TW201414016A - 發光裝置 - Google Patents

Abstract

[課題]提供可抑制因由銀所成之反射體與硫黃成分的反應而形成為硫化銀而黑色化而由此反射率降低的情形的發光裝置。[解決手段]具備有：發光元件22、將來自該發光元件22的光進行反射之由銀所成之反射體26、及螢光體材料10。在反射體26的表面的至少一部分形成有含有氧化鋅(ZnO)的被膜26a。藉此，氧化鋅與硫黃成分起反應，而抑制硫化銀發生。

Description

發光裝置

本發明係關於具有由銀所成之反射體的發光裝置。

目前以液晶電視的背光或次世代照明而言，LED燈備受矚目。為了使LED燈發光成白色，必須將LED元件本身的發光，透過經塗布或揉合紅、藍、綠等螢光體的透鏡，將來自螢光體的發光相疊合，藉此獲得白色。近年來，為了提高現色性，含有硫黃的硫化物系螢光體受到矚目。但是，螢光體係具有若曝露在水分、熱、或紫外線時，發光特性會降低的弱點。尤其，硫化物系螢光體係在化學性呈不安定，具有因螢光體表面與水起反應而發生硫化氫，對周圍的構件會造成明顯的不良影響的問題。因此，達成實用化的案例極少。因此，為了進行保護免於受到該等外因影響，提出在螢光體粒子的表面形成被覆層的內容(參照例如專利文獻1)。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特願2010-248411號

但是，藉由形成被覆層，螢光體粒子本身的變質雖然可抑制為最小限度，但是，在抑制因硫化氫所造成的影響方面並不充分，會有因所發生的硫化氫，周圍構件，例如反射體、配線、或密封樹脂發生劣化的問題。尤其，若在反射體使用銀時，銀容易與硫化氫起反應而形成為硫化銀而黑色化，反射率明顯降低。

此外，即使因大氣中或構成LED的構件，尤其樹脂系構件所含有的微量硫黃成分，以長期裝置壽命的觀點來看，因反射體黑色化所致之反射率的降低係成為無法忽略的問題。

本發明係根據如上所示之問題而研創者，目的在提供可抑制因由銀所成之反射體與硫黃成分的反應而形成為硫化銀而黑色化而由此反射率降低的情形的發光裝置。

本發明之發光裝置係具備有：發光元件、將來自該發光元件的光進行反射之由銀所成之反射體、及螢光體材料，反射體係在至少表面的一部分具有含有氧化鋅的被膜者。

藉由本發明之發光裝置，在由銀所成之反射體的表面的至少一部分具備有含有氧化鋅的被膜，因此藉由與硫黃成分起反應，可抑制硫化銀發生，且可抑制反射率降低。

尤其，若將被膜的厚度形成為20nm以上1μm以下，可得更高的效果。

此外，若在螢光體材料含有由硫化物系螢光體所成之螢光體粒子時，使由螢光體粒子所發生的硫化氫與反射體表面的氧化鋅起反應而分解，可無害化。因此，可減小因發生硫化氫而對反射體或周圍構件所造成的影響，且可抑制特性劣化。

此外，若在螢光體粒子的表面設置含有氧化鋅的被覆層，使由螢光體粒子所發生的硫化氫與螢光體粒子的表面的氧化鋅起反應而分解，可無害化。因此，可減小因發生硫化氫而對反射體或周圍構件所造成的影響，且可抑制特性劣化。

此外，若將被覆層中的氧化鋅層的量，以氧化鋅相對螢光體粒子的重量的重量比，形成為0.75重量%以上30重量%以下，此外，在被覆層設置氧化鋅層，且將氧化鋅層的厚度形成為30nm以上1μm以下，可使亮度維持率提升。

