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TWI545625B - 半導體裝置的製造方法，基板處理裝置及記錄媒體 - Google Patents

半導體裝置的製造方法，基板處理裝置及記錄媒體 Download PDF

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Publication number
TWI545625B
TWI545625B TW103110680A TW103110680A TWI545625B TW I545625 B TWI545625 B TW I545625B TW 103110680 A TW103110680 A TW 103110680A TW 103110680 A TW103110680 A TW 103110680A TW I545625 B TWI545625 B TW I545625B
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TW
Taiwan
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processing
plasma
substrate
gas
wafer
Prior art date
Application number
TW103110680A
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English (en)
Other versions
TW201447983A (zh
Inventor
上田立志
田邊潤一
山本克彥
平祐樹
大橋直史
板谷秀治
Original Assignee
日立國際電氣股份有限公司
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Filing date
Publication date
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Description

半導體裝置的製造方法，基板處理裝置及記錄媒體
本發明是有關半導體裝置的製造方法，基板處理裝置及記錄媒體。
例如作為快閃記憶體或DRAM(Dynamic Random Access Memory)等的半導體裝置的製造工程之一工程，有在基板上形成薄膜的基板處理工程被實施的情形。作為實施該工程的基板處理裝置，有使載置基板的基座移動，使基板通過藉由電漿生成部生成處理氣體的電漿之領域，藉此在基板上形成薄膜的基板處理裝置為人所知。
近年來，由於配線尺寸等有微細化的傾向，因此使1片的基板的面內的薄膜的膜厚或複數的基板間的薄膜的膜厚形成再現性佳均一為重要。
然而，就上述的基板處理裝置而言，有時難 以按照藉由電漿生成部所生成處理氣體的電漿的情況，使1片的基板的面內的薄膜的膜厚或複數的基板間的薄膜的膜厚形成再現性佳均一。如此的情況，有可能成為良品率降低的原因。
本發明是以提供一種使一片的基板的面內的薄膜的膜厚或複數的基板間的薄膜的膜厚形成均一之半導體裝置的製造方法，基板處理裝置及記錄媒體為目的。
若根據一形態，則可提供一種半導體裝置的製造方法，其特徵係具有：在處理基板的處理室內設成旋轉自如的基板載置台上，沿著前述基板載置台的旋轉方向來載置複數的基板之工程；使前述基板載置台旋轉，一面將前述處理室內排氣，一面開始供給含第1元素氣體至沿著前述基板載置台的旋轉方向來設於前述處理室內的第1處理領域之工程；開始供給含第2元素氣體至設於前述處理室的第2處理領域之工程；藉由設於前述第2處理領域內的電漿生成部，在前述第2處理領域內以第1活性度開始生成前述含第2元素氣體的電漿之第1工程；及藉由前述基板載置台的旋轉，使前述複數的基板依序以預定次數交替通過前述第1處理領域及前述第2處理領 域，在前述第1處理領域形成含第1元素層，在前述第2處理領域生成比前述第1活性度更高的第2活性度的電漿而將前述含第1元素層改質，在前述基板上形成含有前述第1元素及前述第2元素的薄膜之第2工程。
若根據其他的形態，則提供一種基板處理裝置，其特徵係具有：處理室，其係具有第1處理領域及第2處理領域，在前述第1處理領域內及前述第2處理領域內處理基板；基板載置台，其係於前述處理室內設成旋轉自如，沿著旋轉方向來載置複數的前述基板；旋轉機構，其係使前述基板載置台旋轉，而使前述複數的基板能夠依序交替通過前述第1處理領域及前述第2處理領域；處理氣體供給系，其係於前述第1處理領域內供給含第1元素氣體，且在前述第2處理領域內供給含第2元素氣體；排氣系，其係將前述處理室內排氣，且調整前述處理室內的壓力；電漿生成部，其係設於前述第2處理領域內，在前述第2處理領域內生成前述含第2元素氣體的電漿；及控制部，其係控制前述旋轉機構，前述處理氣體供給系，前述排氣系，及前述電漿生成部，而使能夠進行下列處理：在前述基板載置台上，沿著前述基板載置台的旋轉方 向來載置前述複數的基板之處理；使前述基板載置台旋轉，一面將前述處理室內排氣，一面供給前述含第1元素氣體至前述第1處理領域之處理；開始供給前述含第2元素氣體至前述第2處理領域之處理；藉由前述電漿生成部，在前述第2處理領域內以第1的活性度開始生成前述含第2元素氣體的電漿之第1處理；藉由前述基板載置台的旋轉，使前述複數的基板依序以預定次數交替通過前述第1處理領域及前述第2處理領域，在前述基板上形成含第1元素層，在前述第2處理領域生成比前述第1活性度更高的第2活性度的電漿，而將前述含第1元素層改質，在前述基板上形成含有前述第1元素及前述第2元素的薄膜之第2處理。
若根據另外其他的形態，則提供一種記錄媒體，其特徵係記錄有使下列程序實行於電腦的程式：在處理基板的處理室內設成旋轉自如的基板載置台上，沿著前述基板載置台的旋轉方向來使基板載置之程序；使前述基板載置台旋轉之程序；使前述處理室內排氣之程序；使含第1元素氣體供給至沿著前述基板載置台的旋轉方向來設於前述處理室內的第1處理領域之程序； 使含第2元素氣體供給至沿著前述基板載置台的旋轉方向來設於前述處理室內的第2處理領域之程序；藉由設在前述第2處理領域內的至少一部分的電漿生成部，在前述第2處理領域內使前述含第2元素氣體以第1活性度活化之第1程序；及在前述第2處理領域內使前述含第2元素氣體以比前述第1活性度更低的第2活性度活化之第2程序。
若根據本發明的半導體裝置的製造方法，基板處理裝置及記錄媒體，則可使一片的基板的面內的薄膜的膜厚或複數的基板間的薄膜的膜厚形成均一。
10‧‧‧基板處理裝置
200‧‧‧晶圓(基板)
201a‧‧‧第1處理領域
201b‧‧‧第2處理領域
203‧‧‧反應容器
206‧‧‧電漿生成部
217‧‧‧基座
268‧‧‧旋轉機構
300‧‧‧控制器(控制部)
圖1是本發明的第1實施形態的群集型的基板處理裝置的橫剖面概略圖。
圖2是本發明的第1實施形態的群集型的基板處理裝置的縱剖面概略圖。
圖3是本發明的第1實施形態的基板處理裝置所具備的製程腔室的橫剖面概略圖。
圖4是本發明的第1實施形態的基板處理裝置所具備的製程腔室的縱剖面概略圖，圖3所示的製程腔室的A-A’線剖面圖。
圖5是適用在本發明的第1實施形態的基板處理裝置的控制器的概略構成圖。
圖6是表示本發明的第1實施形態的基板處理工程的流程圖。
圖7是本發明的第1實施形態的第2工程的流程圖。
圖8是本發明的第1實施形態的基板處理順序的各部的動作時序圖。
圖9(a-1)~(c-1)是表示本發明的第1實施形態的薄膜形成工程的晶圓位置的模式平面圖，(a-2)~(c-2)是表示(a-1)~(c-1)時的晶圓上的薄膜形成狀態的模式剖面圖。
圖10(a-1)~(c-1)是表示本發明的第1實施形態的薄膜形成工程的基板位置的模式平面圖，(a-2)~(c-2)是表示(a-1)~(c-1)時的晶圓上的薄膜形成狀態的模式剖面圖。
圖11(a)~(f)是雙圖案化法之基板處理工程的晶圓的剖面圖。
圖12是表示本發明的第2實施形態的基板處理順序的時序圖。
圖13(a)及(b)是表示比較例的薄膜形成工程的基板上的薄膜形成狀態的模式剖面圖。
<本發明的第1實施形態>
以下，一邊參照圖面，一邊說明有關本發明的第1實 施形態。
(1)基板處理裝置的構成
首先，利用圖1及圖2，說明有關本實施形態的基板處理裝置10。圖1是本實施形態的群集型的基板處理裝置10的橫剖面圖。圖2是本實施形態的群集型的基板處理裝置10的縱剖面概略圖。
另外，本發明所適用的基板處理裝置10是使用FOUP(Front Opening Unified Pod：以下稱為晶圓盒)100，作為搬送基板的晶圓200之載體。本實施形態的群集型的基板處理裝置10的搬送裝置是分成真空側及大氣側。
並且，在以下的說明中，前後左右是以圖1為基準。將圖1所示的X1的方向設為右，將X2的方向設為左，將Y1的方向設為前，將Y2的方向設為後。
(真空側的構成)
如圖1及圖2所示般，基板處理裝置10是具備可耐得住真空狀態等的大氣壓未滿的壓力(負壓)之第1搬送室103。第1搬送室103的框體101是平面視例如五角形，形成上下兩端為閉塞的箱形狀。另外，以下所謂的「平面視」是意指由基板處理裝置10的鉛直上側來看鉛直下側時的情形。
在第1搬送室103內是設有在負壓下可同時 移載二片的晶圓200之第1晶圓移載機112。在此，第1晶圓移載機112是亦可移載一片的晶圓200者。第1晶圓移載機112是構成藉由第1晶圓移載機升降機115來一面維持第1搬送室103的氣密性，一面可昇降。
在框體101的五片的側壁之中位於前側的側壁，預備室(裝載鎖定室)122，123或分別經由閘閥126，127來連結。預備室122，123是構成可併用搬入晶圓200的機能及搬出晶圓200的機能，以分別可耐得住負壓的構造所構成。
而且，在預備室122，123內是可藉由基板支撐台140來將2片的晶圓200放置成堆疊。在預備室122，123是設置有配置於晶圓200之間的隔壁板(中間板)141。
在第1搬送室103的框體101的五片的側壁之中位於後側(背面側)的四片的側壁，對基板進行所望的處理之第1製程腔室202a，第2製程腔室202b，第3製程腔室202c，第4製程腔室202d會經由閘閥150，151，152，153來分別鄰接而連結。有關第1製程腔室202a，第2製程腔室202b，第3製程腔室202c，第4製程腔室202d是其詳細後述。
(大氣側的構成)
在預備室122，123的前側，可在真空下及大氣壓下的狀態搬送晶圓200的第2搬送室121會經由閘閥128， 129來連結。在第2搬送室121是設有移載晶圓200的第2晶圓移載機124。第2晶圓移載機124是構成藉由設置於第2搬送室121內的第2晶圓移載機升降機131來昇降，且構成藉由線性致動器132來往復移動於左右方向。
在第2搬送室121的左側是設有槽口對準裝置106。另外，槽口對準裝置106是亦可為定向平面(Orientation Flat)對準裝置。並且，在第2搬送室121的上部是設有供給淨化空氣的淨化單元118。
在第2搬送室121的框體125的前側是設有：用以對第2搬送室121搬入搬出晶圓200的基板搬入搬出口134，及晶圓盒開盒機108。隔著基板搬入搬出口134，與晶圓盒開盒機108相反的側，亦即框體125的外側是設有裝載埠(IO平台)105。晶圓盒開盒機108是具備：開閉晶圓盒100的蓋100a且可將基板搬入搬出口134閉塞的封閉構件142，及驅動封閉構件142的驅動機構136。藉由將載置於裝載埠105的晶圓盒100的蓋100a開閉，可使晶圓200對晶圓盒100出入。並且，晶圓盒100是可藉由未圖示的工程內搬送裝置(OHT等)來對裝載埠105供給及排出。
(2)製程腔室的構成
接著，主要使用圖3及圖4來說明作為本實施形態的處理爐的製程腔室的構成。圖3是本實施形態的基板處理裝置10所具備的製程腔室的橫剖面概略圖。圖4是本實 施形態的基板處理裝置10所具備的製程腔室的縱剖面概略圖，圖3所示的製程腔室的A-A’線剖面圖。
在此，就本實施形態而言，例如，第1製程腔室202a，第2製程腔室202b，第3製程腔室202c，第4製程腔室202d是例如分別同樣構成。以下，將第1製程腔室202a，第2製程腔室202b，第3製程腔室202c，第4製程腔室202d總稱為「製程腔室202」。
(處理室)
如圖3及圖4所示般，作為處理爐的製程腔室202是具備圓筒狀的氣密容器之反應容器203。在反應容器203內是形成有處理晶圓200的處理室201。
在反應容器203內的上側是設有從中心部放射狀延伸的4片的間隔板205。4片的間隔板205是設成遮住從處理室201內的頂部到基座217的正上面的空間。藉此，4片的間隔板205是構成將處理室201間隔成第1處理領域201a，第1淨化領域204a，第2處理領域201b，第2淨化領域204b。另外，第1處理領域201a，第1淨化領域204a，第2處理領域201b，第2淨化領域204b是構成沿著後述的基座(基板載置台)217的旋轉方向R來依序配列。
