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TWI582658B - 顯示裝置 - Google Patents

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TWI582658B
TWI582658B TW104138431A TW104138431A TWI582658B TW I582658 B TWI582658 B TW I582658B TW 104138431 A TW104138431 A TW 104138431A TW 104138431 A TW104138431 A TW 104138431A TW I582658 B TWI582658 B TW I582658B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
display device
substrate
sensing electrode
disposed
opening
Prior art date
Application number
TW104138431A
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English (en)
Other versions
TW201643642A (zh
Inventor
蔡居宏
陳宏昆
宋立偉
劉同凱
蔡嘉豪
張志豪
陳柏鋒
Original Assignee
群創光電股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 群創光電股份有限公司 filed Critical 群創光電股份有限公司
Priority to US15/161,035 priority Critical patent/US20160357286A1/en
Priority to DE102016110142.7A priority patent/DE102016110142B4/de
Publication of TW201643642A publication Critical patent/TW201643642A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI582658B publication Critical patent/TWI582658B/zh

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    • G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0416—Control or interface arrangements specially adapted for digitisers
    • G06F3/0418—Control or interface arrangements specially adapted for digitisers for error correction or compensation, e.g. based on parallax, calibration or alignment
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    • G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
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    • G06F2203/04111—Cross over in capacitive digitiser, i.e. details of structures for connecting electrodes of the sensing pattern where the connections cross each other, e.g. bridge structures comprising an insulating layer, or vias through substrate

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Description

顯示裝置
本揭露係有關於顯示裝置，且係有關於一種具有感測電極之觸控顯示裝置。
隨著科技不斷的進步，使得各種資訊設備不斷地推陳出新，例如手機、平板電腦、超輕薄筆電、及衛星導航等。除了一般以鍵盤或滑鼠輸入或操控之外，利用觸控式技術來操控資訊設備是一種相當直覺且受歡迎的操控方式。其中，觸控顯示裝置具有人性化及直覺化的輸入操作介面，使得任何年齡層的使用者都可直接以手指或觸控筆選取或操控資訊設備。
其中一種觸控顯示裝置是於顯示面板(例如液晶顯示面板或有機發光二極體面板)內設置感測電極之內嵌式觸控(in cell touch)顯示裝置。然而，目前的內嵌式觸控顯示裝置並非各方面皆令人滿意。
因此，業界仍須一種可更進一步提升顯示及觸控品質之觸控顯示裝置。
本揭露提供一種顯示裝置，包括：第一基板，第一基板包括：複數掃描線，設於第一基板上；複數資料線，設於第 一基板上，該些掃描線與該些資料線定義複數個次畫素；一感測電極，設於第一基板上並對應二個該些次畫素，該感測電極具有一開口，該開口對應該些掃描線其中之一或該些資料線其中之一設置；第二基板，相對第一基板設置；以及顯示介質，設於第一基板與第二基板之間。
為讓本揭露之特徵、和優點能更明顯易懂，下文特舉出較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
50‧‧‧區域
100‧‧‧顯示裝置
102‧‧‧第一基板
104‧‧‧掃描線
104A‧‧‧主軸部
104AT‧‧‧上緣
106‧‧‧資料線
108‧‧‧次畫素
110‧‧‧薄膜電晶體
112‧‧‧感測電極
112A‧‧‧感測電極
112AT‧‧‧上緣
112B‧‧‧感測電極
112S‧‧‧次感測電極
112S1‧‧‧次感測電極
112S2‧‧‧次感測電極
113‧‧‧積體電路連接區
114‧‧‧開口
114A‧‧‧第一方向開口
114B‧‧‧第二方向開口
116‧‧‧連接部
118‧‧‧觸控訊號線
120‧‧‧通孔
122‧‧‧基板
124‧‧‧閘極電極
124T‧‧‧上緣
126‧‧‧閘極介電層
128‧‧‧半導體層
130‧‧‧源極電極
132‧‧‧汲極電極
132S‧‧‧表面
134‧‧‧第一絕緣層
136‧‧‧平坦層
138‧‧‧第二絕緣層
140‧‧‧第三絕緣層
140S‧‧‧表面
142‧‧‧通孔
144‧‧‧畫素電極
148‧‧‧第二基板
150‧‧‧顯示介質
152‧‧‧基板
154‧‧‧遮光層
156‧‧‧彩色濾光層
158‧‧‧平坦層
160‧‧‧間隔物
162‧‧‧連接部
164‧‧‧連接部
200‧‧‧顯示裝置
300A‧‧‧顯示裝置
300B‧‧‧顯示裝置
300C‧‧‧顯示裝置
300D‧‧‧顯示裝置
300E‧‧‧顯示裝置
400‧‧‧顯示裝置
500‧‧‧顯示裝置
