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TWI430331B - Component manufacturing method, component manufacturing system and measurement and inspection device - Google Patents

Component manufacturing method, component manufacturing system and measurement and inspection device Download PDF

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TWI430331B
TWI430331B TW096107803A TW96107803A TWI430331B TW I430331 B TWI430331 B TW I430331B TW 096107803 A TW096107803 A TW 096107803A TW 96107803 A TW96107803 A TW 96107803A TW I430331 B TWI430331 B TW I430331B
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TW096107803A
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沖田晉一
安川浩司
Original Assignee
尼康股份有限公司
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Publication date
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Description

元件製造方法、元件製造系統及測定檢查裝置
本發明係關於元件製造方法、元件製造系統及測定檢查裝置，更詳言之，係關於包含用以製造例如半導體元件、液晶顯示元件及CCD(Charge Coupled Device)等攝影元件，以及薄膜磁頭等之光微影製程之元件製造方法、元件製造系統及測定檢查裝置。
半導體元件等之元件係藉由對晶圓等基板，依序反覆進行成膜/光阻處理、曝光處理、曝光後烘烤(PEB)處理、顯影處理及蝕刻處理等之一連串複數個基板處理來加以製造。該等一連串的基板處理，為了提升元件生產之良率，係在各基板處理結束時進行該基板之測定檢查處理。在成膜/光阻處理後之基板上的膜之測定檢查處理、在顯影處理或蝕刻處理後之形成在基板上之圖案的缺陷檢查等係為其一例。
在元件製造工廠內，一般係設置有進行同一處理之複數台測定檢查器，且通常係從該等測定檢查器中選擇任一個裝置來進行該基板之測定檢查。如此，即能盡可能減少進行測定檢查處理之等待時間，而能提升產能。
然而，即使多數台測定檢查器為相同機種，在測定檢查相同基板時，測定檢查結果亦會產生不同。上述測定檢查結果之不同，即使在測定檢查器間將檢測基板資訊之感測器電路之增益、偏移量成分及檢查感度等設定為相同值，該等亦會成為殘留機差。
因此，以往亦在實際運用之前，用各測定檢查器測定檢查校正用基準基板，進行校正各測定檢查器之測定檢查狀態之校正處理，以使形成在該基板上之同一圖案的測定檢查結果在測定檢查器間盡可能一致(亦即使機差減低)。
然而，由於實際上形成有元件圖案的基板與校正用基準基板之狀態的不同或圖案本身的不同等，即使進行上述之校正作業，對基板之實際測定檢查結果亦會產生機差。
本發明第1觀點，為一種元件製造方法，係經由包含對基板之測定檢查處理之一連串基板處理以製造元件，其包含：取得步驟，係用以取得與該基板相關之資訊、以及與對該基板之一連串基板處理相關之資訊之至少一方；選擇步驟，係依據所取得之該資訊，自進行同一測定檢查處理之複數個測定檢查器中選擇一個測定檢查該基板之測定檢查器；以及調整步驟，係依據所取得之該資訊，調整與所選擇之該測定檢查器之測定檢查條件以及測定檢查結果相關之資訊之至少一方。
據此，由於係依據與基板相關之資訊及/或與對該基板之一連串基板處理相關之資訊，選擇最適當的測定檢查器，且依據該資訊調整與測定檢查條件及/或測定檢查結果相關之資訊，因此能使測定檢查條件及/或測定檢查結果配合該基板。藉此，無論使用任何測定檢查器，皆能進行不會產生機差之測定檢查。
本發明第2觀點，為一種元件製造系統，係經由包含對基板之測定檢查處理之一連串基板處理以製造元件，其具備：取得裝置，係用以取得與該基板相關之資訊、以及與對該基板之一連串基板處理相關之資訊之至少一方；複數個測定檢查器，係進行同一測定檢查處理；選擇裝置，係依據所取得之該資訊，自該複數個測定檢查器中選擇一個實際測定檢查該基板之測定檢查器；以及調整裝置，係依據所取得之該資訊，調整與所選擇之該測定檢查器之測定檢查條件及測定檢查結果相關之資訊之至少一方。
據此，由於係依據與取得裝置所取得之基板相關之資訊及/或與對該基板之一連串基板處理相關之資訊，藉由選擇裝置選擇最適當的測定檢查器。且藉由調整裝置，依據該資訊調整與測定檢查條件及/或測定檢查結果相關之資訊。因此，能使測定檢查條件及/或測定檢查結果配合該基板。藉此，無論使用任何測定檢查器，皆能進行不會產生機差之測定檢查。
本發明第3觀點，為一種測定檢查裝置，係進行對基板之測定檢查處理，其具備：取得裝置，係取得與該基板相關之資訊、以及與對該基板之一連串基板處理相關之資訊之至少一方；判定裝置，係依據所取得之該資訊，判定是否適於實際測定檢查該基板；以及調整裝置，係於藉由該判定裝置判定為適當時，即依據所取得之該資訊，調整與測定檢查條件及測定檢查結果相關之資訊之至少一方。
據此，可依據以取得裝置所取得之與基板相關之資訊及/或與對該基板之一連串基板處理相關之資訊，藉由判定裝置，判定是否適於實際測定檢查該基板，在判定為適當時，即藉由調整裝置依據所取得之該資訊，調整與測定檢查條件及測定檢查結果相關之資訊之至少一方。因而，能使測定檢查條件及/或測定檢查結果配合該基板。
以下，根據第1圖至第6圖說明本發明一實施形態。
在第1圖顯示一實施形態之元件製造/處理系統1000之概略構造。如第1圖所示，元件製造/處理系統1000係具備工廠內生產管理主機系統600、曝光單元700、搬送線800、元件製造/處理裝置群900、曝光步驟管理控制器(以下略稱為「管理控制器」)160及解析裝置170。
[工廠內生產管理主機系統]
工廠內生產管理主機系統(以下稱為「主機」)600，係可掌握元件製造/處理系統1000整體之狀態，以統籌控制曝光單元700、搬送線800、元件製造/處理裝置群900、管理控制器160及解析裝置170的主電腦。
主機600、曝光單元700、搬送線800(更具體而言係其控制器)、元件製造/處理裝置群900、管理控制器160及解析裝置170之間，係透過有線或無線之通訊網路或專用之通訊線路加以連接，且能相互進行資料通訊。藉由該資料通訊，主機600可實現元件製造/處理系統1000之整體的統籌控制。
曝光單元700係具備多數個曝光裝置100,101、多數個追蹤器200、多數個測定檢查器120,121及搬送線140。第2圖中，為簡化說明，曝光裝置、追蹤器及測定檢查器僅顯示2台，但實際上設3台以上亦可。
[曝光裝置]
曝光裝置100,101，係將元件圖案轉印至塗布有光阻劑之晶圓的裝置。由於曝光裝置100,101係相同機種，因此以下以曝光裝置100為代表說明其構造等。
第2圖係顯示曝光裝置100之概略構造。如第2圖所示，曝光裝置100係具備射出同調(coherent)照明光IL之照明系統10、用以保持形成有照明光IL所照明之元件圖案等標線片R之標線片載台(未圖示)、用以投影已由照明光IL照明之元件圖案等之例如兩側遠心的投影光學系統PL、用以保持作為曝光對象之晶圓W之晶圓載台WST、離軸之對準系統ALG以及用以統籌控制該等之主控制裝置20等。
來自照明系統10之照明光IL，係照明形成在保持於標線片載台之標線片R上的電路圖案等之元件圖案。以下，將該照射區域記述為照明區域IAR。經由照明區域IAR之照明光IL，係透過投影光學系統PL射入至保持於晶圓載台WST之晶圓W上。藉此，在晶圓W上形成有照明區域IAR內之元件圖案的投影像。以下，將該晶圓W上之區域記述為曝光區域IA。
