TWI566411B - 薄膜電晶體及其製造方法、以及影像顯示裝置 - Google Patents

Description

薄膜電晶體及其製造方法、以及影像顯示裝置

本發明係關於一種薄膜電晶體及其製造方法、以及影像顯示裝置。

隨著資訊技術的驚人發展，現在頻繁地進行筆記型個人電腦或可攜式資訊終端機等的資訊的收發。不久的將來，不選擇場所而可交換資訊的無所不在的社會終將到來是眾所習知的事實。於此種社會中，更輕量、薄型的資訊終端機是所期望的。

目前半導體材料的主流為矽系(Si系)，但從可撓曲化、輕量化、低成本化、高性能化等觀點，使用氧化物半導體的電晶體(氧化物電晶體)的研究正盛行。一般使用氧化物半導體的情況，大多使用濺鍍法等的真空成膜。

然而，近幾年用塗布法形成氧化物半導體一直被報導，大面積化、印刷法的適用、塑膠基板的利用等之類的應用可能性擴大起來。

此外，其應用領域廣泛，不限於如上述的薄型、輕量的可撓式顯示器，應用於RFID(Radio Frequency Identification；無線射頻識別)標籤或感測器等也被估計在內。如此，邁向無所不在的社會，塗布型氧化物電晶體的研究是必要不可或缺的。

基於此種理由，現在利用塗布法的氧化物半導體的研究正受人矚目。

此處，作為從溶液形成半導體層的方法，可舉旋轉塗布法或浸漬法、噴墨法等的方法。其中，在配置有複數個用旋轉塗布法或浸漬法製造的電晶體的電晶體陣列方面，由於電流容易在電晶體元件間或電晶體與像素電極之間的半導體層中流動，所以在斷電狀態的電流(洩漏電流)值會變大，有通斷比降低的問題。

因此，在例如專利文獻1中，藉由使用噴墨法在所希望之處形成半導體層，實現了電晶體元件分離。此外，在專利文獻2中，藉由將半導體溶液注入源極電極、汲極電極之間的通道部，實現了電晶體元件分離。

先前技術文獻 專利文獻

專利文獻1　特開2005-210086號公報

專利文獻2　特開2004-80026號公報

然而，在專利文獻2的方法方面，由於要將半導體溶液注入通道部，需要形成隔牆，所以除了通常的電晶體製作方法以外，還必須另外進行隔牆材料的成膜、及圖案化的處理。

本發明係有鑑於上述課題而完成，藉由實現電晶體元件分離，提供一種高性能、高穩定的薄膜電晶體之製造方法。

為了解決前述課題，本發明之中申請專利範圍第1項所記載之發明係提供一種薄膜電晶體，其特徵在於具有：基板；閘極電極，其積層於前述基板上；閘極絕緣體層，其積層於前述基板上及前述閘極電極上；凹部，其設於前述閘極絕緣體層；半導體層，其形成於前述閘極絕緣體層的凹部內；及源極電極與汲極電極，其對於前述半導體層，在互相分離的位置連接。

其次，申請專利範圍第2項所記載之發明，其特徵在於：積層於前述半導體層上的至少中央部的保護膜。

其次，申請專利範圍第3項所記載之發明，其特徵在於：前述凹部僅形成於可與閘極電極在厚度方向上對向的位置。

其次，申請專利範圍第4項所記載之發明，其特徵在於：前述半導體層係由以金屬氧化物為主要成分的材料構成。

其次，申請專利範圍第5項所記載之發明，其特徵在於：前述半導體層係由以有機物為主要成分的材料構成。

其次，申請專利範圍第6項所記載之發明係提供一種影像顯示裝置，其特徵在於具有：如申請專利範圍第1至4項中任一項之薄膜電晶體；層間絕緣膜，其形成於前述薄膜電晶體之前述源極電極與前述汲極電極上；像素電極，其形成於前述層間絕緣膜上且電性連接於前述汲極電極；及顯示媒體，其包含形成於前述像素電極上的共用電極。

其次，申請專利範圍第7項所記載之發明，其特徵在於：前述顯示媒體為電泳型反射顯示裝置、穿透型液晶顯示裝置、反射型液晶顯示裝置、半穿透型液晶顯示裝置、有機EL顯示裝置及無機EL顯示裝置之任一裝置。

