TWI431379B - 光電裝置及具備此之電子機器 - Google Patents

Description

光電裝置及具備此之電子裝置

本發明係有關例如液晶裝置之光電裝置，以及具備該光電裝置之例如液晶投射器等之電子機器的技術範圍。

在此種光電裝置中係例如，一對基板，藉由特定之間隙，針對在密封範圍，由密封加以貼合，並於此等基板間封入液晶等之光電物質，於一對的基板之中元件基板上的顯示範圍，畫素電極，為了進行該畫素電極之選擇性的驅動之掃描線，資料線，以及作為畫素開關用元件之TFT(Thin Film Transistor)則藉由層間絕緣膜，作為層積構造而置入，並構成為可主動矩陣驅動，另外，對於元件基板上之顯示範圍的周邊範圍(包含密封範圍)，係作為層積構造而置入為了供給畫像信號之畫像信號線等。

另外，為了降低對於光電物質之配向狀態產生混亂之可能性，對於因上述之層積構造而引起，產生於元件基板表面之凹凸而言，施以化學性研磨處理(Chemical Mechanical Polishing：CMP)等之平坦化處理。

另一方面，在此種光電裝置之中，係有採用以時分割輸入欲供給至N條之資料線的畫像信號之同時，以時分割，各複數條選擇N條之資料線而供給之驅動方式(即，混合方式或信號分離方式)者(例如，參照專利文獻1)

〔專利文獻1〕日本特開2005－43417號公報

但，在上述之光電裝置之中，與層積於顯示範圍之配線等之數量作比較，因層積於密封範圍之配線的數量為少，故對於產生在元件基板表面之凹凸，即使施以平坦化處理，亦有均一地平坦化元件基板表面之情況為困難之技術性問題，更加地，在採用上述之混合方式的光電裝置中，因1條之畫像信號線則對應於各N條之資料線之情況，故顯示範圍與密封範圍之配線的數量差則變大，均一地平坦化元件基板表面，但亦有變為更困難之問題點，加上，亦有畫像信號線係多為只配線於沿著在密封範圍之元件基板之一邊的範圍，針對在密封範圍內產生不平之凹凸的分佈，經由密封材，以特定的間隔保持元件基板與對向基板之情況變為困難之技術性問題點。

本發明係為例如有鑑於上述問題點所作為之構成，其課題為提供可提升基板表面之平坦性，具備可高品質畫像顯示之光電裝置，以及具備該光電裝置之電子機器者。

本發明之光電裝置係為了解決上述課題，具備第1基板，和於第1基板上，以特定畫素間距所排列之複數畫素電極，和於排列有該複數畫素電極之畫素範圍，較前述畫素電極，藉由層間絕緣膜配置於下層側之同時，與前述畫素電極電性連接之信號線及電子元件，和與前述第1基板對向而配置之第2基板，和針對在沿著前述畫像範圍之周圍的密封範圍，相互貼合前述第1基板及第2基板之密封材，和於前述第1基板上之前述密封範圍之最少的一部分，沿著前述密封範圍之範圍，以與前述特定畫素間距相等之間隔而排列之同時，由與構成前述信號線及電子元件之導電膜之中至少一個之導電膜同一膜而成之複數的虛擬配線。

在本發明之光電裝置之中，於例如由玻璃基板，石英基板等而成之第1基板上的畫素範圍，令例如由透明導電膜而成之畫素電極則以特定畫素間距，例如排列成矩陣狀，而有關本發明之「特定畫素間距」係指在相鄰接之畫素電極的中心間的間隔或距離，針對在平面地排列畫素電極的情況，對於沿著第1基板之一邊的X方向及沿著交叉於其之Y方向的各方向的間隔不同時，係亦未其各間隔，更加地，對於第1基板上之畫素範圍，係例如呈相互交叉地加以配設之複數掃描線及資料線等之信號線，以及對應於各畫素電極之畫素開關用之電子元件，則藉由層間絕緣膜形成於較畫素電極下層側，即，對於第1基板上係藉由層間絕緣膜層積有信號線及電子元件，並於此等上層側層積有畫素電極，而如此形成有畫素電極等之第1基板，和由形成有例如對向電極等之例如玻璃基板而成之第2基板係畫素電極與對向電極成對向地，接由特定間隔(即，基板間間隔)，針對在密封範圍，經由由例如硬化性數之而成之密封材所貼合，對於密封材係混入有為了規定第1及第2基板間之特定間隔的例如小珠狀或纖維狀之間隔材，而於所貼合之第1及第2基板間，封入液晶等之光電物質，對於光電裝置之動作時，係依據例如從畫像信號線所供給之畫像信號等，施加電壓於畫素電極及對向電極間的液晶等之光電物質，並在畫素範圍進行畫像顯示。

在本發明中，特別是由與構成前述信號線及電子元件之導電膜之中至少一個之導電膜同一膜而成之複數的虛擬配線則於第1基板上之密封範圍之至少一部分，沿著畫素範圍之周圍，以與特定畫素間距相等之間隔而排列，而有關本發明之「同一膜」係指於在製造工程時之同一機會進行成膜的膜，並為同一種類的膜，然而，「由同一膜而成」係指並亦非要求作為一枚的膜而進行連續情況之宗旨，而基本上，同一膜之中如為相互作為分斷之膜部分即足夠之宗旨，另外，「以與特定畫素間距相等之排列間隔而排列」係指除了以與特定畫素間距完全相等之排列間隔而排列之情況，亦包含複數虛擬配線之排列間隔與特定畫素間距的差不會造成實踐上問題之程度情況的宗旨。

