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TWI432539B - 用於形成太陽能電池電極之導電糊 - Google Patents

用於形成太陽能電池電極之導電糊 Download PDF

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TWI432539B
TWI432539B TW099136640A TW99136640A TWI432539B TW I432539 B TWI432539 B TW I432539B TW 099136640 A TW099136640 A TW 099136640A TW 99136640 A TW99136640 A TW 99136640A TW I432539 B TWI432539 B TW I432539B
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oxide
glass frit
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Masami Nakamura
Naoto Shindo
Tadashi Kanasaku
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Shoei Chemical Ind Co
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Application filed by Shoei Chemical Ind Co filed Critical Shoei Chemical Ind Co
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Description

用於形成太陽能電池電極之導電糊
本發明關於一種含有玻璃料、與包含銀作為主成分之導電粉，且用於形成太陽能電池電極之燒製型導電糊。
習知上，一般太陽能電池裝置具矽半導體基板、擴散層、抗反射膜、後電極、及前電極(以下有時稱為「光接收電極」)。特別是在形成前電極時，電極係使用混合主要由銀組成之導電粒與玻璃料、有機媒液等而製成之導電糊，藉網版印刷、刻板印刷等形成。
至於一個實例，在第1圖所示之結晶矽太陽能電池中，其在p-型結晶矽基板4(以稱為紋理結構之凹凸表面結構形成)之前表面(光接收表面)區域中形成擴散層3。將雜質[如磷(P)]自其光接收表面擴散至半導體基板4中而形成之擴散層3為導電型式與半導體基板4相反之區域(在本實例中將相反之導電型式解釋為n-型)。n-型擴散層3係例如藉由將半導體基板4置於擴散爐中，及將其在氧氯化磷(POCl3 )等之中加熱而形成。在此擴散層3上由氮化矽、氧化矽、氧化鈦等形成絕緣抗反射膜2以提供抗反射功能，同時保護太陽能電池裝置。例如在氮化矽(以下稱為”SiN”)之情形，該膜係使用矽烷(SiH4 )與氨(NH3 )之混合氣體藉電漿CVD等形成。考量此折射率與半導體基板4間之差等，其將抗反射膜2形成約5至100奈米之厚度及約1.8至2.3之折射率。
其次藉網版印刷等將上述導電糊以格形式印刷或塗覆在抗反射膜2上，及在約500至900℃燒製形成前電極1。通常在抗反射膜2因導電糊中玻璃料之作用而熔化且在燒製期間移除時達成前電極1與n-型擴散層3間之電接觸。其常被稱為「燒穿(fire-through)」。