其次，申請專利範圍第8項所記載之發明係如申請專利範圍第1至4項中任一項之薄膜電晶體之製造方法，其特徵在於具有以下步驟：在基板上形成閘極電極；在前述基板上及前述閘極電極上形成閘極絕緣體層；在與前述閘極電極對向的前述閘極絕緣體層位置形成凹部；在前述凹部內用塗布法形成半導體層；在前述半導體層上的至少中央部形成保護膜；及以在前述半導體層上的互相隔離的位置連接的方式形成源極電極與汲極電極。

其次，申請專利範圍第9項所記載之發明，其特徵在於：前述塗布法為凸版印刷、凹版印刷、平版印刷、反轉膠版印刷、網版印刷、噴墨、熱轉印印刷、點膠、旋轉塗布、模具塗布、微型凹版塗布、浸漬塗布之任一者。

其次，申請專利範圍第10項所記載之發明，其特徵在於：前述凹部的形成係用乾式蝕刻法形成。

依據本發明，藉由在閘極絕緣體層直接形成凹部，可用塗布法在所希望之處形成半導體層的膜，及進行電晶體元件分離。

此外，可穩定驅動電晶體元件，且由於不需要隔牆的形成處理，所以可謀求製程的簡易化。

以下，一面參閱圖面，一面說明本發明的實施形態。再者，關於本發明的實施形態的薄膜電晶體的結構不特別限定。

如圖1及圖2所示，關於本實施形態的薄膜電晶體具有：基板1；閘極電極2及電容器電極3，其積層於前述基板1上；閘極絕緣體層4，其積層於前述基板1上、前述閘極電極2及電容器電極3上；凹部11，其設於前述閘極絕緣體層4；半導體層5，其形成於前述閘極絕緣體層4的凹部11內；及源極電極7與汲極電極8，其對於前述半導體層5，在互相分離的位置連接。凹部11形成於閘極電極2的正上方。此外，薄膜電晶體以複數形成於基板1上。

前述凹部11的形狀若是形成於凹部11內的半導體層5可和源極電極7、汲極電極8連接即可，但最好在至少閘極電極2的正上方(與閘極電極2在厚度方向上對向的位置)，不超出閘極電極2正上方而形成。如圖4所示，凹部11以複數個的方式形成於閘極電極2上，最好係凹部11不互相連接而離間地形成。作為凹部11的形狀，係例如有具有與閘極電極2的長邊平行的長邊的長方形、或橢圓等，但並不限於此，若是可用後述的凹部11的形成方法即乾式蝕刻法形成的形狀，則任何形狀都可以。

作為本實施形態的基板1，具體而言，可使用聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚乙烯硫醚、聚醚、聚烯烴、聚對苯二甲酸乙二酯、聚對萘二甲酸乙二酯、環烯烴聚合物、聚醚風、三乙醯纖維素、聚氟乙烯薄膜、乙烯-四氟乙烯共聚物樹脂、耐候性聚對苯二甲酸乙二酯、耐候性聚丙烯、玻璃纖維強化丙烯酸樹脂薄膜、玻璃纖維強化聚碳酸酯、透明性聚醯亞胺、含氟樹脂、環狀聚烯烴類樹脂、玻璃及石英等。然而，本發明的基板1並不限於此等材料。此等材料可單獨使用，也可使用作為將兩種以上積層的複合基板1。

本實施形態的基板1為有機物薄膜的情況，為了使薄膜電晶體的元件的耐久性提高，可形成透明的氣體阻隔層(未圖示)。作為氣體阻隔層，可列舉氧化鋁(Al₂O₃)、氧化矽(SiO₂)、氮化矽(SiN)、氮氧化矽(SiON)、碳化矽(SiC)及類鑽碳(DLC)等。但，本發明的基板1並不限於此等材料。此外，此等氣體阻隔層也可以積層兩層以上而使用。氣體阻隔層可只形成於使用有機物薄膜的基板1的單面，也可形成於兩面。

氣體阻隔層可使用真空蒸鍍法、離子鍍覆法、濺鍍法、雷射磨蝕法、電漿CVD(Chemical Vapor Deposition；化學氣相沉積)法、熱線CVD法及溶膠-凝膠法等形成，但在本發明中並不限於此等方法。

