[go: up one dir, main page]

TWI548005B - 選擇性電子封裝模組的製造方法 - Google Patents

選擇性電子封裝模組的製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI548005B
TWI548005B TW103102666A TW103102666A TWI548005B TW I548005 B TWI548005 B TW I548005B TW 103102666 A TW103102666 A TW 103102666A TW 103102666 A TW103102666 A TW 103102666A TW I548005 B TWI548005 B TW I548005B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
package module
molding material
manufacturing
electronic package
photosensitive resin
Prior art date
Application number
TW103102666A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201530665A (zh
Inventor
陳仁君
陳世堅
鄭百勝
Original Assignee
環旭電子股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 環旭電子股份有限公司 filed Critical 環旭電子股份有限公司
Priority to TW103102666A priority Critical patent/TWI548005B/zh
Priority to US14/246,114 priority patent/US20150214075A1/en
Priority to JP2014082008A priority patent/JP2015138968A/ja
Priority to FR1453854A priority patent/FR3016996A1/fr
Priority to DE102014105961.1A priority patent/DE102014105961A1/de
Publication of TW201530665A publication Critical patent/TW201530665A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI548005B publication Critical patent/TWI548005B/zh

Links

Classifications

    • H10W74/01—
    • H10W42/276—
    • H10W90/724—
    • H10W90/754—

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)