即，例如，針對在圍著畫素範圍周圍之密封範圍之中沿著X方向的密封範圍，延伸於Y方向之虛擬配線則以與X方向之特定畫素間距相等之排列間隔，沿著X方向而排列，針對在圍著畫素範圍周圍之密封範圍之中沿著Y方向的密封範圍，延伸於X方向之虛擬配線則以與Y方向之特定畫素間距相等之排列間隔，沿著Y方向而排列。

因而，可減少產生於在密封範圍之第1基板表面的凹凸，和產生於在畫素範圍之第1基板表面的凹凸的差，即，經由於密封範圍內以與特定畫素間距相等之排列間隔而排列之複數虛擬配線，可模擬因針對在畫素範圍內之層積構造而引起的凹凸，換言之，經由複數虛擬配線，可幾乎或完全地使第1基板上之密封範圍及在畫素範圍之表面的凹凸作為均一地產生者，隨之，對於產生在第1基板表面(或者，由層積於第1基板上之畫素電極至下層側之層間絕緣膜的表面)之凹凸而言，經由施以CMP等之平坦化處理之情況而去除凹凸之後，可提升第1基板表面之平坦性，由此，可降低對於液晶等之光電物質之配向狀態產生混亂之可能性，更加地，因在第1基板上之密封範圍的表面之凹凸而引起，可經由密封材(換言之，經由包含於密封材之間隔材)，迴避以特定間隔保持第1基板與第2基板之情況成為困難的事態。

更加地，在本發明中，特別是複數之虛擬配線係因以與特定畫素間距相等之排列間隔而排列，故在將例如由光硬化性樹脂而成之密封材，經由從第1基板側照射例如紫外線(UV光)等光之情況而使其硬化時，可使密封材均一地硬化，即，於相鄰接之複數虛擬配線間，可藉由設置在各特定畫素間距之間隙，幾乎或實踐性地完全均一透過從第1基板側所照射的光而使密封材硬化者。

如以上說明，如根據本發明之光電裝置，因於基板上的密封範圍，以與特定畫素間距相等之排列間隔而排列複數之虛擬配線，故可模擬因針對在畫素範圍內之層積構造而引起的凹凸，並提升第1基板表面之平坦性，因而，可降低對於光電物質之配向狀態產生混亂之可能性的同時，經由密封材，可以特定的間隔確實保持第1基板與第1基板者。

在本發明之光電裝置之一型態中，於前述基板上，具備沿前述第1基板之一邊而設置，供給畫像信號之複數之畫像信號端子，和於該複數之畫像信號端子，各別電性連接的同時，具有在於沿前述密封範圍中之前述一邊的範圍中，沿交叉於前述一邊之方向所配線之配線部分的複數畫像信號線；前述複數之虛擬配線中之至少一部分乃在相鄰接之前述畫像信號線之前述配線部分間，與前述配線部分之排列間隔，與前述特定畫素間隔相等地加以排列者。

如根據此型態，針對在密封範圍，複數虛擬配線之中至少一部分係與沿著交叉於在畫像信號線之一邊的方向(即，Y方向)之配線部分的排列間隔，則呈與特定畫素間距相等地加以排列，即，複數虛擬配線之一部分係與沿著在畫素信號線之Y方向的配線部分同時，以與特定畫素間距相等之排列間距而排列，因而，針對在形成有畫像信號線之配線部分的密封範圍，可模擬針對在畫素範圍之表面的凹凸，隨之，可提升第1基板表面之平坦性者。

在本發明之光電裝置之其他型態中，於前述基板上，具備設於前述畫素範圍之複數之掃描線、和與前述複數之掃描線相互交叉而設置的同時，於每N(惟N為2以上之整數)條加以區塊化的複數之資料線、包含各對應於前述複數之資料線之複數之開關，於每前述區塊，選擇1條之資料線，將從對應於前述複數之畫像信號線中之前述選擇之資料線所屬之區塊之畫像信號線所供給之前述畫像信號，輸出至前述選擇之資料線的選擇電路。

如根據此型態，針對在密封範圍，沿著在相鄰接之畫像信號線的Y方向之配線部分間之間隔係較特定畫素間距為大，因而，於沿著在相鄰接之畫像信號線的Y方向之配線部分間之間隔，經由排列虛擬配線之情況，可有效地提升第1基板表面之平坦性者。

在本發明之光電裝置之其他型態中，前述配線部分乃從藉由層間絕緣膜，配置於互為不同之層的複數之導電膜，各別加以形成，前述複數之虛擬配線乃各別從與前述複數之導電膜同一之膜所形成。

如根據此型態，虛擬配線係從與構成在畫像信號線之前述配線部分的複數之導電膜同一膜所形成，即，對於畫像信號線之前述配線部分則經由2個導電膜，做為雙重配線而形成之情況，虛擬配線亦作為由該2個導電膜而成之雙重配線所形成，因而，可減少經由在第1基板上之密封範圍的前述配線部分之凹凸與經由虛擬配線之凹凸的差，並可更提升第1基板表面之平坦性者。

