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TWI565097B - 發光二極體及其製造方法 - Google Patents

發光二極體及其製造方法 Download PDF

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TWI565097B
TWI565097B TW102105423A TW102105423A TWI565097B TW I565097 B TWI565097 B TW I565097B TW 102105423 A TW102105423 A TW 102105423A TW 102105423 A TW102105423 A TW 102105423A TW I565097 B TWI565097 B TW I565097B
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蕭家林
許乃偉
王德忠
楊宗育
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隆達電子股份有限公司
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Description

發光二極體及其製造方法
本發明係關於一種發光二極體，特別是關於一種具有低接觸電阻材料層的發光二極體。
發光二極體一般係形成一磊晶結構於絕緣基板上，此磊晶結構包含P型金屬電極、P型半導體層、發光層、N型半導體層以及N型金屬電極。在發光二極體中，絕緣基板例如可為藍寶石(sapphire)。由於上述發光二極體的P型金屬電極與N型金屬電極需製作於絕緣基板的同一平面，容易造成電流擁擠的問題，而降低發光二極體的發光效率及劣化發光二極體的操作電壓。
第1圖係繪示一種習知發光二極體100的剖面圖。發光二極體100包含基板110、N型半導體層120、發光層130、P型半導體層140、P型金屬電極150以及N型金屬電極160。在第1圖中，電流170係從P型金屬電極150開始，流經P型半導體層140、發光層130及N型半導體層120，到達N型金屬電極160。因為電流170總是採取電阻最小的路徑，所以容易在P型金屬電極150或N型金屬電極160附近產生電流擁擠的現象，如此將導致發光二極體100的發光效率。如第1圖所示，其中電流擁擠現象發生於N型金屬電極160。
第2圖係繪示一種習知發光二極體200的剖面結構及電流路徑的示意圖。發光二極體200包含基板210、N型 半導體層220、發光層230、P型半導體層240、透明導電層250、P型金屬電極260以及N型金屬電極270。在第2圖中，若透明導電層250的電阻值遠小於N型半導體層220的電阻值，則電流將依照路徑A，自P型金屬電極260流至N型金屬電極270，且在N型金屬電極270附近產生電流擁擠現象。若N型半導體層220的電阻值遠小於透明導電層250的電阻值，則電流將依照路徑B，自P型金屬電極260流至N型金屬電極270，且在P型金屬電極260附近產生電流擁擠現象。
由於產生電流擁擠現象，使得上述習知發光二極體在P型金屬電極或N型金屬電極具有最高的操作電壓。且在發光二極體中，這種不均勻的電流分布將造成色彩不均、光強度的提前飽和、以及元件可靠度不足。因此，亟需一種改良的發光二極體及其製造方法，以解決上述習知技術所造成的問題。
本發明係提供一種具有低接觸電阻材料層的發光二極體及其製造方法，用以解決習知技術的問題以及達到較佳的效能。
本發明之一態樣在於提供一種發光二極體。發光二極體包含一N型金屬電極；一N型半導體層，與N型金屬電極層接觸；一P型半導體層；一發光層，夾置於N型半導體層與P型半導體層之間；一低接觸電阻材料層，設置於P型半導體層之一部分表面上；一透明導電層，覆蓋於低 接觸電阻材料層及P型半導體層之上；以及一P型金屬電極，設置於透明導電層上。