Description

選擇性電子封裝模組的製造方法
本發明有關於一種選擇性電子封裝模組及其製造方法。
目前常見的電子封裝模組大多為使用封裝材料所封裝而成的各種電子元件，電子產品的功能越來越多，所以電子封裝模組內部所整合的電子元件的種類也越來越多。不過，當所有的電子元件皆被包覆於封膠體之內，倘若僅部分電子元件的功能喪失，則難以針對喪失功能的電子元件的進行更替；又或者，有些如光電元件等，亦不希望被包覆時，則這類型的光電元件也不可被包覆於封膠體之內。
一般而言，為了便於更替喪失功能的電子元件或者增加電子封裝模組的封裝靈活度，通常會在電子封裝模組設計多個不同的封裝體以分別包覆不同的電子元件。
不過，為了使得電子封裝模組具有多個不同的封裝體，於製作電子封裝模組的製程工序中，須設計多組模具以區分不同的電子元件，如此可能會增加製作難度以及成本。
本發明實施例提供一種選擇性電子封裝模組的製造方法，用以改進對現有選擇性電子封裝模組的製程。
本發明實施例提供一種電子封裝模組的製造方法，所述電子封裝模組的製造方法包括配置複數個電子元件於基板的表面。噴塗液態光敏樹脂材料於基板的表面。照射紫外光於液態光敏樹脂材料以形成堤圍結構，其中堤圍結構圍設至少一電子元件。填置模 封材料於堤圍結構之內，其中模封材料包覆至少一電子元件。固化模封材料以形成封裝體，其中封裝體包覆至少一電子元件。
綜上所述，本發明實施例提供選擇性電子封裝模組的製造方法，所述選擇性電子封裝模組的製造方法藉由反覆地噴塗液態光敏樹脂材料圍繞所欲封裝的電子元件，以及照射紫外光於液態光敏樹脂材料使其硬化以形成堤圍結構。隨後，填置模封材料於堤圍結構之內並使其固化而形成封裝體，從而封裝體得以選擇性地包覆所欲封裝的電子元件。因此，選擇性電子封裝模組100的封裝體140得以選擇性地封裝部分的電子元件120，從而選擇性電子封裝模組100能夠針對所需封裝的電子元件120進行包覆，進而增加選擇性電子封裝模組100於封裝上的靈活度。
為了能更進一步瞭解本發明為達成既定目的所採取之技術、方法及功效，請參閱以下有關本發明之詳細說明、圖式，相信本發明之目的、特徵與特點，當可由此得以深入且具體之瞭解，然而所附圖式與附件僅提供參考與說明用，並非用來對本發明加以限制者。
100‧‧‧選擇性電子封裝模組
110‧‧‧基板
120‧‧‧電子元件
130‧‧‧堤圍結構
130’‧‧‧液態光敏樹脂材料
140‧‧‧封裝體
140’‧‧‧模封材料
D1‧‧‧分配器
M1‧‧‧保護區域
P1‧‧‧噴頭
U1‧‧‧紫外光源
圖1A是本發明實施例的選擇性電子封裝模組的俯視示意圖。
圖1B是圖1A中沿線P-P剖面所繪示的剖面示意圖。
圖2A至2D分別是本發明實施例的選擇性電子封裝模組的製造方法於各步驟所形成的剖面示意圖。
圖1A是本發明實施例的選擇性電子封裝模組的結構示意圖，圖1B是圖1A中沿線P-P剖面所繪示的剖面示意圖。請參閱圖1A以及圖1B，選擇性電子封裝模組100包括基板110、複數個電子元件120以及封裝體140。電子元件120與基板110電性連接。封裝體140覆蓋部分電子元件120上。
基板110用以作為不同電子元件120所配置的載體(carrier)，而基板110可以是一大尺寸的電路聯板(circuit substrate panel或 circuit substrate strip)。電子元件120可以是主動元件或被動元件，例如是晶片、電晶體、二極體、電容、電感、光電元件或其他高頻、射頻元件等。
電子元件120可以包括多種各種類型，亦即這些電子元件120的種類並不完全相同。電子元件120可以是多個不完全相同的電子元件，例如其中一個電子元件120可以是二極體，而另一個電子元件120可以是晶片。如圖1A以及圖1B中所繪示，電子元件120可以包括不同的種類，皆以電子元件120表示。不過，本發明並不對電子元件120的種類加以限定。
封裝體140為一模封膠，用以避免電子元件120之間產生不必要的電性連接或是短路等情形。封裝體130可以由是一種具黏性的液態模封膠(Liquid Ericapsulant)經固化而所形成，例如是環氧樹脂(Epoxy resin)等材料。值得說明的是，選擇性電子封裝模組100的封裝體140得以選擇性地封裝部分的電子元件120，從而選擇性電子封裝模組100能夠針對所需封裝的電子元件120進行包覆，進而增加選擇性電子封裝模組100於封裝上的靈活度。
於本實施例中，選擇性電子封裝模組100包括堤圍結構130，而堤圍結構130接觸並且圍繞封裝體140。堤圍結構130包圍所欲封裝的一保護區域M1，其中保護區域M1定義為所欲選擇性封裝的區域，而被封裝的電子元件120配置於保護區域M1內。堤圍結構130的材料為一液態光敏樹脂材料，透過一定波長的紫外光照射下，液態光敏樹脂材料會產生聚合反應以固化成堤圍結構130。
值得說明的是，堤圍結構130為選擇性電子封裝模組100的製造方法過程中所需的一構造，不過，選擇性電子封裝模組100可以視產品需求而選擇於後續製程工序中去除或是留下堤圍結構130。因此，於其他發明實施例中，選擇性電子封裝模組100亦可以不包括堤圍結構130。此外，選擇性模封電子封裝模組100亦可以依照產品的電磁遮蔽需求而繼續製作電磁遮蔽結構(未繪示)。
