TWI542648B - A coating composition for a touch panel, a coating film, and a touch panel - Google Patents

Description

觸控面板用塗佈組成物、塗佈膜及觸控面板

本發明係關於一種觸控面板用塗佈組成物、由該塗佈組成物所形成之塗佈膜、及具有該塗佈膜觸控面板。

自以往，係於各種目的下於玻璃、陶瓷、金屬、塑膠等之基材表面上進行無機被膜的形成。藉由於基材表面形成無機被膜，可對基材賦予電氣特性、光學特性、化學特性、機械特性等。因此，該等無機被膜，可實用化為導電膜、絕緣膜、選擇性透過或吸收光線之膜、抗鹼溶出膜、耐藥品膜、硬塗膜等。

形成如此之無機被膜之方法，可舉例如CVD(Chemical Vapor Deposition，化學蒸氣沉積法)、PVD(Physical Vapor Deposition，物理蒸氣沉積法)、濺鍍法等氣相法、或使用烷氧化物等之液相法。

一般而言，氣相法需要如真空蒸鍍裝置之高價且大規模之裝置。又，亦有可成膜之基材大小或形狀受到限制的問題。另一方面，使用烷氧化物之液相法，已知有熔膠-凝膠法。該方法，具有可因應大面積之塗佈、圖型化等之優點。因此，以液相法所成之無機被膜，大量地做為電子元件中之塗佈膜使用(例如，參照專利文獻1)。特別是，最近正探討著於觸控面板的使用。

近年來，智慧型行動電話普及的同時，行動電話之顯 示畫面亦大型化。因此，可利用顯示器的顯示進行輸入操作之觸控面板的開發正蓬勃地進行著。藉由觸控面板，由於不需要按壓式之鍵等輸入機構，故可謀求顯示畫面的大型化。

觸控面板，係檢測手指或筆等所觸碰之操作區域的接觸位置。利用該功能，觸控面板係作為輸入裝置使用。接觸位置之檢測方式，有電阻膜方式或靜電容量方式等。電阻膜方式，係使用相對向之2片基板，相對於此，靜電容量方式，所使用之基板可為1片。因此，藉由靜電容量方式，可構成薄型之觸控面板，可適於可攜式機器等，故近年來持續進行開發。

於專利文獻2，揭示一種靜電容量方式之觸控面板。於該觸控面板，於透明基板的一面，配置用以檢測X方向之座標的第1透明電極、與用以檢測Y方向之座標的第2透明電極，於各交叉部分存在有層間絕緣裝置以使其不導通。

觸控面板，係組裝於液晶顯示裝置等之顯示裝置，作為付有能檢測觸控位置之觸控面板功能的顯示裝置使用。由於觸控面板之操作者，係透過觸控面板以目視辨認顯示裝置，故於透明電極係使用光之透過特性優異的構件。例如，使用ITO(Indium Tin Oxide，銦錫氧化物)等無機材料。又，層間絕緣膜，係使用可圖型化、絕緣性之丙烯酸材料等。

專利文獻1：日本特開第2881847號公報

專利文獻2：日本特開2010-28115號公報

如上述之觸控面板，於操作區域會有手指或筆實際地接觸而按壓等，故需要強度與高可靠性。因此，探討著透過層間絕緣膜重疊之第1及第2電極之上設置保護膜。

保護膜，係使用能圖型化之丙烯酸材料。然而，由於丙烯酸材料為有機材料，故作為保護膜之硬度不足。又，當於透明電極使用ITO時，對ITO之密合性弱，而成為使觸控面板之可靠性降低之原因之一。再者，丙烯酸材料，難以利用膠版印刷等印刷技術形成膜。因此，於膜形成之際，需要利用步驟複雜之光微影技術。

因此，作為保護膜，探討著取代丙烯酸膜之以無機材料為成分之塗佈膜。當為以無機材料為成分之膜時，一般係硬度高，作為觸控面板之塗佈膜可期待高可靠性。因此，對於以無機材料為成分之塗佈膜，要求能利用印刷技術來形成膜，並與上述之丙烯酸材料等有機材料之層間絕緣膜顯示高密合性。

又，於靜電容量方式之觸控面板，ITO等透明電極所形成之區域、與未形成透明電極之區域，會產生反射率的差異。因此，透明電極之圖案會有目視辨認性、顯示性降低的問題。

如上述，以往之觸控面板，係使用丙烯酸膜作為透明 電極上之保護膜材料。然而，於該情況下，並未考量丙烯酸膜之折射率特性。因此，於丙烯酸膜無法期待不使透明電極圖型顯眼的效果。因此，當使用以無機材料為成分之塗佈膜取代丙烯酸膜時，該膜可使透明電極變得不顯眼，故較佳。具體而言，較佳為使用折射率經考量之塗佈膜。

本發明係有鑑於上述觀點而完成者。亦即，本發明之目的在於提供一種適用於觸控面板、能實現高可靠性之折射率經控制之塗佈膜、及可形成該塗佈膜之塗佈組成物。

又，本發明之另一目的在於於電極上具有折射率經控制、可實現高可靠性之塗佈膜的觸控面板。

本發明係用以達成上述目的者，以下述為要旨。

1.一種觸控面板用塗佈組成物，其特徵係含有：下述通式(I)所示之第1金屬烷氧化物、下述通式(II)所示之第2金屬烷氧化物、下述通式(III)所示之金屬鹽、有機溶劑、水、與抗析出劑。

M¹(OR¹)_n (I)

(式中，M¹表示選自矽(Si)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鋯(Zr)、硼(B)、鋁(Al)、鎂(Mg)及鋅(Zn)所構成群中之至少1金屬，R¹表示碳數1~5之烷基，n表示M¹之價數2~5。)

R² ₁M²(OR³)_m-1 (II)

(式中，M²表示選自矽(Si)、鈦(Ti)、鉭(Ta) 、鋯(Zr)、硼(B)、鋁(Al)、鎂(Mg)及鋅(Zn)所構成群中之至少1金屬。R²表示氫原子或亦可以氟原子取代、且亦可以鹵素原子、乙烯基、縮水甘油醚基、巰基、甲基丙烯醯氧基、丙烯醯氧基、異氰酸酯基、胺基或醯脲基取代、且亦可具有雜原子之碳數1~20之烴基。R³表示碳數1~5之烷基。m表示M²之價數2~5，l當m之價數為3時為1或2，當m之價數為4時為1~3，當m之價數為5時1~4。)

M³(X)_k (III)

(式中，M³表示由鋁(Al)、銦(In)、鋅(Zn)、鋯(Zr)、鉍(Bi)、鑭(La)、鉭(Ta)、釔(Y)及鈰(Ce)所構成群中之至少1種金屬，X表示鹽酸、硝酸、硫酸、乙酸、草酸、胺磺酸、磺酸、乙醯乙酸或乙醯丙酮酸鹽之殘基、或該等之鹼式鹽，k表示M³之價數)。

2.如上述1所記載之觸控面板用塗佈組成物，其第2金屬烷氧化物之含量，相對於第1金屬烷氧化物與第2金屬烷氧化物之合計總金屬烷氧化物，為15莫耳%以上。

3.如上述1或2所記載之觸控面板用塗佈組成物，其中，該抗析出劑，係選自N-甲基-吡咯烷酮、乙二醇、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、二乙二醇、丙二醇、己二醇及該等之衍生物所構成群中之至少1種以上之物質。

4.如上述1至3中任一項所記載之觸控面板用塗佈組成物，其中，金屬鹽之金屬原子(M³)、與第1金屬烷 氧化物及第2金屬烷氧化物之金屬原子(M¹及M²)之莫耳比為0.01≦M³/(M¹+M²+M³)≦0.7。

5.如上述1至4中任一項所記載之觸控面板用塗佈組成物，其中，第1金屬烷氧化物，為矽烷氧化物或其之部分縮合物、與鈦烷氧化物之混合物。

6.如上述1至5中任一項所記載之觸控面板用塗佈組成物，其中，該金屬鹽，係金屬硝酸鹽、金屬硫酸鹽、金屬乙酸鹽、金屬氯化物、金屬草酸鹽、金屬胺磺酸鹽、金屬磺酸鹽、金屬乙醯乙酸鹽、金屬乙醯丙酮酸鹽或該等之鹼式鹽。

7.如上述1至6中任一項所記載之觸控面板用塗佈組成物，其中，該第1金屬烷氧化物，為矽烷氧化物或其之部分縮合物、與鈦烷氧化物之混合物，該有機溶劑，係含有伸烷二醇類或其之單醚衍生物。

8.一種塗佈膜，其係使用如上述1至7中任一項所記載之觸控面板用塗佈組成物所成膜之塗佈膜。

9.如上述8所記載之塗佈膜，其之折射率為1.52~1.70，膜厚為40nm~170nm。

10.一種觸控面板，其係於基板之操作範圍形成有透明電極之圖型之觸控面板，其特徵係，將如上述8或9所記載之塗佈膜配置於該透明電極之圖型之至少一部分上。

11.如上述10所記載之觸控面板，其中，該透明電極圖型，係具有用以檢測至少2個相異方向之位置的第1透明電極圖型、與第2透明電極圖型而構成， 該第1透明電極圖型與該第2透明電極圖型之至少一部分，在該基板之操作範圍重疊，且該重疊部分之該第1透明電極圖型與該第2透明電極圖型之間，配置有由有機材料所構成之膜，該塗佈膜，係以被覆該第1透明電極圖型或該第2透明電極圖型之至少一部分、及該由有機材料所構成之膜之至少一部分的方式構成。

12.如上述11所記載之觸控面板，其中，該第1透明電極圖型與該第2透明電極圖型之重疊部分，於該基板之操作範圍有複數個，於該等複數之重疊部分，分別配置有面積較該重疊部分之面積大之該由有機材料所構成之膜。

藉由本發明，可提供一種能形成適用於觸控面板、可實現高可靠性、折射率經控制之塗佈膜的觸控面板用塗佈組成物。

又，藉由本發明，亦可提供折射率經控制、具有高強度之適用為觸控面板之塗佈膜的塗佈膜。

藉由本發明，亦可提供可不使電極之圖型顯眼、具有高可靠性之觸控面板。

<塗佈組成物>

本發明之塗佈組成物係含有：上述通式(I)所示之第1金屬烷氧化物、上述通式(II)所示之第2金屬烷氧化物、上述通式(III)所示之金屬鹽、有機溶劑、水、與抗析出劑。藉由將該塗佈組成物成膜可得適於觸控面板之塗佈膜。

由本發明之塗佈組成物所得之塗佈膜，係以無機物之金屬氧化物為主要成分者，與由丙烯酸材料等有機材料所構成之塗佈膜相比，硬度高、具有高強度。因此，適於作為觸控面板之電極用保護膜。又，可減低觸控面板中透明電極被目視辨認之所謂「可見電極圖型」現象，而將折射率控制為最佳範圍。其之結果，可防止使用用該塗佈膜之觸控面板之顯示裝置之顯示性的降低。