並且，如後述般構成，在第1處理領域201a內是被供給含有第1元素的含第1元素氣體，在第2處理領域201b內是被供給含第2元素的含第2元素氣體，在 第1淨化領域204a內及第2淨化領域204b內是被供給惰性氣體。
晶圓200通過第1處理領域201a，第1淨化領域204a，第2處理領域201b，第2淨化領域204b的時間，亦即，在各領域的晶圓200的處理時間是依存於第1處理領域201a，第1淨化領域204a，第2處理領域201b，第2淨化領域204b的各面積。亦即，在各領域的晶圓200的處理時間是依存於間隔板205的配置。在此，例如，4片的間隔板205是平面視對於反應容器203的中心配置成對稱。又，例如，各間隔板205是彼此以90°的角度配置。藉此，在各領域的晶圓200的處理時間是大致相等。
間隔板205的下端是以間隔板205不會干涉晶圓200的程度接近基座217配置。藉此，通過間隔板205與基座217之間的氣體少。因此，可抑制在各領域內不同的氣體混合。
在間隔板205的端部與反應容器203的側壁之間是設有預定的寬的間隙，構成氣體可通過此間隙。經由此間隙，使惰性氣體從第1淨化領域204a內及第2淨化領域204b內朝第1處理領域201a內及第2處理領域201b內噴出。藉此，可抑制含第1元素氣體及含第2元素氣體等的處理氣體往第1淨化領域204a內及第2淨化領域204b內侵入，構成可抑制在第1淨化領域204a內及第2淨化領域204b內之處理氣體的反應。
(基座)
在間隔板205的下側，亦即反應容器203內的底側中央是設有基座217，該基座217是在反應容器203的中心具有旋轉軸的中心，作為構成旋轉自如的基板載置台。基座217是例如以氮化鋁(AlN)，陶瓷，石英等的非金屬材料所形成，而使能夠降低晶圓200的金屬汚染。另外，基座217是與反應容器203電性絕緣。
基座217是構成在反應容器203內，於同一面上且於同一圓周上排列支撐複數片(在本實施形態是例如5片)的晶圓200。在此，所謂同一面上並非限於完全的同一面，只要由上面來看基座217時，複數片的晶圓200彼此排列成不重疊即可。並且，基座217是構成沿著旋轉方向來排列配置複數片的晶圓200。
在基座217表面的晶圓200的支撐位置是設有晶圓載置部217b。與處理的晶圓200的片數同數的晶圓載置部217b會自基座217的中心彼此以等間隔(例如72°的間隔)來配置於同心圓上的位置。
各晶圓載置部217b是例如由基座217的上面來看為圓形狀，由側面來看為凹形狀。最好晶圓載置部217b的直徑是構成比晶圓200的直徑稍微大。藉由在此晶圓載置部217b內載置晶圓200，可容易進行晶圓200的定位，且可抑制晶圓200藉由隨基座217的旋轉而產生的離心力從基座217飛出等之晶圓200的位移。
在基座217是設有使基座217昇降的昇降機構268。在基座217的各晶圓載置部217b的位置是設有複數個貫通孔217a。在上述的反應容器203的底面是設有複數個晶圓頂起插銷266，其係於晶圓200往反應容器203內搬入．搬出時，頂起晶圓200，支撐晶圓200的背面。貫通孔217a及晶圓頂起插銷266是在晶圓頂起插銷266上昇時，或基座217藉由昇降機構268下降時，晶圓頂起插銷266會在與基座217非接觸的狀態下穿過貫通孔217a的方式互相配置。
在昇降機構268是設有使基座217旋轉的旋轉機構267。旋轉機構267的未圖示的旋轉軸是連接至基座217，構成可在使旋轉機構267作動下令基座217旋轉。並且，構成在基座217旋轉下，五個的晶圓載置部217b會一起旋轉。
在旋轉機構267，後述的控制器300會經由耦合部267a來連接。耦合部267a是例如構成藉由金屬刷等來電性連接旋轉側與固定側之間的滑環機構。藉此，基座217的旋轉不會被妨礙。控制器300是構成控制往旋轉機構267的通電情況，而使基座217能以預定的速度旋轉預定時間。
如上述般，藉由使基座217旋轉，載置於基座217上的晶圓200會依序通過第1處理領域201a，第1淨化領域204a，第2處理領域201b及第2淨化領域204b。
(加熱部)
在基座217的內部，作為加熱部的加熱器218會被一體地埋入，構成可加熱晶圓200。構成一旦對加熱器218供給電力，則晶圓200表面可加熱至預定溫度(例如室溫~1000℃程度)。另外，加熱器218是亦可在同一面上設置複數(例如5個)，而使能夠個別加熱載置於基座217的各晶圓200。
在基座217是設有溫度感測器274。加熱器218及溫度感測器274是經由電力供給線222來電性連接電力調整器224，加熱器電源225，及溫度調整器223。構成根據藉由溫度感測器274所檢測出的溫度資訊來控制往加熱器218的通電情況。
(氣體供給部)
在反應容器203的頂部的中央部是設有氣體供給部250，該氣體供給部250是具備：含第1元素氣體導入部251，含第2元素氣體導入部252，惰性氣體導入部253，及洗滌氣體導入部258。氣體供給部250的上端是氣密地連接至開設在反應容器203的頂部的開口。
氣體供給部250是例如筒狀。在氣體供給部250的內部是區劃有各氣體導入部。例如，在氣體供給部250內的第1處理領域201a側是設有含第1元素氣體導入部251。在氣體供給部250內的第2處理領域201b側 是離開含第1元素氣體導入部251而設有含第2元素氣體導入部252。氣體供給部250內之中含第1元素氣體導入部251與第2處理領域201b之間是設有惰性氣體導入部253。惰性氣體導入部253的中央，含第1元素氣體導入部251與含第2元素氣體導入部252之間是配置有洗滌氣體導入部258。
在含第1元素氣體導入部251的第1處理領域201a側的側壁是設有開口於第1處理領域201a的第1氣體噴出口254。在含第2元素氣體導入部252的第2處理領域201b側的側壁是設有開口於第2處理領域201b的第2氣體噴出口255。
在惰性氣體導入部253的第1淨化領域204a及第2淨化領域204b的側的側壁是分別設有開口於第1淨化領域204a的第1惰性氣體噴出口256及開口於第2淨化領域204b的第2惰性氣體噴出口257。
在氣體供給部250的底是設有洗滌氣體導入部258的端部之洗滌氣體供給孔259。亦即，洗滌氣體供給孔259是設在比第1氣體噴出口254，第2氣體噴出口255，惰性氣體噴出口256，257低的位置。
氣體供給部250是構成從含第1元素氣體導入部251供給含第1元素氣體至第1處理領域201a內，從含第2元素氣體導入部252供給含第2元素氣體至第2處理領域201b內，從惰性氣體導入部253供給惰性氣體至第1淨化領域204a內及第2淨化領域204b內，從洗滌 氣體導入部258供給洗滌氣體至處理室201內的大致全域。氣體供給部250是構成可不使各不同的氣體混合地個別供給至各領域，且可將各氣體併行供給至各領域。
(處理氣體供給系)
在含第1元素氣體導入部251的上端是連接第1氣體供給管232a的下游端。在第1氣體供給管232a，從上游方向依序設有第1氣體供給源232b，流量控制器(流量控制部)的質量流控制器(MFC)232c，及開閉閥的閥232d。
含有第1元素的氣體(以下稱為「含第1元素氣體」)會從第1氣體供給管232a經由質量流控制器232c，閥232d，含第1元素氣體導入部251及第1氣體噴出口254來供給至第1處理領域201a內。
含第1元素氣體是原料氣體，亦即處理氣體之一。
在此，第1元素是例如矽(Si)。亦即，含第1元素氣體是例如含矽氣體。含矽氣體，例如可使用SiH2(NH(C4H9))2(bis(tertiary-butylamino)silane，簡稱：BTBAS)氣體。另外，含第1元素氣體是在常溫常壓下可為固體，液體，及氣體的任一種。當含第1元素氣體在常溫常壓下為液體時，只要在第1氣體供給源232b與質量流控制器232c之間設置未圖示的氣化器即可。在此是當作氣體說明。
另外，含矽氣體是除了BTBAS以外，例如可 使用有機矽材料的六甲基二矽烷(C6H19NSi2，簡稱：HMDS)或三甲矽烷基胺((SiH3)3N，簡稱：TSA)等。該等的氣體是作為先驅者作用。並且，含第1元素氣體是使用黏著度(黏度)比後述的第2氣體高的材料。
在含第2元素氣體導入部252的上端是連接第2氣體供給管233a的下游端。在第2氣體供給管233a，從上游方向依序設有第2氣體供給源233b，流量控制器(流量控制部)的質量流控制器(MFC)233c，及開閉閥的閥233d。
含有第2元素的氣體(以下稱為「含第2元素氣體」)會從第2氣體供給管233a經由質量流控制器233c，閥233d，含第2元素氣體導入部252及第2氣體噴出口255來供給至第2處理領域201b內。含第2元素氣體是藉由電漿生成部206來成為電漿狀態，照射至晶圓200上。
含第2元素氣體是處理氣體之一。另外，含第2元素氣體是亦可思考作為反應氣體或改質氣體。
在此，含第2元素氣體是含有與第1元素不同的第2元素。第2元素是例如氧(O)，氮(N)，碳(C)的任一個。在本實施形態中，含第2元素氣體是例如設為含氧氣體。具體而言，含氧氣體是使用氧(O2)氣體。另外，含氧氣體是亦可使用臭氧(O3)氣體或水蒸氣(H2O)。並且，含第2元素氣體使用黏著度(黏度)比含第1元素氣體低的材料。
主要藉由第1氣體供給管232a，質量流控制器232c，閥232d，含第1元素氣體導入部251及第1氣體噴出口254來構成含第1元素氣體供給系(亦稱為含矽氣體供給系)。另外，亦可思考將第1氣體供給源232b包含在含第1元素氣體供給系中。並且，主要藉由第2氣體供給管233a，質量流控制器233c，閥233d，含第2元素氣體導入部252及第2氣體噴出口255來構成含第2元素氣體供給系(亦稱為含氧氣體供給系)。另外，亦可思考將第2氣體供給源233b包含在含第2元素氣體供給系中。而且，主要藉由含第1元素氣體供給系及含第2元素氣體供給系來構成處理氣體供給系。
(惰性氣體供給系)
在惰性氣體導入部253的上端是連接第1惰性氣體供給管234a的下游端。在第1惰性氣體供給管234a是從上游方向依序設有惰性氣體供給源234b，流量控制器(流量控制部)的質量流控制器(MFC)234c，及開閉閥的閥234d。
惰性氣體會從第1惰性氣體供給管234a經由質量流控制器234c，閥234d，惰性氣體導入部253，第1惰性氣體噴出口256及第2惰性氣體噴出口257來分別供給至第1淨化領域204a內及第2淨化領域204b內。被供給至第1淨化領域204a內及第2淨化領域204b內的惰性氣體是在後述的薄膜形成工程(S104)中作為淨化氣體作 用。
在比第1氣體供給管232a的閥232d更下游側連接第2惰性氣體供給管235a的下游端。在第2惰性氣體供給管235a，從上游方向依序設有惰性氣體供給源235b，流量控制器(流量控制部)的質量流控制器(MFC)235c，及開閉閥的閥235d。
惰性氣體會從第2惰性氣體供給管235a經由質量流控制器235c，閥235d，第1氣體供給管232a，含第1元素氣體導入部251及第1氣體噴出口254來供給至第1處理領域201a內。被供給至第1處理領域201a內的惰性氣體是在薄膜形成工程(S104)中作為載流氣體或稀釋氣體作用。
並且，在比第2氣體供給管233a的閥233d更下游側連接第3惰性氣體供給管236a的下游端。在第3惰性氣體供給管236a，從上游方向依序設有惰性氣體供給源236b，流量控制器(流量控制部)的質量流控制器(MFC)236c，及開閉閥的閥236d。
惰性氣體會從第3惰性氣體供給管236a經由質量流控制器236c，閥236d，第2氣體供給管233a，含第2元素氣體導入部252及第2氣體噴出口255來供給至第2處理領域201b內。被供給至第2處理領域201b內的惰性氣體是與被供給至第1處理領域201a內的惰性氣體同樣，在薄膜形成工程(S104)中作為載流氣體或稀釋氣體作用。
在此，惰性氣體是例如為氮(N2)氣體。另外，惰性氣體是除了N2氣體以外，例如可使用氦(He)氣體，氖(Ne)氣體，氬(Ar)氣體等的稀有氣體。
主要藉由第1惰性氣體供給管234a，質量流控制器234c及閥234d，惰性氣體導入部253，第1惰性氣體噴出口256及第2惰性氣體噴出口257來構成第1惰性氣體供給系。另外，亦可思考將惰性氣體供給源234b含在第1惰性氣體供給系中。
又，主要藉由第2惰性氣體供給管235a，質量流控制器235c及閥235d來構成第2惰性氣體供給系。另外，亦可思考將惰性氣體供給源235b，第1氣體供給管232a，含第1元素氣體導入部251及第1氣體噴出口254含在第2惰性氣體供給系中。
