TWI552375B - An optical semiconductor device and a method for manufacturing the same, and a silver surface treatment agent and a light emitting device - Google Patents

Description

光半導體裝置及其製造方法、以及銀用表面處理劑及發光裝置

本發明是關於接合有發光二極體之光半導體裝置及其製造方法、以及銀用表面處理劑及發光裝置。

本發明是關於銀用表面處理劑，更詳細而言，是關於用以防止各種銀或銀合金的變色(腐蝕)之表面處理劑，特別是關於用以防止銀或銀合金、特別是銀蒸鍍面的變色(腐蝕)之表面處理劑，該銀或銀合金使用於電子零件、發光二極體等的照明設備等。

本發明是關於發光裝置，更詳細而言，是關於一種發光裝置，其具備了具有銀或銀合金之基板與發光二極體。

作為搭載了LED(發光二極體：Light Emitting Diode)之光半導體裝置，已知有專利文獻1所揭示的光半導體裝置。在專利文獻1中記載的光半導體裝置，是在成型體上接合藍光LED，並以圍繞著藍光LED的方式將成型體立起來作為反射由藍光LED所發出的光之反射器，且於其中填充含有螢光體之透明密封部而將藍光LED密封而成。

銀及銀合金作為貴金屬，利用其優異的光學性質、電化學性質，自古以來作為裝飾品、貨幣、食器、電子用材 料、照明設備、牙科用材料而受到利用。近年來，作為發光二極體(LED)用反射材料的需求正急速增加中。發光二極體，是作為日光燈或白熾燈泡的替代光源而使用於照明設備、汽車用燈等的用途，在這樣的發光裝置，藉由在基板設置鍍銀層等的光反射膜，謀求提升光的取出效率。

但是，由於銀及銀合金在化學上非常不安定，而有著容易與空氣中的氧、水分、硫化氫、亞硫酸氣體等進行反應，生成氧化銀或硫化銀，因而銀表面變色(腐蝕)成黑色這樣的缺點。

就防止如此的銀變色(腐蝕)的方法而言，例如有提出一種有機系的防銹劑(例如，參照專利文獻2~3)。又，在下述專利文獻4中，提出一種含有層狀矽酸化合物之銀的表面處理劑。

[先前技術文獻] (專利文獻)

專利文獻1：國際公開第2007/015426號冊子

專利文獻2：日本特開平10-158572號公報

專利文獻3：日本特開2004-238658號公報

專利文獻4：國際公開第2013/108773號說明書

近年來，像這樣的光半導體裝置，作為照明或街燈等的LED照明而逐漸受到採用。然而，實際上嘗試使用後， 在比LED的保證時間還要短的時間內，LED照明的照度便會降低。這是起因於在光半導體裝置的電極上形成了鍍銀層，而此鍍銀層變色。亦即，對於透明密封部，由於一般而言是使用一種氣體或水分穿透性高的樹脂，穿透過透明密封部之氣體或水分會導致鍍銀層腐蝕而變色。特別是若因為硫化氫氣體而導致鍍銀層硫化，電極就變色成黑色，而顯著地造成照度的降低。

又，以往，採用熱塑性樹脂來作成反射器，由於比起鍍銀層的硫化速度，反射器的黃變速度這一方較為快速，因此由於鍍銀層的硫化所造成的照度降低較不引人注目。然而，最近變成採用熱硬化性樹脂來作成反射器，由於比起鍍銀層的硫化速度，反射器的黃變速度這一方變得較慢，因此鍍銀層的硫化所造成的照度降低變得較引人注目。而且，LED照明若進行高功率化，由於藍光LED的發熱溫度變高而鍍銀層的溫度上昇，因此促進了鍍銀層的硫化。

而且，鑑於伴隨著這樣的鍍銀層硫化的問題，也有將LED照明所採用之光半導體裝置的耐硫化氫氣體的評價進行規格化的動作。

於是，本案發明人進行深入探討後，得到了這樣的見解：並非改良透明密封部的氣體穿透性，而是利用具有源自於黏土的氣體阻隔性之抗硫化膜來覆蓋鍍銀層，藉此能夠有效地抑制鍍銀層的硫化。

更進一步，本案發明人，根據這樣的見解來製造光半導體裝置時，發現了由於黏土對反射器的黏著力並不那麼 高，因此透明密封部會從光半導體裝置上剝離下來這樣的問題。

於是，本發明的第一目的在於提供一種光半導體裝置，其能夠抑制鍍銀層的硫化，並抑制透明密封部的剝離。

本案發明人等進行深入探討後，發現：並非改良透明密封部的氣體穿透性，而是利用設置具有源自於黏土的氣體阻隔性之氣體阻隔層，藉此能夠有效地抑制鍍銀層的硫化，並利用將氣體阻隔層的層厚進行均勻化而能夠提高氣體阻隔層的氣體阻隔性。

於是，本發明的第二目的在於提供一種光半導體裝置及其製造方法，該光半導體裝置能夠抑制鍍銀層的硫化，並提高氣體阻隔性。

上述有機系的防銹劑，會有對紫外線的耐受性低，長期間的紫外線暴露會導致變色這樣的缺點。在照明設備及汽車用途上所使用的發光二極體中，由於採用了近紫外光，因此這些有機系的防銹劑難以適用。

又，若在鍍銀層的表面上應用了表面處理劑，設置於其上的密封材料等，有變得容易剝離的情況。

本發明是鑑於上述情況而完成，本發明的第三目的在於提供一種發光裝置，其具有對鍍銀層的耐變色性優異之抗變色膜且密封材料亦不易剝離；及提供一種銀用表面處理劑，其對銀的抗變色(腐蝕)性優異，能夠對銀的表面賦予優異的耐變色性，而且能夠減少對密封材料等的影響。

本案發明人發現：於發光裝置的基板中，若設置了 含有層狀矽酸化合物之層，則會有發生電化學遷移而電極間變色的情況。發光裝置為了長期維持充分的發光強度，而被要求不易發生遷移的絕緣可靠度。

本發明的第四目的在於提供一種發光裝置，其具有抗變色膜，該抗變色膜對鍍銀層的耐變色性與絕緣可靠度兩者皆優異。

本發明的一態樣的光半導體裝置，其具備：基板，其於表面形成有鍍銀層；發光二極體，其接合於鍍銀層；光反射部，其藉由圍繞發光二極體之光反射面，形成容納發光二極體之內側空間；抗銀硫化膜，其覆蓋鍍銀層；及，透明密封部，其填充於內側空間而將發光二極體密封住；其中，抗銀硫化膜具有：氣體阻隔層，其具有源自於黏土的氣體阻隔性；及，底塗層，其配置於氣體阻隔層的下層並具有黏著性；並且，透明密封部與底塗層接觸著。

若根據本發明的一態樣的光半導體裝置，由於鍍銀層被具有源自於黏土的氣體阻隔性之氣體阻隔層所覆蓋，故能夠抑制鍍銀層的硫化。藉此，能夠大幅抑制鍍銀層黑色化所導致之光半導體裝置的照度降低。而且，就抗銀硫化膜而言，利用將具有黏著性的底塗層配置於氣體阻隔性的下層，使透明密封部接觸到此底塗層，在跟沒有底塗層的情況或是底塗層與透明密封樹脂沒有接觸的情況相比，能夠抑制透明密封部的剝離。

作為一實施形態，底塗層是形成於光反射面上，氣 體阻隔層在光反射面上疊層於底塗層的一部分，透明密封部，在光反射面上的氣體阻隔層未疊層到底塗層的位置，亦可與底塗層接觸著。抗銀硫化膜對鍍銀層的覆蓋，例如能夠藉由將經溶劑稀釋氣體阻隔層及底塗層之溶質而成的稀釋液滴入或散布至光反射部的內側空間，之後使溶劑乾燥來進行。然而，由於內側空間小，難以將稀釋液僅滴入或散布至鍍銀層。於是，由於容許抗銀硫化膜覆蓋光反射面，而能夠輕易地實行抗銀硫化膜對鍍銀層的覆蓋。而且，即使有這種情況，由於在光反射面上的氣體阻隔層未疊層到底塗層上位置，透明密封部與底塗層接觸著，而能夠抑制透明密封部的剝離。

又，作為一實施形態，發光二極體亦可設為發出藍光的藍光二極體。光反射面反射了由發光二極體所發出的光而從光半導體裝置輸出，但由於具有源自於黏土的氣體阻隔性之氣體阻隔層，有著將藍光的頻帶增幅的作用，利用以此氣體阻隔層來覆蓋光反射面，能夠增大由藍光二極體所發出的藍光的反射效率。

又，作為一實施形態，氣體阻隔層亦可在光反射面上不疊層於底塗層。如此一來，利用氣體阻隔層在光反射面上不疊層於底塗層，由於能夠擴大透明密封部與底塗層的接觸面積，故更能夠抑制透明密封部的剝離。

又，作為一實施形態，底塗層形成於光反射面上，氣體阻隔層在光反射面上疊層於底塗層上，透明密封部亦可與沿著光反射面延伸之底塗層的前緣面接觸。如此一來，即 使氣體阻隔層被形成於光反射面上，利用使沿著光反射面延伸之底塗層的前緣面與透明樹脂接觸，更能夠抑制透明密封部的剝離。

又，作為一實施形態，在光反射部中，形成了頂面，該頂面鄰接於光反射面且位於內側空間的外側；底塗層形成於頂面的至少一部分，氣體阻隔層在光反射面上疊層於底塗層上，透明密封部亦可於頂面上與底塗層接觸。抗銀硫化膜對鍍銀層的覆蓋，例如能夠藉由將經溶劑稀釋氣體阻隔層及底塗層之溶質而成的稀釋液滴入或散布至光反射部的內側空間，之後使溶劑乾燥來實行。然而，由於光反射部的內側空間小，難以將稀釋液僅滴入或散布至鍍銀層。於是，由於容許抗銀硫化膜覆蓋光反射面整體，而能夠更輕易地進行抗銀硫化膜對鍍銀層的覆蓋。而且，即使有這種情況，在光反射部的頂面上，由於透明密封部與底塗層接觸著，故能夠抑制透明密封部的剝離。

本發明的一態樣的光半導體裝置，其具備：基板，其於表面形成有鍍銀層；發光二極體，其接合於鍍銀層；光反射部，其藉由圍繞發光二極體之光反射面，形成容納發光二極體之內側空間；透明密封部，其填充於內側空間而將發光二極體密封住；及，氣體阻隔層，其形成於遠離基板之位置，並具有源自於黏土的氣體阻隔性。

若根據本發明的一態樣的光半導體裝置，由於形成了具有源自於黏土的氣體阻隔性之氣體阻隔層，故能夠抑制鍍銀層的硫化。藉此，能夠大幅抑制鍍銀層黑色化所導致之 光半導體裝置的照度降低。順帶一提，具有源自於黏土的氣體阻隔性之氣體阻隔層，由於將層厚進行均勻化，氣體阻隔性因而提高。另一方面，由於形成有鍍銀層之基板表面凹凸不平，若將氣體阻隔層形成於基板表面上，會變得難以將氣體阻隔層的層厚進行均勻化。於是，藉由在遠離基板之位置上形成氣體阻隔層，而能夠將氣體阻隔層的層厚進行均勻化。藉此，能夠提高氣體阻隔層的氣體阻隔性。

作為一實施形態，在氣體阻隔層與基板之間，亦可配置透明密封部。如此一來，利用在氣體阻隔層與基板之間配置了透明密封部，由於氣體阻隔層變得遠離了基板，而能夠防止氣體阻隔層與基板之間的遷移。

又，作為一實施形態，氣體阻隔層亦可埋設於透明密封部中。如此一來，由於氣體阻隔層埋設於透明密封部中，而能夠防止氣體阻隔層的剝離。

又，作為一實施形態，氣體阻隔層亦可形成於透明密封部的表面上。如此一來，由於氣體阻隔層形成於透明密封部的表面上，而能夠輕易地形成透明密封部及氣體阻隔層。

又，作為一實施形態，亦可進一步具備底塗層，其形成於基板及光反射面上，且疊層了氣體阻隔層。如此一來，由於在基板與氣體阻隔層之間形成了底塗層，而能夠在基板與氣體阻隔層之間不填充透明密封部，並將氣體阻隔層配置於遠離基板的位置。而且，相較於直接在基板上形成氣體阻隔層的情況，由於藉由底塗層，要形成氣體阻隔層的面被平坦化，而能夠將氣體阻隔層的層厚進行均勻化。藉此，能夠 提高氣體阻隔層的氣體阻隔性。

又，作為一實施形態，亦可進一步具有第二氣體阻隔層，其形成於鍍銀層的表面上，並具有源自於黏土的氣體阻隔性。如此一來，由於在鍍銀層的表面上形成了第二氣體阻隔層，而能夠將氣體阻隔層輕易地進行多層化。藉此，能夠更加提高氣體阻隔性。

又，作為一實施形態，亦可進一步具備接合於基板與發光二極體上的接合引線，且第二氣體阻隔層覆蓋住接合引線。如此一來，由於接合引線被第二氣體阻隔層所覆蓋，在將接合引線的材料設為銀的情況下，能夠抑制接合引線的硫化。

又，作為一實施形態，第二氣體阻隔層亦可覆蓋光反射面。如此一來，由於光反射面被第二氣體阻隔層所覆蓋，而能夠抑制光反射面的氧化。藉此，能夠大幅抑制光反射面變色所導致之光半導體裝置的照度降低。

本發明的一態樣的光半導體裝置的製造方法，具備下列步驟：準備步驟，其準備中間零件；透明密封部密封步驟，其將透明密封部填充於內側空間，並利用透明密封部來密封發光二極體；及，氣體阻隔層形成步驟，其於遠離基板的位置上，形成具有源自於黏土的氣體阻隔性之氣體阻隔層；其中，該中間零件具備基板，其於表面形成有鍍銀層，並於鍍銀層接合有發光二極體；發光二極體，其接合於鍍銀層；及，光反射部，其藉由圍繞發光二極體之光反射面，形成容納發光二極體之內側空間。

若根據本發明的一態樣的光半導體裝置的製造方法，由於形成了具有源自於黏土的氣體阻隔性之氣體阻隔層，故能夠抑制鍍銀層的硫化。藉此，能夠大幅抑制鍍銀層黑色化所導致之光半導體裝置的照度降低。順帶一提，具有源自於黏土的氣體阻隔性之氣體阻隔層，由於將層厚進行均勻化，氣體阻隔性因而提高。另一方面，由於形成有鍍銀層之基板表面凹凸不平，若將氣體阻隔層形成於基板表面上，會變得難以將氣體阻隔層的層厚進行均勻化。於是，藉由在遠離基板之位置上形成氣體阻隔層，而能夠將氣體阻隔層的層厚進行均勻化。藉此，能夠提高氣體阻隔層的氣體阻隔性。

作為一實施形態，亦可進一步具備底塗層形成步驟，其於基板及光反射面上，形成要疊層氣體阻隔層之底塗層。如此一來，利用在基板與氣體阻隔層之間形成了底塗層，基板與氣體阻隔層之間並非填充透明密封部，而能夠將氣體阻隔層形成於遠離基板的位置。而且，相較於直接於基板上形成氣體阻隔層的情況，由於藉由底塗層，要形成氣體阻隔層的面被平坦化，而能夠將氣體阻隔層的層厚進行均勻化。藉此，能夠提高氣體阻隔層的氣體阻隔性。

又，作為一實施形態，亦可進一步具備第二氣體阻隔層形成步驟，其於鍍銀層的表面上，形成具有源自於黏土的氣體阻隔性之第二氣體阻隔層。如此一來，由於在鍍銀層的表面上形成了第二氣體阻隔層，而能夠將氣體阻隔層輕易地進行多層化。藉此，能夠更加提高氣體阻隔性。

本發明的一態樣的發光裝置，其具備：具有鍍銀層 之基板、搭載於基板上之發光二極體、及至少覆蓋鍍銀層的表面之複層膜(二層以上的膜)；其中，複層膜具有：第1層，其含有層狀矽酸化合物；及，第2層，其含有層狀矽酸化合物以外之第2矽酸化合物。

本發明的一態樣的發光裝置，藉由具備上述複層膜，能夠根據第1層來展現對硫化氫等氣體的氣體遮蔽性，且能夠對鍍銀層的表面賦予優異的耐變色性，更進一步根據含有第2層，能夠提昇第1層的耐水性及對銀的黏著力，以及提昇對使用於發光裝置的覆蓋、密封等之透明密封樹脂的密合性。藉此，能夠實現一種發光裝置，其具有對鍍銀層的耐變色性優異之抗變色膜且密封材料亦不易剝離。又，上述複層膜，能具有充分的光透性，能夠不妨礙發光裝置的發光特性地抑制鍍銀層的變色。

本發明的一態樣的發光裝置，較佳為於上述鍍銀層的表面上，依序設置上述第2層與上述第1層。

上述發光裝置，亦可被透明密封樹脂覆蓋或密封。

本發明的一態樣的銀用表面處理劑，其具有：A液，其含有層狀矽酸化合物；及，B液，其含有層狀矽酸化合物以外之第2矽酸化合物。

若根據本發明的一態樣的銀用表面處理劑，能夠形成具有由A液所形成的第1層與由B液所形成的第2層之複層膜，藉此，銀的抗變色(腐蝕)性優異，在銀的表面上能夠賦予優異的耐變色性，而且能夠減少對密封材料等的影響。又，若根據本發明的一態樣的銀用表面處理劑，因為能 夠形成透明性及密合性優異的抗變色膜，在應用於具有鍍銀層之發光裝置的情況下，能夠形成不妨礙發光裝置的發光特性，且可充分抑制鍍銀層的變色的抗變色膜。

在本發明的一態樣的銀用表面處理劑中，上述第2矽酸化合物較佳為聚矽氧系樹脂或無機玻璃。

又，上述層狀矽酸化合物的平均長邊長度，較佳為30nm以上且50000nm以下。藉由使用平均長邊長度在如此範圍的層狀矽酸化合物，能夠更加充分地抑制銀的變色。

本發明的一態樣的發裝置，其具備：具有鍍銀層之基板、搭載於基板上之發光二極體、及至少覆蓋鍍銀層的表面之複層膜；其中，複層膜具有：第1層，其含有氧氣穿透率為0.0001~10cc/m²．24h．atm的化合物；及，第2層，其含有體積電阻率為10¹⁰~10¹⁶Ω．cm的化合物。

若根據本發明的一態樣的發光裝置，則上述複層膜能夠發揮作為鍍銀層的耐變色性與絕緣可靠度兩者皆優異之抗變色膜的機能，且能夠長期維持充分的發光強度。

本發明的一態樣的發光裝置，較佳為於上述鍍銀層的表面上，依序設置上述第2層與上述第1層。

上述發光裝置，亦可被透明密封樹脂覆蓋或密封。這種情況，因為上述複層膜與透明密封樹脂的密合性變得優異，故起因於密封樹脂剝離的問題變得不易發生。

若根據本發明，可提供一種光半導體裝置，其能夠抑制鍍銀層的硫化，並抑制透明密封部的剝離。

若根據本發明，可提供一種光半導體裝置，其能夠抑制鍍銀層的硫化，並提高氣體阻隔性。

若根據本發明，可提供一種發光裝置，其具有對鍍銀層的耐變色性優異之抗變色膜且密封材料亦不易剝離；及提供一種銀用表面處理劑，其銀的抗變色(腐蝕)性優異，在銀的表面上能夠賦予優異的耐變色性，而且能夠減少對密封材料等的影響。

若根據本發明之銀用表面處理劑，能夠防止例如使用於電子零件、發光二極體等之照明設備等的銀，特別是銀蒸鍍面的變色(腐蝕)。

根據本發明，能夠提供一種發光裝置，其具有鍍銀層的耐變色性與絕緣可靠度兩者皆優異的抗變色膜。

1、2、3、4‧‧‧光半導體裝置

10‧‧‧基板

10a‧‧‧表面

12‧‧‧基體

14‧‧‧鍍銅板

16‧‧‧鍍銀層

20‧‧‧反射器(光反射部)

