TWI540769B - 承載結構及發光裝置 - Google Patents

Description

承載結構及發光裝置

本發明是有關於一種承載結構及發光裝置，且特別是有關於可改善掉屑問題之承載結構及不易有碎屑的發光裝置。

發光二極體具有諸如壽命長、體積小、高抗震性、低熱產生及低功率消耗等優點，因此已被廣泛應用於家用及各種設備中的指示器或光源。近年來，發光二極體已朝多色彩及高亮度發展，因此其應用領域已擴展至大型戶外看板、交通號誌燈及相關領域。在未來，發光二極體甚至可能成為兼具省電及環保功能的照明光源主流。為使發光二極體信賴性佳，發光二極體多會經過一封裝製程而形成耐用的發光裝置。

在習知的發光裝置製程中，發光二極體會先固接於包括殼體及導線架的承載結構上。然後，在進行打線、封膠等步驟。最後，再將殼體及發光二極體與導線架分離，而完成發光裝置。然而，在殼體及發光二極體與導線架分離的過程中，導線架會受力變形而使其上之殼體及發光二極體落下。詳言之，導線架與殼體會於加工過程中而產生嚴重的摩擦，此時導線架往往會刮傷殼 體的邊緣。殼體的殘屑會掉落在發光二極體上方，而使發光裝置的光學檢測結果受到影響，造成發光裝置的生產過程不順暢。

本發明提供一種承載結構，其可改善習知技術中掉屑的問題。

本發明提供一種發光裝置，碎屑不易掉落於其上而生產流程順暢。

本發明的承載結構用以承載發光二極體。承載結構包括導線架以及殼體。殼體具有凹槽。導線架包括主板部、至少二伸入部以及二電極部。主板部具有主板貫孔。各伸入部自主板部向主板貫孔內部延伸。殼體配置於伸入部上。伸入部伸入殼體。電極部適於與發光二極體電性連接。殼體的凹槽暴露出電極部。各電極部具有位於殼體外的伸出子部。

本發明的發光裝置包括發光二極體、導線架以及具有凹槽的殼體。導線架包括伸入殼體的至少二伸入部以及與發光二極體電性連接的二電極部。殼體配置於伸入部以及電極部上，且殼體暴露出電極部以及發光二極體。殼體的凹槽暴露出電極部。各電極部具有位於殼體外的伸出子部。

在本發明的一實施例中，上述的至少二伸入部為第一伸入部以及第二伸入部。二電極部為第一電極部以及第二電極部。第一電極部的伸出子部為第一伸出子部。第二電極部的伸出子部為第二伸出子部。第一伸出子部、第一伸入部、第二伸出子部、 第二伸入部沿著順時針方向依序排列。

在本發明的一實施例中，上述的殼體具有彼此相對且互相平行的第一側壁以及第二側壁。殼體的第一側壁覆蓋第一伸入部以及第一電極部。殼體的第二側壁覆蓋第二伸入部以及第二電極部。

在本發明的一實施例中，上述的殼體具有彼此相對且互相平行的第一側壁以及第二側壁、連接第一側壁與第二側壁的第三側壁以及相對於第三側壁且連接第一側壁與第二側壁的第四側壁。殼體的第一側壁覆蓋第一電極部。殼體的第三側壁覆蓋第一伸入部。殼體的第二側壁覆蓋第二電極部。殼體的第四側壁覆蓋第二伸入部。

在本發明的一實施例中，上述的第一伸入部與第二伸入部連成一參考直線，而此參考直線不平行於殼體的第一側壁。。

在本發明的一實施例中，上述的參考直線垂直於殼體的第一側壁。

在本發明的一實施例中，上述的第一伸入部與第二伸入部連成一參考直線，而參考直線平行於殼體的第一側壁。。

在本發明的一實施例中，上述的殼體與電極部整體具有一質量中心，而連接伸入部的一參考直線通過此質量中心於主板部所在平面上的正投影。

在本發明的一實施例中，上述的殼體包括底部以及與底部連接的第二側壁。導線架的電極部嵌入殼體的底部中。殼體的 底部與第二側壁共同定義出上述凹槽。發光二極體適於配置於所述凹槽中。所述電極部之一具有適於面向發光二極體的承載子部，而殼體的第二側壁在垂直於承載子部的方向上覆蓋伸入部。