此處，預設將與投影光學系統PL之光軸平行的座標軸作為Z軸之XYZ座標系統。晶圓載台WST係可在XY平面內移動，且可將晶圓W之面調整於Z軸方向之位移、θx(繞X軸之旋轉)方向、及θy(繞Y軸之旋轉)方向。標線片載台係可與晶圓載台WST同步而移動於Y軸方向。藉由標線片載台及晶圓載台WST(以下，適當稱為兩載台)與投影光學系統PL的投影倍率對應之朝Y軸方向的同步掃描，即與標線片R上之元件圖案橫越照明區域IAR之動作同步地，晶圓W之面亦橫越曝光區域IA。藉此，標線片R上之元件圖案整體轉印至晶圓W上。曝光裝置100係相對照明光IL，藉由反覆上述兩載台之相對同步掃描、以及晶圓載台WST在XY面內之照射區域間步進動作，將標線片R上之元件圖案轉印至晶圓W上之複數個不同的區域(照射區域SA)。亦即，曝光裝置100係掃描曝光(步進式掃描)方式之曝光裝置。
主控制裝置20係建構有：用以控制照明光IL的強度(曝光量)之曝光量控制系統；進行兩載台之同步控制及使晶圓W之面一致於投影光學系統PL之焦深內之自動聚焦/調平控制(以下僅稱聚焦控制)等的載台控制系統；以及用以控制投影光學系統PL之成像性能之透鏡控制系統(皆未圖示)等的各種控制系統。
曝光量控制系統係依據可檢測曝光量的各種曝光量感測器之檢測值，進行反饋控制以使其曝光量與目標值一致。在該反饋控制之控制誤差等之時間序列資料，係以預先指定之時距隨時儲存為記錄資料。
載台控制系統，係依據測量各載台位置之干涉儀及/或其他感測器之測量值，來控制兩載台之位置及速度以使其位置與目標位置一致。
載台控制系統之中，將進行兩載台之同步控制的控制系統作為同步控制系統；將用以控制載台(晶圓面)之Z位置(亦即晶圓在投影光學系統PL的光軸方向之位置(聚焦位置))、及繞X軸、Y軸之旋轉量(晶圓面相對元件圖案的投影像之傾斜)的控制系統作為聚焦控制系統。
同步控制系統，係在掃描曝光中進行兩載台之同步控制，且依據干涉儀等測量值來進行反饋控制，以減低該等之同步誤差。又，於曝光裝置100,101設有以複數個測量點(第2圖中雖僅顯示一個，但實際上有複數個測量點)檢測晶圓面之聚焦/調平偏移之斜入射方式聚焦檢測系統AF。該聚焦檢測系統AF具備聚焦光學系統(60a,60b)、聚焦感測器23及聚焦訊號處理裝置24。
聚焦光學系統(60a,60b)，係配置成自該送光系統60a發出，且斜入射至晶圓W之被曝光面而反射之多數(例如7×7＝49)的光，會以受光系統60b受光。各光係包含在晶圓W之被曝光面上的複數個測量點中之面高度的資訊之光。聚焦感測器23係對在受光系統60b受光之該等複數光進行光電轉換，從多數個測量點中選擇例如9個左右之測量點，輸出至聚焦訊號處理裝置24。聚焦訊號處理裝置24，係依據對應所選擇之測量點之光電轉換訊號，求取包含該9個測量點之區域的晶圓面高度及傾斜，而輸出至主控制裝置20。主控制裝置20之聚焦控制系統係依據該晶圓面高度及傾斜，進行使對應曝光區域IA之晶圓面與投影光學系統PL之像面一致之反饋控制。聚焦感測器23係以電路之硬體構成。又，聚焦訊號處理裝置24係電腦，其功能係藉由在電腦中動作之軟體來實現。
為了使用聚焦檢測系統AF來進行聚焦控制，係須適當設定界定聚焦檢測系統AF的動作之裝置參數。將如上述之裝置參數稱為聚焦相關參數。聚焦相關參數中，有例如為晶圓W被曝光面之面形狀的聚焦段差圖、為訊號輸出的偏移成分之聚焦偏移、聚焦感測器的配置、聚焦感測器的選擇及用以處理聚焦訊號之聚焦測量算式等。
此外，同步控制系統之控制誤差，以及聚焦控制系統的控制誤差之時間序列資料，亦以預先指定之時距隨時儲存為記錄資料。
投影光學系統PL係包含折射光學元件(透鏡元件)等複數個光學元件(未圖示)。該等透鏡元件之中，有幾個透鏡元件係可藉由透鏡控制系統自外部調整其位置與姿勢之可動透鏡。該等各個透鏡元件可位移驅動於X軸、Y軸、Z軸(光軸)方向，且可旋轉驅動於繞各軸之旋轉方向(θx、θy、θz)，亦即可驅動於6自由度之構造。透鏡控制系統係監控大氣壓、曝光裝置100,101之處理室內的溫度、曝光量以及投影光學系統PL之透鏡的溫度等，而依據其監控結果來算出投影光學系統PL之倍率變動量及聚焦變動量等，且依據其算出結果，進行投影光學系統PL內部之氣壓調整、可動透鏡元件之位置/姿勢的調整(及透鏡間隔的調整)、以及聚焦偏移之變更等。藉此，最佳聚焦位置與倍率將追隨目標值。倍率變動量與聚焦變動量，係以預先指定之時距隨時儲存為記錄資料。
搬入至曝光裝置100之晶圓W，係以其外形為基準而粗略對準之狀態下，裝載至晶圓載台WST上。如第2圖所示，該晶圓W上，在照射區域SA已形成為排列狀時，須將標線片R上之元件圖案正確地重疊轉印至該照射區域SA。
因此，曝光裝置100中，將在裝載至晶圓載台WST之晶圓W上與其元件圖案一起形成之對準標記，用離軸方式之對準系統ALG予以測量，以測量該標記在XY座標系統之位置座標。
對準系統ALG係具備對準光學系統AS，該對準光學系統AS包含：送光系統，係將具有光阻劑不會感光之波帶之照明光(檢測光束)照射於晶圓W上；及受光系統，係接收來自晶圓W的被曝光面之反射光。進一步的，對準系統ALG係具備藉由對透過對準光學系統AS而得之光進行光電檢測，以檢測例如相當於標記波形之訊號的對準感測器21。當該光電檢測的結果所獲得之檢測訊號為對應包含標記之晶圓W的基礎之波形時，亦即在對準系統ALG之檢測視野內存在標記時，係可依據該檢測訊號檢測標記之位置座標。第2圖係顯示處理對準感測器21所檢測之標記波形以算出該標記的位置座標之對準裝置22。對準感測器21係以CCD及電路等之硬體構成。又，對準裝置22係電腦，其功能係藉由在電腦上動作之軟體得以實現。
此外，為了進行元件圖案之正確的重疊曝光，雖亦可測量晶圓W上所有的照射區域SA之位置資訊，但如此會有影響產能之虞。因此，曝光裝置100係採用，限定實際進行測量之對準標記，且自所測量之對準標記的位置之測量結果，來統計性的推定出晶圓W上之照射區域SA之排列的總體對準技術。曝光裝置100中係採用所謂EGA方式之晶圓對準來作為上述總體對準技術，其係以X、Y為獨立變數之多項式來表現實際照射排列區域相對設計上之照射排列區域之偏移，進行統計演算來求出該多項式中之適當係數。EGA方式之晶圓對準中，首先，選擇幾個用以測量測量對象之對準標記的照射區域。將所選擇之照射區域稱為取樣照射區域。對準系統ALG，係測量附設於取樣照射區域之對準標記(取樣標記)的位置。以下將如上述測量步驟稱為EGA測量。
EGA方式之晶圓對準，係藉由該EGA測量之測量結果，亦即依據幾個取樣標記的位置資訊之統計演算，來推定出表示照射區域SA的排列之修正量。以下將上述運算稱為EGA演算。此外，於日本特開昭61－44429號公報及對應於此之美國專利第4,780,617號說明書等揭示有EGA方式之晶圓對準。此外，照射區域SA的排列之座標系統，係以形成在基準標記板FM上之基準標記為基準。
將藉由上述多項式所求之各照射區域的位置之XY修正量稱為EGA修正量。由於以EGA方式之晶圓對準所求取之多項式的係數係以最小二乘法求得者，因此在標記位置之實測值與藉由EGA修正量修正之標記位置間會殘留偏移量(非線性誤差成分)。將該偏移量稱為誤差。該誤差若由精度之觀點來看，當然希望越小越好。
用以縮小誤差的方法之一，為EGA多項式模型之高階化。例如將EGA多項式模型非以一次式，而以二次式或三次式則其誤差當然會變小。不過，當將多項式高階化時，必須配合其而增加取樣照射區域數量。
又，在某一部分取樣標記之測量結果明顯的偏離實際照射區域排列時，會使整體之誤差有變大之傾向。因而，上述之取樣標記的測量位置最好係予以捨去而不使用於EGA演算。亦即，可藉由EGA測量使取樣標記中的幾個不使用於EGA演算，亦可提高推定精度。如上述，取樣標記數量及/或配置之選擇，係對EGA方式之晶圓對準來說為重要的因素。
[對準相關參數]
曝光裝置100,101，將界定與EGA方式之晶圓對準(使用上述對準系統)相關之動作之幾個因素予以參數化，且可調整其設定值以作為對準相關參數。如前述所示，對準系統ALG係具備對準光學系統AS、對準感測器21以及對準裝置22，且可設定用以界定各處理動作之裝置參數。
此等裝置參數，一般有依照硬體之設定而該設定應固定之固定參數、以及最好隨著各晶圓W而變更之調整參數兩種。
以固定參數來說，係有對準光學系統AS所具有之像差量、對準感測器21之增益以及暗電流等之偏移量成分等。
另一方面，以調整參數來說，係有對準光學系統AS之送光系統中的照明光之波長、聚焦偏移量、所測量之標記的標記長、標記類型、標記間距、標記寬、標記中心偏移、訊號波形形狀(單/雙)、標記檢測算式(訊號處理算式(邊緣抽出法、模板匹配法、循環自我相關法等、截剪位準等))、標記檢測容許值、上述之EGA測量所需的取樣標記數、EGA測量所需之取樣照射數、以及應捨棄之標記位置座標的臨界值之EGA極限值等。若考慮光阻劑膜等之膜厚之干涉及晶圓W的基礎之反射率等，照明光之波長係應慎重地設定。
又，對準系統具備複數種類之對準感測器，在用所有感測器進行標記檢測時，檢測出用於實際標記位置之檢測的波形資料之對準感測器的種類(有FIA(Field Image Alignment)方式或LSA(Laser Step Alignment)方式等)，亦包含於對準相關參數。