圖2A至2D分別是本發明實施例的選擇性電子封裝模組的製造方法於各步驟所形成的示意圖。請依序配合參照圖2A至2D。
首先，請參閱圖2A，配置複數個電子元件120於基板100的表面。於實務上，基板110可以是一大尺寸的電路聯板，而電子元件120可以是晶片、電晶體、二極體、電容、電感、光電元件或其他高頻、射頻元件等。電子元件120可以透過多種方式裝設(mount)於基板100的表面，例如是打線方式、覆晶方式或是利用表面黏著技術(Surface Mount Technology,SMT)等方式。不過，本發明並不對電子元件120與基板100之間的配置方式加以限定。
請參閱圖2B，噴塗一液態光敏樹脂材料130’於基板100的表面，且照射紫外光於液態光敏樹脂材料130’。詳細而言，首先，藉由噴頭P1的移動而使液態光敏樹脂材料130’圍繞於至少一電子元件120以先定義出所欲圍設的保護區域M1。保護區域M1為選擇性電子封裝模組100之中被封裝體140包覆的區域。噴頭P1一層層地噴塗出液態光敏樹脂材料130’，液態光敏樹脂材料130’層層向上堆疊。
在噴頭P1一層層地噴塗出液態光敏樹脂材料130’的同時，透過紫外光源U1進行紫外光照射，液態光敏樹脂材料130’一照射到紫外光隨即發生硬化反應。值得說明的是，液態光敏樹脂材料130’是一種由聚合物單體與預聚體(prepolymer)組成的樹脂材料，其中添加有光敏劑。在一定波長的紫外光照射下，液態光敏樹脂材料130’會產生聚合反應而固化。
請參閱圖2C，液態光敏樹脂材料130’在層層地向上堆疊的同時以紫外光照射，以使得液態光敏樹脂材料130’硬化。在反覆地噴塗液態光敏樹脂材料130’以及照射紫外光的過程中，形成一圍繞於至少一電子元件120周圍的堤圍結構130，其中堤圍結構130圍繞著區域M1。值得說明的是，為了顧及電子元件120的高度以及不同的電子元件120的配置設計，堤圍結構130的高度以及形 狀可以具有多種變化，例如是矩形框、多邊形框或者是任意的形狀框體。也就是說，堤圍結構130可以透過噴頭P1的移動而將液態光敏樹脂材料130’先定義出保護區域M1的形狀，而後再依照電子元件120的高度或者是後續製產品的考量而調整堤圍結構130的高度。
請參閱圖2D，填置一模封材料140’於堤圍結構130之內，其中模封材料140’包覆至少一電子元件120。詳細來說，模封材料140’為液態模封膠(Liquid Encapsulant)，且具有良好的流動性以及平坦性。藉由分配器(dispenser)D1將模封材料140’填入堤圍結構130所圍設的保護區域M1之內，使得模封材料140’覆蓋在基板110的表面並且包覆位於保護區域M1之內的電子元件120。此外，填入模封材料140’的高度可以約略與堤圍結構130的高度相同，不過，本發明並不對此加以限制。值得注意的是，填置模封材料140’的步驟是在常壓及加溫的環境進行，以利填置模封材料140’易於流動填滿提圍內的空間。
在填置模封材料140’的過程中會捲入空氣或產生氣泡，而這些氣泡會導致內部或外部孔穴並影響到產品的封裝品質。所以在填置模封材料140’的步驟之後，將藉由提高環境真空度與環境溫度，並且維持此環境真空度與環境溫度約1小時，以釋放模封材料140’內部的氣泡，其中真空壓力介於10-2托爾(torr)至10-3托爾(torr)之間，而環境溫度在90(℃)至110(℃)之間，從而在模封材料140’內部的氣泡得以逸散而出。
請再次參閱圖1B，固化模封材料140’以形成封裝體140，其中封裝體140包覆至少一電子元件120。詳細而言，在進行固化程序過程中，亦是在真空環境10-2托爾(torr)至10-3托爾(torr)之間，再度提高環境溫度維持約3小時，其中環境溫度在140(℃)至160(°C)之間，以使模封材料140’固化形成封裝體140。於此，選擇性模封電子封裝模組100已大致上完成。值得說明的是，為了產品 的考量，選擇性模封電子封裝模組100可以將堤圍結構130去除或是留下。此外，選擇性模封電子封裝模組100亦可以依照產品的電磁遮蔽需求而繼續製作電磁遮蔽結構。
綜上所述，本發明實施例提供選擇性電子封裝模組的製造方法，所述選擇性電子封裝模組的製造方法藉由反覆地噴塗液態光敏樹脂材料圍繞所欲封裝的電子元件，同時照射紫外光於液態光敏樹脂材料使其硬化以形成堤圍結構。隨後，填置模封材料於堤圍結構之內並使其固化而形成封裝體，從而封裝體得以選擇性地包覆所欲封裝的電子元件。因此，選擇性電子封裝模組100的封裝體140得以選擇性地封裝部分的電子元件120，從而選擇性電子封裝模組100能夠針對所需封裝的電子元件120進行包覆，進而增加選擇性電子封裝模組100於產品設計與應用彈性。
以上所述僅為本發明的實施例，其並非用以限定本發明的專利保護範圍。任何熟習相像技藝者，在不脫離本發明的精神與範圍內，所作的更動及潤飾的等效替換，仍為本發明的專利保護範圍內。
100‧‧‧選擇性電子封裝模組
110‧‧‧基板
120‧‧‧電子元件
130‧‧‧堤圍結構
140‧‧‧封裝體
M1‧‧‧保護區域