本發明之另一態樣在於提供一種發光二極體的製造方法。上述發光二極體的製造方法，包含提供一基板；形成一具有一第一區域和一第二區域之平台狀N型半導體層於基板上，其中第一區域高於第二區域；形成一發光層於N型半導體層之第一區域上；形成一P型半導體層於發光層上；形成一低接觸電阻材料層於P型半導體層之一部分表面上；形成一透明導電層於低接觸電阻材料層及P型半導體層之上；以及分別形成一N型電極於未被發光層覆蓋的N型半導體層上，及形成一P型金屬電極於透明導電層上。上述發光二極體係呈平台狀，其P型金屬電極與N型金屬電極位於基板之相同側。
本發明之再一態樣在於提供一種發光二極體的製造方法。上述發光二極體的製造方法，包含提供一N型半導體，具有位在相異側的一第一表面以及一第二表面；形成一發光層於N型半導體層之第一表面上；形成一P型半導體層於發光層上；形成一低接觸電阻材料層於P型半導體層之周圍；形成一透明導電層於低接觸電阻材料層及P型半導體層之上；以及分別形成一P型金屬電極於透明導電層上，及形成於一N型金屬電極於N型半導體層之該二表面上。上述發光二極體係呈垂直狀，其P型金屬電極與N型金屬電極位於N型半導體之相異側。
在下文中會列舉本發明之較佳實施例以說明本發明之發光二極體及其製造方法，但非用以限制本發明。在圖式或描述中，相似或相同的部分係使用相同之符號或編號。並且本發明之應用非侷限於下文中的實施例，習知技藝者當可據以應用於相關領域。
在前述第2圖中，根據透明導電層250與N型半導體層220之間的電阻值差異，自P型金屬電極260至N型金屬電極270的電流路徑可粗略分為路徑A及路徑B。
若透明導電層250的電阻值遠小於N型半導體層220的電阻值，則電流將依照路徑A，自P型金屬電極260流至N型金屬電極270，且在N型金屬電極270附近產生電流擁擠現象。若N型半導體層220的電阻值遠小於透明導電層250的電阻值，則電流將依照路徑B，自P型金屬電極260流至N型金屬電極270，且在P型金屬電極260附近產生電流擁擠現象。
第3A圖係根據本發明之一實施例所繪示之發光二極體300a之剖面圖，其中箭頭表示電流路徑。發光二極體300a包含基板310、N型半導體層320、發光層330、P型半導體層340、低接觸電阻材料層350a、透明導電層360、P型金屬電極370以及N型金屬電極380。
在第3A圖中，N型半導體層320設置於基板310上。N型半導體層320具有第一區域321及第二區域322，第二區域322為一平台結構，其中第一區域321高於第二區域322。發光層330及P型半導體層340係依序形成於第一區域321，且N型金屬電極380係設置於第二區域322上。低接觸電阻材料層350a設置於P型半導體層340之一 部份表面上，且靠近N型金屬電極380。透明導電層360覆蓋於低接觸電阻材料層350a及P型半導體層340之上。P型金屬電極370設置於透明導電層360上。
若N型半導體層320的電阻值遠小於透明導電層360的電阻值，則電流將依照如第2圖所示之路徑B，自P型金屬電極370流至N型金屬電極380，且在P型金屬電極370附近產生電流擁擠現象。此時如第3A圖所示，將低接觸電阻材料層350a設置靠近N型金屬電極380，可以降低N型半導體層320與透明導電層360之間的電阻值差異，使電流均勻分布在P型金屬電極370與N型金屬電極380之間的垂直投影區域。
根據本發明之一實施例，如第4A圖所示，發光二極體400a更包含金屬銦接觸層410。金屬銦接觸層410設置於P型半導體層340上，且透明導電層360覆蓋於低接觸電阻材料層350a及金屬銦接觸層410之上。其中低接觸電阻材料層350a接觸P型半導體層340。根據本發明之一實施例，金屬銦接觸層410係為銦錫氧化物層。
根據本發明之一實施例，如第4C圖所示，發光二極體400c更包含金屬銦接觸層410。金屬銦接觸層410設置於P型半導體層340與低接觸電阻材料層350c之間，且透明導電層360覆蓋於低接觸電阻材料層350c及金屬銦接觸層410之上。根據本發明之一實施例，金屬銦接觸層410係為銦錫氧化物層。