再者此外，若在被覆層具有氧化鋅層及二氧化矽層，可使亮度維持率更加提升，並且可更加減小因發生硫化氫而對周圍構件所造成的影響。

10‧‧‧螢光體材料

11‧‧‧螢光體粒子

12‧‧‧被覆層

20‧‧‧發光裝置

21‧‧‧基板

22‧‧‧發光元件

23‧‧‧配線

24‧‧‧導線

25‧‧‧反射體框

26‧‧‧反射體

26a‧‧‧被膜

27‧‧‧密封層

31‧‧‧銀板

32‧‧‧密閉容器

33‧‧‧水

第1圖係顯示本發明之一實施形態之發光裝置之構成的圖。

第2圖係顯示第1圖之發光裝置所使用之螢光體材料 之構成之一例的示意圖。

第3圖係顯示在實施例中所使用的實驗裝置的圖。

第4圖係顯示參考例1-1~1-3、1-7之發光亮度的經時變化的特性圖。

第5圖係顯示參考例1-1、1-7、2-1之發光亮度的經時變化的特性圖。

[實施發明之形態]

以下參照圖式，詳細說明本發明之實施形態。

第1圖係顯示本發明之一實施形態之發光裝置20之一構成例者。該發光裝置20係在基板21之上裝載有發光元件22，發光元件22係藉由形成在基板21之上的配線23及導線24來作電性連接。配線23及導線24係例如藉由銅等所構成。此外，在發光元件22的周圍形成有例如反射體框25。在反射體框25的內側表面，亦即發光元件22之側的表面形成有例如將來自發光元件22的光進行反射之由銀所成的反射體26。在發光元件22之上係以覆蓋發光元件22的方式形成有密封層27。密封層27係藉由例如使螢光體材料10作分散的樹脂所構成。

在反射體26的表面的至少一部分形成有含有氧化鋅(ZnO)的被膜26a。藉此，氧化鋅與硫黃成分起反應而抑制硫化銀發生，可抑制因黑色化所致之反射率的降低。被膜26a係以非為明顯損及反射體26的反射率的白濁的膜為佳，較佳為緻密且均一的膜。被膜26a的厚度係 以例如20nm以上1μm以下為佳，若為40nm以上600nm以下為更佳。若厚度較薄，藉由被膜26a來抑制反射率降低的效果較小，若厚度較厚，會導致反射體26的初期反射率降低之故。

被膜26a係例如藉由各種方法來形成在由銀

所成之反射體26的表面。具體而言，例如可列舉：溶膠凝膠法、藉由濕式或乾式等各種方法而使氧化鋅的微粒子附著在反射體26的表面的方法、CVD法、PVD法、或濺鍍法。此外，成膜可以1次進行，亦可分為複數次來成膜。此外，成膜之後，為了使被膜26a定著，亦可視需要進行熱處理。

在發光元件22係使用例如發出紫外光、藍色 光、或綠色光作為激勵光者。

以螢光體材料10而言，以1種或視需要混合使 用例如藉由由發光元件22所發出的激勵光而發出紅色光者、發出藍色光者、發出綠色光者、發出黃色光者等。

第2圖係模式顯示螢光體材料10者之一例。該 螢光體材料10較佳為具有：螢光體粒子11、及設在螢光體粒子11的表面的被覆層12。此外，被覆層12亦可未形成。

以螢光體粒子11而言，例如可列舉： BaMgAl₁₀O₁₇：Eu、ZnS：Ag,Cl、BaAl₂S₄：Eu或者CaMgSi₂O₆：Eu等藍色系螢光體、Zn₂SiO₄：Mn、(Y,Gd)BO₃：Tb,ZnS：Cu,Al、SrGa₂S₄：Eu、或者(Ba,Sr,Mg)O．aAl₂O₃：Mn等綠色系螢光體、CaGa₂S₄：Eu等黃色螢光體、 (Y,Gd)BO₃：Eu、Y₂O₂S：Eu、YPVO₄：Eu、La₂O₂S：Eu、CaS：Eu、SrS：Eu、或者(Ca,Sr)S：Eu等紅色系螢光體。螢光體粒子11的粒子徑基本上不拘，惟平均粒子徑為5μm至20μm程度，以粒子徑儘可能一致為佳。可使特性安定之故。

