorene)s, BDAF)、4,4’-二(2,2-聯苯-乙烯-1-基)-4,4’-二-(叔丁基)苯基(4,4’-bis(2,2-diphenyl-ethene-1-yl)-4,4’-di-(tert-butyl)phenyl, p-TDPVBi)、1,3-二(咔唑-9-基)苯(1,3-bis(carbazol-9-yl)benzene, mCP)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(1,3,5-tris(carbazol-9-yl)benzene, tCP)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(4,4’,4”-tris(carbazol-9-yl)triphenylamine, TcTa)、4,4’-二(咔唑-9-基)聯苯(4,4’-bis(carbazol-9-yl)biphenyl, CBP)、4,4’-二(9-咔唑基)-2,2’-二甲基-聯苯(4,4’-bis(9-carbazolyl)-2,2’-dimethyl-biphenyl, CBDP)、4,4’-二(咔唑-9-基)-9,9-二甲基-芴(4,4’-bis(carbazol-9-yl)-9,9-dimethyl-fluorene, DMFL-CBP)、4,4’-二(咔唑-9-基)-9,9-二(9-苯基-9H-咔唑) 芴(4,4’-bis(carbazol-9-yl)-9,9-bis(9-phenyl-9H-carbazol)fluorene, FL-4CBP)、4,4’-二(咔唑-9-基)-9,9-二-甲苯-芴(4,4’-bis(carbazol-9-yl)-9,9-di-tolyl-fluorene, DPFL-CBP)以及9,9-二(9-苯基-9H-咔唑) 芴(9,9-bis(9-phenyl-9H-carbazol)fluorene, FL-2CBP)。

【0086】

摻雜材料之實施例可包含，但不限於4,4’-二[4-(二-p-甲苯氨基)苯乙烯基]聯苯(4,4’-bis[4-(di-p-tolylamino)styryl]biphenyl, DPAVBi)、9,10-二(萘-2-基)蒽(9,10-di(naph-2-tyl)anthracene, ADN)以及3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(3-tert-butyl-9,10-di(naph-2-tyl)anthracene, TBADN)。

【0087】

第一電極221可為陽極，以及第二電極222可為陰極。或者是，第一電極221與第二電極222之極性可顛倒。

【0088】

在一實施例中，第一電極221為反射電極，以及第二電極222為透明電極。因此，包含於本發明之實施例中之有機發光二極體單元21中之有機發光二極體EL為其實現影像於第二電極222之方向之頂部發光型有機發光二極體。

【0089】

為此，第一電極221可包含具有至少高功函數之氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)以及氧化銦(In₂O₃)之一。第一電極221可進一步包含由銀、鎂、鋁、鉑、鈀、金、鎳、釹、銥、鉻、鋰、鐿或鈣形成的反射層。

【0090】

第二電極222可包含具有低功函數之金屬，舉例來說，選自銀、鎂、鋁、鉑、鈀、金、鎳、釹、銥、鉻、鋰、鈣以及其之合金之金屬。具體來說，第二電極222可形成為光透射的且可使用如金、銀以及/或銅而形成為薄膜。第二電極222可具有鎂與銀之合金以及/或銀單獨地或複合地堆疊於其中之結構。然而，其僅為實施例，且第二電極222也可包含透明金屬氧化物，舉例來說，至少氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)以及氧化銦(In₂O₃)之一。

【0091】

不像第一電極221，第二電極222形成以施加共同電壓給所有像素。為此，第二電極222形成為沒有形成用於各像素之圖案之共電極。或者是，為共電極之第二電極222可根據網目圖案而形成圖案，以致除了相對應於發光區之第二電極222之區域外之第二電極222之所有區域被移除。

【0092】

具有第一邊緣224a之沉積協助層224可形成於第二電極222之第一區域R1上。沉積協助層224可於形成導電層223之製程或是於薄膜封裝製程時避免第二電極222受損(或減少對第二電極222之損傷)，其會於後面敘述，並可簡化形成導電層223之製程。

