TWI572064B - 發光二極體封裝結構 - Google Patents

Description

發光二極體封裝結構

本發明是有關一種發光二極體，且特別是有關於一種具有雙黏著層的發光二極體封裝結構。

習用的發光二極體封裝結構包含有承載座、蓋體、及黏著上述承載座與蓋體的單層之黏著層。其中，上述承載座與蓋體之間的黏著力是源自單層之黏著層，其尚具有改善的空間存在。進一步地說，當習用發光二極體封裝結構為非密封類型時(即發光二極體封裝結構內部空間能與外部空間流通)，蓋體設置於承載座上之黏著層的過程中，黏著層容易因為蓋體的壓迫而產生攤流，進而造成黏著層未設在預定的位置上。

於是，本發明人有感上述缺失之可改善，乃特潛心研究並配合學理之運用，終於提出一種設計合理且有效改善上述缺失之本發明。

本發明實施例在於提供一種發光二極體封裝結構，其能有效地改善習用發光二極體封裝結構所可能產生的缺失。

本發明實施例提供一種發光二極體封裝結構，包括：一陶瓷基板，具有一頂面與一底面；一陶瓷反射板，具有一穿孔，該陶瓷反射板設置在該陶瓷基板的該頂面；一金屬層，設置於該陶瓷基板的該頂面；一焊墊層，設置於該陶瓷基板的該底面；數個導電柱，埋置於該陶瓷基板內，並且該些導電柱電性連接該金屬層與該焊墊層；一發光單元，設置於該陶瓷基板上並位於該穿孔 內；一第一黏著層，設置於該陶瓷反射板上；一第二黏著層，設置於該陶瓷反射板上並且位於該第一黏著層上；以及一蓋體，經由該第一黏著層與該第二黏著層固定於該陶瓷反射板上。

本發明實施例另提供一種發光二極體封裝結構，包括：一陶瓷基板，具有一頂面與一底面；一金屬層，設置於該陶瓷基板的該頂面；一焊墊層，設置於該陶瓷基板的該底面；數個導電柱，埋置於該陶瓷基板內，並且該些導電柱電性連接該金屬層與該焊墊層；一發光單元，設置於該陶瓷基板上；一第一黏著層，設置於該陶瓷基板上；一第二黏著層，設置於該陶瓷基板上並且位於該第一黏著層上；以及一蓋體，包含有一可透光的蓋板及固定於該蓋板的一環狀框架，遠離該蓋板的該框架一端經由該第一黏著層與該第二黏著層固定於該陶瓷基板上。

綜上所述，本發明實施例所提供的發光二極體封裝結構，其透過第一黏著層及第二黏著層的配合，使得蓋體設置於承載座的過程中，第一黏著層和第二黏著層不易因為蓋體的壓迫而產生攤流；並且相較於習知的單層黏著層而言，第一黏著層與第二黏著層的配合更是能夠有效地提升剪應力。

為使能更進一步瞭解本發明之特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明之詳細說明與附圖，但是此等說明與所附圖式僅係用來說明本發明，而非對本發明的權利範圍作任何的限制。