在本發明之光電裝置之其他型態中，前述複數之虛擬配線之配線寬度乃使與前述複數之畫像信號線之配線寬度互為相等而形成者。

如根據此型態，更可減少經由在第1基板上之密封範圍的前述配線部分之凹凸與經由虛擬配線之凹凸的差，由此，更可提升第1基板表面之平坦性者。

在本發明之光電裝置之一型態中，於前述第1基板上，具備為供給一定電位的定電位線，前述複數之虛擬配線乃與前述定電位線電性連接者。

如根據此型態，複數之虛擬配線係例如與供給接地地位之一定電位之定電位線電性連接，因而，複數之虛擬配線係作為使相鄰接之信號線間，例如相鄰接之畫像信號線間之電磁的干擾降低之密封膜而發揮機能，隨之，可降低或防止相。互受到例如相鄰接之畫像信號線相互經由電磁干擾之不良影響者。

然而，定位電線係例如亦可作為為了供給電源於為了驅動掃描線之掃描驅動電路的電源電位線，或為了供給特定電位於對向電極之對向電極電位線。

然而，複數之虛擬配線係信號之電位則於每一定時間變換為特定電位，例如，亦可作為與為了供給如在一定週期反轉之特定電位信號的特定電位線電性連接，而對於此情況，如對於各一定時間而視，信號的電位係亦因為一定，故可相稱地得到降低與上述同樣之電磁干擾的效果。

本發明之電子機器係為了解決上述課題而具備上述之本發明之光電裝置而成。

如根據本發明之電子機器，因具備上述之本發明之光電裝置而成，故可實現可高品質的顯示之投射型顯示裝置，行動電話，電子手帳，文字處理機，取景型或螢幕直視型之攝影機，工作站，電視電話，POS終端，觸碰面板等之各種電子機器，另外，作為本發明之電子機器，例如，亦可時限電子紙等之電泳裝置等者。

本發明之作用及其他優處係從為了實施接下來說明之最佳型態，有清楚說明。

在以下，關於本發明之實施型態，參照圖面之同時，進行說明，而在以下之實施型態中，將本發明之光電裝置之一例的TFT主動矩陣驅動方式之液晶裝置作為例子。

<第1實施型態>

關於有關第1實施型態之液晶裝置，參照圖1至圖6進行說明。

首先，關於有關本實施型態之液晶裝置的全體構成，參照圖1及圖2進行說明，在此，圖1係為表示有關本實施型態的液晶裝置之全體構成平面圖，而圖2係為圖1之H－H’線的剖面圖。

針對在圖1及圖2，在有關本實施型態之液晶裝置100中，係對向配置有TFT陣列基板10與對向電極20，然而，TFT陣列基板10係為有關本發明之「第1基板」的一例，而對向電極20係為有關本發明之「第2基板」的一例，於TFT陣列基板10與對向電極20之間封入有液晶層50，並TFT陣列基板10與對向電極20係經由設置在位置於作為有關本發明之「畫素範圍」的一例之畫像顯示範圍10a周圍之密封範圍52a之密封材52，相互接著，而密封材52係由為了貼合兩基板之紫外線硬化樹脂而成，並針對在製造處理，塗佈於TFT陣列基板10上之後，經由紫外線照射而使其硬化之構成，另外，對於密封材52中係散佈有為了將TFT陣列基板10與對向電極20之間隔(基板間間隔)作為特定值之玻璃纖維或玻璃珠等之間隔材。

針對在圖1，並排於配置有密封材52之密封範圍之內側，規定畫像顯示範圍10a之框緣範圍53a之遮光性的框緣遮光膜53，則設置於對向電極20側，而在週邊範圍之中，對於位置於配置有密封材52之密封範圍52a外側的範圍，係包含供給畫像信號之畫像信號端子的外佈電路連接端子102則沿著TFT陣列基板10之一邊所設置，而於較沿著其一邊的密封範圍為內側，作為有關本發明之「選擇電路」的一例之信號分離器7則作為被覆於框緣遮光膜53地所設置，另外，掃描線驅動電路104係於沿著鄰接於其一邊之2邊的密封範圍52a內側，作為成被覆於框緣遮光膜53地所設置，另外，對於TFT陣列基板10係於對向於對向電極20之4個角部的範圍，配置有為了由上下導通材107連接兩基板間之上下導通端子106，而由此等，可在TFT陣列基板10與對向電極20之間採取電性導通者。

對於TFT陣列基板10上方，係形成有為了電性連接有外部電路連接端子102，和信號分離器7，和掃描線驅動電路104，和上下導通端子106之引導配線90。

針對在圖2，對於TFT陣列基板10上，係形成有置入有為驅動元件之畫素開關用TFT或掃描線，資料線等之配線的層積構造，而對於畫像顯示範圍10a係於畫素開關用TFT或掃描線，資料線等之配線的上層，設置有畫素電極9a，而對於畫素電極9a上係形成有配向膜，另外，對於密封範圍52a係設置有後述之複數之虛擬配線，另一方，於與針對在對向電極20之TFT陣列基板10的對向面上，形成有遮光膜23，並且，於遮光膜23上，與複數之畫素電極9a對向而形成有由ITO等之透明材料而成之對向電極21，於對向電極21上係形成有配向膜，另外，液晶層50係由混合一種或數種類之絲狀液晶的液晶而成，在此等一對之配向膜間，採取特定之配向狀態。