又，主要藉由第3惰性氣體供給管236a，質量流控制器236c及閥236d來構成第3惰性氣體供給系。另外，亦可思考將惰性氣體供給源236b，第2氣體供給管233a，含第2元素氣體導入部252及第2氣體噴出口255含在第3惰性氣體供給系中。
而且，主要藉由第1惰性氣體供給系，第2惰性氣體供給系及第3惰性氣體供給系來構成惰性氣體供給系。
(洗滌氣體供給系)
在洗滌氣體導入部258的上端是連接洗滌氣體供給管 237a的下游端。在洗滌氣體供給管237a是從上游方向依序設有洗滌氣體供給源237b，流量控制器(流量控制部)的質量流控制器(MFC)237c，開閉閥的閥237d，及生成洗滌氣體的電漿的電漿生成單元237e。
從第1氣體供給管232a是供給洗滌氣體。洗滌氣體是經由質量流控制器237c，閥237d，遠端電漿生成單元237e，洗滌氣體導入部258，洗滌氣體供給孔259來供給至反應容器203。洗滌氣體是藉由洗滌氣體來洗滌反應容器203內的副生成物等，該洗滌氣體是藉由遠端電漿生成單元237e來成為電漿狀態。
在此，洗滌氣體是例如三氟化氮(NF3)氣體。另外，洗滌氣體，例如亦可使用氟化氫(HF)氣體，三氟化氯氣體(ClF3)氣體，氟(F2)氣體等，或組合該等使用。並且，上述的洗滌氣體亦可作為稀釋氣體與惰性氣體(例如氮氣體)一起供給。
(排氣系)
如圖4所示般，在反應容器203的底部是設有將反應容器203內排氣的排氣管231。排氣管231是經由壓力感測器248，作為壓力調整器(壓力調整部)的APC(Auto Pressure Controller)閥243，及作為開閉閥的閥245來連接作為真空排氣裝置的真空泵246，構成可真空排氣，而使處理室201內的壓力能夠成為預定的壓力(真空度)。APC閥243是可將閥開閉來進行處理室201內的真空排氣 或真空排氣停止，且可調節閥開度來調整處理室201內的壓力之開閉閥。主要是藉由排氣管231，APC閥243及閥245來構成排氣系。另外，亦可在排氣系中含壓力感測器248及真空泵246。
(電漿生成部)
在第2處理領域201b內的上方是設有構成電漿生成部206的至少一部分的電極271。電漿生成部206是構成在第2處理領域201b內生成含第2元素氣體的電漿(使含第2元素氣體活化)。藉由如此使用電漿，即使在低溫也可使含第2元素氣體活化，進行晶圓200的處理。
在第2處理領域201b內例如設有彼此平行排列設置的兩個棒狀的電極271。兩個的電極271是例如以石英製的罩(未圖示)所覆蓋。電極271是經由整合阻抗的匹配器272來連接高頻電源273。從高頻電源273對電極271施加高頻電力，藉此在電極271的周邊生成電漿。另外，主要在電極271的正下面生成電漿。如此，電漿生成部206是生成所謂的電容耦合型的電漿。
例如，電漿生成部206的電極271是平面視從反應容器203的中心往外側的方向設置。換言之，電極271是平面視從反應容器203的中心設於徑方向。電極271是與晶圓200的上面平行設置。並且，電極271是配置在晶圓200所通過的路徑上。電極271的長度是比晶圓200的直徑更長。藉此，在通過電極271的正下面的晶圓 200的全面依序照射電漿。
主要藉由電極271來構成電漿生成部206。另外，亦可思考將匹配器272及高頻電源273含在電漿生成部206中。
(控制部)
其次，利用圖5說明有關本實施形態的控制部(控制手段)之控制器300。圖5是合適於使用在本實施形態的基板處理裝置10的控制器的概略構成圖。
如圖5所示般，控制部(控制手段)的控制器300是構成為具備CPU(Central Processing Unit)301a，RAM(Random Access Memory)301b，記憶裝置301c，I/O埠301d的電腦。RAM301b，記憶裝置301c，I/O埠301d是構成可經由內部匯流排301e來與CPU301a交換資料。控制器300是例如連接作為觸控面板等構成的輸出入裝置302。
記憶裝置301c是例如以快閃記憶體，HDD(Hard Disk Drive)等所構成。在記憶裝置301c內，控制基板處理裝置10的動作的控制程式或記載有後述的成膜處理等的基板處理的程序或條件等的製程處方可讀出地被格納。另外，製程處方是使後述的基板處理工程的各程序實行於控制器300，組合成可取得預定的結果，作為程式的機能。以下，亦將此製程處方或控制程式等總稱為程式。另外，在本說明書中使用程式的語言時，有只含製程 處方單體時，只含控制程式單體時，或含其雙方時。並且，RAM301b是構成為暫時性保持藉由CPU301a所讀出的程式或資料等之記憶領域(工作區域)。
I/O埠301d是被連接至上述的質量流控制器232c，233c，234c，235c，236c，237c，閥232d，233d，234d，235d，236e，237f，壓力感測器248，APC閥243，真空泵246，加熱器218，溫度感測器274，匹配器272，高頻電源273，旋轉機構267，昇降機構268等。另外，I/O埠301d是也被連接至未圖示的電力調整器224，加熱器電源225，及溫度調整器223。
CPU301a是構成從記憶裝置301c讀出控制程式實行，且按照來自輸出入裝置302的操作指令的輸入等來從記憶裝置301c讀出製程處方。
然後，CPU301a是構成按照讀出的製程處方的內容之方式，控制質量流控制器232c，233c，234c，235c，236c，237c之各種氣體的流量調整動作，閥232d，233d，234d，235d，236e，237f的開閉動作，APC閥243的開閉動作及根據壓力感測器248之APC閥243的壓力調整動作，根據溫度感測器274之加熱器218的溫度調整動作，真空泵246的起動及停止，旋轉機構267之基座217的旋轉及旋轉速度調節動作，昇降機構268之基座217的昇降動作，高頻電源273之電力供給及停止，匹配器272之阻抗調整動作等。
另外，控制器300並非限於作為專用的電腦 構成時，亦可作為泛用的電腦構成。例如，準備儲存上述程式的外部記憶裝置(例如，磁碟，軟碟或硬碟等的磁碟，CD或DVD等的光碟，MO等的光磁碟，USB記憶體或記憶卡等的半導體記憶體)303，利用外部記憶裝置303來將程式安裝於泛用的電腦，藉此可構成本實施形態的控制器300。另外，用以對電腦供給程式的手段並非限於經由外部記憶裝置303來供給時。例如，亦可利用網際網路或專線等的通訊手段，不經由外部記憶裝置303來供給程式。另外，記憶裝置301c或外部記憶裝置303是構成為電腦可讀取的記錄媒體。以下，將該等總稱為記錄媒體。另外，在本說明書中稱記錄媒體時，有只含記憶裝置301c單體時，只含外部記憶裝置303單體時，或包含其雙方時。
(3)基板處理工程
接著，說明有關使用具備製程腔室202的基板處理裝置10來製造的基板處理工程，作為本實施形態的半導體製造工程之一工程。
首先，利用圖6及圖7來說明有關基板處理工程的概略。圖6是表示本實施形態的基板處理工程的流程圖。圖7是本實施形態的第2工程的流程圖。另外，在以下的說明中，基板處理裝置10的製程腔室202的構成各部的動作是藉由控制器300來控制。
在此是說明有關使用BTBAS氣體作為含第1 元素氣體，使用氧(O2)氣體作為含第2元素氣體，在晶圓200上形成矽氧化膜作為薄膜的例子。並且，例如，亦可在晶圓200上預先形成預定的膜。又，亦可在晶圓200或預定的膜上預先形成有預定的圖案。
(基板搬入．載置工程S102)
例如，最大收納25片的晶圓200的晶圓盒100會藉由工程內搬送裝置來搬送，載置於裝載埠105上。晶圓盒100的蓋100a會藉由晶圓盒開盒機108來卸下，晶圓盒100的基板出入口會被開放。第2晶圓移載機124從晶圓盒100拾取晶圓200，而往槽口對準裝置106上載置。槽口對準裝置106進行晶圓200的位置調整。第2晶圓移載機124從槽口對準裝置106來將晶圓200搬入至大氣壓的狀態的預備室122內。閘閥128會被關閉，預備室122內藉由排氣裝置(未圖示)來排氣成負壓。
在製程腔室202使基座217下降至晶圓200的搬送位置，藉此使晶圓頂起插銷266貫通於基座217的貫通孔217a。其結果，晶圓頂起插銷266會成為比基座217表面更突出預定的高度量的狀態。接著，開啟預定的閘閥，利用第1晶圓移載機112來將預定片數(例如5片)的晶圓200(處理基板)搬入至處理室201內。然後，以基座217之未圖示的旋轉軸為中心，各晶圓200不會重疊的方式，沿著基座217的旋轉方向載置。藉此，晶圓200是在從基座217的表面突出的晶圓頂起插銷266上以水平姿 勢支撐。
一旦將晶圓200搬入處理室201內，則使第1晶圓移載機112往製程腔室202外退避，關閉預定的閘閥來將反應容器203內密閉。然後，藉由使基座217上昇，將晶圓200載置於基座217所設的各載置部217b上。
另外，在將晶圓200搬入處理室201內時，一面藉由排氣系來將處理室201內排氣，一面從惰性氣體供給系往處理室201內供給作為惰性氣體的N2氣體為理想。亦即，使真空泵246作動，開啟APC閥243，將處理室201內排氣的狀態下，至少開啟第1惰性氣體供給系的閥234d，對處理室201內供給N2氣體為理想。藉此，可抑制粒子往處理室201內侵入，或粒子往晶圓200上附著。另外，亦可更從第2惰性氣體供給系及第3惰性氣體供給系供給惰性氣體。並且，真空泵246是至少從基板搬入．載置工程(S102)到後述的基板搬出工程(S106)終了的期間，設為經常使作動的狀態。
將晶圓200載置於基座217上時，對被埋入於基座217的內部的加熱器218供給電力，控制成晶圓200的表面會成為預定的溫度。晶圓200的溫度是例如室溫以上700℃以下，較理想是室溫以上，200℃以下。此時，加熱器218的溫度是根據藉由溫度感測器274所檢測出的溫度資訊來控制往加熱器218的通電情況，藉此調整。
另外，在以矽所構成的晶圓200的加熱處理 中，一旦將表面溫度加熱至750℃以上，則有時會在形成於晶圓200的表面的源極領域或汲極領域等產生雜質的擴散，電路特性會劣化，半導體裝置的性能會降低。藉由上述那樣限制晶圓200的溫度，可抑制形成於晶圓200的表面的源極領域或汲極領域的雜質的擴散，電路特性的劣化，半導體裝置的性能的降低。
並且，像後述的雙圖案化法等那樣在晶圓200上形成光阻劑圖案的狀態下，於光阻劑圖案上形成薄膜時，當晶圓200的溫度例如為200℃以上的高溫時，有可能光阻劑圖案會熱變化。就本實施形態而言，由於可在低溫下進行基板處理工程，因此可抑制光阻劑膜的劣化。
(薄膜形成工程S104)
其次，進行薄膜形成工程S104。說明有關薄膜形成工程S104的基本的流程，有關本實施形態的特徵部分是後述詳細。
薄膜形成工程S104是在第1處理領域201a內供給BTBAS氣體，在第2處理領域201b內供給氧氣體，而於晶圓200上形成矽氧化膜。
另外，薄膜形成工程S104是在基板搬入．載置工程S102後，繼續藉由排氣部來將處理室201內排氣，且從惰性氣體供給系供給作為淨化氣體的N2氣體至第1淨化領域204a內及第2淨化領域204b內。
(基座旋轉開始S202)
首先，一旦晶圓200載置於各晶圓載置部217b，則藉由旋轉機構267來開始基座217的旋轉。此時，基座217的旋轉速度是藉由控制器300來控制。基座217的旋轉速度是例如1旋轉/分以上，100旋轉/分以下。具體而言，旋轉速度是例如60旋轉/分。藉由使基座217旋轉，晶圓200會依第1處理領域201a，第1淨化領域204a，第2處理領域201b，第2淨化領域204b的順序開始移動。
(氣體供給開始S204)
加熱晶圓200到達所望的溫度，一旦基座217到達所望的旋轉速度，則開啟閥232d而開始對第1處理領域201a內供給BTBAS，更開啟閥233d對第2處理領域201b內供給氧氣體。
此時，調節質量流控制器232c，使BTBAS氣體的流量能夠成為預定的流量。另外，BTBAS的供給流量是例如100sccm以上5000sccm以下。在本實施形態中，至後述的第3工程S210為止，以一定流量持續流動BTBAS氣體。
另外，亦可與BTBAS氣體一起從第2惰性氣體供給系流動N2氣體作為載流氣體。
並且，調整質量流控制器233c，使氧氣體的流量能夠成為預定的流量。另外，氧氣體的供給流量是例 如100sccm以上5000sccm以下。在本實施形態中，至後述的第3工程S210為止，以一定流量持續流動氧氣體。
並且，藉由適當地調整APC閥243的閥開度，將處理室201內的壓力設為預定的壓力。
另外，由此氣體供給開始S204時，在晶圓200的表面上開始形成具有後述的預定的厚度的含矽層。
(第1工程S206)
其次，一旦BTBAS氣體及氧氣體的流量安定，則藉由電漿生成部206，在第2處理領域201b內開始氧氣體的電漿生成。換言之，藉由開始電漿生成部206的電力供給，在第2處理領域201b內點燃氧電漿。
