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CN120813185A - 光电子器件 - Google Patents

光电子器件

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Publication number
CN120813185A
CN120813185A CN202511024667.XA CN202511024667A CN120813185A CN 120813185 A CN120813185 A CN 120813185A CN 202511024667 A CN202511024667 A CN 202511024667A CN 120813185 A CN120813185 A CN 120813185A
Authority
CN
China
Prior art keywords
cpl
limiting examples
wavelength
optoelectronic device
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202511024667.XA
Other languages
English (en)
Inventor
M·海兰德
Z·王
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oti Lighting Co
Original Assignee
Oti Lighting Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oti Lighting Co filed Critical Oti Lighting Co
Publication of CN120813185A publication Critical patent/CN120813185A/zh
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

提供了一种具有多个层的光电子器件，光电子器件包括：第一覆盖层(CPL)，第一CPL包括第一CPL材料并且设置在第一发射区域中，第一发射区域被配置为穿过第一CPL发射具有由第一起始波长表征的第一波长谱的光；和第二CPL，第二CPL包括第二CPL材料并且设置在第二发射区域中，第二发射区域被配置为穿过第二CPL发射具有由第二起始波长表征的第二波长谱的光，第二起始波长不同于第一起始波长；其中：第一CPL和第二CPL中的至少一者是用于图案化导电涂层的成核抑制涂层(NIC)，第一CPL和第二CPL中的至少一者的暴露层表面基本上没有导电涂层的封闭膜，并且第一CPL的第一厚度不同于第二CPL的第二厚度。

Description

光电子器件
交叉引用
本申请为于2022年8月18日进入中国国家阶段的、申请号为202080097002.0的中国专利申请的分案申请，该中国专利申请为2020年12月24日递交的申请号为PCT/IB2020/062423的国际申请进中国国家阶段的专利申请，该国际申请要求于2019年12月24日提交的美国临时专利申请号62/953,442的优先权。上述所有专利申请通过援引以其全文并入本文。
技术领域
本公开涉及光电子器件，并且具体地涉及具有多个发射区域的光电子装置，每个发射区域包括由半导体层隔开的第一电极和第二电极并且具有覆盖层，所述覆盖层具有调谐到由发射区域产生的发射光谱波长范围的光学特性。
背景技术
在如有机发光二极管(OLED)的光电子装置中，至少一个半导电层安置在如阳极和阴极等一对电极之间。阳极和阴极电耦接到电源并分别产生空穴和电子，所述空穴和电子通过至少一个半导电层朝向彼此迁移。当一对空穴和电子组合时，可以发射光子。
OLED显示面板可以包括多个(子)像素，每个像素具有相关联的电极对。此类面板的各种层和涂层通常通过基于真空的沉积技术形成。
在一些应用中，可能令人期望的是，在OLED制造工艺期间，通过选择性沉积导电涂层以形成装置特征，如但不限于电极和/或与电极电耦接的导电元件，为面板的每个(子)像素跨其横向方面和横截面方面中的一个或两个按图案提供导电涂层和/或电极涂层。
在一些非限制性应用中，这样做的一种方法涉及在电极材料和/或与电极材料电耦接的导电元件的沉积期间插入精细金属掩模(FMM)。然而，通常用作电极的材料具有相对较高的蒸发温度，这会影响重新使用FMM的能力和/或可以实现的图案精度，同时伴随着成本、工作量和复杂性的增加。
在一些非限制性实例中，这样做的一种方法涉及沉积电极材料，以及由此包含通过激光钻孔工艺去除其不需要的区域以形成图案。然而，去除过程通常涉及碎片的产生和/或存在，这可能影响制造工艺的产率。
进一步地，此类方法可能不适用于一些应用和/或一些具有某些地形特征的装置。
在一些应用中，可能期望提供具有多个发射区域的光电子装置件，每个发射区域具有调谐到由此发射的波长光谱的光学特性。
发明内容
本发明提供了一种光电子器件。提供了一种具有多个层的光电子器件，所述光电子器件包括：第一覆盖层(CPL)，所述第一CPL包括第一CPL材料并且设置在第一发射区域中，所述第一发射区域被配置为穿过所述第一CPL发射具有由第一起始波长表征的第一波长谱的光；和第二CPL，所述第二CPL包括第二CPL材料并且设置在第二发射区域中，所述第二发射区域被配置为穿过所述第二CPL发射具有由第二起始波长表征的第二波长谱的光，所述第二起始波长不同于所述第一起始波长；其中：所述第一CPL和所述第二CPL中的至少一者是用于图案化导电涂层的成核抑制涂层(NIC)，所述第一CPL和所述第二CPL中的至少一者的暴露层表面基本上没有所述导电涂层的封闭膜，并且所述第一CPL的第一厚度不同于所述第二CPL的第二厚度。
还提供了一种光电子器件，所述光电子器件在其横向方面具有沉积在衬底上的多个层，所述光电子器件包括：第一发射区域和第二发射区域，所述第一发射区域和所述第二发射区域各自包括第一电极、第二电极和至少一个有机层，所述第一电极设置在所述衬底与所述至少一个有机层之间，所述至少一个有机层设置在所述第一电极与所述第二电极之间，第一覆盖层(CPL)，所述第一CPL包括第一CPL材料并且设置在所述第一发射区域中，其中所述第一发射区域被配置为穿过所述第一CPL发射具有由第一起始波长表征的第一波长谱的光；和第二CPL，所述第二CPL包括第二CPL材料并且设置在所述第二发射区域中，其中所述第二发射区域被配置为穿过所述第二CPL发射具有由第二起始波长表征的第二波长谱的光，所述第二起始波长不同于所述第一起始波长；其中：所述第一CPL和所述第一CPL材料中的至少一者在比所述第一起始波长短的第一吸收边波长处表现出第一吸收边；所述第二CPL和所述第二CPL材料中的至少一者在比所述第二起始波长短的第二吸收边波长处表现出第二吸收边；并且所述第一发射区域中的所述第二电极的第一电极厚度不同于所述第二发射区域中的所述第二电极的第二电极厚度。
附图说明
现在将参考以下附图描述本公开的实例，其中不同附图中的相同附图标记指示相同元件和/或在一些非限制性实例中指示类似和/或对应的元件，并且在附图中：
图1是根据本公开中的实例的示例电致发光装置的横截面方面的框图；
图2是图1的装置的衬底的示例背板层的横截面视图，所述横截面视图示出了其中体现的薄膜晶体管(TFT)；
图3是例如可以由图2的背板层中所示出的TFT中的一个或多个TFT提供的示例电路的电路图；
图4是图1的装置的横截面视图；
图5是图1的装置的示例版本的横截面视图，所述横截面视图示出了支持所述装置的至少一个第二电极的沉积的至少一个示例像素限定层(PDL)；
图6是展示了根据本公开中的实例的吸附到表面上的吸附原子的相对能量状态的示例能量分布图；
图7是示出了根据本公开中的实例的用于在图1的装置的示例版本中在底层材料的暴露层表面上按图案沉积选择性涂层的示例工艺的示意图；
图8是示出了用于在暴露层表面上按第一图案沉积导电涂层的示例工艺的示意图，所述暴露层表面包括图7的选择性涂层的沉积图案，其中所述选择性涂层是成核抑制涂层(NIC)；
图9A-D是示出了根据本公开中的实例的适用于图7的工艺的示例开放式掩模的示意图，所述开放式掩模在其中具有孔；
图10A是根据本公开中的实例的具有另外的示例沉积步骤的图1的装置的示例版本；
图10B是图10A的装置的示例版本，其中第一部分包含不连续涂层；
图10C是图10B的装置的第一部分的平面视图；
图10D是图10A的装置的示例版本，进一步包括第三部分；
图10E是图10D的装置的一部分的平面视图；
图11A是示出了用于在暴露层表面上按图案沉积作为成核促进涂层(NPC)的选择性涂层的示例工艺的示意图，所述暴露层表面包括图9的选择性涂层的沉积图案；
图11B是示出了用于在暴露层表面上按图案沉积导电涂层的示例工艺的示意图，所述暴露层表面包括图11A的NPC的沉积图案；
图12A是示出了根据本公开中的实例的用于在图1的装置的示例版本中在底层材料的暴露层表面上按图案沉积NPC的示例工艺的示意图；
图12B是示出了在暴露层表面上按图案沉积NIC的示例工艺的示意图，所述暴露层表面包括图12A的NPC的沉积图案；
图12C是示出了用于在暴露层表面上按图案沉积导电涂层的示例工艺的示意图，所述暴露层表面包括图12B的NIC的沉积图案；
图13A-13C是示出了根据本公开中的实例的用于在图1的装置的示例版本中在暴露层表面上按图案沉积选择性涂层的示例打印工艺的示例阶段的示意图；
图14是以平面视图展示了根据本公开中的实例的适用于图1的装置的版本的示例图案化电极的示意图；
图15是展示了图14的装置的沿线15-15截取的示例横截面视图的示意图；
图16A是以平面视图展示了根据本公开中的实例的适用于图1的装置的示例版本的电极的多个示例图案的示意图；
图16B是展示了图16A的装置的沿线16B-16B截取的在中间阶段的示例横截面视图的示意图；
图16C是展示了图16A的装置的沿线16C-16C截取的示例横截面视图的示意图；
图17是展示了根据本公开中的实例的具有示例图案化辅助电极的图1的装置的示例版本的横截面视图的示意图；
图18A是以平面视图展示了根据本公开中的实例的图1的装置的示例版本中发射区域和/或非发射区域的示例布置的示意图；
图18B-18D是各自展示了图18A的一部分的区段的示意图，其示出了根据本公开中的实例的覆盖非发射区域的示例辅助电极；
图19是以平面视图展示了根据本公开中的实例的覆盖至少一个发射区域和至少一个非发射区域的辅助电极的示例图案的示意图；
图20A是以平面视图展示了根据本公开中的实例的具有多组以菱形配置的发射区域的图1的装置的示例版本的示例图案的示意图；
图20B是展示了图20A的装置的沿线20B-20B截取的示例横截面视图的示意图；
图20C是展示了图20A的装置的沿线20C-20C截取的示例横截面视图的示意图；
图21是展示了根据本公开中的实例的具有另外的示例沉积步骤的图4的装置的示例版本的示例横截面视图的示意图；
图22是展示了根据本公开中的实例的具有另外的示例沉积步骤的图4的装置的示例版本的示例横截面视图的示意图；
图23是展示了根据本公开中的实例的具有另外的示例沉积步骤的图4的装置的示例版本的示例横截面视图的示意图；
图24是展示了根据本公开中的实例的具有另外的示例沉积步骤的图4的装置的示例版本的示例横截面视图的示意图；
图25A-25C是示出了根据本公开中的实例的用于通过选择性沉积和后续去除工艺在图1的装置的示例版本的暴露层表面上按图案沉积导电涂层的示例工艺的示例阶段的示意图；
图26A是以平面视图展示了根据本公开中的实例的图1的装置的透明版本的实例的示意图，所述透明版本包括至少一个示例像素区域和至少一个示例透光区域，以及至少一个辅助电极；
图26B是展示了图26A的装置的沿线26B-26B截取的示例横截面视图的示意图；
图27A是以平面视图展示了根据本公开中的实例的图1的装置的透明版本的实例的示意图，所述透明版本包括至少一个示例像素区域和至少一个示例透光区域；
图27B是展示了图27A的装置的沿线27B-27B截取的示例横截面视图的示意图；
图27C是展示了图27A的装置的沿线27B-27B截取的另一个示例横截面视图的示意图；
图28A-28D是示出了根据本公开中的实例的用于制造图1的装置的示例版本以提供两个发射区域的示例工艺的示例阶段的示意图，每个发射区域具有不同厚度的第二电极；
图29A-29D是示出了根据本公开中的实例的用于制造具有子像素区域的图1的装置的示例版本的示例工艺的示例阶段的示意图，所述子像素区域具有不同厚度的第二电极；
图30是展示了根据本公开中的实例的图1的装置的示例版本的示例横截面视图的示意图，其中第二电极耦接到辅助电极；
图31A-31I是示出了根据本公开中的各个实例的在图1的装置的示例版本中在具有导电涂层的沉积界面处NIC的各种潜在行为的示意图；
图32是以定性形式展示了根据本公开中的各个实例的一对示例发射区域的示例发射光谱与覆盖在发射区域上的相应覆盖层的示例折射率的曲线之间的关系的示意图；
图33是以定性形式展示了根据本公开中的各个实例的图32的示例折射率的曲线与图32的相应覆盖层的示例消光系数的相应曲线之间的关系的示意图；
图34是以定性形式展示了根据本公开中的各个实例的图32的示例发射光谱与图33的示例消光系数的相应曲线之间的关系的示意图；
图35是展示了根据本公开中的实例的在NIC和/或导电涂层下面的金属涂层的示意图；
图36A-36B是示出用于在图28A-28B的步骤之后制造图1的装置的示例版本的示例工艺的示例阶段的示意图；
图37A-37E是示出了根据本公开中的实例的用于制造图1的装置的示例版本以提供三个发射区域的示例工艺的示例阶段的示意图，每个发射区域具有不同厚度的第二电极；
图38A-38F是示出了根据本公开中的实例的用于制造具有子像素区域的图1的装置的示例版本的示例工艺的示例阶段的示意图，所述子像素区域具有不同厚度的第二电极；
图39A-39C是示出了根据本公开中的实例的图1的装置的示例版本的示意图；以及
图40是展示了根据本公开中的实例的膜核形成的示意图。
在本公开中，出于解释而非限制的目的，阐述了具体细节以提供对本公开的透彻理解，包含但不限于特定架构、接口和/或技术。在一些情况下，省略对众所周知的系统、技术、组件、装置、电路、方法和应用的详细描述，以免用不必要的细节混淆本公开的描述。
进一步地，应当理解，本文再现的框图可以表示体现本发明技术原理的说明性组件的概念视图。
因此，在适当的情况下，系统和方法组件已经由附图中的常规符号表示，仅示出了与理解本公开的实例相关的那些具体细节，以免因对受益于本文的描述的本领域普通技术人员显而易见的细节而模糊本公开。
本文提供的任何附图可能未按比例绘制并且不可以被认为以任何方式限制本公开。
在一些实例中，以虚线轮廓示出的任何特征或动作可以被视为任选的。
发明内容
本公开的目的是消除或减轻现有技术的至少一个缺点。
本公开公开了一种具有多个层的光电子装置。第一覆盖层(CPL)包括第一CPL材料并安置在第一发射区域中。第二CPL包括第二CPL材料并安置在第二发射区域中。第一发射区域被配置成发射具有以第一起始波长为特征的第一波长光谱的光子。第二发射区域被配置成发射具有以第二起始波长为特征的第二波长光谱的光子。所述第一CPL和所述第一CPL材料(统称为CPL(m)1)中的至少一个在短于所述第一起始波长的第一吸收边缘波长处展现出第一吸收边缘。所述第二CPL和所述第二CPL材料(统称为CPL(m)2)中的至少一个在短于所述第二起始波长的第二吸收边缘波长处展现出第二吸收边缘。
根据本公开的广泛方面，公开了一种具有多个层的光电子装置，所述光电子装置包括：第一覆盖层(CPL)，所述第一CPL包括第一CPL材料并且安置在第一发射区域中，所述第一发射区域被配置成发射具有以第一起始波长为特征的第一波长光谱的光子；以及第二CPL，所述第二CPL包括第二CPL材料并且安置在第二发射区域中，所述第二发射区域被配置成发射具有以第二起始波长为特征的第二波长光谱的光子，其中：所述第一CPL和所述第一CPL材料(CPL(m)1)中的至少一个在短于所述第一起始波长的第一吸收边缘波长处展现出第一吸收边缘；并且所述第二CPL和所述第二CPL材料(CPL(m)2)中的至少一个在短于所述第二起始波长的第二吸收边缘波长处展现出第二吸收边缘。
在一些非限制性实例中，所述第一起始波长可以短于所述第二起始波长。在一些非限制性实例中，所述第一吸收边缘波长短于所述第二吸收边缘波长。
在一些非限制性实例中，所述第一吸收边缘可以以第一消光波长为特征，在所述第一消光波长处，所述CPL(m)1的消光系数k等于阈值，并且所述第二吸收边缘可以以第二消光波长为特征，在所述第二消光波长处，所述CPL(m)2的消光系数等于所述阈值。
在一些非限制性实例中，所述第一起始波长可以比所述第一吸收边缘波长长小于以下中的至少一者：约50nm、约40nm、约35nm、约30nm、约25nm、约20nm、约15nm、约10nm、约5nm和约3nm。在一些非限制性实例中，所述第一消光波长可以是所述CPL(m)1的所述消光系数等于所述阈值的至少一个波长中的最长波长。在一些非限制性实例中，作为波长函数的所述CPL(m)的所述消光系数的一阶导数在所述第一消光波长处可以为负。在一些非限制性实例中，所述CPL(m)1在长于所述第一消光波长的波长处的所述消光系数可以小于所述阈值。在一些非限制性实例中，所述CPL(m)1在长于所述第一消光波长的所有波长处的所述消光系数可以小于所述阈值。在一些非限制性实例中，所述CPL(m)1在长于所述第一起始波长的任何波长处的所述消光系数可以小于以下中的至少一者：约0.1、约0.09、约0.08、约0.06、约0.05、约0.03、约0.01、约0.005和约0.0001。在一些非限制性实例中，所述CPL(m)1在短于所述第一吸收边缘波长的波长处的所述消光系数可以超过以下中的至少一者：约0.1、约0.12、约0.13、约0.15、约0.18、约0.2、约0.25、约0.3、约0.5、约0.7、约0.75、约0.8、约0.9和约1.0。
在一些非限制性实例中，所述CPL(m)1对长于所述第一吸收边缘波长的至少一个波长的折射率可以超过所述CPL(m)1对短于所述第一吸收波长的至少一个波长的折射率。在一些非限制性实例中，所述CPL(m)在所述第一波长光谱中的至少一个波长中的折射率可以超过以下中的至少一者：约1.8、约1.9、约1.95、约2、约2.05、约2.1、约2.2、约2.3和约2.5。
在一些非限制性实例中，所述第二起始波长可以比所述第二吸收边缘波长长小于以下中的至少一者：约200nm、约150nm、约130nm、约100nm、约80nm、约70nm、约60nm、约50nm、约40nm、约35nm、约25nm、约20nm、约15nm和约10n。在一些非限制性实例中，所述第二消光波长可以是所述CPL(m)2的所述消光系数等于所述阈值的至少一个波长中的最长波长。在一些非限制性实例中，作为波长函数的所述CPL(m)2的所述消光系数的一阶导数在所述第二消光波长处可以为负。在一些非限制性实例中，所述CPL(m)2在长于所述第二消光波长的波长处的所述消光系数可以小于所述阈值。在一些非限制性实例中，所述CPL(m)2在长于所述第二消光波长的所有波长处的所述消光系数可以小于所述阈值。在一些非限制性实例中，所述CPL(m)2在长于所述第二起始波长的任何波长处的所述消光系数可以小于以下中的至少一者：约0.1、约0.09、约0.08、约0.06、约0.05、约0.03、约0.01、约0.005和约0.0001。在一些非限制性实例中，所述CPL(m)2在短于所述第二吸收边缘波长的波长处的所述消光系数可以超过以下中的至少一者：约0.1、约0.12、约0.13、约0.15、约0.18、约0.2、约0.25、约0.3、约0.5、约0.7、约0.75、约0.8、约0.9和约1.0。
在一些非限制性实例中，所述CPL(m)2对长于所述第二吸收边缘波长的至少一个波长的折射率可以超过所述CPL(m)2对短于所述第二吸收边缘波长的至少一个波长的折射率。在一些非限制性实例中，所述CPL(m)2在所述第二波长光谱中的至少一个波长中的折射率可以超过以下中的至少一者：约1.8、约1.9、约1.95、约2、约2.05、约2.1、约2.2、约2.3和约2.5。
在一些非限制性实例中，所述CPL(m)1的所述消光系数在所述第二起始波长处可以小于所述阈值。在一些非限制性实例中，所述CPL(m)1的所述消光系数在所述第二波长光谱中的所有波长处均可以小于所述阈值。在一些非限制性实例中，所述CPL(m)1在所述第二波长光谱中的任何波长处的所述消光系数可以小于以下中的至少一者：约0.1、约0.09、约0.08、约0.05、约0.05、约0.03、约0.01、约0.005和约0.001。
在一些非限制性实例中，所述CPL(m)1对所述第一波长光谱中的至少一个波长的折射率可以超过所述CPL(m)1对所述第二波长光谱中的至少一个波长的所述折射率。在一些非限制性实例中，所述CPL(m)2对所述第二波长光谱中的至少一个波长的折射率可以超过所述CPL(m)2对所述第一波长光谱中的至少一个波长的所述折射率。在一些非限制性实例中，所述CPL(m)1对所述第二波长光谱的至少一个波长的折射率可以小于以下中的至少一者：约1.8、约1.7、约1.65、约1.6、约1.5、约1.45、约1.4和约1.3。在一些非限制性实例中，所述CPL(m)2在所述第一波长光谱的至少一个波长中的折射率可以小于以下中的至少一者：约1.8、约1.7、约1.65、约1.6、约1.5、约1.45、约1.4和约1.3。
在一些非限制性实例中，所述CPL(m)2的所述消光系数可以超过所述CPL(m)1对所述第一波长光谱中的至少一个波长的所述消光系数。在一些非限制性实例中，所述CPL(m)2的所述消光系数可以超过所述CPL(m)1对所述第一波长光谱中的每个波长的所述消光系数。
在一些非限制性实例中，所述阈值可以为以下中的至少一者：0.1、0.09、0.08、0.06、0.05、0.03、0.01、0.005和0.001。
在一些非限制性实例中，所述第一发射区域和所述第二发射区域在横向方面可以占据所述装置的不同区域。
在一些非限制性实例中，所述第一波长光谱和所述第二波长光谱位于可见光谱中。在一些非限制性实例中，所述第一波长光谱可以具有第一峰值波长，并且所述第二波长光谱可以具有长于所述第一峰值波长的第二峰值波长。
在一些非限制性实例中，所述第一起始波长可以是至少一个波长中的最短波长，在所述波长处，所述第一波长光谱的强度可以是所述第一峰值波长处的强度的以下中的至少一者：约20％、约15％、约10％、约5％、约3％、约1％和约0.01％。在一些非限制性实例中，所述第二起始波长可以是至少一个波长中的最短波长，在所述波长处，所述第二波长光谱的强度可以是所述第二峰值波长处的强度的以下中的至少一者：约20％、约15％、约10％、约5％、约3％、约1％和约0.01％。
在一些非限制性实例中，所述第一波长光谱可以对应于为B(lue)和G(reen)中的至少一个的颜色。在一些非限制性实例中，所述第二波长光谱可以对应于为R(ed)和G(reen)中的至少一个的颜色。在一些非限制性实例中，所述第一波长光谱可以对应于为B(lue)的颜色，并且所述第二波长光谱可以对应于为G(reen)和R(ed)中的至少一个的颜色。在一些非限制性实例中，所述第一波长光谱可以对应于为G(reen)的颜色，并且所述第二波长光谱可以对应于为R(ed)的颜色。
在一些非限制性实例中，所述第一CPL材料可以具有与所述第二CPL材料不同的组成。
在一些非限制性实例中，所述第一CPL的厚度可以与所述第二CPL的厚度相同。在一些非限制性实例中，所述第一CPL的厚度可以与所述第二CPL的厚度不同。
在一些非限制性实例中，所述第一CPL的厚度可以在介于约5到约120nm之间的范围内。在一些非限制性实例中，所述第一CPL的厚度可以超过以下中的至少一者：约10nm、约15nm、约20nm、约25nm、约30nm和约40nm。在一些非限制性实例中，所述第一CPL的厚度可以小于以下中的至少一者：约100nm、约90nm、约80nm和约70nm。
在一些非限制性实例中，所述第二CPL的厚度可以在介于约5nm到约120nm之间的范围内。在一些非限制性实例中，所述第二CPL的厚度可以超过以下中的至少一者：约10nm、约15nm、约20nm、约25nm、约30nm和约40n。在一些非限制性实例中，所述第二CPL的厚度可以小于约100nm、约90nm、约80nm和约70nm。
在一些非限制性实例中，所述装置可以进一步包括所述第一发射区域和所述第二发射区域中的至少一个电极涂层。在一些非限制性实例中，所述第一CPL可以安置在所述至少一个电极涂层的暴露层表面上。在一些非限制性实例中，所述第二CPL可以安置在所述至少一个电极涂层的暴露层表面上。在一些非限制性实例中，所述至少一个电极涂层在所述第一发射区域中可以具有第一电极厚度。在一些非限制性实例中，所述至少一个电极涂层在所述第二发射区域中可以具有第二电极厚度。
在一些非限制性实例中，所述第一电极厚度可以小于所述第二电极厚度。在一些非限制性实例中，所述第一电极厚度除以所述第二电极厚度的商可以小于以下中的至少一者：约0.9、约0.8、约0.7、约0.6、约0.5、约0.4、约0.3和约0.2。在一些非限制性实例中，所述第一电极厚度可以在以下中的至少一者的范围内：约5nm到约100nm、约5nm到约50nm、约5nm到约25nm、约5nm到约20nm、约5nm到约15nm、约8nm到约15nm、约8nm到约12nm和约8nm到约10nm。在一些非限制性实例中，所述第二电极厚度可以在以下中的至少一者的范围内：约10nm到约60nm、约10nm到约50nm、约15nm到约40nm、约15nm到约35nm和约20nm到约35nm。
在一些非限制性实例中，所述第二电极厚度可以小于所述第一电极厚度。在一些非限制性实例中，所述第二电极厚度除以所述第一电极厚度的商可以小于以下中的至少一者：约0.9、约0.8、约0.7、约0.6、约0.5、约0.4、约0.3和约0.2。在一些非限制性实例中，所述第一电极厚度可以在以下中的至少一者的范围内：约10nm到约60nm、约10nm到约50nm、约15nm到约40nm、约15nm到约35nm和约20nm到约35nm。在一些非限制性实例中，所述第二电极厚度可以在以下中的至少一者的范围内：约t nm到约100nm、约5nm到约50nm、约5nm到约25nm、约5nm到约20nm、约5nm到约15nm、约8nm到约15nm、约8nm到约12nm和约8nm到约10nm。
在一些非限制性实例中，所述至少一个电极涂层可以包括金属涂层和安置在所述金属涂层的暴露层表面上的导电涂层。在一些非限制性实例中，所述导电涂层可以在所述第二发射区域中的所述金属涂层与所述第二CPL之间延伸。在一些非限制性实例中，所述第一CPL可以安置在所述第一发射区域中的所述金属涂层的暴露层表面上。在一些非限制性实例中，所述导电涂层可以在所述第一发射区域中的所述金属涂层与所述第一CPL之间延伸。
在一些非限制性实例中，所述金属涂层可以包含金属涂层材料。在一些非限制性实例中，所述金属涂层材料可以包括在298K下其双原子分子中的键离解能为以下中的至少一者的金属：至少10kJ/mol、至少50kJ/mol、至少100kJ/mol、至少150kJ/mol、至少180kJ/mol和至少200kJ/mol。在一些非限制性实例中，所述金属涂层材料可以包括电负性小于约1.4、约1.3和约1.2中的至少一者的元素。
在一些非限制性实例中，所述金属涂层材料可以包括选自以下的元素：钾(K)、钠(Na)、锂(Li)、钡(Ba)、铯(Cs)、镱(Yb)、银(Ag)、金(Au)、铜(Cu)、铝(Al)、镁(Mg)、锌(Zn)、镉(Cd)、锡(Sn)、镍(Ni)、钛(Ti)、钯(Pd)、铬(Cr)、铁(Fe)、钴(Co)、锆(Zr)、铂(Pt)、钒(V)、铌(Nb)、铱(Ir)、锇(Os)、钽(Ta)、钼(Mo)、钨(W)以及这些元素中的任何元素的任何组合。在一些非限制性实例中，所述元素可以选自Cu、Ag、Au以及这些元素中的任何元素的任何组合。在一些非限制性实例中，所述元素可以是Cu。在一些非限制性实例中，所述元素可以是Al。在一些非限制性实例中，所述元素可以选自Mg、Zn、Cd、Yb以及这些元素中的任何元素的任何组合。在一些非限制性实例中，所述元素可以选自Sn、Ni、Ti、Pd、Cr、Fe、Co以及这些元素中的任何元素的任何组合。在一些非限制性实例中，所述元素可以选自Zr、Pt、V、Nb、Ir、Os以及这些元素中的任何元素的任何组合。在一些非限制性实例中，所述元素可以选自Ta、Mo、W以及这些元素中的任何元素的任何组合。在一些非限制性实例中，所述元素可以选自Mg、Ag、Al、Yb、Li以及这些元素中的任何元素的任何组合。在一些非限制性实例中，所述元素可以选自Mg、Ag、Al、Yb中的任何一种元素以及这些元素中的任何元素的任何组合。在一些非限制性实例中，所述元素可以选自Mg、Ag、Yb以及这些元素中的任何元素的任何组合。在一些非限制性实例中，所述元素可以选自Mg、Ag以及这些元素中的任何元素的任何组合。在一些非限制性实例中，所述元素可以是Ag。
在一些非限制性实例中，所述金属涂层材料可以包括纯金属。在一些非限制性实例中，所述纯金属可以是纯银(Ag)和基本上纯的Ag中的至少一种。在一些非限制性实例中，所述纯金属可以是纯镁(Mg)和基本上纯的Mg中的至少一种。在一些非限制性实例中，所述纯金属可以是纯铝(Al)和基本上纯的Al中的至少一种。
在一些非限制性实例中，金属涂层材料可以包括合金。在一些非限制性实例中，所述合金可以是含银(Ag)的合金和含银-镁(AgMg)的合金中的至少一种。
在一些非限制性实例中，所述金属涂层可以包括氧(O)。在一些非限制性实例中，所述金属涂层可以包括O和至少一种金属。在一些非限制性实例中，所述金属涂层可以包括金属氧化物。在一些非限制性实例中，所述金属氧化物可以包括锌(Zn)、铟(I)、锡(Sn)、锑(Sb)、镓(Ga)以及这些金属氧化物中的任何金属氧化物的任何组合。在一些非限制性实例中，金属氧化物可以是透明导电氧化物(TCO)。在一些非限制性实例中，所述TCO可以是以下中的至少一种以及这些TCO中的任何TCO的任何组合：氧化铟钛(ITO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)。
在一些非限制性实例中，所述金属涂层可以包括所述金属涂层材料的多个层。在一些非限制性实例中，所述多个层中的第一层的所述金属涂层材料可以不同于所述多个层中的第二层的所述金属涂层材料。在一些非限制性实例中，所述多个层中的至少一层的所述金属涂层材料可以包括镱(Yb)。在一些非限制性实例中，所述多个层中的另一层的所述金属涂层材料可以包括含银(Ag)的合金和含银-镁(AgMg)的合金中的至少一种。在一些非限制性实例中，所述多个层中的另一层的所述金属涂层材料可以包括纯银(Ag)、基本上纯的Ag、纯镁(Mg)、基本上纯的Mg中的至少一种以及这些金属涂层材料中的任何金属涂层材料的任何组合。在一些非限制性实例中，靠近NIC的所述多个层之一的所述金属涂层材料包括选自以下的元素：银(Ag)、金(Au)、铜(Cu)、铝(Al)、锡(Sn)、镍(Ni)、钛(Ti)、钯(Pd)、铬(Cr)、铁(Fe)、钴(Co)、锆(Zr)、铂(Pt)、钒(V)、铌(Nb)、铱(Ir)、锇(Os)、钽(Ta)、钼(Mo)、钨(W)以及这些元素中的任何元素的任何组合。在一些非限制性实例中，所述元素可以包括Cu、Ag、Au以及这些元素中的任何元素的任何组合。在一些非限制性实例中，所述元素可以是Cu。在一些非限制性实例中，所述元素可以是Al。在一些非限制性实例中，所述元素可以包括Sn、Ti、Pd、Cr、Fe、Co以及这些元素中的任何元素的任何组合。在一些非限制性实例中，所述元素可以包括Ni、Zr、Pt、V、Nb、Ir、Os以及这些元素中的任何元素的任何组合。在一些非限制性实例中，所述元素可以包括Ta、Mo、W以及这些元素中的任何元素的任何组合。在一些非限制性实例中，所述元素可以包括Mg、Ag、Al以及这些元素中的任何元素的任何组合。在一些非限制性实例中，所述元素可以包括Mg、Ag以及这些元素中的任何元素的任何组合。在一些非限制性实例中，所述元素可以是Ag。在一些非限制性实例中，所述多个层中的至少一层可以包括功函数小于约4eV的金属。
在一些非限制性实例中，所述导电涂层包含导电涂层材料。在一些非限制性实例中，所述导电涂层材料可以包括在298K下其双原子分子中的键离解能为以下的金属：小于300kJ/mol、小于200kJ/mol、小于165kJ/mol、小于150kJ/mol、小于100kJ/mol、小于50kJ/mol和小于20kJ/mol。
在一些非限制性实例中，所述导电涂层材料可以包括选自以下的元素：钾(K)、钠(Na)、锂(Li)、钡(Ba)、铯(Cs)、镱(Yb)、银(Ag)、金(Au)、铜(Cu)、铝(Al)、镁(Mg)、锌(Zn)、镉(Cd)、锡(Sn)、钇(Y)以及这些元素中的任何元素的任何组合。在一些非限制性实例中，所述元素可以选自K、Na、Li、Ba、Cs、Yb、Ag、Au、Cu、Al、Mg以及这些元素中的任何元素的任何组合。在一些非限制性实例中，所述元素可以选自Cu、Ag、Au以及这些元素的任何组合。在一些非限制性实例中，所述元素可以是Cu。在一些非限制性实例中，所述元素可以是Al。在一些非限制性实例中，所述元素可以选自Mg、Zn、Cd、Yb以及这些元素中的任何元素的任何组合。在一些非限制性实例中，所述元素可以选自Mg、Ag、Al、Yb、Li以及这些元素中的任何元素的任何组合。在一些非限制性实例中，所述元素可以选自Mg、Ag、Yb以及这些元素中的任何元素的任何组合。在一些非限制性实例中，所述元素可以选自Mg、Ag以及这些元素中的任何元素的任何组合。在一些非限制性实例中，所述元素可以是Ag。
在一些非限制性实例中，所述导电涂层材料可以包括纯金属。在一些非限制性实例中，所述纯金属可以是纯银(Ag)和基本上纯的Ag中的至少一种。在一些非限制性实例中，所述基本上纯的Ag的纯度可以为以下中的至少一者：至少约95％、至少约98％、至少约99％、至少约99.9％、至少约99.99％、至少约99.999％和至少约99.9995％。在一些非限制性实例中，所述纯金属可以是纯镁(Mg)和基本上纯的Mg中的至少一种。在一些非限制性实例中，所述基本上纯的Mg的纯度可以为以下中的至少一者：至少约95％、至少约98％、至少约99％、至少约99.9％、至少约99.99％、至少约99.999％和至少约99.9995％。
在一些非限制性实例中，所述导电涂层可以包括合金。在一些非限制性实例中，所述合金可以是含银(Ag)的合金、含镁(Mg)的合金和含AgMg的合金中的至少一种。
在一些非限制性实例中，所述导电涂层可以包括非金属元素。在一些非限制性实例中，所述非金属元素可以选自氧(O)、硫(S)、氮(N)、碳(C)中的至少一种以及这些元素中的任何元素的任何组合。在一些非限制性实例中，所述导电涂层材料中的所述非金属元素的浓度可以小于以下中的至少一者：约1％、约0.1％、约0.01％、约0.001％、约0.0001％、约0.00001％、约0.000001％和约0.0000001％。
在一些非限制性实例中，所述装置可以进一步包括半导电层，其中所述至少一个电极涂层在所述第一发射区域中的所述半导电层与所述第一CPL之间延伸并且在所述第二发射区域中的所述半导电层与所述第二CPL之间延伸。在一些非限制性实例中，所述第一CPL和所述第二CPL中的至少一个可以包括用于图案化所述导电涂层的成核抑制涂层(NIC)。
在一些非限制性实例中，所述第二CPL可以安置在所述第一发射区域中。在一些非限制性实例中，所述第一CPL可以在所述第一发射区域中的所述至少一个电极涂层与所述第二CPL之间延伸。在一些非限制性实例中，所述第二CPL可以在所述第一发射区域中的所述至少一个电极涂层与所述第一CPL之间延伸。
在一些非限制性实例中，所述第一CPL可以安置在所述第二发射区域中。在一些非限制性实例中，所述第一CPL可以在所述第二发射区域中的所述至少一个电极涂层与所述第二CPL之间延伸。在一些非限制性实例中，所述第二CPL可以在所述第二发射区域中的所述至少一个电极涂层与所述第一CPL之间延伸。
在一些非限制性实例中，所述装置可以进一步包括第三发射区域，所述第三发射区域被配置成发射具有以第三起始波长为特征的第三波长光谱的光子。在一些非限制性实例中，所述第三波长光谱可以具有第三峰值波长，所述第三峰值波长短于所述第二波长光谱的第二峰值波长并且长于所述第一波长光谱的第一峰值波长。在一些非限制性实例中，所述第一波长光谱可以对应于为B(lue)的颜色，所述第二波长光谱可以对应于为G(reen)的颜色并且所述第三波长光谱可以对应于为R(ed)的颜色。
在一些非限制性实例中，所述第一CPL和所述第二CPL中的至少一个可以安置在所述第三发射区域中。在一些非限制性实例中，第三CPL可以安置在所述第三发射区域中。在一些非限制性实例中，所述第三CPL和所述第三CPL材料(CPL(m)3)中的至少一个可以在短于所述第三起始波长的第三吸收边缘波长处展现出第三吸收边缘。
在一些非限制性实例中，所述第三吸收边缘可以以所述CPL(m)3的消光系数等于阈值的第三消光波长为特征。
在一些非限制性实例中，所述第三起始波长可以比所述吸收边缘波长长小于以下中的至少一者：约200nm、约150nm、约130nm、约100nm、约80nm、约70nm、约60nm、约50nm、约40nm、约35nm、约25nm、约20nm、约15nm和约10nm。在一些非限制性实例中，所述第三消光波长是所述CPL(m)3的所述消光系数等于所述阈值的至少一个波长中的最长波长。在一些非限制性实例中，作为波长函数的所述CPL(m)3的所述消光系数的一阶导数在所述第三消光波长处可以为负。在一些非限制性实例中，所述CPL(m)3在长于所述第三消光波长的波长处的所述消光系数可以小于所述阈值。在一些非限制性实例中，所述CPL(m)3在长于所述第三消光波长的所有波长处的所述消光系数可以小于所述阈值。在一些非限制性实例中，所述CPL(m)3在长于所述第三起始波长的任何波长处的所述消光系数可以小于以下中的至少一者：约0.1、约0.09、约0.08、约0.06、约0.05、约0.03、约0.01、约0.005和约0.0001。在一些非限制性实例中，所述CPL(m)3在短于所述第一吸收边缘波长的波长处的所述消光系数可以超过以下中的至少一者：约0.1、约0.12、约0.13、约0.15、约0.18、约0.2、约0.25、约0.3、约0.5、约0.7、约0.75、约0.8、约0.9和约1.0。
在一些非限制性实例中，所述CPL(m)3对长于所述第三吸收边缘波长的至少一个波长的折射率可以超过所述CPL(m)3对短于所述第一吸收边缘波长的至少一个波长的折射率。在一些非限制性实例中，所述CPL(m)3在所述第三波长光谱中的至少一个波长中的折射率可以超过以下中的至少一者：约1.8、约1.9、约1.95、约2、约2.05、约2.1、约2.2、约2.3和约2.5。
在一些非限制性实例中，所述第三发射区域可以基本上缺乏所述第一CPL和所述第二CPL中的至少一个。
上文已经结合本公开的可以实施它们的方面描述了实例。本领域技术人员将理解，实例可以结合通过其描述实例的方面来实施，但也可以通过所述方面或另一方面的其它实例来实施。当实例相互排斥或以其它方式彼此不兼容时，对于相关领域的普通技术人员来说将是显而易见的。一些实例可以关于一个方面来描述，但是也可以适用于其它方面，这对于相关领域的普通技术人员来说将是显而易见的。
本公开的一些方面或实例可以提供具有第一发射区域和第二发射区域的光电子装置，所述第一发射区域和所述第二发射区域具有相应的发射光谱，在所述发射光谱上沉积了相应的覆盖层(CPL)，可选择其光学特性以修改底层发射区域的至少一个光学微腔效应。CPL可以包括图案化涂层，所述图案化涂层具有在其表面上形成导电涂层的初始粘附概率显著小于在底层表面上形成导电涂层的初始粘附概率，使得CPL基本上缺乏随后沉积的导电涂层。
具体实施方式
光电子装置
本公开总体上涉及电子装置，并且更具体地说，涉及光电子装置。光电子装置通常涵盖将电信号转换为光子并且反之亦然的任何装置。
在本公开中，术语“光子”和“光”可以互换使用以指类似的概念。在本公开中，光子可以具有位于可见光谱中、其红外(IR)和/或紫外(UV)区域中的波长。
在本公开中，如本文所用的术语“可见光谱”总体上是指电磁谱的可见部分至少一种波长。在一些非限制性实例中，可见光谱可以对应于约380nm到约750nm的波长范围。
在本公开中，如本文所使用的术语“发射光谱”(ES)，并且如图32中通过非限制性实例所示出的，作为强度(I)与波长(λ)的函数的曲线，通常是指光电子装置发射的光的电致发光光谱。作为非限制性实例，可以使用光学仪器，如作为非限制性实例，分光光度计检测发射光谱(ES)，所述分光光度计测量跨波长范围内的电磁辐射的强度(I)。
在本公开中，如本文所使用的并通过图32中的非限制性实例所示出的术语“起始波长”λonset通常是指在发射光谱内检测到发射的最短波长。
在本公开中，如本文所使用的并且通过图32中的非限制性实例所示出的术语“峰值波长”λmax通常是指在发射光谱内检测到最大亮度的波长。相关领域的普通技术人员应当理解，亮度可以以坎德拉(cd)(每平方面积的发光强度的量度)为单位，以cd/m2或nits为单位进行测量。在发射光谱随视角(即，测量发射光谱的角度)变化的光电子装置的一些非限制性实例中，以与装置的平面成法线角时拍摄的发射光谱可以用于确定发射的各种特性，包含但不限于其最大亮度和/或峰值波长λmax。
通常，起始波长λonset出现在比峰值波长λmax更短的波长处。在一些非限制性实例中，起始波长λonset可以对应于发射光谱中亮度处于阈值强度(Ionset)的波长，如通常作为图32中的非限制性实例所示，在一些非限制性实例中，其可以是峰值波长λmax处亮度的约10％、约5％、约3％、约1％、约0.5％、约0.1％或约0.01％。
通常，电致发光装置被配置成发射和/或传输波长在约425nm到约725nm的范围内的光，并且更具体地，在一些非限制性实例中，发射和/或传输峰值发射波长为456nm、528nm和624nm的光，所述峰值发射波长分别对应于B(lue)2543、G(reen)2542和R(ed)2541子像素。因此，在此类电致发光装置的背景下，发射光谱可以是约425nm到约725nm，或约456nm到约624nm的任何波长或波长范围。在一些非限制性实例中，在可见光谱中具有波长的光子在本文中也可以被称为“可见光”。
在一些非限制性实例中，位于可见光谱R(ed)部分的发射光谱可以由峰值波长λmax表征，所述峰值波长λmax可以位于600nm到约640nm的波长范围内，并且在一些非限制性实例中，可以基本上为约620nm。对应的起始波长λonset可以位于约500nm到约610nm、约575nm到约600nm、约570nm到约580nm或约580nm到约590nm的波长范围内。
在一些非限制性实例中，位于可见光谱G(reen)部分的发射光谱可以由峰值波长λmax表征，所述峰值波长λmax可以位于510nm到约540nm的波长范围内，并且在一些非限制性实例中，可以基本上为约530nm。对应的起始波长λonset可以位于约470nm到约520nm、约480nm到约510nm、约480nm到约490nm或约490到约500nm的波长范围内。
在一些非限制性实例中，位于可见光谱B(lue)部分的发射光谱可以由峰值波长λmax表征，所述峰值波长λmax可以位于450nm到约460nm的波长范围内，并且在一些非限制性实例中，可以基本上为约455nm。对应的起始波长λonset可以位于约420nm到约450nm、约425nm到约440nm、约420nm到约430nm或约430nm到约440nm的波长范围内。
在本公开中，如本文所使用的术语“IR信号”通常是指在EM光谱的IR部分中具有波长的EM辐射。在一些非限制性实例中，IR信号可以具有对应于其近红外(NIR)子集的波长。作为非限制性实例，NIR信号的波长可以是约750nm到约1400nm、约750nm到约1300nm、约800nm到约1300nm、约800nm到约1200nm、约850nm到约1100nm和/或约900nm到约1000nm。
在本公开中，如本文所使用的术语“吸收光谱”通常是指发生吸收的EM光谱的波长(子)范围。
在本公开中，如本文中所使用的并且通常通过图33中的非限制性实例所示出的术语“消光系数”(k)，是指电磁系数在通过材料传播时衰减的程度。在一些非限制性实例中，消光系数可以被理解为对应于复折射率N的虚数部分k。在一些非限制性实例中，可以通过多种方法测量材料的消光系数，所述方法包含但不限于椭圆光度法。
在本公开中，如本文中用于描述介质并且通常通过图32中的非限制性实例所示出的术语“折射率”(n)和/或“指数”，是指根据此类介质中的光速相对于真空中的光速的比率计算的值。在本公开中，特别是当用于描述基本上透明的材料，包含但不限于薄膜层和/或涂层的特性时，这些术语可以对应于表达式N＝n+ik中的实数部分n，其中n表示复折射率并且k表示消光系数。
如相关领域的普通技术人员应当理解的，基本上透明的材料包含但不限于薄膜层和/或涂层，通常在可见光谱中展现出相对较低的k值，并且因此表达式的虚数部分对复折射率N的贡献可以忽略不计。在另一方面，例如由金属薄膜形成的透光电极可以在可见光谱中展现出相对较低的n值和相对较高的k值。因此，此类薄膜的复折射率N可以主要由其虚数部分决定。
在本公开中，除非上下文另有规定，否则对折射率无特殊性的参考旨在参考复折射率N的实数部分n。
