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TWI553381B - 顯示面板 - Google Patents

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TWI553381B
TWI553381B TW104104282A TW104104282A TWI553381B TW I553381 B TWI553381 B TW I553381B TW 104104282 A TW104104282 A TW 104104282A TW 104104282 A TW104104282 A TW 104104282A TW I553381 B TWI553381 B TW I553381B
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TW
Taiwan
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layer
substrate
display panel
light
active layer
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TW104104282A
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TW201629587A (zh
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賴曉萍
呂昭良
顏子旻
謝朝樺
Original Assignee
群創光電股份有限公司
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Publication date
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Priority to US15/018,861 priority patent/US9704892B2/en
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Description

顯示面板
本發明是有關於一種顯示面板，且特別是有關於一種具有高開口率之顯示面板。
隨著顯示技術的快速發展，不論面板尺寸大小，高解析度(即相同尺寸下被要求更高畫素)的顯示器以逐漸成為市場主流，其能夠處理數位訊號，並顯示更多的畫面細節。
然而，當解析度越高，往往會犧牲畫素的開口率。在此，開口率是指除去每個畫素的配線部、電晶體部之後，光的穿透面積與每個畫素的整體面積之間的比例。開口率越高，光線通過部分的面積越大，光穿透的效率就越高。在現有技術中，薄膜電晶體(Thin Film transistor,TFT)基板/彩色濾光片(Color Filter,CF)基板進行對組時，雖然可根據對位標記進行對準，但是，基板上的諸多元件在對組過程中會出現大小變化、旋轉、變形等問題，如此一來，這些元件的對組精度往往無法控制，進而影響到產品的開口率。
因此，如何維持顯示面板之對組精度，且兼顧高的開口率，以達到顯示器省電節能的目的，實為本領域積極研究的目標。
本發明係有關於一種顯示面板，透過在基板上設置一金屬層與抗反射結構，可縮小遮光矩陣的面積，有效提升顯示面板之開口率。
根據本發明，提出一種顯示面板，包括一第一基板、一第二基板以及一顯示介質層。第一基板包括一底板、一閘極、一主動層、一源極與一汲極及一遮蔽結構。閘極設置於底板上，主動層與閘極電性絕緣且對應設置，源極與汲極電性連接主動層，遮蔽結構位於主動層上，並覆蓋至少部分之主動層。遮蔽結構包括一金屬層及一抗反射結構，抗反射結構直接接觸金屬層。顯示介質層設置於第一基板與第二基板之間。