Claims (8)

  1. 一種選擇性模封電子封裝模組的製造方法，包括：配置複數個電子元件於一基板的表面；形成一液態光敏樹脂材料於該基板的表面；照射紫外光於該液態光敏樹脂材料以形成一堤圍結構，其中該堤圍結構圍設該至少一電子元件；填置一模封材料於該堤圍結構之內，其中該模封材料包覆於該至少一電子元件；以及固化該模封材料以形成一封裝體，其中該封裝體包覆該至少一電子元件。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之選擇性模封電子封裝模組的製造方法，其中形成一液態光敏樹脂材料的方法為噴塗。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之選擇性模封電子封裝模組的製造方法，其中噴塗一液態光敏樹脂材料的步驟以及照射紫外光於該液態光敏樹脂材料的步驟為同時進行。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之選擇性模封電子封裝模組的製造方法，其中填置一模封材料的步驟是在常壓的環境下進行。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之選擇性模封電子封裝模組的製造方法，其中在填置該模封材料的步驟之後，釋放該模封材料內部氣泡。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之選擇性模封電子封裝模組的製造方法，其中在釋放該模封材料內部氣泡的步驟包括：提高環境真空度以去除模封材料內氣泡，其中，真空壓力介於10-2托爾(torr)至10-3托爾(torr)。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之選擇性模封電子封裝模組的製造方法，其中在釋放該模封材料內部氣泡的步驟包括：提高環境溫度在90(℃)至110(℃)之間。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之選擇性模封電子封裝模組的製造方法，其中在固化該模封材料的步驟是在真空環境10-2托爾 (torr)至10-3托爾(torr)之間，環境溫度在140(℃)至160(℃)之間。
TW103102666A 2014-01-24 2014-01-24 選擇性電子封裝模組的製造方法 TWI548005B (zh)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW103102666A TWI548005B (zh) 2014-01-24 2014-01-24 選擇性電子封裝模組的製造方法
US14/246,114 US20150214075A1 (en) 2014-01-24 2014-04-06 Manufacturing method of selective electronic packaging device
JP2014082008A JP2015138968A (ja) 2014-01-24 2014-04-11 選択的電子部品実装モジュールの製造方法
FR1453854A FR3016996A1 (fr) 2014-01-24 2014-04-29 Procede de fabrication d'un dispositif de conditionnement electronique selectif
DE102014105961.1A DE102014105961A1 (de) 2014-01-24 2014-04-29 Herstellungsverfahren für selektive elektronische Einkapselungsmodule

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW103102666A TWI548005B (zh) 2014-01-24 2014-01-24 選擇性電子封裝模組的製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201530665A TW201530665A (zh) 2015-08-01
TWI548005B true TWI548005B (zh) 2016-09-01

Family

ID=53522862

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103102666A TWI548005B (zh) 2014-01-24 2014-01-24 選擇性電子封裝模組的製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20150214075A1 (zh)
JP (1) JP2015138968A (zh)
DE (1) DE102014105961A1 (zh)
FR (1) FR3016996A1 (zh)
TW (1) TWI548005B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016117183A1 (de) 2016-09-13 2018-03-15 Delo Industrie Klebstoffe Gmbh & Co. Kgaa Lichtfixierbare Vergussmasse und Verfahren zum selektiven Verguss von Substraten/Bauteilen unter Verwendung der Massen
TWI719718B (zh) * 2019-11-18 2021-02-21 啟碁科技股份有限公司 封裝結構及其製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201118989A (en) * 2009-11-18 2011-06-01 Nanya Technology Corp Semiconductor chip package
TW201227175A (en) * 2010-12-20 2012-07-01 Cheil Ind Inc Positive photosensitive resin composition
TWM471030U (zh) * 2013-10-18 2014-01-21 Tripod Technology Corp 電路板封裝結構