在如上所示之螢光體粒子11之中亦若使用硫

化物系螢光體，例如ZnS：Ag,Cl或BaAl₂S₄：Eu等藍色系螢光體、ZnS：Cu,Al或SrGa₂S₄：Eu等綠色系螢光體、CaGa₂S₄：Eu等黃色螢光體、Y₂O₂S：Eu、La₂O₂S：Eu、CaS：Eu、SrS：Eu、或(Ca,Sr)S：Eu等紅色系螢光體時，因螢光體粒子11會與水等起反應而發生硫化氫(H₂S)，容易發生反射體26的黑色化，但是藉由本實施形態，可有效抑制因硫化銀的發生所致之黑色化。

被膜26a所含有的氧化鋅係如化1所示，在常 溫常壓下容易與硫化氫起反應，轉換成對光學特性所造成的影響較小的硫化鋅(ZnS)及水(H₂O)之故。

ZnO+H₂S → ZnS+H₂O．．．(化1)

螢光體材料10的被覆層12較佳為含有氧化鋅，尤其，螢光體粒子11由硫化物系螢光體所成時為更佳。如上所述，藉由氧化鋅可將硫化氫轉換成對光學特性所造成的影響較小的硫化鋅及水之故。被覆層12係可藉由由氧化鋅所成之氧化鋅層的單層所構成，惟以藉由將氧化鋅層與其他1以上的層進行層積的複數層所構成為佳。藉由與其他層進行層積，可抑制螢光體粒子11的劣化，並且亦可藉此抑制硫化氫發生之故。

以其他層而言，例如可列舉：含有由氧化鎂 (MgO)、氧化鋁(Al₂O₃)、二氧化矽(SiO₂)、氧化鈦(TiO₂)、氧化釔(Y₂O₃)、氧化鑭(La₂O₃)、氧化鈰(CeO₂)、氧化釓(Gd₂O₃)、及氧化鋯(ZrO₂)所成群組之中的至少1種的層。若其他層含有2種以上的化合物時，係可將該等混合或複合含有在1層之中，此外，亦可以層狀層積複數化合物而含有。其中亦以其他層而言，較佳為含有二氧化矽者，若形成為具有由二氧化矽所成之二氧化矽層，則更佳。可得更高效果之故。

氧化鋅層的厚度較佳為例如30nm以上1μm以 下，若為100nm以上500nm以下為更佳。此外，被覆層12中的氧化鋅的量係以氧化鋅相對螢光體粒子11的重量的重量比，以0.75重量%以上30重量%以下為佳，若為2.5重量%以上15重量%以下為更佳。若氧化鋅層的厚度較薄或氧化鋅的量較少時，減小因發生硫化氫而對周圍構件所造成的影響的效果較小，若氧化鋅層的厚度較厚或氧化鋅的量較多時，初期亮度的降低及亮度的經時劣化會變大之故。其他層的厚度較佳為例如30nm以上1μm以下，若為100nm以上500nm以下則更佳。在該範圍內，可得更高效果之故。

氧化鋅層與其他層的層積順序並未特別限定 。例如可為氧化鋅層為螢光體粒子11之側，其他層為螢光體粒子11之側，此外，亦可在氧化鋅層之間插入其他層，在其他層之間插入氧化鋅層。

此外，被覆層12亦可構成為具有含有氧化鋅 及其他物質的混合層或複合層。以其他物質而言，例如可列舉：由氧化鎂、氧化鋁、二氧化矽、氧化鈦、氧化釔、氧化鑭、氧化鈰、氧化釓、或氧化鋯所成群組之中的至少1種。此外，亦可形成為將含有氧化鋅與其他物質的混合層或複合層、及上述其他層進行層積的構造。此時亦為被覆層12中的氧化鋅的量係以氧化鋅相對螢光體粒子11的重量的重量比，較佳為0.75重量%以上30重量%以下，若為3重量%以上15重量%以下為更佳。

該螢光體材料10係例如藉由利用各種方法， 將被覆層12形成在螢光體粒子11的表面而得。具體而言，例如可列舉：溶膠凝膠法、或使構成被覆層12的微粒子，藉由濕式或乾式等各種方法而附著在螢光體粒子11的表面的方法。