後電極5係在半導體基板4之後側上與摻雜鋁等之高濃度p-型BSF(背表面場)層一起形成。
為了達成合適之燒穿，其已較佳地使用抗反射膜2溶解度良好之玻璃作為導電糊中之玻璃料。其中特別是在用於形成前電極之習知導電糊中經常將含有氧化鉛之玻璃用於玻璃料，因為易於調整玻璃軟化點且該玻璃提供良好之基板黏著性(黏著強度)，可相當容易地燒穿及造成優異之太陽能電池特性。
例如將硼矽酸鉛玻璃料用於日本專利公告第11-213754 A、2001-093326 A與10-326522 A號所述之用於形成太陽能電池電極之銀糊，而除了硼矽酸鉛玻璃料，日本專利公告第2001-118425 A號揭述硼酸鉛玻璃料。
然而關於上述燒穿，由於在燒製前電極1時玻璃料等之效果變動而在前電極1不穿透抗反射膜2時發生黏著強度變動及無法在前電極1與半導體基板4之n-型擴散層3間得到安定之歐姆接觸的問題。歐姆接觸不足會在輸出期間造成損失而使太陽能電池之轉化效率低，及電流-電壓特徵下降。
同時如日本專利公告第10-326522 A號之[0004]段、日本專利公告第2004-207493 A號之[0017]段等所述，已知另一個其中過度燒穿亦可能產生不良之電壓特徵的問題。由於如上所述，抗反射膜2之厚度不可大於約5至100奈米，如果前電極1穿透抗反射膜2然後通過下方之n-型擴散層3而侵入半導體基板4，則p-n接面可能破裂，及可能負面地影響得自電流-電壓特徵測量之填充因數(“fill factor,FF”)。如果未來為了改良效率而使n-型擴散層3更薄，則可能更難以控制此穿透。
第2圖顯示經穿透電子顯微鏡(TEM)觀看之市售太陽能電池基板的前電極與半導體基板間界面。此市售太陽能電池將鉛玻璃用於前電極。在第2圖中，含有得自導電糊之銀成分的鉛玻璃層6存在於前電極層1a與SiN層2(其為抗反射膜)之間，且此玻璃層之部分7穿透SiN層2而接觸矽基板(或n-型擴散層)4，但是在部分8則燒穿太多，且可見到玻璃成為侵入半導體基板4內部深處之突出。
至於另一個議題，近年來提升之環境意識已導致希望將太陽能電池轉換成無鉛材料及零件。因此為了提供優異之太陽能電池特性，現正發展提供如同傳統鉛玻璃之易於調整玻璃之軟化點、基板黏著性(高黏著強度)良好及燒穿良好的替代材料及零件。
例如已嚐試使用日本專利公告第2001-118425 A號之硼矽酸鋅玻璃料、日本專利公告第10-326522 A號之硼矽酸鉍與硼矽酸鋅玻璃料、日本專利公告第2008-543080 A號(WO 2006/132766號專利之日文翻譯)之硼矽酸鹽玻璃料、及日本專利公告第2009-194121 A號之硼酸鋅玻璃料形成前電極。然而本發明人之研究顯示即使是使用此種無鉛玻璃，有時仍難以控制燒穿(包括燒穿不足之情形)，無法達成歐姆接觸，或者如第2圖，過度燒穿使得部分前電極侵入半導體基板深處。
另一方面，已知碲玻璃為用於螢光映像管密封應用之玻璃(日本專利公告第10-029834 A號)及光纖材料應用(日本專利公告第2007-008802 A號)。通常已知碲玻璃具有低熔點，高耐久性，及容易地將銀溶於固態溶液中，但是與氧化矽之反應性亦極低，且由於近年來矽型抗反射膜已普及，以碲玻璃形成太陽能電池之前電極不受注意。
本發明之一個目的為提供一種用於形成太陽能電池電極之導電糊，其無鉛但可形成提供良好之太陽能電池特性的電極。