為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
1、2、3、4、5‧‧‧顯示面板
101、102、103‧‧‧第一基板
10‧‧‧底板
21‧‧‧閘極
21G‧‧‧閘極線
22‧‧‧源極
22D‧‧‧資料線
23‧‧‧汲極
27‧‧‧貫孔
30‧‧‧主動層
40‧‧‧閘極絕緣層
50‧‧‧遮蔽結構
500‧‧‧金屬層
501‧‧‧抗反射結構
502‧‧‧側壁
51‧‧‧第一抗反射層
52‧‧‧第二抗反射層
502‧‧‧邊緣傾斜處
61‧‧‧第一保護層
62‧‧‧第二保護層
63‧‧‧平坦層
71‧‧‧第一電極
72‧‧‧第二電極
200、201‧‧‧第二基板
80‧‧‧底板
81‧‧‧彩色濾光片
82、82’‧‧‧遮光矩陣
82-1‧‧‧第一遮光部
82-2‧‧‧第二遮光部
82-2(T)‧‧‧條狀部
82-2(P)‧‧‧凸出部
83‧‧‧第一開口部
86‧‧‧平坦層
300‧‧‧顯示介質層
90‧‧‧間隔物
L1、L2、L3‧‧‧光線
R1、R2、R3‧‧‧反射光
M1、M2‧‧‧介質
A-A’、B-B’、C-C’‧‧‧剖線面
X、Y、Z‧‧‧座標軸
第1A圖繪示本發明第一實施例之顯示面板的部分剖面圖。
第1B圖繪示本發明第一實施例之顯示面板的部分俯視圖。
第2A~2C圖繪示本發明之遮蔽層的不同實施例。
第3A圖繪示本發明第二實施例之顯示面板的部分剖面圖。
第3B圖繪示本發明第二實施例之顯示面板的部分俯視圖。
第4圖繪示本發明第三實施例之顯示面板的部分剖面圖。
第5A圖繪示本發明第四實施例之顯示面板的部分剖面圖。
第5B圖繪示本發明第四實施例之顯示面板的部分俯視圖。
第6圖繪示本發明第五實施例之顯示面板的部分剖面圖。
第7A~7C圖繪示以固定厚度之鋁-銅之氮化物(Al-Cu-N)/不同厚度之氧化銦鋅(IZO)，對於不同波長光線之反射率的量測結果。
第8圖繪示鋁(Al)以及鋁-釹(Al-Nd)合金，對於不同波長光線之反射率的量測結果。
以下係參照所附圖式詳細敘述本發明之實施例。圖式中相同的標號係用以標示相同或類似之部分。需注意的是，圖式係已簡化以利清楚說明實施例之內容，圖式上的尺寸比例並非按照實際產品等比例繪製，因此並非作為限縮本發明保護範圍之用。
本發明實施例之顯示面板可包括一第一基板、一第二基板以及一顯示介質層。第二基板與第一基板相對設置，顯示介質層設置於第一基板與第二基板之間。舉例來說，第一基板可例如為一薄膜電晶體基板，第二基板可例如為一彩色濾光片基板，顯示介質層可例如為一液晶層，但本發明並未限定於此。
在本發明實施例中，第一基板可包括一底板、一閘極、一主動層、一源極與一汲極及一遮蔽結構。閘極設置於底板上，主動層與閘極電性絕緣且對應設置，源極與汲極係電性連接主動層，遮蔽結構位於主動層上且覆蓋至少部分之主動層。遮蔽結構包括一金屬層與一抗反射結構，抗反射結構係直接接觸金屬層。
以下係以第一至第五實施例，詳細敘述本發明之顯示面板的不同實施方式。
第一實施例
第1A圖繪示本發明第一實施例之顯示面板1的部分剖面圖。第1B圖繪示本發明第一實施例之顯示面板1的部分俯視圖。在此，第1A圖係為沿著第1B圖之A-A’剖面線所繪示之顯示面板1的剖面示意圖。
如第1A、1B圖所示，顯示面板1可包括一第一基板101、一第二基板200以及一顯示介質層300。第二基板200與第一基板101相對設置，顯示介質層300設置於第一基板101與第二基板200之間。顯示介質層300中的顯示介質，例如可為液晶或有機發光層。此外，顯示面板1也可包括間隔物90，設置於第一基板101與第二基板200之間。
