TWI431785B - 糊膏狀組成物及太陽電池元件 - Google Patents

Description

糊膏狀組成物及太陽電池元件

本發明係關於一般的糊膏狀組成物及太陽電池元件，特定而言，係關於當在構成結晶系矽太陽電池的矽半導體基板背面上形成電極時所使用的糊膏狀組成物、及使用其形成背面電極的太陽電池元件。

在p型矽半導體基板的背面上形成電極的電子零件，已知有如日本專利特開2000-90734號公報、特開2004-134775號公報所揭示的太陽電池元件。

圖1所示係太陽電池元件的一般切剖構造示意圖。

如圖1所示，太陽電池元件係使用厚度200~300μm的p型矽半導體基板1構成。在p型矽半導體基板1的受光面側，形成厚度0.3~0.6μm的n型雜質層2、與其上方的抗反射膜3與柵電極4。

再者，在p型矽半導體基板1的背面側係形成鋁電極層5。鋁電極層5係將由略球狀鋁粒子構成的鋁粉末、玻璃介質及有機質載體構成的糊膏狀組成物，利用網版印刷等施行塗佈，經乾燥後，利用660℃(鋁熔點)以上的溫度施行短時間燒成而形成。在施行該燒成之際，因鋁擴散於p型矽半導體基板1的內部，而在鋁電極層5與p型矽半導體基板1之間形成Al-Si合金層6，同時形成由鋁原子擴散所造成之雜質層的p⁺ 層7。藉由該p⁺ 層7的存在，可獲得防止電子的再結合，並提升生成載子收集效率的BSF(Back Surface Field)效果。

例如日本專利特開平5-129640號公報所揭示，將由鋁電極層5與Al-Si合金層6所構成的背面電極8，利用酸等施行去除，再利用新的銀膏等形成集電極層的太陽電池元件已被實用化。然而，為了將背面電極8去除而所使用的酸必需採取廢棄處理，而有因該去除步驟導致步驟趨於煩雜等問題。為了迴避此種問題，最近大多採取殘留背面電極8，並直接利用作為集電極而構成太陽電池元件。

而且，習知使用含有由略球狀鋁粒子所構成之鋁粉末的糊膏狀組成物，在p型矽半導體基板背面上施行塗佈，且利用燒成而形成背面電極的太陽電池元件，雖可獲得一定的生成載子收集效率之提升，但為了提高轉換效率，期盼能更加提升所需的BSF效果。

但是，最近為了解決矽原料不足、與降低太陽電池成本，因而針對將p型矽半導體基板的厚度變薄之事進行檢討。

特別係近年對地球環境的關心高漲，太陽能發電的重要性已屬世界性認知，多數企業已參與太陽能發電領域，太陽電池將持續增產。因此，屬於太陽電池元件原料的p型矽半導體基板之取得趨於困難。因應此情形，為了確保太陽電池的生產量，便嘗試有將p型矽半導體基板的厚度變薄為較習知厚度主流的200μm~220μm等更薄的160μm。

但是，當在厚度變薄的p型矽半導體基板上，將習知含有由略球狀鋁粒子所構成之鋁粉末的糊膏狀組成物施行塗佈，並進行燒成時，係因p型矽半導體基板的矽與鋁間之熱膨脹係數差，於糊膏狀組成物燒成後，p型矽半導體基板發生變形、翹曲，而已形成了電極層的背面側呈凹狀。此外，在厚度變薄的p型矽半導體基板上，為提升BSF效果，而增加塗佈量施行糊膏狀組成物塗佈並燒成時，亦因p型矽半導體基板的矽與鋁間之熱膨脹係數差，在糊膏狀組成物燒成後，p型矽半導體基板發生變形、翹曲，而在已形成電極層的背面側呈凹狀。因此，在太陽電池的製造步驟中發生龜裂等情形，結果有太陽電池之製造良率降低的問題。

為了解決該翹曲問題，便有減少糊膏狀組成物的塗佈量，使背面電極層變薄的方法。然而，若糊膏狀組成物的塗佈量減少，從p型矽半導體基板背面擴散至內部的鋁量不足。結果，無法達成所需的BSF效果，因而發生太陽電池特性降低的問題。