在本發明的一實施例中，上述的伸入部與電極部電性絕緣。

在本發明的一實施例中，上述的各伸入部具有伸入貫孔，而殼體嵌入伸入部的伸入貫孔中。

在本發明的一實施例中，上述的各伸入部具有粗糙表面，而殼體陷入伸入部的粗糙表面中。

在本發明的一實施例中，上述的各伸入部具有伸入尖角，而伸入部的伸入尖角嵌入殼體中。

在本發明的一實施例中，上述的伸入尖角與導線架的主板部實質上位於同一平面。

在本發明的一實施例中，上述的各伸入部具有彎折子部，而彎折子部大致上朝凹槽之開口方向彎曲地延伸並埋入殼體中。

在本發明的一實施例中，上述的各伸入部嵌入殼體的長度大於伸入部厚度的2.5倍。

在本發明的一實施例中，上述的電極部與主板部分離且電性絕緣，而各電極部具有伸出子部，而所述伸出子部適於被輸入一檢測電訊號。

在本發明的一實施例中，上述的各電極部具有承載子部 以及與承載子部連接的伸出子部。殼體包圍且暴露承載子部。伸出子部位殼體之外且被殼體暴露。

在本發明的一實施例中，上述的主板部、伸入部以及電極部實質上位於同一平面。

基於上述，在本發明一實施例之發光裝置的製造方法中，是利用分離導線架的伸入部與主板部的方式，完成下料動作，進而獲得發光裝置。因此，相較於習知技術，在下料過程中，導線架不易與殼體嚴重摩擦。如此一來，習知技術中掉屑的問題便可改善，進而使發光裝置的生產流程順暢。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