【0093】

導電層223可形成於第二電極222之第二區域R2上並可電性耦接第二電極222。

【0094】

在有機發光二極體EL為頂部發光型之實施例中，第二電極222包含透明金屬氧化物或薄金屬。因此，如果第二電極222形成為共電極，第二電阻222之薄片電阻上升，導致電壓下降。為了解決這個問題，本發明之實施例進一步包含電性耦接於第二電極222之導電層223。也就是說，根據實施例，因為導電層223電性耦接於第二電極222，第二電極222之薄片電阻能降低。因此，第二電極222之電壓下降能被避免或降低。

【0095】

導電層223可具有第二邊緣223a，且沉積協助層224之第一邊緣224a之側面可接觸導電層223之第二邊緣223a之側面。

【0096】

第一區域R1可覆蓋發光發生於一像素中之區域，且第一區域R1之水平區域可大於發光發生於至少一像素中之區域之水平區域。沉積協助層224可形成為於整個第一區域R1上，且第一區域R1之邊緣可相對應於沉積協助層224之第一邊緣224a。第二區域R2可為第二電極222不包含第一區域R1之區域。導電層223可形成為於整個第二區域R2上，且第二區域R2之邊緣可相對應導電層223之第二邊緣223a。

【0097】

導電層223之厚度t1可大於第二電極222之厚度t2以降低第二電極222之薄片電阻。

【0098】

導電層223可包含鎂。舉例來說，導電層223可用鎂或鎂與至少鋁或銀之一之合金形成。或者是，導電層223可用與第二電極222相同材料形成。

【0099】

因為沉積協助層224覆蓋其中發光發生於像素中之區域，沉積協助層224可形成為光透射的。於一些實施例中，沉積協助層224在一些實施例中可形成為比導電層223薄之薄膜，但並不受限於此。

【0100】

在目前實施例中，導電層223與沉積協助層224間之附著力可弱於導電層223與第二電極222間之附著力。

【0101】

為此，沉積協助層224可用(8-羥基喹啉)鋰(Liq)、N,N-聯苯-N,N-二(9-苯基-9H-咔唑-3-基)聯苯-4,4’-二胺(N,N-diphenyl-N,N-bis(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)biphenyl-4,4’-diamine, HT01)、N-(聯苯-4-基)9,9-二甲基-N-(4(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基-9H-芴-2-胺(N-(diphenyl-4-yl)9,9-dimethyl-N-(4(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)
phenyl)-9H-fluorene-2-amine, HT211)或2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并-[D]-咪唑(2-(4-(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene-2-yl)phenyl)
-1-phenyl-1H-benzo-[D]-imidazole, LG201)形成。

【0102】

導電層223可包含鎂。舉例來說，導電層223可用鎂或鎂與至少鋁與銀之一之合金形成。或者是，導電層223可用與第二電極222相同材料形成。藉由實施例之方法，以鎂形成導電層223之實施例被描述於下。然而，本發明之實施例並不限於此。

【0103】

因為包含鎂之導電層223與第二導電層222包含金屬，其可具有良好附著力。然而，包含於導電層223中之鎂典型地並不良好地附著於形成沉積協助層224之材料之種類。因此，導電層223能藉由使用導電層223與第二電極222間與導電層223與沉積協助層224間之附著特性而更簡單地形成圖案。

【0104】

如以上所述，導電層223應形成圖案以便僅形成於第二區域R2上。

【0105】

使用於圖案化金屬層之比較方法為使用具有微圖案之沉積遮罩之沉積方法。然而，在此比較方法中，如果沉積金屬堆積於遮罩之微圖案上，實質形成之金屬層圖案之形狀會不同於所希望圖案。於是，遮罩需不斷地清潔以避免或降低沉積金屬之堆積。

【0106】

然而，當保養沉積遮罩之微圖案時清潔於沉積遮罩上所堆積金屬之方法尚未被提出。於是，如果圖案形狀藉由於微圖案上之金屬之沉積而改變，新遮罩需被使用。也就是說，遮罩自身必須被替換，且其導致製造成本之上升。