本發明包含以下。
(1)一種用於形成太陽能電池電極之導電糊，其係包括：一種包含銀作為主成分之導電粉；玻璃料；及有機媒液，其中玻璃料含有具有氧化碲作為網路形成成分之碲玻璃料。
(2)依照以上(1)之用於形成太陽能電池電極之導電糊，其中碲玻璃料係含有25至90莫耳%之氧化碲。
(3)依照以上(1)或(2)之用於形成太陽能電池電極之導電糊，其中碲玻璃料係含有氧化鎢與氧化鉬之一種或以上。
(4)依照以上(3)之用於形成太陽能電池電極之導電糊，其中碲玻璃料係含有總共5至60莫耳%之氧化鎢與氧化鉬之一種或以上。
(5)依照以上(3)或(4)之用於形成太陽能電池電極之導電糊，其中碲玻璃料係含有氧化鋅、氧化鉍、與氧化鋁之一種或以上。
(6)依照以上(1)之用於形成太陽能電池電極之導電糊，其中碲玻璃料係含有以下之成分：
氧化碲：25至90莫耳%
氧化鎢與氧化鉬至少之一：共5至60莫耳%
氧化鋅：0至50莫耳%
氧化鉍：0至25莫耳%
氧化鋁：0至25莫耳%。
(7)依照以上(1)至(6)中任一項之用於形成太陽能電池電極之導電糊，其中碲玻璃料係含有按100重量份之導電粉計為0.1至10重量份之量。
本發明可得到一種可用於形成太陽能電池電極之導電糊，其具良好之太陽能電池特性但未如過去含有任何鉛玻璃。使用本發明之導電糊製備太陽能電池，則可得到一種性能與特徵完全相當於或優於習知太陽能電池之太陽能電池。
以下解釋依照本發明之導電糊及太陽能電池裝置的一個具體實例，但是本發明之範圍不受其限制。
首先解釋本發明之導電糊。在本發明之導電糊中，其將玻璃料與包含銀作為主成分之導電糊分散於有機媒液中。以下解釋個別成分。
導電糊並未特別地限制，只要其含有銀作為主成分，且可具有如習知地使用之球形、片形或枝形等。除了純銀粉，其可使用在其表面上至少具有銀層之塗銀複合粉及包含銀作為主成分之合金等。導電糊之平均粒度較佳為0.1至10微米。亦可使用平均粒度、粒度分布、形狀等不同之兩種或以上之導電粉的混合物、或銀粉與一種或以上之銀以外導電粉的混合物。對於可與銀粉錯合、合金或混合之金屬並無特別之限制，只要不負面地影響本發明之功能效果，且實例包括鋁、金、鈀、銅、鎳等。然而由導電度之觀點，其希望使用純銀粉。
本發明特徵為使用包含氧化碲作為網路形成成分之碲玻璃作為電極形成導電糊中之玻璃料。本發明之導電糊特別適合在太陽能電池之前表面(光接收表面)上形成電極，且將此糊印刷在太陽能電池表面之氮化矽等抗反射膜上，及將其燒製而可得到提供優異之太陽能電池特性的電極。
在用於本發明之碲玻璃(以下稱為「Te玻璃」)中，氧化碲本身不形成玻璃，而為形成玻璃之主要結構的網路形成成分，及其含量相對全部玻璃料為25至90莫耳%(如氧化物)。在此含量小於25莫耳%或大於90莫耳%時玻化(vitrification)困難。含量範圍較佳為30至80莫耳%，且更佳為40至70莫耳%。
本發明人之研究已顯示，在使用含有Te玻璃之導電糊形成太陽能電池之前電極時，幾乎無如第2圖所示之前電極穿透深入半導體基板，易於控制燒穿，且可得到充分之歐姆接觸。