在本公开中，如本文所使用的并且通过图33中的非限制性实例所示出的术语“吸收边缘”(AE)、“吸收不连续性”和/或“吸收极限”，通常是指涂层、层和/或材料的消光系数k和/或吸收光谱的快速降低。在本公开中，例如关于覆盖层(CPL)3610所描述的“吸收边缘”是指例如在可见光谱内的最长波长，在所述波长处观察到CPL 3610的消光系数k快速降低。在一些非限制性实例中，CPL 3610的消光系数k，特别是在可见光谱中，可以向零减小，并且在整个可见光谱的其余部分中保持较低。在此类非限制性实例中，CPL 3610的吸收边缘可以对应于消光系数k通过阈值TAE的波长或最长波长，如通常通过图33中的非限制性实例示出，因为所述消光系数向零减小。在一些非限制性实例中，CPL 3610的吸收边缘可以对应于消光系数k通过阈值TAE的波长或最长波长，其中消光系数k的一阶导数作为波长λ的函数为负。
在一些非限制性实例中，折射率n与透射率之间通常可能存在正相关，或者换言之，折射率n与吸收边缘处或附近的吸收之间通常存在负相关。在一些非限制性实例中，物质的吸收边缘可以对应于消光系数k接近接近0的阈值的波长。
有机光电子装置可以涵盖任何光电子装置，其中其一个或多个有源层和/或薄层(strata)主要由有机(含碳)材料形成，并且更具体地说，由有机半导体材料形成。
在本公开中，相关领域的普通技术人员应当理解，有机材料可以包括但不限于多种有机分子和/或有机聚合物。进一步地，相关领域的普通技术人员应当理解，掺杂有各种无机物质(包含但不限于元素和/或无机化合物)的有机材料仍可以被认为是有机材料。仍进一步地，相关领域的普通技术人员应当理解，可以使用各种有机材料，并且本文所描述的工艺通常适用于整个范围的此类有机材料。仍进一步地，相关领域的普通技术人员应当理解，含有金属和/或其它无机元素的有机材料仍然可以被视为有机材料。仍进一步地，相关领域的普通技术人员应当理解，各种有机材料可以是分子、低聚物和/或聚合物。
在本公开中，无机物质可以指主要包含无机材料的物质。在本公开中，无机材料可以包括不被认为是有机材料的任何材料，包含但不限于金属、玻璃和/或矿物。
在光电子装置通过发光过程发射光子的情况下，所述装置可以被认为是电致发光装置。在一些非限制性实例中，电致发光装置可以是有机发光二极管(OLED)装置。在一些非限制性实例中，电致发光装置可以是电子装置的一部分。作为非限制性实例，电致发光装置可以是OLED照明面板或模块和/或计算装置的OLED显示器或模块，如智能手机、平板计算机、膝上型计算机、电子阅读器等和/或如监视器和/或电视机等一些其它电子装置(统称为“用户装置”)。
在一些非限制性实例中，光电子装置可以是将光子转化为电的有机光伏(OPV)装置。在一些非限制性实例中，光电子装置可以是电致发光量子点装置。在本公开中，除非特别指出相反的情况，否则将参考OLED装置，应理解，在一些实例中，此类公开可以以对相关领域的普通技术人员显而易见的方式同样适用于其它光电子装置，包含但不限于OPV和/或量子点装置。
将从两个方面中的每一个方面来描述此类装置的结构，即从横截面方面和/或从横向(平面视图)方面。
在本公开中，术语“层(layer)”和“薄层(strata)”可以互换使用以指类似的概念。
在下文介绍横截面方面的上下文中，此类装置的组件以基本上平坦的横向薄层示出。相关领域的普通技术人员应当理解，此类基本上平坦的表示仅用于说明的目的，并且跨此类装置的横向范围，可以存在不同厚度和尺寸的局部基本上平坦的薄层，在一些非限制性实例中包含基本上完全不存在的层和/或由非平坦过渡区域(包含横向间隙和平坦的间断)分隔的层。因此，虽然为了说明性目的，下文将装置在其横截面方面示出为基本上分层的结构，但在下文讨论的平面视图方面，此类装置可以说明不同的形貌来限定特征，所述特征中的每个特征可以基本上展现出在横截面方面讨论的分层轮廓。
横截面方面
图1是根据本公开的示例电致发光装置的横截面方面的简化框图。总体上以100示出的电致发光装置包括多个层，包含但不限于衬底110，在所述衬底上安置有包括多个层的前板10，所述多个层分别为第一电极120、至少一个半导电层130和第二电极140。在一些非限制性实例中，前板10可以提供用于光子发射和/或操纵发射的光子的机制。在一些非限制性实例中，可以提供阻隔涂层1650(图16C)以围绕和/或封装层120、130、140和/或安置在其上的衬底110。
出于说明的目的，底层材料的暴露层表面被称为111。在图1中，暴露层表面111被示出为属于第二电极140。相关领域的普通技术人员应当理解，作为非限制性实例，在沉积第一电极120时，暴露层表面111将被示出为衬底110的111a。
相关领域的普通技术人员应当理解，当组件、层、区域和/或其部分被称为“形成”、“安置”和/或“沉积”在另一底层材料、组件、层、区域和/或部分上和/或上方时，此类形成、安置和/或沉积可以直接和/或间接地位于此类底层材料、组件、层、区域和/或部分的暴露层表面111上(在发生此类形成、安置和/或沉积时)，具有中间材料、组件、层、区域和/或部分之间的潜力。
在本公开中，遵循方向惯例，相对于上文所描述的横向方面基本上垂直地延伸，其中衬底110被认为是装置100的“底部”，并且层120、130、140安置在衬底11的“顶部”。遵循这样的惯例，第二电极140在所示出的装置100的顶部处，即使(在一些实例中可能是这种情况，包含但不限于在制造工艺期间，其中可以通过气相沉积工艺引入一个或多个层120、130、140)衬底110在物理上被倒置使得其上将安置层120、130、140之一(如但不限于第一电极120)的顶表面物理地位于衬底110下方，从而使沉积材料(未示出)向上移动并且作为薄膜沉积在其顶表面上。
在一些非限制性实例中，装置100可以电耦接到电源15。当如此耦接时，装置100可以如本文所描述发射光子。
在一些非限制性实例中，装置100可以根据从其产生的光子的发射方向进行分类。在一些非限制性实例中，如果产生的光子以朝着并穿过在装置100底部处的衬底100并且远离安置在衬底110的顶部上的层120、130、140的方向上发射，则装置100可以被认为是底部发射装置。在一些非限制性实例中，如果光子在远离装置100底部处的衬底110并且朝向和/或穿过顶层140的方向上发射，则装置100可以被认为是顶部发射装置，所述顶层与中间层120、130一起安置在衬底110顶部上。在一些非限制性实例中，如果装置100被配置成在底部(朝向并穿过衬底110)和顶部(朝向并穿过顶层140)发射光子，则所述装置可以被认为是双面发射装置。
薄膜形成
前板10的层120、130、140可以依次安置在底层材料的目标暴露层表面111上(和/或在一些非限制性实例中，包含但不限于，在本文所公开的选择性沉积的情况下，安置在此类表面的至少一个目标区域和/或部分中)，在一些非限制性实例中，底层材料有时可以是作为薄膜的衬底110和中间下层120、130、140。在一些非限制性实例中，电极120、140、1750、4150可以由导电涂层830(图8)的至少一个薄导电膜层形成。相关领域的普通技术人员应当理解，此类导电涂层830可以是装置100的多个层中的(至少)一层。导电涂层830可以包含导电涂层材料831。相关领域的普通技术人员应当理解，导电涂层830和包含所述导电涂层的导电涂层材料831，尤其是当作为膜安置时并在与沉积导电涂层830所采用的条件和/或机制基本上相似的条件和/或机制下时，可以展现出非常相似的光学和/或其它特性。
如图1示出的并且在整个附图中，每个层(包含但不限于层120、130、140)和衬底110的厚度仅是说明性的并且不一定表示相对于另一层120、130、140(和/或衬底110的)的厚度。
在本公开中，为了描述的简单起见，本文所使用的术语“涂层膜”“封闭涂层”和/或“封闭膜”4530在一些非限制性实例中是指用于导电涂层830的导电涂层材料831的薄膜结构和/或涂层，在所述薄膜结构和/或涂层中表面的相关部分由此基本上被涂覆，使得此类表面基本上不会被沉积在其上的封闭膜4530暴露或通过所述封闭膜暴露。
在本公开中，除非上下文另有规定，否则对薄膜无特殊性的参考旨在参考基本上封闭的膜4530。
在一些非限制性实例中，导电涂层材料831的在一些非限制性实例中的封闭膜4530可以被安置成覆盖底层表面的一部分，使得在此部分内，小于约20％、小于约15％、小于约10％、小于约5％、小于约3％或小于约1％的底层表面在其内被所述封闭膜4530暴露或通过所述封闭膜暴露。
相关领域的普通技术人员应当理解，可以使用各种技术和工艺，包含但不限于本文所描述的技术和工艺来对封闭膜4530进行图案化，以便在封闭膜4530沉积之后有意地使底层表面的暴露层表面111的一部分暴露出来。在本公开中，如果作为非限制性实例，在此类图案化的背景下并且在底层表面的暴露层表面111的此类有意地暴露部分之间沉积的薄膜和/或涂层本身基本上包括封闭膜4530，则此类图案化膜可以被视为构成封闭膜4530。
相关领域的普通技术人员应当理解，由于沉积过程中的固有可变性，并且在一些非限制性实例中，由于沉积材料中的一种或两种中存在杂质，在一些非限制性实例中，使用各种技术和工艺(包含但不限于本文所描述的技术和工艺)沉积薄膜的导电涂层材料831和底层材料的暴露层表面111仍然可能导致在其中形成小孔，包含但不限于针孔、撕裂和/或裂缝。在本公开中，如果作为非限制性实例，尽管存在此类孔，沉积的薄膜和/或涂层基本上包括封闭膜4530并满足上文多列出的百分比覆盖标准，则此类薄膜可以被视为构成封闭膜4530。
随着单体的持续气相沉积(在一些非限制性实例中可以是气相形式的沉积材料的分子和/或原子)，最终可以在底层材料的暴露层表面111上沉积基本封闭的膜4530。此类封闭膜4530的行为，包含由此引起的光学效应，通常是相对一致的并且不足为奇。
在一些非限制性实例中，包括至少一个封闭膜4530的薄膜的行为，包含其光学效应，通常相对均匀。
虽然本公开讨论薄膜形成，但参考至少一层或涂层，就气相沉积而言，相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，电致发光装置100的各个组件可以使用多种技术选择性地沉积，包含但不限于蒸发(包含但不限于热蒸发和/或电子束蒸发)、光刻法、打印(包含但不限于喷墨和/或蒸气喷射打印、卷到卷打印和/或微接触转移打印)、物理气相沉积(PVD)(包含但不限于溅射)、化学气相沉积(CVD)(包含但不限于等离子增强CVD(PECVD)和/或有机气相沉积(OVPD))、激光退火、激光诱导热成像(LITI)图案化、原子层沉积(ALD)、涂覆(包含但不限于旋涂、浸涂、线涂和/或喷涂)和/或其组合。在各个层和/或涂层中的任何一种的沉积期间，一些工艺可以与阴影掩模组合使用，以通过掩盖和/或防止所沉积材料沉积在暴露于其的底层材料表面的某些部分上来实现各种图案，在一些非限制性实例中，所述阴影掩模可以是开放式掩模和/或精细金属掩模(FMM)。
在本公开中，术语“蒸发”和/或“升华”可以互换使用以通常指将源材料转化为蒸气(包含但不限于通过加热)以沉积到目标表面(处于但不限于固态)上的沉积工艺。将会理解，蒸发工艺是一种PVD工艺，其中一种或多种源材料在低压(包含但不限于真空)环境下蒸发和/或升华以形成蒸气单体，并通过一种或多种蒸发的源材料的去升华作用而沉积在目标表面上。可以使用各种不同的蒸发源来加热源材料，并且因此相关领域的普通技术人员应当理解，可以以各种方式加热源材料。作为非限制性实例，可以通过电灯丝、电子束、感应加热和/或电阻加热来加热源材料。在一些非限制性实例中，可以将源材料装载在加热的坩埚、加热的舟皿、克努森池(Knudsen cell)(其可以是渗出蒸发器源)和/或任何其它类型的蒸发源中。
在一些非限制性实例中，沉积源材料可以是混合物。在一些非限制性实例中，沉积源材料的混合物的至少一种组分在沉积工艺期间可以不被沉积(或者，在一些非限制性实例中，与此类混合物的其它组分相比，以相对较少的量沉积)。
在本公开中，无论其沉积机制如何，提及材料的层厚度是指沉积在目标暴露层表面111上的材料的量，所述量对应于用具有参考层厚度的均匀厚的材料层覆盖目标表面的材料量。通过非限制性实例，沉积10nm的层厚度的材料指示沉积在表面上的材料的量对应于形成10nm厚的均匀厚度的材料层的材料的量。应当理解，考虑到上文讨论的薄膜形成机制，作为非限制性实例，由于单体(在一些非限制性实例中可能是分子和/或原子)可能的堆叠或聚集，实际的所沉积材料的厚度可能不均匀。作为非限制性实例，沉积10nm的层厚度可以产生实际厚度大于10nm的所沉积材料的一些部分，或者实际厚度小于10nm的所沉积材料的其它部分。因此，在一些非限制性实例中，沉积在表面上的材料的某些层厚度可以对应于跨目标表面的所沉积材料的平均厚度，包含但不限于作为封闭膜4530。
在本公开中，提及参考层厚度是指导电涂层830的层厚度，在本文也称为导电涂层材料831，所述导电涂层材料沉积在展现出高初始粘附概率或初始粘附系数S0的参考表面(即，初始粘附概率S0为约1和/或接近1的表面)。参考层厚度并不表示沉积在目标表面(如但不限于成核抑制涂层(NIC)810的表面)上的导电涂层材料831的实际厚度。
相关领域的普通技术人员应当理解，此类NIC 810可以是装置100的多个层中的(至少)一层。NIC 810可以包含NIC材料。相关领域的普通技术人员应当理解，NIC 810和包含所述NIC的NIC材料，尤其是当作为膜安置时并在与沉积NIC 810所采用的条件和/或机制基本上相似的条件和/或机制下时，可以展现出非常相似的光学和/或其它特性。
相反，参考层厚度是指将沉积在参考表面，在一些非限制性实例中，定位在沉积室内的石英晶体的表面上的导电涂层831材料的层厚度，所述沉积室用于监测在相同的沉积周期内使目标表面和参考表面经受导电涂层材料831的相同蒸气通量的沉积速率和参考层厚度。如相关领域的普通技术人员应当理解的那样，在目标表面和参考表面在沉积期间没有同时经受相同的蒸气通量的情况下，可以使用适当的工具系数来确定和/或监测参考层厚度。
在本公开中，提及沉积X个材料单层是指沉积一定量的材料以用材料的组成单体的X个单层来覆盖暴露层表面111的期望区域，如但不限于在封闭膜4530中。
在底层材料的暴露层表面111上的气相沉积期间薄膜的形成涉及成核和生长工艺。在膜形成的初始阶段期间，足够数量的蒸气单体(在一些非限制性实例中可以是分子和/或原子)通常从气相凝结以在所呈现的暴露层表面111上形成初始核，无论是否是衬底110(或中间下层120、130、140)的表面。随着蒸气单体继续撞击此类表面，这些初始核的大小和密度增加以形成小簇或岛。在达到饱和岛密度之后，相邻岛通常将开始合并，从而增加平均岛大小，同时降低岛密度。相邻岛的合并可以持续直到形成基本上封闭的膜4530为止。
然而，在形成基本上封闭的膜4530之前，蒸气单体的沉积可以导致本文所描述的薄膜结构，其可以展现出一个或多个不同的特性并伴随着不同的行为，包含但不限于光学效应。
在本公开中，提及沉积分数0.X材料单层是指沉积一定量的材料以用材料的组成单体的单层来覆盖分数0.X的表面的期望区域。相关领域的普通技术人员应当理解，作为非限制性实例，由于单体的可能堆叠和/或聚集，所沉积材料在表面的期望区域上的实际局部厚度可能不均匀。作为非限制性实例，沉积1个单层材料可能导致表面的期望区域的一些局部区域被材料覆盖，而表面的期望区域的其它局部区域可能具有多个原子和/或沉积在其上的分子层。
在本公开中，如果如通过任何合适的确定机制确定在目标表面(和/或其目标区域)上基本上不存在材料，则所述目标表面可以被认为是“基本上无所述材料”、“基本上没有所述材料”和/或“基本上没有被所述材料覆盖”。
在本公开中，为了描述的简单起见，将蒸气单体沉积到底层材料的暴露层表面111上的结果称为“聚类层”，所述暴露层表面还没有(尚未)达到形成封闭膜4530的阶段。在一些非限制性实例中，此类聚类层可以反映沉积过程尚未完成，其中此类聚类层可以被视为形成封闭膜4530的过渡阶段。在一些非限制性实例中，聚类层可能是完成沉积过程的结果，并且因此构成内部和自身形成的最后阶段。
在本公开中，为了描述的简单起见，本文所使用的术语“不连续涂层”1050是指聚类层，其中通过沉积工艺涂覆的底层材料的暴露层表面111的相关部分既没有基本上缺乏此类材料，也没有形成其封闭膜4530。在一些非限制性实例中，导电涂层材料831的不连续涂层1050可以表现为沉积在此表面上的多个离散岛。
在本公开中，为了描述的简单起见，术语“树枝状”关于涂层，包含但不限于导电涂层830，是指当从横向方面观察时类似于分支结构的特征。在一些非限制性实例中，导电涂层830可以包括树枝状突出部1021和/或树枝状凹部1022。在一些非限制性实例中，树枝状突出部1021可以对应于导电涂层830的一部分，所述一部分展现了包括多个物理连接并基本上向外延伸的短突起的分支结构。在一些非限制性实例中，树枝状凹部1022可以对应于物理连接并基本上向外延伸的导电涂层830的间隙、开口和/或未覆盖部分的分支结构。在一些非限制性实例中，树枝状凹部1022可以对应于，包含但不限于树枝状突出部1021的图案的镜像和/或反转图案。在一些非限制性实例中，树枝状突出部1021和/或树枝状凹部1022可以具有展现和/或模拟分形图案、目、网和/或交叉指型结构的配置。
在一些非限制性实例中，可能存在反映蒸气单体沉积的中间阶段的聚类层，在形成不连续涂层1050之后，但在形成封闭膜4530之前，其中簇和/或岛5001、5002的持续合并持续到剩余的簇和/或岛5001、5002的数量接近零为止。在达到此类中间阶段聚类层的情况下，在一些非限制性实例中，沉积的单体可以形成可以包括单个单层的分数0.X的中间阶段薄膜，使得其不是封闭膜4530，因为膜覆盖中可能存在孔和/或间隙，包含但不限于一个或多个树枝状突出部1021和/或一个或多个树枝状凹部1022，但仍保持基本上导电。
薄膜的形成可以存在至少三种基本的生长模式，最初作为聚类层，并且在一些非限制性实例中，最终形成封闭膜4530：1)岛式(沃尔默-韦伯(Volmer-Weber))，2)逐层式(弗兰克-范德尔莫维(Frank-van der Merwe))，和3)斯特兰斯基-克拉斯坦诺夫(Stranski-Krastanov)。
在本公开中，术语“岛”和“簇”可以互换使用以指类似的概念。
当过时的单体簇在表面上成核并生长形成离散的岛时，通常会发生岛生长。当单体之间的相互作用强于单体与表面之间的相互作用时，就会发生这种生长模式。
成核率描述了每单位时间在表面上形成多少给定大小的核(其中自由能不会推动此类核簇生长或收缩)(“临界核”)。在膜形成的初始阶段期间，由于核的密度低，因此核覆盖了相对较小的一部分表面(例如，相邻核之间存在较大的间隙/空间)，因而核不太可能将从单体直接撞击表面而生长。因此，临界核的生长速率通常取决于表面上的吸附原子(例如吸附的单体)迁移并附着至附近核的速率。
图6展示了吸附到底层材料(在图中，衬底110)的暴露层表面111上的吸附原子的能量分布的实例。具体地说，图6展示了对应于以下的示例定性能量分布：从局部低能位点逃离的吸附原子(610)；吸附原子在暴露层表面111上的扩散(620)；和吸附原子的解吸(630)。
在610中，局部低能位点可以是底层材料的暴露层表面111上的任何位点，在所述暴露表面上吸附原子将出于较低能量。通常，成核位点可以包括暴露层表面111上的缺陷和/或异常，包含但不限于阶跃边缘、化学杂质、结合位点和/或扭结。一旦吸附原子被捕获在局部低能位点处，在一些非限制性实例中，通常在表面扩散发生之前可能存在能垒。在图6中此类能垒表示为ΔE611。在一些非限制性实例中，如果逃离局部低能位点的能垒ΔE611足够大，所述位点可以作为成核位点。
在620中，吸附原子可以在暴露层表面111上扩散。作为非限制性实例，在局部吸收物的情况下，吸附原子趋于在表面势能的最小值附近振荡并迁移到各个相邻位点直到吸附原子被解吸和/或并入到由吸附原子簇5001、5002形成的生长的膜和/或生长的岛中为止。在图6中，与吸附原子表面扩散相关的活化能表示为Es621。
在630中，与吸附原子从表面解吸相关的活化能表示为Edes631。相关领域的普通技术人员应当理解，任何未被解吸的吸附原子可以保留在暴露层表面111上。作为非限制性实例，此类吸附原子可以在暴露层表面111上扩散，作为生长的膜和/或涂层的一部分并入和/或成为在暴露层表面111上形成岛的吸附原子簇5001、5002的一部分。
吸附原子吸附在表面上之后，吸附原子可能会从表面解吸，或者可能会在表面迁移一段距离，然后再解吸，与其它吸附原子相互作用形成小簇或附着到正在生长的核上。在初始吸附后，吸附原子保留在表面上的平均时间由下式得出：
在上文的等式中，v是表面上的吸附原子的振动频率，k是玻耳兹曼常数(Botzmannconstant)，T是温度，并且Edes631是涉及使吸附原子从表面解吸的能量。从这个等式要注意的是Edes631的值越低，吸附原子越容易从表面解吸，因此吸附原子将保留在表面上的时间越短。吸附原子可以扩散的平均距离由下式得出：
其中a0是晶格常数，并且Es621是表面扩散的活化能。对于Edes631的低值和/或Es621的高值，吸附原子将在解吸前扩散较短的距离，因此不太可能附着在生长的核上或与另一个吸附原子或吸附原子簇相互作用。
在膜形成的初始阶段，吸附的吸附原子可能相互作用形成簇，其中每单位面积的簇的临界浓度由下式得出：
其中Ei是将含有i个吸附原子的临界簇解离成单独的吸附原子所涉及的能量，n0是吸附位点的总密度，并且N1是由下式得出的单体密度：
其中是蒸气撞击速率。通常i将取决于所沉积材料的晶体结构，并且将确定形成稳定核的临界簇大小。
生长簇的临界单体供应速率由蒸气撞击速率和吸附原子在解吸前可以扩散的平均面积得出：
因此，临界成核速率由上述等式的组合得出：
从上述等式要注意的是，对于吸附的吸附原子的解吸能低，吸附原子扩散活化能高，处于高温和/或经受蒸气撞击速率的表面，将抑制临界成核速率。
如缺陷、壁架或阶跃边缘等衬底异质性的位点可能会增加Edes631，从而导致在这些位点观察到更高的核密度。同样，表面上的杂质或污染也可能增加Edes631，导致更高的核密度。对于在高真空条件下进行的气相沉积工艺，表面上污染物的类型和密度受真空压力和构成所述压力的残余气体组分的影响。
在高真空条件下，撞击在表面上的分子通量(每平方厘米-秒)由下式得出：
其中P是压力，并且M是分子量。因此，在气相沉积期间，较高的如H2O等反应性气体分压可以导致表面上较高的污染密度，导致Edes631的增加，从而导致较高的核密度。
在一些非限制性实例中，表面上材料的量的一种量度是这种材料对表面的覆盖百分比。在一些非限制性实例中，可以使用多种成像技术评估表面覆盖率，包含但不限于透射电子显微镜(TEM)、原子力显微镜(AFM)和/或扫描电子显微镜(SEM)。
在一些非限制性实例中，表面上导电材料的量的一种量度是(光)透射率，因为在一些非限制性实例中，包含但不限于金属(包含但不限于银(Ag)、镁(Mg)和/或镱(Yb)的导电材料使光子衰减和/或吸收光子。
因此，在一些非限制性实例中，如果与参考材料的透射率相比，穿过材料的透射率大于90％、大于92％、大于95％和/或大于98％，则可以认为该材料的表面基本上缺乏导电材料，所述参考材料在一些非限制性实例中在电磁光谱的可见部分中具有类似此类材料的组成和尺寸。
在本公开中，出于说明的简单性目的，省略了沉积材料的细节，包含但不限于层的厚度分布和/或边缘轮廓。本文讨论了在NIC 810与导电涂层830之间的界面处的各种可能的边缘轮廓。
衬底
在一些实例中，衬底110可以包括基础衬底112。在一些实例中，基础衬底112可以由适合其使用的材料形成，包含但不限于无机材料，包含但不限于硅(Si)、玻璃、金属(包含但不限于金属箔)、蓝宝石和/或其它无机材料和/或有机材料，包含但不限于聚合物，包含但不限于聚酰亚胺和/或硅基聚合物。在一些实例中，基础衬底112可以是刚性的或柔性的。在一些实例中，衬底112可以由至少一个平坦表面限定。衬底110具有至少一个表面，所述表面支撑装置100的其余前平面10组件，包含但不限于第一电极120、至少一个半导电层130和/或第二电极140。
在一些非限制性实例中，此类表面可以是有机表面和/或无机表面。
在一些实例中，除了基础衬底112之外，衬底110还可以包括支撑在基础衬底112的暴露层表面111上的一个或多个另外的有机和/或无机层(本文未示出也未具体描述)。
在一些非限制性实例中，此类另外的层可以包括和/或形成一个或多个有机层，所述有机层可以包括、替换和/或补充所述至少一个半导电层130中的一层或多层。
在一些非限制性实例中，此类另外的层可以包括一个或多个无机层，所述无机层可以包括和/或形成一个或多个电极，在一些非限制性实例中，所述电极可以包括、替换和/或补充第一电极120和/或第二电极140。
在一些非限制性实例中，此类另外的层可以包括和/或由半导体材料的背板层20(图2)形成和/或作为背板层。在一些非限制性实例中，背板层20含有用于驱动装置100的电源电路系统和/或开关元件，包含但不限于，可以通过光刻工艺形成的电子TFT结构和/或其组件200(图2)，所述工艺可以不在低压(包含但不限于真空)环境下提供和/或可以在引入低压环境之前提供。
在本公开中，半导体材料可以被描述为通常展现出带隙的材料。在一些非限制性实例中，带隙可以形成在半导体材料的最高占据分子轨道(HOMO)与最低未占据分子轨道(LUMO)之间。因此，半导体材料通常展现出小于导电材料(包含但不限于金属)的导电率，但大于绝缘材料(包含但不限于玻璃)的导电率。在一些非限制性实例中，半导体材料可以包括有机半导体材料。在一些非限制性实例中，半导体材料可以包括无机半导体材料。
背板和其中体现的TFT结构
图2是装置100的衬底110的实例的简化横截面视图，所述衬底包含其背板层20。在一些非限制性实例中，衬底110的背板20可以包括一个或多个电子和/或光电子组件，所述组件包含但不限于晶体管、电阻器和/或电容器，如它们可以支持装置100作为有源矩阵和/或无源矩阵装置。在一些非限制性实例中，此类结构可以是薄膜晶体管(TFT)结构，如200处所示。在一些非限制性实例中，TFT结构200可以使用有机和/或无机材料制造以形成各种层210、220、230、240、250、270、270、280和/或衬底110的背板层20在基础衬底112上方的多个部分。在图2中，所示出的TFT结构200为顶栅TFT。在一些非限制性实例中，可以采用TFT技术和/或结构，包含但不限于层210、220、230、240、250、270、270、280中的一个或多个层，以实施包含但不限于电阻器和/或电容器的非晶体管组件。
在一些非限制性实例中，背板20可以包括沉积在基础衬底112的暴露层表面111上以支持TFT结构200的组件的缓冲层210。在一些非限制性实例中，TFT结构200可以包括半导体有源区域220、栅极绝缘层230、TFT栅极电极240、层间绝缘层250、TFT源电极260、TFT漏电极270和/或TFT绝缘层280。在一些非限制性实例中，半导体有源区域220形成在缓冲层210的一部分之上，并且栅极绝缘层230被沉积以基本上覆盖半导体有源区域220。在一些非限制性实例中，栅极电极240形成在栅极绝缘层230的顶部上并且层间绝缘层250沉积在其上。TFT源电极270和TFT漏电极270形成为使得它们延伸穿过通过层间绝缘层250和栅绝缘层230两者形成的开口，使得它们电耦接到半导体有源区域220。然后在TFT结构200之上形成TFT绝缘层280。
在一些非限制性实例中，背板20的层210、220、230、240、250、270、270、280中的一个或多个层可以使用光刻法来图案化，所述光刻法使用光掩模来将覆盖底层装置层的光刻胶的选择性部分暴露于UV光。根据所使用的光刻胶的类型，然后可以去除光掩模的暴露或未暴露部分以显露底层装置层的期望部分。在一些实例中，光刻胶是正性光刻胶，其中其暴露于UV光的选择性部分此后基本上不可去除，而未如此暴露的其余部分此后基本上可去除。在一些非限制性实例中，光刻胶是负性光刻胶，其中其暴露于UV光的选择性部分此后基本上可去除，而未如此暴露的其余部分此后基本上不可去除。因此可以将图案化表面蚀刻(包含但不限于化学和/或物理上)和/或洗掉和/或洗去以有效去除此类层210、220、230、240、250、260、270、280的暴露部分。
进一步地，虽然图2中示出了顶栅TFT结构200，但相关领域的普通技术人员应当理解，在不脱离本公开的范围的情况下，可以在背板20中形成包含但不限于底栅TFT结构的其它TFT结构。
在一些非限制性实例中，TFT结构200可以是n型TFT和/或p型TFT。在一些非限制性实例中，TFT结构200可以结合非晶Si(a-Si)、氧化铟镓锌(Zn)(IGZO)和/或低温多晶Si(LTPS)中的任何一种或多种。
第一电极
第一电极120沉积在衬底110之上。在一些非限制性实例中，第一电极120电耦接到电源15的端子和/或地面。在一些非限制性实例中，第一电极120通过至少一个驱动电路300(图3)如此耦接，在一些非限制性实例中，所述驱动电路可以在衬底110的背板20中结合至少一个TFT结构200。
在一些非限制性实例中，第一电极120可以包括阳极341(图3)和/或阴极342(图3)。在一些非限制性实例中，第一电极120是阳极341。
在一些非限制性实例中，第一电极120可以通过使至少一个薄导电膜沉积在衬底110(的一部分)之上来形成。在一些非限制性实例中，可以存在多个第一电极120，所述多个第一电极以空间布置方式安置在衬底110的横向方面之上。在一些非限制性实例中，此类至少一个第一电极120中的一个或多个第一电极可以沉积在以空间布置方式安置在横向方面中的TFT绝缘层280(的一部分)之上。如果是这样，在一些非限制性实例中，此类至少一个第一电极120中的至少一个电极可以延伸穿过对应的TFT绝缘层280的开口，如图4所示，以电耦接到背板20中的TFT结构200的电极240、260、270。在图4中，所述至少一个第一电极120的一部分被示出为耦接到TFT漏电极270。
在一些非限制性实例中，所述至少一个第一电极120和/或其至少一个薄膜可以包括各种材料，包含但不限于一种或多种金属材料，包含但不限于Mg、铝(Al)、钙(Ca)、Zn、Ag、镉(Cd)、钡(Ba)和/或Yb和/或其中任何两个或更多个的组合，包含但不限于含有此类材料中的任何材料的合金、一种或多种金属氧化物，包含但不限于透明导电氧化物(TCO)，包含但不限于三元组合物，如但不限于氧化氟锡(FTO)、氧化铟锌(IZO)和/或氧化铟锡(ITO)和/或其中任何两个或更多个的组合和/或不同比例的组合和/或其中任何两个或更多个在至少一层中的组合，其中的任何一个或多个可以是但不限于薄膜。
在一些非限制性实例中，可以使用多种技术选择性地沉积、沉积和/或处理包括第一电极120的薄导电膜，所述技术包含但不限于蒸发(包含但不限于热蒸发和/或电子束蒸发)、光刻法、打印(包含但不限于喷墨和/或蒸气喷射打印、卷到卷打印和/或微接触转移打印)、PVD(包含但不限于溅射)、CVD(包含但不限于PECVD和/或OVPD)、激光退火、LITI图案化、ALD、涂覆(包含但不限于旋涂、浸涂、线涂和/或喷涂)和/或其中任何两个或更多个的组合。
第二电极
第二电极140沉积在至少一个半导电层130上。在一些非限制性实例中，第二电极140电耦接到电源15的端子和/或地面。在一些非限制性实例中，第二电极140通过至少一个驱动电路300如此耦接，在一些非限制性实例中，所述驱动电路可以在衬底110的背板20中结合至少一个TFT结构200。
在一些非限制性实例中，第二电极140可以包括阳极341和/或阴极342。在一些非限制性实例中，第二电极130是阴极342。
在一些非限制性实例中，第二电极140可以通过在至少一个半导电层130(的一部分)之上沉积导电涂层830(在一些非限制性实例中，作为至少一个薄膜)来形成。在一些非限制性实例中，可以有多个第二电极140，所述第二电极以空间布置方式安置在至少一个半导电层130的横向方面之上。
在一些非限制性实例中，薄层电阻是组件、层和/或部件的特性，所述特性可以改变通过此类组件、层和/或部件的电流的特性。在一些非限制性实例中，第二电极140的薄层电阻R1通常可以对应于与装置100的其它组件、层和/或部件隔离测量的第二电极140的薄层电阻。在一些非限制性实例中，第二电极140可以形成为薄膜。因此，在一些非限制性实例中，可以基于此类薄膜的组成、厚度和/或形态来确定和/或计算第二电极140的薄层电阻R1。在一些非限制性实例中，薄层电阻R1可以为约为0.1-1,000Ω/sqr、约1-100Ω/sqr、约2-50Ω/sqr、约3-30Ω/sqr、约4-20Ω/sqr、约5-15Ω/sqr和/或约10-12Ω/sqr。
在一些非限制性实例中，第二电极140可以包含第二电极材料。
在一些非限制性实例中，金属的键离解能可以对应于在298K下从由金属的两个相同原子形成的双原子分子的键的断裂测量的标准态焓变。作为非限制性实例，可以基于已知文献确定键离解能，所述已知文献包含但不限于Luo,Yu-ran,“Bond dissociationenergies(键离解能)”(2010)。在一些非限制性实例中，第二电极材料可以包括键离解能为以下的金属：至少10kJ/mol、至少50kJ/mol、至少100kJ/mol、至少150kJ/mol、至少180kJ/mol和/或至少200kJ/mol。
在一些非限制性实例中，第二电极材料可以包括电负性小于约1.4、约1.3和/或约1.2的金属。
在一些非限制性实例中，第二电极材料可以包括选自以下的元素：钾(K)、钠(Na)、锂(Li)、钡(Ba)、铯(Cs)、镱(Yb)、银(Ag)、金(Au)、铜(Cu)、铝(Al)、镁(Mg)、锌(Zn)、镉(Cd)、锡(Sn)、镍(Ni)、钛(Ti)、钯(Pd)、铬(Cr)、铁(Fe)、钴(Co)、锆(Zr)、铂(Pt)、钒(V)、铌(Nb)、铱(Ir)、锇(Os)、钽(Ta)、钼(Mo)和/或钨(W)。在一些非限制性实例中，所述元素可以包括Cu、Ag和/或Au。在一些非限制性实例中，所述元素可以是Cu。在一些非限制性实例中，所述元素可以是Al。在一些非限制性实例中，所述元素可以包括Mg、Zn、Cd和/或Yb。在一些非限制性实例中，所述元素可以包括Sn、Ni、Ti、Pd、Cr、Fe和/或Co。在一些非限制性实例中，元素可以包括Zr、Pt、V、Nb、Ir和/或Os。在一些非限制性实例中，所述元素可以包括Ta、Mo和/或W。在一些非限制性实例中，元素可以包括Mg、Ag、Al、Yb和/或Li。在一些非限制性实例中，所述元素可以包括Mg、Ag和/或Yb。在一些非限制性实例中，所述元素可以包括Mg和/或Ag。在一些非限制性实例中，所述元素可以是Ag。
在一些非限制性实例中，第二电极材料可以包括纯金属。在一些非限制性实例中，第二电极材料是纯金属。在一些非限制性实例中，第二电极材料是纯Ag或基本上纯的Ag。在一些非限制性实例中，第二电极材料是纯Mg或基本上纯的Mg。在一些非限制性实例中，第二电极材料是纯Al或基本上纯的Al。
在一些非限制性实例中，第二电极材料可以包括合金。在一些非限制性实例中，合金可以是含Ag的合金和/或含AgMg的合金。
在一些非限制性实例中，第二电极材料可以包括代替Ag和/或与Ag组合的其它金属。在一些非限制性实例中，第二电极材料可以包括Ag与至少一种其它金属的合金。在一些非限制性实例中，第二电极材料可以包括Ag与Mg和/或Yb的合金。在一些非限制性实例中，这种合金可以是二元合金，所述二元合金的组成为约5体积％的Ag到约95体积％的Ag，其余部分为其它金属。在一些非限制性实例中，第二电极材料包括Ag和Mg。在一些非限制性实例中，第二电极材料包括Ag:Mg合金，按体积计，所述合金的组成为约1:10到约10:1。在一些非限制性实例中，第二电极材料包括Ag和Yb。在一些非限制性实例中，第二电极材料包括Yb:Ag合金，按体积计，所述合金的组成为约1:20到约1-10:1。在一些非限制性实例中，第二电极材料包括Mg和Yb。在一些非限制性实例中，第二电极材料包含Mg:Yb合金。在一些非限制性实例中，第二电极材料包括Ag、Mg和Yb。在一些非限制性实例中，第二电极材料包括Ag:Mg:Yb合金。
在一些非限制性实例中，第二电极材料可以包括氧(O)。在一些非限制性实例中，第二电极材料可以包括至少一种金属和O。在一些非限制性实例中，第二电极材料可以包括金属氧化物。在一些非限制性实例中，金属氧化物包括锌、铟(I)、锡(Sn)、锑(Sb)和/或镓(Ga)。在一些非限制性实例中，金属氧化物可以是透明导电氧化物(TCO)。在一些非限制性实例中，TCO可以包括氧化铟、氧化锡、氧化锑和/或氧化镓。在一些非限制性实例中，TCO可以包括氧化铟钛(ITO)、ZnO、氧化铟锌(IZO)和/或氧化铟镓锌(IGZO)。在一些非限制性实例中，TCO可以与其它元素电掺杂。
在一些非限制性实例中，第二电极140可以由金属和/或金属合金形成。
在一些非限制性实例中，第二电极140可以包括至少一种金属或金属合金以及至少一种金属氧化物。
在一些非限制性实例中，第二电极140可以包括多个第二电极材料的层。在一些非限制性实例中，多个层中的第一层的第二电极材料可能不同于多个层中的第二层的第二电极材料。在一些非限制性实例中，多个层中的第一层的第二电极材料可以包括金属，并且多个层中的第二层的第二电极材料可以包括金属氧化物。
在一些非限制性实例中，多个层中的至少一层的第二电极材料可以包括Yb。在一些非限制性实例中，多个层之一的第二电极材料可以包括含Ag的合金和/或含AgMg的合金和/或纯Ag、基本上纯的Ag、纯Mg和/或基本上纯的Mg。在一些非限制性实例中，第二电极140是双层Yb/AgMg涂层。
在一些非限制性实例中，靠近NIC 810(最顶部)的多个层中的第一层可以包括选自以下的元素：Ag、Au、Cu、Al、Sn、Ni、Ti、Pd、Cr、Fe、Co、Zr、Pt、V、Nb、Ir、Os、Ta、Mo和/或W。在一些非限制性实例中，元素可以包括Cu、Ag和/或Au。在一些非限制性实例中，所述元素可以是Cu。在一些非限制性实例中，所述元素可以是Al。在一些非限制性实例中，所述元素可以包括Sn、Ti、Pd、Cr、Fe和/或Co。在一些非限制性实例中，元素可以包括Ni、Zr、Pt、V、Nb、Ir和/或Os。在一些非限制性实例中，所述元素可以包括Ta、Mo和/或W。在一些非限制性实例中，元素可以包括Mg、Ag和/或Al。在一些非限制性实例中，所述元素可以包括Mg和/或Ag。在一些非限制性实例中，所述元素可以是Ag。
在一些非限制性实例中，第二电极140可以包括至少一个另外的元素。在一些非限制性实例中，此类另外的元素可以是非金属元素。在一些非限制性实例中，非金属材料可以是氧(O)、硫(S)、氮(N)和/或碳C。相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，由于源材料、用于沉积的设备和/或真空室环境中存在此类另外的元素，因此此类另外的元素可以作为污染物并入到第二电极140中。在一些非限制性实例中，此类另外的元素的浓度可以限制为低于阈值浓度。在一些非限制性实例中，此类另外的元素可以与第二电极140的其它元素一起形成化合物。在一些非限制性实例中，导电涂层材料中的非金属元素的浓度可以小于约1％、约0.1％、约0.001％、约0.0001％、约0.00001％、约0.000001％和/或约0.0000001％。在一些非限制性实例中，导电涂层830具有其中O和C的组合量小于约10％、约5％、约1％、约0.1％、约0.001％、约0.0001％、约0.00001％、约0.000001％和/或约0.0000001％的组合物。在一些非限制性实例中，第二电极140可以包括封闭涂层4530。在一些非限制性实例中，第二电极140可以包括不连续涂层1050。
在一些非限制性实例中，第二电极140可以安置成可以由其中的至少一个区域定义的图案，所述区域基本上缺乏第一部分115中的第一层表面上的第二电极140的封闭涂层4530。在一些非限制性实例中，至少一个区域在其上安置有金属图案NIC 810。在一些非限制性实例中，至少一个区域可以将第二电极140分离成其多个离散片段。在一些非限制性实例中，第二电极140的此类多个离散片段中的至少两个离散片段可以电耦接。在一些非限制性实例中，第二电极140的此类多个离散片段中的至少两个离散片段可以各自电耦接到公共导电层或涂层，包含但不限于导电涂层830，以允许电流在其之间流动。在一些非限制性实例中，第二电极140的此类多个离散片段中的至少两个离散片段可以彼此电绝缘。
在一些非限制性实例中，可以使用多种技术选择性地施涂、沉积和/或处理包括第二电极140的薄导电膜，所述技术包含但不限于蒸发(包含但不限于热蒸发和/或电子束蒸发)、光刻法、打印(包含但不限于喷墨和/或蒸气喷射打印、卷到卷打印和/或微接触转移打印)、PVD(包含但不限于溅射)、CVD(包含但不限于PECVD和/或OVPD)、激光退火、LITI图案化、ALD、涂覆(包含但不限于旋涂、浸涂、线涂和/或喷涂)和/或其中任何两个或更多个的组合。
为了描述的简单起见，在本公开中，单个层中的多个元素的组合通过用冒号“:”分隔两个这样的元素来表示，而包括多层涂层中的多个层多个元素(的组合)通过用斜线“/”分隔两个这样的层来表示。在一些非限制性实例中，斜线之后的层可以沉积在斜线之前的层上。
在一些非限制性实例中，对于Mg:Ag合金，按体积计，这种合金组成的范围可以为约1:10到约10:1。
在一些非限制性实例中，可以使用开放式掩模和/或无掩模沉积工艺来执行第二电极140的沉积。
驱动电路
在本公开中，仅为了描述的简单起见，可以在本文中引用子像素2641-2643(图26)的概念，作为子像素264x。同样地，在本公开中，像素340(图3)的概念可以结合其至少一个子像素264x的概念来进行讨论。仅为了描述的简单起见，这种复合概念在本文中被称为“(子)像素340/264x”，并且该术语被理解为暗示像素340和/或其至少一个子像素264x中的一个或两个，除非上下文另有说明。
图3是如可由背板20中所示出的TFT结构200中的一个或多个提供的示例驱动电路的电路图。在所示出的实例中，总体上以300示出的电路用于有源矩阵OLED(AMOLED)装置100(和/或其(子)像素340/264x)的示例驱动电路，以用于向第一电极120和第二电极140供应电流，并且控制来自装置100(和/或(子)像素340/264x)的光子发射。所示出的电路300结合多个p型顶栅薄膜TFT结构200，但电路300同样可以结合一个或多个p型底栅TFT结构200、一个或多个n型顶栅TFT结构200、一个或多个n型底栅TFT结构200、一个或多个其它TFT结构200和/或其任何组合，无论是否形成为一个或多个薄膜层。在一些非限制性实例中，电路300包括开关TFT 310、驱动TFT 320和存储电容器330。
OLED显示器100的(子)像素340/264x由二极管340表示。开关TFT 310的源极311耦接到数据(或者，在一些非限制性实例中，列选择)线30。开关TFT 310的栅极312耦接到栅极(或者，在一些非限制性实例中，行选择)线31。开关TFT 310的漏极313耦接到驱动TFT 320的栅极322。
驱动TFT 320的源极321耦接到电源15的正极(或负极)端子。电源15的(正极)端子由电源线(VDD)32表示。
驱动TFT 320的漏极323被耦接到二极管340(表示OLED显示器100的(子)像素340/264x)的阳极341(在一些非限制性实例中，其可以是第一电极120)，使得驱动TFT 320和二极管340(和/或OLED显示器100的(子)像素340/264x)串联耦接在电源线(VDD)32与地面之间。
二极管340(表示OLED显示器100的(子)像素340/264x)的阴极342(在一些非限制性实例中，其可以是第二电极140)在电路300中表示为电阻器350。
存储电容器330在其相应的末端处耦接到驱动TFT 320的源极321和栅极322。驱动TFT 320根据存储在存储电容器330中的电荷的电压调节流过二极管340(表示OLED显示器100的(子)像素340/264x)的电流，使得二极管340输出期望的亮度。存储电容器330的电压由开关TFT 310设置，将其耦接到数据线30。
在一些非限制性实例中，提供补偿电路370以补偿晶体管性质在制造工艺期间与差异的任何偏差和/或开关TFT 310和/或驱动TFT 320随时间的退化。
半导电层
在一些非限制性实例中，至少一个半导电层130可以包括多个层131、133、135、137、139，在一些非限制性实例中，这些层中的任何层可以以薄膜的形式、以堆叠配置的形式安置，所述层可以包含但不限于空穴注入层(HIL)131、空穴传输层(HTL)133、发射层(EML)135、电子传输层(ETL)137和/或电子注入层(EIL)139中的任何一种或多种。在本公开中，术语“半导电层”可以与“有机层”互换使用，因为OLED装置100中的层131、133、135、137、139可以在一些非限制性实例中可以包括有机半导电材料。
在一些非限制性实例中，至少一个半导电层130可以形成包括多个EML 135的“串联”结构。在一些非限制性实例中，这种串联结构还可以包括至少一个电荷产生层(CGL)。
在一些非限制性实例中，可以使用多种技术选择性地施涂、沉积和/或处理在构成至少一个半导电层130的堆叠中包括层131、133、135、137、139的薄膜，所述技术包含但不限于蒸发(包含但不限于热蒸发和/或电子束蒸发)、光刻法、打印(包含但不限于喷墨和/或蒸气喷射打印、卷到卷打印和/或微接触转移打印)、PVD(包含但不限于溅射)、CVD(包含但不限于PECVD和/或OVPD)、激光退火、LITI图案化、ALD、涂覆(包含但不限于旋涂、浸涂、线涂和/或喷涂)和/或其中任何两个或更多个的组合。
相关领域的普通技术人员将容易理解，可以通过省略和/或组合半导体层131、133、135、137、139中的一个或多个半导体层来改变装置100的结构。
