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TWI430049B - 微影方法及裝置 - Google Patents

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TWI430049B
TWI430049B TW099135485A TW99135485A TWI430049B TW I430049 B TWI430049 B TW I430049B TW 099135485 A TW099135485 A TW 099135485A TW 99135485 A TW99135485 A TW 99135485A TW I430049 B TWI430049 B TW I430049B
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Ｍ 哈姆得 阿克沙
Original Assignee
Ａｓｍｌ荷蘭公司
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Description

微影方法及裝置
本發明係關於一種微影方法及裝置。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案，該圖案對應於待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次圖案化之鄰近目標部分的網路。已知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案之一影像曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。
在半導體製造工業中，針對愈來愈小之特徵及增加密度之特徵的需求日益增加。臨界尺寸(CD)正快速地減小且正變得極接近於目前先進技術之曝光工具(諸如上文所描述之步進器及掃描器)的理論解析度極限。旨在增強解析度且最小化可印刷CD之習知技術包括：降低曝光輻射之波長；增加微影裝置之投影系統之數值孔徑(NA)；及/或在圖案化器件圖案中包括小於曝光工具之解析度極限的特徵，使得該等特徵將不印刷於基板上，但使得其將產生可改良對比度且使精細特徵清晰之繞射效應。
為了確保施加至基板之圖案特徵按照意圖進行施加(例如，為了確保滿足臨界尺寸極限、要求或均一性)，可能需要至少部分地校正微影裝置中之像差。像差可歸因於微影裝置之投影系統之一或多個元件之加熱而出現，其可引起該一或多個元件之失真或其類似者。先前，為了至少部分地校正此等像差，可移動或重新定向投影系統之一或多個元件(例如，透鏡元件或反射元件)。可快速地進行此等元件之移動或重新定向，且因此，可至少部分地校正像差(即使係時變的)。然而，在最近時期，已建議藉由改變傳遞通過投影系統之輻射光束之一或多個部分的相位來校正此等像差。可使用相位調整器來控制相位，相位調整器可含有安置於投影系統之透鏡光瞳平面中的光學元件。可加熱光學元件之一或多個部分，以便改變該部分之折射率，且因此，在使用中調整傳遞通過該部分之輻射光束之部分的相位。
與相位調整器(其使用熱作為可供控制相位之手段)之使用相關聯的問題在於：不能以與像差相同的改變速率進行經施加之加熱(或冷卻)之改變速率。此情形意謂在(例如)光學元件之該部分之所要時間-溫度特性與光學元件之該部分之所要時間-溫度特性之間存在顯著誤差。此誤差可導致施加至基板之圖案特徵(亦即，未按照意圖施加之圖案特徵)中的誤差。
需要提供(例如)一種微影方法及/或裝置，其消除或減輕無論是在本文中或是在別處所識別的先前技術之至少一問題，或其提供一現存微影方法或裝置之一替代例。
根據本發明之一態樣，提供一種微影方法，其包括控制一微影裝置之一相位調整器，該相位調整器經建構及配置以調整橫穿該相位調整器之一光學元件之一輻射光束之一電場的一相位(例如，該光學元件安置於在該輻射光束傳遞通過或將傳遞通過該微影裝置時的該輻射光束之一路徑中)，該方法包括：控制引起該光學元件之一部分之一實際時間-溫度特性的提供至該相位調整器之一信號，該信號之該控制係使得該實際時間-溫度特性之一改變領先於該光學元件之該部分之一所要時間-溫度特性之一相關改變。
該光學元件可安置於該微影裝置之一光瞳平面中或附近，例如，安置於一投影系統之一光瞳平面中或附近。
該控制係參考該光學元件之一部分之一所要時間-溫度特性而進行。對該光學元件之該部分之該所要時間-溫度特性的參考可包括參考該所要時間-溫度特性中在一未來時間的該光學元件之一部分之一所要時間-溫度特性。或者或另外，此「參考」可被描述為：引起該實際時間-溫度特性的提供至該相位調整器之該信號之該控制包括使用至少與該所要時間-溫度特性中在一未來時間之該所要時間-溫度特性相關的資訊。
該所要時間-溫度特性及/或該實際時間-溫度特性之該改變可為該所要時間-溫度特性自一正梯度至一負梯度的一梯度之一改變，或自一負梯度至一正梯度的一梯度之一改變，或自一零梯度至一負梯度的一梯度之一改變，或自一零梯度至一正梯度的一梯度之一改變。該所要時間-溫度特性之該梯度之該改變及該實際時間特性之該相關且領先之改變可均為在同一方向或指向上(例如)自一正梯度至一負梯度之改變，或自一負梯度至一正梯度之改變，或自一零梯度至一負梯度之改變，或自一零梯度至一正梯度之改變。該實際時間-溫度特性之該梯度之該改變可為該光學元件之該部分自加熱至冷卻之一過渡的一後果或一結果，或該光學元件之該部分自冷卻至加熱之一過渡的一後果或一結果。