1000、1000A~1000H‧‧‧發光裝置

100、100A~100H‧‧‧承載結構

110‧‧‧導線架

112‧‧‧主板部

112a‧‧‧主板貫孔

114‧‧‧伸入部

114A‧‧‧第一伸入部

114B‧‧‧第二伸入部

114a‧‧‧伸入貫孔

114b‧‧‧粗糙表面

114c‧‧‧伸入尖角

114d‧‧‧彎折子部

116‧‧‧電極部

116A‧‧‧第一電極部

116B‧‧‧第二電極部

116a、116c‧‧‧伸出子部

116b、116b‧‧‧承載子部

120‧‧‧殼體

120a‧‧‧凹槽

122‧‧‧第一側壁

124‧‧‧第二側壁

126‧‧‧第三側壁

128‧‧‧第四側壁

129‧‧‧底部

200‧‧‧發光二極體

300‧‧‧導線

400‧‧‧封裝膠體

D‧‧‧垂直於承載子部的方向

D1‧‧‧凹槽之開口方向

L1‧‧‧參考直線

W‧‧‧伸入部嵌入殼體的長度

T‧‧‧伸入部的厚度

I‧‧‧檢測電訊號

圖1A至圖1F為本發明一實施例之發光裝置製造流程的上視示意圖。

圖2A至圖2F為本發明一實施例之發光裝置製造流程的剖面示意圖。

圖3為本發明另一實施例之承載結構的上視示意圖。

圖4為本發明又一實施例之承載結構的上視示意圖。

圖5為本發明再一實施例之承載結構的上視示意圖。

圖6A為本發明一實施例之承載結構的上視示意圖。

圖6B依據圖6A之剖線B-B’所繪之承載結構的剖面示意圖。

圖7A為本發明一實施例之承載結構的上視示意圖。

圖7B依據圖7A之剖線C-C’所繪之承載結構的剖面示意圖。

圖8為本發明一實施例之承載結構的上視示意圖。

圖9為本發明一實施例之承載結構的剖面示意圖。

圖10為本發明一實施例之承載結構的剖面示意圖。

圖11示出利用圖3之承載結構依所述發光裝置製造方法所製得的發光裝置。

圖12示出利用圖4之承載結構依所述發光裝置製造方法所製得的發光裝置。

圖13示出利用圖5之承載結構依所述發光裝置製造方法所製得的發光裝置。

圖14A及圖14B示出利用圖6A及圖6B之承載結構依所述發光裝置製造方法所製得的發光裝置。

圖15A及圖15B示出利用圖7A及圖7B之承載結構依所述發光裝置製造方法所製得的發光裝置。

圖16示出利用圖8之承載結構依所述發光裝置製造方法所製得的發光裝置。

圖17示出利用圖9之承載結構依所述發光裝置製造方法所製得的發光裝置。

圖18示出利用圖10之承載結構依所述發光裝置製造方法所製得的發光裝置。

圖1A至圖1F為本發明一實施例之發光裝置製造流程的上視示意圖。圖2A至圖2F為本發明一實施例之發光裝置製造流程的剖面示意圖。特別是，圖2A至圖2F是對應圖1A至圖1F的剖線A-A’。請參照圖1A及圖2A，首先，提供承載結構100。承載結構100是用以承載發光二極體。承載結構100包括導線架110以及殼體120。殼體120具有凹槽120a。導線架110包括具有主板貫孔112a的主板部112、與主板部112連接且自主板部112向主板貫孔112a內部延伸的至少二伸入部114以及位於主板貫孔112a中且適於與發光二極體電性連接的二電極部116。

殼體120配置於伸入部114上且位於主板貫孔112a中。詳言之，如圖2A所示，在本實施例中，伸入部114是伸入殼體120中，而對殼體120產生支撐作用。本實施例之伸入部114嵌入殼體120的長度W可大於伸入部114厚度T的2.5倍，以使伸入部114的支撐作用更佳，但本發明不以此為限。

此外，在本實施例中，導線架110的主板部112、伸入部114以及二電極部116可用同一塊導電母板製作而成。因此，主板部112、伸入部114以及二電極部116的材質(例如適當之導電材料)可相同。主板部112、伸入部114以及電極部116可位於同一 平面(即圖1A之紙面)。

殼體120暴露出電極部116。詳言之，如圖1A所示，在本實施例中，各電極部116A(116B)具有適於被輸入檢測電訊號的伸出子部116a(116c)以及適於承載與發光二極體電性連接之導線的承載子部116d(適於承載發光二極體的承載子部116b)。殼體120包圍承載子部116b、116d。殼體120的凹槽120a暴露出承載子部116b、116d。伸出子部116a、116c位於殼體120之外且被殼體120所暴露。更進一步地說，電極部116A、116B的伸出子部116a、116c是位於殼體120與主板部112之間，且與主板部112斷開。電極部116與伸入部114是彼此分離的。換言之，電極部116及適於與電極部116電性連接的發光二極體是電性絕緣於主板部112以及伸入部114。

在本實施例中，至少二伸入部114可為第一伸入部114A及第二伸入部114B。二電極部116可為第一電極部116A以及第二電極部116B。需說明的是，本發明之伸入部、電極部的數量及設置位置並不限於圖1A及圖2A所繪。電極部的數量及設置位置可視主板貫孔中所欲放置的發光二極體數量及所欲達成之光學特性而定，而伸入部的數量及設置位置則以穩定支撐殼體120、電極部116為原則而定。在本實施例中，殼體120覆蓋部分的第一伸入部114A以及部分的第二伸入部114B。詳言之，第一伸入部114A以及第二伸入部114B各別具有相對的二端。第一伸入部114A的一端以及第二伸入部114B的一端與主板部112接觸，並暴露於殼 體120外。第一伸入部114A的另一端以及第二伸入部114B的另一端是嵌入殼體120中，而被殼體120覆蓋。

本實施例之殼體120具有彼此相對且互相平行的第一側壁122以及第二側壁124、連接第一側壁122與第二側壁124的第三側壁126、相對於第三側壁126且連接第一側壁122與第二側壁124的第四側壁128以及連接所有側壁的底部129。然而，需說明的是，本發明並不限定殼體的側壁數量、亦不限定殼體的整體外型需為近立方形。殼體的整體外型可視實際需求而定。在其他實施例中，更可選擇性地在殼體120凹槽120a內壁配置反射層，以使採用此承載結構製作之發光裝置的光學特性更佳。

在本實施例中，導線架110的電極部116嵌入殼體120的底部129中。殼體120的底部129、第一側壁122、第二側壁124、第三側壁126以及電極部116的承載子部116b、116d共同定義出凹槽120a。發光二極體適於配置於凹槽120a中，如圖2A所示，電極部116之一(例如第二電極部116B)具有適於面向發光二極體的承載子部116d。殼體120的第二側壁124在垂直於承載子部116d的方向D上覆蓋部分的伸入部114(例如第二伸入部114B)。