【0107】

在本發明之實施例中，導電層223藉由使用導電層223與第二電極222間與導電層223與沉積協助層224間之附著特性而更簡單地形成圖案。

【0108】

透射率量測圖案單元23可形成於基板10之非主動區E(見第1圖)之區域E1上。

【0109】

將於之後所述的是，導電層223可藉由沉積導電物質於包含第一區域R1與第二區域R2之基板10之主動區A(見第1圖)之整個表面上而形成。因為用於形成導電層223之導電材料具有對於沉積協助層224之弱附著力，其理論上為導電層223並不形成於沉積協助層224上而僅形成於具有對導電材料相對強附著力之第二電極222上。然而，當導電層223形成時，導電材料沉積於包含第一區域R1與第二區域R2之基板10之主動區A(見第1圖)之整個表面上。因此，導電層薄膜223’可實質地實體上佈於沉積協助層224上。

【0110】

導電層薄膜223’之厚度t3可小於導電層223之厚度t1。因此，導電層薄膜223’可不嚴重地影響第一區域R1中之有機發光二極體EL之亮度。然而，如果導電層薄膜223’之厚度t3足夠大以影響有機發光二極體EL之亮度，則顯示基板之透射率可低於參考透射率。於是，其能導致包含顯示基板之顯示裝置中之缺陷。

【0111】

在本發明之實施例中，因為透射率量測圖案單元23形成於基板10之非主動區E(見第1圖)上，透射率缺陷能在製造顯示基板之製程時被偵測到。其能避免或降低額外缺陷之產生，以及最終地減少包含顯示基板之顯示裝置之缺陷。

【0112】

透射率量測圖案單元23可包含形成於基板10上之沉積協助層圖案234且可進一步包含形成於沉積協助層圖案234上之導電層圖案233。

【0113】

沉積協助層圖案234可用與沉積協助層224相同材料形成並可與沉積協助層224於相同時間形成。

【0114】

導電層圖案233可用與導電層223相同材料形成並可與導電層223於相同時間形成。

【0115】

舉例來說，當透射率量測圖案單元23之量測透射率之結果相同於或大於設定值或於設定正常範圍中時，其可被決定為顯示基板不是有缺陷的，且後續製程可被執行。

【0116】

然而，當透射率量測圖案單元23之量測透射率之結果小於設定值或於設定異常範圍中時，其可被決定為顯示裝置是有缺陷的。於是，後續製程可不被執行，或者是修復缺陷之製程可被執行。

【0117】

透射率量測圖案單元23之透射率可相關於可形成於沉積協助層圖案234上之導電層圖案233之厚度。沉積協助層圖案234與沉積協助層224以相同材料形成。此外，因為沉積協助層圖案234與沉積協助層224於形成導電層223之製程中安置於相同腔室中，其皆於環境條件之相同設定下。也就是說，如果導電層圖案233於如沉積協助層224之環境條件之相同設定下形成於沉積協助層圖案234上，其為可能的是導電層薄膜223’也形成於沉積協助層224上且導電層圖案233之厚度t4相同於或實質地相同於導電層薄膜223’之厚度t3。

【0118】

於是，如果透射率量測圖案單元23之透射率被量測，其能被驗證導電層薄膜223’是否已形成於導電協助層224上，以及如果導電層薄膜223’已形成，導電層薄膜223’之厚度t3是否足夠大以影響有機發光二極體EL之亮度。

【0119】

如前所述，因為透射率量測圖案單元23形成於其中透射率能相對地輕易被量測之非主動區E上，透射率缺陷之發生能被輕易地偵測。此外，因為透射率缺陷之發生在形成導電層223之製程後能直接地(例如立即地)被偵測，進一步的量測能更輕易地被執行。

【0120】

第4圖到第9圖為依序地說明根據本發明之實施例之製造顯示基板之方法之製程之示意圖。

【0121】

請參閱第4圖，緩衝層211、薄膜電晶體TR、第一絕緣層218、第一電極221、第二絕緣層219、有機層220以及第二電極222形成於基板10之主動區A(見第1圖)上。此類元件已參閱第3圖被描述。

【0122】

請參閱第5圖，沉積協助層224可形成於第二電極222之第一區域上，且沉積協助層圖案234可在與沉積協助層224之形成相同時間形成於基板10之非主動區E之區域E1上。沉積協助層224與沉積協助層圖案234可用參閱第3圖所述於前之有機材料且可藉由使用遮罩3的熱蒸發方式而形成。遮罩3可包含相對應於沉積協助層224將形成之位置之開口31以及相對應沉積協助層圖案234之位置之開口33。在一實施例中，有機材料M1透過開口31及33而沉積，藉此同時地或同步地形成沉積協助層224與沉積協助層圖案234。