又，EGA多項式模型之種類(6參數模型、10參數模型、照射區域內平均化模型、照射因素間接適用模型、高次EGA處理條件(使用次數與使用修正係數)等)、權重EGA處理條件、EGA選擇功能之擴張EGA處理條件(照射區域內多點EGA實施條件、EGA計算模型、照射成分修正條件等)、及應施加於所測量之標記的測量位置之修正量(對準修正值等)等均包含於對準相關參數。用以表現該等EGA多項式模型等之照射區域排列的參數，係亦可分類為用以修正照射區域排列之線性成分的線性修正參數，與用以修正照射區域排列(晶圓格柵)之非線性成分的非線性修正參數。照射區域排列的非線性成分由於大多表現為高次函數或XY座標系統圖，因此非線性修正參數一般為該係數或圖上之修正量。
如上所述，主控制裝置20係用以控制曝光裝置100的各種構成要素之電腦系統。上述曝光裝置100之各種動作，係藉由主控制裝置20之統籌控制來達成。上述之曝光量控制系統、同步控制系統、聚焦控制系統以及透鏡控制系統等，係包含於主控制裝置20內。又，主控制裝置20係連接於構建在元件製造/處理系統1000內之通訊網路，且透過該通訊網路而可與外部進行資料之收發送。主控制裝置20係透過該通訊網路接收指令來進行動作。此外，主控制裝置20係將各種控制誤差之追蹤資料傳送至解析裝置170，並且接收與藉由解析裝置170而最佳化之參數相關的資訊，設定於主控制裝置20內。
[追蹤器]
回到第1圖，追蹤器200係配置成鄰接於包圍曝光裝置100之處理室(未圖示)。追蹤器200係藉由具備於內部之搬送線，主要進行晶圓W對曝光裝置100之搬入/搬出。
[塗布/顯影機]
在追蹤器200內設有塗布/顯影機(C/D)110，該塗布/顯影機(C/D)110具備進行光阻劑塗布處理之塗布機、進行顯影處理之顯影機、以及進行PEB處理之PEB裝置等。C/D110係觀測光阻劑塗布、顯影、PEB處理之處理狀態，能將其觀測資料儲存為記錄資料。可觀測的處理狀態，例如有旋轉塗布機之旋轉速度、顯影中之溫度、顯影模組處理、PEB之溫度均一性(熱板溫度均一性)、晶圓加熱歷程管理(PEB處理後之過烘烤之迴避、冷卻板)之各狀態。C/D 100亦可藉由其裝置參數之設定，將其處理狀態進行某程度之調整。如上述之裝置參數，有例如能修正晶圓W上光阻劑厚度之參數(光阻劑之滴下量、滴下間隔)、裝置內之設定溫度、以及旋轉塗布機之旋轉速度。
C/D 110係可與曝光裝置100,101及測定檢查器120等之外部裝置分別獨立動作。C/D 110係沿追蹤器200內之搬送線配置，藉由該搬送線，而可在曝光裝置100,101、C/D110與追蹤器200外部之間搬送晶圓W。又，C/D 110係與元件製造/處理系統1000內之通訊網路相連接，且可與外部進行資料收發送。
亦即，曝光裝置100與鄰接於該曝光裝置100之追蹤器200內的C/D 110、曝光裝置101與鄰接於該曝光裝置101之追蹤器200內的C/D 110，係相互線上連接。此處，線上連接係指透過機械臂或滑動器等之自動搬送晶圓W之搬送裝置，來連接裝置間及各裝置內之處理單元間。藉由該線上連接，能格外的縮短在曝光裝置100與C/D 110之間、在曝光裝置101與C/D 110之間之晶圓W的移交時間。
經線上連接之曝光裝置100與追蹤器200、曝光裝置101與追蹤器200，係能將其作成一體而亦視為一個基板處理裝置(100,200)、(101,200)。基板處理裝置(100,200)、(101,200)係對晶圓W進行：塗布光阻劑等感光劑之塗布步驟；藉由將光罩或標線片R之圖案像投影至塗布有感光劑之晶圓W上以使晶圓W曝光的曝光步驟；曝光步驟結束後之PEB步驟及用以使其後的晶圓W顯影之顯影步驟等。曝光單元700，係可視為各具備一個基板處理裝置(100,200)以及基板處理裝置(101,200)。
[測定檢查器]
測定檢查器120,121，係可進行以晶圓W為對象之各種測定檢查之複合性的測定檢查器。由於測定檢查器120,121係同機種，因此以下以測定檢查器120為代表說明其構造等。測定檢查器120，係與在曝光裝置100之晶圓載台WST同樣的具備用以保持晶圓W之載台。該載台之XY位置與晶圓載台WST同樣的，係藉由未圖示之干涉儀加以測量。測定檢查器120之控制器藉由干涉儀之測量位置控制載台之XY位置。晶圓W之測定檢查中，首先必須進行晶圓W之定位。該測定檢查器120與曝光裝置100,101同樣的，可進行晶圓W之定位，且具備與曝光裝置100之對準系統ALG相同的對準系統。在測定檢查器120中晶圓W之對準，係在與曝光裝置100,101相同的對準相關參數之下，以相同方式進行。
測定檢查器120為了對晶圓W進行各種測定檢查，尚具備有以下所示之感測器。
(1)用以測定晶圓W上之反射防止膜、光阻劑膜以及頂層塗布膜等之膜的膜厚之干涉儀(2)為進行晶圓W上之對準標記之測定所設，與對準系統ALG相同之對準系統(3)用以進行晶圓W之面形狀(亦即照射平整度(元件表面形狀、聚焦段差))之測量，與聚焦檢測系統AF相同之測量裝置(4)用以進行晶圓W上的異物及/或污點的檢查之對準系統或雷射掃描方式之感測器(5)用以進行形成於晶圓W上的圖案之線寬及/或重疊誤差的測定，可拍攝元件圖案之攝影裝置(6)用以進行晶圓W上圖案缺陷的檢查，高倍率之攝影裝置或雷射掃描方式之感測器。
測定檢查器120中，其他亦視所需測定檢查內容而設有各種感測器。
測定檢查器120係能與曝光裝置100,101及C/D 110分別獨立動作。曝光單元700內之搬送線140，係可依各晶圓W搬送於曝光裝置100,101、C/D 110以及測定檢查器120,121之間。又，測定檢查器120可透過通訊網路進行資料之輸出或輸入。
[元件製造/處理裝置群]
作為元件製造/處理裝置群900，係設有成膜裝置910、氧化/離子植入裝置920、蝕刻裝置930以及進行化學機械研磨且對晶圓W進行平坦化處理的CMP(Chemical Mechanical Polishing)裝置940。成膜裝置910係使用CVD(Chemical Vapor Deposition)等，在晶圓W上生成反射防止膜、頂層塗布膜等薄膜之裝置。氧化/離子植入裝置920係用以在晶圓W表面形成氧化膜或將雜質植入晶圓W上的既定位置之裝置。蝕刻裝置930係對已顯影之晶圓W進行蝕刻之裝置。CMP裝置940係藉由化學機械研磨將晶圓W表面平坦化之研磨裝置。各裝置皆能藉由其處理參數之調整來調整其處理狀態，且可觀測其處理狀態，將與處理狀態相關之資料作為記錄資料存入。此外，各裝置亦均能透過通訊網路進行資料輸出入。
成膜裝置910、氧化/離子植入裝置920、蝕刻裝置930及CMP裝置940之間，係設有可在相互間搬送晶圓W之搬送路徑。元件製造/處理裝置群900，係另外亦包含進行探測處理、修復處理、切割處理、封裝處理及接合處理等之裝置。
[搬送線]
搬送線800係在元件製造/處理裝置群900之各種裝置與曝光單元700之間進行晶圓W之搬送。藉由該搬送線800與曝光單元700內的搬送線140之協調動作，來將晶圓W從對晶圓W之處理結束之裝置搬送至對晶圓W進行下一處理之裝置。
[管理控制器]
管理控制器160，係集中管理藉由曝光裝置100,101實施之曝光步驟，並且進行追蹤器200內之C/D 110、測定檢查器120,121之管理及該等裝置之聯合動作之控制。上述之控制器，例如能採用個人電腦(以下適當簡稱為PC)。管理控制器160係透過元件製造/處理系統1000內之通訊網路，自各裝置接收顯示處理/動作之進展狀況之資訊，以及顯示處理結果、測定檢查結果之資訊，以掌握元件製造/處理系統1000之製造線整體之狀況來進行各裝置之管理及控制，以圖可適當地進行曝光步驟等。
[解析裝置]
解析裝置170係與元件製造/處理系統1000內之通訊網路相連接，而可與外部進行資料收發送。解析裝置170係取得有關晶圓W之資訊，以及有關對晶圓W之處理之資訊，且進行所取得的資訊之解析。更具體而言，係進行測定檢查器120,121的測定檢查結果之解析，且必要時，亦根據其解析結果進行曝光裝置100,101等之裝置參數的最佳化。又，解析裝置170係選擇非常適於測定檢查晶圓W之測定檢查器或調整測定檢查器之測定檢查條件等。
作為用以實現如上述解析裝置170之硬體，能採用例如個人電腦。此時，解析處理係藉由解析裝置170的CPU(未圖示)執行解析程式而得以實現。解析程式係藉由CD－ROM等之媒體(資訊記錄媒體)來供應，在安裝於PC之狀態下加以執行。
又，解析裝置170係具備解析所需的資料庫。作為該資料庫之一係有CD圖表群。CD圖表群係登錄有曝光裝置100,101之照明條件；曝光量、同步精度、聚焦及透鏡之各控制誤差；以及與圖案線寬之關係之資料庫。
該CD圖表群，係在測定轉印形成於晶圓W上之元件圖案的重疊誤差時，用以選擇與元件圖案一起轉印之重疊誤差標記。
