CN106057830A

CN106057830A - 一种阵列基板、显示面板及阵列基板制备方法

Info

Publication number: CN106057830A
Application number: CN201610696938.0A
Authority: CN
Inventors: 王守坤; 郭会斌; 冯玉春; 李梁梁
Original assignee: BOE Technology Group Co Ltd; Beijing BOE Display Technology Co Ltd
Current assignee: BOE Technology Group Co Ltd; Beijing BOE Display Technology Co Ltd
Priority date: 2016-08-19
Filing date: 2016-08-19
Publication date: 2016-10-26

Abstract

本发明提供一种阵列基板、显示面板及阵列基板制备方法，通过在基底的引线区域形成遮挡层，利用遮挡层遮挡引线区域内的金属引线，消除阵列基板周边引线区域内金属线的裸露状态，避免金属引线反光，更为美观；遮挡层中的减反射膜层位于金属膜层和基底之间，能够减小外界光的反射率，从而增强遮光效果；此外，本发明的方案可以借助阵列基板制备工艺中现有的设备形成遮挡层，无需额外增加油墨涂覆设备，减小设备投资，从而降低生产成本。

Description

一种阵列基板、显示面板及阵列基板制备方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板、显示面板及阵列基板制备方法。

背景技术

目前，为实现窄边框甚至无边框设计，需要将阵列基板放置在显示面板的出光侧，将彩膜基板放置在显示面板的入光侧，这样可大幅度地窄化PCB贴合的连接焊盘区域的边框。

但是，在阵列基板的周边引线区域，金属引线呈裸露状态，为了遮挡阵列基板的周边引线区域内的金属引线，目前通常采用涂覆油墨的方法覆盖，这样，需要额外增加油墨涂覆设备和人力物力，使得产品生产成本增加。

此外，由于油墨的遮光性能较差，在阵列基板的周边引线区域存在漏光、反光的现象，影响显示效果。

因此，亟需一种在保证窄边框的前提下，既能够消除阵列基板周边引线区域内金属线的裸露状态，又能降低该区域反光和漏光的方案。

发明内容

本发明针对现有技术中存在的上述不足，提供一种阵列基板、显示面板及阵列基板制备方法，用以至少部分解决窄边框产品生产成本高以及周边引线区域金属引线漏光、反光的问题。

本发明为解决上述技术问题，采用如下技术方案：

本发明提供一种阵列基板，包括基底，还包括用于遮挡所述引线区域内的金属引线的遮挡层，所述遮挡层位于所述基底的引线区域，包括减反射膜层，所述减反膜层形成在所述基底上。

进一步的，所述遮挡层还包括金属膜层，所述金属膜层形成在所述减反膜层上。

进一步的，所述阵列基板还包括形成在所述基底上显示区域的第一增透层，所述第一增透层用于降低所述显示区域内的薄膜晶体管对环境光的反射率。

进一步的，所述阵列基板还包括形成在所述遮挡层上的第二增透层。

优选的，所述第一增透层和第二增透层包括减反射膜层和金属膜层，所述减反射膜层位于所述金属膜层和基底之间。

优选的，所述第一增透层与第二增透层同层设置且材料相同。

优选的，所述遮挡层与所述第一增透层同层设置且材料相同。

进一步的，所述基底的显示区域包括薄膜晶体管区域；

所述阵列基板还包括位于薄膜晶体管区域内的栅极和位于所述引线区域内的金属引线；所述栅极由所述第一增透层的金属膜层通过构图工艺形成。

优选的，所述遮挡层的宽度大于或等于所述引线区内的金属引线的宽度。

本发明还提供一种显示面板，包括如前所述的阵列基板。

本发明还提供一种显示装置，包括如前所述的显示面板。

本发明还提供一种阵列基板制备方法，通过构图工艺在基底上的引线区域形成包括遮挡层的图形，所述遮挡层包括减反射膜层，所述减反膜层形成在所述基底上。

进一步的，所述遮挡层还包括金属膜层，所述金属膜层形成在所述减反膜层上；所述通过构图工艺在基底上的引线区域形成包括遮挡层的图形，具体包括：通过一次构图工艺，在基底上的引线区域形成包括减反膜层和金属膜层的图形。