本發明所得之塗佈膜，例如，配置於觸控面板之基板之操作區域之透明電極圖型，係具有用以檢測2個相異方向之位置之2種透明電極圖型的構成。此時，係以不使2種透明電極圖型電氣連接的方式，於該等之間配置丙烯酸等有機材料所構成之層間絕緣膜。當為如此之構成之觸控面板時，於層間絕緣膜上以形成有塗佈膜。因此，由於塗佈膜與層間絕緣膜之熱伸縮性的差異，而於塗佈膜產生裂痕，使觸控面板之可靠性降低，是其問題。

本發明之塗佈組成物，為了不使觸控面板之塗佈膜產生裂痕，較佳為針對所含之成分之構造與組成進行選擇。更詳而言之，本發明之塗佈組成物，對於主成分之金屬烷氧化物，可選擇於塗佈膜之形成之較佳之構造與組成。

本發明之塗佈組成物，含有：下述通式(I)所示構造之第1金屬烷氧化物、下述通式(II)所示構造之第2金屬烷氧化物。

M¹(OR¹)_n (I)

式(I)中，M¹、R¹、n係如上述所定義者。其中，M¹較佳為矽(Si)、鈦(Ti)、鋯(Zr)、或鋁(Al)，特佳為矽(Si)、或鈦(Ti)。又，n較佳為3或4。

R² ₁M²(OR³)_m-1 (II)

式(II)中，M²、R²、R³、m係如上述所定義者。其中，M²較佳為矽(Si)、鈦(Ti)、鋯(Zr)、或鋁(Al)，特佳為矽(Si)、或鈦(Ti)。

式(I)所示之金屬烷氧化物，當使用矽烷氧化物或其之部分縮合物時，係使用通式(IV)所示之化合物之1種或2種以上之混合物或部分縮合物(較佳為5聚物以下)。

Si(OR’)₄ (IV)

式(IV)中，R’表示碳數1~5、較佳為1~3之烷基、或乙醯氧基。

更具體而言，矽烷氧化物，例如可使用四甲氧矽烷、四乙氧矽烷、四丙氧矽烷、四丁氧矽烷、四乙醯氧矽烷等四烷氧矽烷類等。

又，式(I)所示之金屬烷氧化物，當使用鈦烷氧化物或部分縮合物時，係使用通式(V)所示之化合物之1種或2種以上之混合物或部分縮合物(較佳為5聚物以下 )。

Ti(OR”)₄ (V)

式(IV)中，R”表示碳數1~5之烷基。

式(I)所示之金屬烷氧化物，具體而言，鈦烷氧化物，可使用四乙氧化鈦、四丙氧化鈦、四丁氧化鈦等四烷氧化鈦化合物或鈦四-正丁氧化四聚物等之部分縮合物等。

式(I)所示之金屬烷氧化物之其他例，可舉例如四乙氧化鋯、四丙氧化鋯、四丁氧化鋯等四烷氧化鋯化合物；三丁氧化鋁、三異丙氧化鋁、三乙氧化鋁等三烷氧化鋁化合物；五丙氧化鉭、五丁氧化鉭等五烷氧化鉭化合物等。

第1金屬烷氧化物之含量，相對於塗佈組成物所含之第1金屬烷氧化物與第2金屬烷氧化物之合計量，較佳為20莫耳%~85莫耳%、更佳為30莫耳%~70莫耳%。

上述式(II)所示之第2金屬烷氧化物，係與上述第1金屬烷氧化物一同使用於本發明之塗佈組成物。塗佈組成物，藉由含有第2金屬烷氧化物，當於丙烯酸材等有機材料所構成之膜上形成塗佈膜時，可緩和塗佈膜與有機膜之間之熱伸縮性的差異。其結果，即使於有機膜上形成塗佈膜，亦可防止於塗佈膜上產生裂痕。例如，於觸控面板，若於上述之層間絕緣膜等使用丙烯酸材料所構成之有機膜，即使於其上形成塗佈膜，亦可防止於層間絕緣膜上之塗佈膜產生裂痕。

第2金屬烷氧化物之含量，相對於塗佈組成物所含之第1金屬烷氧化物與第2金屬烷氧化物之合計量，較佳為80莫耳%~15莫耳%、更佳為70莫耳%~30莫耳%。當R²之碳數為3以下時，以使式(II)所示之金屬烷氧化物之含量為30%以上，當R²之碳數為4以上、或R²中含有巰基時，以使第2金屬烷氧化物之含量為15%以上為佳，又，75莫耳%以下為更佳。

當第2金屬烷氧化物之含量未滿15莫耳%時，於上述之有機膜上所得之塗佈膜塗佈膜會有產生裂痕的情形。又，當為80莫耳%以上時，雖不產生裂痕，但會產生無法得到均一塗佈膜的現象。藉由使其為如此之含量，可抑制上述之塗佈膜之裂痕的產生。

塗佈組成物所含之第1金屬烷氧化物與第2金屬烷氧化物之合計含量，較佳為0.5重量%~20重量%、更佳為1重量%~15重量%。當該比率大時，塗佈組成物之貯藏安定性會變差，使塗佈膜之膜厚控制變得困難。另一方面，當小時，所得塗佈膜之厚度變薄，為了得到既定之膜厚必須多數次的塗佈。

式(II)所示之較佳之金屬烷氧化物，例如，當M₂為矽時，可舉例如以下之化合物。

可舉例如甲基三甲氧矽烷、甲基三丙氧矽烷、甲基三乙醯氧矽烷、甲基三丁氧矽烷、甲基三戊氧矽烷、甲基三戊氧矽烷、甲基三苯氧矽烷、甲基三苄氧矽烷、甲基三苯乙氧矽烷、縮水甘油醚基甲基三甲氧矽烷、縮水甘油醚基 甲基三乙氧矽烷、α-縮水甘油醚基乙基三甲氧矽烷、α-縮水甘油醚基乙基三乙氧矽烷、β-縮水甘油醚基乙基三甲氧矽烷、β-縮水甘油醚基乙基三乙氧矽烷、α-縮水甘油醚基丙基三甲氧矽烷、α-縮水甘油醚基丙基三乙氧矽烷、β-縮水甘油醚基丙基三甲氧矽烷、β-縮水甘油醚基丙基三乙氧矽烷、γ-縮水甘油醚基丙基三甲氧矽烷、γ-縮水甘油醚基丙基三乙氧矽烷、γ-縮水甘油醚基丙基三丙氧矽烷、γ-縮水甘油醚基丙基三丁氧矽烷、γ-縮水甘油醚基丙基三苯氧矽烷、α-縮水甘油醚基丁基三甲氧矽烷、α-縮水甘油醚基丁基三乙氧矽烷、β-縮水甘油醚基丁基三乙氧矽烷、γ-縮水甘油醚基丁基三甲氧矽烷、γ-縮水甘油醚基丁基三乙氧矽烷、δ-縮水甘油醚基丁基三甲氧矽烷、δ-縮水甘油醚基丁基三乙氧矽烷、(3,4-環氧基環己基)甲基三甲氧矽烷、(3,4-環氧基環己基)甲基三乙氧矽烷、β-(3,4-環氧基環己基)乙基三甲氧矽烷、β-(3,4-環氧基環己基)乙基三乙氧矽烷、β-(3,4-環氧基環己基)乙基三丙氧矽烷、β-(3,4-環氧基環己基)乙基三丁氧矽烷、β-(3,4-環氧基環己基)乙基三苯氧矽烷、γ-(3,4-環氧基環己基)丙基三甲氧矽烷、γ-(3,4-環氧基環己基)丙基三乙氧矽烷、δ-(3,4-環氧基環己基)丁基三甲氧矽烷、δ-(3,4-環氧基環己基)丁基三乙氧矽烷、縮水甘油醚基甲基甲基二甲氧矽烷、縮水甘油醚基甲基甲基二乙氧矽烷、α-縮水甘油醚基乙基甲基二甲氧 矽烷、α-縮水甘油醚基乙基甲基二乙氧矽烷、β-縮水甘油醚基乙基甲基二甲氧矽烷、β-縮水甘油醚基乙基乙基二甲氧矽烷、α-縮水甘油醚基丙基甲基二甲氧矽烷、α-縮水甘油醚基丙基甲基二乙氧矽烷、β-縮水甘油醚基丙基甲基二甲氧矽烷、β-縮水甘油醚基丙基乙基二甲氧矽烷、γ-縮水甘油醚基丙基甲基二甲氧矽烷、γ-縮水甘油醚基丙基甲基二乙氧矽烷、γ-縮水甘油醚基丙基甲基二丙氧矽烷、γ-縮水甘油醚基丙基甲基二丁氧矽烷、γ-縮水甘油醚基丙基甲基二苯氧矽烷、γ-縮水甘油醚基丙基乙基二甲氧矽烷、γ-縮水甘油醚基丙基乙基二乙氧矽烷、γ-縮水甘油醚基丙基乙烯基二甲氧矽烷、γ-縮水甘油醚基丙基乙烯基二乙氧矽烷、乙基三甲氧矽烷、乙基三乙氧矽烷、乙烯基三甲氧矽烷、乙烯基三乙氧矽烷、乙烯基三乙醯氧矽烷、苯基三甲氧矽烷、苯基三乙氧矽烷、苯基三乙醯氧矽烷、γ-氯丙基三甲氧矽烷、γ-氯丙基三乙氧矽烷、γ-氯丙基三乙醯氧矽烷、3,3,3-三氟丙基三甲氧矽烷、γ-甲基丙烯氧基丙基三甲氧矽烷、γ-巰基丙基三甲氧矽烷、γ-巰基丙基三乙氧矽烷、β-氰基乙基三乙氧矽烷、氯甲基三甲氧矽烷、氯甲基三乙氧矽烷、N-(β-胺基乙基)γ-胺基丙基三甲氧矽烷、N-(β-胺基乙基)γ-胺基丙基甲基二甲氧矽烷、γ-胺基丙基甲基二甲氧矽烷、N-(β-胺基乙基)γ-胺基丙基三乙氧矽烷、N-(β-胺基乙基)γ-胺基丙基甲基二乙氧矽烷、二甲基二甲氧矽烷、苯基甲基二甲 氧矽烷、二甲基二乙氧矽烷、苯基甲基二乙氧矽烷、γ-氯丙基甲基二甲氧矽烷、γ-氯丙基甲基二乙氧矽烷、二甲基二乙醯氧矽烷、γ-甲基丙烯氧基丙基甲基二甲氧矽烷、γ-甲基丙烯氧基丙基甲基二乙氧矽烷、γ-巰基丙基甲基二甲氧矽烷、γ-巰基丙基甲基二乙氧矽烷、甲基乙烯基二甲氧矽烷、甲基乙烯基二乙氧矽烷、γ-醯脲基丙基三乙氧矽烷、γ-醯脲基丙基三甲氧矽烷、γ-醯脲基丙基三丙氧矽烷、(R)-N-1-苯基乙基-N’-三乙氧矽基丙基脲、(R)-N-1-苯基乙基-N’-三甲氧矽基丙基脲、烯丙基三乙氧矽烷、3-甲基丙烯氧基丙基三甲氧矽烷、3-甲基丙烯氧基丙基三乙氧矽烷、3-丙烯氧基丙基三甲氧矽烷、3-丙烯氧基丙基三乙氧矽烷、3-異氰酸酯丙基三乙氧矽烷、三氟丙基三甲氧矽烷、溴丙基三乙氧矽烷、二乙基二乙氧矽烷、二乙基二甲氧矽烷、二苯基二甲氧矽烷、二苯基二乙氧矽烷、三甲基乙氧矽烷、三甲基甲氧矽烷、對苯乙烯基三甲氧矽烷、對苯乙烯基三乙氧矽烷、對苯乙烯基三丙氧矽烷等。該等可單獨使用、或組合2種以上使用。