本發明第一實施例之第一基板101包括一底板10、一閘極21、一主動層30、一源極22與一汲極23、一閘極絕緣層40及一遮蔽結構50。閘極21、主動層30、源極22、汲極23與閘極絕緣層40構成一電晶體。閘極21設置於底板10上，主動層30與閘極21對應設置，源極22與汲極 23係電性連接主動層30。主動層30與閘極21可為電性絕緣且相對設置，例如此實施例中，閘極絕緣層40設置於閘極21與主動層30之間。
在本實施例中，底板10可例如為一玻璃基板或一可撓式基板(例如塑膠)。主動層30可為一非晶矽(a-Si)層、一多晶矽層或一金屬氧化物層。適用於主動層的金屬氧化物層，例如可為氧化銦鎵鋅(indium gallium zinc oxide,IGZO)層。此外，遮蔽結構50為一兩層或多層結構。
第2A~2C圖繪示本發明之遮蔽結構50的不同實施例。遮蔽結構50可包括一金屬層500與一抗反射結構501，抗反射結構501可設置於金屬層500上方，並直接接觸金屬層500。光線經由抗反射結構501產生之反射光與經由金屬層500產生之反射光會進行破壞性干涉，降低遮蔽層50的整體反射率。
舉例來說，如第2A圖所示，光線L1由介質M1進入介質M2時會折射成為光線L2，同時在介質M1、M2的介面產生反射光R1，光線L2由介質M2進入抗反射結構501時會折射成為光線L3，同時在介質M2與抗反射結構501的介面產生反射光R2，光線L3經由金屬層500之反射會產生反射光R3。在此，介質M1例如為空氣，介質M2例如為玻璃。抗反射結構501的折射率與金屬層500的折射率為不同，使得在抗反射結構501之介面所產生的反射光R2與在金屬層500之介面所產生的反射光R3產生光程差，而造成非建設性干涉(或破壞性干涉)。抗反射結構501的折射率可為大於或小於金屬層500的折射率。
本發明實施例中，金屬層500的材料可選自由鋁(Al)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鐵(Fe)、釹(Nd)、其合金、 及其混合物所組成的群組。亦即，金屬層500可為前述金屬、前述金屬之合金、或前述金屬及前述合金之混合物。舉例來說，當金屬層500為合金時，可例如為鋁合金、鎳合金或銅合金。
抗反射結構501的材料可選自由一金屬氧化物、一金屬氮化物、一金屬合金氧化物、一金屬合金氮化物、及其混合物所組成之族群。例如，抗反射結構可包括氧化銦錫(indium tin oxide,ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide,IZO)。
再者，抗反射結構501的材料所包括的金屬，可與金屬層500所包括的金屬為相同金屬。例如，抗反射結構501可為金屬層500之材料的氧化物或氮化物，並且，可藉由使金屬層500進行氧化或氮化，而形成抗反射結構。具體而言，當金屬層500為鋁，抗反射結構501可為鋁的氧化物或氮化物。又例如，當金屬層500為合金，抗反射結構501可為此合金的氧化物、或此合金的氮化物。具體而言，當金屬層500為鋁鎳合金，抗反射結構501可為鋁鎳合金的氧化物或氮化物。當金屬層500為鋁銅合金，抗反射結構501可為鋁銅合金的氧化物或氮化物。
如第2B圖所示，抗反射結構501設置於金屬層500的上方，且抗反射結構501可完全覆蓋金屬層500，並且覆蓋金屬層500的側壁502。這樣的結構能有效避免金屬層500之傾斜(taper)的側壁502反射率過高的問題。
此外，抗反射結構501也可為一兩層或多層結構。舉例來說，如第2C圖所示，抗反射結構501可包括一第一抗反射層51與一第二抗反射層52，第一抗反射層51與第二抗反射層52係分別設置於金屬層500 的兩側。在本實施例中，第一抗反射層51位於金屬層500之上側，可降低來自顯示面板1外部之自然光反射，第二抗反射層52位於金屬層500之位於下側，可降低來自背光模組(未繪示)之光源反射。在此，上側可表示接近第二基板200的出光側，下側可表示遠離此出光側的另一側。