在本實施例中，從上視圖觀察(即朝與主板部112垂直的方向看去)，第一伸出子部116a、第一伸入部114A、第二伸出子部116c、第二伸入部114B可沿著順時針方向依序排列。詳言之，在本實施例中，殼體120的第一側壁122可覆蓋第一伸入部114A以及第一伸出子部116a所屬的第一電極部116A，而殼體120的第 二側壁124可覆蓋第二伸入部114B以及第二伸出子部116c所屬的第二電極部116B。換言之，在本實施例中，第一伸入部114A及第一電極部116A被殼體120覆蓋處可位於同一側。第二伸入部114B及第二電極部116B被殼體120覆蓋處亦可位於同一側。當電極部與伸入部在同一側時，伸入部支撐殼體120與電極部116的效果佳。

更進一步地說，在本實施例中，第一伸入部114A與第二伸入部114B可連成一參考直線L1。更精確地說，在本說明書中，參考直線L1是指第一伸入部114A被殼體120覆蓋處與第二伸入部114B被殼體120覆蓋處的連線。參考直線L1可不平行於殼體120的第一側壁122。換言之，本實施之第一伸入部114A及第二伸入部114B可斜對角設置。然而，本發明不限於此，在使伸入部114良好地支撐殼體120以及電極部116的原則下，伸入部114的設置位置可做適當的設計。舉例而言，在本實施例中，連接二相對伸入部114之參考直線L1可通過殼體120與電極部116整體的質量中心於主板部112所在平面上的正投影。如此一來，伸入部114可更加穩固地支撐殼體120以及電極部116，進而使採用承載結構100所製作之發光裝置的生產過程更為順暢。

如上段所述，伸入部114及電極部116設置位置並不限於圖1A所示。以下以圖3、圖4、圖5為例說明之。圖3為本發明另一實施例之承載結構的上視示意圖。請參照圖3，圖3之承載結構100A與圖1A之承載結構100類似，因此相同之元件以相同 的標號表示。承載結構100A與承載結構100不同處在於：在承載結構100A中，第一伸入部114A、第一伸入部114B是分別被第三側壁126及第四側壁128覆蓋，而非被第一側壁122及第二側壁124覆蓋。

圖4為本發明又一實施例之承載結構的上視示意圖。請參照圖4，圖4之承載結構100B與圖3之承載結構100A類似，因此相同之元件以相同的標號表示。承載結構100B與承載結構100A不同處在於：第一伸入部114A與第二伸入部114B連成之參考直線L1可平行於殼體120的第一側壁122。圖5為本發明再一實施例之承載結構的上視示意圖。請參照圖5，圖5之承載結構100C與圖1A之承載結構100類似，因此相同之元件以相同的標號表示。承載結構100C與承載結構100不同處在於：在承載結構100C中，第一伸入部114A與第二伸入部114B連成之參考直線L1可垂直於殼體120的第一側壁122。

在本實施例中，伸入部114除了支撐殼體120之外，更與殼體120固接。如此一來，在後續製程中，欲使伸入部114與主板部112分離(即下料)時，伸入部114可更良好地與主板部112分離，而提高生產順暢度。為使伸入部114與殼體120之間的固接狀態更佳，伸入部的結構可做特殊的設計。以下以圖6A及圖6B、圖7A及圖7B、圖8、圖9、圖10為例說明之。

圖6A為本發明一實施例之承載結構的上視示意圖。圖6B依據圖6A之剖線B-B’所繪之承載結構的剖面示意圖。請參 照圖6A及圖6B，承載結構100D與圖1A之承載結構100類似，因此相同之元件以相同的標號表示。承載結構100A與承載結構100不同處在於：在承載結構100D中，各伸入部114可具有伸入貫孔114a。如圖6B所示，殼體120嵌入伸入部114的伸入貫孔114a中。換言之，伸入部114利用伸入貫孔114a咬住殼體120，而與殼體120固接。如此一來，伸入部114相對二端與主板部112及殼體120間的接合強度便可提高，進而使伸入部114在後續製程中可更順利地與主板部112分離。