【0123】

參閱第6圖，用於形成導電層223之材料M2沉積於基板10之整個表面上。此處，用於形成導電層223之材料M2可使用第7圖中所顯示之遮罩40而沉積。使用於沉積用於形成導電層223之材料M2之遮罩40可包含相對應於基板10之主動區A之開口43以及相對應於沉積協助層圖案234形成於其中之基板10之非主動區E之區域之開口41，也就是說，透射率量測圖案單元23將形成於其中之區域。

【0124】

遮罩40之結構與開口41之位置並不特定地受限。舉例來說，參閱第2圖與第10圖，如果透射率量測圖案單元23a至23d分別地形成於如第2圖中所示之基板10之非主動區E(見第2圖)之邊角，遮罩40可在其中間部分包含相對應於基板10之主動區A(見第2圖)開口43以及分別地在其邊角相對應於第2圖之透射率量測圖案單元23a至23d之複數個開口41a至41d。然而，其僅為實施例且遮罩40之形狀與開口41之位置可根據透射率量測圖案單元23將形成之位置而改變。

【0125】

再回到參閱第6圖，在一些實施例中，用於形成導電層223之材料M2並不良好地附著於沉積協助層224，如之前參閱第3圖所述。於是，在一些實施例中，導電層223不形成於沉積協助層224上而是僅形成於具有對於材料M2之相對強附著力之第二電極222上。因此，導電層223能不需額外形成圖案製程而形成於預定位置。

【0126】

如果用於形成導電層223之材料M2如第6圖中所示而沉積，不僅是導電層223形成於沉積協助層224以外之區域，還有導電層薄膜223’也可形成於沉積協助層224上。在一些實施例中，因為用於形成導電層223之材料M2具有對沉積協助層224之弱附著力，其不沉積於沉積協助層224上而是僅沉積於具有對於材料M2之相對強附著力之第二電極222上。然而，因為在一些實施例中，第6圖中之製程不需使用額外形成圖案遮罩而是僅藉由使用包含相對應於主動區A(見第7圖)之開口41之遮罩40而被執行，導電層薄膜223’能實體上佈於沉積協助層224上。

【0127】

導電層薄膜223’之厚度t3可小於導電層223之厚度t1。

【0128】

如果導電層薄膜223’之形成於沉積協助層224上，導電層圖案233也可分別地形成於沉積協助層圖案234上。也就是說，透射率量測圖案單元23可包含沉積協助層圖案234以及，如果導電層圖案233額外地形成的話，可分別地進一步包含導電層圖案233。

【0129】

請參閱第8圖，透射率量測圖案單元23之個別透射率使用缺陷感測器(51及53)被量測以決定顯示基板是否為有缺陷的。在一實施例中，缺陷感測器(51及53)設計為偵測顯示基板之透射率缺陷。在一實施例中，缺陷感測器(51及53)分別地位於相對應於透射率量測圖案單元23之位置，如第9圖中所示。

【0130】

各偵測感測器(51及53)可包含光發射器51與光接收器53之一配對。在一實施例中，光發射器51照射設定量之光到相對應的透射率量測圖案單元23，以及光接收器53接收從光發射器51所照射之光。

【0131】

如第8圖與第9圖中所示，缺陷感測器(51及53)可為透射式光學感測器。不像光發射器與光接收器於其中位於相同方向之反射式光學感測器，透射式光學感測器包含具有要感測之物體在其之間而面對彼此之光發射器與光接收器。於是，光發射器51可位於基板10下，而光接收器53可位於基板10上。光發射器51與光接收器53可安置為面對彼此以致從光發射器51所發射之光能被光接收器53接收。然而，其僅為實施例且光發射器51與光接收器53之位置能改變。舉例來說，光接收器51能位於基板10上，而光接收器能位於基板10下。