關於本實施形態的閘極電極2、電容器電極3、源極電極7、及汲極電極8，可適當地使用氧化銦(In₂O₃)、氧化錫(SnO₂)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎘(CdO)、氧化銦鎘(CdIn₂O₄)、氧化鎘錫(Cd₂SnO₂)、氧化鋅錫(Zn₂SnO₄)、氧化銦鋅(In-Zn-O)等氧化物材料。此外，為了提高導電率，較佳為將雜質摻入此氧化物材料中。例如，將錫或鉬、鈦摻入氧化銦中，將銻或氟摻入氧化錫中，將銦、鋁、鎵摻入氧化鋅中等。其中，特別是將錫摻入氧化銦中的氧化銦錫(通稱ITO)為低電阻率，所以特別適合使用。此外，也可以適當地使用Au、Ag、Cu、Cr、Al、Mg等的金屬材料。此外，也可以使用積層複數種導電性氧化物材料與低電阻金屬材料者。

於此情況，為了防止金屬材料的氧化或經時劣化，特別適合使用依導電性氧化物薄膜/金屬薄膜/導電性氧化物薄膜之順序積層的3層構造。此外，也可適合使用PEDOT(聚乙基二氧硫代酚)等的有機導電性材料。閘極電極2，源極電極7及汲極電極8全部都是相同的材料也可以，或者全部都是不同的材料也可以。然而，為了減少步驟數，源極電極7及汲極電極8為相同的材料更好。

此等電極2、3、7、8可用真空蒸鍍法、離子鍍覆法、濺鍍法、雷射磨蝕法、電漿CVD(Chemical Vapor Deposition；化學氣相沉積)法、光CVD法、熱線CVD法、或者網版印刷、凸版印刷、噴墨法等形成，但並不限於此等方法。

用作使用於關於本實施形態的薄膜電晶體的閘極絕緣體層4的材料可舉氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氧化鉭、氧化釔、氧化鉿、鉿鋁酸鹽、氧化鋯、氧化鈦等的無機材料、或者PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)等的聚丙烯酸酯、PVA(聚乙烯醇)、PS(聚苯乙烯)、透明性聚醯亞胺、聚酯、環氧樹脂、聚乙烯基苯酚、聚乙烯醇等，但並不限於此等材料。要抑制閘極洩漏電流，最好絕緣材料的電阻率為10¹¹Ωcm以上，較佳為10¹⁴Ωcm以上。

閘極絕緣體層4係使用真空蒸鍍法、離子鍍覆法、濺鍍法、雷射磨蝕法、電漿CVD、光CVD法、熱線CVD法、旋轉塗佈、浸漬塗佈、網版印刷等方法形成。此等閘極絕緣體層4也適合使用於使組成朝向膜的成長方向傾斜。

如圖1～圖4所示，形成於關於本實施形態的薄膜電晶體之閘極絕緣體層4上的凹部11，係位於閘極電極2的正上方，並且彼此的凹部係離間設置，使用習知的乾式蝕刻技術直接形成於閘極絕緣體層4。

就使用於關於本實施形態的薄膜電晶體的半導體層5而言，可使用以有機物或金屬氧化物為主要成分的有機半導體材料或氧化物半導體材料，藉由將使此等材料溶解或分散於溶劑中的油墨用塗佈法塗佈於凹部11上，形成有機半導體層或氧化物半導體層。

就有機半導體材料而言，可使用聚噻吩、聚烯丙基胺、茀-聯噻吩共聚物、及此等衍生物之類的高分子系有機半導體材料、以及稠五苯、稠四苯、銅酞菁、苝、及此等衍生物之類的低分子系有機半導體材料。然而，若考慮低成本化、可撓曲化、大面積化，則較佳為可適用塗布法的有機半導體材料。此外，奈米碳管或富勒烯等的碳化合物或半導體奈米粒子分散液等也可以用作半導體材料。

就用以使有機半導體材料溶解、分散的溶劑而言，可舉四氫呋喃或二氧陸圜等的環醚系溶劑、丙酮或甲乙酮等的酮系溶劑、乙醇、或IPA等的醇系溶劑、三氯甲烷或1,2-二氯乙烷等的鹵烷基系溶劑、甲苯、二甲苯、二氯苯、三氯苯等的芳香族系溶劑、N-甲基吡咯啶酮、四氫噻吩、二硫化碳、及水等，可單獨使用此等溶劑，也可混合使用。

就形成有機半導體層5的塗布法而言，可使用凸版印刷、凹版印刷、平版印刷、反轉膠版印刷、網版印刷、噴墨、熱轉印印刷、點膠、旋轉塗布、模具塗布、微型凹版塗布、浸漬塗布等眾所習知的方法。