在如上所示之發光裝置20中，因空氣中的硫 黃成分、或由螢光體材料10的螢光體粒子11所發生的硫化氫，反射體26、配線23、導線24、及密封層27等會劣化。尤其，反射體26係藉由銀所構成，因此銀與硫黃成分，尤其硫化氫的反應性高，生成硫化銀，且因黑色化所致之反射率降低等的劣化明顯。但是，藉由本實施形態，在反射體26的表面的至少一部分係形成有含有氧化鋅的被膜26a，藉此，由於氧化鋅與硫黃成分起反應，因此可抑制硫化銀發生，且可抑制因黑色化所致之反射率的降低等。此外，若在螢光體粒子11的表面形成有含有氧化鋅的被覆層12時，係可抑制硫化氫發生，且可抑制反射體26、配線23、導線24、及密封層27等劣化。

如上所示藉由本實施形態，在由銀所成之反 射體26的表面的至少一部分具備含有氧化鋅的被膜26a，因此藉由與硫黃成分起反應，可抑制硫化銀發生，且可抑制反射率降低。

尤其，若將被膜26a的厚度形成為20nm以上 1μm以下，可得更高效果。

此外，若在螢光體材料10含有由硫化物系螢 光體所成之螢光體粒子11時，係使由螢光體粒子11所發生的硫化氫與氧化鋅起反應而分解，可無害化。因此，可減小因發生硫化氫而對反射體26或周圍構件所造成的影響，可抑制特性劣化。

此外，若在螢光體粒子11的表面設置含有氧 化鋅的被覆層12，使由螢光體粒子11所發生的硫化氫與被覆層12的氧化鋅起反應而分解，可無害化。因此，可減小因發生硫化氫而對反射體26或配線23、導線24、及密封層27等周圍構件所造成的影響，且可抑制特性劣化。

此外，若將被覆層12中的氧化鋅層的量，以 氧化鋅相對螢光體粒子11的重量的重量比，形成為0.75重量%以上30重量%以下，此外，在被覆層12設置氧化鋅層，且將氧化鋅層12的厚度形成為30nm以上1μm以下，則可使亮度維持率提升。

再者此外，若在被覆層12具有氧化鋅層及二 氧化矽層，可使亮度維持率更加提升，並且可更加減小因發生硫化氫而對周圍構件所造成的影響。

[實施例]

(實施例1-1)

如第3圖所示，將在表面形成有氧化鋅的被膜的銀板31、及由硫化物系螢光體(Ca,Sr)S：Eu的螢光體粒子11所成且未形成有被覆層12的螢光體材料10收納在密閉容器32內，進行85℃的高溫濕環境曝露試驗。在密閉容器32之中放入水33，銀板31及螢光體材料10係以不會浸到水33的方式，配置在水33的上方。銀板31的表面的被膜係使平均粒子徑20nm的氧化鋅微粒子在醇系溶劑分散，使用噴霧噴嘴而以成為約100nm的厚度的方式塗布在銀板31的表面，使其乾燥而形成。

每隔30分鐘，藉由分光光度計，測定銀板31之反射率對曝露時間的變化。以判斷基準而言，若所測定到的銀板的反射率為80%以上，即設為合格，在小於80%的時點，視為銀的反射率明顯降低而結束試驗。在表1中顯示銀板31的初期反射率及反射率小於80%的時間及該時的反射率。表1的反射率係另外準備作為基準的銀板(未形成有被膜者)，以將作為基準的銀板的反射率設為100時的相對值表示。此外，實施例1-1的初期反射率為在銀板31形成被膜後的反射率。

以比較例1-1而言，準備在表面未形成有被膜的銀板31，以比較例1-2而言，準備在表面形成有氧化釔(Y₂O₃)的被膜的銀板31，以比較例1-3而言，準備在表面形成有氧化鋯(ZrO₂)的被膜的銀板31，以比較例1-4而言，準備在表面形成有二氧化矽(SiO₂)的被膜的銀板31。在 比較例1-2、1-3、1-4中，除了使用氧化釔微粒子、氧化鋯微粒子、或二氧化矽微粒子來取代氧化鋅微粒子以外，其他係與實施例1-1同樣地在銀板31的表面形成被膜。關於比較例1-1至比較例1-4，亦與實施例1-1同樣地，連同由硫化物系螢光體(Ca,Sr)S：Eu的螢光體粒子11所成之螢光體材料10一起將銀板31收納在密閉容器32之內，進行85℃的高溫濕環境曝露試驗。將所得結果一併顯示於表1。此外，比較例1-2、1-3、1-4的初期反射率係在銀板31形成被膜後的反射率。