然而，在此雖無圖示，但對於TFT陣列基板10上，係除了信號分離器7，掃描線驅動電路104之外，亦可形成有為了檢查製造圖中或出貨時之該液晶裝置品質，缺陷等之檢查電路，檢查用圖案等。

接著，關於有關本實施型態之液晶裝置的電性構成，參照圖3進行說明，在此，圖3係為表示有關本實施型態之液晶裝置的電性構成電路圖。

針對在圖3，液晶裝置100係於TFT陣列基板10上，具備信號分離器7及掃描線驅動電路104，更加地，對於TFT陣列基板10上，係形成有為了供給對向電極電位LCCOM於上下導通端子106之作為有關本發明之「定電位線」的一例之對向電極電位線91，而在TFT陣列基板10上之外部電路連接端子102之中，於畫像信號端子102v，連接有作為外佈電路之畫像信號供給電路400。

對於TFT陣列基板10之畫像顯示範圍10a，係320行之掃描線11a則呈延伸存在於行方向(即，X方向)地所設置，另外，於每4條作為組群化之480(＝120×4)列的資料線6a，則呈延伸存在於列方向(即，Y方向)地，且呈與各掃描線11a相互保持電性絕緣地所設置，然而，掃描線11a及資料線6a的條數各自並不侷限於320條及480條之構成，而構成1組群的資料線述係在本實施型態中，作為「4」，但如為「2」以上即可。

畫素電極9a係對應於320條之掃描線11a與480條之資料線6a的交叉部，而各自排列，隨之，本實施型態之中，畫素電極9a係成為縱320行×橫480列，以特定之畫素間距配列成矩陣狀，然而，在此雖無圖示，但對於各畫素電極9a與資料線6a之間，係形成有因應藉由掃描線11a而各自所供給之掃描信號而控制各自導通狀態及非導通狀態的畫素開關用TFT，或為了作為長時間維持施加於畫素電極9a之電壓的儲存容量之容量配線。

在此，本實施型態之中，為了區別構成1組群之4列的資料線6a，有著從左依序各自稱為a，b，c，d系列之情況，詳細來說，a系列係為第1，5，9，…，477列之資料線6a，b系列係為第2，6，10，…，478列之資料線6a，c系列係為第3，7，11，…，479列之資料線6a，d系列係為第4，8，12，…，480列之資料線6a。

針對在圖3，掃描線驅動電路104係於第1，2，3，…，320行之掃描線11a，供給掃描信號G1，G2，G3，…，G320，詳細來說，掃描線驅動電路104係跨越1圖框的期間，依序選擇第1，2，3，…，320行之掃描線11a之同時，將對於選擇之掃描線之掃描信號作為相當於選擇電壓之H位準，而將對於除起之外之掃描線之掃描信號作為相當於非選擇電壓之L位準，而在本實施型態中，對於掃描線驅動電路104係從外部電源，藉由低電源電位線93，供給較對向電極電位LCCOM為低之低電源電位VSS(例如0伏特)，藉由高電源電位線92，供給較對向電極電位LCCOM為高之高電源電位VDD(例如15伏特)，即，掃描信號之L位準係為低電源電位VSS，而掃描信號之H位準係為高電源電位VDD，然而，低電源電位線93係為有關本發明之「定電位線」的一例。

掃描線驅動電路104係為與TFT陣列基板10不同構成，對於顯示動作時係藉由畫像信號端子102v而與TFT陣列基板10連接，而畫像信號供給電路140係對於對應於經由掃描線驅動電路104所選擇之掃描線11a，和在屬於各組群之4列的資料線6a之中，經由信號分離器7所選擇之資料線6a的畫素電極9a而言，輸出因應畫素電極9a含有之畫素的等級之電壓之畫像信號。

然而，在本實施型態中，如上述，資料線6a的列數係為「480」，並因此等對於每4列作為組群化，故畫像信號端子102v之個數係為「120」。

信號分離器7係由包含設置於各資料線6a之TFT71所構成，在此，TFT71係為n通道型，各汲極係連接於資料線6a之一端，共通連接對應於屬於同一組群之資料線6a的4個TFT71之源極，供給對應於該組群之畫像信號。

即，第m(但，m係為1以上120以下的整數)之組群係因從a系列之第(4m－3)列，b系列之第(4m－2)列，c系列之第(4m－1)列及d系列之第(4m)之資料線6a所構成，故對應於此等4列之資料線6a的TFT71之源極係共通連接，供給畫像信號VID(m)，而對於對應於第(4m－3)列之資料線6a的TFT71之閘極係供給控制信號Sel1，同樣地，對於對應於第(4m－2)列、第(4m－1)列及第(4m)列之資料線6a的TFT71之閘極係供給控制信號Sel2、控制信號Sel3及控制信號Sel4，然而，控制信號Sel1、Sel2、Sel3及Sel4係從作為無圖示之外部電路之時間控制電路，藉由外部電路連接端子102所供給。