具體而言，從高頻電源273施加高頻電力至電極271，且藉由匹配器272來使阻抗整合。藉此，在第2處理領域201b內的電極271的下方生成氧氣體的電漿。在第2處理領域201b內是生成有含氧元素的活性種。
另外，從第1工程S206時，如後述般，含矽層會藉由氧氣體的電漿來開始改質。
(第2工程S208)
其次，在第1工程S206之後，繼續電漿生成部206的電漿生成，進行在晶圓200上形成含有矽元素及氧元素的矽氧化膜之第2工程S208。
在第2工程S208中，基座217會繼續旋轉，而使複數的晶圓200能夠依序預定次數交替通過第1處理領域201a及第2處理領域201b。具體而言，晶圓200是依第1處理領域201a，第1淨化領域204a，第2處理領域201b，第2淨化領域204b的順序交替通過。藉此，在晶圓200是以BTBAS氣體的供給，惰性氣體的供給，成為電漿狀態的氧氣體的供給，惰性氣體的供給作為1循環，依序實施此循環。
以下，利用圖7說明第2工程S208的詳細。
(第1處理領域通過S302)
當晶圓200通過第1處理領域201a時，BTBAS氣體會被供給至晶圓200。在晶圓200表面上，BTBAS氣體會接觸於晶圓200上，藉此形成有作為「含第1元素層」的含矽層。
含矽層是例如按照處理室201內的壓力，BTBAS氣體的流量，基座217的溫度，第1處理領域201a的通過所花的時間(在第1處理領域201a的處理時間)等來以預定的厚度及預定的分布形成。
(第1淨化領域通過S304)
其次，晶圓200是在通過第1處理領域201a之後，移動於基座217的旋轉方向R，移動至第1淨化領域204a。當晶圓200通過第1淨化領域204a時，在第1處 理領域201a中無法結合於晶圓200的矽成分會藉由惰性氣體來從晶圓200上除去。
(第2處理領域通過S306)
其次，晶圓200是在通過第1淨化領域204a之後，移動於基座217的旋轉方向R，移動至第2處理領域201b。當晶圓200通過第2處理領域201b時，在第2處理領域201b中，含矽層會藉由氧氣體的電漿來改質。
在此，含矽層會藉由氧氣體的電漿來改質，藉此在晶圓200上例如形成含有矽元素及氧元素的層。以下，將含有矽元素及氧元素的層簡稱為「改質層」。
改質層是例如按照反應容器203內的壓力，氧氣體的流量，基座217的溫度，電漿生成部206的電力供給情況等，而以預定的厚度，預定的分布，對含矽層之預定的氧成分等的侵入深度形成。
以下，說明形成於改質層上的含矽層更被改質時，例如，在改質層上更層疊有改質層來形成。另外，形成於改質層上的含矽層更被改質時，包含未形成有位於下側的改質層與層疊於上側的改質層的界面時，或氧成分等超過層疊於上側的改質層而侵入位於下側的改質層時。
(第2淨化領域通過S308)
其次，晶圓200是在通過電漿被點燃的第2處理領域201b之後，移動於基座217的旋轉方向R，移動至第2淨 化領域204b。當晶圓200通過第2淨化領域204b時，在第2處理領域201b中無法結合於晶圓200的氧成分會藉由惰性氣體來從晶圓200上除去。
(判定S310)
此期間，控制器300是判定是否實施預定次數上述1循環。具體而言，控制器300是計數基座217的旋轉數。
當未實施預定次數時(在S310，No時)，再使基座217的旋轉繼續，重複含矽氣體的供給S302，惰性氣體的供給S304，成為電漿狀態的氧氣體的供給S306，惰性氣體的供給S308之循環。當實施預定次數時(在S310，Yes時)，完成第2工程S208。
如此，重複預定次數，含第1元素氣體的供給S302，惰性氣體的供給S304，成為電漿狀態的含第2元素氣體的供給S306，惰性氣體的供給S308之1循環。
(第3工程S210)
其次，在第2工程208之後，停止電漿生成部206的電力供給，停止電漿生成。即使停止電漿生成部206的電力供給之後，也預定的期間繼續往第1處理領域201a供給含第1元素氣體的供給，及往第2處理領域201b供給含第2元素氣體，及往第1淨化領域204a及第2淨化領域204b供給氮氣體的供給，及旋轉基座217。
此時，電漿生成部206的電力供給停止後， 電漿中的活性種等也不失活，繼續預定的期間殘留電漿。電漿生成部206的電力供給停止後，電漿會從密的狀態成為電漿稀疏的狀態，電漿中的活性種等失活。
(氣體供給停止S212)
第3工程S210之後，至少關閉閥232d及閥233d，停止供給含第1元素氣體及含第2元素氣體至第1處理領域201a及第2處理領域201b。
(基座旋轉停止S214)
氣體供給停止S212之後，停止基座217的旋轉。藉由以上，完成薄膜形成工程S104。
(基板搬出工程S106)
其次，使基座217下降，在使從基座217的表面突出的晶圓頂起插銷266上支撐晶圓200。然後，開啟預定的閘閥，利用第1晶圓移載機112來將晶圓200搬出至反應容器203之外。然後，完成基板處理工程時，停止從惰性氣體供給系對處理室201內供給惰性氣體。
藉由以上，完成基板處理工程。另外，基板處理工程的終了後，亦可從洗滌氣體供給系對處理室201內供給洗滌氣體，洗滌處理室201內。
(4)有關薄膜形成工程的詳細
接著，一邊與比較例對比，一邊詳細說明有關本實施形態的薄膜形成工程S104之中第1工程S206~第3工程S210。
(有關第1工程)
利用圖13來說明有關比較例的薄膜形成工程。圖13(a)及(b)是表示比較例的第1工程的晶圓200’上的薄膜形成狀態的模式剖面圖。
在此，就比較例而言，第1工程的第2處理領域201b的壓力與第2工程的第2處理領域201b的壓力是設為相等。
比較例是藉由氣體供給開始(相當於S204的工程)，例如在晶圓200’上形成含矽層803。如上述般，含矽層803是含矽氣體(BTBAS氣體)所被分解的矽成分802附著而構成含矽層803。
其次，如圖13(a)所示般，在第1工程中，藉由電漿生成部206’，在第2處理領域201b內開始氧氣體的電漿生成另外，在圖中是顯示電漿生成部206’之中主要電極271’附近。在電漿生成部206’的下方是生成有含氧元素的活性種之電漿的鞘層801。
此時，例如有難以調整基座的旋轉速度高之晶圓200’通過第2領域201b’的時序，或電漿生成部206’之電漿的點燃的時序不一致的可能性。如此的情況，藉由電漿生成部206’來點燃電漿時，有時晶圓200’為通過電 漿生成部206’的正下面的途中。以下，藉由電漿生成部206’來點燃電漿時，將複數的晶圓200’之中初次通過電漿生成部206’的正下面之晶圓設為「第1晶圓W1’」。
當電漿被點燃時，在第1晶圓W1’的面內，已通過電漿生成部206’的正下面的側是未被照射電漿。另一方面，隨晶圓200’移動於基座的旋轉方向R’，當電漿被點燃時通過電漿生成部206’的正下面之前的側(換言之，電漿生成部206’的旋轉方向下游，當電漿生成時未通過電漿生成部206’的正下面的側)是隨時被照射電漿。因此在第1晶圓W1’的全體通過第2處理領域201b之後，在第1晶圓W1’的面內產生未被照射電漿的領域(非電漿照射領域200a’)及被照射電漿的領域(電漿照射領域200b’)。另一方面，在第1晶圓W1’以後的晶圓200’是全面被照射電漿。
在非電漿照射領域200a’是含矽層803的表面會露出。另一方面，在電漿照射領域200b’中，含矽層803是藉由氧氣體的電漿來改質。在電漿照射領域200b’中是藉由含矽層803被改質而形成改質層805。
此時，在第1晶圓W1’的面內，在非電漿照射領域200a’與電漿照射領域200b’之間可能產生階差da。階差da是基座217一旋轉時形成的膜的厚度，例如約1.8Å(0.18nm)程度。並且，在載置於基座217上的第1晶圓W1’與第1晶圓W1’以外的晶圓200之間可能夠產生相當於階差da的層厚差。
然後，藉由晶圓200’預定次數交替通過第1 處理領域及第2處理領域，在晶圓200’上形成矽氧化膜。此時，在形成於第1晶圓W1’的薄膜是殘留有相當於最初形成的階差da之膜厚差。
起因於如此在電漿被點燃時在第1晶圓W1’的面內產生非電漿照射領域200a’，在非電漿照射領域200a’與電漿照射領域200b’之間，在第1晶圓W1’的面內產生膜厚差。並且，在第1晶圓W1’與第1晶圓W1’以外的晶圓200’之間產生膜厚差。
另外，近年來，例如被要求20nm以下的配線尺寸。為此，即使是像上述那樣些微的膜厚差，也有可能產生配線的圖案寬等的差。
於是，在本實施形態中，例如將第1工程S206的第2處理領域201b內的電漿密度形成比後述的第2工程208的第2處理領域201b內的電漿密度更低。具體而言，例如將第1工程S206的第2處理領域201b內的壓力形成比第2工程208的第2處理領域201b內的壓力更低。
以下，利用圖8，圖9(a-1)~圖10(c-2)來說明有關本實施形態的薄膜形成工程S104的詳細。圖8是表示本實施形態的基板處理順序的各部的動作時序圖。圖9(a-1)~(c-1)是表示本實施形態的薄膜形成工程的晶圓位置的模式平面圖，圖9(a-2)~(c-2)是表示(a-1)~(c-1)時的晶圓上的薄膜形成狀態的模式剖面圖。圖10(a-1)~(c-1)是表示本實施形態的薄膜形成工程的晶圓位置的模式平面圖，圖 10(a-2)~(c-2)是表示(a-1)~(c-1)時的晶圓上的薄膜形成狀態的模式剖面圖。
如圖9(a-2)所示般，藉由氣體供給開始S204，例如，在晶圓200上藉由BTBAS分子等接觸而形成含矽層903。在此是例如藉由矽成分902來構成含矽層903。
其次，如圖9(b-1)及(b-2)所示般，在第1工程S206中，藉由電漿生成部206，在第2處理領域201b內開始氧氣體的電漿生成(圖8電漿生成部On)。在電漿生成部206的下方是生成有含氧元素的活性種之電漿的鞘層901。
藉由電漿生成部206來點燃電漿時，有時為晶圓200(第1晶圓W1)通過電漿生成部206的正下面的途中。
在本實施形態中，例如將第1工程S206的第2處理領域201b內的電漿密度(第2處理領域201b內的氣體的活性度)形成比後述的第2工程208的第2處理領域201b內的電漿密度更低。
具體而言，如圖8所示般，例如將第1工程S206的第2處理領域201b內的壓力形成比第2工程208的第2處理領域201b內的壓力(壓力P2)更低。至少將開始電漿生成部206的電力供給時的第2處理領域201b內的壓力(壓力P1)形成比第2工程S208的第2處理領域201b內的壓力(壓力P2)更低。另外，亦可將第1工程 S206的全部的期間的第2處理領域201b內的壓力形成比第2工程S208的第2處理領域201b內的壓力(壓力P2)更低。
藉此，在第1工程中，當電漿被點燃時，電漿是成為稀疏的狀態。因此，即使在第1晶圓W1位於電漿生成部206的正下面的狀態下點燃電漿生成部206的電漿時，接觸於第1晶圓W1的表面之含氧元素的活性種的密度也會被減低。
如圖9(b-2)所示般，在第1晶圓W1的面內之中非電漿照射領域200a是含矽層903的表面會保持露出。另一方面，在第1晶圓W1的面內之中電漿照射領域200b是被活化的氧成分會在分散的狀態下附著，形成改質層905。
如此，若宏觀地看，則以電漿被點燃時的非電漿照射領域200a與電漿照射領域200b無法區別的程度，以預定低的面粗度形成改質層905。換言之，本實施形態是不易在非電漿照射領域200a與電漿照射領域200b之間產生明確的階差。
並且，本實施形態是例如在第1工程S206中，將第2處理領域201b內的壓力設定成氧氣體擴散於第2處理領域201b內的低的壓力。例如，將第1工程S206的電漿生成部206的電力供給開始時的第2處理領域201b內的壓力設定成氧氣體擴散至第2處理領域201b內的低的壓力。
所謂第1工程S206之「氧氣體擴散至第2處理領域201b內的低的壓力」是例如以下那樣的壓力範圍。
例如，在第1工程S206中，將第2處理領域201b內的壓力設為可藉由電漿生成部206的電力供給來生成氧氣體的電漿之壓力以上。
更理想是例如將第2處理領域201b內的壓力設為使晶圓200面內的改質層905存在比率階差不會成顯著的壓力範圍。
若將有關第2處理領域201b內的壓力之該等的下限及上限換言之，則例如將第2處理領域201b內的壓力設定成電漿密度會成為5.0×108/cm3以上20.0×108/cm3以下之壓力。
具體而言，將第2處理領域201b內的壓力例如設為1Pa以上2000Pa以下，最好是設為10Pa以上1000Pa以下。藉此，當電漿被點燃時，安定地含氧元素的活性種的密度會被減低。換言之，在晶圓200的面內中，含氧元素的活性種接觸的機率會減少。
如圖9(b-2)所示般，在第1工程S206中藉由將第2處理領域201b內的壓力設定成上述那樣低的壓力，例如，第2處理領域201b之含矽層903的上或中是只有比矽成分902更少數的氧成分904被結合。例如，未形成改質層905地含矽層903的表面露出的面積是比形成有改質層905的面積更廣。在第1晶圓W1的面內之中電 漿照射領域200b中，可以低密度稀疏分散形成改質層905中的氧成分904等。
