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TWI431655B - Charge particle beam drawing device and its charging effect correction method - Google Patents

Charge particle beam drawing device and its charging effect correction method Download PDF

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TWI431655B
TWI431655B TW099139403A TW99139403A TWI431655B TW I431655 B TWI431655 B TW I431655B TW 099139403 A TW099139403 A TW 099139403A TW 99139403 A TW99139403 A TW 99139403A TW I431655 B TWI431655 B TW I431655B
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particle beam
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TW099139403A
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English (en)
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TW201137926A (en
Inventor
Noriaki Nakayamada
Hitoshi Higurashi
Original Assignee
Nuflare Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Nuflare Technology Inc filed Critical Nuflare Technology Inc
Publication of TW201137926A publication Critical patent/TW201137926A/zh
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Description

荷電粒子束描繪裝置及其帶電效果修正方法
本發明係有關於一種藉由對上表面塗佈有抗蝕劑之試樣照射荷電粒子束，從而將與描繪資料中所包含之複數個圖形對應之複數個圖案描繪於試樣之抗蝕劑的荷電粒子束描繪裝置及其帶電效果修正方法。
本申請案係基於且主張2009年11月20日申請之先前的日本專利申請案第2009-264543的優先權的權益，該申請案之內容以引用的方式併入本文中。
先前以來，眾所周知有一種執行帶電效果修正處理之荷電粒子束描繪裝置。作為此種荷電粒子束描繪裝置之例，例如有記載於日本專利特開2009-260250號公報中之荷電粒子束描繪裝置。
於日本專利特開2009-260250號公報所記載之荷電粒子束描繪裝置中，設置有藉由對上表面塗佈有抗蝕劑之試樣照射荷電粒子束，從而將與描繪資料中所包含之複數個圖形對應之複數個圖案描繪於試樣之抗蝕劑的描繪部。又，於日本專利特開2009-260250號公報所記載之荷電粒子束描繪裝置中，為了執行帶電效果修正處理，而設置有算出藉由荷電粒子束所描繪之圖案之面積密度分佈之圖案面積密度分佈算出部、及根據圖案面積密度分佈與抗蝕劑內之荷電粒子之反向散射率算出劑量分佈之劑量分佈算出部。
進而，於日本專利特開2009-260250號公報所記載之荷 電粒子束描繪裝置中，為了執行帶電效果修正處理，而設置有算出圖案面積密度分佈與劑量分佈之積即照射量分佈之照射量分佈算出部、及執行照射量分佈與霧化荷電粒子分佈之卷積計算之霧化荷電粒子量分佈算出部。又，於日本專利特開2009-260250號公報所記載之荷電粒子束描繪裝置中，為了執行帶電效果修正處理，而設置有算出藉由荷電粒子束之照射而被帶電之試樣之抗蝕劑之帶電量分佈的帶電量分佈算出部、及執行帶電量分佈與位置偏移響應函數之卷積計算的位置偏移量映射算出部。
詳細而言，於日本專利特開2009-260250號公報所記載之荷電粒子束描繪裝置中，朝向試樣之抗蝕劑之荷電粒子束之照射位置伴隨抗蝕劑之帶電效果而偏移之量係藉由位置偏移量映射算出部算出。進而，為了修正(抵消)伴隨抗蝕劑之帶電效果之荷電粒子束之照射位置之偏移，藉由偏向器使荷電粒子束偏向。
於日本專利特開2009-260250號公報中，關於圖案面積密度分佈算出部之運算、劑量分佈算出部之運算、照射量分佈算出部之運算、霧化荷電粒子量分佈算出部之運算、帶電量分佈算出部之運算、及位置偏移量映射算出部之運算係使用什麼來執行並未作出記載，而通常，於例如日本專利特開2009-260250號公報所記載之荷電粒子束描繪裝置般之先前之荷電粒子束描繪裝置中，係使用中央運算處理部(CPU(central processing unit，中央處理單元))執行圖案面積密度分佈算出部之運算、劑量分佈算出部之運算、 照射量分佈算出部之運算、霧化荷電粒子量分佈算出部之運算、帶電量分佈算出部之運算、及位置偏移量映射算出部之運算。
然而，霧化荷電粒子量分佈算出部之運算及位置偏移量映射算出部之運算之處理負荷要比用於執行帶電效果修正處理之其他運算之處理負荷大很多。對此，為了縮短霧化荷電粒子量分佈算出部之運算及位置偏移量映射算出部之運算之處理時間，而考慮使用多個中央運算處理部(CPU)來並行處理霧化荷電粒子量分佈算出部之運算及位置偏移量映射算出部之運算。
然而，霧化荷電粒子量分佈及帶電量分佈具有在荷電粒子束對於試樣之抗蝕劑之每次發射(SHOT)(每次照射)時發生變化之性質。因此，為了將根據霧化荷電粒子量分佈、帶電量分佈等算出之荷電粒子束之照射位置之偏移量(位置偏移量映射)設為正確值，必需按照荷電粒子束之發射(照射)之順序，對霧化荷電粒子量分佈算出部之運算及位置偏移量映射算出部之運算進行處理。
即，若使用多個中央運算處理部(CPU)，與荷電粒子束之發射(照射)之順序無關地，藉由並行處理來執行霧化荷電粒子量分佈算出部之運算及位置偏移量映射算出部之運算，則雖可縮短霧化荷電粒子量分佈算出部之運算及位置偏移量映射算出部之運算之處理所需之時間，但無法執行高精度之帶電效果修正處理。
本發明之目的在於提供一種可執行高精度之帶電效果修正處理並且可縮短帶電效果修正處理所需之時間的荷電粒子束描繪裝置及其帶電效果修正方法。
詳細而言，本發明提供一種荷電粒子束描繪裝置及其帶電效果修正方法，相比於未設置高速運算處理部而僅藉由中央運算處理部執行帶電效果修正處理所需之運算之情形、或藉由具有與中央運算處理部同等之運算處理速度之運算處理部及中央運算處理部之並行處理執行帶電效果修正處理所需之運算之情形，可進一步縮短帶電效果修正處理所需之時間。
根據本發明之一態樣，提供一種荷電粒子束描繪裝置，其特徵在於包括：描繪部，其係藉由對在上表面塗佈有抗蝕劑之試樣照射荷電粒子束，而將與描繪資料中所包含之複數個圖形對應之複數個圖案描繪於試樣之抗蝕劑上；圖案面積密度分佈算出部，其係算出藉由荷電粒子束所描繪之圖案之面積密度分佈；劑量分佈算出部，其係根據圖案面積密度分佈與抗蝕劑內之荷電粒子之反向散射率算出劑量分佈；照射量分佈算出部，其係算出圖案面積密度分佈與劑量分佈之積即照射量分佈；霧化荷電粒子量分佈算出部，其係執行照射量分佈與霧 化荷電粒子分佈之卷積計算；照射時刻算出部，其係算出用於描繪圖案而照射之荷電粒子束之照射時刻；經過時間算出部，其係算出經過時間；帶電量分佈算出部，其係算出藉由荷電粒子束之照射而帶電之試樣之抗蝕劑之帶電量分佈；位置偏移量映射算出部，其係執行帶電量分佈與位置偏移響應函數之卷積計算；中央運算處理部，其係用於圖案面積密度分佈算出部之運算、劑量分佈算出部之運算、照射量分佈算出部之運算、照射時刻算出部之運算、經過時間算出部之運算、及帶電量分佈算出部之運算；以及高速運算處理部，其係用於霧化荷電粒子量分佈算出部之運算及位置偏移量映射算出部之運算，且具有比中央運算處理部更快之運算處理速度。
根據本發明之另一態樣，提供一種荷電粒子束描繪裝置之帶電效果修正方法，該荷電粒子束描繪裝置係藉由對在上表面塗佈有抗蝕劑之試樣照射荷電粒子束，而將與描繪資料中所包含之複數個圖形對應之複數個圖案描繪於試樣之抗蝕劑上；該帶電效果修正方法之特徵在於：使用中央運算處理部執行算出藉由荷電粒子束所描繪之圖案之面積密度分佈之運算；使用中央運算處理部執行根據圖案面積密度分佈與抗蝕劑內之荷電粒子之反向散射率算出劑量分佈之運算； 使用中央運算處理部執行算出圖案面積密度分佈與劑量分佈之積即照射量分佈之運算；使用具有比中央運算處理部更快之運算處理速度之高速運算處理部，執行照射量分佈與霧化荷電粒子分佈之卷積計算；使用中央運算處理部執行算出用於描繪圖案而照射之荷電粒子束之照射時刻之運算；使用中央運算處理部執行算出經過時間之運算；使用中央運算處理部執行算出藉由荷電粒子束之照射而帶電之試樣之抗蝕劑之帶電量分佈之運算；以及使用高速運算處理部執行帶電量分佈與位置偏移響應函數之卷積計算。
通過結合附圖閱讀本發明的以下詳細描述，將更容易明白本發明的前述及其它目的、特徵、態樣和優點。
圖1係第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10之概略性構成圖。圖2係圖1所示之控制部10b之控制計算器10b1之詳細圖。圖3係圖2所示之帶電效果修正處理部10b1b之詳細圖。
於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，如圖1所示，例如，設置有用以藉由對如遮罩(空白光罩)、晶圓等般之上表面塗佈有抗蝕劑之試樣M照射荷電粒子束10a1b，而將目標圖案描繪於試樣M之抗蝕劑上之描繪部10a。
於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，例如使用電子束作為荷電粒子束10a1b，而於第2實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，亦可取而代之，例如使用離子束等之電子束以外之荷電粒子束來作為荷電粒子束10a1b。
於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，如圖1所示，例如，荷電粒子槍10a1a，使自荷電粒子槍10a1a照射之荷電粒子束10a1b偏向之偏向器10a1c、10a1d、10a1e、10a1f，可載置藉由偏向器10a1c、10a1d、10a1e、10a1f偏向之荷電粒子束10a1b進行描繪之試樣M之可動平台10a2a設置於描繪部10a。
詳細而言，於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，如圖1所示，例如，於構成描繪部10a之一部分之描繪室10a2內，配置有載置試樣M之可動平台10a2a及雷射干涉儀10a2b。該可動平台10a2a例如沿X方向(圖6之左右方向)及Y方向(圖6之上下方向)可移動地構成。
進而，於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，如圖1所示，例如，於構成描繪部10a之一部分之光學鏡筒10a1，配置有荷電粒子槍10a1a，偏向器10a1c、10a1d、10a1e、10a1f，透鏡10a1g、10a1h、10a1i、10a1j、10a1k，第1成形光圈構件10a1l，及第2成形光圈構件10a1m。
具體而言，於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，如圖1及圖2所示，例如，若將與試樣M之描繪區域DA(參照圖6)對應之描繪資料輸入至控制計算器10b1，則 藉由輸入部10b1a讀入且傳送至發射資料產生部10b1g。繼而，例如，傳送至發射資料產生部10b1g之描繪資料藉由發射資料產生部10b1g進行資料處理，產生用以照射將圖案描繪於試樣M之抗蝕劑之荷電粒子束10a1b之發射資料。繼而，例如，將發射資料自發射資料產生部10b1g送至偏向控制部10b1h。
又，於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，如圖1及圖2所示，例如，藉由輸入部10b1a讀入之描繪資料亦被傳送至帶電效果修正處理部10b1b。繼而，於帶電效果修正處理部10b1b中，根據所傳送之描繪資料，執行以後將加以詳細說明之處理，從而作成位置偏移量映射p(x，y)。繼而，位置偏移量映射p(x，y)被記憶於位置偏移量映射記憶部10b1c中。
繼而，於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，如圖1及圖2所示，例如，根據自發射資料產生部10b1g送至偏向控制部10b1h之發射資料，藉由偏向控制部10b1h控制偏向器10a1c、10a1d、10a1e、10a1f，將來自荷電粒子槍10a1a之荷電粒子束10a1b朝向試樣M之抗蝕劑之所期望之位置照射。