20a‧‧‧光反射面

20b‧‧‧頂面

20c‧‧‧外周面

20d‧‧‧上端部

22‧‧‧內側空間

30‧‧‧藍光二極體

32‧‧‧晶粒接合材

34‧‧‧接合引線

40‧‧‧透明密封部

42‧‧‧螢光體

44‧‧‧透明密封樹脂

50、52、53、54‧‧‧氣體阻隔層

60、63、64‧‧‧底塗層

60a、63a、64a‧‧‧底塗層反射面部

63b‧‧‧前緣面

64b‧‧‧底塗層頂面部

70、72、73、74‧‧‧抗銀硫化膜

H‧‧‧厚度

L‧‧‧黏土稀釋液、長度

M‧‧‧底塗稀釋液

U‧‧‧暴露部

101、102、103、104、105、106‧‧‧光半導體裝置

108‧‧‧中間零件

110‧‧‧基板

110a‧‧‧表面

112‧‧‧基體

114‧‧‧鍍銅板

116‧‧‧鍍銀層

120‧‧‧反射器(光反射部)

120a‧‧‧光反射面

120b‧‧‧頂面

120c‧‧‧外周面

122‧‧‧內側空間

124‧‧‧開口

130‧‧‧藍光二極體(發光二極體)

132‧‧‧晶粒接合材

134‧‧‧接合引線

140‧‧‧透明密封部

142‧‧‧螢光體

150、151、155‧‧‧氣體阻隔層

152、153、154‧‧‧第二氣體阻隔層

153a、154a‧‧‧光反射面覆蓋部

153b、154b‧‧‧接合引線覆蓋部

160‧‧‧底塗層

L‧‧‧黏土稀釋液

201‧‧‧發光裝置

210‧‧‧基板

210a‧‧‧基板之表面

212‧‧‧基體

214‧‧‧鍍銅板

216‧‧‧鍍銀層

220‧‧‧反射器(光反射部)

220a‧‧‧內周面(光反射面)

220b‧‧‧頂面

220c‧‧‧外周面

222‧‧‧內側空間

230‧‧‧藍光LED(藍光二極體)

232‧‧‧晶粒接合材

234‧‧‧接合引線

240‧‧‧透明密封樹脂(透明密封部)

242‧‧‧螢光體

250‧‧‧第2層(底塗層)

252‧‧‧第1層(氣體阻隔層)

260‧‧‧複層膜(抗變色膜)

300‧‧‧粒子

310‧‧‧外接長方形

M‧‧‧B液

D‧‧‧厚度

L、Lmax‧‧‧長度

第1圖是第1實施形態的光半導體裝置的剖面圖。

第2圖是第1圖所表示之光半導體裝置的平面圖。

第3圖是用以說明使用蒙脫石之抗硫化膜的構成的概念圖。

第4圖是用以說明底塗層的形成方法的圖。

第5圖是用以說明氣體阻隔層的覆蓋方法的圖。

第6圖是第2實施形態的光半導體裝置的剖面圖。

第7圖是用以說明氣體阻隔層的覆蓋方法的圖。

第8圖是第3實施形態的光半導體裝置的剖面圖。

第9圖是第4實施形態的光半導體裝置的剖面圖。

第10圖是第5實施形態的光半導體裝置的剖面圖。

第11圖是第10圖所表示之光半導體裝置的平面圖。

第12圖是用以說明使用蒙脫石之抗硫化膜的構成的概念圖。

第13圖是表示第5實施形態的光半導體裝置的製造方法的流程圖。

第14圖是表示第5實施形態的光半導體裝置的製造步驟的圖。

第15圖是表示第5實施形態的光半導體裝置的製造步驟的圖。

第16圖是第6實施形態的光半導體裝置的剖面圖。

第17圖是表示第6實施形態的光半導體裝置的製造方法的流程圖。

第18圖是第7實施形態的光半導體裝置的剖面圖。

第19圖是表示第7實施形態的光半導體裝置的製造方法的流程圖。

第20圖是第8實施形態的光半導體裝置的剖面圖。

第21圖是表示第8實施形態的光半導體裝置的製造方法的流程圖。

第22圖是第9實施形態的光半導體裝置的剖面圖。

第23圖是第10實施形態的光半導體裝置的剖面圖。

第24圖是表示第10實施形態的光半導體裝置的製造方法的流程圖。

第25圖是發光裝置的剖面圖。

第26圖是第25圖所表示之發光裝置的平面圖。

第27圖是表示層狀矽酸化合物的一例的概略圖。

第28圖是表示第11及第12實施形態的發光裝置的製造方法的流程圖。

第29圖是於實施形態的銀用表面處理劑的塗布步驟後之發光裝置的剖面圖。

第30圖是於乾燥步驟後之發光裝置的剖面圖。

第31圖是於透明密封樹脂填充步驟後之發光裝置的剖面圖。

第32圖是用以說明由實施形態的銀用表面處理劑所形成的抗變色膜的構成的概念圖。

第33圖是表示第13及第14實施形態的發光裝置的製造方法的流程圖。

第34圖是藉由第33圖的製造方法而製造出來的發光裝置的剖面圖。

第35圖是表示第15及第16實施形態的發光裝置的製造方法的流程圖。

第36圖是藉由第35圖的製造方法而製造出來的發光裝置的剖面圖。

第37圖是針對於實施例中使用銀用表面處理劑而形成的抗變色膜的一例所拍攝而成的剖面穿透式電子顯微鏡照片。

以下，參照圖式並針對本發明的一態樣的光半導體裝置的適宜的實施形態進行詳細說明。另外，在全部圖式中， 對於相同或相當的部分將給予相同的符號。

〔第1實施形態〕

第1圖是第1實施形態的光半導體裝置的剖面圖。第2圖是第1圖所表示之光半導體裝置的平面圖。如第1圖及第2圖所示，此實施形態的光半導體裝置1，一般是分類到「表面構裝型(表面安裝型)」。此光半導體裝置1，其具備：基板10、接合於基板10的表面上之藍光二極體30、以圍繞藍光二極體的方式設置於基板10的表面上之反射器20、填充於反射器20中並將藍光二極體30密封住之透明密封部40、及覆蓋鍍銀層16之抗銀硫化膜70。另外，在第2圖中，省略了透明密封部40的圖示。

基板10，是鍍銅板14在絕緣性的基體12的表面上進行了配線，而鍍銀層16形成於鍍銅板14的表面上。鍍銀層16配置於基板10的表面上，成為與藍光二極體30導通的電極。另外，鍍銀層16，只要是含有銀的鍍層不管是如何的組成皆可。例如，亦可藉由僅鍍覆銀來形成鍍銀層16，亦可藉由以鎳及銀這樣的順序進行鍍覆來形成鍍銀層16。鍍銅板14及鍍銀層16，在陽極側與陰極側受到絕緣。陽極側的鍍銅板14及鍍銀層16與陰極側的鍍銅板14及鍍銀層16之間的絕緣，例如，能夠藉由使陽極側的鍍銅板14及鍍銀層16與陰極側的鍍銅板14及鍍銀層16隔離，並適當地在那之間插入樹脂及陶瓷等絕緣層來進行。

藍光二極體30是晶粒接合於陽極側及陰極側之任 何一方的鍍銀層16，並經由晶粒接合材32與該鍍銀層16導通著。又，藍光二極體30是引線接合於陽極側及陰極側之任何另外一方的鍍銀層16，並經由接合引線34與該鍍銀層16導通著。

反射器20為光反射部，其填充了用以將藍光二極體30密封住的透明密封部40，並將由藍光二極體30所發出的光反射到光半導體裝置1表面側。反射器20以圍繞著藍光二極體30的方式豎立在基板10的表面上，在內側形成了容納藍光二極體30的內側空間22。而且，反射器20具備了光反射面20a、頂面20b及外周面20c。光反射面20a於俯視(參照第2圖)下形成了圓形，圍繞著藍光二極體30形成了容納藍光二極體30的內側空間22。換句話說，藉由圍繞著藍光二極體30之光反射面20a，形成了容納藍光二極體30之內側空間22。頂面20b是鄰接著光反射面20a而位於內側空間22的外側，從光反射面20a的表側端緣向內側空間22的相反側擴展開來。外周面20c於俯視(參照第2圖)下形成了矩形，從基板10的表面10a立起來到頂面20b的外側端緣。雖然光反射面20a及外周面20c的形狀並沒有特別限定，但從提升光半導體裝置1照度的觀點而言，光反射面20a較佳為形成圓錐台形狀(漏斗狀)，其隨著遠離基板10而擴徑，而從提升光半導體裝置1集積度的觀點而言，外周面20c較佳為面對基板10形成垂直的四角形。另外，作為光反射面20a的形成例，在圖式中以圖表示出位於基板10側的下部分垂直於基板10，而位於基板10相反側的上部分則隨著遠離基板10而 擴徑。

反射器20是由含有白色顏料的熱硬化性樹脂組成物之硬化物所構成。從反射器20之易於形成性的觀點而言，熱硬化性樹脂組成物較佳為在熱硬化前於室溫(25℃)可加壓成型者。

作為熱硬化性樹脂組成物中所包含的熱硬化性樹脂，能夠使用環氧樹脂、聚矽氧樹脂、胺酯樹脂、氰酸酯樹脂等種種樹脂。特別是環氧樹脂，其較佳是由於對各種材料的黏著性優異。

作為白色顏料，能夠使用氧化鋁、氧化鎂、氧化銻、氧化鈦或氧化鋯等。在此等之中，從光反射性這點而言較佳為氧化鈦。亦可使用無機中空粒子來作為白色顏料。就無機中空粒子的具體例而言，能舉出矽酸鈉玻璃、矽酸鋁玻璃、硼矽酸鈉玻璃、白砂(Shirasu)等。

透明密封部40是填充於藉由反射器20的光反射面20a所形成的內側空間22裡，而將藍光二極體30密封住。此透明密封部40是由具有透光性的透明密封樹脂所構成。透明密封樹脂之中，除了完全透明的樹脂之外，也包含半透明的樹脂。就透明密封樹脂而言，較佳為彈性係數在室溫(25℃)下為1MPa以下者。特別是從透明性這點而言，較佳為採用聚矽氧樹脂或丙烯酸樹脂。透明密封樹脂亦可進一步含有將光線擴散的無機充填材或是螢光體42，該螢光體42將由藍光二極體30所發出的藍光作為激發源而成為白色光。

抗銀硫化膜70，具有：氣體阻隔層50，其具有源自 於黏土的氣體阻隔性；及，底塗層60，其配置於氣體阻隔層50的下層並具有黏著性。

氣體阻隔層50，是藉由覆蓋鍍銀層16來抑制鍍銀層16的硫化。氣體阻隔層50是包含黏土的層。作為構成氣體阻隔層50的黏土，不論是天然黏土及合成黏土的任何一種皆能使用，例如，能夠使用斯蒂文石(stevensite)、水輝石(hectorite)、皂石(saponite)、蒙脫石(montmorillonite)及貝德石(beidellite)中的任1種以上。特別是天然黏土的蒙脫石，如第3圖所示，若厚度H在1nm以下、長度L在10nm以上且400nm以下，則由於尺寸比高，氣體的路徑路線變長，因此氣體阻隔性優異。

氣體阻隔層50的膜厚，較佳為0.01μm以上且1000μm以下，更佳為0.03μm以上且500μm以下，又更佳為0.05μm以上且100μm以下，再更佳為0.05μm以上且10μm以下，再更佳為0.05μm以上且1μm以下。藉由將氣體阻隔層50的膜厚設在0.01μm以上且1000μm以下，能夠兼具對鍍銀層16的氣體阻隔性與氣體阻隔層50的透明性。此時，藉由將氣體阻隔層50的膜厚設在0.03μm以上且500μm以下、0.05μm以上且100μm以下、0.05μm以上且10μm以下、0.05μm以上且1μm以下，此效果還能夠更加提升。

底塗層60，是藉由配置於反射器20與透明密封部40之間來抑制透明密封部40對反射器20的剝離。就底塗層60而言，較佳為具有黏著性及絕緣性之層，例如能夠使用含矽酸化合物之層。作為矽酸化合物，例如可舉出聚矽氧橡膠 等聚矽氧系樹脂及無機玻璃。

在本實施形態所使用的矽酸化合物，從藉由其柔軟性而獲得黏著性的觀點而言，線膨脹係數較佳為180ppm~450ppm。藉由線膨脹係數在180ppm以上，會較易於確保源自柔軟性的黏著性，另一方面，藉由線膨脹係數在450ppm以下，例如藉由用於覆蓋或密封的透明密封樹脂則能夠抑制變形發生於底塗層。從由柔軟性所導致之黏著性提高的觀點而言，矽酸化合物更佳是線膨脹係數為200ppm~450ppm者，從提高與用於覆蓋或密封的透明密封樹脂之接着可靠度的觀點而言，又更佳為200ppm~350ppm者。

在本實施形態所使用的矽酸化合物，從確保絕緣性的觀點而言，體積電阻率較佳為10¹⁰~10¹⁶Ω．cm，從提高絕緣性的觀點而言，更佳為10¹²~10¹⁶Ω．cm，又更佳為10¹³~10¹⁶Ω．cm。另外，矽酸化合物的體積電阻率，是指針對體積電阻率測定試驗片，依照JIS C2139所測定出來的值，該體積電阻率測定試驗片是將矽酸化合物3g塗布於附銅電極之基板，並於150℃予以乾燥3小時而獲得。

底塗層60的膜厚，從黏著性的觀點而言較佳為10nm~1000nm，從耐水性的觀點而言更佳為30nm~1000nm，從有效地展現氣體阻隔層50的氣體阻隔性的觀點而言又更佳為30~500nm。

氣體阻隔層50，能夠藉由將經溶劑稀釋上述黏土而成的黏土稀釋液滴入或散布至反射器20的內側空間22後，去除溶劑及/或是進行硬化而形成。

底塗層60，能夠利用將經溶劑稀釋上述矽酸化合物而成的底塗稀釋液滴入或散布至反射器20的內側空間22後，去除溶劑及/或是進行硬化而形成。

然後，藉由將氣體阻隔層50疊層到底塗層60上，隨著能夠確保透明性，並提升抗銀硫化膜70的耐水性及對鍍銀層16的黏著力，而能夠抑制在用於覆蓋或密封的透明密封部40與光反射面20a之間的剝離。

氣體阻隔層50及底塗層60的具體配置，如同以下所述。底塗層60形成於鍍銀層16及光反射面20a的整個面，氣體阻隔層50則覆蓋在鍍銀層16及光反射面20a的一部分。底塗層60之中，形成在光反射面20a上的部分，稱為底塗層反射面部60a。底塗層反射面部60a，形成了氣體阻隔層50所疊層的覆蓋部、與氣體阻隔層50所沒有疊層的暴露部U，而底塗層60的暴露部U接觸到透明密封部40。另外，氣體阻隔層50，只要有覆蓋著鍍銀層16即可，不管是否有覆蓋著藍光二極體30皆可。

暴露部U對底塗層反射面部60a之面積比例(以下稱為「暴露部U之面積比例」)並沒有特別限定，但較佳是設為1~99%，更佳是設為5~95%，特佳是設為10~90%。藉由將暴露部U之面積比例設在1%以上，能夠確保底塗層60與透明密封部40的接合強度。並且，藉由將暴露部U之面積比例設在5%以上，更進一步設在10%以上，能夠更加提升此效果。藉由將暴露部U之面積比例設在99%以下，能夠易於進行氣體阻隔層50的覆蓋。並且，藉由將暴露部U之面 積比例設在95%以下，更進一步設在90%以下，能夠更加提升此效果。

順帶一提，使用了上述黏土的氣體阻隔層50，只要有0.01μm以上且1000μm以下的膜厚，就具有充分的透光性。因此，即使以氣體阻隔層50覆蓋光反射面20a，對於反射器20的反射特性沒有太大的影響。而且，天然黏土也就是蒙脫石的薄膜，有著將藍光之頻帶增幅的作用。因此，藉由以使用了天然黏土也就是蒙脫石的氣體阻隔層50來覆蓋光反射面20a，而增大了由藍光二極體30所發出的藍光的反射效率。

其次，參照第4圖、第5圖及第1圖，針對在光半導體裝置1之製造方法中，抗銀硫化膜70之形成方法及透明密封部40之填充方法進行說明。第4圖是用以說明底塗層之形成方法的圖。第5圖是用以說明氣體阻隔層的覆蓋方法的圖。

首先，如第4圖之(a)所示，將底塗稀釋液M滴入或散布至反射器20的內側空間22裡。此時，如第4圖之(a)所示，調節底塗稀釋液M的滴入量或散布量，以底塗稀釋液M覆蓋光反射面20a的整個面。之後，使底塗稀釋液M的溶劑加以乾燥。於是，如第4圖之(b)所示，在以底塗稀釋液M覆蓋的範圍的整個面，換句話說，在鍍銀層16、藍光二極體30及光反射面20a的整個面，形成了底塗層60。

底塗層60形成後，如第5圖之(a)所示，將黏土稀釋液L滴入或散布至反射器20的內側空間22裡。此時， 用鍍銀層16全部以黏土稀釋液L覆蓋，且光反射面20a的一部分以黏土稀釋液L覆蓋的方式(光反射面20a的一部分未以黏土稀釋液L覆蓋的方式)，調節黏土稀釋液L的滴入量或散布量。之後，使黏土稀釋液L的溶劑加以乾燥。於是，如第5圖的(b)所示，在以黏土稀釋液L覆蓋的範圍的整個面，換句話說，在鍍銀層16、藍光二極體30及底塗層反射面部60a的一部分，氣體阻隔層50疊層於底塗層60上。

氣體阻隔層50形成了後，如第1圖所示，將包含螢光體42的透明密封部40填充於內側空間22裡，以此透明密封部40將藍光二極體30密封住。此時，如第5圖之(b)所示，由於在暴露部U上沒有疊層氣體阻隔層50，故透明密封部40在底塗層反射面部60a之中與暴露部U接觸著。藉此，獲得了光反射面20a的一部分也就是暴露部U與透明密封部40接合著的光半導體裝置1。

如此一來，若根據本實施形態的光半導體裝置1，由於鍍銀層16以具有源自於黏土的氣體阻隔性之氣體阻隔層50覆蓋著，故能夠抑制鍍銀層16的硫化。藉此，鍍銀層16能夠大幅抑制因黑色化而導致之光半導體裝置1的照度降低。然後，就抗銀硫化膜70而言，藉由將具有黏著性的底塗層配置於氣體阻隔層50的下層，並使透明密封部40接觸到此底塗層60，相較於沒有底塗層60的情況或是底塗層60與透明密封樹脂沒有接觸的情況，能夠抑制透明密封部40的剝離。

又，由於內側空間22小，難以將黏土稀釋液L及底 塗稀釋液M僅滴入或散布在鍍銀層16上。於是，氣體阻隔層50及底塗層60，在容許覆蓋光反射面20a的情況下，能夠易於進行氣體阻隔層50及底塗層60對鍍銀層16的覆蓋。而且，即使有這種情況，由於在底塗層反射面部60a之暴露部U上透明密封部40與底塗層60接觸著，故能夠抑制透明密封部40的剝離。

又，光反射面20a反射了由藍光二極體30所發出的光而從光半導體裝置1輸出，但由於具有源自於黏土的氣體阻隔性的氣體阻隔層50，有著將藍光之頻帶增幅的作用，藉由以氣體阻隔層50覆蓋光反射面20a，能夠增大由藍光二極體30所發出之藍光的反射效率。

〔第2實施形態〕

其次，針對第2實施形態來說明。第2實施形態，基本上與第1實施形態相同，僅在氣體阻隔層的形成位置與第1實施形態不同。因此，在以下的說明中，僅說明與第1實施形態不同之事項，而省略與第1實施形態相同的說明。

第6圖是第2實施形態的光半導體裝置的剖面圖。如第6圖所示，第2實施形態的光半導體裝置2具備了抗銀硫化膜72，來取代第1實施形態的抗銀硫化膜70。

抗銀硫化膜72具備了氣體阻隔層52與底塗層60。氣體阻隔層52，基本上與氣體阻隔層50相同，但在沒有覆蓋光反射面20a這點上，與氣體阻隔層50不同。換句話說，氣體阻隔層52，沒有疊層至底塗層反射面部60a上，底塗層反 射面部60a對氣體阻隔層52是暴露出整個面。因此，透明密封部40與底塗層反射面部60a的整個面接觸著。另外，氣體阻隔層52，只要有覆蓋著鍍銀層16即可，不管是否有覆蓋著藍光二極體30皆可。