如此，實質上，電漿照射領域200b的表面狀態是與非電漿照射領域200a的表面狀態無大差，在電漿照射領域200b與非電漿照射領域200a之間不會產生明確的階差。
而且，在本實施形態中，如圖8所示般，在第1工程S206中，開始電漿生成部206的電漿生成之後慢慢地使第2處理領域201b內的壓力上昇。例如，開始電漿生成部206的電漿生成之後使第2處理領域201b內的壓力單調增加。例如，使第2處理領域201b內的壓力從壓力P1上昇至比壓力P1更高的壓力P2。往晶圓200的薄膜的成膜速率是慢慢地上昇。藉此，隨在晶圓200上含矽層903被改質而改質層905慢慢地層疊，可慢慢地提高晶圓200的面內之形成改質層905的密度。
具體而言，在第1工程S206中，開始電漿生成部206的電漿生成之後慢慢地使第2處理領域201b內的壓力上昇，藉此例如以下般，在晶圓200上改質層905會被慢慢地層疊。
如圖9(c-1)及(c-2)所示般，在電漿照射領域200b中氧成分904稀疏分散的狀態下形成改質層905的第1晶圓W1通過第1處理領域201a時，供給BTBAS氣體，至少在改質層905上更形成含矽層903。
其次，如圖10(a-1)及(a-2)所示般，當第1晶 圓W1通過第2處理領域201b時，藉由氧氣體的電漿照射於第1晶圓W1，在含矽層903上更形成改質層905。
此時，慢慢地第2處理領域201b內的壓力會上昇，藉此在氧成分904緻密地分散的狀態下，在含矽層903上形成改質層905。亦即，改質層905的形成領域會無秩序地擴散。
如此，隨改質層905在晶圓200上慢慢地層疊，可提高晶圓200的面內之改質層905中的氧成分904等的密度。
藉此，以電漿被點燃時的非電漿照射領域200a與電漿照射領域200b慢慢地無法區別的方式，無秩序地交替堆積含矽層903及改質層905。
如圖8所示般，本實施形態是例如在第1工程S206中使處理室201內的壓力從壓力P1上昇至壓力P2後，在第2工程S208中將處理室201內的壓力維持於壓力P2。
以後，如圖10(b-1)~(c-2)所示般，進行第2工程S208，在晶圓200上更使改質層905層疊。
如此，本實施形態是若宏觀地看，則以電漿被點燃時的非電漿照射領域200a與電漿照射領域200b無法區別的程度，以預定低的面粗度形成膜厚為面內均一的矽氧化膜。
(有關第3工程S210)
其次，一邊與比較例對比，一邊詳細說明有關在第3工程S210中，停止電漿生成部206的電力供給，而當電漿中的活性種等失活時，最後通過電漿生成部的正下面之晶圓200。在第3工程S210中，如以下般產生與第1工程S206相反的現象。
在此，比較例是第2工程的第2處理領域的壓力與第3工程的第2處理領域的壓力設為相等。
比較例是在第3工程中，例如有可能基座的旋轉速度高難以調整晶圓通過第2處理領域的時序，或電漿完全消滅的時序不一致。在電漿密度大幅度衰減時(瞬間)，有晶圓通過電漿生成部的正下面的途中之情形。以下，將電漿生成部的電漿消滅時，複數的晶圓之中最後通過電漿生成部的正下面的晶圓稱為「最終晶圓」。
當電漿消滅時，在最終晶圓的面內，已通過電漿生成部的正下面的側是電漿以密的狀態照射之後。另一方面，隨晶圓移動於基座的旋轉方向R，在電漿消滅時通過電漿生成部的正下面之前的領域是未被照射電漿。因此，最終晶圓的全體通過第2處理領域之後，在最終晶圓的面內產生被照射電漿的領域(電漿照射領域)極未被照射電漿的領域(非電漿照射領域)。另一方面，比最終晶圓更後面通過電漿生成部的正下面的晶圓是未被照射電漿。
在電漿消滅時，起因於最終晶圓的面內產生非電漿照射領域，在非電漿照射領域與電漿照射領域之間，於最終晶圓的面內產生膜厚差。並且，在最終晶圓與 最終晶圓以外的晶圓之間產生膜厚差。如此，在第3工程S210中也有可能產生與第1工程S206相反的現象。
於是，在本實施形態中，例如，將從第2工程S208的終了後到氧氣體的電漿消滅的期間之第2處理領域201b內的壓力形成比第2工程S208之第2處理領域201b內的壓力低。
另外，所謂「從第2工程S208的終了後到氧氣體的電漿消滅的期間」是例如，從第2工程S208的終了後停止電漿生成部206的電力供給時到氧氣體的電漿完全消滅的期間。另外，所謂「從第2工程S208的終了後到氧氣體的電漿消滅的期間」是亦可想像包含從第2工程S208的終了後電漿生成部206的電力供給繼續的期間的預定時間點到氧氣體的電漿完全消滅的期間。
具體而言，如圖8所示般，例如，使在第3工程210中從停止電漿生成部206的電力供給時到氧氣體的電漿消滅的期間之中至少任一的時序的第2處理領域201b內的壓力形成比第2工程208之第2處理領域201b內的壓力(壓力P2)更低。或，在第3工程210中，使至少電漿消滅時的第2處理領域201b內的壓力形成比第2工程208之第2處理領域201b內的壓力(壓力P2)更低。另外，亦可使第3工程S210之全部的期間的第2處理領域201b內的壓力形成比第2工程208之第2處理領域201b內的壓力(壓力P2)更低。
從停止電漿生成部206的電力供給時到電漿 完全消滅的期間，接觸於晶圓200的表面之含氧的活性種的密度會被減低。藉此，從停止電漿生成部206的電力供給時到電漿完全消滅的期間，在晶圓200上改質層905會稀疏分散形成。
如此，若宏觀地看，則以電漿完全消滅時的非電漿照射領域200a與電漿照射領域200b無法區別的程度，以預定低的面粗度形成改質層905。換言之，本實施形態是不易在非電漿照射領域與電漿照射領域之間產生明確的階差。
並且，在本實施形態中，如圖8所示般，在第3工程S210中，停止電漿生成部206的電力供給之後，使第2處理領域201b內的壓力慢慢地降下。例如，停止電漿生成部206的電力供給之後使第2處理領域201b內的壓力單調減少。例如，使第2處理領域201b內的壓力從壓力P2下降至壓力P1。往晶圓200之薄膜的成膜速率是慢慢地降下。藉此，在停止電漿生成部206的電力供給之後到電漿完全消滅的期間，可慢慢降低晶圓200的面內之改質層905中的氧成分904等的密度。
而且，本實施形態是在第3工程S210中，將第2處理領域201b內的壓力設定成氧氣體擴散至第2處理領域201b內的低的壓力。例如，將第3工程S210的電漿消滅時的第2處理領域201b內的壓力設定成氧氣體擴散至第2處理領域201b內的低的壓力。
第3工程S210之「氧氣體擴散至第2處理領 域201b內的低壓力」是例如以下那樣的壓力範圍。
例如，在第3工程S210中，將第2處理領域201b內的壓力設為不會有因壓力而電漿消滅的情形之壓力以上。
更理想是例如將第2處理領域201b內的壓力設為使晶圓200面內的改質層905存在比率階差不會成顯著的壓力範圍。
若將有關第2處理領域201b內的壓力之該等的下限及上限換言之，則例如將第2處理領域201b內的壓力設定成電漿密度會成為5.0×108/cm3以上20.0×108/cm3以下之壓力。
具體而言，將第2處理領域201b內的壓力例如設為1Pa以上2000Pa以下，最好是10Pa以上1000Pa以下。藉此，在停止電漿生成部206的電力供給之後到電漿完全消滅的期間，可以低密度稀疏分散形成改質層905。
如此，若宏觀地看，則以電漿消滅時的非電漿照射領域與電漿照射領域無法區別的程度，形成膜厚為面內均一的矽氧化膜。
(5)本實施形態的效果
若根據本實施形態，則可取得以下所示的1個或複數的效果。
(a)若根據本實施形態，則將第1工程S206的 第2處理領域內的壓力形成比第2工程S208的第2處理領域內的壓力更低。
藉此，在第1工程S206中，包含接觸於第1晶圓W1的第2元素之活性種的密度會被減低。第1工程S206是在第1晶圓W1的面內之中電漿照射領域200b稀疏分散形成改質層905。
其結果，若宏觀地看，則以電漿被點燃時的非電漿照射領域200a與電漿照射領域200b無法區別的程度，以預定低的面粗度形成膜厚為面內均一的薄膜。因此，可使一片的晶圓200的面內的膜厚或載置於基座217上的複數的晶圓200間的膜厚形成均一。
(b)若根據本實施形態，則第1工程S206是將第2處理領域201b內的壓力設定成氧氣體擴散至第2處理領域201b內的低的壓力。藉此，當電漿被點燃時，安定地含氧元素的活性種的密度會被減低。在第1晶圓W1的含矽層903上僅比矽成分902更少數的氧成分904被結合。藉此，在第1晶圓W1的面內之中電漿照射領域200b可以低密度稀疏分散形成改質層905。
(c)若根據本實施形態，則在第1工程S206中，開始電漿生成部206的電漿生成之後慢慢地使第2處理領域201b內的壓力上昇。藉此，隨改質層905慢慢地層疊於晶圓200上，可提高晶圓200的面內之改質層905中的氧成分904等的密度。以電漿被點燃時的非電漿照射領域200a與電漿照射領域200b慢慢地無法區別的方式， 無秩序地交替堆積改質層905。
(d)若根據本實施形態，則第3工程S210是將從第2工程S208的終了後到含第2元素氣體的電漿消滅的期間之第2處理領域201b內的壓力形成比第2工程S208之第2處理領域201b內的壓力低。
藉此，從電漿生成部206的電力供給停止後到電漿完全失活的期間，可降低接觸於晶圓200的表面之含氧元素的活性種的密度。藉此，從電漿生成部206的電力供給停止後到電漿完全消滅的期間，在晶圓200上稀疏分散形成改質層905。
其結果，若宏觀地看，則以電漿消滅時的非電漿照射領域與電漿照射領域無法區別的程度，以預定低的面粗度形成膜厚為面內均一的薄膜。
(6)有效適用本實施形態的半導體裝置的製造方法
其次，說明有關大規模積體電路(Large Scale Integration；LSI)的製造工程之一工程，作為半導體裝置(半導體裝置)的製造方法之一例。
在此，利用圖11，說明有關在晶圓200上形成窄間距的光阻劑圖案的方法，所謂的「雙圖案化法」。圖11(a)~(f)是雙圖案化法之基板處理工程的晶圓400的剖面圖。本實施形態是在使用雙圖案化法的基板處理工程特別有效。
(第1光阻劑圖案形成工程)
例如，在晶圓400上是形成有微細加工的對象之矽氧化膜600。在矽氧化膜600上是形成有硬質遮罩層601。
首先，如圖11(a)所示般，在硬質遮罩層601上塗佈第1光阻劑膜602a。其次，將晶圓400烘烤。
其次，如圖11(b)所示般，藉由ArF準分子光源(193nm)或KrF準分子光源(248nm)等的光源，利用遮罩圖案等來選擇性進行曝光及顯像等。藉此，形成第1光阻劑圖案603a。
(保護膜形成工程)
如圖11(c)所示般，使用基板處理裝置10，在第1光阻劑圖案603a上及硬質遮罩層601上形成作為保護膜的矽氧化膜604。另外，矽氧化膜604是亦稱為犠牲氧化膜。藉此，在形成後述的第2光阻劑膜602b時，可保護第1光阻劑圖案603a，抑制第1光阻劑圖案603a的變形。
此時，在有機物的第1光阻劑圖案603a上形成矽氧化膜604，因此謀求在低溫的基板處理，使第1光阻劑圖案603a不會熱變。本實施形態是例如可在200℃以下的低溫進行基板處理。因此，使用本實施形態的基板處理裝置10的方法特別有效。
(第2光阻劑圖案形成工程)
其次，如圖11(d)所示般，在矽氧化膜604上塗佈第2光阻劑膜602b。其次，將晶圓400烘烤。
其次，如圖11(e)所示般，藉由ArF準分子光源(193nm)或KrF準分子光源(248nm)等的光源，利用遮罩圖案等來選擇性進行曝光及顯像等。藉此，在矽氧化膜604上之中，與形成有第1光阻劑圖案603a的位置不同的位置形成第2光阻劑圖案603b。例如，在鄰接的二個第1光阻劑圖案603a的中央形成第2光阻劑圖案603b。
其次，如圖11(f)所示般，藉由蝕刻來除去覆蓋第1光阻劑圖案603a及硬質遮罩層601的矽氧化膜604。
藉由如此利用保護膜來進行複數次的光阻劑圖案的圖案化(雙圖案化法)，可取得比以一次的圖案化所取得的光阻劑圖案更微細的第1光阻劑圖案603a及第2光阻劑圖案603b。
其次，以第1光阻劑圖案603a及第2光阻劑圖案603b作為遮罩，蝕刻硬質遮罩層601，形成硬質遮罩圖案。其次，以硬質遮罩層601作為遮罩，蝕刻微細加工的對象之矽氧化膜600。另外，此時，可除去第1光阻劑圖案603a及第2光阻劑圖案603b或留下。藉由以上，例如在矽氧化膜600形成溝。而且，對矽氧化膜600的溝進行配線圖案的埋入等。
(與本實施形態的關係)
在此，例如形成於矽氧化膜600的溝的寬或各溝間的寬會被要求大致按照設計。此時，保護膜的矽氧化膜604的膜厚分布為重要。