該所要時間-溫度特性之該改變可與該微影裝置之一投影系統(例如，其一或多個元件)之一溫度改變相關。該投影系統之該溫度改變可由橫穿該投影系統(例如，其一或多個元件)之一輻射光束引起。該投影系統(例如，其一或多個元件)之該溫度改變可由該微影裝置自一閒置狀態至一操作狀態的狀態之一改變引起。該投影系統(例如，其一或多個元件)之該溫度改變可由橫穿該投影系統(例如，其一或多個元件)之一輻射光束之一劑量及/或分佈改變引起。提供至該相位調整器之該信號可至少部分地校正由該投影系統之該溫度改變引起的該投影系統(例如，其一或多個元件)中之一或多個像差。該投影系統之該一或多個元件可為或可包括該相位調整器之該光學元件。
提供至該相位調整器之該信號可引起該光學元件之該部分之(例如，被動或主動)加熱或冷卻。
該方法可包括控制引起該光學元件之一或多個部分中每一者之一實際時間-溫度特性的提供至該相位調整器之一或多個信號。
根據本發明之另一態樣，提供一種微影裝置，其包括：一照明系統，其經組態以調節一輻射光束；一圖案化器件支撐件，其經組態以支撐一圖案化器件，該圖案化器件經組態以在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案；一基板固持器，其經組態以固持一基板；一投影系統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上；一相位調整器，其經建構及配置以調整橫穿該相位調整器之一光學元件之一輻射光束之一電場的一相位(例如，該光學元件安置於在該輻射光束傳遞通過或將傳遞通過該微影裝置時的該輻射光束之一路徑中)；及一控制器，其經建構及配置以在使用中控制引起該光學元件之一部分之一實際時間-溫度特性的提供至該相位調整器之一信號，該信號之該控制係使得該實際時間-溫度特性之一改變領先於該光學元件之該部分之一所要時間-溫度特性之一相關改變。
該光學元件可安置於該微影裝置之一光瞳平面中或附近，例如，安置於一投影系統之一光瞳平面中或附近。
該控制器可被進行以下各者中之一或多者：具備與該光學元件之該部分之該所要時間-溫度特性相關的資訊；及/或經建構及配置以接收與該光學元件之該部分之該所要時間-溫度特性相關的資訊；及/或經建構及配置以擷取與該光學元件之該部分之該所要時間-溫度特性相關的資訊。
該控制器可經建構及配置以使用與該光學元件之該部分之該所要時間-溫度特性相關的該資訊來控制提供至該相位調整器之該信號。
與該光學元件之該部分之該所要時間-溫度特性相關的該資訊可包括與該所要時間-溫度特性中在一未來時間之一所要時間-溫度特性相關的資訊。
該光學元件可包括複數個可控制部分。每一部分可具備一加熱金屬絲或其他加熱元件。
該相位調整器可包括一或多個雷射，該一或多個雷射經組態以提供在使用中經引導至或可引導至該光學元件之該部分上的紅外線輻射。該相位調整器可具備一導引器或一導引配置，該導引器或該導引配置係用於將紅外線輻射導引至該光學元件之一或多個部分上。
現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部分。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置100。裝置100包括：
照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射，其係(例如)藉由在248奈米或193奈米之波長下操作的準分子雷射產生；或EUV輻射，其係(例如)藉由在約13.6奈米之波長下操作的雷射點火電漿源產生)；
圖案化器件支撐件或支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA，且連接至經組態以根據特定參數來準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM；
基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，塗佈抗蝕劑之晶圓)W，且連接至經組態以根據特定參數來準確地定位該基板之第二定位器PW；及
投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將藉由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包括一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用以引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
圖案化器件支撐件MT固持圖案化器件。圖案化器件支撐件MT以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如圖案化器件是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件。圖案化器件支撐件MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件。圖案化器件支撐件MT可為(例如)框架或台，其可根據需要而係固定或可移動的。圖案化器件支撐件MT可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。可認為本文中對術語「比例光罩」或「光罩」之任何使用均與更通用之術語「圖案化器件」同義。
本文中所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何器件。應注意，例如，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則圖案可能不會確切地對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所產生之器件(諸如積體電路)中的特定功能層。
圖案化器件可為透射或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中係熟知的，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於藉由鏡面矩陣反射之輻射光束中。