进一步的，所述阵列基板制备方法还包括：

通过构图工艺在所述基底上的显示区域形成第一增透层，所述第一增透层用于降低所述显示区域内的薄膜晶体管对环境光的反射率。

进一步的，所述阵列基板的制备方法还包括：通过构图工艺在所述遮挡层上形成第二增透层。

优选的，通过构图工艺同时在所述基底上的显示区域形成包括第一增透层的图形，以及在所述遮挡层上形成包括第二增透层的图形。

优选的，所述显示区域包括薄膜晶体管区域；

所述通过构图工艺同时在所述基底上的显示区域形成包括第一增透层的图形，以及在所述遮挡层上形成包括第二增透层的图形，具体包括：

通过构图工艺在基底上的薄膜晶体管区域形成包括第一增透层的图形，且在所述第一增透层的金属膜层上形成包括栅极的图形，同时通过构图工艺在所述基底上的引线区域形成包括第二增透层的图形，且在所述第二增透层的金属膜层上形成包括金属引线的图形。

优选的，通过构图工艺同时在所述基底上的引线区域形成包括遮挡层的图形，以及在所述基底上的显示区域形成包括第一增透层的图形。

本发明能够实现以下有益效果：

本发明通过在基底的引线区域形成遮挡层，利用遮挡层遮挡引线区域内的金属引线，消除阵列基板周边引线区域内金属线的裸露状态，避免金属引线反光，更为美观；遮挡层中的减反射膜层位于金属膜层和基底之间，能够减小外界光的反射率，从而增强遮光效果；此外，本发明的方案可以借助阵列基板制备工艺中现有的设备形成遮挡层，无需额外增加油墨涂覆设备，减小设备投资，从而降低生产成本。

附图说明

图1为本发明实施例1的阵列基板的结构示意图；

图2为本发明实施例2的阵列基板的结构示意图。

图例说明：

1、基底 2、遮挡层 3、第一增透层

4、第二增透层 21、31、41、减反射膜层

22、32、42、金属膜层 5、第一透明电极层

6、栅绝缘层 7、有源层 8、欧姆接触层

9、源极 10、漏极 11、钝化层

12、第二透明电极层

具体实施方式

下面将结合本发明中的附图，对本发明中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明实施例提供的阵列基板应用于窄边框的显示面板，阵列基板位于显示面板的出光侧，彩膜基板位于显示面板入光侧，这样能够窄化PCB贴合的连接焊盘区域的边框。

实施例1

本实施例提供一种阵列基板，如图1示，包括基底1，基底1包括显示区域和引线区域，显示区域是用来形成薄膜晶体管、像素电极、公共电极的区域，包括薄膜晶体管区域和电极区域。引线区域是用来形成与薄膜晶体管、像素电极、公共电极的信号线相连的金属引线的区域。所述阵列基板还包括遮挡层2，遮挡层2位于基底1的引线区域，用于遮挡所述引线区域内的金属引线(图中未绘示)。遮挡层2包括减反射膜层21，减反膜层21形成在基底1上。

进一步的，遮挡层2还可以包括金属膜层22，金属膜层22形成在减反膜层21上。也就是说，减反射膜层21相较于金属膜层22更邻近基底1，可以减小从外界照射进阵列基板的环境光的反射率，提高遮光效果。

优选的，减反射膜层21可以为单层膜或复合膜。其材料可以为氮化硅(SiN_x)和/或非晶硅(ASi)。减反射膜层21的材料也可以为氧化钼。

金属膜层22可以为单层膜，该单层膜可以由钼(Mo)制成。金属膜层22也可以为复合膜，该复合膜可以由钼(Mo)、铝(Al)、钼(Mo)复合制成。

需要说明的是，所述阵列基板还包括薄膜晶体管和像素电极等结构，这些结构形成在基底1的显示区域，后续将在实施例2中进行详细说明。

实施例2

本实施例提供一种阵列基板，如图2示，本实施例与实施例1的区别在于，还包括形成在基底1上显示区域的第一增透层3，第一增透层3用于降低显示区域内的薄膜晶体管和像素区域栅极和公共电极等金属膜层对环境光的反射率。实施例2的阵列基板在引线区域内的结构与实施例1的阵列基板在引线区域内的结构相同，在此不再赘述。

具体的，第一增透层3包括减反射膜层31和金属膜层32，减反射膜层31位于金属膜层32和基底1之间。

进一步的，如图2所示，所述阵列基板还可以包括形成在遮挡层2上的第二增透层4，第二增透层4包括减反射膜层41和金属膜层42，减反射膜层41位于金属膜层42和基底1之间。