进一步地，至少一个半导电层130的层131、133、135、137、139中的任何一个层可以包括任何数量的子层。仍进一步地，此类层131、133、135、137、139和/或其子层中的任何一个可以包括各种混合物和/或组成梯度。另外，相关领域的普通技术人员应当理解，装置100可以包括含有无机和/或有机金属材料的一层或多层，并且不必限于仅由有机材料构成的装置。作为非限制性实例，装置100可以包括一个或多个量子点。
在一些非限制性实例中，HIL 131可以使用空穴注入材料形成，所述空穴注入材料可以促进通过阳极341注入空穴。
在一些非限制性实例中，HTL 133可以使用空穴传输材料形成，在一些非限制性实例中，所述空穴传输材料可以展现出高空穴迁移率。
在一些非限制性实例中，ETL 137可以使用电子传输材料形成，在一些非限制性实例中，所述空穴传输材料可以展现出高电子迁移率。
在一些非限制性实例中，EIL 139可以使用电子注入材料形成，所述电子注入材料可以促进通过阴极342注入电子。
在一些非限制性实例中，作为非限制性实例，可以通过使主体材料掺杂有至少一种发射体材料来形成EML 135。在一些非限制性实例中，发射体材料可以是荧光发射体、磷光发射体、热活化延迟荧光(TADF)发射体和/或这些的多个任何组合。
在一些非限制性实例中，装置100可以是OLED，其中至少一个半导电层130包括至少插入在导电薄膜电极120、140之间的EML 135，由此，当跨所述电极施加电势差时，空穴通过阳极341注入至少一个半导电层130中，而电子通过阴极342注入至少一个半导电层130中。
注入的空穴和电子趋于迁移通过各种层131、133、135、137、139直到它们到达并彼此相遇。当空穴和电子非常接近时，由于库仑力(Coulomb force)，它们趋于相互吸引，并且在一些实例中，它们可以组合形成称为激子的束缚态电子-空穴对。尤其是在EML 135中形成激子的情况下，激子可以通过辐射复合工艺衰变，在所述辐射复合工艺中会发射光子。辐射复合工艺的类型可以取决于激子的自旋态。在一些实例中，激子可以表征为具有单重态或三重态自旋态。在一些非限制性实例中，单重态激子的辐射衰减可以导致荧光。在一些非限制性实例中，三重态激子的辐射衰减可以导致磷光。
最近，已经提出并研究了用于OLED的其它光子发射机制，包含但不限于TADF。在一些非限制性实例中，TADF发射是通过三重态激子借助热能通过逆系统间交叉工艺转换为单一激子，然后单重态激子辐射衰减而发生的。
在一些非限制性实例中，激子可以通过非辐射工艺衰变，在所述非辐射工艺中光子不会被释放，这在EML 135中未形成激子的情况下尤其如此。
在本公开中，术语OLED装置100的“内量子效率”(IQE)是指装置100中产生的通过辐射复合工艺衰减并且发射光子的所有电子-空穴对的比例。
在本公开中，OLED装置100的术语“外量子效率”(EQE)是指递送到装置100的电荷载流子相对于装置100发射的光子数量的比例。在一些非限制性实例中，EQE为100％指示对注入装置100的每个电子发射一个光子。
相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，装置100的EQE可以显著低于相同装置100的IQE。在一些非限制性实例中，给定装置100的EQE与IQE之间的差异可以归因于多种因素，包含但不限于由装置100的各种组件引起的光子的吸收和反射。
在一些非限制性实例中，装置100可以是电致发光量子点装置，其中至少一个半导电层130包括有源层，所述有源层包括至少一个量子点。当电源15向第一电极120和第二电极140提供电流时，光子从在它们之间包括至少一个半导电层130的有源层发射。
相关领域的普通技术人员应当容易理解，装置100的结构可以通过在至少一个半导电层130堆叠内的适当位置处引入一个或多个另外的层(未示出)而改变，包含但不限于空穴阻挡层(未示出)、电子阻挡层(未示出)、另外的电荷传输层(未示出)和/或另外的电荷注入层(未示出)。
阻隔涂层
在一些非限制性实例中，可以提供阻隔涂层1650以围绕和/或封装装置100的第一电极120、第二电极140和至少一个半导电层130和/或安置在其上的衬底110的各个层。
在一些非限制性实例中，可以提供阻隔涂层1650以抑制装置100的各个层120、130、140(包含至少一个半导电层130和/或阴极342)暴露于湿气和/或环境空气，因为这些层120、130、140可能易于氧化。
在一些非限制性实例中，将阻隔涂层1650施加到高度不均匀的表面可以增加阻隔涂层1650对这种表面的不良粘附的可能性。
在一些非限制性实例中，阻隔涂层1650的缺失和/或施涂不当的阻隔涂层1650可能导致和/或促成装置100的缺陷和/或部分和/或全部故障。在一些非限制性实例中，施涂不当的阻隔涂层1650可能会降低阻隔涂层1650对装置100的粘附。在一些非限制性实例中，阻隔涂层1650的不良粘附可能增加阻隔涂层1650整体或部分从装置100上剥落的可能性，尤其是如果装置100弯曲和/或挠曲。在一些非限制性实例中，施涂不当的阻隔涂层1650可能允许在阻隔涂层1650的施涂期间在阻隔涂层1650与施涂阻隔涂层1650的装置100的底层表面之间捕获气穴。
在一些非限制性实例中，阻隔涂层1650可以是薄膜封装(TFE)层2050(图20B)并且可以使用多种技术选择性地施涂、沉积和/或处理，所述技术包含但不限于蒸发(包含但不限于热蒸发和/或电子束蒸发)、光刻法、打印(包含但不限于喷墨和/或蒸气喷射打印、卷到卷打印和/或微接触转移打印)、PVD(包含但不限于溅射)、CVD(包含但不限于PECVD和/或OVPD)、激光退火、LITI图案化、ALD、涂覆(包含但不限于旋涂、浸涂、线涂和/或喷涂)和/或其中任何两个或更多个的组合。
在一些非限制性实例中，可以通过将预先形成的屏障膜层压到装置100上来提供阻隔涂层1650。在一些非限制性实例中，阻隔涂层1650可以包括多层涂层，所述多层涂层包括有机材料、无机材料和/或其任何组合中的至少一种。在一些非限制性实例中，阻隔涂层1550可以进一步包括吸气材料和/或干燥剂。
横向方面
在一些非限制性实例中，包含在OLED装置100包括照明面板的情况下，装置100的整个横向方面可以对应于单个照明元件。因此，图1中所示出的基本上平坦的横截面轮廓可以基本上沿着装置100的整个横向方面延伸，使得光子基本上沿着其整个横向范围从装置100发射。在一些非限制性实例中，此类单个照明元件可以由装置100的单个驱动电路300驱动。
在一些非限制性实例中，包含在OLED装置100包括显示模块的情况下，装置100的横向方面可以细分为装置100的多个发射区域1910，其中在不限于图1所示出的发射区域1910中的每个发射区域内装置结构100的横截面方面当被激励时，导致从其发射光子。
发射区域
在一些非限制性实例中，装置100的各个发射区域1910可以按横向图案布置。在一些非限制性实例中，图案可以沿着第一横向方面延伸。在一些非限制性实例中，图案还可以沿着第二横向方向延伸，在一些非限制性实例中，所述第二横向方向可以基本上垂直于第一横向方向。在一些非限制性实例中，图案可以具有此类图案的多个元件，每个元件通过其一个或多个特征表征，包含但不限于，由其发射区域1910发射的光的波长、这种发射区域1910的形状、尺寸(沿着第一和/或第二横向方向中的一个或两个)、朝向(相对于第一和/或第二横向方向中的一个和/或两个)和/或与图案中的先前元件的间隔(相对于第一和/或第二横向方向中的一个或两个)。在一些非限制性实例中，图案可以在第一和/或第二横向方向中的一个或两个上重复。
在一些非限制性实例中，装置100的每个单独的发射区域1910与装置100的背板20内的对应驱动电路300相关联并由其驱动，其中二极管340对应于相关联的发射区域1910的OLED结构。在一些非限制性实例中，包含但不限于，其中发射区域1910按在第一(行)横向方向和第二(列)横向方向两者上延伸的规则图案布置，背板20中可以有信号线30、31，所述信号线可以是栅极线(或行选择)线31，其对应于在第一横向方向上延伸的发射区域1910的每行，以及信号线30、31，所述信号线在一些非限制性实例中可以是数据(或列选择)线30，其对应于在第二横向方向上延伸的发射区域1910的每列。在此类非限制性配置中，行选择线31上的信号可以激励与其电耦接的开关TFT 310的相应栅极312，并且数据线30上的信号可以激励与其电耦接的开关TFT 310的相应源极，使得行选择线31/数据线30对上的信号将通过电源15的正极端子(由电源线VDD 32表示)电耦接并激励与该对相关联的发射区域1910的OLED结构的阳极341，从而导致光子从其发射，其阴极342电耦接到电源15的负极端子。
在一些非限制性实例中，装置100的每个发射区域1910对应于单个显示像素340。在一些非限制性实例中，每个像素340发射给定波长光谱的光。在一些非限制性实例中，波长光谱对应于但不限于可见光谱中的颜色。
在一些非限制性实例中，装置100的每个发射区域1910对应于显示像素340的子像素264x。在一些非限制性实例中，多个子像素264x可以组合以形成或表示单个显示像素340。
在一些非限制性实例中，单个显示像素340可以由三个子像素2641-2643表示。在一些非限制性实例中，三个子像素2641-2643可以分别表示为R(ed)子像素2641、G(reen)子像素2642和/或B(lue)子像素2643。在一些非限制性实例中，单个显示像素340可以由四个子像素264x表示，其中此类子像素264x中的三个子像素可以表示为R、G和B子像素2641-2643，并且第四子像素264x可以表示为W(hite)子像素264x。在一些非限制性实例中，由给定子像素264x发射的光的发射光谱对应于通过其表示子像素264x的颜色。在一些非限制性实例中，光的波长不对应于此类颜色，但是以相关领域的普通技术人员显而易见的方式执行进一步处理以将波长变换为这样对应的波长。
由于不同颜色的子像素264x的波长可能不同，因此此类子像素264x的光学特性可能不同，尤其是如果对不同颜色的子像素264x采用具有基本上均匀厚度分布的公共电极120、140。
当在装置100中提供具有基本均匀厚度的公共电极120、140作为第二电极140时，装置100的光学性能可能不容易根据与每个(子)像素340/264x相关联的发射光谱进行微调。在一些非限制性实例中，在此类OLED装置100中使用的第二电极140可以是涂覆多个(子)像素340/264x的公共电极120、140。作为非限制性实例，这种公共电极120、140可以是相对薄的导电膜，其在整个装置100上具有基本均匀的厚度。尽管在一些非限制性实例中已经努力通过改变安置在不同(子)像素340/264x内的有机层的厚度来调节与每个(子)像素340/264x颜色相关的光学微腔效应，但在一些非限制性实例中，这种方法在至少一些情况下可能提供显著程度的光学微腔效应的调节。另外，在一些非限制性实例中，这种方法可能难以在OLED显示器生产环境中实施。
因此，由许多具有不同折射率的薄膜层和涂层产生的光学界面的存在，如在一些非限制性实例中可以用于构建包含但不限于OLED装置100的光电子装置，可以产生不同的不同颜色的子像素264x的光学微腔效应。
可能影响在装置100中观察到的微腔效应的一些因素包含但不限于总路径长度(在一些非限制性实例中，其可以对应于装置100的总厚度，从其发射的光子在被耦出之前将穿过所述装置)以及各种层和涂层的折射率。
在一些非限制性实例中，在(子)像素340/264x的发射区域1910的横向方面410中和跨所述横向方面调制电极120、140的厚度可以影响可观察到的微腔效应。在一些非限制性实例中，这种影响可以归因于总光路长度的变化。
在一些非限制性实例中，这可以具体是电极120、140由至少一个导电涂层830形成的情况。在一些非限制性实例中，总光路长度以及伴随的可观察到的光学微腔效应也可以通过任何层的厚度的变化来调制，包含但不限于安置在给定发射区域1910中的NIC 810、NPC 1120和/或覆盖层(CPL)3610(图36A)。
在一些非限制性实例中，装置100的光学性质和/或在一些非限制性实例中，跨可以通过调制至少一种光学微腔效应而改变的(子)像素340/264x的发射区域1910的横向方面410，包含但不限于发射光谱、强度(包含但不限于发光强度)和/或发射光的角度分布，包含但不限于发射光的亮度和/或色移的角度依赖性。
在一些非限制性实例中，子像素264x与第一组其它子像素264x相关联以表示第一显示像素340并且还与第二组其它子像素264x相关联以表示第二显示像素340，使得第一显示像素和第二显示像素340可以具有与其相关联的相同子像素264x。
子像素264x到显示像素340的图案和/或组织继续发展。所有当前和未来的图案和/或组织都被认为落入本公开的范围内。
非发射区域
在一些非限制性实例中，装置100的各个发射区域1910在至少一个横向方向上基本上被一个或多个非发射区域1920围绕和分隔，其中在不限于图1所示出的装置结构100的沿着横截面方面的结构和/或配置是变化的，以基本上抑制从其发射的光子。在一些非限制性实例中，非发射区域1920包括在横向方面基本上缺乏发射区域1910的那些区域。
因此，如图4的横截面视图所示出的，至少一个半导电层130的各个层的横向拓扑结构可以变化以限定被至少一个非发射区域1920围绕(至少在一个横向方向上)的至少一个发射区域1910。
在一些非限制性实例中，对应于单个显示(子)像素340/264x的发射区域1910可以被理解为具有横向方面410，在至少一个横向方向上被具有横向方面420的至少一个非发射区域1920围绕。
现在将描述如应用于对应于OLED显示器100的单个显示(子)像素340/264x的发射区域1910的装置100的横截面方面的实施方案的非限制性实例。虽然此类实施方案的特征被示出为特定于发射区域1910，但是相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，多于一个发射区域1910可以涵盖共同特征。
在一些非限制性实例中，第一电极120可以安置在装置100的暴露层表面111之上，在一些非限制性实例中，在发射区域1910的横向方面410的至少一部分内。在一些非限制性实例中，至少在(子)像素340/264x的发射区域1910的横向方面410内，在沉积第一电极120时，暴露层表面111可以包括构成对应于单个显示(子)像素340/264x的发射区域1910的驱动电路300的各个TFT结构200的TFT绝缘层280。
在一些非限制性实例中，TFT绝缘层280可以形成有穿过其延伸的开口430以允许第一电极120电耦接到TFT电极240、260、270之一，如图4所示，所述电极包含但不限于TFT漏电极270。
相关领域的普通技术人员应当理解，驱动电路300包括多个TFT结构200，包含但不限于开关TFT 310、驱动TFT 320和/或存储电容器330。在图4中，出于说明的简单性目的，仅示出了一个TFT结构200，但是相关领域的普通技术人员应当理解，此类TFT结构200表示包括驱动电路300的此类多个结构。
在横截面方面，在一些非限制性实例中，每个发射区域1910的配置可以通过引入至少一个像素限定层(PDL)440来限定，所述像素限定层基本上贯穿周围非发射区域1920的横向方面420。在一些非限制性实例中，PDL 440可以包括绝缘有机和/或无机材料。
在一些非限制性实例中，PDL 440基本上沉积在TFT绝缘层280之上，但是如图所示，在一些非限制性实例中，PDL 440还可以在沉积的第一电极120的至少一部分和/或其外边缘之上延伸。
在一些非限制性实例中，如图4所示，PDL 440的横截面厚度和/或轮廓可以通过沿着周围非发射区域1920的横向方面420与对应于(子)像素340/264x的周围发射区域1910的横向方面410的边界厚度增加的区域，将基本上谷形的配置赋予每个(子)像素340/264x的发射区域1910。
在一些非限制性实例中，PDL 440的轮廓可以具有超过此类谷形配置的减小的厚度，包含但不限于远离周围非发射区域1920的横向方面420与被围绕的发射区域1910的横向方面410之间的边界，在一些非限制性实例中，基本上很好地在此类非发射区域1920的横向方面420内。
虽然PDL 440已被大体示出为具有线性倾斜表面以形成谷形配置，所述谷形配置限定由其围绕的发射区域1910，但相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，这种PDL 440的形状、纵横比、厚度、宽度和/或配置中的至少一个可以被改变。作为非限制性实例，PDL 440可以形成有更陡峭或更逐渐倾斜的部分。在一些非限制性实例中，这种PDL 440可以被配置成基本上垂直地远离其所沉积的表面延伸，所述表面覆盖第一电极120的一个或多个边缘。在一些非限制性实例中，这种PDL 440可以被配置成通过溶液处理技术(包含但不限于通过打印，包含但不限于喷墨打印)在其上沉积至少一个半导电层130。
在一些非限制性实例中，至少一个半导电层130可以沉积在装置100的暴露层表面111之上，包含(子)像素340/264x的这种发射区域1910的横向方面410的至少一部分。在一些非限制性实例中，至少在(子)像素340/264x的发射区域1910的横向方面410内，在沉积至少一个半导电层130(和/或其层131、133、135、137、139)时，此类暴露层表面111可以包括第一电极120。
在一些非限制性实例中，至少一个半导电层130也可以延伸超出(子)像素340/264x的发射区域1910的横向方面410并且至少部分地在周围非发射区域1920的横向方面420内。在一些非限制性实例中，在沉积至少一个半导电层130时，此类周围非发射区域1920的此类暴露层表面111可以包括PDL 440。
在一些非限制性实例中，第二电极140可以安置在装置100的暴露层表面111之上，包含(子)像素340/264x的发射区域1910的横向方面410的至少一部分。在一些非限制性实例中，至少在(子)像素340/264x的发射区域1910的横向方面410内，在沉积第二电极130时，此类暴露层表面111可以包括至少一个半导电层130。
在一些非限制性实例中，第二电极140也可以延伸超出(子)像素340/264x的发射区域1910的横向方面410并且至少部分地在周围非发射区域1920的横向方面420内。在一些非限制性实例中，在沉积第二电极140时，此类周围非发射区域1920的此类暴露层表面111可以包括PDL 440。
在一些非限制性实例中，第二电极140可以延伸通过周围非发射区域1920的横向方面420的基本上全部或大部分。
透射率
因为OLED装置100通过第一电极120(在底部发射和/或双面发射装置的情况下)以及衬底110和/或第二电极140(在顶部发射和/或双面发射装置的情况下)中的一个或两个发射光子，因此可能令人期望的是，使第一电极120和/或第二电极140中的一个或两个基本上是光子(或光)透射的(“透射的”)，在一些非限制性实例中，至少跨装置100的发射区域1910的横向方面410的大部分。在本公开中，包含但不限于电极120、140的此类透射元件、形成此类元件的材料和/或其性质可以包括基本上透射的(“透明的”)和/或在一些非限制性实例中部分透射的(“半透明的”)，在一些非限制性实例中在至少一个波长范围内的元件、材料和/或其性质。
已经采用多种机制来赋予装置100透射性质，至少跨其发射区域1910的横向方面410的大部分。
在一些非限制性实例中，包含但不限于在装置100是底部发射装置和/或双面发射装置的情况下，与(子)像素340/264x的发射区域1910相关联的驱动电路300的TFT结构200可以定位在周围非发射区域1920的横向方面420内以避免影响衬底110在发射区域1910的横向方面410内的透射性质，所述TFT结构可以至少部分地降低周围衬底110的透射率。
在一些非限制性实例中，在装置100是双面发射装置的情况下，关于(子)像素340/264x的发射区域1910的横向方面410，可以使电极120、140中的第一个是基本上透射的(包含但不限于，通过本文所公开的机制中的至少一个机制)，关于相邻和/或邻近(子)像素340/264x的横向方面410，可以使电极120、140中的第二个是基本上透射的(包含但不限于，通过本文所公开的机制中的至少一个机制)。因此，(子)像素340/264x的第一发射区域1910的横向方面410可以被制成基本上是顶部发射的，而相邻(子)像素340/264x的第二发射区域1910的横向方面410可以被制成基本上是底部发射的，使得(子)像素340/264x的子集基本上是顶部发射的并且(子)像素340/264x的子集基本上是底部发射的(按交替的(子)像素340/264x序列)，而每个(子)像素340/264x的仅单个电极120、140被制成基本上是透射的。
在一些非限制性实例中，使电极120、140(在底部发射装置和/或双面发射装置的情况下为第一电极120和/或在顶部发射装置和/或双面发射装置的情况下为第二电极140)透射的机制是为了形成具有透射薄膜的此类电极120、140。
在一些非限制性实例中，导电涂层830的薄层电阻R2通常可以对应于与装置100的其它组件、层和/或部件隔离测量的导电涂层380的薄层电阻。在一些非限制性实例中，导电涂层830可以形成为薄膜。因此，在一些非限制性实例中，可以基于此类薄膜的组成、厚度和/或形态来确定和/或计算导电涂层830的薄层电阻R3。在一些非限制性实例中，薄层电阻R3可以小于约10Ω/sqr、小于约5Ω/sqr、小于约1Ω/sqr、小于约0.5Ω/sqr、0.2Ω/sqr和/或小于约0.1Ω/sqr。
在一些非限制性实例中，导电涂层830可以包括导电涂层材料831。
在一些非限制性实例中，导电涂层材料831可以包括导电涂层材料831的键离解能为以下的金属：小于300kJ/mol、小于200kJ/mol、小于165kJ/mol、小于150kJ/mol、小于100kJ/mol、小于50kJ/mol和/或小于20kJ/mol。
在一些非限制性实例中，导电涂层材料831可以包括选自以下的元素：K、Na、Li、Ba、Cs、Yb、Ag、Au、Cu、Al、Mg、Zn、Cd、Sn和/或钇(Y)。在一些非限制性实例中，所述元素可以包括K、Na、Li、Ba、Cs、Tb、Ag、Au、Cu、Al和/或Mg。在一些非限制性实例中，所述元素可以包括Cu、Ag和/或Au。在一些非限制性实例中，所述元素可以是Cu。在一些非限制性实例中，所述元素可以是Al。在一些非限制性实例中，所述元素可以包括Mg、Zn、Cd和/或Yb。在一些非限制性实例中，所述元素可以包括Mg、Ag、Al、Yb和/或Li。在一些非限制性实例中，所述元素可以包括Mg、Ag和/或Yb。在一些非限制性实例中，所述元素可以包括Mg和/或Ag。在一些非限制性实例中，所述元素可以是Ag。
在一些非限制性实例中，导电涂层材料831可以包括纯金属。在一些非限制性实例中，导电涂层830是纯金属。在一些非限制性实例中，导电涂层830是纯Ag或基本上纯的Ag。在一些非限制性实例中，基本上纯的Ag的纯度可以为至少约95％、至少约99％、至少约99.9％、至少约99.99％、至少约99.999％和/或至少约99.9995％。在一些非限制性实例中，导电涂层830是纯Mg或基本上纯的Mg。在一些非限制性实例中，基本上纯的Mg的纯度可以为至少约95％、至少约99％、至少约99.9％、至少约99.99％、至少约99.999％和/或至少约99.9995％。
在一些非限制性实例中，导电涂层830可以包括合金。在一些非限制性实例中，合金可以是含Ag的合金、含Mg的合金和/或含AgMg的合金。在一些非限制性实例中，按体积计，含AgMg的合金的合金组成的范围可以为1:10(Ag:Mg)到约10:1。
在一些非限制性实例中，导电涂层材料831可以包括代替Ag和/或与Ag组合的其它金属。在一些非限制性实例中，导电涂层材料831可以包括Ag与至少一种其它金属的合金。在一些非限制性实例中，导电涂层材料831可以包括Ag与Mg和/或Yb的合金。在一些非限制性实例中，这种合金可以是二元合金，所述二元合金的组成为约5体积％的Ag到约95体积％的Ag，其余部分为其它金属。在一些非限制性实例中，导电涂层材料831包括Ag和Mg。在一些非限制性实例中，导电涂层材料831包括Ag:Mg合金，按体积计，所述合金的组成为约1:10到约10:1。在一些非限制性实例中，导电涂层材料831包括Ag和Yb。在一些非限制性实例中，导电涂层材料831包括Yb:Ag合金，按体积计，所述合金的组成为约1:20到约1-10:1。在一些非限制性实例中，导电涂层材料831包括Mg和Yb。在一些非限制性实例中，导电涂层材料831包括Mg:Yb合金。在一些非限制性实例中，导电涂层材料831包括Ag、Mg和Yb。在一些非限制性实例中，导电涂层材料831包括Ag:Mg:Yb合金。
在一些非限制性实例中，导电涂层830可以包括至少一个另外的元素。在一些非限制性实例中，此类另外的元素可以是非金属元素。在一些非限制性实例中，非金属材料可以是氧(O)、硫(S)、氮(N)和/或碳(C)。相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，由于源材料、用于沉积的设备和/或真空室环境中存在此类另外的元素，因此此类另外的元素可以作为污染物并入到导电涂层830中。在一些非限制性实例中，此类另外的元素的浓度可以限制为低于阈值浓度。在一些非限制性实例中，此类另外的元素可以与导电涂层830的其它元素一起形成化合物。在一些非限制性实例中，导电涂层材料831中的非金属元素的浓度可以小于约1％、约0.1％、约0.001％、约0.0001％、约0.00001％、约0.000001％和/或约0.0000001％。在一些非限制性实例中，导电涂层830具有其中O和C的组合量小于约10％、约5％、约1％、约0.1％、约0.001％、约0.0001％、约0.00001％、约0.000001％和/或约0.0000001％的组合物
现在有点令人惊讶地发现，降低导电涂层830中某些非金属元素的浓度可以促进导电涂层830的选定沉积。在不希望受到任何特定理论约束的情况下，可以假设某些非金属元素，如作为非限制性实例，当存在于导电涂层830的蒸气通量和/或沉积室和/或环境中时，O和/或C可以沉积在NIC 810的表面上以充当导电涂层830的金属元素的成核位点。可以假设，降低可以充当成核位点的此类非金属元素的浓度可能有助于减少沉积在NIC 810的暴露层表面111上的导电涂层材料831的量。
在一些非限制性实例中，导电涂层830和金属涂层138可包括普通金属。在一些非限制性实例中，导电涂层材料831和金属涂层材料具有相同的组成。
在一些非限制性实例中，导电涂层830可以包括导电涂层材料831的多个层。在一些非限制性实例中，多个层中的第一层的导电涂层材料831可以不同于多个层中的第二层的导电涂层材料831。在一些非限制性实例中，导电涂层830可以包括多层涂层。在一些非限制性实例中，此类多层涂层可以包括Yb/Ag、Yb/Mg、Yb/Mg：Ag、Yb/Yb:Ag、Yb/Ag/Mg和/或Yb/Mg/Ag。
在一些非限制性实例中，尤其是在此类薄导电膜的情况下，相对较薄的层厚度可以达到基本上数十nm，以有助于提高透射质量和用于OLED装置100的有利光学性质(包含但不限于减少的微腔效应)。
在一些非限制性实例中，此类薄导电膜可以包括中间阶段薄膜。
在一些非限制性实例中，为了提高透射质量而减小电极120、140的厚度可能伴随着电极120、140的薄层电阻的增加。
在一些非限制性实例中，具有高薄层电阻的至少一个电极120、140的装置100在操作中当耦接到电源15时产生大的电流-电阻(IR)降。在一些非限制性实例中，可以通过增加电源15的电平(VDD)在某种程度上补偿这种IR降。然而，在一些非限制性实例中，对于至少一个(子)像素340/264x，增加电源15的电平以补偿由于高薄层电阻引起的IR降可能需要增加供应给其它组件的电压电平以维持装置100的有效操作。
在一些非限制性实例中，为了在不显著影响使电极120、140基本上透射的能力的情况下降低装置100的电源需求(通过采用TCO、薄金属膜和/或薄金属合金膜的任何组合的至少一个薄膜层)，辅助电极1750和/或汇流条结构4150可以形成在装置100上以允许电流更有效地传送到装置100的各个发射区域，而同时降低透射电极120、140的薄层电阻和其相关联的IR降。
在一些非限制性实例中，AMOLED显示装置100的公共电极120、140的薄层电阻规格可以根据许多参数而变化，所述参数包含但不限于装置100的(面板)大小和/或跨装置100的电压变化容差。在一些非限制性实例中，薄层电阻规格可以随着面板大小的增加而增加(即，规定较低的薄层电阻)。在一些非限制性实例中，薄层电阻规格可以随着电压变化容限的降低而增加。
在一些非限制性实例中，可以使用薄层电阻规格来导出辅助电极1750和/或汇流条4150的示例厚度以符合针对各种面板大小的此类规格。在一个非限制性实例中，假定所有显示面板大小的孔比率为0.64，并且计算了针对各种示例面板大小的辅助电极1750的厚度，例如下表1中0.1V和0.2V的电压容差。
表1针对各种面板大小和电压容差的示例辅助电极厚度
作为非限制性实例，对于顶部发射装置，可以使第二电极140是透射的。另一方面，在一些非限制性实例中，此类辅助电极1750和/或汇流条4150可以不是基本上透射的，但可以电耦接到第二电极140(包含但不限于，通过在其间沉积导电涂层830)，以降低第二电极140的有效薄层电阻。
在一些非限制性实例中，此类辅助电极1750可以在横向方面和/或横截面方面中的一个或两个中定位和/或成形，以便不干扰来自(子)像素340/264x的发射区域1910的横向方面410的光子的发射。
在一些非限制性实例中，制造第一电极120和/或第二电极140的机制是为了跨其发射区域1910的横向方面410的至少一部分(和/或在一些非限制性实例中，跨围绕所述电极的非发射区域1920的横向方面420的至少一部分)按图案形成此类电极120、140。在一些非限制性实例中，可以采用此类机制以在横向方面和/或横截面方面中的一个或两个中的位置和/或形状中形成辅助电极1750和/或汇流条4150，以便不干扰来自(子)像素340/264x的发射区域1910的横向方面410的光子的发射，如上文所讨论的。
在一些非限制性实例中，装置100可以被配置成使得其在由装置100发射的光子的光路中基本上缺乏导电氧化物材料。作为非限制性实例，在对应于(子)像素340/264x的至少一个发射区域1910的横向方面410中，在至少一层半导电层130之后沉积的层和/或涂层中的至少一个(包含但不限于第二电极140、NIC 810和/或沉积在其上的任何其它层和/或涂层)可以基本上缺乏任何导电氧化物材料。在一些非限制性实例中，基本上缺乏任何导电氧化物材料可能会减少由装置100发射的光的吸收和/或反射。作为非限制性实例，导电氧化物材料(包含但不限于ITO和/或IZO)可以吸收至少可见光谱的B(蓝)区域中的光，这通常会降低装置100的效率和/或性能。
在一些非限制性实例中，可以采用这些和/或其它机制的组合。
另外地，在一些非限制性实例中，除了使第一电极120、第二电极140、辅助电极1750和/或汇流条4150中的一个或多个至少跨对应于装置100的(子)像素340/264x的发射区域1910的横向方面410的大部分基本上是透射的，以便允许光子基本上跨其横向方面410发射，可能令人期望的是，使装置100的周围非发射区域1920的横向方面420中的至少一个横向方面在底部和顶部方向上基本上是透射的，从而使装置100相对于入射在其外表面上的光基本上是透射的，使得除了在如本文所公开的装置100内部产生的光子的发射(顶部发射、底部发射和/或双面发射)之外，这种外部入射光的大部分可以透射通过装置100。
导电涂层
在本公开中，术语“导电涂层”和“电极涂层”可以互换使用以指代相似的概念，并且在一些非限制性实例中，对在本文中在通过NIC 810和/或NPC 1120的选择性沉积被图案化的情况下的导电涂层830的引用可以适用于在通过图案化涂层810、1120的选择性沉积进行图案化的情况下的电极涂层830。在一些非限制性实例中，对电极涂层830的引用可以表示具有如本文所描述的特定组成的涂层。类似地，在本公开中，术语“导电涂层材料”和“电极涂层材料”可以互换使用以指代本文中对导电涂层材料831的类似概念和引用。
在一些非限制性实例中，用于将导电涂层830沉积到底层材料的暴露层表面111上的导电涂层材料831(图9)可以是基本上纯的元素。在一些另外的非限制性实例中，导电涂层830包含基本上纯的元素。在一些其它非限制性实例中，导电涂层830包含两种或更多种元素，所述两种或更多种元素可以例如以合金或混合物的形式提供。
在一些非限制性实例中，此类混合物的至少一种组分未沉积在此类表面上、在沉积期间可以未沉积在此类暴露层表面111上和/或可以相对于沉积在此类暴露层表面111上的此类混合物的一定量的其余组分以少量沉积。
在一些非限制性实例中，此类混合物的此类至少一种组分可以具有相对于其余组分的性质以选择性地基本上仅沉积其余组分。在一些非限制性实例中，所述性质可以是蒸气压。
在一些非限制性实例中，此类混合物的此类至少一种组分可以具有相对于其余组分的较低蒸气压。
在一些非限制性实例中，导电涂层材料831可以是铜(Cu)-镁(Cu-Mg)混合物，其中Cu具有比Mg低的蒸气压。
在一些非限制性实例中，用于将导电涂层830沉积到暴露层表面111上的导电涂层材料831可以是基本上纯的。
在一些非限制性实例中，用于沉积Mg的导电涂层材料831是并且在一些非限制性实例中，包括基本上纯的Mg。在一些非限制性实例中，基本上纯的Mg可以展现出与纯Mg基本上类似的性质。在一些非限制性实例中，Mg的纯度可为约95％或更高、约98％或更高、约99％或更高、约99.9％或更高和/或约99.99％或更高。
在一些非限制性实例中，根据各个实例的光电子装置中的导电涂层830包含Mg。在一些非限制性实例中，导电涂层830包括基本上纯的Mg。在一些非限制性实例中，导电涂层830包含代替Mg和/或与Mg组合的其它金属。在一些非限制性实例中，导电涂层830包含Mg与一种或多种其它金属的合金。在一些非限制性实例中，导电涂层830包含Mg与Yb、Cd、Zn和/或Ag的合金。在一些非限制性实例中，这种合金可以是二元合金，所述二元合金组成的范围在约5体积％的Mg和约95体积％的Mg之间，其余为其它金属。在一些非限制性实例中，导电涂层830包含Mg:Ag合金，按体积计，所述合金组成的范围可以为约1:10到约10:1。
在一些非限制性实例中，根据各个实例的光电子装置中的导电涂层830和/或导电涂层材料831包含Ag。在一些非限制性实例中，导电涂层830和/或导电涂层材料831包括基本上纯的Ag。在一些非限制性实例中，导电涂层830和/或导电涂层材料831包含代替和/或与Ag组合的其它金属。在一些非限制性实例中，导电涂层830和/或导电涂层材料831包含Ag与一种或多种其它金属的合金。在一些非限制性实例中，导电涂层830和/或导电涂层材料831包含Ag与Mg、Yb和/或Zn的合金。在一些非限制性实例中，这种合金可以是二元合金，所述二元合金的组成为约5体积％的Ag到约95体积％的Ag，其余部分为其它金属。在一些非限制性实例中，导电涂层830和/或导电涂层材料831包含Ag和Mg。此类导电涂层830和/或导电涂层材料831的非限制性实例包含Mg：Ag合金，按体积计，所述合金的组成为约1:10到约10:1。在一些非限制性实例中，导电涂层830和/或导电涂层材料831包含Ag和Yb。此类导电涂层830的非限制性实例包含Yb:Ag合金，所述合金的组成为约1:20到约10:1。在一些非限制性实例中，导电涂层830包含Mg和Yb，例如Mg:Yb合金。在一些非限制性实例中，导电涂层830和/或导电涂层材料831包含Ag、Mg和Yb，例如Ag:Mg:Yb合金。
在一些非限制性实例中，导电涂层830包含具有彼此不同组成的两层或更多层。在一些非限制性实例中，导电涂层830的两层或更多层包含彼此不同的元素。此类导电涂层830的非限制性实例包含由以下形成的多层涂层：Yb/Ag、Yb/Mg、Yb/Mg:Ag、Mg/Ag、Yb/Yb:Ag、Yb/Ag/Mg和/或Yb/Mg/Ag。
图案化
作为前述的结果，可能令人期望的是，跨(子)像素340/264x的发射区域1910的横向方面410和/或围绕发射区域1910的非发射区域1920的横向方面420选择性地在装置100的前板10层的暴露层表面111上按图案沉积装置特征，所述装置特征包含但不限于以下各项中的至少一个：第一电极120、第二电极140、辅助电极1750和/或汇流条4150和/或与其电耦接的导电元件。在一些非限制性实例中，第一电极120、第二电极140、辅助电极1750和/或母线4150可以沉积在多个导电涂层830中的至少一个导电涂层中。
然而，采用如FMM等阴影掩模可能是不可行的，在一些非限制性实例中，所述FMM可以用于形成相对较小的特征，特征大小约为几十微米或更小，以实现导电涂层830的此类图案化，因为在一些非限制性实例中：
●FMM可能会在沉积工艺期间变形，尤其是在高温下，如可能用于薄导电膜的沉积；
●对FMM的机械(包含但不限于拉伸)强度和/或阴影效应的限制，尤其是在高温沉积工艺中，可能会对使用此类FMM可实现的特征的纵横比施加约束；
●使用此类FMM可实现的图案的类型和数量可能因此受到约束，作为非限制性实例，FMM的每个部分都将得到物理支持，使得在一些非限制性实例中，一些图案可能不会可在单个处理阶段实现，包含作为非限制性实例，其中图案指定孤立特征；
●此类FMM在高温沉积工艺期间可能展现出翘曲的趋势，在一些非限制性实例中，这可能会扭曲其中孔的形状和位置，这可能会导致选择性沉积图案发生变化，性能和/或产率下降；
●可用于产生分布在装置100的整个表面上的重复结构的FMM可能需要在FMM中形成大量孔，这可能会损害FMM的结构完整性；
●在连续沉积中重复使用FMM，尤其是在金属沉积工艺中，可能会导致所沉积材料粘附到其上，这可能会混淆FMM的特征并且可能导致选择性沉积图案发生变化，性能和/或产率下降；
●虽然可以定期清洁FMM以去除粘附的非金属材料，但此类清洁程序可能不适用于粘附的金属，即使如此，在一些非限制性实例中，其也可能是耗时和/或昂贵的；并且
●无论任何此类清洁工艺如何，此类FMM的持续使用，尤其是在高温沉积工艺中，可能会使它们无法有效地产生期望的图案化，此时在复杂且昂贵的工艺中它们可能会被丢弃和/或替换。
图5示出了与装置100基本上类似的，但进一步包括跨非发射区域1920的横向方面420的多个凸起PDL 440的装置500的示例横截面视图，所述非发射区域围绕对应于(子)像素340/264x的发射区域1910的横向方面410。
当导电涂层830被沉积时，在一些非限制性实例中，使用开放式掩模和/或无掩模沉积工艺，将导电涂层830跨对应于(子)像素340/264x的发射区域1910的横向方面410沉积以在其上形成(图中的)第二电极140，并且还跨围绕它们的非发射区域1920的横向方面420沉积以在PDL 440的顶部上形成导电涂层830的区域。为了确保第二电极140的每个(区段)不电耦接到至少一个导电区域830中的任何导电区域，PDL 440的厚度大于第二电极140的厚度。在一些非限制性实例中，如图所示，PDL 440可以设置有底切轮廓以进一步降低第二电极140的任何(区段)将电耦接到至少一个导电区域830中的任何导电区域的可能性。
在一些非限制性实例中，考虑到装置500的高度不均匀的表面形貌，在装置500之上施涂阻隔涂层1650可能导致阻隔涂层1650对装置500的不良粘附。
在一些非限制性实例中，可能令人期望的是，通过相对于对应于一种颜色的子像素264x的发射区域1910的横向方面410改变跨对应于另一种颜色的子像素264x的发射区域1910的横向方面410的至少一个半导电层130(和/或其层)的厚度来调整与不同颜色(和/或波长)的子像素264x相关的光学微腔效应。在一些非限制性实例中，使用FMM进行图案化可能不提供在至少某些情况下和/或在一些非限制性实例中，在OLED显示器100的生产环境中要求提供此类光学微腔调谐效应的精度。
成核抑制和/或促进性材料性质
在一些非限制性实例中，可用作或作为薄导电膜的多个层中的至少一层以形成装置特征(包含但不限于以下各项中的至少一个：第一电极120、第一电极140、辅助电极1750和/或母线4150和/或与其电耦接的导电元件)的导电涂层830可对沉积在底层材料的暴露层表面111上表现出相对较低的亲和力，因此导电涂层830的沉积被抑制。
材料和/或其上沉积导电涂层830的其性质的相对亲和力或其缺乏可以分别称为“成核促进”和/或“成核抑制”。
在本公开中，“成核抑制”是指这样的涂层、材料和/或其层：其表面对其上的导电涂层830(的沉积)展现出相对较低的亲和力，使得导电涂层830在此类表面上的沉积得到抑制。
在本公开中，“成核促进”是指这样的涂层、材料和/或其层：其表面对其上的导电涂层830(的沉积)展现出相对较高的亲和力，使得导电涂层830在此类表面上的沉积得到促进。
这些术语中的术语“成核”是指薄膜形成工艺的成核阶段，其中气相中的单体冷凝到表面上以形成核。
不希望受特定理论的束缚，假设此类核的形状和大小以及此类核随后生长成岛并随后生长成薄膜可能取决于许多因素，包含但不限于蒸气、表面和/或凝聚膜核之间的界面张力。
在本公开中，可以以多种方式测量这种亲和力。
表面的成核抑制和/或成核促进性质的一种量度是表面对于给定的导电材料(包含但不限于Mg)的初始粘附概率S0。在本公开中，术语“粘附概率”和“粘附系数”可以互换使用。
在一些非限制性实例中，粘附概率S可以通过以下给出：
其中N吸附是保留在暴露层表面111上(即，并入膜中)的吸附单体(“吸附原子”)的数量，并且N总计是表面上撞击单体的总数。粘附概率S等于1指示所有撞击表面的单体都被吸附，并且随后并入生长的膜中。粘附概率S等于0指示所有撞击表面的单体都被解吸，并且随后在表面上不形成膜。金属在各种表面上的粘附概率S可以使用各种测量粘附概率S的技术进行评价，包含但不限于如由以下描述的双石英晶体微天平(QCM)技术：Walker等人,《物理化学杂志C(J.Phys.Chem.C)》2007,111,765(2006)。
随着岛的密度增加(例如，增加平均膜厚度)，粘附概率S可能会改变。作为非限制性实例，低的初始粘附概率S0可能会随着平均膜厚度的增加而增加。这可以基于没有岛的表面的区域(作为非限制性实例，裸衬底110)与具有高密度岛的区域之间的粘附概率S的差异来理解。作为非限制性实例，撞击岛表面的单体可能具有接近1的粘附概率S。
因此，初始粘附概率S0可以被指定为在任何相当大数量的临界核形成之前表面的粘附概率S。初始粘附概率S0的一种量度可以涉及在材料沉积的初始阶段材料表面的粘附概率S，其中跨整个表面的所沉积材料的平均厚度等于或低于阈值。在一些非限制性实例的描述中，初始粘附概率S0的阈值可以通过非限制性实例指定为1nm。平均粘附概率然后可以通过以下给出：
其中S成核是岛覆盖区域的粘附概率S，并且A成核是岛覆盖的衬底表面区域的百分比。
基于图6所示的能量分布610、620、630，可以假设NIC 810材料展现出相对较低的解吸活化能(Edes631)和/或相对较高的表面扩散活化能(Es631)可能特别有利于在各种应用中使用。
表面的成核抑制和/或成核促进性质的另一种量度是给定导电材料(包含但不限于Mg)在表面上的初始沉积速率相对于同一导电材料在参考表面上的初始沉积速率，其中两个表面都经受和/或暴露于导电材料的蒸发通量。
用于影响成核抑制和/或促进性材料性质的选择性涂层
在一些非限制性实例中，一个或多个选择性涂层710(图7)可以选择性地沉积在待呈现以用于在其上沉积薄膜导电涂层830的底层材料的暴露层表面111的至少第一部分701(图7)上。相对于导电涂层830，这种选择性涂层710具有与底层材料的暴露层表面111的性质不同的成核抑制性质(和/或相反的成核促进性质)。在一些非限制性实例中，可能存在底层材料的暴露层表面111的第二部分702(图7)，其上未沉积此类选择性涂层710。
此类选择性涂层710可以是NIC 810和/或成核促进涂层(NPC 1120(图11))。
在一些非限制性实例中，NIC 810可以安置在底层金属涂层138的暴露层表面111上，如在图35中作为非限制性实例所示出的。相关领域的普通技术人员应当理解，此类金属涂层138可以是装置100的多个层中的(至少)一层。金属涂层138可以包含金属涂层材料。相关领域的普通技术人员应当理解，金属涂层138和包含所述金属涂层的金属涂层材料，尤其是当作为膜安置时并在与沉积第二电极140所采用的条件和/或机制基本上相似的条件和/或机制下时，可以展现出非常相似的光学和/或其它特性。
在一些非限制性实例中，薄层电阻是组件、层和/或部件的特性，所述特性可以改变通过此类组件、层和/或部件的电流的特性。在一些非限制性实例中，金属涂层138的薄层电阻R1通常可以对应于与装置100的其它组件、层和/或部件隔离测量的金属涂层138的薄层电阻。在一些非限制性实例中，金属涂层138可以形成为薄膜。因此，在一些非限制性实例中，可以基于此类薄膜的组成、厚度和/或形态来确定和/或计算金属涂层138的薄层电阻R1。在一些非限制性实例中，薄层电阻R1可以为约为0.1-1,000Ω/sqr、约1-100Ω/sqr、约2-50Ω/sqr、约3-30Ω/sqr、约4-20Ω/sqr、约5-15Ω/sqr和/或约10-12Ω/sqr。
在一些非限制性实例中，金属的键离解能可以对应于在298K下从由金属的两个相同原子形成的双原子分子的键的断裂测量的标准态焓变。作为非限制性实例，可以基于已知文献确定键离解能，所述已知文献包含但不限于Luo,Yu-ran,“Bond dissociationenergies(键离解能)”(2010)。在一些非限制性实例中，金属涂层材料可以包括键离解能为以下的金属：至少10kJ/mol、至少50kJ/mol、至少100kJ/mol、至少150kJ/mol、至少180kJ/mol和/或至少200kJ/mol。