第7圖是用以說明氣體阻隔層的覆蓋方法的圖。如第7圖之(a)所示，底塗層60形成後，將黏土稀釋液L滴入或散布至反射器20的內側空間22裡。此時，鍍銀層16的整個面被黏土稀釋液L覆蓋，但光反射面20a及底塗層反射面部60a沒有以黏土稀釋液L覆蓋的方式，調節黏土稀釋液L的滴入量或散布量。之後，使黏土稀釋液L的溶劑加以乾燥。於是，如第7圖之(b)所示，在以黏土稀釋液L覆蓋的範圍的整個面，換句話說，在鍍銀層16與藍光二極體30的整個面，氣體阻隔層52疊層於底塗層60上。

如此一來，若根據第2實施形態，由於氣體阻隔層52於光反射面20a上並沒有疊層至底塗層60上，因此能夠擴大透明密封部40與底塗層60的接觸面積，而能夠更加抑制透明密封部40的剝離。

〔第3實施形態〕

其次，針對第3實施形態來說明。第3實施形態，基本上與第1實施形態相同，僅在底塗層及氣體阻隔層的形成位置與第1實施形態不同。因此，在以下的說明中，僅說明與第1實施形態不同之事項，而省略與第1實施形態相同的說明。

第8圖是第3實施形態的光半導體裝置的剖面圖。如第8圖所示，第3實施形態的光半導體裝置3具備了抗銀硫化膜73，來取代第1實施形態的抗銀硫化膜70。

抗銀硫化膜73具備了底塗層63與氣體阻隔層53。

底塗層63基本上與底塗層60相同，但在沒有形成於整個面的光反射面20a上這點與底塗層60不同。在底塗層63中，將形成於光反射面20a上的部分稱為底塗層反射面部63a。又，在光反射面20a中，將頂面20b側的端部稱為上端部20d。然後，在光反射面20a中，底塗層63僅形成於除了上端部20d以外的部分，在此上端部20d上沒有形成底塗層63。換句話說，底塗層反射面部63a是從鍍銀層16開始沿著光反射面20a延伸到頂面20b的跟前為止。

氣體阻隔層53基本上與氣體阻隔層50相同，但在光反射面20a上，疊層於大略整體的底塗層反射面部63a上這點與氣體阻隔層50不同。然後，沿著光反射面20a延伸的底塗層反射面部63a的前緣面63b，換句話說，底塗層反射面部63a之頂面20b側的前緣面63b，從氣體阻隔層53暴露出來，此前緣面63b與透明密封部40接觸著。

作為將底塗層反射面部63a的前緣面63b從氣體阻隔層53暴露出來的方法而言，例如可舉出如下的方法：形成底塗層63後，以黏土稀釋液L不會覆蓋到前緣面63b的程度，將黏土稀釋液L滴入或散布至內側空間22裡，並使黏土稀釋液L的溶劑加以乾燥。

如此一來，若根據第3實施形態，即使氣體阻隔層 53疊層了大略整體的底塗層反射面部63a，因為沿著光反射面20a延伸的底塗層反射面部63a的前緣面63b與透明密封樹脂接觸著，而能夠抑制透明密封部40的剝離。

〔第4實施形態〕

其次，針對第4實施形態來說明。第4實施形態，基本上與第1實施形態相同，僅在底塗層、氣體阻隔層及透明密封樹脂的形成位置與第1實施形態不同。因此，在以下的說明中，僅說明與第1實施形態不同之事項，而省略與第1實施形態相同的說明。

第9圖是第4實施形態的光半導體裝置的剖面圖。如第9圖所示，第4實施形態的光半導體裝置4具備了底塗層64、氣體阻隔層54及透明密封樹脂44，來取代第1實施形態的底塗層60、氣體阻隔層50及透明密封部40。

底塗層64基本上與底塗層60相同，但在形成超過光反射面20a直至頂面20b為止這點與底塗層60不同。在底塗層64中，將形成在光反射面20a上的部分稱為底塗層反射面部64a，形成在頂面20b上的部分稱為底塗層頂面部64b。

氣體阻隔層54基本上與氣體阻隔層50相同，但在疊層於整體的底塗層反射面部64a上這點與氣體阻隔層50不同。惟，氣體阻隔層54沒有覆蓋至底塗層頂面部64b。因此，底塗層頂面部64b，從氣體阻隔層54暴露出來。

透明密封樹脂44基本上與透明密封部40相同，但超過反射器20的內側空間到達頂面20b。然後，透明密封樹 脂44以接觸著底塗層頂面部64b的狀態，將底塗層頂面部64b密封住。

如此一來，若根據第4實施形態，即使氣體阻隔層54疊層於底塗層反射面部64a的整體，因為形成了底塗層頂面部64b，並使此底塗層頂面部64b與透明密封樹脂44接觸，而能夠抑制透明密封樹脂44的剝離。

又，由於內側空間22小，難以將黏土稀釋液L及底塗稀釋液M僅滴入或散布在鍍銀層16上。於是，氣體阻隔層54及底塗層64，在容許覆蓋光反射面20a的整個面的情況下，能夠易於進行氣體阻隔層54及底塗層64對鍍銀層16的覆蓋。而且，即使有這種情況，由於透明密封部40與底塗層頂面部64b接觸著，故能夠抑制透明密封部40的剝離。

以上，是針對本發明的一態樣的適宜的實施形態來說明，但本發明並不限定於上述實施形態。

例如，在上述實施形態，雖然基體12與反射器20是以個別構件來說明，但亦可形成為一體。

又，在上述實施形態，作為接合於光半導體裝置1的發光二極體，雖然是以採用發出藍色光的藍光二極體30來說明，但亦可以採用發出藍色以外之光的發光二極體。

以下，參照圖式，針對此實施形態的光半導體裝置及其製造方法之適宜的實施形態來詳細說明。另外，全部圖中，對於相同或相當的部分將給予相同的符號。

〔第5實施形態〕

如第10圖及第11圖所示，此實施形態的光半導體裝置101，一般是分類到「表面構裝型」。此光半導體裝置101，其具備：基板110、接合於基板110的表面上之藍光二極體130、以圍繞藍光二極體130的方式設置於基板110的表面上之反射器120、填充於反射器120中並將藍光二極體130密封住之透明密封部140、及將鍍銀層116覆蓋住之氣體阻隔層150。另外，在第11圖中，省略了透明密封部140的圖示。另外，本實施形態中所謂「將鍍銀層116覆蓋住」，是指直接地或間接地將鍍銀層116覆蓋住。間接地將鍍銀層116覆蓋住，是指例如在與鍍銀層116之間，隔著其他構件來覆蓋。

基板110，是鍍銅板114在絕緣性的基體112的表面上進行了配線，而鍍銀層116形成於鍍銅板114的表面上。惟基板110的結構並不限定於此，可適當變更。鍍銀層116配置於基板110的表面上，成為與藍光二極體130導通的電極。另外，鍍銀層116，只要是含有銀的鍍層不管是如何的組成皆可。例如，亦可藉由僅鍍覆銀來形成鍍銀層116，亦可藉由以鎳及銀這樣的順序進行鍍覆來形成鍍銀層116。鍍銅板114及鍍銀層116，在陽極側與陰極側受到絕緣。陽極側的鍍銅板114及鍍銀層116與陰極側的鍍銅板114及鍍銀層116之間的絕緣，例如，能夠藉由使陽極側的鍍銅板114及鍍銀層116與陰極側的鍍銅板114及鍍銀層116隔離，並適當地在那之間插入樹脂及陶瓷等絕緣層來進行。

藍光二極體130是晶粒接合於陽極側及陰極側之任何一方的鍍銀層116，並經由晶粒接合材132與該鍍銀層116 導通著。又，藍光二極體130是引線接合於陽極側及陰極側之任何另外一方的鍍銀層116，並經由接合引線134與該鍍銀層116導通著。

反射器120為一光反射部，其填充了用以將藍光二極體130密封住的透明密封部140，並將由藍光二極體130所發出的光反射到光半導體裝置101表面側。反射器120以圍繞著藍光二極體130的方式豎立在基板110的表面上，在內側形成了容納藍光二極體130的內側空間122。因此，於內側空間122中的基板110之相反側，成為內側空間122的開口124。而且，反射器120具備了光反射面120a、頂面120b與外周面120c。光反射面120a於俯視(參照第11圖)下形成了圓形，圍繞著藍光二極體130形成了容納藍光二極體130的內側空間122。換句話說，藉由圍繞著藍光二極體130之光反射面120a，形成了容納藍光二極體130之內側空間122。頂面120b是鄰接著光反射面120a而位於內側空間122的外側，從光反射面120a的表側端緣向內側空間122的相反側擴展開來。外周面120c於俯視(參照第11圖)下形成了矩形，從基板110的表面110a立起來到頂面120b的外側端緣。光反射面120a及外周面120c的形狀並沒有特別限定，但從提升光半導體裝置101照度的觀點而言，光反射面120a較佳為形成圓錐台形狀(漏斗狀)，其隨著遠離基板110而擴徑，從提升光半導體裝置101集積度的觀點而言，外周面120c較佳為面對著基板110形成垂直的四角形。另外，作為光反射面120a的形成例，在圖式中以圖表示出位於基板110側的下 部分垂直於基板110，而位於基板110相反側的上部分則隨著遠離基板110而擴徑。

反射器120是由含有白色顏料的熱硬化性樹脂組成物之硬化物所構成。從反射器120之易於形成性的觀點而言，熱硬化性樹脂組成物較佳為在熱硬化前於室溫(25℃)可加壓成型者。

作為熱硬化性樹脂組成物中所包含的熱硬化性樹脂，能夠使用環氧樹脂、聚矽氧樹脂、胺酯樹脂、氰酸酯樹脂等種種樹脂。特別是環氧樹脂，其較佳是由於對各種材料的黏著性優異。

作為白色顏料，能夠使用氧化鋁、氧化鎂、氧化銻、氧化鈦或氧化鋯等。在此等之中從光反射性這點而言較佳為氧化鈦。亦可使用無機中空粒子來作為白色顏料。就無機中空粒子的具體例而言，可舉出矽酸鈉玻璃、矽酸鋁玻璃、硼矽酸鈉玻璃、白砂等。

透明密封部140是填充於藉由反射器120的光反射面120a所形成的內側空間122裡，而將藍光二極體130密封住。此透明密封部140是由具有透光性的透明密封樹脂所構成。透明密封樹脂之中，除了完全透明的樹脂之外，也包含半透明的樹脂。就透明密封樹脂而言，較佳為彈性係數在室溫(25℃)下為1MPa以下者。特別是從透明性這點而言，較佳為採用聚矽氧樹脂或丙烯酸樹脂。透明密封樹脂亦可進一步含有將光線擴散的無機充填材或是螢光體142，該螢光體142將由藍光二極體130所發出的藍光作為激發源而成為白色光。

氣體阻隔層150是具有源自於黏土的氣體阻隔性的氣體阻隔層，藉由覆蓋鍍銀層116來抑制鍍銀層116的硫化。氣體阻隔層150配置在遠離基板110的位置，從內側空間122的開口124側覆蓋住鍍銀層116。氣體阻隔層150埋設在透明密封部140裡，氣體阻隔層150的表裡面被透明密封部140密封住。又，氣體阻隔層150連接到環繞內側空間122一整周之光反射面120a，透明密封部140藉由氣體阻隔層150而被分成了基板110側之部分與開口124側之部分。因此，在鍍銀層116上，朝向開口124，依序疊層透明密封部140、氣體阻隔層150及透明密封部140。

氣體阻隔層150是包含黏土的層。作為構成氣體阻隔層150的黏土，不論是天然黏土及合成黏土的任何一種皆能使用，例如，能夠使用斯蒂文石、水輝石、皂石、蒙脫石及貝德石中的任1種以上。特別是天然黏土的蒙脫石，如第12圖所示，若厚度H在1nm以下，長度L在10nm以上且400nm以下則由於尺寸比高，氣體的路徑路線變長，因此氣體阻隔性優異。

氣體阻隔層150的層厚，較佳為0.01μm以上且1000μm以下，更佳為0.03μm以上且500μm以下，又更佳為0.05μm以上且100μm以下，再更佳為0.05μm以上且10μm以下，再更佳為0.05μm以上且1μm以下。藉由將氣體阻隔層150的層厚設在0.01μm以上且1000μm以下，能夠兼具對鍍銀層116的氣體阻隔性與氣體阻隔層150的透明性。此時，藉由將氣體阻隔層150的層厚設在0.03μm以上 且500μm以下、0.05μm以上且100μm以下、0.05μm以上且10μm以下、0.05μm以上且1μm以下，此效果還能夠更加提升。

順帶一提，使用了上述黏土的氣體阻隔層150，只要有0.01μm以上且1000μm以下的層厚，就具有充分的透光性。因此，即使以氣體阻隔層150覆蓋光反射面120a，對於反射器120的反射特性沒有太大的影響。而且，天然黏土也就是蒙脫石之薄膜，有著將藍光之頻帶增幅的作用。因此，藉由以使用了天然黏土也就是蒙脫石的氣體阻隔層150來覆蓋光反射面120a，而增大了由藍光二極體130所發出之藍光的反射效率。

其次，參照第13圖~第15圖及第10圖，針對光半導體裝置101的製造方法來說明。第13圖是表示第5實施形態的光半導體裝置的製造方法的流程圖。第14圖及第15圖是表示第5實施形態的光半導體裝置的製造步驟的圖。

首先，如第13圖及第14圖之(a)所示，進行準備中間零件108的準備步驟(S111)，該中間零件108具備：基板110，其於表面形成有鍍銀層116；藍光二極體130，其接合於鍍銀層116；及，反射器120，其藉由圍繞著藍光二極體130之光反射面120a，形成收納藍光二極體130之內側空間122。

其次，如第13圖及第14圖之(b)所示，進行透明密封部密封步驟(S112)，其是將包含螢光體142的透明密封部140填充於內側空間122裡，以此透明密封部140將藍 光二極體130密封住的步驟。此時，以透明密封部140填充至內側空間122一半程度的方式，調整透明密封部140的填充量。這種情況，不管是否有以透明密封部140將接合引線134密封住皆可。之後，將透明密封部140進行乾燥等而予以硬化。

其次，如第13圖及第15圖之(a)所示，進行氣體阻隔層形成步驟(S113)，其是在遠離基板110之位置上形成氣體阻隔層150的步驟。在氣體阻隔層形成步驟中，首先，將黏土稀釋液L滴入或散布至填充了透明密封部140的內側空間122裡。此時，以黏土稀釋液L覆蓋透明密封部140的表面整體並接觸到環繞內側空間122一整周之光反射面120a的方式，調節黏土稀釋液L的滴入量或散布量。之後，使黏土稀釋液L的溶劑加以乾燥。於是，在透明密封部140的表面整體上，形成了連接於光反射面120a一整周之氣體阻隔層150。藉此，隔著透明密封部140，鍍銀層116成為從開口124側被氣體阻隔層150覆蓋的狀態。

其次，如第13圖及第10圖所示，進行氣體阻隔層埋設步驟(S114)，其是將包含螢光體142的透明密封部140填充至氣體阻隔層150所形成的內側空間122裡，而將內側空間122完全填滿的步驟。藉此，氣體阻隔層150埋設於透明密封部140裡，在鍍銀層116的頂面，依序疊層透明密封部140、氣體阻隔層150及透明密封部140。

如此一來，若根據本實施形態的光半導體裝置101，由於鍍銀層116以具有源自於黏土的氣體阻隔性的氣體阻隔 層150覆蓋著，故能夠抑制鍍銀層116的硫化。藉此，鍍銀層116能夠大幅抑制因黑色化而導致之光半導體裝置101的照度降低。順帶一提，具有源自於黏土的氣體阻隔性的氣體阻隔層，由於將層厚進行均勻化，氣體阻隔性因而提高。另一方面，由於形成鍍銀層116的基板110表面變得凹凸不平，若在基板110表面上形成氣體阻隔層，會變得難以將氣體阻隔層的層厚進行均勻化。於是，藉由在遠離基板110的位置上配置氣體阻隔層150，而能夠將氣體阻隔層150的層厚進行均勻化。藉此，能夠提高氣體阻隔層150的氣體阻隔性。

而且，藉由在氣體阻隔層150與基板110之間配置了透明密封部140，由於氣體阻隔層150遠離了基板110，而能夠防止在氣體阻隔層150與基板110之間的遷移。

又，由於氣體阻隔層150埋設於透明密封部140裡，而能夠防止氣體阻隔層150的剝離。

〔第6實施形態〕

其次，針對第6實施形態來說明。第6實施形態基本上與第5實施形態相同，僅在氣體阻隔層的形成位置與第5實施形態不同。因此，在以下的說明中，僅說明與第5實施形態不同之事項，而省略與第5實施形態相同的說明。

第16圖是第6實施形態的光半導體裝置的剖面圖。如第16圖所示，第6實施形態的光半導體裝置102具備了形成於透明密封部140表面上的氣體阻隔層151，來取代第5實施形態的氣體阻隔層150。

氣體阻隔層151與第5實施形態的氣體阻隔層150相同，是具有源自於黏土的氣體阻隔性的氣體阻隔層，藉由覆蓋鍍銀層116來抑制鍍銀層116的硫化。氣體阻隔層151配置在遠離基板110的位置，從內側空間122的開口124側覆蓋住鍍銀層116。然後，氣體阻隔層151形成於透明密封部140的表面及反射器120的頂面120b上，以覆蓋內側空間122整體的方式，連接到環繞內側空間122一整周之頂面120b。因此，在鍍銀層116上，朝向開口124，依序疊層透明密封部140及氣體阻隔層151。另外，氣體阻隔層151的材料、構成、層厚等，與第5實施形態的氣體阻隔層150相同。

其次，參照第16圖及第17圖，針對光半導體裝置102的製造方法來說明。第17圖是表示第6實施形態的光半導體裝置的製造方法的流程圖。

如第16圖及第17圖所示，首先，進行與第5實施形態相同的準備步驟(S121)。

其次，進行透明密封部密封步驟(S122)，其是將包含螢光體142的透明密封部140填充於內側空間122裡，以此透明密封部140將藍光二極體130密封住的步驟。此時，以透明密封部140填充至內側空間122整體的方式，調整透明密封部140的填充量。

其次，進行氣體阻隔層形成步驟(S123)，其是在遠離基板110之位置上形成氣體阻隔層151的步驟。在氣體阻隔層形成步驟中，首先，將黏土稀釋液滴入或散布至透明密封部140的表面及反射器120的頂面120b。此時，以黏土 稀釋液覆蓋透明密封部140的表面整體並接觸到環繞內側空間122一整周之頂面120b的方式，調節黏土稀釋液的滴入量或散布量。之後，使黏土稀釋液的溶劑加以乾燥。於是，在透明密封部140的表面整體上，形成了連接於頂面120b一整周之氣體阻隔層151。藉此，隔著透明密封部140，鍍銀層116成為從開口124側被氣體阻隔層151覆蓋的狀態。

如此一來，若根據本實施形態的光半導體裝置102，由於氣體阻隔層151形成於透明密封部140的表面上，而能夠易於形成透明密封部140及氣體阻隔層151。

〔第7實施形態〕

其次，針對第7實施形態來說明。第7實施形態，基本上與第5實施形態相同，僅在新具備了第二氣體阻隔層這點上與第5實施形態不同。因此，在以下的說明中，僅說明與第5實施形態不同之事項，而省略與第5實施形態相同的說明。

第18圖是第7實施形態的光半導體裝置的剖面圖。如第18圖所示，第7實施形態的光半導體裝置103，是在第5實施形態的光半導體裝置101上新具備了第二氣體阻隔層152者。

第二氣體阻隔層152與第5實施形態的氣體阻隔層150相同，是具有源自於黏土的氣體阻隔性的氣體阻隔層，藉由覆蓋鍍銀層116來抑制鍍銀層116的硫化。第二氣體阻隔層152，形成於基板110(鍍銀層116)的表面上，從內側空 間122的開口124側覆蓋住鍍銀層116。因此，第二氣體阻隔層152是直接疊層於鍍銀層116上。然後，在鍍銀層116上，朝向開口124，依序疊層第二氣體阻隔層152、透明密封部140、氣體阻隔層150及透明密封部140。另外，第二氣體阻隔層152的材料、構成、層厚等，與第5實施形態的氣體阻隔層150相同。