在此，關於如上述所構成之液晶裝置的動作進行說明。

掃描線驅動電路104係跨越某1圖框(n圖框)之期間，將掃描信號G1，…，G320，於每1水平期間依序排他性地作為H位準(即，選擇電壓)。

在此，在1水平期間中，從時間控制電路所供給之控制信號Sel1、Sel2、Sel3及Sel4係以其順序排他性地成為H位準，並配合其供給，畫像信號供給電路400係供給畫像信號VID1，VID2，VID3，…，VID120。

詳細來說，畫像信號供給電路400係針對在第i行之掃描信號Gi成為H位準之期間，控制信號Sel1成為H位準時，只有因應對應於第i行之掃描線11a與a系列之資料線6a之交叉的畫素等級之電壓，對於對向電極電位LCCOM而言，使高位或低位之畫像信號VID1，VID2，VID3，…，VID120對應於第1，2，3，…，120之組群而一並進行輸出，此時，因只有控制信號Sel1為H位準，故選擇a系列之資料線6a(即，只有對應於a系列之資料線6a的TFT71開啟)之結果，畫像信號VID1，VID2，VID3，…，VID120係各自供給至a系列(第1，5，9，…，477列)之資料線6a，另一方面，當掃描信號Gi為H位準時，針對在位置於第i行之所有畫素，因畫素開關用TFT則成為開啟(導通)狀態，故供給至a系列的資料線6a之畫像信號VID1，VID2，VID3，…，VID120係成為各自施加於i行1列，i行5列，i行9列，…，i行477列之畫素電極9a者。

接著，畫像信號供給電路400係控制信號Sel2成為H位準時，這次係使因應對應於第i行之掃描線11a與b系列之資料線6a之交叉的畫素等級之電壓的畫像信號VID1，VID2，VID3，…，VID120對應於第1，2，3，…，120之組群而一並進行輸出，此時，因只有控制信號Sel2為H位準，故選擇b系列之資料線6a之結果，畫像信號VID1，VID2，VID3，…，VID120係成為各自供給至b系列(第2，6，10，…，478列)之資料線6a，各自施加於i行2列，i行6列，i行10列，…，i行478列之畫素電極9a者。

同樣地，畫像信號供給電路400係針對在第i行之掃描信號Gi成為H位準之期間，對於控制信號Sel3成為H位準時，係將因應對應於第i行之掃描線11a與c系列之資料線6a之交叉的畫素等級，而對於控制信號Sel4成為H位準時，係將因應對應於第i行之掃描線11a與d系列之資料線6a之交叉的畫素等級電壓的畫像信號VID1，VID2，VID3，…，VID120對應於第1，2，3，…，120之組群而一並進行輸出，由此，供給至c系列(第3，7，11，…，479列)之資料線6a，各自施加於i行3列，i行7列，i行11列，…，i行479列之畫素電極9a，接著，供給至d系列(第4，8，12，…，480列)之資料線6a，各自施加於i行4列，i行8列，i行12列，…，i行480列之畫素電極9a。

由此，對於第i行的畫素，完成寫入因應等級之畫像信號之電壓的動作，然而，施加於畫素電極9a之電壓係即使掃描信號Gi成為L位準，亦晶由液晶容量，成為保持至接下來之(n＋1)圖框之寫入為止者。

接著，關於有關本實施型態之液晶裝置的虛擬配線，加上於圖3，參照圖3至圖6詳細進行說明，在此，圖4係為表示針對在圖1範圍C1之虛擬配線的配置平面圖，圖5係為表示針對在圖1範圍C2之虛擬配線的配置平面圖，圖6係為圖5之B－B’線的剖面圖。

如從圖3至圖5所示，在本實施型態之中，特別是於TFT陣列基板10上，具備有複數之虛擬配線95，96及97，而複數之虛擬配線95，96及97係各自，至少一部份呈重疊於密封範圍52a地形成。

更具體而言，針對在圖3及圖4，複數之虛擬配線96係從與構成資料線6a等之導電膜同一膜所形成，而複數之虛擬配線96係針對在圍住畫像顯示範圍10a之密封範圍52a之中，沿著Y方向之範圍(即，圖1中，密封範圍52a之中位置於畫像顯示範圍10a之左右側的範圍)內，各自呈延伸於X方向地形成，並畫素電極9a則以與沿著Y方向所配置之畫素間距L2相等之排列間隔D2，沿著Y方向所排列，在本實施型態中，畫素間距L2及排列間隔D2，以及後述之畫素間距L1及排列間隔D1係均為約10um，複數之虛擬配線96之配線寬度W2及後述之複數之虛擬配線97之配線寬度W1係均為5um，而複數之虛擬配線96係與對向電極電位線91連接，並供給對向電極電位LCCOM。

複數之虛擬配線97係從與構成資料線6a等之導電膜同一膜所形成，而複數之虛擬配線97係針對在圍住畫像顯示範圍10a之密封範圍52a之中，對於畫像顯示範圍10a而言，沿著位置於與外部電路連接端子102相反側之X方向的範圍(即，位置於密封範圍52a之中畫像顯示範圍10a上側之範圍)，呈沿著Y方向延伸地形成，並畫素電極9a則以與沿著X方向所排列之畫素間距L1相等之排列間隔D1，沿著X方向所排列，而複數之虛擬配線97係與對向電極電位線91連接，並供給對向電極電位LCCOM。