本發明之塗佈組成物所含之金屬鹽，可以下述通式(III)所示。

M³(X)_k (III)

式(III)中，M³、X、k係如上述所定義者。其中，M³較佳為鋁(Al)、銦(In)、鈰(Ce)或鋯(Zr)。又，X較佳為鹽酸、硝酸、乙酸、草酸、磺酸、乙醯乙酸或 乙醯丙酮酸鹽之殘基、或該等之鹼式鹽。上述X中之各酸之殘基，例如，硝酸亦稱為硝酸根、硫酸亦稱為硫酸根，其之量，係以使與M³之價數等價的方式來含有。又，所謂鹼式鹽，係指於上述各酸之殘基中含有OH基之情形。

式(III)所表示之金屬鹽之中，特別以硝酸鹽、氯化物鹽、草酸鹽或其之鹼式鹽為佳。其中，由取得之容易性、與塗佈組成物之貯藏安定性的觀點考量，更佳為鋁、銦、或鈰之硝酸鹽。

於本發明之塗佈組成物，含有有機溶劑。該有機溶劑，當由塗佈組成物形成該塗膜以得塗佈膜時，係用以調整塗佈組成物之黏度、以改善塗佈性者，故塗佈組成物中之有機溶劑的含量，相對於塗佈組成物所含之總金屬烷氧化物，較佳為80重量%~99.5重量%、更佳為85重量%~99重量%。當有機溶劑之含量少時，所得之塗佈膜之厚度變薄，為了得既定之膜厚需要多數次的塗佈。另一方面，當為多時，塗佈組成物之貯藏安定性變差，而難以控制塗佈膜之膜厚。

塗佈組成物所使用之有機溶劑，可舉例如甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、2-甲基-1-丙醇、2-甲基-2-丙醇等醇類；乙酸乙酯等酯類；乙二醇等二醇類；或該等之酯衍生物；二乙醚等醚類；丙酮、甲乙酮、環己酮等酮類；苯、甲苯等芳香族烴類等。該等可單獨或組合使用。

於塗佈組成物中，當含有鈦烷氧化物成分時，有機溶 劑中所含之伸烷二醇類或其之單醚，可舉例如乙二醇、二乙二醇、丙二醇、己二醇、或該等之單甲基、單乙基、單丙基、單丁基或單苯基醚等。

塗佈組成物所使用之有機溶劑所使用之二醇類或其之單醚，相對於鈦烷氧化物之莫耳比若未滿1，則對鈦烷氧化物之安定性的效果少，塗佈用組成物之貯藏安定性變差。另一方面，多量使用二醇類或其之單醚並無任何問題。例如，塗佈組成物所使用之有機溶劑，可全部皆為上述之二醇類或其之單醚。然而，當塗佈用組成物未含有鈦烷氧化物時，並不一定特別要含有上述之二醇類及/或其之單醚。

塗佈組成物以含有抗析出劑為佳。抗析出劑，係於由塗佈組成物形成塗佈被膜之際，防止金屬鹽析出至塗膜中。抗析出劑，可舉例如N-甲基-吡咯烷酮、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、乙二醇、二乙二醇、丙二醇或己二醇、或該等之衍生物等。其中，以N-甲基-吡咯烷酮、乙二醇、二乙二醇、丙二醇、丙二醇或己二醇或該等之衍生物較佳。抗析出劑，可至少使用一種以上。

塗佈組成物中之抗析出劑之含量，較佳為使用將上述金屬鹽之金屬換算成金屬氧化物，而滿足下述之比率(重量比)者。

(抗析出劑/金屬氧化物)≧1

上述比率若未滿1，形成塗佈被膜時金屬鹽之抗析出效果小。另一方面，若多量使用抗析出劑，雖不對塗佈組 成物造成任何影響，但以200以下為佳。

於抗析出劑，可於金屬鹽之存在下進行水解、縮合反應之際添加金屬烷氧化物、特別是矽烷氧化物、鈦烷氧化物、或矽烷氧化物與鈦烷氧化物，亦可於水解、縮合反應結束後添加。

另一方面，塗佈組成物所含之金屬鹽之含量，構成上述第1及第2金屬烷氧化物之金屬原子(M¹及M²)與上述金屬鹽之金屬原子(M³)之合計的含有比率，以滿足下述之比率(莫耳比)為佳。

0.01≦M³/(M¹+M²+M³)≦0.7

該比率若小於0.01，則所得被膜之機械強度不充分故不佳。另一方面，若超過0.7，則塗佈膜對於玻璃基板或透明電極等基材之密合性低。再者，當以450℃以下之低溫燒成時，所得之塗佈膜之耐藥品性亦有降低的傾向。其中，該比率，以0.01~0.6為更佳。

本發明之塗佈組成物中，只要不損及本發明之效果，亦可含有上述成分以外之成分，例如無機微粒子、金屬氧烷(Metalloxane)寡聚物、金屬氧烷聚合物、整平劑、界面活性劑等成分。

無機微粒子，以氧化矽微粒子、氧化鋁微粒子、氧化鈦微粒子、氟化鎂微粒子等微粒子較佳，以該等無機微粒子之膠體溶液為特佳。該膠體溶液，可為將無機微粒子分散於分散介質者，亦可為市售品之膠體溶液。

本發明中，藉由含有無機微粒子，可賦予所形成之硬 化被膜之表面形狀或其他功能。無機微粒子，其之粒徑以0.001~0.2μm為佳，更佳為0.001~0.1μm。當無機微粒子之平均粒徑超過0.2μm時，使用所調製之塗佈液所形成之硬化被膜的透明性有降低的情形。

無機微粒子之分散介質。可舉例如水及有機溶劑。膠體溶液，由被膜形成用塗佈液的觀點考量，以將pH或pK調整為1~10為佳、更佳為2~7。

膠體溶液之分散介質所使用之有機溶劑，可舉例如甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、乙二醇、丙二醇、丁二醇、2-甲基-2,4-戊二醇、二乙二醇、二丙二醇、乙二醇單丙醚等醇類；甲乙酮、甲基異丁基酮等酮類；甲苯、二甲苯等芳香族烴類；二甲基乙醯胺、N-甲基-吡咯烷酮等醯胺類；乙酸乙酯、乙酸丁酯、γ-丁內酯等酯類；四氫呋喃、1,4-二噁烷等醚類。該等之中，以醇類及酮類較佳。該等有機溶劑，可單獨或混合2種以上作為分散介質使用。

本發明之塗佈組成物中之固體成分濃度，當將上述之金屬烷氧化物與金屬鹽換算為金屬氧化物時，以0.5重量%~20重量%的範圍為佳。固體成分若超過20重量%，則塗佈組成物之貯藏安定性會變差，使塗佈膜之膜厚控制變得困難。另一方面，當固體成分少於0.5重量%時，所得塗佈膜之厚度變薄，為了得到既定之膜厚必須多數次的塗佈。其中，固體成分濃度，以1重量%~15重量%為更佳。

於本發明之塗佈組成物，係將上述之第1及第2金屬烷氧化物於上述金屬鹽的存在下水解，為了得到縮合物而含有水。該水量，相對於上述第1及第2金屬烷氧化物之總莫耳，以2~24莫耳為佳。當該(水量(莫耳)/(金屬烷氧化物之總莫耳數))之比率為2以下時，金屬烷氧化物之水解不充分，使成膜性降低、或使所得之塗佈膜之強度降低，故不佳。又，上述比率若較24多時，由於聚縮合會持續進行，而會使貯藏安定性降低故不佳。其中，該莫耳比，以2~20為更佳。

又，當塗佈組成物所含之金屬鹽為水合鹽時，由於其所含之水分會與水解反應有關，故塗佈組成物所含之水量，必須考量該金屬鹽所含之水分。例如，當共存之金屬鹽為鋁鹽之水合鹽時，由於其所含之水分會與反應有關，故必須考量相對於水解所使用之水量之鋁鹽所含之水分。

於本發明之塗佈組成物，可形成適於觸控面板之塗佈膜。該塗佈膜，係以無機物之金屬氧化物為主要成分之膜，具有較丙烯酸材料等有機材料之膜更高之強度。而於後述之觸控面板中，適用為電極之保護膜。塗佈膜，由於具備適度之熱伸縮性，故即使形成於構成觸控面板之有機膜上，亦可將裂痕的產生抑制為最小限度。又，亦可將折射率控制為最佳之範圍，以減低透明電極圖型可目視辨認所致之顯示裝置之顯示性的降低。

關於塗佈膜之折射率的控制，可藉由控制塗佈組成物的組成來實現。亦即，本發明之塗佈膜，係將上述之塗佈 組成物所含有之金屬烷氧化物水解、縮合所製造者，藉由選擇金屬烷氧化物之組成，可將所形成之塗佈膜之折射率調整為既定之範圍內。例如，當選擇矽烷氧化物與鈦烷氧化物作為金屬烷氧化物時，藉由調整其之混合比率，可將所得之塗佈膜之折射率，調整為後述之既定範圍內、具體而言為1.45~2.1左右之範圍內。

亦即，將塗佈組成物塗佈而成膜、較佳為乾燥後、燒成後所形成之塗佈膜，當所要求之折射率已決定時，能以實現該折射率的方式，決定金屬烷氧化物、例如矽烷氧化物與鈦烷氧化物之組成莫耳比。例如，由僅藉矽烷氧化物之水解所得之塗佈組成物所得之塗膜的折射率，為1.45左右之值。而由僅將鈦烷氧化物水解所得之塗佈組成物所得之塗膜之折射率，為2.1左右之值。因此，當欲將塗佈膜之折射率設定為1.45~2.1左右之間之特定之值時，能以實現該折射率的方式，以既定比例使用矽烷氧化物與鈦烷氧化物來製造塗佈組成物。

又，即使使用其之金屬烷氧化物，亦可調整所得之塗佈膜之折射率。再者，關於本發明之塗佈膜之折射率，除組成條件以外，亦可藉由選擇成膜條件來調整。藉由如此，可於實現塗佈膜之高硬度的同時，實現所欲之折射率值。