例如，在一片的晶圓400的面內產生矽氧化膜604的膜厚的差時或在晶圓400間產生矽氧化膜604的膜厚的差時，有可能產生以下那樣的弊害。例如，在預定的蝕刻條件下蝕刻矽氧化膜604時，有可能矽氧化膜604的膜厚薄的部分被過蝕刻。藉此，有可能在矽氧化膜604的膜厚薄的部分的附近之第1光阻劑圖案603a及第2光阻劑圖案603b或第2光阻劑圖案603b正下面的矽氧化膜604產生圖案寬的減少。一旦藉由如此線寬減少的第1光阻劑圖案603a，第2光阻劑圖案603b，及第2光阻劑圖案603b正下面的矽氧化膜604來蝕刻硬質遮罩層601及矽氧化膜600，則有可能矽氧化膜604的膜厚薄的部分附近之矽氧化膜600的溝寬會與矽氧化膜604的膜厚厚的部分附近之矽氧化膜600的溝寬不同。因此，在形成保護膜的矽氧化膜604時，期望將矽氧化膜604的膜厚形成均一。
近年來在微細化加工是被要求20nm以下的配線尺寸。因此，即使保護膜的矽氧化膜604的膜厚的差為數nm程度，也有可能產生對於最終形成的配線寬具有大的比率之圖案寬的差。
另外，如上述般，適用本實施形態時，可想像也有可能矽氧化膜604的面粗度要比自電漿生成時將壓 力設為一定的上述比較例更高。然而，在雙圖案化中是多少面粗度被容許，寧可膜厚為一定較重要。
若根據本實施形態，則在晶圓400上以預定的面粗度來形成矽氧化膜604，另一方面可抑制第1晶圓W1的面內之中僅非電漿照射領域200a的矽氧化膜604的膜厚比電漿照射領域200b的矽氧化膜604的膜厚更薄。
亦即，可抑制非電漿照射領域200a及電漿照射領域200b之間，及第1晶圓W1與除此以外的晶圓400之間，例如以同一的蝕刻條件來蝕刻矽氧化膜604時產生圖案寬的差。
本實施形態是對於如此膜厚的均一性比面粗度更重要的製程特別適合。
<本發明的第2實施形態>
以下，說明有關本發明的第2實施形態。本實施形態是在第1工程S206或第3工程S210中比第2處理領域201b內的電漿密度更低的方法與第1實施形態不同。本實施形態是使用上述的基板處理裝置10，且上述以外的構成是與第1實施形態同樣。
(1)基板處理工程
利用圖12來說明有關本實施形態的基板處理工程。圖12是表示本發明的第2實施形態的基板處理順序的時序圖。以下說明從本實施形態的氣體供給開始S204到氣 體供給停止S212。
(氣體供給開始S204)
開啟閥232d，對第1處理領域201a內開始供給作為含第1元素氣體的BTBAS氣體的同時，開啟閥233d，對第2處理領域201b內供給作為含第2元素氣體的氧氣體。
此時，調整質量流控制器232c，使BTBAS氣體的流量能夠成為預定的流量。例如，至第3工程S210為止，將BTBAS氣體的流量設為一定。
並且，調整質量流控制器233c，使氧氣體的流量能夠成為預定的流量。此時，例如，將氣體供給開始S204的氧氣體的流量調整成第1工程S206的氧氣體的流量(流量V1)。
(第1工程S206)
其次，一旦BTBAS氣體及氧氣體的流量安定，則開始電漿生成部206的電漿生成(圖12電漿生成部On)。在第2處理領域201b內的電漿生成部206的正下面生成氧氣體的電漿。
本實施形態是將第1工程S206之往第2處理領域201b內供給的氧氣體的流量(流量V1)形成比第2工程S208之往第2處理領域201b內供給的氧氣體的流量(流量V2)更低。藉此，第1工程S206之第2處理領域 201b內的電漿密度會比第2工程208之第2處理領域201b內的電漿密度更低。
並且，在本實施形態中，第1工程S206是將往第2處理領域201b內供給的氧氣體的流量設定成氧氣體擴散至第2處理領域201b內之小的流量。
第1工程S206之所謂「氧氣體擴散至第2處理領域201b內之小的流量」是例如以下那樣的流量範圍。
例如，在第1工程S206中，可將往第2處理領域201b內供給之氧氣體的流量設為可藉由電漿生成部206的電力供給來生成氧氣體的電漿之流量以上。
更理想是例如將往第2處理領域201b內供給的氧氣體的流量設為使晶圓200面內的改質層905存在比率階差不會成顯著的流量範圍。
若將有關供給至第2處理領域201b內的氧氣體的流量之該等的下限及上限換言之，則例如將供給至第2處理領域201b內的氧氣體的流量設定成電漿密度會成為5.0×108/cm3以上20.0×108/cm3以下之流量。
具體而言，將供給至第2處理領域201b內的氧氣體的流量例如設為10sccm以上5000sccm以下，最好是例如設為100sccm以上1000sccm以下。藉此，當電漿被點燃時，安定地含氧元素的活性種的密度會被減低。
而且，在本實施形態中，如圖12所示般，在第1工程S206中，開始電漿生成部206的電漿生成之後 慢慢地使往第2處理領域201b內供給的氧氣體的流量上昇。例如，開始電漿生成部206的電漿生成之後使往第2處理領域201b內供給的氧氣體的流量單調增加。例如，使往第2處理領域201b內供給的氧氣體的流量從流量V1上昇至比流量V1更高的流量V2。藉此，隨改質層905慢慢地層疊於晶圓200上，可提高晶圓200的面內之改質層905中的氧成分904等的密度。
(第2工程S208)
其次，在第1工程S206之後，繼續電漿生成部206的電漿生成，進行在晶圓200上形成含有矽元素及氧元素的矽氧化膜之第2工程S208。在第2工程S208中，例如，以流量V2來將往第2處理領域201b內供給的氧氣體的流量設為一定。在第2工程S208中，藉由使基座217旋轉，晶圓200是依第1處理領域201a，第1淨化領域204a，第2處理領域201b，第2淨化領域204b的順序通過。
(第3工程S210)
其次，在第2工程208之後，停止電漿生成部206的電力供給(圖12電漿生成部Off)。即使在停止電漿生成部206的電力供給之後，也預定的期間繼續往第1處理領域201a之BTBAS氣體的供給，往第2處理領域201b之氧氣體的供給，及往第1淨化領域204a及第2淨化領域 204b之惰性氣體的供給，以及基座217的旋轉。
在本實施形態中，例如，將從第2工程S208的終了後到氧氣體的電漿消滅的期間之往第2處理領域201b內供給的氧氣體的流量形成比第2工程S208之往第2處理領域201b內供給的氧氣體的流量低。
並且，在本實施形態中，如圖12所示般，在第3工程S210中，停止電漿生成部206的電力供給之後使往第2處理領域201b內供給的氧氣體的流量慢慢地降下。例如，停止電漿生成部206的電力供給之後使往第2處理領域201b內供給的氧氣體的流量單調減少。例如，使往第2處理領域201b內供給的氧氣體的流量從流量V2下降至流量V1。藉此，在停止電漿生成部206的電力供給之後到電漿完全消滅的期間，可慢慢地降低晶圓200的面內之改質層905中的氧成分904等的密度。
而且，在本實施形態中，第3工程S210是將往第2處理領域201b內供給的氧氣體的流量設定成氧氣體擴散至第2處理領域201b內之小的流量。
例如，在第3工程S210中，將往第2處理領域201b內供給的氧氣體的流量設為不會有因流量的降低而電漿消滅的情形之流量以上。
更理想是例如將往第2處理領域201b內供給的氧氣體的流量設為使晶圓200面內的改質層905存在比率階差不會成顯著的流量範圍。
若將有關供給至第2處理領域201b內的氧氣 體的流量之該等的下限及上限換言之，則例如將供給至第2處理領域201b內的氧氣體的流量設定成電漿密度會成為5.0×108/cm3以上20.0×108/cm3以下之流量。
具體而言，將供給至第2處理領域201b內的氧氣體的流量例如設為10sccm以上5000sccm以下，最好是例如設為100sccm以上1000sccm以下。藉此，在從電漿生成部206的電力供給停止後到電漿完全消滅的期間，可以低密度稀疏分散形成改質層905。
(氣體供給停止S212)
第3工程S210之後，至少關閉閥232d及閥233d，停止供給BTBAS氣體及氧氣體至第1處理領域201a及第2處理領域201b。以後的工程是與第1實施形態同樣。
(2)本實施形態的效果
若根據本實施形態，則可取得以下所示的1個或複數的效果。
(a)若根據本實施形態，則將供給至第1工程S206的第2處理領域201b內之含第2元素氣體的流量形成比供給至第2工程S208的第2處理領域201b內之含第2元素氣體的流量更低。藉此，第1工程S206的第2處理領域201b內的電漿密度會比第2工程208的第2處理領域201b內的電漿密度更低。藉由和第1實施形態同樣的效果，若宏觀地看，則以電漿被點燃時的非電漿照射領 域200a與電漿照射領域200b無法區別的程度，以預定低的面粗度形成膜厚為面內均一的薄膜。
(b)若根據本實施形態，則在第3工程S210是將從第2工程S208的終了後到含第2元素氣體的電漿消滅的期間之往第2處理領域201b內供給的含第2元素氣體的流量形成比第2工程S208之往第2處理領域201b內供給的含第2元素氣體的流量低。藉由和第1實施形態同樣的效果，若宏觀地看，則以電漿消滅時的非電漿照射領域與電漿照射領域無法區別的程度，以預定低的面粗度形成膜厚為面內均一的薄膜。
<本發明的其他的實施形態>
以上，具體說明本發明的實施形態，但本發明並非限於上述的實施形態，亦可在不脫離其要旨的範圍實施各種的變更。
在上述的實施形態中，說明有關反應容器203分成4個領域的情況，但並非限於此。亦可依所對應的基板或形成的膜的種類來決定處理領域的數量及配置。
另外，在上述的實施形態中，說明有關各間隔板205之間的角度分別為90°的情況，但並非限於此。亦可考慮往晶圓200之各種氣體的供給時間(晶圓200的處理時間)等，例如將形成第2處理領域201b的2片的間隔板205之間的角度擴大，拉長晶圓200通過第2處理領域201b所花的時間(處理時間)等，適當變更。
並且，在上述的實施形態中，說明有關以間隔板205來隔開各處理領域的情況，但並非限於此。只要處理室201構成不會使分別供給至處理領域201a，201b的處理氣體混合即可。
並且，在上述的實施形態中，說明有關在間隔板205的端部與反應容器203的側壁之間設有間隙，處理室201內的壓力在各領域中為相等的情況，但並非限於此。第1處理領域201a，第1淨化領域204a，第2處理領域201b，第2淨化領域204b亦可被氣密地區分。亦即，各領域內的壓力亦可彼此相異。
並且，在上述的實施形態中，說明有關在一個的製程腔室202處理5片的晶圓200的情況，但並非限於此。亦可在一個的製程腔室202處理1片的晶圓200，或處理超過5片的片數的晶圓200。
並且，在上述的實施形態中，說明有關可將預備室122或預備室123搬入晶圓200的機能及搬出晶圓200的機能構成併用的情況，但並非限於此。亦可將預備室122及預備室123的任一方設為搬出用，將另一方設為搬入用。藉由將預備室122或預備室123設為搬入用及搬出用專用，可降低交叉污染，藉由設為併用，可使基板的搬送效率提升。
並且，在上述的實施形態中，只說明有關1個製程腔室202的基板處理，但並非限於此。亦可並行各製程腔室的處理。
並且，在上述的實施形態中，說明有關4個的製程腔室202分別同樣構成的情況，但並非限於此。亦可將各製程腔室設為不同的構成，在各製程腔室中分近進行別的處理。例如，在第1製程腔室及第2製程腔室進行別的處理時，亦可在第1製程腔室對晶圓200進行預定的處理之後，接著在第2製程腔室進行與第1製程腔室不同的處理。並且，在第1製程腔室對基板進行預定的處理之後，在第2製程腔室進行別的處理時，亦可經由預備室。
並且，在上述的實施形態中，說明有關使用含矽氣體作為含第1元素氣體，使用含氧氣體作為含第2元素氣體，在晶圓200上形成矽氧化膜的情況，但並非限於此。亦可例如使用含鉿(Hf)氣體，含鋯(Zr)氣體，含鈦(Ti)氣體作為含第1元素氣體，將氧化鉿膜(HfO膜)，氧化鋯(ZrO膜)，氧化鈦膜(TiO膜)等的High-k膜等形成於晶圓200上。
並且，在上述的實施形態中，說明有關使用含氧氣體作為含第2元素氣體的情況，但並非限於此。亦可使用含氮氣體作為含第2元素氣體。此情況，含氮氣體是亦可使用氮(N2)氣體，或氨(NH3)氣體等。
並且，在上述的實施形態中，說明有關電漿生成部206的電極271為棒狀的情況，但並非限於此。電漿生成部206的電極271亦可為交替對向的梳形狀的電極或其他的形狀的電極。又，電漿生成部206的電極271亦可覆蓋第2處理領域201b的大致全域。
並且，在上述的實施形態中，說明有關對第2處理領域201b內供給含第2元素氣體，藉由電漿生成部206在第2處理領域201b內生成電漿的情況，但並非限於此。亦可在反應容器之外生成電漿的遠端電漿方法或使用能量位準高的臭氧。
並且，在上述的實施形態中，說明有關在第1淨化領域204a及第2淨化領域204b共用惰性氣體導入部253的情況，但惰性氣體導入部亦可個別設置。
並且，在上述實施例中，說明有關從反應容器203的中央對處理室201內供給各氣體的情況，但並非限於此。例如，亦可為供給含第1元素氣體的噴嘴設在第1處理領域，供給含第2元素氣體的噴嘴設在第2處理領域，供給惰性氣體的噴嘴分別設在第1淨化領域及第2淨化領域。