然而，本發明並未限定抗反射結構501的層數，也就是說，抗反射結構501可包括更多的抗反射層。抗反射結構501可位於金屬層500的上側或下側，或者可同時位於金屬的上側及下側。並且，抗反射結構501的層數並沒有限制。當抗反射結構501包括多層抗反射層時，以多層抗反射層位於金屬層500的上側為例，多層抗射層中之每一層的折射率n值並沒有一定限制，例如，n值可為朝向出光側而漸漸變大或漸漸變小。或者，n值也可是大/小/大/小...交錯排列。
在本發明第一實施例中，第一基板101更可包括一第一保護層61、一第一電極71及一第二電極72。第一保護層61位於主動層30與遮蔽結構50之間，第一電極71接觸汲極23，第二電極72設置於第一保護層61上。此外，遮蔽結構50可具有如第2C圖所繪示之結構，也就是說，遮蔽結構50之抗反射結構501(第二抗反射層52)可直接接觸第一保護層61。金屬層500與抗反射結構501能有效遮蔽主動層30。
第一電極71與第二電極72可為透明導電層，例如氧化銦錫或氧化銦鋅。在本實施例中，第一電極71可例如為一畫素電極(pixel electrode)層，第二電極72可例如為一共用電極(common electrode)層。如第1B圖所示，第二電極72可例如為一柵狀。
此外，第1B圖係繪示閘極線(gate line)21G與資料線(data line)22D，第1A圖之閘極21係連接於第1B圖之閘極線21G，第1A圖之源極22係連接於第1B圖資料線22D。
本發明實施例之第二基板200可例如為一彩色濾光片基板，包括一底板80、一彩色濾光片81、一遮光矩陣82及一平坦層86。平坦層86可為有機透明平坦層。遮光矩陣82包括複數個第一遮光部82-1及複數個第一開口部83，複數個第一遮光部82-1係間隔設置並沿一第一方向(Y方向)沿伸，且第一開口部83係由第一遮光部82-1所曝露出。舉例來說，第1B圖係繪示第二基板200的其中兩個第一遮光部82-1，而第一開口部83係位於兩個第一遮光部82-1之間。
由於遮蔽結構50(包括金屬層500與抗反射結構501)已遮蔽主動層30，遮光矩陣82可僅用以防止相鄰畫素間的混光。因此，主動層30在第二基板200上的垂直投影，至少部分位於第一開口部83中，也就是說，以平面圖透視觀察主動層30與遮光矩陣82的位置關係，遮光矩陣82之第一開口部83可曝露出至少部分之主動層30。亦即，此實施例的遮光矩陣82可不需要在一第二方向上(圖中為X方向)遮蔽主動層30。或者，遮光矩陣82在第二方向上可遮蔽部分的主動層，而不需要遮蔽全部的主動層(第二方向不同於第一方向，圖中為X方向，此實施例中，第二方向為垂直於第一方向)。因此，此結構能有效降低遮光矩陣82的面積，增加顯示面板1的開口率。
第二實施例
第3A圖繪示本發明第二實施例之顯示面板2的部分剖面圖。第3B圖繪示本發明第二實施例之顯示面板2的部分俯視圖。在此，第3A圖係為沿著第3B圖之B-B’剖面線所繪示之顯示面板2的剖面示意圖。要注意的是，為了更清楚說明顯示面板2之結構，第3B圖之部分俯視圖係省略部分元件，例如資料線22D、閘極線21G等結構。
類似於第一實施例，顯示面板2可包括一第一基板102、一第二基板200以及一顯示介質層300。第二基板200與第一基板102相對設置，顯示介質層300設置於第一基板102與第二基板200之間。此外，顯示面板2也可包括間隔物90，設置於第一基板102與第二基板200之間。與第一實施例之顯示面板1不同之處，係在於第二實施例之第一基板102的結構。