【0132】

在透射式光感測器中，光發射器51發射光到物體，而光接收器53接收穿過物體而透射之光。此處，被光接收器53所接收之光量被量測以感測物體之透射率。在本發明之實施例中，從光發射器所發射之光L透過基板10與相對應之透射率量測圖案23之一，以被光接收器53接收。被光接收器53所接收之光量可被量測以獲得用於缺陷偵測之透射率量測值。

【0133】

從光發射器51往相對應之透射率量測圖案單元23之一發射之光L可垂直於(normal)或垂直於(perpendicular)基板10。然而，本發明並不受限於此，舉例來說，光L也可以一角度發射於基板10。

【0134】

在本發明之實施例中，如果使用光發射器51與光接收器53所獲得之透射率量測值少於設定值或於設定異常範圍中，其可被決定為缺陷已發生於顯示基板中。在此類實施例中，缺陷之發生可藉由輸出警告訊號而視覺地或聽覺地傳達給工作者，舉例來說，藉由響起警鈴訊號或亮起警示燈。因此，工作者可得知警告訊號而採取後續措施，舉例來說，藉由從正常製程線移除有缺陷的基板10。更多細節能於第3圖中找到。

【0135】

上述透射率量測製程可直接地(例如，立即地)於沉積用於形成導電層223(見第7圖)之材料M2後執行於沉積腔室中，如第9圖中所示。在一實施例中，使用於沉積材料M2(見第7圖)之遮罩40包含於分別地對應於透射率量測圖案單元23之位置之開口41。於是，於透射率量測製程時從光發射器51所發射之光L可通過遮罩40之相對應開口41之一並接著透射過透射率量測圖案單元23之相對應之一與基板10以被光接收器53.接收。此方法中，透射率量測值能獲得。

【0136】

如果透射率直接地(例如，立即地)於沉積如第9圖中所示之導電材料M2之製程後被量測於沉積腔室中的話，歸咎於導電材料M2之沉積之缺陷之發生能快速地被偵測到。此外，光發射器51與光接收器53能在沉積製程前用作偵測基板10之存在之感測器。因為光發射器51與光接收器53也能用作偵測基板10之存在之感測器，製造設備能進一步簡化。更進一步，在一些實施例中，因為額外設備因簡化的製造設備而不被需要，沉積腔室中之更多空間能被使用，製造設備成本能被降低，以及/或沉積腔室之尺寸能被減少。

【0137】

在一些實施例中，上述透射量測製程也可在用於形成導電層223之導電材料M2之沉積製程後基板被運輸時執行。舉例來說，透射量測製程可於形成導電層223之導電材料M2之沉積製程後執行於緩衝腔室中或叢集腔室中。也就是說，透射量測製程執行的位置並不特定地受限。

【0138】

第11圖為根據本發明之另一實施例之有機發光二極體單元21之平面圖。第12圖係為根據第11圖之包含於有機發光二極體單元21中之像素之剖面圖。

【0139】

請參閱第11圖與第12圖，根據本發明之另一實施例之顯示基板之有機發光二極體單元21包含透射外在光之透射區TA與藉由插入於其間之透射區TA而彼此分離之像素區PA。

【0140】

請參閱第11圖，像素電路單元PC可位於各像素區PA中，且包含掃描線S、資料線D與數位電源(Vdd)線V之複數個導線可電性耦接於像素電路單元PC。在一些實施例中，除了掃描線S、資料線D與數位電源線V(也就是說，驅動電源)外之各種導線可進一步取決於像素電路單元PC之配置而被提供。

【0141】

如第11圖中所示，像素電路單元PC可包含連接於掃描線S與資料線D之第一薄膜電晶體T1、連接於第一薄膜電晶體T1與數位電源線V之第二薄膜電晶體T2以及連接於第一薄膜電晶體T1與第二薄膜電晶體T2之電容Cst。此處，第一薄膜電極體T1可作為開關電晶體，而第二薄膜電晶體T2可作為驅動電晶體。第二薄膜電晶體T2可電性耦接於第一電極221。在第11圖中，第一薄膜電晶體T1與第二薄膜電晶體T2為P型。然而，本發明之實施例並不受限於此，舉例來說，至少第一薄膜電晶體T1與第二薄膜電晶體T2之一可為N型。薄膜電晶體之數量與電容之數量不受限於第11圖之實施例中所顯示的這些。二或多個薄膜電晶體或一或多個電容之組合也可取決於像素電路單元PC之配置而被提供。