詳細而言，於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，如圖1及圖2所示，於考慮朝向試樣M之抗蝕劑之所期望之位置照射之荷電粒子束10a1b因抗蝕劑之帶電效果而偏離所期望之位置之情形時，根據記憶於位置偏移量映射記憶部10b1c中之位置偏移量映射p(x，y)等，藉由網格匹 配控制部10b1d來執行修正伴隨抗蝕劑之帶電效果之荷電粒子束10a1b之位置偏移等之控制。具體而言，為了抵消伴隨抗蝕劑之帶電效果之荷電粒子束10a1b之位置偏移等，藉由主偏向器10a1f使荷電粒子束10a1b偏向。其結果，於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，荷電粒子束10a1b被正確地照射至試樣M之抗蝕劑之所期望之位置。
第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，如圖1及圖2所示，例如，根據藉由發射資料產生部10b1g而產生之發射資料，藉由偏向控制部10b1h並經由偏向控制電路10b2來控制遮沒偏向器10a1c，由此在如下兩種情形中進行切換：使自荷電粒子槍10a1a照射之荷電粒子束10a1b透過例如第1成形光圈構件10a1l之孔徑10a1l'(參照圖4)而照射至試樣M；或者，被例如第1成形光圈構件10a1l之孔徑10a1l'以外之部分所遮住而未照射至試樣M。即，於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，藉由控制遮沒偏向器10a1c，例如，可控制荷電粒子束10a1b之照射時間。
又，於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，如圖1及圖2所示，例如，根據藉由發射資料產生部10b1g產生之發射資料，藉由偏向控制部10b1h並經由偏向控制電路10b3來控制光束尺寸可變偏向器10a1d，由此使透過第1成形光圈構件10a1l之孔徑10a1l'(參照圖4)之荷電粒子束10a1b藉由光束尺寸可變偏向器10a1d而偏向。繼而，使藉由光束尺寸可變偏向器10a1d予以偏向之荷電粒子束10a1b 之一部分透過第2成形光圈構件10a1m之孔徑10a1m'(參照圖4)。即，於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，例如，藉由光束尺寸可變偏向器10a1d來調整使荷電粒子束10a1b偏向之量、朝向等，由此可調整照射至試樣M之荷電粒子束10a1b之大小、形狀等。
圖4係用以說明於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中可利用荷電粒子束10a1b之1次發射而描繪於試樣M之抗蝕劑上之圖案PA之一例的圖。於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，如圖1及圖4所示，例如，當藉由荷電粒子束10a1b將圖案PA(參照圖4)描繪於試樣M之抗蝕劑時，使自荷電粒子槍10a1a(參照圖1)照射之荷電粒子束10a1b之一部分透過第1成形光圈構件10a1l之例如正方形之孔徑10a1l'(參照圖4)。其結果，透過第1成形光圈構件10a1l之孔徑10a1l'之荷電粒子束10a1b之水平剖面形狀成為例如大致正方形。繼而，使透過第1成形光圈構件10a1l之孔徑10a1l'之荷電粒子束10a1b之一部分透過第2成形光圈構件10a1m之孔徑10a1m'(參照圖4)。
詳細而言，於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，如圖1及圖4所示，例如，藉由光束尺寸可變偏向器10a1d(參照圖1)使透過第1成形光圈構件10a1l之孔徑10a1l'之荷電粒子束10a1b偏向，由此可將透過第2成形光圈構件10a1m之孔徑10a1m'之荷電粒子束10a1b之水平剖面形狀例如設為矩形(正方形或長方形)，或例如設為三角形。
繼而，於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，如 圖1及圖4所示，例如，使透過第2成形光圈構件10a1m之孔徑10a1m'之荷電粒子束10a1b僅以特定之照射時間持續照射至試樣M之抗蝕劑之特定之位置，由此可將與透過第2成形光圈構件10a1m之孔徑10a1m'之荷電粒子束10a1b之水平剖面形狀大致相同形狀之圖案PA描繪於試樣M之抗蝕劑。
進而，於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，如圖1及圖2所示，例如，根據藉由發射資料產生部10b1g產生之發射資料，藉由偏向控制部10b1h並經由偏向控制電路10b4控制副偏向器10a1e，由此透過第2成形光圈構件10a1m之孔徑10a1m'(參照圖4)之荷電粒子束10a1b藉由副偏向器10a1e發生偏向。
又，於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，如圖1及圖2所示，例如，根據藉由發射資料產生部10b1g產生之發射資料、記憶於位置偏移映射記憶部10b1c之位置偏移量映射p(x，y)等，藉由網格匹配控制部10b1d及偏向控制部10b1h並經由偏向控制電路10b5控制主偏向器10a1f，由此已藉由副偏向器10a1e偏向之荷電粒子束10a1b藉由主偏向器10a1f而進一步偏向。即，例如，對藉由副偏向器10a1e及主偏向器10a1f使荷電粒子束10a1b偏向之量、朝向等進行調整，由此可調整照射至試樣M之抗蝕劑之荷電粒子束10a1b之照射位置。
又，於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，如圖1及圖2所示，例如，根據藉由發射資料產生部10b1g產生之 發射資料、雷射干涉儀10a2b之輸出等，藉由平台控制部10b1i並經由平台控制電路10b6控制可動平台10a2a之移動。
於圖1及圖2所示之例中，例如，藉由將由半導體積體電路之設計者等作成之CAD資料(佈局資料、設計資料)轉換為荷電粒子束描繪裝置10用之格式所得的描繪資料被輸入至荷電粒子束描繪裝置10之控制部10b之控制計算器10b1。一般而言，於CAD資料(佈局資料、設計資料)中包含多個微小圖案，CAD資料(佈局資料、設計資料)之資料量成為非常大之容量。進而，一般而言，若將CAD資料(佈局資料、設計資料)等轉換為其他格式，則轉換後之資料之資料量會進一步增大。鑒於該點，輸入至荷電粒子束描繪裝置10之控制部10b之控制計算器10b1之描繪資料中，採用資料之階層化，以實現資料量之壓縮化。
圖5係概略地表示圖1及圖2所示之描繪資料之一部分之一例之圖。於圖5所示之例中，適用於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10之描繪資料，例如，被階層化為晶片階層CP，比晶片階層CP更下位之圖框階層FR，比圖框階層FR更下位之區塊階層BL，比區塊階層BL更下位之單元階層CL，及，比單元階層CL更下位之圖形階層FG。
詳細而言，於圖5所示之例中，例如，作為晶片階層CP之要素之一部分之晶片CP1對應於作為圖框階層FR之要素之一部分之3個圖框FR1、FR2、FR3。又，例如，作為圖框階層FR之要素之一部分之圖框FR1對應於作為區塊階層 BL之要素之一部分之18個區塊BL00、...、BL52。進而，例如，作為區塊階層BL之要素之一部分之區塊BL00對應於作為單元階層CL之要素之一部分之複數個單元CLA、CLB、CLC、CLD、...。又，例如，作為單元階層CL之要素之一部分之單元CLA對應於作為圖形階層FG之要素之一部分之多個圖形FG1、FG2、FG3、...。
於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，如圖1、圖2及圖5所示，與描繪資料中所包含之圖形階層FG(參照圖5)之多個圖形FG1、FG2、FG3、...(參照圖5)對應的圖案PA1、PA2、PA3、...(參照圖6)，係藉由荷電粒子束10a1b(參照圖1)而描繪於試樣M(參照圖1及圖6)之描繪區域DA(參照圖6)。
圖6係用以說明與描繪資料中所包含之圖形FG1、FG2、FG3、...對應之圖案PA1、PA2、PA3、...藉由荷電粒子束10a1b描繪之描繪順序的圖。於圖6所示之例中，例如，將試樣M之描繪區域DA假想分割為例如n個帶狀之條狀框STR1、STR2、STR3、STR4、...、STRn。
又，於圖6所示之例中，例如，荷電粒子束10a1b於條狀框STR1內自圖6之左側朝圖6之右側掃描，與描繪資料中所包含之多個圖形FG1、FG2、FG3、...(參照圖5)對應之圖案PA1、PA2、PA3、...藉由荷電粒子束10a1b而描繪於試樣M之條狀框STR1內。繼而，例如，荷電粒子束10a1b於條狀框STR2內自圖6之右側朝圖6之左側掃描，與描繪資料中所包含之多個圖形對應之圖案(未圖示)藉由荷電粒 子束10a1b而描繪於試樣M之條狀框STR2內。繼而，同樣地，與描繪資料中所包含之多個圖形對應之圖案(未圖示)藉由荷電粒子束10a1b而描繪於試樣M之條狀框STR3、STR4、...、STRn內。
詳細而言，於圖6所示之例中，例如，當藉由荷電粒子束10a1b將圖案PA1、PA2、PA3、...描繪於條狀框STR1內時，藉由平台控制部10b1i(參照圖2)並經由平台控制電路10b6(參照圖1)控制可動平台10a2a，以使可動平台10a2a(參照圖1)自圖6之右側向圖6之左側移動。繼而，例如，於藉由荷電粒子束10a1b將圖案(未圖示)描繪於條狀框STR2內之前，控制可動平台10a2a以使可動平台10a2a自圖6之上側向圖6之下側移動。
繼而，於圖6所示之例中，例如，當藉由荷電粒子束10a1b將圖案(未圖示)描繪於條狀框STR2內時，控制可動平台10a2a以使可動平台10a2a自圖6之左側向圖6之右側移動。
圖7A、圖7B、圖7C、圖7D、圖7E、圖7F、圖7G係用以概略地說明使伴隨圖6所示之圖案PA1、PA2、PA3之描繪所產生之抗蝕劑之帶電、荷電粒子束10a1b之位置偏移、及荷電粒子束10a1b之位置偏移抵消之帶電效果修正之觀點的圖。
於圖7A、圖7B、圖7C、圖7D、圖7E、圖7F、圖7G所示之例中，如圖7A所示，圖案PA1為描繪於試樣M之抗蝕劑之最初之圖案，因而當進行用以描繪圖案PA1之荷電粒子 束10a1b之照射時(發射時)，試樣M之抗蝕劑尚未帶電。因此，於為了描繪圖案PA1而照射之荷電粒子束10a1b中，不會產生伴隨抗蝕劑之帶電效果之位置偏移。因此，於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，當進行用以描繪圖案PA1之荷電粒子束10a1b之照射時(發射時)，無需特別執行修正荷電粒子束10a1b之位置偏移之處理，便可將荷電粒子束10a1b正確地照射至試樣M之抗蝕劑之目標位置，將圖案PA1正確地照射至試樣M之抗蝕劑之目標位置。
繼而，圖7A、圖7B、圖7C、圖7D、圖7E、圖7F、圖7G所示之例中，藉由為了描繪圖案PA1(參照圖7A)而照射之荷電粒子束(圖7A、圖7B、圖7C、圖7D、圖7E、圖7F、圖7G所示之例中，電子束)10a1b(參照圖7A)，如圖7B所示，試樣M之抗蝕劑帶電。詳細而言，如圖7A及圖7B所示，試樣M之抗蝕劑之中，用以描繪圖案PA1之荷電粒子束(電子束)10a1b之照射區域帶正電，其周圍之非照射區域因霧化荷電粒子(霧化電子)而帶負電。
繼而，於圖7A、圖7B、圖7C、圖7D、圖7E、圖7F、圖7G所示之例中，如圖7C及圖7D所示，照射用以描繪圖案PA2之荷電粒子束10a1b。詳細而言，為了描繪圖案PA2而照射之荷電粒子束(電子束)10a1b自帶正電之照射區域之正電荷而受到引力，自帶負電之非照射區域之負電荷而受到斥力。其結果，於圖7A、圖7B、圖7C、圖7D、圖7E、圖7F、圖7G所示之例中，例如，如圖7C所示，相對於為了描繪圖案PA2而照射之荷電粒子束(電子束)10a1b，發生伴 隨抗蝕劑之帶電效果之位置偏移p2。對此，於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，例如，如圖7D所示，為了修正伴隨抗蝕劑之帶電效果之荷電粒子束(電子束)10a1b之位置偏移p2(參照圖7C)，而藉由主偏向器10a1f(參照圖1)將荷電粒子束(電子束)10a1b朝箭頭p2'之朝向(位置偏移p2(參照圖7C)之反方向)偏向。其結果，於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，可將用以描繪圖案PA2之荷電粒子束10a1b正確地照射至試樣M之抗蝕劑之目標位置，將圖案PA2正確地照射至試樣M之抗蝕劑之目標位置。