第3(A)圖係以示意方式顯示在照射區域SA內與元件圖案一起轉印之重疊誤差測定用標記，與曝光量、同步精度、聚焦及透鏡等各種控制系統之控制誤差之關係。第3(A)圖所示之在晶圓W上之照射區域SA，係藉由曝光區域IA從Y＝0至Y＝Y1 ，以一定的掃描速度相對晶圓W移動而轉印元件圖案者。又，該元件圖案包含重疊誤差測定用標記M1。
第3(B)圖至第3(E)圖係分別顯示曝光量控制誤差、同步精度控制誤差、聚焦控制誤差以及透鏡控制誤差之記錄資料之一例。如第3(B)圖至第3(E)圖所示，該等記錄資料之中，有助於重疊誤差測定用標記M1之轉印之記錄資料，係從Y＝A到Y＝B為止之記錄資料。因此，解析裝置170係根據曝光量、同步精度、聚焦誤差及透鏡誤差之從Y＝A到Y＝B為止之記錄資料之統計值(例如移動平均值(MEAN值)、移動標準偏差(MSD值)等)，判斷重疊誤差測定用標記M1是否為適於實際測定重疊誤差的標記。
在CD圖表群，儲存有在晶圓載台WST與標線片載台之相對同步掃描中之曝光裝置100,101之照明條件；曝光量控制誤差、同步精度控制誤差、聚焦控制誤差及透鏡控制誤差之統計值；以及在該地點之圖案線寬的關係。解析裝置170係依據由曝光裝置100,101所取得之各種控制誤差記錄資料，推定出轉印於晶圓W上之各重疊誤差測定用標記的圖案線寬，並參照該CD圖表群以判斷該標記是否適於測定。此外，當曝光量控制誤差、同步精度控制誤差、或聚焦控制誤差之統計值為未登錄於資料庫之值時，即藉由該值附近的幾個值之內插運算來推定圖案線寬。
為了依據CD圖表群來有效推定圖案線寬，須在該圖表預先登錄各種控制誤差的統計值與圖案線寬之關係。在進行此登錄時，係將實際由曝光裝置100,101對晶圓W之曝光中之追蹤資料所算出之各種控制系統控制誤差之統計值，與用測定檢查器120測定之圖案線寬儲存於圖表群即可。此外，登錄於CD圖表群之圖案線寬，亦可非依據測定檢查器120之測定結果者，而為依據由SEM所測定之值或由OCD法等所測定之值者，或為藉由測量測試圖案的空間像之空間像感測器所測量之測試圖案的空間像來求取之值。
此外，即使曝光量誤差、聚焦誤差及透鏡誤差完全相同，圖案線寬亦會隨著曝光裝置100,101之曝光條件、所轉印之圖案的設計條件或像高等而不同。因此，該圖表群係依曝光條件、圖案設計條件及像高之組合來準備。如上所述，圖表群須將曝光條件、圖案設計條件、曝光量控制誤差、同步精度控制誤差或透鏡控制誤差作成資料庫，俾能以上述為關鍵探測圖案線寬之推定值。此外，作為曝光條件，係有曝光波長、投影光學系統NA、照明NA、照明σ、照明種類及焦深等，而作為圖案之設計條件，係有光罩線寬、目標線寬(例如130nm)、圖案間距、光罩種類(二元、半色調、雷文生)以及圖案種類(孤立線、密集線(等間隔線圖案))等。該等之曝光條件、圖案設計條件與圖案線寬之關係，以及在圖表中的像高等各條件之設定方法，係詳細揭示於例如日本特開2001－338870號公報。
解析裝置170係另外亦具備有儲存解析結果之資料庫。
[校正處理]
如第1圖所示，本實施形態之元件製造/處理系統1000，係具有進行相同測定檢查處理之複數個測定檢查器120,121、以及複數個曝光裝置100,101。因此，例如在執行同一處理時，若一測定檢查器、曝光裝置為忙碌狀態時，即使用另一測定檢查器、曝光裝置，藉此能縮短晶圓之等待時間而謀求產能之提升。
然而，若測定檢查器不同，即使裝載完全相同的晶圓，其測定檢查結果亦會產生不同。此係因為即使測定檢查器為相同機種，其各個特性在裝置間亦不同之故。因此，為了藉由上述排程來減低用以進行同機種之測定檢查之複數個測定檢查器120,121的機差，係在實際運用之前先進行測定檢查器之校正處理。
該校正處理係使用校正用晶圓。該校正用晶圓，係形成有多數個可供各裝置100,101,120,121之對準系統測定的校正用圖案。校正用測定檢查圖案係形成於校正用晶圓上之大致全面。
首先，在曝光裝置100,101與測定檢查器120,121依序裝載形成有校正用圖案之校正用晶圓，用各對準系統檢測(測定)校正用晶圓上之同一圖案，且調整各對準系統之光學系統(於第2圖之曝光裝置100係對準光學系統AS)與對準感測器(於第2圖之曝光裝置100係對準感測器21)，以使在各裝置100,101,120,121之對準系統所取得之標記波形訊號成為相同。在校正用晶圓，測量複數個不同種類的圖案(例如線寬及/或形狀分別不同之複數個代表性圖案)，此處，係以此等所有的圖案進行匹配調整，以使所檢測之標記波形在裝置間為一致。
接著，進行各裝置100,101,120,121之聚焦檢測系統AF的匹配調整。首先，用空間像測量等方法求出曝光裝置100,101之投影光學系統PL之最佳成像面、測定檢查器120,121之光學系統之最佳成像面等。又，使設在保持晶圓W的載台之基準標記板FM位在該最佳成像面。使用聚焦檢測系統AF，將基準標記板FM之散焦量依聚焦檢測系統AF之複數個測量點進行檢測。此時之檢測結果成為在各測量點之偏移成分。又，使載台移動於投影光學系統PL之光軸方向，進行聚焦光學系統(60a,60b)之調整、與聚焦感測器23之偏移、增益調整，以使此時之複數個測量點之散焦量為相同。
藉由上述兩個匹配調整，曝光裝置100,101、測定檢查器120,121之對準系統ALG及聚焦檢測系統AF，係可對相同晶圓之相同標記在大致相同狀態下進行測定。
此外，之後，亦可再次在曝光裝置100,101與測定檢查器120,121依序裝載形成有校正用圖案之校正用晶圓，來求出用以保持各裝置100,101,120,121的晶圓W之XY座標系統、與用以表示依據干涉儀之測量值而使載台(用以保持晶圓)移動時座標系統的偏移之載台移動之非線性成分(載台格柵之非線性成分)。此處，係一邊使形成在校正用晶圓上之圖案，移動至位於對準系統之檢測視野內，一邊用對準系統測定該圖案之位置。此時之圖案的位置偏移之測定值，相當於載台格柵之非線性成分。該測定值係作為裝置參數而設定於各裝置100,101,120,121。藉此，在各裝置之載台格柵之差大致為0。因次，當欲分別測量相同晶圓W之相同標記，而為了將該標記收容於對準系統之檢測視野內，使用以保持該晶圓W之載台移動時，若該晶圓W以完全相同之狀態保持在載台上時，該標記係無論在任一裝置，均定位在對準系統的檢測視野內之大致相同位置。
[元件動程]
接著，說明元件製造/處理系統1000之一連串處理之流程。第4圖係顯示該處理之流程圖。該元件製造/處理系統1000之一連串處理，係由主機600及管理控制器160予以排程化並管理。實際上，第4圖所示之處理係依各晶圓，例如以管線方式反覆。
如第4圖所示，首先在步驟203中，將標線片R裝載於標線片載台，進行標線片R之對準(標線片對準)，以及基線(離軸之對準系統ALG的檢測中心與標線片R上之圖案的投影中心之距離(位置關係))之測量等準備處理。藉由該準備處理，可將標線片R上之元件圖案重疊轉印至已定位在晶圓載台WST上之晶圓W上所形成的照射區域SA，亦即能進行重疊曝光。
之後，與上述步驟203同時進行對晶圓W之處理。首先，以成膜裝置910將膜生成於晶圓W上(步驟205)，將該晶圓W搬送至C/D 110，並以C/D 110在該晶圓W上塗布光阻劑(步驟207)。
下一步驟208中，進行用以測定檢查晶圓W之測定檢查器(120或121)的選擇與該測定檢查條件之設定。該處理流程係如下。
(1)解析裝置170對主機600(或管理控制器160)查詢是否在曝光裝置100,101之任一個進行曝光。
(2)主機600(或管理控制器160)將曝光裝置名傳送至解析裝置170。
(3)解析裝置170係對所選擇之曝光裝置，查詢與曝光裝置之處理條件相關之資料。該資料包含與對準系統ALG及聚焦檢測系統AF等之處理條件相關之資料。
(4)接收查詢之曝光裝置，將有關測定檢查條件之資料傳送至解析裝置170。
(5)解析裝置170依據所接收之資料選擇最適當的測定檢查器。
此時，解析裝置170可依照與對晶圓W進行曝光之曝光裝置的相容性，選擇進行事前測定檢查處理之測定檢查器。例如，如後述所示，當選擇曝光裝置100作為對晶圓W進行曝光之曝光裝置，而將在測定檢查器之對準系統之測定條件，配合於在該曝光裝置100之對準系統ALG的測定條件時，若該測定條件超過能設定之測定條件的範圍，則不選擇該測定檢查器，而選擇另一測定檢查器。
(6)解析裝置170係將選擇結果送回主機600(或管理控制器160)。
(7)解析裝置170係將有關測定檢查器之資料傳送至所選擇之測定檢查器。上述之測定檢查條件，有例如用以處理對準光學系統之標記測量時的波長以及聚焦偏移量；用以處理藉由對準感測器所檢測之標記波形資料之訊號處理裝置的處理條件，例如標記長、標記型態、標記間距、標記寬、標記中心偏移、訊號波形形狀(單/雙)、標記檢測算式、標記檢測容許值、測量所需標記數、測量所需照射區域數、以及EGA極限值等之對準相關參數；以及用以處理作為訊號輸出之偏移量成分之聚焦偏移、聚焦感測器之配置、聚焦感測器之選擇及聚焦訊號之聚焦測量算式等的聚焦相關參數。