在一些非限制性实例中，金属涂层材料可以包括电负性小于约1.4、约1.3和/或约1.2的金属。
在一些非限制性实例中，金属涂层材料可以包括选自以下的元素：钾(K)、钠(Na)、锂(Li)、钡(Ba)、铯(Cs)、镱(Yb)、银(Ag)、金(Au)、铜(Cu)、铝(Al)、镁(Mg)、锌(Zn)、镉(Cd)、锡(Sn)、镍(Ni)、钛(Ti)、钯(Pd)、铬(Cr)、铁(Fe)、钴(Co)、锆(Zr)、铂(Pt)、钒(V)、铌(Nb)、铱(Ir)、锇(Os)、钽(Ta)、钼(Mo)和/或钨(W)。在一些非限制性实例中，所述元素可以包括Cu、Ag和/或Au。在一些非限制性实例中，所述元素可以是Cu。在一些非限制性实例中，所述元素可以是Al。在一些非限制性实例中，所述元素可以包括Mg、Zn、Cd和/或Yb。在一些非限制性实例中，所述元素可以包括Sn、Ni、Ti、Pd、Cr、Fe和/或Co。在一些非限制性实例中，元素可以包括Zr、Pt、V、Nb、Ir和/或Os。在一些非限制性实例中，所述元素可以包括Ta、Mo和/或W。在一些非限制性实例中，元素可以包括Mg、Ag、Al、Yb和/或Li。在一些非限制性实例中，所述元素可以包括Mg、Ag和/或Yb。在一些非限制性实例中，所述元素可以包括Mg和/或Ag。在一些非限制性实例中，所述元素可以是Ag。
在一些非限制性实例中，所述金属涂层材料可以包括纯金属。在一些非限制性实例中，金属涂层材料是纯金属。在一些非限制性实例中，金属涂层材料是纯Ag或基本上纯的Ag。在一些非限制性实例中，金属涂层材料是纯Mg或基本上纯的Mg。在一些非限制性实例中，金属涂层材料是纯Al或基本上纯的Al。
在一些非限制性实例中，金属涂层材料可以包括合金。在一些非限制性实例中，合金可以是含Ag的合金和/或含AgMg的合金。
在一些非限制性实例中，金属涂层材料可以包括代替Ag和/或与Ag组合的其它金属。在一些非限制性实例中，金属涂层材料可以包括Ag与至少一种其它金属的合金。在一些非限制性实例中，金属涂层材料可以包括Ag与Mg和/或Yb的合金。在一些非限制性实例中，这种合金可以是二元合金，所述二元合金的组成为约5体积％的Ag到约95体积％的Ag，其余部分为其它金属。在一些非限制性实例中，金属涂层材料包括Ag和Mg。在一些非限制性实例中，金属涂层材料包括Ag:Mg合金，按体积计，所述合金的组成为约1:10到约10:1。在一些非限制性实例中，金属涂层材料包括Ag和Yb。在一些非限制性实例中，金属涂层材料包括Yb:Ag合金，按体积计，所述合金的组成为约1:20到约1-10:1。在一些非限制性实例中，金属涂层材料包括Mg和Yb。在一些非限制性实例中，金属涂层材料Mg:Yb合金。在一些非限制性实例中，金属涂层材料包括Ag、Mg和Yb。在一些非限制性实例中，金属涂层材料包括Ag:Mg:Yb合金。
在一些非限制性实例中，金属涂层材料可以包括氧(O)。在一些非限制性实例中，金属涂层材料可以包括至少一种金属和O。在一些非限制性实例中，金属涂层材料可以包括金属氧化物。在一些非限制性实例中，金属氧化物包括锌、铟(I)、锡(Sn)、锑(Sb)和/或镓(Ga)。在一些非限制性实例中，金属氧化物可以是透明导电氧化物(TCO)。在一些非限制性实例中，TCO可以包括氧化铟、氧化锡、氧化锑和/或氧化镓。在一些非限制性实例中，TCO可以包括氧化铟钛(ITO)、ZnO、氧化铟锌(IZO)和/或氧化铟镓锌(IGZO)。在一些非限制性实例中，TCO可以与其它元素电掺杂。
在一些非限制性实例中，金属涂层138可以由金属和/或金属合金形成。
在一些非限制性实例中，金属涂层138可以包括至少一种金属或金属合金以及至少一种金属氧化物。
在一些非限制性实例中，金属涂层138可以包括金属涂层材料的多个层。在一些非限制性实例中，所述多个层中的第一层的所述金属涂层材料可以不同于所述多个层中的第二层的所述金属涂层材料。在一些非限制性实例中，多个层中的第一层的金属涂层材料可以包括金属，并且多个层中的第二层的金属涂层材料可以包括金属氧化物。
在一些非限制性实例中，多个层中的至少一层的金属涂层材料可以包括Yb。在一些非限制性实例中，多个层之一的金属涂层材料可以包括含Ag的合金和/或含AgMg的合金和/或纯Ag、基本上纯的Ag、纯Mg和/或基本上纯的Mg。在一些非限制性实例中，金属涂层138是双层Yb/AgMg涂层。
在一些非限制性实例中，靠近NIC 810(最顶部)的多个层中的第一层可以包括选自以下的元素：Ag、Au、Cu、Al、Sn、Ni、Ti、Pd、Cr、Fe、Co、Zr、Pt、V、Nb、Ir、Os、Ta、Mo和/或W。在一些非限制性实例中，元素可以包括Cu、Ag和/或Au。在一些非限制性实例中，所述元素可以是Cu。在一些非限制性实例中，所述元素可以是Al。在一些非限制性实例中，所述元素可以包括Sn、Ti、Pd、Cr、Fe和/或Co。在一些非限制性实例中，元素可以包括Ni、Zr、Pt、V、Nb、Ir和/或Os。在一些非限制性实例中，所述元素可以包括Ta、Mo和/或W。在一些非限制性实例中，元素可以包括Mg、Ag和/或Al。在一些非限制性实例中，所述元素可以包括Mg和/或Ag。在一些非限制性实例中，所述元素可以是Ag。
在一些非限制性实例中，金属涂层138可以包括至少一个另外的元素。在一些非限制性实例中，此类另外的元素可以是非金属元素。在一些非限制性实例中，非金属材料可以是氧(O)、硫(S)、氮(N)和/或碳C。相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，由于源材料、用于沉积的设备和/或真空室环境中存在此类另外的元素，因此此类另外的元素可以作为污染物并入到金属涂层138中。在一些非限制性实例中，此类另外的元素的浓度可以限制为低于阈值浓度。在一些非限制性实例中，此类另外的元素可以与金属涂层138的其它元素一起形成化合物。在一些非限制性实例中，导电涂层材料中的非金属元素的浓度可以小于约1％、约0.1％、约0.001％、约0.0001％、约0.00001％、约0.000001％和/或约0.0000001％。在一些非限制性实例中，导电涂层830具有其中O和C的组合量小于约10％、约5％、约1％、约0.1％、约0.001％、约0.0001％、约0.00001％、约0.000001％和/或约0.0000001％的组合物。在一些非限制性实例中，金属涂层138可以包括封闭涂层4530。在一些非限制性实例中，金属涂层138可以包括不连续涂层1050。
在一些非限制性实例中，金属涂层138可以安置成可以由其中的至少一个区域定义的图案，所述区域基本上缺乏第一部分115中的第一层表面上的金属涂层138的封闭涂层4530。在一些非限制性实例中，至少一个区域在其上安置有金属图案NIC 810。在一些非限制性实例中，至少一个区域可以将金属涂层138分离成其多个离散片段。在一些非限制性实例中，金属涂层138的此类多个离散片段中的至少两个离散片段可以电耦接。在一些非限制性实例中，金属涂层138的此类多个离散片段中的至少两个离散片段可以各自电耦接到公共导电层或涂层，包含但不限于导电涂层830，以允许电流在其之间流动。在一些非限制性实例中，金属涂层138的此类多个离散片段中的至少两个离散片段可以彼此电绝缘。
在本公开中，在一些非限制性实例中，如上下文所指示的，术语“NIC”和“图案化涂层”可以互换使用以指代类似的概念，并且在一些非限制性实例中，对本文中的在选择性沉积以使导电涂层830图案化的情况下的NIC 810的引用可以适用于在选择性沉积以使电极涂层830图案化的情况下的图案化涂层810。
类似地，在一些非限制性实例中，如上下文所指示的，术语“NPC”和“图案化涂层”可以互换使用以指代类似的概念，并且在一些非限制性实例中，对本文中的在选择性沉积以使导电涂层830图案化的情况下的NPC 1120的引用可以适用于在选择性沉积以使电极涂层830图案化的情况下的图案化涂层1120。
在一些非限制性实例中，对图案化涂层810、1120的引用可以表示具有如本文所描述的特定组成的涂层。
相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，此类选择性涂层710的使用可以促进和/或允许导电涂层830的选择性沉积，而无需在沉积导电涂层830的阶段期间采用FMM。
在一些非限制性实例中，导电涂层830的这种选择性沉积可以是按图案的。在一些非限制性实例中，此类图案可以促进在(子)像素340/264x的一个或多个发射区域1910的横向方面410内和/或在可以(在一些非限制性实例中)围绕此类发射区域1910的一个或多个非发射区域1920的横向方面420内提供和/或增加装置100的顶部和/或底部中的至少一个的透射率。
在一些非限制性实例中，导电涂层830可以沉积在导电结构上和/或在一些非限制性实例中，形成其层，用于装置100，所述导电结构在一些非限制性实例中可以是以第一电极120和/或第二电极140以充当阳极341和/或阴极342和/或辅助电极1750和/或汇流条4150，以支持其电导率和/或在一些非限制性实例中，电耦接到其上。
在一些非限制性实例中，给定导电涂层830(包含但不限于Mg)的NIC 810可以指具有表面的涂层，所述表面对于蒸气形式的导电涂层830(在实例中为Mg)展现出相对较低的初始粘附概率S0，使得导电涂层830(在实例中为Mg)在暴露层表面111上的沉积得到抑制。因此，在一些非限制性实例中，NIC 810的选择性沉积可以降低呈现用于在其上沉积导电涂层830的(NIC 810的)暴露层表面111的初始粘附概率S0。
在一些非限制性实例中，给定导电涂层830(包含但不限于Mg)的NPC 1120可以指具有暴露层表面111的涂层，所述暴露层表面对于蒸气形式的导电涂层830展现出相对较高的初始粘附概率S0，使得导电涂层830在暴露层表面111上的沉积得到促进。因此，在一些非限制性实例中，NPC 1120的选择性沉积可以增加呈现用于在其上沉积导电涂层830的(NPC1120的)暴露层表面111的初始粘附概率S0。
当选择性涂层710为NIC 810时，其上沉积了NIC 810的底层材料的暴露层表面111的第一部分701之后将呈现(NIC 810的)处理表面，所述处理表面的成核抑制性质已增加或可替代地，所述处理表面的成核促进性质已降低(在任一情况下，沉积在第一部分701上的NIC 810的表面)，使得相对于已沉积NIC 810的底层材料的暴露层表面111的亲和力，所述处理表面对于在其上沉积导电涂层830的亲和力降低。相比之下，其上未沉积此类NIC 810的第二部分702将继续呈现(底层衬底110的)暴露层表面111，所述暴露层表面的成核抑制性质或可替代地，所述暴露层表面的成核促进性质(在任一情况下，基本上缺乏选择性涂层710的底层衬底110的暴露表面111)，对于在其上沉积导电涂层830的亲和力基本上没有改变。
当选择性涂层710为NPC 1120时，其上沉积了NPC 1120的底层材料的暴露层表面111的第一部分701之后将呈现(NPC 1120的)处理表面，所述处理表面的成核抑制性质已降低或可替代地，所述处理表面的成核促进性质已增加(在任一情况下，沉积在第一部分701上的NPC 1120的表面)，使得相对于已沉积NPC 1120的底层材料的暴露层表面111的亲和力，所述处理表面对于在其上沉积导电涂层830的亲和力增加。相比之下，其上未沉积此类NPC 1120的第二部分702将继续呈现(底层衬底110的)暴露层表面111，所述暴露层表面的成核抑制性质或可替代地，所述暴露层表面的成核促进性质(在任一情况下，基本上缺乏NPC 1120的底层衬底110的暴露表面111)，对于在其上沉积导电涂层830的亲和力基本上没有改变。
在一些非限制性实例中，NIC 810和NPC 1120两者都可以选择性地沉积在底层材料的暴露层表面111的相应第一部分701和NPC部分1103(图11A)上，以分别改变待呈现以用于在其上沉积导电涂层830的暴露层表面111的成核抑制性质(和/或相反地，成核促进性质)。在一些非限制性实例中，可能存在底层材料的暴露层表面111的第二部分702，其上未沉积选择性涂层710，使得待呈现以用于在其上沉积导电涂层830的成核抑制性质(和/或相反地，其成核促进性质)基本上没有改变。
在一些非限制性实例中，第一部分701和NPC部分1103可以重叠，使得NIC 810和/或NPC 1120的第一涂层可以选择性地沉积在此类重叠区域中底层材料的暴露层表面111上，并且NIC 810和/或NPC 1120的第二涂层可以选择性地沉积在第一涂层的经过处理的暴露层表面111上。在一些非限制性实例中，第一涂层是NIC 810。在一些非限制性实例中，第一涂层是NPC 1120。
在一些非限制性实例中，已被沉积选择性涂层710的第一部分701(和/或NPC部分1103)可以包括去除区域，其中所沉积的选择性涂层710已被去除，以呈现底层材料的未覆盖表面用于在其上沉积导电涂层830，使得待呈现以用于在其上沉积导电涂层830的成核抑制性质(和/或相反地，其成核促进性质)基本上没有改变。
在一些非限制性实例中，底层材料可以是选自衬底110的至少一层和/或前板10层中的至少一层，包含但不限于第一电极120、第二电极140、至少一个半导电层130(和/或其层中的至少一个层)和/或这些中的任何一个的任何组合。
在一些非限制性实例中，导电涂层830可以具有特定的材料性质。在一些非限制性实例中，导电涂层830可以包括Mg，无论是单独的还是以化合物和/或合金的形式。
作为非限制性实例，由于Mg在一些有机表面上的低粘附概率S，纯和/或基本上纯的Mg可能不容易沉积到一些有机表面上。
选择性涂层的沉积
在一些非限制性实例中，可以使用多种技术选择性地沉积和/或处理包括选择性涂层710的薄膜，所述技术包含但不限于蒸发(包含但不限于热蒸发和/或电子束蒸发)、光刻法、打印(包含但不限于喷墨和/或蒸气喷射打印、卷到卷打印和/或微接触转移打印)、PVD(包含但不限于溅射)、CVD(包含但不限于PECVD和/或OVPD)、激光退火、LITI图案化、ALD、涂覆(包含但不限于旋涂、浸涂、线涂和/或喷涂)和/或其中任何两个或更多个的组合。
图7是展示了蒸发工艺的非限制性实例的示例示意图，所述蒸发工艺总体上以700示出，在腔室70中用于将选择性涂层710选择性地沉积到底层材料(在图中，仅出于说明的简单性目的，衬底110)的暴露层表面111的第一部分701上。
在工艺700中，一定量的选择性涂层材料711在真空下被加热以蒸发和/或升华712选择性涂层材料711。在一些非限制性实例中，选择性涂层材料711完全和/或基本上包括用于形成选择性涂层710的材料。蒸发的选择性涂层材料712被引导通过腔室70，包含在通过箭头71指示的方向上，朝向暴露层表面111。当蒸发的选择性涂层材料712入射到暴露层表面111上时，即在第一部分701中，选择性涂层710形成在其上。
在一些非限制性实例中，如工艺700的图中所示，选择性涂层710可以通过在选择性涂层材料711与暴露层表面111之间插入阴影掩模715而选择性地仅沉积到暴露层表面111的一部分上(在所展示的实例中，第一部分701)，在一些非限制性实例中，所述阴影掩模可以是FMM。阴影掩模715具有至少一个穿过其延伸的孔716，使得蒸发的选择性涂层材料712的一部分穿过孔716并且入射到暴露层表面111上以形成选择性涂层710。在蒸发的选择性涂层材料712不穿过孔716而是入射到阴影掩模715的表面717上的情况下，其被阻止安置在暴露层表面111上以在第二部分703内形成选择性涂层710。暴露层表面111的第二部分702因此基本上缺乏选择性涂层710。在一些非限制性实例(未示出)中，入射到阴影掩模715上的选择性涂层材料711可以沉积在其表面717上。
因此，在完成选择性涂层710的沉积时产生图案化表面。
在一些非限制性实例中，出于说明的简单性目的，图7中采用的选择性涂层710可以是NIC 810。在一些非限制性实例中，出于说明的简单性目的，图7中采用的选择性涂层710可以是NPC 1120。
图8是展示了蒸发工艺的结果的非限制性实例的示例示意图，所述蒸发工艺总体上以800示出，在腔室70中用于将导电涂层830选择性地沉积到底层材料(在图中，仅出于说明的简单性目的，衬底110)的暴露层表面111的第二部分702上，所述第二部分基本上缺乏被选择性地沉积到第一部分701上的NIC 810，包含但不限于通过图7的蒸发工艺700。在一些非限制性实例中，第二部分702包括暴露层表面111的位于第一部分701之外的所述部分。
一旦已经将NIC 810沉积在底层材料(在图中，衬底110)的暴露层表面111的第一部分701上，导电涂层830可以沉积在暴露层表面111的第二部分702上，所述第二部分基本上缺乏NIC 810。
在工艺800中，一定量的导电涂层材料831在真空下被加热以蒸发和/或升华832导电涂层材料831。在一些非限制性实例中，导电涂层材料831完全和/或基本上包括用于形成导电涂层830的材料。蒸发的导电涂层材料832被引导到腔室70中，包含在通过箭头81指示的方向上，朝向第一部分701和第二部分702的暴露层表面111。当蒸发的导电涂层材料832入射到暴露层表面111的第二部分702上时，导电涂层830形成在其上。
在一些非限制性实例中，导电涂层材料831的沉积可以使用开放式掩模和/或无掩模沉积工艺来执行，使得导电涂层830基本上跨底层材料(在图中，衬底110)的整个暴露层表面111形成以产生(导电涂层830的)经过处理的表面。
相关领域的普通技术人员应当理解，与FMM的特征大小相反，开放式掩模的特征大小通常与正在制造的装置100的大小相当。在一些非限制性实例中，此类开放式掩模可以具有通常对应于装置100的大小的孔口，在一些非限制性实例中，对于微型显示器，所述大小可以对应但不限于约1英寸，对于移动显示器约4-6英寸和/或对于膝上型和/或平板显示器约8-17英寸，以便在制造期间掩蔽此类装置100的边缘。在一些非限制性实例中，开放式掩模的特征大小可以为约1cm和/或更大的量级。在一些非限制性实例中，形成在开放式掩模中的孔的大小在一些非限制性实例中可以被设定为涵盖多个发射区域1910的横向方面410，每个发射区域对应于(子)像素340/264x和/或周围和/或周围和/或中间非发射区域1920的横向方面420。
相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，如果需要，可以省略开放式掩模的使用。在一些非限制性实例中，可以可替代地在不使用开放式掩模的情况下进行本文所描述的开放式掩模沉积工艺，使得整个暴露层表面111可以被暴露。
在一些非限制性实例中，如工艺800的图中所示，导电涂层830的沉积可以使用开放式掩模和/或无掩模沉积工艺来执行，使得导电涂层830基本上跨底层材料(在图中，衬底110的)的整个暴露层表面111形成以产生(导电涂层830的)经过处理的表面。
实际上，如图8所示，蒸发的导电涂层材料832入射到跨第一部分701的NIC 810的暴露层表面111上以及基本上缺乏NIC 810的跨第二部分702的衬底110的暴露层表面111上。
由于与第二部分702中衬底110的暴露层表面111相比第一部分701中NIC 810的暴露层表面111对导电涂层830展现出相对较低的初始粘附概率S0，导电涂层830基本上仅选择性地沉积在基本上缺乏NIC 810的第二部分702中衬底110的暴露层表面111上。相比之下，入射到跨第一部分701的NIC 810的暴露层表面111上的蒸发的导电涂层材料832趋于不沉积，如图所示(833)并且跨第一部分701的NIC 810的暴露层表面111基本上缺乏导电涂层830。尽管未在图8中示出，但在一些非限制性实例中，跨第一部分701的NIC 810的暴露层表面111基本上缺乏导电涂层830的材料，但不等于导电涂层830的涂层膜。相反，如下文详细讨论的，NIC 810的暴露层表面111可以具有沉积在其上的导电涂层830的材料的不连续涂层和/或中间阶段导电薄膜。
在一些非限制性实例中，蒸发的导电涂层材料832在第二部分702中衬底110的暴露层表面111上的初始沉积速率可以是在第一部分701中NIC 810的暴露层表面111上的蒸发的导电涂层材料832的初始沉积速率的至少和/或大于约200倍、至少和/或大于约550倍、至少和/或大于约900倍、至少和/或大于约1,000倍、至少和/或大于约1,500倍、至少和/或大于约1,900倍和/或至少和/或大于约2,000倍。
在不采用导电涂层830沉积工艺内的FMM的情况下，可以组合前述内容以实现至少一个导电涂层830的选择性沉积以形成装置特征，所述装置特征包含但不限于图案化电极120、140、1750、4150和/或与其电耦接的导电元件。在一些非限制性实例中，此类图案化可以允许和/或增强装置100的透射率。
在一些非限制性实例中，可以在装置100的制造工艺期间多次施涂选择性涂层710(其可以是NIC 810和/或NPC 1120)，以便使多个电极120、140、1750、4150和/或其各个层和/或包括与其电耦接的导电涂层830的装置图案化。
图9A-9D展示了开放式掩模的非限制性实例。
图9A展示了具有和/或限定在其中形成的孔910的开放式掩模900的非限制性实例。在一些非限制性实例中，如图所示，开放式掩模900的孔910小于装置100的大小，使得当掩模900覆盖在装置100上时，掩模900覆盖装置100的边缘。在一些非限制性实例中，如图所示，对应于装置100的所有和/或基本上所有(子)像素340/264x的发射区域1910的横向方面410通过孔910暴露，而未暴露区域920形成在装置100的外边缘91与孔910之间。相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，装置100的电触点和/或其它组件(未示出)可以定位于此类未暴露区域920中，使得这些组件在整个开放式掩模沉积工艺中基本上不受影响。
图9B展示了具有和/或限定在其中形成的小于图9A的孔910的孔911的开放式掩模901的非限制性实例，使得当掩模901覆盖在装置100上时，掩模901至少覆盖对应于至少一些(子)像素340/264x的发射区域1910的横向方面410a。如图所示，在一些非限制性实例中，对应于最外面(子)像素340/264x的发射区域1910的横向方面410a定位于形成在装置100的外边缘91与孔911之间的装置100的未暴露区域913内，在开放式掩模沉积工艺期间被掩蔽以抑制蒸发的导电涂层材料832入射到未暴露区域913上。
图9C展示了具有和/或限定在其中形成的孔912的开放式掩模902的非限制性实例，其限定覆盖对应于至少一些(子)像素340/264x的发射区域1910的横向方面410a的图案，同时暴露对应于至少一些(子)像素340/264x的发射区域1910的横向方面410b。如图所示，在一些非限制性实例中，定位于装置100的未暴露区域914内的对应于至少一些(子)像素340/264x的发射区域1910的横向方面410a在开放式掩模沉积工艺期间被掩蔽以抑制蒸发的导电涂层材料830入射到未暴露区域914上。
尽管在图9B-9C，对应于最外面(子)像素340/264x中的至少一些像素的发射区域1910的横向方面410a已被掩蔽，如所展示的，相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，开放式掩模900-902的孔可以成形为掩蔽装置100的其它发射区域1910的横向方面410和/或非发射区域1920的横向方面420。
此外，尽管图9A-9C示出了具有单个孔910-912的开放式掩模900-902，相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例(未示出)中，此类开放式掩模900-902可以具有用于暴露装置100的底层材料的暴露层表面111的多个区域的另外的孔(未示出)。
图9D展示了具有和/或限定多个孔917a-917d的开放式掩模903的非限制性实例。在一些非限制性实例中，孔917a-917d被定位成使得所述孔可以选择性地暴露装置100的某些区域921，同时掩蔽其它区域922。在一些非限制性实例中，对应于至少一些(子)像素340/264x的某些发射区域1910的横向方面410b通过区域921中的孔917a-917d暴露，而对应于至少一个一些(子)像素340/264x的其它发射区域1910的横向方面410a位于区域922内并且因此被掩蔽。
现在转到图10A，示出了图1所示的装置100的示例版本1000，但其具有本文所描述的多个另外的沉积步骤。
装置1000示出了底层材料的暴露层表面111的横向方面。横向方面包括第一部分1001和第二部分1002。在第一部分1001中，NIC 810安置在暴露层表面111上。然而，在第二部分1002中，暴露层表面111基本上缺乏NIC 810。
在一些非限制性实例中，第一部分1001和第二部分1002在横向方面基本上彼此相邻。
在一些非限制性实例中，第一部分1001的暴露层表面1001和第二部分1002的暴露层表面111在横截面方面基本上彼此接近。也就是说，虽然第一部分1001的暴露层表面111与第二部分1002的暴露层表面111之间可能存在一个或多个中间层，但在一些非限制性实例中，由此引起的其之间的差异是第一部分1001和第二部分1002中至少一个的横向范围的分数。
在跨第一部分1001选择性沉积NIC 810之后，在一些非限制性实例中，使用开放式掩模和/或无掩模沉积工艺将导电涂层830沉积在装置1000上。
NIC 810在第一部分1001内提供具有相对较低的初始粘附概率S0的表面，用于导电涂层830，并且对于导电涂层830，所述初始粘附概率基本上小于第二部分1002内的装置1000的底层材料的暴露层表面111的初始粘附概率S0。
因此，导电涂层830在第二部分1002中形成为封闭膜，而第一部分1001基本上缺乏导电涂层830。
以这种方式，可以选择性地沉积NIC 810，包含使用阴影掩模，以允许沉积导电涂层830，包含但不限于使用开放式掩模和/或无掩模沉积工艺，以便形成装置特征，所述装置特征包含但不限于以下各项中的至少一个：第一电极120、第二电极140、辅助电极1750、母线4150和/或其至少一个层和/或与其电耦接的导电元件。
现在转到图10B，示出了装置1000的示例版本的实例1010。
与图10A的装置1000相反，装置1010示出了其中第一部分1001被示出基本上缺乏导电涂层830，第一部分1001基本上缺乏导电涂层830的封闭膜4530。在图10B中，由于第一部分1001中存在NIC 810，导电涂层材料831作为不连续涂层1050沉积在第一部分1001中NIC 810的暴露层表面1011上。在一些非限制性实例中，不连续涂层1050包括多个离散岛。在一些非限制性实例中，岛中的至少一些岛彼此断开连接。换言之，在一些非限制性实例中，不连续涂层1050可以包括彼此物理分离的特征，使得不连续涂层1050不形成连续层。
以这种方式，可以选择性地沉积NIC 810，包含使用阴影掩模，以允许沉积导电涂层830，包含但不限于使用开放式掩模和/或无掩模沉积工艺，以便形成装置特征，所述装置特征包含但不限于以下各项中的至少一个：第一电极120、第二电极140、辅助电极1750、母线4150和/或其至少一个层和/或与其电耦接的导电元件。
在不希望受任何特定理论束缚的情况下，可以假设在导电涂层830的沉积期间，撞击NIC 810的暴露层表面1011上的导电涂层材料831的一些蒸气单体可以冷凝以在其上形成小簇和/或岛。然而，由于NIC 810的一个或多个特性和/或特征，抑制了此类簇和/或岛的大量生长，如果不受阻碍，可能导致在NIC 810的暴露层表面1011上形成导电涂层材料831的基本闭上封闭的膜4530。因此，在一些非限制性实例中，不连续涂层1050包括用于形成导电涂层830的导电涂层材料831。在一些非限制性实例中，不连续涂层1050的峰值吸收波长可以小于装置1020发射和/或透射的光子的峰值波长。作为非限制性实例，不连续涂层1050可以在以下的波长处展现峰值吸收：小于约470nm、小于约460nm、小于约455nm、小于约450nm、小于约445nm、小于约440nm、小于约430nm、小于约420nm和/或小于约400nm。
在一些非限制性实例中，含有簇和/或岛的不连续涂层1050可以布置成位于NIC810上和/或与所述NIC物理接触和/或接近所述NIC。
图10C是根据图10B的非限制性实例的装置1010的第一部分1001的简化实例平面视图。
现在转到图10D，示出了图10B中所示的装置1020的简化版本的示例版本1020，其中示出了在装置1020的横向方面上布置在第一部分1001与第二部分1002之间的第三部分1003。尽管未如此示出，但在一些非限制性实例中，第三部分1003可以被视为第一部分1001的一部分，从而表示其末端和/或与第二部分1002的界面。在一些非限制性实例中，第三部分1003包括覆盖底层材料的暴露层表面1011的至少一部分的导电涂层830，在一些非限制性实例中，其可以包括第三部分1003中的NIC 810以及第一部分1001。在一些非限制性实例中，第三部分1003中的导电涂层830的厚度可以小于第二部分1002中的导电涂层830的厚度。尽管在图10C中未具体展示，但第三部分1003中的NIC 810的厚度可以小于第一部分1001中的NIC 810的厚度。
在一些非限制性实例中，第三部分1003中的导电涂层830包括装置1020的横向方面中的至少一个突出部和/或至少一个凹部。在一些非限制性实例中，第三部分1003中的导电涂层830可以包括中间阶段涂层，在一些非限制性实例中，具有多个孔，包含但不限于针孔、撕裂和/或裂缝。
图10E是装置1020的一部分的简化示例平面视图，示出了布置在(第一部分1001与第二部分1002的部分)之间的第三部分1003。在一些非限制性实例中，第三部分1003中的导电涂层830，以及在一些非限制性实例中，侵入到第一部分1001中的导电涂层830可以包括至少一个树枝状突出部1021，在一些非限制性实例中，所述树枝状可以横向延伸和/或至少部分地侵入到相邻的第一部分1001中。至少一个树枝状突出部1021覆盖底层材料的暴露层表面1011，在一些非限制性实例中，所述底层材料可以是NIC 810。在一些非限制性实例中，底层材料的暴露层表面1011的至少一部分(在一些非限制性实例中可以是NIC 810)可以不被第三部分1003中的导电涂层830覆盖，并且在一些非限制性实例中，延伸到第二部分1002中，可以包括至少一个树枝状凹部1022，在一些非限制性实例中，可以横向延伸到和/或至少部分地延伸到相邻第二部分1002中。
在不希望受到任何特定理论束缚的情况下，可以假设至少一个突出部，包含但不限于至少一个树枝状突出部1021和/或至少一个凹部，包含但不限于至少一个树枝状凹部1022可以在NIC 810处和/或附近形成和/或由于所述NIC的至少一个特性和/或特征中的至少一个局部不均匀性而形成。作为非限制性实例，NIC 810的至少一个局部区域可以展现出其薄膜涂层的临界表面张力、物理不连续性和/或域边界的变化。在一些非限制性实例中，此类变化可以在相邻微晶之间形成，并且可能导致选择性地沉积导电涂层材料831，因此产生至少一个突出部和/或至少一个凹部。在一些非限制性实例中，至少一个树枝状突出部1021可以包括由不连续涂层1050的至少一个岛和/或簇与不连续涂层1050的另一个至少一个岛和/或簇和/或与导电涂层830合并而形成的至少一个特征。
在一些非限制性实例中，第三部分1003可以包括基本上缺乏导电涂层材料831的至少一个区域，包含但不限于不连续涂层1050中的间隙、至少一个树枝状突起1021的至少一个特征和/或至少一个树枝状凹部1022的至少一个特征之间的间隙。在一些非限制性实例中，第三部分1003中的导电涂层材料831的表面覆盖率在一些非限制性实例中可以介于约30％到约90％和/或约40％到约80％之间。
因此，第一部分1001基本上缺乏导电涂层830。
以这种方式，可以选择性地沉积NIC 810，包含使用阴影掩模，以允许沉积导电涂层830，包含但不限于使用开放式掩模和/或无掩模沉积工艺，以便形成装置特征，所述装置特征包含但不限于以下各项中的至少一个：第一电极120、第二电极140、辅助电极1750、母线4150和/或其至少一个层和/或与其电耦接的导电元件。
图11A-11B展示了蒸发工艺的非限制性实例，所述蒸发工艺总体上以1100示出，在腔室70中用于将导电涂层830选择性地沉积到底层材料(在图中，仅出于说明的简单性目的，衬底110)的暴露层表面111的第二部分702上，所述第二部分基本上缺乏被选择性地沉积到第一部分701上并且被选择性地沉积到NIC 810所沉积的第一部分701的NPC部分1103上的NIC 810，包含但不限于通过图7的蒸发工艺700。
图11A描述了工艺1100的阶段1101，其中一旦NIC 810已经沉积在底层材料(在图中，衬底110)的暴露层表面111的第一部分701上，NPC 1120可以沉积在安置在第一部分701中的衬底110上的NIC 810的暴露层表面111的NPC部分1103上。在图中，作为非限制性实例，NPC部分1103完全在第一部分701内延伸。
在阶段1101中，一定量的NPC材料1121在真空下被加热以蒸发和/或升华1122NPC材料1121。在一些非限制性实例中，NPC材料1121完全和/或基本上包括用于形成NPC 1120的材料。蒸发的NPC材料1122被引导通过腔室70，包含在通过箭头1110指示的方向上，朝向第一部分701和NPC部分1103的暴露层表面111。当蒸发的NPC材料1122入射到暴露层表面111的NPC部分1103上时，NPC 1120形成在其上。
在一些非限制性实例中，NPC材料1121的沉积可以使用开放式掩模和/或无掩模沉积技术来执行，使得NPC 1120基本上跨底层材料(在图中，其可以是贯穿第一部分701的NIC810和/或穿过第二部分702的衬底110)的整个暴露层表面111形成以产生(NPC 1120的)经过处理的表面。
在一些非限制性实例中，如阶段1101的图中所示，NPC 1120可以通过在NPC材料1121与暴露层表面111之间插入阴影掩模1125而选择性地仅沉积到(在图中，NIC 810的)暴露层表面111一部分上(在所展示的实例中，NPC部分1103)，在一些非限制性实例中，所述阴影掩模可以是FMM。阴影掩模1125具有至少一个穿过其延伸的孔1126，使得蒸发的NPC材料1122的一部分穿过孔1126并且入射到(在图中，作为非限制性实例，仅NPC部分1103内的NIC810的)暴露层表面111上以形成NPC 1120。在蒸发的NPC材料1122不穿过孔1126而是入射到阴影掩模1125的表面1127上的情况下，其被阻止安置在暴露层表面111上以形成NPC 1120。暴露层表面111的位于NPC部分1103之外的部1102因此基本上缺乏NPC 1120。在一些非限制性实例(未示出)中，入射到阴影掩模1125上的蒸发的NPC材料1122可以沉积在其表面1127上。
尽管第一部分701中NIC 810的暴露层表面111对导电涂层830展现出相对较低的初始粘附概率S0，但在一些非限制性实例中，对于NPC涂层1120来说这可能不一定是这种情况，使得NPC涂层1120仍然选择性地沉积在NPC部分1103中的(在图中，NIC 810的)暴露层表面上。
因此，在完成NPC 1120的沉积时产生图案化表面。
图11B描述了工艺1100的阶段1104，其中，一旦NIC 810已经被沉积在底层材料(在图中，衬底110)的暴露层表面111的第一部分701上并且NPC 1120已经被沉积在(在图中，NIC 810的)暴露层表面111的NPC部分1103上，则导电涂层830就可以沉积在暴露层表面111(在图中，衬底110)的NPC部分1103和第二部分702上。
在阶段1104中，一定量的导电涂层材料831在真空下被加热以蒸发和/或升华832导电涂层材料831。在一些非限制性实例中，导电涂层材料831完全和/或基本上包括用于形成导电涂层830的材料。蒸发的导电涂层材料832被引导通过腔室70，包含在通过箭头1120指示的方向上，朝向第一部分701、NPC部分1103和第二部分702的暴露层表面111。当蒸发的导电涂层材料832入射到(NPC 1120的)暴露层表面111的NPC部分1103和(衬底110的)暴露层表面111的第二部分702上(即，除了在NIC 810的暴露层表面111上)时，在其上形成导电涂层830。
在一些非限制性实例中，如阶段1104的图中所示，导电涂层830的沉积可以使用开放式掩模和/或无掩模沉积工艺来执行，使得导电涂层830基本上跨底层材料(除了底层材料是NIC 810的情况)的整个暴露层表面111形成以产生(导电涂层830的)经过处理的表面。
实际上，如图11B所示，蒸发的导电涂层材料832入射到跨位于NPC部分1103之外的第一部分701的NIC 810的暴露层表面111上以及跨NPC部分1103的NPC 1120的暴露层表面111和基本上缺乏NIC 810的跨第二部分702的衬底110的暴露层表面111上。
由于与第二部分702中衬底110的暴露层表面111相比，位于NPC部分1103之外的第一部分701中NIC 810的暴露层表面111对导电涂层830展现出相对较低的初始粘附概率S0和/或由于与位于NPC部分1103之外的第一部分701中NIC 810的暴露层表面111和第二部分702中衬底110的暴露层表面111两者相比，NPC部分1103中NPC 1120的暴露层表面111对导电涂层830展现出相对较高的初始粘附概率S0，导电涂层830基本上仅选择性地沉积在NPC部分1103和第二部分702中的衬底110的暴露层表面111上，这两个部基本上缺乏NIC 810。相比之下，入射到跨位于NPC部分1103之外的第一部分701的NIC 810的暴露层表面111上的蒸发的导电涂层材料832趋于不沉积，如图所示(1123)并且跨位于NPC部分1103之外的第一部分701的NIC 810的暴露层表面111基本上缺乏导电涂层830。
因此，在完成导电涂层830的沉积时产生图案化表面。
图12A-12C展示了蒸发工艺的非限制性实例，所述蒸发工艺总体上以1200示出，在腔室70中用于将地将导电涂层830选择性沉积到底层材料的暴露层表面111的第二部分1202(图12C)上。
图12A描述了工艺1200的阶段1201，其中一定量的NPC材料1121在真空下被加热以蒸发和/或升华1122NPC材料1121。在一些非限制性实例中，NPC材料1121完全和/或基本上包括用于形成NPC 1120的材料。蒸发的NPC材料1122被引导通过腔室70，包含在通过箭头1210指示的方向上，朝向暴露层表面111(在图中，衬底110)。
在一些非限制性实例中，NPC材料1121的沉积可以使用开放式掩模和/或无掩模沉积工艺来执行，使得NPC 1120基本上跨底层材料(在图中，衬底110)的整个暴露层表面111形成以产生(NPC 1120的)经过处理的表面。
在一些非限制性实例中，如阶段1201的图中所示，NPC 1120可以通过在NPC材料1121与暴露层表面111之间插入阴影掩模1125而选择性地仅沉积到暴露层表面111的一部分上(在所展示的实例中，NPC部分1103)，在一些非限制性实例中，所述阴影掩模可以是FMM。阴影掩模1125具有至少一个穿过其延伸的孔1126，使得蒸发的NPC材料1122的一部分穿过孔1126并且入射到暴露层表面111上以在NPC部分1103中形成NPC 1120。在蒸发的NPC材料1122不穿过孔1126而是入射到阴影掩模1125的表面1127上的情况下，其被阻止安置在暴露层表面111上以在位于NPC部分1103之外的暴露层表面111的部1102内形成NPC 1120。因此部1102基本上缺乏NPC 1120。在一些非限制性实例(未示出)中，入射到阴影掩模1125上的NPC材料1121可以沉积在其表面1127上。
当蒸发的NPC材料1122入射到暴露层表面111上时，即在NPC部分1103中，NPC 1120形成在其上。
因此，在完成NPC 1120的沉积时产生图案化表面。
图12B描述了工艺1200的阶段1202，其中一旦NPC 1120已经沉积在底层材料(在图中，衬底110)的暴露层表面111的NPC部分1103上，NIC 810可以沉积在暴露层表面111的第一部分701上。在图中，作为非限制性实例，第一部分701完全在NPC部分1103内延伸。因此，在图中，作为非限制性实例，部1102包括暴露层表面111的位于第一部分701之外的所述部分。
在阶段1202中，一定量的NIC材料1211在真空下被加热以蒸发和/或升华1212NIC材料1211。在一些非限制性实例中，NIC材料1121完全和/或基本上包括用于形成NIC 810的材料。蒸发的NIC材料1212被引导通过腔室70，包含在通过箭头1220指示的方向上，朝向第一部分701、延伸到第一部分701之外的NPC部分1103和部1102的暴露层表面111。当蒸发的NIC材料1212入射到暴露层表面111的第一部分701上时，NIC 810形成在其上。
在一些非限制性实例中，NIC材料1211的沉积可以使用开放式掩模和/或无掩模沉积工艺来执行，使得NIC 810基本上跨底层材料的整个暴露层表面111形成以产生(NIC 810的)经过处理的表面。
在一些非限制性实例中，如阶段1202的图中所示，NIC 810可以通过在NIC材料1211与暴露层表面111之间插入阴影掩模1215而选择性地仅沉积到(在图中，NPC 1120的)暴露层表面111一部分上(在所展示的实例中，第一部分701)，在一些非限制性实例中，所述阴影掩模可以是FMM。阴影掩模1215具有至少一个穿过其延伸的孔1216，使得蒸发的NIC材料1212的一部分穿过孔1216并且入射到(在图中，作为非限制性实例，NPC 1120的)暴露层表面111上以形成NIC 810。在蒸发的NIC材料1212不穿过孔1216而是入射到阴影掩模1215的表面1217上的情况下，其被阻止安置在暴露层表面111上以在第一部分701之外的第二部分702内形成NIC 810。暴露层表面111的位于第一部分701之外的第二部分702因此基本上缺乏NIC 810。在一些非限制性实例(未示出)中，入射到阴影掩模1215上的蒸发的NIC材料1212可以沉积在其表面1217上。
尽管NPC部分1103中NPC 1120的暴露层表面111对导电涂层830展现出相对较高的初始粘附概率S0，但在一些非限制性实例中，对于NIC涂层810来说这可能不一定是这种情况。即便如此，在一些非限制性实例中，对NIC涂层810的这种亲和力可以使得NIC涂层810仍然选择性地沉积在第一部分701中(在图中，NPC 1120的)暴露层表面111上。
因此，在完成NIC 810的沉积时产生图案化表面。
图12C描述了工艺1200的阶段1204，其中一旦NIC 810已经沉积在底层材料的暴露层表面111(在图中，NPC 1120)的第一部分701上，导电涂层830可以沉积在(在图中，跨NPC部分1103之外的部1102的衬底110的和跨第一部分701的NPC部分1103的NPC 1120的)暴露层表面111的第二部分702上。
在阶段1204中，一定量的导电涂层材料831在真空下被加热以蒸发和/或升华832导电涂层材料831。在一些非限制性实例中，导电涂层材料831完全和/或基本上包括用于形成导电涂层830的材料。蒸发的导电涂层材料832被引导通过腔室70，包含在通过箭头1230指示的方向上，朝向第一部分701、NPC部分1103和NPC部分1103之外的部1102的暴露层表面111。当蒸发的导电涂层材料832入射到第一部分701之外的(NPC 1120的)暴露层表面111的NPC部分1103和(衬底110的)暴露层表面111的NPC部分1103之外的部1102上时，即在第二部分702上除了在NIC 810的暴露层表面111上，在其上形成导电涂层830。
在一些非限制性实例中，如阶段1204的图中所示，导电涂层830的沉积可以使用开放式掩模和/或无掩模沉积工艺来执行，使得导电涂层830基本上跨底层材料(除了底层材料是NIC 810的情况)的整个暴露层表面111形成以产生(导电涂层830的)经过处理的表面。
实际上，如图12C所示，蒸发的导电涂层材料832入射到跨位于NPC部分1103内的第一部分701的NIC 810的暴露层表面111上以及跨位于第一部分701之外的NPC部分1103的NPC 1120的暴露层表面111和跨位于NPC部分1103之外的部1102的衬底110的暴露层表面111上。
由于与位于NPC部分1103之外的第二部分702中衬底110的暴露层表面111相比，第一部分701中NIC 810的暴露层表面111对导电涂层830展现出相对较低的初始粘附概率S0和/或由于与第一部分701中NIC 810的暴露层表面111和位于NPC部分1103之外的部1102中衬底110的暴露层表面111两者相比，位于第一部分701之外的NPC部分1103中NPC 1120的暴露层表面111对导电涂层830展现出相对较高的初始粘附概率S0，导电涂层830基本上仅选择性地沉积在位于第一部分701之外的NPC部分1103和位于NPC部分1103之外的部1102中的衬底110的暴露层表面111上，这两个部基本上缺乏NIC 810。相比之下，入射到跨第一部分701的NIC 810的暴露层表面111上的蒸发的导电涂层材料832趋于不沉积，如图所示(1233)并且跨第一部分701的NIC 810的暴露层表面111基本上缺乏导电涂层830。
因此，在完成导电涂层830的沉积时产生图案化表面。