600‧‧‧顯示裝置
700‧‧‧顯示裝置
800‧‧‧顯示裝置
900A‧‧‧顯示裝置
900B‧‧‧顯示裝置
2A-2A‧‧‧線段
5C-5C‧‧‧線段
5D-5D‧‧‧線段
6C-6C‧‧‧線段
6D-6D‧‧‧線段
S1‧‧‧側邊
S2‧‧‧側邊
S3‧‧‧側邊
S4‧‧‧側邊
1B‧‧‧區域
7B‧‧‧區域
A1‧‧‧第一方向
A2‧‧‧第二方向
E1‧‧‧邊緣
E2‧‧‧邊緣
E3‧‧‧邊緣
E4‧‧‧邊緣
W1‧‧‧寬度
W2‧‧‧寬度
GS1‧‧‧第一間距
GS2‧‧‧第二間距
CS‧‧‧交錯部
S5‧‧‧第一間隔
S6‧‧‧第二間隔
HS1‧‧‧第一部分
VH1‧‧‧第二部分
VS1‧‧‧第二部分
HS2‧‧‧第三部分
VS2‧‧‧第四部分
第1A圖係本揭露實施例之顯示裝置之上視圖。
第1B圖係第1A圖之顯示裝置之部分放大圖。
第2A圖係沿著第1B圖之線段2A-2A所繪製之剖面圖。
第2B圖係本揭露另一實施例之剖面圖。
第3A圖係本揭露另一實施例之上視圖。
第3B圖係本揭露另一實施例之上視圖。
第3C圖係本揭露另一實施例之上視圖。
第3D圖係本揭露另一實施例之上視圖。
第3E圖係本揭露另一實施例之上視圖。
第4圖係本揭露另一實施例之上視圖。
第5A圖係第4圖之顯示裝置之部分放大圖及上視圖。
第5B圖係第4圖之顯示裝置之部分放大圖及下視圖。
第5C圖係沿著第5A-5B圖之線段5C-5C所繪製之剖面圖。
第5D圖係沿著第5A-5B圖之線段5D-5D所繪製之剖面圖。
第6A圖係本揭露另一實施例之上視圖。
第6B圖係本揭露另一實施例之下視圖。
第6C圖係沿著第6A-6B圖之線段6C-6C所繪製之剖面圖。
第6D圖係沿著第6A-6B圖之線段6D-6D所繪製之剖面圖。
第7A圖係本揭露另一實施例之上視圖。
第7B圖係第7A圖之顯示裝置之部分放大圖。
第8A圖係本揭露另一實施例之上視圖。
第8B圖係第8A圖之顯示裝置之部分放大圖。
第8C圖係第8A圖之顯示裝置之部分放大圖。
第9A圖係本揭露另一實施例之上視圖。
第9B圖係本揭露另一實施例之上視圖。
以下針對本揭露之顯示裝置作詳細說明。應了解的是，以下之敘述提供許多不同的實施例或例子，用以實施本揭露之不同樣態。以下所述特定的元件及排列方式僅為簡單清楚描述本揭露。當然，這些僅用以舉例而非本揭露之限定。此外，在不同實施例中可能使用重複的標號或標示。這些重複僅為了簡單清楚地敘述本揭露，不代表所討論之不同實施例及/或結構之間具有任何關連性。再者，當述及一第一材料層位於一第二材料層上或之上時，包括第一材料層與第二材料層直接接觸之情形。或者，亦可能間隔有一或更多其它材料層之情形，在此情形中，第一材 料層與第二材料層之間可能不直接接觸。
必需了解的是，圖式之元件或裝置可以此技術人士所熟知之各種形式存在。此外，當某層在其它層或基板「上」時，有可能是指「直接」在其它層或基板上，或指某層在其它層或基板上，或指其它層或基板之間夾設其它層。
此外，實施例中可能使用相對性的用語，例如「較低」或「底部」及「較高」或「頂部」，以描述圖式的一個元件對於另一元件的相對關係。能理解的是，如果將圖式的裝置翻轉使其上下顛倒，則所敘述在「較低」側的元件將會成為在「較高」側的元件。
在此，「約」、「大約」、「大抵」之用語通常表示在一給定值或範圍的20%之內，較佳是10%之內，且更佳是5%之內，或3%之內，或2%之內，或1%之內，或0.5%之內。在此給定的數量為大約的數量，亦即在沒有特定說明「約」、「大約」、「大抵」的情況下，仍可隱含「約」、「大約」、「大抵」之含義。
能理解的是，雖然在此可使用用語「第一」、「第二」、「第三」等來敘述各種元件、組成成分、區域、層、及/或部分，這些元件、組成成分、區域、層、及/或部分不應被這些用語限定，且這些用語僅是用來區別不同的元件、組成成分、區域、層、及/或部分。因此，以下討論的一第一元件、組成成分、區域、層、及/或部分可在不偏離本揭露之教示的情況下被稱為一第二元件、組成成分、區域、層、及/或部分。
除非另外定義，在此使用的全部用語(包括技術及科學用語)具有與此篇揭露所屬之一般技藝者所通常理解的相同涵 義。能理解的是這些用語，例如在通常使用的字典中定義的用語，應被解讀成具有一與相關技術及本揭露的背景或上下文一致的意思，而不應以一理想化或過度正式的方式解讀，除非在此特別定義。
本揭露實施例可配合圖式一併理解，本揭露之圖式亦被視為揭露說明之一部分。需了解的是，本揭露之圖式並未以實際裝置及元件之比例繪示。在圖式中可能誇大實施例的形狀與厚度以便清楚表現出本揭露之特徵。此外，圖式中之結構及裝置係以示意之方式繪示，以便清楚表現出本揭露之特徵。
在本揭露中，相對性的用語例如「下」、「上」、「水平」、「垂直」、「之下」、「之上」、「頂部」、「底部」等等應被理解為該段以及相關圖式中所繪示的方位。此相對性的用語僅是為了方便說明之用，其並不代表其所敘述之裝置需以特定方位來製造或運作。而關於接合、連接之用語例如「連接」、「互連」等，除非特別定義，否則可指兩個結構係直接接觸，或者亦可指兩個結構並非直接接觸，其中有其它結構設於此兩個結構之間。且此關於接合、連接之用語亦可包括兩個結構都可移動，或者兩個結構都固定之情況。
應注意的是，在後文中「基板」一詞可指基板本身，或是包括已形成各式元件、各式電路及各種膜層於基板上的複合體，此處為了簡化圖式，僅以平整的基板表示之。此外，「基板表面」係包括基板最上方且暴露之膜層，例如一玻璃表面或一有機高分子表面、一絕緣層及/或金屬線。基板本身材質可以是玻璃、有機高分子、無機高分子、矽、金屬...等。
在顯示裝置中，感測電極內及感測電極邊緣所處之電場環境不同，故感測電極內及感測電極邊緣兩處與其它元件所形成之電容亦不同，可能會造成顯示裝置漏光及顯示品質下降。此外，感測電極若與閘極線、資料線或觸控訊號線重疊，會有寄生電容的產生。因此，感測電極的形狀與大小設計，將會影響寄生電容在感測電極內及感測電極邊緣的數值大小，使其數值在二處產生差異，而造成電極間訊號的串擾(cross-talk)，進而影響影像及觸控性能。
本揭露實施例係使感測電極內及感測電極邊緣於相似之電場環境，故可使感測電極內及感測電極邊緣與其它元件所形成之電容亦相似，降低顯示裝置之漏光並提升顯示品質。此外，亦可使感測電極與掃描線、資料線或觸控訊號線之間的寄生電容降低，以提升影像及觸控性能。
第1A圖係本揭露實施例之顯示裝置100之第一基板102之上視圖。第1B圖係第1A圖之顯示裝置100之第一基板102於區域1B之部分放大圖。參見第1A-1B圖，第一基板102包括沿第一方向A1延伸之複數平行之掃描線(閘極線)104，以及與此掃描線104交會沿第二方向A2沿伸之複數平行之資料線(源極線)106。第一方向A1及第二方向A2彼此可呈大抵垂直(perpendicular)或正交(orthogonal)，易言之，第一方向A1可以是座標系之X軸而第二方向A2則是Y軸，但第一方向A1及第二方向A2亦可彼此呈非垂直或非正交，其夾角不等於90度。此外，掃描線104與資料線106皆設於第一基板102上。
此外，多條掃描線104與多條資料線106共同定義出 複數個次畫素108(sub-pixel)，第一基板102可包括複數次畫素108，且第一基板102更包括對應次畫素108設置之複數薄膜電晶體110，薄膜電晶體110其中兩端點分別電性連接掃描線104及資料線106，如第1B圖所示。複數次畫素108可形成一畫素(pixel)。