如表1所示，在實施例1-1中，係在經過16小時後，銀板31的反射率小於80%，相對於此，在比較例1-1、比較例1-2、比較例1-3中，係以30分鐘，銀板31的反射率小於80%，在比較例1-4中亦以3小時，銀板31的反射率小於80%。此外，在實施例1-1中，係在銀板31的表面形成氧化鋅的被膜，但是初期反射率係與未形成有被膜的基準的銀板為相同程度，並未發現反射率降低。

亦即，可知若在反射體26的表面設置含有氧化鋅的被膜26a，可抑制因硫化氫所致之反射體26的黑色化，且可抑制反射率降低。

(實施例2-1)

與實施例1-1同樣地，將形成有氧化鋅的被膜的銀板31、及由硫化物系螢光體(Ca,Sr)S：Eu的螢光體粒子11所成之螢光體材料10收納在密閉容器32內，在密閉容器32之中並未放入水33，以85℃進行高溫環境曝露試驗，來調查銀板31的反射率的變化。實施例2-1係未積極地加濕而保持在85℃時的試驗。此外，以比較例2-1而言，針對未形成被膜的銀板31，與實施例2-1同樣地，以85℃進行高溫環境曝露試驗，調查出銀板31的反射率的變化。此時，包含密閉容器32的內部、以及設置在密閉容器32的內部的螢光體材料10、及銀板31的全部內容物並未特別地進行事前的乾燥，吸附水分因升溫而在密閉容器32的內部蒸發擴散，藉此形成為在密閉容器32的內部存在一定量的水分的環境。

將所得的結果顯示於表2。此外，表2的反射率係另外準備作為基準的銀板(未形成有被膜者)，以將作為基準的銀板的反射率設為100時的相對值表示。此外，實施例2-1的初期反射率係在銀板31形成被膜後的反射率。

如表2所示，在比較例2-1中，係以9小時，銀 板31的反射率小於80%，相對於此，在實施例2-1中，即使在經過1000小時後，反射率亦為100%左右。在比較例2-1中，無關於在密閉容器32的內部未放入水33而反射率降低的原因被認為由於存在於密閉容器32之內部的一定量的吸附水分蒸發擴散，因此在該微量的吸附水分，螢光體材料10起反應而發生硫化氫，以致銀板31變色者。 亦即，可知若在反射體26的表面設置含有氧化鋅的被膜26a，可有效抑制因硫化氫所致之反射體26的黑色化，且可抑制反射率降低。

(實施例3-1~3-5)

除了改變形成在銀板31的表面的氧化鋅的被膜的厚度以外，其他係與實施例1-1同樣地進行85℃的高溫濕環境曝露試驗。形成在銀板31的表面的氧化鋅的被膜的厚度係實施例3-1為20nm，實施例3-2為40nm，實施例3-3為400nm，實施例3-4為600nm，實施例3-5為1000nm。關於任一者，均在螢光體粒子11並未形成有被覆層12。

將所得的結果連同實施例1-1及比較例1-1的 結果一起顯示於表3。此外，表3的反射率係另外準備作為基準的銀板(未形成有被膜者)，以將作為基準的銀板的反射率設為100時的相對值表示。此外，實施例1-1，3-1~3-5的初期反射率係在銀板31形成被膜後的反射率。

如表3所示，銀板31的反射率小於80%的，在 實施例3-1中係在1小時後，在實施例3-2中係在2小時後，在實施例3-3中係在30小時後，在實施例3-4中係在40小時後，在實施例3-5中係在75小時後，在任一者中，相較於比較例1-1，反射率的降低均較慢。可知該效果係銀板31的被膜的厚度愈厚則愈高。此外，初期反射率係隨著被膜的厚度變厚而變低。亦即，可知以將設在反射體26的表面的含有氧化鋅的被膜26a的厚度設為20nm以上1μm以下為佳。

(實施例4-1)