在一些非限制性实例中，蒸发的导电涂层材料832在第二部分702中的暴露层表面111上的初始沉积速率可以是在第一部分701中NIC 810的暴露层表面111上的蒸发的导电涂层材料832的初始沉积速率的至少和/或大于约200倍、至少和/或大于约550倍、至少和/或大于约900倍、至少和/或大于约1,000倍、至少和/或大于约1,500倍、至少和/或大于约1,900倍和/或至少和/或大于约2,000倍。
图13A-13C展示了打印工艺的非限制性实例，所述打印工艺总体上以1300示出，用于将选择性涂层710(在一些非限制性实例中，可以是NIC 810和/或NPC 1120)选择性地沉积在底层材料(在图中，仅出于说明的简单性目的，衬底110)的暴露层表面111上。
图13A描述了工艺1300的阶段，其中在其上具有突起1311的印模1310在突起1311的暴露层表面1312上设置有选择性涂层710。相关领域的普通技术人员应当理解，选择性涂层710可以使用多种合适的机制沉积和/或沉积在突起表面1312上。
图13B描述了工艺1300的阶段，其中使印模1310与暴露层表面111接近1301，使得选择性涂层710与暴露层表面111接触并粘附到其上。
图13C描述了工艺1300的阶段，其中印模1310从暴露层表面111移开1303，留下沉积在暴露层表面111上的选择性涂层710。
图案化电极的选择性沉积
在不采用高温导电涂层830沉积工艺内的FMM的情况下，可以组合前述内容以实现至少一个导电涂层830的选择性沉积以形成图案化电极120、140、1750、4150，在一些非限制性实例中，其可以是第二电极140和/或辅助电极1750。在一些非限制性实例中，此类图案化可以允许和/或增强装置100的透射率。
图14以平面视图示出了示例图案化电极1400，在图中，第二电极140适用于装置100的示例版本1500(图15)。电极1400按包括单个连续结构的图案1410形成，其具有或限定图案化的多个孔1420，其中孔1420对应于装置100的没有阴极342的区域。
在图中，作为非限制性实例，在对应于(子)像素340/264x的发射区域1910的横向方面410与围绕此类发射区域1910的非发射区域1920的横向方面420之间没有区别的情况下，图案1410跨装置1500的整个横向范围安置。因此，所展示的实例可以对应于相对于入射在其外表面上的光基本上透射的装置1500，使得除了如本文所公开的在装置1500内部产生的光子的发射(顶部发射、底部发射和/或双面发射)之外，此类外部入射光的大部分可以透射通过装置1500。
装置1500的透射率可以通过改变所采用的图案1410来调整和/或修改，包含但不限于孔1420的平均大小和/或孔1420的间距和/或密度。
现在转到图15，示出了沿图14中的线15-15截取的装置1500的横截面视图。在图中，装置1500被示出为包括衬底110、第一电极120和至少一个半导电层130。在一些非限制性实例中，NPC 1120安置在至少一个半导电层130的基本上所有的暴露层表面111上。在一些非限制性实例中，可以省略NPC 1120。
按基本上对应于底层材料的暴露层表面111上的图案1410的图案选择性地安置NIC 810，如图所示，所述底层材料是NPC 1120(但在一些非限制性实例中，如果已省略了NPC 1120，则所述底层材料可以是至少一个半导电层130)。
使用开放式掩模和/或无掩模沉积工艺将适用于形成图案化电极1400(在图中为第二电极140)的导电涂层830安置在底层材料的基本上所有暴露层表面111上，所述工艺中的任何一种在高温导电涂层沉积工艺期间都不采用任何FMM。底层材料包括安置在图案1410中的NIC 810的区域和图案1410中的NPC 1120的区域，其中尚未沉积NIC 810。在一些非限制性实例中，NIC 810的区域可以基本上对应于包括在图案1410中示出的孔1420的第一部分。
由于安置了NIC 810的图案1410(对应于孔1420)的那些区域的成核抑制性质，安置在此类区域上的导电涂层830趋于不保留，导致导电涂层830的选择性沉积图案，其基本上对应于图案1410的其余部分，从而使图案1410的第一部分中对应于孔1420的那些区域基本上缺乏导电涂层830。
换句话说，将形成阴极342的导电涂层830基本上仅选择性地沉积在第二部分上，所述第二部分包括围绕但不占据图案1410中的孔1420的NPC 1120的那些区域。
图16A以平面视图示出了示出电极120、140、1750的多个图案1620、1640的示意图。
在一些非限制性实例中，第一图案1620包括在第一横向方向上延伸的多个细长的、间隔开的区域。在一些非限制性实例中，第一图案1620可以包括多个第一电极120。在一些非限制性实例中，包括第一图案1620的多个区域可以电耦接。
在一些非限制性实例中，第二图案1640包括在第二横向方向上延伸的多个细长的、间隔开的区域。在一些非限制性实例中，第二横向方向可以基本上垂直于第一横向方向。在一些非限制性实例中，第二图案1640可以包括多个第二电极140。在一些非限制性实例中，包括第二图案1640的多个区域可以电耦接。
在一些非限制性实例中，第一图案1620和第二图案1640可以形成示例版本的一部分，总体上以装置100的1600(图16C)示出，其可以包括多个PMOLED元件。
在一些非限制性实例中，形成对应于(子)像素340/264x的发射区域1910的横向方面410，其中第一图案1620与第二图案1640重叠。在一些非限制性实例中，非发射区域1920的横向方面420对应于除了横向方面410外的任何横向方面。
在一些非限制性实例中，第一端子(在一些非限制性实例中可以是电源15的正极端子)电耦接到第一图案1620的至少一个电极120、140、1750。在一些非限制性实例中，第一端子通过至少一个驱动电路300耦接到第一图案1620的至少一个电极120、140、1750。在一些非限制性实例中，第二端子(在一些非限制性实例中可以是电源15的负极端子)电耦接到第二图案1640的至少一个电极120、140、1750。在一些非限制性实例中，第二端子通过至少一个驱动电路300耦接到第二图案1740的至少一个电极120、140、1750。
现在转到图16B，示出了沿图16A中的线16B-16B截取的沉积阶段1600b处的装置1600的横截面视图。在图中，阶段1600b处的装置1600被示出为包括衬底110。在一些非限制性实例中，NPC 1120安置在衬底110的暴露层表面111上。在一些非限制性实例中，可以省略NPC 1120。
按对应于第一图案1620的反相的图案将NIC 810选择性地安置在底层材料的暴露层表面111上，如图所示，所述底层材料是NPC 1120。
使用开放式掩模和/或无掩模沉积工艺将适用于形成电极120、140、1750(在图中为第一电极120)的第一图案1620的导电涂层830安置在底层材料的基本上所有暴露层表面111上，所述工艺中的任何一种在高温导电涂层沉积工艺期间都不采用任何FMM。底层材料包括按第一图案1620的反相安置的NIC 810的区域和按第一图案1620安置的NPC 1120的区域，其中尚未沉积NIC 810。在一些非限制性实例中，NPC 1120的区域可以基本上对应于第一图案1620的细长的、间隔开的区域，而NIC 810的区域可以基本上对应于包括其间的间隙的第一部分。
由于安置了NIC 810的第一图案1620(对应于其间的间隙)的那些区域的成核抑制性质，安置在此类区域上的导电涂层830趋于不保留，导致导电涂层830的选择性沉积图案，其基本上对应于第一图案1620的细长的、间隔开的区域，从而使包括其间的间隙的第一部分基本上缺乏导电涂层830。
换句话说，将形成电极120、140、1750的第一图案1620的导电涂层830基本上仅选择性地沉积在包括NPC 1120(或者在一些非限制性实例中，如果已省略了NPC 1120，则是衬底110)的那些区域的第二部分上，所述区域限定第一图案1620的细长的、间隔开的区域。
现在转到图16C，示出了沿图16A中的线16C-16C截取的装置1600的横截面视图。在图中，装置1600被示出为包括衬底110；如图16B所示沉积的电极120的第一图案1620，和至少一个半导电层130。
在一些非限制性实例中，至少一个半导电层130可以被提供为跨装置1600的基本上所有横向方面的公共层。
在一些非限制性实例中，NPC 1120安置在至少一个半导电层130的基本上所有的暴露层表面111上。在一些非限制性实例中，可以省略NPC 1120。
按基本上对应于底层材料的暴露层表面111上的第二图案1640的图案选择性地安置NIC 810，如图所示，所述底层材料是NPC 1120(但在一些非限制性实例中，如果已省略了NPC 1120，则所述底层材料可以是至少一个半导电层130)。
使用开放式掩模和/或无掩模沉积工艺将适用于形成电极120、140、1750(在图中为第二电极140)的第二图案1640的导电涂层830安置在底层材料的基本上所有暴露层表面111上，所述工艺中的任何一种在高温导电涂层沉积工艺期间都不采用任何FMM。底层材料包括按第二图案1640的反相安置的NIC 810的区域和第二图案1640中的NPC 1120的区域，其中尚未沉积NIC 810。在一些非限制性实例中，NPC 1120的区域可以基本上对应于包括第二图案1640的细长的、间隔开的区域的第一部分，而NIC 810的区域可以基本上对应于其间的间隙。
由于安置了NIC 810的第二图案1640(对应于其间的间隙)的那些区域的成核抑制性质，安置在此类区域上的导电涂层830趋于不保留，导致导电涂层830的选择性沉积图案，其基本上对应于第二图案1640的细长的、间隔开的区域，从而使包括其间的间隙的第一部分基本上缺乏导电涂层830。
换句话说，将形成电极120、140、1750的第二图案1640的导电涂层830基本上仅选择性地沉积在包括NPC 1120的那些区域的第二部分上，所述区域限定第二图案1640的细长的、间隔开的区域。
在一些非限制性实例中，NIC 810和其后沉积的用于形成电极120、140、1750的第一图案1620和/或第二图案1640中的一个或两个的导电涂层830的厚度可以根据多种参数而变化，包含但不限于期望的施涂和期望的性能特性。在一些非限制性实例中，NIC 810的厚度可以与此后沉积的导电涂层830的厚度相当和/或显著小于其厚度。使用相对较薄的NIC 810来实现其后沉积的导电涂层的选择性图案化可能适合于提供柔性装置1600，包含但不限于PMOLED装置。在一些非限制性实例中，相对较薄的NIC 810可以提供屏障涂层1650或其它薄膜包封(TFE)层可以沉积在其上的相对平坦的表面。在一些非限制性实例中，提供用于施涂阻隔涂层1650的此类相对较平坦的表面可以增加阻隔涂层1650对此类表面的粘附。
电极120、140、1750的第一图案1620中的至少一个图案和电极120、140、1750的第二图案1640中的至少一个图案可以直接和/或在一些非限制性实例中通过它们相应的驱动电路300电耦接到电源15以控制来自对应于(子)像素340/264x的发射区域1910的横向方面410的光子发射。
相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，图16A-16C中示出的按第二图案1640形成第二电极140的工艺可以以类似的方式用于形成用于装置1600的辅助电极1750。在一些非限制性实例中，其第二电极140可以包括公共电极，并且辅助电极1750可以沉积在第二图案1640中(在一些非限制性实例中，在第二电极140上方，或在一些非限制性实例中，在第二电极下方)，并且与其电耦接。在一些非限制性实例中，用于此类辅助电极1750的第二图案1640可以使得第二图案1640的细长的、间隔开的区域基本上位于围绕对应于(子)像素340/264x的发射区域1910的横向方面410的非发射区域1920的横向方面420内。在一些非限制性实例中，用于此类辅助电极1750的第二图案1640可以使得第二图案1640的细长的、间隔开的区域基本上位于对应于(子)像素340/264x的发射区域1910的横向方面410和/或围绕它们的非发射区域1920的横向方面420内。
图17示出了装置100的示例版本1700的示例横截面视图，所述示例版本基本上类似于所述装置，但进一步包括至少一个辅助电极1750，所述辅助电极按上述图案安置并与第二电极140电耦接(未示出)。
辅助电极1750是导电的。在一些非限制性实例中，辅助电极1750可以由至少一种金属和/或金属氧化物形成。这种金属的非限制性实例包含Cu、Al、钼(Mo)和/或Ag。作为非限制性实例，辅助电极1750可以包括多层金属结构，包含但不限于由Mo/Al/Mo形成的多层金属结构。这种金属氧化物的非限制性实例包含ITO、ZnO、IZO和/或其它含有In和/或Zn的氧化物。在一些非限制性实例中，辅助电极1750可以包括由至少一种金属和至少一种金属氧化物的组合形成的多层结构，所述组合包含但不限于Ag/ITO、Mo/ITO、ITO/Ag/ITO和/或ITO/Mo/ITO。在一些非限制性实例中，辅助电极1750包括多种这样的导电材料。
装置1700被示出为包括衬底110、第一电极120和至少一个半导电层130。
在一些非限制性实例中，NPC 1120安置在至少一个半导电层130的基本上所有的暴露层表面111上。在一些非限制性实例中，可以省略NPC 1120。
第二电极140安置在NPC 1120(或至少一个半导电层130，如果NPC 1120已被省略的话)的基本上所有暴露层表面111上。
在一些非限制性实例中，特别是在顶部发射装置1700中，第二电极140可以通过沉积相对较薄的导电膜层(未示出)来形成，以便通过非限制性实例减少与第二电极140的存在相关的光学干涉(包含但不限于衰减、反射和/或扩散)。在一些非限制性实例中，如别处所讨论的，第二电极140的减小的厚度通常可以增加第二电极140的薄层电阻，在一些非限制性实例中这可以降低装置1700的性能和/或效率。通过提供电耦接到第二电极140的辅助电极1750，在一些非限制性实例中，可以减小薄层电阻并因此减小与第二电极140相关联的IR降。
在一些非限制性实例中，装置1700可以是底部发射和/或双面发射装置1700。在此类实例中，第二电极140可以形成为相对较厚的导电层而基本上不影响此类装置1700的光学特性。然而，即使在此类情况下，作为非限制性实例，第二电极140仍然可以形成为相对较薄的导电膜层(未示出)，使得装置1700相对于入射在其外表面上的光可以是基本上透射的，使得除了如本文所公开的在装置1700内部产生的光子的发射之外，此类外部入射光的大部分可以透射通过装置1700。
按图案将NIC 810选择性地安置在底层材料的暴露层表面111上，如图所示，所述底层材料是NPC 1120。在一些非限制性实例中，如图所示，NIC 810可以在图案的第一部分中安置为一系列平行的行1720。
适用于形成图案化辅助电极1750的导电涂层830使用开放式掩模和/或无掩模沉积工艺安置在底层材料的基本上所有暴露层表面111上，所述工艺中的任何一种在高温导电涂层沉积工艺期间都不采用任何FMM。底层材料包括安置在行1720的图案中的NIC 810的区域和NPC 1120的区域，其中尚未沉积NIC 810。
由于安置了NIC 810的那些行1720的成核抑制性质，安置在此类行1720上的导电涂层830趋于不保留，导致导电涂层830的选择性沉积图案，其基本上对应于图案的至少一个第二部分，从而使包括行1720的第一部分基本上缺乏导电涂层830。
换句话说，将形成辅助电极1750的导电涂层830基本上仅选择性地沉积在第二部分上，所述第二部分包括NPC 1120的围绕但不占据行1720的那些区域。
在一些非限制性实例中，选择性地沉积辅助电极1750以仅覆盖装置1700的横向方面的某些行1720，而其其它区域保持未覆盖，可以控制和/或减少与辅助电极1750的存在相关的光学干扰。
在一些非限制性实例中，辅助电极1750可以按从典型的观看距离不能被肉眼容易地检测到的图案选择性地沉积。
在一些非限制性实例中，辅助电极1750可以形成在除OLED装置外的装置中，包含用于降低此类装置的电极的有效电阻。
辅助电极
在高温导电涂层830沉积工艺(包含但不限于图17中所描绘的工艺)期间通过采用选择性涂层710在不采用FMM的情况下图案化电极120、140、1750、4150(包含但不限于第二电极140和/或辅助电极1750)的能力允许部署辅助电极1750的多种配置。
图18A以平面视图示出了具有多个发射区域1910a-1910j和围绕它们的至少一个非发射区域1820的装置100的示例版本1800的一部分。在一些非限制性实例中，装置1800可以是AMOLED装置，其中所述发射区域1910a-1910j中的每个发射区域对应于其(子)像素340/264x。
图18B-18D结合覆盖在其上的辅助电极1750的不同配置1750b-1750d示出了对应于其相邻发射区域1910a和1910b的装置1800的一部分，以及其间的至少一个非发射区域1820的一部分的实例。在一些非限制性实例中，尽管没有在图18B-18D中明确说明，但装置1800的第二电极140被理解为基本上覆盖至少其发射区域1910a和1910b两者以及其间的至少一个非发射区域1820的一部分。
在图18B中，辅助电极配置1750b安置在两个相邻发射区域1910a与1910b之间并且电耦接到第二电极140。在此实例中，辅助电极配置1750b的宽度α小于相邻发射区域1910a与1910b之间的间隔距离δ。因此，在辅助电极配置1750b的每一侧上的至少一个非发射区域1820内存在间隙。在一些非限制性实例中，此类布置可以降低辅助电极配置1750b干扰来自发射区域1910a和1910b(在一些非限制性实例中)中的至少一个发射区域的装置1800的光输出的可能性。在一些非限制性实例中，此类布置在辅助电极配置1750b相对较厚(在一些非限制性实例中，大于几百nm和/或几微米量级的厚度)的情况下可能是合适的。在一些非限制性实例中，辅助电极配置1750b的高度(厚度)与其宽度的比率(即纵横比)可以大于约0.05，如约0.1或更大、约0.2或更大、约0.5或更大、约0.8或更大、约1或更大和/或约2或更大。作为非限制性实例，辅助电极配置1750b的高度(厚度)可以大于约50nm，如约80nm或更大、约100nm或更大、约200nm或更大、约500nm或更大、约700nm或更大、约1000nm或更大、约1500nm或更大、约1700nm或更大或约2000nm或更大。
在图18C中，辅助电极配置1750c安置在两个相邻发射区域1910a与1910b之间并且电耦接到第二电极140。在此实例中，辅助电极配置1750c的宽度α与相邻发射区域1910a与1910b之间的间隔距离δ基本上相同。因此，在辅助电极配置1750c的任一侧上的至少一个非发射区域1820内没有间隙。在一些非限制性实例中，在高像素密度装置1800中作为非限制性实例，在相邻发射区域1910a与1910b之间的间隔距离δ相对较小的情况下，此类布置可能是合适的。
在图18D中，辅助电极1750d安置在两个相邻发射区域1910a与1910b之间并且电耦接到第二电极140。在此实例中，辅助电极配置1750d的宽度α大于相邻发射区域1910a与1910b之间的间隔距离δ。因此，辅助电极配置1750d的一部分与相邻发射区域1910a和/或1910b中的至少一个相邻发射区域的一部分重叠。尽管所述图示出了辅助电极配置1750d与相邻发射区域1910a和1910b中的每个相邻发射区域的重叠程度，但在一些非限制性实例中，重叠程度和/或在一些非限制性实例中，辅助电极配置1750d与相邻发射区域1910a和1910b中的至少一个相邻发射区域之间的重叠的轮廓可以被改变和/或调制。
图19以平面视图示出了示出形成为网格的辅助电极1750的图案1950的实例的示意图，所述网格覆盖在可以对应于装置100的示例版本1900的(子)像素340/264x的发射区域1910的横向方面410和围绕发射区域1910的非发射区域1920的横向方面420之上。
在一些非限制性实例中，辅助电极图案1950基本上仅在非发射区域1920的一些而非全部横向方面420之上延伸，以便基本上不覆盖发射区域1910的横向方面410中的任何一个横向方面。
相关领域的普通技术人员应当理解，尽管在图中，辅助电极图案1950被示出为形成为连续结构，使得其所有元件彼此物理连接和电耦接并且电耦接到至少一个电极120、140、1750、4150，在一些非限制性实例中所述至少一个电极可以是第一电极120和/或第二电极140，在一些非限制性实例中，辅助电极图案1950可以被提供为辅助电极图案1950的多个分立元件，尽管所述分立元件保持彼此电耦接，但彼此不物理连接。即便如此，辅助电极图案1950的此类分立元件仍可以显著降低与它们电耦接的至少一个电极120、140、1750、4150的薄层电阻，并且因此降低装置1900的薄层电阻，从而增加装置1900的效率，而基本上无需干扰其光学特性。
在一些非限制性实例中，辅助电极1750可以用于具有(子)像素340/264x的各种布置的装置100中。在一些非限制性实例中，(子)像素340/264x布置可以是基本上菱形的。
作为非限制性实例，图20A以平面视图示出了装置100的示例版本2000中的多个发射区域1910的组2041-2043，每个发射区域对应于子像素264x，被包括菱形配置的PDL 440的多个非发射区域1920的横向方面围绕。在一些非限制性实例中，所述配置由第一行和第二行的交替图案中的发射区域1910和PDL 440的图案2041-2043限定。
在一些非限制性实例中，包括PDL 440的非发射区域1920的横向方面420可以是基本上椭圆形的。在一些非限制性实例中，第一行中非发射区域1920的横向方面420的主轴与第二行中非发射区域1920的横向方面420的主轴对齐并且基本上垂直。在一些非限制性实例中，第一行中非发射区域1920的横向方面420的主轴基本上平行于第一行的轴。
在一些非限制性实例中，发射区域1910的第一组2041对应于以第一波长发射光的子像素264x，在一些非限制性实例中，第一组2041的子像素264x可以对应于红色(R)子像素2641。在一些非限制性实例中，第一组2041的发射区域1910的横向方面410可以具有基本上菱形的配置。在一些非限制性实例中，第一组2041的发射区域1910位于第一行的图案中，在PDL 440之前和之后。在一些非限制性实例中，第一组2041的发射区域1910的横向方面410与包括同一行中的PDL 440的之前和之后的非发射区域1920的横向方面420以及包括在第二行的之前和之后图案中包括PDL 440的邻近非发射区域1920的横向方面420略微重叠。
在一些非限制性实例中，发射区域1910的第二组2042对应于以第二波长发射光的子像素264x，在一些非限制性实例中，第二组2042的子像素264x可以对应于绿色(G)子像素2642。在一些非限制性实例中，第二组2041的发射区域1910的横向方面410可以具有基本上椭圆形的配置。在一些非限制性实例中，第二组2041的发射区域1910位于第二行的图案中，在PDL 440之前和之后。在一些非限制性实例中，第二组2041的发射区域1910的横向方面410中的一些横向方面的主轴可以处于第一角度，在一些非限制性实例中，所述第一角度可以相对于第二行的轴成45°。在一些非限制性实例中，第二组2041的发射区域1910的横向方面410中的其它横向方面的主轴可以处于第二角度，在一些非限制性实例中，所述第二角度可以基本上垂直于第一角度。在一些非限制性实例中，第一组2041的发射区域1910(其横向方面410具有处于第一角度的主轴)与第一组2041的发射区域1910(其横向方面410具有处于第二角度的主轴)交替。
在一些非限制性实例中，发射区域1910的第三组2043对应于以第三波长发射光的子像素264x，在一些非限制性实例中，第三组2043的子像素264x可以对应于蓝色(B)子像素2643。在一些非限制性实例中，第三组2043的发射区域1910的横向方面410可以具有基本上菱形的配置。在一些非限制性实例中，第三组2043的发射区域1910位于第一行的图案中，在PDL 440之前和之后。在一些非限制性实例中，第三组2043的发射区域1910的横向方面410与包括同一行中的PDL 440的之前和之后的非发射区域1920的横向方面410以及包括在第二行的之前和之后图案中包括PDL 440的邻近非发射区域1920的横向方面420略微重叠。在一些非限制性实例中，第二行的图案包括与第三组2043的发射区域1910交替的第一组2041的发射区域1910，每个区域在PDL 440之前和之后。
现在转到图20B，示出了沿图20A中的线20B-20B截取的装置2000的示例横截面视图。在图中，装置2000被示出为包括衬底110和形成在其暴露层表面111上的第一电极120的多个元件。衬底110可以包括基础衬底112(出于说明的简单性目的而未示出)和/或至少一个TFT结构200，其对应于并且用于驱动每个子像素264x。PDL 440形成在第一电极120的元件之间的衬底110之上，以在第一电极120的每个元件之上限定发射区域1910，所述发射区域由包括PDL 440的非发射区域1920分隔。在图中，发射区域1910全都对应于第二组2042。
在一些非限制性实例中，至少一个半导电层130沉积在第一电极120的每个元件上，在周围PDL 440之间。
在一些非限制性实例中，第二电极140(在一些非限制性实例中可以是公共阴极)可以沉积在第二组2042的发射区域1910之上以形成其G(reen)子像素2642和沉积在周围PDL 440之上。
在一些非限制性实例中，NIC 810跨G(reen)子像素2642的第二组2042的发射区域1910的横向方面410选择性地沉积在第二电极140之上，以允许将导电涂层830选择性沉积在基本上缺乏NIC 810的第二电极140的多个部分之上，即跨包括PDL 440的非发射区域1920的横向方面420。在一些非限制性实例中，导电涂层830可能趋于沿着PDL 440的基本上平坦部分积聚，因为导电涂层830可能不趋于保留在PDL 440的倾斜部分上，而是趋于下降到涂覆有NIC 810的此类倾斜部分的底部。在一些非限制性实例中，PDL 440的基本上平坦部分上的导电涂层830可以形成可以电耦接到第二电极140的至少一个辅助电极1750。
在一些非限制性实例中，装置2000可以包括CPL 3610和/或外耦接层。作为非限制性实例，此类CPL 3610和/或外耦接层可以直接安置在第二电极140的表面和/或NIC 810的表面上。在一些非限制性实例中，可以跨对应于(子)像素340/264x的至少一个发射区域1910的横向方面410提供此类CPL 3610和/或外耦接层。
在一些非限制性实例中，NIC 810还可以充当折射率匹配涂层。在一些非限制性实例中，NIC 810还可以充当外耦接层。
在一些非限制性实例中，装置2000包括封装层。这种封装层的非限制性实例包含玻璃盖、阻隔膜、阻隔粘合剂和/或TFE层2050，如图中虚线所示，用于封装装置2000。在一些非限制性实例中，TFE层2050可以被认为是一种类型的阻隔涂层1650。
在一些非限制性实例中，封装层可以布置在第二电极140和/或NIC 810中的至少一个上方。在一些非限制性实例中，装置2000包括另外的光学和/或结构层、涂层和组件，包含但不限于偏振器、滤色器、抗反射涂层、防眩光涂层、覆盖等级和/或光学透明粘合剂(OCA)。
现在转到图20C，示出了沿图20A中的线20C-20C截取的装置2000的示例横截面视图。在图中，装置2000被示出为包括衬底110和形成在其暴露层表面111上的第一电极120的多个元件。PDL 440形成在第一电极120的元件之间的衬底110之上，以在第一电极120的每个元件之上限定发射区域1910，所述发射区域由包括PDL 440的非发射区域1920分隔。在图中，发射区域1910以交替方式对应于第一组2041和第三组2043。
在一些非限制性实例中，至少一个半导电层130沉积在第一电极120的每个元件上，在周围PDL 440之间。
在一些非限制性实例中，第二电极140(在一些非限制性实例中可以是公共阴极)可以沉积在第一组2041的发射区域1910之上以形成其R(ed)子像素2641，沉积在第三组2043的发射区域1910之上以形成其B(lue)子像素2643和沉积在周围PDL 440之上。
在一些非限制性实例中，NIC 810跨R(ed)子像素2641的第一组2041和B(lue)子像素2643的第三组的发射区域1910的横向方面410选择性地沉积在第二电极140之上，以允许将导电涂层830选择性沉积在基本上缺乏NIC 810的第二电极140的多个部分之上，即跨包括PDL 440的非发射区域1920的横向方面420。在一些非限制性实例中，导电涂层830可能趋于沿着PDL 440的基本上平坦部分积聚，因为导电涂层830可能不趋于保留在PDL 440的倾斜部分上，而是趋于下降到涂覆有NIC 810的此类倾斜部分的底部。在一些非限制性实例中，PDL 440的基本上平坦部分上的导电涂层830可以形成可以电耦接到第二电极140的至少一个辅助电极1750。
现在转到图21，示出了装置100的示例版本2100，其涵盖图4中以横截面视图示出的装置100，但具有本文所描述的多个另外的沉积步骤。
在装置2100的第一部分内(其基本上与对应于(子)像素340/264x的发射区域1910的横向方面410相对应)并且不在装置2100的第二部分内(其基本上对应于围绕第一部分的非发射区域1920的横向方面420)，装置2100示出了选择性地沉积在底层材料(在图中，为第二电极140)的暴露层表面111之上的NIC 810。
在一些非限制性实例中，可以使用阴影掩模选择性地沉积NIC 810。
NIC 810在第一部分内提供具有相对较低的初始粘附概率S0的表面，用于此后沉积的导电涂层830以形成辅助电极1750。
在选择性沉积NIC 810之后，导电涂层830沉积在装置2100之上，但基本上仅保留在基本上缺乏NIC 810的第二部分内，以形成辅助电极1750。
在一些非限制性实例中，可以使用开放式掩模和/或无掩模沉积工艺来沉积导电涂层830。
辅助电极1750电耦接到第二电极140以降低第二电极140的薄层电阻，包含如图所示通过跨基本上缺乏NIC 810的第二部分位于第二电极140上方并与其物理接触。
在一些非限制性实例中，导电涂层830可以包括与第二电极140基本上相同的材料，以确保高初始粘附概率S0用于第二部分中的导电涂层830。
在一些非限制性实例中，第二电极140可以包括基本上纯的Mg和/或Mg与另一种金属的合金，包含但不限于Ag。在一些非限制性实例中，按体积计，Mg:Ag合金组成的范围可以为约1:9到约9:1。在一些非限制性实例中，第二电极140可以包括金属氧化物，包含但不限于三元金属氧化物，如但不限于ITO和/或IZO和/或金属和/或金属氧化物的组合。
在一些非限制性实例中，用于形成辅助电极1750的导电涂层830可以包括基本上纯的Mg。
现在转到图22，示出了装置100的示例版本2200，其涵盖图4中以横截面视图示出的装置100，但具有本文所描述的多个另外的沉积步骤。
在装置2200的第一部分内(其基本上与对应于(子)像素340/264x的发射区域1910的横向方面410的一部分相对应)并且不在第二部分内，装置2200示出了选择性地沉积在底层材料(在图中，为第二电极140)的暴露层表面111之上的NIC 810。在图中，第一部分部分地沿着限定发射区域1910的PDL 440的倾斜部分的范围延伸。
在一些非限制性实例中，可以使用阴影掩模选择性地沉积NIC 810。
NIC 810在第一部分内提供具有相对较低的初始粘附概率S0的表面，用于此后沉积的导电涂层830形成辅助电极1750。
在选择性沉积NIC 810之后，导电涂层830沉积在装置2200之上，但基本上仅保留在基本上缺乏NIC 810的第二部分内，以形成辅助电极1750。如此，在装置2200中，辅助电极1750部分地跨限定发射区域1910的PDL 440的倾斜部分延伸。
在一些非限制性实例中，可以使用开放式掩模和/或无掩模沉积工艺来沉积导电涂层830。
辅助电极1750电耦接到第二电极140以降低第二电极140的薄层电阻，包含如图所示通过跨基本上缺乏NIC 810的第二部分位于第二电极140上方并与其物理接触。
在一些非限制性实例中，可以包括第二电极140的材料对于导电涂层830可以不具有高的初始粘附概率S0。
图23展示了此类场景：其中示出了装置100的示例版本2300，其涵盖图4中以横截面视图示出的装置100，但具有本文所描述的多个另外的沉积步骤。
装置2300示出了沉积在底层材料(在图中，为第二电极140)的暴露层表面111之上的NPC 1120。
在一些非限制性实例中，可以使用开放式掩模和/或无掩模沉积工艺来沉积NPC1120。
此后，在装置2300的第一部分内(其基本上与对应于(子)像素340/264x的发射区域1910的横向方面410的一部分相对应)并且不在装置2300的第二部分内(其基本上对应于围绕第一部分的非发射区域1920的横向方面420)，NIC 810选择性地沉积在底层材料(在图中，为NPC 1120)的暴露层表面111之上。
在一些非限制性实例中，可以使用阴影掩模选择性地沉积NIC 810。
NIC 810在第一部分内提供具有相对较低的初始粘附概率S0的表面，用于此后沉积的导电涂层830形成辅助电极1750。
在选择性沉积NIC 810之后，导电涂层830沉积在装置2300之上，但基本上仅保留在基本上缺乏NIC 810的第二部分内，以形成辅助电极1750。
在一些非限制性实例中，可以使用开放式掩模和/或无掩模沉积工艺来沉积导电涂层830。
辅助电极1750电耦接到第二电极140以降低其薄层电阻。尽管如图所示，辅助电极1750并不位于第二电极140的上方并与第二电极物理接触，但相关领域的普通技术人员应当理解，辅助电极1750可以通过许多众所周知的机制电耦接到第二电极140。作为非限制性实例，NIC 810和/或NPC 1120的相对较薄膜(在一些非限制性实例中，至多约50nm)的存在仍可以允许电流穿过，因此允许减小第二电极140的薄层电阻。
现在转到图24，示出了装置100的示例版本2400，其涵盖图4中以横截面视图示出的装置100，但具有本文所描述的多个另外的沉积步骤。
装置2400示出了沉积在底层材料(在图中，为第二电极140)的暴露层表面111之上的NIC 810。
在一些非限制性实例中，可以使用开放式掩模和/或无掩模沉积工艺来沉积NIC810。
NIC 810提供具有相对较低的初始粘附概率S0的表面，用于此后沉积的导电涂层830以形成辅助电极1750。
在沉积NIC 810之后，在装置2400的NPC部分内(其基本上对应于围绕装置2400的第二部分的非发射区域1920的横向方面420的一部分，基本上与对应于(子)像素340/264x的发射区域1910的横向方面410相对应)，NPC 1120选择性地沉积在底层材料(在图中，为NIC 810)的暴露层表面111之上。
在一些非限制性实例中，可以使用阴影掩模选择性地沉积NPC 1120。
NPC 1120在第一部分内提供具有相对较高的初始粘附概率S0的表面，用于此后沉积的导电涂层830以形成辅助电极1750。
在选择性沉积NPC 1120之后，导电涂层830沉积在装置2400之上，但基本上仅保留在NPC部分内，其中NIC 810已经与NPC 1120重叠，以形成辅助电极1750。
在一些非限制性实例中，可以使用开放式掩模和/或无掩模沉积工艺来沉积导电涂层830。
辅助电极1750电耦接到第二电极140以降低第二电极140的薄层电阻。
去除选择性涂层
在一些非限制性实例中，可以在沉积导电涂层830之后去除NIC 810，使得由NIC810覆盖的底层材料的先前暴露层表面111的至少一部分可以再次暴露。在一些非限制性实例中，可以通过蚀刻和/或溶解NIC 810和/或通过采用基本上不影响或腐蚀导电涂层830的等离子体和/或溶剂处理技术来选择性地去除NIC 810。
现在转到图25A，示出了在沉积阶段2500a处的装置100的示例版本2500的示例横截面视图，在所述阶段中，NIC 810已经被选择性地沉积在底层材料的暴露层表面111的第一部分上。在图中，底层材料可以是衬底110。
在图25B中，装置2500被示出为处于沉积阶段2500b，在所述阶段中，导电涂层830被沉积在底层材料的暴露层表面111上，即，在阶段2500a期间已沉积NIC 810的NIC 810的暴露层表面111以及在阶段2500a期间未沉积NIC 810的衬底110的暴露层表面111上。由于安置有NIC 810的第一部分的成核抑制性质，安置在其上的导电涂层830趋于不保留，从而导致导电涂层830的选择性沉积图案，所述图案对应于第二部分，从而使第一部分基本上缺乏导电涂层。
在图25C中，装置2500被示出为处于沉积阶段2500c处，其中NIC 810已从衬底110的暴露层表面111的第一部分中去除，使得在阶段2500b期间沉积的导电涂层830保留在衬底110上并且在阶段2500a期间已经在其上沉积NIC 810的衬底110的区域现在被暴露或未被覆盖。
在一些非限制性实例中，阶段2500c中NIC 810的去除可以通过将装置2500暴露于与NIC 810反应和/或蚀刻掉其而不显著影响导电涂层830的溶剂和/或等离子体来实现。
透明OLED
现在转到图26A，示出了总体上以2600示出的装置100的透射(透明)版本的示例平面视图。在一些非限制性实例中，装置2600是具有多个像素区域2610和多个透射区域2620的AMOLED装置。在一些非限制性实例中，至少一个辅助电极1750可以沉积在像素区域2610和/或透射区域2620之间的底层材料的暴露层表面111上。
在一些非限制性实例中，每个像素区域2610可以包括多个发射区域1910，每个发射区域对应于子像素264x。在一些非限制性实例中，子像素264x可以分别对应于R(ed)子像素2641、G(reen)子像素2642和/或B(lue)子像素2643。
在一些非限制性实例中，每个透射区域2620基本上是透明的并且允许光穿过其整个横截面方面。
现在转到图26B，示出了沿图26A中的线26B-26B截取的装置2600的示例横截面视图。在图中，装置2600被示出为包括衬底110、TFT绝缘层280和形成在TFT绝缘层280的表面上的第一电极120。衬底110可以包括基础衬底112(出于说明的简单性目的而未示出)和/或至少一个TFT结构200，其对应于并且用于驱动基本上定位在其下方且电耦接至其第一电极120的每个子像素264x。PDL 440在非发射区域1920中形成在衬底110之上，以在与其对应的第一电极120之上限定也对应于每个子像素264x的发射区域1910。PDL 440覆盖第一电极120的边缘。
在一些非限制性实例中，至少一个半导电层130沉积在第一电极120的暴露区域之上，并且在一些非限制性实例中，沉积在周围PDL 440的至少多个部分之上。
在一些非限制性实例中，第二电极140可以沉积在至少一个半导电层130之上，包含像素区域2610之上以形成其子像素264x，以及在一些非限制性实例中，至少部分地在透射区域2620中的周围PDL 440之上。
在一些非限制性实例中，NIC 810选择性地沉积在装置2600的第一部分之上，包括像素区域2610和透射区域2620两者但不包括对应于辅助电极1750的第二电极140的区域。
在一些非限制性实例中，装置2600的整个表面然后暴露于一定蒸气通量的导电涂层830，在一些非限制性实例中所述导电涂层可以是Mg。导电涂层830选择性地沉积在第二电极140的基本上缺乏NIC 810的第二部分之上以形成辅助电极1750，所述辅助电极电耦接到第二电极140的未涂覆部分并且在一些非限制性实例中与第二电极的未涂覆部分物理接触。
同时，装置2600的透射区域2620基本上保持缺乏可以基本上影响光穿过其透射的任何材料。具体地说，如图所示，TFT结构200和第一电极120定位于其对应的子像素264x下方的横截面方面中，并且与辅助电极1750一起位于透射区域2620之外。因此，这些组件不会衰减或透射通过透射区域2620。在一些非限制性实例中，此类布置允许观看者从典型的观看距离观看装置2600以透视装置2600(在一些非限制性实例中，当所有(子)像素340/264x不发射时)，从而形成透明的AMOLED装置2600。
尽管图中未示出，但在一些非限制性实例中，装置2600可以进一步包括安置在辅助电极1750与第二电极140之间的NPC 1120。在一些非限制性实例中，NPC 1120也可以安置在NIC 810与第二电极140之间。
在一些非限制性实例中，NIC 810可以与至少一个半导电层130同时形成。作为非限制性实例，用于形成NIC 810的至少一种材料也可以用于形成至少一个半导电层130。在此类非限制性实例中，可以减少用于制造装置2600的阶段数。
相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，各种其它层和/或涂层，包含但不限于形成至少一个半导电层130和/或第二电极140的层和/或涂层，可以覆盖透射区域2620的一部分，特别是如果此类层和/或涂层基本上是透明的。在一些非限制性实例中，PDL 440可以具有减小的厚度，包含但不限于，通过在其中形成孔，在一些非限制性实例中，所述孔与针对发射区域1910限定的孔并无不同，以进一步促进通过透射区域2620透射。
相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，可以采用不同于图26A和26B中所示出的布置的(子)像素340/264x布置。
相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，可以采用不同于图26A和26B中所示出的布置的辅助电极1750的布置。作为非限制性实例，辅助电极1750可以安置在像素区域2610与透射区域2620之间。作为非限制性实例，辅助电极1750可以安置在像素区域2610内的子像素264x之间。
现在转到图27A，示出了总体上以2700示出的装置100的透明版本的示例平面视图。在一些非限制性实例中，装置2700是具有多个像素区域2610和多个透射区域2620的AMOLED装置。装置2700与装置2600的不同之处在于在像素区域2610和/或透射区域2620之间没有辅助电极1750。
在一些非限制性实例中，每个像素区域2610可以包括多个发射区域1910，每个发射区域对应于子像素264x。在一些非限制性实例中，子像素264x可以分别对应于R(ed)子像素2641、G(reen)子像素2642和/或B(lue)子像素2643。
在一些非限制性实例中，每个透射区域2620基本上是透明的并且允许光穿过其整个横截面方面。
现在转到图27B，示出了沿图27A中的线27B-27B截取的装置2700的示例横截面视图。在图中，装置2700被示出为包括衬底110、TFT绝缘层280和形成在TFT绝缘层280的表面上的第一电极120。衬底110可以包括基础衬底112(出于说明的简单性目的而未示出)和/或至少一个TFT结构200，其对应于并且用于驱动基本上定位在其下方且电耦接至其第一电极120的每个子像素264x。PDL 440在非发射区域1920中形成在衬底110之上，以在与其对应的第一电极120之上限定也对应于每个子像素264x的发射区域1910。PDL 440覆盖第一电极120的边缘。
在一些非限制性实例中，至少一个半导电层130沉积在第一电极120的暴露区域之上，并且在一些非限制性实例中，沉积在周围PDL 440的至少多个部分之上。
在一些非限制性实例中，初始导电涂层8300可以沉积在至少一个半导电层130之上，包含像素区域2610之上以形成其子像素264x以及透射区域2620中的周围PDL 440之上。在一些非限制性实例中，初始导电涂层8300的厚度可以是相对较薄的，使得跨透射区域2620的初始导电涂层8300的存在基本上不衰减光穿过其的透射。在一些非限制性实例中，可以使用开放式掩模和/或无掩模沉积工艺来沉积初始导电涂层8300。
在一些非限制性实例中，NIC 810选择性地沉积在装置2700的第一部分之上，包括透射区域2620。
在一些非限制性实例中，装置2700的整个表面然后暴露于一定蒸气通量的导电涂层材料831(在一些非限制性实例中所述导电涂层可以是Mg)，以选择性地将第一导电涂层830a沉积在初始导电涂层8300的基本上缺乏NIC 810的第二部分(在一些实例中，像素区域2610)之上，使得第一导电涂层830a电耦接到初始导电涂层8300的未经涂覆的部分并且在一些非限制性实例中与初始导电涂层的未经涂覆的部分物理接触，以形成第二电极140。
在一些非限制性实例中，初始导电涂层8300的厚度可以小于第一导电涂层830a的厚度。以此方式，在透射区域2620中可以保持相对较高的透射率，只有初始导电涂层8300在所述透射区域之上延伸。在一些非限制性实例中，初始导电涂层8300的厚度可以小于约30nm、小于约25nm、小于约20nm、小于约15nm、小于约10nm、小于约8nm和/或小于约5nm。在一些非限制性实例中，第一导电涂层830a的厚度可以小于约30nm、小于约25nm、小于约20nm、小于约15nm、小于约10nm和/或小于约8nm。
因此，在一些非限制性实例中，第二电极140的厚度可以小于约40nm和/或在一些非限制性实例中，介于约5nm与30nm之间、介于约10nm与约25nm之间和/或介于约15nm与约25nm之间。
在一些非限制性实例中，初始导电涂层8300的厚度可以大于第一导电涂层830a的厚度。在一些非限制性实例中，初始导电涂层8300的厚度和第一导电涂层830a的厚度可以基本上相同。
在一些非限制性实例中，用于形成初始导电涂层8300的至少一种材料可以与用于形成第一导电涂层830a的至少一种材料基本上相同。在一些非限制性实例中，此类至少一种材料可以基本上如本文关于第一电极120、第二电极140、辅助电极1750和/或其导电涂层830所描述的。