100‧‧‧發光二極體封裝結構

1‧‧‧承載座

11‧‧‧陶瓷基板

111‧‧‧頂面

1111‧‧‧接合區

112‧‧‧底面

12‧‧‧陶瓷反射板

121‧‧‧穿孔

13‧‧‧金屬層

131‧‧‧散熱墊

132‧‧‧正電極墊

133‧‧‧負電極墊

14‧‧‧焊墊層

141‧‧‧散熱焊墊

142‧‧‧電極焊墊

15‧‧‧導電柱

17‧‧‧遮光部

2‧‧‧發光單元

21‧‧‧UV發光二極體晶片

22‧‧‧載體

23‧‧‧透鏡

3‧‧‧第一黏著層

31‧‧‧第一黏著部

32‧‧‧波紋表面

4‧‧‧第二黏著層

41‧‧‧第二黏著部

5‧‧‧蓋體

51‧‧‧蓋板

52‧‧‧框架

521‧‧‧反射面

53‧‧‧反射層

54‧‧‧第三黏著層

55‧‧‧第四黏著層

6‧‧‧封裝膠體

G‧‧‧間隙

D1、D2‧‧‧高度

圖1為本發明發光二極體封裝結構第一實施例的立體示意圖。

圖2為圖1另一視角的立體示意圖。

圖3為圖1的分解示意圖。

圖4為圖1省略蓋體的俯視示意圖。

圖5A為圖1沿剖線VA-VA的剖視示意圖。

圖5B為圖5A的透鏡變化態樣之剖視示意圖。

圖6為圖1沿剖線VI-VI的剖視示意圖。

圖7為本發明所採用的紫外光固化矽氧樹脂對應各種波長之光線的透光率示意圖。

圖8為本發明發光二極體封裝結構第一實施例的另一態樣之分解示意圖。

圖9為圖8之發光二極體封裝結構省略蓋體的俯視示意圖。

圖10為本發明發光二極體封裝結構第二實施例的立體示意圖。

圖11為圖10另一視角的立體示意圖。

圖12為圖10的分解示意圖。

圖13為圖10沿剖線XⅢ-XⅢ的剖視示意圖。

圖14為圖13的蓋體包含第三和第四黏著層的剖視示意圖。

圖15為本發明發光二極體封裝結構之框架設有反射層的剖視示意圖。

圖16為本發明發光二極體封裝結構第二實施例的另一態樣之分解示意圖。

圖17為本發明發光二極體封裝結構第三實施例的立體示意圖。

圖18為圖17另一視角的立體示意圖。

圖19為圖17的分解示意圖。

圖20為圖17沿剖線XX-XX的剖視示意圖。

圖21為本發明發光二極體封裝結構第三實施例的另一態樣之分解示意圖。

圖22為本發明發光二極體封裝結構第四實施例的立體示意圖。

圖23為圖22的分解示意圖。

圖24為圖22沿剖線XXIV-XXIV的剖視示意圖。

[第一實施例]

請參閱圖1至圖9，其為本發明的第一實施例，需先說明的是，本實施例對應圖式所提及之相關數量與外型，僅用以具體地 說明本發明的實施方式，以便於了解其內容，而非用以侷限本發明的權利範圍。

如圖1至圖3所示，本實施例提供一種發光二極體封裝結構100，尤指一種用以發出深紫外光線的發光二極體封裝結構100，但不受限於此。所述發光二極體封裝結構100包括有一承載座1、設置於承載座1上的一發光單元2、設於承載座1且相互黏接的一第一黏著層3與一第二黏著層4、及固定於第二黏著層4的一蓋體5。本實施例於下述將先就發光二極體封裝結構100的各個元件構造作一說明，而後再適時介紹就各個元件之間的連接關係。

如圖2至圖5A，所述承載座1包含有一陶瓷基板11、與陶瓷基板11以低溫共燒(Low-Temperature Co-Fired)燒結相接的一陶瓷反射板12、一金屬層13、一焊墊層14、及埋置於陶瓷基板11內的三個導電柱15。其中，如圖3和圖4，上述陶瓷基板11具有一頂面111與一底面112，所述陶瓷反射板12形成有一穿孔121，並且陶瓷反射板12的側面與上述陶瓷基板11的側面相互切齊。

所述金屬層13位於陶瓷基板11的頂面111上並位於陶瓷反射板12的穿孔121內，上述金屬層13具有大致位於中央處的一散熱墊131以及分別位於散熱墊131相反兩側的一正電極墊132與一負電極墊133。