【0142】

於第11圖中，掃描線S重疊第一電極221。然而，本發明之實施例不受限於此，舉例來說，包含掃描線S、資料線D與數位電源線V之導線之至少之一可重疊於第一電極221。在一些實施例中，包含掃描線S、資料線D與數位電源線V之所有導線可重疊於第一電極221或可安置於第一電極221旁。也就是說，第一電極221與包含掃描線S、資料線D與數位電源線V之導線間之位置關係不特定地受限。

【0143】

根據一些實施例，像素區PA與透射區TA彼此分離。於是，在此類實施例中，當外在影像透過透射區TA而被觀看時，由於所散射之外在光而造成之外在影像之變形能被避免或降低。

【0144】

像素區PA與透射區TA可形成使得透射區TA之面積對像素區PA與透射區TA之整體面積之比例於5至90%之範圍中。

【0145】

當透射區TA之面積對像素區PA與透射區TA之整體面積之比例少於5%時，僅有少量光能通過有機發光二極體單元21。因此，對於使用者來說看見置於相對側之物體或影像可為困難的。也就是說，有機發光二極體單元21無法被使用者辨識為透明的。然而，當透射區TA之面積對像素區PA與透射區TA之整體面積之比例大約為5%時，如果實質外在光之強度是強的，使用者可透過顯示器完整地認出相對側之物體或影像。因此，使用者可認出顯示器為透明顯示器。更進一步，如果包含於像素電路單元PC中之薄膜電晶體形成為例如氧化物半導體之透明薄膜電晶體，且如果有機發光二極體EL形成為透明裝置的話，透明顯示器之辨識層級可提升。

【0146】

當透射區TA之面積對像素區PA與透射區TA之整體面積之比例大於90%時，有機發光二極體單元21之每英吋像素量(pixels per inch, PPI)可明顯地降低以致透過像素區PA中之光發射實現穩定影像為困難的。也就是說，當像素區之面積降低時，從有機層220所發出之光之亮度應提升以便提供影像。然而，如果有機發光二極體EL運作於高亮度狀態，其生命週期可能會降低。

【0147】

在這方面來說，透射區TA之面積對像素區PA與透射區TA之整體面積之比例可於20至70%之範圍中。

【0148】

在低於20%之範圍中，像素區PA之面積相較於透射區TA之面積為過大的。於是，使用者可能具有透過透射區TA觀看外在影像之限制。在高於70%之範圍中，有諸多限制於設置於各像素區PA中之像素電路單元PC之設計上。

【0149】

電性耦接於像素電路單元PC之第一電極221可提供於各像素區PA，且像素電路單元PC可被第一電極221重疊以致其被第一電極221隱藏。此外，至少一包含掃描線S、資料線D與數位電源線V之導線可通過第一電極221。因為導線相較於像素電路單元PC並不明顯地劣化透射率，故所有導線可取決於設計條件而設置鄰近第一電極221。

【0150】

如以上所述，如果第一電極221形成為包含反射層之反射電極，其可隱藏像素電路單元PC並避免或降低由於各像素區PA中之像素電路單元PC所造成之外在影像之變形。

【0151】

在實施例中，且此處第一電極221形成為反射電極，從像素所發射之光僅往觀看者前進。於是，遠離觀看者之方向中之損失的光量能降低。此外，因為在一些實施例中第一電極221隱藏設置於其下之像素電路單元PC之各種圖案，觀看者能看到更清楚的透射影像。

【0152】

請參閱第12圖，像素區PA與透射區TA可位於第一區域R1中。

【0153】

在此實施例中，因為沉積協助層224位於第一區域R1中，其覆蓋像素區PA與透射區TA兩者。此外，導電層223可設置於第一區域R1外之第二區域R2中。

【0154】

導電層223之厚度t5可大於第二電極222之厚度t6，如以上參閱第3圖所述。

【0155】

因為沉積協助層224以如以上參閱第3圖所述的透明有機材料形成，其可不影響透射區TA中之光透射率。關於形成沉積協助層224與導電層223之材料與形成積協助層224與導電層223之方法之細節已參閱第3圖被描述。