本文中所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合，其適合於所使用之曝光輻射，或適合於諸如浸潤液體之使用或真空之使用的其他因素。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用均與更通用之術語「投影系統」同義。
如此處所描繪，裝置100為透射類型(例如，使用透射光罩)。或者，裝置可為反射類型(例如，使用如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影裝置100可為具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上圖案化器件台)的類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
微影裝置100亦可為如下類型：其中基板之至少一部分可藉由具有相對較高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，圖案化器件(例如，光罩)與投影系統之間。浸潤技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。如本文中所使用之術語「浸潤」不意謂諸如基板之結構必須浸漬於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源與微影裝置可為分離實體。在此等情況下，不認為輻射源形成微影裝置之部分，且輻射光束係憑藉包括(例如)適當引導鏡面及/或光束擴展器之光束傳送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，例如，當輻射源為水銀燈時，輻射源可為微影裝置之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束傳送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包括經組態以調整輻射光束之角強度分佈的調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面PPi 中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作外部及內部)。此外，照明器IL可包括各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於圖案化器件支撐件(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且係藉由該圖案化器件而圖案化。在橫穿圖案化器件MA後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，基板台WT可準確地移動，例如，以使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件MA。一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現圖案化器件支撐件MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之情況下，圖案化器件支撐件MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔用專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。類似地，在一個以上晶粒提供於圖案化器件MA上之情形中，圖案化器件對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪裝置100可用於以下模式中之至少一者中：
在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使圖案化器件支撐件MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C的大小。
在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描圖案化器件支撐件MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於圖案化器件支撐件MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使圖案化器件支撐件MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
圖1之裝置之光學配置使用柯而勒照明(Koehler illumination)。在柯而勒照明的情況下，照明系統IL中之光瞳平面PPi 係與投影系統PS之光瞳平面PPp 共軛。光瞳平面PPp 為經定位有圖案化器件MA之物件平面之傅立葉(Fourier)變換平面。如所習知，可藉由參考照明系統之光瞳平面PPi 中光束B之輻射之強度分佈來描述此裝置之照明模式。在圖案化器件MA之圖案之繞射效應的條件下，投影系統PS之光瞳平面PPp 中之強度分佈將與照明系統之光瞳平面PPi 中之強度分佈實質上相同。
投影系統PS包括相位調整器110，相位調整器110經建構及配置以調整橫穿該投影系統之光學輻射光束之電場的相位。如圖2示意性地所展示，相位調整器110可包括由實質上能透射光束B之輻射之材料製成的光學元件310。在另一實施例中，光學元件310可能反射光束B之輻射。相位調整器110可進一步包括控制器340。橫穿元件310之波之光徑長度可回應於藉由控制器340供應之信號加以調整。光學元件310可(例如)實質上被安置於或可安置於諸如光瞳PPp 之傅立葉變換平面中，且使得在使用中，自圖案化器件發出之繞射光束DB橫穿光學元件310。