圖7A為本發明一實施例之承載結構的上視示意圖。圖7B依據圖7A之剖線C-C’所繪之承載結構的剖面示意圖。請參照圖7A及圖7B，承載結構100E與圖1A之承載結構100類似，因此相同之元件以相同的標號表示。承載結構100E與承載結構100不同處在於：在承載結構100E中，各伸入部114具有粗糙表面114b。殼體120陷入伸入部114的粗糙表面114b中，而使伸入部114良好地與殼體120固接，進而使伸入部114在後續製程中可更順利地與主板部112分離。

圖8為本發明一實施例之承載結構的上視示意圖。請參照圖8，承載結構100F與圖1A之承載結構100類似，因此相同之元件以相同的標號表示。承載結構100F與承載結構100不同處在於：在承載結構100F中，各一伸入部114具有伸入尖角114c。伸入部114的伸入尖角114c嵌入殼體120中，而使伸入部114穩定地與殼體120固接，進而使伸入部114在後續製程中可更順利 地與主板部112分離。在承載結構100F中，具有伸入尖角114c的伸入部114與主板貫孔112a可利用同一沖壓製程形成。因此，在承載結構100F中，伸入尖角114c與導線架110的主板部112實質上可位於同一平面。然而，本發明不限於此，在其他實施例中，伸入尖角114c亦可設置在其他適當位置。以圖9為例說明之。圖9為本發明一實施例之承載結構的剖面示意圖。承載結構100G與圖2A之承載結構100類似，因此相同之元件以相同的標號表示。在承載結構100G中，伸入尖角114c可朝凹槽120a之開口方向D1延伸，而深入殼體120內部。

圖10為本發明一實施例之承載結構的剖面示意圖。請參照圖10，承載結構100H與圖1A之承載結構100類似，因此相同之元件以相同的標號表示。承載結構100H與承載結構100不同處在於：在承載結構100H中，各伸入部114可具有一彎折子部114d。彎折子部114d埋入殼體120中。更進一步地說，彎折子部114d大致上朝凹槽120a之開口方向D1彎曲地延伸，並埋入殼體120中。利用形狀咬合來增加伸入部114與殼體120之結合強度。

請參照圖1B、圖1C、圖2B及圖2C，在提供承載結構100後，接著，令發光二極體200與電極部116電性連接。詳言之，如圖1B及圖2B所示，在本實施例中，可先將發光二極體200與其中一個電極部116固接，即進行固晶製程。然後，如圖1C及圖2C所示，再利用一導線300將發光二極體200電性連接至另一電極部116，即打線製程。然而，本發明不限於此，在其他實施例中， 亦可利用其他方式令發光二極體200與電極部116電性連接，例如覆晶方式或其它適當方式。

請參照圖1D及圖2D，接著，令封裝膠體400填入殼體120中並覆蓋發光二極體200。封裝膠體400的種類可視所欲實現之光線特性(如顏色)及發光二極體200的特性而定。值得注意的是，在本實施例中，因承載結構100之電極部116與主板部112及伸入部114電性絕緣，所以在下料前(即分離伸入部114與主板部112之前)可進行檢測發光二極體200的步驟。詳言之，如圖1E及圖2E所示，檢測發光二極體200的步驟可為：先輸入檢測電訊號I至各電極部116A、116B的伸出子部116a、116c，然後再量測發光二極體200所發出光線的光學特性。意即，量測發光二極體200所發出光線通過封裝膠體400後的光學特性(例如顏色、亮度等)是否落在規格值內。量測發光二極體200所發出光線的光學特性的動作可用光偵測器為之，以使發光裝置的生產流程更順暢。

請參照圖1F及圖2F，接著，分離伸入部114與主板部112，以完成本實施例之發光裝置1000。詳言之，在本實施例中，可在各伸入部114的相對二端分別與主板部112以及殼體120固接下，利用一治具斷開伸入部114與主板部112。具體而言，在本實施例中，可利用一沖壓製程分離伸入部114與主板部112。然而，本發明不限於此，在其他實施例中，亦可運用其他方法(例如雷射切割)分離伸入部114與主板部112。分離伸入部114與主板部112後，伸入部114、電極部116、殼體120、發光二極體200、導線 300、封裝膠體400會落下而完成本實施例之發光裝置1000。