如圖2和圖5A，所述焊墊層14設置於陶瓷基板11底面112，並且焊墊層14具有大致位於底面112中央處的一散熱焊墊141以及分別位於散熱焊墊141相反兩側的兩電極焊墊142。上述散熱焊墊141與電極焊墊142皆呈長型且彼此平行，並且散熱焊墊141位在散熱墊131的下方，而該兩電極焊墊142則分別位在上述正電極墊132與負電極墊133的下方。再者，所述三個導電柱15的一端分別連接於上述散熱墊131、正電極墊132、與負電極墊133，並且所述三個導電柱15的另一端分別連接於上述散熱焊墊141與 兩電極焊墊142。

如圖3和圖4，所述發光單元2設置在金屬層13上並位於穿孔121內，發光單元2具有一UV發光二極體晶片21及一載體22，上述UV發光二極體晶片21於本實施例中是以深紫外光發光二極體晶片(Deep UV LED Chip)21為例，其發光波長在350奈米以下，並且UV發光二極體晶片21於本實施例中是採覆晶晶片類型，但UV發光二極體晶片21不以上述條件為限，UV發光二極體晶片21的兩電極(圖略)也可以採打線形式電性連接於載體22上的兩電極(圖略)。所述UV發光二極體晶片21設置於載體22上，而載體22則設置於金屬層13的散熱墊131上，發光二極體晶片21再透過載體22的兩電極墊(圖略)以打線方式分別電性連接於金屬層13的該正電極墊132與負電極墊133。其中，載體22的兩電極(圖略)與載體22的兩電極墊(圖略)電性相連。發光單元2並不以深紫外光發光二極體晶片為限，也可以是其他波長的發光二極體晶片，如紅光、綠光、藍光或紅外光發光二極體晶片，載體22也可以因應發光二極體晶片的選擇而選擇性設置。

補充說明一點，在另一未繪示的實施例中，所述金屬層13亦可省略散熱墊131，而正電極墊132與負電極墊133分別設置於發光單元2的相反兩側，並且發光單元2透過打線方式使上述載體22上的兩電極墊分別電性連接於該正電極墊132與負電極墊133。

此外，所述發光二極體封裝結構100可進一步包括有一固晶膠體(圖略)，UV發光二極體晶片21則經由固晶膠體而黏固於載體22上。其中，本實施例中的固晶膠體成分可以是一奈米銀膏，但不受限於此，例如：固晶膠體亦可採用金錫合金焊料。進一步地說，上述奈米銀膏較佳為未包含有任何環氧樹脂，並且所述固晶膠體所包含的銀粒子大致為85%至90%的體積百分比，藉以具備有較佳的熱阻且不易黃化。進一步地說，於奈米銀膏中，粒徑 小於20nm的銀奈米粒子之重量百分比為20~35%，而粒徑介於20~100nm的銀奈米粒子之重量百分比為40~50%；奈米銀膏所使用的黏合劑為环己醇异冰片(Isobornyl Cyclohexanol、IBCH)，其重量百分比為2~7%；奈米銀膏所使用的溶劑為1-decanol(1-癸醇)，其重量百分比為5~15%。所述奈米銀膏的化學式為：nAg-m(AgOOCR-l(AgOR)，R=[CH₃(CH₂)x]，並且l、m、n、x皆為正整數。

此外，本實施例的發光單元2進一步包含有一透鏡23，並且上述透鏡23可設置於UV發光二極體晶片21的出光面(如圖4和圖5A)上，或者所述透鏡23亦可設置於載體22上並將UV發光二極體晶片21埋置於其內(如圖5B或圖8)。

如圖3、圖4、和圖6，所述第一黏著層3與第二黏著層4可以採用熱固化樹脂或是紫外光固化樹脂，並且第一黏著層3與第二黏著層4的材質於本實施例中是以紫外光固化之矽氧樹脂(Silicone)為例，但不受限於此。須說明的是，本實施例是先將設置於陶瓷反射板12的第一黏著層3固化，而後再以上述第二黏著層4包覆上述第一黏著層3。