在由硫化物系螢光體(Ca,Sr)S：Eu所成之螢光體粒子11的表面，形成由二氧化矽所成之二氧化矽層、及由氧化鋅所成之氧化鋅層，作為被覆層12，而製作螢光體材料10。氧化鋅層係形成在二氧化矽層之上，二氧化矽層的厚度為約300nm，氧化鋅層的厚度為約200nm。二氧化矽層係藉由在將全氫聚矽氮烷及溶媒加以混合之含矽的前驅體溶液混合螢光體粒子11，進行乾燥且熱處理而 形成。氧化鋅層係在螢光體粒子11塗布使氧化鋅的微粒子分散在溶媒的漿料，藉由熱處理而形成。

將所製作的螢光體材料10、及在表面形成有 氧化鋅的被膜的銀板31，如第3圖所示收納在密閉容器32內，與實施例1-1同樣地，進行85℃的高溫濕環境曝露試驗。實施例3-1係除了使用在螢光體粒子11的表面形成有具有二氧化矽層及氧化鋅層之2層構造的被覆層12者作為螢光體材料10以外，其他係與實施例1-1相同。將所得的結果連同實施例1-1及比較例1-1的結果一起顯示於表4。此外，表4的反射率係另外準備作為基準的銀板(未形成有被膜者)，以將作為基準的銀板的反射率設為100時的相對值表示。此外，實施例1-1、3-1的初期反射率係在銀板31形成被膜後的反射率。

如表4所示，在實施例1-1中，銀板31的反射 率小於80%的時間係在16小時後，相對於此，藉由實施例3-1，銀板31的反射率小於80%的時間係在20小時後。 亦即，可知若在反射體26的表面設置含有氧化鋅的被膜26a，此外，在螢光體粒子11的表面設置被覆層12，可得更高的效果。

(參考例1-1~1-7)

以參考例1-1~1-6而言，在由硫化物系螢光體(Ca,Sr)S：Eu所成之螢光體粒子11的表面形成由氧化鋅所成之氧化鋅層作為被覆層12，而製作螢光體材料10。 被覆層12係在螢光體粒子11塗布使氧化鋅的微粒子分散在溶媒的漿料，藉由進行熱處理而形成。此時，在參考例1-1~1-6中使分散在溶媒的氧化鋅的微粒子的量改變，藉此使被覆層12(亦即氧化鋅層)的厚度改變。被覆層12的厚度係參考例1-1為約200nm，參考例1-2為約500nm，參考例1-3為約1μm，參考例1-4為約100nm，參考例1-5為約40nm，參考例1-6為約20nm。此外，若將被覆層12(亦即氧化鋅層)的量換算成氧化鋅相對螢光體粒子11的重量的重量比，參考例1-1為約5重量%，參考例1-2為約15重量%，參考例1-3為約30重量%，參考例1-4為約2.5重量%，參考例1-5為約1.0重量%，參考例1-6為約0.5重量%。

將所製作的螢光體材料10、及銀板31，如第3 圖所示收納在密閉容器32內，與實施例1-1同樣地，進行85℃的高溫濕環境曝露試驗。參考例1-1~1-6係使用在螢光體粒子11的表面形成有由氧化鋅所成之被覆層12者作為螢光體材料10，在銀板31的表面未形成被膜者。以判斷基準而言，若所測定出的銀板31的反射率為80%以上，即設為合格，在小於80%的時點，視為銀板31的反射率明顯降低而結束試驗。將所得的結果顯示於表5。此外，反射率係另外準備作為基準的銀板，以將作為基準的銀板的反射率設為100時的相對值表示。

此外，以參考例1-7而言，準備未形成有被覆 層的螢光體材料10，亦即螢光體粒子11，與參考例1-1~1-6同樣地，進行85℃的高溫濕環境曝露試驗，調查銀板31的反射率的變化。螢光體粒子11係使用與參考例1-1~1-6為相同者。參考例1-1的結果亦一併顯示於表5。

如表5所示，與在螢光體粒子11未形成有被覆層12的參考例1-7相比，在形成有氧化鋅的被覆層12的參考例1-1~1-6中，反射率的降低較慢。亦即，可知若設置含有氧化鋅的被覆層12，可減小因硫化氫發生而對反射體26等周圍構件所造成的影響，且可抑制特性劣化。可知該效果係氧化鋅層的厚度愈厚愈高。