本發明第二實施例之第一基板102包括一底板10、一閘極21、一主動層30、一源極22與一汲極23、一閘極絕緣層40及一遮蔽結構50。閘極21設置於底板10上，主動層30與閘極21電性絕緣且相對設置，源極22與汲極23係電性連接主動層30，閘極絕緣層40設置於閘極21與主動層30之間。
第一基板102更可包括一第一保護層61、一第一電極71及一第二電極72。第一保護層61位於主動層30與遮蔽結構50之間，第一導電層71接觸汲極23。此外，遮蔽結構50可具有如第2C圖所繪示之結構，也就是說，遮蔽結構50之抗反射結構501(第二抗反射層52)可直接接觸第一保護層61。金屬層500與抗反射結構501能有效遮蔽主動層30。
如第3A圖所示，第一基板102更包括一第二保護層62與一平坦層63。平坦層63係位於第一保護層61上。在本實施例中，平坦層63可例如設置於第一保護層61與第二電極72之間，且平坦層63可例如包括有機材料，能有效將第二電極72與第一基板102中的其他元件(例如：主動層30)絕緣。第二保護層62設置於平坦層63上，且部分之第二保護層62介於第一電極71與第二電極72之間。
如第3A圖所示，第一基板102可包括一貫孔(via)27，貫孔27貫穿平坦層63和第一保護層61，以曝露汲極23的一表面。至少部分第一電極71位於貫孔27內，使第一電極71可電性連接汲極23之表面。也就是說，第一電極71可沿著貫孔27而設置於第二保護層62、汲極23及平坦層63之表面，並直接接觸汲極23。
第一電極71與第二電極72可為透明導電層，例如氧化銦錫或氧化銦鋅。在本實施例中，第一電極71可例如為一畫素電極(pixel electrode)層，第二電極72可例如為一共用電極(common electrode)層。如第3B圖所示，第一電極71可例如為一柵狀。
類似地，本發明實施例之第二基板200可例如為一彩色濾光片基板，包括一底板80、一彩色濾光片81、一遮光矩陣82及一平坦層86。平坦層86可為有機透明平坦層。如第3B圖所示，遮光矩陣82包括複數個第一遮光部82-1及複數個第一開口部83，複數個第一遮光部82-1係間隔設置並沿一第一方向(Y方向)沿伸，且第一開口部83係由第一遮光部82-1所曝露出。
此外，由於遮蔽結構50(包括金屬層500與抗反射結構501)已遮蔽主動層30，遮光矩陣82可僅用以防止相鄰畫素間的混光，因此，主動層30在第二基板200上的垂直投影，至少部分位於第一開口部83中，也就是說，以平面圖透視觀察主動層30與遮光矩陣82的位置關係，遮光矩陣82之第一開口部83可曝露出至少部分之主動層30。亦即，此實施例的遮光矩陣82可不需要在X方向上遮蔽主動層30。或者，遮光矩陣82在X方向上可遮蔽部分的主動層30，而不需要遮蔽全部的主動層30。因此，此結構能有效降低遮光矩陣82的面積，增加顯示面板2的開口率。
第三實施例
第4圖繪示本發明第三實施例之顯示面板3的部分剖面圖。本發明第三實施例之顯示面板3的俯視圖類似於第二實施例，因此可直接參照第3B圖所繪示之結構。
類似於第二實施例，顯示面板3可包括一第一基板103、一第二基板200以及一顯示介質層300。第二基板200與第一基板103相對設置，顯示介質層300設置於第一基板103與第二基板200之間。此外，顯示面板3也可包括間隔物90，設置於第一基板103與第二基板200之間。與第二實施例之顯示面板2不同之處，係在於第一基板103之遮蔽結構50。
在本實施例中，遮蔽結構50可具有如第2B圖所繪示之結構，也就是說，遮蔽結構50之抗反射結構501係設置於金屬層500的上方，且完全覆蓋金屬層500。此外，遮蔽結構50之金屬層500係直接接觸第二電極72。
由於第二電極72可為透明導電層，例如氧化銦錫或氧化銦鋅，因此，第二電極72可作為遮蔽結構50的另一層抗反射結構，也就是說，本實施例之抗反射結構可包括一電極(即第二電極72)，藉由將金屬層500直接接觸第二導電層72，可有效降低金屬層500的反射率。在此，位於金屬層500上方之抗反射結構501可降低來自顯示面板3外部之自然光反射，第二電極72可降低來自背光模組(未繪示)之光源反射。