就氧化物半導體材料而言，可舉包含鋅(Zn)、銦(In)、錫(Sn)、鎢(W)、鎂(Mg)及鎵(Ga)之中一種以上的元素的氧化物，即氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In₂O₃)、氧化銦鋅(In-Zn-O)、氧化錫(SnO₂)、氧化鎢(WO)及氧化鋅鎵銦(In-Ga-Zn-O)等的材料，但在本發明中並不限於此等材料。此等材料的構造可為單結晶、多結晶、微結晶、結晶與非晶的混晶、奈米結晶分散的非晶、非晶之任一者。

就用以使氧化物半導體材料溶解、分散的溶劑而言，可舉四氫呋喃或二氧陸圜等的環醚系溶劑、丙酮或甲乙酮等的酮系溶劑、乙醇、或IPA等的醇系溶劑、三氯甲烷或1,2-二氯乙烷等的鹵烷基系溶劑、甲苯、二甲苯、二氯苯、三氯苯等的芳香族系溶劑、N-甲基吡咯烷酮、四氫噻吩、二硫化碳、及水等，可單獨使用此等溶劑，也可混合使用。

就形成氧化物半導體層5的塗布法而言，可使用凸版印刷、凹版印刷、平版印刷、反轉膠版印刷、網版印刷、噴墨、熱轉印印刷、點膠、旋轉塗布、模具塗布、微型凹版塗布、浸漬塗布等眾所習知的方法。

用作關於本實施形態的保護膜6的材料可舉氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氧化鉭、氧化釔、氧化鉿、鉿鋁酸鹽、氧化鋯、氧化鈦等的無機材料、或者PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)等的聚丙烯酸酯、PVA(聚乙烯醇)、PS(聚苯乙烯)、透明性聚醯亞胺、聚酯、環氧樹脂、聚乙烯基苯酚、聚乙烯醇等，但並不限於此等材料。為了不給與薄膜電晶體電性影響，保護膜6的電阻率為10¹¹Ωcm以上，特別是10¹⁴Ωcm以上為較佳。

保護膜6係使用真空蒸鍍法、離子鍍覆法、濺鍍法、雷射磨蝕法、電漿CVD、光CVD法、熱線CVD法、旋轉塗布、浸漬塗布、網版印刷等方法形成。此等保護膜6也可以適合使用於使組成朝向膜的成長方向傾斜。

(影像顯示裝置)

其次，參閱圖3說明使用圖2所記載的薄膜電晶體的影像顯示裝置。

如圖3所示，影像顯示裝置具有：上述的薄膜電晶體；形成於前述薄膜電晶體的前述源極電極7及前述汲極電極8上的層間絕緣膜9；形成於前述層間絕緣膜9上且電性連接於前述汲極電極8的像素電極10；及包含形成於前述像素電極10上的共用電極的顯示媒體。

就關於本實施形態的層間絕緣膜9而言，例如可列舉氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氧化鉭、氧化釔、氧化鉿、鉿鋁酸鹽、氧化鋯及氧化鈦等的無機材料、或者聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等的聚丙烯酸酯、聚乙烯醇(PVA)、聚苯乙烯(PS)、透明性聚醯亞胺、聚酯、環氧樹脂及聚乙烯基苯酚等的有機材料，但在本發明中並不限於此等材料。

層間絕緣膜9可以是和閘極絕緣體層4相同的材料，也可以是不同的材料。此等層間絕緣膜9可以用作單層，也可以使用積層有複數層者。

層間絕緣膜9可以使用真空蒸鍍法、離子鍍覆法、濺鍍法、雷射磨蝕法、電漿CVD法、光CVD法、熱線CVD法、旋轉塗布法、浸漬塗布法、網版印刷法等方法形成，但在本發明中並不限於此等方法。

關於本實施形態的像素電極10必須與薄膜電晶體的汲極電極8電性連接。具體而言，可舉用網版印刷法等的方法圖案印刷層間絕緣膜9，而在汲極電極8的部分不設置層間絕緣膜9的方法，或者全面塗布層間絕緣膜9，其後使用雷射光束等在層間絕緣膜9上開孔的方法等，但在本發明中並不限於此等方法。

就與本發明的薄膜電晶體組合的顯示媒體(顯示裝置)而言，可列舉電泳型反射顯示裝置、穿透型液晶顯示裝置、反射型液晶顯示裝置、半穿透型液晶顯示裝置、有機EL顯示裝置及無機EL顯示裝置等。

(實施例1)