再者，在p型矽半導體基板的厚度非常薄的情況下，即使大幅減少糊膏狀組成物的塗佈量，p型矽半導體基板仍有會發生某程度翹曲的問題。

另外，當未減少糊膏狀組成物的塗佈量，而減少糊膏狀組成物中的鋁粉末含有量時，亦有燒成後的背面電極之電阻變大，轉換效率降低，發生某程度翹曲的問題。

緣是，本發明之一目的在於解決上述問題，提供當用於在如習知般較厚矽半導體基板上形成較薄背面電極層時，可充分達成與習知利用由含有略球狀鋁粒子所構成之鋁粉末的糊膏狀組成物、形成較厚背面電極層的情況為同等程度或同等以上之BSF效果的糊膏狀組成物。

本發明另一目的在於提供當用於在較薄矽半導體基板上形成較薄背面電極層時，可充分達成與習知利用由含有略球狀鋁粒子所構成之鋁粉末的糊膏狀組成物、形成較厚背面電極層的情況為同等程度或同等以上之BSF效果，且可較習知以含有由略球狀鋁粒子所構成之鋁粉末的糊膏狀組成物、形成較薄背面電極層的情況，大幅抑制燒成後的矽半導體基板變形之糊膏狀組成物。

本發明再另一目的在於提供具備有使用上述糊膏狀組成物所形成之背面電極層的太陽電池元件。

本發明者等為解決習知技術問題而經深入鑽研，結果發現，藉由使用含薄片狀鋁粒子的鋁粉末作為糊膏狀組成物中的鋁粉末，便可達成上述目的。根據此項發現，依照本發明的糊膏狀組成物具備有如下述特徵。

依照本發明的糊膏狀組成物，係用於在構成結晶系矽太陽電池的p型矽半導體基板背面上形成電極，並含有作為導電性粉末之鋁粉末者，其中，鋁粉末係含有薄片狀鋁粒子。此處所謂「薄片狀鋁粒子」係指粒子的外觀形狀為板狀、薄片狀、扁平狀，或者至少含有板狀外形部分的鋁粒子、或至少含有扁平外形部分的鋁粒子。

本發明的糊膏狀組成物較佳係薄片狀鋁粒子含有量為10質量%以上且50質量%以下。

再者，本發明的糊膏狀組成物較佳係薄片狀鋁粒子之平均粒徑為3μm以上且60μm以下。

本發明的糊膏狀組成物更佳係薄片狀鋁粒子之平均粒徑對平均厚度之比率的平均高寬比(aspect)為30以上、且600以下。

再者，本發明的糊膏狀組成物較佳係更進一步含有有機質載體及/或玻璃介質。

依照本發明的太陽電池元件係具備有將具有上述任一特徵的糊膏狀組成物，塗佈於p型矽半導體基板背面上之後，再經燒成而形成的電極。

如上述，根據本發明，藉由糊膏狀組成物中的鋁粉末係使用含有薄片狀鋁粒子的鋁粉末，當將本發明的糊膏狀組成物使用於在較厚之矽半導體基板上形成較薄背面電極層時、或在較薄矽半導體基板上形成較薄背面電極層時等任一情況下，至少可充分達成與習知利用由含有略球狀鋁粒子所構成之鋁粉末的糊膏狀組成物、形成較厚背面電極層的情況為同等程度或同等以上的BSF效果。此外，當為了在較薄矽半導體基板上形成較薄背面電極層，而使用本發明糊膏狀組成物的情況，可獲得習知利用含有由略球狀鋁粒子所構成之鋁粉末的糊膏狀組成物、形成較厚背面電極層的情況為同等程度或同等以上的BSF效果，且可較習知利用含有由略球狀鋁粒子所構成之鋁粉末的糊膏狀組成物形成較薄背面電極層的情況，大幅抑制經燒成後的矽半導體基板變形狀況。

本發明者等著眼於太陽電池元件的特性、與糊膏狀組成物中的鋁粉末間之關聯性，特別係鋁粒子的形狀，發現藉由使用含有特定外觀形狀鋁粒子的鋁粉末作為糊膏狀組成物中的鋁粉末，可提升太陽電池元件的特性。

本發明的糊膏狀組成物係含有鋁粉末作為導電性粉末的糊膏狀組成物，且鋁粉末係含有薄片狀鋁粉末。自習知起，用於在p型矽半導體基板背面上形成鋁電極層的糊膏狀組成物，係使用由具有球形或接近球形形狀的鋁粒子所構成之鋁粉末作為在該糊膏狀組成物中所含的鋁粉末。

本發明中，藉由使用含薄片狀鋁粒子的鋁粉末，即使在p型矽半導體基板上形成較薄背面電極層，仍可達成與習知利用含有由略球狀鋁粒子所構成之鋁粉末的糊膏狀組成物、形成較厚背面電極層的情況為同等程度或同等以上的BSF效果。