在本發明實施例中，遮蔽結構50可包括金屬層500、位於金屬層500上側的第一抗反射層51及位於金屬層500下側的第二抗反射層52(見第2C圖)。第一抗反射層51可包括金屬合金之氮化物和透明導電層，第二抗反射層52可包括透明導電層。例如，具體的遮蔽結構50可為ITO/AlCu/AlCuN/ITO之疊層，其中的ITO為透明導電層，且可與畫素電極或共同電極為共用，例如，可與第二電極72為共用。
類似地，如第4圖所示，第一基板103可包括一貫孔27，貫孔27貫穿平坦層63和第一保護層61，以曝露汲極23的一表面。至少部分第一電極71位於貫孔27內，使第一電極71可電性連接汲極23之表面。也就是說，第一電極71可沿著貫孔27設置於第二保護層62、汲極23及平坦層63之表面，並直接接觸汲極23。
本發明第三實施例之第二基板200的結構類似於第一、第二實施例，在此不多加贅述。
第四實施例
第5A圖繪示本發明第四實施例之顯示面板4的部分剖面圖。第5B圖繪示本發明第四實施例之顯示面板4的部分俯視圖。在此，第5A圖係為沿著第5B圖之C-C’剖面線所繪示之顯示面板4的剖面示意圖。要注意的是，為了更清楚說明顯示面板4之結構，第5B圖之部分俯視圖係省略部分元件，例如資料線22D、閘極線21G等結構。
類似於第二實施例，顯示面板4可包括一第一基板102、一第二基板201以及一顯示介質層300。第二基板201與第一基板102相對設置，顯示介質層300設置於第一基板102與第二基板201之間。此外，顯示面板4也可包括間隔物90，設置於第一基板102與第二基板201之間。與第二實施例之顯示面板2不同之處，係在於第四實施例之第二基板201的結構。
由於貫孔27的存在，部分液晶有可能位於貫孔27中，產生液晶運轉異常的現象。因此，在本實施中，可利用遮光矩陣82’遮蔽貫孔27，避免上述現象影響顯示品質。
在本實施例中，第二基板201可例如為一彩色濾光片基板，包括一底板80、一彩色濾光片81、一遮光矩陣82’及一平坦層86。平坦層86可為有機透明平坦層。遮光矩陣82’包括複數個第一遮光部82-1、複數個第二遮光部82-2及複數個第二開口部84。第一遮光部82-1係間隔設置且沿一第一方向沿伸，第二遮光部82-2係沿一第二方向沿伸，第一方向和第二方向為不同。在本實施例中，第一方向例如為Y方向，第二方向例如為X方向，且第二開口部84係由第一遮光部82-1和第二遮光部82-2曝露出。
舉例來說，第5B圖係繪示兩個第一遮光部82-1與兩個第二遮光部82-2，兩個第一遮光部82-1與兩個第二遮光部82-2之中間的區域即為第二開口部84。此外，第二遮光部82-2之至少一者可具有一條狀部82-2(T)和一凸出部82-2(P)，凸出部82-2(P)由條狀部82-2(T)之一側邊凸出。
在本實施例中，遮光矩陣82’係設置於貫孔27上，凸出部82-2(P)可遮蔽貫孔27，且第一基板102之主動層30在第二基板201上的垂直投影，至少部分位於第二開口部84中。也就是說，以平面圖透視觀察主動層30與遮光矩陣82’的位置關係，遮光矩陣82’之第二開口部84可曝露出至少部分之主動層30。
此外，遮光矩陣82’之第一遮光部82-1可用以防止相鄰畫素間的混光，第二遮光部82-2可用以遮蔽貫孔27。由於遮蔽結構50(包括金屬層500與抗反射結構501)已遮蔽主動層30，此實施例的遮光矩陣82’僅用以防止相鄰畫素間的混光且對應遮蔽貫孔27，在X方向上可遮蔽部分的主動層30，而不需要遮蔽全部的主動層30。因此，能有效降低遮光矩陣82’的面積，增加顯示面板4的開口率。
第五實施例