其中，本實施例所採用的紫外光固化之矽氧樹脂，其所具備的參數數值如下表所示，並且對應各種波長之光線的透光率可參考圖7所示：

改由固化後的構造來看，所述第一黏著層3與第二黏著層4的具體實施類型可以大致分為非密封式(如圖3)以及密封式(如圖8)兩種。

其中，就非密封式而言，請參閱圖3和圖6，所述承載座1的陶瓷反射板12與蓋板51之間形成有至少一間隙G，用以供外部空氣能經由間隙G而與發光二極體封裝結構100內的空氣流通。進一步地說，所述第一黏著層3包含分布在陶瓷反射板12角落的數個第一黏著部31，第二黏著層4包含設在陶瓷反射板12且分別包覆該些第一黏著部31的數個第二黏著部41，並且相接於任一第二黏著部41的第一黏著部31表面為一波紋表面32(亦可視為階梯狀或波浪狀表面)，例如以類同心圓排列的數個圓形邊緣，但不以此限。藉此，本實施例透過上述第一黏著層3形成有波紋表面32，藉以提升第一黏著層3與第二黏著層4彼此接合力。而依據實際測試的結果，相較於習知的單層黏著層而言，本實施例第一黏著層3與第二黏著層4能夠提升至少18.6%的剪應力。

再者，就密封式而言，請參閱圖8和圖9，所述承載座1的陶瓷反射板12與蓋體5之間透過設有第一黏著層3與第二黏著層4而呈密封狀，用以使外部空氣與發光二極體封裝結構100內的空氣相互隔離。進一步地說，所述第一黏著層3呈環狀且設在陶瓷反射板12上，第二黏著層4亦呈環狀且設在陶瓷反射板12上，並且第二黏著層4包覆上述第一黏著層3，而相接於第二黏著層4的第一黏著層3表面為一波紋表面32(亦可視為階梯狀或波浪狀表 面)。藉此，本實施例透過上述第一黏著層3形成有波紋表面32，藉以提升第一黏著層3與第二黏著層4彼此接合力。而依據實際測試的結果，相較於習知的單層黏著層而言，本實施例第一黏著層3與第二黏著層4能夠提升至少37.1%的剪應力。

如圖5A和圖6，所述蓋體5貼附於第二黏著層4上，以覆蓋發光單元2，但不排除蓋體5同時抵接於第二黏著層4與第一黏著層3。其中，所述蓋體5於本實施例中是以平板狀且可透光的蓋板為例，但蓋體5的構造並不以此為限。舉例來說，所述蓋體5亦可於其表面形成有鍍層(圖略)，藉以提升光線穿透率；或者，蓋體5亦可形成半球狀之構造(圖略)，藉以調整光線行進路線。舉例來說，當採用UVA波段的UV發光二極體晶片21時，發光二極體封裝結構100可採用一平板狀的蓋體5，蓋體5的材料為二氧化矽(如：玻璃或石英)。當採用UVA或UVC波段的UV發光二極體晶片21時，發光二極體封裝結構100可採用一平板狀的蓋體5，蓋體5的材料為二氧化矽(如：玻璃或石英)，並於蓋體5兩面加上鍍層。當採用UVC波段的UV發光二極體晶片21時，蓋體5可採用一半球狀的透鏡，透鏡的材料二氧化矽(如：為玻璃或石英)，透鏡表面也可以加上鍍層或不加上鍍層。

[第二實施例]

請參閱圖10至圖16，其為本發明的第二實施例，本實施例與第一實施例類似，相同處則不再加以贅述，而兩實施例的主要差異在於承載座1與蓋體5，並且第一黏著層3為紫外光固化樹脂、第二黏著層4可為熱固化樹脂，具體差異說明如下：如圖10至圖14所示，本實施例的承載座1包含有一平板狀的陶瓷基板11、位於陶瓷基板11頂面111的一金屬層13、位於陶瓷基板11底面112的一焊墊層14、及埋置於陶瓷基板11內的 三個導電柱15。其中，所述陶瓷基板11頂面111的外圍環狀部位定義為接合區1111，而金屬層12位於接合區1111內側的基板11頂面111部位。