上述資料線106係透過薄膜電晶體110提供源極訊號至次畫素108，而此掃描線(閘極線)104係透過薄膜電晶體110提供掃描脈衝訊號至次畫素108，並配合上述源極訊號一同控制次畫素108。
繼續參見第1A-1B圖，第一基板102更包括設於第一基板102上之多個感測電極112，該些感測電極112覆蓋複數次畫素108，於此實施例中，感測電極112覆蓋四個次畫素108。感測電極112之間具有沿第一方向A1延伸的第一間隔S5，以及沿第二方向A2延伸的第二間隔S6。感測電極112彼此之間於第二方向A2具有第一間距GS1，也就是第一間隔G1於第二方向A2的短邊寬度。感測電極112彼此之間於第一方向A1具有第二間距GS2，也就是第二間隔G2於第一方向A1的短邊寬度。第一間隔S5對應部分掃描線104設置，第二間隔S6對應部分資料線106設置。第一間隔S5與第二間隔S6彼此重疊部分為複數交錯部CS，交錯部CS對應於掃描線104及資料線106重疊部分。此實施例中，第一間距GS1及第二間距GS2的寬度相同，於其他實施例中，第一間距GS1及第二間距GS2的寬度可不相同。
至少一感測電極112具有開口114(opening)，此開口114對應部分掃描線104或部分資料線106設置。開口114位於感測電極112範圍內，開口114對應之部分掃描線104或部分資料線106 係第一間隔S5未對應的部分掃描線104或第二間隔S6未對應的部分資料線106。於此實施例中，開口114可為第一間隔S5於非CS部分，並朝向第二方向A2之延伸支幹部分，或是為第二間隔S6於非CS部分，並朝向第一方向A1之延伸支幹部分。於其他實施例中，開口114可位於感測電極112內，而與第一間隔S5及第二間隔S6無連接部分。
由於感測電極112重疊掃描線104或資料線106，因此產生的電容，與感測電極112邊緣及掃描線104或資料線106之間所產生的電容不同。本揭露實施例藉由開口114對應掃描線104或資料線106設置，可使感測電極112內之大部分區域避開掃描線104或資料線106所在之處，使得感測電極112內之大部分區域及感測電極112邊緣處於相似之電場環境，藉此可使感測電極112內及感測電極112邊緣與其它元件所形成之電容亦相似，降低顯示裝置100之漏光並提升顯示品質。另一方面，由於減少了感測電極112與掃描線104或資料線106重疊的部分，因此降低了感測電極112與掃描線104或資料線106之間的寄生電容，可提高產品的影像及觸控性能。
詳細而言，參見第1A-1B圖，至少一感測電極112可具有多個次感測電極(sub-sensing electrode)112S及連接部116，此多個次感測電極112S係藉由開口114隔開，並藉由連接部116彼此電性連接。
此外，連接部116可設於例如四個彼此相鄰之次感測電極112S之中央區。例如，在此實施例中，感測電極112係由四個彼此相鄰之次感測電極112S組成，而連接部116係設於此四個彼此 相鄰之次感測電極112S之中央區。此外，在此實施例中，每一個次感測電極112S對應一個次畫素108設置。
除了連接部116以外，感測電極112內對應掃描線104及/或資料線106之區域皆設有開口114。藉此可使感測電極112內之大部分區域及感測電極112邊緣與掃描線104或資料線106之間所形成的電場環境相似，藉此可使感測電極112內及感測電極112邊緣與其它元件所形成之電容亦相似，降低顯示裝置100之漏光並提升顯示品質。另一方面，由於減少了感測電極112與掃描線104或資料線106重疊的部分，因此降低了感測電極112與掃描線104或資料線106之間的寄生電容，可提高產品的影像及觸控性能。其中，本揭露實施例具有開口114之感測電極112的面積，約為不具開口114的感測電極112面積的50%~90%。易言之，感測電極112面積與開口114之面積的比值在1~9之間。
此外，第一基板102更包括觸控訊號線118，此觸控訊號線118之一端藉由通孔120電性連接感測電極112，而另一端係電性連接至積體電路連接區(IC bonding region)113。其中，觸控訊號線118的位置不以第1A-1B圖為限，其也可設置在資料線106之上。
應注意的是，除上述第1A-1B圖所示之實施例以外，本揭露之一個感測電極亦可包括其它數量之次感測電極。故本揭露之範圍並不以第1A-1B圖所示之實施例為限。此外，第1A-1B圖所繪示的連接部116與次感測電極112S可依實際需求於同一程序或不同程序完成，其中所使用的材料可彼此相同或不同。
此外，需注意的是，為了清楚描述本揭露，上述第 1A-1B圖中並未繪示後續之畫素電極。
參見第2A圖，該圖係沿著第1B圖之線段2A-2A所繪製之剖面圖。如第2A圖所示，第一基板102可包括一基板122，此基板122可包括透明基板，例如為玻璃基板、陶瓷基板、塑膠基板或其它任何適合之基板。而薄膜電晶體110包括設於此基板122上之閘極電極124，以及設於閘極電極124及基板122上之閘極介電層126。此閘極電極124係自掃描線104延第二方向A2延伸而出。
此閘極電極124可為非晶矽、複晶矽、一或多種金屬、金屬氮化物、導電金屬氧化物、或上述之組合。上述金屬可包括但不限於鉬(molybdenum)、鎢(tungsten)、鈦(titanium)、鉭(tantalum)、鉑(platinum)或鉿(hafnium)。上述金屬氮化物可包括但不限於氮化鉬(molybdenum nitride)、氮化鎢(tungsten nitride)、氮化鈦(titanium nitride)以及氮化鉭(tantalum nitride)。上述導電金屬氧化物可包括但不限於釕金屬氧化物(ruthenium oxide)以及銦錫金屬氧化物(indium tin oxide)。此閘極電極124可藉由前述之化學氣相沉積法(CVD)、濺鍍法、電阻加熱蒸鍍法、電子束蒸鍍法、或其它任何適合的沈積方式形成，例如，在一實施例中，可用低壓化學氣相沈積法(LPCVD)在525~650℃之間沈積而製得非晶矽導電材料層或複晶矽導電材料層，其厚度範圍可為約1000Å至約10000Å。
此閘極介電層126可為氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、高介電常數(high-k)介電材料、或其它任何適合之介電材料、或上述之組合。此高介電常數(high-k)介電材料之材料可為金屬氧化物、金屬氮化物、金屬矽化物、過渡金屬氧化物、過渡金屬氮化物、 過渡金屬矽化物、金屬的氮氧化物、金屬鋁酸鹽、鋯矽酸鹽、鋯鋁酸鹽。例如，此高介電常數(high-k)介電材料可為LaO、AlO、ZrO、TiO、Ta2O5、Y2O3、SrTiO3(STO)、BaTiO3(BTO)、BaZrO、HfO2、HfO3、HfZrO、HfLaO、HfSiO、HfSiON、LaSiO、AlSiO、HfTaO、HfTiO、HfTaTiO、HfAlON、(Ba,Sr)TiO3(BST)、Al2O3、其它適當材料之其它高介電常數介電材料、或上述組合。此閘極介電層126可藉由化學氣相沉積法(CVD)或旋轉塗佈法形成，此化學氣相沉積法例如可為低壓化學氣相沉積法(low pressure chemical vapor deposition，LPCVD)、低溫化學氣相沉積法(low temperature chemical vapor deposition，LTCVD)、快速升溫化學氣相沉積法(rapid thermal chemical vapor deposition，RTCVD)、電漿輔助化學氣相沉積法(plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD)、原子層化學氣相沉積法之原子層沉積法(atomic layer deposition，ALD)或其它常用的方法。