在一些非限制性实例中，装置2700的透射区域2620基本上保持缺乏可以基本上影响光穿过其透射的任何材料。具体地说，如图所示，TFT结构200和/或第一电极120定位于其对应的子像素264x下方的横截面方面中，并且在透射区域2620之外。因此，这些组件不会衰减或透射通过透射区域2620。在一些非限制性实例中，此类布置允许观看者从典型的观看距离观看装置2700以透视装置2700(在一些非限制性实例中，当所有(子)像素340/264x不发射时)，从而形成透明的AMOLED装置2700。
尽管图中未示出，但在一些非限制性实例中，装置2700可以进一步包括安置在第一导电涂层830a与初始导电涂层8300之间的NPC 1120。在一些非限制性实例中，NPC 1120也可以安置在NIC 810与初始导电涂层8300之间。
在一些非限制性实例中，NIC 810可以与至少一个半导电层130同时形成。作为非限制性实例，用于形成NIC 810的至少一种材料也可以用于形成至少一个半导电层130。在此类非限制性实例中，可以减少用于制造装置2700的阶段数。
相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，各种其它层和/或涂层，包含但不限于形成至少一个半导电层130和/或初始导电涂层8300的层和/或涂层，可以覆盖透射区域2620的一部分，特别是如果此类层和/或涂层基本上是透明的。在一些非限制性实例中，PDL 440可以具有减小的厚度，包含但不限于，通过在其中形成孔，在一些非限制性实例中，所述孔与针对发射区域1910限定的孔并无不同，以进一步促进通过透射区域2620透射。
相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，可以采用不同于图27A和27B中所示出的布置的(子)像素340/264x布置。
现在转到图27C，示出了沿图27A中的相同线27B-27B截取的装置100的不同版本(示出为装置2710)的示例横截面视图。在图中，装置2710被示出为包括衬底110、TFT绝缘层280和形成在TFT绝缘层280的表面上的第一电极120。衬底110可以包括基础衬底112(出于说明的简单性目的而未示出)和/或至少一个TFT结构200，其对应于并且用于驱动基本上定位在其下方且电耦接至其第一电极120的每个子像素264x。PDL 440在非发射区域1920中形成在衬底110之上，以在与其对应的第一电极120之上限定也对应于每个子像素264x的发射区域1910。PDL 440覆盖第一电极120的边缘。
在一些非限制性实例中，至少一个半导电层130沉积在第一电极120的暴露区域之上，并且在一些非限制性实例中，沉积在周围PDL 440的至少多个部分之上。
在一些非限制性实例中，NIC 810选择性地沉积在装置2710的第一部分之上，包括透射区域2620。
在一些非限制性实例中，导电涂层830可以沉积在至少一个半导电层130之上，包含像素区域2610之上以形成其子像素264x但不在透射区域2620中的周围PDL 440之上。在一些非限制性实例中，可以使用开放式掩模和/或无掩模沉积工艺来沉积导电涂层830。在一些非限制性实例中，此类沉积可以通过以下步骤来实现：将装置2710的整个表面暴露于一定蒸气通量的导电涂层材料831(在一些非限制性实例中，所述导电涂层可以是Mg)，以选择性地将导电涂层830沉积在至少一个半导电层130的基本上缺乏NIC 810的第二部分(在一些实例中，像素区域2610)之上，使得导电涂层830沉积在至少一个半导电层130上以形成第二电极140。
在一些非限制性实例中，装置2710的透射区域2620基本上保持缺乏可以基本上影响光穿过其透射的任何材料。具体地说，如图所示，TFT结构200和/或第一电极120定位于其对应的子像素264x下方的横截面方面中，并且在透射区域2620之外。因此，这些组件不会衰减或透射通过透射区域2620。在一些非限制性实例中，此类布置允许观看者从典型的观看距离观看装置2710以观看装置2710(在一些非限制性实例中，当所有(子)像素340/264x不发射时)，从而形成透明的AMOLED装置2700。
通过提供没有和/或基本上缺乏任何导电涂层830的透射区域2620，在一些非限制性实例中，通过与图27B的装置2700相比，在此类区域中的透射率可以通过非限制性实例有利地增强。
尽管图中未示出，但在一些非限制性实例中，装置2710可以进一步包括安置在导电涂层830与至少一个半导电层130之间的NPC 1120。在一些非限制性实例中，NPC 1120也可以安置在NIC 810与PDL 440之间。
在一些非限制性实例中，NIC 810可以与至少一个半导电层130同时形成。作为非限制性实例，用于形成NIC 810的至少一种材料也可以用于形成至少一个半导电层130。在此类非限制性实例中，可以减少用于制造装置2710的阶段数。
相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，各种其它层和/或涂层，包含但不限于形成至少一个半导电层130和/或导电涂层830的层和/或涂层，可以覆盖透射区域2620的一部分，特别是如果此类层和/或涂层基本上是透明的。在一些非限制性实例中，PDL 440可以具有减小的厚度，包含但不限于，通过在其中形成孔，在一些非限制性实例中，所述孔与针对发射区域1910限定的孔并无不同，以进一步促进通过透射区域2620透射。
相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，可以采用不同于图27A和27C中所示出的布置的(子)像素340/264x布置。
在发射区域之上选择性地沉积导电涂层
如上文所讨论的，跨(子)像素340/264x的发射区域1910的横向方面410和在其中调制电极120、140、1750、4150的厚度可以影响可观察到的微腔效应。在一些非限制性实例中，通过在对应于像素区域2610中不同子像素264x的发射区域1910的横向方面410中沉积如NIC 810和/或NPC 1120等至少一个选择性涂层710而选择性沉积至少一个导电涂层830可以允许控制和/或调制每个发射区域1910中的光学微腔效应以优化基于子像素264x的期望光学微腔效应，包含但不限于发射光谱、发光强度和/或发射光的亮度和/或色移的角度依赖性。
可以通过彼此独立地调制安置在子像素264x的每个发射区域1910中的如NIC 810和/或NPC 1120等选择性涂层710的厚度来控制此类作用。作为非限制性实例，安置在蓝色子像素2643之上的NIC 810的厚度可以小于安置在绿色子像素2642之上的NIC 810的厚度，并且安置在绿色子像素2642之上的NIC的厚度可以小于安置在红色子像素2641之上的NIC810的厚度。
在一些非限制性实例中，可以通过独立地调制选择性涂层710的厚度以及沉积在子像素264x的每个发射区域1910的部分中的导电涂层830的厚度来更大程度地控制此类作用。
此类机制在图28A-28D中。这些图展示了制造总体上以2800示出的装置100的示例版本的各个阶段。
图28A示出了制造装置2800的阶段2810。在阶段2810中，提供了衬底110。衬底110包括第一发射区域1910a和第二发射区域1910b。在一些非限制性实例中，第一发射区域1910a和/或第二发射区域1910b可以被至少一个非发射区域1920a-1920c围绕和/或间隔开。在一些非限制性实例中，第一发射区域1910a和/或第二发射区域1910b可以各自对应于(子)像素340/264x。
图28B示出了制造装置2800的阶段2820。在阶段2820中，初始导电涂层8300沉积在底层材料(在此情况下，衬底110)的暴露层表面111上。初始导电涂层8300跨第一发射区域1910a和第二发射区域1910b沉积。在一些非限制性实例中，初始导电涂层8300跨非发射区域1920a-1920c中的至少一个非发射区域沉积。
在一些非限制性实例中，可以使用开放式掩模和/或无掩模沉积工艺来沉积初始导电涂层8300。
图28C示出了制造装置2800的阶段2830。在阶段2830中，NIC 810选择性地沉积在初始导电涂层8300的第一部分之上。如图所示，在一些非限制性实例中，NIC 810跨第一发射区域1910a沉积，而在一些非限制性实例中，跨第二发射区域1910b沉积和/或在一些非限制性实例中，非发射区域1920a-1920c中的至少一个非发射区域基本上缺乏NIC 810。
图28D示出了制造装置2800的阶段2840。在阶段2840中，第一导电涂层830a可以跨装置2800的基本上缺乏NIC 810的那些第二部分沉积。在一些非限制性实例中，第一导电涂层830a可以跨第二发射区域1910b和/或在一些非限制性实例中，跨非发射区域1920a-1920c中的至少一个非发射区域沉积。
相关领域的普通技术人员应当理解，图28D中所示出的并且结合图7-8、11A-11B和/或12A-12C中的任何一个或多个图详细描述的蒸发工艺(尽管出于说明的简单性目的而未示出)可以同样地沉积在图28A-28C中所描述的先前阶段的任何一个或多个阶段中。
相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，装置2800的制造可以涵盖出于说明的简单性而未示出的另外的阶段。此类另外的阶段可以包含但不限于沉积一个或多个NIC 810、沉积一个或多个NPC 1120、沉积一个或多个另外的导电涂层830、沉积外耦接涂层和/或封装装置2800。
相关领域的普通技术人员应当理解，尽管已经结合第一发射区域1910a和第二发射区域1910b描述和展示了装置2800的制造，但在一些非限制性实例中，由此推导出的原理可以同样沉积在具有两个以上发射区域1910的装置的制造上。
在一些非限制性实例中，此类原理可以沉积在沉积对应于子像素264x的发射区域1910的不同厚度的导电涂层，在一些非限制性实例中，所述子像素在OLED显示装置100具有不同的发射光谱。在一些非限制性实例中，第一发射区域1910a可以对应于被配置成发射具有第一波长和/或发射光谱的光的子像素264x和/或在一些非限制性实例中，第二发射区域1910b可以对应于被配置成发射具有第二波长和/或发射光谱的光的子像素264x。在一些非限制性实例中，装置2800可以包括第三发射区域1910c(图29A)，所述第三发射区域可以对应于被配置成发射具有第三波长和/或发射光谱的光的子像素264x。
在一些非限制性实例中，第一波长可以小于、大于和/或等于第二波长和/或第三波长中的至少一个。在一些非限制性实例中，第二波长可以小于、大于和/或等于第一波长和/或第三波长中的至少一个。在一些非限制性实例中，第三波长可以小于、大于和/或等于第一波长和/或第二波长中的至少一个。
在一些非限制性实例中，装置2800还可以包括至少一个另外的发射区域1910(未示出)，在一些非限制性实例中，所述发射区域可以被配置成发射具有与第一发射区域1910a、第二发射区域1910b和/或第三发射区域1910c中的至少一个基本上相同的波长和/或发射光谱的光。
在一些非限制性实例中，可以使用阴影掩模选择性地沉积NIC 810，所述阴影掩模还可以用于沉积第一发射区域1910a的至少一个半导电层130。在一些非限制性实例中，阴影掩模的此类共享使用可以允许以成本有效的方式针对每个子像素264x调整光学微腔效应。
使用此类机制来创建具有给定像素340的子像素264x的装置100的示例版本2900，其具有调制的微腔效应，描述于图29A-29D中。
在图29A中，装置2900的制造的阶段2810被示出为包括衬底110、TFT绝缘层280和形成在TFT绝缘层280的表面上的多个第一电极120a-120c。
衬底110可以包括基础衬底112(出于说明的简单性目的而未示出)和/或至少一个TFT结构200a-200c，其对应于并且用于驱动发射区域1910a-1910c，所述发射区域各自具有相应的子像素264x、基本上定位在其下方且电耦接至其相关联的第一电极120a-120c。PDL440a-440d形成在衬底110之上，以限定发射区域1910a-1910c。PDL 440a-440d覆盖它们相应的第一电极120a-120c的边缘。
在一些非限制性实例中，至少一个半导电层130a-130c沉积在其相应的第一电极120a-120c的暴露区域之上，并且在一些非限制性实例中，沉积在周围PDL 440a-440d的至少多个部分之上。
在一些非限制性实例中，初始导电涂层8300可以沉积在至少一个半导电层130a-130c之上。在一些非限制性实例中，可以使用开放式掩模和/或无掩模沉积工艺来沉积初始导电涂层8300。在一些非限制性实例中，此类沉积可以通过以下步骤来实现：将装置2900的整个暴露层表面111暴露于一定蒸气通量的初始导电涂层8300(在一些非限制性实例中，所述导电涂层可以是Mg)，以将初始导电涂层8300沉积在至少一个半导电层130a-130c之上以形成第二电极140a的第一层(未示出)，所述第二电极在一些非限制性实例中可以是公共电极，至少对于第一发射区域1910a。此类公共电极在第一发射区域1910a中具有第一厚度tc1。第一厚度tc1可以对应于初始导电涂层8300的厚度。
在一些非限制性实例中，第一NIC 810a选择性地沉积在装置2810的第一部分之上，包括第一发射区域1910a。
在一些非限制性实例中，第一导电涂层830a可以沉积在装置2900之上。在一些非限制性实例中，可以使用开放式掩模和/或无掩模沉积工艺来沉积第一导电涂层830a。在一些非限制性实例中，此类沉积可以通过以下步骤来实现：将装置2810的整个暴露层表面111暴露于一定蒸气通量的第一导电涂层830a(在一些非限制性实例中，所述导电涂层可以是Mg)，以将第一导电涂层830a沉积在基本上缺乏第一NIC 810a的初始导电涂层8300(在一些实例中，第二和第三发射区域1910b、1910c和/或PDL 440a-440d所在的非发射区域1920的至少多个部分)之上，使得第一导电涂层830a沉积在初始导电涂层8300的基本上缺乏第一NIC 810a的第二部分上以形成第二电极140b的第二层(未示出)，所述第二电极在一些非限制性实例中可以是公共电极，至少对于第二发射区域1910b。此类公共电极在第二发射区域1910b中具有第二厚度tc2。第二厚度tc2可以对应于初始导电涂层8300和第一导电涂层830a的组合厚度并且在一些非限制性实例中可以大于第一厚度tc1。
在图29B中，示出了装置2900的制造阶段2920。
在一些非限制性实例中，第二NIC 810b选择性地沉积在装置2900的另外的第一部分之上，包括第二发射区域1910b。
在一些非限制性实例中，第二导电涂层830b可以沉积在装置2900之上。在一些非限制性实例中，可以使用开放式掩模和/或无掩模沉积工艺来沉积第二导电涂层830b。在一些非限制性实例中，此类沉积可以通过以下步骤来实现：将装置2900的整个暴露层表面111暴露于一定蒸气通量的第二导电涂层830b(在一些非限制性实例中，所述导电涂层可以是Mg)，以将第二导电涂层830b沉积在基本上缺乏第一NIC 810a或第二NIC 810b的第一导电涂层830a(在一些实例中，第三发射区域1910c和/或PDL 440a-440d所在的非发射区域1920的至少多个部分)之上，使得第二导电涂层830b沉积在第一导电涂层830a的基本上缺乏第二NIC 810b的另外的第二部分上以形成第二电极140c的第三层(未示出)，所述第二电极在一些非限制性实例中可以是公共电极，至少对于第三发射区域1910c。此类公共电极在第三发射区域1910c中具有第三厚度tc3。第三厚度tc3可以对应于初始导电涂层8300、第一导电涂层830a和第二导电涂层830b的组合厚度并且在一些非限制性实例中可以大于第一厚度tc1和第二厚度tc2中的一个或两个。
在图29C中，示出了装置2900的制造阶段2930。
在一些非限制性实例中，第三NIC 810c选择性地沉积在装置2900的另外的第一部分之上，包括第三发射区域1910b。
在图29D中，示出了装置2900的制造阶段2940。
在一些非限制性实例中，至少一个辅助电极1750安置在装置2900的其相邻发射区域1910a-1910c之间的非发射区域1920中，并且在一些非限制性实例中，安置在PDL 440a-440d之上。在一些非限制性实例中，可以使用开放式掩模和/或无掩模沉积工艺来沉积用于沉积至少一个辅助电极1750的导电涂层830。在一些非限制性实例中，此类沉积可以通过以下步骤来实现：将装置2900的整个暴露层表面111暴露于一定蒸气通量的导电涂层材料831(在一些非限制性实例中，所述导电涂层材料可以是Mg)，以将导电涂层830沉积在基本上缺乏第一NIC 810a、第二NIC 810b和/或第三NIC 810c的初始导电涂层8300、第一导电涂层830a和第二导电涂层830b的暴露部分之上，使得导电涂层830沉积在另外的第二部分上以形成至少一个辅助电极1750，所述另外的第二部分包括初始导电涂层8300、第一导电涂层830a和/或第二导电涂层830b的基本上缺乏第一NIC 810a、第二NIC 810b和/或第三NIC810c中的任何一个的暴露部分。至少一个辅助电极1750中的每个辅助电极电耦接到第二电极140a-140c中的相应一个第二电极。在一些非限制性实例中，至少一个辅助电极1750中的每个辅助电极与此类第二电极140a-140c物理接触。
在一些非限制性实例中，第一发射区域1910a、第二发射区域1910b和第三发射区域1910c可以基本上缺乏用于形成至少一个辅助电极1750的材料。
在一些非限制性实例中，初始导电涂层8300、第一导电涂层830a和/或第二导电涂层830b中的至少一个可以在电磁光谱的可见波长范围的至少一部分中是透射的和/或基本上透明的。因此，如果第一导电涂层830a和/或第二导电涂层830b(和/或任何另外的导电涂层830)安置在初始导电涂层8300的顶部上以形成多涂层电极120、140、1750，所述多涂层电极在电磁光谱的可见波长范围的至少一部分中也可以是透射的和/或基本上透明的。在一些非限制性实例中，初始导电涂层8300、第一导电涂层830a、第二导电涂层830b、任何另外的导电涂层830和/或多涂层电极120、140、1750中的任何一个或多个的透射率可以在电磁光谱的可见波长范围的至少一部分中大于约30％、大于约40％、大于约45％、大于约50％、大于约60％、大于约70％、大于约75％和/或大于约80％。
在一些非限制性实例中，可以将初始导电涂层8300、第一导电涂层830a和/或第二导电涂层830b的厚度做得相对较薄，以维持相对较高的透射率。在一些非限制性实例中，初始导电涂层8300的厚度可以是约5到30nm、约8到25nm和/或约10到20nm。在一些非限制性实例中，第一导电涂层830a的厚度可以是约1到25nm、约1到20nm、约1到15nm、约1到10nm和/或约3到6nm。在一些非限制性实例中，第二导电涂层830b的厚度可以是约1到25nm、约1到20nm、约1到15nm、约1到10nm和/或约3到6nm。在一些非限制性实例中，由初始导电涂层8300、第一导电涂层830a、第二导电涂层830b和/或任何另外的导电涂层830的组合形成的多涂层电极的厚度可以是约6到35nm、约10到30nm、约10到25nm和/或约12到18nm。
在一些非限制性实例中，至少一个辅助电极1750的厚度可以大于初始导电涂层8300、第一导电涂层830a、第二导电涂层830b和/或公共电极的厚度。在一些非限制性实例中，至少一个辅助电极1750的厚度可大于约50nm、大于约80nm、大于约100nm、大于约150nm、大于约200nm、大于约300nm、大于约400nm、大于约500nm、大于约700nm、大于约800nm、大于约1μm、大于约1.2μm、大于约1.5μm、大于约2μm、大于约2.5μm和/或大于约3μm。
在一些非限制性实例中，至少一个辅助电极1750可以是基本上非透明和/或不透明的。然而，在一些非限制性实例中，由于至少一个辅助电极1750可以设置在装置2900的非发射区域1920中，所以至少一个辅助电极1750可能不会引起或促成显著的光学干涉。在一些非限制性实例中，至少一个辅助电极1750的透射率可以在电磁光谱的可见波长范围的至少一部分中可以小于约50％、小于约70％、小于约80％、小于约85％、小于约90％和/或小于约95％。
在一些非限制性实例中，至少一个辅助电极1750可以吸收电磁光谱的可见波长范围的至少一部分中的光。
在一些非限制性实例中，分别安置在第一发射区域1910a、第二发射区域1910b和/或第三发射区域1910c中的第一NIC 810a、第二NIC 810b和/或第三NIC 810c的厚度可以根据由美国发射区域1910a-1910c发射的光的颜色和/或发射光谱而变化。如图29C-29D所示出的，第一NIC 810a可以具有第一NIC厚度tn1，第二NIC 810b可以具有第二NIC厚度tn2和/或第三NIC 810c可以具有第三NIC厚度tn3。在一些非限制性实例中，第一NIC厚度tn1、第二NIC厚度tn2和/或第三NIC厚度tn3可以彼此基本上相同。在一些非限制性实例中，第一NIC厚度tn1,、第二NIC厚度tn2和/或第三NIC厚度tn3可以彼此不同。
在一些非限制性实例中，装置2900还可以包括任何数量的发射区域1910a-1910c和/或其(子)像素340/264x。在一些非限制性实例中，装置可以包括多个像素340，其中每个像素340包括两个、三个或更多个(子)像素264x。
相关领域的普通技术人员应当理解，(子)像素340/264x的具体布置可以根据装置设计而变化。在一些非限制性实例中，子像素264x可以根据已知的布置方案来布置，包含但不限于RGB并排、菱形和/或
用于将电极电耦接到辅助电极的导电涂层
转到图30，示出了装置100的示例版本3000的横截面视图。装置3000在横向方面包括发射区域1910和邻近的非发射区域1920。
在一些非限制性实例中，发射区域1910对应于装置3000的子像素264x。发射区域1910具有衬底110、第一电极120、第二电极140和布置在它们之间的至少一个半导电层130。
第一电极120安置于衬底110的暴露层表面111上。衬底110包括电耦接到第一电极120的TFT结构200。第一电极120的边缘和/或周界通常被至少一个PDL 440覆盖。
非发射区域1920具有辅助电极1750，并且非发射区域1920的第一部分具有突出结构3060，所述突出结构被布置成突出并重叠在辅助电极1750的横向方面之上。突出结构3060横向延伸以提供屏障区域3065。作为非限制性实例，突出结构3060可以在辅助电极1750处和/或附近至少一侧凹陷，以提供屏障区域3065。如图所示，在一些非限制性实例中，屏障区域3065可以对应于与突出结构3060的横向突出重叠的PDL 440的表面上的区域。非发射区域1920进一步包括安置在屏障区域3065中的导电涂层830。导电涂层830将辅助电极1750与第二电极140电耦接。
NIC 810a安置在第二电极140的暴露层表面111之上的发射区域1910中。在一些非限制性实例中，突出结构3060的暴露层表面111涂覆有来自薄导电膜的沉积的残余薄导电膜3040以形成第二电极140。在一些非限制性实例中，残余薄导电膜3040的表面涂覆有来自NIC 810的沉积的残余NIC 810b。
然而，由于突出结构3060在屏障区域3065之上的横向突出，因此屏障区域3065基本上缺乏NIC 810。因此，当在沉积NIC 810之后在装置3000上沉积导电涂层830时，导电涂层830沉积在和/或迁移到屏障区域3065以将辅助电极1750耦接到第二电极140。
相关领域的普通技术人员应当理解，图30中示出了非限制性实例并且各种修改可能是显而易见的。作为非限制性实例，突出结构3060可以沿着其侧边中的至少两个提供屏障区域3065。在一些非限制性实例中，可以省略突出结构3060并且辅助电极1750可以包含限定屏障区域3065的凹部部分。在一些非限制性实例中，辅助电极1750和导电涂层830可以直接安置在衬底110的表面上，而不是PDL 440。
光学涂层的选择性沉积
在一些非限制性实例中，在一些非限制性实例中可以是光电子装置的装置100(未示出)包括衬底110、NIC 810和光学涂层。NIC 810覆盖衬底110的第一横向部分。光学涂层覆盖衬底的第二横向部分。NIC 810的至少一部分基本上缺乏光学涂层。
在一些非限制性实例中，光学涂层可以用于调制由装置100透射、发射和/或吸收的光的光学性质，包含但不限于离激元模式。作为非限制性实例，光学涂层可以用作滤光器、折射率匹配涂层、光学外耦接涂层、散射层、衍射光栅和/或其一部分。
在一些非限制性实例中，光学涂层可以用于通过但不限于调整总光路长度和/或其折射率来调制装置100中的至少一种光学微腔效应。通过调制至少一种光学微腔效应，包含但不限于输出光，包含但不限于亮度和/或其色移的角度依赖性，可以影响装置100的至少一种光学性质。在一些非限制性实例中，光学涂层可以是非电气组件，即，光学涂层可以不被配置成在正常装置操作期间传导和/或传输电流。
在一些非限制性实例中，光学涂层可以由用作导电涂层830的任何材料和/或采用如本文所描述的沉积导电涂层830的任何机制形成。
NIC和导电涂层的边缘效应
图31A-31I描述了NIC 810在具有导电涂层830的沉积界面处的各种潜在行为。
转到图31A，示出了在NIC沉积边界处的装置100的示例版本3100一部分的第一实例。装置3100包括具有层表面111的衬底110。NIC 810沉积在层表面111的第一部分3110之上。导电涂层830沉积在层表面111的第二部分3120之上。如图所示，作为非限制性实例，第一部分3110和第二部分3120是层表面111的不同且非重叠的部分。
导电涂层830包括第一部分8301和剩余部分8302。如所示出的，作为非限制性实例，导电涂层830的第一部分8301基本上覆盖第二部分3120并且导电涂层830的第二部分8302部分地投影和/或重叠在NIC 810的第一部分之上。
在一些非限制性实例中，由于NIC 810形成为使得其表面3111对用于形成导电涂层830的材料展现出相对较低的亲和力或初始粘附概率S0，因此在导电涂层830的突出和/或重叠的第二部分8302与NIC 810的表面3111之间形成间隙3129。因此，第二部分8302不与NIC 810物理接触，而是在横截面方面通过间隙3129与其间隔开。在一些非限制性实例中，导电涂层830的第一部分8301可以在第一部分3110与第二部分3120之间的界面和/或边界处与NIC 810物理接触。
在一些非限制性实例中，导电涂层830的突出和/或重叠的第二部分8302可以以与导电涂层830的厚度t1相当的程度在NIC 810之上横向延伸。作为非限制性实例，如所示出的，第二部分8302的宽度w2可以与厚度t1.相当。在一些非限制性实例中，比率w2:t1可以在约1:1到约1:3、约1:1到约1:1.5和/或约1:1到约1:2的范围内。尽管在一些非限制性实例中，跨导电涂层830的厚度t1可以相对较均匀，但在一些非限制性实例中，第二部分8302突出和/或与NIC 810重叠的程度(即w2)可以跨层表面111的不同部分改变到一定程度。
现在转到图31B，导电涂层830被示出为包含安置在第二部分8302与NIC 810之间的第三部分8303。如图所示，导电涂层830的第二部分8302在导电涂层830的第三部分8303之上横向延伸并与其间隔开，并且第三部分8303可以与NIC 810的表面3111物理接触。导电涂层830的第三部分8303的厚度t3可以小于并且在一些非限制性实例中，显著小于其第一部分8301的厚度t1。在一些非限制性实例中，第三部分8303的宽度w3可以大于第二部分8302的宽度w2。在一些非限制性实例中，第三部分8303可以横向延伸以与第二部分8302相比，与NIC810的重叠程度更大。在一些非限制性实例中，w3:t1的比率可以在约1:2到约3:1和/或约1:1.2到约2.5:1的范围内。尽管在一些非限制性实例中，跨导电涂层830的厚度t1可以相对较均匀，但在一些非限制性实例中，第三部分8303突出和/或与NIC 810重叠的程度(即w3)可以跨层表面111的不同部分改变到一定程度。
第三部分8303的厚度t3可以不大于和/或小于第一部分8301的厚度t1的约5％。作为非限制性实例，t3可以不大于和/或小于t1的约4％、不大于和/或小于约3％、不大于和/或小于约2％不大于和/或小于约1％和/或不大于和/或小于约0.5％。代替和/或除了形成为薄膜的第三部分8303外，导电涂层830的材料可以在NIC 810的一部分上形成为岛和/或不连接的簇。作为非限制性实例，此类岛和/或不连接的簇可以包括彼此物理分离的特征，使得岛和/或簇不形成连续层。
现在转到图31C，NPC 1120安置在衬底110与导电涂层830之间。NPC 1120安置在导电涂层830的第一部分8301与衬底110的第二部分3120之间。NPC 1120被示出为安置在第二部分3120上而不是第一部分3110上，其中已经沉积了NIC 810。NPC 1120可以形成为使得在NPC 1120与导电涂层830之间的界面和/或边界处，NPC 1120的表面对导电涂层830的材料展现出相对较高的亲和力或初始概率S0。因此，NPC 1120的存在可以促进沉积期间导电涂层830的形成和/或生长。
现在转到图31D，NPC 1120安置在衬底110的第一部分3110和第二部分3120两者上，并且NIC 810覆盖安置在第一部分3110上的NPC 1120的一部分。NPC 1120的另一部分基本上缺乏NIC 810并且导电涂层830覆盖NPC 1120的此部分。
现在转到图31E，导电涂层830被示出为在衬底110的第三部分3130中部分地重叠NIC 810的一部分。在一些非限制性实例中，除了第一部分8301和第二部分8302外，导电涂层830进一步包含第四部分8304。如图所示，导电涂层830的第四部分8304安置在导电涂层830的第一部分8301与第二部分8302之间，并且第四部分8304可以与NIC 810的层表面3111物理接触。在一些非限制性实例中，第三部分3130中的重叠可以是由于导电涂层830在开放式掩模和/或无掩模沉积工艺期间的横向生长而形成的。在一些非限制性实例中，尽管NIC 810的层表面3111对导电涂层830的材料可以展现出相对较低的初始粘附概率S0，并且因此材料使层表面3111成核的概率低，但随着导电涂层830的厚度增加，导电涂层830也可以横向生长并且可以覆盖NIC 810的子集，如图所示。
现在转到图31F，衬底110的第一部分3110涂覆有NIC 810，并且与其相邻的第二部分3120涂覆有导电涂层830。在一些非限制性实例中，已经观察到，进行导电涂层830的开放式掩模和/或无掩模沉积可能产生在导电涂层830与NIC 810之间的界面处和/或附近展现锥形横截面轮廓的导电涂层830。
在一些非限制性实例中，界面处和/或附近的导电涂层830的厚度可以小于导电涂层830的平均厚度。尽管在一些非限制性实例中此类锥形轮廓被示出为弯曲和/或拱形的，但所述轮廓在一些非限制性实例中可以是基本上线性和/或非线性的。通过非限制性实例和/或导电涂层830的厚度可以在接近界面的区域中以不限于基本上线性、指数和/或二次方的方式减小。
已经观察到，导电涂层830在导电涂层830与NIC 810之间的界面处和/或附近的接触角θc可以根据如相对亲和力和/或初始粘附概率S0等NIC 810的性质而变化。进一步假设，在一些非限制性实例中核的接触角θc可能决定通过沉积形成的导电涂层830的薄膜接触角。参照图31F，作为非限制性实例，接触角θc可以通过测量在导电涂层830与NIC 810之间的界面处或附近的导电涂层830的切线的斜率来确定。在导电涂层830的横截面锥形轮廓基本上是线性的一些非限制性实例中，接触角θc可以通过在界面处和/或附近测量导电涂层830的斜率来确定。如相关领域的普通技术人员应当理解的，接触角θc通常可以相对于底层表面的角度来测量。在本公开中，出于说明的简单性目的，涂层810、830被示出为沉积在平坦表面上。然而，相关领域的普通技术人员应当理解，此类涂层810、830可以沉积在非平坦表面上。
在一些非限制性实例中，导电涂层830的接触角θc可以大于约90°。现在参考图31G，作为非限制性实例，导电涂层830被示出为包含延伸经过NIC 810与导电涂层830之间的界面的一部分，并且通过间隙3129与NIC间隔开。在此类非限制性情况下，接触角θc在一些非限制性实例中可以大于约90°。
在一些非限制性实例中，形成展现相对较高接触角θc的导电涂层830可能是有利的。作为非限制性实例，接触角θc可以大于约10°、大于约15°、大于约20°、大于约25°、大于约30°、大于约35°、大于约40°、大于约50°、大于约70°、大于约70°、大于约75°和/或大于约80°。作为非限制性实例，具有相对较高接触角θc的导电涂层830可以允许创建精细图案化的特征，同时保持相对较高的纵横比。作为非限制性实例，可能令人期望的是，形成展现出大于约90°的接触角θc的导电涂层830。作为非限制性实例，接触角θc可以大于约90°、大于约95°、大于约100°、大于约105°、大于约110°、大于约120°、大于约130°、大于约135°、大于约140°、大于约145°、大于约150°和/或大于约170°。
现在转到图31H-31I，导电涂层830部分地与衬底100的第三部分3130中的NIC 810的一部分重叠，所述一部分安置在其第一部分3110与第二部分3120之间。如图所示，部分地与NIC 810的子集重叠的导电涂层830的子集可以与其表面3111物理接触。在一些非限制性实例中，第三区域3130中的重叠可以是由于导电涂层830在开放式掩模和/或无掩模沉积工艺期间的横向生长而形成的。在一些非限制性实例中，尽管NIC 810的表面3111对于导电涂层830的材料可以展现出相对较低的亲和力或初始粘附概率S0，并且因此材料使层表面3111成核的概率低，但随着导电涂层830的厚度增加，导电涂层830也可以横向生长并且可以覆盖NIC 810的子集。
在图31H-31I的情况下，导电涂层830的接触角θc可以在导电涂层与NIC 810之间的界面附近的其边缘处测量，如图所示。在图31I中，接触角θc可以大于约90°，这在一些非限制性实例中可以导致导电涂层830的子集与NIC 810间隔开间隙3129。
调谐到单个发射区域的覆盖层
在一些非限制性实例中，光电子装置100可以包括CPL 3610以促进装置100发射的光的外耦姐，从而可以增强其EQE，包含但不限于，通过增强发射和/或调整角光谱分布。通常，此类CPL 3610包括基本上跨装置100的所有横向方面的层，包含但不限于跨其中的所有发射区域1910。
由于在一些非限制性实例中，此类CPL 3610通常由普通的CPL材料形成，并且在一些非限制性实例中，具有基本相同的厚度，因此使用此类CPL 3610来调谐单个发射区域1910的光学特性以及与其相关联的发射波长光谱可能受到基本限制。
相关领域的普通技术人员应当理解，此类CPL 3610可以是装置100的多个层中的(至少)一层。相关领域的普通技术人员应当理解，CPL 3610和包含所述CPL的CPL材料，尤其是当作为膜安置时并在与沉积NIC 3610所采用的条件和/或机制基本上相似的条件和/或机制下时，可以展现出非常相似的光学和/或其它特性。
为了描述的简单起见，在本公开中，CPL 3610和包含其的CPL材料可以统称为CPL(m)，并且此类术语可以附加到其上，从而表示其具体实例的字符。
现在转到大致对应于图28C的图36A，示出了制造装置2800的示例版本3600的阶段3630。
在一些非限制性实例中，装置3600包括多个发射区域1910，所述发射区域包括第一发射区域1910a和第二发射区域1910b，每个发射区域均配置成发射在对应波长范围内具有相应发射光谱的光，所述发射光谱的光可以通过相关联的起始波长λonset和/或相关联的峰值波长λmax进行表征。
在一些非限制性实例中，位于可见光谱R(ed)部分的发射光谱可以由峰值波长λmax表征，所述峰值波长λmax可以位于600nm到约640nm的波长范围内，并且在一些非限制性实例中，可以基本上为约620nm。
在一些非限制性实例中，位于可见光谱G(reen)部分的发射光谱可以由峰值波长λmax表征，所述峰值波长λmax可以位于510nm到约540nm的波长范围内，并且在一些非限制性实例中，可以基本上为约530nm。
在一些非限制性实例中，位于可见光谱B(lue)部分的发射光谱可以由峰值波长λmax表征，所述峰值波长λmax可以位于450nm到约460nm的波长范围内，并且在一些非限制性实例中，可以基本上为约455nm。
相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，第一发射区域1910a和/或第二发射区域1910b可以对应于发射具有位于可见光谱的R(ed)部分中的发射光谱的光子的R(ed)子像素2641、发射具有位于可见光谱的G(reen)部分中的发射光谱的光子的G(reen)子像素2642或发射具有位于可见光谱的B(lue)部分中的发射光谱的光子的B(lue)子像素2643中的任何一个。
在阶段3630中，第一CPL 3610a选择性地沉积在底层材料的暴露层表面111的第一部分之上。在一些非限制性实例中，底层材料可以是初始导电涂层8300。如图所示，在一些非限制性实例中，用于沉积第一CPL 3610a的CPL材料跨第一发射区域1910a沉积，而在一些非限制性实例中，跨第二发射区域1910b沉积和/或在一些非限制性实例中，非发射区域1920a-1920c中的至少一个非发射区域基本上缺乏第一CPL 3610a。在一些非限制性实例中，第一CPL 3610a可以在非发射区域1920a-1920c中的至少一个非发射区域之上沉积。
在一些非限制性实例中，第一CPL 3610a具有调谐到第一发射光谱的光学特性。在一些非限制性实例中，第一CPL 3610a的厚度、形态和/或材料组成经调谐以在跨第一发射光谱的至少一部分上提供高折射率，包含但不限于第一起始波长λonset a和/或第一峰值波长λmax a中的至少一个。
在一些非限制性实例中，在第一发射光谱的至少一部分中，第一CPL 3610a的折射率大于或等于约1.9、大于或等于约1.95、大于或等于约2.0、大于或等于约2.05、大于或等于约2.1、大于或等于约2.2、大于或等于约2.3和/或大于或等于约2.5，在一些非限制性实例中，所述第一CPL可以包括第一峰值波长λmax a。
在一些非限制性实例中，在吸收边缘处和/或附近，折射率与透射率之间通常可能存在正相关，或者换言之，折射率与吸收边缘处或附近的吸收之间通常存在负相关。因此，在一些非限制性实例中，第一CPL 3610a的光学特性经调谐，使得第一CPL 3610a的吸收边缘略低于第一起始波长λonset a。
在一些非限制性实例中，物质的吸收边缘可以对应于消光系数k减小并接近接近0的阈值的波长。因此，在一些非限制性实例中，参考如本文所公开的第一CPL 3610a的吸收边缘来调谐第一CPL 3610a的光学特性可以充当在跨如本文所公开的第一发射光谱的至少一部分上提供高折射率的近似机制。
因此，在一些非限制性实例中，第一CPL 3610a的第一消光系数ka可以在短于第一起始波长λonset a的波长处高。在一些非限制性实例中，第一CPL 3610a的第一消光系数ka可以在低于第一起始波长λonset a的波长处大于或等于约0.1、大于或等于0.3、大于或等于约0.5、大于或等于约0.75、大于或等于约0.8和/或大于或等于约0.9。
在一些非限制性实例中，第一CPL 3610a可以另外地充当图案化涂层810，因为其相对于底层材料，包含但不限于初始导电涂层8300的暴露层表面111展现出导电涂层材料831的相对较低的初始粘附系数，并且选择性地沉积在包括第一发射区域1910a的示例装置2800中的初始导电涂层8300的第一部分之上，以抑制第一导电涂层830a在其上的沉积。
图36B示出了制造装置3600的阶段3640。在阶段3620中，第一导电涂层830a可以通过将装置3600的整个表面暴露于一定蒸气通量的导电涂层材料831以将其作为第一导电涂层830a选择性地沉积在装置3600的基本上缺乏第一CPL 3610a的那些第二部分上。
在一些非限制性实例中，第一导电涂层830a可以跨第二发射区域1910b和/或在一些非限制性实例中，跨非发射区域1920a-1920c中的至少一个非发射区域沉积。在一些非限制性实例中，第一导电涂层830a可以在非发射区域1920a-1920c中的至少一个非发射区域之上沉积。
在一些非限制性实例中，可以使用开放式掩模和/或无掩模沉积工艺来沉积第一导电涂层830a。
相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，在第一CPL 3610a不充当图案化涂层810的情况下，可以在适当的位置和时间安置另外的图案化涂层810(未示出)以允许将第一导电涂层830a的图案化沉积在所期望的位置中，即使在没有FMM的情况下。
在一些非限制性实例中，用于形成第一导电涂层830a的导电涂层材料831可以包括用于形成透光导电层和/或涂层的各种材料，包含但不限于TCO(包含但不限于ITO、FTO)、非金属薄膜、金属薄膜，包含但不限于Mg、Al、Yb、Ag、Zn和/或Cd和/或其组合，包含但不限于按体积计，在约1:10到约10:1的合金组合物和/或其组合中含有这些合金中的任何一种的合金，包含但不限于Mg:Ag、Mg:Yb和/或其组合。第一导电涂层830a可以包括多个层和/或在多层涂层中的涂层。
在一些非限制性实例中，用于形成第一导电涂层830a的导电涂层材料831可以与用于形成初始导电涂层8300(如果有的话)的导电涂层材料831相同和/或不同。
相关领域的普通技术人员应当理解图36B所示出的并且结合图7-8、11A-11B和/或12A-12C中的任何一个或多个图详细描述的蒸发工艺(尽管出于说明的简单性目的而未示出)可以同样地沉积在图28A-28B和/或36A中所描述的先前阶段的任何一个或多个阶段中。
相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，装置3600的制造可以涵盖出于说明的简单性而未示出的另外的阶段。此类另外的阶段可以包含但不限于沉积一个或多个图案化涂层810、1120，沉积一个或多个CPL 3610、沉积一个或多个另外的导电涂层830、沉积外耦接涂层和/或封装装置2800。
相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，多个发射区域1910可以不仅仅包括装置3600中所示的第一发射区域1910a和第二发射区域1910b。在一些非限制性实例中，可以存在三个或更多个发射区域1910，每个发射区域均配置成发射在对应波长范围内具有相应发射光谱的光，所述发射光谱的光可以通过相关联的起始波长λonset和/或相关联的峰值波长λmax进行表征。在一些非限制性实例中，可能存在三个发射区域1910a、1910b、1910c，所述三个发射区域分别对应于(无特定顺序)发射具有位于可见光谱的R(ed)部分中的发射光谱的光子的R(ed)子像素2641、发射具有位于可见光谱的G(reen)部分中的发射光谱的光子的G(reen)子像素2642或发射具有位于可见光谱的B(lue)部分中的发射光谱的光子的B(lue)子像素2643中的相应一个。
现在转到图37A，示出了制造大致对应于图36B的装置3600的示例版本3700的阶段3710，但具有三个发射区域1910a、1910b、1910c，所述发射区域被非发射区域1920a、1920b、1920c、1920d包围。
如在图中所示，可以通过将装置3700的整个表面暴露于一定蒸气通量的导电涂层材料831来沉积第一导电涂层830a以将其作为第一导电涂层830a选择性地沉积在装置3700的基本上缺乏第一CPL 3610a的那些第二部分上。在一些非限制性实例中，第一导电涂层830a可以跨第二发射区域1910b和/或第三发射区1910c和/或在一些非限制性实例中，跨非发射区域1920a-1920d中的至少一个非发射区域沉积。在一些非限制性实例中，第一导电涂层830a可以在非发射区域1920a-1920d中的至少一个非发射区域之上沉积。
图37B示出了制造装置3700的阶段3720。在阶段3720中，第二CPL 3610b选择性地沉积在第一导电涂层830a的第一部分之上。如图所示，在一些非限制性实例中，用于沉积第二CPL 3610b的CPL材料跨第二发射区域1910b沉积，而在一些非限制性实例中，跨第三发射区域1910c沉积和/或在一些非限制性实例中，非发射区域1920a-1920d中的至少一个非发射区域基本上缺乏第二CPL 3610b。在一些非限制性实例中，第二CPL 3610b可以在非发射区域1920a-1920d中的至少一个非发射区域之上沉积。
在一些非限制性实例中，第二CPL 3610b的厚度、形态和/或材料组成经调谐以在跨第二发射光谱的至少一部分上提供高折射率，包含但不限于第二起始波长λonset b和/或第二峰值波长λmax b中的至少一个。
在一些非限制性实例中，在第二发射光谱的至少一部分中，第二CPL 3610b的折射率大于或等于约1.9、大于或等于约1.95、大于或等于约2.0、大于或等于约2.05、大于或等于约2.1、大于或等于约2.2、大于或等于约2.3和/或大于或等于约2.5，在一些非限制性实例中，所述第二CPL可以包括第二峰值波长λmax b。