圖3更詳細地說明相位調整器110，且展示光學元件310之俯視圖(沿著Z軸)。橫穿元件310之光波之相位的調整可藉由如下方式獲得：將熱施加至光學元件310之部分320(亦即，加熱光學元件310之部分320)，或自光學元件310之部分320移除熱(亦即，冷卻光學元件310之部分320)，藉此引入該元件之材料之折射率相對於鄰近於部分320之材料之折射率的局域改變。熱之施加可藉由(例如)將電流傳輸通過金屬絲330實現，金屬絲330具有歐姆電阻，且經配置成接觸元件之部分320且接觸經配置以將電流提供至金屬絲330之控制器340。
光學元件之複數個鄰近部分可具備用於使任何部分獨立於任何其他部分進行加熱之複數個對應金屬絲。舉例而言，如圖4示意性地所說明，鄰近部分320-1直至320-44安置於鄰近列中，且自左至右及自上至下加以編號。部分320-1直至320-44中之每一部分320具備對應編號之加熱金屬絲330-1直至330-44(但圖4僅僅出於清楚起見而僅針對部分320-4及320-37說明此情形)。控制器340經建構及配置成使得每一金屬絲可獨立地被電流啟動。此情形使能夠根據在X、Y平面中遍及元件310的溫度之空間分佈而將空間相位分佈施加至橫穿元件310之光波。
或者或此外，光學元件310可包括經配置以含有冷卻流體之一或多個通道。相位調整器110可包括冷卻流體供應及擷取系統，該冷卻流體供應及擷取系統連接至該一或多個通道且經配置以使冷卻流體在受控溫度下循環通過該一或多個通道。類似於金屬絲330，一冷卻通道可與每一部分320相關聯；然而，或者，單一冷卻通道可經配置以用於所有部分320。元件310之冷卻結合元件310之部分320之加熱可使能夠在延伸至低於及高於標稱溫度之溫度範圍內調整部分320之溫度。標稱溫度可(例如)為裝置100之規定所要操作溫度，或投影系統PS之光學元件之材料之規定所要操作溫度。
可自美國專利申請案第11/593,648號搜集到相位調整器110之實施例。部分320之總數不限於44個。取而代之，一般而言，總數可取決於溫度分佈之所要空間解析度。舉例而言，部分320中每一者之面積相對於投影系統PS之光瞳平面PPi 中之淨面積(clear area)之大小的比率可在100與1000之間。
應注意，本發明不限於相位調整器110之上述特定實施例。本文中僅出於說明性目的而呈現此實施例。基於本文中所含有之教示，額外實施例對於熟習相關技術者將係顯而易見的。舉例而言，圖5揭示相位調整器400之替代實施例。替代相位調整器400可包括一或多個紅外線雷射410，紅外線雷射410經配置以選擇性地加熱安置於投影系統PS之(透鏡)光瞳平面PPp 中的光學元件430之部分420。紅外線輻射440可藉由(例如)一或多個中空光纖、透鏡、反射元件或藉由一或多個紅外線雷射410之適當定向而導引至光學元件430之選定部分420。可自日本專利申請公開案JP 2007317847 A搜集到此實施例之另外細節。在不存在冷卻器的情況下，不同部分420之溫度可經配置以藉由將對應相互不同量之紅外線輻射能量440供應至對應不同部分420而彼此相互不同。因而，可將標稱溫度規定為(例如)相互不同溫度之平均溫度值。在另一實施例中，可使用不同於雷射之輻射源來提供用於加熱光學元件之輻射。輻射可為不同於紅外線輻射之輻射，且可為(例如)UV或DUV輻射。
可使用如上文所描述之相位調整器來(例如)至少部分地校正投影系統中之像差，該等像差可(例如)由投影系統之溫度改變引起。投影系統之溫度改變可由橫穿投影系統之輻射光束引起。舉例而言，溫度改變可為如下改變或可由如下改變引起：微影裝置自閒置狀態至操作狀態(亦即，自輻射不橫穿投影系統之狀態至輻射光束橫穿投影系統之狀態)的狀態之改變。或者或另外，投影系統之溫度改變可由橫穿投影系統之輻射之劑量及/或分佈(例如，角分佈或強度分佈)改變引起。此等改變可歸因於施加至基板之不同圖案而引起，或由用以將相同或不同圖案施加至基板之不同區域之輻射光束之屬性改變引起。或者或另外，溫度改變可在基板之不同區域(例如，晶粒或目標部分)之曝光之間引起，或藉由不同基板之曝光引起。
為了考量及至少部分地補償投影系統之溫度改變(其可涉及投影系統之一或多個元件之溫度改變)及所引起的像差，可建立一模型。可使用該模型來預測或提供相位調整器之光學元件之一或多個部分之所要時間-溫度特性，該所要時間-溫度特性將為至少部分地校正投影系統中之像差所需要。舉例而言，圖6展示控制器340可如何將一信號提供至包括光學元件310之相位調整器，以便控制該光學元件之一或多個部分320之時間-溫度特性。
圖7示意性地描繪如下曲線圖：其具有針對(例如)如上文所描述之光學元件之一部分的所要時間(TI)-溫度(TE)特性D之標繪圖。可自模型化或其類似者判定此所要時間-溫度特性D。在圖7及圖8中以任意單位提供溫度TE。在圖7、圖8及圖9中以分鐘為單位提供時間TI。
對於第一時間週期500，所要時間-溫度特性D不具有梯度，此情形意謂：在此週期500期間，不存在對加熱或冷卻光學元件之部分的期望或意圖。此週期500可(例如)對應於如下情形：微影裝置在閒置且輻射光束不傳遞通過該裝置之投影系統，且因此，在投影系統中不存在需要校正之熱誘發性像差。
在此第一週期500之後，存在對應於微影裝置在操作之週期的第二週期510。在此週期510期間，輻射光束可橫穿微影裝置之投影系統，藉此加熱投影系統且引起需要校正之像差。可藉由(例如)適當地加熱光學元件之一部分(或多個部分)來校正此等像差。在此週期510期間，所要時間-溫度特性D適當地且週期性地增加或減小。特性D之改變之週期及量值可與投影系統之溫度改變之週期及量值相關。