薄膜電晶體110更包括設於閘極介電層126上之半導體層128，此半導體層128與閘極電極124重疊，且薄膜電晶體110之源極電極130與汲極電極132係分別設於半導體層128之兩側，且分別與半導體層128兩側之部分重疊。此外，此源極電極130則為資料線106之部分。
此半導體層128可包括元素半導體，包括矽、鍺(germanium)；化合物半導體，包括氮化鎵(gallium nitride，GaN)、碳化矽(silicon carbide)、砷化鎵(gallium arsenide)、磷化鎵(gallium phosphide)、磷化銦(indium phosphide)、砷化銦(indium arsenide)及/或銻化銦(indium antimonide)；合金半導體，包括矽鍺合金 (SiGe)、磷砷鎵合金(GaAsP)、砷鋁銦合金(AlInAs)、砷鋁鎵合金(AlGaAs)、砷銦鎵合金(GaInAs)、磷銦鎵合金(GaInP)及/或磷砷銦鎵合金(GaInAsP)或上述材料之組合。
上述源極電極130與汲極電極132之材料可包括銅、鋁、鉬、鎢、金、鉻、鎳、鉑、鈦、銥、銠、上述之合金、上述之組合或其它導電性佳的金屬材料，例如可為鉬鋁鉬(Mo/Al/Mo)或鈦鋁鈦(Ti/Al/Ti)之三層結構。於其它實施例中，上述源極電極130與汲極電極132之材料可為一非金屬材料，只要使用之材料具有導電性即可。此源極電極130與汲極電極132之材料可藉由前述之化學氣相沉積法(CVD)、濺鍍法、電阻加熱蒸鍍法、電子束蒸鍍法、或其它任何適合的沉積方式形成。在一些實施例中，上述源極電極130與汲極電極132之材料可相同，且可藉由同一道沈積步驟形成。然而，在其它實施例中，上述源極電極130與汲極電極132亦可藉由不同之沈積步驟形成，且其材料可彼此不同。
繼續參見第2A圖，第一基板102更包括覆蓋薄膜電晶體110與閘極介電層126之第一絕緣層134。此第一絕緣層134可為氮化矽、二氧化矽、或氮氧化矽。第一絕緣層134可藉由化學氣相沉積法(CVD)或旋轉塗佈法形成，此化學氣相沉積法例如可為低壓化學氣相沉積法(low pressure chemical vapor deposition，LPCVD)、低溫化學氣相沉積法(low temperature chemical vapor deposition，LTCVD)、快速升溫化學氣相沉積法(rapid thermal chemical vapor deposition，RTCVD)、電漿輔助化學氣相沉積法(plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD)、原子層化學氣相沉積法之原子層沉積法(atomic layer deposition，ALD)或其 它常用的方法。
於本實施例中，上述觸控訊號線118係設於第一絕緣層134上。上述觸控訊號線118之材料可包括銅、鋁、鉬、鎢、金、鉻、鎳、鉑、鈦、銥、銠、上述之合金、上述之組合或其它導電性佳的金屬材料，例如可為鉬鋁鉬(Mo/Al/Mo)或鈦鋁鈦(Ti/Al/Ti)之三層結構。於其它實施例中，上述觸控訊號線118之材料可為一非金屬材料，只要使用之材料具有導電性即可。此觸控訊號線118之材料可藉由前述之化學氣相沉積法(CVD)、濺鍍法、電阻加熱蒸鍍法、電子束蒸鍍法、或其它任何適合的沉積方式形成。
繼續參見第2A圖，第一基板102更包括設於第一絕緣層134上且覆蓋觸控訊號線118之第二絕緣層138。第二絕緣層138可為氮化矽、二氧化矽、或氮氧化矽，且可藉由前述化學氣相沉積法(CVD)或旋轉塗佈法形成。
接著，此第二絕緣層138上可選擇性設有平坦層136。此平坦層136之材質可為有機之絕緣材料(光感性樹脂)或無機之絕緣材料(氮化矽、氧化矽、氮氧化矽、碳化矽、氧化鋁、或上述材質之組合)。
上述感測電極112(或者次感測電極112S)係設於此平坦層136上，如第2A圖所示。此感測電極112可包括透明導電材料，例如為銦錫氧化物(ITO)、氧化錫(SnO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦錫鋅(ITZO)、氧化銻錫(ATO)、氧化銻鋅(AZO)、上述之組合或其它任何適合之透明導電氧化物材料，亦可為奈米銀絲所形成的導電透明物質層。此外，此感測電極112不但是作為觸控時的感測電極，亦是作為顯示裝置的共同電極，其中，其觸 控的驅動方式可為自電容驅動方式(self-capacitive type)，其觸控傳輸電極(transmit electrode，Tx)及觸控接收電極(receive electrode，Rx)同為感測電極112。此外，感測電極112可於次感測電極112S處電性連接觸控訊號線118(見第1B圖)。
繼續參見第2A圖，第一基板102更包括設於平坦層136上且覆蓋感測電極112之第三絕緣層140，此第三絕緣層140可為氮化矽、二氧化矽、或氮氧化矽，且可藉由前述化學氣相沉積法(CVD)或旋轉塗佈法形成。
此外，第一基板102具有通孔142，此通孔142由第三絕緣層140之上表面140S向下延伸至汲極電極132，並暴露出汲極電極132之部分表面132S。
第一基板102更包括設於第三絕緣層140上且電性連接汲極電極132之畫素電極144。詳細而言，此畫素電極144係設於部分第三絕緣層140上，並延伸入通孔142中以電性連接汲極電極132。
此外，繼續參見第2A圖，顯示裝置100更包括相對第一基板102設置之第二基板148以及設於第一基板102與第二基板148之間的顯示介質150。顯示介質150可以是液晶、有機電激發光二極體(OLED)、無機電激發光二極體(LED)或電泳(Electro-Phoretic)粒子。
上述顯示裝置100可為觸控液晶顯示器，例如為薄膜電晶體液晶顯示器。或者，此液晶顯示器可為扭轉向列(Twisted Nematic,TN)型液晶顯示器、超扭轉向列(Super Twisted Nematic,STN)型液晶顯示器、雙層超扭轉向列(Double layer Super Twisted Nematic,DSTN)型液晶顯示器、垂直配向(Vertical Alignment,VA)型液晶顯示器、水平電場效應(In-Plane Switching,IPS)型液晶顯示器、膽固醇(Cholesteric)型液晶顯示器、藍相(Blue Phase)型液晶顯示器、邊際電場效應(FFS)型液晶顯示器、或其它任何適合之液晶顯示器。於其他實施例中，上述顯示裝置100可為有機電激發光二極體顯示器、無機電激發光二極體或電泳式顯示器。