本發明者製作了：影像顯示裝置(圖3)，其在閘極絕緣體層4上直接形成凹部11(實施例)，且用塗布法將半導體活性層(半導體層5)成膜；及影像顯示裝置(圖6)，其在閘極絕緣體層上另外形成隔牆(比較例)，且用塗布法將半導體活性層成膜；就兩者的特性的關係進行了檢討。

此外，本發明者使用氮氧化矽(SiON)作為閘極絕緣體層4的材料，使用In-Zn-O系氧化物作為半導體層5的材料，使用聚醯亞胺作為隔牆材料，製作了影像顯示裝置。

在基板1上用DC磁控濺鍍法將ITO形成100nm的膜，塗布感光性光阻劑，之後曝光，以顯影液進行顯影，用鹽酸進行蝕刻，以剝離液剝離感光性光阻劑，進行ITO的圖案化，製成閘極電極2及電容器電極3(以下稱為光微影法)。其次，用RF磁控濺鍍法將與基板1連接的由SiON構成的閘極絕緣體層4成膜(膜厚400nm)。成膜後，塗布感光性光阻劑，之後曝光，以顯影液進行顯影，用反應性離子蝕刻(以下稱為RIE)在閘極電極2的正上方，離間地在閘極絕緣體層4直接形成凹部11(蝕刻量40nm)。

其次，將In-Zn-O系氧化物溶液用噴墨法直接注入凹部11(膜厚40nm)。注入後，以400℃、30分鐘加熱板施以退火處理。再用RF磁控濺鍍法將由SiON構成的保護膜6成膜(膜厚80nm)。由於半導體層5與源極電極7、及半導體層5與汲極電極8需要電性接觸，所以以保護膜6只留在半導體層5中央的方式塗布感光性光阻劑後，曝光，以顯影液進行顯影，用RIE形成保護膜6。用DC磁控濺鍍法將ITO形成100nm的膜，形成源極電極7與汲極電極8。再用旋轉塗布法形成由環氧樹脂構成的層間絕緣膜9(3μm)，用光微影法形成成為汲極電極8與像素電極10接觸地方的開口部，用DC磁控濺鍍法將ITO形成膜厚100nm的膜，照所希望的形狀進行圖案化，製作作為像素電極10的薄膜電晶體。在製作出的薄膜電晶體上貼附電泳方式電子紙前面板作為顯示媒體12，製作出影像顯示裝置。

(比較例)

如圖5及圖6所示，在基板1上用DC磁控濺鍍法將ITO形成100nm的膜，用光微影法製成閘極電極2及電容器電極3。其次，用RF磁控濺鍍法製成與基板1連接的由SiON構成的閘極絕緣體層4(膜厚200nm)。接著，進行隔牆13的形成。全面旋轉塗布由Toray公司製造、Photoneece、商品名「DL-1000」所示的正型感光性聚醯亞胺。感光性聚醯亞胺以約40nm的厚度塗布成以隔牆13的高度為40nm。其次，對於全面塗布的感光性聚醯亞胺用光微影法曝光，進行顯影，形成配置於閘極絕緣體層4上的隔牆13。隔牆13的圖案以230℃、30分鐘烘箱進行烘烤。其次，將In-Zn-O系氧化物溶液用噴墨法直接注入凹部11(膜厚40nm)。注入後，用加熱板以400℃施以退火處理。再用RF磁控濺鍍法形成由SiON構成的保護膜6的膜(膜厚80nm)。半導體層5與源極電極7、及半導體層5與汲極電極8需要電性接觸，所以以保護膜6只留在半導體層5中央的方式塗布感光性光阻劑後，曝光，以顯影液進行顯影，用RIE形成保護膜6。用DC磁控濺鍍法將ITO形成100nm的膜，形成源極電極7與汲極電極8。再用旋轉塗布法形成由環氧樹脂構成的層間絕緣膜9(3μm)，用光微影法形成成為汲極電極8與像素電極10接觸地方的開口部，用DC磁控濺鍍法將ITO形成為膜厚100nm的膜，進行圖案化成所希望的形狀，製成像素電極10而製作出薄膜電晶體。在製作出的薄膜電晶體上貼附電泳方式電子紙前面板作為顯示媒體12，製作出影像顯示裝置。