針對在圖3及圖5，複數之虛擬配線95係從與構成畫像信號線99之複數的導電膜同一膜所形成。

詳細來說，如圖5及圖6所示，畫像信號線99係由藉由層間絕緣膜配置於相互不同的層之3個配線層99a，99b及99c而成，配線層99c係從與構成掃描線11a等之導電膜同一膜所構成，並形成於TFT陣列基板10之基底絕緣膜12上，配線層99b係從藉由層間絕緣膜41而配置於配線層99c之上層側的導電膜所構成，並與配線層99c，藉由開孔於層間絕緣膜41之接觸孔83，相互電性連接，而配線層99a係從藉由層間絕緣膜42而配置於配線層99b之上層側的導電膜所構成，並與配線層99b，藉由開孔於層間絕緣膜42之接觸孔81，相互電性連接，而配線層99a及配線層99b係為了保持與其他配線(例如，與配線層99a同一膜而成之低電源電位線93)電性絕緣狀態的同時進行交叉，針對在較密封範圍52a並未在較密封範圍52a外部電路連接端子102(參照圖1)側(參照圖5)，如此，畫像信號線99係針對在密封範圍52a內，作為由相互電性連接之3個配線層99a，99b及99c而成之三重配線所形成。

複數之虛擬配線95係針對在密封範圍52a內，具有與畫像信號線99相同的層積構造，即，虛擬配線95係由3個配線層99a，99b及99c而成，而配線層99c係從與配線層99c同一膜所構成，而配線層95b從與配線層99b同一膜所構成，並與配線層95c，藉由開孔於層間絕緣膜41之接觸孔84，相互電性連接，而配線層95a係從與配線層99a同一膜所構成，並與配線層95b，藉由開孔於層間絕緣膜42之接觸孔82，相互電性連接，如此，針對在密封範圍52a內，作為由相互電性連接之3個配線層99a，99b及99c而成之三重配線所形成。

針對在圖3及圖5，複數之虛擬配線95係針對在圍住畫像顯示範圍10a之密封範圍52a之中，對於畫像顯示範圍10a而言，沿著位置於與外部電路連接端子102相同側之X方向的範圍(即，圖1中，密封範圍52a之中位置於畫像顯示範圍10a下側之範圍)內之相鄰接的畫像信號線99間，畫素電極9a則以與沿著X方向所排列之畫素間距L1(參照圖4)之排列間隔D3，沿著X方向所排列，在本實施型態中，複數之虛擬配線95的配線寬度W3，以及畫像信號線99之配線寬度W4係約為5um，而複數之虛擬配線95係與低電源電位線93連接，並供給低電源電位VSS。

即，在本實施型態中，特別是例如由與構成資料線6a之導電膜同一膜而成之複數的虛擬配線95，96及97，則針對在密封範圍52a內，沿著畫像顯示範圍10a，以與畫素間距L1(即，在本實施型態中，相等於此之畫素間距L1)相等之排列間隔加以排列，因而，可縮小產生於在密封範圍52a之TFT陣列基板10表面之凹凸，和產生於在畫像顯示範圍10a之TFT陣列基板10表面之凹凸的差，即，經由以與畫素間距L1相等之排列間隔排列於密封範圍52a內之複數的虛擬配線95，96及97，可模擬因針對在畫像顯示範圍10a內之層積構造所引起之凹凸，換言之，經由複數的虛擬配線95，96及97，可使針對在TFT陣列基板10上之密封範圍52a及畫像顯示範圍10a的表面凹凸，幾乎或完全均一產生，隨之，對於產生於TFT陣列基板10之表面(或，由層積於TFT陣列基板10上之畫素電極9a至下層側的層間絕緣膜表面)之凹凸而言，可提升在經由施以CMP等之平坦化處理情況而去除凹凸之後的TFT陣列基板10表面之平坦性，由此，可降低對於液晶層50(參照圖2)之配向狀態產生混亂之可能性，更加地因針對在TFT陣列基板10上之密封範圍52a的表面凹凸引起，經由密封材52(換言之，經由包含於密封材52之間隔材)，可降低或防止無法以特定間隔均一地保持TFT陣列基板10與對向電極20者。

更加地，在本實施型態中，特別是複數的虛擬配線95，96及97係因以與畫素間距L1(或，畫素間距L2)相等之排列間隔加以排列，故經由從TFT陣列基板10側照射紫外光(UV光)之情況而使由光硬化性樹脂而成之密封材52硬化時，可均一地使密封材52硬化，即，將從TFT陣列基板10側所照射的光，藉由設置於每畫素間距之間隙，幾乎或實踐性地完全透過於相鄰接之虛擬配線95，96及97間而可使密封材52硬化，因而，可提升密封材52之密著力，隨之，可經由密封材52強力接著TFT陣列基板10與對向電極20間，由此，可降低經由從裝置外部侵入之水分等異物，形成於畫像顯示範圍10a之例如配向膜產生劣化之情況，並可提升裝置之信賴性。