在一些實施例中，第二基板148為彩色濾光層基板。詳細而言，作為彩色濾光層基板之第二基板148可包括一基板152、設於此基板152上之多個遮光層154、設於此多個遮光層154之間的彩色濾光層156、以及覆蓋遮光層154與彩色濾光層156之平坦層158。
上述基板152可包括透明基板，例如可為玻璃基板、陶瓷基板、塑膠基板或其它任何適合之透明基板，上述遮光層154可包括黑色光阻、黑色印刷油墨、黑色樹脂。而上述彩色濾光層156可包括紅色濾光層、綠色濾光層、藍色濾光層、或其它任何適合之彩色濾光層。
顯示裝置100可更包括設於第一基板102與第二基板148之間的間隔物160，此間隔物160為用以間隔第一基板102與第二基板148之主要結構，以維持基板間有一定的距離，也可防止顯示裝置100被按壓時第一基板102與第二基板148接觸。
如第2A圖所示，本揭露實施例藉由使開口114對應資料線106(亦即第2A圖之源極電極130)設置，可使感測電極112內之大部分區域及感測電極112邊緣於資料線106所對應之區域皆設有 開口114，故可使感測電極112內之大部分區域及感測電極112邊緣處於相似之電場環境，藉此可使感測電極112內及感測電極112邊緣與其它元件所形成之電容亦相似，降低顯示裝置100之漏光並提升顯示品質。另一方面，由於減少了感測電極112與掃描線104或資料線106重疊的部分，因此降低了感測電極112與掃描線104或資料線106之間的寄生電容，可提高產品的影像及觸控性能。
應注意的是，除上述第2A圖所示之實施例以外，本揭露之感測電極、畫素電極與觸控訊號線亦可有其它配置，如第2B圖之實施例所示。本揭露之範圍並不以第2A圖所示之實施例為限。此部分將於後文詳細說明。
應注意的是，後文中與前文相同或相似的元件或膜層將以相同或相似之標號表示，其材料、製造方法與功能皆與前文所述相同或相似，故此部分在後文中將不再贅述。
第2B圖係本揭露另一實施例之顯示裝置200之剖面圖。如第2B圖所示，第一基板102可包括一基板122。而薄膜電晶體110包括設於此基板122上之閘極電極124，以及設於閘極電極124及基板122上之閘極介電層126。此閘極電極124係自掃描線104延第二方向A2延伸而出。
薄膜電晶體110更包括設於閘極介電層126上之半導體層128，此半導體層128與閘極電極124重疊，且薄膜電晶體110之源極電極130與汲極電極132係分別設於半導體層128之兩側，且分別與半導體層128兩側之部分重疊。此外，此源極電極130則為資料線106之部分。
繼續參見第2B圖，第一基板102更包括覆蓋薄膜電晶 體110與閘極介電層126之第一絕緣層134。此第一絕緣層134可為氮化矽、二氧化矽、或氮氧化矽。第一絕緣層134可藉由化學氣相沉積法(CVD)或旋轉塗佈法形成。
接著，此第一絕緣層134上可選擇性設有平坦層136。此平坦層136之材質可為有機之絕緣材料(光感性樹脂)或無機之絕緣材料(氮化矽、氧化矽、氮氧化矽、碳化矽、氧化鋁、或上述材質之組合)。
第一基板102更包括設於平坦層136上且電性連接汲極電極132之畫素電極144。詳細而言，此畫素電極144係設於部分平坦層136上，並延伸入通孔142中以電性連接汲極電極132。
觸控訊號線118係設於平坦層136上。上述觸控訊號線118之材料可包括銅、鋁、鉬、鎢、金、鉻、鎳、鉑、鈦、銥、銠、上述之合金、上述之組合或其它導電性佳的金屬材料，例如可為鉬鋁鉬(Mo/Al/Mo)或鈦鋁鈦(Ti/Al/Ti)之三層結構。於其它實施例中，上述觸控訊號線118之材料可為一非金屬材料，只要使用之材料具有導電性即可。
繼續參見第2B圖，第一基板102更包括設於平坦層136上且覆蓋畫素電極144之第二絕緣層138，此第二絕緣層138可為氮化矽、二氧化矽、或氮氧化矽，且可藉由前述化學氣相沉積法(CVD)或旋轉塗佈法形成。
感測電極112(或者次感測電極112S)係設於此第二絕緣層138上，如第2B圖所示。此感測電極112可包括透明導電材料，例如為銦錫氧化物(ITO)、氧化錫(SnO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦錫鋅(ITZO)、氧化銻錫(ATO)、氧化銻鋅(AZO)、 上述之組合或其它任何適合之透明導電氧化物材料，亦可為奈米銀絲所形成的導電透明物質層。此外，此感測電極112不但是作為觸控時的感測電極，亦是作為顯示裝置的共同電極，其中，其觸控的驅動方式可為自電容驅動方式(self-capacitive type)，其觸控傳輸電極(transmit electrode，Tx)及觸控接收電極(receive electrode，Rx)同為感測電極112。此外，感測電極112可於次感測電極112S處電性連接觸控訊號線118(見第1B圖)。
此外，繼續參見第2B圖，顯示裝置100更包括相對第一基板102設置之第二基板148以及設於第一基板102與第二基板148之間的顯示介質150。顯示介質150可以是液晶、有機電激發光二極體(OLED)、無機電激發光二極體(LED)或電泳(Electro-Phoretic)粒子。
在一些實施例中，第二基板148為彩色濾光層基板。詳細而言，作為彩色濾光層基板之第二基板148可包括一基板152、設於此基板152上之多個遮光層154、設於此多個遮光層154之間的彩色濾光層156、以及覆蓋遮光層154與彩色濾光層156之平坦層158。
如第2B圖所示，本揭露實施例藉由使開口114對應資料線106(亦即第2B圖之源極電極130)設置，可使感測電極112內之大部分區域及感測電極112邊緣於資料線106所對應之區域皆設有開口114，故可使感測電極112內之大部分區域及感測電極112邊緣處於相似之電場環境，藉此可使感測電極112內及感測電極112邊緣與其它元件所形成之電容亦相似，降低顯示裝置200之漏光並提升顯示品質。另一方面，由於減少了感測電極112與閘極線104或 資料線106重疊的部分，因此降低了感測電極112與閘極線104或資料線106之間的寄生電容，可提高產品的影像及觸控性能。
第3A圖係本揭露另一實施例之顯示裝置300A之第一基板102的上視圖。第3A圖所示之實施例與前述第1A-1B圖之實施例之差別在於感測電極112之連接部162為多邊型。開口114為第一間隔G1或第二間隔G2的延伸分支，開口114與第一間隔G1及第二間隔G2互相連接。應注意的是，後文中與前文相同或相似的元件或膜層將以相同或相似之標號表示，其材料、製造方法與功能皆與前文所述相同或相似，故此部分在後文中將不再贅述。
第3B圖係本揭露另一實施例之顯示裝置300B之第一基板102的上視圖。第3B圖所示之實施例與前述第3A圖之實施例之差別在於連接部164可設於感測電極112之邊緣。開口114位於感測電極112之中，且連接部164位於開口114與第一間隔G1或第二間隔G2之間。於此實施例中，開口114與第一間隔G1及第二間隔G2並無連接，於其他實施例中，開口114可部分與第一間隔G1或第二間隔G2互相連接。所設置的連接部164的數量不以第3B圖所示為限，其可依實際需求調整連接部164的數量，如第3C圖所示。
第3C圖係本揭露另一實施例之顯示裝置300C之第一基板102的上視圖。第3C圖所示之實施例與前述第3B圖之實施例之差別在於連接部164僅設於感測電極112之三個側邊之邊緣，即開口114可與相鄰該感測電極112的第一間隔G1其中之一互相連接，而與其他相鄰該感測電極112的第一間隔G1及第二間隔G2之間具有連接部164而未相連。