驅動影像顯示裝置的結果，即使在未設置隔牆13的影像顯示裝置方面，也可以進行與設有隔牆13的影像顯示裝置同等良好的影像顯示。

藉由在閘極絕緣體層4上直接設置凹部11，可比習知的影像顯示裝置更節省隔牆13的製作步驟，並且用塗布法將半導體溶液於所希望的地方形成，可進行電晶體元件分離。結果，可謀求顯示穩定特性的薄膜電晶體之製造步驟的簡易化。

1．．．基板

2．．．閘極電極

3．．．電容器電極

4．．．閘極絕緣體層

5．．．半導體層

6．．．保護膜

7．．．源極電極

8．．．汲極電極

9．．．層間絕緣膜

10．．．像素電極

11．．．凹部

12．．．顯示媒體

13．．．隔牆

圖1為形成於位於關於依據本發明的實施形態的閘極電極正上方的閘極絕緣體層的凹部的部分剖面圖。

圖2為顯示關於依據本發明的實施形態的薄膜電晶體的大致1像素分的部分剖面圖。

圖3為使用了關於依據本發明的實施形態的薄膜電晶體的影像顯示裝置的概略平面圖。

圖4為關於依據本發明的實施形態的薄膜電晶體一部分的排列圖。

圖5為顯示關於比較例的薄膜電晶體的大致1像素分的部分剖面圖。

圖6為使用關於比較例的薄膜電晶體的影像顯示裝置的概略平面圖。

1．．．基板

2．．．閘極電極

3．．．電容器電極

4．．．閘極絕緣體層

5．．．半導體層

6．．．保護膜

7．．．源極電極

8．．．汲極電極

11．．．凹部

Claims (10)

1. 一種薄膜電晶體，其特徵在於：具有：基板；閘極電極，其積層於該基板上；閘極絕緣體層，其以覆蓋該基板上及該閘極電極上的方式形成；凹部，其係於該閘極絕緣體層之與形成有該閘極電極的面相對的面，形成在與該閘極電極對應的位置；半導體層，其僅形成於該閘極絕緣體層的該凹部內；及源極電極與汲極電極，其形成於該半導體層上，在互相分離的位置與該半導體層連接，該凹部係相互遠離地形成，該半導體層係相互遠離地形成，該半導體層之該源極電極及該汲極電極的連接，係該半導體層的上面與該源極電極及該汲極電極的下面相互連接之構造。
2. 如申請專利範圍第1項之薄膜電晶體，其中設有積層於該半導體層上的至少中央部的保護膜。
3. 如申請專利範圍第1或2項之薄膜電晶體，其中該凹部僅形成於可與閘極電極在厚度方向上對向的位置。
4. 如申請專利範圍第1項之薄膜電晶體，其中該半導體層係由以金屬氧化物為主要成分的材料構成。
5. 如申請專利範圍第1項之薄膜電晶體，其中該半導體層係由以有機物為主要成分的材料構成。
6. 一種影像顯示裝置，其特徵在於具有：如申請專利範圍第1至5項中任一項之薄膜電晶體；層間絕緣膜，其形成於該薄膜電晶體之該源極電極與該汲極電極上；像素電極，其形成於該層間絕緣膜上且電性連接於該汲極電極；及顯示媒體，其包含形成於該像素電極上的共用電極。
7. 如申請專利範圍第6項之影像顯示裝置，其中該顯示媒體為電泳型反射顯示裝置、穿透型液晶顯示裝置、反射型液晶顯示裝置、半穿透型液晶顯示裝置、有機EL顯示裝置及無機EL顯示裝置之任一裝置。
8. 一種薄膜電晶體之製造方法，係如申請專利範圍第1至5項中任一項之薄膜電晶體之製造方法，其特徵在於具有以下步驟：在基板上形成閘極電極的步驟；在該基板上及該閘極電極上形成閘極絕緣體層的步驟；在與該閘極電極對向的該閘極絕緣體層位置形成凹部的步驟；在該凹部內用塗布法形成半導體層的步驟；在該半導體層上的至少中央部形成保護膜的步驟；及以在該半導體層上的互相隔離的位置連接的方式形 成源極電極與汲極電極的步驟。
9. 如申請專利範圍第8項之薄膜電晶體之製造方法，其中該塗布法為凸版印刷、凹版印刷、平版印刷、反轉膠版印刷、網版印刷、噴墨、熱轉印印刷、點膠、旋轉塗布、模具塗布、微型凹版塗布、浸漬塗布之任一者。
10. 如申請專利範圍第8或9項之薄膜電晶體之製造方法，其中該凹部的形成係用乾式蝕刻法形成。