為了能夠達成實際時間-溫度特性A，將控制信號CS提供至相位調整器，控制信號CS引起控制隨著時間TI推移的光學元件之該部分之實際溫度TE。自圖7可看出，此實際時間-溫度特性A不匹配於所要時間-溫度特性D(亦即，在該等特性之間存在誤差)。此情形可由於許多原因中之一者，但通常係與相位調整器中之硬體限制相關聯。舉例而言，與微影裝置之投影系統之加熱相關聯的時間常數(其將對應於所要時間-溫度特性D之改變速率的時間常數)可能低於相位調整器之時間常數。此情形可能意謂相位調整器之溫度改變不能匹配於(亦即，跟上)投影系統之溫度改變。或者或另外，相位調整器可具有低於藉由所要時間-溫度特性D規定之所要操作極限的操作極限。舉例而言，相位調整器可能不能夠達到或達成由(例如，經模型化)所要時間-溫度特性D所需求之特定高或低溫度。
因為實際時間-溫度特性A不匹配於所要時間-溫度特性D，所以不能以理想方式校正投影系統中之像差。因此，需要能夠改良相位調整器之控制，使得相位調整器之光學元件之一部分(或一或多個部分)之實際時間-溫度特性A更接近地匹配於或類似於該部分(或該等部分)之所要時間-溫度特性D。
根據本發明之一實施例，可消除或減輕與相位調整器之習知控制相關聯的一或多個問題。根據本發明之一實施例，提供一種微影方法，其包括控制一微影裝置之一相位調整器。該相位調整器經建構及配置以調整橫穿該相位調整器之一光學元件之該輻射光束之一電場的一相位，該光學元件安置於該微影裝置之一投影系統之一光瞳平面中(見(例如)上文所描述之實施例)。該方法包括控制引起該光學元件之一部分之一實際時間-溫度特性的提供至該相位調整器之一信號。該控制係參考該光學元件之一部分之一所要時間-溫度特性而進行。與現存控制方法對比，根據本發明之一實施例，該信號之該控制係使得該實際時間-溫度特性之一改變領先於該所要時間-溫度特性之一相關改變。
如上文所論述，光學元件之一部分之所要加熱速率與光學元件之該部分之實際加熱速率之間的時間常數之差異可引起實際時間-溫度特性與所要時間-溫度特性之間的顯著誤差，且因此引起由投影系統之加熱引起之像差的不良校正。藉由使光學元件之該部分之實際時間-溫度特性之改變在所要時間-溫度特性之相關改變之前，可至少部分地考量或補償時間常數(及/或其他硬體限制)之差異。此情形可引起(例如)所要時間-溫度特性與實際時間-溫度特性之間的平均誤差降低，或該等特性之間的最大誤差降低。
提供實際時間-溫度特性所需要的對所要時間-溫度特性之參考可包括參考該所要特性中在未來時間之所要時間-溫度特性。或者或另外，此情形可被描述為：該方法包括藉由使用至少與該所要時間-溫度特性中在未來時間之所要時間-溫度特性相關的資訊來控制引起實際時間-溫度特性的提供至相位調整器之信號。舉例而言，此情形意謂：可提前看見所要時間-溫度特性之任何改變且提前按照該等任何改變而行動，因此留下足夠時間以使實際時間-溫度特性改變。舉例而言，取決於用以控制光學元件之溫度之相位調整器的時間常數(及/或任何其他硬體效能值)，可藉由在所要時間-溫度特性中提前預看10分鐘、20分鐘、30分鐘、40分鐘、50分鐘、60分鐘或60分鐘以上之時間來建立實際時間-溫度特性。
上文所提及之改變可為光學元件之該部分之所要時間-溫度特性及/或實際時間-溫度特性之梯度改變。該等改變很可能為顯著的，例如，自正梯度至負梯度，或自負梯度至正梯度，或自零梯度至負梯度，或自零梯度至正梯度。此外，所要時間-溫度特性之梯度之改變及實際時間-溫度特性之領先改變很可能在同一方向或指向上。此情形意謂：所要時間-溫度特性之改變及實際時間-溫度特性之領先改變將均為自正梯度至負梯度之改變，或自負梯度至正梯度之改變，或自零梯度至負梯度之改變，或自零梯度至正梯度之改變。時間-溫度特性之梯度之改變可為光學元件之該部分自加熱至冷卻之過渡的後果，或光學元件之該部分自冷卻至加熱之過渡的後果。加熱或冷卻可為主動的或被動的。舉例而言，可藉由加熱器來加熱光學元件之該部分以增加其溫度，及藉由將冷卻流體或其類似者傳遞通過或經過該部分來冷卻該部分以降低其溫度。此情形可被稱作主動加熱及主動冷卻。在另一實例中，可停止該部分之加熱或該部分之冷卻且允許該部分之溫度達到平衡位準。舉例而言，此情形可分別被解釋為被動冷卻或被動加熱。
自上文可理解，所要時間-溫度特性可與實際時間-溫度特性成比例(例如，在一般形狀或其類似者方面)。舉例而言，實際時間-溫度特性之形狀可在許多方面類似於所要時間-溫度特性之形狀，但實際時間-溫度特性可(例如)稍微偏移，使得如上文所論述之梯度改變的發生時間可早於所要時間-溫度特性之梯度改變的發生時間。
如上文關於相位調整器之實施例所論述，控制光學元件之一部分之溫度可引起對應地控制光學元件之該部分之折射率。因此，或者或另外，上文及下文所提及之時間-溫度特性可被描述為或被解釋為時間-折射率特性。
現將參看圖8及圖9來描述本發明之一特定實施例。
圖8為如下曲線圖：其示意性地描繪相位調整器之光學元件之一部分之所要時間-溫度特性D。所要時間-溫度特性D係與圖7所示且參看圖7所描述之所要時間-溫度特性相同。
現以組合方式參看圖7及圖8。在圖8中，提供至相位調整器之控制信號比其在圖7中被更早地提供(600)。控制信號(或具體而言，「高」或「開啟」控制信號)之更早提供600確保實際時間-溫度特性A在圖8中比在圖7中於更早時間自零梯度改變至正梯度。在圖8中，此情形意謂實際時間-溫度特性A之梯度改變領先於所要時間-溫度特性D之梯度之相關改變。
當微影裝置針對在閒置週期500之後的週期510在操作中時，實際時間-溫度特性A之梯度之改變(例如，自正梯度至負梯度之改變，或自負梯度至正梯度之改變，及其類似者)再次領先於所要時間-溫度特性D之相關改變。此情形係藉由控制信號CS之改變之適當時序達成，該等改變亦領先於所要時間-溫度特性D之突然梯度改變(亦即，自正梯度至負梯度，或自負梯度至正梯度，或自零梯度至負梯度，或自零梯度至正梯度)。此情形與圖7所示之習知控制機制形成十分明顯的對比，在該習知控制機制中，實際時間-溫度特性A之梯度改變與所要時間-溫度特性D之相關改變重合或發生在所要時間-溫度特性D之相關改變之後。圖9示意性地描繪與圖8所示且參看圖8所描述之方法相關聯的益處。