詳細而言，藉由為了描繪圖案PA1(參照圖7A)而照射之荷電粒子束(電子束)10a1b(參照圖7A)所產生的荷電粒子束(電子束)10a1b之照射區域之帶電係具有隨時間之經過衰減之性質。因此，於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，例如，藉由照射時刻算出部10b1b5(參照圖3)，算出用以描繪圖案PA1之荷電粒子束10a1b之照射時刻T1。又，例如，藉由經過時間算出部10b1b6(參照圖3)，算出用以描繪經過時間t2(圖案PA2(參照圖7D)之荷電粒子束10a1b(參照圖7D)之照射時刻T2)。進而，於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，例如，當如圖7D所示修正伴隨抗蝕劑之帶電效果之荷電粒子束(電子束)10a1b之位置偏移p2(參照圖7C)時，根據自照射用以描繪圖案PA1之荷電粒子束10a1b開始至照射用以描繪圖案PA2之荷電粒子束10a1b為止的時間(T2-T1)，來考慮藉由為了描繪圖案PA1而照射之荷電粒子束(電子束)10a1b所產生的荷電粒子束(電子 束)10a1b之照射區域之帶電之衰減。
繼而，於圖7A、圖7B、圖7C、圖7D、圖7E、圖7F、圖7G所示之例中，藉由為了描繪圖案PA1(參照圖7A)而照射之荷電粒子束(電子束)10a1b(參照圖7A)、為了描繪圖案PA2(參照圖7D)而照射之荷電粒子束(電子束)10a1b(參照圖7D)，如圖7E所示，使試樣M之抗蝕劑帶電。詳細而言，如圖7D所示，若照射用以描繪圖案PA2之荷電粒子束(電子束)10a1b，則抗蝕劑產生僅一瞬間具有導電性之EBIC(electron beam induced conductivity，電子束感應電流)之物理效果。具體而言，於用以描繪圖案PA2之荷電粒子束(電子束)10a1b之照射區域中，於用以描繪圖案PA1之荷電粒子束(電子束)10a1b之照射時(發射時)所儲存之霧化荷電粒子(霧化電子)自抗蝕劑向試樣M之基底逃逸，且被重置。其結果，圖7E所示，用以描繪圖案PA2之荷電粒子束(電子束)10a1b之照射區域帶正電。另一方面，於用以描繪圖案PA2之荷電粒子束(電子束)10a1b之照射區域之周圍之非照射區域中，藉由於用以描繪圖案PA1之荷電粒子束(電子束)10a1b之照射時(發射時)所儲存之霧化荷電粒子(霧化電子)、及用以描繪圖案PA2之荷電粒子束(電子束)10a1b之照射時(發射時)所儲存之霧化荷電粒子(霧化電子)而帶負電。
繼而，於圖7A、圖7B、圖7C、圖7D、圖7E、圖7F、圖7G所示之例中，如圖7F及圖7G所示，照射用以描繪圖案PA3之荷電粒子束10a1b。詳細而言，為了描繪圖案PA3而 照射之荷電粒子束(電子束)10a1b自帶正電之照射區域之正電荷受到引力，自帶負電之非照射區域之負電荷受到斥力。其結果，於圖7A、圖7B、圖7C、圖7D、圖7E、圖7F、圖7G所示之例中，例如，如圖7F所示，相對於為了描繪圖案PA3而照射之荷電粒子束(電子束)10a1b，發生伴隨抗蝕劑之帶電效果之位置偏移p3。對此，於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，例如，如圖7G所示，為了修正伴隨抗蝕劑之帶電效果之荷電粒子束(電子束)10a1b之位置偏移p3(參照圖7F)，藉由主偏向器10a1f(參照圖1)將荷電粒子束(電子束)10a1b朝箭頭p3'之朝向(位置偏移p3(參照圖7F)之反方向)偏向。其結果，於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，可將用以描繪圖案PA3之荷電粒子束10a1b正確地照射至試樣M之抗蝕劑之目標位置，且可將圖案PA3正確地描繪於試樣M之抗蝕劑之目標位置。
詳細而言，藉由為了描繪圖案PA1(參照圖7A)而照射之荷電粒子束(電子束)10a1b(參照圖7A)所產生的荷電粒子束(電子束)10a1b之照射區域之帶電、及藉由為了描繪圖案PA2(參照圖7D)而照射之荷電粒子束(電子束)10a1b(參照圖7D)所產生的荷電粒子束(電子束)10a1b之照射區域之帶電，係具有隨時間之經過而衰減之性質。因此，於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，例如，藉由照射時刻算出部10b1b5(參照圖3)，算出用以描繪圖案PA1之荷電粒子束10a1b之照射時刻T1、及用以描繪圖案PA2(參照圖7D)之荷電粒子束10a1b(參照圖7D)之照射時刻T2。又，例 如，藉由經過時間算出部10b1b6(參照圖3)，算出用以描繪經過時間t3(圖案PA3(參照圖7G)之荷電粒子束10a1b(參照圖7G)之照射時刻T3)。進而，於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，例如，於如圖7G所示修正伴隨抗蝕劑之帶電效果之荷電粒子束(電子束)10a1b之位置偏移p3(參照圖7F)時，根據自照射用以描繪圖案PA1之荷電粒子束10a1b開始至照射用以描繪圖案PA3之荷電粒子束10a1b為止之時間(T3-T1)，考慮藉由為了描繪圖案PA1而照射之荷電粒子束(電子束)10a1b所產生的荷電粒子束(電子束)10a1b(參照圖7A)之照射區域之帶電之衰減，進而，根據自照射用以描繪圖案PA2之荷電粒子束10a1b開始至照射用以描繪圖案PA3之荷電粒子束10a1b為止之時間(T3-T2)，考慮藉由為了描繪圖案PA2而照射之荷電粒子束(電子束)10a1b所產生的荷電粒子束(電子束)10a1b(參照圖7D)之照射區域之帶電之衰減。
於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，例如，依照照射至試樣M(參照圖6)之描繪區域DA(參照圖6)內之抗蝕劑之荷電粒子束10a1b(參照圖6)之發射之順序，執行參照圖7說明之帶電效果修正處理，直至照射至試樣M之描繪區域DA內之抗蝕劑之荷電粒子束10a1b之最後之發射為止，藉此可將試樣M之描繪區域DA內之所有圖案PA1、PA2、PA3、...(參照圖6)正確地描繪於目標位置。
進而，於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，旨在藉由線上處理執行參照圖7A、圖7B、圖7C、圖7D、圖 7E、圖7F、圖7G說明之帶電效果修正處理。具體而言，於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，旨在執行佈局工作登錄，描繪資料被輸入至控制部10b(參照圖1)之控制計算器10b1(參照圖1及圖2)，直至最初之荷電粒子束10a1b(參照圖6)之照射之準備完成為止，以使伴隨抗蝕劑之帶電效果之荷電粒子束(電子束)10a1b之位置偏移量(位置偏移p2、p3、...(參照圖7C及圖7F)之朝向及量)之算出結束。為了達成該目的，於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，為了縮短帶電效果修正處理部10b1b(參照圖2及圖3)中之處理時間(運算時間)而實施以下之辦法。
具體而言，於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，例如，若藉由輸入部10b1a(參照圖2)讀入之描繪資料被傳送至帶電效果修正處理部10b1b(參照圖2及圖3)，則首先，最初，作為初始條件，藉由圖案面積密度分佈算出部10b1b1(參照圖3)將圖案面積密度分佈ρ(x，y)設定為零，藉由劑量分佈算出部10b1b2(參照圖3)將劑量分佈D(x，y)設定為零，藉由照射量分佈算出部10b1b3(參照圖3)將照射量分佈E(x，y)設定為零，藉由霧化荷電粒子量算出部10b1b4(參照圖3)將霧化荷電粒子量分佈(霧化電子量分佈)F(x，y)設定為零，藉由照射時刻算出部10b1b5(參照圖3)將照射時刻T設定為零，藉由經過時間算出部10b1b6(參照圖3)將經過時間t設定為零。
繼而，於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，例如，藉由荷電粒子束10a1b(參照圖6)描繪於試樣M(參照圖 6)之描繪區域DA(參照圖6)之條狀框STR1(參照圖6)內之圖案PA1、PA2、PA3、...(參照圖6)的面積密度分佈ρ(x，y)，係根據描繪資料，並藉由圖案面積密度分佈算出部10b1b1(參照圖3)使用中央運算處理部(CPU)10b1b9(參照圖3)而算出。進而，將條狀框STR1內之圖案面積密度分佈ρ(x，y)與初始設定時之圖案面積密度分佈ρ(x，y)(=0)相加。
圖8A係表示圖案面積密度分佈映射之圖，該圖案面積密度分佈映射表示試樣M之描繪區域DA之條狀框STR1內之圖案面積密度分佈ρ(x，y)。於圖8A所示之例中，條狀框STR1被分割為a個×b個篩孔。
繼而，於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，例如，根據試樣M(參照圖6)之描繪區域DA(參照圖6)之條狀框STR1(參照圖6)內之圖案面積密度分佈ρ(x，y)與抗蝕劑內之荷電粒子(電子)之反向散射率η，藉由劑量分佈算出部10b1b2(參照圖3)使用中央運算處理部(CPU)10b1b9(參照圖3)算出劑量分佈D(x，y)。具體而言，藉由中央運算處理部(CPU)10b1b9執行下述式之運算。進而，將條狀框STR1內之劑量分佈D(x，y)與初始設定時之劑量分佈D(x，y)(=0)相加。
D(x，y)=D0 ×(1+2×η)/(1+2×η×ρ(x，y))此處，D0 為基準劑量。
圖8B係表示劑量分佈映射之圖，該劑量分佈映射表示試樣M(參照圖6)之描繪區域DA(參照圖6)之條狀框STR1(參 照圖6)內之劑量分佈D(x，y)。於圖8B所示之例中，條狀框STR1被分割為a個×b個篩孔。
繼而，於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，例如，試樣M(參照圖6)之描繪區域DA(參照圖6)之條狀框STR1(參照圖6)內之圖案面積密度分佈ρ(x，y)與劑量分佈D(x，y)之積即照射量分佈E(x，y)，係藉由照射量分佈算出部10b1b3(參照圖3)使用中央運算處理部(CPU)10b1b9(參照圖3)而算出。進而，將條狀框STR1內之照射量分佈E(x，y)與初始設定時之照射量分佈E(x，y)(=0)相加。
圖8C表示照射量分佈映射，該照射量分佈映射表示試樣M(參照圖6)之描繪區域DA(參照圖6)之條狀框STR1(參照圖6)內之照射量分佈E(x，y)。於圖8C所示之例中，條狀框STR1被分割為a個×b個篩孔。
繼而，於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，例如，照射量分佈E(x，y)與霧化荷電粒子分佈(霧化電子分佈)g(x，y)之卷積計算(卷積積分)，係藉由霧化荷電粒子量分佈算出部10b1b4(參照圖3)，使用具有比中央運算處理部(CPU)10b1b9(參照圖3)更快之運算處理速度之例如GPU(圖形處理單元)等般之高速運算處理部10b1b10(參照圖3)而執行，從而算出霧化荷電粒子量分佈(霧化電子量分佈)F(x，y)。詳細而言，於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，高速運算處理部10b1b10之運算處理與中央運算處理部(CPU)10b1b9(參照圖3)之運算處理係並行地執行。進而，將所算出之霧化荷電粒子量分佈F(x，y)與初 始設定時之霧化荷電粒子量分佈F(x，y)(=0)相加。
詳細而言，於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，例如，使用高斯分佈(正規分佈)作為霧化荷電粒子分佈(霧化電子分佈)g(x，y)，以下述式設定霧化荷電粒子分佈(霧化電子分佈)g(x，y)。
g(x，y)=(1/πσ2 )×exp(-(x2 +y2 )/σ2 )此處，σ為霧化散射半徑(正規分佈之標準偏差)。
圖9A表示霧化荷電粒子量分佈映射，該霧化荷電粒子量分佈映射表示執行試樣M之描繪區域DA(參照圖6)之條狀框STR1整體之照射量分佈E(x，y)與霧化荷電粒子分佈(霧化電子分佈)g(x，y)之卷積計算(卷積積分)之時間點(即，執行條狀框STR1內之所有荷電粒子束10a1b之發射之時間點)的霧化荷電粒子量分佈(霧化電子量分佈)F(x，y)。於圖9A所示之例中，例如，基於必需於自荷電粒子束10a1b(參照圖6)之照射位置算起半徑40mm之範圍內考慮帶電效果之影響之見解，作成由比條狀框STR1之上側之端部更往上40mm之位置、試樣M之下側之端部、試樣M之右側之端部、試樣M之左側之端部所劃定的矩形形狀之霧化荷電粒子量分佈映射。