(8)所選擇之測定檢查器係依據所接收之資料來設定測定檢查條件。
下一步驟209中，係在步驟208所選擇之測定檢查器(120或121)進行晶圓W之測定檢查處理。更具體而言，係將所選擇之晶圓W搬送至測定檢查器120，且將晶圓W裝載至該載台上。
接著，使用對準系統ALG進行載台上的晶圓W之對準。如前所述，曝光裝置100,101與測定檢查器120,121中，對準光學系統AS及對準感測器21，係使用校正用晶圓等進行匹配調整，於上述步驟208，對準系統ALG之另一測量條件亦調整為與曝光裝置一致，因此對同一標記之標記檢測波形係大致相同，不論係任一測定檢查器，均可在與曝光裝置完全相同之狀態下進行檢測標記。亦即，在該時點已解除測定檢查器120,121之機差。
此外，該對準中，亦可檢測出晶圓W上之照射區域SA的排列之非線性成分，以及照射區域SA本身之非線性成分。第5(A)圖至第5(C)圖係以示意方式顯示形成在照射區域SA內之重疊測定用標記M1之位置、照射區域SA之排列及照射區域SA本身之關係。
第5(A)圖係照射區域SA之排列(晶圓格柵)僅具有線性成分時的圖。相較於第5(A)圖所示之左側的照射區域SA之排列，右側的照射區域之排列之晶圓格柵係僅具有旋轉、倍率及偏移量成分，標記M1之位置係能僅以該線性成分求取。因而，此時能根據照射區域SA的排列之線性成分，使標記M1位在對準系統ALG之檢測視野中心。
第5(B)圖係照射區域SA之排列(晶圓格柵)，除線性成分外尚具有非線性成分時的圖。相較於在第5(B)圖左側顯示僅具有線性成分之照射區域SA的排列，第5(B)圖右側之照射區域排列，其所鄰接之照射區域排列的位置關係會變化，且標記M1之位置亦會相應地變化。此時，若根據照射區域SA的排列之線性成分及非線性成分，即能使標記M1位在對準系統ALG之檢測視野中心。
如第5(C)圖所示，除照射區域排列之線性成分、非線性成分外，當照射區域SA本身變形時，標記M1之位置亦進一步的偏移。此時，除照射區域SA的排列之線性成分及非線性成分外，若亦考量照射區域SA本身之變形，即能使重疊誤差測定用標記M1位在對準系統ALG之檢測視野中心。
如上所述，在進行事前測定檢查處理時，只要考量照射區域SA的排列之非線性成分及照射區域SA本身之變形成分來定位載台，即能使測定對象之標記恆位在對準系統ALG之檢測視野中心，而能減低因對準光學系統AS所具有之像差成分所導致之標記檢測誤差的不均。為了進行如上述之對準，須採用考量到照射區域SA的排列之非線性成分，以及照射區域SA本身之變形成分的EGA多項式模型數式。
又，所選擇之測定檢查器(120,121之任一個)，係對晶圓W上已形成之前層複數個照射區域SA中被選擇為測定對象之照射區域SA(以下稱為測量照射區域)，進行照射平整度(照射區域之聚焦段差)之測定。該測量照射區域數及配置可為任意，但例如亦可設為晶圓W外周部之8照射區域。又，測定檢查處理，亦進行晶圓W上之膜之檢查、對準相關參數最佳化用之標記測定等。
測定檢查器(120,121之任一個)之測定檢查結果，係傳送至曝光裝置100,101及解析裝置170。解析裝置170係因應必要，例如根據標記之測定結果，進行曝光裝置100,101之對準相關參數之最佳化等。該最佳化結果係傳送至符合之曝光裝置，該曝光裝置係設定對準相關參數之最佳值。此外，該測定結果(例如聚焦段差)，係使用於曝光裝置(100或101)之掃描曝光時之聚焦控制。
接著，將晶圓搬送至曝光裝置(設為100)，在曝光裝置100進行將標線片R上之電路圖案轉印至晶圓W上之曝光處理(步驟211)。此時，曝光裝置100係監視測量照射區域曝光中之曝光量控制誤差、同步精度控制誤差、聚焦控制誤差以及透鏡控制誤差之追蹤資料，作為記錄資料預先儲存至內部記憶體。接著，將晶圓W搬送至C/D 110，在C/D 110進行顯影處理(步驟213)。
下一步驟214中，進行用以進行事後測定檢查處理之測定檢查器的選擇以及測定檢查條件之設定。之後，進行該光阻像之線寬的測定、轉印至晶圓W上之元件圖案的線寬測定以及圖案缺陷檢查等之事後測定檢查處理(步驟215)。該步驟214,215，亦可在後述之蝕刻處理後進行。
作為事後測定檢查處理之處理內容，雖有各式各樣者，但可例舉如下。
(1)元件圖案之重疊誤差測定。
(2)元件圖案之圖案缺陷檢查。
以下，依(1)、(2)之各個測定檢查處理，詳細說明步驟214,215之處理。於步驟214，由於到測定檢查器之選擇為止已如前述，因此說明選擇了測定檢查器之後之處理。
[元件圖案之重疊誤差測定]
首先，所選擇之測定檢查器對曝光裝置(為100,101之任一個，此處係設為曝光裝置100)，查詢與測定檢查所需之處理條件等相關的資料。曝光裝置100，係將重疊誤差測定所需的資訊、例如曝光裝置100內之環境(溫度、溼度、氣壓)、對準系統ALG之測定條件、晶圓W之對準結果之資料(晶圓格柵及照射區域SA本身之變形成分)、晶圓W之面形狀等之資料(聚焦段差資料)以及聚焦相關參數等傳送至測定檢查器。測定檢查器係依據傳送來之資訊，使測定檢查器內之環境、以及對準系統之測定條件等配合曝光裝置100。
元件圖案之重疊誤差測定，係在設定了曝光裝置100中對準系統ALG的測定條件(對準裝置22之處理條件等)之狀態下，進行對準。
接著，進行晶圓W上之重疊誤差測定用標記之測定。此處，係依據在與曝光裝置100相同之聚焦相關參數，考量在事前測定檢查處理之聚焦段差之資料後，進行光學系統對測定對象之標記的聚焦。如此，可縮短對標記進行聚焦所須的時間。
又，由於在照射區域SA形成有複數個重疊誤差測定用標記，因此形成狀態並非良好之標記，係能自測定對象予以去除。此時，所選擇之測定檢查器，係查詢應於解析裝置170自測定對象去除之標記。解析裝置170在接收該查詢之後，即對曝光裝置100要求記錄資料之發送。曝光裝置100則將進行對該晶圓W之處理時之記錄資料發送至解析裝置170。解析裝置170即依據所接收之記錄資料，如第3(A)圖至第3(E)圖所示，自AB間之記錄資料算出在形成有重疊誤差測定用標記之地點的控制誤差。又，以該控制誤差作為關鍵，參照CD圖表群求出該重疊誤差測定用標記之推定線寬值。又，在該推定線寬值偏移設計線寬既定值以上時，係將該重疊誤差測定用標記設定為自測定對象去除。又，將成為測定對象之晶圓W上之各重疊誤差測定用標記之解析結果，送回至測定檢查器。
此外，解析裝置170，除標記之去除外亦可有各種處理。例如，重疊誤差測定用標記可為等間隔線圖案(L/S圖案)，當該重疊誤差測定用標記之非對稱性為可依據曝光裝置100之記錄資料來推定時，亦可將自該非對稱性推定之標記的位置偏移量作為解析結果算出。
自解析裝置170接收解析結果之測定檢查器，係依據該結果，進行未去除之重疊誤差測定用標記之重疊誤差的測定，若必要時，則將該重疊誤差，用上述方式算出之位置偏移量來修正。
此外，解析裝置170係不僅可參照曝光裝置之記錄資料，亦可參照C/D 110之記錄資料、事前測定檢查處理等之至少一者所進行之晶圓W的膜之測定檢查結果(膜厚、膜上之刮痕及剝落等，或該等之組合)，進行重疊誤差測定用標記之去除，及位置偏移量之推定等。又，當解析裝置170可自有關曝光裝置的環境之資料，推定某程度之重疊誤差測定用標記之位置偏移量時，即亦可算出該位置偏移量傳送至測定檢查器。此時，位置偏移量之推定係能使用例如以下數式。
【數式1】Result＝Result＋α×△Temperature＋offsetT＋β×△Humid＋offsetH＋＋γ×△Press＋offsetP.………(1)
此處，Result係算出之標記的位置偏移量。Result係以1取樣前之值的增量值算出。該增量值係在該取樣時間之溫度變化△Temperature、溼度變化△Humid與氣壓變化△Press之1次函數。α、β、γ係分別為各個係數，offsetT、offsetH、offsetP係為相對溫度變化、溼度變化及氣壓變化之偏移量成分。此外，數式(1)中，右邊的Result為1取樣前之值，左邊的Result係顯示更新後之值。數式(1)係顯示在1取樣前之Result加上有關曝光裝置的環境之資料之結果、而得到左邊所更新之Result。
此外，係數α、β、γ與offsetT、offsetH、offsetP，亦可依據表示過去所取得之溫度變化、溼度變化及氣壓變化，與標記之位置偏移量之關係之統計資料，例如使用統計解析等之方法來求出。例如，可測定在1個月的期間、1天的期間之該等之關係，使用該測定資料，且使用最小二乘法等算出上述係數與偏移量。
[元件圖案之缺陷檢查]
首先，所選擇之測定檢查器係對曝光裝置(設為100)，查詢有關測定檢查必要的處理條件等之資料。曝光裝置係將元件圖案之缺陷檢查必要的資訊、例如曝光裝置內的環境(溫度、溼度)、對準系統ALG之測定條件、晶圓W之對準結果之資料(晶圓格柵及照射區域SA本身之變形成分)、晶圓W之面形狀等之資料，傳送至測定檢查器。測定檢查器係根據所傳送之資訊，使測定檢查器內的環境及對準系統之測定條件，以及聚焦相關參數(包含聚焦段差資料)等配合曝光裝置100。