由本發明之塗佈組成物製得塗膜時，較佳為如上述，將塗佈組成物之塗膜乾燥、接著燒成。乾燥，以於室溫~150℃進行為佳、更佳為以40~120℃進行。又，乾燥時間 以30秒~10分鐘左右為佳、更佳為1~8分鐘左右。乾燥方法，以使用加熱板或熱風循環式烘箱等為佳。

燒成，考量觸控面板之其他構成構件的耐熱性，較佳為以100℃~300℃進行、更佳為以150℃~250℃進行。又，燒成時間以5分鐘以上為佳、更佳為15分鐘以上。燒成方法，以使用加熱板、熱循環式烘箱、紅外線烘箱等為佳。

於將塗佈組成物之塗膜燒成以製造塗佈膜時，視燒成溫度所得之塗佈膜之折射率會改變。於該場合，若使燒成溫度愈高、愈可提高塗佈膜之折射率。因此，藉由選擇燒成溫度為適當之值，可調整所得之塗佈膜的折射率。

又，當由塗佈組成物製得塗佈膜時，若於燒成前對塗膜照射紫外線(UV)，則所得之塗佈膜的折射率會改變。具體而言，若紫外線照射量愈多，可愈提高塗佈膜的折射率。因此，可選擇紫外線照射的有無以實現所欲之折射率。特別是，當塗佈組成物所含之金屬烷氧化物，含有鈦烷氧化物、鋯烷氧化物或鉭烷氧化物時，藉由對燒成前之塗膜照射紫外線(UV)，所得之塗佈膜之折射率會改變，紫外線照射量愈多，可愈提高塗佈膜的折射率。又，於塗佈膜，當藉由選擇組成等條件可實現所欲之折射率時，亦可不進行紫外線照射。

當進行紫外線照射時，藉由選擇其之照射量時，可調整塗佈膜之折射率。於塗佈膜，當為了所欲之折射率需要照射紫外線時，例如，可使用高壓水銀燈。使用有高壓水 銀燈時，以365nm換算，以全光照射1000mJ/cm²以上之照射量為佳、更佳為3000mJ/cm²~10000mJ/cm²之照射量。紫外線之光源，除高壓水銀燈之外，亦可使用低壓水銀燈、金屬鹵素燈、氙氣燈、準分子燈等。當使用高壓水銀燈以外之光源時，可照射與上述使用高壓水銀燈情形時同量之積算光量。當進行紫外線照射時，亦可於於乾燥步驟與燒成步驟之間進行紫外線照射步驟。

於塗佈組成物，特別是含有鈦烷氧化物成分時，具有於室溫保持下黏度會緩緩上升的性質。因此，雖於實用上不會有成為大問題的懸念，但當於精密地控制塗佈膜的膜厚時，以對溫度等進行慎重地管理為佳。又，如此之黏度的上升，隨塗佈組成物中之鈦烷氧化物之組成比率增多而變得顯著。其可考量係因鈦烷氧化物對矽烷氧化物等之水解速度大、縮合反應快之故。

塗佈組成物，當含有鈦烷氧化物成分時，為了減少黏度變化，較佳為以下之製法(1)與製法(2)之2種。

(1)於將鈦烷氧化物於金屬鹽的存在下進行水解之際，事先將二醇類與鈦烷氧化物充分混合後，視需要，與矽烷氧化物混合，於有機溶劑的存在下進行水解。藉由如此，可得黏度變化小之塗佈組成物。該(1)之製法之有效原因，可推測為由於將鈦烷氧化物與二醇類混合之際會發熱，故於鈦烷氧化物之烷氧基、與二醇類之間產生酯交換反應，因此對於水解、縮合反應為安定化之故。

(2)事先將矽烷氧化物於金屬鹽的存在下進行水解 反應後，混合至與二醇類混合之鈦烷氧化物溶液以進行縮合反應，製得塗佈組成物。藉由如此，可得黏度變化小之塗佈組成物。

該(2)之製法之有效原因，可推測為以下之理由。亦即，矽烷氧化物之水解反應係以較快之速度進行，而之後之縮合反應與鈦烷氧化物相比較慢。因此，若水解反應結束後，快速地加入鈦烷氧化物，則水解反應後之矽烷氧化物之矽烷醇基、與鈦烷氧化物會均一地反應。藉此，鈦烷氧化物的縮合反應性由水解反應後之矽烷氧化物安定化之故。

事先將水解後之矽烷氧化物、與鈦烷氧化物混合之方法，以往即嘗試過。然而，當反應所使用之有機溶劑不含醇類時，無法得到貯藏安定性優異之塗佈組成物。又，2)所示之方法，於由具有快速水解速度之其他金屬烷氧化物與矽烷氧化物製得塗佈組成物時亦有用。

本發明之塗佈組成物，可使用一般所進行之塗佈法，成膜為塗膜，之後，成為塗佈膜。塗佈法，例如，可使用浸漬塗佈法、旋塗法、噴塗法、刷毛塗佈法、輥轉印法、網版印刷法、噴墨法或膠版印刷法等。其中，以適於圖型印刷之噴墨法與膠版印刷法為特佳。

<塗佈膜>

本發明之塗佈膜，係使用上述本發明之塗佈組成物所形成。而作成觸控面板之電極保護膜，適用於後述之本發 明之觸控面板。

本發明之塗佈膜，係含有無機物之金屬氧化物作為成分之塗佈膜，與由丙烯酸材料等有機材料所構成之塗佈膜相比硬度高，具有高強度。亦即，機械強度優異，而能由以手指等之多數次之按壓來保護透明電極。

當觸控面板係由使用有機材料所構成之膜來構成時，例如，當配置於觸控面板之電極間之層間絕緣膜為由丙烯酸等有機材料構成時，本發明之塗佈膜特別有效。亦即，即使於有機材料所構成之膜上形成本發明之塗佈膜，亦可選擇成分組成來使其不會因與有機膜之熱伸縮性的差異而產生裂痕。

又，本發明之塗佈膜，亦適於作為後述之觸控面板之電極的保護膜。亦即，藉由該塗佈膜，可抑制透明電極之目視辨認現象(可見電極圖型現象)。因此，藉由使用該塗佈膜所形成之觸控面板，可減低顯示裝置之顯示性的降低。

於觸控面板之透明電極被目視辨認之原因，係因基板之操作區域之透明電極圖型之折射率與基板之折射率不同所致。觸控面板之透明電極圖型，通常係由無機之金屬氧化物之ITO(銦錫氧化物，Indium Tin Oxide)所構成。ITO之折射率，為1.8~2.1左右。另一方面，玻璃基板之折射率為1.4~1.5前後，故與ITO之折射率有很大的不同。該折射率的不同，於形成有透明電極圖型之區域、與未形成之區域之間，會產生光反射特性的不同。亦即，由於 與干涉相關之界面反射特性，於形成有透明電極圖型之區域、與未形成之區域為不同，結果使畫面顯示中之電極圖型顯眼。

此處，本發明人為了不使電極圖型顯眼而努力探討的結果發現，於基板上所配置之透明電極圖型上，設置將折射率與膜厚控制為所欲之範圍內之層為有效。具體而言，藉由將透明電極圖型之保護層之折射率與膜厚控制為最佳範圍，可抑制觸控面板之不蓄意之透明電極圖型之目視辨認。

本發明之塗佈膜，特別是為了透明電極圖型之目視辨認現象時，係將折射率控制為1.50~1.70之範圍內、較佳為1.52~1.70之範圍內。折射率之控制法，如上述，除控制塗佈組成物之成分組成之外，藉由成膜方法之控制亦可實現。

塗佈膜之形成方法，可舉例如下述方法：於本發明之塗佈組成物，使用膠版印刷等一般所進行之塗佈法，塗膜於觸控電極之電極上以成膜，之後，作成塗佈膜之方法。

<觸控面板>

接著，說明具有本發明之塗佈膜之觸控面板。

圖1及圖2，係說明本發明之觸控面板之構成之圖。圖1，係模式顯示觸控面板之構造之俯視圖。圖2，係沿圖1之A1-A1’之截面圖。

如圖1所示，觸控面板1，係使用透明之基板2所構 成，於基板2之操作區域形成有透明電極之圖型。具體而言，於基板2之操作區域中，具有朝Y方向延伸之第1透明電極3、朝X方向延伸之第2透明電極4。第1透明電極3與第2透明電極4，係由設置於基板2之同一面之同一層所構成。

基板2，係使用玻璃、丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、聚對酞酸乙二酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚偏二氯乙烯樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、聚萘二甲酸乙二酯樹脂、聚乙醯纖維素樹脂等透明材料所構成。特別是，較佳為選擇於塗佈膜5之形成較佳之具備耐熱性與耐藥品性能的材料。基板2之厚度，當使用玻璃時，例如為0.1mm~2mm左右，當使用樹脂薄膜時，例如為10μm~2000μm左右。

圖1中，第1透明電極3與第2透明電極4，各別以複數之墊片部21作為構成要素。各墊片部21，係以使平面上分別隔離、且各墊片部21間之間隙為小的方式配置。亦即，於X軸方向成列之墊片部21、與於Y軸方向成列之墊片部21，係以盡可能使該等相互交叉之區域縮小的方式，配置於操作區域之整體。墊片部21，例如可為菱形、矩形及六角形等多角形等多角形形狀，該等可配置於互相錯開或直列狀。又，分離(隔開)之電極之數目亦不限於圖1之例，若操作區域大則視所要求之檢測位置之精度來決定。

連接複數之墊片部21所構成之第1透明電極3與第2透明電極4，係形成於相當於觸控面板1之操作區域的位 置。第1透明電極3，係分離設置於沿X方向之複數的區域，以檢測X方向之座標。第2透明電極4，係分離設置於沿Y方向之複數的區域，以檢測Y方向之座標。藉由作成如此之構造，亦提高檢測觸控位置之精度。

於第1透明電極3與第2透明電極4，係使用至少對可見光之透過率高、具有導電性之透明電極材料來形成。如此具有導電性之透明電極材料，可舉例如ITO(Indium Tin Oxide，銦錫氧化物)、IZO(Indium Zinc Oxide，銦鋅氧化物)或ZnO(氧化鋅)等。當使用ITO時，為了確保充分之導電性，較佳為使厚度為10nm~200nm。

第1透明電極3與第2透明電極4，例如可以如下方式形成。

首先，考量底層之基板2的材質由選自濺鍍法、真空蒸鍍法、離子鍍法、噴霧法、浸漬法或CVD法等之中之方法成膜為透明導電膜。接著，使用光微影技術將上述透明導電膜圖型化。又，亦可使用將上述材料所構成之導電性填料等分散於有機溶劑之塗料，以印刷法形成既定之圖型。

於透明電極之形成步驟中，以能精度佳地控制膜厚為佳。因此，於形成時，較佳為選擇能實現所欲之膜厚、可形成透明性優異之低電阻之膜的方法。

如圖1及圖2所示，第1透明電極3與第2透明電極4，係形成於基板2之同一面上，成為同一層。因此，第1透明電極3與第2透明電極4，於複數之部位交叉而形成 交叉部18。