因此，在一些非限制性实例中，第二CPL 3610b的光学特性经调谐，使得第二CPL3610b的吸收边缘略低于第二起始波长λonset b。
在一些非限制性实例中，物质的吸收边缘可以对应于消光系数k接近接近0的阈值的波长。因此，在一些非限制性实例中，参考如本文所公开的第二CPL 3610b的吸收边缘来调谐第二CPL 3610b的光学特性可以充当在跨如本文所公开的第二发射光谱的至少一部分上提供高折射率的近似机制。
因此，在一些非限制性实例中，第二CPL 3610b的第二消光系数kb可以在低于第二起始波长λonset b的波长处低。在一些非限制性实例中，第二CPL 3610b的第二消光系数kb可以在低于第二起始波长λonset b的波长处大于或等于约0.1、大于或等于0.3、大于或等于约0.5、大于或等于约0.75、大于或等于约0.8和/或大于或等于约0.9。
在一些非限制性实例中，第二CPL 3610b可以另外地充当图案化涂层810，因为其相对于第一导电涂层830a的暴露层表面111展现出导电涂层材料831的相对较低的初始粘附系数，并且选择性地沉积在包括第二发射区域1910b的示例装置3700中的第一导电涂层830a的第一部分之上，以抑制第二导电涂层830b在其上的沉积。
在一些非限制性实例中，用于沉积第二CPL 3610b的CPL材料可以与用于沉积第一CPL 3610a的CPL材料相同和/或不同。
图37C示出了制造装置3700的阶段3730。在阶段3730中，可以通过将装置3700的整个表面暴露于一定蒸气通量的导电涂层材料831来沉积第二导电涂层830b，以将其作为第二导电涂层830b选择性地沉积在装置3700的基本上缺乏第一CPL 3610a和第二CPL 3610b中至少一个的那些第二部分上。在一些非限制性实例中，第二导电涂层830b可以跨第三发射区域1910c和/或在一些非限制性实例中，跨非发射区域1920a-1920d中的至少一个非发射区域沉积。在一些非限制性实例中，第二导电涂层830b可以在非发射区域1920a-1920d中的至少一个非发射区域之上沉积。
在一些非限制性实例中，可以使用开放式掩模和/或无掩模沉积工艺来沉积第二导电涂层830b。
相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，在第二CPL 3610b不充当图案化涂层810的情况下，可以在适当的位置和时间安置图案化涂层810(未示出)以允许将第二导电涂层830b的图案化沉积在所期望的位置中，即使在没有FMM的情况下。
在一些非限制性实例中，用于形成第二导电涂层830b的导电涂层材料831可以与用于形成初始导电涂层8300(如果有的话)的导电涂层材料831相同和/或不同和/或可以与用于形成第一导电涂层830a的导电涂层材料831相同和/或不同。
图37D示出了制造装置3700的阶段3740。在阶段3740中，第三CPL 3610c选择性地沉积在第二导电涂层830b的第一部分之上。如图所示，在一些非限制性实例中，用于沉积第三CPL 3610c的CPL材料跨第三发射区域1910c沉积，而在一些非限制性实例中，非发射区域1920a-1920d中的至少一个非发射区域基本上缺乏第二CPL 3610b。在一些非限制性实例中，第三CPL 3610c可以在非发射区域1920a-1920d中的至少一个非发射区域之上沉积。
在一些非限制性实例中，第三CPL 3610c的厚度、形态和/或材料组成经调谐以在跨第三发射光谱的至少一部分上提供高折射率，包含但不限于第三起始波长λonset c和/或第三峰值波长λmax c中的至少一个。
在一些非限制性实例中，在第三发射光谱的至少一部分中，第三CPL 3610c的折射率大于或等于约1.9、大于或等于约1.95、大于或等于约2.0、大于或等于约2.05、大于或等于约2.1、大于或等于约2.2、大于或等于约2.3和/或大于或等于约2.5，在一些非限制性实例中，所述第三CPL可以包括第三峰值波长λmax c。
因此，在一些非限制性实例中，第三CPL 3610c的光学特性经调谐，使得第三CPL3610c的吸收边缘略低于第三起始波长λonset c。
在一些非限制性实例中，物质的吸收边缘可以对应于消光系数k接近接近0的阈值的波长。因此，在一些非限制性实例中，参考如本文所公开的第三CPL 3610c的吸收边缘来调谐第三CPL 3610c的光学特性可以充当在跨如本文所公开的第三发射光谱的至少一部分上提供高折射率的近似机制。
因此，在一些非限制性实例中，第三CPL 3610c的第三消光系数kc可以在低于第三起始波长λonset c的波长处低。在一些非限制性实例中，第三CPL 3610c的第三消光系数kc可以在低于第三起始波长λonset c的波长处大于或等于约0.1、大于或等于0.3、大于或等于约0.5、大于或等于约0.75、大于或等于约0.8和/或大于或等于约0.9。
在一些非限制性实例中，第三CPL 3610c可以另外地充当图案化涂层810，因为其相对于第二导电涂层830b的暴露层表面111展现出对导电涂层材料831的相对较低的初始粘附系数，并且选择性地沉积在包括第三发射区域1910c的示例装置3700中的第二导电涂层830b的第一部分之上，以抑制导电涂层材料831在其上的沉积以形成辅助电极1750。
在一些非限制性实例中，用于形成第三CPL 3610c的CPL材料可以与以下相同和/或不同：用于形成第一CPL 3610a的CPL材料和/或用于形成第二CPL 3610b的CPL材料。
图37E示出了制造装置3700的阶段3750。在阶段3750中，可以通过将装置3700的整个表面暴露于其一定蒸气通量来沉积导电涂层材料831，以将其作为至少一个辅助电极1750选择性地沉积在装置3700的基本上缺乏第三CPL 3610c的那些第二部分上。在一些非限制性实例中，至少一个辅助电极1750可以在跨非发射区域1920a-1920d中的至少一个非发射区域上沉积。
在一些非限制性实例中，可以使用开放式掩模和/或无掩模沉积工艺来沉积至少一个辅助电极1750。
相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，在第三CPL 3610c不充当图案化涂层810的情况下，可以在适当的位置和时间安置图案化涂层810(未示出)以允许将至少一个辅助电极1750的图案化沉积在所期望的位置中，即使在没有FMM的情况下。
在一些非限制性实例中，用于形成至少一个辅助电极1750的导电涂层材料831可以与以下相同和/或不同：用于形成初始导电涂层8300(如果有的话)的导电涂层材料831、用于形成第一导电涂层830a的导电涂层材料831和/或用于形成第二导电涂层830b的导电涂层831。
如先前结合图29A-29D所讨论的，此类机制可以创建具有给定像素340的子像素264x的装置100的示例版本3800，所述给定像素具有如图38A-38f中所描述的调制的微腔效应。
在图38A中，装置3800的制造的阶段3805被示出为包括衬底110、TFT绝缘层280和形成在TFT绝缘层280的表面上的多个第一电极120a-120c。
衬底110可以包括基础衬底112(出于说明的简单性目的而未示出)、对应于发射区域1910a-1910c并用于驱动所述发射区域的至少一个TFT结构200a-200c(每个发射区域具有相应的子像素264x)、基本上定位于其下并电耦接到其相关联的第一电极120a-120c、形成在衬底110之上的PDL 440a-440d，以定义覆盖其相应第一电极120a-120c的边缘的发射区域1910a-1910c，以及沉积在其相应第一电极120a-120c的暴露区域上的至少一个半导电层130a-130c，并且在一些非限制性实例中，周围PDL 440a-440d的至少部分。
在图38A的示例阶段3805中，发射区域1910a、1910b、1910c可以包括不电耦接在一起的单独的结构。这可以通过沉积至少一个PDL图案化涂层来实现，在一些非限制性实例中，所述PDL图案化涂层可以包括充当跨非发射区域1920a、1920b、1920c、1920c的至少一部分横向方面420的图案化涂层810的PDL CPL 3810a、3810b、3810c、3810d，在一些非限制性实例中，包含但不限于对应的PDL 440a、440b、440c、440d的升高部分。
在一些非限制性实例中，用于沉积至少一个PDL CPL 3810a、3810b、3810c和/或3810d的CPL材料可以与以下相同和/或不同：用于沉积第一CPL 3610a的CPL材料、用于沉积第二CPL 3610b的CPL材料和/或用于沉积第三CPL 3610c的CPL材料。
装置3800的替代阶段3810如在图38B中所示。在阶段3810中，已经省略了沉积图案化涂层810的步骤，在一些非限制性实例中，所述图案化涂层可以包括至少一个PDL CPL3810a、3810b、3810c、3810d。在这方面，图38B大致对应于图29A。
在一些非限制性实例中，在任一阶段3805、3810中，初始导电涂层8300可以沉积在至少一个半导电层130a-130c之上。在一些非限制性实例中，可以使用开放式掩模和/或无掩模沉积工艺来沉积初始导电涂层8300。在一些非限制性实例中，此类沉积可以通过将装置2900的整个暴露层表面111暴露于一定蒸气通量的初始导电涂层材料831以在至少一个半导电层130a-130c之上沉积初始导电涂层8300以形成至少一个第二电极140的第一层来实现。
在图38A的阶段3805中，第一发射区域1910a中的至少一个第二电极140具有第一厚度，在一些非限制性实例中，所述第一厚度可以是第一发射区域1910a中的共同厚度tc1。第一厚度tc1可以对应于初始导电涂层8300的厚度。
在图38B的阶段3810中，至少一个第二电极140可以是公共电极。第二电极140a在第一发射区域1910a中具有第一厚度tc1。第一厚度tc1可以对应于初始导电涂层8300的厚度。
在一些非限制性实例中，在任一阶段3805、3810中，第一CPL 3610a选择性地沉积在包括第一发射区域1910a的装置3800的第一部分之上。
在一些非限制性实例中，在任一阶段3805、3810中，第一导电涂层830a可以沉积在装置3800之上。在一些非限制性实例中，可以使用开放式掩模和/或无掩模沉积工艺来沉积第一导电涂层830a。在一些非限制性实例中，此类沉积可以通过以下步骤来实现：通过将装置3800的整个暴露层表面111暴露于一定蒸气通量的第一导电涂层材料831，以将第一导电涂层830a沉积在基本上缺乏第一CPL 3610a的初始导电涂层8300之上，并且在图38A的阶段3805的情况下，在一些非限制性实例中，至少一个PDL图案化涂层810包括至少一个PDL CPL3810a、3810b、3810c、3810d。
在任一阶段3805、3810中，在一些实例中，第一导电涂层830a覆盖第二发射区域和第三发射区域1910b、1910c的横向方面410，使得第一导电涂层830a形成第二电极140b、140c的第二层。另外地，在阶段3810中，在一些非限制性实例中，第一导电涂层830a还可以覆盖PDL 440a-440d所在的非发射区域1920的至少一部分，以形成至少用于第二发射区域1910b的公共电极。此类第二电极140b在第二发射区域1910b中具有第二厚度tc2。第二厚度tc2可以对应于初始导电涂层8300和第一导电涂层830a的组合厚度并且在一些非限制性实例中可以大于第一厚度tc1。
相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，在第一CPL 3610a和/或至少一个PDL CPL 3810a、3810b、3810c、3810d不充当图案化涂层810的情况下，可以在适当的位置和时间安置图案化涂层810(未示出)以允许将第一导电涂层830a的图案化沉积在所期望的位置中，即使在没有FMM的情况下。
在图38C中，示出了大致对应于图29B的装置3800的制造的阶段3820，并且假设已经发生了阶段3810而未发生阶段3805，尽管相关领域的普通技术人员应当理解，可以基于阶段3805而不是阶段3810来描述对应的阶段。
在一些非限制性实例中，第二CPL 3610b选择性地沉积在装置3800的另外的第一部分之上，包括第二发射区域1910b。
在一些非限制性实例中，第二导电涂层830b可以沉积在装置3800之上。在一些非限制性实例中，可以使用开放式掩模和/或无掩模沉积工艺来沉积第二导电涂层830b。在一些非限制性实例中，此类沉积可以通过以下步骤来实现：通过将装置3800的整个暴露层表面111暴露于一定蒸气通量的导电涂层材料831，以将第二导电涂层830b沉积在基本上缺乏第一CPL 3610a或第二CPL 3610b的第一导电涂层830a(和/或至少一个图案化涂层810，所述图案化涂层在一些非限制性实例中可以包括至少一个PDL CPL 3810a、3810b、3810c、3810d)之上，在一些实例中，第三发射区域1910c和/或在一些非限制性实例中，PDL 440a-440d所在的非发射区域1920的至少一部分，使得第二导电涂层830b沉积在基本上缺乏第二CPL 3610b(和/或至少一个图案化涂层810，所述图案化涂层在一些非限制性实例中可以包括至少一个PDL CPL 3810a、3810b、3810c、3810d)的第一导电涂层830a的另外的第二部分上以形成第二电极140c的第三层。
此类第二电极140c在第三发射区域1910c中具有第三厚度tc3。第三厚度tc3可以对应于初始导电涂层8300、第一导电涂层830a和第二导电涂层830b的组合厚度并且在一些非限制性实例中可以大于第一厚度tc1和第二厚度tc2中的一个或两个。
相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，在第一CPL 3610a、第二CPL 3610b和/或至少一个PDL CPL 3810a、3810b、3810c、3810d不充当图案化涂层810的情况下，可以在适当的位置和时间安置图案化涂层810(未示出)以允许将第三导电涂层830c的图案化沉积在所期望的位置中，即使在没有FMM的情况下。
在图38D中，示出了大致对应于图29C的装置3800的制造的阶段3830，并且假设已经发生了阶段3810而未发生阶段3805，尽管相关领域的普通技术人员应当理解，可以基于阶段3805而不是阶段3810来描述对应的阶段。
在一些非限制性实例中，第三CPL 3810c选择性地沉积在包括第三发射区域1910b的装置3800的另外的第一部分之上。
在图38E中，示出了大致对应于图29D的装置3800的制造的阶段3840，并且假设已经发生了阶段3810而未发生阶段3805，尽管相关领域的普通技术人员应当理解，可以基于阶段3805而不是阶段3810来描述对应的阶段。
在一些非限制性实例中，至少一个辅助电极1750安置在装置3800的其相邻发射区域1910a、1910b、1910c之间的非发射区域1920a、1920b、1920c、1920d中，并且在一些非限制性实例中，安置在PDL 440a、440b、440c、440d之上。在一些非限制性实例中，可以使用开放式掩模和/或无掩模沉积工艺来沉积用于沉积至少一个辅助电极1750的导电涂层材料831。在一些非限制性实例中，此类沉积可以通过以下步骤来实现：将装置3800的整个暴露层表面111暴露于一定蒸气通量的导电涂层材料831，以将导电涂层材料831沉积在基本上缺乏第一CPL 3610a、第二CPL 3610b和/或第三CPL 3610c的初始导电涂层8300、第一导电涂层830a和第二导电涂层830b的暴露部分(和/或至少一个图案化涂层810，在一些非限制性实例中，所述图案化涂层可以包括至少一个PDL CPL 3810a、3810b、3810c、3810d)之上，使得导电涂层材料831沉积在另外的第二部分上以形成至少一个辅助电极1750，所述另外的第二部分包括初始导电涂层8300、第一导电涂层830a和/或第二导电涂层830b的基本上缺乏第一CPL 3610a、第二CPL 3610b和/或第三CPL 3610c(和/或至少一个图案化涂层810，在一些非限制性实例中，所述图案化涂层可以包括至少一个PDL CPL 3810a、3810b、3810c、3810d)中的任何一个的暴露部分。至少一个辅助电极1750中的每个辅助电极电耦接到第二电极140a-140c中的相应一个第二电极。在一些非限制性实例中，至少一个辅助电极1750中的每个辅助电极与此类第二电极140a-140c物理接触。
在一些非限制性实例中，第一发射区域1910a、第二发射区域1910b和第三发射区域1910c可以基本上缺乏用于形成至少一个辅助电极1750的导电涂层材料831。
在一些非限制性实例中，初始导电涂层8300、第一导电涂层830a和/或第二导电涂层830b中的至少一个可以在电磁光谱的可见波长范围的至少一部分中是透射的和/或基本上透明的。因此，将第一导电涂层830a和/或第二导电涂层830b(和/或任何另外的导电涂层830)安置在初始导电涂层8300的顶部上以形成多涂层电极120、140、1750，所述多涂层电极在电磁光谱的可见波长范围的至少一部分中也可以是透射的和/或基本上透明的。在一些非限制性实例中，初始导电涂层8300、第一导电涂层830a、第二导电涂层830b、任何另外的导电涂层830和/或多涂层电极120、140、1750中的任何一个或多个的透射率可以在电磁光谱的可见波长范围的至少一部分中大于约30％、大于约40％、大于约45％、大于约50％、大于约60％、大于约70％、大于约75％和/或大于约80％。
在一些非限制性实例中，可以将初始导电涂层8300、第一导电涂层830a和/或第二导电涂层830b的厚度做得相对较薄，以维持相对较高的透射率。在一些非限制性实例中，初始导电涂层8300的厚度可以是约5到30nm、约8到25nm和/或约10到20nm。在一些非限制性实例中，第一导电涂层830a的厚度可以是约1到25nm、约1到20nm、约1到15nm、约1到10nm和/或约3到6nm。在一些非限制性实例中，第二导电涂层830b的厚度可以是约1到25nm、约1到20nm、约1到15nm、约1到10nm和/或约3到6nm。在一些非限制性实例中，由初始导电涂层8300、第一导电涂层830a、第二导电涂层830b和/或任何另外的导电涂层830的组合形成的多涂层电极的厚度可以是约6到35nm、约10到30nm、约10到25nm和/或约12到18nm。
在一些非限制性实例中，至少一个辅助电极1750的厚度可以大于初始导电涂层8300、第一导电涂层830a、第二导电涂层830b和/或公共电极的厚度。在一些非限制性实例中，至少一个辅助电极1750的厚度可大于约50nm、大于约80nm、大于约100nm、大于约150nm、大于约200nm、大于约300nm、大于约400nm、大于约500nm、大于约700nm、大于约800nm、大于约1μm、大于约1.2μm、大于约1.5μm、大于约2μm、大于约2.5μm和/或大于约3μm。
在一些非限制性实例中，至少一个辅助电极1750可以是基本上非透明和/或不透明的。然而，在一些非限制性实例中，由于至少一个辅助电极1750可以设置在装置2900的非发射区域1920中，所以至少一个辅助电极1750可能不会引起或促成显著的光学干涉。在一些非限制性实例中，至少一个辅助电极1750的透射率可以在电磁光谱的可见波长范围的至少一部分中可以小于约50％、小于约70％、小于约80％、小于约85％、小于约90％和/或小于约95％。
在一些非限制性实例中，至少一个辅助电极1750可以吸收电磁光谱的可见波长范围的至少一部分中的光。
在一些非限制性实例中，至少一种光学特性，包含但不限于分别安置在第一发射区域1910a、第二发射区域1910b和/或第三发射区域1910c中的第一CPL 3610a、第二CPL3610b和/或第三CPL 3610c(和/或至少一个图案化涂层810，在一些非限制性实例中，所述图案化涂层可以包括安置在非发射区域1920a、1920b、1920c、1920d中的至少一个PDL CPL3810a、3810b、3810c、3810d)的厚度、组成、总光路长度和/或折射率，可以根据每个发射区域1910a-1910c发射的光的颜色和/或发射光谱而变化。如图38D-38E所示出的，第一CPL3610a可以具有第一CPL厚度tn1，第二CPL 3610b可以具有第二CPL厚度tn2和/或第三CPL3610c可以具有第三CPL厚度tn3。在一些非限制性实例中，第一CPL厚度tn1可以等于、大于和/或小于第二CPL厚度tn2。在一些非限制性实例中，第一CPL厚度tn1可以等于、大于和/或小于第三CPL厚度tn3。在一些非限制性实例中，第二CPL厚度tn2可以等于、大于和/或小于第三CPL厚度tn3。
在一些非限制性实例中，分别改变沉积在第一发射区域1910a、第二发射区域1910b和/或第三发射区域1910c之上的第一CPL厚度tn1、第二CPL厚度tn2和/或第三CPL厚度tn3可能是有利的，尤其是在第一CPL 3610a、第二CPL 3610b和/或第三CPL 3610c充当图案化涂层810的情况下。
通过调整分别沉积在第一发射区域1910a、第二发射区域1910b和/或第三发射区域1910c之上的第一CPL厚度tn1、第二CPL厚度tn2和/或第三CPL厚度tn3，除了第一发射区域1910a中的第二电极140a、第二发射区域1910b中的第二电极140b和/或第三发射区域1910c中的第二电极140c的第一厚度tc1、第二厚度tc2和/或第三厚度tc3之外，第一发射区域1910a、第二发射区域1910b和/或第三发射区域1910c的光学微腔效应可以在子像素到子像素的基础上分别进行调制。作为非限制性实例，安置在B(lue)子像素2643之上的CPL3610a、3610b、3610c的厚度可以小于安置在G(reen)子像素2642之上的CPL 3610a、3610b、3610c的厚度。作为非限制性实例，安置在G(reen)子像素2642之上的CPL 3610a、3610b、3610c的厚度可以小于安置在R(ed)子像素2641之上的CPL 3610a、3610b、3610c的厚度。
相关领域的普通技术人员应当理解，分别为第一发射区域1910a、第二发射区域1910b和/或第三发射区域1910c的光学微腔效应可以通过以下步骤来更大程度地控制：调制初始导电涂层8300、第一导电涂层830a和/或第二导电涂层830b的至少一种光学特性，包括但不限于厚度、组成、总光路长度和/或折射率，以相对于另一子像素264x的另一个发射区域1910a、1910b、1910c的第二电极140a、140b、140c的至少一个光学特性，包含但不限于厚度、组成、总光路长度和/或折射率来调制给定子像素264x的一个发射区域1910a、1910b、1910c的第二电极140a、140b、140c的至少一个光学特性，包含但不限于厚度、组成、总光程长度和/或折射率，除了相对于其它子像素264x的另一个发射区域1910a、1910b、1910c的CPL 3610a、3610b、3610c的至少一个光学特性，包含但不限于厚度、组成、总光路长度和/或折射率来调制给定子像素264x的一个发射区域1910a、1910b、1910c的CPL 3610a、3610b、3610c的至少一个光学特性，包含但不限于厚度、组成、总光程长度和/或折射率之外。
在一些非限制性实例中，装置3800还可以包括任何数量的发射区域1910a-1910c和/或其(子)像素340/264x。在一些非限制性实例中，装置可以包括多个像素340，其中每个像素340包括两个、三个或更多个(子)像素264x。
相关领域的普通技术人员应当理解，(子)像素340/264x的具体布置可以根据装置设计而变化。在一些非限制性实例中，子像素264x可以根据已知的布置方案来布置，包含但不限于RGB并排、菱形和/或
现在转到图38F，示出了假设阶段3830刚刚发生的装置3800的制造阶段3835。
在阶段3835之后，可以在装置3800之上沉积另外的层，包含但不限于另外的CPL3850、TFE和/或玻璃盖。在一些非限制性实例中，可以使用开放式掩模和/或无掩模沉积工艺来沉积CPL 3850。在一些非限制性实例中，此类沉积可以通过将装置3800的整个暴露层表面111暴露于一定蒸气通量的CPL材料来实现，以将CPL 3850跨装置3800的基本上所有的暴露层表面111沉积。
在一些非限制性实例中，CPL 3850类似于包括通常由普通CPL材料形成的层的传统CPL，并且在一些非限制性实例中，具有基本上相同的厚度，所述厚度跨装置100的几乎所有的横向方面延伸，包含但不限于跨其中的所有发射区域1910延伸。
在一些非限制性实例中，用于沉积CPL 3850的CPL材料可以与以下相同和/或不同：用于沉积第一CPL 3810a的CPL材料、用于沉积第二CPL 3810b的CPL材料、用于沉积第三CPL 3810c的CPL材料和/或用于沉积至少一个PDL CPL 3810a、3810b、3810c和/或3810d的CPL材料。
在一些非限制性实例中，CPL 3850可以另外地充当图案化涂层810，因为其相对于底层表面的暴露层表面111展现出对另外的导电涂层材料831(未示出)相对较低的初始粘附系数，并且选择性地沉积在示例装置3800中的此类底层表面的暴露层表面111的第一部分之上，以抑制另外的导电涂层材料831在其上的沉积。
在一些非限制性实例中，可能存在这样一种情况，其中预期将具有特定材料特性的导电涂层830沉积到其上不容易沉积此类导电涂层830的衬底110的暴露层表面111上。作为非限制性实例，纯和/或基本上纯的Mg通常不容易沉积到有机表面上，因为Mg在各种有机表面上的粘附系数低。因此，在一些非限制性实例中，初始导电涂层8300、第一导电涂层830a、第二导电涂层830b和/或至少一个辅助电极1750将被沉积在其上的暴露层表面111可以在沉积导电涂层材料831以形成初始导电涂层8300、第一导电涂层830a、第二导电涂层830b和/或至少一个辅助电极1750之前，通过沉积图案化涂层1120进行处理，在一些非限制性实例中，所述图案化涂层可以是NPC 1120。
在一些非限制性实例中，图案化涂层1120的沉积用于促进用于导电涂层830的导电涂层材料831的沉积，所述导电涂层包含但不限于初始导电涂层8300、第一导电涂层830a、第二导电涂层830b和/或至少一个辅助电极1750中的至少一个，其可以分别在PDL3610，包含但不限于至少一个PDL CPL 3810a、3810b、3810c、3810d、第一CPL 3610a、第二CPL 3610b和/或第三CPL 3610c的先前沉积之前和/或之后发生。
在一些非限制性实例中，此类图案化涂层1120可以沉积在，但不限于基本上缺乏CPL 3610，包含但不限于至少一个PDL CPL 3810a、3810b、3810c、3810d、第一CPL 3610a、第二CPL 3610b和/或第三CPL 3610c的衬底110、至少一个半导电层130、至少一个PDL 440a、440b、440c、440d、初始导电涂层8300、第一导电涂层830a和/或第二导电涂层830b的底层暴露层表面111的部分之上。
在一些非限制性实例中，此类图案化涂层1120可以沉积在CPL 3610(包含但不限于第一CPL 3610a、第二CPL 3610b和/或第三CPL 3610c)与底层导电涂层830(包含但不限于第一导电涂层830a、第二导电涂层830b和/或第三导电涂层830c)之间的界面处。
在图38A-38F中，CPL 3610被示出为基本上仅跨一个发射区域1910的横向范围410延伸。此类配置允许将一个或多个导电涂层830沉积在在沉积时基本上缺乏CPL 3610的区域中，从而导致导电涂层830的图案化沉积，而无需采用FMM。在一些非限制性实例中，如再次在图38A-38F中示出，随后的CPL 3610的沉积反过来又被沉积在跨与先前CPL 3610的发射区域不同的发射区域1910的横向范围410上，使得CPL 3610层不重叠。
此类配置在图39A中的简化示例图中示出。
第一CPL 3610a沉积在底层材料的暴露层表面111上，在一些非限制性实例中，所述底层材料可以是初始导电涂层8300、(基本上仅)跨第一发射区域1910a的横向范围410。
在沉积第一CPL 3610a之后，在初始导电涂层8300的暴露层表面111的其余部分上沉积第一导电涂层830a，并由此图案化。
第二CPL 3610b(基本上仅)跨第二发射区域1910b的横向范围410沉积在第一导电涂层830a的暴露层表面111上。
在沉积第二CPL 3610b之后，在第一导电涂层830a的暴露层表面111的其余部分上沉积第二导电涂层830b，并由此图案化。
第三CPL 3610c(基本上仅)跨第三发射区域1910c的横向范围410沉积在第二导电涂层830b的暴露层表面111上。
在沉积第三CPL 3610c之后，在第二导电涂层830b的暴露层表面111上沉积第三导电涂层830c，并由此图案化。
第四CPL 3610d(基本上仅)跨第四发射区域1910d的横向范围410沉积在第三导电涂层830c的暴露层表面111上。
在沉积第四CPL 3610d之后，在第三导电涂层830c的暴露层表面111的其余部分上沉积第四导电涂层830d，并由此图案化。
因此，分别在第一发射区域1910a与第二发射区域1910b之间、第二发射区域1910b与第三发射区域1910c之间以及第三发射区域1910c与第四发射区域1910d之间延伸的非发射区域1920a、1920b和1930c中的每个发射区域被示出在其上具有五层导电涂层830，所述导电涂层包含初始导电涂层8300、第一导电涂层830a、第二导电涂层830b、第三导电涂层830c和第四导电涂层830d，而第四发射区域1910d、第三发射区域1910c、第二发射区域1910b和第一发射区域1910a中的每个发射区域各自具有逐渐减少的层的导电涂层830，其最上层由单个CPL 3610覆盖。
相关领域的普通技术人员应当理解，也可以采用涉及沉积CPL 3610的其它配置。作为非限制性实例，在一些非限制性实例中，随后的CPL 3610可以跨对应的发射区域的横向范围410以及跨随后的发射区域1910的横向范围410沉积在先前的CPL 3610之上并且完全重叠，并且在一些非限制性实例中，沉积在其间延伸的非发射区域1920的横向范围420的至少一部分之上。
此类配置在图39B中的简化示例图中示出。
第一CPL 3610a沉积在底层材料的暴露层表面111上，在一些非限制性实例中，所述底层材料可以是初始导电涂层8300、(基本上仅)跨第一发射区域1910a的横向范围410。
在沉积第一CPL 3610a之后，在第一导电涂层830a的暴露层表面111的其余部分上沉积第一导电涂层830a，并由此图案化。
第二CPL 3610b跨第二发射区域1910b的横向范围410沉积在第一导电涂层830a的暴露层表面111上。然而，此外，第二CPL 3610b跨第一发射区域1910a与第二发射区域1910b之间延伸的第一非发射区域1920a的横向范围420(的至少一部分)沉积在第一导电涂层830a的暴露层表面111上，以及沉积在第一CPL 3610a的暴露层表面111上。
在沉积第二CPL 3610b之后，在第一导电涂层830a的暴露层表面111的其余部分上沉积第二导电涂层830b，并由此图案化。
第三CPL 3610c跨第三发射区域1910c的横向范围沉积在第二导电涂层830b的暴露层表面111上。然而，此外，第三CPL 3610c跨在第二发射区域1910b与第三发射区域1910c之间延伸的第二非发射区域1920b的横向范围420(的至少一部分)沉积在第二导电涂层830b的暴露层表面111上，以及沉积在第二CPL 3610b的暴露层表面111上，所述暴露层表面跨第一发射区域1910a、第二发射区域1910b的横向范围410和第一非发射区域1920a的横向范围420延伸。
在沉积第三CPL 3910c之后，在第二导电涂层830b的暴露层表面111的其余部分上沉积第三导电涂层830c，并由此图案化。
第四CPL 3610d跨第四发射区域1910d的横向范围沉积在第三导电涂层830c的暴露层表面111上。然而，此外，第四CPL 3610d跨在第三发射区域1910c与第四发射区域1910d之间延伸的第三非发射区域1920c的横向范围420(的至少一部分)沉积在第三导电涂层830c的暴露层表面111上，以及沉积在第三CPL 3610c的暴露层表面111上，所述暴露层表面跨第一发射区域1910、第二发射区域1910b的横向范围410和第一发射区域1910a和第二发射区域1910b之间的第一非发射区域1920a的横向范围420以及第二发射区域1910b和第三发射区域19之间的第二非发射区域1920b的横向范围延伸。
因此，第四发射区域1910d、第三发射区域1910c、第二发射区域和第一发射区域1910a中的每个发射区域以及第三非发射区域1920c、第二非发射区域1920b和第一非发射区域1920a均具有逐渐减少的层的生物导电涂层830，其最上层被逐渐增加的CPL 3610的层覆盖，使得每个区域在其上具有相同数量的层，无论是导电涂层830还是CPL 3610。
在一些非限制性实例中，随后的CPL 3610可以沉积在先前的CPL 3610之上，但仅部分重叠。在一些非限制性实例中，每个CPL 3610可以跨多个发射区域1910的横向范围410，以及其中至少一个非发射区域1920的横向方面420延伸。
此类配置在图39C中的简化示例图中示出。
第一CPL 3610a沉积在底层材料的暴露层表面111上，在一些非限制性实例中，所述底层材料可以是初始导电涂层8300、并且在一些非限制性实例中，所述底层材料跨延伸超过第一发射区域1910a的横向范围410。在所示出的实例中，第一CPL 3610a跨第一发射区域1910a和第二发射区域1910b两者的横向范围410延伸，以及跨其之间的第一非发射区域1920a的横向范围420延伸。
在沉积第一CPL 3610a之后，在初始导电涂层8300的暴露层表面111的其余部分上沉积第一导电涂层830a，并由此图案化。
第二CPL 3610b沉积在第一导电涂层830a和第一CPL 3610a两者的一部分的暴露层表面111上，并且在一些非限制性实例中，跨延伸超过第二发射区域1910b的横向范围410。在所示出的实例中，第二CPL 3610b跨第二发射区域1910b和第三发射区域1910c两者的横向范围410延伸，以及跨其之间的第二非发射区域1920b的横向范围420延伸。
在沉积第二CPL 3610b之后，在第一导电涂层830a的暴露层表面111的其余部分上沉积第二导电涂层830c，并由此图案化。
第三CPL 3610c沉积在第二导电涂层830b和第二CPL 3610b两者的一部分的暴露层表面111上，并且在一些非限制性实例中，跨延伸超过第三发射区域1910c的横向范围410。在所示出的实例中，第三CPL 3610c跨第三发射区域1910c和第四发射区域1910d两者的横向范围410延伸，以及跨其之间的第三非发射区域1920c的横向范围420延伸。
因此，一些发射区域1910，包含但不限于第二发射区域1910b和第三发射区域1910c，每个发射区域具有覆盖逐渐增多的层的导电涂层830的多个层的CPL 3610。
NPC
不希望限于特定的理论，假设提供NPC 1120可以促进导电涂层830沉积到某些表面上。
用于形成NPC 1120的合适材料的非限制性实例包含但不限于以下中的至少一种：金属，包含但不限于碱金属、碱土金属、过渡金属和/或后过渡金属；金属氟化物；金属氧化物和/或富勒烯。
在本公开中，术语“富勒烯”通常可以指包含碳分子的材料。富勒烯分子的非限制性实例包含碳笼分子，所述碳笼分子包含但不限于包含形成封闭壳的多个碳原子的三维骨架，并且其形状可以是但不限于球形和/或半球形。在一些非限制性实例中，富勒烯分子可以被称为Cn，其中n是与富勒烯分子的碳骨架中所包含的碳原子数相对应的整数。富勒烯分子的非限制性实例包含Cn，其中n在50到250的范围内，如但不限于C70、C70、C72、C74、C76、C78、C80、C82和C84。富勒烯分子的另外的非限制性实例包含管状和/或圆柱形的碳分子，包含但不限于单壁碳纳米管和/或多壁碳纳米管。
这种材料的非限制性实例包含Ca、Ag、Mg、Yb、ITO、IZO、ZnO、氟化镱(YbF3)、氟化镁(MgF2)和/或氟化铯(CsF)。
基于发现和实验观察，假设包含但不限于富勒烯、金属(包含但不限于Ag和/或Yb)和/或金属氧化物(包含但不限于ITO和/或IZO)的成核促进材料，如本文进一步讨论的，可以充当沉积导电涂层830的成核位点，包含但不限于Mg。
在一些非限制性实例中，NPC 1120可以由至少一个半导电层130的一部分提供。作为非限制性实例，可以使用开放式掩模和/或无掩模沉积工艺来沉积用于形成EIL 139的材料，以导致此类材料在装置100的发射区域1910和/或非发射区域1920两者中沉积。在一些非限制性实例中，至少一个半导电层130的一部分，包含但不限于EIL 139，可以被沉积以涂覆屏障区域3065中的一个或多个表面。用于形成EIL 139的此类材料的非限制性实例包含以下中的至少一种或多种：碱金属，包含但不限于Li；碱土金属；碱土金属的氟化物，包含但不限于MgF2、富勒烯、Yb、YbF3和/或CsF。
在一些非限制性实例中，NPC 1120可以由第二电极140和/或其一部分、层和/或材料提供。在一些非限制性实例中，第二电极140可以横向延伸以覆盖布置在屏障区域3065中的层表面3111。在一些非限制性实例中，第二电极140可以包括其下层和其第二层，其中其第二层沉积在其下层上。在一些非限制性实例中，第二电极140的下层可以包括氧化物，如但不限于ITO、IZo和/或ZnO。在一些非限制性实例中，第二电极140的上层可以包括金属，如但不限于中的至少一种：Ag、Mg、Mg:Ag、Yb/Ag、其它碱金属和/或其它碱土金属。
在一些非限制性实例中，第二电极140的下层可以横向延伸以覆盖屏障区域3065的表面，从而形成NPC 1120。在一些非限制性实例中，可以处理限定屏障区域3065的一个或多个表面以形成NPC 1120。在一些非限制性实例中，这种NPC 1120可以通过化学和/或物理处理形成，包含但不限于使屏障区域3065的表面经受等离子体、UV和/或UV-臭氧处理。
不希望受到任何特定理论的束缚，假设这样的处理可以在化学和/或物理上改变这种表面，从而改变其至少一种性质。作为非限制性实例，表面的此类处理可增加此类表面上的C-O和/或C-OH键的浓度、增加此类表面的粗糙度和/或增加某些种类和/或官能团(包含但不限于卤素、含氮官能团和/或含氧官能团)的浓度，然后充当NPC 1120。
在一些非限制性实例中，隔板3221包含NPC 1120和/或如果由所述NPC形成。作为非限制性实例，辅助电极1750可以充当NPC 1120。
在一些非限制性实例中，用于形成NPC 1120的合适材料可以包含那些展现出或表征为具有以下的材料：对导电涂层830的材料的初始粘附概率S0为至少约0.4(或40％)、至少约0.5、至少约0.6、至少约0.7、至少约0.75、至少约0.8、至少约0.9、至少约0.93、至少约0.95、至少约0.98和/或至少约0.99。
作为非限制性实例，在其中使用但不限于富勒烯处理表面上的蒸发工艺沉积Mg的情况下，在一些非限制性实例中，富勒烯分子可以充当可以促进用于Mg沉积的稳定核的形成的成核位点。
在一些非限制性实例中，可以在经处理的表面上提供少于单层的NPC 1120(包含但不限于富勒烯)以充当用于Mg沉积的成核位点。
在一些非限制性实例中，通过在表面上沉积若干个单层的NPC 1120来处理表面可以导致更多数量的成核位点，因此，更高的初始粘附概率S0。
相关领域的普通技术人员应当理解，沉积在表面上的材料(包含但不限于富勒烯)的量可以多于或少于一个单层。作为非限制性实例，可以通过沉积0.1个单层、1个单层、10个单层或更多的成核促进材料和/或成核抑制材料来处理此类表面。
在一些非限制性实例中，沉积在底层材料的暴露层表面111上的NPC 1120的厚度可以介于约1nm与和约5nm之间和/或介于约1nm与约3nm之间。
虽然本公开讨论薄膜形成，参考至少一层和/或涂层，就气相沉积而言，相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，电致发光装置100的各种组件可以使用多种技术沉积，包含但不限于蒸发(包含但不限于热蒸发和/或电子束蒸发)、光刻法、打印(包含但不限于喷墨和/或蒸气喷射打印、卷到卷打印和/或微接触转移打印)、PVD(包含但不限于溅射)、CVD(包含但不限于PECVD和/或OVPD)、激光退火、LITI图案化、ALD、涂覆(包含但不限于旋涂、浸涂、线涂和/或喷涂)和/或其中任何两个或更多个的组合。此类工艺可以与阴影掩模结合使用以获得各种图案。
NIC
不希望受特定理论的束缚，假设在衬底110的暴露层表面111与NIC 810之间的界面处和/或附近的薄膜成核和生长期间，由于NIC 810对薄膜的固体表面进行“去湿”，因此观察到薄膜边缘与衬底110之间相对较高的接触角θc。此类去润性质可以由衬底110、薄膜、蒸气7与NIC 810层之间的表面能的最小化来驱动。因此，可以假设NIC 810的存在和其性质在一些非限制性实例中可能对导电涂层830的边缘的核形成和生长模式的具有影响。
不希望受特定理论的束缚，假设在一些非限制性实例中，导电涂层830的接触角θc可以至少部分地基于与导电涂层830形成于其上的区域相邻安置的NIC 810的性质(包含但不限于初始粘附概率S0)来确定。因此，允许选择性沉积展现出相对较高的接触角θc的导电涂层830的NIC 810材料可以提供一些益处。
不希望受特定理论的束缚，假设在一些非限制性实例中，成核和生长期间存在的各种界面张力之间的关系可以根据毛细管理论中的杨氏等式(Young's equation)决定：
γsv＝γfs+γvfcosθ
其中γsv对应于衬底110与蒸气之间的界面张力，γfs对应于薄膜与衬底110之间的界面张力，γvf对应于蒸气与膜之间的界面张力，并且θ是膜核接触角。图40展示了在此等式中表示的各种参数之间的关系。
基于杨氏等式，可以得出，对于岛生长，膜核接触角θ大于0，因此γsv<γfs+γvf。
对于层生长，其中沉积膜“润湿”衬底110，核接触角θ＝0，因此γsv＝γfs+γvf。
对于斯特兰斯基-克拉斯坦诺夫(S-K)生长，其中相对于蒸气与膜之间的界面张力，单位面积的膜过度生长的应变能大，γsv>γfs+γvf。
可以假设在NIC 810与衬底110的暴露层表面111之间的界面处的导电涂层830的成核和生长模式可以遵循岛生长模型，其中θ>0。特别是在NIC 810对用于形成导电涂层830的材料展现出相对较低的亲和力和/或较低的初始粘附概率S0(即去湿)的情况下，导致导电涂层830的薄膜接触角相对较高。相反，当在不使用NIC 810的情况下作为非限制性实例，通过采用阴影掩模选择性地将导电涂层830沉积在表面上时，导电涂层830的成核和生长模式可能不同。特别是，已经观察到，至少在一些非限制性实例中，使用阴影掩模图案化工艺形成的导电涂层830可以展现出小于约10°的相对较低的薄膜接触角。
相关领域的普通技术人员应当理解，尽管未明确展示，但用于形成NIC 810的材料还可以在某种程度上存在于导电涂层830与底层表面(包含但不限于NPC 1120层和/或衬底110的表面)之间的界面处。此类材料可以由于阴影效应而被沉积，其中沉积的图案与掩模的图案不相同，并且在一些非限制性实例中可能导致一些蒸发的材料沉积在目标表面111的被掩蔽部分上。作为非限制性实例，此类材料可以形成为岛和/或不连接的簇和/或形成为厚度可以显著小于NIC 810的平均厚度的薄膜。
在一些非限制性实例中，可以期望解吸活化能(Edes631)小于约2倍的热能(kBT)、小于约1.5倍的热能(kBT)、小于约1.3倍的热能(kBT)、小于约1.2倍的热能(kBT)、小于热能(kBT)、小于约0.8倍的热能(kBT)和/或小于约0.5倍的热能(kBT)。在一些非限制性实例中，可以期望表面扩散活化能(Es621)大于热能(kBT)、大于约1.5倍的热能(kBT)、大于约1.8倍的热能(kBT)、大于约2倍的热能(kBT)、大于约3倍的热能(kBT)、大于约5倍的热能(kBT)、大于约7倍的热能(kBT)和/或大于约10倍的热能(kBT)。
在一些非限制性实例中，用于形成NIC 810的合适材料可以包含那些展现出和/或表征为具有以下的材料：对导电涂层830的材料的初始粘附概率S0不大于和/或小于约0.3(或30％)、不大于和/或小于约0.2、不大于和/或小于约0.1、不大于和/或小于约0.05、不大于和/或小于0.03、不大于和/或小于0.02、不大于和/或小于0.01、不大于和/或小于约0.08、不大于和/或小于约0.005、不大于和/或小于约0.003、不大于和/或小于约0.001、不大于和/或小于约0.0008、不大于和/或小于约0.0005和/或不大于和/或小于约0.0001。
在一些非限制性实例中，用于形成NIC 810的合适材料包含展现出和/或表征为对导电涂层830的材料具有介于约0.03和约0.0001之间、介于约0.03和约0.0003、介于约0.03和约0.0005、介于约0.03和约0.0008、介于约0.03和约0.001、介于约0.03和约0.005、介于约0.03和约0.008、介于约0.03和约0.01、介于约0.02和约0.0001、介于约0.02和约0.0003、介于约0.02和约0.0005、介于约0.02和约0.0008、介于约0.02和约0.0005、介于约0.02和约0.0008、介于约0.02和约0.001、介于约0.02和约0.005、介于约0.02和约0.008、介于约0.02和约0.01、介于约0.01和约0.0001、介于约0.01和约0.0003、介于约0.01和约0.0005、介于约0.01和约0.0008、介于约0.01和约0.001、介于约0.01和约0.005、介于约0.01和约0.008、介于约0.008和约0.0001、介于约0.008和约0.0003、介于约0.008和约0.0005、介于约0.008和约0.0008、介于约0.008和约0.001、介于约0.008和约0.005、介于约0.005和约0.0001、介于约0.005和约0.0003、介于约0.005和约0.0005、介于约0.005和约0.0008和/或介于约0.005和约0.001的初始粘附概率S0的材料。