元件圖案之缺陷檢查，亦在設定了曝光裝置100之對準系統ALG的測定條件(對準裝置之處理條件等)之狀態下，進行晶圓對準。
接著，進行晶圓W上之重疊誤差測定用標記之測定。此處，係考量以事前測定檢查處理測定之聚焦段差資料，進行測定光學系統對測量對象之標記的聚焦。如此，則可縮短對標記之聚焦所需之時間。
所選擇之測定檢查器係對解析裝置170查詢測定處理內容。如此，解析裝置170在接收該查詢後，即對曝光裝置100要求記錄資料之發送。曝光裝置係將進行對該晶圓W之處理時之記錄資料傳送至解析裝置170。解析裝置170係依據接收之記錄資料，如第3(A)圖至第3(E)圖所示，使用AB間之記錄資料算出在形成有檢查對象圖案之地點之控制誤差。接著，將該控制誤差作為關鍵，參照CD圖表群求出圖案之推定線寬值。接著進行設定，以對該推定線寬值自設計線寬偏移既定值以上之圖案進行精細的圖案檢查。又，將測定對象之晶圓W上之各重疊誤差測定用標記之解析結果，送回至測定檢查器。
此外，測定檢查器，係根據解析結果進行圖案缺陷檢查。此處，亦可在控制誤差較大且圖案缺陷產生之可能性較高之處，將缺陷檢查之檢測感度設定得較高。又，在控制誤差較小且推定線寬值與設計線寬大致一致之處，由於可想見圖案可靠度較高，因此可將圖案缺陷檢查之檢測感度設定為較低，或可進行較粗略的圖案檢查。
此外，解析裝置170係不僅可參照曝光裝置之記錄資料，亦可參照C/D 110之記錄資料、事前測定檢查處理等之至少一者所進行之晶圓W的膜之測定檢查結果(膜厚、膜上之刮痕及剝落等，或該等之組合)，來進行圖案缺陷檢查之感度設定。
如上述所示，進行完步驟214,215之處理後，晶圓W係自測定檢查器被搬送至蝕刻裝置930，於蝕刻裝置930進行蝕刻，且因應必要情形進行雜質擴散處理、配線處理、在成膜裝置910成膜、在CMP裝置940進行平坦化、在氧化/離子植入裝置920之離子植入處理等(步驟219)。又，全步驟結束後，即在主機600判斷是否已在晶圓上形成有所有的圖案(步驟221)。該判斷若為否定則回到步驟205，若為肯定則前進至步驟223。如上所述，藉由將成膜/光阻劑塗布至蝕刻等一連串的處理反覆執行數次，即可於晶圓W上陸續積層電路圖案，而形成半導體元件。
反覆步驟結束後，於元件製造裝置/處理裝置群900執行探測處理(步驟223)及修復處理(步驟225)。於步驟223中檢測出記憶體不良時，係於步驟225進行例如置換成備用電路之處理。解析裝置170係亦可將產生有圖案缺陷之部位等資訊，傳送至進行探測處理及修復處理之裝置。在未圖示之檢查裝置中，可將晶圓W上之線寬異常產生之部位，以晶片單位自探測處理及修復處理之處理對象去除。之後，執行分割處理(步驟227)、封裝處理、接合處理(步驟229)，最後即完成製品晶片。此外，步驟215之事後測定檢查處理，亦可在步驟219之蝕刻後進行。此時，係對蝕刻後形成在晶圓W上之像(以下亦稱為蝕刻像)進行重疊誤差及/或圖案缺陷檢查。亦可在顯影後、蝕刻後均進行。此時，由於對光阻劑像、蝕刻像皆進行測定檢查，因此可依據該等測定結果之不同，檢測出蝕刻處理之處理狀態。
第6圖中，係以示意方式列舉測定檢查器中可與曝光裝置一致之處理條件。
如第6圖所示，在曝光裝置與測定檢查器中，首先能使曝光時之溫度、溼度、氣壓等之環境資料與測定檢查器一致。測定檢查器係自曝光裝置直接或透過解析裝置170、管理控制器160或主機600，取得在曝光裝置進行曝光時之環境資料，且進行裝置內之環境控制，以使該資料所顯示之環境與裝置內之環境相同，且在環境為相同之狀態下，進行對晶圓W之測定檢查。
進一步地，在曝光裝置與測定檢查器進行對準系統之調整。
用以檢測標記之對準光學系統、用以檢測標記波形訊號之對準感測器等硬體之一部分處理條件，係藉由使用校正用晶圓之校正處理進行匹配調整。又，依各晶圓W而要求不同條件者，例如對準光學系統之標記測量時之波長及聚焦偏移、以及處理藉由對準感測器檢測之標記波形資料之訊號處理裝置的處理條件、例如標記長、標記類型、標記間距、標記寬、標記中心偏移、訊號波形形狀(單/雙)、標記檢測算式、標記檢測容許值、測量所需標記數、測量所需照射數以及EGA極限值等之參數，係在對晶圓W之事前測定檢查處理及事後測定檢查處理之前，進行條件設定以使曝光裝置與測定檢查器一致。
再者，用以檢測對準用或元件圖案處理用之聚焦訊號之聚焦光學系統、以及聚焦感測器等硬體之一部分處理條件，係藉由使用基準標記板FM(或校正用晶圓)之校正處理進行匹配調整。又，依各晶圓W而要求不同條件者、聚焦光學系統、聚焦感測器之一部分處理條件、處理藉由該等檢測出之聚焦訊號之訊號處理裝置的處理條件、元件段差修正圖、聚焦偏移量、聚焦感測器配置、聚焦感測器選擇以及聚焦檢測算式等之參數，係在對晶圓W之測定檢查處理之前，進行條件設定以使曝光裝置與測定檢查器一致。
再者，在進行晶圓W上之標記測量時，須使該標記移動至對準系統之檢測視野。然而，晶圓W上之標記的實際位置，會因應包含該標記之照射區域SA之排列(晶圓格柵)及/或照射區域SA本身之元件圖案之扭曲(轉印時之元件圖案之像的扭曲)，而自設計上之位置偏移。照射區域之排列及元件圖案之扭曲，除了旋轉、倍率及偏移等之線性成分外，尚包含若非高次函數則無法表現之非線性成分。對準系統中，若亦考量該等之非線性成分，則能使測量對象之標記恆位於對準系統之檢測視野中心。
又，於事前測定檢查處理進行晶圓W上之元件圖案之重疊誤差之測定時，各重疊誤差測定用標記是否適於進行測定，係考量曝光裝置100,101之各種控制誤差之記錄資料、C/D 110之處理狀態以及光阻劑膜之測量結果來予以判斷。例如，依據該等記錄資料，將不適於重疊誤差之測定的標記去除，或調整標記之測定條件，或修正標記之重疊誤差測定用標記的測定位置。如此，可使測定檢查結果穩定化，進而減低機差。
再者，當進行重疊誤差測量時，亦可使測定檢查器之環境配合於曝光裝置之環境，或修正重疊誤差測定用標記之測量位置。
又，當於事後測定檢查處理進行晶圓W上之元件圖案之線寬測定及/或圖案缺陷之檢查時，會考量到曝光裝置100,101之各種控制誤差之記錄資料、C/D 110之處理狀態以及光阻劑膜之測量結果。例如，可依據該等記錄資料，對圖案線寬異常及/或產生圖案缺陷之可能性較高的區域進行詳細檢查，或是調整檢查感度、檢查分解能及檢查算式等之檢查條件。
再者，形成在校正用晶圓上之測定檢查圖案，雖係在嚴格的基準下轉印形成者，但與處理晶圓上之圖案同樣地，由於為藉由曝光裝置轉印者，且有受到曝光裝置之投影光學系統的像差之影響，因此亦可考量因像差而產生之測定檢查圖案之變形，來根據校正用晶圓之測定檢查圖案之測定檢查結果進行對準系統之匹配調整。
如上所述，在使曝光裝置與測定檢查器之處理條件一致時，曝光裝置與測定檢查器之處理狀態係大致相同，而可減低測定檢查器間對該晶圓W之測定檢查結果之機差，可進行恆常穩定之測定檢查。此外，使用校正用晶圓或基準標記板之對準系統及/或聚焦系統之校正處理，須在執行程序之前進行，但調整其他處理條件之順序則未特別限定。
如以上之詳細說明，根據本實施形態，係自依據有關晶圓W之資訊及/或與對該晶圓W之一連串基板處理相關之資訊進行相同測定檢查處理的複數個測定檢查器120,121之中，選擇適合於晶圓W之測定檢查的測定檢查器，且因應實際之晶圓W及/或該基板處理來調整測定檢查器120,121之測定檢查條件，或修正該測定檢查結果。藉此，能在因應該晶圓W之狀態下進行測定檢查，因此可減低測定檢查實際的處理晶圓W時之測定檢查器120與測定檢查器121之間的機差。
再者，根據本實施形態，係在實際運用之前，將校正用晶圓依序裝載至各曝光裝置100,101、測定檢查器120,121，並可藉由各對準系統ALG進行用以校正對準系統ALG之檢測系統的動作條件之校正步驟，以測定檢查校正用晶圓上之同一測定檢查用標記，且使該測定檢查結果在曝光裝置100,101與測定檢查器120,121一致。藉此，在測定檢查器120,121間、曝光裝置與測定檢查器之間等，對對準系統ALG之硬體進行匹配調整，以使同一標記之測定檢查結果為相同。
此外，本實施形態中，雖具備曝光裝置100,101、測定檢查器120,121具有相同構造之對準系統(包含自動聚焦機構)，但各裝置之對準系統係並不須具有相同的硬體構造。例如，本實施形態中，曝光裝置100,101與測定檢查器120,121雖具備用以對相當於晶圓W上的對準標記之波形資料進行光電檢測的對準光學系統AS及對準感測器21；以及用以檢測該對準標記之聚焦狀態之聚焦光學系統(60a,60b)及聚焦感測器23，但並未限定於此，只要對準光學系統AS及對準感測器21、或聚焦光學系統(60a,60b)及聚焦感測器23係共通即可。此時，亦可使用校正用晶圓來校正該共通硬體之動作條件。