如日本專利特開2000-90734號公報所記載，一般已知藉由將背面電極層變薄，可縮小p型矽半導體基板上所發生的翹曲量，但轉換效率降低。

相對於此，當為了在較薄矽半導體基板上形成較薄背面電極層而使用本發明糊膏狀組成物時，可達成習知利用含有由略球狀鋁粒子所構成之鋁粉末的糊膏狀組成物、形成較厚背面電極層的情況為同等程度或同等以上的BSF效果，且較習知利用含有由略球狀鋁粒子所構成之鋁粉末的糊膏狀組成物、形成較薄背面電極層的情況，能大幅抑制經燒成後的矽半導體基板變形。

其理由雖尚未明確，但可推測當使用本發明糊膏狀組成物的情況，具有將光能量封鎖的作用所致。當使用習知糊膏狀組成物形成背面電極層的情況，經燒成後的背面電極層具有消光的灰階態樣。相對於此，當使用本發明糊膏狀組成物形成背面電極層的情況，經燒成後的背面電極層具有將光反射的銀色態樣。所以，本發明中，經燒成後的背面電極層藉由發揮使從矽半導體基板表面進入內部的光產生反射的反射層作用，推測可發揮將光能量封鎖於矽半導體基板內部的作用。所以，藉由該項作用，因為光能量的損失較少，因而即使在形成薄背面電極層的情況，推測仍可保持與習知利用含有由略球狀鋁粒子所構成之鋁粉末的糊膏狀組成物、形成較厚背面電極層的情況為同等程度或同等以上的轉換效率。

另外，本發明的糊膏狀組成物中，構成糊膏狀組成物中所含有之鋁粉末的鋁粒子，並未必一定要全部為薄片狀鋁粒子。只要糊膏狀組成物中所含有的鋁粉末係含有薄片狀鋁粒子，便可達成上述的作用效果。即使在糊膏狀組成物中含有由習知所使用之具有球形或接近球形之粒子形狀的鋁粒子、與薄片狀鋁粒子的混合物所構成之鋁粉末，仍可達成上述作用效果。

薄片狀鋁粒子可為利用任何方法所製得物，例如將在塑膠膜表面上利用蒸鍍所形成的鋁薄膜，從塑膠膜表面上剝離後，藉由施行破碎，或者將利用習知公知霧化法所獲得之鋁粒子，在有機溶劑存在下，使用球磨機施行粉碎，亦可製得薄片狀鋁粒子。

一般在前述使用球磨機施行粉碎而獲得之薄片狀鋁粒子的表面上，例如附著有高級脂肪酸等粉碎助劑，在本發明中，可使用在薄片狀鋁粒子的表面上附著粉碎助劑者，亦可使用從薄片狀鋁粒子表面上經去除粉碎助劑者。不管使用何種薄片狀鋁粒子，均可達成上述作用效果。

再者，薄片狀鋁粒子在糊膏狀組成物中的含有量，較佳10質量%以上且50質量%以下，更佳15質量%以上且30質量%以下。若薄片狀鋁粒子的含有量在上述範圍內，由含有薄片狀鋁粒子的糊膏狀組成物對p型矽半導體基板的塗佈性與印刷性等觀點而言，將屬較優越狀況。

習知糊膏狀組成物，因為在糊膏狀組成物中所佔有之由略球狀鋁粒子所構成之鋁粉末的含有量，佔有非常高的比例，因而糊膏狀組成物的塗佈一般均利用網版印刷形成。但是，本發明的糊膏狀組成物，因為可減少含薄片狀鋁粒子的鋁粉末在糊膏狀組成物中的含有量，因而塗佈方法並不侷限於網版印刷法，亦可例如利用噴塗法施行塗佈。若能利用噴塗法施行塗佈，相較於網版印刷法的情況，則可進行大量生產，且亦有可大幅刪減塗佈手續的可能性。

再者，習知糊膏狀組成物中所含之鋁粉末的含有量，係70質量%左右，如上述般，在糊膏狀組成物中佔有相當高的比例。其理由係例如若將鋁粉末含有量設為60質量%以下時，在p型矽半導體基板的背面上將糊膏狀組成物施行塗佈，經燒成所形成之背面電極層的電阻將提高，造成太陽電池元件的特性降低，具體而言將導致轉換效率降低。