本實施例的蓋體5包含有一可透光的蓋板51及固定於蓋板51的一環狀框架52，遠離蓋板51的框架52一端固定於第二黏著層4。其中，本實施例的蓋板51大致如同第一實施例所述之蓋體5，在此不加以贅述。所述框架52是以反射材質(例如：金屬)所製成，並且框架52的內表面形成為一反射面521，反射面521所包圍的區域之截面呈上寬下窄的梯形。而於本實施例中，反射面521與蓋板51的夾角大致為54.7±10度，較佳為54.7度，但不受限於此。

須說明的是，上述蓋板51與框架52之間的接合可以是透過熱熔的方式接合或是透過黏貼的方式接合，其中，黏貼的方式例如是圖14所示：所述蓋體5包含有一第三黏著層54及一第四黏著層55，第三黏著層54設置於蓋板51與框架52彼此相鄰的兩表面其中之一，第四黏著層55包覆第三黏著層並設置於蓋板51與框架52彼此相鄰的兩表面其中另一。也就是說，所述第三黏著層54及第四黏著層55的材質與配合關係即相當於第一黏著層3及第二黏著層4，在此不加以贅述。

另，請參閱圖15，所述框架52亦可採用非反射且非透光之材質(例如：矽)所製成，並且蓋體5於框架52內表面選擇性地設有以反射材質(例如：鋁)所製成的一反射層53，反射層53所包圍的區域之截面呈上寬下窄的梯形。於本實施例中，反射層53與蓋板51的夾角大致為54.7±10度，較佳為54.7度，但不受限於此。

此外，如圖12和圖13所示，本實施例的承載座1可進一步具有設置於接合區1111內側的至少一遮光部17，並且遮光部17鄰設於第一黏著層3和第二黏著層4，遮光部17頂面相對於陶瓷基板11頂面111的高度D1較佳為不小於第二黏著層4頂面相對於陶瓷基板11頂面111的高度D2，藉以透過遮光部17遮擋照向 第一黏著層3與第二黏著層4的光線(如：UV發光二極體晶片21所發出的紫外光線)，進而避免第一黏著層3與第二黏著層4因光線照射而產生劣化。再者，所述遮光部17可以與金屬層13一同成形，即遮光部17與金屬層13為相同材質與相同厚度，但不受限於此。

須說明的是，本實施例的遮光部17外型是對應第一黏著層3與第二黏著層4的形狀和位置，進一步地說，對應圖12所示的第一黏著層3與第二黏著層4，所述每個遮光部17外型大致呈L型或是任何可以遮蔽第一黏著層3與第二黏著層4的構造；對應圖16所示的第一黏著層3與第二黏著層4，所述遮光部17的形狀則大致呈環狀。

[第三實施例]

請參閱圖17至圖21，其為本發明的第三實施例，本實施例與第二實施例類似，相同處則不再加以贅述，而兩實施例的主要差異在於蓋體5。其中，本實施例的蓋板51與框架52為一體成型方式製成，且蓋板51與框架52均為透光材質(如：二氧化矽)，並且第一黏著層3為一紫外光固化樹脂，第二黏著層4為一熱固化樹脂或紫外光固化樹脂，蓋體5於框架52內表面選擇性地設有以反射材質(例如：鋁)所製成的一反射層53，所述反射層53所包圍的面積自鄰近蓋板51朝遠離蓋板51的方向皆大致相同。於本實施例中，反射層53與蓋板51的夾角大致為90度，但不受限於此。

在另一實施例中，蓋板51和框架52也可以不是一體成型方式製成，蓋板51與框架52均為透光材質，並且第一黏著層3為一紫外光固化樹脂，第二黏著層4為一熱固化樹脂或紫外光固化樹脂，蓋體5於框架52內表面選擇性地設有以反射材質(例如：鋁)所製成的一反射層53，所述反射層53所包圍的面積自鄰近蓋板51朝遠離蓋板51的方向皆大致相同。於本實施例中，反射層 53與蓋板51的夾角大致為90度，但不受限於此。