亦即，在各裝置，所有檢測系統並無共通之必要，而只要其中一部分有共通的部分時，則可調整在該部分之處理條件。又，即使於檢測系統無共通之部分，亦可進行調整以盡可能使測定檢查結果一致。
此外，用以調整測定檢查器之測定條件等之一連串的基板處理之相關資料，係能適用各種資料。例如，能適用與藉由基板處理而形成在晶圓W上之對準標記的檢測處理相關之資料、與曝光裝置100,101之對準系統ALG之標記的聚焦狀態相關之資料、與藉由曝光而形成在晶圓W上之照射區域SA的排列相關之資料、與藉由曝光而形成在晶圓W上之元件圖案的扭曲(照射區域SA之變形)相關之資料、與曝光裝置100,101之處理狀態相關之資料、與曝光裝置100,101內的環境相關之資料以及與生成在晶圓W上的膜之測定檢查結果相關之資料等。
使用該等之資料，可調整各種測定檢查內容之測定檢查條件及/或測定檢查結果。例如，關於重疊在晶圓W上而形成之元件圖案所含的複數個重疊誤差測定用標記之測定處理，可依據與曝光裝置100,101之處理狀態相關之資訊、與曝光裝置100,101的環境相關之資料、及與生成在晶圓W上的膜之測定檢查結果相關之資料之至少一者，來進行重疊誤差測定用標記之測定條件、測定結果及測定環境之至少一者之調整。
再者，亦可依據與曝光裝置100,101之處理狀態相關之資訊、與曝光裝置100,101內的環境相關之資訊、及與生成在晶圓W上的膜之測定檢查結果相關之資訊之至少一者，來去除判斷為異常之重疊誤差測定用標記。
又，若為形成在晶圓W上之元件圖案之圖案缺陷檢查，即可依據與曝光裝置100,101之處理狀態相關之資訊、與生成在晶圓W上的膜之測定檢查結果相關之資料之至少一者，來調整圖案缺陷檢查之檢查條件。更具體而言，係與判斷為正常之部分相較更重點性地檢查判斷為異常之部分相較於判斷為正常之部分，重點性檢查判斷為異常之部分。再者，若減少判斷為正常之部分的圖案缺陷之檢查頻率，則能防止整體之產能的降低。
又，本實施形態中，雖於測定檢查器之調整使用實際的處理晶圓，但亦可使用利用於測定檢查器120,121與曝光裝置100,101之硬體的匹配調整之校正用晶圓。此時，能考量與形成在校正用晶圓上之測定檢查用圖案的扭曲(例如轉印有該圖案之曝光裝置之投影光學系統的像差資料)相關的資料，調整選擇為進行測定檢查處理之測定檢查器的測定檢查條件及測定檢查結果之相關資訊之至少一者。
又，本實施形態中，作為用以進行測定檢查器120,121的選擇、調整之資料，除了有關曝光裝置100,101之處理狀態之資料，亦即除了有關在曝光之晶圓W與元件圖案之控制誤差之資料外，亦可使用例如有關在C/D 110之膜生成處理及/或在顯影處理之控制誤差之資料。此外，並非限定於此，亦可將有關元件製造/處理裝置群900之各裝置的處理狀態之資料，使用於進行該處理後之晶圓W的測定檢查之測定檢查器的調整。
此外，在標線片R上，通常大多形成有複數個不同的重疊誤差測定用標記。例如，如第7(A)圖至第7(E)圖所示之標記，係作為重疊誤差測定用標記形成在標線片R上，且與元件圖案一起轉印至晶圓W上。
作為重疊誤差測定用標記，只要選擇任一個標記即可。本實施形態中，例示於第7(A)圖至第7(E)圖之標記之中，亦可選擇在測定檢查器間之測定檢查結果的機差為最小之標記。如此亦可使測定檢查狀態穩定，且減低測定檢查器間之機差。
此外，上述實施形態中，雖解析裝置170係自曝光裝置100直接取得記錄資料，但只要以曝光裝置算出控制誤差之統計值(MSD值、MEAN值)時，即可取得該統計值。
又，上述實施形態中，雖係對各片晶圓進行測定檢查器之測定檢查條件等之調整，但本發明並未限定於此。例如，亦可在每次檢測出測定檢查結果之異常時進行，或以既定的時距(例如每隔晶圓數片、每經過既定時間)進行亦可。
上述實施形態中，雖係將測定檢查器120,121與曝光裝置100等以線上連接，但測定檢查器120,121亦可係未與曝光裝置100及追蹤器200線上連接之離線之測定檢查器。
再者，亦可將本發明適用於如揭示於日本特開平11－135400號公報、日本特開2000－164504號公報、國際公開第2005/074014號小冊子、國際公開第1999/23692號小冊子、美國專利第6,897,963號說明書等所示，具備用以保持晶圓W之晶圓載台、及裝載有形成基準標記之基準構件及各種光電感測器之測量載台的曝光裝置。
此外，雖說明了步進掃描方式之曝光裝置，但本發明當然亦可適用於步進重複方式之曝光裝置、或其他的曝光裝置，例如近接方式之曝光裝置等。又，亦可將本發明適用於合成照射區域與照射區域之步進接合方式之曝光裝置。如上述之代表所示，各種裝置亦未限定其種類。例如，亦可使用美國專利第6,778,257號公報所揭示之電子光罩來代替標線片R，該電子光罩(亦稱為可變成形光罩、主動型光罩、或影像產生器，例如包含非發光型影像顯示元件(空間光調變器)之一種之DMD(Digital Micro－mirror Device)等)係根據欲曝光圖案之電子資料來形成透射圖案、反射圖案、或發光圖案。
又，亦可適用於揭示於例如國際公開第98/24115號小冊子、國際公開第98/40791號小冊子、日本特開平10－163099號公報以及日本特開平10－214783號公報(對應美國專利第6,590,634號)、日本特表2000－505958號公報(對應美國專利第5,969,441號說明書)以及美國專利第6,208,407號說明書等之具備有複數台晶圓載台之多載台型曝光裝置。此外，當然亦可將本發明適用於使用揭示於例如國際公開第99/49504號小冊子、國際公開第2004/053955號小冊子(對應美國專利申請公開第2005/0252506號說明書)、美國專利第6,952,253號說明書、歐洲專利公開第1420298號公報、國際公開第2004/055803號小冊子、國際公開第2004/057590號小冊子、美國專利申請公開第2006/0231206號說明書以及美國專利申請公開第2005/0280791號說明書等之液浸法之曝光裝置。此時，雖採用在投影光學系統與基板之間局部性充滿液體之曝光裝置，但本發明亦可適用於在揭示於日本特開平6－124873號公報、日本特開平10－303114號公報、美國專利第5,825,043號說明書等，在曝光對象的基板之被曝光面整體浸在液體中之狀態下進行曝光之液浸曝光裝置。例如亦可係曝光裝置100為液浸曝光裝置，為曝光裝置101非液浸之曝光裝置。
此外，援用有關在上述實施形態所引用之曝光裝置等所有公報、國際公開小冊子、美國專利申請公開及美國專利說明書之揭示來作為本說明書記載之一部分。
又，本發明並不限於半導體製程，亦可適用於包含液晶顯示元件等之顯示器之製程。此外，除將元件圖案轉印至玻璃板上之步驟、薄膜磁頭之製程以及攝影元件(CCD等)、微機械、有機EL、DNA晶片等之製程外，當然亦可將本發明適用於所有的元件製程之線寬管理。
又，上述實施形態中，將解析裝置170設為例如PC。亦即在解析裝置170之解析處理，係藉由在PC執行解析程式而得以實現。該解析程式係亦可如上述般透過媒體安裝於PC，亦可透過網路等下載至PC。又，解析裝置170當然亦可以硬體構成。又，上述實施形態中雖具備獨立的解析裝置170，但解析裝置170係亦可設於各測定檢查器120,121。此時，各測定檢查器120,121所具備之解析功能，係依據有關晶圓W之資料及/或曝光裝置100,101之處理狀態之資料，判斷其本身是否適於測定檢查該晶圓W。
如以上所說明，本發明之元件製造方法、元件製造系統及測定檢查裝置係適於生產元件。
10．．．照明系統
20．．．主控制裝置
21．．．對準感測器
22．．．對準裝置
23．．．聚焦感測器
24．．．聚焦訊號處理裝置
60a,60b．．．聚焦光學系統
60a．．．送光系統
60b．．．受光系統
100,101．．．曝光裝置
110．．．C/D
120,121．．．測定檢查器
140,800．．．搬送線
160．．．曝光步驟管理控制器(管理控制器)
170．．．解析裝置
200．．．追蹤器
600．．．工廠內生產管理主機
700．．．曝光單元
900．．．元件製造/處理裝置群
910．．．成膜裝置
920．．．氧化/離子植入裝置
930．．．蝕刻裝置
940．．．CMP裝置
1000．．．元件製造/處理系統
ALG．．．對準系統
AF．．．聚焦檢測系統
AS．．．對準光學系統
IA．．．曝光區域
IAR．．．照明區域
IL．．．照明光
FM．．．基準標記板
M1．．．重疊誤差測定用標記
PL．．．投影光學系統
R．．．標線片
SA．．．照射區域
W．．．晶圓
WST．．．晶圓載台
第1圖係顯示一實施形態之元件製造系統之概略的構造圖。
第2圖係顯示曝光裝置之概略的構造斜視圖。
第3(A)圖至第3(E)圖係顯示重疊誤差測定用標記，與各種控制系統之控制誤差之關係圖。
第4圖係晶圓程序之圖表。
第5(A)圖至第5(C)圖係用以說明照射區域的排列成分的圖。