相對於此，本發明中，儘管薄片狀鋁粒子在糊膏狀組成物中的含有量係在60質量%以下，仍不會發生如上述的問題。

其理由雖尚未明確，但推測因為相較於略球狀鋁粒子，薄片狀鋁粒子的厚度較薄，因而在燒成時較容易受熱影響，結果在與矽基板間的反應性變佳，促進鋁的擴散。

薄片狀鋁粒子的平均粒徑較佳為3μm以上且60μm以下，更佳7μm以上且30μm以下為佳。若薄片狀鋁粒子的平均粒徑在上述範圍內，由含薄片狀鋁粒子的糊膏狀組成物對p型矽半導體基板的塗佈性與印刷性等觀點而言，將屬較優越狀況。另外，薄片狀鋁粒子的平均粒徑係可利用雷射繞射法進行測定。

再者，薄片狀鋁粒子平均粒徑對平均厚度的比率之平均高寬比，較佳為30以上且600以下，更佳70以上且300以下為佳。若薄片狀鋁粒子的平均高寬比在上述範圍內，則由含薄片狀鋁粒子的糊膏狀組成物對p型矽半導體基板的塗佈性與印刷性等觀點而言，將屬較優越狀況。另外，平均高寬比係從利用雷射繞射法所測得平均粒徑、與平均厚度的比(平均粒徑[μm]/平均厚度[μm])，便可計算得。

另外，平均厚度係如日本專利特開平06-200191號公報及國際公開第WO2004/026970號公報所記載，藉由測定薄片狀鋁粉末的水面擴散面積，並代入特定公式的計算方法所獲得，具體的計算方法係如下述。

將薄片狀鋁粒子利用丙酮施行洗淨後，測定經乾燥之薄片狀鋁粒子的質量w(g)，與將薄片狀鋁粒子均勻漂浮於水面時的被覆面積A(cm² )，並依下式1計算得WCA(水面擴散面積)。接著，將WCA值代入下式2，可計算得薄片狀鋁粒子的平均厚度。

式1：WCA(cm² /g)=A(cm² )/w(g)

式2：平均厚度(μm)=10⁴ /(2.5(g/cm³ )×WCA)

此種平均厚度的求取方法，係有如記載在Aluminum Paint and Powder,J. D. Edeards and R. I. Wray著、第三版、Reinhold Publishing Corp,New York(1955)出版、Pages 16~22等中。

另外，當薄片狀鋁粒子表面上並未附著有硬脂酸等飽和高級脂肪酸的情況、或所附著者並非飽和高級脂肪酸而是不飽和高級脂肪酸的情況，則如日本專利特開平06-200191號公報所記載，經施行上浮化(leafing)處理並測定被覆面積A，再計算出WCA。

本發明的糊膏狀組成物最好更進一步含有有機質載體。所含有的有機質載體成分並無特別的限制，可使用例如：乙基纖維素系、醇酸系等樹脂、以及二醇醚系、松油醇系等溶劑。有機質載體的含有量較佳為5質量%以上且20質量%以下。若有機質載體的含有量在上述範圍內，由含薄片狀鋁粒子的糊膏狀組成物對p型矽半導體基板的塗佈性與印刷性等觀點而言，將屬較優越狀況。

再者，本發明的糊膏狀組成物亦可含有玻璃介質。玻璃介質的含有量較佳為0.5質量%以上且5質量%以下。玻璃介質係具有在燒成後提升與鋁電極層間之密接性的作用，但若玻璃介質含有量超過5質量%，則發生玻璃偏析，有導致作為背面電極層的鋁電極層之電阻增加之可能性。玻璃介質的平均粒徑係在不致對本發明效果造成不良影響的前提下，其餘並無特別的限制，通常最好使用1~4μm左右物。

本發明糊膏狀組成物中所含的玻璃介質，其組成與各成分含有量均無特別限定，通常使用軟化點在燒成溫度以下物。通常玻璃介質除了SiO₂ -Bi₂ O₃ -PbO系之外，尚可使用例如B₂ O₃ -SiO₂ -Bi₂ O₃ 系、B₂ O₃ -SiO₂ -ZnO系、B₂ O₃ -SiO₂ -PbO系等。

再者，本發明的糊膏狀組成物係在不致妨礙本發明效果的前提下，尚可含有各種物質。例如可適當地與公知樹脂、黏度調整劑、表面調整劑、防沉澱劑、消泡劑等其他構成成分進行混合，並調製成糊膏狀組成物。