相較於本實施例之承載結構100，本實施例之發光裝置1000主要是多了與電極部116電性連接的發光二極體200、導線300、封裝膠體400，而無承載結構100的主板部112。因此，參照前述承載結構100之說明及圖1F、圖2F便可清楚地了解本實施例之發光裝置1000的結構，於此便不再重覆說明。需說明的是，在發光裝置1000中，伸入部114至少有部份是埋入殼體120中。換言之，發光裝置1000的伸入部114不一定要如圖1F般有部分位於殼體120外。在其他實施例中，發光裝置1000的伸入部114的一端可與殼體120的側壁切齊，而完全地埋入發光裝置1000的殼體120中。

圖11示出利用圖3之承載結構依所述發光裝置製造方法所製得的發光裝置。圖12示出利用圖4之承載結構依所述發光裝置製造方法所製得的發光裝置。圖13示出利用圖5之承載結構依所述發光裝置製造方法所製得的發光裝置。圖14A及圖14B示出利用圖6A及圖6B之承載結構依所述發光裝置製造方法所製得的發光裝置。圖15A及圖15B示出利用圖7A及圖7B之承載結構依所述發光裝置製造方法所製得的發光裝置。圖16示出利用圖8之承載結構依所述發光裝置製造方法所製得的發光裝置。圖17示出利用圖9之承載結構依所述發光裝置製造方法所製得的發光裝置。圖18示出利用圖10之承載結構依所述發光裝置製造方法所製得的發光裝置。

相較於本發明一實施例之承載結構100A~100H，發光裝置1000A~1000H主要是多了與電極部116電性連接的發光二極體200、導線300、封裝膠體400，而無承載結構100A~100H的主板部112。因此，對應地參照前述承載結構100A~100H之說明及圖11~圖18，便可清楚地了解本發明其他實施例之發光裝置1000A~1000H的結構，於此亦不再重覆說明。

綜上所述，在本發明一實施例之發光裝置製造方法中，是利用分離導線架的伸入部與主板部的方式，完成下料動作，進而獲得發光裝置。因此，相較於習知技術，在本發明一實施例的下料過程中，導線架不易與殼體會產生嚴重的摩擦。如此一來，善習知技術中掉屑的問題便可被改善，進而使發光裝置的生產流程順暢。此外，在本發明一實施例的承載結構中，伸入部支撐住殼體及電極部，電極部與主板部斷開且與伸入部分離。因此，本發明一實施例的發光裝置可進行前測動作。

1000‧‧‧發光裝置

110‧‧‧導線架

112‧‧‧主板部

112a‧‧‧主板貫孔

114‧‧‧伸入部

114A‧‧‧第一伸入部

114B‧‧‧第二伸入部

116‧‧‧電極部

116A‧‧‧第一電極部

116B‧‧‧第二電極部

116a、116c‧‧‧伸出子部

116b、116d‧‧‧承載子部

120‧‧‧殼體

120a‧‧‧凹槽

122‧‧‧第一側壁

124‧‧‧第二側壁

126‧‧‧第三側壁

128‧‧‧第四側壁

129‧‧‧底部

200‧‧‧發光二極體

300‧‧‧導線

400‧‧‧封裝膠體

D‧‧‧垂直於承載子部的方向

D1‧‧‧凹槽之開口方向

L1‧‧‧參考直線

Claims (19)