其次，參照第18圖及第19圖，針對光半導體裝置103的製造方法來說明。第19圖是表示第7實施形態的光半導體裝置的製造方法的流程圖。

如第18圖及第19圖所示，首先，進行準備中間零件的準備步驟(S131)，該中間零件具備：基板110，其於表面形成有鍍銀層116；藍光二極體130，其接合於鍍銀層116；及，反射器120，其藉由圍繞著藍光二極體130之光反射面120a，形成收納藍光二極體130之內側空間122。另外，準備在第6實施形態的準備步驟中，藍光二極體130與鍍銀層116尚未進行引線接合的中間零件。

其次，進行第二氣體阻隔層形成步驟(S132)，其是在鍍銀層116的表面上形成第二氣體阻隔層152的步驟。在第二氣體阻隔層形成步驟中，首先，將黏土稀釋液滴入或散布至內側空間122裡。此時，以黏土稀釋液覆蓋住暴露於內側空間122之基板110的表面整體並接觸到環繞內側空間122一整周之光反射面120a的方式，調節黏土稀釋液的滴入量或散布量。之後，使黏土稀釋液的溶劑加以乾燥。於是，在暴露於內側空間122的基板110之整體表面上，形成了第 二氣體阻隔層152，該第二氣體阻隔層152連接於環繞內側空間122一整周之光反射面120a。藉此，鍍銀層116成為從開口124側被第二氣體阻隔層152覆蓋的狀態。

其次，進行連接步驟(S133)，其是引線接合藍光二極體130與第二氣體阻隔層152所覆蓋的鍍銀層116，來進行電性連接的步驟。在此連接步驟所使用的引線接合裝置中，能夠使用公知者。引線接合裝置，具備了接合引線134所插入的毛細管(未圖示)。將毛細管移動至固定的位置後予以下降，藉由將接合引線134推壓至藍光二極體130或形成有第二氣體阻隔層152的鍍銀層116，使接合引線134固定住。此時，為了使接合引線134能固定於藍光二極體130或鍍銀層116上，可設定以下所例示的條件。亦即，對毛細管施加60g以上且150gf以下程度的荷重，或是，使毛細管以80kHz以上且160kHz以下的頻帶振動。藉此，經由接合引線134，藍光二極體130與鍍銀層116互相進行電性連接。

其次，進行透明密封部密封步驟(S134)，其是將包含螢光體142的透明密封部140填充於形成了第二氣體阻隔層152的內側空間122裡，以此透明密封部140將藍光二極體130密封住的步驟。此時，以透明密封部140填充至內側空間122一半程度的方式，調整透明密封部140的填充量。這種情況，不管是否有以透明密封部140將接合引線134密封住皆可。之後，將透明密封部140進行乾燥等而予以硬化。

其次，進行氣體阻隔層形成步驟(S135)，其是在遠離基板110之位置上形成氣體阻隔層150的步驟。在氣體 阻隔層形成步驟中，首先，將黏土稀釋液滴入或散布至透明密封部140所填充的內側空間122裡。此時，以黏土稀釋液覆蓋透明密封部140的整體表面並接觸到環繞內側空間122一整周之光反射面120a的方式，調節黏土稀釋液的滴入量或散布量。之後，使黏土稀釋液的溶劑加以乾燥。於是，在整體的透明密封部140表面上，形成了氣體阻隔層150，該氣體阻隔層150連接於環繞內側空間122一整周之光反射面120a。藉此，氣體阻隔層成為多層(二層)結構，鍍銀層116成為從開口124側被第二氣體阻隔層152與氣體阻隔層150覆蓋的狀態。

其次，進行與第5實施形態相同的氣體阻隔層埋設步驟(S136)。藉此，在鍍銀層116的頂面，依序疊層第二氣體阻隔層152、透明密封部140、氣體阻隔層150及透明密封部140。

如此一來，若根據本實施形態的光半導體裝置103，藉由在鍍銀層116的表面上形成了第二氣體阻隔層152，而能夠將氣體阻隔層輕易地多層化。藉此，能夠更加提高氣體阻隔性。

〔第8實施形態〕

其次，針對第8實施形態來說明。第8實施形態基本上與第7實施形態相同，僅在第二氣體阻隔層的形狀不一樣這點上與第7實施形態不同。因此，在以下的說明中，僅說明與第7實施形態不同的事項，而省略與第7實施形態相同的 說明。

第20圖是第8實施形態的光半導體裝置的剖面圖。 如第20圖所示，第8實施形態的光半導體裝置104具備了延伸至光反射面120a且覆蓋接合引線134之第二氣體阻隔層153，來取代第7實施形態的第二氣體阻隔層152。

第二氣體阻隔層153，與第5實施形態的氣體阻隔 層150及第6實施形態的第二氣體阻隔層152相同，是具有源自於黏土的氣體阻隔性的氣體阻隔層，藉由覆蓋鍍銀層116來抑制鍍銀層116的硫化。第二氣體阻隔層153，形成在暴露於內側空間122的基板110(鍍銀層116)表面上，從內側空間122的開口124側覆蓋住鍍銀層116。因此，第二氣體阻隔層153是直接疊層於鍍銀層116上。

然後，第二氣體阻隔層153亦形成於光反射面120a 的表面及接合引線134的表面上。第二氣體阻隔層153之中，形成於光反射面120a上的部分稱為光反射面覆蓋部153a，形成於接合引線134表面上的部分稱為接合引線覆蓋部153b。

光反射面覆蓋部153a，亦可形成於光反射面120a的整個面，亦可僅形成於光反射面120a的一部分。另外，在第20圖中，是顯示出光反射面覆蓋部153a形成於光反射面120a的整個面的狀態。

接合引線覆蓋部153b，是以約略相同的層厚形成於接合引線134的整體表面上。因此，接合引線覆蓋部153b是以環狀沿著接合引線134從藍光二極體130延伸到鍍銀層116為止，和接合引線134同樣在與基板110及藍光二極體130 之間形成了間隙。

另外，第二氣體阻隔層153之材料、構成、層厚等，與第5實施形態的氣體阻隔層150及第6實施形態的第二氣體阻隔層152相同。

其次，參照第20圖及第21圖，針對光半導體裝置104的製造方法來說明。第21圖是表示第8實施形態的光半導體裝置的製造方法的流程圖。

如第20圖及第21圖所示，首先，進行與第5實施形態相同的準備步驟(S141)。

其次，進行第二氣體阻隔層形成步驟(S142)，其是在鍍銀層116的表面上，形成覆蓋住鍍銀層之第二氣體阻隔層153，該鍍銀層具有源自於黏土的氣體阻隔性。在第二氣體阻隔層形成步驟中，首先，將黏土稀釋液滴入或散布至內側空間122裡。此時，以黏土稀釋液覆蓋住光反射面120a的一部分或是整個面，而且完全覆蓋住接合引線134的方式，調節黏土稀釋液的滴入量或散布量。此時，在光反射面120a的整個面上覆蓋光反射面覆蓋部153a的情況下，以用黏土稀釋液充滿內側空間122裡，使光反射面120a的整個面被黏土稀釋液覆蓋的方式，調節黏土稀釋液的滴入量或散布量。另一方面，在僅有光反射面120a的一部分覆蓋了光反射面覆蓋部153a的情況下，以用黏土稀釋液不充滿內側空間122裡，使僅有光反射面120a的一部分被黏土稀釋液覆蓋的方式，調節黏土稀釋液的滴入量或散布量。之後，使黏土稀釋液的溶劑加以乾燥。於是，在暴露於內側空間122的基板110之整 體表面上，形成了第二氣體阻隔層153；在光反射面120a的表面上，形成了第二氣體阻隔層153的光反射面覆蓋部153a；在接合引線134的整體表面上，形成了第二氣體阻隔層153的接合引線覆蓋部153b。藉此，鍍銀層116成為從開口124側被第二氣體阻隔層153覆蓋的狀態。

其次，進行透明密封部密封步驟(S143)，其是將包含螢光體142的透明密封部140填充於形成了第二氣體阻隔層153的內側空間122裡，以此透明密封部140將藍光二極體130密封住的步驟。此時，以透明密封部140填充至內側空間122一半程度的方式，調整透明密封部140的填充量。這種情況，不管是否有以透明密封部140將接合引線134密封住皆可。之後，將透明密封部140進行乾燥等而予以硬化。

其次，進行氣體阻隔層形成步驟(S144)，其是在遠離基板110之位置上形成氣體阻隔層150的步驟。在氣體阻隔層形成步驟中，首先，將黏土稀釋液滴入或散布至透明密封部140所填充的內側空間122裡。此時，在光反射面覆蓋部153a被透明密封部140覆蓋的情況下，以黏土稀釋液覆蓋透明密封部140的整體表面並接觸到光反射面覆蓋部153a一整周的方式，調節黏土稀釋液的滴入量或散布量。另一方面，在光反射面覆蓋部153a從透明密封部140暴露出來的情況下，以黏土稀釋液覆蓋透明密封部140的整體表面並接觸到光反射面120一整周的方式，調節黏土稀釋液的滴入量或散布量。之後，使黏土稀釋液的溶劑加以乾燥。於是，在整體的透明密封部140表面上，形成了氣體阻隔層150，該氣體 阻隔層150連接於環繞內側空間122一整周之光反射面120a或光反射面覆蓋部153a。藉此，氣體阻隔層成為多層(二層)結構，鍍銀層116成為從開口124側被第二氣體阻隔層153與氣體阻隔層150覆蓋的狀態。

其次，進行了與第5實施形態相同的氣體阻隔層埋設步驟(S145)。藉此，在鍍銀層116的頂面，依序疊層第二氣體阻隔層153、透明密封部140、氣體阻隔層150及透明密封部140。

如此一來，若根據本實施形態的光半導體裝置104，藉由光反射面120a被光反射面覆蓋部153a所覆蓋，而能夠抑制光反射面120a的氧化。藉此，能夠大幅抑制光反射面120a變色所導致之光半導體裝置104的照度降低。

又，藉由接合引線134被接合引線覆蓋部153b所覆蓋，在將接合引線134的材料設為銀的情況下，能夠抑制接合引線134的硫化。

〔第9實施形態〕

其次，針對第9實施形態來說明。第9實施形態，基本上與第8實施形態相同，僅在接合引線覆蓋部的形狀不一樣這點上與第8實施形態不同。因此，在以下的說明中，僅說明與第8實施形態不同之事項，而省略與第8實施形態相同的說明。

第22圖是第9實施形態的光半導體裝置的剖面圖。如第22圖所示，第9實施形態的光半導體裝置105具備了第 二氣體阻隔層154，來取代第8實施形態的第二氣體阻隔層153。

第二氣體阻隔層154與第5實施形態的氣體阻隔層150及第8實施形態的第二氣體阻隔層153相同，具有源自於黏土的氣體阻隔性的氣體阻隔層，藉由覆蓋鍍銀層116來抑制鍍銀層116的硫化。

第二氣體阻隔層154，形成在暴露於內側空間122的基板110(鍍銀層116)表面上，從內側空間122的開口124側覆蓋住鍍銀層116。因此，第二氣體阻隔層154是直接疊層於鍍銀層116上。

然後，第二氣體阻隔層154具備了形成於光反射面120a表面上的光反射面覆蓋部154a、與形成於接合引線134表面上的接合引線覆蓋部154b。另外，光反射面覆蓋部154a與第8實施形態的光反射面覆蓋部153a相同。

接合引線覆蓋部154b，與第8實施形態的接合引線覆蓋部153b同樣是形成於接合引線134的整體表面上。然而，接合引線覆蓋部154b與第8實施形態的接合引線覆蓋部153b不同，是以膜狀充塞在基板110及藍光二極體130之間。

另外，第二氣體阻隔層154之材料、構成、層厚等，與第5實施形態的氣體阻隔層150及第8實施形態的第二氣體阻隔層153相同。

其次，針對光半導體裝置105的製造方法來說明。

光半導體裝置105的製造方法，基本上第8實施形態的光半導體裝置104的製造方法相同。惟，在使黏土稀釋 液之溶劑加以乾燥時，使黏土稀釋液仍保持在接合引線134與基板110及藍光二極體130之間，而該黏土稀釋液是為了形成第二氣體阻隔層154而滴入或散布至內側空間122裡。另外，就使黏土稀釋液保持在接合引線134與基板110及藍光二極體130之間的方法而言，例如可舉出延遲溶劑的乾燥速度的方法、提高黏土稀釋液中黏土的濃度的方法。藉此，形成了以膜狀充塞在接合引線134與基板110及藍光二極體130之間的接合引線覆蓋部154b。

如此一來，即使利用本實施形態的光半導體裝置105，由於光反射面120a被光反射面覆蓋部所覆蓋，且接合引線134被接合引線覆蓋部154b所覆蓋，故能夠達到與第8實施形態的光半導體裝置104相同的作用效果。

〔第10實施形態〕

其次，針對第10實施形態來說明。第10實施形態，基本上與第7實施形態相同，僅在氣體阻隔層的構成不一樣這點及新具備了底塗層這點上與第7實施形態不同。因此，在以下的說明中，僅說明與第7實施形態不同之事項，而省略與第7實施形態相同的說明。

第23圖是第10實施形態的光半導體裝置的剖面圖。如第23圖所示，第10實施形態的光半導體裝置106，是在第7實施形態的光半導體裝置103中新具備了底塗層160，且具備了氣體阻隔層155來取代氣體阻隔層150及第二氣體阻隔層152。

氣體阻隔層155基本上與第7實施形態的第二氣體阻隔層152相同，僅在疊層於底塗層160上這點與第7實施形態的第二氣體阻隔層152不同。

底塗層160，是藉由配至於基板110及光反射面120a與透明密封部140之間來抑制透明密封部140對基板110及光反射面120a的剝離。底塗層160是形成於暴露在內側空間122的基板110及光反射面120a上，於其頂面疊層了氣體阻隔層155。就底塗層160而言，較佳為具有黏著性及絕緣性之層，例如能夠使用含矽酸化合物之層。作為矽酸化合物，例如可舉出聚矽氧橡膠等聚矽氧系樹脂及無機玻璃。

在本實施形態所使用的矽酸化合物，從藉由其柔軟性而獲得黏著性的觀點而言，線膨脹係數較佳為180ppm~450ppm。藉由線膨脹係數在180ppm以上，可易於確保源自柔軟性的黏著性，另一方面，藉由線膨脹係數在450ppm以下，例如藉由用於覆蓋或密封的透明密封部140能夠抑制於底塗層160發生的變形。從提高源自柔軟性之黏著性的觀點而言，矽酸化合物更佳是線膨脹係數為200ppm~450ppm者，從提高與用於覆蓋或密封的透明密封部140之接着可靠度的觀點而言，又更佳為200ppm~350ppm者。

在本實施形態所使用的矽酸化合物，從確保絕緣性的觀點而言，體積電阻率較佳為10¹⁰~10¹⁶Ω．cm，從提高絕緣性的觀點而言，更佳為10¹²~10¹⁶Ω．cm，又更佳為10¹³~10¹⁶Ω．cm。另外，矽酸化合物的體積電阻率，是指針對體積電阻率測定試驗片，依照JIS C2139所測定出來的值，該 體積電阻率測定試驗片是將矽酸化合物3g塗布於附銅電極之基板，並於150℃予以乾燥3小時而獲得。

底塗層160的層厚，從黏著性的觀點而言較佳為10nm~1000nm，從耐水性的觀點而言更佳為30nm~1000nm，從有效地展現氣體阻隔層155之氣體阻隔性的觀點而言又更佳為30~500nm。

然後，底塗層160是形成在暴露於內側空間122的基板110(鍍銀層116)及光反射面120a上，氣體阻隔層155是透過底塗層160而覆蓋住鍍銀層116。因此，氣體阻隔層155配置在遠離基板110的位置，在鍍銀層116上，朝向開口124，依序疊層底塗層160、氣體阻隔層155及透明密封部140。另外，底塗層160亦可形成於光反射面120a的整個面，亦可僅形成於光反射面120a的一部分。又，氣體阻隔層155，只要有覆蓋著暴露於內側空間122的基板110即可，不管是否有覆蓋著藍光二極體130皆可。

其次，參照第23圖及第24圖，針對光半導體裝置106的製造方法來說明。第24圖是表示第10實施形態的光半導體裝置的製造方法的流程圖。

如第23圖及第24圖所示，首先，進行與第7實施形態相同的準備步驟(S161)。另外，在第10實施形態的準備步驟中，與第7實施形態相同，準備藍光二極體130與鍍銀層116尚未進行引線接合之中間零件。

其次，進行在基板110及光反射面120a上形成底塗層160的底塗層形成步驟(S162)。在底塗層形成步驟中， 首先，將經溶劑稀釋上述矽酸化合物而成的底塗稀釋液滴入或散布至內側空間122裡。此時，以底塗稀釋液覆蓋住光反射面120a的整個面或一部分的方式，調節底塗稀釋液的滴入量或散布量。之後，使底塗稀釋液的溶劑加以乾燥。於是，在以底塗稀釋液覆蓋的範圍的整個面，換句話說，在鍍銀層116、藍光二極體130及光反射面120a的整個面或一部分上，形成了底塗層160。

其次，進行氣體阻隔層形成步驟(S163)，其是在底塗層160的表面上形成氣體阻隔層155的步驟。在氣體阻隔層形成步驟中，首先，將黏土稀釋液滴入或散布至內側空間122裡。此時，以黏土稀釋液透過底塗層160覆蓋住暴露於內側空間122的基板110之整體表面，並遍及環繞內側空間122一整周之光反射面120a的方式，調節黏土稀釋液的滴入量或散布量。之後，使黏土稀釋液的溶劑加以乾燥。藉此，鍍銀層116成為從開口124側被氣體阻隔層155覆蓋的狀態。

其次，進行連接步驟(S164)，其是引線接合藍光二極體130與底塗層160及氣體阻隔層155所覆蓋的鍍銀層116，來進行電性連接的步驟。此連接步驟與第7實施形態的連接步驟(S133)相同。藉此，經由接合引線134，藍光二極體130與鍍銀層116互相進行電性連接。

之後，與第7實施形態同樣地，進行透明密封部密封步驟(S165)，形成透明密封部140。藉此，在鍍銀層116的頂面，依序疊層底塗層160、氣體阻隔層155及透明密封部140。

如此一來，若根據本實施形態的光半導體裝置106，利用在基板110與氣體阻隔層155之間配置了底塗層160，而能夠在基板110與氣體阻隔層155之間不配置透明密封部140，並將氣體阻隔層155配置於遠離基板110的位置。而且，相較於直接在基板110上形成氣體阻隔層155的情況，由於藉由底塗層160，要形成氣體阻隔層155的面被平坦化，而能夠將氣體阻隔層155的層厚進行均勻化。藉此，能夠提高氣體阻隔層155的氣體阻隔性。

又，藉由將氣體阻隔層155疊層到底塗層160上，隨著能夠同時確保透明性，並提升底塗層160及氣體阻隔層155的耐水性及對鍍銀層116的黏著力，而能夠抑制在用於覆蓋或密封的透明密封部140與光反射面120a之間的剝離。

以上，是針對本發明的一態樣的適宜的實施形態來說明，但本發明並不限定於上述實施形態。

例如，亦可將上述各實施形態的各構成適當組合。例如，亦可分別置換第8或第9實施形態的第二氣體阻隔層，與第7或第10實施形態的第二氣體阻隔層。又，亦可將第10實施形態的底塗層應用至第5~第9實施形態中。

又，在第7實施形態，雖然就氣體阻隔層的多層結構而言，將二層結構作為一例來說明，但亦可為三層以上之多層結構。

又，在上述實施形態，雖然基體與反射器是以個別構件來說明，但亦可形成為一體。

又，在上述實施形態，作為接合於光半導體裝置的 發光二極體，雖然是以採用發出藍色光的藍光二極體來說明，但亦可以採用發出藍色以外的光之發光二極體。

以下，同時參照圖式，並針對本發明的另一態樣的發光裝置的適宜的實施形態進行詳細說明。另外，全部圖中，對於相同或相當的部分將給予相同的符號。

第11實施形態的發光裝置，其具備：具有鍍銀層之基板、搭載於基板上之發光二極體、及至少覆蓋鍍銀層的表面之複層膜；其中，複層膜具有：第1層，其含有層狀矽酸化合物；及，第2層，其含有層狀矽酸化合物以外之第2矽酸化合物。