此外，如同第一實施例所示，本實施例的發光單元2也可以進一步包含有一透鏡，並且上述透鏡可設置於UV發光二極體晶片21的出光面(如圖4和圖5A)上，或者所述透鏡23亦可設置於載體22上並將UV發光二極體晶片21埋置於其內(如圖5B或圖8)。

[第四實施例]

請參閱圖22至圖24，其為本發明的第四實施例，本實施例與第二實施例類似，相同處則不再加以贅述，而兩實施例的主要差異在於本實施例的蓋體5可僅具有框架52，第一黏著層3與第二黏著層4進一步限定為密封式，並且本實施例進一步包含有一封裝膠體6，具體差異說明如下：所述封裝膠體6充填於框架52與基板11所包圍的空間之中，以使發光單元2、金屬層13、及遮光部17皆埋置於封裝膠體6內。其中，所述封裝膠體6於本實施例中進一步限定為一氟素高分子膠體或聚二甲基矽氧烷(PDMS)膠體，其中氟素高分子膠體所具備的參數數值如下表所示：

藉此，由於本實施例的封裝膠體6採用氟素高分子膠體，使得封裝膠體6具有較強的碳氟鍵結能，以強化封裝膠體6抵抗UV發光二極體晶片21所發出之紫外光線的能力。

此外，本實施例的蓋體5亦可具有蓋板51(圖略)，並且蓋板51覆蓋於框架52的頂緣及封裝膠體6的頂面上，藉以透過蓋板51保護封裝膠體6。

[本發明實施例的可能效果]

綜上所述，本發明實施例所提供的發光二極體封裝結構，其透過第一黏著層及第二黏著層的配合，使得蓋體設置於之第一黏著層和第二黏著層的過程中，第一黏著層和第二黏著層不易因為蓋體的壓迫而產生攤流；並且相較於習知的單層黏著層而言，第一黏著層與第二黏著層的配合更是能夠有效地提升剪應力。

進一步地說，當所述第一黏著層與第二黏著層為非密封式時，本實施例的發光二極體封裝結構相較於習知的單層黏著層而言，第一黏著層與第二黏著層的配合能夠有效地提升至少18.6%的剪應力。再者，當所述第一黏著層與第二黏著層為密封式時，本實施例的發光二極體封裝結構相較於習知的單層黏著層而言，第一黏著層與第二黏著層的配合能夠有效地提升至少37.1%的剪 應力。

另，本實施例可設有對應第一黏著層與第二黏著層外型的遮光部，藉以透過遮光部遮擋照向第一黏著層與第二黏著層的光線(如：UV發光二極體晶片所發出的紫外光線)，進而避免第一黏著層與第二黏著層因光線照射而產生劣化。

以上所述僅為本發明之較佳可行實施例，其並非用以侷限本發明之專利範圍，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。

100‧‧‧發光二極體封裝結構

1‧‧‧承載座

11‧‧‧陶瓷基板

111‧‧‧頂面

12‧‧‧陶瓷反射板

121‧‧‧穿孔

13‧‧‧金屬層

131‧‧‧散熱墊

132‧‧‧正電極墊

133‧‧‧負電極墊

2‧‧‧發光單元

21‧‧‧發光二極體晶片

22‧‧‧載體

23‧‧‧透鏡

3‧‧‧第一黏著層

31‧‧‧第一黏著部

32‧‧‧波紋表面

4‧‧‧第二黏著層

41‧‧‧第二黏著部

5‧‧‧蓋體

Claims (11)