第3B圖係根據本發明之一實施例所繪示之發光二極體300b之剖面圖，其中箭頭表示電流路徑。上述發光二極體300b包含基板310、N型半導體層320、發光層330、P 型半導體層340、低接觸電阻材料層350b、透明導電層360、P型金屬電極370以及N型金屬電極380。
在第3B圖中，N型半導體層320設置於基板310上。N型半導體層320具有第一區域321及第二區域322，第二區域322為一平台結構，其中第一區域321高於第二區域322。發光層330及P型半導體層340係依序形成於第一區域321，且N型金屬電極380係設置於第二區域322上。低接觸電阻材料層350b設置於P型半導體層340之一部份表面上，且靠近P型金屬電極370。透明導電層360覆蓋於低接觸電阻材料層350b及P型半導體層340之上。P型金屬電極370設置於透明導電層360上。
若透明導電層360的電阻值遠小於N型半導體層320的電阻值，則電流將依照如第2圖所示之路徑A，自P型金屬電極370流至N型金屬電極380，且在N型金屬電極380附近產生電流擁擠現象。此時如第3B圖所示，將低接觸電阻材料層350b設置靠近P型金屬電極370，可以降低N型半導體層320與透明導電層360之間的電阻值差異，使電流均勻分布在P型金屬電極370與N型金屬電極380之間的垂直投影區域。
根據本發明之一實施例，如第4B圖所示，發光二極體400b更包含金屬銦接觸層410。金屬銦接觸層410設置於P型半導體層340上，且透明導電層360覆蓋於低接觸電阻材料層350b及金屬銦接觸層410之上。其中低接觸電阻材料層350b接觸P型半導體層340。根據本發明之一實施例，金屬銦接觸層410係為銦錫氧化物層。
根據本發明之一實施例，如第4D圖所示，發光二極體400d更包含金屬銦接觸層410。金屬銦接觸層410設置於P型半導體層340與低接觸電阻材料層350d之間，且透明導電層360覆蓋於低接觸電阻材料層350d及金屬銦接觸層410之上。根據本發明之一實施例，金屬銦接觸層410係為銦錫氧化物層。
第5A圖係根據本發明之一實施例所繪示之發光二極體500的剖面圖。發光二極體500包含N型金屬電極510、N型半導體層520、發光層530、P型半導體層540、低接觸電阻材料層550、透明導電層560以及P型金屬電極570。
在第5A圖中，N型半導體層520與N型金屬電極接觸。發光層530夾置於N型半導體層520與P型半導體層540之間。低接觸電阻材料層550設置於P型半導體層540之一部份表面上。透明導電層560覆蓋於低接觸電阻材料層550及P型半導體層540之上。P型金屬電極570設置於透明導電層560上。其中，N型金屬電極510與P型金屬電極570係分別設置於發光層530之相異側。
第5B圖係根據本發明之一實施例所繪示之發光二極體500的俯視圖。在第5B圖中，P型金屬電極570係設置於透明導電層560之中央處，且低接觸電阻材料層550係完全環繞P型金屬電極570。根據本發明之一實施例，低接觸電阻材料層係部份環繞P型金屬電極。
第6A圖係根據本發明之一實施例所繪示之發光二極體600a的俯視圖。在第6A圖中，發光二極體600a包含N型金屬電極610a、N型半導體層620a、透明導電層630a、 P型金屬電極640a及低接觸電阻材料層650a。其中，低接觸電阻材料層650a係呈條狀，其平行排列於透明導電層630a上，且靠近N型金屬電極610a。
第6B圖係根據本發明之一實施例所繪示之發光二極體600b的俯視圖。在第6B圖中，發光二極體600b包含N型金屬電極610b、N型半導體層620b、透明導電層630b、P型金屬電極640b及低接觸電阻材料層650b。其中，低接觸電阻材料層650b係呈條狀，其平行排列於透明導電層630b上，且靠近N型金屬電極610b。
第6C圖係根據本發明之一實施例所繪示之發光二極體600c的俯視圖。在第6C圖中，發光二極體600c包含N型金屬電極610c、N型半導體層620c、透明導電層630c、P型金屬電極640c及低接觸電阻材料層650c。其中，低接觸電阻材料層650c係呈網狀，其平行排列於透明導電層630c上，且靠近N型金屬電極610c。