第12實施形態的發光裝置，其具備：具有鍍銀層之基板、搭載於基板上之發光二極體、及至少覆蓋鍍銀層的表面之複層膜；其中，複層膜具有：第1層，其含有氧氣穿透率為0.0001~10cc/m²．24h．atm的化合物；及，第1層，其含有體積電阻率為10¹⁰~10¹⁶Ω．cm的化合物。

〔第11及第12實施形態〕

參照第25圖及第26圖，針對第11及第12實施形態的發光裝置的構成來說明。關於第11及第12實施形態中共通的部分將彙整一起說明。

第25圖是發光裝置的剖面圖。第26圖是第25圖所表示之發光裝置的平面圖。如第25圖及第26圖所示，此實施形態的發光裝置201，一般是分類到「表面構裝型」。此發光裝置201，其具備：基板210、接合於基板210表面作為發 光元件之藍光LED230、以圍繞著藍光LED230的方式設置於基板210的表面上之反射器220、及填充於反射器220中並將藍光LED230密封住之透明密封樹脂240。另外，在第26圖中，省略了透明密封樹脂240的圖示。

基板210，是鍍銅板214在絕緣性的基體212的表面上進行了配線，而鍍銀層216形成於鍍銅板214的表面上。鍍銀層216配置於基板210的表面上，成為與藍光LED230導通的電極。另外，鍍銀層216，只要是含有銀的鍍層不管是如何的組成皆可。例如，亦可藉由僅鍍覆銀來形成鍍銀層216，亦可藉由以鎳及銀這樣的順序進行鍍覆來形成鍍銀層216。鍍銅板214及鍍銀層216，在陽極側與陰極側受到絕緣。陽極側的鍍銅板214及鍍銀層216與陰極側的鍍銅板214及鍍銀層216之間的絕緣，例如，能夠藉由使陽極側的鍍銅板214及鍍銀層216與陰極側的鍍銅板214及鍍銀層216隔離，並適當地在那之間插入樹脂及陶瓷等絕緣層來進行。

藍光LED230是晶粒接合於陽極側及陰極側之任何一方的鍍銀層216，並經由晶粒接合材232與該鍍銀層216導通著。又，藍光LED230是引線接合於陽極側及陰極側之任何另外一方的鍍銀層216，並經由接合引線與該鍍銀層216導通著。

反射器220，其填充了用以將藍光LED230密封住的透明密封樹脂240，同時將由藍光LED230所發出的光反射到發光裝置201表面側。反射器220以圍繞著藍光LED230的方式豎立在基板210的表面上。亦即，在反射器220上具備了： 內周面220a，其以圍繞著藍光LED230的方式從基板210的表面210a立起來，在內側形成了容納藍光LED230的內側空間222，並於俯視(參照第26圖)下形成了圓形；頂面220b，其鄰接著內周面220a而位於內側空間222的外側，從內周面220a的表側端緣向內側空間222的相反側擴展開來；及，外周面220c，其從頂面220b的外側端緣往下降至基板210的表面210a，並於俯視(參照第26圖)下形成了矩形。雖然內周面220a及外周面220c的形狀並沒有特別限定，但從提升發光裝置201照度的觀點而言，內周面220a較佳為形成圓錐台形狀(漏斗狀)，其隨著遠離基板210而擴徑，而從提升發光裝置201集積度的觀點而言，外周面220c較佳為面對著基板210形成垂直的四角形。另外，作為內周面220a的形成例，在圖式中以圖表示出位於基板210側的下部分垂直於基板210，而位於基板210相反側的上部分則隨著遠離基板210而擴徑。

反射器220是由含有白色顏料的熱硬化性樹脂組成物之硬化物所構成。從反射器220之易於形成性的觀點而言，熱硬化性樹脂組成物較佳為在熱硬化前於室溫(25℃)可加壓成型者。

作為熱硬化性樹脂組成物中所包含的熱硬化性樹脂，能夠使用環氧樹脂、聚矽氧樹脂、胺酯樹脂、氰酸酯樹脂、氟系樹脂等種種樹脂。特別是環氧樹脂，其較佳是由於對各種材料的黏著性優異。

作為白色顏料，能夠使用氧化鋁、氧化鎂、氧化銻、 氧化鈦或氧化鋯。在此等之中從光反射性這點而言較佳為氧化鈦。亦可使用無機中空粒子來作為白色顏料。就無機中空粒子的具體例而言，可舉出矽酸鈉玻璃、矽酸鋁玻璃、硼矽酸鈉玻璃、白砂等。

透明密封樹脂240是填充於藉由反射器220的內周面220a所形成的內側空間222裡，而將藍光LED230密封住。此透明密封樹脂240是由具有透光性的透明密封樹脂所構成。透明密封樹脂之中，除了完全透明的樹脂之外，也包含半透明的樹脂。就透明密封樹脂而言，較佳為彈性係數在室溫(25℃)下為1MPa以下者。特別是從透明性這點而言，較佳為採用聚矽氧樹脂或丙烯酸樹脂。透明密封樹脂亦可進一步含有將光線擴散的無機充填材或是螢光體242，該螢光體242將由藍光二極體230所發出的藍光作為激發源而成為白色光。

在第11實施形態的發光裝置的情況下，發光裝置201，其鍍銀層216是藉由複層膜也就是抗變色膜260所覆蓋，該複層膜是由含有層狀矽酸化合物的第1層(氣體阻隔層)252、與含有層狀矽酸化合物以外之第2矽酸化合物的第2層(底塗層)250之2層所構成，而透明密封樹脂240與反射器220接合在一起。

在第12實施形態的發光裝置的情況下，發光裝置201，其鍍銀層216是藉由複層膜也就是抗變色膜260所覆蓋，該複層膜是由第1層(氣體阻隔層)252、與第2層(底塗層)250之2層所構成，而透明密封樹脂240與反射器220 接合在一起。氣體阻隔層252含有氧氣穿透率為0.0001~10cc/m²．24h．atm的化合物。氣體阻隔層252所含有的化合物，從獲得實用的氣體阻隔性(氣體遮蔽性)之觀點而言，氧氣穿透率較佳為0.0001~5cc/m²．24h．atm，從同時考慮將氣體阻隔層進行成膜時的除氣程序，並獲得優異的氣體阻隔性之觀點而言，氧氣穿透率更佳為0.001~1cc/m²．24h．atm。

第12實施形態中，化合物的氧氣穿透率，能夠依據JIS K7126-1(GC法)而求得。具體而言，針對如以下進行而製作的評價用樣品來測定氧氣穿透率。首先，以層狀矽酸化合物成為5質量%，水成為95質量%的方式來秤量、混合，使用自轉公轉攪拌機(planetary centrifugal mixer)(THINKY股份有限公司製，ARE-310)以2000rpm進行混合10分鐘，以2200rpm進行脫泡10分鐘。其次，在附有易接着層之PET薄膜(東洋紡製，A4300-125)上，使用濕厚度100μm之刮棒塗布機(bar coater)，將測定對象也就是化合物5質量%之溶液塗布後，於22℃靜置12小時去除溶劑，製作成在表面上具備所形成之膜的PET薄膜，將此作為評價用樣品。

在第11實施形態的發光裝置的情況下，由2層所構成的抗變色膜260內，含有層狀矽酸化合物的氣體阻隔層252，是藉由覆蓋鍍銀層216來抑制鍍銀層216的變色(例如，硫化導致的變色)，且是由後述的本實施形態的第一銀用表面處理劑的A液所形成。氣體阻隔層252，藉由包含層狀矽酸化合物，而能夠形成如第32圖所示之氣體的路徑路線長且氣體阻隔性優異的膜，獲得優異的氣體阻隔性。從如同上述 觀點而言，若層狀矽酸化合物的厚度D為1nm~30nm，長度L為30~50000，則尺寸比高而較佳。

在第12實施形態的發光裝置的情況下，由2層所構成的抗變色膜260內，氣體阻隔層252是抑制鍍銀層216的變色(例如，硫化導致的變色)者，且能夠由後述的本實施形態的第二銀用表面處理劑的A液來形成。

氣體阻隔層252的膜厚，較佳為0.01μm以上且1000μm以下，更佳為0.03μm以上且500μm以下，又更佳為0.05μm以上且100μm以下，再更佳為0.05μm以上且10μm以下，特佳為0.05μm以上且1μm以下。藉由將氣體阻隔層252的膜厚設在0.01μm以上且1000μm以下，能夠兼具對鍍銀層216的耐變色性與抗變色膜的透明性。這種情況，藉由將氣體阻隔層252的膜厚設在0.03μm以上且500μm以下、0.05μm以上且100μm以下、0.05μm以上且10μm以下、0.05μm以上且1μm以下，能夠使此效果更加提升。本實施形態的抗變色膜，藉著由後述的本實施形態的第一或第二銀用表面處理劑的A液及B液來形成，即使於上述的膜厚中也不易發生龜裂。

在第11實施形態的發光裝置的情況下，膜厚之調整，例如能夠藉由變更銀用表面處理劑中溶劑的含量，適當調整層狀矽酸化合物的濃度來進行。又，即使藉由銀用表面處理劑的滴入量及滴入次數也能夠調整膜厚。

在第12實施形態的發光裝置的情況下，膜厚之調整，例如能夠藉由變更銀用表面處理劑中溶劑的含量，適當 調整上述具有既定之氧氣穿透率的化合物的濃度來進行。又，即使藉由銀用表面處理劑的滴入量及滴入次數也能夠調整膜厚。

在第11實施形態的發光裝置的情況下，氣體阻隔層252較佳為包含具有以下之氧氣穿透率的層狀矽酸化合物。層狀矽酸化合物的氧氣穿透率較佳為0.0001~10cc/m²．24h．atm從獲得實用的氣體阻隔性(氣體遮蔽性)之觀點而言，更佳為0.0001~5cc/m²．24h．atm。從同時考慮將含有層狀矽酸化合物的膜進行成膜時的除氣程序，並獲得優異的氣體阻隔性之觀點而言，氧氣穿透率又更佳為0.001~1cc/m²．24h．atm。

層狀矽酸化合物之氧氣穿透率的測定，能夠依據JIS K7126-1(GC法)而求得。評價用樣品，是如以下進行而製備。首先，以層狀矽酸化合物成為5質量%，水成為95質量%的方式來秤量、混合，使用自轉公轉攪拌機(THINKY股份有限公司製，ARE-310)以2000rpm進行混合10分鐘，以2200rpm進行脫泡10分鐘。其次，在附有易接着層之PET薄膜(東洋紡製，A4300-125)上，使用濕厚度100μm之刮棒塗布機，將於上述所獲得的層狀矽酸化合物5質量%之溶液塗布後，於22℃靜置12小時去除溶劑，製作成在表面上具備層狀矽酸化合物膜的PET薄膜，將此作為評價用樣品。

在第11實施形態的發光裝置的情況下，從提升抗變色膜的耐變色性能之觀點而言，氣體阻隔層252中層狀矽酸化合物的含量，以氣體阻隔層總量為基準來說，較佳為10質量%以上，更佳為50質量%以上，再更佳為80質量%以上， 特佳為100質量%。

在第12實施形態的發光裝置的情況下，從提升抗變色膜的耐變色性能之觀點而言，氣體阻隔層252中具有上述既定氧氣穿透率的化合物之含量，以氣體阻隔層總量為基準來說，較佳為10質量%以上，更佳為50質量%以上，再更佳為80質量%以上，特佳為100質量%。

第12實施形態中，作為氣體阻隔層252所含有之具有上述既定氧氣穿透率的化合物，例如可舉出層狀矽酸化合物等。氣體阻隔層252在含有層狀矽酸化合物的情況下，能夠形成如第32圖所示之氣體的路徑路線長且氣體阻隔性優異的膜，獲得優異的氣體阻隔性。從如同上述觀點而言，若層狀矽酸化合物的厚度D為1nm~30nm，長度L為30~50000則尺寸比高而較佳。又，藉由含有層狀矽酸化合物，能夠不妨礙發光裝置的發光特性，並獲得優異的氣體阻隔性。

在第12實施形態的發光裝置的情況，底塗層250含有體積電阻率為10¹⁰~10¹⁶Ω．cm的化合物。底塗層250所含有的化合物，從確保絕緣性的觀點而言，體積電阻率為10¹⁰~10¹⁶Ω．cm，從體積電阻率之測定的技術極限及實用性而言，體積電阻率的上限可設為10¹⁶Ω．cm。從提高絕緣性的觀點而言，上述化合物其體積電阻率較佳為10¹²~10¹⁶Ω．cm，更佳為10¹³~10¹⁶Ω．cm。所謂化合物的體積電阻率，是指針對體積電阻率測定試驗片，依照JIS C2139所測定出來的值，該體積電阻率測定試驗片是將測定對象的化合物塗布於附銅電極之基板，並於150℃予以乾燥3小時而獲得。

第12實施形態中，底塗層250所含有的上述化合物，從藉由其柔軟性而獲得黏著性的觀點而言，線膨脹係數較佳為180ppm~450ppm。隨著確保源自柔軟性的黏著性變得較容易，藉由用於覆蓋或密封的透明密封樹脂，則能夠抑制變形發生於上述化合物。從提高源自柔軟性之黏著性的觀點而言，上述化合物的線膨脹係數更佳為200ppm~450ppm，從提高與用於覆蓋或密封的透明密封樹脂之接着可靠度的觀點而言，又更佳為200ppm~350ppm。所謂化合物的線膨脹係數，是指藉由根據JIS K7197「用熱機械分析法測定塑膠線性熱膨脹係數的試驗方法」而依照TMA(熱機械分析法；Thermal Mechanical Analysis)所測定出來的值。

第12實施形態中，底塗層250所含有的化合物，從光取出效率的觀點而言，對於主要用於照明用之藍光二極體的中心波長也就是450nm的光透過率，就換算成底塗層250為1mm厚度的值，較佳為80~100%。從對於更高輝度之發光二極體的應用性之觀點而言，上述化合物的光透過率更佳為85~100%，再更佳為90~100%。上述化合物的光透過率，是指將塗布於PET薄膜上的矽酸化合物利用分光光度計(UV-Vis)所測定而得到的值。

在第11實施形態的發光裝置的情況下，由2層所構成之抗變色膜內，作為含有第2矽酸化合物之底塗層250，較佳為具有黏著性及絕緣性之層。底塗層250，能夠由後述的本實施形態的第一銀用表面處理劑的B液來形成。

在第12實施形態的發光裝置的情況下，由2層所構 成之抗變色膜內，作為底塗層250，較佳為具有黏著性及絕緣性之層。底塗層250，能夠由後述的本實施形態的第二銀用表面處理劑的B液來形成。

底塗層250的膜厚，從黏著性的觀點而言較佳為10nm~1000nm，從耐水性的觀點而言更佳為30nm~1000nm。從有效地展現氣體阻隔層之氣體阻隔性的觀點而言又更佳為30~500nm。

在第12實施形態的發光裝置的情況下，膜厚之調整，例如能夠藉由變更銀用表面處理劑中溶劑的含量，適當調整上述具有既定體積電阻率的化合物的濃度來進行。又，即使藉由銀用表面處理劑的滴入量及滴入次數也能夠調整膜厚。

第11及第12實施形態中，藉由將氣體阻隔層252疊層到底塗層250上，隨著能夠確保透明性，同時提升抗變色膜260的耐水性及對鍍銀層216的黏著力，而能夠抑制在用於覆蓋或密封的透明密封部240與反射器220的內周面220a之間的剝離。

其次，針對本實施形態的銀用表面處理劑來說明。

本實施形態的第一銀用表面處理劑(以下，依據情況也稱為「第一銀用表面處理劑」)，其具有下述2種類的液體：含有層狀矽酸化合物之A液(以下，也稱為「A液」)、及含有層狀矽酸化合物以外之第2矽酸化合物之B液(以下，也稱為「B液」)。

本實施形態的第二銀用表面處理劑(以下，依據情 況也稱為「第二銀用表面處理劑」)，其包含下述2種類的液體：含有氧氣穿透率為0.0001~10cc/m²．24h．atm的化合物之A液(以下，也稱為「A液」)；及，含有體積電阻率為10¹⁰~10¹⁶Ω．cm的化合物之B液(以下，也稱為「B液」)。

本實施形態的表面處理劑的對象也就是銀之中，也包含銀合金及鍍銀。

若根據本實施形態的第一銀用表面處理劑，藉由以B液在銀的表面上形成底塗層250，以A液在底塗層250上形成氣體阻隔層252，而能夠形成由此等2層所構成的抗變色膜260。於氣體阻隔層252中，藉由疊層了具有扁平的板狀形狀之層狀矽酸化合物，而能夠展現出對例如硫化氫等氣體之氣體遮蔽性，在銀的表面，特別是在銀蒸鍍面上能夠賦予優異的耐變色性。又，藉由將含有第2矽酸化合物的底塗層250作為氣體阻隔層252的底塗，形成於鍍銀層的表面上，而能夠提升抗變色膜260的耐水性及對銀之黏著力，還能夠提升與發光裝置之用於覆蓋、密封等之透明密封樹脂的密合性。

本案發明人等認為能得到上述效果的理由如同以下所述。層狀矽酸化合物具有板狀形狀，且具有藉由水或水與醇類等溶劑之混合溶劑膨潤而分散於溶劑中的性質。若根據本實施形態的銀用表面處理劑，於銀的表面上塗布了B液後，藉由乾燥形成底塗層，於其上塗布了包含層狀矽酸化合物的A液後，藉由去除溶劑，而能夠將層狀矽酸化合物的粒子疊層於底塗層上。本案發明人等認為，藉此能夠形成對銀的變色要因也就是大氣中的氣體(例如，硫化氫氣體)之遮 蔽性優異的膜，而且該膜藉由底塗層，變得提升了耐水性、黏著性、耐龜裂性。

若根據本實施形態的第二銀用表面處理劑，藉由以B液在銀的表面上形成底塗層250，以A液在底塗層250上形成氣體阻隔層252，而能夠形成由此等2層所構成的抗變色膜260。氣體阻隔層252藉由包含了氧氣穿透率0.0001~10cc/m²．24h．atm的化合物，而能夠展現出對例如硫化氫等氣體之氣體遮蔽性，在銀的表面，特別是在銀蒸鍍面上能夠賦予優異的耐變色性。又，藉由將含有體積電阻率10¹⁰~10¹⁶Ω．cm的化合物之底塗層250作為氣體阻隔層252的底塗，形成於鍍銀層的表面上，而能夠提升抗變色膜260的絕緣可靠度、耐水性及對銀之黏著力，還能夠提升與發光裝置之用於覆蓋、密封等之透明密封樹脂的密合性。

氣體阻隔層，就氧氣穿透率0.0001~10cc/m²．24h．atm的化合物而言，在包含層狀矽酸化合物的情況下，藉由疊層了具有扁平的板狀形狀之層狀矽酸化合物，而能夠更加高度展現氣體遮蔽性，在銀的表面，特別是在銀蒸鍍面上能夠賦予優異的耐變色性。

本案發明人等認為能得到上述效果的理由如同以下所述。層狀矽酸化合物具有板狀形狀，且具有藉由水或水與醇類等溶劑之混合溶劑膨潤而分散於溶劑中的性質。若根據在本實施形態中所使用之銀用表面處理劑，於銀的表面上塗布了B液後，藉由乾燥形成底塗層，於其上塗布了包含層狀矽酸化合物的A液後，藉由去除溶劑，而能夠將層狀矽酸化 合物的粒子疊層於底塗層上。本案發明人等認為，藉此能夠形成對銀的變色要因也就是大氣中的氣體(例如，硫氣體或硫化氫氣體)之遮蔽性優異的膜，而且該膜藉由底塗層，變得提升了絕緣可靠度、耐水性、耐龜裂性。

第一銀用表面處理劑中，作為A液所包含的層狀矽酸化合物，例如可舉出斯蒂文石、水輝石、皂石、蒙脫石、貝德石等膨潤石及膨潤性雲母。此等可單獨1種或組合2種以上來使用。

第二銀用表面處理劑中，作為A液所包含之氧氣穿透率0.0001~10cc/m²．24h．atm的化合物，能夠例示層狀矽酸化合物。就層狀矽酸化合物而言，例如可舉出斯蒂文石、水輝石、皂石、蒙脫石、貝德石等膨潤石及膨潤性雲母。此等可單獨1種或組合2種以上來使用。