第6圖繪示本發明第五實施例之顯示面板5的部分剖面圖。本發明第五實施例之顯示面板5的俯視圖類似於第四實施例，因此可直接參照第5B圖所繪示之結構。
在本實施例中，遮蔽層50可具有如第2B圖所繪示之結構，也就是說，遮蔽結構50之抗反射結構501係設置於金屬層500的上方，且 完全覆蓋金屬層。此外，如第6圖所示，遮蔽層50(之金屬層500)可直接接觸第二電極72。
由於第二電極72可為透明導電層，例如氧化銦錫或氧化銦鋅，因此，第二電極72可作為金屬層500的另一層抗反射結構，也就是說，藉由將金屬層500直接接觸第二電極72，可有效降低金屬層500的反射率。
本發明第五實施例也可包括第二基板201，第二基板201例如為一彩色濾光片基板，可包括一底板80、一彩色濾光片81、一遮光矩陣82’及一平坦層86。平坦層86可為有機透明平坦層。遮光矩陣82’係設置於貫孔27上，且可包括第一遮光部82-1與第二遮光部82-2。第一遮光部82-1可用以防止相鄰畫素間的混光，第二遮光部82-2之凸出部82-2(P)可用以遮蔽貫孔27。由於接觸第二電極72之遮蔽結構50(包括金屬層500與抗反射結構501)已遮蔽主動層30，遮光矩陣82’僅用以防止相鄰畫素間的混光且對應遮蔽貫孔27，在X方向上可遮蔽部分的主動層30，而不需要遮蔽全部的主動層30。因此，能有效降低遮光矩陣82’的面積，增加顯示面板5的開口率。
本發明之遮蔽結構50可用來遮蔽電晶體中的主動層30，因此，對側基板上的遮光矩陣82、82’可不需用來遮蔽主動層30，或者只需要遮蔽部分的主動層30。因此，遮光矩陣82、82’的面積可得以減少，而增加顯示面板的開口率。雖然以上實施例係以邊界電場切換型液晶顯示器(fringe field switching liquid crystal display,FFS LCD)為例，但本發明並不限限定於此。本發明適用於具有電晶體的所有類型顯示面板，例如LCD面板及OLED面板。可應用的LCD面板，除了邊界電場切換型液晶顯示器之外， 亦包括扭轉向列型(twisted nematic,TN)LCD，以及平面切換型(in-plane switching,IPS)LCD、垂直配向型(vertical alignment,VA)LCD等等，但不以此為限。
再者，本發明各實施例之顯示面板係以金屬層500搭配抗反射結構501對主動層30進行遮蔽，這是由於金屬本身反射率太高，可能無法有效遮蔽，因此藉由抗反射結構501降低光的反射，使金屬層500搭配抗反射結構501達到良好的遮蔽效果。以下係以鋁-銅之氮化物/氧化銦鋅(IZO)為抗反射結構501之一實施例，量測其對於不同波長光線之反射率。
第7A~7C圖繪示遮光結構為鋁釹合金/鋁-銅之氮化物/氧化銦鋅(AlNd/AlCuN/IZO)，對於不同波長光線之反射率的量測結果。第7A圖係於鋁-銅之氮化物的厚度為400Å，且氧化銦鋅厚度分別為420Å、560Å、700Å下，搭配偏光片(polarizer)量測不同波長光線之反射率。第7B圖係於鋁-銅之氮化物的厚度為560Å，且氧化銦鋅厚度分別為420Å、560Å、700Å下，搭配偏光片量測不同波長光線之反射率。第7C圖係於鋁-銅之氮化物的厚度為750Å，且氧化銦鋅厚度分別為420Å、560Å、700Å下，搭配偏光片量測不同波長光線之反射率。
第8圖繪示以厚度為2500Å之鋁(Al)以及鋁-釹(Al-Nd)合金，對於不同波長光線之反射率的量測結果。
比較第7A~7C圖與第8圖之結果，可明顯看出無論在何種厚度組合下，鋁釹合金/鋁-銅之氮化物/氧化銦鋅對於不同波長光線之反射率皆明顯低於鋁或鋁-釹合金對於不同波長光線之反射率。也就是說，透過鋁- 銅之氮化物/氧化銦鋅作為抗反射結構501，能有效降低光的反射，使金屬層500搭配抗反射結構501達到良好的遮蔽效果。