第6D圖係根據本發明之一實施例所繪示之發光二極體600d的俯視圖。在第6D圖中，發光二極體600d包含N型金屬電極610d、N型半導體層620d、透明導電層630d、P型金屬電極640d及低接觸電阻材料層650d。其中，低接觸電阻材料層650d係呈網狀，其平行排列於透明導電層630d上，且靠近N型金屬電極610d。
第6E圖係根據本發明之一實施例所繪示之發光二極體600e的俯視圖。在第6E圖中，發光二極體600e包含N型金屬電極610e、N型半導體層620e、透明導電層630e、P型金屬電極640e及低接觸電阻材料層650e。其中，低接 觸電阻材料層650e係呈條狀，其平行排列於透明導電層630e上，且靠近N型金屬電極610e。值得注意的是，愈靠近N型金屬電極610e，低接觸電阻材料層650e之寬度愈寬。
第6F圖係根據本發明之一實施例所繪示之發光二極體600f的俯視圖。在第6F圖中，發光二極體600f包含N型金屬電極610f、N型半導體層620f、透明導電層630f、P型金屬電極640f及低接觸電阻材料層650f。其中，低接觸電阻材料層650f係呈條狀，其平行排列於透明導電層630f上，且靠近N型金屬電極610f。值得注意的是，愈靠近N型金屬電極610f，低接觸電阻材料層650f之寬度愈寬。
第6G圖係根據本發明之一實施例所繪示之發光二極體600g的俯視圖。在第6G圖中，發光二極體600g包含N型金屬電極610g、N型半導體層620g、透明導電層630g、P型金屬電極640g及低接觸電阻材料層650g。其中，低接觸電阻材料層650g係呈條狀，其平行排列於透明導電層630g上，且靠近N型金屬電極610g。值得注意的是，愈靠近N型金屬電極610g，低接觸電阻材料層650g之間距愈小。
第6H圖係根據本發明之一實施例所繪示之發光二極體600h的俯視圖。在第6H圖中，發光二極體600h包含N型金屬電極610h、N型半導體層620h、透明導電層630h、P型金屬電極640h及低接觸電阻材料層650h。其中，低接觸電阻材料層650h係呈條狀，其平行排列於透明導電層630h上，且靠近N型金屬電極610h。值得注意的是，愈 靠近N型金屬電極610h，低接觸電阻材料層650h之間距愈小。
第6I圖係根據本發明之一實施例所繪示之發光二極體600i的俯視圖。在第6I圖中，發光二極體600i包含N型金屬電極610i、N型半導體層620i、透明導電層630i、P型金屬電極640i及低接觸電阻材料層650i。其中，低接觸電阻材料層650i係呈方框狀，且完全環繞P型金屬電極640i。
第6J圖係根據本發明之一實施例所繪示之發光二極體600j的俯視圖。在第6J圖中，發光二極體600j包含N型金屬電極610j、N型半導體層620j、透明導電層630j、P型金屬電極640j及低接觸電阻材料層650j。其中，低接觸電阻材料層650j係呈多重方框狀，且完全環繞P型金屬電極640j。
第6K圖係根據本發明之一實施例所繪示之發光二極體600k的俯視圖。在第6K圖中，發光二極體600k包含N型金屬電極610k、N型半導體層620k、透明導電層630k、P型金屬電極640k、低接觸電阻材料層650k。其中，低接觸電阻材料層650k係呈網格方框狀，且完全環繞P型金屬電極640k。
第6M圖係根據本發明之一實施例所繪示之發光二極體600m的俯視圖。在第6M圖中，發光二極體600m包含N型金屬電極610m、N型半導體層620m、透明導電層630m、P型金屬電極640m及低接觸電阻材料層650m。其中，低接觸電阻材料層650m係呈ㄇ字狀，部份環繞P型 金屬電極640m，且開口朝向N型金屬電極610m。
第6N圖係根據本發明之一實施例所繪示之發光二極體600n的俯視圖。在第6N圖中，發光二極體600n包含N型金屬電極610n、N型半導體層620n、透明導電層630n、P型金屬電極640n及低接觸電阻材料層650n。其中，低接觸電阻材料層650n係呈圓孔狀，其平行排列於透明導電層630n上，且靠近N型金屬電極610n。