加上，如圖5所示，在本實施型態中，特別是複數之虛擬配線95係針對在密封範圍52a內，於相鄰接之畫像信號線99之間，與畫像信號線99之排列間距D4則呈與畫素間距L1相等地排列，即，複數之虛擬配線95係沿著針對在畫像信號線99之密封範圍52a內之Y方向的線部分之同時，以與畫素間距L1相等排列間隔所排列，因而，針對在密封範圍52a之中形成有畫像信號線99之範圍(即，密封範圍52a之中位置在畫像顯示範圍10a下側之範圍)，更可模擬針對在畫像顯示範圍10a之表面的凹凸，隨之，更可提升TFT陣列基板10表面之平坦性，特別是，如本實施型態，對於作為使用信號分離器7之混合方式而構成液晶裝置100之情況係對於構成1個組群之N條(在本實施型態係為4條)之資料線6a而言，因畫像信號線99對應1條，故針對在密封範圍52a內之相鄰接的畫像信號線99之Y方向的配線部分間之間隔係成為較畫素間距L1為大，因而，經由在密封範圍52a內，設置複數的虛擬配線95於沿著相鄰接之畫像信號線99之Y方向的配線部分間之情況，提升TFT陣列基板10表面之平坦性之情況係針對在如本實施型態之混合式的液晶裝置，特別有效。

參照圖5及圖6，如上述，在本實施型態之中，特別是虛擬配線95係具有與針對在密封範圍52a內之畫像信號線99相同之層積構造，即，虛擬配線95係與針對在密封範圍52a內，從配線層99a，99b及99c作為三重配線所構成之畫像信號線99同樣地，從配線層99a，99b及99c作為三重配線所構成，因而，可縮小產生於經由在密封範圍52a之畫像信號線99的層間絕緣膜43表面之凹凸，與產生於經由虛擬配線95之層間絕緣膜43表面之凹凸的差，並更可提升施以CMP等之平坦化處理之後的TFT陣列基板10之表面(換言之，層間絕緣膜43之表面43b)之平坦性，而更具體而言，在本實施型態中，在於TFT陣列基板10上形成至層間絕緣膜43為止之層積構造之後，施以CMP等之平坦化處理，之後，於在層間絕緣膜43表面之畫像顯示範圍10a，形成有畫素電極9a，更加地，於密封範圍52a，配置密封材52而與對向電極20貼合，在此，對於在形成至層間絕緣膜43為止之層積構造之後(即，施以CMP等之平坦化處理之前)，對於層間絕緣膜43表面係形成因配置較層間絕緣膜43下層側之畫像信號線99及虛擬配線95引起之凹凸43a，在此，本實施型態之中，虛擬配線95係因具有與畫像信號線99同樣的層積構造，故凹凸43a係因畫像信號線99而引起之凹凸與因虛擬配線95而引起之凹凸則作為一致之凹凸所形成，因而，可經由CMP等之平坦化處理，更加一層，幾乎或完全均一地去除凹凸43a，而可形成平坦性更高之表面43b者。 更加地，參照圖3及圖5，如上述，在本實施型態之中，特別是複數之虛擬配線95係各自與供給低電源電位VSS之低電源電位線93電性連接，因而，複數之虛擬配線95係作為針對在密封範圍52a內，使相鄰接之畫像信號線99間之電磁性干擾降低之密封膜而發揮機能，隨之，可降低針對在密封範圍52a，受到相鄰接之畫像信號線99經由相互電磁干擾之不良影響情況。

如以上說明，如根據有關本實施型態之液晶裝置100，因於TFT陣列基板10上之密封範圍52a，以與畫素間距L1(或，畫素間距L2)相等之排列間隔加以排列複數的虛擬配線95，96及97，故可模擬因針對在畫像顯示範圍10a之層積構造而引起之凹凸，並可提升TFT陣列基板10之表面的平坦性，因而，可降低對於液晶層50之配向狀態產生混亂之可能性的同時，可經由密封材52，以特定間隔確實地保持TFT陣列基板10與對向電極20者。

<電子機器>

接著，關於將上述之光電裝置之液晶裝置適用於各種電子機器之情況，進行說明。

首先，關於作為光閥使用其液晶裝置之投射器進行說明，圖7係為表示投射器之構成例的平面圖，而如圖7所示，對於投射器1100內部係設置有由鹵素燈等之白色光源而成之燈單元1102，而從其燈單元1102所射出之投射光係經由配置於光導向設備1104內之4片反射鏡1106及2片分色鏡1108，分離成RGB之3原色，射入至作為對應於各原色之光閥之液晶面板1110R，1110B及1110G。

液晶面板1110R，1110B及1110G之構成係為上述之液晶裝置同等，以從畫像信號處理電路所供給之R，G，B之原色信號故自進行驅動的構成，並且，經由此等液晶面板所調製的光係從3方向射入至分色稜鏡1112，而針對在其分色稜鏡1112係R及B的光則90度進行折射之另一方面，G的光則直進，隨之，合成各色之畫像的結果，藉由投射鏡1114而投射彩色畫像於屏幕等。

在此，當著眼於經由各液晶面板1110R，1110B及1110G之顯示像時，經由液晶面板1110G的顯示像係對於經由液晶面板1110R，1110B之顯示向而言，需要進行左右反轉情況。