圖9為如下曲線圖：其示意性地描繪根據圖7所示且參看圖7所描述之習知控制的所要時間-溫度特性與實際時間-溫度特性之間的誤差E1，且亦示意性地描繪使用根據本發明之一實施例之控制方法(如圖8所描繪)的所要時間-溫度特性與實際時間-溫度特性之間的誤差E2。在圖9中以任意單位提供誤差E。
圖9說明：仍存在與使用根據本發明之一實施例之控制方法相關聯的誤差E2，且在一些時期，關聯誤差E2大於在相位調整器之習知控制之情況下的誤差E1。然而，對於微影裝置之終端使用者而言有時或常常重要的並不是新控制方法與現存控制方法之間的誤差改變，而是新方法與現存方法之間的最大誤差之絕對降低(若適用)。此係因為：在將容限建置至微影裝置之操作或使用該裝置所提供或製造之圖案特徵、器件或其類似者之規格中時，正是此等最大誤差或極端誤差需要被考量。圖9展示：與習知控制相比較，藉由使用根據本發明之一實施例之控制方法，將最大控制誤差700降低約30%，此降低無疑為顯著降低。
如上文所論述，(例如)實際時間-溫度特性之梯度之改變領先於所要時間-溫度特性之梯度之相關改變。實際時間-溫度特性之梯度之改變與所要時間-溫度特性之梯度之改變之間的時間可取決於許多因數，例如，投影系統被加熱之持續時間、加熱速率、所供應之最大溫度或熱，及其類似者。在(例如)藉由在所要時間-溫度特性處或中預看(例如，在未來時間)以判定梯度改變之所需時序來判定實際時間-溫度特性之梯度改變的時序時，控制方法或實施該方法之控制器可考量此等因數(例如，使用一模型或其類似者)。舉例而言，針對供控制器或控制方法預看以判定所需梯度改變的週期，控制方法或控制器可經組態以考量相位調整器之操作極限(例如，最大溫度、最小溫度、時間常數、熱供應速率或排熱速率，及其類似者)，且藉由使用此等因數來判定將引起在該時間週期(或換言之，時間窗)內所要時間-溫度特性與實際時間-溫度特性之間的誤差降低或最小的梯度。
根據本發明之另一但相關之實施例，提供一種能夠進行上文所描述之控制方法之微影裝置。該裝置包括一照明系統，其用於調節一輻射光束。該裝置進一步包括一圖案化器件，其用於在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案。亦提供一基板固持器，其用於固持一基板。該裝置進一步包括一投影系統，其用於將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上。進一步提供一相位調整器(例如，如在上文所描述之實施例中之任何一或多者中所描述的一相位調整器)，其用於調整橫穿該相位調整器之一光學元件之一輻射光束之一電場的一相位。該光學元件安置於該投影系統上之一光瞳平面中。亦提供一控制器，其經建構及配置以在使用中控制提供至該相位調整器之一信號。該控制器所提供之該信號引起該光學元件之一部分之一實際時間-溫度特性。如上文所描述，該控制係參考該光學元件之一部分之一所要時間-溫度特性而進行。如上文所論述，該控制信號係使得該實際時間-溫度特性之一改變領先於該所要時間-溫度特性之一相關改變。
該控制器可為一計算器件或其類似者。該信號可採取許多形式中之任一者。舉例而言，該信號可為針對加熱器之「開啟」或「關閉」信號，或該信號可藉由適當電流而促成加熱或提供加熱。在另一實例中，該信號可控制一或多個雷射或用於藉由該等雷射提供之輻射光束的導引器，以便控制經引導朝向光學元件之一或多個部分之輻射的量。
該控制器可(例如)以一有線或無線方式(例如，自電腦記憶體或其類似者)具備與該光學元件之該部分之該所要時間-溫度特性相關的資訊。或者或另外，該控制器可經建構及配置以(例如)以一有線或無線方式(例如，自電腦記憶體或其類似者)接收與該光學元件之該部分之該所要時間-溫度特性相關的資訊。或者或另外，該控制器可經建構及配置以(例如)以一有線或無線方式(例如，自電腦記憶體或其類似者)擷取與該光學元件之該部分之該時間-溫度特性相關的資訊。與該所要時間-溫度特性相關的該資訊可為呈數值或資料形式之所要時間-溫度特性本身，或可為表示該時間-溫度特性之代碼或其類似者。與該所要時間-溫度特性相關的該資訊可為或可包括該整個特性，或該特性之一部分。
如上文所論述，該控制器經建構及配置(例如，經組態)以使用與該所要時間-溫度特性相關的該資訊來控制提供至該相位調整器之該信號。該控制器可具備或結合促進此使用之硬體或軟體(例如，包括一模型化工具或其類似者之硬體或軟體)。與該所要時間-溫度特性相關的該資訊可包括與該特性中在一未來時間之該所要時間-溫度特性相關的該資訊。以此方式，該控制器可於待在該實際時間-溫度特性中進行或對該實際時間-溫度特性進行的該所要時間-溫度特性之改變時預看。
該光學元件可包括一或多個可控制部分，例如，其中每一部分具備一加熱金屬絲或其他形式之加熱元件。或者或另外，該相位調整器可包括一或多個雷射，該一或多個雷射經組態以提供在使用中經引導至或可引導至該光學元件之一或多個部分上的紅外線輻射。可提供一導引器或導引配置以將紅外線輻射導引至該光學元件之一或多個部分上。
已將該光學元件描述為安置於該投影系統之一光瞳平面中。若不需要成像該光學元件之特徵，則使該光學元件位於一光瞳平面中可為有益的。若該光學元件位於一光瞳平面附近且未必安置於該光瞳平面中，則亦可達成相同益處。若該光學元件之特徵之成像不為一問題，則該光學元件可安置於一場平面中或附近。總之，該光學元件可位於用以將一圖案施加至一基板之輻射光束之路徑中(該部位無需在一光瞳平面附近或與該光瞳平面重合)。該部位可能不在一投影系統中，但可在該投影系統上游或下游。