進而，於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，例如，與高速運算處理部10b1b10(參照圖3)之運算處理並行地，藉由照射時刻算出部10b1b5(參照圖3)，使用中央運算處理部(CPU)10b1b9(參照圖3)算出為了描繪圖案PA1、PA2、PA3、...(參照圖6)而照射之荷電粒子束10a1b(參照 圖6)之照射時刻T。
又，於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，例如，與高速運算處理部10b1b10(參照圖3)之運算處理並行地，藉由經過時間算出部10b1b6(參照圖3)，使用中央運算處理部(CPU)10b1b9(參照圖3)算出參照圖7A、圖7B、圖7C、圖7D、圖7E、圖7F及圖7G而說明之考慮「帶電之衰減」所需之經過時間t。
進而，於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，例如，與高速運算處理部10b1b10(參照圖3)之運算處理並行地，藉由帶電量分佈算出部10b1b7(參照圖3)，使用中央運算處理部(CPU)10b1b9(參照圖3)算出藉由荷電粒子束10a1b(參照圖6)之照射而帶電之試樣M(參照圖6)之抗蝕劑之帶電量分佈C(x，y)。詳細而言，於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，例如，荷電粒子束10a1b之非照射區域中之帶電量分佈Cf(x，y)基於下述式算出。
Cf(x，y)=f1 ×F+f2 ×F2 +f3 ×F3 此處，f1 為常數，f2 為常數，f3 為常數，F為藉由霧化荷電粒子量分佈算出部10b1b4(參照圖3)而算出之霧化荷電粒子量分佈F(x，y)。
進而，於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，例如，荷電粒子束10a1b之照射區域中之帶電量分佈Ce(x，y)基於下述之式(1)、式(2)及式(3)而算出。
Ce(x，y)=d0 +d1 ×ρ+d2 ×D+d3 ×E+e1 ×F+e2 ×F2 +e3 ×F3 +κ(ρ)×exp(-(t-T)/λ(ρ))．．．(1)
κ(ρ)=κ0 +κ1 ×ρ+κ2 ×ρ2 ．．．(2)
λ(ρ)=λ0 +λ1 ×ρ+λ2 ×ρ2 ．．．(3)此處，d0 為常數，d1 為常數，ρ為藉由圖案面積密度分佈算出部10b1b1(參照圖3)算出之圖案面積密度分佈ρ(x，y)，d2 為常數，D為藉由劑量分佈算出部10b1b2(參照圖3)算出之劑量分佈D(x，y)，d3 為常數，E為藉由照射量分佈算出部10b1b3(參照圖3)算出之照射量分佈E(x，y)，e1 為常數，e2 為常數，e3 為常數，κ(ρ)為帶電衰減量，κ0 為常數，κ1 為常數，κ2 為常數，λ(ρ)為帶電衰減時常數，λ0 為常數，λ1 為常數，λ2 為常數。
詳細而言，於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，例如，考慮到如下方面：圖案面積密度分佈ρ越大則帶電衰減量κ(ρ)越增大，圖案面積密度分佈ρ越大則帶電越會迅速衰減。進而，於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，例如，藉由荷電粒子束10a1b(參照圖6)之非照射區域中之帶電量分佈Cf(x，y)及荷電粒子束10a1b之照射區域中之帶電量分佈Ce(x，y)之並集，算出帶電量分佈C(x，y)(=Ce(x，y)∪Cf(x，y))。
圖9B表示作成圖9A所示之試樣M之描繪區域DA(參照圖6)之條狀框STR1整體之霧化荷電粒子量分佈映射之時間點(即，執行條狀框STR1內之所有荷電粒子束10a1b之發射之時間點)的帶電量分佈映射。於圖9B所示之例中，與圖9A所示之例同樣地，例如，基於必需於自荷電粒子束10a1b(參照圖6)之照射位置算起半徑40mm之範圍內考慮 帶電效果之影響之見解，作成由比條狀框STR1之上側(圖9B之上側)之端部更往上40mm之位置、試樣M之下側(圖9B之下側)之端部、試樣M之右側(圖9B之右側)之端部、試樣M之左側(圖9B之左側)之端部所劃定的矩形形狀之帶電量分佈映射。
繼而，於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，例如，帶電量分佈C(x，y)與位置偏移響應函數r(x，y)之卷積計算(卷積積分)，藉由位置偏移量映射算出部10b1b8(參照圖3)使用高速運算處理部10b1b10(參照圖3)而執行，從而算出位置偏移量映射p(x，y)。詳細而言，於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，高速運算處理部10b1b10之運算處理與中央運算處理部(CPU)10b1b9(參照圖3)之運算處理並行地執行。圖9C表示試樣M(參照圖6)之描繪區域DA(參照圖6)之條狀框STR1整體之位置偏移量映射p(x，y)。
於圖9A中，表示試樣M之描繪區域DA(參照圖6)之條狀框STR1內之所有荷電粒子束10a1b(參照圖6)之發射結束之時間點的霧化荷電粒子量分佈映射，於圖9B中，表示試樣M之描繪區域DA(參照圖6)之條狀框STR1內之所有荷電粒子束10a1b(參照圖6)之發射結束之時間點的帶電量分佈映射，如參照圖7所說明般，霧化荷電粒子量分佈(霧化電子量分佈)F(x，y)及帶電量分佈C(x，y)於每次執行荷電粒子束10a1b(參照圖6)之發射時發生變化。因此，為了正確掌握伴隨抗蝕劑之帶電效果之位置偏移量，且將荷電粒子束 10a1b正確照射至試樣M之抗蝕劑之目標位置，較佳為，於每次執行荷電粒子束10a1b之發射時，藉由霧化荷電粒子量分佈算出部10b1b4(參照圖3)算出霧化荷電粒子量分佈(霧化電子量分佈)F(x，y)，藉由帶電量分佈算出部10b1b7(參照圖3)算出帶電量分佈C(x，y)，且藉由位置偏移量映射算出部10b1b8(參照圖3)算出荷電粒子束10a1b之位置偏移p2、p3、...(參照圖7)。
藉由參照圖8及圖9，說明作成圖9C所示之試樣M(參照圖6)之描繪區域DA(參照圖6)之條狀框STR1整體之位置偏移量映射p(x，y)之步驟，於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，例如，針對條狀框STR2、STR3、STR4、...、STRn(參照圖6)執行與上述步驟大致相同之步驟，藉此作成試樣M之描繪區域DA整體之位置偏移量映射p(x，y)。
圖10A表示藉由中央運算處理部(CPU)10b1b9(參照圖3)、及具有比中央運算處理部(CPU)10b1b9更快之運算處理速度之高速運算處理部10b1b10(參照圖3)執行並行運算處理的第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10之帶電效果修正處理之處理時間(經過時間)，圖10B表示藉由具有同等之運算處理速度之2個中央運算處理部(CPU)10b1b9執行並行運算處理之荷電粒子束描繪裝置(比較例)的帶電效果修正處理之處理時間(經過時間)。
於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，如圖10A所示，圖案面積密度分佈算出部10b1b1(參照圖3)之運算 P10b1b1、劑量分佈算出部10b1b2(參照圖3)之運算P10b1b2、照射量分佈算出部10b1b3(參照圖3)之運算P10b1b3、照射時刻算出部10b1b5(參照圖3)之運算P10b1b5、經過時間算出部10b1b6(參照圖3)之運算P10b1b6、及帶電量分佈算出部10b1b7(參照圖3)之運算P10b1b7中使用中央運算處理部10b1b9(參照圖3及圖10A)。進而，霧化荷電粒子量分佈算出部10b1b4(參照圖3)之運算P10b1b4及位置偏移量映射算出部10b1b8(參照圖3)之運算P10b1b8中使用具有比中央運算處理部10b1b9更快之運算處理速度之高速運算處理部10b1b10(參照圖3及圖10A)。
即，於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，如圖10A所示，帶電效果修正處理所需之運算P10b1b1、P10b1b2、P10b1b3、P10b1b4、P10b1b5、P10b1b6、P10b1b7、P10b1b8係藉由中央運算處理部10b1b9、及具有比中央運算處理部10b1b9更快之運算處理速度之高速運算處理部10b1b10之並行處理而執行。因此，根據第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10，比起未設置高速運算處理部10b1b10而僅藉由1個中央運算處理部10b1b9執行帶電效果修正處理所需之運算之情形(未圖示)、或藉由具有與中央運算處理部10b1b9同等之運算處理速度之運算處理部及中央運算處理部10b1b9之並行處理而執行帶電效果修正處理所需之運算之情形(參照圖10B)，更能夠縮短帶電效果修正處理所需之時間，且可執行高精度帶電效果修正處理。
尤其於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，如圖10A所示，於運算處理負荷比其他運算大出許多之運算P10b1b4、P10b1b8中使用具有比中央運算處理部10b1b9更快之運算處理速度之高速運算處理部10b1b10。因此，根據第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10，可大幅縮短運算P10b1b4、P10b1b8所需之處理時間，並且可實現上述帶電效果修正處理之線上處理化。
詳細而言，以本申請案之申請時之技術水準，於可安裝於荷電粒子束描繪裝置10之控制基板之CPU(中央運算處理部)中不存在具有充分快速之運算處理速度者。鑒於該點，於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，較佳為將使用具有比可安裝於荷電粒子束描繪裝置10之控制基板之CPU(中央運算處理部)10b1b9(參照圖3)更快之運算處理速度且為外置型(未對控制基板安裝之類型)之GPU(圖形處理單元)，用作為高速運算處理部10b1b10(參照圖3)。即，高速運算處理部10b1b10由外部高速運算處理部構成。假設將來開發出一種具有比安裝於荷電粒子束描繪裝置10之控制基板之CPU(中央運算處理部)10b1b9更快之運算處理速度之晶載型(可對控制基板安裝之類型)之處理器之情形時，亦可藉由運算處理速度較快之晶載型之處理器構成高速運算處理部10b1b10。
圖11係第3實施形態之荷電粒子束描繪裝置10之帶電效果修正處理部10b1b之詳細圖。於第3實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，與第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置 10之高速運算處理部10b1b10(參照圖3)不同，如圖11所示，將例如外置型(未對控制基板安裝之類型)之GPU(圖形處理單元)等之2個運算單元10b1b10a、10b1b10b設置於高速運算處理部10b1b10。
圖12係表示荷電粒子束相對於+1nC之表面點電荷之位置偏移量之計算結果之圖表。如圖12所示，經過本發明者等之積極研究後發現，相比於照射至點電荷所在之位置之附近(與點電荷之距離未達1mm之位置)之荷電粒子束10a1b(參照圖1)之位置偏移量，照射至自電荷所在位置偏離之位置(與點電荷之距離為1mm以上之位置)之荷電粒子束10a1b之位置偏移量非常小，即便增大自電荷所在位置偏離之位置的帶電量分佈映射(參照圖13A)之篩孔尺寸，亦可執行高精度之帶電效果修正處理。鑒於該點，於第3實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，於藉由帶電量分佈算出部10b1b7(參照圖11)算出之帶電量分佈映射(參照圖13A)中，設定第1帶電區域CA1(參照圖13A)、及具有比第1帶電區域CA1之篩孔尺寸更大之篩孔尺寸之第2帶電區域CA2(參照圖13A)。
圖13A表示試樣M之描繪區域DA(參照圖6)之條狀框STR1內之所有荷電粒子束10a1b(參照圖6)之發射結束之時間點的第3實施形態之荷電粒子束描繪裝置10之帶電量分佈映射。圖13B表示試樣M之描繪區域DA之條狀框STR1內之所有荷電粒子束10a1b之發射結束之時間點的第3實施形態之荷電粒子束描繪裝置10之位置偏移響應函數r(x， y)(=r1(x，y)+r2(x，y))。
圖14係表示第3實施形態之荷電粒子束描繪裝置10之帶電效果修正處理之處理時間之圖。詳細而言，圖14表示藉由中央運算處理部(CPU)10b1b9(參照圖11)、具有比中央運算處理部(CPU)10b1b9更快之運算處理速度之高速運算處理部10b1b10(參照圖11)之運算單元10b1b10a、10b1b10b(參照圖11)執行並行運算處理的第3實施形態之荷電粒子束描繪裝置10之帶電效果修正處理之處理時間(經過時間)。