第3D圖係本揭露另一實施例之顯示裝置300D之第一 基板102的上視圖。第3D圖所示之實施例與前述第3A圖之實施例之差別在於每一個次感測電極112S對應多個次畫素108設置，例如對應兩個次畫素108設置。於其他實施例中，每一個次感測電極112S亦分別可對應其他個數的次畫素108設置，而彼此以連接部相互電性連接，並具有開口114對應掃描線104或資料線106。
第3E圖係本揭露另一實施例之顯示裝置300E之第一基板102的上視圖。第3E圖所示之實施例與前述第3A圖之實施例之差別在於至少一個次感測電極112S1係對應一個次畫素108設置，而至少另一個次感測電極112S2對應多個次畫素108設置。
第4圖係本揭露另一實施例之顯示裝置400之上視圖。第5A圖係第4圖之顯示裝置400於區域50之部分放大圖及上視圖。第5B圖係第4圖之顯示裝置400於區域50之部分放大圖及下視圖。如第4-5B圖所示，掃描線104包括主軸部104A以及自主軸部104A沿方向A2延伸而出之多個閘極電極124。
應注意的是，後文中與前文相同或相似的元件或膜層將以相同或相似之標號表示，其材料、製造方法與功能皆與前文所述相同或相似，故此部分在後文中將不再贅述。
如第4-5B圖所示，至少一感測電極112具有多個開口114，此多個開口114包括第一方向開口114A以及第二方向開口114B。需注意的是，第一方向A1為掃描線104之主軸部104A的延伸方向，而第二方向A2為資料線106的延伸方向。
繼續參見第4-5B圖，第一方向開口114A係對應兩個相鄰之閘極電極124之間設置，而第二方向開口114B係對應資料線106設置。在其他實施例中，第一方向開口114A也可暴露出部 分掃描線104之主軸部104A，其中部份掃描線104的定義可視為感測電極112與與掃描線104之主軸部104A有不重疊區域。
此外，在觸控訊號線118大抵與上述資料線106重疊設置之實施例中，第二方向開口114B亦對應觸控訊號線118設置。
本揭露實施例藉由使第一方向開口114A對應兩個相鄰之閘極電極124之間設置，並使第二方向開口114B對應資料線106設置，可使感測電極112內之大部分區域及感測電極112邊緣於掃描線104或資料線106所對應之區域皆設有開口114，故可使感測電極112內之大部分區域及感測電極112邊緣處於相似之電場環境，藉此可使感測電極112內及感測電極112邊緣與其它元件所形成之寄生電容亦相似，降低顯示裝置500之漏光並提升顯示品質。另一方面，由於減少了感測電極112與掃描線104、資料線106或觸控訊號線118重疊的部分，因此降低了感測電極112與掃描線104或資料線106之間的寄生電容，可提高產品的影像及觸控性能。
此外，在一些實施例中，兩個相鄰之感測電極112係由第一間隔S5及第二間隔S6隔開，且第一方向開口114A之寬度W1可與第一間隔S5於第二方向A2之寬度第一間距GS1相同，如第4圖所示。
此外，在一些實施例中，第一方向開口114A於第一方向A1相距最遠的兩側邊S1及S2係分別與第一方向開口114A所對應之兩個閘極電極124於第一方向A1之邊緣E1及E2對齊，如第5A圖及後續之第5B圖所示。
於其他實施例中，沿該第一方向A1方向，上述兩側 邊S1與S2之間的距離，可小於或大於邊緣E1與E2之間的距離，其中，側邊S1可與邊緣E1切齊而側邊S2不與邊緣E2切齊，或者，側邊S2與邊緣E2切齊而側邊S1不與邊緣E1切齊，或者，側邊S1不與邊緣E1切齊而側邊S2亦不與邊緣E2切齊。
此外，在一些實施例中，上述第二方向開口114B係設於兩個相鄰之掃描線104之間。此外，在一些實施例中，第二方向開口114B之寬度W3與第二間隔G2於第一方向A2之第二間距GS2相同。
此外，在一些實施例中，第二方向開口114B於第方向相距最遠的兩側邊S3及S4係分別與第二方向開口114B所對應之兩個閘極線104於第二方向A2之邊緣E3及E4對齊，如第5B圖所示。
於其他實施例中，沿該第二方向A2方向，上述兩側邊S3與S4之間的距離，可小於或大於邊緣E4與E4之間的距離，其中，側邊S3可與邊緣E3切齊而側邊S4不與邊緣E4切齊，或者，側邊S4與邊緣E4切齊而側邊S3不與邊緣E3切齊，或者，側邊S3不與邊緣E3切齊而側邊S4亦不與邊緣E4切齊。
第5C圖係沿著第5A-5B圖之線段5C-5C所繪製之剖面圖。第5D圖係沿著第5A-5B圖之線段5D-5D所繪製之剖面圖。應注意的是，後文中與前文相同或相似的元件或膜層將以相同或相似之標號表示，其材料、製造方法與功能皆與前文所述相同或相似，故此部分在後文中將不再贅述。
如第5C-5D圖所示，本揭露實施例藉由使第一方向開口114A對應兩個相鄰之閘極電極124之間設置，並使第二方向開 口114B對應資料線106設置，可使感測電極112內之大部分區域及感測電極112邊緣於掃描線104或資料線106所對應之區域皆設有開口114，故可使感測電極112內之大部分區域及感測電極112邊緣處於相似之電場環境，藉此可使感測電極112內及感測電極112邊緣與其它元件所形成之電容亦相似，降低顯示裝置500之漏光並提升顯示品質。另一方面，由於減少了感測電極112與掃描線104、資料線106或觸控訊號線118重疊的部分，因此降低了感測電極112與掃描線104或資料線106之間的寄生電容，可提高產品的影像及觸控性能。
應注意的是，除上述第5A-5D圖所示之實施例以外，本揭露之感測電極、畫素電極與觸控訊號線亦可有其它配置，如第6A-6D圖之實施例所示。本揭露之範圍並不以第5A-5D圖所示之實施例為限。此部分將於後文詳細說明。
第6A-6D圖係本揭露另一實施例之顯示裝置600。第6A圖係本揭露之顯示裝置600之上視圖。第6B圖係本揭露之顯示裝置600之下視圖。第6C圖係沿著第6A-6B圖之線段6C-6C所繪製之剖面圖。第6D圖係沿著第6A-6B圖之線段6D-6D所繪製之剖面圖。應注意的是，後文中與前文相同或相似的元件或膜層將以相同或相似之標號表示，其材料、製造方法與功能皆與前文所述相同或相似，故此部分在後文中將不再贅述。
第6A-6D圖(類似前文第2A圖)所示之實施例與前述第5A-5D圖(類似前文第2B圖)之實施例之差別在於若以上視圖觀察，第6A-6D圖的畫素電極係設於感測電極之上，第5A-5D圖的畫素電極係設於感測電極之下。此外，如第6A-6D圖所示，本揭露 實施例藉由使第一方向開口114A對應兩個相鄰之閘極電極124之間設置，並使第二方向開口114B對應資料線106或觸控訊號線118設置，可使感測電極112內之大部分區域及感測電極112邊緣於掃描線104、資料線106或觸控訊號線118所對應之區域皆設有開口114，故可使感測電極112內之大部分區域及感測電極112邊緣處於相似之電場環境，藉此可使感測電極112內及感測電極112邊緣與其它元件所形成之電容亦相似，降低顯示裝置600之漏光並提升顯示品質。另一方面，由於減少了感測電極112與掃描線104、資料線106或觸控訊號線118重疊的部分，因此降低了感測電極112與掃描線104或資料線106之間的寄生電容，可提高產品的影像及觸控性能。