可使用該光學元件之一或多個部分之折射率來校正像差，例如，由該投影系統之一或多個元件之加熱或冷卻引起的像差，如上文所描述。該相位調整器之該光學元件可為經加熱或冷卻以引起該等像差之該等元件中之一者或該元件。可藉由適當地加熱或冷卻該光學元件之一或多個部分(例如，相同或不同部分)來校正由該輻射光束橫穿該微影裝置引起的該相位調整器之該光學元件之一或多個部分的加熱。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如製造整合光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、355奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在為5奈米至20奈米之範圍內的波長)。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指代各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取如下形式：電腦程式，其含有描述上文所揭示之方法之機器可讀指令的一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之此電腦程式。
可使用以下條款來進一步描述本發明：
1.一種微影方法，其包含：控制一微影裝置之一相位調整器，該相位調整器經建構及配置以調整橫穿該相位調整器之一光學元件之一輻射光束之一電場的一相位；及控制引起該光學元件之一部分之一實際時間-溫度特性的提供至該相位調整器之一信號，該信號之該控制係使得該實際時間-溫度特性之一改變領先於該光學元件之該部分之一所要時間-溫度特性之一相關改變。
2.如條款1之微影方法，其中控制引起該實際時間-溫度特性的提供至該相位調整器之該信號包含使用至少與該所要時間-溫度特性中在一未來時間之該所要時間-溫度特性相關的資訊。
3.如條款1或2之微影方法，其中該所要時間-溫度特性及/或該實際時間-溫度特性之該改變為該所要時間-溫度特性自一正梯度至一負梯度的一梯度之一改變，或自一負梯度至一正梯度的一梯度之一改變，或自一零梯度至一負梯度的一梯度之一改變，或自一零梯度至一正梯度的一梯度之一改變。
4.如條款3之微影方法，其中該所要時間-溫度特性之該梯度之該改變及該實際時間特性之該相關且領先之改變均為自一正梯度至一負梯度之改變，或自一負梯度至一正梯度之改變，或自一零梯度至一負梯度之改變，或自一零梯度至一正梯度之改變。
5.如條款3或4之微影方法，其中該實際時間-溫度特性之該梯度之該改變為該光學元件之該部分自加熱至冷卻之一過渡的一後果，或該光學元件之該部分自冷卻至加熱之一過渡的一後果。
6.如前述條款中任一項之微影方法，其中該所要時間-溫度特性之該改變係與該微影裝置之一投影系統之一溫度改變相關。
7.如條款6之微影方法，其中該投影系統之該溫度改變係由橫穿該投影系統之一輻射光束引起。
8.如條款6或7之微影方法，其中該投影系統之該溫度改變係由該微影裝置自一閒置狀態至一操作狀態的一狀態之一改變引起。
9.如條款6至8中任一項之微影方法，其中該投影系統之該溫度改變係由橫穿該投影系統之一輻射光束之一劑量及/或分佈改變引起。
10.如條款6至9中任一項之微影方法，其中提供至該相位調整器之該信號至少部分地校正由該投影系統之該溫度改變引起的該投影系統中之像差。
11.如前述條款中任一項之微影方法，其中提供至該相位調整器之該信號引起該光學元件之該部分之加熱或冷卻。
12.如前述條款中任一項之微影方法，其中該方法包含控制引起該光學元件之一或多個部分中每一者之一實際時間-溫度特性的提供至該相位調整器之一或多個信號。
13.一種微影裝置，其包含：一照明系統，其經組態以調節一輻射光束；一圖案化器件支撐件，其經組態以支撐一圖案化器件，該圖案化器件經組態以在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束；一基板固持器，其經組態以固持一基板；一投影系統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上；一相位調整器，其經建構及配置以調整橫穿該相位調整器之一光學元件之該輻射光束之一電場的一相位；及一控制器，其經建構及配置以在使用中控制引起該光學元件之一部分之一實際時間-溫度特性的提供至該相位調整器之一信號，該信號之該控制係使得該實際時間-溫度特性之一改變領先於該光學元件之該部分之一所要時間-溫度特性之一相關改變。
14.如條款13之微影裝置，其中該控制器被進行以下各者中之一或多者：具備與該光學元件之該部分之該所要時間-溫度特性相關的資訊；及/或經建構及配置以接收與該光學元件之該部分之該所要時間-溫度特性相關的資訊；及/或經建構及配置以擷取與該光學元件之該部分之該所要時間-溫度特性相關的資訊。
15.如條款14之微影裝置，其中該控制器經建構及配置以使用與該光學元件之該部分之該所要時間-溫度特性相關的該資訊來控制提供至該相位調整器之該信號。
16.如條款14或15之微影裝置，其中與該光學元件之該部分之該所要時間-溫度特性相關的該資訊包含與該所要時間-溫度特性中在一未來時間之一所要時間-溫度特性相關的資訊。
17.　如條款13至16中任一項之微影裝置，其中該光學元件包含複數個可控制部分。
18.　如條款13至17中任一項之微影裝置，其中每一部分具備一加熱金屬絲。
19.　如條款13至18中任一項之微影裝置，其中該相位調整器包含一雷射，該雷射經組態以提供在使用中經引導至該光學元件之該部分上的紅外線輻射。
20.　如條款19之微影裝置，其中該相位調整器具備一導引器，該導引器經組態以將紅外線輻射導引至該光學元件之一或多個部分上。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡述之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
100．．．微影裝置
110．．．相位調整器
310．．．光學元件
320．．．光學元件之部分
320-1．．．光學元件之部分
320-4．．．光學元件之部分