於第3實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，如圖13A所示，第1帶電區域CA1設定於較之具有比第1帶電區域CA1之篩孔尺寸更大之篩孔尺寸之第2帶電區域CA2，距離照射荷電粒子束10a1b而存在電荷之位置更近的位置(即，條狀框STR1內之位置及距離條狀框STR1較近之位置)。即，第2帶電區域CA2設定於較之具有比第2帶電區域CA2之篩孔尺寸更小之篩孔尺寸之第1帶電區域CA1，距離照射荷電粒子束10a1b而存在電荷之位置更遠之位置(即，距離條狀框STR1為1mm以上之位置)。
進而，於第3實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，運算單元10b1b10a(參照圖11)與運算單元10b1b10b(參照圖11)設置於高速運算處理部10b1b10(參照圖11)。運算單元10b1b10a(參照圖11)係用於執行由帶電量分佈映射(參照圖13A)之第1帶電區域CA1(參照圖13A)之篩孔尺寸記述之帶電量分佈C1(x，y)與帶電量分佈映射之第1帶電區域CA1所 對應之位置偏移響應函數r1(x，y)(參照圖13B)的第1卷積計算(ʃr1(x-x'，y-y')C1(x'，y'))。
運算單元10b1b10b(參照圖11)係用於執行由帶電量分佈映射(參照圖13A)之第2帶電區域CA2(參照圖13A)之篩孔尺寸記述之帶電量分佈C2(x，y)與帶電量分佈映射之第2帶電區域CA2所對應的位置偏移響應函數r2(x，y)(參照圖13B)之第2卷積計算(ʃr2(x-x'，y-y')C2(x'，y'))。
又，於第3實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，根據運算單元10b1b10a之第1卷積計算結果與運算單元10b1b10b之第2卷積計算結果之和(ʃr1(x-x'，y-y')C1(x'，y')+ʃr2(x-x'，y-y')C2(x'，y'))，算出位置偏移量映射p(x，y)。
即，於第3實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，如圖14所示，由帶電量分佈映射(參照圖13A)之第1帶電區域CA1(參照圖13A)之篩孔尺寸記述之帶電量分佈C1(x，y)與帶電量分佈映射之第1帶電區域CA1所對應的位置偏移響應函數r1(x，y)(參照圖13B)之第1卷積計算(運算P10b1b8)係使用運算單元10b1b10a(參照圖11)而執行，並且由帶電量分佈映射(參照圖13A)之第2帶電區域CA2(參照圖13A)之篩孔尺寸記述之帶電量分佈C2(x，y)與帶電量分佈映射之第2帶電區域CA2所對應的位置偏移響應函數r2(x，y)(參照圖13B)之第2卷積計算(運算P10b1b8)係使用運算單元10b1b10b(參照圖11)並行地執行。
即，於第3實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，帶電 量分佈C(x，y)與位置偏移響應函數r(x，y)之卷積計算(ʃr(x-x'，y-y')C(x'，y'))藉由使用運算單元10b1b10a(參照圖11及圖14)與運算單元10b1b10b(參照圖11及圖14)之並行處理而執行。
因此，根據第3實施形態之荷電粒子束描繪裝置10，相比於帶電量分佈C(x，y)與位置偏移響應函數r(x，y)之卷積計算(運算P10b1b8(參照10(A)))並未藉由複數個運算單元10b1b10a、10b1b10b之並行處理而執行之情形(圖10A所示之情形)，更能夠縮短帶電量分佈(C(x，y))與位置偏移響應函數(r(x，y))之卷積計算(運算P10b1b8(參照圖14))所需之時間。進而，根據第3實施形態之荷電粒子束描繪裝置10，相比於並未於藉由帶電量分佈算出部10b1b7(參照圖3)算出之帶電量分佈映射(參照圖9B)中設定具有較大之篩孔尺寸之帶電區域，而僅由具有較小之篩孔尺寸之帶電區域構成帶電量分佈映射整體之情形(圖9B及圖10A所示之情形)，更能夠縮短帶電量分佈(C(x，y))與位置偏移響應函數(r(x，y))之卷積計算(運算P10b1b8)所需之時間。
即，為了縮短帶電效果修正處理之處理時間(圖14之縱軸)，與使用運算單元10b1b10a、10b1b10b(參照圖14)僅執行運算處理負荷較大之運算P10b1b4、P10b1b8(參照圖14)之第3實施形態之荷電粒子束描繪裝置10之帶電效果修正方法不同，考慮使用運算單元10b1b10a、10b1b10b亦執行運算處理負荷小之其他運算P10b1b1、P10b1b2、P10b1b3、P10b1b5、P10b1b6、P10b1b7(參照圖14)。然 而，於例如使用外置型(未相對於控制基板而安裝之類型)之GPU(圖形處理單元)作為2個運算單元10b1b10a、10b1b10b之情形時，存在如下傾向：運算單元10b1b10a、10b1b10b之運算處理速度比中央運算處理部(CPU)10b1b9(參照圖14)之運算處理速度更快，但自圖案面積密度分佈算出部10b1b1(參照圖11)等向運算單元10b1b10a、10b1b10b之存取速度，比自圖案面積密度分佈算出部10b1b1等向中央運算處理部(CPU)10b1b9之存取速度更慢。因此，認為即便採用使用運算單元10b1b10a、10b1b10b執行運算處理負荷較小之運算P10b1b1、P10b1b2、P10b1b3、P10b1b5、P10b1b6、P10b1b7(參照圖14)之方法，相比於第3實施形態之荷電粒子束描繪裝置10之帶電效果修正方法，幾乎不會縮短帶電效果修正處理之處理時間，此外，有帶電效果修正處理之處理時間變長之虞。
較佳為，於第3實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，帶電量分佈映射(參照圖13A)之第1帶電區域CA1(參照圖13A)中所包含之篩孔數、與帶電量分佈映射之第2帶電區域CA2(參照圖13A)中所包含之篩孔數設為大致相等。藉由此種設置，能夠將由使用運算單元10b1b10a(參照圖14)之帶電量分佈映射之第1帶電區域CA1之篩孔尺寸記述之帶電量分佈C1(x，y)與帶電量分佈映射之第1帶電區域CA1所對應之位置偏移響應函數r1(x，y)的卷積計算(運算P10b1b8(參照圖14))所需之時間，及由使用運算單元 10b1b10b(參照圖14)之帶電量分佈映射之第2帶電區域CA2(參照圖13A)之篩孔尺寸記述之帶電量分佈C2(x，y)與帶電量分佈映射之第2帶電區域CA2所對應之位置偏移響應函數r2(x，y)的卷積計算(運算P10b1b8(參照圖14))所需之時間設為大致相等。
於第4實施形態之荷電粒子束描繪裝置10之帶電效果修正處理部10b1b中，與圖11所示之第3實施形態之荷電粒子束描繪裝置10之帶電效果修正處理部10b1b同樣地，例如將2個運算單元10b1b10a、10b1b10b設置於高速運算處理部10b1b10。
藉由執行帶電量分佈C(x，y)與位置偏移響應函數r(x，y)之卷積計算(ʃr(x-x'，y-y')C(x'，y'))所獲得之荷電粒子束10a1b(參照圖1)的位置偏移量p係可分割為x方向之第1成分px與y方向之第2成分py。鑒於該點，於第4實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，用以算出位置偏移量p之x方向之第1成分px之第1位置偏移響應函數rx (x，y)與用以算出位置偏移量p之y方向之第2成分py之第2位置偏移響應函數ry (x，y)係另行設定。
圖15係表示用以算出位置偏移量p之x方向之第1成分px的第1位置偏移響應函數rx (x，y)之一例之圖。圖16係表示用以算出位置偏移量p之y方向之第2成分py的第2位置偏移響應函數ry (x，y)之一例之圖。
於第4實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，藉由使用高速運算處理部10b1b10(參照圖11)之運算單元10b1b10a (參照圖11)，執行用以算出位置偏移量p之x方向之第1成分px之第1位置偏移響應函數rx (x，y)與帶電量分佈C(x，y)之卷積計算(ʃrx (x-x'，y-y')C(x'，y'))。
進而，於第4實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，藉由使用高速運算處理部10b1b10之運算單元10b1b10b(參照圖11)，並行地執行用以算出位置偏移量p之y方向之第2成分py之第2位置偏移響應函數ry (x，y)與帶電量分佈C(x，y)之卷積計算(ʃry (x-x'，y-y')C(x'，y'))。
即，於第4實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，帶電量分佈C(x，y)與位置偏移響應函數r(x，y)之卷積計算(ʃr(x-x'，y-y')C(x'，y')=(ʃrx (x-x'，y-y')C(x'，y')、ʃry (x-x'，y-y')C(x'，y')))藉由運算單元10b1b10a(參照圖11)與運算單元10b1b10b(參照圖11)之並行處理而執行。
其結果，第4實施形態之荷電粒子束描繪裝置10之帶電效果修正處理之處理時間與圖14所示之第3實施形態之荷電粒子束描繪裝置10之帶電效果修正處理之處理時間大致相同。
因此，根據第4實施形態之荷電粒子束描繪裝置10，相比於帶電量分佈C(x，y)與位置偏移響應函數r(x，y)之卷積計算(運算P10b1b8)(參照10(A))未藉由複數個運算單元10b1b10a、10b1b10b(參照圖11)之並行處理而執行之情形(參照圖3及10(A)所示之情形)，更能夠縮短帶電量分佈C(x，y)與位置偏移響應函數r(x，y)之卷積計算(運算P10b1b8)(參照圖14)所需之時間。
於第5實施形態之荷電粒子束描繪裝置10之帶電效果修正處理部10b1b中，與圖11所示之第3實施形態之荷電粒子束描繪裝置10之帶電效果修正處理部10b1b同樣地，例如將2個運算單元10b1b10a、10b1b10b設置於高速運算處理部10b1b10。
圖17表示自荷電粒子束10a1b之照射位置算起之距離(半徑)與霧化荷電粒子量(霧化電子量)之關係之圖。於圖17中，橫軸表示自荷電粒子束10a1b之照射位置算起之距離(半徑)。即，圖17表示於橫軸之座標為0mm之位置被照射有荷電粒子束10a1b之情況。又，於圖17中縱軸表示霧化荷電粒子量(霧化電子量)。
經過本發明者等之積極研究後發現：如圖17所示，荷電粒子束10a1b(參照圖1)之照射位置之附近(自荷電粒子束10a1b之照射位置算起之距離未達約2~3mm之位置)的霧化荷電粒子分佈(霧化電子分佈)、與離開荷電粒子束10a1b之照射位置之位置(自荷電粒子束10a1b之照射位置算起之距離約為2~3mm以上之位置)的霧化荷電粒子分佈(霧化電子分佈)，可藉由不同之另外之高斯分佈(正規分佈)g1(x，y)、g2(x，y)來記述。即，經過本發明者等之積極研究後發現：藉由單一之高斯分佈g(x，y)記述霧化荷電粒子分佈(霧化電子分佈)，無法執行高精度之帶電效果修正。
鑒於該點，於第5實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，第1高斯分佈g1(x，y)(=(1/πσ1 2 )×exp(-(x2 +y2 )/σ1 2 ))與具有比第1高斯分佈g1(x，y)之霧化散射半徑σ1 更大之霧化 散射半徑σ2 的第2高斯分佈g2(x，y)(=(1/πσ2 2 )×exp(-(x2 +y2 )/σ2 2 ))係另行設定。
詳細而言，藉由霧化荷電粒子量分佈算出部10b1b4(參照圖11)，設定霧化荷電粒子分佈g(x，y)(=(1/πσ1 2 )×exp(-(x2 +y2 )/σ1 2 )+(1/πσ2 2 )×exp(-(x2 +y2 )/σ2 2 ))，作為第1高斯分佈g1(x，y)與第2高斯分佈g2(x，y)之和。
進而，於第5實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，第1照射量分佈映射(參照圖18)與具有比第1照射量分佈映射之篩孔尺寸更大之篩孔尺寸之第2照射量分佈映射(參照圖18)，係藉由照射量分佈算出部10b1b3(參照圖11)而算出。圖18係表示試樣M之描繪區域DA之條狀框STR1內之所有荷電粒子束10a1b之發射結束之時間點的第5實施形態之荷電粒子束描繪裝置10之第1照射量分佈映射及第2照射量分佈映射。
圖19係表示第5實施形態之荷電粒子束描繪裝置10之帶電效果修正處理之處理時間之圖。詳細而言，圖19表示藉由中央運算處理部(CPU)10b1b9(參照圖11)與具有比中央運算處理部(CPU)10b1b9更快之運算處理速度之高速運算處理部10b1b10(參照圖11)之運算單元10b1b10a、10b1b10b(參照圖11)執行並行運算處理之第5實施形態之荷電粒子束描繪裝置10之帶電效果修正處理之處理時間(經過時間)。