1. 一種發光二極體封裝結構，包括：一陶瓷基板，具有一頂面與一底面；一陶瓷反射板，具有一穿孔，該陶瓷反射板設置在該陶瓷基板的該頂面；一金屬層，設置於該陶瓷基板的該頂面；一焊墊層，設置於該陶瓷基板的該底面；數個導電柱，埋置於該陶瓷基板內，並且該些導電柱電性連接該金屬層與該焊墊層；一發光單元，設置於該陶瓷基板上並位於該穿孔內；一第一黏著層，設置於該陶瓷反射板上；一第二黏著層，設置於該陶瓷反射板上並且位於該第一黏著層上；以及一蓋體，經由該第一黏著層與該第二黏著層固定於該陶瓷反射板上。
2. 如請求項1所述之發光二極體封裝結構，其中，該蓋體為平板狀的一蓋板，該蓋板經由該第一黏著層和該第二黏著層設置在該陶瓷反射板上，以覆蓋該發光單元。
3. 如請求項1所述之發光二極體封裝結構，其中，該發光單元包含有一透鏡，該透鏡設置於該UV發光二極體晶片的一出光面上，或者該透鏡設置於該載體上並將該UV發光二極體晶片埋置於其內；其中，該發光單元包含一載體及設置於該載體的一UV發光二極體晶片，並且該載體設置於該金屬層上，該金屬層包含有一正電極墊以及一負電極墊，並且該發光單元藉由打線方式連接該正電極墊和該負電極墊。
4. 如請求項1所述之發光二極體封裝結構，其中，該第一黏著層為紫外光固化樹脂，該第二黏著層的材質為紫外光固化樹脂或熱固化樹脂。
5. 如請求項1至4中任一請求項所述之發光二極體封裝結構，其中，該第一黏著層包含數個第一黏著部，該第二黏著層包含分別包覆該些第一黏著部的數個第二黏著部，相接於任一第二黏著部的該第一黏著部表面為一波紋表面。
6. 一種發光二極體封裝結構，包括：一陶瓷基板，具有一頂面與一底面；一金屬層，設置於該陶瓷基板的該頂面；一焊墊層，設置於該陶瓷基板的該底面；數個導電柱，埋置於該陶瓷基板內，並且該些導電柱電性連接該金屬層與該焊墊層；一發光單元，設置於該陶瓷基板上；一第一黏著層，設置於該陶瓷基板上；一第二黏著層，設置於該陶瓷基板上並且與該第一黏著層相互黏接；以及一蓋體，包含有一可透光的蓋板及固定於該蓋板的一環狀框架，遠離該蓋板的該框架一端經由該第一黏著層與該第二黏著層固定於該陶瓷基板上。
7. 如請求項6所述之發光二極體封裝結構，其中，該蓋板與該框架是以透光材質所製成，該蓋板與該框架的夾角大致為直角，該蓋體於該框架內表面選擇性地設有一反射層，而該第一黏著層為一紫外光固化樹脂，該第二黏著層為一熱固化樹脂或紫外光固化樹脂。
8. 如請求項6所述之發光二極體封裝結構，其中，該蓋板是以透光材質所製成，該框架是以金屬或矽所製成，並且該蓋板與該框架的夾角大致為銳角，該蓋體於該框架內表面選擇性地設有一反射層，而該第一黏著層為一紫外光固化樹脂，該第二黏著層為一熱固化樹脂。
9. 如請求項8所述之發光二極體封裝結構，其中，該蓋體包含有 一第三黏著層及一第四黏著層，該第三黏著層設置於該蓋板與該框體彼此相鄰的兩表面其中之一，該第四黏著層包覆該第三黏著層並設置於該蓋板與該框體彼此相鄰的兩表面其中另一。
10. 如請求項6所述之發光二極體封裝結構，其進一步具有設置於該陶瓷基板之該頂面的數個L型遮光部，並且該些遮光部鄰設於該些第二黏著層，該些遮光部相對於該基板之該頂面的高度不小於該第二黏著層相對於該基板之該頂面的高度。
11. 如請求項6所述之發光二極體封裝結構，其進一步具有設置於該陶瓷基板之該頂面的一環狀遮光部，並且該遮光部鄰設於該第二黏著層，該遮光部相對於該基板之該頂面的高度不小於該第二黏著層相對於該基板之該頂面的高度。