优选的，第一增透层3与第二增透层4同层设置，且二者的材料相同，这样，第一增透层3与第二增透层4可以同时形成，从而简化制备工艺。

需要说明的是，在引线区域的遮挡层2上设置第二增透层4，其目的在于，与第一增透层3同步形成，以便同步在显示区域形成栅极和在引线区域形成金属引线。

遮挡层2也可以与第一增透层3同层设置，且二者的材料相同，这样，遮挡层2与第一增透层3可以同时形成。

进一步的，所述阵列基板还包括位于薄膜晶体管区域内的栅极(图中未绘示)和位于引线区域内的金属引线(图中未绘示)，所述栅极可以由第一增透层3的金属膜层31通过构图工艺形成。

在本发明中，无需在第一增透层3上额外沉积金属膜层来形成栅极，而是利用第一增透层3的金属膜层31，直接在金属膜层31上涂覆光刻胶，并对完成上述步骤的基底采用掩膜板进行曝光、显影、刻蚀，从而在基底的薄膜晶体管区域内形成包括栅极的图形，从而简化工艺步骤，降低生产成本。

为了保证引线区域不漏光，优选的，遮挡层2的宽度大于或等于引线区内的金属引线的宽度，也就是说，遮挡层2能够将金属引线完全覆盖。第二增透层4的金属膜层42的宽度即为金属引线的宽度。在本实施例中，优选的，第二增透层4的减反射膜层41的宽度与金属膜层42的宽度相等，这样，第二增透层4的减反射膜层41和金属膜层42可以同时形成。

进一步的，如图2所示，在所述阵列基板的基底的电极区域设置有第一透明电极层5，在栅极上方设置有栅绝缘层6(Gate Insulator)，栅绝缘层6的上方设置有有源层7(Purea-Si)，有源层7的上方设置有欧姆接触层8(Impurity N+a-Si)；欧姆接触层8的上方设置有源极9(Source electrode)和漏极10(Drain electrode)。在源极9和漏极10的上方还设置有钝化层11(PVX),在钝化层11的上方还设置有第二透明电极层12。

第一透明电极层5和第二透明电极层12的材料可以为氧化铟锡(ITO)，第一透明电极为公共电极，第二透明电极为像素电极。

通过在引线区域设置遮挡层，并在显示区域设置第一增透层，不但能够避免引线区域内金属引线的反光，减小外界光的反射率，从而增强遮光效果，而且，还可以降低薄膜晶体管对环境光的反射率，提高对比度，增强显示效果。

实施例3

本实施例提供一种显示面板，所述显示面板包括如前所述的阵列基板，所述阵列基板的结构在此不再赘述。

通过在基底的引线区域形成遮挡层，利用遮挡层遮挡引线区域内的金属引线，消除阵列基板周边引线区域内金属线的裸露状态，避免金属引线反光，更为美观；遮挡层中的减反射膜层位于金属膜层和基底之间，能够减小外界光的反射率，从而增强遮光效果；此外，本发明的方案可以借助阵列基板制备工艺中现有的设备形成遮挡层，无需额外增加油墨涂覆设备，减小设备投资，从而降低生产成本。

实施例4

本实施例提供一种显示装置，所述显示装置包括如前所述的显示面板，其中的阵列基板和显示面板的结构在此不再赘述。

实施例5

本实施例提供一种阵列基板制备方法，如图1、2所示，所述方法包括以下步骤：

步骤1，通过构图工艺在基底1上的引线区域形成包括遮挡层2的图形。

其中，所述遮挡层2位于所述基底1的引线区域，包括减反射膜层21，减反膜层21形成在基底1上。

基底1可以选用玻璃基板或其他类型的透明基板。

遮挡层2还可以包括金属膜层22，金属膜层22形成在减反膜层21上。当遮挡层2包括减反膜层21和金属膜层22时，步骤1具体包括：在整个阵列基板上(包括显示区域和引线区域)依次形成减反射膜层21和金属膜层22，并对金属膜层22和减反射膜层21依次通过构图工艺在引线区域形成包括遮挡层2的图形。也就是说，首先在基底1的引线区域和显示区域采用溅射、热蒸发或其它成膜方法依次沉积减反射膜层21和金属膜层22，然后通过构图工艺依次在金属膜层22上形成遮挡层2的第一图形，以及在减反射膜层21上形成遮挡层2的第二图形，从而在引线区域形成遮挡层2的图形(包括第一图形和第二图形)。

优选的，遮挡层2的第一图形和第二图形相同，也就是说，可以通过一次构图工艺，同时在基底上的引线区域形成包括减反膜层21和金属膜层22的图形。

进一步的，如图2所示，所述方法还包括以下步骤：

步骤2，通过构图工艺在基底1上的显示区域形成第一增透层3，第一增透层3用于降低显示区域内的薄膜晶体管对环境光的反射率。

具体的，第一增透层3位于基底1的显示区域，包括减反射膜层31和金属膜层32，减反射膜层31位于所述金属膜层32和基底1之间。

需要说明的是，可以在步骤2中，与所述第一增透层3同步，在所述引线区域形成第二增透层4，以便同步在显示区域形成栅极和在引线区域形成金属引线。那么，第二增透层4与第一增透层3同层设置且结构和材料相同，即第二增透层4包括减反射膜层41和金属膜层42，减反射膜层41位于所述金属膜层42和遮挡层2之间。