又，於第5實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，將用於執行由第1照射量分佈映射(參照圖18)之較小之篩孔尺寸記述之第1照射量分佈E1(x，y)與第1高斯分佈g1(x，y)之 卷積計算(ʃg1(x-x'，y-y')E1(x'，y'))而使用的運算單元10b1b10a(參照圖11)設置於高速運算處理部10b1b10(參照圖11)。
進而，第5實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，將用於執行由第2照射量分佈映射(參照圖18)之較大之篩孔尺寸記述之第2照射量分佈E2(x，y)與第2高斯分佈g2(x，y)之卷積計算(ʃg2(x-x'，y-y')E2(x'，y'))而使用的運算單元10b1b10b(參照圖11)設置於高速運算處理部10b1b10(參照圖11)。
即，於第5實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，由第1照射量分佈映射(參照圖18)之較小之篩孔尺寸記述之第1照射量分佈E1(x，y)與第1高斯分佈g1(x，y)之卷積計算(運算P10b1b4(參照圖19))係使用運算單元10b1b10a(參照圖19)而執行，並且由第2照射量分佈映射(參照圖18)之較大之篩孔尺寸記述之第2照射量分佈E2(x，y)與第2高斯分佈g2(x，y)之卷積計算(運算P10b1b4(參照圖19))係使用運算單元10b1b10b(參照圖19)並行地執行。
即，於第5實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，照射量分佈E(x，y)(=E1(x，y)+E2(x，y))與霧化荷電粒子分佈g(x，y)(=g1(x，y)+g2(x，y))之卷積計算(ʃg1(x-x'，y-y')E1(x'，y')+ʃg2(x-x'，y-y')E2(x'，y'))藉由運算單元10b1b10a(參照圖11及圖19)與運算單元10b1b10b(參照圖11及圖19)之並行處理而執行。
因此，根據第5實施形態之荷電粒子束描繪裝置10，相 比於照射量分佈E(x，y)與霧化荷電粒子分佈g(x，y)之卷積計算(運算P10b1b4(參照參照10(A)))未藉由並行處理而執行之情形(參照參照10(A))，更能夠縮短照射量分佈E(x，y)與霧化荷電粒子分佈g(x，y)之卷積計算(運算P10b1b4(參照圖19))所需之時間。
較佳為，於第5實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中，第1照射量分佈映射(參照圖18)中所包含之篩孔數、與第2照射量分佈映射(參照圖18)中所包含之篩孔數設為相等。藉由此種設置，能夠將由使用運算單元10b1b10a(參照圖19)之第1照射量分佈映射(參照圖18)之較小之篩孔尺寸記述之第1照射量分佈E1(x，y)與第1高斯分佈g1(x，y)之卷積計算(運算P10b1b4(參照圖19))所需之時間，與由使用運算單元10b1b10b(參照圖19)之第2照射量分佈映射(參照圖18)之較大之篩孔尺寸記述之第2照射量分佈E2(x，y)與第2高斯分佈g2(x，y)之卷積計算(運算P10b1b4(參照圖19))所需之時間設為大致相等。
於第6實施形態中，亦可適當組合上述第1至第5實施形態及該等變形例。
由於可在不脫離本發明之精神及範疇的情況下進行本發明之許多明顯廣泛不同之實施例，因此應理解，本發明不限於除所附請求項中所定義之實施例之外的其特定實施例。
10‧‧‧荷電粒子束描繪裝置
10a‧‧‧描繪部
10a1‧‧‧光學鏡筒
10a1a‧‧‧荷電粒子槍
10a1b‧‧‧荷電粒子束
10a1c、10a1d、10a1e、10a1f‧‧‧偏向器
10a1g、10a1h、10a1i、10a1j、10a1k‧‧‧透鏡
10a1l‧‧‧第1成形光圈構件
10a1l'‧‧‧第1成形光圈構件10a1l之孔徑
10a1m‧‧‧第2成形光圈構件
10a1m'‧‧‧第2成形光圈構件10a1m之孔徑
10a2‧‧‧描繪室
10a2a‧‧‧可動平台
10a2b‧‧‧雷射干涉儀
10b‧‧‧控制部
10b1‧‧‧控制計算器
10b1a‧‧‧輸入部
10b1b‧‧‧帶電效果修正處理部
10b1b1‧‧‧圖案面積密度分佈算出部
10b1b2‧‧‧劑量分佈算出部
10b1b3‧‧‧照射量分佈算出部
10b1b4‧‧‧霧化荷電粒子量算出部
10b1b5‧‧‧照射時刻算出部
10b1b6‧‧‧經過時間算出部
10b1b7‧‧‧帶電量分佈算出部
10b1b8‧‧‧位置偏移量映射算出部
10b1b9‧‧‧中央運算處理部(CPU)
10b1b10‧‧‧高速運算處理部
10b1b10a、10b1b10b‧‧‧運算單元
10b1c‧‧‧位置偏移量映射記憶部
10b1d‧‧‧網格匹配控制部
10b1g‧‧‧發射資料產生部
10b1h‧‧‧偏向控制部
10b1i‧‧‧平台控制部
10b2、10b3、10b4、10b5‧‧‧偏向控制電路
10b6‧‧‧平台控制電路
BL‧‧‧區塊階層
BL00、...、BL52‧‧‧區塊
CL‧‧‧單元階層
CLA、CLB、CLC、CLD‧‧‧單元
CP‧‧‧晶片階層
CP1‧‧‧晶片
DA‧‧‧描繪區域
FG‧‧‧圖形階層
FG1、FG2、FG3‧‧‧圖形
FR‧‧‧圖框階層
FR1、FR2、FR3‧‧‧圖框
g‧‧‧霧化荷電粒子分佈(霧化電子分佈)
g1(x，y)、g2(x，y)‧‧‧高斯分佈(正規分佈)
M‧‧‧試樣
p‧‧‧位置偏移量
p2、p3‧‧‧位置偏移
p2'、p3'‧‧‧箭頭
PA、PA1、PA2、PA3‧‧‧圖案
px‧‧‧位置偏移量p之x方向之成分
py‧‧‧位置偏移量p之y方向之成分
r(x，y)‧‧‧位置偏移響應函數
STR1、STR2、STR3、STR4、...、STRn‧‧‧條狀框
圖1係第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10之概略性構 成圖；圖2係圖1所示之控制部10b之控制計算器10b1之詳細圖；圖3係圖2所示之帶電效果修正處理部10b1b之詳細圖；圖4係用以說明於第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10中能夠以荷電粒子束10a1b之1次發射而描繪於試樣M之抗蝕劑之圖案PA之一例的圖；圖5係概略地表示圖1及圖2所示之描繪資料之一部分之一例的圖；圖6係用以說明與描繪資料中所包含之圖形FG1、FG2、FG3、...對應之圖案PA1、PA2、PA3...藉由荷電粒子束10a1b而描繪之描繪順序的圖；圖7A、圖7B、圖7C、圖7D、圖7E、圖7F、圖7G係用以概略地說明使伴隨圖6所示之圖案PA1、PA2、PA3之描繪所產生之抗蝕劑之帶電，荷電粒子束10a1b之位置偏移，及荷電粒子束10a1b之位置偏移抵消之帶電效果修正之觀點的圖；圖8A、圖8B、圖8C係表示圖案面積密度分佈映射等之圖，該圖案面積密度分佈映射表示試樣M之描繪區域DA之條狀框STR1內之圖案面積密度分佈ρ(x，y)；圖9A、圖9B、圖9C係表示霧化荷電粒子量分佈映射等之圖，該霧化荷電粒子量分佈映射表示執行試樣M之描繪區域DA之條狀框STR1整體之照射量分佈E(x，y)與霧化荷電粒子分佈(霧化電子分佈)g(x，y)之卷積計算(卷積積分) 之時間點的霧化荷電粒子量分佈(霧化電子量分佈)F(x，y)；圖10A、圖10B係表示第1實施形態之荷電粒子束描繪裝置10之帶電效果修正處理之處理時間等之圖；圖11係第3實施形態之荷電粒子束描繪裝置10之帶電效果修正處理部10b1b之詳細圖；圖12係表示荷電粒子束相對於+1nC之表面點電荷之位置偏移量之計算結果的圖表；圖13A、圖13B係表示試樣M之描繪區域DA之條狀框STR1內之所有荷電粒子束10a1b之發射結束之時間點的第3實施形態之荷電粒子束描繪裝置10之帶電量分佈映射等的圖；圖14係表示第3實施形態之荷電粒子束描繪裝置10之帶電效果修正處理之處理時間之圖；圖15係表示用以算出位置偏移量p之x方向之成分px之位置偏移響應函數rx (x，y)之一例的圖；圖16係表示用以算出位置偏移量p之y方向之成分py之位置偏移響應函數ry (x，y)之一例的圖；圖17係表示自荷電粒子束10a1b之照射位置算起之距離(半徑)與霧化荷電粒子量(霧化電子量)之關係的圖；圖18係表示試樣M之描繪區域DA之條狀框STR1內之所有荷電粒子束10a1b之發射結束之時間點的第5實施形態之荷電粒子束描繪裝置10之第1照射量分佈映射及第2照射量分佈映射的圖；及 圖19係表示第5實施形態之荷電粒子束描繪裝置10之帶電效果修正處理之處理時間的圖。
10‧‧‧荷電粒子束描繪裝置
10a‧‧‧描繪部
10a1‧‧‧光學鏡筒
10a1a‧‧‧荷電粒子槍
10a1b‧‧‧荷電粒子束
10a1c、10a1d、10a1e、10a1f‧‧‧偏向器
10a1g、10a1h、10a1i、10a1j、10a1k‧‧‧透鏡
10a1l‧‧‧第1成形光圈構件
10a1m‧‧‧第2成形光圈構件
10a2‧‧‧描繪室
10a2a‧‧‧可動平台
10a2b‧‧‧雷射干涉儀
10b‧‧‧控制部
10b1‧‧‧控制計算器
10b2、10b3、10b4、10b5‧‧‧偏向控制電路
10b6‧‧‧平台控制電路
M‧‧‧試樣

Claims (12)

  1. 一種荷電粒子束描繪裝置，其特徵在於包括：描繪部，其係藉由對在上表面塗佈有抗蝕劑之試樣照射荷電粒子束，而將與描繪資料中所包含之複數個圖形對應之複數個圖案描繪於試樣之抗蝕劑上；圖案面積密度分佈算出部，其係算出藉由荷電粒子束所描繪之圖案之面積密度分佈；劑量分佈算出部，其係根據圖案面積密度分佈與抗蝕劑內之荷電粒子之反向散射率算出劑量分佈；照射量分佈算出部，其係算出圖案面積密度分佈與劑量分佈之積即照射量分佈；霧化荷電粒子量分佈算出部，其係執行照射量分佈與霧化荷電粒子分佈之卷積計算；照射時刻算出部，其係算出用於描繪圖案而照射之荷電粒子束之照射時刻；經過時間算出部，其係算出經過時間；帶電量分佈算出部，其係算出藉由荷電粒子束之照射而帶電之試樣之抗蝕劑之帶電量分佈；位置偏移量映射算出部，其係執行帶電量分佈與位置偏移響應函數之卷積計算；中央運算處理部，其係用於圖案面積密度分佈算出部之運算、劑量分佈算出部之運算、照射量分佈算出部之運算、照射時刻算出部之運算、經過時間算出部之運算、及帶電量分佈算出部之運算；及 高速運算處理部，其係用於霧化荷電粒子量分佈算出部之運算及位置偏移量映射算出部之運算，且具有比中央運算處理部更快之運算處理速度；其中每次執行上述荷電粒子束之發射時，由上述高速運算處理部執行上述霧化荷電粒子量分佈算出部之運算及上述位置偏移量映射算出部之運算；由上述中央運算處理部進行之上述照射時刻算出部之運算與由上述高速運算處理部進行之上述霧化荷電粒子量分佈算出部之運算係並行地執行；且上述圖案面積密度分佈算出部之運算、上述劑量分佈算出部之運算及上述照射量分佈算出部之運算係與上述高速運算處理部執行上述位置偏移量映射算出部之運算並行地，由上述中央運算處理部執行。
  2. 如請求項1之荷電粒子束描繪裝置，其中帶電量分佈算出部算出包含第1帶電區域、具有比第1帶電區域之篩孔尺寸更大之篩孔尺寸之第2帶電區域的帶電量分佈映射；高速運算處理部包含：第1運算單元，其係用於執行由帶電量分佈映射之第1帶電區域之篩孔尺寸記述之第1帶電量分佈與帶電量分佈映射之第1帶電區域所對應之第1位置偏移響應函數的第1卷積計算；以及第2運算單元，其係用於執行由帶電量分佈映射之第2帶電區域之篩孔尺寸記述之第2帶電量分佈與帶電量分佈映射之第2帶電區域所對應之第2位置偏移響應函數的第2卷積計 算。
  3. 如請求項2之荷電粒子束描繪裝置，其中第1帶電區域中所包含之篩孔數與第2帶電區域中所包含之篩孔數大致相等。
  4. 如請求項1之荷電粒子束描繪裝置，其中高速運算處理部包含：第1運算單元，其係用於執行用以算出位置偏移量之x方向之第1成分之第1位置偏移響應函數與帶電量分佈的第1卷積計算；以及第2運算單元，其係用於執行用以算出位置偏移量之y方向之第2成分之第2位置偏移響應函數與帶電量分佈的第2卷積計算。
  5. 如請求項1之荷電粒子束描繪裝置，其中照射量分佈算出部算出第1照射量分佈映射、及具有比第1照射量分佈映射之篩孔尺寸更大之篩孔尺寸之第2照射量分佈映射；霧化荷電粒子量分佈算出部係設定霧化荷電粒子分佈，作為第1高斯分佈與具有比第1高斯分佈之霧化散射半徑更大之霧化散射半徑之第2高斯分佈之和；高速運算處理部包含：第1運算單元，其係用於執行由第1照射量分佈映射之篩孔尺寸記述之第1照射量分佈與第1高斯分佈之卷積計算；以及第2運算單元，其係用於執行由第2照射量分佈映射之篩孔尺寸記述之第2照射量分佈與第2高斯分佈之卷積計算。
  6. 如請求項1之荷電粒子束描繪裝置，其中 上述高速運算處理部中，上述霧化荷電粒子量分佈算出部之運算及上述位置偏移量映射算出部之運算係交替執行。