第一及第二銀用表面處理劑中，就膨潤性雲母而言，例如可舉出氟金雲母(fluorphlogopite)、四矽鉀雲母(K tetrasilisic mica)、四矽鈉雲母(Na tetrasilisic mica)、鈉帶雲母(Na taeniolite)、鋰帶雲母(Li taeniolite)等。

上述化合物，具有厚度1nm~30nm，平均長邊長度30~50000nm之扁平的板狀形狀，藉由疊層於銀的表面上而能夠更有效地展現對硫化氫等氣體之氣體遮蔽性。

層狀矽酸化合物，從對硫化氫等之氣體遮蔽性的觀點而言，平均長邊長度較佳為30nm以上且50000nm，更佳為100nm以上且50000nm以下，又更佳為100nm以上且20000nm以下，特佳為100nm以上且10000nm以下。又，從氣體遮蔽 性及維持銀本來的光澤之觀點而言，平均長邊長度較佳為100nm以上且5000nm以下。

另外，層狀矽酸化合物的長邊長度，在從垂直線的上方看著扁平的板狀形狀之粒子時，如第27圖所示，當粒子300的外接長方形310之長邊的長度為最大時，意指該長邊的長度Lmax，能藉由使用例如穿透式電子顯微鏡等來測定。又，所謂平均長邊長度，是指在穿透式電子顯微鏡的縱100μm×橫100μm之範圍，將圖像內全部粒子之上述長邊長度值進行平均化的數值。另外，就自動求得平均長邊長度的方法而言，也能夠使用二次元圖像的圖像分析軟體(住友金屬科技製，粒子解析Ver3.5)。

層狀矽酸化合物的厚度，從獲得氣體阻隔機能的觀點而言，較佳為1nm~30nm，更佳為1nm~20nm，再更佳為1nm~10nm。上述厚度，是指藉由原子力顯微鏡(AFM)、或小角度X光散射法所測定出來的值。

第一銀用表面處理劑中，含有本實施形態的層狀矽酸化合物的液體，可含有溶劑。就溶劑而言，能夠適宜地使用水，也可使用甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、乙腈、二甲基亞碸、環丁碸、甲醯胺等極性溶劑。溶劑可以單獨、或是混合2種以上來使用。

本實施形態的含有層狀矽酸化合物的A液中之固體成分濃度，從膜形成性與銀的變色要因也就是氣體(例如，硫化氫氣體)之遮蔽性的觀點而言，較佳為0.005質量%~2質量%，更佳為0.01質量%~1.5質量%，再更佳為0.05質量 %~1質量%。

第二銀用表面處理劑中，含有本實施形態的氧氣穿透率0.0001~10cc/m²．24h．atm的化合物的A液，可含有溶劑。就溶劑而言，能夠適宜地使用水，也可使用甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、乙腈、二甲基亞碸、環丁碸、甲醯胺等極性溶劑。溶劑可以單獨、或是混合2種以上來使用。

第二銀用表面處理劑中，在本實施形態所使用之含有氧氣穿透率0.0001~10cc/m²．24h．atm的化合物的A液中之固體成分濃度，從膜形成性與銀的變色要因也就是氣體(例如，硫化氫氣體)之遮蔽性的觀點而言，較佳為0.005質量%~2質量%，更佳為0.01質量%~1.5質量%，再更佳為0.05質量%~1質量%。

構成第一銀用表面處理劑的B液，含有層狀矽酸化合物以外之第2矽酸化合物。如同上述，藉由以B液在鍍銀面上形成含有第2矽酸化合物之層，於其上形成含有層狀矽酸化合物的層，使得由表面處理劑所形成的複層膜，耐水性及對銀之黏著力得到提升的同時，與用於覆蓋或密封的透明密封樹脂之黏著力也得到提升。

第一銀用表面處理劑中，就本實施形態的第2矽酸化合物而言，較佳為形成耐水性、耐候性、耐熱性等特性，和硬度、伸展等橡膠的性質優異的硬化物者。就第2矽酸化合物而言，能夠使用聚矽氧系樹脂或無機玻璃。

構成第二銀用表面處理劑的B液，含有體積電阻率10¹⁰~10¹⁶Ω．cm的化合物。如同上述，藉由以B液在鍍銀 面上形成含有體積電阻率10¹⁰~10¹⁶Ω．cm的化合物之層，於其上形成含有氧氣穿透率0.0001~10cc/m²．24h．atm的化合物之層，使得由表面處理劑所形成的複層膜，絕緣性、耐水性及對銀之黏著力得到提升的同時，與用於覆蓋或密封的透明密封樹脂之黏著力也得到提升。

第二銀用表面處理劑中，就B液所包含的體積電阻率10¹⁰~10¹⁶Ω．cm的化合物而言，能夠例示上述層狀矽酸化合物以外的第2矽酸化合物。這種情況，能夠不妨礙發光裝置的發光特性，並獲得優異的絕緣可靠度。就第2矽酸化合物而言，較佳為形成絕緣性、耐水性、耐候性、耐熱性等特性，和硬度、伸展等橡膠的性質優異的硬化物者。又，第2矽酸化合物較佳為具有上述線膨脹係數的化合物。而且，第2矽酸化合物較佳為能夠滿足上述光透過率的化合物。就第2矽酸化合物而言，能夠使用聚矽氧系樹脂或無機玻璃。

第一及第二銀用表面處理劑中，就聚矽氧系樹脂而言，能夠使用含有以下列之式(1)、式(2)、式(3)或式(4)所表示的構成單位的樹脂。

又，上述聚矽氧系樹脂，亦可具有能夠賦予黏著性的公知官能基，且亦可含有能夠賦予黏著性的添加物。

就無機玻璃而言，能夠使用具有SiO₂、LiO₂、及下列式(5)的材料。此等能夠單獨或混合2種以上來使用。

作為第2矽酸化合物，從形成耐水性、耐候性、耐熱性等特性，和硬度、伸展等橡膠的性質優異的硬化物之觀點而言，較佳為例如由以矽-氧鍵為主要骨架的矽氧烷鍵結所構成之聚矽氧橡膠。又，從耐熱性的觀點而言，更佳為聚二甲矽氧橡膠。

就聚矽氧橡膠而言，亦可含有具熱硬化性的聚矽氧彈性體、半矽氧烷等之矽酸化合物，例如能夠藉由20℃~200℃且1分鐘~10小時的加熱處理而硬化來使用。

就聚矽氧橡膠而言，亦可具有甲基、苯基、甲基苯基、縮水甘油基、異氰酸酯基、乙烯基等來作為側鏈或官能基。

第一銀用表面處理劑中，第2矽酸化合物從藉由其柔軟性而獲得黏著性的觀點而言，線膨脹係數較佳為180ppm~450ppm。若在該範圍內，隨著確保源自柔軟性的黏著性變得容易，藉由用於覆蓋或密封的透明密封樹脂，則能夠抑制變形發生於矽酸化合物。從提高源自柔軟性之黏著性的觀點而言，第2矽酸化合物的線膨脹係數更佳為200ppm~450ppm，從提高與用於覆蓋或密封的透明密封樹脂之接着可靠度的觀點而言，又更佳為200ppm~350ppm。矽酸化合物的線膨脹係數，是指藉由根據JIS K7197「用熱機械分析法測定塑膠線性熱膨脹係數的試驗方法」而依照TMA(熱機械分析法；Thermal Mechanical Analysis)所測定出來的值。

第一銀用表面處理劑中，第2矽酸化合物，從確保絕緣性的觀點而言，體積電阻率較佳為10¹⁰~10¹⁶Ω．cm。從體積電阻率之測定的技術極限及實用性而言，體積電阻率的上限以10¹⁶Ω．cm為宜。從提高絕緣性的觀點而言，第2矽酸化合物的體積電阻率，更佳為10¹²~10¹⁶Ω．cm，又更佳為10¹³~10¹⁶Ω．cm。矽酸化合物的體積電阻率，是指針對體積電阻率測定試驗片，依照JIS C2139所測定出來的值，該體積電阻率測定試驗片是將矽酸化合物塗布於附銅電極之基板，並於150℃予以乾燥3小時而獲得。

第2矽酸化合物的光透過率，在針對主要用於照明 用之藍光二極體的中心波長也就是450nm的光透過率，換算成1mm厚度的光透過率為80~100%時，從光取出效率的觀點而言較佳。從對於更高輝度之發光二極體的應用性之觀點而言更佳為85~100%，再更佳為90~100%。矽酸化合物的光透過率，是指將塗布於PET薄膜上的矽酸化合物利用分光光度計(UV-Vis)所測定而得到的值。

第一及第二銀用表面處理劑中，第2矽酸化合物的硬化溫度，考慮發光二極體元件的耐熱性，較佳為20℃~200℃，從矽酸化合物之保存安定性的觀點而言，更佳為40℃~200℃，從生產性的觀點而言，再更佳為40℃~160℃。當由B液形成底塗層時，從成膜性的觀點而言，亦可在上述溫度的範圍內進行多段加熱。

又，硬化時間可設定在1分鐘~10小時的範圍內。從生產性的觀點而言，更佳是在1分鐘~8小時的範圍內，從底塗層之調平性的觀點而言，再更佳是在3分鐘~8小時的範圍。硬化亦可在設置氣體阻隔層於底塗層上的前後分開實施。

第一銀用表面處理劑中，本實施形態的含有第2矽酸化合物的B液，可含有溶劑。溶劑從上述矽酸化合物之溶解性的觀點而言，能夠選擇脂肪族烴系溶劑、芳香族系溶劑、酮系溶劑、醚、酯系溶劑。就這樣的溶劑而言，例如可舉出戊烷、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷等飽和烴；環己烷、烷基環己烷等環狀烴等。另外，就烴而言，不論是直鏈狀、支鏈狀、環狀等能夠使用。能夠將此等單獨或混合2種以上來使用。

第一銀用表面處理劑中，本實施形態的含有第2矽酸化合物的B液之溶劑，較佳是在用以硬化的加熱步驟藉由蒸發去除，較佳是沸點為50℃~200℃的溶劑。若沸點超過200℃則乾燥性低落，有著溶劑殘留使得黏著力降低的可能性。又，溶劑的沸點若低，由於引燃的危險性提高，從安全性的觀點而言較佳為沸點50℃以上的溶劑。從生產性的觀點而言溶劑的沸點較佳為50℃~160℃，從能夠自由選擇用以硬化的加熱步驟之溫度及時間的觀點而言，更佳為50℃~120℃。

具體而言，本實施形態的銀用表面處理劑之中，將含有第2矽酸化合物的B液塗布在銀或銀合金上後，藉由將溶劑去除及/或進行硬化，能夠在銀或銀合金上形成含有第2矽酸化合物而成的層(底塗層)。並且，塗布含有層狀矽酸化合物的A液後，藉由將溶劑去除能夠形成含有層狀矽酸化合物而成的層(氣體阻隔層)。

第二銀用表面處理劑中，本實施形態中所使用之含有體積電阻率10¹⁰~10¹⁶Ω．cm的化合物之B液，可含有溶劑。溶劑從上述矽酸化合物之溶解性的觀點而言，能夠選擇脂肪族烴系溶劑、芳香族系溶劑、酮系溶劑、醚、酯系溶劑。就這樣的溶劑而言，例如可舉出戊烷、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷等飽和烴；環己烷、烷基環己烷等環狀烴等。另外，就烴而言，不論是直鏈狀、支鏈狀、環狀等能夠使用。能夠將此等單獨或混合2種以上來使用。

第二銀用表面處理劑中，含有體積電阻率10¹⁰~10¹⁶ Ω．cm的化合物之B液之溶劑，較佳是在用以硬化的加熱步驟藉由蒸發去除，較佳是沸點為50℃~200℃的溶劑。若沸點超過200℃則乾燥性低落，有著溶劑殘留使得黏著力降低的可能性。又，溶劑的沸點若低，由於引燃的危險性提高，從安全性的觀點而言較佳為沸點50℃以上的溶劑。從生產性的觀點而言溶劑的沸點較佳為50℃~160℃，從能夠自由選擇用以硬化的加熱步驟之溫度及時間的觀點而言，更佳為50℃~120℃。

具體而言，本實施形態中所使用之銀用表面處理劑之中，將含有體積電阻率10¹⁰~10¹⁶Ω．cm的化合物之B液塗布在銀或銀合金上後，藉由將溶劑去除及/或進行硬化，能夠在銀或銀合金上形成含有體積電阻率10¹⁰~10¹⁶Ω．cm的化合物而成的層(底塗層)。並且，塗布含有氧氣穿透率0.0001~10cc/m²．24h．atm的化合物之A液後，藉由將溶劑去除能夠形成氧氣穿透率0.0001~10cc/m²．24h．atm的化合物而成的層(氣體阻隔層)。

就本實施形態的第一及第二銀用表面處理劑的塗布方法而言，能夠適當地使用例如刮棒塗布法、浸塗法、旋轉式塗布法、噴霧式塗布法、灌注法(potting)等方法。

又，就從本實施形態的第一及第二銀用表面處理劑的塗膜去除溶劑的方法而言，能夠適當地使用乾燥，乾燥溫度只要室溫以上則沒有特別限定。另外，所謂室溫是20~25℃。

藉由使用第一銀用表面處理劑，能夠在銀或銀合金 的表面上形成抗變色膜，其具有含有矽酸化合物的層和含有層狀矽酸化合物的層。這樣的膜，例如，硫化氫氣體的遮蔽性優異，能夠發揮作為抗銀硫化膜的機能。

藉由使用第二銀用表面處理劑，能夠在銀或銀合金的表面上形成抗變色膜，其具有含有體積電阻率10¹⁰~10¹⁶Ω．cm的化合物之層、和含有氧氣穿透率0.0001~10cc/m²．24h．atm的化合物之層。這樣的膜，例如，硫化氫氣體的遮蔽性優異，能夠發揮作為抗銀硫化膜的機能。

本發明能夠提供銀或銀合金，其具備由上述本實施形態的第一及第二銀用表面處理劑中所含有的固體成分所構成的膜。又，能夠提供具有這樣的銀或銀合金之基板、與具備發光二極體之發光裝置。這樣的發光裝置，亦可以透明樹脂密封住。就透明樹脂而言，可舉出聚矽氧樹脂等。又，具有銀或銀合金之基板，可在表面具有凹凸形狀，銀或銀合金亦可具有凹凸形狀。

其次，針對第11及第12實施形態的發光裝置的製造方法來說明。共通點將彙整一起說明，而相異點則個別說明。

第28圖是表示第11及第12實施形態的發光裝置的製造方法的流程圖。如第28圖所示，在發光裝置的製造方法中，首先，作為基板準備步驟(階段S101)，是準備鍍銅板214在表面上進行了配線的絕緣性之基體212；作為鍍銀層形成步驟(階段S102)，是在鍍銅板214的表面上形成鍍銀層216。

其次，作為反射器形成步驟(階段S103)，是在基板210的表面上形成反射器220；作為晶片搭載步驟(階段S104)，是在基板210上搭載藍光LED230。藍光LED230對基板210的搭載，是於以反射器220包圍著的內側空間222裡，藉由將藍光LED230晶粒接合於陽極側及陰極側之任何一方的鍍銀層216來進行。藉此，藍光LED230經由晶粒接合材232與陽極側及陰極側之任何一方的鍍銀層216導通著，同時藍光LED230被反射器220所圍繞而成為容納於內側空間222裡的狀態。

其次，在製造第11實施形態的發光裝置的情況下，作為B液的塗布步驟(階段S105)，鍍銀層216上本實施形態的銀用表面處理劑之中，塗布含有第2矽酸化合物的B液，將鍍銀層216以B液覆蓋。

在製造第12實施形態的發光裝置的情況下，作為B液的塗布步驟(階段S105)，鍍銀層216上銀用表面處理劑之中，塗布含有體積電阻率10¹⁰~10¹⁶Ω．cm的化合物之B液，將鍍銀層216以B液覆蓋。

B液的塗布步驟(階段S105)中之B液的塗布，例如，是藉由從基板210的表面側，將銀用表面處理劑滴入或散布至內側空間222裡來進行。此時，用至少全部的鍍銀層216以B液M覆蓋的方式，調節B液的滴入量或散布量。這種情況，例如，亦可如第29圖之(a)所示，用全部的鍍銀層216及藍光LED230以B液M覆蓋的方式，將B液M滴入或散布至內側空間222裡；亦可如第29圖之(b)所示，用 全部的鍍銀層216及藍光LED230與反射器220的內周面220a的一部分以B液M覆蓋的方式，將B液M滴入或散布至內側空間222裡；亦可如第29圖之(c)所示，用全部的鍍銀層216、藍光LED230及反射器220的內周面220a以B液M覆蓋的方式，將B液M滴入或散布至內側空間222裡。

其次，作為乾燥步驟(階段S106)，是塗布於鍍銀層216上的銀用表面處理劑之中，使B液的塗膜予以乾燥，在抗銀硫化膜之中，形成含有第2矽酸化合物之層(底塗層250)。

其次，在製造第11實施形態的發光裝置的情況下，作為A液的塗布步驟(階段S107)，是在底塗層250上，本實施形態的銀用表面處理劑之中，塗布含有層狀矽酸化合物的A液，將底塗層250之中至少覆蓋鍍銀層216的部分以A液覆蓋。

在製造第12實施形態的發光裝置的情況下，作為A液的塗布步驟(階段S107)，在底塗層250上，銀用表面處理劑之中，塗布含有氧氣穿透率0.0001~10cc/m²．24h．atm的化合物之A液，將底塗層250之中至少覆蓋鍍銀層216的部分以A液覆蓋。

A液的塗布步驟(階段S107)中之A液的塗布，例如，是藉由從基板210的表面側，將銀用表面處理劑滴入或散布至內側空間222裡來進行。滴入或散布的方法，能夠與階段S105之B液的塗布步驟同樣地進行。

其次，在製造第11實施形態的發光裝置的情況下， 作為乾燥步驟(階段S108)，是使塗布於鍍銀層216上之A液的塗膜予以乾燥，在抗變色膜260之中，形成含有層狀矽酸化合物之層(氣體阻隔層252)。

在製造第12實施形態的發光裝置的情況下，作為乾燥步驟(階段S108)，是使塗布於鍍銀層216上之A液的塗膜予以乾燥，在抗變色膜260之中，形成含有氧氣穿透率0.0001~10cc/m2．24h．atm的化合物之層(氣體阻隔層252)。

乾燥步驟(階段S106及S108)，可於溶劑揮發的溫度下進行，例如，較佳是設在30℃以上且80℃以下的溫度範圍，更佳是設在30℃以上且70℃以下的溫度範圍，再更佳是設在30℃以上且60℃以下的溫度範圍。保持此溫度區域的時間，例如，能夠設在5分鐘以上，在予以充分乾燥這一點上，較佳為設在5分鐘以上且1日以下，從提升生產性的觀點而言，更佳為設在5分鐘以上且30分鐘以下。

如此一來藉由進行乾燥步驟，第29圖之(a)中表示的B液M，如第30圖之(a)所示，成為覆蓋全部的鍍銀層216及藍光LED230的底塗層250；第29圖之(b)中表示的B液M，如第30圖之(b)所示，成為覆蓋全部的鍍銀層216及藍光LED230和覆蓋反射器220的內周面220a的一部分的底塗層250；第29圖之(c)中表示的B液M，如第30圖之(c)所示，成為覆蓋全部的鍍銀層216、藍光LED230及反射器220的內周面220a的底塗層250。針對藉由A液的乾燥而形成的氣體阻隔層252亦相同。氣體阻隔層252所覆蓋的面積，較佳為比底塗層250的覆蓋之面積小。

於本實施形態中，較佳為在上述乾燥步驟後以150℃，30分鐘的條件下充分地乾燥由2層所構成之抗變色膜260。藉此，能夠獲得更加提升之源自縮減底塗層250與氣體阻隔層252之層間的抗變色性之效果。

其次，作為引線接合步驟(階段S109)，是將藍光LED230與陽極側及陰極側之任何另外一方的鍍銀層216進行引線接合。此時，由於鍍銀層216以抗變色膜260覆蓋著，故藉由以突破覆蓋於藍光LED230及鍍銀層216的抗變色膜260的方式，將引線之兩端接合於藍光LED230與鍍銀層216，使藍光LED230與鍍銀層216導通著。另外，抗變色膜260的突破，例如，能夠藉由調節抗變色膜260的層厚，或調節進行引線接合之接合頭的荷重，或使此接合頭振動等來進行。