第6圖係以示意方式顯示可用曝光裝置與測定檢查檢查器使之一致的條件圖。
第7(A)圖至第7(E)圖係顯示重疊用誤差測定用標記之例圖。

Claims (24)

  1. 一種元件製造方法，係經由包含對基板之測定檢查處理之一連串基板處理以製造元件，其包含：取得步驟，係用以取得與該基板相關之資訊、以及與對該基板之一連串基板處理相關之資訊之至少一方；選擇步驟，係依據所取得之該資訊，自進行同一測定檢查處理之複數個測定檢查器中選擇一個實際測定檢查該基板之測定檢查器；以及調整步驟，係依據所取得之該資訊，調整與所選擇之該測定檢查器之測定檢查條件以及測定檢查結果相關之資訊之至少一方。
  2. 如申請專利範圍第1項之元件製造方法，其進一步包含校正步驟，係在設於該測定檢查器且用以檢測與該基板相關之資訊之檢測系統、以及設在進行該基板處理之基板處理裝置且用以檢測與該基板相關之資訊之檢測系統的至少一部分為共通時，在該調整步驟之前，使用校正用基準基板，校正該測定檢查器與該基板處理裝置之檢測系統的共通部之動作條件。
  3. 如申請專利範圍第2項之元件製造方法，其中，該檢測系統係具備以下至少一方：對與該基板上的圖案相關之資訊之圖案進行光電檢測的檢測系統；以及檢測該基板對該檢測系統之焦點之相關資訊的焦點檢測系統。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之元件製造方法，其中，與對該基板之一連串基板處理相關之資訊至少包含以下一個資訊：與藉由該基板處理而形成在該基板上之定位用標記檢測處理相關之資訊；與該基板處理裝置之焦點相關之資訊；與藉由該基板處理而形成在該基板上之圖案排列相關之資訊；與藉由該基板處理而形成在該基板上之圖案扭曲相關之資訊；與該基板處理之處理狀態相關之資訊；與該基板處理之環境相關之資訊；以及與生成在該基板上之膜的測定檢查結果相關之資訊。
  5. 如申請專利範圍第4項之元件製造方法，其中，該測定檢查處理包含：重疊形成於該基板上之元件圖案所含之複數個重疊誤差測定用標記之測定；該調整步驟中，係根據與該基板處理之處理狀態相關之資訊、與該基板處理之環境相關之資訊、以及與生成在該基板上之膜之測定檢查結果相關之資訊之至少一者，進行重疊誤差測定用標記之測定條件、測定結果以及測定環境之至少一者之調整。
  6. 如申請專利範圍第4項之元件製造方法，其中，該測定檢查處理包含：重疊形成於該基板上之元件圖案所含之複數個重疊誤差測定用標記之測定；該調整步驟中，係根據與該基板處理之處理狀態相關之資訊、與該基板處理之環境相關之資訊、以及與生成在該基板上之膜之測定檢查結果相關之資訊之至少一者，來去除判斷為異常之重疊誤差測定用標記。
  7. 如申請專利範圍第4項之元件製造方法，其中，該測定檢查處理包含：形成在該基板上之元件圖案之圖案線寬檢查以及圖案缺陷檢查之至少一方；該調整步驟中，係根據與該基板處理之處理狀態相關之資訊、與生成在該基板上之膜之測定檢查結果相關之資訊之至少一方，調整圖案線寬檢查及圖案缺陷檢查之至少一方之檢查條件。
  8. 如申請專利範圍第7項之元件製造方法，其中，該調整步驟中，與判斷為正常之部分相較更重點性地檢查判斷為異常之部分。
  9. 如申請專利範圍第8項之元件製造方法，其中，該調整步驟中，減低判斷為正常之部分的圖案線寬之檢查頻率，或圖案缺陷之檢查頻率。
  10. 如申請專利範圍第9項之元件製造方法，其中，當使用校正用基準基板來作為該基板時，該調整步驟中，係考量與形成在該基準基板上之測量用圖案之扭曲相關之資訊，來調整作為進行該測定檢查處理之測定檢查器所選擇之測定檢查器的測定檢查條件、及測定檢查結果之至少一方相關資訊。
  11. 如申請專利範圍第4項之元件製造方法，其中，該基板處理包含：對該基板上之膜生成處理、對該基板之元件圖案之轉印處理、轉印後元件圖案之顯影處理、以及轉印後元件圖案之蝕刻處理；與該基板處理之處理狀態相關之資訊包含：與該轉印處理之該基板與元件圖案之控制誤差相關之資訊、以及與該膜生成處理及該顯影處理之處理狀態相關之資訊之至少一方。
  12. 一種元件製造系統，係經由包含對基板之測定檢查處理之一連串基板處理以製造元件，其具備：取得裝置，係用以取得與該基板相關之資訊、以及與對該基板之一連串基板處理相關之資訊之至少一方；複數個測定檢查器，係進行同一測定檢查處理；選擇裝置，係依據所取得之該資訊，自該複數個測定檢查器中選擇一個實際測定檢查該基板之測定檢查器；以及調整裝置，係依據所取得之該資訊，調整與所選擇之該測定檢查器之測定檢查條件及測定檢查結果相關之資訊之至少一方。
  13. 如申請專利範圍第12項之元件製造系統，其進一步具備：基板處理裝置，係進行該基板處理；以及校正裝置，係在設於該測定檢查器且用以檢測與該基板相關之資訊之檢測系統、以及設於該基板處理裝置且用以檢測與該基板相關之資訊之檢測系統的至少一部分為共通時，在以該調整裝置進行該調整前，使用校正用基準基板，校正該測定檢查器與該基板處理裝置之檢測系統的共通部之動作條件。
  14. 如申請專利範圍第13項之元件製造系統，其中，該檢測系統具備以下至少一方：對與該基板上圖案相關之資訊進行光電檢測的檢測系統；以及檢測該基板對該檢測系統之焦點之相關資訊的焦點檢測系統。
  15. 如申請專利範圍第12至14項中任一項之元件製造系統，其中，與對該基板之一連串基板處理相關之資訊至少包含以下一個資訊：與藉由該基板處理而形成在該基板上之定位用標記檢測處理相關之資訊；與該基板處理裝置之焦點相關之資訊；與藉由該基板處理而形成在該基板上之圖案排列相關之資訊；與藉由該基板處理而形成在該基板上之圖案扭曲相關之資訊；與該基板處理之處理狀態相關之資訊；與該基板處理之環境相關之資訊；以及與生成在該基板上之膜之測定檢查結果相關之資訊。
  16. 如申請專利範圍第15項之元件製造系統，其中，該複數個測定檢查器，係進行重疊形成於該基板上之元件圖案所含之複數個重疊誤差測定用標記之測定；該調整裝置，係根據與該基板處理之處理狀態相關之資訊、與該基板處理之環境相關之資訊、以及與生成在該基板上之膜之測定檢查結果相關之資訊之至少一者，進行重疊誤差測定用標記之測定條件、測定結果以及測定環境之至少一者之調整。
  17. 如申請專利範圍第15項之元件製造系統，其中，該複數個測定檢查器，係進行重疊形成於該基板上之元件圖案所含之複數個重疊誤差測定用標記之測定；該調整裝置，係根據與該基板處理之處理狀態相關之資訊、與該基板處理之環境相關之資訊、以及與生成在該基板上之膜之測定檢查結果相關之資訊之至少一者，來去除判斷為異常之重疊誤差測定用標記。
  18. 如申請專利範圍第15項之元件製造系統，其中，該複數個測定檢查器，係進行形成在該基板上之元件圖案之圖案線寬檢查以及圖案缺陷檢查之至少一方；該調整裝置，係根據與該基板處理之處理狀態相關之資訊、與生成在該基板上之膜之測定檢查結果相關之資訊之至少一方，調整圖案線寬檢查及圖案缺陷檢查之至少一方之檢查條件。
  19. 如申請專利範圍第18項之元件製造系統，其中，該調整裝置，係與判斷為正常之部分相較更重點性地檢查判斷為異常之部分。
  20. 如申請專利範圍第19項之元件製造系統，其中，該調整裝置，係減低判斷為正常之部分之圖案線寬之檢查頻率，或圖案缺陷之檢查頻率。
  21. 如申請專利範圍第20項之元件製造系統，其中，當使用校正用基準基板來作為該基板時；該調整裝置，係考量與形成在該基準基板上之測量用圖案的扭曲相關之資訊，調整作為進行該測定檢查處理之測定檢查器所選擇之測定檢查器的測定檢查條件、及測定檢查結果之至少一方相關資訊。
  22. 如申請專利範圍第15項之元件製造系統，其中，該基板處理包含：對該基板上之膜生成處理、對該基板之元件圖案之轉印處理、轉印後元件圖案之顯影處理、以及轉印後元件圖案之蝕刻處理；與該基板處理之處理狀態相關之資訊，包含：與該轉印處理之該基板與元件圖案之控制誤差相關之資訊、以及與該膜生成處理及該顯影處理之處理狀態相關之資訊之至少一方。
  23. 一種測定檢查裝置，係進行對基板之測定檢查處理，其具備：取得裝置，係取得與該基板相關之資訊、以及與對該基板之一連串基板處理相關之資訊之至少一方；判定裝置，係依據所取得之該資訊，判定是否適於實際測定檢查該基板；以及調整裝置，係於藉由該判定裝置判定為適當時，依據所取得之該資訊，調整與測定檢查條件及測定檢查結果相關之資訊之至少一方。
  24. 如申請專利範圍第23項之測定檢查裝置，其進一步具備校正裝置，係在設於該測定檢查器且用以檢測與該基板相關之資訊之檢測系統、以及設於進行該基板處理之基板處理裝置且用以檢測與該基板相關之資訊之檢測系統的至少一部分為共通時，在以該調整裝置進行調整前，使用校正用基準基板校正該檢測系統的共通部之動作條件。
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