第6O圖係根據本發明之一實施例所繪示之發光二極體600o的俯視圖。在第6O圖中，發光二極體600o包含N型金屬電極610o、N型半導體層620o、透明導電層630o、P型金屬電極640o及低接觸電阻材料層650o。其中，低接觸電阻材料層650o係呈圓孔狀，其平行排列於透明導電層630o上，且靠近N型金屬電極610o。
第6P圖係根據本發明之一實施例所繪示之發光二極體600p的俯視圖。在第6P圖中，發光二極體600p包含N型金屬電極610p、N型半導體層620p、透明導電層630p、P型金屬電極640p、低接觸電阻材料層650p。其中，低接觸電阻材料層650p係呈圓孔方框狀，且完全環繞P型金屬電極640p。
根據本發明之一實施例，低接觸電阻材料層之材料係為鎳、金、鉻、鉑、銠、鈦、鋁、銀、銅或其組合之金屬或石墨烯。
根據本發明之一實施例，低接觸電阻材料層之厚度介於0.1奈米至1000奈米。
根據本發明之實施例，低接觸電阻材料層包含如第7 圖之700a-700e所示之態樣。
第8A圖至第8H圖係根據本發明之一實施例所繪示之製作發光二極體800之剖面圖。在第8A圖中，提供基板810。接著形成N型半導體層820於基板810上，如第8B圖所示，其中N型半導體層820具有第一區域821及第二區域822。在第8C圖中，形成發光層830於N型半導體層820上。在第8D圖中，形成P型半導體層840於發光層830上。
在第8E圖中，藉由一蝕刻步驟，移除N型半導體層820之第二區域822上的P型半導體層840、發光層830及一部分N型半導體層820，使N型半導體層820之第一區域821高於第二區域822。接著形成低接觸電阻材料層850在P型半導體層840之一部份表面上，如第8F圖所示。再形成透明導電層860於低接觸電阻材料層850及P型半導體層840上，如第8G圖所示。在第8H圖中，形成P型金屬電極870於透明導電層860上，以及形成N型金屬電極880於N型半導體層820的第二區域822上，以形成發光二極體800。其中發光二極體800屬於平台型的發光二極體結構，其P型金屬電極870與N型金屬電極880係位於基板810之相同側。
根據本發明之一實施例，低接觸電阻材料層850係環繞P型金屬電極870或設置於P型金屬電極870與N型金屬電極880垂直投影位置之間之區域。
根據本發明之一實施例，低接觸電阻材料層850係呈圓孔狀、條狀、網狀或其組合。
根據本發明之一實施例，低接觸電阻材料層850之材料係為鎳、金、鉻、鉑、銠、鈦、鋁、銀、銅或其組合之金屬或石墨烯。
根據本發明之一實施例，低接觸電阻材料層850之厚度介於0.1奈米至1000奈米。
根據本發明之一實施例，發光二極體800更包含形成金屬銦接觸層於P型半導體層840與低接觸電阻材料層850之間，且覆蓋透明導電層860於低接觸電阻材料層850及金屬銦接觸層之上。根據本發明之一實施例，金屬銦接觸層係為銦錫氧化物層。
第9A圖至第9F圖係根據本發明之一實施例所繪示之製作發光二極體900之剖面圖。在第9A圖中，提供N型半導體層910，具有位在相異側的一第一表面911以及一第二表面912。形成發光層920於N型半導體層910之911第一表面上，如第9B圖所示。接著在第9C圖中，形成P型半導體層930於發光層920上。
在第9D圖中，形成低接觸電阻材料層940於P型半導體層930之周圍。接著形成透明導電層950於低接觸電阻材料層940及P型半導體層930之上，如第9E圖所示。在第9F圖中，形成P型金屬電極960於透明導電層950上，以及形成N型金屬電極970於N型半導體層910之第二表面912上，以形成發光二極體900。其中發光二極體900屬於垂直型的發光二極體結構，其P型金屬電極960與N型金屬電極970係位於N型半導體層910之相異側。
根據本發明之一實施例，低接觸電阻材料層940係完 全或部分環繞P型金屬電極960。
根據本發明之一實施例，低接觸電阻材料層940係呈圓孔狀、條狀、網狀或其組合。
根據本發明之一實施例，低接觸電阻材料層940之材料係為鎳、金、鉻、鉑、銠、鈦、鋁、銀、銅或其組合之金屬或石墨烯。