第3圖顯示矽基板與使用本發明導電糊形成之前電極間界面，如在穿透電子顯微鏡(TEM)下所觀察。其形成一種其中在前電極層1a與SiN層2之間存在包含銀成分之Te玻璃層9、與具一系列沉澱細銀粒11之氧化矽層10的獨特結構。本發明人推論其乃由於Te玻璃與氧化矽之低反應性、及Te玻璃非常容易地將銀溶於固態溶液中之性質所造成。由於Te玻璃之性質，據信在形成電極時於燒製期間將大量銀如離子溶於Te玻璃中，且如此溶於玻璃中之銀離子繼而逐漸地經玻璃層擴散至SiN層2中，而在電極界面處促進將SiN層之部分表面層轉化成氧化矽的氧化-還原反應，同時沉澱成為非常細微之銀粒。此外由於即使是在電極的確穿越抗反射膜時仍不穿透深入矽基板4，相較於習知導電糊，本發明之導電糊對燒製溫度之依附性低且燒穿控制容易，而可進一步減小太陽能電池之厚度及進一步減小n-型擴散層之厚度(預期未來需要)。
在本發明之Te玻璃中，氧化碲為形成玻璃網路之網路形成成分，亦希望氧化碲之外包括氧化鎢與氧化鉬之一種或以上作為輔助玻璃網路形成之成分。
氧化鎢與氧化鉬均對擴大Te玻璃之玻化範圍及安定玻璃有所貢獻。如果這些成分之組合含量(如氧化物)小於5莫耳%或大於60莫耳%，則玻化困難。較佳範圍為10至50莫耳%。
鋅、鉍與鋁之一種或以上較佳為包括於本發明之Te玻璃中，及特別希望組合鎢及/或鉬而包括之。
鋅有助於擴大玻化範圍及安定玻璃，但是如果其含量(如氧化物)超過50莫耳%則玻化困難。較佳範圍為5至30莫耳%。
鉍有助於擴大玻化範圍及改良化學耐久性，但是如果其含量(如氧化物)超過25莫耳%則易於形成結晶相而損壞玻璃之安定性。較佳範圍為0.5至22莫耳%。
鋁有助於改良玻璃之化學耐久性，但是在其添加量(如氧化物)大於25莫耳%時無法得到顯著之添加效果。較佳範圍為2至20莫耳%。
另外，為了調整與SiN層之反應性及銀之固態溶解量，在本發明之Te玻璃中可單獨地包括鹼金屬元素(如鋰與鈉)、鹼土金屬元素(如鎂、鈣、鍶與鋇)、及其他元素(如鏑、釔、鈮、鑭、銀、鋯、鈦、硼、鍺、磷與鉭)、或其組合，且其總量(如氧化物)較佳為50莫耳%或更小。
此外，本發明之Te玻璃較佳為具有300至550℃之軟化點。如果軟化點低於300℃則較易發生燒穿，及前電極可能穿透不僅SiN層亦及n-型擴散層，而增加p-n接面破裂之風險。如果軟化點超過550℃則對前電極與抗反射膜間接面界面供應之玻璃不足，使得無法得到上述之獨特結構，歐姆接觸受損，及減小電極之黏著強度。
除了上述之Te玻璃料，在本發明之導電糊中可組合Te玻璃以外之玻璃料。為了控制燒製溫度、SiN層反應性等，及控制所獲得太陽能電池裝置之特徵之目的，其可適當地將選自已知玻璃(如SiO2 -B2 O3 玻璃、SiO2 -B2 O3 -ZnO玻璃、SiO2 -Bi2 O3 玻璃、B2 O3 -ZnO玻璃等)之玻璃組合Te玻璃作為Te玻璃以外之玻璃料，且特別希望包括SiO2 -B2 O3 玻璃或SiO2 -B2 O3 -ZnO玻璃。
本發明導電糊中之玻璃料可含有用於形成太陽能電池電極之導電糊通常含有之量，但是例如按100重量份之導電粉計較佳為0.1至10重量份。如果按100重量份之導電粉計之玻璃料量小於0.1重量份，則黏著性及電極強度非常低。另一方面，如果其超過10重量份，則有玻璃在電極表面上漂浮，及由於玻璃流入界面中而使接觸電阻增加之問題。為了達成良好之燒穿，其必須在習知用於形成太陽能電池電極之導電糊中加入特定量之玻璃料。然而在本發明之導電糊中，即使是在抑制玻璃料之量時仍可達成充分之歐姆接觸。更希望之玻璃料量按100重量份之導電糊計為0.1至5重量份。
加入本發明導電糊之玻璃料的平均粒度並未特別地限制，但是較佳為0.5至5.0微米。
本發明之導電糊本質上不含鉛成分，且特定言之，導電糊之鉛含量為1000 ppm或更小。