  7. 一種荷電粒子束描繪裝置之帶電效果修正方法，該荷電粒子束描繪裝置係藉由對在上表面塗佈有抗蝕劑之試樣照射荷電粒子束，而將與描繪資料中所包含之複數個圖形對應之複數個圖案描繪於試樣之抗蝕劑上；該帶電效果修正方法之特徵在於：使用中央運算處理部執行算出藉由荷電粒子束所描繪之圖案之面積密度分佈之運算；使用中央運算處理部執行根據圖案面積密度分佈與抗蝕劑內之荷電粒子之反向散射率算出劑量分佈之運算；使用中央運算處理部執行算出圖案面積密度分佈與劑量分佈之積即照射量分佈之運算；每次執行上述荷電粒子束之發射時，使用具有比中央運算處理部更快之運算處理速度之高速運算處理部，執行照射量分佈與霧化荷電粒子分佈之卷積計算；使用中央運算處理部執行算出用於描繪圖案而照射之荷電粒子束之照射時刻之運算；使用中央運算處理部執行算出經過時間之運算；使用中央運算處理部執行算出藉由荷電粒子束之照射而帶電之試樣之抗蝕劑之帶電量分佈之運算；及每次執行上述荷電粒子束之發射時，使用高速運算處理部執行帶電量分佈與位置偏移響應函數之卷積計算： 其中由上述中央運算處理部進行之上述照射時刻之運算、及由上述高速運算處理部進行之上述照射量分佈與霧化荷電粒子分佈之上述卷積計算係並行地執行；且上述圖案面積密度分佈之運算的執行、上述劑量分佈之運算的執行、及上述照射量分佈之運算的執行係與上述高速運算處理部執行上述位置偏移響應函數之卷積計算並行地，由上述中央運算處理部執行。
  8. 如請求項7之荷電粒子束描繪裝置之帶電效果修正方法，其中於執行算出帶電量分佈之運算時，算出包含第1帶電區域、及具有比第1帶電區域之篩孔尺寸更大之篩孔尺寸之第2帶電區域的帶電量分佈映射；高速運算處理部包含：第1運算單元，其係用於執行由帶電量分佈映射之第1帶電區域之篩孔尺寸記述之第1帶電量分佈與帶電量分佈映射之第1帶電區域所對應之第1位置偏移響應函數的第1卷積計算；以及第2運算單元，其係用於執行由帶電量分佈映射之第2帶電區域之篩孔尺寸記述之第2帶電量分佈與帶電量分佈映射之第2帶電區域所對應之第2位置偏移響應函數的第2卷積計算。
  9. 如請求項8之荷電粒子束描繪裝置之帶電效果修正方法，其中第1帶電區域中所包含之篩孔數與第2帶電區域中所包 含之篩孔數大致相等。
  10. 如請求項7之荷電粒子束描繪裝置之帶電效果修正方法，其中高速運算處理部包含：第1運算單元，其係用於執行用以算出位置偏移量之x方向之第1成分之第1位置偏移響應函數與帶電量分佈的第1卷積計算；以及第2運算單元，其係用於執行用以算出位置偏移量之y方向之第2成分之第2位置偏移響應函數與帶電量分佈的第2卷積計算。
  11. 如請求項7之荷電粒子束描繪裝置之帶電效果修正方法，其中於執行算出照射量分佈之運算時，算出第1照射量分佈映射、及具有比第1照射量分佈映射之篩孔尺寸更大之篩孔尺寸之第2照射量分佈映射；於執行帶電量分佈與位置偏移響應函數之卷積計算時，設定霧化荷電粒子分佈來作為第1高斯分佈與具有比第1高斯分佈之霧化散射半徑更大之霧化散射半徑之第2高斯分佈之和；高速運算處理部包含：第1運算單元，其係用於執行由第1照射量分佈映射之篩孔尺寸記述之第1照射量分佈與第1高斯分佈之卷積計算；以及第2運算單元，其係用於執行由第2照射量分佈映射之篩孔尺寸記述之第2照射量分佈與第2高斯分佈之卷積計算。
  12. 如請求項7之荷電粒子束描繪裝置之帶電效果修正方法，其中 上述照射量分佈之卷積計算之執行、與上述帶電量分佈、上述位置偏移響應函數及上述霧化荷電粒子分佈之卷積計算之執行係於上述高速運算處理部中交替執行。
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Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5547567B2 (ja) * 2010-06-30 2014-07-16 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置およびその制御方法
JP5636238B2 (ja) 2010-09-22 2014-12-03 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
DE102012000650A1 (de) * 2012-01-16 2013-07-18 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Verfahren und vorrichtung zum abrastern einer oberfläche eines objekts mit einem teilchenstrahl
JP6147528B2 (ja) * 2012-06-01 2017-06-14 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP6018811B2 (ja) * 2012-06-19 2016-11-02 株式会社ニューフレアテクノロジー ドリフト補正方法および描画データの作成方法
JP6295035B2 (ja) * 2013-07-10 2018-03-14 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP6147642B2 (ja) * 2013-10-11 2017-06-14 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビームのブランキング装置
JP6230881B2 (ja) * 2013-11-12 2017-11-15 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビームのブランキング装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP6190254B2 (ja) * 2013-12-04 2017-08-30 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP2015185800A (ja) * 2014-03-26 2015-10-22 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置、情報処理装置、パターン検査装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP6316052B2 (ja) * 2014-03-26 2018-04-25 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
KR102150972B1 (ko) 2014-06-05 2020-09-03 삼성전자주식회사 전자 빔 노광 시스템
EP3096342B1 (en) 2015-03-18 2017-09-20 IMS Nanofabrication AG Bi-directional double-pass multi-beam writing
JP2016184605A (ja) 2015-03-25 2016-10-20 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び描画データ作成方法
US10410831B2 (en) 2015-05-12 2019-09-10 Ims Nanofabrication Gmbh Multi-beam writing using inclined exposure stripes
EP3258479B1 (en) * 2016-06-13 2019-05-15 IMS Nanofabrication GmbH Method for compensating pattern placement errors caused by variation of pattern exposure density in a multi-beam writer
US10325756B2 (en) 2016-06-13 2019-06-18 Ims Nanofabrication Gmbh Method for compensating pattern placement errors caused by variation of pattern exposure density in a multi-beam writer
JP6951922B2 (ja) * 2016-09-28 2021-10-20 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム装置及び荷電粒子ビームの位置ずれ補正方法
JP6951174B2 (ja) * 2016-09-28 2021-10-20 株式会社ニューフレアテクノロジー 電子ビーム装置及び電子ビームの位置ずれ補正方法
US10325757B2 (en) 2017-01-27 2019-06-18 Ims Nanofabrication Gmbh Advanced dose-level quantization of multibeam-writers
US10522329B2 (en) 2017-08-25 2019-12-31 Ims Nanofabrication Gmbh Dose-related feature reshaping in an exposure pattern to be exposed in a multi beam writing apparatus
US11569064B2 (en) 2017-09-18 2023-01-31 Ims Nanofabrication Gmbh Method for irradiating a target using restricted placement grids
US10651010B2 (en) 2018-01-09 2020-05-12 Ims Nanofabrication Gmbh Non-linear dose- and blur-dependent edge placement correction
US10840054B2 (en) 2018-01-30 2020-11-17 Ims Nanofabrication Gmbh Charged-particle source and method for cleaning a charged-particle source using back-sputtering
JP7026575B2 (ja) 2018-05-22 2022-02-28 株式会社ニューフレアテクノロジー 電子ビーム照射方法、電子ビーム照射装置、及びプログラム
KR102457113B1 (ko) * 2018-11-09 2022-10-20 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 하전 입자 빔 묘화 장치, 하전 입자 빔 묘화 방법 및 프로그램
US11099482B2 (en) 2019-05-03 2021-08-24 Ims Nanofabrication Gmbh Adapting the duration of exposure slots in multi-beam writers
JP7159970B2 (ja) * 2019-05-08 2022-10-25 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置
JP7183315B2 (ja) 2020-02-03 2022-12-05 アイエムエス ナノファブリケーション ゲーエムベーハー マルチビーム描画機におけるブラー変化の補正
JP7555297B2 (ja) 2020-04-24 2024-09-24 アイエムエス ナノファブリケーション ゲーエムベーハー 荷電粒子源
WO2021220697A1 (ja) * 2020-04-27 2021-11-04 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置
EP4095882A1 (en) 2021-05-25 2022-11-30 IMS Nanofabrication GmbH Pattern data processing for programmable direct-write apparatus
US12154756B2 (en) 2021-08-12 2024-11-26 Ims Nanofabrication Gmbh Beam pattern device having beam absorber structure

Family Cites Families (87)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US844152A (en) * 1906-02-21 1907-02-12 William Jay Little Camera.