根據本發明之一實施例，低接觸電阻材料層940之厚度介於0.1奈米至1000奈米。
雖然本發明之實施例已揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可做些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當以後附之申請專利範圍所界定為準。
100、200、300a、300b、400a、400b、400c、400d、500、600a-600k、600m-600p、800、900‧‧‧發光二極體
110、210、310、810‧‧‧基板
120、220、320、520、620a-620k、620m-620p、820、910‧‧‧N型半導體層
130、230、330、530、830、920‧‧‧發光層
140、240、340、540、840、930‧‧‧P型半導體層
150、260、370、570、640a-640k、640m-640p、870、960‧‧‧P型金屬電極
160、270、380、510、610a-610k、610m-610p、880、970‧‧‧N型金屬電極
170‧‧‧電流
250、360、560、630a-630k、630m-630p、860、950‧‧‧透明導電層
321、821‧‧‧第一區域
322、822‧‧‧第二區域
350a、350b、350c、350d、550、650a-650k、650m-650m、850、940‧‧‧低接觸電阻材料層
410‧‧‧金屬銦接觸層
700a-700e‧‧‧低接觸電阻材料層之態樣
911‧‧‧第一表面
912‧‧‧第二表面
A、B‧‧‧路徑
為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下：第1圖係繪示一種習知發光二極體100的剖面圖，其中箭頭表示電流路徑；第2圖係繪示一種習知發光二極體200的剖面圖，其中箭頭表示電流路徑；第3A圖係根據本發明之一實施例所繪示之發光二極體300a之剖面圖，其中箭頭表示電流路徑；第3B圖係根據本發明之一實施例所繪示之發光二極體300b之剖面圖，其中箭頭表示電流路徑；第4A圖係根據本發明之一實施例所繪示之發光二極 體400a之剖面圖；第4B圖係根據本發明之一實施例所繪示之發光二極體400b之剖面圖；第4C圖係根據本發明之一實施例所繪示之發光二極體400c之剖面圖；第4D圖係根據本發明之一實施例所繪示之發光二極體400d之剖面圖；第5A圖係根據本發明之一實施例所繪示之發光二極體500的剖面圖；第5B圖係根據本發明之一實施例所繪示之發光二極體500的俯視圖；第6A-6K圖及第6M-6P圖係根據本發明之一實施例所繪示之發光二極體600a-600k及600m-600p的俯視圖；第7圖係根據本發明之實施例所繪示低接觸電阻材料層之態樣700a-700e；第8A圖至第8H圖係根據本發明之一實施例所繪示之製作發光二極體800之剖面圖；以及第9A圖至第9F圖係根據本發明之一實施例所繪示之製作發光二極體900之剖面圖。
300a‧‧‧發光二極體
310‧‧‧基板
320‧‧‧N型半導體層
321‧‧‧第一區域
322‧‧‧第二區域
330‧‧‧發光層
340‧‧‧P型半導體層
350a‧‧‧低接觸電阻材料層
360‧‧‧透明導電層
370‧‧‧P型金屬電極
380‧‧‧N型金屬電極

Claims (21)

  1. 一種發光二極體，包含：一N型金屬電極；一N型半導體層，與該N型金屬電極接觸，其中該N型半導體層包含一平台結構，具有一第一區域以及一第二區域，其中該第一區域高於該第二區域，而該N型金屬電極則係設置於該平台結構之該第二區域上；一P型半導體層；一發光層，夾置於該N型半導體層與該P型半導體層之間，且該發光層以及該P型半導體層是形成於該第一區域上；一低接觸電阻材料層，設置於該P型半導體層之一部分表面上，且環繞該P型金屬電極；一透明導電層，覆蓋於該低接觸電阻材料層及該P型半導體層之上；以及一P型金屬電極，設置於該透明導電層上。