並且，在上述的本實施形態中，說明有關利用昇降機構268，使基座217昇降，藉此使晶圓200移動至處理位置或搬送位置的情況，但並非限於此。亦可藉由晶圓頂起插銷266昇降來使晶圓200移動至處理位置或搬送位置。
並且，在上述的本實施形態中，說明有關在第2工程S208中，以第1處理領域通過S302，第1淨化領域通過S304，第2處理領域通過S306，第2淨化領域通過S308作為1循環，判定是否實施預定次數此循環的情況，但並非限於此。亦可在第1工程或第3工程判定是 否實施預定次數上述循環。又，亦可包含第1工程，第2工程及第3工程，判定是否實施預定次數上述循環。
並且，在上述的第1實施形態中，說明有關在第1工程S206中使第2處理領域201b內的壓力慢慢地上昇，在第2工程S208中將第2處理領域201b內的壓力設為一定的情況，但並非限於此。亦即，只要至少第1工程之第2處理領域內的壓力比第2工程之第2處理領域內的壓力更低即可。例如，亦可以比第2工程之第2處理領域內的壓力更低的壓力來將第1工程之第2處理領域內的壓力設為一定。或，亦可使第2工程之第2處理領域內的壓力上昇至比第1工程之第2處理領域內的壓力更高的預定壓力的期間。或，第1工程及第2工程是亦可設為組合該等的工程。
並且，在上述的第1實施形態中，說明有關在第1工程S206中，開始電漿生成部206的電力供給之後使第2處理領域201b內的壓力單調增加的情況，但並非限於此。在第1工程中，亦可在開始電漿生成部的電力供給之後使第2處理領域內的壓力階段性(階段狀)增加。
並且，在上述的第1實施形態中，說明有關在第2工程S208中將第2處理領域201b內的壓力設為一定，在第3工程S210中停止電漿生成部206的電力供給之後使第2處理領域201b內的壓力慢慢地降下的情況，但並非限於此。亦即，只要至少從第2工程之後到含第2元素氣體的電漿失活為止的期間之第2處理領域內的壓力 比第2工程的第2處理領域內的壓力更低即可。例如，亦可設置使第2工程之第2處理領域內的壓力下降至預定壓力的期間。在第3工程中，亦可以比第2工程之第2處理領域內的壓力更低的壓力來將第2處理領域內的壓力設為一定。或，第2工程及第3工程是亦可設為組合該等的工程。
並且，在上述的第1實施形態中，說明有關在第3工程S210中，停止電漿生成部206的電力供給之後使第2處理領域201b內的壓力單調減少的情況，但並非限於此。在第3工程中，亦可在停止電漿生成部的電力供給之後使第2處理領域內的壓力階段性(階段狀)減少。
並且，在上述的第1實施形態中，說明有關在第3工程S210中，停止電漿生成部206的電力供給之後使第2處理領域201b內的壓力慢慢地減少的情況，但並非限於此。亦可在第3工程中，自停止電漿生成部的電力供給之前使第2處理領域內的壓力慢慢地減少。
又，亦可將上述的第1實施形態之「第2處理領域201b內的壓力」的變更例置換成第2實施形態之「往第2處理領域201b內供給之含第2元素氣體的流量」而適用。又，亦可在第1工程及第2工程中，使第2處理領域201b內的壓力及往第2處理領域201b內供給之含第2元素氣體的流量的雙方變化。
並且，在上述的實施形態中，說明有關在薄膜形成工程中，將往第1處理領域201a內供給之含第1 元素氣體的流量設為一定的情況，但並非限於此。亦可在薄膜形成工程中，使往第1處理領域內供給之含第1元素氣體的流量變化。亦可使往第1處理領域內供給之含第1元素氣體的流量與往第2處理領域內供給之含第2元素氣體的流量一起變化。例如，亦可與含第2元素氣體同樣，將往第1工程的第1處理領域內供給之含第1元素氣體的流量形成比往第2工程的第1處理領域內供給之含第1元素氣體的流量更低。
<本發明的理想形態>
以下，附記有關本發明的理想形態。
(附記1)
若根據本發明之一形態，則提供一種半導體裝置的製造方法，其係具有：在處理基板的處理室內設成旋轉自如的基板載置台上，沿著前述基板載置台的旋轉方向來載置複數的基板之工程；使前述基板載置台旋轉，一面將前述處理室內排氣，一面開始供給分別含有第1元素的含第1元素氣體及含有第2元素的含第2元素氣體至沿著前述基板載置台的旋轉方向來設於前述處理室內的第1處理領域及第2處理領域之工程；藉由在前述第2處理領域內至少一部分設置的電漿生 成部，在前述第2處理領域內開始前述含第2元素氣體的電漿的生成之第1工程；及藉由前述基板載置台的旋轉，使前述複數的基板依序以預定次數交替通過前述第1處理領域及前述第2處理領域，當前述基板通過前述第1處理領域時，在前述基板上形成含有前述第1元素的含第1元素層，當前述基板通過前述第2處理領域時，藉由前述含第2元素氣體的電漿來將前述含第1元素層改質，藉此在前述基板上形成含有前述第1元素及前述第2元素的薄膜之第2工程，在前述第1工程中，將前述第2處理領域內的電漿密度形成比前述第2工程的前述第2處理領域內的電漿密度更低。
(附記2)
如附記1記載的半導體裝置的製造方法，最好在前述第1工程中，將前述第2處理領域內的壓力形成比前述第2工程的前述第2處理領域內的壓力更低。
(附記3)
如附記1或附記2記載的半導體裝置的製造方法，最好在前述第1工程中，將前述第2處理領域內的壓力設定成前述含第2元素氣體擴散至前述第2處理領域內之壓力。
(附記4)
如附記1~3的任一記載的半導體裝置的製造方法，最好在前述第1工程中，將第2處理領域201b內的壓力設定成電漿密度會成為5.0×108/cm3以上20.0×108/cm3以下的壓力。
(附記5)
如附記1~4的任一記載的半導體裝置的製造方法，最好在前述第1工程中，開始前述電漿的生成之後，使前述第2處理領域內的壓力慢慢地上昇。
(附記6)
如附記1~5的任一記載的半導體裝置的製造方法，最好更具有：將從前述第2工程的終了後到前述含第2元素氣體的電漿消滅的期間之前述第2處理領域內的壓力形成比前述第2工程的前述第2處理領域內的壓力低之第3工程。
(附記7)
若根據本發明的其他的形態，則提供一種半導體裝置的製造方法，其係具有：在處理基板的處理室內設成旋轉自如的基板載置台上，沿著前述基板載置台的旋轉方向來載置複數的基板之工程； 使前述基板載置台旋轉，一面將前述處理室內排氣，一面開始供給分別含有第1元素的含第1元素氣體及含有第2元素的含第2元素氣體至沿著前述基板載置台的旋轉方向來設於前述處理室內的第1處理領域及第2處理領域之工程；藉由在前述第2處理領域內至少一部分設置的電漿生成部，在前述第2處理領域內開始前述含第2元素氣體的電漿的生成之第1工程；藉由前述基板載置台的旋轉，使前述複數的基板依序以預定次數交替通過前述第1處理領域及前述第2處理領域，當前述基板通過前述第1處理領域時，在前述基板上形成含有前述第1元素的含第1元素層，當前述基板通過前述第2處理領域時，藉由前述含第2元素氣體的電漿來將前述含第1元素層改質，藉此在前述基板上形成含有前述第1元素及前述第2元素的薄膜之第2工程；及從前述第2工程的終了後到前述含第2元素氣體的電漿消滅的期間之前述第2處理領域內的壓力形成比前述第2工程的前述第2處理領域內的壓力低之第3工程。
(附記8)
如附記6或7記載的半導體裝置的製造方法，最好是在前述第3工程中，將前述第2處理領域內的壓力設定成前述含第2元素氣體擴散至前述第2處理領域內的壓力。
(附記9)
如附記6~8的任一記載的半導體裝置的製造方法，最好在前述第3工程中，將第2處理領域201b內的壓力設定成電漿密度會成為5.0×108/cm3以上20.0×108/cm3以下的壓力。
(附記10)
如附記1~9的任一記載的半導體裝置的製造方法，最好將往前述第2處理領域內供給的前述含第2元素氣體的流量形成比往前述第2工程的前述第2處理領域內供給的前述含第2元素氣體的流量更低。
(附記11)
若根據本發明的另外其他的形態，則提供一種半導體裝置的製造方法，其係具有：在處理基板的處理室內設成旋轉自如的基板載置台上，沿著前述基板載置台的旋轉方向來載置複數的基板之工程；使前述基板載置台旋轉，一面將前述處理室內排氣，一面開始供給分別含有第1元素的含第1元素氣體及含有第2元素的含第2元素氣體至沿著前述基板載置台的旋轉方向來設於前述處理室內的第1處理領域及第2處理領域之工程；藉由在前述第2處理領域內至少一部分設置的電漿生 成部，在前述第2處理領域內開始前述含第2元素氣體的電漿的生成之第1工程；及藉由前述基板載置台的旋轉，使前述複數的基板依序以預定次數交替通過前述第1處理領域及前述第2處理領域，當前述基板通過前述第1處理領域時，在前述基板上形成含有前述第1元素的含第1元素層，當前述基板通過前述第2處理領域時，藉由前述含第2元素氣體的電漿來將前述含第1元素層改質，藉此在前述基板上形成含有前述第1元素及前述第2元素的薄膜之第2工程，在前述第1工程中，將往前述第2處理領域內供給之前述含第2元素氣體的流量形成比往前述第2工程的前述第2處理領域內供給之前述含第2元素氣體的流量更低。
(附記12)
若根據本發明的另外其他的形態，則提供一種基板處理裝置，其係具有：處理室，其係具有第1處理領域及第2處理領域，在前述第1處理領域內及前述第2處理領域內處理基板；基板載置台，其係於前述處理室內設成旋轉自如，沿著旋轉方向來載置複數的前述基板；旋轉機構，其係使前述基板載置台旋轉，而使前述複數的基板能夠依序交替通過前述第1處理領域及前述第2處理領域；處理氣體供給系，其係於前述第1處理領域內供給含 第1元素氣體，且在前述第2處理領域內供給含第2元素氣體；排氣系，其係將前述處理室內排氣，且調整前述處理室內的壓力；電漿生成部，其係於前述第2處理領域內至少一部分設置，在前述第2處理領域內生成前述含第2元素氣體的電漿；及控制部，其係至少控制前述旋轉機構，前述處理氣體供給系，前述排氣系，及前述電漿生成部，而進行下列處理：在前述基板載置台上，沿著前述基板載置台的旋轉方向來載置前述複數的基板之處理；使前述基板載置台旋轉，一面將前述處理室內排氣，一面分別開始供給前述含第1元素氣體及前述含第2元素氣體至第1處理領域及第2處理領域之工程；藉由前述電漿生成部，在前述第2處理領域內開始前述含第2元素氣體的電漿的生成之第1處理；及藉由前述基板載置台的旋轉，使前述複數的基板依序以預定次數交替通過前述第1處理領域及前述第2處理領域，當前述基板通過前述第1處理領域時，在前述基板上形成含有前述第1元素的含第1元素層，當前述基板通過前述第2處理領域時，藉由前述含第2元素氣體的電漿來將前述含第1元素層改質，藉此在前述基板上形成含有前述第1元素及前述第2元素的薄膜之第2工程， 在前述第1處理中，將前述第2處理領域內的電漿密度控制成比前述第2工程的前述第2處理領域內的電漿密度更低。
(附記13)
若根據本發明的另外其他的形態，則提供一種基板處理裝置，其係具有：處理室，其係具有第1處理領域及第2處理領域，在前述第1處理領域內及前述第2處理領域內處理基板；基板載置台，其係於前述處理室內設成旋轉自如，沿著旋轉方向來載置複數的前述基板；旋轉機構，其係使前述基板載置台旋轉，而使前述複數的基板能夠依序交替通過前述第1處理領域及前述第2處理領域；處理氣體供給系，其係於前述第1處理領域內供給含第1元素氣體，且在前述第2處理領域內供給含第2元素氣體；排氣系，其係將前述處理室內排氣，且調整前述處理室內的壓力；電漿生成部，其係於前述第2處理領域內至少一部分設置，在前述第2處理領域內生成前述含第2元素氣體的電漿；及控制部，其係至少控制前述旋轉機構，前述處理氣體供給系，前述排氣系，及前述電漿生成部，而進行下列處 理：在前述基板載置台上，沿著前述基板載置台的旋轉方向來載置前述複數的基板之處理；使前述基板載置台旋轉，一面將前述處理室內排氣，一面分別開始供給前述含第1元素氣體及前述含第2元素氣體至第1處理領域及第2處理領域之工程；藉由前述電漿生成部，在前述第2處理領域內開始前述含第2元素氣體的電漿的生成之第1處理；及藉由前述基板載置台的旋轉，使前述複數的基板依序以預定次數交替通過前述第1處理領域及前述第2處理領域，當前述基板通過前述第1處理領域時，在前述基板上形成含有前述第1元素的含第1元素層，當前述基板通過前述第2處理領域時，藉由前述含第2元素氣體的電漿來將前述含第1元素層改質，藉此在前述基板上形成含有前述第1元素及前述第2元素的薄膜之第2工程，在前述第1處理中，將前述第2處理領域內的壓力控制成比前述第2處理的前述第2處理領域內的壓力更低。
(附記14)