其可如所需將常作為添加劑之塑性劑、黏度調整劑、界面活性劑、氧化劑、金屬氧化物、有機金屬化合物等之一種或以上以不損及本發明效果之程度加入本發明之導電糊。亦可加入申請人提出之日本專利公告第2007-242912 A號所述之銀化合物(如碳酸銀、氧化銀、或乙酸銀)，且為了控制燒製溫度、改良太陽能電池特性等，亦可適當地加入氧化銅、氧化鋅、氧化鈦等之一種或以上。
本發明之導電糊係藉由將上述導電粉、玻璃料、與合適添加劑及有機媒液混合在一起，以得到具適合網版印刷或其他印刷方法之流變性之糊、塗料或印墨而形成。有機媒液並未特別地限制，其可適當地選擇及混合常作為銀糊之媒液的有機黏合劑、溶劑等。有機黏合劑之實例包括纖維素、丙烯酸樹脂、酚樹脂、醇酸樹脂、松脂酯等，而溶劑之實例包括醇、醚、酯、烴及其他有機溶劑與水、及其混合溶劑。有機溶劑之量並未特別地限制，且可依照塗佈方法適當地調整成適合將無機成分(如導電粉與玻璃料)保留在糊中之量，但是通常按100重量份之導電粉計為約5至40重量份。
其中使用本發明導電糊之太陽能電池裝置係例如如下而製造。
半導體基板較佳為單晶矽或多晶矽，摻雜硼等使得基板呈現某種導電型式(例如p-型)。擴散層係藉由將磷原子等自其光接收表面擴散至半導體基板中而形成，因而形成導電型式相反之區域(例如n-型)，在其上提供氮化矽等之抗反射膜。將鋁糊、銀糊或銀-鋁糊塗佈在光接收表面之相反基板表面上，及乾燥形成後電極、與高濃度p-型BSF層。然後藉習知方法(如網版印刷)將本發明之導電糊塗佈在上述抗反射膜上，在500至900℃之最高溫度乾燥及燒製總共約1至30分鐘之燒製時間，而分解及移除有機媒液成分且同時形成前電極、後電極、與BSF層。其不必將前電極與後電極共燃，且前電極可在燒製後電極後形成，或者後電極可在燒製前電極後形成。為了得到較佳之光電轉化效率，半導體基板之光接收表面較佳為具有具凹凸表面(或金字塔狀粗面)之紋理結構。
[實施例]
本發明在以下藉實施例詳細解釋，但是本發明不因而受其限制。
1.預試 [樣品1至11之製備]
將100重量份之銀粉與2重量份之具有表1所示組成物的玻璃料一起分散於由1.6重量份之乙基纖維素與6.4重量份之丁基卡必醇組成之有機媒液中，而製備導電糊(樣品1至11)。表中所示玻璃組成物中之成分均以氧化物之莫耳%表示。
表中「銀粉」欄所列之粉末如下。下示之平均粒度D50對應在以雷射繞射粒度分析儀測量之粒度分布中，按重量計累積50%之值。
銀粉X：球形粉末，平均粒度D50=1.8微米
銀粉Y：球形粉末，平均粒度D50=1.5微米
銀粉Z：球形粉末，平均粒度D50=2.6微米
(電極形成及評估)
如此製備之導電糊的起初評估係如下藉TLM(穿透線模型)法測量接觸電阻。
首先對各樣品製備10片藉鹼蝕刻形成之具金字塔紋理的2公分×2公分正方形p-型矽基板，將磷自一個主要表面(光接收表面)擴散至各基板中而形成n-型區域(擴散層)，及藉電漿CVD在其上形成平均厚度為75奈米之SiN層。
其次使用以上製備之樣品1至11，在SiN層上以2毫米之細線形電極間節距形成多個100微米寬及15微米厚之細線形式的前電極，以數位萬用電表(由Hewlett Packard Co.製造之3458A萬用電表)測量線形電極間之電阻值，及測定接觸電阻且用以評估樣品。
應注意，前電極係在800℃之最高溫度燒製。
將結果一起示於表1。用於表中「接觸電阻」欄之符號如下。
◎　10片基板之平均接觸電阻小於0.05歐姆平方公分