然而，對於液晶面板1110R，1110B及1110G係因經由分色鏡1108，射入對應於R，G，B各原色的光，故無須設置濾色片。

除了參照圖7說明之電子機器以外，亦可舉出攜帶型之個人電腦或行動電話，液晶電視，取景型或螢幕直視型之攝影機，汽車導航裝置，呼叫器，電子手帳，電子計算機，文字處理機，工作站，電視電話，POS終端，具備觸碰面板等之裝置等，並且，當然可適用於此等各種電子機器。

另外，本發明係除了在上述實施型態說明之液晶裝置以外，亦可適用於形成元件於矽基板上之反射型液晶裝置(LCOM)，電漿顯示器(PDP)，電場釋放型顯示器(FED，SED)，有機EL顯示器，數位微透鏡裝置(DMD)，電泳裝置等。

本發明並不侷限於上述之實施型態，在不違反從申請範圍及明細書全體所閱讀之發明主旨或思想的範圍，可適宜作變更，而伴隨如此變更之光電裝置及由具備該光電裝置而成之電子機器，亦為包含在本發明之技術範圍的構成。

6a．．．信號分離器

9a．．．畫素電極

10．．．TFT陣列基板

10a．．．畫像顯示範圍

11a．．．掃描線

20．．．對向基板

21．．．對向電極

23．．．遮光膜

42．．．層間絕緣層

50．．．液晶層

52．．．密封材

52a．．．密封範圍

53．．．框緣遮光膜

53a．．．框緣範圍

71．．．TFT

81，82，83，84．．．接觸孔

90．．．引導配線

91．．．對向電極電位線

93．．．低電源低電位線

95，96，97．．．虛擬配線

99．．．畫像信號線

100．．．液晶裝置

102．．．外部電路連接端子

102v．．．畫像信號端子

104．．．掃描線驅動電路

106．．．上下導通端子

107．．．上下導通材

400．．．畫像信號供給電路

L1，L2．．．畫素間距

Se11，Se12，Se13，Se14．．．控制信號

〔圖1〕係為表示有關第1實施型態為之液晶裝置的全體構成之平面圖。

〔圖2〕係為圖1之H－H’線剖面圖。

〔圖3〕係為表示有關第1實施型態為之液晶裝置的電性構成之電路圖。

〔圖4〕係為表示針對在圖1之範圍C1的虛擬配線之配置平面圖。

〔圖5〕係為表示針對在圖1之範圍C2的虛擬配線之配置平面圖。

〔圖6〕係為圖5之B－B’線剖面圖。

〔圖7〕係為表示適用光電裝置之電子機器之一例而成之投射器的構成平面圖。

52a．．．密封範圍

81，82．．．接觸孔

93．．．低電源低電位線

95．．．虛擬配線

99．．．畫像信號線

Claims (4)

1. 一種光電裝置，其特徵乃具備：第1基板、和於該第1基板上，以特定畫素間隔加以排列之複數之畫素電極、和於排列該複數之畫素電極之畫素範圍，配置於較前述畫素電極藉由層間絕緣膜更下層側的同時，與前述畫素電極電性連接的電子元件、和與前述第1基板對向而配置之第2基板、和於沿前述畫素範圍之周圍的密封範圍中，將前述第1及第2基板相互貼合之密封材、和於前述第1基板上之前述畫素範圍，配置於較前述畫素電極下層側的同時，電性連接於前述電子元件的複數之掃描線、和與該複數之掃描線相互交叉，配置於較前述畫素電極下層側的同時，於每N(惟N乃2以上之整數)條，加以區塊化之複數之資料線、和於該複數之畫像信號端子，各別加以電性連接之同時，於沿前述密封範圍中之前述一邊的範圍中，具有沿交錯於前述一邊之方向而配置之配線部分的複數之畫像信號線、和於前述第1基板上，包含各別對應於前述複數之資料線之複數之開關，於每一前述區塊，選擇1條之資料線，將從對應於前述複數之畫像信號線中前述選擇之資料線 所屬之區塊的畫像信號線供給之前述畫像信號，輸出至前述選擇之資料線的選擇電路、和設於前述第1基板上之前述複數之畫像信號線中相互鄰接之畫像信號線之前述配線部分之間的同時，與構成前述複數之資料線、前述複數之掃描線及前述電子元件之導電膜中之至少一個導電膜為相同膜所成之複數之虛擬配線；前述複數之虛擬配線乃於前述畫素範圍與前述畫像信號端子之間，使重疊於前述密封範圍而配置，且電性連接於沿前述密封範圍之外側所配置之定電位線的同時，從該定電位線向前述密封範圍側，使各別加以突出而配置，且從該定電位線向前述畫像信號端子側，使各別不加以突出而配置。
2. 如申請專利範圍第1項所記載之光電裝置，其中，前述複數之虛擬配線係在於相互鄰接之前述配線部分之間，以與前述特定畫素間隔相等之排列間隔加以排列。
3. 如申請專利範圍第1或第2項之光電裝置，其中，前述配線部分乃從藉由層間絕緣膜，配置於互為不同之層的複數之導電膜，各別加以形成，前述複數之虛擬配線乃各別從與前述複數之導電膜同一之膜所形成。
4. 如申請專利範圍第1項至第3項之任一項之光電裝置，其中，前述複數之虛擬配線之配線寬度乃使與前述複數之畫像信號線之配線寬度互為相等而形成者。