此外，另外針對參考例1-1~1-3，1-7的螢光體材料10，進行85℃、85%RH的高溫高濕環境曝露試驗，調查亮度的經時變化。將所得的結果顯示於第4圖。在第4圖中，縱軸係將參考例1-7的初期亮度設為100時的相對亮度值。

如第4圖所示，在參考例1-1~1-3中，與參考 例1-7相比，初期亮度降低，但是藉由參考例1-1、1-2，與參考例1-7相比，可使亮度維持率提升。亦即，可知若將氧化鋅層的厚度形成為500nm以下，可使亮度維持率提升，初期亮度的降低亦可抑制。

(參考例2-1)

除了將被覆層12形成為由二氧化矽所成之二氧化矽層、及由氧化鋅所成之氧化鋅層的2層構造以外，其他係與參考例1-1同樣地製作螢光體材料10。氧化鋅層係形成在二氧化矽層之上，二氧化矽層的厚度為約300nm、氧化鋅層的厚度為約200nm。二氧化矽層係將螢光體粒子11混合在將全氫聚矽氮烷及溶媒加以混合之含矽的前驅體溶液，進行乾燥，藉由熱處理來形成。

針對參考例2-1的螢光體材料10，亦與參考例 1-1同樣地，進行連同銀板31一起收納在密閉容器32的85℃的高溫濕環境曝露試驗、及85℃、85%RH的高溫高濕環境曝露試驗。將所得的結果連同參考例1-1、1-7的結果一起顯示於表6及第5圖。表6的反射率係另外準備作為基準的銀板，以將作為基準的銀板的反射率設為100時的相對值表示。在第5圖中，縱軸係將參考例1-7的初期亮度設為100時的相對亮度值。

如表6所示，藉由參考例2-1，與參考例1-1相比，可使特性大幅提升。此外，如第5圖所示，藉由參考例2-1，與參考例1-1相比，可使亮度維持率大幅提升。亦即，可知若設置包含二氧化矽層及氧化鋅的被覆層12，可更加減小因硫化氫發生而對反射體26等周圍構件所造成的影響，並且可使亮度維持率更加提升。

以上列舉實施形態及實施例來說明本發明，惟本發明可為各種變形，而非限定於上述實施形態及實施例。例如在上述實施形態中，係具體說明發光裝置20的構成，但是亦可具有其他構成。此外，在上述實施例中，係具體調查對銀的影響，但是關於因發生硫化氫而對其他構件所造成的影響，亦可得相同的效果。

[產業上之可利用性]

可使用在LED等發光裝置。

10‧‧‧螢光體材料

20‧‧‧發光裝置

21‧‧‧基板

22‧‧‧發光元件

23‧‧‧配線

24‧‧‧導線

25‧‧‧反射體框

26‧‧‧反射體

26a‧‧‧被膜

27‧‧‧密封層

Claims (8)

1. 一種發光裝置，其特徵為具備有：發光元件；將來自該發光元件的光進行反射之由銀所成之反射體；及螢光體材料，前述反射體係在至少表面的一部分具有含有氧化鋅的被膜。
2. 如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中前述被膜的厚度為20nm以上1μm以下。
3. 如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中前述螢光體材料係含有由硫化物系螢光體所成之螢光體粒子。
4. 如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中前述螢光體材料係具備有：螢光體粒子、及設在該螢光體粒子的表面且含有氧化鋅的被覆層。
5. 如申請專利範圍第4項之發光裝置，其中前述被覆層中的氧化鋅層的量，以氧化鋅對螢光體粒子的重量的重量比，為0.75重量%以上30重量%以下。
6. 如申請專利範圍第4項之發光裝置，其中前述被覆層係具有由氧化鋅所成之氧化鋅層。
7. 如申請專利範圍第6項之發光裝置，其中前述氧化鋅層的厚度為30nm以上1μm以下。
8. 如申請專利範圍第6項之發光裝置，其中前述被覆層進一步具有由二氧化矽所成之二氧化矽層。