○　10片基板之平均接觸電阻為至少0.05歐姆平方公分但小於0.08歐姆平方公分
△　10片基板之平均接觸電阻為至少0.08歐姆平方公分但小於0.10歐姆平方公分
×　10片基板之平均接觸電阻為0.10歐姆平方公分或更大
其次如上所述，觀察TEM相片中前電極與矽基板間之界面，及如下評估前電極通過SiN層至矽基板中之穿透。將結果示於表中之「穿透」欄。
A：通過SiN層至矽基板中之最大穿透小於100奈米。
B：最大穿透為至少100奈米但是小於200奈米。
C：最大穿透為至少200奈米但是小於300奈米。
D：最大穿透為300奈米或更大。
如以上所討論，在將Te玻璃用於導電糊中之玻璃料時得到大致良好之接觸電阻，如表1所示。
(樣品12-81之評估)
如樣品1至11而製備樣品12至81，除了將含於導電糊之玻璃組成物與銀粉改成如表2-1及表2-2所示，及如樣品1至11而測量且評估其接觸電阻。將結果示於表2-1及表2-2。表中玻璃組成物之各成分均以氧化物之莫耳%表示。
(樣品82-130之評估)
如樣品1至11而製備樣品82-130，除了將含於導電糊之玻璃組成物與銀粉、及加入導電糊之玻璃份數(重量比)改成如表3-1及表3-2所示，且如樣品1至11而測量及評估其接觸電阻。將結果示於表3-1及表3-2。
(比較性樣品1-2之評估)
至於比較性樣品1與2，如樣品1至11而製備導電糊，除了將所添加玻璃料之組成物與量、及使用之銀粉改成如表3-2所示，且如上所述而測量及評估其接觸電阻。將結果示於表3-2。
在表3-1與3-2中，玻璃之份數係以按100重量份之銀粉計的份數表示，及玻璃組成物之各成分均以氧化物之莫耳%表示。
由上表明顯可知，使用本發明之導電糊形成之電極提供低接觸電阻而不造成電極層穿越SiN層及穿透深入矽基板中。在比較性樣品形成之前電極的情形，其證實部分電極穿越SiN層及侵入矽基板深處。
2.太陽能電池裝置特徵之評估
如同預試，在藉鹼蝕刻形成之具金字塔紋理結構的2公分×2公分p-型矽基板之一個主要表面(光接收表面)上依序形成n-型擴散層與SiN層，及在相反側之基板後表面上以鋁糊形成後電極，然後使用各上述樣品44、79、88與123在SiN層上印刷梳形圖案而在燒製後得到梳形前電極(線寬：100微米，厚度：15微米，線間節距：2毫米)，且在800℃之最高溫度燒製而形成前電極及製備太陽能電池裝置。亦使用相同之樣品形成梳形圖案，將其在760℃與780℃之最高溫度燒製而製備僅燒製溫度不同之太陽能電池裝置。
亦以比較性樣品1與2形成梳形圖案，將其在800℃之最高溫度燒製而製備太陽能電池裝置。
使用太陽模擬機(由WACOM ELECTRIC Co.,Ltd.製造之WXS-50S-1.5,AM 1.5 G)及高電流來源計(由KEITHLEY INSTRUMENTS,INC.製造之2400型)，使獲得之太陽能電池裝置接受1-V曲線測量而測定開路電壓(Voc)、短路電流密度(Jsc)、填充因數(FF)、最大電力輸出(Pmax)及轉化效率(Eff)，將結果示於表4。
其證實具有以本發明導電糊形成之前電極的太陽能電池裝置對燒製溫度之依附性低，及太陽能電池特性優良。
1．．．前電極
1a．．．前電極層
2．．．抗反射膜或SiN層
3．．．擴散層
4．．．基板
5．．．後電極
6,9．．．玻璃層
7．．．玻璃層之一部分
8．．．玻璃層之一部分
10．．．氧化矽層
11．．．銀粒
第1圖為一種太陽能電池裝置之圖。