  2. 一種發光二極體，包含：一N型金屬電極；一N型半導體層，與該N型金屬電極接觸，其中該N型半導體層包含一平台結構，具有一第一區域以及一第二區域，其中該第一區域高於該第二區域，而該N型金屬電極則係設置於該平台結構之該第二區域上；一P型半導體層； 一發光層，夾置於該N型半導體層與該P型半導體層之間，且該發光層以及該P型半導體層是形成於該第一區域上；一低接觸電阻材料層，設置於該P型半導體層之一部分表面上，且靠近P型金屬電極；一透明導電層，覆蓋於該低接觸電阻材料層及該P型半導體層之上；以及一P型金屬電極，設置於該透明導電層上。
  3. 如請求項2所述之發光二極體，其中該低接觸電阻材料層位於該P型金屬電極之下方。
  4. 如請求項2所述之發光二極體，其中該透明導電層之電阻值小於該N型半導體層之電阻值。
  5. 如請求項1或2所述之發光二極體，其中該N型金屬電極與該P型金屬電極係分別位在該發光層相反之兩邊。
  6. 如請求項1所述之發光二極體，其中該低接觸電阻材料層係完全或部分環繞該P型金屬電極。
  7. 如請求項1、2、3、4或6所述之發光二極體，其中該低接觸電阻材料層係呈圓孔狀、條狀、網狀或其組合。
  8. 如請求項1或2所述之發光二極體，其中該低接觸電阻材料層係為鎳、金、鉻、鉑、銠、鈦、鋁、銀、銅或其組合之金屬或石墨烯。
  9. 如請求項1或2所述之發光二極體，其中該低接觸電阻材料層之厚度介於0.1奈米至1000奈米。
  10. 如請求項1或2所述之發光二極體，更包含一金屬銦接觸層，設置於該P型半導體層與該低接觸電阻材料層之間，且該透明導電層覆蓋於該低接觸電阻材料層及該金屬銦接觸層之上。
  11. 如請求項10所述之發光二極體，其中該金屬銦接觸層為一銦錫氧化物層。
  12. 一種發光二極體的製造方法，包含：提供一基板；形成一具有一第一區域和一第二區域之平台狀N型半導體層於該基板上，其中該第一區域高於該第二區域；形成一發光層於該N型半導體層之該第一區域上；形成一P型半導體層於該發光層上；形成一低接觸電阻材料層於該P型半導體層之一部分表面上，且環繞該P型金屬電極或靠近該P型金屬電極；形成一透明導電層於該低接觸電阻材料層及該P型半導體層之上；以及 分別形成一N型金屬電極於該N型半導體層的該第二區域上，及形成一P型金屬電極於該透明導電層上。
  13. 如請求項12所述之製造方法，其中該低接觸電阻材料層係呈圓孔狀、條狀、網狀或其組合。
  14. 如請求項12所述之製造方法，其中該低接觸電阻材料層之材料係為鎳、金、鉻、鉑、銠、鈦、鋁、銀、銅或其組合之金屬或石墨烯。
  15. 如請求項12所述之製造方法，其中該低接觸電阻材料層之厚度介於0.1奈米至1000奈米。
  16. 如請求項12所述之製造方法，更包含形成一金屬銦接觸層於該P型半導體層與該低接觸電阻材料層之間，且覆蓋該透明導電層於該低接觸電阻材料層及該金屬銦接觸層之上。
  17. 如請求項16所述之製造方法，其中該金屬銦接觸層為一銦錫氧化物層。
  18. 一種發光二極體的製造方法，包含：提供一N型半導體層，具有位在相異側的一第一表面以及一第二表面；形成一發光層於該N型半導體層之該第一表面上；形成一P型半導體層於該發光層上； 形成一低接觸電阻材料層於該P型半導體層之周圍，其中該低接觸電阻材料層係完全環繞該P型金屬電極；形成一透明導電層於該低接觸電阻材料層及該P型半導體層之上；以及分別形成一P型金屬電極於該透明導電層上，及形成一N型金屬電極於該N型半導體層之該第二表面上。
  19. 如請求項18所述之製造方法，其中該低接觸電阻材料層係呈圓孔狀、條狀、網狀或其組合。
  20. 如請求項18所述之製造方法，其中該低接觸電阻材料層之材料係為鎳、金、鉻、鉑、銠、鈦、鋁、銀、銅或其組合之金屬或石墨烯。
  21. 如請求項18所述之製造方法，其中該低接觸電阻材料層之厚度介於0.1奈米至1000奈米。
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