US2407680A (en) * 1945-03-02 1946-09-17 Minnesota Mining & Mfg Reflex light reflector
US2769374A (en) * 1951-10-19 1956-11-06 Sick Erwin Electrical light screen
US3025406A (en) * 1959-02-05 1962-03-13 Flightex Fabrics Inc Light screen for ballistic uses
US3187185A (en) * 1960-12-22 1965-06-01 United States Steel Corp Apparatus for determining surface contour
US3128340A (en) * 1961-12-21 1964-04-07 Bell Telephone Labor Inc Electrographic transmitter
DE1221927B (de) * 1964-05-06 1966-07-28 Sick Erwin Lichtschranke, insbesondere Unfallschutzvorrichtung
US3478220A (en) * 1966-05-11 1969-11-11 Us Navy Electro-optic cursor manipulator with associated logic circuitry
US3563771A (en) * 1968-02-28 1971-02-16 Minnesota Mining & Mfg Novel black glass bead products
US3613066A (en) * 1968-10-22 1971-10-12 Cii Computer input equipment
US3719752A (en) * 1970-07-27 1973-03-06 Sterling Drug Inc Aerosol package containing a homogeneous single phase liquid skin-conditioner
US3810804A (en) * 1970-09-29 1974-05-14 Rowland Dev Corp Method of making retroreflective material
US3775560A (en) * 1972-02-28 1973-11-27 Univ Illinois Infrared light beam x-y position encoder for display devices
US3764813A (en) * 1972-04-12 1973-10-09 Bell Telephone Labor Inc Coordinate detection system
US3830682A (en) * 1972-11-06 1974-08-20 Rowland Dev Corp Retroreflecting signs and the like with novel day-night coloration
US3860754A (en) * 1973-05-07 1975-01-14 Univ Illinois Light beam position encoder apparatus
US3987492A (en) * 1973-10-01 1976-10-19 Siemens Aktiengesellschaft Liquid jet recorder
US3857022A (en) * 1973-11-15 1974-12-24 Integrated Sciences Corp Graphic input device
DE2550653C3 (de) * 1975-11-11 1978-12-21 Erwin Sick Gmbh Optik-Elektronik, 7808 Waldkirch Drehstrahl-Lichtvorhang
US4144449A (en) * 1977-07-08 1979-03-13 Sperry Rand Corporation Position detection apparatus
CA1109539A (en) * 1978-04-05 1981-09-22 Her Majesty The Queen, In Right Of Canada, As Represented By The Ministe R Of Communications Touch sensitive computer input device
US4243879A (en) * 1978-04-24 1981-01-06 Carroll Manufacturing Corporation Touch panel with ambient light sampling
US4243618A (en) * 1978-10-23 1981-01-06 Avery International Corporation Method for forming retroreflective sheeting
US4420261A (en) * 1980-09-02 1983-12-13 Lowbar, Inc. Optical position location apparatus
US4468694A (en) * 1980-12-30 1984-08-28 International Business Machines Corporation Apparatus and method for remote displaying and sensing of information using shadow parallax
US4329037A (en) * 1981-06-08 1982-05-11 Container Corporation Of America Camera structure
US4558313A (en) * 1981-12-31 1985-12-10 International Business Machines Corporation Indicator to data processing interface
US4459476A (en) * 1982-01-19 1984-07-10 Zenith Radio Corporation Co-ordinate detection system
US4542375A (en) * 1982-02-11 1985-09-17 At&T Bell Laboratories Deformable touch sensitive surface
US4486363A (en) * 1982-09-30 1984-12-04 Amerace Corporation Method and apparatus for embossing a precision optical pattern in a resinous sheet
US4601861A (en) * 1982-09-30 1986-07-22 Amerace Corporation Methods and apparatus for embossing a precision optical pattern in a resinous sheet or laminate
US4507557A (en) * 1983-04-01 1985-03-26 Siemens Corporate Research & Support, Inc. Non-contact X,Y digitizer using two dynamic ram imagers
US4553842A (en) * 1983-05-09 1985-11-19 Illinois Tool Works Inc. Two dimensional optical position indicating apparatus
FR2554261B1 (fr) * 1983-10-28 1987-04-30 Thomson Csf Dispositif sensitif d'affichage comportant un ecran a balayage
US4550250A (en) * 1983-11-14 1985-10-29 Hei, Inc. Cordless digital graphics input device
US4766424A (en) * 1984-03-30 1988-08-23 Zenith Electronics Corporation Light collecting and redirecting means
US4672364A (en) * 1984-06-18 1987-06-09 Carroll Touch Inc Touch input device having power profiling
US4943806A (en) * 1984-06-18 1990-07-24 Carroll Touch Inc. Touch input device having digital ambient light sampling
US4703316A (en) * 1984-10-18 1987-10-27 Tektronix, Inc. Touch panel input apparatus
US4673918A (en) * 1984-11-29 1987-06-16 Zenith Electronics Corporation Light guide having focusing element and internal reflector on same face
US4710760A (en) * 1985-03-07 1987-12-01 American Telephone And Telegraph Company, At&T Information Systems Inc. Photoelastic touch-sensitive screen
US4688933A (en) * 1985-05-10 1987-08-25 The Laitram Corporation Electro-optical position determining system
DE3616490A1 (de) * 1985-05-17 1986-11-27 Alps Electric Co Ltd Optische koordinaten-eingabe-vorrichtung
JPS61262917A (ja) * 1985-05-17 1986-11-20 Alps Electric Co Ltd 光電式タツチパネルのフイルタ−
US4980547A (en) * 1985-05-24 1990-12-25 Wells-Gardner Electronics Corp. Light distribution and detection apparatus
US4762990A (en) * 1985-10-21 1988-08-09 International Business Machines Corporation Data processing input interface determining position of object
US4831455A (en) * 1986-02-21 1989-05-16 Canon Kabushiki Kaisha Picture reading apparatus
US4822145A (en) * 1986-05-14 1989-04-18 Massachusetts Institute Of Technology Method and apparatus utilizing waveguide and polarized light for display of dynamic images
JPS6375918A (ja) * 1986-09-19 1988-04-06 Alps Electric Co Ltd 座標入力装置
US4782328A (en) * 1986-10-02 1988-11-01 Product Development Services, Incorporated Ambient-light-responsive touch screen data input method and system
US4868912A (en) * 1986-11-26 1989-09-19 Digital Electronics Infrared touch panel
US4893120A (en) * 1986-11-26 1990-01-09 Digital Electronics Corporation Touch panel using modulated light
US5025411A (en) * 1986-12-08 1991-06-18 Tektronix, Inc. Method which provides debounced inputs from a touch screen panel by waiting until each x and y coordinates stop altering
US4746770A (en) * 1987-02-17 1988-05-24 Sensor Frame Incorporated Method and apparatus for isolating and manipulating graphic objects on computer video monitor
US4820050A (en) * 1987-04-28 1989-04-11 Wells-Gardner Electronics Corporation Solid-state optical position determining apparatus
US4811004A (en) * 1987-05-11 1989-03-07 Dale Electronics, Inc. Touch panel system and method for using same
US4990901A (en) * 1987-08-25 1991-02-05 Technomarket, Inc. Liquid crystal display touch screen having electronics on one side
US4928094A (en) * 1988-01-25 1990-05-22 The Boeing Company Battery-operated data collection apparatus having an infrared touch screen data entry device
JP2705156B2 (ja) * 1988-03-07 1998-01-26 ソニー株式会社 タッチパネル装置
US4851664A (en) * 1988-06-27 1989-07-25 United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Narrow band and wide angle hemispherical interference optical filter
US5109435A (en) * 1988-08-08 1992-04-28 Hughes Aircraft Company Segmentation method for use against moving objects
US4916308A (en) * 1988-10-17 1990-04-10 Tektronix, Inc. Integrated liquid crystal display and optical touch panel
JP2917155B2 (ja) * 1989-12-18 1999-07-12 株式会社日立製作所 画像結合装置及び方法
US5130794A (en) * 1990-03-29 1992-07-14 Ritchey Kurtis J Panoramic display system
US5105186A (en) * 1990-05-25 1992-04-14 Hewlett-Packard Company Lcd touch screen
US5043751A (en) * 1990-06-08 1991-08-27 Richard Rice Self-bracing credit-card-size camera for single-shot emergency use, and method for manufacture and distribution
US5025314A (en) * 1990-07-30 1991-06-18 Xerox Corporation Apparatus allowing remote interactive use of a plurality of writing surfaces
US5103085A (en) * 1990-09-05 1992-04-07 Zimmerman Thomas G Photoelectric proximity detector and switch
US5103249A (en) * 1990-10-24 1992-04-07 Lauren Keene Folding disposable camera apparatus in combination with instant film
US5097516A (en) * 1991-02-28 1992-03-17 At&T Bell Laboratories Technique for illuminating a surface with a gradient intensity line of light to achieve enhanced two-dimensional imaging
JP3105670B2 (ja) * 1992-11-26 2000-11-06 富士通株式会社 荷電粒子ビーム露光装置及びその制御方法
JPH10162145A (ja) * 1996-11-29 1998-06-19 Asahi Optical Co Ltd パターンマッチング法における登録パターンの中心座標データの補正データを演算する演算装置及びそれを用いるレーザ描画装置
JP3563907B2 (ja) * 1997-01-30 2004-09-08 富士通株式会社 並列計算機
JP3431444B2 (ja) * 1997-03-18 2003-07-28 株式会社東芝 パターン描画方法及び描画装置
JP4439038B2 (ja) * 1999-06-17 2010-03-24 株式会社アドバンテスト 電子ビーム露光方法及び装置
JP3394233B2 (ja) * 2000-06-27 2003-04-07 株式会社日立製作所 荷電粒子線描画方法及び装置
DE10319370B4 (de) * 2003-04-29 2007-09-13 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Erfassen und Kompensieren von Lageverschiebungen bei photolithographischen Maskeneinheiten
JP4383817B2 (ja) * 2003-10-03 2009-12-16 日本電子株式会社 電子ビーム描画における近接効果補正の検証方法
US7476879B2 (en) * 2005-09-30 2009-01-13 Applied Materials, Inc. Placement effects correction in raster pattern generator
JP4476975B2 (ja) * 2005-10-25 2010-06-09 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム照射量演算方法、荷電粒子ビーム描画方法、プログラム及び荷電粒子ビーム描画装置
JP4714591B2 (ja) * 2006-01-24 2011-06-29 株式会社ニューフレアテクノロジー パターン面積値算出方法、近接効果補正方法及び荷電粒子ビーム描画方法
JP4773224B2 (ja) * 2006-02-14 2011-09-14 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビーム描画方法及びプログラム
JP4976071B2 (ja) * 2006-02-21 2012-07-18 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置
JP4745089B2 (ja) * 2006-03-08 2011-08-10 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画方法、描画データ作成方法及びプログラム
JP5063035B2 (ja) * 2006-05-30 2012-10-31 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置
JP5133087B2 (ja) * 2007-02-23 2013-01-30 株式会社ニューフレアテクノロジー 半導体装置の製造方法
JP5480496B2 (ja) * 2008-03-25 2014-04-23 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置

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