在一些非限制性实例中，用于形成NIC 810的合适材料可以包含如小分子有机材料和/或有机聚合物等有机材料。合适的有机材料的非限制性实例包含但不限于多环芳族化合物，所述多环芳族化合物包含但不限于有机分子，所述有机分子包含但不限于任选地一个或多个杂原子，所述杂原子包含但不限于氮(N)、硫(S)、氧(O)、磷(P)和/或铝(Al)。在一些非限制性实例中，多环芳族化合物可以包含但不限于有机分子，每个有机分子包含核部分和至少一个键合到核部分的末端部分。末端部分的非限制性数目可以是1个或更多个、2个或更多个、3个或更多个和/或4个或更多个。在不限制上述一般性的情况下，在2个或更多个末端部分的情况下，末端部分可以相同和/或不同和/或末端部分的子集可以相同但与至少一个剩余末端部分不同。
合适的成核抑制材料包含有机材料，如小分子有机材料和有机聚合物。
用于形成NIC 810的合适材料的非限制性实例包含描述于以下文献中的至少一个文献中的至少一种材料：美国专利第10,270,033号、PCT国际申请号PCT/IB2018/052881、PCT国际申请号PCT/IB2019/053706和/或PCT国际申请号PCT/IB2019/050839。
在一些非限制性实例中，NIC 810可以充当光学涂层。在一些非限制性实例中，NIC810可以至少修改从装置100的至少一个发射区域1910发射的光的性质和/或特性。在一些非限制性实例中，NIC 810可能表现出一定程度的混浊，从而导致发射的光被散射。在一些非限制性实例中，NIC 810可以包括用于使透射通过的光被散射的结晶材料。在一些非限制性实例中，这种光的散射可以促进来自装置的光的外耦接的增强。在一些非限制性实例中，NIC 810最初可以沉积为基本上非结晶的，包含但不限于基本上无定形的，因此，在其沉积之后，NIC 810可以变得结晶并且此后用作光耦接。
如前所讨论的，在一些非限制性实例中，CPL 3610中的一个或多个可以充当NIC810，并且在一些非限制性实例中，可以展现出本文所描述的行为。
在根据马库什(Markush)组描述本公开的特征或方面的情况下，相关领域的普通技术人员应当理解，本公开因此也根据此类马库什组的成员的子组的任何单独成员进行描述。
术语
单数形式的引用包含复数形式，反之亦然，除非另有说明。
如本文所使用的，如“第一”和“第二”等关系术语以及如“a”、“b”等编号装置可以单独用于将一个实体或元件与另一实体或元件区分，而不必要求或暗示此类实体或元件之间的任何物理或逻辑关系或顺序。
术语“包含”和“包括”被广泛地以开放式方式使用，因此应解释为“包含但不限于”。术语“实例”和“示例性”仅用于识别实例以用于说明目的，并且不应将本发明的范围解释为将本发明的范围限制为所述实例。具体地说，术语“示例性”不应被解释为表示或赋予其所使用的表达任何赞美、有益或其它品质，无论是在设计、性能或以其它方式。
任何形式的术语“耦接”和“连通”旨在意指通过某个接口、装置、中间组件或连接的直接连接或间接连接，无论是光学、电气、机械、化学或以其它方式。
术语“在…上”或“在…之上”当用于指相对于另一组件的第一组件或“覆盖”和/或“覆盖”另一组件时可以涵盖第一组件直接在(包含但不限于与其物理接触)其它组件上的情况，以及一个或多个中间组件定位于第一组件与其它组件之间的情况。
数量、比率和/或其它数值在本文中有时以范围格式呈现。此类范围格式是为了方便、说明和简洁而使用的，并且应该灵活地理解为不仅包含明确指定为范围的界限的数值，而且还包含所述范围内涵盖的所有单独数值和/或子范围，如同每个数值和/或子范围已经被明确指定一样。
除非另有说明，否则如“向上”、“向下”、“左”和“右”等方向术语用于指所参考的附图中的方向。类似地，如“向内”和“向外”等词用于分别指朝向和远离装置、区域或体积或其指定部分的几何中心的方向。此外，本文所描述的所有尺寸仅旨在作为说明某些实施例的目的的实例，并且不旨在将本公开的范围限制为任何可能偏离所指定的此类尺寸的实施例。
如本文所使用的，术语“基本上”、“基本”、“大约”和/或“约”用于表示和解释小的变化。当与事件或情形结合使用时，此类术语可以指事件或情形精确发生的情况，以及事件或情形非常接近地发生的情况。作为非限制性实例，当与数值结合使用时，此类术语可以指小于或等于所述数值的±10％的变化范围，如小于或等于±5％、小于或等于±4％、小于或等于±3％、小于或等于±2％、小于或等于±1％、小于或等于±0.5％、小于或等于±0.1％和/或小于等于±0.05％。
如本文所使用的，短语“基本上由…组成”将被理解为包含具体叙述的那些元件以及不会实质性影响所描述技术的基本和新颖特性的任何另外的元件，而在不使用任何修饰符的情况下短语“由…组成”不包含任何未具体叙述的元件。
如相关领域普通技术人员将理解的，出于任何和所有目的，特别是在提供书面描述方面，本文所公开的所有范围还涵盖任何和所有可能的子范围和/或其子范围的组合。任何列举的范围都可以很容易地被识别为充分描述和/或能够将相同的范围至少分解成其相等的部分，包含但不限于一半、三分之一、四分之一、五分之一、十分之一等。作为非限制性实例，本文中所讨论的每个范围可以容易地分解为下三分之一、中三分之一和/或上三分之一等。
相关领域的普通技术人员还应当理解，如“至多”、“至少”、“大于”、“小于”等所有语言和/或术语可以包含和/或指所叙述的范围并且还可以指可以随后分解成如本文所讨论的子范围的范围。
如相关领域的普通技术人员应当理解的，范围包含所叙述范围的每个单独成员。
概述
摘要的目的是使相关专利局或一般公众，以及特别是不熟悉专利或法律术语或用语的本领域普通技术人员能够通过粗略检查快速确定技术公开的性质。摘要既不旨在限定本公开的范围，也不旨在以任何方式限制本公开的范围。
上文已经讨论了当前公开的实例的结构、制造和使用。所讨论的具体实例仅是对实现和使用本文所公开的概念的具体方式的说明，并且不限制本公开的范围。相反，本文阐述的一般原理被认为仅是对本公开范围的说明。
应当理解，由权利要求而不是由所提供的实施方案细节描述，并且可以通过改变、省略、添加或替换和/或在不存在任何元件和/或替代物和/或等效功能元件(无论是否在本文中具体公开)的限制的情况下修改的本公开对于相关领域的普通技术人员来说将是显而易见的，可以对本文所公开的实例进行，并且可以提供许多适用的可以体现在各种特定上下文中的发明概念，而不会偏离本公开。
特别地，在上文所描述的实例中的一个或多个实例中描述和展示的特征、技术、系统、子系统和方法，无论是否被描述和展示为离散的或分开的，在不脱离本公开的范围的情况下都可以组合或集成到另一个系统中，以创建由上文可能未明确描述的特征的组合或子组合组成的替代实例，或某些特征可能被省略，或未实施。适用于此类组合和子组合的特征对于本领域技术人员在总体上审阅本发明申请时将容易地显而易见。改变、替换和变更的其它实例是可容易确定的，并且可以在不脱离本文公开的精神和范围的情况下做出。
本文中叙述本公开的原理、方面和实施例以及其实例的所有陈述旨在涵盖其结构等效物和功能等效物两者并且涵盖并包含所有合适的技术变化。另外地，此类等效物旨在包含当前已知的等效物以及将来开发的等效物两者，即，所开发的执行相同功能的任何元件，而不考虑结构。
因此，说明书和其中公开的实例仅被视为说明性的，本公开的真实范围由所附技术方案公开。
1.一种具有多个层的光电子装置，所述光电子装置包括：
第一覆盖层(CPL)，所述第一CPL包括第一CPL材料并且安置在第一发射区域中，所述第一发射区域被配置成发射具有以第一起始波长为特征的第一波长光谱的光子；以及
第二CPL，所述第二CPL包括第二CPL材料并且安置在第二发射区域中，所述第二发射区域被配置成发射具有以第二起始波长为特征的第二波长光谱的光子；
其中：
所述第一CPL和所述第一CPL材料(CPL(m)1)中的至少一个在短于所述第一起始波长的第一吸收边缘波长处展现出第一吸收边缘；并且
所述第二CPL和所述第二CPL材料(CPL(m)2)中的至少一个在短于所述第二起始波长的第二吸收边缘波长处展现出第二吸收边缘。
2.根据方案1所述的光电子装置，其中所述第一起始波长短于所述第二起始波长。
3.根据方案1或2所述的光电子装置，其中所述第一吸收边缘波长短于所述第二吸收边缘波长。
4.根据方案1到3中任一项所述的光电子装置，其中所述第一吸收边缘以第一消光波长为特征，在所述第一消光波长处，所述CPL(m)1的消光系数等于阈值，并且所述第二吸收边缘以第二消光波长为特征，在所述第二消光波长处，所述CPL(m)2的消光系数等于所述阈值。
5.根据方案4所述的光电子装置，其中所述第一起始波长比所述第一吸收边缘波长长小于以下中的至少一者：约50nm、约40nm、约35nm、约30nm、约25nm、约20nm、约15nm、约10nm、约5nm和约3nm。
6.根据方案4或5所述的光电子装置，其中所述第一消光波长是所述CPL(m)1的所述消光系数等于所述阈值的至少一个波长中的最长波长。
7.根据方案4到6中任一项所述的光电子装置，其中作为波长函数的所述CPL(m)1的所述消光系数的一阶导数在所述第一消光波长处为负。
8.根据方案4到7中任一项所述的光电子装置，其中所述CPL(m)1在长于所述第一消光波长的波长处的所述消光系数小于所述阈值。
9.根据方案4到8中任一项所述的光电子装置，其中所述CPL(m)1在长于所述第一消光波长的所有波长处的所述消光系数小于所述阈值。
10.根据方案4到9中任一项所述的光电子装置，其中所述CPL(m)1在长于所述第一起始波长的任何波长处的所述消光系数小于以下中的至少一者：约0.1、约0.09、约0.08、约0.06、约0.05、约0.03、约0.01、约0.005和约0.0001。
11.根据方案4到10中任一项所述的光电子装置，其中所述CPL(m)1在短于所述第一吸收边缘波长的波长处的所述消光系数超过以下中的至少一者：约0.1、约0.12、约0.13、约0.15、约0.18、约0.2、约0.25、约0.3、约0.5、约0.7、约0.75、约0.8、约0.9和约1.0。
12.根据方案4到11中任一项所述的光电子装置，其中所述CPL(m)1对长于所述第一吸收边缘波长的至少一个波长的折射率超过所述CPL(m)1对短于所述第一吸收边缘波长的至少一个波长的折射率。
13.根据方案4到12中任一项所述的光电子装置，其中所述CPL(m)1在所述第一波长光谱中的至少一个波长中的折射率超过以下中的至少一者：约1.8、约1.9、约1.95、约2、约2.05、约2.1、约2.2、约2.3和约2.5。
14.根据方案4到13中任一项所述的光电子装置，其中所述第二起始波长比所述第二吸收边缘波长长小于以下中的至少一者：约200nm、约150nm、约130nm、约100nm、约80nm、约70nm、约60nm、约50nm、约40nm、约35nm、约25nm、约20nm、约15nm和约10nm。
15.根据方案4到14中任一项所述的光电子装置，其中所述第二消光波长是所述CPL(m)2的所述消光系数等于所述阈值的至少一个波长中的最长波长。
16.根据方案4到15中任一项所述的光电子装置，其中作为波长函数的所述CPL(m)2的所述消光系数的一阶导数在所述第二消光波长处为负。
17.根据方案4到16中任一项所述的光电子装置，其中所述CPL(m)2在长于所述第二消光波长的波长处的所述消光系数小于所述阈值。
18.根据方案4到17中任一项所述的光电子装置，其中所述CPL(m)2在长于所述第二消光波长的所有波长处的所述消光系数小于所述阈值。
19.根据方案4到18中任一项所述的光电子装置，其中所述CPL(m)2在长于所述第二起始波长的任何波长处的所述消光系数小于以下中的至少一者：约0.1、约0.09、约0.08、约0.06、约0.05、约0.03、约0.01、约0.005和约0.0001。
20.根据方案4到19中任一项所述的光电子装置，其中所述CPL(m)2在短于所述第二吸收边缘波长的波长处的所述消光系数超过以下中的至少一者：约0.1、约0.12、约0.13、约0.15、约0.18、约0.2、约0.25、约0.3、约0.5、约0.7、约0.75、约0.8、约0.9和约1.0。
21.根据方案4到20中任一项所述的光电子装置，其中所述CPL(m)2对长于所述第二吸收边缘波长的至少一个波长的折射率超过所述CPL(m)1对短于所述第二吸收边缘波长的至少一个波长的折射率。
22.根据方案4到21中任一项所述的光电子装置，其中所述CPL(m)2在所述第二波长光谱中的至少一个波长中的折射率超过以下中的至少一者：约1.8、约1.9、约1.95、约2、约2.05、约2.1、约2.2、约2.3和约2.5。
23.根据方案4到22中任一项所述的光电子装置，其中所述CPL(m)1的所述消光系数在所述第二起始波长处小于所述阈值。
24.根据方案4到23中任一项所述的光电子装置，其中所述CPL(m)1的所述消光系数在所述第二波长光谱中的所有波长处均小于所述阈值。
25.根据方案4到24中任一项所述的光电子装置，其中所述CPL(m)1在所述第二波长光谱中的任何波长处的所述消光系数小于以下中的至少一者：约0.1、约0.09、约0.08、约0.06、约0.05、约0.03、约0.01、约0.005和约0.001。
26.根据方案4到25中任一项所述的光电子装置，其中所述CPL(m)1对所述第一波长光谱中的至少一个波长的折射率超过所述CPL(m)1对所述第二波长光谱中的至少一个波长的所述折射率。
27.根据方案4到26中任一项所述的光电子装置，其中所述CPL(m)2对所述第二波长光谱中的至少一个波长的折射率超过所述CPL(m)2对所述第一波长光谱中的至少一个波长的所述折射率。
28.根据方案4到27中任一项所述的光电子装置，其中所述CPL(m)1对所述第二波长光谱的至少一个波长的折射率小于以下中的至少一者：约1.8、约1.7、约1.65、约1.6、约1.5、约1.45、约1.4和约1.3。
29.根据方案4到28中任一项所述的光电子装置，其中所述CPL(m)2在所述第一波长光谱的至少一个波长中的折射率小于以下中的至少一者：约1.8、约1.7、约1.65、约1.6、约1.5、约1.45、约1.4和约1.3。
30.根据方案4到29中任一项所述的光电子装置，其中所述CPL(m)2的所述消光系数超过所述CPL(m)1对所述第一波长光谱中的至少一个波长的所述消光系数。
31.根据方案4到30中任一项所述的光电子装置，其中所述CPL(m)2的所述消光系数超过所述CPL(m)1对所述第一波长光谱中的每个波长的所述消光系数。
32.根据方案4到31中任一项所述的光电子装置，其中所述阈值为以下中的至少一者：0.1、0.09、0.08、0.06、0.05、0.03、0.01、0.005和0.001。
33.根据方案1到32中任一项所述的光电子装置，其中所述第一发射区域和所述第二发射区域在横向方面占据所述装置的不同区域。
34.根据方案1到33中任一项所述的光电子装置，其中所述第一波长光谱和所述第二波长范围位于可见光谱中。
35.根据方案1到34中任一项所述的光电子装置，其中所述第一波长光谱具有第一峰值波长，并且所述第二波长光谱具有长于所述第一峰值波长的第二峰值波长。
36.根据方案35所述的光电子装置，其中所述第一起始波长是至少一个波长中的最短波长，在所述波长处，所述第一波长光谱的强度是所述第一峰值波长处的强度的以下中的至少一者：约20％、约15％、约10％、约5％、约3％、约1％和约0.1％。
37.根据方案35或36所述的光电子装置，其中所述第二起始波长是至少一个波长中的最短波长，在所述波长处，所述第二波长光谱的强度是所述第二峰值波长处的强度的以下中的至少一者：约20％、约15％、约10％、约5％、约3％、约1％和约0.1％。
38.根据方案1到37中任一项所述的光电子装置，其中所述第一波长光谱对应于为B(lue)和G(reen)中的至少一个的颜色。
39.根据方案1到38中任一项所述的光电子装置，其中所述第二波长光谱对应于为R(ed)和G(reen)中的至少一个的颜色。
40.根据方案1到39中任一项所述的光电子装置，其中所述第一波长光谱对应于为B(lue)的颜色，并且所述第二波长光谱对应于为G(reen)和R(ed)中的至少一个的颜色。
41.根据方案1到40中任一项所述的光电子装置，其中所述第一波长光谱对应于为G(reen)的颜色，并且所述第二波长光谱对应于为R(ed)的颜色。
42.根据方案1到41中任一项所述的光电子装置，其中所述第一CPL材料具有与所述第二CPL材料不同的组成。
43.根据方案1到42中任一项所述的光电子装置，其中所述第一CPL的厚度与所述第二CPL的厚度相同。
44.根据方案1到42中任一项所述的光电子装置，其中所述第一CPL的厚度与所述第二CPL的厚度不同。
45.根据方案1到44中任一项所述的光电子装置，其中所述第一CPL的厚度在介于约5nm到约120nm之间的范围内。
46.根据方案1到45中任一项所述的光电子装置，其中所述第一CPL的厚度超过以下中的至少一者：约10nm、约15nm、约20nm、约25nm、约30nm和约40nm。
47.根据方案1到46中任一项所述的光电子装置，其中所述第一CPL的厚度小于以下中的至少一者：约100nm、约90nm、约80nm和约70nm。
48.根据方案1到47中任一项所述的光电子装置，其中所述第二CPL的厚度在介于约5nm到约120nm之间的范围内。
49.根据方案1到48中任一项所述的光电子装置，其中所述第二CPL的厚度超过以下中的至少一者：约10nm、约15nm、约20nm、约25nm、约30nm和约40nm。
50.根据方案1到49中任一项所述的光电子装置，其中所述第二CPL的厚度小于以下中的至少一者：约100nm、约90nm、约80nm和约70nm。
51.根据方案1到50中任一项所述的光电子装置，其进一步包括所述第一发射区域和所述第二发射区域中的至少一个电极涂层。
52.根据方案1到51中任一项所述的光电子装置，其中所述第一CPL安置在所述至少一个电极涂层的暴露层表面上。
53.根据方案52所述的光电子装置，其中所述第二CPL安置在所述至少一个电极涂层的暴露层表面上。
54.根据方案52到53中任一项所述的光电子装置，其中所述至少一个电极涂层在所述第一发射区域中具有第一电极厚度。
55.根据方案54中任一项所述的光电子装置，其中所述至少一个电极涂层在所述第二发射区域中具有第二电极厚度。
56.根据方案55所述的光电子装置，其中所述第一电极厚度小于所述第二电极厚度。
57.根据方案56所述的光电子装置，其中所述第一电极厚度除以所述第二电极厚度的商小于以下中的至少一者：约0.9、约0.8、约0.7、约0.6、约0.5、约0.4、约0.3和约0.2。
58.根据方案56或57所述的光电子装置，其中所述第一电极厚度在以下中的至少一者的范围内：约5nm到约100nm、约5nm到约50nm、约5nm到约25nm、约5nm到约20nm、约5nm到约15nm、约8nm到约15nm、约8nm到约12nm和约8nm到约10nm。
59.根据方案56到58中任一项所述的光电子装置，其中所述第二电极厚度在以下中的至少一者的范围内：约10nm到约60nm、约10nm到约50nm、约15nm到约40nm、约15nm到约35nm和约20nm到约35nm。
60.根据方案55所述的光电子装置，其中所述第二电极厚度小于所述第一电极厚度。
61.根据方案60所述的光电子装置，其中所述第二电极厚度除以所述第一电极厚度的商小于以下中的约至少一者：约0.9、约0.8、约0.7、约0.6、约0.5、约0.4、约0.3和约0.2。
62.根据方案60或61所述的光电子装置，其中所述第一电极厚度在以下中的至少一者的范围内：约10nm到约60nm、约10nm到约50nm、约15nm到约40nm、约15nm到约35nm和约20nm到约35nm。
63.根据方案60到62中任一项所述的光电子装置，其中所述第二电极厚度在以下中的至少一者的范围内：约5nm到约100nm、约5nm到约50nm、约5nm到约25nm、约5nm到约20nm、约5nm到约15nm、约8nm到约15nm、约8nm到约12nm和约8nm到约10nm。
64.根据方案52到63中任一项所述的光电子装置，其中所述至少一个电极涂层包括金属涂层和安置在所述金属涂层的暴露层表面上的导电涂层。
65.根据方案64所述的光电子装置，其中所述导电涂层在所述第二发射区域中的所述金属涂层与所述第二CPL之间延伸。
66.根据方案65所述的光电子装置，其中所述第一CPL安置在所述第一发射区域中的所述金属涂层的暴露层表面上。
67.根据方案64所述的光电子装置，其中所述导电涂层在所述第一发射区域中的所述金属涂层与所述第一CPL之间延伸。
68.根据方案64到67中任一项所述的光电子装置，其中所述金属涂层包含金属涂层材料。
69.根据方案68所述的光电子装置，其中所述金属涂层材料包括在298K下其双原子分子中的键离解能为以下中的至少一者的金属：至少10kJ/mol、至少50kJ/mol、至少100kJ/mol、至少150kJ/mol、至少180kJ/mol和至少200kJ/mol。
70.根据方案68或69所述的光电子装置，其中所述金属涂层材料包括电负性小于约1.4、约1.3和/或约1.2中的至少一者的元素。
71.根据方案68到70中任一项所述的光电子装置，其中所述金属涂层材料包括选自以下的元素：钾(K)、钠(Na)、锂(Li)、钡(Ba)、铯(Cs)、镱(Yb)、银(Ag)、金(Au)、铜(Cu)、铝(Al)、镁(Mg)、锌(Zn)、镉(Cd)、锡(Sn)、镍(Ni)、钛(Ti)、钯(Pd)、铬(Cr)、铁(Fe)、钴(Co)、锆(Zr)、铂(Pt)、钒(V)、铌(Nb)、铱(Ir)、锇(Os)、钽(Ta)、钼(Mo)、钨(W)以及这些元素中的任何元素的任何组合。
72.根据方案71所述的装置，其中所述元素选自Cu、Ag、Au以及这些元素中的任何元素的任何组合。
73.根据方案71所述的装置，其中所述元素是Cu。
74.根据方案71所述的装置，其中所述元素是Al。
75.根据方案71所述的装置，其中所述元素选自Mg、Zn、Cd、Yb以及这些元素中的任何元素的任何组合。
76.根据方案71所述的装置，其中所述元素选自Sn、Ni、Ti、Pd、Cr、Fe、Co以及这些元素中的任何元素的任何组合。
77.根据方案71所述的装置，其中所述元素选自Zr、Pt、V、Nb、Ir、Os以及这些元素中的任何元素的任何组合。
78.根据方案71所述的装置，其中所述元素选自Ta、Mo、W以及这些元素中的任何元素的任何组合。
79.根据方案71所述的装置，其中所述元素选自Mg、Ag、Al、Yb、Li以及这些元素中的任何元素的任何组合。
80.根据方案71所述的装置，其中所述元素选自Mg、Ag、Yb以及这些元素中的任何元素的任何组合。
81.根据方案71所述的装置，其中所述元素选自Mg、Ag以及这些元素中的任何元素的任何组合。
82.根据方案71所述的装置，其中所述元素是Ag。
83.根据方案68到82中任一项所述的装置，其中所述金属涂层材料包括纯金属。
84.根据方案83所述的装置，其中所述纯金属是纯银(Ag)和基本上纯的Ag中的至少一种。
85.根据方案83所述的装置，其中所述纯金属是纯镁(Mg)和基本上纯的Mg中的至少一种。
86.根据方案83所述的装置，其中所述纯金属是纯铝(Al)和基本上纯的Al中的至少一种。
87.根据方案69到86中任一项所述的装置，其中所述金属涂层材料包括合金。
88.根据方案87所述的装置，其中所述合金是含银(Ag)的合金和含银-镁(AgMg)的合金中的至少一种。
89.根据方案68到88中任一项所述的装置，其中所述金属涂层材料包括氧(O)。
90.根据方案89所述的装置，其中所述金属涂层材料包括O和至少一种金属。
91.根据方案89或90所述的装置，其中所述金属涂层材料包括金属氧化物。
92.根据方案91所述的装置，其中所述金属氧化物包括锌(Z)、铟(I)、锡(Sn)、锑(Sb)、镓(Ga)以及这些金属氧化物中的任何金属氧化物的任何组合。
93.根据方案92所述的装置，其中所述金属氧化物是透明导电氧化物(TCO)。
94.根据方案93所述的装置，其中所述TCO是以下中的至少一种以及这些TCO中的任何TCO的任何组合：氧化铟钛(ITO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)。
95.根据方案68到94中任一项所述的装置，其中所述金属涂层包括所述金属涂层材料的多个层。
96.根据方案95所述的装置，其中所述多个层中的第一层的所述金属涂层材料不同于所述多个层中的第二层的所述金属涂层材料。
97.根据方案95或96所述的装置，其中所述多个层中的至少一层的所述金属涂层材料包括镱(Yb)。
98.根据方案97所述的装置，其中所述多个层中的另一层的所述金属涂层材料包括含银(Ag)的合金和含银-镁(AgMg)的合金中的至少一种。
99.根据方案98所述的装置，其中所述多个层中的另一层的所述金属涂层材料包括纯银(Ag)、基本上纯的Ag、纯镁(Mg)、基本上纯的Mg中的至少一种以及这些金属涂层材料中的任何金属涂层材料的任何组合。
100.根据方案98所述的装置，其中靠近NIC的所述多个层之一的所述金属涂层材料包括选自以下的元素：银(Ag)、金(Au)、铜(Cu)、铝(Al)、锡(Sn)、镍(Ni)、钛(Ti)、钯(Pd)、铬(Cr)、铁(Fe)、钴(Co)、锆(Zr)、铂(Pt)、钒(V)、铌(Nb)、铱(Ir)、锇(Os)、钽(Ta)、钼(Mo)、钨(W)以及这些元素中的任何元素的任何组合。
101.根据方案100所述的装置，其中所述元素包括Cu、Ag、Au以及这些元素中的任何元素的任何组合。
102.根据方案100所述的装置，其中所述元素是Cu。
103.根据方案100所述的装置，其中所述元素是Al。
104.根据方案100所述的装置，其中所述元素包括Sn、Ti、Pd、Cr、Fe、Co以及这些元素中的任何元素的任何组合。
105.根据方案100所述的装置，其中所述元素包括Ni、Zr、Pt、V、Nb、Ir、Os以及这些元素中的任何元素的任何组合。
106.根据方案100所述的装置，其中所述元素包括Ta、Mo、W以及这些元素中的任何元素的任何组合。
107.根据方案100所述的装置，其中所述元素包括Mg、Ag、Al以及这些元素中的任何元素的任何组合。
108.根据方案100所述的装置，其中所述元素包括Mg、Ag以及这些元素中的任何元素的任何组合。
109.根据方案100所述的装置，其中所述元素是Ag。
110.根据方案95到109中任一项所述的装置，其中所述多个层中的至少一层包括功函数小于约4eV的金属。
111.根据方案64到110中任一项所述的光电子装置，其中所述导电涂层包含导电涂层材料。
112.根据方案111所述的装置，其中所述导电涂层材料包括在298K下其双原子分子中的键离解能为以下的金属：小于300kJ/mol、小于200kJ/mol、小于165kJ/mol、小于150kJ/mol、小于100kJ/mol、小于50kJ/mol和小于20kJ/mol。
113.根据方案111或112所述的装置，其中所述导电涂层材料包括选自以下的元素：钾(K)、钠(Na)、锂(Li)、钡(Ba)、铯(Cs)、镱(Yb)、银(Ag)、金(Au)、铜(Cu)、铝(Al)、镁(Mg)、锌(Zn)、镉(Cd)、锡(Sn)、钇(Y)以及这些元素中的任何元素的任何组合。
114.根据方案113所述的装置，其中所述元素选自K、Na、Li、Ba、Cs、Yb、Ag、Au、Cu、Al、Mg以及这些元素中的任何元素的任何组合。
115.根据方案113所述的装置，其中所述元素选自Cu、Ag、Au以及这些元素中的任何元素的任何组合。
116.根据方案113所述的装置，其中所述元素是Cu。
117.根据方案113所述的装置，其中所述元素是Al。
118.根据方案113所述的装置，其中所述元素选自Mg、Zn、Cd、Yb以及这些元素中的任何元素的任何组合。
119.根据方案113所述的装置，其中所述元素选自Mg、Ag、Al、Yb、Li以及这些元素中的任何元素的任何组合。
120.根据方案113所述的装置，其中所述元素选自Mg、Ag、Yb以及这些元素中的任何元素的任何组合。
121.根据方案113所述的装置，其中所述元素选自Mg、Ag以及这些元素中的任何元素的任何组合。
122.根据方案113所述的装置，其中所述元素是Ag。
123.根据方案111到122中任一项所述的装置，其中所述导电涂层材料包括纯金属。
124.根据方案123所述的装置，其中所述纯金属是纯银(Ag)和基本上纯的Ag中的至少一种。
125.根据方案124所述的装置，其中所述基本上纯的Ag的纯度为以下中的至少一者：至少约95％、至少约98％、至少约99％、至少约99.9％、至少约99.99％、至少约99.999％和至少约99.9995％。
126.根据方案123所述的装置，其中所述纯金属是纯镁(Mg)和基本上纯的Mg中的至少一种。
127.根据方案126所述的装置，其中所述基本上纯的Mg的纯度为以下中的至少一者：至少约95％、至少约98％、至少约99％、至少约99.9％、至少约99.99％、至少约99.999％和至少约99.9995％。
128.根据方案111到127中任一项所述的装置，其中所述导电涂层材料包括合金。
129.根据方案128所述的装置，其中所述合金是含银(Ag)的合金、含镁(Mg)的合金和含AgMg的合金中的至少一种。
130.根据方案111到129中任一项所述的装置，其中所述导电涂层材料包括非金属元素。
131.根据方案130所述的装置，其中所述非金属元素选自氧(O)、硫(S)、氮(N)、碳(C)中的至少一种以及这些元素中的任何元素的任何组合。
132.根据方案130或131所述的装置，其中所述导电涂层材料中的所述非金属元素的浓度小于以下中的至少一者：约1％、约0.1％、约0.01％、约0.001％、约0.0001％、约0.00001％、约0.000001％和约0.0000001％。
133.根据方案52到132中任一项所述的光电子装置，其进一步包括半导电层，其中所述至少一个电极涂层在所述第一发射区域中的所述半导电层与所述第一CPL之间延伸并且在所述第二发射区域中的所述半导电层与所述第二CPL之间延伸。
134.根据方案133所述的光电子装置，所述第一CPL和所述第二CPL中的至少一个包括用于图案化所述导电涂层的成核抑制涂层(NIC)。
135.根据方案52到134中任一项所述的光电子装置，其中所述第二CPL安置在所述第一发射区域中。
136.根据方案135所述的光电子装置，其中所述第一CPL在所述第一发射区域中的所述至少一个电极涂层与所述第二CPL之间延伸。
137.根据方案135或136所述的光电子装置，其中所述第二CPL在所述第一发射区域中的所述至少一个电极涂层与所述第一CPL之间延伸。
138.根据方案52到137中任一项所述的光电子装置，其中所述第一CPL安置在所述第二发射区域中。
139.根据方案138所述的光电子装置，其中所述第一CPL在所述第二发射区域中的所述至少一个电极涂层与所述第二CPL之间延伸。
140.根据方案138或139所述的光电子装置，其中所述第二CPL在所述第二发射区域中的所述至少一个电极涂层与所述第一CPL之间延伸。
141.根据方案1到140中任一项所述的光电子装置，其进一步包括第三发射区域，所述第三发射区域被配置成发射具有以第三起始波长为特征的第三波长光谱的光子。
142.根据方案141所述的光电子装置，其中所述第三波长光谱具有第三峰值波长，所述第三峰值波长短于所述第二波长光谱的第二峰值波长并且长于所述第一波长光谱的第一峰值波长。
143.根据方案143或144所述的光电子装置，其中所述第一波长光谱对应于为B(lue)的颜色，所述第二波长光谱对应于为G(reen)的颜色并且所述第三波长光谱对应于为R(ed)的颜色。
144.根据方案135到143中任一项所述的光电子装置，其中所述第一CPL和所述第二CPL中的至少一个安置在所述第三发射区域中。
145.根据方案135到144中任一项所述的光电子装置，其中第三CPL安置在所述第三发射区域中。
146.根据方案145所述的光电子装置，其中所述第三CPL和所述第三CPL材料(CPL(m)3)中的至少一个在短于所述第三起始波长的第三吸收边缘波长处展现出第三吸收边缘。
147.根据方案146所述的光电子装置，其中所述第三吸收边缘以所述CPL(m)3的消光系数等于阈值的第三消光波长为特征。
148.根据方案146或147所述的光电子装置，其中所述第三起始波长比所述第三吸收边缘波长长小于以下中的至少一者：约200nm、约150nm、约130nm、约100nm、约80nm、约70nm、约60nm、约50nm、约40nm、约35nm、约25nm、约20nm、约15nm和约10nm。
149.根据方案147或148所述的光电子装置，其中所述第三消光波长是所述CPL(m)3的所述消光系数等于所述阈值的至少一个波长中的最长波长。
150.根据方案147到149中任一项所述的光电子装置，其中作为波长函数的所述CPL(m)3的所述消光系数的一阶导数在所述第三消光波长处为负。
151.根据方案147到150中任一项所述的光电子装置，其中所述CPL(m)3在长于所述第三消光波长的波长处的所述消光系数小于所述阈值。
152.根据方案147到151中任一项所述的光电子装置，其中所述CPL(m)3在长于所述第三消光波长的所有波长处的所述消光系数小于所述阈值。
153.根据方案147到152中任一项所述的光电子装置，其中所述CPL(m)3在长于所述第三起始波长的任何波长处的所述消光系数小于以下中的至少一者：约0.1、约0.09、约0.08、约0.06、约0.05、约0.03、约0.01、约0.005和约0.0001。
154.根据方案146到153中任一项所述的光电子装置，其中所述CPL(m)3在短于所述第一吸收边缘波长的波长处的所述消光系数超过以下中的至少一者：约0.1、约0.12、约0.13、约0.15、约0.18、约0.2、约0.25、约0.3、约0.5、约0.7、约0.75、约0.8、约0.9和约1.0。
155.根据方案146到154中任一项所述的光电子装置，其中所述CPL(m)3对长于所述第三吸收边缘波长的至少一个波长的折射率超过所述CPL(m)3对短于所述第一吸收边缘波长的至少一个波长的折射率。
156.根据方案146到155中任一项所述的光电子装置，其中所述CPL(m)3在所述第三波长光谱中的至少一个波长中的折射率超过以下中的至少一者：约1.8、约1.9、约1.95、约2、约2.05、约2.1、约2.2、约2.3和约2.5。
157.根据方案141到156中任一项所述的光电子装置，其中所述第三发射区域基本上缺乏所述第一CPL和所述第二CPL中的至少一个。

Claims (49)

1.一种具有多个层的光电子器件，所述光电子器件包括：
第一覆盖层(CPL)，所述第一CPL包括第一CPL材料并且设置在第一发射区域中，所述第一发射区域被配置为穿过所述第一CPL发射具有由第一起始波长表征的第一波长谱的光；和
第二CPL，所述第二CPL包括第二CPL材料并且设置在第二发射区域中，所述第二发射区域被配置为穿过所述第二CPL发射具有由第二起始波长表征的第二波长谱的光，所述第二起始波长不同于所述第一起始波长；
其中：
所述第一CPL和所述第二CPL中的至少一者是用于图案化导电涂层的成核抑制涂层(NIC)，
所述第一CPL和所述第二CPL中的至少一者的暴露层表面基本上没有所述导电涂层的封闭膜，并且
所述第一CPL的第一厚度不同于所述第二CPL的第二厚度。
2.根据权利要求1所述的光电子器件，其中，所述第一CPL在比所述第一起始波长短的第一吸收边波长处表现出第一吸收边，并且所述第二CPL在比所述第二起始波长短的第二吸收边波长处表现出第二吸收边。
3.根据权利要求2所述的光电子器件，其中，所述第一吸收边波长比所述第二吸收边波长短。
4.根据权利要求2所述的光电子器件，其中，所述第一厚度被调整以提供所述第一吸收边，并且所述第二厚度被调整以提供所述第二吸收边。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的光电子器件，其中：
所述第一CPL在所述第一波长谱中的至少一个波长中表现出第一折射率，并且所述第一厚度被调整以提供所述第一折射率，并且
所述第二CPL在所述第二波长谱中的至少一个波长中表现出第二折射率，并且所述第二厚度被调整以提供所述第二折射率。
6.根据权利要求5所述的光电子器件，其中，所述第一折射率和所述第二折射率中的至少一者是至少以下各项中的一项：1.8、1.9、1.95、2.0、2.05、2.1、2.2、2.3和2.5。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的光电子器件，其中，所述第一厚度和所述第二厚度中的至少一者在5nm-120nm之间的范围内。
8.根据权利要求1至4中任一项所述的光电子器件，其中，所述第一CPL材料的组分不同于所述第二CPL材料的组分。
9.根据权利要求1至4中任一项所述的光电子器件，其中，所述第一CPL的光学性质不同于所述第二CPL的光学性质。
10.根据权利要求1至4中任一项所述的光电子器件，所述光电子器件还包括在所述第一发射区域和所述第二发射区域中的至少一个电极涂层。
11.根据权利要求10所述的光电子器件，其中，所述第一发射区域基本上没有所述第二CPL。
12.根据权利要求11所述的光电子器件，其中，所述第二发射区域基本上没有所述第一CPL。
13.根据权利要求10所述的光电子器件，其中，所述第二CPL包括第一层和第二层。
14.根据权利要求13所述的光电子器件，其中，所述第一CPL设置在所述第二发射区域中并且形成所述第一层。
15.根据权利要求14所述的光电子器件，其中，所述第一层和所述第二层中的一者在所述第二发射区域中在所述至少一个电极涂层与所述第一层和所述第二层中的另一者之间延伸。
16.根据权利要求10所述的光电子器件，其中，所述至少一个电极涂层在所述第一发射区域中具有第一电极厚度，并且所述至少一个电极涂层在所述第二发射区域中具有第二电极厚度。
17.根据权利要求16所述的光电子器件，其中，所述第一电极厚度不大于所述第二电极厚度。
18.根据权利要求10所述的光电子器件，其中，所述电极涂层包括所述导电涂层。
19.根据权利要求1至4中任一项所述的光电子器件，所述光电子器件还包括第三CPL，所述第三CPL包括第三CPL材料并且设置在第三发射区域中，所述第三发射区域被配置为穿过所述第三CPL发射具有由第三起始波长表征的第三波长谱的光，所述第三起始波长不同于所述第一起始波长和所述第二起始波长中的至少一者，其中所述第三CPL的第三厚度不同于所述第一厚度和所述第二厚度中的至少一者。
20.根据权利要求19所述的光电子器件，其中，所述第三CPL在比所述第三起始波长短的第三吸收边波长处表现出第三吸收边。
21.根据权利要求20所述的光电子器件，其中，所述第三厚度被调整以提供所述第三吸收边。
22.根据权利要求19所述的光电子器件，其中，所述第三CPL在所述第三波长谱中的至少一个波长中表现出第三折射率，并且所述第三厚度被调整以提供所述第三折射率。
23.根据权利要求22所述的光电子器件，其中，所述第三折射率是至少以下各项中的一项：1.8、1.9、1.95、2.0、2.05、2.1、2.2、2.3和2.5。
24.根据权利要求19所述的光电子器件，其中，所述第三CPL包括多个层，并且所述第一CPL和所述第二CPL中的至少一者设置在所述第三发射区域中，并且形成所述多个层中的至少一个层。
25.根据权利要求19所述的光电子器件，其中，所述第三发射区域基本上没有所述第一CPL和所述第二CPL中的至少一者。
26.根据权利要求19所述的光电子器件，其中，所述第一CPL材料和所述第二CPL材料中的至少一者的组分不同于所述第三CPL材料的组分。
27.根据权利要求19所述的光电子器件，其中，所述第三CPL的光学性质不同于所述第一CPL和所述第二CPL中的至少一者的光学性质。
28.根据权利要求19所述的光电子器件，其中，所述第三CPL是用于图案化附加导电涂层的附加NIC，其中所述第三CPL的暴露层表面基本上没有所述附加导电涂层的封闭膜。
29.一种光电子器件，所述光电子器件在其横向方面具有沉积在衬底上的多个层，所述光电子器件包括：
第一发射区域和第二发射区域，所述第一发射区域和所述第二发射区域各自包括第一电极、第二电极和至少一个有机层，所述第一电极设置在所述衬底与所述至少一个有机层之间，所述至少一个有机层设置在所述第一电极与所述第二电极之间，
第一覆盖层(CPL)，所述第一CPL包括第一CPL材料并且设置在所述第一发射区域中，其中所述第一发射区域被配置为穿过所述第一CPL发射具有由第一起始波长表征的第一波长谱的光；和
第二CPL，所述第二CPL包括第二CPL材料并且设置在所述第二发射区域中，其中所述
第二发射区域被配置为穿过所述第二CPL发射具有由第二起始波长表征的第二波长谱的光，所述第二起始波长不同于所述第一起始波长；
其中：
所述第一CPL和所述第一CPL材料中的至少一者在比所述第一起始波长短的第一吸收边波长处表现出第一吸收边；
所述第二CPL和所述第二CPL材料中的至少一者在比所述第二起始波长短的第二吸收边波长处表现出第二吸收边；并且
所述第一发射区域中的所述第二电极的第一电极厚度不同于所述第二发射区域中的所述第二电极的第二电极厚度。
30.根据权利要求29所述的光电子器件，其中，所述第二CPL设置在所述第一发射区域中。
31.根据权利要求30所述的光电子器件，其中，所述第一CPL和所述第二CPL中的一者在所述第一发射区域中在所述第二电极与所述第一CPL和所述第二CPL中的另一者之间延伸。
32.根据权利要求29所述的光电子器件，其中，所述第一CPL设置在所述第二发射区域中。
33.根据权利要求32所述的光电子器件，其中，所述第一CPL和所述第二CPL中的一者在所述第二发射区域中在所述第二电极与所述第一CPL和所述第二CPL中的另一者之间延伸。
34.根据权利要求29所述的光电子器件，其中：
金属涂层设置在所述第一发射区域和所述第二发射区域中，并且包括导电材料的导电涂层设置在所述第二发射区域中的所述金属涂层上方，并且
所述第一发射区域的所述第二电极包括所述金属涂层，并且所述第二发射区域的所述第二电极包括所述金属涂层和所述导电涂层。
35.根据权利要求34所述的光电子器件，其中，所述导电材料包括选自以下各项中的至少一项的元素：钾(K)、钠(Na)、锂(Li)、钡(Ba)、铯(Cs)、镱(Yb)、银(Ag)、金(Au)、铜(Cu)、铝(Al)、镁(Mg)、锌(Zn)、镉(Cd)、锡(Sn)和钇(Y)。
36.根据权利要求34所述的光电子器件，所述光电子器件还包括非发射区域，所述第一CPL和所述第二CPL中的至少一者延伸到所述非发射区域中。
37.根据权利要求36所述的光电子器件，其中，所述非发射区域包括透射区域。
38.根据权利要求34至37中任一项所述的光电子器件，其中，所述第一CPL是用于图案化所述导电涂层的图案化涂层，并且其中，所述第一CPL的暴露层表面基本上没有所述导电材料的封闭膜。
39.根据权利要求38所述的光电子器件，其中，包括所述导电材料的至少一个岛状结构设置在所述第一CPL的所述暴露层表面上。
40.根据权利要求29至37中任一项所述的光电子器件，其中，所述第一吸收边波长比所述第二吸收边波长短。
41.根据权利要求40所述的光电子器件，其中，所述第一吸收边由第一消光波长表征，在所述第一消光波长处，所述第一CPL和所述第一CPL材料中的至少一者的消光系数等于阈值，并且所述第二吸收边由第二消光波长表征，在所述第二消光波长处，所述第二CPL和所述第二CPL材料中的至少一者的消光系数等于所述阈值。
42.根据权利要求41所述的光电子器件，其中，所述第一起始波长比所述第一吸收边波长长不到50nm。
43.根据权利要求41或42所述的光电子器件，其中，所述第一消光波长是所述第一CPL和所述第一CPL材料中的至少一者的所述消光系数等于所述阈值的至少一个波长中的最长波长。
44.根据权利要求41所述的光电子器件，其中，所述第二起始波长比所述第二吸收边波长长不到200nm。
45.根据权利要求41或44所述的光电子器件，其中，所述第二消光波长是所述第二CPL和所述第二CPL材料中的至少一者的所述消光系数等于所述阈值的至少一个波长中的最长波长。
46.根据权利要求29至37中任一项所述的光电子器件，其中，所述第一CPL的第一CPL厚度不同于所述第二CPL的第二CPL厚度。
47.根据权利要求46所述的光电子器件，其中，所述第一CPL厚度和所述第二CPL厚度中的至少一者在5nm-120nm之间的范围内。
48.根据权利要求29至37中任一项所述的光电子器件，其中：
所述第一CPL在所述第一波长谱中的至少一个波长中表现出第一折射率，
所述第二CPL在所述第二波长谱中的至少一个波长中表现出第二折射率，并且
所述第一折射率和所述第二折射率中的至少一者是至少以下各项中的一项：1.8、1.9、1.95、2.0、2.05、2.1、2.2、2.3和2.5。
49.根据权利要求29至37中任一项所述的光电子器件，其中，所述第一CPL材料的组分不同于所述第二CPL材料的组分。
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