若根據本發明的另外其他的形態，則提供一種半導體裝置的製造方法，其係具有：在處理基板的處理室內設成旋轉自如的基板載置台上，沿著前述基板載置台的旋轉方向來載置複數的基板之工程； 使前述基板載置台旋轉之工程；將前述處理室內排氣之工程；將含有第1元素的含第1元素氣體供給至沿著前述基板載置台的旋轉方向來設於前述處理室內的第1處理領域之工程；將含有第2元素的含第2元素氣體供給至沿著前述基板載置台的旋轉方向來設於前述處理室內的第2處理領域之工程；藉由設在前述第2處理領域內的一部分之電漿生成部，在前述第2處理領域內開始前述含第2元素氣體的電漿的生成之第1工程；及藉由前述基板載置台的旋轉，使前述複數的基板依序以預定次數交替通過前述第1處理領域及前述第2處理領域，當前述基板通過前述第1處理領域時，在前述基板上形成含有前述第1元素的含第1元素層，當前述基板通過前述第2處理領域時，藉由前述含第2元素氣體的電漿來將前述含第1元素層改質，藉此在前述基板上形成含有前述第1元素及前述第2元素的薄膜之第2工程，在前述第1工程中，將前述第2處理領域內的電漿密度形成比前述第2工程的前述第2處理領域內的電漿密度更低。
(附記15)
若根據另外其他的形態，則提供一種半導體裝置的製 造方法，其係具有：在處理基板的處理室內設成旋轉自如的基板載置台上，沿著前述基板載置台的旋轉方向來載置基板之工程；使前述基板載置台旋轉之工程；將前述處理室內排氣之工程；將含第1元素氣體供給至沿著前述基板載置台的旋轉方向來設於前述處理室內的第1處理領域之工程；將含第2元素氣體供給至沿著前述基板載置台的旋轉方向來設於前述處理室內的第2處理領域之工程；藉由設在前述第2處理領域內的至少一部分之電漿生成部，在前述第2處理領域內使前述含第2元素氣體以第1活性度活化之第1工程；及在前述第2處理領域內使前述含第2元素氣體以比前述第1活性度更低的第2活性度活化之第2工程。
(附記16)
提供一種程式，其係使下列程序實行於電腦：在處理基板的處理室內設成旋轉自如的基板載置台上，沿著前述基板載置台的旋轉方向來使基板載置之程序；使前述基板載置台旋轉之程序；使前述處理室內排氣之程序；使含第1元素氣體供給至沿著前述基板載置台的旋轉方向來設於前述處理室內的第1處理領域之程序； 使含第2元素氣體供給至沿著前述基板載置台的旋轉方向來設於前述處理室內的第2處理領域之程序；藉由設在前述第2處理領域內的至少一部分的電漿生成部，在前述第2處理領域內使前述含第2元素氣體以第1活性度活化之第1程序；及在前述第2處理領域內使前述含第2元素氣體以比前述第1活性度更低的第2活性度活化之第2程序。
(附記17)
提供一種記錄媒體，其係記錄有使下列程序實行於電腦的程式，在處理基板的處理室內設成旋轉自如的基板載置台上，沿著前述基板載置台的旋轉方向來使基板載置之程序；使前述基板載置台旋轉之程序；使前述處理室內排氣之程序；使含第1元素氣體供給至沿著前述基板載置台的旋轉方向來設於前述處理室內的第1處理領域之程序；使含第2元素氣體供給至沿著前述基板載置台的旋轉方向來設於前述處理室內的第2處理領域之程序；藉由設在前述第2處理領域內的至少一部分的電漿生成部，在前述第2處理領域內使前述含第2元素氣體以第1活性度活化之第1程序；及在前述第2處理領域內使前述含第2元素氣體以比前 述第1活性度更低的第2活性度活化之第2程序。
200‧‧‧晶圓(基板)
108‧‧‧晶圓盒開盒機
202a‧‧‧第1製程腔室
112‧‧‧第1晶圓移載機
202b‧‧‧第2製程腔室
115‧‧‧第1晶圓移載機升降機
202c‧‧‧第3製程腔室
121‧‧‧第2搬送室
202d‧‧‧第4製程腔室
100‧‧‧晶圓盒(FOUP)
122、123‧‧‧預備室
100a‧‧‧蓋
124‧‧‧第2晶圓移載機
101、125‧‧‧框體
126、127、128、129‧‧‧閘閥
103‧‧‧第1搬送室
105‧‧‧裝載埠(IO平台)
134‧‧‧基板搬入搬出口
106‧‧‧槽口對準裝置
150、151、152、153‧‧‧閘閥
10‧‧‧基板處理裝置
300‧‧‧控制器(控制部)

Claims (16)

  1. 一種半導體裝置的製造方法，其特徵係具有：在處理基板的處理室內設成旋轉自如的基板載置台上，沿著前述基板載置台的旋轉方向來載置複數的基板之工程；使前述基板載置台旋轉，將前述處理室內排氣，開始供給含第1元素氣體至沿著前述基板載置台的旋轉方向來設於前述處理室內的第1處理領域之工程；開始供給含第2元素氣體至設於前述處理室的第2處理領域之工程；藉由電漿生成部，在前述第2處理領域內開始生成前述含第2元素氣體的電漿，將前述電漿設為第1活性度之第1工程；及藉由前述基板載置台的旋轉，使前述複數的基板依序以預定次數交替通過前述第1處理領域及前述第2處理領域，在前述第1處理領域形成含第1元素層，在前述第2處理領域生成比前述第1活性度更高的第2活性度的前述電漿而將前述含第1元素層改質，在前述基板上形成含有前述第1元素及前述第2元素的薄膜之第2工程，在前述第1工程，係使前述電漿的前述第1活性度慢慢地上昇，在前述第2工程，係將前述電漿的前述第2活性度維持預定時間。
  2. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法， 其中，具有：使前述第2處理領域的前述電漿的活性度從前述第2活性度慢慢地降低之第3工程。
  3. 如申請專利範圍第2項之半導體裝置的製造方法，其中，在前述第3工程，使前述基板載置台旋轉，繼續供給前述含第1元素氣體及前述含第2元素氣體。
  4. 如申請專利範圍第2項之半導體裝置的製造方法，其中，在前述第3工程，使前述第2處理領域內的壓力及前述含第2元素氣體的流量之至少任一方慢慢地降低。
  5. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法，其中，在前述第1工程，使前述第2處理領域內的壓力及前述含第2元素氣體的流量之至少任一方慢慢地降低。
  6. 如申請專利範圍第5項之半導體裝置的製造方法，其中，在前述第2工程，將在前述第1工程使上昇的前述第2處理領域內的壓力及前述含第2元素氣體的流量之至少任一方維持預定時間。
  7. 一種半導體裝置的製造方法，其特徵係具有：在處理基板的處理室內設成旋轉自如的基板載置台上，沿著前述基板載置台的旋轉方向來載置複數的基板之工程；使前述基板載置台旋轉，將前述處理室內排氣，開始供給含第1元素氣體至沿著前述基板載置台的旋轉方向來設於前述處理室內的第1處理領域之工程；開始供給含第2元素氣體至設於前述處理室的第2處理領域之工程； 藉由電漿生成部，在前述第2處理領域內開始生成前述含第2元素氣體的電漿，將前述電漿設為第1活性度之第1工程；藉由前述基板載置台的旋轉，使前述複數的基板依序以預定次數交替通過前述第1處理領域及前述第2處理領域，在前述第1處理領域形成含第1元素層，在前述第2處理領域生成比前述第1活性度更高的第2活性度的前述電漿而將前述含第1元素層改質，在前述基板上形成含有前述第1元素及前述第2元素的薄膜之第2工程；及使前述第2處理領域的前述電漿的活性度從前述第2活性度慢慢地降低之第3工程。
  8. 一種基板處理裝置，其特徵係具有：處理室，其係具有第1處理領域及第2處理領域，在前述第1處理領域內及前述第2處理領域內處理基板；基板載置台，其係於前述處理室內設成旋轉自如，沿著旋轉方向來載置複數的前述基板；旋轉機構，其係使前述基板載置台旋轉，而使前述複數的基板能夠依序交替通過前述第1處理領域及前述第2處理領域；處理氣體供給系，其係於前述第1處理領域內供給含第1元素氣體，且在前述第2處理領域內供給含第2元素氣體；排氣系，其係將前述處理室內排氣，且調整前述處理室內的壓力； 電漿生成部，其係在前述第2處理領域內生成前述含第2元素氣體的電漿；及控制部，其係控制前述旋轉機構，前述處理氣體供給系，前述排氣系，及前述電漿生成部，而使能夠進行下列處理：使前述基板載置台旋轉，將前述處理室內排氣，供給前述含第1元素氣體至前述第1處理領域之處理；開始供給前述含第2元素氣體至前述第2處理領域之處理；藉由前述電漿生成部，在前述第2處理領域內開始生成前述含第2元素氣體的電漿，將前述電漿設為第1活性度之第1處理；藉由前述基板載置台的旋轉，使前述複數的基板依序以預定次數交替通過前述第1處理領域及前述第2處理領域，在前述基板上形成含第1元素層，在前述第2處理領域生成比前述第1活性度更高的第2活性度的前述電漿，而將前述含第1元素層改質，在前述基板上形成含有前述第1元素及前述第2元素的薄膜之第2處理，前述控制部，係在前述第1處理，使前述電漿的前述第1活性度慢慢地上昇，在前述第2處理，將前述電漿的前述第2活性度維持預定時間。
  9. 如申請專利範圍第8項之基板處理裝置，其中，前述控制部，係進行使前述第2處理領域的前述電漿的活性度從前述第2活性度慢慢地降低之第3處理。
  10. 如申請專利範圍第9項之基板處理裝置，其中，前述控制部，係在前述第3處理，使前述基板載置台旋轉，繼續供給前述含第1元素氣體及前述含第2元素氣體。
  11. 如申請專利範圍第9項之基板處理裝置，其中，前述控制部，係在前述第3工程，使前述第2處理領域內的壓力及前述含第2元素氣體的流量之至少任一方慢慢地降低。
  12. 如申請專利範圍第8項之基板處理裝置，其中，前述控制部，係在前述第1工程，使前述第2處理領域內的壓力及前述含第2元素氣體的流量之至少任一方慢慢地降低。
  13. 如申請專利範圍第12項之基板處理裝置，其中，前述控制部，係在前述第2工程，將在前述第1工程使上昇的前述第2處理領域內的壓力及前述含第2元素氣體的流量之至少任一方維持預定時間。
  14. 一種基板處理裝置，其特徵係具有：處理室，其係具有第1處理領域及第2處理領域，在前述第1處理領域內及前述第2處理領域內處理基板；基板載置台，其係於前述處理室內設成旋轉自如，沿著旋轉方向來載置複數的前述基板；旋轉機構，其係使前述基板載置台旋轉，而使前述複數的基板能夠依序交替通過前述第1處理領域及前述第2處理領域； 處理氣體供給系，其係於前述第1處理領域內供給含第1元素氣體，且在前述第2處理領域內供給含第2元素氣體；排氣系，其係將前述處理室內排氣，且調整前述處理室內的壓力；電漿生成部，其係在前述第2處理領域內生成前述含第2元素氣體的電漿；控制部，其係控制前述旋轉機構，前述處理氣體供給系，前述排氣系，及前述電漿生成部，而使能夠進行下列處理：使前述基板載置台旋轉，將前述處理室內排氣，供給前述含第1元素氣體至前述第1處理領域之處理；開始供給前述含第2元素氣體至前述第2處理領域之處理；藉由前述電漿生成部，在前述第2處理領域內開始生成前述含第2元素氣體的電漿，將前述電漿設為第1活性度之第1處理；藉由前述基板載置台的旋轉，使前述複數的基板依序以預定次數交替通過前述第1處理領域及前述第2處理領域，在前述基板上形成含第1元素層，在前述第2處理領域生成比前述第1活性度更高的第2活性度的電漿，而將前述含第1元素層改質，在前述基板上形成含有前述第1元素及前述第2元素的薄膜之第2處理；及使前述第2處理領域的前述電漿的活性度從前述第2 活性度慢慢地降低之第3處理。
  15. 一種記錄媒體，其特徵係記錄有使下列程序實行於電腦的程式：在處理基板的處理室內設成旋轉自如的基板載置台上，沿著前述基板載置台的旋轉方向來使基板載置之程序；使前述基板載置台旋轉之程序；使前述處理室內排氣之程序；使含第1元素氣體供給至沿著前述基板載置台的旋轉方向來設於前述處理室內的第1處理領域之程序；使含第2元素氣體供給至沿著前述基板載置台的旋轉方向來設於前述處理室內的第2處理領域之程序；藉由電漿生成部，在前述第2處理領域內開始生成前述含第2元素氣體的電漿，使前述電漿以第1活性度活化之第1程序；及藉由前述基板載置台的旋轉，使前述複數的基板依序以預定次數交替通過前述第1處理領域及前述第2處理領域，在前述第1處理領域形成含第1元素層，在前述第2處理領域生成比前述第1活性度更高的第2活性度的前述電漿而將前述含第1元素層改質，在前述基板上形成含有前述第1元素及前述第2元素的薄膜之第2程序，在前述第1程序，係使前述電漿的前述第1活性度慢慢地上昇，在前述第2程序，係將前述電漿的前述第2活性度維 持預定時間。
  16. 一種記錄媒體，其特徵係記錄有使下列程序實行於電腦的程式：在處理基板的處理室內設成旋轉自如的基板載置台上，沿著前述基板載置台的旋轉方向來使基板載置之程序；使前述基板載置台旋轉之程序；使前述處理室內排氣之程序；使含第1元素氣體供給至沿著前述基板載置台的旋轉方向來設於前述處理室內的第1處理領域之程序；使含第2元素氣體供給至沿著前述基板載置台的旋轉方向來設於前述處理室內的第2處理領域之程序；藉由電漿生成部，在前述第2處理領域內開始生成前述含第2元素氣體的電漿，使前述電漿以第1活性度活化之第1程序；藉由前述基板載置台的旋轉，使前述複數的基板依序以預定次數交替通過前述第1處理領域及前述第2處理領域，在前述第1處理領域形成含第1元素層，在前述第2處理領域生成比前述第1活性度更高的第2活性度的前述電漿而將前述含第1元素層改質，在前述基板上形成含有前述第1元素及前述第2元素的薄膜之第2程序；及使前述第2處理領域的前述電漿的活性度從前述第2活性度慢慢地降低之第3程序。
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