承上述實施例，本發明之顯示面板可透過在基板上設置一金屬層與抗反射結構，縮小遮光矩陣的面積，有效提升顯示面板之開口率，達到顯示器省電節能的目的。
綜上所述，雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
1‧‧‧顯示面板
101‧‧‧第一基板
10‧‧‧底板
21‧‧‧閘極
22‧‧‧源極
23‧‧‧汲極
30‧‧‧主動層
40‧‧‧閘極絕緣層
50‧‧‧遮蔽結構
61‧‧‧第一保護層
71‧‧‧第一電極
72‧‧‧第二電極
200‧‧‧第二基板
80‧‧‧底板
81‧‧‧彩色濾光片
82‧‧‧遮光矩陣
86‧‧‧平坦層
300‧‧‧顯示介質層
90‧‧‧間隔物
X、Z‧‧‧座標軸

Claims (9)

  1. 一種顯示面板，包括：一第一基板，包括：一底板；一閘極，設置於該底板上；一主動層，與該閘極電性絕緣且對應設置；一源極與一汲極，電性連接該主動層；及一遮蔽結構，位於該主動層上，該遮蔽結構覆蓋至少部分之該主動層，該遮蔽結構包括一金屬層及一抗反射結構，該抗反射結構直接接觸該金屬層；一第二基板；一顯示介質層，設置於該第一基板與該第二基板之間；一平坦層，其中該遮蔽結構位於該平坦層和該主動層之間；以及一第一電極，位於該平坦層上，其中該第一電極與該遮蔽結構係電性絕緣。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該第一基板更包括：一第一保護層，位於該主動層和該遮蔽結構之間。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該第二基板包括一遮光矩陣，該遮光矩陣包括：複數個第一遮光部；及 複數個第一開口部，係由該些第一遮光部曝露出，其中該些第一遮光部係間隔設置且沿一第一方向沿伸，且該主動層在該第二基板上的垂直投影，至少部分位於該第一開口部中。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之顯示面板，其中該平坦層位於該第一保護層上。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之顯示面板，其中該第一基板更包括：一貫孔，貫穿該平坦層和該第一保護層，以曝露該汲極的一表面；其中該第一電極之至少部分位於該貫孔內，以使該第一電極電性連接該汲極之該表面。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之顯示面板，其中該第二基板包括一遮光矩陣，該遮光矩陣包括：複數個第一遮光部；複數個第二遮光部；及複數個第二開口部，係由該些第一遮光部和該些第二遮光部曝露出，其中該些第一遮光部係間隔設置且沿該一第一方向沿伸，該些第二遮光部係沿一第二方向沿伸，該第一方向和該第二方向為不同，該第二遮光部之至少一者具有一條狀部和一凸出部，該凸出部由該條狀部之一側邊凸出，該凸出部遮蔽該貫孔，且該主動層在該第二基板上的垂直投影，至少部分位於該第二開口部中。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該抗反射結構的材料包括氧化銦錫、或氧化銦鋅。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該金屬層的材料為擇自由鋁、鉬、鉻、鎳、銅、鐵、釹、其合金、及其混合物所組成之族群中。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該抗反射結構的材料為擇自由一金屬氧化物、一金屬氮化物、一金屬合金氧化物、一金屬合金氮化物、及其混合物所組成之族群中。
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