其次，作為透明密封樹脂填充步驟(階段S110)，是在藉由反射器220的內周面220a所形成的內側空間222裡，填充了含有螢光體242的透明密封樹脂240。藉此，藍光LED230及鍍銀層216藉由透明密封樹脂240(透明密封部)密封住。

如此一來藉由進行透明密封樹脂填充步驟，而能夠獲得如第31圖之(a)所示，全部的鍍銀層216及藍光LED230在以由2層所構成之抗變色膜260(底塗層250及氣體阻隔層252)覆蓋著的狀態下，鍍銀層216及藍光LED230藉由透明密封樹脂240密封住的發光裝置201；如第31圖之(b)所示，全部的鍍銀層216及藍光LED230和反射器220的內周面220a的一部分在以抗變色膜260覆蓋著的狀態下，鍍銀層216及 藍光LED230藉由透明密封樹脂240密封住的發光裝置201；又，如第31圖之(c)所示，全部的鍍銀層216、藍光LED230及反射器220的內周面220a在以抗變色膜260覆蓋著的狀態下，鍍銀層216及藍光LED230藉由透明密封樹脂240密封住的發光裝置201。

如此一來，在將第11實施形態的發光裝置作為發光裝置201而製造的情況下，以本實施形態的第一銀用表面處理劑(A液及B液)覆蓋鍍銀層216後，藉由使銀用表面處理劑的塗膜予以乾燥，形成了具備氣體阻隔層的抗變色膜260，該氣體阻隔層是銀用表面處理劑所包含之層狀矽酸化合物所疊層而成，而鍍銀層216以抗變色膜260覆蓋著。藉此，能夠形成可適當地覆蓋鍍銀層216之由2層所構成的抗變色膜260。

在將第12實施形態的發光裝置作為發光裝置201而製造的情況下，以本實施形態的第二銀用表面處理劑(A液及B液)覆蓋鍍銀層216後，藉由使銀用表面處理劑的塗膜予以乾燥，形成了具備氣體阻隔層的抗變色膜260，該氣體阻隔層是銀用表面處理劑所包含之氧氣穿透率0.0001~10cc/m²．24h．atm的化合物所疊層而成，而鍍銀層216以抗變色膜260覆蓋著。藉此，能夠形成可適當地覆蓋鍍銀層216之由2層所構成的抗變色膜260。

藉由在設置於發光裝置201的反射器220之內側空間222裡滴入或散布本實施形態的銀用表面處理劑，能夠容易形成覆蓋鍍銀層的抗變色膜260。

〔第13及第14實施形態〕

其次，針對發光裝置的製造方法之第13及第14實施形態來說明。第13及第14實施形態的發光裝置的製造方法，雖然基本上與第11及第12實施形態的發光裝置的製造方法相同，但僅在步驟的順序與第11及第12實施形態的發光裝置的製造方法不同。因此，在以下的說明，僅說明與第11及第12實施形態的發光裝置的製造方法不同的部分，而省略與第11及第12實施形態的發光裝置的製造方法相同的部分之說明。另外，銀用表面處理劑能夠使用上述者。

第33圖是表示第13及第14實施形態中發光裝置的製造方法的流程圖。第34圖是藉由第33圖的製造方法而製造出來的發光裝置的剖面圖。

如第33圖所示，第13及第14實施形態的發光裝置201的製造方法，首先，與第11及第12實施形態同樣地依序進行基板準備步驟(階段S201)、鍍銀層形成步驟(階段S202)及反射器形成步驟(階段S203)。另外，基板準備步驟(階段S201)、鍍銀層形成步驟(階段S202)及反射器形成步驟(階段S203)，與第11實施形態的基板準備步驟(階段S101)、鍍銀層形成步驟(階段S102)及反射器形成步驟(階段S103)相同。

其次，作為B液的塗布步驟(階段S204)，是將B液塗布於鍍銀層216上，以B液覆蓋鍍銀層216。另外，塗布步驟(階段S204)能夠與第11及第12實施形態的塗布步 驟(階段S105)同樣地進行。

其次，作為乾燥步驟(階段S205)，是將塗布於鍍銀層216上的B液之塗膜予以乾燥而形成底塗層250。另外，乾燥步驟(階段S205)能夠與第11及第12實施形態的乾燥步驟(階段S106)同樣地進行。

其次，作為A液的塗布步驟(階段S206)，是在底塗層250上塗布A液，將底塗層250的至少覆蓋鍍銀層216的部分以A液覆蓋。另外，塗布步驟(階段S206)能夠與第11及第12實施形態的塗布步驟(階段S105)同樣地進行。

其次，作為乾燥步驟(階段S207)，是使塗布於鍍銀層216上之A液的塗膜予以乾燥而形成氣體阻隔層252。另外，乾燥步驟(階段S207)能夠與第11及第12實施形態的乾燥步驟(階段S106)同樣地進行。

其次，作為晶片搭載步驟(階段S208)，是將藍光LED230晶粒接合於陽極側及陰極側之任何一方的鍍銀層216。此時，與第11及第12實施形態的引線接合步驟(階段S109)相同，藉由以突破覆蓋於鍍銀層216的抗變色膜的方式，將藍光LED230接合於鍍銀層216，使藍光LED230與鍍銀層216導通著。

其次，作為引線接合步驟(階段S209)，是將藍光LED230與陽極側及陰極側之任何另外一方的鍍銀層216進行引線接合。此時，由於鍍銀層216以抗變色膜260覆蓋著，故與第11及第12實施形態的引線接合步驟(階段S109)相同，藉由以突破覆蓋於鍍銀層216的由2層所構成之抗變色 膜260的方式，將引線之一端接合於鍍銀層216。另一方面，由於藍光LED230並沒有以抗變色膜260覆蓋著，故接合引線234之另一端，一如平常，能夠接合於藍光LED230。藉此，使藍光LED230與鍍銀層216導通著。

其次，進行透明密封樹脂填充步驟作為階段S210。

如此一來，若根據第13及第14實施形態的發光裝置的製造方法，藉由經過銀用表面處理劑的塗布步驟及乾燥步驟後進行晶片搭載步驟，如第34圖所示，能夠製造出藍光LED230沒有以由2層所構成之抗變色膜260覆蓋的發光裝置201。藉此，於引線接合步驟中，將接合引線234之一端接合於藍光LED230時，沒有必要如第11及第12實施形態的發光裝置的製造方法，得突破由2層所構成之抗變色膜260。

〔第15及第16實施形態〕

其次，針對發光裝置的製造方法之第15及第16實施形態來說明。第15及第16實施形態的發光裝置的製造方法，雖然基本上與第11及第12實施形態的發光裝置的製造方法相同，但僅在步驟的順序與第11及第12實施形態的發光裝置的製造方法不同。因此，在以下的說明，僅說明與第11及第12實施形態的發光裝置的製造方法不同的部分，而省略與第11及第12實施形態的發光裝置的製造方法相同的部分之說明。另外，銀用表面處理劑能夠使用上述者。

第35圖是表示第15及第16實施形態中發光裝置的製造方法的流程圖。第36圖是藉由第35圖的製造方法而製 造出來的發光裝置的剖面圖。

如第35圖所示，第15及第16實施形態的發光裝置201的製造方法，首先，與第11及第12實施形態同樣地依序進行基板準備步驟(階段S301)及鍍銀層形成步驟(階段S302)。另外，基板準備步驟(階段S301)及鍍銀層形成步驟(階段S302)，與第11及第12實施形態的基板準備步驟(階段S101)及鍍銀層形成步驟(階段S102)相同。

其次，作為B液的塗布步驟(階段S303)，是將B液塗布於鍍銀層216上，以B液覆蓋鍍銀層216。此時，從作業性的觀點而言，雖然較佳是將B液塗布於鍍銀層216所形成之基板210的整體表面上，但亦可以僅覆蓋鍍銀層216的方式塗布B液。

其次，作為乾燥步驟(階段S304)，是將塗布於鍍銀層216上的B液之塗膜予以乾燥而形成底塗層250。另外，乾燥步驟(階段S304)能夠與第11及第12實施形態的乾燥步驟(階段S106)同樣地進行。

其次，作為A液的塗布步驟(階段S305)，是在底塗層250上塗布A液，將底塗層250的至少覆蓋鍍銀層216的部分以A液覆蓋。此時，從作業性的觀點而言，雖然較佳是將A液塗布於底塗層250整體，但亦可以僅覆蓋底塗層250之覆蓋鍍銀層216的部分的方式塗布A液。

其次，作為乾燥步驟(階段S306)，是使塗布於底塗層250上之A液的塗膜予以乾燥而形成氣體阻隔層252。另外，乾燥步驟(階段S306)能夠與第11及第12實施形態 的乾燥步驟(階段S106)同樣地進行。

其次，作為反射器形成步驟(階段S307)，是在基板210的表面上形成反射器220。此時，在用銀用表面處理劑(B液及A液)的塗布步驟(階段S303及S305)於基板210的整體表面上塗布銀用表面處理劑的情況下，在覆蓋基板210的表面之由2層所構成之抗變色膜260的表面上形成了反射器220。

其次，作為晶片搭載步驟(階段S308)，是將藍光LED230晶粒接合於陽極側及陰極側之任何一方的鍍銀層216。此時，與第11及第12實施形態的引線接合步驟(階段S109)相同，藉由以突破覆蓋於鍍銀層216的由2層所構成之抗變色膜260的方式，將藍光LED230接合於鍍銀層216，使藍光LED230與鍍銀層216導通著。

其次，作為引線接合步驟(階段S309)，是將藍光LED230與陽極側及陰極側之任何另外一方的鍍銀層216進行引線接合。此時，由於鍍銀層216以抗變色膜260覆蓋著，故與第11及第12實施形態的引線接合步驟(階段S109)相同，藉由以突破覆蓋於鍍銀層216的由2層所構成之抗變色膜260的方式，將引線之一端接合於鍍銀層216。另一方面，由於藍光LED230並沒有以抗變色膜260覆蓋著，故接合引線234之另一端，一如平常，能夠接合於藍光LED230。藉此，使藍光LED230與鍍銀層216導通著。

其次，進行透明密封樹脂填充步驟作為階段S310。

如此一來，若根據第15及第16實施形態的發光裝 置的製造方法，藉由經過銀用表面處理劑的塗布步驟及乾燥步驟後進行反射器形成步驟及晶片搭載步驟，如第36圖所示，能夠製造出藍光LED230沒有以由2層所構成之抗變色膜260覆蓋的發光裝置201。藉此，於引線接合步驟中，將接合引線234之一端接合於藍光LED230時，沒有必要如第11及第12實施形態的發光裝置的製造方法，得突破由2層所構成之抗變色膜260。

以上，雖然是針對本發明之適宜的實施形態來說明，但本發明並不限定於上述實施形態。

在上述實施形態，作為接合於發光裝置201的發光二極體，雖然是以採用發出藍色光的藍光LED230來說明，但亦可採用發出藍色以外之光的發光二極體。

又，上述實施形態的發光裝置201，雖然是以具備圍繞著藍光LED230的反射器220來說明，但亦可不具備這樣的反射器220。

若根據本實施形態的銀用表面處理劑，因為能夠形成銀的抗變色性優異的抗變色膜，特別是形成銀的抗硫化性優異的抗銀硫化膜，即使是用從以往就開始使用的Y₂O₂S：Eu(紅)、ZnS：Cu(綠)、ZnS：Ag(藍)、於日本特開平8-085787號公報中表示的化合物等含硫化合物作為螢光體的發光裝置，也能獲得充分的耐硫化性。

本實施形態的銀用表面處理劑，除了上述發光裝置以外，亦可應用在例如具備含銀抗反射膜之電漿顯示器、液晶顯示器等。

[實施例]

以下，藉由實施例及比較例，進一步具體說明本發明，但本發明並不限定於以下之實施例。

(實施例A1)

作為層狀矽酸化合物，準備了平均長邊長度10000nm之雲母水分散液(Co-op Chemical股份有限公司製造，商品名：MEB-3)。在此雲母水分散液12.5g中添加蒸餾水，使總質量為100g後，使用自轉公轉攪拌機(THINKY股份有限公司製造，商品名：ARE-310)以2000rpm進行混合10分鐘，以2200rpm進行脫泡10分鐘，得到包含1質量%的平均長邊長度10000nm的雲母之表面處理劑A。

層狀矽酸化合物的平均長邊長度，是使用穿透式電子顯微鏡(日本電子公司製造，商品名：JEM-2100F)，將縱100μm×橫100μm之範圍的圖像內全部粒子之長邊長度值進行平均化而求得。另外，各粒子的長邊長度，是當粒子的外接長方形之長邊的長度為最大時，作為該長邊的長度。

作為第2矽酸化合物，在Dow Corning公司製造的聚矽氧樹脂(商品名：OE-6370M)1g裡添加正庚烷99g，使總重量為100g，製備成包含1質量%的第2矽酸化合物之表面處理劑B。

<評價用銀基板之製作>

在鈉玻璃製的載玻片蒸鍍了厚度100nm之銀的銀基板 上，使用濕厚度12μm之刮棒塗布機，將在上述獲得的包含1質量%的第2矽酸化合物之表面處理劑B塗布後，於22℃靜置30分鐘去除溶劑，並於150℃進行1小時的加熱處理。然後，塗布在上述獲得的包含1質量%的層狀矽酸化合物之表面處理劑A，並於22℃靜置12小時去除溶劑，獲得在表面具備底塗層、及氣體阻隔層(雲母膜)的銀基板(評價用銀基板)。另外，所謂濕厚度，是去除溶劑前之表面處理劑在剛塗布後的厚度。

<評價用發光裝置之製作>

在ENOMOTO股份有限公司製造之尺寸3528的LED用引線框架(商品名：OP4)上，用金引線連接發光波長467.5nm~470nm、容量3.7μL之發光二極體晶片，製作成發光裝置。之後，在發光二極體上利用滴管滴入0.03mL的在上述所獲得的包含1質量%的第2矽酸化合物之表面處理劑B(第2矽酸化合物層形成材料)，於22℃靜置30分鐘去除溶劑，並於150℃進行1小時的加熱處理。之後，利用滴管滴入0.03mL的表面處理劑A，於22℃靜置12小時去除溶劑，獲得在鍍銀基板上具備底塗層及氣體阻隔層的發光裝置。之後，於150℃進行1小時的加熱處理後，利用Dow Corning公司製造的透明聚矽氧密封材料(商品名：OE-6631)密封住，藉由在150℃且5小時的熱處理，因硬化而獲得評價用發光裝置。第37圖是針對於實施例中使用銀用表面處理劑而形成的防銀硫化變色膜的一例，所拍攝而成的材料的剖面穿透式電子顯微 鏡(TEM)照片。

<塗布了表面處理劑的銀基板之硫化氫氣體耐受性評價>

首先，使用分光光度計(日本分光公司製造，商品名：V-570)來測定在上述所獲得的評價用銀基板的波長550nm的可視光反射率，以作為〔硫化氫暴露前反射率〕。其次，將評價用銀基板在10ppm硫化氫氣體氣流、40℃、90%RH(相對濕度)中靜置96小時後，測定波長550nm之可視光反射率，以作為〔硫化氫暴露後反射率〕。

以〔硫化氫暴露前反射率〕-〔硫化氫暴露後反射率〕=〔反射下降率〕，求得反射下降率。將結果顯示於表1。

<塗布了表面處理劑的發光裝置之硫化氫氣體耐受性評價>

用順向電流20mA、順向電壓3.3V使評價用發光裝置發光，使用多通道分光計(大塚電子股份有限公司製造，商品名：MCPD-3700)以曝光時間30毫秒來測定發光強度，以作為〔硫化氫暴露前發光強度〕。其次，將評價用發光裝置在10ppm硫化氫氣體氣流、40℃、90%RH(相對濕度)中靜置96小時後，用順向電流20mA、順向電壓3.3V予以發光，使用多通道分光計以曝光時間30毫秒來測定發光強度，以作為〔硫化氫暴露後發光強度〕。

以(〔硫化氫暴露後發光強度〕/〔硫化氫暴露前發光強度〕)×100=〔發光強度維持率〕，求得發光強度維持率。將結果顯示於表1。

<塗布了表面處理劑的發光裝置之絕緣可靠度評價>

用順向電流20mA、順向電壓3.3V使評價用發光裝置發光，使用多通道分光計(大塚電子股份有限公司製造，商品名：MCPD-3700)以曝光時間30毫秒來測定發光強度，以作為〔試驗前發光強度〕。用順向電流20mA、順向電壓3.3V使評價用發光裝置發光，同時在85℃、85%RH(相對濕度)中靜置50小時後，以目視觀察。又，用順向電流20mA、順向電壓3.3V予以發光，使用多通道分光計(大塚電子股份有限公司製造，商品名：MCPD-3700)以曝光時間30毫秒來測定發光強度，以作為〔試驗後發光強度〕。藉由目視觀察，有著電化學性遷移之發生所導致的電極間的變色，以(〔試驗後發光強度〕/〔試驗前發光強度〕)×100=〔發光強度維持率〕求得。可確認電極間的變色，發光強度維持率在97%以下的情況作為不良而以×來評價，電極間完全沒有變色，發光強度維持率在100%的情況作為良好而以○來評價。藉由目視觀察，雖然電極間稍微可辨認到變色但發光強度維持率仍超過97%的情況作為容許而以△評價。將結果顯示於表1。

<塗布了表面處理劑的發光裝置之黏著性評價：紅墨水試驗>

將評價用發光裝置，在鋼筆用瓶裝紅色墨水(PILOT公司製造，商品名：INK30R)中以25℃浸漬24小時後，取出並水洗。使用實體顯微鏡，觀察有無墨水導致的著色，將沒 有墨水滲透導致的紅色之著色的情況作為黏著性良好而判定為○，將有的情況作為黏著性不良而判定為×。將結果顯示於表1。

<剝離試驗用發光裝置之製作>

在ENOMOTO股份有限公司製造之尺寸3528的LED用引線框架(商品名：OP4)上，利用金引線連接發光波長467.5nm~470nm、容量3.7μL的發光二極體晶片，製作成發光裝置。之後，在發光二極體上利用滴管滴入0.03mL的在上述所獲得的包含1質量%的第2矽酸化合物之表面處理劑B(第2矽酸化合物層形成材料)，於22℃靜置30分鐘去除溶劑，並於150℃進行1小時的加熱處理。之後，利用滴管滴入0.03mL的表面處理劑A，於22℃靜置12小時去除溶劑，獲得在鍍銀基板上具備底塗層及氣體阻隔層的發光裝置。之後，於150℃進行1小時的加熱處理後，利用Dow Corning公司製造的透明聚矽氧密封材料(商品名：OE-6631)密封住，將Quad Group公司製造的φ 1.8mm銅製立柱螺栓銷(stud pin)(商品名：901070U)之立柱側垂直立在密封材料之中，藉由於150℃進行5小時的熱處理，因硬化而獲得剝離試驗用發光裝置。

<塗布了表面處理劑的發光裝置之剝離試驗>

將剝離試驗用發光裝置裝在Romulus製造的柱螺栓拉力試驗機(商品名：stud pin pull tester)上，以1.5N/秒的速度剝離，來測定剝離力。將結果顯示於表1。

(實施例A2)

使用平均長邊長度1000nm的雲母(Topy工業股份有限公司製造，商品名：NTS-5)，除了在此雲母1g中添加蒸餾水使總重量為100g以外與實施例A1同樣地進行來製作表面處理劑，與實施例A1同樣地進行評價。

(實施例A3)

使用平均長邊長度500nm的雲母(Topy工業股份有限公司製造，商品名：NHT-B2)，除了在此雲母1g中添加蒸餾水使總重量為100g以外與實施例A1同樣地進行來製作表面處理劑，與實施例A1同樣地進行評價。

(實施例A4)

使用平均長邊長度5000nm的蒙脫石(Kunimine工業股份有限公司製造，商品名：Kunipia F)，除了在此蒙脫石1g中添加蒸餾水使總重量為100g以外與實施例A1同樣地進行來製作表面處理劑，與實施例A1同樣地進行評價。

(實施例A5)

使用平均長邊長度2000nm的蒙脫石(Kunimine工業股份有限公司製造，商品名：Kunipia F)，除了在此蒙脫石1g中添加蒸餾水使總重量為100g以外與實施例A1同樣地進行來製作表面處理劑，與實施例A1同樣地進行評價。

(實施例A6)