於本發明，於交叉部18，係以使第1透明電極3與第2透明電極4之一者與另一者不相接的方式分開。亦即，如圖2所示，於複數之交叉部18之任一者中，雖與與第2透明電極4相連，但第1透明電極3為分開。而為了連接第1透明電極3之分開部位，設置交聯電極20。於交聯電極20與第2透明電極4之間，設置有絕緣性物質所構成之層間絕緣膜19。以下，參照圖1及圖2進一步詳述。

如圖2所示，於交叉部18中之第2透明電極4之上，形成有光透過性之層間絕緣膜19。層間絕緣膜19之形成，係使用感光性丙烯酸樹脂等有機材料。當使用感光性丙烯酸樹脂時，係利用光微影法，成為僅於交叉部18中之第2透明電極4之上形成丙烯酸膜之構造。又，亦可使用SiO₂等無機材料。當使用SiO₂時，例如，可藉由使用遮罩之濺鍍法，形成同樣的構造。當考慮圖型化性時，較佳為於層間絕緣膜19使用丙烯酸膜。

於層間絕緣膜19之上層，設置有交聯電極20。交聯電極20，係將於交叉部18分開之第1透明電極3彼此電氣連接者，較佳為由光透過性之材料形成。藉由設置交聯電極20，可將第1透明電極3於Y方向電氣連接。

如圖1所示，第1透明電極3與第2透明電極4，係將菱形之墊片部21縱向或橫向排列複數個所成之形狀。第2透明電極4中，位於交叉部18之連接部分，係呈寬度較第2透明電極4之菱形之墊片部21更窄的形狀。又 ，交聯電極20，亦以寬度較菱形之墊片部21更窄的形狀形成為長方形。

如圖1及圖2所示，本發明之觸控面板1，於第1透明電極3與第2透明電極4之上，作為保護膜，形成有上述本發明之塗佈膜5。而於相當於觸控面板1之操作區域之部分，被覆有透明電極之形成區域與非形成區域。塗佈膜5，係高硬度，與無機材料所構成之第1透明電極3及第2透明電極4之密合性優異。

於本發明之塗佈膜5之形成，係使用上述本發明之塗佈組成物。具體而言，係使用將上述式(I)與式(II)所示之金屬烷氧化物於鋁鹽的存在下於有機溶劑中水解、縮合，再添加抗析出劑所得之塗佈組成物。

於觸控面板1，能以不使第1透明電極3與第2透明電極4之各透明電極圖型不顯眼的方式，選擇塗佈膜5之折射率與膜厚。具體而言，塗佈膜5之折射率，以大於1.50、1.70以下之範圍內為佳，膜厚以40nm~170nm之範圍內為佳。當塗佈膜5之折射率大於1.50小於1.60時，膜厚以60nm~150nm之範圍內為更佳。又，當塗佈膜5之折射率大於1.60小於1.70時，膜厚以40nm~170nm之範圍內為更佳。

於觸控面板1，例如，塗佈膜5，係由含有矽烷氧化物與鈦烷氧化物之塗佈組成物所形成者，折射率為1.52、膜厚為100nm。

如圖2所示，觸控面板1，係將形成有第1透明電極 3等之面，與顯示面板10之目視辨認側之最上層，透過使用丙烯酸系光硬化性樹脂等之接著層9疊合，藉此可形成1個顯示裝置。此處，接著層9，係設置於塗佈膜5上。

上述之顯示裝置，具有觸控面板1、與顯示面板10，視需要亦可具有背光源。於圖2，雖省略詳細說明，但顯示面板10，可作成與周知之顯示裝置同樣的構成。例如，當為液晶顯示裝置時，顯示面板10，可作成於2片透明基板之間夾持液晶層的構造。與各透明基板之液晶層相鄰側的相反側，可分別設置偏光板。又，於各透明基板，為了控制液晶狀態可形成分段電極或共電極。而液晶層係以各透明基板與密封材密封。

如圖1所示，觸控面板1中，於第1透明電極3及第2透明電極4之端部，分別設置有端子(未圖示)，由該端子拉出複數條之拉出配線11。拉出配線11，可使用銀、鋁、鉻、銅或鉬、或Mo-Nb(鉬-鈮)合金等之含有該等金屬之合金等作成不透明之金屬配線。拉出配線11，係連接於對第1透明電極3及第2透明電極4施加電壓、或檢測觸控位置之控制電路(未圖示)。

於具有以上構成之觸控面板1，係依序於複數之第1透明電極3及第2透明電極4施加電壓而賦與電荷。若導電體之手指觸碰於操作區域之任一部位，則由於指尖、與第1透明電極3及第2透明電極4之間之靜電容量結合而形成電容器。因此，藉由捕捉指尖之接觸位置之電荷的變化，而能檢測出手指觸碰於任一部位。

又，觸控面板1，亦可藉由控制電路(未圖示)，選擇性地於第1透明電極3及第2透明電極4之任一者施加電壓。於該場合，於電壓所施加之透明電極上形成電場，所於該狀態下手指觸碰，則接觸位置會透過人體之靜電容量而接地。其之結果，於對象之第1透明電極3或第2透明電極4之端子(未圖示)、與接觸位置之間，會產生電阻值的變化。該電阻值，與接觸位置、與對象之第1透明電極3或第2透明電極4之端子之距離成比例，故藉由以控制電路檢測流通接觸位置、與對象之第1透明電極3或第2透明電極4之端子之間之電流值，可求出接觸位置之座標。

本發明之觸控面板1，藉由設置於第1及第2透明電極3、4上之塗佈膜5的效果，可抑制操作區域中透明電極圖型而亦能抑制操作區域中透明電極圖型的顯眼情形。

接著，說明本發明之觸控面板1之製造方法。

圖3(a)~(d)，係顯示本發明之第1例之觸控面板之製造方法之步驟截面圖。

首先，準備玻璃基板等之透明基板2。基板2，視需要裁切成所欲之形狀，並洗淨。接著，於基板2之一面形成透明導電膜。又，亦有於基板2與透明導電膜之間形成SiOx、SiNx、SiON等中間層的情形。透明導電膜，例如為ITO，使用濺鍍法或真空蒸鍍法等以10~200nm之厚度成膜。接著，以於透明導電膜之上層側形成有感光性樹脂等所構成之蝕刻遮罩的狀態，將透明導電膜蝕刻，以圖型 形成第1透明電極3及第2透明電極4。藉由除去蝕刻遮罩，可得如圖3(a)所示之形成有透明電極圖型之透明導電膜基板14。

此處，透明導電膜基板14之交叉部18中，第2透明電極4係透過連接部分相連，但第1透明電極3係分開。

接著，於設置有第1透明電極3及第2透明電極4之側，藉由塗佈感光性樹脂後之曝光現象，於第2透明電極4之連接部分形成層間絕緣膜19(圖3(b))。用以形成層間絕緣膜19之感光性樹脂，係使用具有透明性者。例如，可使用丙烯酸樹脂等。又，當使用SiO₂形成層間絕緣膜19時，可藉由使用遮罩之濺鍍法，作成同樣的構造。然而，當考量圖型化性時，以使用丙烯酸樹脂為佳。

接著，於層間絕緣膜19上形成透明導電膜後，以於該透明導電膜之表面形成有感光性樹脂所構成之蝕刻遮罩的狀態，將透明導電膜蝕刻。之後，除去蝕刻遮罩，以使第1透明電極3之分開部分相連的方式，於層間絕緣膜19之上層形成交聯電極20。藉此，可得圖3(c)所示之構造。形成於層間絕緣膜19上之透明導電膜，可舉例如ITO膜。於該場合，交聯電極20係由ITO所形成。

又，上述之拉出配線11，係於之後之步驟使用銀油墨等來形成。然而，亦可於上述步驟將透明導電膜蝕刻之際，分別沿著第1透明電極3及第2透明電極4之外周緣殘留透明導電膜，以形成拉出配線11。

接著，於第1透明電極3、第2透明電極4及交聯電 極20之上，以膠版印刷塗佈金屬氧化物層形成用之塗佈組成物。此處，塗佈組成物，係將金屬烷氧化物於金屬鹽(例如，鋁鹽)之存在下於有機溶劑中水解、縮合，再添加抗析出劑所得者。接著，將形成有塗佈組成物之塗膜之基板2，於40~150℃(例如，60℃)之例如加熱板上乾燥。之後，於100~130℃(例如，250℃)之例如烘箱內加熱，而於第1透明電極3、第2透明電極4及交聯電極20上形成金屬氧化物層5。藉此，可得圖3(d)所示之觸控面板基板30。又，亦可將基板2上之塗膜，以例如加熱板上乾燥後，對該塗膜照射紫外線之後，於烘箱內加熱。

如此所得之本發明之塗佈膜5，係以無機之金屬氧化物為主要成分而硬度高、具有高強度。此外，即使於有機膜之層間絕緣膜19上，內部亦無產生裂痕。

接著，由第1透明電極3與第2透明電極4之端部之端子(未圖示)以銀油墨等形成拉出配線11，作成觸控面板1。觸控面板1，係透過拉出配線11，連接觸控面板之控制電路(未圖示)。

所完成之觸控面板1，透過丙烯酸系透明接著劑等之接著層9，係安裝於顯示面板10之頂面。此時，視需要於基板2或顯示面板10之角設置調正標示以進行對位。

藉由於安裝於顯示面板10之觸控面板1，設置塗佈膜5，可實現高可靠性。而第1透明電極3與第2透明電極4之透明電極圖型，可抑制於觸控面板1之操作區域的顯眼情形。

圖4，係顯示本發明之觸控面板之另一例之概略構成之截面圖。如圖4所示，觸控面板101，具有透明之基板102。於基板102之操作區域形成有透明電極之圖型。亦即，於基板102之上層設置有分別用以檢測2個相異方向之位置之第1透明電極103與第2透明電極104。

第1透明電極103與第2透明電極104，係使用至少對可見光之透過率高、具有導電性之透明電極材料所形成。如此具有導電性之透明電極材料，例如，可使用ITO或ZnO等。當使用ITO時，為了確保充分之導電性，較佳為使厚度為10nm~200nm。

第1透明電極103與第2透明電極104，可考量底層之透明基板102或後述之保護膜107，由選自濺鍍法、真空蒸鍍法、離子鍍法、噴霧法、浸漬法或CVD法等之中選擇最佳之方法形成。

例如有下述方法：將形成為面狀之透明電極，利用光微影技術以蝕刻法圖型化之方法；或者，使用於有機溶劑分散上述材料所構成之導電性填料等之塗料，以印刷法直接形成所欲之圖型之方法等。透明電極之形成步驟，較佳為能精度佳地控制膜厚。因此，形成時，較佳為選擇可實現所欲之膜厚、能形成透明性優異之低電阻之膜的方法。

如圖4所示，第1透明電極103係配置於基板102之上。而於第1透明電極103之上，形成有本發明之塗佈膜105。於塗佈膜105之形成，係使用上述之本發明之塗佈組成物。而該塗佈膜105，係被覆於相當於觸控面板101 之操作區域之部分之第1透明電極103之形成區域與非形成之區域。