另外，本發明糊膏狀組成物的製造方法，係可利用例如使用公知攪拌機將各成分施行攪拌混合而進行製造的方法，或者利用輥碎機等混練機將各成分施行混練的方法等，便可進行製造，惟並不僅侷限於該等。

[實施例]

以下，針對本發明實施例進行說明。

首先，準備表1所示之鋁粉末A、B、與表2所示之玻璃介質，並將該等當作實施例1~4與比較例1~4的原料粉末。鋁粉末A係將霧化粉利用球磨機施行粉碎，而調製成鋁粒子具有既定平均粒徑與平均高寬比。鋁粉末B係直接使用霧化粉。另外，構成鋁粉末A的薄片狀鋁粒子平均粒徑(表1所示之鋁粉末A的平均粒徑)、與構成鋁粉末B的略球形狀鋁粒子之平均粒徑(表1所示之鋁粉末B的平均粒徑)、以及玻璃介質之平均粒徑(表2所示之平均粒徑)，係利用雷射繞射法所測得的值。另外，表1所示之鋁粉末A、B的平均粒徑，係依照雷射繞射法並利用Microtrac X100(日機裝公司製的測定器)所測得。此外，構成鋁粉末A的薄片狀鋁粒子平均厚度，係如上述般，藉由測定薄片狀鋁粒子的水面擴散被覆面積，並代入特定公式的計算方法進行測定。使用該等測定值，依如表1所示，計算得鋁粉末A的平均高寬比。

其次，依照表3所示比例，將表1所示之鋁粉末A、B、與表2所示之玻璃介質進行混合，再添加依使作為有機質載體的乙基纖維素相對於糊膏狀組成物為8質量%的方式溶解於二醇醚系有機溶劑中的物質，藉此製得各種糊膏狀組成物(總量100質量%)。

具體而言，將作為有機質載體的乙基纖維素溶解於二醇醚系有機溶劑中，再添加鋁粉末A、B與玻璃介質，利用周知混合機施行混合，製得實施例1~4及比較例1~4的糊膏狀組成物。

另一方面，如圖1所示，在已形成pn接合、厚度160μm或200μm、大小為125mm×125mm，作為p型矽半導體基板1的矽晶圓之受光面上，形成由Ag構成的柵電極4。

利用網版印刷法，在上述矽晶圓背面上，將實施例1~4與比較例1~4的糊膏狀組成物，依0.1kg/cm² 的印刷壓力施行塗佈，並依乾燥後的塗佈量為0.2g/片(使用250篩目的網版印刷版)、或1.5g/片(使用160篩目的網版印刷版)之方式進行調整，形成糊膏狀組成物的塗佈層。

將依上述所形成之塗佈層在溫度100℃下施行乾燥後，於紅外線爐中，依最高溫度830℃施行燒成而形成背面電極層，製得實施例1~4與比較例1~4的試料。

依上述所製得之各試料的翹曲(變形)量，係利用雷射位移計(顯示部：LK-GD500、感測器：LK-G85、均屬KEYENCE股份有限公司製)施行測定。翹曲的測定方法係如下述。

首先，將試料的背面(凹面)(即已塗佈糊膏狀組成物的矽晶圓面)朝下，並放置於平坦面上。放置於平坦面上的矽晶圓，係如圖2所示，連結P1與P4的邊、及連結P2與P3的邊係接觸到平坦面，而連結P1與P2的邊、及連結P3與P4的邊，係因翹曲而變形，所以朝平坦面上方拱起。

在此情況下，若在連結P1與P2的邊上利用雷射位移計一邊進行移動一邊施行測定，因為利用雷射位移計所測得的測定值，係在P2(或P1)位置處與平坦面接觸，因而最小位移值(X1)表示矽晶圓的厚度(含背面電極層厚度)，最大位移值(X2)則表示矽晶圓厚度與翹曲(變形)量的合計值。藉此，從利用雷射位移計所獲得之測定值的最大位移值(X2)與最小位移值(X1)，依照下式計算出各試料的翹曲量。

翹曲(mm)量=最大位移值(X2)-最小位移值(X1)

接著，相反邊的P3與P4連結邊，亦同樣地利用雷射位移計施行測定，並依上式計算出翹曲量。

依此，將從P1與P2連結邊的測定所獲得之翹曲量值、及從P3與P4連結邊的測定所獲得之翹曲量值的平均值，算出作為各試料的翹曲量值。

再者，上述所獲得之試料之作為太陽電池元件之轉換效率(Eff)，係使用太陽光模擬器(WXS-155S-10：WACOM Electric股份有限公司)，依溫度25℃、AM1.5G光譜的條件，分別針對實施例1~4與比較例1~4的試料進行測定。