使用平均長邊長度1000nm的蒙脫石(Kunimine工業股份有限公司製造，商品名：Kunipia F)，除了在此蒙脫石1g中添加蒸餾水使總重量為100g以外與實施例A1同樣地進行來製作表面處理劑，與實施例A1同樣地進行評價。

(實施例A7)

除了使用矽酸鋰(日產化學股份有限公司製造，商品名：LSS35)0.01g作為第2矽酸化合物以外與實施例A1同樣地進行來製作表面處理劑，與實施例A1同樣地進行評價。

(實施例A8)

作為第2矽酸化合物是將聚矽氮烷20%溶液(AZ Electronic Materials製造，商品名：NL120A-20)1g溶解於脫水二丁醚39g裡，並將此溶液當作第2矽酸化合物來使用，除此以外與實施例A1同樣地進行來製作表面處理劑，與實施例A1同樣地進行評價。

(實施例A9)

作為第2矽酸化合物是將聚矽氮烷20%溶液(AZ Electronic Materials製造，商品名：NAX120-20)3g溶解於脫水二丁醚17g裡，並將此溶液當作第2矽酸化合物來使用，除此以外與實施例A1同樣地進行來製作表面處理劑，與實施 例A1同樣地進行評價。

(比較例A1)

不使用表面處理劑來製作銀基板及發光裝置，與實施例A1同樣地進行評價。

(比較例A2)

不使用包含層狀矽酸化合物之表面處理劑來製作銀基板及發光裝置，與實施例A1同樣地進行評價。

(比較例A3)

不使用包含第2矽酸化合物之表面處理劑來製作銀基板及發光裝置，與實施例A1同樣地進行評價。

層狀矽酸化合物是用超音波分散機來粉碎，把平均長邊長度調整成既定的大小而使用。

如表1所示，可知在實施例A1~A9中，能獲得銀基板之硫化氫氣體耐受性、發光二極體之硫化氫氣體耐受性。又，可知在使用發光二極體的發光裝置上能獲得適宜的黏著性。

(實施例B1)

作為層狀矽酸化合物，準備了平均長邊長度10000nm之雲母水分散液(Co-op Chemical股份有限公司製造，商品名：MEB-3)。在此雲母水分散液12.5g中添加蒸餾水，使總質量 為100g後，使用自轉公轉攪拌機(THINKY股份有限公司製造，商品名：ARE-310)以2000rpm進行混合10分鐘，以2200rpm進行脫泡10分鐘，得到包含1質量%的平均長邊長度10000nm的雲母之表面處理劑A。

層狀矽酸化合物的平均長邊長度，是使用穿透式電子顯微鏡(日本電子製造，商品名：JEM-2100F)，將縱100μm×橫100μm之範圍的圖像內全部粒子之長邊長度值進行平均化而求得。另外，各粒子的長邊長度，是當粒子的外接長方形之長邊的長度為最大時，作為該長邊的長度。

作為第2矽酸化合物，在Dow Corning公司製聚矽氧樹脂(OE-6370M)3g裡添加正庚烷97g，使總重量為100g，製備成包含3質量%的第2矽酸化合物之表面處理劑B。

<評價用銀基板之製作>

在鈉玻璃製的載玻片蒸鍍了厚度100nm之銀的銀基板上，使用濕厚度12μm之刮棒塗布機，將在上述所獲得的包含3質量%的第2矽酸化合物之表面處理劑B塗布後，於22℃靜置30分鐘去除溶劑，並於150℃進行1小時的加熱處理。然後，塗布在上述所獲得的包含1質量%的層狀矽酸化合物之表面處理劑A，並於22℃靜置12小時去除溶劑，獲得在表面具備底塗層、及氣體阻隔層的銀基板(評價用銀基板)。另外，所謂濕厚度，是去除溶劑前之表面處理劑在剛塗布後的厚度。

<評價用發光裝置之製作>

在ENOMOTO股份有限公司製造之尺寸3528的LED用引線框架(商品名：OP4)上，用金引線連接發光波長467.5nm~470nm、容量3.7μL之發光二極體晶片，製作成發光裝置。之後，在發光二極體上利用滴管滴入0.03mL的在上述所獲得的包含3質量%的第2矽酸化合物之表面處理劑B(第2矽酸化合物層形成材料)，於22℃靜置30分鐘去除溶劑，並於150℃進行1小時的加熱處理。之後，利用滴管滴入0.03mL的表面處理劑A，於22℃靜置12小時去除溶劑，獲得在鍍銀基板上具備底塗層及氣體阻隔層的發光裝置。之後，於150℃進行1小時的加熱處理後，用Dow Corning公司製造的透明聚矽氧密封材料(商品名：OE-6631)密封住，於150℃進行5小時的熱處理，因硬化而獲得評價用發光裝置。第37圖是針對於實施例中使用銀用表面處理劑而形成的防銀硫化變色膜的一例，所拍攝而成之材料的剖面TEM照片。

<塗布了表面處理劑的銀基板之硫化氫氣體耐受性評價>

首先，使用分光光度計(日本分光公司製造，商品名：V-570)來測定在上述所獲得的評價用銀基板的波長550nm的可視光反射率，以作為〔硫化氫暴露前反射率〕。其次，將評價用銀基板在10ppm硫化氫氣體氣流、40℃、90%RH(相對濕度)中靜置96小時後，測定波長550nm之可視光反射率，以作為〔硫化氫暴露後反射率〕。

以〔硫化氫暴露前反射率〕-〔硫化氫暴露後反射率〕=〔反射下降率〕，求得反射下降率。將結果顯示於表2。

<塗布了表面處理劑的發光裝置之硫化氫氣體耐受性評價>

用順向電流20mA、順向電壓3.3V使評價用發光裝置發光，使用多通道分光計(大塚電子股份有限公司製造，商品名：MCPD-3700)以曝光時間30毫秒來測定發光強度，以作為〔硫化氫暴露前發光強度〕。其次，將評價用發光裝置在10ppm硫化氫氣體氣流、40℃、90%RH(相對濕度)中靜置96小時後，用順向電流20mA、順向電壓3.3V予以發光，使用多通道分光計以曝光時間30毫秒來測定發光強度，以作為〔硫化氫暴露後發光強度〕。

以(〔硫化氫暴露後發光強度〕/〔硫化氫暴露前發光強度〕)×100=〔發光強度維持率〕，求得發光強度維持率。將結果顯示於表2。

<塗布了表面處理劑的發光裝置之絕緣可靠度評價>

用順向電流20mA、順向電壓3.3V使評價用發光裝置發光，使用多通道分光計(大塚電子股份有限公司製造，商品名：MCPD-3700)以曝光時間30毫秒來測定發光強度，以作為〔試驗前發光強度〕。用順向電流20mA、順向電壓3.3V使評價用發光裝置發光，同時在85℃、85%RH(相對濕度)中靜置50小時後，以目視觀察。又，用順向電流20mA、順向電壓3.3V予以發光，使用多通道分光計(大塚電子股份有限公司製造，商品名：MCPD-3700)以曝光時間30毫秒來測定發光強度，以作為〔試驗後發光強度〕。藉由目視觀察， 有著電化學性遷移之發生所導致的電極間的變色，以(〔試驗後發光強度〕/〔試驗前發光強度〕)×100=〔發光強度維持率〕求得。可確認電極間的變色，發光強度維持率在97%以下的情況作為不良而以×來評價，電極間完全沒有變色，發光強度維持率在100%的情況作為良好而以○來評價。藉由目視觀察，雖然電極間稍微可辨認到變色但發光強度維持率仍超過97%的情況作為容許而以△評價。將結果顯示於表2。

<塗布了表面處理劑的發光裝置之黏著性評價：紅墨水試驗>

將評價用發光裝置，在鋼筆用瓶裝紅色墨水(PILOT公司製造，商品名：INK30R)中以25℃浸漬24小時後，取出並水洗，使用實體顯微鏡，觀察有無墨水導致的著色。將沒有墨水滲透導致的紅色之著色的情況作為黏著性良好而判定為○，將有著色的情況作為黏著性不良而判定為×。將結果顯示於表2。

<剝離試驗用發光裝置之製作>

在ENOMOTO股份有限公司製造之尺寸3528的LED用引線框架(商品名：OP4)上，用金引線連接發光波長467.5nm~470nm、容量3.7μL之發光二極體晶片，製作成發光裝置。之後，在發光二極體上利用滴管滴入0.03mL的在上述所獲得的包含3質量%的第2矽酸化合物之表面處理劑B(第2矽酸化合物層形成材料)，於22℃靜置30分鐘去除溶劑，並於 150℃進行1小時的加熱處理。之後，利用滴管滴入0.03mL的表面處理劑A，於22℃靜置12小時去除溶劑，獲得在鍍銀基板上具備第2矽酸化合物層及雲母膜的發光裝置。之後，於150℃進行1小時的加熱處理後，用Dow Corning公司製造的透明聚矽氧密封材料(商品名：OE-6631)密封住，將Quad Group公司製造的φ 1.8mm銅製立柱螺栓銷(商品名：901070U)之立柱側垂直立在密封材料之中，藉由於150℃進行5小時的熱處理，因硬化而獲得剝離試驗用發光裝置。將結果顯示於表2。

<塗布了表面處理劑的發光裝置之剝離試驗>

將剝離試驗用發光裝置裝在Romulus製造的柱螺栓拉力試驗機上，以1.5N/秒的速度剝離，來測定剝離力。將結果顯示於表2。

(實施例B2)

使用平均長邊長度1000nm的雲母(Topy工業股份有限公司製造，商品名：NTS-5)，除了在此雲母1g中添加蒸餾水使總重量為100g以外與實施例B1同樣地進行來製作表面處理劑，與實施例B1同樣地進行評價。將結果顯示於表2。

(實施例B3)

使用平均長邊長度500nm的雲母(Topy工業股份有限公司製造，商品名：NHT-B2)，除了在此雲母1g中添加蒸餾水使總重量為100g以外與實施例B1同樣地進行來製作表面處理劑，與實施例B1同樣地進行評價。將結果顯示於表2。

(實施例B4)

用平均長邊長度5000nm的蒙脫石(Kunimine工業股份有限公司製造，商品名：Kunipia F)，除了在此蒙脫石1g中添加蒸餾水使總重量為100g以外與實施例B1同樣地進行來製作表面處理劑，與實施例B1同樣地進行評價。將結果顯示於表2。

(實施例B5)

使用平均長邊長度2000nm的蒙脫石(Kunimine工業股份有限公司製造，商品名：Kunipia F)，除了在此蒙脫石1g中添加蒸餾水使總重量為100g以外與實施例B1同樣地進行 來製作表面處理劑，與實施例B1同樣地進行評價。將結果顯示於表2。

(實施例B6)

使用平均長邊長度1000nm的蒙脫石(Kunimine工業股份有限公司製造，商品名：Kunipia F)，除了在此蒙脫石1g中添加蒸餾水使總重量為100g以外與實施例B1同樣地進行來製作表面處理劑，與實施例B1同樣地進行評價。將結果顯示於表2。

(實施例B7)

作為第2矽酸化合物，是在Dow Corning公司製造的聚矽氧樹脂(商品名：OE-6370M)0.05g中添加正庚烷99.5g，使總重量為100g來製備，除此以外與實施例B1同樣地進行來製作表面處理劑，與實施例B1同樣地進行評價。將結果顯示於表2。

(實施例B8)

作為第2矽酸化合物，是在Dow Corning公司製造的聚矽氧樹脂(商品名：OE-6370M)6g中添加正庚烷94g，使總重量為100g來製備，除此以外與實施例B1同樣地進行來製作表面處理劑，與實施例B1同樣地進行評價。將結果顯示於表2。

(實施例B9)

作為第2矽酸化合物，是在Dow Corning公司製造的聚矽氧樹脂(商品名：OE-6370HF)3g中添加正庚烷97g，使總重量為100g來製備，除此以外與實施例B1同樣地進行來製作表面處理劑，與實施例B1同樣地進行評價。將結果顯示於表2。

(實施例B10)

作為第2矽酸化合物，是在Dow Corning公司製造的聚矽氧樹脂(商品名：OE-6351)3g中添加正庚烷97g，使總重量為100g來製備，除此以外與實施例B1同樣地進行來製作表面處理劑，與實施例B1同樣地進行評價。將結果顯示於表2。

(實施例B11)

作為第2矽酸化合物，是在Dow Corning公司製造的聚矽氧樹脂(商品名：OE-6336)3g中添加正庚烷97g，使總重量為100g來製備，除此以外與實施例B1同樣地進行來製作表面處理劑，與實施例B1同樣地進行評價。將結果顯示於表2。

(實施例B12)

作為第2矽酸化合物，是在Dow Corning公司製造的聚矽氧樹脂(商品名：EG-6301)3g中添加正庚烷97g，使總重 量為100g來製備，除此以外與實施例B1同樣地進行來製作表面處理劑，與實施例B1同樣地進行評價。將結果顯示於表3。

(實施例B13)

作為第2矽酸化合物，是在信越化學公司製造的聚矽氧樹脂(商品名：KER-2600)3g中添加正庚烷97g，使總重量為100g來製備，除此以外與實施例B1同樣地進行來製作表面處理劑，與實施例B1同樣地進行評價。將結果顯示於表3。

(實施例B14)

作為第2矽酸化合物，是在Dow Corning公司製造的聚矽氧樹脂(商品名：OE-6630)3g中添加正庚烷97g，使總重量為100g來製備，除此以外與實施例B1同樣地進行來製作表面處理劑，與實施例B1同樣地進行評價。將結果顯示於表3。

(實施例B15)

作為第2矽酸化合物，是在WACKER公司製造的聚矽氧樹脂(商品名：LUMISIL868)3g中添加正庚烷97g，使總重量為100g來製備，除此以外與實施例B1同樣地進行來製作表面處理劑，與實施例B1同樣地進行評價。將結果顯示於表3。

(實施例B16)

作為第2矽酸化合物，是在WACKER公司製造的聚矽氧樹脂(商品名：LUMISIL815)3g中添加正庚烷97g，使總重量為100g來製備，除此以外與實施例B1同樣地進行來製作表面處理劑，與實施例B1同樣地進行評價。將結果顯示於表3。

(實施例B17)

作為第2矽酸化合物，是在信越化學公司製造的聚矽氧樹脂(商品名：KER-6000)3g中添加正庚烷97g，使總重量為100g來製備，除此以外與實施例B1同樣地進行來製作表面處理劑，與實施例B1同樣地進行評價。將結果顯示於表3。

(比較例B1)

不使用表面處理劑來製作銀基板及發光裝置，與實施例B1同樣地進行評價。將結果顯示於表3。

(比較例B2)

不使用包含層狀矽酸化合物之表面處理劑來製作銀基板及發光裝置，與實施例B1同樣地進行評價。將結果顯示於表3。

(比較例B3)

除了將第2矽酸化合物的膜厚設成8nm以外，與實施例 B5同樣地進行來製作表面處理劑，與實施例B1同樣地進行評價。將結果顯示於表3。

(比較例B4)

不使用包含第2矽酸化合物之表面處理劑來製作銀基板及發光裝置，使用平均長邊長度1000nm的蒙脫石(Kunimine工業股份有限公司製造，商品名：Kunipia F)，在此蒙脫石1g中添加蒸餾水使總重量為100g，除此以外與實施例B1同樣地進行評價。將結果顯示於表3。

(比較例B5)

作為第2矽酸化合物，是在信越化學公司製造的底塗劑(商品名：R-3)3g中添加乙酸乙酯97g，使總重量為100g來製備，除此以外與實施例B1同樣地進行來製作表面處理劑，與實施例B1同樣地進行評價。將結果顯示於表3。

層狀矽酸化合物是用超音波分散機來粉碎，把平均長邊長度調整成既定的大小而使用。

<氧氣穿透率之測定>

以表4中記載的層狀矽酸化合物成為5質量%，水成為95質量%的方式來秤量、混合，使用自轉公轉攪拌機(THINKY股份有限公司製造，商品名：ARE-310)以2000rpm進行混合10分鐘，以2200rpm進行脫泡10分鐘。

在附有易接着層之PET薄膜(東洋紡公司製造，商 品名：A4300-125)上，使用濕厚度100μm的刮棒塗布機，將在上述所獲得的層狀矽酸化合物5質量%的表面處理劑塗布後，於22℃靜置12小時去除溶劑，獲得在表面具備層狀矽酸化合物膜的PET薄膜。依據JIS K7126-1(GC法)來測定在表面具備層狀矽酸化合物膜的PET薄膜之氧氣穿透率。將結果顯示於表4。

<體積電阻率之測定>

將表5中記載的第2矽酸化合物3g塗布於附銅電極之基板上，於150℃乾燥3小時，作為體積電阻率測定試驗片。依據JIS C2139測定體積電阻率。將結果顯示於表5。

如表2及表3所示，可知在實施例B1~B17中，能獲得銀基板之硫化氫氣體耐受性、發光二極體之硫化氫氣體耐受性。又，可知在使用了發光二極體的發光裝置上能獲得適宜的黏著性。而且，可知能獲得良好的絕緣可靠度。

1‧‧‧光半導體裝置

10‧‧‧基板

10a‧‧‧表面

12‧‧‧基體

14‧‧‧鍍銅板

16‧‧‧鍍銀層

20‧‧‧反射器(光反射部)

20a‧‧‧光反射面

20b‧‧‧頂面

20c‧‧‧外周面

22‧‧‧內側空間

30‧‧‧藍光二極體

32‧‧‧晶粒接合材

34‧‧‧接合引線

40‧‧‧透明密封部

42‧‧‧螢光體

50‧‧‧氣體阻隔層

60‧‧‧底塗層

60a‧‧‧底塗層反射面部

70‧‧‧抗銀硫化膜

U‧‧‧暴露部

Claims (10)

1. 一種光半導體裝置，其具備：基板，其於表面形成有鍍銀層；發光二極體，其接合於前述鍍銀層；光反射部，其藉由圍繞前述發光二極體之光反射面，形成容納前述發光二極體之內側空間；抗銀硫化膜，其覆蓋前述鍍銀層；及，透明密封部，其填充於前述內側空間而將前述發光二極體密封住；其中，前述抗銀硫化膜具有：氣體阻隔層，其具有源自於黏土的氣體阻隔性；及，底塗層，其配置於前述氣體阻隔層的下層並具有黏著性；並且，前述透明密封部與前述底塗層接觸著。
2. 如請求項1所述之光半導體裝置，其中，前述底塗層形成於前述光反射面上，前述氣體阻隔層在前述光反射面上疊層於前述底塗層的一部分，前述透明密封部，在前述光反射面上的前述氣體阻隔層未疊層到前述底塗層上的位置，與前述底塗層接觸著。
3. 如請求項2所述之光半導體裝置，其中，前述發光二極體是發出藍光的藍光二極體。
4. 一種光半導體裝置，其具備：基板，其於表面形成有鍍銀層； 發光二極體，其接合於前述鍍銀層；光反射部，其藉由圍繞前述發光二極體之光反射面，形成容納前述發光二極體之內側空間；透明密封部，其填充於前述內側空間而將前述發光二極體密封住；及，氣體阻隔層，其形成於遠離前述基板之位置，並具有源自於黏土的氣體阻隔性；其中，前述氣體阻隔層埋設於前述透明密封部中。
5. 一種發光裝置，其具備：具有鍍銀層之基板、搭載於前述基板上之發光二極體、及至少覆蓋前述鍍銀層的表面之複層膜；其中，前述複層膜具有：第1層，其含有層狀矽酸化合物；及，第2層，其含有前述層狀矽酸化合物以外之第2矽酸化合物。
6. 如請求項5所述之發光裝置，其中，於前述鍍銀層的表面上，依序設置前述第2層與前述第1層。
7. 如請求項5或6所述之發光裝置，其被透明密封樹脂覆蓋或密封。
8. 一種發光裝置，其具備：具有鍍銀層之基板、搭載於前述基板上之發光二極體、及至少覆蓋前述鍍銀層的表面之多層膜；前述多層膜具有：第1層，其含有氧氣穿透率為0.0001~10cc/m²．24h．atm的化合物；及，第2層，其含有體積電阻率為10¹⁰~10¹⁶Ω．cm的化合物。
9. 如請求項8所述之發光裝置，其中，於前述鍍銀層的表面上，依序設置前述第2層與前述第1層。
10. 如請求項8或9所述之發光裝置，其被透明密封樹脂覆蓋或密封。