具体的，通过构图工艺同时在基底1上的显示区域形成包括第一增透层3的图形，以及在遮挡层2上形成包括第二增透层4的图形。也就是说，通过构图工艺在基底1上的薄膜晶体管区域形成包括第一增透层3的图形，且在第一增透层3的金属膜层32上形成包括栅极的图形，同时通过构图工艺在基底1上的引线区域形成包括第二增透层4的图形，且在第二增透层4的金属膜层42上形成包括金属引线的图形。

优选的，遮挡层2的宽度大于或等于引线区内的金属引线的宽度，这样确保遮挡层2能够有效金属引线，避免反光、漏光。

需要说明的是，第一增透层3和遮挡层2可以同层设置，并在同一步骤中同时形成。具体的，通过构图工艺同时在基底1上的引线区域形成包括遮挡层2的图形，以及在基底1上的显示区域形成包括第一增透层3的图形。

进一步的，在遮挡层2、第一增透层3(包括金属引线)、第二增透层4(包括栅极)形成之后，所述方法还包括以下步骤：

通过一次构图工艺，在所述基底1的电极区域形成包括第一透明电极层5的图形。通过一次构图工艺，在形成有栅极、第一透明电极和金属引线的基底1上形成包括栅绝缘层6、有源层7和欧姆接触层8的图形。通过一次构图工艺在欧姆接触层8上形成包括源极9和漏极10的图形。通过一次构图工艺，在源极9、漏极10、有源层7和栅绝缘层6上形成包括钝化层11及其电极接触过孔的图形。通过一次构图工艺形成包括第二透明电极层12的图形，第二透明电极层12通过所述电极接触过孔与漏极10连接。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims

1.一种阵列基板，包括基底，其特征在于，还包括用于遮挡引线区域内的金属引线的遮挡层，所述遮挡层位于所述基底的引线区域，包括减反射膜层，所述减反膜层形成在所述基底上。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述遮挡层还包括金属膜层，所述金属膜层形成在所述减反膜层上。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括形成在所述基底上显示区域的第一增透层，所述第一增透层用于降低所述显示区域内的薄膜晶体管对环境光的反射率。

4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，还包括形成在所述遮挡层上的第二增透层。

5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一增透层和第二增透层包括减反射膜层和金属膜层，所述减反射膜层位于所述金属膜层和基底之间。

6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一增透层与第二增透层同层设置且材料相同。

7.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述遮挡层与所述第一增透层同层设置且材料相同。

8.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述基底的显示区域包括薄膜晶体管区域；

9.如权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述遮挡层的宽度大于或等于所述引线区内的金属引线的宽度。

10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的阵列基板。

11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求10所述的显示面板。

12.一种阵列基板制备方法，其特征在于，所述方法包括：

通过构图工艺在基底上的引线区域形成包括遮挡层的图形，所述遮挡层包括减反射膜层，所述减反膜层形成在所述基底上。

13.如权利要求12所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述遮挡层还包括金属膜层，所述金属膜层形成在所述减反膜层上；

所述通过构图工艺在基底上的引线区域形成包括遮挡层的图形，具体包括：

通过一次构图工艺，在基底上的引线区域形成包括减反膜层和金属膜层的图形。

14.如权利要求13所述的阵列基板制备方法，其特征在于，还包括：

15.如权利要求14所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：通过构图工艺在所述遮挡层上形成第二增透层。

16.如权利要求15所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述第一增透层和第二增透层包括减反射膜层和金属膜层，所述减反射膜层位于所述金属膜层和基底之间。

17.如权利要求16所述的阵列基板制备方法，其特征在于，通过构图工艺同时在所述基底上的显示区域形成包括第一增透层的图形，以及在所述遮挡层上形成包括第二增透层的图形。

18.如权利要求17所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述显示区域包括薄膜晶体管区域；

19.如权利要求18所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述遮挡层的宽度大于或等于所述引线区内的金属引线的宽度。

20.如权利要求16所述的阵列基板制备方法，其特征在于，通过构图工艺同时在所述基底上的引线区域形成包括遮挡层的图形，以及在所述基底上的显示区域形成包括第一增透层的图形。