Family Cites Families (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3583349A (en) * 1969-05-22 1971-06-08 Us Navy Deep sea submergency buoyancy module and method of making same
JPS58182837A (ja) * 1982-04-21 1983-10-25 Hitachi Ltd 樹脂封止半導体装置の製造方法
JPH01300531A (ja) * 1988-05-30 1989-12-05 Seikosha Co Ltd 半導体素子の封止方法
US4961886A (en) * 1988-06-09 1990-10-09 Dow Corning Corporation Method of controlling flow by a radiation formed dam
US4923908A (en) * 1988-10-14 1990-05-08 Zenith Electronics Corporation Epoxy compositions, and method of making same
US5120678A (en) * 1990-11-05 1992-06-09 Motorola Inc. Electrical component package comprising polymer-reinforced solder bump interconnection
JPH04354142A (ja) * 1991-05-31 1992-12-08 Hitachi Cable Ltd 半導体の樹脂封止方法
NL1004651C2 (nl) * 1996-11-29 1998-06-03 Nedcard Werkwijze voor het inkapselen van een chip op een drager.
US6271996B1 (en) * 1997-11-10 2001-08-07 Hutchinson Technology Incorporated Damper with unconstrained surface for a disk drive head suspension
KR20020005601A (ko) * 1999-02-25 2002-01-17 가마이 고로 반도체 밀봉용 수지 조성물, 및 이를 사용한 반도체 장치및 반도체 장치의 제조방법
FR2793069B1 (fr) * 1999-04-28 2003-02-14 Gemplus Card Int Procede de fabrication de dispositif electronique portable a circuit integre protege par resine photosensible
US6469074B1 (en) * 1999-05-26 2002-10-22 Matsushita Electric Works, Ltd. Composition of cyanate ester, epoxy resin and acid anhydride
DE10024336A1 (de) * 2000-05-17 2001-11-22 Heidenhain Gmbh Dr Johannes Bauelementanordnung und Verfahren zur Herstellung einer Bauelementanordnung
JP2004006805A (ja) * 2002-04-19 2004-01-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品の製造方法
JP3871634B2 (ja) * 2002-10-04 2007-01-24 シャープ株式会社 Ｃｏｆ半導体装置の製造方法
TW591770B (en) * 2003-03-14 2004-06-11 Ind Tech Res Inst Packaging method for semiconductor device
DE602005019550D1 (de) * 2004-03-30 2010-04-08 Asahi Kasei Chemicals Corp Hohlzyindrisches druckelement
US20060006791A1 (en) * 2004-07-06 2006-01-12 Chia Chee W Light emitting diode display that does not require epoxy encapsulation of the light emitting diode
EP1779421A1 (en) * 2004-08-06 2007-05-02 Hitek Power Corporation Selective encapsulation of electronic components
JP4929595B2 (ja) * 2005-01-18 2012-05-09 三菱瓦斯化学株式会社 封止樹脂用組成物
US7763478B2 (en) * 2006-08-21 2010-07-27 Cree, Inc. Methods of forming semiconductor light emitting device packages by liquid injection molding
JP4438006B2 (ja) * 2007-03-30 2010-03-24 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US8530589B2 (en) * 2007-05-04 2013-09-10 Kovio, Inc. Print processing for patterned conductor, semiconductor and dielectric materials
JP2009135485A (ja) * 2007-11-07 2009-06-18 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体発光装置及びその製造方法
US8247827B2 (en) * 2008-09-30 2012-08-21 Bridgelux, Inc. LED phosphor deposition
JP5388341B2 (ja) * 2009-03-31 2014-01-15 ナミックス株式会社 アンダーフィル用液状樹脂組成物、フリップチップ実装体およびその製造方法
TWI492339B (zh) * 2009-06-01 2015-07-11 信越化學工業股份有限公司 A dam material composition for a bottom layer filler material for a multilayer semiconductor device, and a manufacturing method of a multilayer semiconductor device using the dam material composition
KR101182240B1 (ko) * 2009-09-09 2012-09-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시장치의 밀봉용 충전재 및 이를 이용한 유기 전계 발광 표시장치의 제조방법
US20110076853A1 (en) * 2009-09-28 2011-03-31 Magic Technologies, Inc. Novel process method for post plasma etch treatment
US8143110B2 (en) * 2009-12-23 2012-03-27 Intel Corporation Methods and apparatuses to stiffen integrated circuit package
TWI425597B (zh) * 2009-12-31 2014-02-01 勝開科技股份有限公司 具有黑色膠體之影像感測器封裝結構
US9977293B2 (en) * 2010-01-29 2018-05-22 Citizen Watch Co., Ltd. Electronic eyeglass and liquid crystal lens production methods
US8399300B2 (en) * 2010-04-27 2013-03-19 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming adjacent channel and DAM material around die attach area of substrate to control outward flow of underfill material
DE102010028815A1 (de) * 2010-05-10 2011-11-10 Nedcard B.V. Verfahren zum Verkapseln eines Chips
JP5882332B2 (ja) * 2010-09-06 2016-03-09 ヘレーウス ノーブルライト ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテルハフツングＨｅｒａｅｕｓ Ｎｏｂｌｅｌｉｇｈｔ ＧｍｂＨ オプトエレクトロニクスチップオンボードモジュール用のコーティング法
DE102010044470B4 (de) * 2010-09-06 2018-06-28 Heraeus Noblelight Gmbh Verfahren zur Beschichtung eines optoelektronischen Chip-On-Board-Moduls, optoelektronisches Chip-On-Board-Modul und System damit
JP5467469B2 (ja) * 2011-01-04 2014-04-09 山栄化学株式会社 プリント配線基板に表面実装する方法
TWI413195B (zh) * 2011-01-20 2013-10-21 華東科技股份有限公司 減少模封膠體內氣泡之壓縮模封方法與裝置
JP5726551B2 (ja) * 2011-01-28 2015-06-03 セーレン株式会社 加飾樹脂成形品及びその製造方法
JP2012172064A (ja) * 2011-02-22 2012-09-10 Nitto Denko Corp 紫外線硬化型光学樹脂接着剤組成物
JP2012200686A (ja) * 2011-03-25 2012-10-22 Fujitsu Semiconductor Ltd ディスペンス方法及びディスペンス装置
DE112011105184B4 (de) * 2011-04-26 2017-11-02 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Sprühmessverfahren und in dem Verfahren verwendeter Sprühmessapparat
JP5751214B2 (ja) * 2012-03-13 2015-07-22 信越化学工業株式会社 硬化性シリコーン樹脂組成物、その硬化物及び光半導体デバイス
JP6095301B2 (ja) * 2012-09-03 2017-03-15 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR20140047750A (ko) * 2012-10-09 2014-04-23 엘지이노텍 주식회사 발광 장치
CN103887402B (zh) * 2012-12-21 2018-02-09 光宝电子(广州)有限公司 发光二极管封装结构、其围墙结构及围墙结构的制造方法
JP6292477B2 (ja) * 2013-09-07 2018-03-14 Ｔｉａｎｍａ Ｊａｐａｎ株式会社 表示装置
US9895847B2 (en) * 2013-11-27 2018-02-20 Solidscape, Inc. Method and apparatus for fabricating three dimensional models
JP6113633B2 (ja) * 2013-11-27 2017-04-12 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201118989A (en) * 2009-11-18 2011-06-01 Nanya Technology Corp Semiconductor chip package
TW201227175A (en) * 2010-12-20 2012-07-01 Cheil Ind Inc Positive photosensitive resin composition
TWM471030U (zh) * 2013-10-18 2014-01-21 Tripod Technology Corp 電路板封裝結構