於該塗佈膜105之上，設置有保護膜層107。保護膜層107，係由透明性高之丙烯酸樹脂所形成之有機材料所構成之膜。

如圖4所示，第2透明電極104係配置於保護膜層107之上。於第2透明電極104之上形成有本發明之塗佈膜106。於塗佈膜106之形成，係使用上述之本發明之塗佈組成物。而塗佈膜106，係被覆於相當於觸控面板101之操作區域之部分之透明電極之形成區域與非形成之區域。該塗佈膜105、106，係硬度高、而與第1透明電極103及第2透明電極104之密合性優異。而本發明之塗佈膜106，係以無機之金屬氧化物為主要成分，但於保護膜層107上並無裂痕的產生。亦即，塗佈膜106，即使與第2透明電極104一同以被覆有機材料所構成之膜之保護膜層107的方式形成，於內部亦無產生裂痕。

觸控面板101中，能以不使第1透明電極103及第2透明電極104之各透明電極圖型不顯眼的方式，選擇塗佈膜105、106之折射率與膜厚。具體而言，塗佈膜105、106之折射率，以大於1.50、1.70以下之範圍內為佳，膜厚以40nm~170nm之範圍內為佳。而當塗佈膜105、106之折射率大於1.50小於1.60時，膜厚以60nm~150nm之範圍內為更佳。又，當塗佈膜105、106之折射率為1.60以上1.70以下之範圍內時，膜厚以40nm~170nm之範圍 內為更佳。

觸控面板101中，例如，第1透明電極103及第2透明電極104，係分別以膜厚28nm之ITO所構成。於該場合，塗佈膜105、106，係分別以含有矽烷氧化物與鈦烷氧化物之本發明之塗佈組成物所形成者，折射率為1.52、膜厚為100nm。

如圖4所示，於塗佈膜106之上，設置有丙烯酸系之透明接著劑所構成之接著層108。觸控面板101，係透過該接著層108安裝於顯示面板110。

具有以上構成之觸控面板101，若導電體之手指觸碰於操作區域之任一部位，則由於指尖、與第1透明電極103及第2透明電極104之間之靜電容量結合而形成電容器。因此，藉由捕捉指尖之接觸位置之電荷的變化，而能檢測出手指觸碰於任一部位。

於觸控面板101，藉由設置於第1透明電極103及第2透明電極104上之塗佈膜105、106，可實現高可靠性。而亦能抑制操作區域中透明電極圖型的顯眼情形。

圖5及圖6，係顯示本發明之觸控面板之另一例之構造之圖。圖5，係模式顯示本發明之觸控面板之再另一例之構造之俯視圖。圖6，係沿圖5之B1-B1’之截面圖。

如圖5所示，觸控面板201，係使用透明基板202所構成，而於基板202之操作區域形成有透明電極圖型。亦即，具有形成於基板202之一面之用以檢測X方向之座標之第1透明電極203、與形成於基板202之另一面之用以 檢測Y方向之座標之第2透明電極204。又，於以下之說明中，基板202之一面為上方、基板202之另一面為下方。而於該場合，基板202之另一面係裝設於顯示面板210側之面。

基板202為介電體基板。基板202之材料，係使用玻璃、丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、聚對酞酸乙二酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚偏二氯乙烯樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、聚萘二甲酸乙二酯樹脂、聚乙醯纖維素樹脂等透明材料。特別是，較佳為選擇於本發明之塗佈膜205、206之形成較佳之具備耐熱性與耐藥品性能的材料。基板202之厚度，若為玻璃，可為0.1mm~2mm，若為樹脂薄膜時，可為10μm~2000μm。

如圖5所示，第1透明電極203與第2透明電極204，分別係由細長之長方形所構成。第1透明電極203係朝Y方向延伸、第2透明電極204係朝X方向延伸，分別以一定間隔配設為直線狀。又，第1透明電極203與第2透明電極204，係配設成相互成正交，整體呈格子狀。

第1透明電極203與第2透明電極204，係使用至少對可見光之透過率高、具有導電性之透明電極材料所形成。如此具有導電性之透明電極材料，例如，可使用ITO或ZnO等。當使用ITO時，為了確保充分之導電性，較佳為使厚度為10nm~200nm。

第1透明電極203與第2透明電極204，可考量底層之透明基板202，由選自濺鍍法、真空蒸鍍法、離子鍍法 、噴霧法、浸漬法或CVD法等之中選擇最佳之方法形成。

例如有下述方法：將形成為面狀之透明電極，利用光微影技術以蝕刻法圖型化之方法；或者，使用於有機溶劑分散上述材料所構成之導電性填料等之塗料，以印刷法直接形成所欲之圖型之方法等。透明電極之形成步驟，能精度佳地控制膜厚為重要。因此，形成時，較佳為選擇可實現所欲之膜厚、能形成透明性優異之低電阻之膜的方法。

如圖5及圖6所示，於第1透明電極203之上，形成有塗佈膜205。塗佈膜205，係被覆於相當於觸控面板201之操作區域之部分之透明電極之形成區域與非形成之區域。又，如圖6所示，於第2透明電極204上(圖中為下側)亦形成有塗佈膜206。塗佈膜206，係被覆於相當於觸控面板201之操作區域之部分之透明電極之形成區域與非形成之區域。該塗佈膜205、206，係硬度高、且與第1透明電極203與第2透明電極204之密合性優異。

塗佈膜205、206之形成，係使用將金屬烷氧化物於鋁鹽的存在下於有機溶劑中水解、縮合，再添加抗析出劑所得之上述本發明之塗佈組成物。

觸控面板201中，能以不使第1透明電極203及第2透明電極204之各透明電極圖型不顯眼的方式，選擇塗佈膜205、206之折射率與膜厚。具體而言，塗佈膜205、206之折射率，以分別大於1.50、1.70以下之範圍內為佳，膜厚以分別為40nm~170nm之範圍內為佳。而當塗佈 膜205、206之折射率大於1.50小於1.60時，膜厚以60nm~150nm之範圍內為更佳。又，當塗佈膜205、206之折射率為1.60以上1.70以下之範圍內時，膜厚以40nm~170nm之範圍內為更佳。

觸控面板201中，例如，第1透明電極203及第2透明電極204，係分別以膜厚28nm之ITO所構成。於該場合，塗佈膜205、206，係分別為使用矽烷氧化物與鈦烷氧化物所調製之塗佈組成物所形成者，折射率為1.52、膜厚為100nm。

如圖6所示，於基板202之一面，設置有丙烯酸系之透明接著劑所構成之接著層208。又，於接著層208上，接著由透明樹脂所構成之保護膜207。又，於圖5係省略保護膜207。

保護膜207，具有第1透明電極203及塗佈膜205之保護膜的功能。又，亦可塗佈透明樹脂取代保護膜207。於該場合，可不要接著層208。

於基板202之另一面，透過丙烯酸系之透明接著劑所構成之接著層209，安裝有顯示面板110。

於圖6雖省略詳細，但顯示面板210，可作成與周知之顯示裝置同樣的構成。例如，當為液晶顯示裝置時，顯示面板210，可作成於2片透明基板之間夾持液晶層的構造。於與各透明基板之液晶層相鄰側的相反側，可分別設置偏光板。又，於各透明基板，為了控制液晶狀態可形成分段電極或共電極。而液晶層係以各透明基板與密封材密 封。

觸控面板201中，於第1透明電極203及第2透明電極204之端部，分別設置有端子(未圖示)，由該端子拉出複數條之拉出配線。拉出配線，可使用銀、鋁、鉻、銅或含有該等之合金等作成不透明之金屬配線。拉出配線，係連接於對第1透明電極203及第2透明電極204施加電壓、或檢測觸控位置之控制電路(未圖示)。

具有以上構成之觸控面板201，若導電體之手指觸碰於操作區域之任一部位，則由於指尖、與第1透明電極203及第2透明電極204之間之靜電容量結合而形成電容器。因此，藉由捕捉指尖之接觸位置之電荷的變化，而能檢測出手指觸碰於任一部位。

於觸控面板201，藉由於第1透明電極203及第2透明電極204上設置塗佈膜205、206的效果，可抑制操作區域中透明電極圖型的顯眼情形。

如以上，本實施形態之觸控面板之另一其他例，係與上述不同，並非於層間絕緣膜或保護膜層等之丙烯酸系樹脂等所構成之有機膜上設置本發明之塗佈膜的構造。本發明之塗佈膜對於如此之觸控面板之例，亦具有有效之高強度之電極之保護膜的功能。而防止透明電極圖型的顯眼情形。

以上，係說明本發明之觸控面板，但本發明並不限於上述實施形態。對於使用ITO等之透明電極的多種型式之觸控面板，作為其透明電極上之保護膜，亦可使用本發明 之塗佈膜。而實現高可靠性。並且，亦可抑制透明電極之顯眼情形。此時，本發明之塗佈膜，即使形成於設置於觸控面板內之各種有機膜上，於內部亦不會產生裂痕等。

實施例

以下，根據實施例以更詳細地說明本發明，但本發明並不限於該等。

[實施例所使用之簡略記號]

於以下之實施例等所使用之簡略記號之意義，係如以下。

TEOS：四乙氧矽烷

C18：十八基三乙氧矽烷

MPS：γ-巰基丙基三甲氧矽烷

GPS：γ-縮水甘油醚基丙基三甲氧矽烷

UPS：γ-醯脲基丙基三乙氧矽烷

APS：γ-胺基丙基三乙氧矽烷

ACPS：γ-丙烯醯氧基丙基三甲氧矽烷

MPMS：γ-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧矽烷

MTES：甲基三乙氧矽烷

TIPT：四異丙氧基鈦

AN：硝酸鋁九水合物

EG：乙二醇

HG：2-甲基-2,4-戊二醇(別稱：己二醇)

BCS：2-丁氧乙醇(別稱：丁基賽路蘇)

IPA：2-丙烷

<合成例1>(塗佈組成物K1之合成)

於200mL燒瓶中加入AN 12.7g、水3.0g攪拌，使AN溶解。於其加入EG 13.6g、HG 38.8g、BCS 36.8g、TEOS 21.7g、GPS 10.6g，於室溫條件下攪拌30分鐘，得A1液。

於300mL容量之燒瓶中，加入作為鈦烷氧化物之TIPT 4.7g，於其加入HG 58.2g，於室溫條件下攪拌30分鐘，得A2液。

接著，混合上述之A1液與A2液，於室溫條件下攪拌30分鐘。藉此，製得塗佈組成物K1。

<合成例2>(塗佈組成物K2之合成)

於200mL燒瓶中加入AN 12.7g、水3.0g攪拌，使AN溶解。於其加入EG 13.7g、HG 39.2g、BCS 37.3g、TEOS 21.7g、MPS 8.8g，於室溫條件下攪拌30分鐘，得B1液。