1. 一種承載結構，用以承載一發光二極體，該承載結構包括：一殼體，具有一凹槽；以及一導線架，包括：一主板部，具有一主板貫孔；至少二伸入部，自該主板部向該主板貫孔內部延伸，該殼體配置於該些伸入部上，且該些伸入部伸入該殼體；以及二電極部，適於與該發光二極體電性連接，該殼體的該凹槽暴露出該些電極部，且各該電極部具有位於該殼體外的一伸出子部，其中該些電極部與該主板部分離且電性絕緣，而該伸出子部適於被輸入一檢測電訊號。
2. 如申請專利範圍第1項所述的承載結構，其中該至少二伸入部為一第一伸入部以及一第二伸入部，該二電極部為一第一電極部以及一第二電極部，該第一電極部的伸出子部為一第一伸出子部，該第二電極部的伸出子部為一第二伸出子部，而該第一伸出子部、該第一伸入部、該第二伸出子部、該第二伸入部沿著順時針方向依序排列。
3. 如申請專利範圍第1項所述的承載結構，其中該殼體與該些電極部整體具有一質量中心，而連接該些伸入部的一參考直線通過該質量中心於該主板部所在平面上的正投影。
4. 如申請專利範圍第1項所述的承載結構，其中該殼體包括一底部以及與該底部連接的一第二側壁，該導線架的該些電極部 嵌入該殼體的該底部中，該殼體的該底部與該殼體的該第二側壁共同定義出該凹槽，該發光二極體適於配置於該凹槽中，該些電極部之一具有適於面向該發光二極體的一承載子部，而該殼體的該第二側壁在垂直於該承載子部的方向上覆蓋該些伸入部之一。
5. 如申請專利範圍第1項所述的承載結構，其中各該伸入部具有一伸入貫孔，而該殼體嵌入該伸入部的該伸入貫孔中。
6. 如申請專利範圍第1項所述的承載結構，其中各該伸入部具有一粗糙表面，而該殼體陷入該伸入部的該粗糙表面中。
7. 如申請專利範圍第1項所述的承載結構，其中各該伸入部具有一伸入尖角，而伸入部的該伸入尖角嵌入該殼體中。
8. 如申請專利範圍第1項所述的承載結構，其中各該伸入部具有一彎折子部，而該彎折子部大致上朝該凹槽之開口方向彎曲地延伸並埋入該殼體中。
9. 如申請專利範圍第1項所述的承載結構，其中各該電極部具有一承載子部以及與該承載子部連接的該伸出子部，該殼體包圍且暴露各該電極部的該承載子部。
10. 一種發光裝置，包括：一發光二極體；一殼體，具有一凹槽；以及一導線架，包括：至少二伸入部，伸入該殼體；以及二電極部，與該發光二極體電性連接，該殼體的該凹槽 暴露出該些電極部，且各該電極部具有位於該殼體外的一伸出子部，其中該發光二極體固晶於該些電極部其中之一上，且該些伸入部與該些電極部電性絕緣。
11. 如申請專利範圍第10項所述的發光裝置，其中該至少二伸入部為一第一伸入部以及一第二伸入部，該二電極部為一第一電極部以及一第二電極部，該第一電極部的伸出子部為一第一伸出子部，該第二電極部的伸出子部為一第二伸出子部，而該第一伸出子部、該第一伸入部、該第二伸出子部、該第二伸入部沿著順時針方向依序排列。
12. 如申請專利範圍第10項所述的發光裝置，其中該殼體與該些電極部整體具有一質量中心，而連接該些伸入部被的一參考直線通過該質量中心於該主板部所在平面上的正投影。
13. 如申請專利範圍第10項所述的發光裝置，其中該殼體包括一底部以及與該底部連接的一第二側壁，該導線架的該些電極部嵌入該殼體的該底部中，該殼體的該底部與該殼體的該第二側壁共同定義出該凹槽，該發光二極體配置於該凹槽中，該些電極部之一具有適於面向該發光二極體的一承載子部，而該殼體的該第二側壁在垂直於該承載子部的方向上覆蓋該些伸入部之一。
14. 如申請專利範圍第10項所述的發光裝置，其中各該伸入部具有一伸入貫孔，而該殼體嵌入該伸入部的該伸入貫孔中。
15. 如申請專利範圍第10項所述的發光裝置，其中各該伸入部具有一粗糙表面，而該殼體陷入該伸入部的該粗糙表面中。
16. 如申請專利範圍第10項所述的發光裝置，其中各該伸入部具有一伸入尖角，而伸入部的該伸入尖角嵌入該殼體中。
17. 如申請專利範圍第10項所述的發光裝置，其中各該伸入部具有一彎折子部，而該彎折子部大致上朝該凹槽之開口方向彎曲地延伸並埋入該殼體中。
18. 如申請專利範圍第10項所述的發光裝置，其中各電極部具有一伸出子部，而該伸出子部適於被輸入一檢測電訊號。
19. 如申請專利範圍第10項所述的發光裝置，其中各該電極部具有一承載子部以及與該承載子部連接的該伸出子部，該殼體包圍且暴露各該電極部的該承載子部。