Also Published As

Publication number Publication date
TW201530665A (zh) 2015-08-01
DE102014105961A1 (de) 2015-07-30
FR3016996A1 (fr) 2015-07-31
US20150214075A1 (en) 2015-07-30
JP2015138968A (ja) 2015-07-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6654994B2 (ja) 回路部品の製造方法
TWI744572B (zh) 具有封裝內隔室屏蔽的半導體封裝及其製作方法
CN109378276B (zh) 电子封装模块的制造方法以及电子封装模块
CN104952828A (zh) 覆晶堆叠封装结构及其制作方法
CN107026107A (zh) 电子部件的制造装置及制造方法以及电子部件
TWI567834B (zh) 指紋辨識晶片封裝模組的製造方法
CN104658987B (zh) 半导体器件及其制造方法
CN103943764A (zh) 模压一体化封装led光源的成型模具及成型方法
TWM455258U (zh) 具有氣室缺口之影像感測器結構
US20200168557A1 (en) Semiconductor package and fabrication method thereof
TWI553818B (zh) 電子封裝模組之製造方法以及電子封裝模組結構
TWI548005B (zh) 選擇性電子封裝模組的製造方法
US7863094B2 (en) Method for removing bubbles from adhesive layer of semiconductor chip package
CN102332408B (zh) 芯片尺寸封装件及其制法
KR102237783B1 (ko) 반도체 패키지 및 그것의 제조 방법
CN104810295A (zh) 选择性电子封装组件的制造方法
CN105304508B (zh) 电子封装模块的制造方法及其结构
TWI673802B (zh) 半導體封裝
TW201717345A (zh) 半導體封裝及其製造方法
KR20150014282A (ko) 반도체 칩 패키지 모듈 및 그 제조방법
JP2016025198A (ja) 半導体装置の製造方法
CN110473790B (zh) 集成电路封装方法及半导体器件
CN108242405A (zh) 一种无基板半导体封装制造方法
TWI501325B (zh) 電子模組的製造方法
US20180102261A1 (en) Chip packaging structure and chip packaging method