於300mL容量之燒瓶中，加入作為鈦烷氧化物之TIPT 4.7g，於其加入HG 58.9g，於室溫條件下攪拌30分鐘，得B2液。

接著，混合上述之B1液與B2液，於室溫條件下攪拌30分鐘。藉此，製得塗佈組成物K2。

<合成例3>(塗佈組成物K3之合成)

於200mL燒瓶中加入AN 12.7g、水3.0g攪拌，使AN溶解。於其加入EG 13.6g、HG 38.8g、BCS 36.9g、TEOS 21.7g、ACPS 10.5g，於室溫條件下攪拌30分鐘，得C1液。

於300mL容量之燒瓶中，加入作為鈦烷氧化物之TIPT 4.7g，於其加入HG 58.2g，於室溫條件下攪拌30分鐘，得C2液。

接著，混合上述之C1液與C2液，於室溫條件下攪拌30分鐘。藉此，製得塗佈組成物K3。

<合成例4>(塗佈組成物K4之合成)

於200mL燒瓶中加入AN 12.7g、水3.0g攪拌，使AN溶解。於其加入EG 13.5g、HG 38.6g、BCS 36.7g、TEOS 21.7g、MPMS 11.1g，於室溫條件下攪拌30分鐘，得D1液。

於300mL容量之燒瓶中，加入作為鈦烷氧化物之TIPT 4.7g，於其加入HG 57.9g，於室溫條件下攪拌30分鐘，得D2液。

接著，混合上述之D1液與D2液，於室溫條件下攪拌30分鐘。藉此，製得塗佈組成物K4。

<合成例5>(塗佈組成物K5之合成)

於200mL燒瓶中加入AN 12.7g、水3.0g攪拌，使AN溶解。於其加入EG 13.9g、HG 39.7g、BCS 37.7g、TEOS 15.5g、MTES 13.3g，於室溫條件下攪拌30分鐘，得E1液。

於300mL容量之燒瓶中，加入TIPT 4.7g、HG 59.5g，於室溫條件下攪拌30分鐘，得E2液。

接著，混合上述之E1液與E2液，於室溫條件下攪拌30分鐘。藉此，製得塗佈組成物K5。

<合成例6>(塗佈組成物K6之合成)

於200mL燒瓶中加入AN 12.7g、水3.0g攪拌，使AN溶解。於其加入EG 13.4g、HG 38.3g、BCS 36.4g、TEOS 21.7g、MPMS 9.3g、C18 3.1g，於室溫條件下攪拌30分鐘，得F1液。

於300mL容量之燒瓶中，加入TIPT 4.7g、HG 57.4g，於室溫條件下攪拌30分鐘，得F2液。

接著，混合上述之F1液與F2液，於室溫條件下攪拌30分鐘。藉此，製得塗佈組成物K6。

<合成例7>(塗佈組成物K7之合成)

於200mL燒瓶中加入AN 12.7g、水3.0g攪拌，使AN溶解。於其加入EG 13.5g、HG 38.6g、BCS 36.7g、TEOS 15.5g、APS 1.7g、ACPS 6.7g、GPS 8.8g，於室溫條件下攪拌30分鐘，得G1液。

於300mL容量之燒瓶中，加入TIPT 4.7g、HG 57.9g，於室溫條件下攪拌30分鐘，得G2液。

接著，混合上述之G1液與G2液，於室溫條件下攪拌30分鐘。藉此，製得塗佈組成物K7。

<合成例8>(塗佈組成物K8之合成)

於200mL燒瓶中加入AN 12.7g、水3.0g攪拌，使AN溶解。於其加入EG 13.5g、HG 38.5g、BCS 36.6g、TEOS 15.5g、MPS 1.5g、ACPS 10.5g、UPS 5.9g，於室溫條件下攪拌30分鐘，得H1液。

於300mL容量之燒瓶中，加入TIPT 4.7g、HG 57.7g，於室溫條件下攪拌30分鐘，得H2液。

接著，混合上述之H1液與H2液，於室溫條件下攪拌30分鐘。藉此，製得塗佈組成物K8。

<合成例9>(塗佈組成物K9之合成)

於200mL燒瓶中加入AN 13.1g、水3.1g攪拌，使AN溶解。於其加入EG 13.3g、HG 95.2g、BCS 36.2g、TEOS 16.3g、MPMS 22.8g，於室溫條件下攪拌30分鐘。藉此，製得塗佈組成物K9。

<合成例10>(塗佈組成物K10之合成)

於200mL燒瓶中加入AN 12.1g、水2.8g攪拌，使AN溶解。於其加入EG 13.5g、HG 56.7g、BCS 36.8g、 TEOS 13.7g、MPMS 10.9g，於室溫條件下攪拌30分鐘，得I1液。

於300mL容量之燒瓶中，加入TIPT 13.4g、HG 40.1g，於室溫條件下攪拌30分鐘，得I2液。

接著，混合上述之I1液與I2液，於室溫條件下攪拌30分鐘。藉此，製得塗佈組成物K10。

<合成例11>(塗佈組成物K11之合成)

於200mL燒瓶中加入AN 11.8g、水2.8g攪拌，使AN溶解。於其加入EG 13.6g、HG 44.8g、BCS 36.8g、TEOS 10.5g、MPMS 10.3g，於室溫條件下攪拌30分鐘，得J1液。

於300mL容量之燒瓶中，加入TIPT 17.4g、HG 52.1g，於室溫條件下攪拌30分鐘，得J2液。

接著，混合上述之J1液與J2液，於室溫條件下攪拌30分鐘。藉此，製得塗佈組成物K11。

<合成例12>(塗佈組成物K12之合成)

於200mL燒瓶中加入AN 11.5g、水2.7g攪拌，使AN溶解。於其加入EG 13.6g、HG 33.5g、BCS 36.9g、TEOS 7.2g、MPMS 10.0g，於室溫條件下攪拌30分鐘，得L1液。

於300mL容量之燒瓶中，加入TIPT 21.2g、HG 63.6g，於室溫條件下攪拌30分鐘，得L2液。

接著，混合上述之L1液與L2液，於室溫條件下攪拌30分鐘。藉此，製得塗佈組成物K12。

<合成例13>(塗佈組成物K13之合成)

於200mL燒瓶中加入AN 12.7g、水3.0g攪拌，使AN溶解。於其加入EG 13.7g、HG 39.1g、BCS 37.1g、TEOS 31.1g，於室溫條件下攪拌30分鐘，得M1液。

於300mL容量之燒瓶中，加入TIPT 4.7g、HG 58.6g，於室溫條件下攪拌30分鐘，得M2液。

接著，混合上述之M1液與M2液，於室溫條件下攪拌30分鐘。藉此，製得塗佈組成物K13。於塗佈組成物K13，未含有上述通式(II)所示構造之金屬烷氧化物。

<合成例14>(塗佈組成物K14之合成)

於200mL燒瓶中加入AN 12.7g、水3.0g攪拌，使AN溶解。於其加入EG 13.7g、HG 39.2g、BCS 37.3g、TEOS 28.0g、MTES 2.7g，於室溫條件下攪拌30分鐘，得N1液。

於300mL容量之燒瓶中，加入TIPT 4.7g、HG 58.8g，於室溫條件下攪拌30分鐘，得N2液。

接著，混合上述之N1液與N2液，於室溫條件下攪拌30分鐘。藉此，製得塗佈組成物K14。

於塗佈組成物K13，與上述合成例1~合成例12之塗佈組成物K1~K12相比，僅含有少量之上述通式(II)所 示構造之金屬烷氧化物。

<合成例15>(塗佈組成物K15之合成)

於200mL燒瓶中加入AN 12.7g、水3.0g攪拌，使AN溶解。於其加入IPA 145.6g、TEOS 15.5g、MPMS 18.5g、TIPT 4.7g，於室溫條件下攪拌30分鐘。藉此，製得塗佈組成物K15。

<安定性之評價>

對上述合成例所得之塗佈組成物，將塗佈組成物K1~K12及K15，分別作為實施例1~實施例12及比較例15，進行安定性評價。

安定性之評價方法，係使用合成之塗佈組成物(K1~K12、K15)，以孔徑0.5微米之膜濾器加壓過濾後，於室溫條件下放置1星期。接著，以旋塗法於矽基板(100)成膜之後，於矽基板上之塗膜未觀察到異物者評價為○，觀察到異物者評價為×。將上述之評價結果示於表1。

<塗佈膜之成膜方法I>

使用上述合成例所得之塗佈組成物，以孔徑0.5μm之膜濾器加壓過濾，以旋塗法於基板上形成塗膜。將該基板以設定為60℃之加熱板上加熱3分鐘使其乾燥。接著，使用紫外線照射裝置(Eye Graphics公司製UB 011-3A型)，使用高壓水銀燈(輸入電源1000W)以50mW/cm²(波長365nm)之光強度照射紫外線2分鐘。紫外線照射量為6000mJ/cm²。紫外線照射後，移至設定為250℃之熱風循環式烘箱內，進行燒成30分鐘。如此，於基板上成膜為塗佈膜。

<塗佈膜之成膜方法II>

使用上述合成例所得之塗佈組成物，以孔徑0.5μm之 膜濾器加壓過濾，以旋塗法於基板上形成塗膜。將該基板以設定為60℃之加熱板上加熱3分鐘使其乾燥。接著，移至設定為250℃之熱風循環式烘箱內，進行燒成30分鐘。如此，於基板上成膜為塗佈膜。

以上，係說明使用本實施例之塗佈組成物成膜本實施例之塗佈膜的方法。接著，說明本發明之塗佈膜之評價。此時，將使用上述合成例所得之塗佈組成物K1~K8，於適當之基板上，以上述成膜方法I所成膜之塗佈膜(KL1~KL8)作為本發明之塗佈膜之實施例13~實施例20。而將使用上述合成例所得之塗佈組成物K9~K12，於適當之基板上，以上述成膜方法II所成膜之塗佈膜(KL9~KL12)作為本發明之塗佈膜之實施例21~實施例24。又，將使用上述合成例所得之塗佈組成物K13，於適當之基板上，以上述成膜方法II所成膜之塗佈膜(KM2)作為塗佈膜之比較例2。

<折射率之評價>

基板係使用矽基板(100)。如上述，於矽基板上，形成以成膜方法I所成膜之實施例13~實施例20之塗佈膜、以成膜方法II所成膜之實施例21~24之塗佈膜、以成膜方法所成膜之比較例2及比較例3之塗佈膜，進行折射率之評價。評價方法，係藉由下述方式進行：使用橢圓偏光計(ellipsometer)(溝尻光學工業所製，DVA-FLVW)，測定波長633nm下之折射率。

將各塗佈膜之評價結果、與於各塗佈膜所使用之塗佈組成物，一同示於下記之表2。

<裂痕評價>

於玻璃基板上，形成膜厚2μm之丙烯酸膜。丙烯酸膜之形成，係以如下方式進行。首先，將丙烯酸材料組成物，以孔徑0.5μm之膜濾器加壓過濾，以旋塗法於玻璃基板整面上形成塗膜。接著，將該基板於加熱板上加熱乾燥2分鐘後，移至熱風循環式烘箱內，進行燒成30分鐘。藉此，於玻璃基板上形成丙烯酸膜。