【0156】

緩衝層211、閘極絕緣層213、層間絕緣薄膜215、第一絕緣層218以及第二絕緣層219可由透明絕緣層形成。此處，基板10可具有低於或等於以上絕緣層之總透射率之透射率。

【0157】

在一實施例中，透射窗口可藉由移除部份第二電極222而形成於透射區TA中，藉此進一步提升光透射率於透射區TA中。此處，透射窗口可不僅藉由移除第二電極222，還可藉由進一步移除至少第二絕緣層219、第一絕緣層218、層間絕緣薄膜215、閘極絕緣層213與緩衝層211之一而形成。

【0158】

導電層薄膜223’可於形成導電層223之製程中進一步形成於沉積協助層224上。導電層薄膜223’之厚度t7可小於導電層223之厚度t5，如以上參閱第3圖所述。

【0159】

透射率量測圖案單元23可形成於基板10之非主動區E(見第1圖)之區域E1上。透射率量測圖案單元23可包含形成於基板10上之沉積協助層圖案234且可進一步包含形成於沉積協助層圖案234上之導電層圖案233。導電層薄膜223’之厚度t7能從導電層圖案233之厚度t8估計。於是，顯示基板之透射缺陷能基於透射率量測圖案單元23之量測透射值而被偵測，如以上參閱第3圖所示。

【0160】

在一實施例中，透射率量測圖案單元23進一步包含緩衝層圖案、閘極絕緣層圖案、層間絕緣薄膜圖案、第一絕緣層圖案、第二絕緣層圖案與第二電極圖案於沉積協助層圖案234與基板10間。也就是說，透射率量測圖案單元23可具有與第12圖之透射區TA之P部分相同堆疊結構，或者是任意上述圖案之一能被省略。

【0161】

第13圖說明第11圖與第12圖所示之有機發光二極體單元21之另一個實施例。

【0162】

第13圖之實施例包含一像素包含紅色、綠色及藍色子像素以發出白光之實施例。第13圖之實施例也包含白光藉由具有紅色、綠色與藍色外之顏色之子像素而發出之實施例。

【0163】

在此結構中，一透射率區域TA可對三個子像素之第一電極221a至221c之各群組形成。在一實施例中，第一到第三資料線D1至D3分別地電性耦接於子像素之第一電極221a至221c。此外，第一數位電源線V1可電性耦接於第一與第二個第一電極221a及221b，而第二數位電源線V2可電性耦接於第三個第一電極221c。

【0164】

在此結構中，因為一大透射區TA對複數個子像素形成，整個顯示器之透射率可進一步提升，且由於所散射之光造成之影像變形可進一步降低。

【0165】

在一實施例中，一大透射窗口可藉由移除至少部分第二電極而形成於透射區TA中。此處，透射窗口可不僅藉由移除第二電極而還可藉由進一步移除至少第二絕緣層、第一絕緣層、層間絕緣薄膜、閘極絕緣層與緩衝層之一而形成。

【0166】

本發明之實施例之態樣導向於其中由於導電層之形成而造成於第二電極中之電壓下降能被避免或降低之顯示基板。

【0167】

本發明之實施例之態樣導向顯示基板與製造其之方法，其中於形成導電層之製程時有機層以及/或第二電極能避免受損(或對於有機層以及/或第二電極之損傷能降低)，且導電層能藉由更簡單之製程而形成，其反過來提升了製程效率。

【0168】

本發明之實施例之態樣導向顯示基板與製造其之方法，其中從可於形成導電層之製程時發生之沉積缺陷導致之缺陷能更輕易且快速地被偵測。

【0169】

然而，本發明之實施例之態樣不限於特定地說明於文中之此類實施例，如對本發明相關之領域中具有通常知識者將為更顯而易見的。

【0170】

雖然本發明已結合特定實施例被描述，其要被了解的是本發明並不受限於所揭露之實施例，而是相反地，意於涵蓋包含於所附本發明申請專利範圍之精神與範疇以及其之均等物中之各種修改與等效物。其將被此領域中具有通常知識者了解的是形式與細節中之各種改變可不偏離本發明之精神與範疇而被實施且實施例應僅被考慮為描述性的意思而非用作限制之理由。