320-37．．．光學元件之部分
320-44．．．光學元件之部分
330．．．金屬絲
330-4．．．金屬絲
330-37．．．金屬絲
340．．．控制器
400．．．相位調整器
410．．．紅外線雷射
420．．．光學元件之部分
430．．．光學元件
440．．．紅外線輻射/紅外線輻射能量
AD．．．調整器
B．．．輻射光束
BD．．．光束傳送系統
C．．．目標部分
CO．．．聚光器
DB．．．繞射光束
IF．．．位置感測器
IL．．．照明系統/照明器
IN．．．積光器
M1．．．圖案化器件對準標記
M2．．．圖案化器件對準標記
MA．．．圖案化器件
MT．．．圖案化器件支撐件/支撐結構
P1．．．基板對準標記
P2．．．基板對準標記
PM．．．第一定位器
PPi．．．照明器之光瞳平面/照明系統之光瞳平面
PPp．．．投影系統之光瞳平面
PS．．．投影系統
PW．．．第二定位器
SO．．．輻射源
W．．．基板
WT．．．基板台
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；
圖2示意性地描繪相位調整器，其經組態以改變橫穿微影裝置之投影系統之電磁波的相位；
圖3示意性地描繪包括於相位調整器中之光學元件；
圖4示意性地描繪包括於相位調整器中之光學元件之溫度可控制部分；
圖5示意性地描繪根據本發明之另一實施例的相位調整器；
圖6示意性地描繪相位調整器，其經組態以參考相位調整器之光學元件之特定部分來改變橫穿微影裝置之投影系統之電磁波的相位；
圖7為如下曲線圖：其示意性地描繪相位調整器之光學元件之一部分之所要時間-溫度特性，連同光學元件之該部分之實際時間-溫度特性，且亦示意性地描繪引起實際時間-溫度特性的施加至相位調整器之控制信號；
圖8為根據本發明之一實施例的如下曲線圖：其示意性地描繪相位調整器之光學元件之一部分之所要時間-溫度特性，連同光學元件之該部分之實際時間-溫度特性，且亦示意性地描繪引起實際時間-溫度特性的施加至相位調整器之控制信號；及
圖9為如下曲線圖：其示意性地描繪圖7之所要時間-溫度特性與實際時間-溫度特性之間的誤差，連同圖8之所要時間-溫度特性與實際時間-溫度特性之間的誤差。
(無元件符號說明)

Claims (15)

  1. 一種微影方法，其包含以下步驟：控制微影裝置之相位調整器，該相位調整器係調整橫穿該相位調整器之光學元件之輻射光束之電場的相位；及控制引起該光學元件之一部分之一實際時間-溫度特性的提供至該相位調整器之信號，該信號之該控制係使得該實際時間-溫度特性之梯度之改變為領先於該光學元件之該部分之所要時間-溫度特性之梯度之相關改變；其中控制該信號之步驟係包含決定梯度之步驟，該梯度係帶來該所要時間-溫度特性與該實際時間-溫度特性之間的經減輕之誤差。
  2. 如請求項1之微影方法，其中控制該信號之步驟包含：使用至少與該所要時間-溫度特性中在未來時間之該所要時間-溫度特性相關的資訊。
  3. 如請求項1或2之微影方法，其中該所要時間-溫度特性及/或該實際時間-溫度特性之該梯度之改變為自正梯度至負梯度的梯度之改變，或自負梯度至正梯度的梯度之改變，或自零梯度至負梯度的梯度之改變，或自零梯度至正梯度的梯度之改變。
  4. 如請求項3之微影方法，其中該所要時間-溫度特性之該梯度之改變及該實際時間特性之該相關之領先之改變之任一者均為自正梯度至負梯度之改變，或自負梯度至正梯度之改變，或自零梯度至負梯度之改變，或自零梯度 至正梯度之改變。
  5. 如請求項1或2之微影方法，其中該所要時間-溫度特性之該梯度的改變係與該微影裝置之投影系統之溫度改變相關。
  6. 如請求項5之微影方法，其中該投影系統之該溫度改變係經由該微影裝置自閒置狀態至操作狀態的狀態之改變引起，或該投影系統之該溫度改變係由橫穿該投影系統之輻射光束之劑量及/或分佈改變引起。
  7. 如請求項5之微影方法，其中提供至該相位調整器之該信號至少部分地校正由該投影系統之該溫度改變引起的該投影系統中之像差。
  8. 如請求項1或2之微影方法，其中提供至該相位調整器之該信號係引起該光學元件之該部分之加熱或冷卻。
  9. 一種微影裝置，其包含：調節輻射光束之照明系統；圖案化器件支撐件，其支撐圖案化器件，該圖案化器件係在該輻射光束之橫截面中賦予圖案以形成經圖案化之輻射光束；基板固持器，其固持基板；投影系統，其將該經圖案化之輻射光束投影至該基板之目標部分上；相位調整器，其調整橫穿該相位調整器之光學元件之該輻射光束之電場的相位；及控制器，其在使用中控制引起該光學元件之一部分之 實際時間-溫度特性的提供至該相位調整器之信號，該信號之該控制係使得該實際時間-溫度特性之梯度之改變為領先於該光學元件之該部分之所要時間-溫度特性之梯度之相關改變；其中該控制器係決定帶來該所要時間-溫度特性與該實際時間-溫度特性之間的經減輕之誤差的梯度。
  10. 如請求項9之微影裝置，其中該控制器被進行以下各者中之一或多者：被提供與該光學元件之該部分之該所要時間-溫度特性相關的資訊；及/或接收與該光學元件之該部分之該所要時間-溫度特性相關的資訊；及/或擷取與該光學元件之該部分之該所要時間-溫度特性相關的資訊。
  11. 如請求項10之微影裝置，其中該控制器使用與該光學元件之該部分之該所要時間-溫度特性相關的該資訊來控制提供至該相位調整器之該信號。
  12. 10或11之微影裝置，其中該光學元件係包含複數個可控制部分。
  13. 10或11之微影裝置，其中該光學元件之每一部分具備加熱金屬絲。
  14. 10或11之微影裝置，其中該相位調整器包含雷射，該雷射提供在使用中經引導至該光學元件之該部分上的紅外線輻射。
  15. 如請求項14之微影裝置，其中該相位調整器具備導引器，該導引器將紅外線輻射導引至該光學元件之一或多個部分上。
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