第7A圖係本揭露另一實施例之顯示裝置700之上視圖。第7B圖係第7A圖之顯示裝置700於區域7B之部分放大圖。應注意的是，後文中與前文相同或相似的元件或膜層將以相同或相似之標號表示，其材料、製造方法與功能皆與前文所述相同或相似，故此部分在後文中將不再贅述。
如第7A-7B圖所示，兩個相鄰之感測電極112之間的間隔166係對應遮光層154設置。藉由將間隔166對應遮光層154設置，可使裝置中容易漏光之區域(亦即間隔166對應之區域)皆被遮光層154遮蔽，故可提升裝置之顯示品質。
第8A圖係本揭露另一實施例之顯示裝置800之上視圖。第8B圖係第8A圖之顯示裝置800於區域8B之部分放大圖。第8C圖係第8A圖之顯示裝置800於區域8C之部分放大圖。應注意的是，後文中與前文相同或相似的元件或膜層將以相同或相似之標 號表示，其材料、製造方法與功能皆與前文所述相同或相似，故此部分在後文中將不再贅述。
如第8A-8C圖所示，沿第一方向A1延伸之第一間隔S5係對應多條掃描線104設置，而沿第二方向A2延伸之第二間隔S6係對應多條資料線106設置。
於此實施例中，第一間隔S5包括複數沿第一方向A1的第一部分HS1，以及複數沿第二方向A2的第二部分VS1，第一部分HS1對應掃描線104，第二部分VS1對應資料線106，第一部分HS1可對應至少一次畫素108於第一方向A1的寬度，第二部分VS1可對應至少一次畫素108於第二方向A2的寬度，第一部分HS1與第二部分VH1彼此連接形成第一間隔S5。
於此實施例中，第二間隔S6包括複數沿第一方向A1的第三部分HS2，以及複數沿第二方向A2的第四部分VS2，第三部分HS2對應掃描線104，第四部分VS2對應資料線106，第三部分HS2可對應至少一次畫素108於第一方向A1的寬度，第四部分VS2可對應至少一次畫素108於第二方向A2的寬度，第三部分HS2與第四部分VS2彼此連接形成第二間隔S6
於其他實施例中，第一間隔S5及第二間隔S6的設置不以第8A圖為限，可僅於第一間隔S5或第二間隔S6具有同時對應掃描線104及資料線106的兩部分。
在一些實施例中，沿第一方向A1延伸之第一間隔S5係對應3至10條掃描線104設置，第一間隔S5於第二方向A2的兩邊緣第一部分HS1間隔3至10條掃描線104。而沿第二方向A2延伸之間隔第二間隔S6係對應3至10條資料線106設置，第二間隔S6於第 一方向A1的兩邊緣第四部分VS2間隔3至10條資料線106。
由於兩個感測電極112之間的第一間隔S5係對應多條掃描線104設置，而第二間隔S6係對應多條資料線106設置，故感測電極112之邊緣亦對應多條掃描線104及/或多條資料線106設置，故可將感測電極112之邊緣與掃描線104或資料線106之間的電容(亦可稱為閘極負載(gate loading))平均分至多條掃描線104及/或多條資料線106上，藉此可使上述多條掃描線104及/或多條資料線106處於相似之電場環境，降低顯示裝置800之漏光並提升顯示品質。
第9A圖係本揭露另一實施例之顯示裝置900A之上視圖。應注意的是，後文中與前文相同或相似的元件或膜層將以相同或相似之標號表示，其材料、製造方法與功能皆與前文所述相同或相似，故此部分在後文中將不再贅述。
如第9A圖所示，兩個相鄰之感測電極112A及112B係由第一間隔S5隔開，此第一間隔S5係設於掃描線104之主軸部104A所對應之區域之外。易言之，對應掃描線104之主軸部104A設置之感測電極112A係完全覆蓋此主軸部104A。
藉由使感測電極112A完全覆蓋此主軸部104A，可使顯示裝置900中的每個主軸部104A處於相似之電場環境，故可降低顯示裝置900之漏光並提升顯示品質。
此外，如第9A圖所示，對應掃描線104之主軸部104A設置之感測電極112A之上緣112AT係與主軸部104A之上緣104AT對齊。
第9B圖係本揭露另一實施例之顯示裝置900B之上視 圖。第9B圖所示之實施例與前述第9A圖之實施例之差別在於對應掃描線104之主軸部104A設置之感測電極112A之上緣112AT係與閘極電極124之上緣124T對齊。
需注意的是，若對應掃描線104之主軸部104A設置之感測電極112A未完全覆蓋此主軸部104A，則無法有效使每個主軸部104A處於相似之電場環境並提升顯示品質。然而，若對應掃描線104之主軸部104A設置之感測電極112A之上緣112AT超過閘極電極124之上緣124T，則會降低裝置之開口率。
綜上所述，本揭露實施例係使感測電極內及感測電極邊緣於相似之電場環境，故可使感測電極內及感測電極邊緣與其它元件所形成之電容亦相似，降低顯示裝置之漏光並提升顯示品質。另一方面，由於減少了感測電極112與掃描線104、資料線106或觸控訊號線118重疊的部分，因此降低了感測電極112與掃描線104或資料線106之間的寄生電容，可提高產品的影像及觸控性能。
此外，應注意的是，熟習本技術領域之人士均深知，本揭露所述之汲極與源極可互換，因其定義係與本身所連接的電壓位準有關。
值得注意的是，以上所述之元件尺寸、元件參數、以及元件形狀皆非為本揭露之限制條件。此技術領域中具有通常知識者可以根據不同需要調整這些設定值。另外，本揭露之顯示裝置及其製造方法並不僅限於第1A-9B圖所圖示之狀態。本揭露可以僅包括第1A-9B圖之任何一或複數個實施例之任何一或複數項特徵。換言之，並非所有圖示之特徵均須同時實施於本揭露之 顯示裝置及其製造方法中。
雖然本揭露的實施例及其優點已揭露如上，但應該瞭解的是，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可作更動、替代與潤飾。此外，本揭露之保護範圍並未侷限於說明書內所述特定實施例中的製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟，任何所屬技術領域中具有通常知識者可從本揭露揭示內容中理解現行或未來所發展出的製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟，只要可以在此處所述實施例中實施大抵相同功能或獲得大抵相同結果皆可根據本揭露使用。因此，本揭露之保護範圍包括上述製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟。另外，每一申請專利範圍構成個別的實施例，且本揭露之保護範圍也包括各個申請專利範圍及實施例的組合。
100‧‧‧顯示裝置
102‧‧‧第一基板
104‧‧‧掃描線
106‧‧‧資料線
108‧‧‧次畫素
112‧‧‧感測電極
112S‧‧‧次感測電極
113‧‧‧積體電路連接區
114‧‧‧開口
116‧‧‧連接部
118‧‧‧觸控訊號線
120‧‧‧通孔
1B‧‧‧區域
A1‧‧‧第一方向
A2‧‧‧第二方向
CS‧‧‧交錯部
S5‧‧‧第一間隔
S6‧‧‧第二間隔
GS1‧‧‧第一間距
GS2‧‧‧第二間距

Claims (20)