以上的測定結果係如表3所示。

由表3所示結果得知，當為了在較厚矽半導體基板(厚度200μm)上形成較薄背面電極層，而使用本發明糊膏狀組成物的情況(實施例1)，可充分達成與使用習知糊膏狀組成物形成較厚背面電極層的情況(比較例1)為同等之BSF效果(轉換效率)；當為了在較薄矽半導體基板(厚度160μm)上形成較薄背面電極層，而使用本發明糊膏狀組成物的情況(實施例2~4)，可達成與在較薄矽半導體基板(厚度160μm)上，利用習知糊膏狀組成物形成較厚背面電極層的情況(比較例2)為同等程度、或幾乎同等的BSF效果，且與在較厚矽半導體基板(厚度200μm)上利用習知糊膏狀組成物形成較薄電極層的情況(比較例3)相比較下，可大幅抑制燒成後的矽半導體基板變形狀況。此外，使用習知糊膏狀組成物形成較薄背面電極層的情況(比較例3)、習知使由略球狀鋁粒子所構成之鋁粉末少量含於糊膏狀組成物中，並形成較厚背面電極層的情況(比較例4)，僅能獲得較低的BSF效果。

以上所揭示的實施形態與實施例均僅止於例示而已，並非予以限制。本發明的範圍並非以上的實施形態與實施例，而是依申請專利範圍所示，舉凡與申請專利範圍具均等涵義與範疇內的所有修正與變化，均涵蓋於本發明中。

(產業上之可利用性)

依照本發明，將使用含有薄片狀鋁粒子之鋁粉末作為糊膏狀組成物中之鋁粉末的本發明糊膏狀組成物，使用於諸如在較厚矽半導體基板上形成較薄背面電極層的情況、或在較薄矽半導體基板上形成較薄背面電極層的情況，均至少可充分達成與習知利用含有由略球狀鋁粒子所構成之鋁粉末的糊膏狀組成物、形成較厚背面電極層的情況為同等程度或同等以上的BSF效果。此外，當為了在較薄矽半導體基板上形成較薄背面電極層，而使用本發明糊膏狀組成物的情況，可達成與習知利用含有由略球狀鋁粒子所構成之鋁粉末的糊膏狀組成物、形成較厚背面電極層的情況為同等程度或同等以上的BSF效果，且相較於習知利用含有由略球狀鋁粒子所構成之鋁粉末的糊膏狀組成物、形成較薄背面電極層的情況下，可大幅抑制燒成後的矽半導體基板變形狀況。

1．．．p型矽半導體基板

2．．．n型雜質層

3．．．抗反射膜

4．．．柵電極

5．．．鋁電極層

6．．．Al-Si合金層

7．．．p⁺ 層

8．．．背面電極

圖1為一實施形態，係應用本發明的太陽電池元件之一般切剖構造示意圖。

圖2為實施例與比較例中，在形成有作為背面電極層的鋁電極層並經燒成後，p型矽半導體基板翹曲量的測定方法示意圖。

1．．．p型矽半導體基板

2．．．n型雜質層

3．．．抗反射膜

4．．．柵電極

5．．．鋁電極層

6．．．Al-Si合金層

7．．．p⁺ 層

8．．．背面電極

Claims (5)

1. 一種糊膏狀組成物，係用於在構成結晶系矽太陽電池的p型矽半導體基板背面上形成電極，並含有鋁粉末作為導電性粉末者；其中，上述鋁粉末係含有薄片狀鋁粒子；上述薄片狀鋁粒子的含有量係10質量%以上且未滿50質量%。
2. 如申請專利範圍第1項之糊膏狀組成物，其中，上述薄片狀鋁粒子的平均粒徑係3μm以上且60μm以下。
3. 如申請專利範圍第1項之糊膏狀組成物，其中，上述薄片狀鋁粒子之平均粒徑相對於平均厚度之比率的平均高寬比(aspect)係30以上且600以下。
4. 如申請專利範圍第1項之糊膏狀組成物，係進一步含有有機質載體及/或玻璃介質。
5. 一種太陽電池元件，係具備有將申請專利範圍第1項之糊膏狀組成物塗佈於p型矽半導體基板背面上後，予以燒成而形成的電極。