於上述之丙烯酸膜上，以成膜方法I或成膜方法II，以膜厚100nm之厚度形成塗佈膜。

接著，於形成有丙烯酸膜之玻璃基板上，形成以成膜方法I所成膜之實施例13~實施例20之塗佈膜、以成膜方法II所成膜之實施例21~24之塗佈膜、以成膜方法II所成膜之比較例2之塗佈膜，進行塗佈膜之裂痕評價。

關於裂痕評價之評價基準，於基板上之塗佈膜中，將未產生裂痕者評價為◎、於面內未產生僅於邊緣產生裂痕者評價為○、於整面產生裂痕者評價為×。

評價之結果，與比較例2之塗佈膜相比，可知實施例13~實施例24之塗佈膜，可見裂痕之產生的改善。

<透明導電膜基板>

準備於基板上成膜有圖型化之透明導電膜的透明導電膜基板。基板係使用玻璃基板，透明導電膜係使用ITO。該透明導電膜基板，可使用於上述本發明之觸控面板1所使用之透明導電膜基板14。此處，ITO之膜厚為28nm。

<觸控面板之製作>

製作於ITO膜厚為28nm之上述之透明導電膜基板上，以100nm之膜厚將實施例20之塗佈膜KL8成膜之基板。於該基板上塗佈光學接著劑，將0.7mm之空白玻璃(blank glass)貼合。接著，使用紫外線照射裝置(Eye Graphics公司製UB 011-3A型)，使用高壓水銀燈(輸入電源1000W)，以50mW/cm²(換算波長365nm)之光 強度照射紫外線80秒鐘。藉此，使光學接著劑硬化，製作成作為特性評價用之觸控面板之實施例25之觸控面板。

接著，使用實施例22之塗佈膜KL10取代實施例20之塗佈膜KL8作為塗佈膜，除此之外，藉由與上述同樣之製作方法，製作實施例26之觸控面板。又，使用實施例23之塗佈膜KL11取代實施例20之塗佈膜KL8作為塗佈膜，除此之外，藉由與上述同樣之製作方法，製作實施例27之觸控面板。又，使用實施例24之塗佈膜KL12取代實施例20之塗佈膜KL8作為塗佈膜，除此之外，藉由與上述同樣之製作方法，製作實施例28之觸控面板。

再者，於上述透明導電膜基板上，使用塗佈組成物K12，以上述成膜方法I將塗佈膜成膜，除此之外，與上述實施例25之情形同樣地，製作實施例29之觸控面板。又，對於使用塗佈組成物K12以成膜方法I所成膜之塗佈膜，以與上述同樣之評價方法所測定之折射率，為1.70。

而於比較評價用，使用比較例2之塗佈膜KM2取代實施例20之塗佈膜KL8作為塗佈膜，除此之外，藉由與上述同樣之製作方法，製作比較例3之觸控面板。又，使用上述之透明導電膜基板，未成膜為塗佈膜，除此之外，藉由與上述同樣之製作方法，製作比較例4之觸控面板。因此，比較例4之評價用之觸控面板，於透明電極上未形成塗佈膜。

<可見電極圖型之評價>

使用實施例25~實施例29及比較例3、4之評價用之觸控面板，評價ITO之電極圖型是否顯眼，進行可見電極圖型之評價。

評價方法，係將各觸控面板放置於黑布上，以由上部照亮的狀態，以目視進行觀察。而於確認比較例4之觸控面板中，可見透明電極圖型之下，觀察其他觸控面板。該等觀察的結果，將未見透明電極圖型者評價為◎。而雖可見透明電極圖型，但其程度與不具塗佈膜之比較例4之觸控面板相比係經改善者評價為○、與比較例4之觸控面板相比未經改善者評價為×。

對於實施例25~實施例29及比較例3、4之評價用之觸控面板，可見整理電極圖型之評價結果示於表3。

由以上之評價結果、表1可知，藉由使塗佈組成物含有金屬硝酸鹽及抗析出劑，可提升安定性。

由表2可知，藉由適當地控制塗佈組成物所含之金屬 烷氧化物之構造與組成，由其所形成之塗佈膜，即使於丙烯酸樹脂等所構成之有機薄膜上，亦能形成不會產生裂痕、安定之膜。

由表3可知，藉由於電極上形成折射率經適當控制之塗佈膜，可抑制於觸控面板之可見電極圖型。

本實施例之塗佈膜，皆顯示5H以上之硬度，其與一般之有機材料之未滿3H相比，為顯著高之硬度。

本發明之塗佈組成物，可提供折射率經控制之高強度之塗佈膜，使用該塗佈膜之觸控面板，電極之圖型不會顯眼。因此，有用於要求優異外觀與高可靠性之顯示元件用之觸控面板。

又，於此引用2011年1月20日所申請之日本專利申請2011-010164號之說明書、專利申請範圍、圖示、及發明摘要的全部內容，納入作為本發明之說明書之揭示。

1、101、201‧‧‧觸控面板

2、102、202‧‧‧基板

3、103、203‧‧‧第1透明電極

4、104、204‧‧‧第2透明電極

5、6、105、106、205、206‧‧‧塗佈膜

9、108、208、209‧‧‧接著層

10、110、210‧‧‧顯示面板

11‧‧‧拉出配線

14‧‧‧透明導電膜基板

18‧‧‧交叉部

19‧‧‧層間絕緣膜

20‧‧‧交聯電極

21‧‧‧墊片部

107‧‧‧保護膜層

207‧‧‧保護膜

圖1，係模式顯示本發明之觸控面板之構造之俯視圖。

圖2，係沿圖1之A1-A1’之截面圖。

圖3(a)~(d)，係顯示本發明之觸控面板之製造方法之步驟截面圖。

圖4，係顯示本發明之觸控面板之另一例之概略構成之俯視圖。

圖5，係模式顯示本發明之觸控面板之再另一例之構 造之俯視圖。

圖6，係沿圖5之B1-B1’之截面圖。

1‧‧‧觸控面板

2‧‧‧基板

3‧‧‧第1透明電極

4‧‧‧第2透明電極

5‧‧‧塗佈膜

11‧‧‧拉出配線

18‧‧‧交差部

19‧‧‧層間絕緣膜

20‧‧‧交聯電極

21‧‧‧墊片部

Claims (11)

1. 一種觸控面板用塗佈組成物，其為使用於基板之操作範圍形成有透明電極之圖型之觸控面板中之透明電擊的至少一部份上面形成塗佈膜的塗布組成物，其特徵係含有：下述通式(I)所示之第1金屬烷氧化物、下述通式(II)所示之第2金屬烷氧化物、下述通式(III)所示之金屬鹽、有機溶劑、水、與抗析出劑，且第2金屬烷氧化物之含量，相對於第1金屬烷氧化物與第2金屬烷氧化物之合計總金屬烷氧化物，為15~80莫耳%；M¹(OR¹)_n (I)(式中，M¹表示選自矽(Si)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鋯(Zr)、硼(B)、鋁(Al)、鎂(Mg)及鋅(Zn)所構成群中之至少1金屬，R¹表示碳數1~5之烷基，n表示M¹之價數2~5)；R² ₁M²(OR³)_m-1 (II)(式中，M²表示選自矽(Si)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鋯(Zr)、硼(B)、鋁(Al)、鎂(Mg)及鋅(Zn)所構成群中之至少1金屬；R²表示由巰基、甲基丙烯醯氧基、丙烯醯氧基或脲基取代，且亦可具有雜原子之碳數1~20之烴基；R³表示碳數1~5之烷基；m表示M²之價數2~5，l當m之價數為3時為1或2，當m之價數為4時為1~3，當m之價數為5時1~4)；M³(X)_k (III)(式中，M³表示選自鋁(Al)、銦(In)、鋅 (Zn)、鋯(Zr)、鉍(Bi)、鑭(La)、鉭(Ta)、釔(Y)及鈰(Ce)所構成群中之至少1種金屬，X表示鹽酸、硝酸、硫酸、乙酸、草酸、胺磺酸、磺酸、乙醯乙酸或乙醯丙酮酸鹽之殘基、或該等之鹼式鹽，k表示M³之價數)。
2. 如申請專利範圍第1項之觸控面板用塗佈組成物，其中，該抗析出劑，係選自N-甲基-吡咯烷酮、乙二醇、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、二乙二醇、丙二醇、己二醇及該等之衍生物所構成群中之至少1種以上。
3. 如申請專利範圍第1或2項之觸控面板用塗佈組成物，其中，金屬鹽之金屬原子(M³)、與第1金屬烷氧化物及第2金屬烷氧化物之金屬原子(M¹及M²)之莫耳比為0.01≦M³/(M¹+M²+M³)≦0.7。
4. 如申請專利範圍第1或2項之觸控面板用塗佈組成物，其中，第1金屬烷氧化物，為矽烷氧化物或其之部分縮合物、與鈦烷氧化物之混合物。
5. 如申請專利範圍第1或2項之觸控面板用塗佈組成物，其中，該金屬鹽，係金屬硝酸鹽、金屬硫酸鹽、金屬乙酸鹽、金屬氯化物、金屬草酸鹽、金屬胺磺酸鹽、金屬磺酸鹽、金屬乙醯乙酸鹽、金屬乙醯丙酮酸鹽或該等之鹼式鹽。
6. 如申請專利範圍第1或2項之觸控面板用塗佈組成物，其中，該有機溶劑，係含有伸烷二醇類或其之單醚衍生物。
7. 一種塗佈膜，其係使用如申請專利範圍第1至6項中任一項之觸控面板用塗佈組成物所成膜之塗佈膜。
8. 如申請專利範圍第7項之塗佈膜，其之折射率為1.52~1.70，膜厚為40nm~170nm。
9. 一種觸控面板，其係於基板之操作範圍形成有透明電極之圖型之觸控面板，其特徵係，將如申請專利範圍第7或8項之塗佈膜配置於該透明電極之圖型之至少一部分上。
10. 如申請專利範圍第9項之觸控面板，其中，該透明電極圖型，係具有用以檢測至少2個相異方向之位置的第1透明電極圖型、與第2透明電極圖型而構成，該第1透明電極圖型與該第2透明電極圖型之至少一部分，在該基板之操作範圍重疊，且該重疊部分之該第1透明電極圖型與該第2透明電極圖型之間，配置有由有機材料所構成之膜，該塗佈膜，係以被覆該第1透明電極圖型或該第2透明電極圖型之至少一部分、及該由有機材料所構成之膜之至少一部分的方式構成。
11. 如申請專利範圍第10項之觸控面板，其中，該第1透明電極圖型與該第2透明電極圖型之重疊部分，於該基板之操作範圍有複數個，於該等複數之重疊部分，分別配置有面積較該重疊部分之面積大之該由有機材料所構成之膜。