  1. 一種顯示裝置，包括：一第一基板，該第一基板包括：複數掃描線，設於該第一基板上；複數資料線，設於該第一基板上，且該些掃描線與該些資料線定義出複數個次畫素；一感測電極，設於該第一基板上，並具有一開口；一第二基板，相對該第一基板設置；以及一顯示介質，設於該第一基板與該第二基板之間，其中，該感測電極對應至少二個該些次畫素設置，該開口對應些該些掃描線其中之一或該些資料線其中之一設置，其中該感測電極至少一部份覆蓋至少一個該些次畫素。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該感測電極具有複數次感測電極及一連接部，其中該開口位於該些次感測電極之間，該些次感測電極藉由該連接部彼此電性連接。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之顯示裝置，其中該連接部係設於該感測電極之中央。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之顯示裝置，其中該連接部係設於該感測電極之邊緣。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該第一基板包括：複數薄膜電晶體，分別連接該些掃描線、該些資料線及該些次畫素；以及一觸控訊號線，以一通孔連接該感測電極。
  6. 如申請專利範圍第2項所述之顯示裝置，其中各該次感測電極對應至少二個該些次畫素設置。
  7. 如申請專利範圍第2項所述之顯示裝置，其中部分之該些次感測電極對應該些次畫素其中之一設置，而另一部分之該些次感測電極對應至少二個該些次畫素設置。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該掃描線包括一主軸部以及自該主軸部延伸而出之複數閘極電極，其中該感測電極具有複數開口，該些開口包括一第一方向開口以及一第二方向開口，該第一方向為該掃描線之該主軸部的延伸方向，該第二方向為該資料線的延伸方向，其中該第一方向開口係對應設置於二相鄰之該些閘極電極之間，其中該第二方向開口係對應該些資料線其中之一設置。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之顯示裝置，更包括：複數觸控訊號線，設於該第一基板上，其中該第二方向開口係對應該些觸控訊號線其中之一設置。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之顯示裝置，其中二相鄰之該些感測電極係由一第一間隔隔開，且該第一方向開口於該第二方向上之寬度與該第一間隔於該第二方向上之寬度相同。
  11. 如申請專利範圍第8項所述之顯示裝置，其中該第一方向開口相距最遠的二側邊係分別與該第一方向開口對應之該些閘極電極相鄰之二邊緣對齊。
  12. 如申請專利範圍第8項所述之顯示裝置，其中該第二方向 開口係設於二相鄰之該些掃描線之該些主軸部之間。
  13. 如申請專利範圍第8項所述之顯示裝置，其中二相鄰之該感測電極係由一第二間隔隔開，且該第二方向開口於該第一方向上之寬度與該第二間隔於該第一方向上之寬度相同。
  14. 如申請專利範圍第8項所述之顯示裝置，其中該第二方向開口相距最遠的二側邊係分別與該第二方向開口對應之該些掃描線相鄰之二邊緣對齊。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該第二基板包括一遮光層，且二相鄰之該感測電極係由一第一間隔隔開，該第一間隔係對應該遮光層設置。
  16. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中沿一第一方向延伸之一第一間隔係對應複數之該些掃描線設置，其中該第一方向為該些掃描線之延伸方向。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之顯示裝置，其中該第一間隔係對應3至10條該些掃描線設置。
  18. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中沿一第二方向延伸之一第二間隔係對應複數之該些資料線設置，其中該第二方向為該些資料線之延伸方向。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之顯示裝置，其中該第二間隔係對應3至10條該些資料線設置。
  20. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該感測電極之面積與該開口之面積的比值介於1至9之間。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI613493B (zh) * 2016-12-20 2018-02-01 財團法人工業技術研究院 具感測之顯示畫素陣列結構
CN106886098B (zh) * 2017-03-07 2019-09-13 Oppo广东移动通信有限公司 显示组件及电子设备
KR102733085B1 (ko) * 2019-12-30 2024-11-22 엘지디스플레이 주식회사 터치 디스플레이 장치
CN111158054B (zh) * 2019-12-31 2021-04-06 浙江大学 一种基于led屏的被动物体探测显示系统及方法
TWI779899B (zh) * 2021-10-25 2022-10-01 友達光電股份有限公司 顯示裝置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103293780A (zh) * 2012-08-10 2013-09-11 上海天马微电子有限公司 触控液晶显示装置
WO2014024908A1 (ja) * 2012-08-09 2014-02-13 シャープ株式会社 液晶表示装置
CN103901650A (zh) * 2012-12-25 2014-07-02 上海天马微电子有限公司 一种内嵌式触控显示装置
TWM492475U (zh) * 2014-09-19 2014-12-21 Superc Touch Corp 內嵌顯示觸控結構

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102236187B (zh) * 2010-04-20 2014-01-01 东莞万士达液晶显示器有限公司 触控显示面板
US9268447B2 (en) * 2013-05-13 2016-02-23 Himax Technologies Limited Touch display panel, touch display device and driving method thereof

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014024908A1 (ja) * 2012-08-09 2014-02-13 シャープ株式会社 液晶表示装置
CN103293780A (zh) * 2012-08-10 2013-09-11 上海天马微电子有限公司 触控液晶显示装置
CN103901650A (zh) * 2012-12-25 2014-07-02 上海天马微电子有限公司 一种内嵌式触控显示装置
TWM492475U (zh) * 2014-09-19 2014-12-21 Superc Touch Corp 內嵌顯示觸控結構

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