第2圖為基板與使用習知鉛玻璃之前電極間界面的TEM相片。
第3圖為基板與本發明使用Te玻璃之前電極間界面的TEM相片。
1a．．．前電極層
2．．．抗反射膜或SiN層
4．．．基板
9．．．玻璃層
10．．．氧化矽層
11．．．銀粒

Claims (14)

  1. 一種導電糊用於藉由以500至900℃燒製而形成太陽能電池電極之用途，其中該導電糊係包括：一種包含銀作為主成分之導電粉、玻璃料、及有機媒液的太陽能電池電極形成用之導電糊；其中該玻璃料含有具有25至90莫耳%氧化碲作為網路形成成分之碲玻璃料。
  2. 如申請專利範圍第1項之導電糊用於形成太陽能電池電極之用途，其中該碲玻璃料係含有40至90莫耳%之氧化碲。
  3. 如申請專利範圍第1項之導電糊用於形成太陽能電池電極之用途，其中該碲玻璃料係含有氧化鎢與氧化鉬中之至少一者。
  4. 如申請專利範圍第3項之導電糊用於形成太陽能電池電極之用途，其中該碲玻璃料係含有總共5至60莫耳%之氧化鎢與氧化鉬中之至少一者。
  5. 如申請專利範圍第3項之導電糊用於形成太陽能電池電極之用途，其中該碲玻璃料係進一步地含有選自由氧化鋅、氧化鉍與氧化鋁所組成的族群中之至少一者。
  6. 如申請專利範圍第1項之導電糊用於形成太陽能電池電極之用途，其中該碲玻璃料係含有以下之成分：氧化碲：25至90莫耳%氧化鎢與氧化鉬至少之一者：共5至60莫耳%氧化鋅：0至50莫耳% 氧化鉍：0至25莫耳%氧化鋁：0至25莫耳%。
  7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之導電糊用於形成太陽能電池電極之用途，其中該碲玻璃料係含有按100重量份之導電粉計為0.1至10重量份之量。
  8. 一種太陽能電池元件之製造方法，其係至少具有提供呈現一導電型之半導體基板之步驟、於該半導體基板表面上自該半導體基板之光接收表面側形成呈現與該半導體之一導電型相反之導電型的區域之步驟、於該區域上形成抗反射膜之步驟、以及於該抗反射膜上形成表面電極之步驟，其中該表面電極係藉由於該抗反射膜上塗布導電糊，並以500至900℃燒製而形成，該導電糊含有銀作為主成分之導電粉、含有具有25至90莫耳%氧化碲作為網路形成成分之碲玻璃料的玻璃料、及有機媒液之導電糊。
  9. 如申請專利範圍第8項之太陽能電池元件之製造方法，其中該碲玻璃料係含有40至90莫耳%之氧化碲。
  10. 如申請專利範圍第8項之太陽能電池元件之製造方法，其中該碲玻璃料係含有氧化鎢與氧化鉬中之至少一者。
  11. 如申請專利範圍第10項之太陽能電池元件之製造方法，其中該碲玻璃料係含有總共5至60莫耳%之氧化鎢與氧化鉬中之至少一者。
  12. 如申請專利範圍第10項之太陽能電池元件之製造方法，其中該碲玻璃料係進一步地含有選自由氧化鋅、氧化鉍 與氧化鋁所組成的族群中之至少一者。
  13. 如申請專利範圍第8項之太陽能電池元件之製造方法，其中該碲玻璃料係含有以下之成分：氧化碲：25至90莫耳%氧化鎢與氧化鉬至少之一者：共5至60莫耳%氧化鋅：0至50莫耳%氧化鉍：0至25莫耳%氧化鋁：0至25莫耳%。
  14. 如申請專利範圍第8至13項中任一項之太陽能電池元件之製造方法，其中該碲玻璃料係含有按100重量份之導電粉計為0.1至10重量份之量。
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