TWI423359B - 半導體安裝裝置及半導體安裝方法 - Google Patents

Description

半導體安裝裝置及半導體安裝方法

本發明係關於將半導體晶片安裝於撓性基板之半導體安裝裝置及半導體安裝方法。

近年來，搭載/內建於各種電子機器之半導體裝置採用利用如TCP(Tape Carrier Package：捲帶式封裝)或COF(Chip on film：薄膜覆晶封裝)等之撓性(可撓性)基板之安裝技術，來謀求安裝之高密度化，且實現薄型化、輕量化。

上述撓性基板係由聚醯亞胺等形成之捲帶基材及於其上形成之導體配線等構成。導體配線係用Cu等進行光蝕刻等而形成。於該導體配線之最表面亦有焊接有搭載構件等之情形。且，如為導體配線使用Cu之情形，為防止導體配線劣化，有時亦於導體配線之表面覆蓋Sn或Au等。又，在撓性基板之形成有導體配線之面上，基於保護該導體配線之目的，於與外部電路連接之部分以外的區域形成有抗焊劑。

另一方面，通常，撓性基板於安裝半導體晶片之TCP或COF之製作步驟中為長條狀。藉此，可連續依序將撓性基板送入各製作步驟所用之生產裝置，故可藉由流程化作業高效率進行模組之形成。且，由於撓性基板為捲帶狀，故可藉由捲繞於捲帶機而進行撓性基板之供給與回收。因此，長條狀之撓性基板有利於半導體裝置之大量生產。

於如此之撓性基板上安裝半導體晶片時，使用圖3、4所示之半導體安裝裝置10。先前之半導體安裝裝置10，當撓性基板6依序送至加熱台2上時，使撓性基板6真空吸附於加熱台2，並藉由夾具30將撓性基板6壓住。其後，使保持於加熱工具4之半導體晶片5的凸塊5a與撓性基板6之半導體晶片搭載區域之電極部(內引線)位置對合而進行熱壓著。

如此先前之半導體安裝裝置，為良好進行半導體晶片與撓性基板之接著，故將半導體晶片安裝於撓性基板後，對捲帶面吹送冷卻用氣體進行急速冷卻(例如，參考專利文獻1)。

[專利文獻1]日本公開專利公報「特開2004-71608號(2004年3月4日公開)」

先前之半導體安裝裝置，在撓性基板上安裝半導體晶片時，若連續安裝半導體晶片，會因加熱工具及加熱台之熱而使夾具的溫度上升。由於其夾具之溫度傳遞至撓性基板而使撓性基板之捲帶基材(例如聚醯亞胺)發生熱膨脹，導致撓性基板上之半導體晶片搭載區域之電極部(導體配線中與半導體晶片之凸塊接合之部分、連接點)由原先應在之位置偏離。且，若捲帶基材上之導體配線的圖案形狀不同，則捲帶基材之膨脹率之量亦不同。因此，製品當中會出現連接點偏離原先位置而配線者，無法半導體晶片之凸塊順利連接。該等「偏離」成為半導體裝置之可靠性低落的原因。

另，專利文獻1中，為冷卻捲帶基材之導體配線與半導體晶片之電極的接合部而噴出氣體，但無冷卻接合前之捲帶的方法。

本發明係鑒於上述問題所為，其目的在於提供一種消除此種撓性基板上之半導體晶片搭載區域之電極部的偏離，使撓性基板之半導體晶片搭載區域之電極部與半導體晶片之外部連接部確實地接合，而能夠製造出可靠性高的半導體裝置之半導體安裝裝置。

為解決上述問題，本發明之半導體安裝裝置具備：加熱台，其係搭載捲帶基材上形成導體配線之撓性基板；及加熱工具，其係將保持之半導體晶片搭載於上述加熱台上之上述撓性基板；且，藉由上述加熱工具使上述半導體晶片之外部連接部與上述撓性基板上之半導體晶片搭載區域之電極部位置對合，而進行熱壓著；其特徵為：具備固定構件，其係使上述撓性基板固定於上述加熱台，且，於上述固定構件之內部設有氣體噴出機構，向撓性基板上之半導體晶片搭載區域噴出氣體。

根據上述構成，藉由設於固定構件之內部的氣體噴出機構，向撓性基板上之半導體晶片搭載區域噴出氣體。此處，藉由上述氣體噴出機構向半導體晶片搭載區域噴出溫度低於加熱台之氣體，可抑制撓性基板之捲帶基材之熱膨脹，防止撓性基板上之半導體晶片搭載區域之電極部因熱膨脹而由原先應在之位置偏離。另，該電極部包含上述導體配線之一部分。將半導體晶片之外部連接部接合於撓性基板之前，如上述方式藉由對半導體晶片搭載區域噴出氣體進行冷卻，其後，在接合半導體晶片之外部連接部與晶片搭載區域之電極部時，可確實地使晶片搭載區域之電極部與半導體晶片之外部連接部接合，而不發生接合位置之偏離。

另一方面，當撓性基板上之半導體晶片搭載區域之電極部偏離原先應在之位置而配線時，藉由上述氣體噴出機構，向半導體晶片搭載區域噴出溫度高於加熱台之氣體，可使撓性基板之捲帶基材發生熱膨脹，從而使撓性基板上之半導體晶片搭載區域的電極部回到原先應在之位置。在將半導體晶片之外部連接部接合於撓性基板之前，如上述方式藉由對半導體晶片搭載區域噴出氣體進行加熱，其後，在接合半導體晶片之外部連接部與晶片搭載區域之電極部時，可確實地使晶片搭載區域之電極部與半導體晶片之外部連接部接合，而不發生接合位置之偏離。

由上可得，根據上述構成，可確實地接合撓性基板之半導體晶片搭載區域之電極部與半導體晶片之外部連接端子，而不發生接合位置之偏離，可提供能夠製造可靠性高的半導體裝置之半導體安裝裝置。且，藉由氣體噴出亦可去除撓性基板上之異物。

本發明之其他目的、特徵、及優點係如下所詳述。又，本發明之效益係如參考附圖之以下說明所述。

以下茲佐以圖1及2說明本發明之實施之一形態。另，本發明不限定於此。

(半導體安裝裝置之構成)

圖1係本實施形態之半導體安裝裝置1之概略剖面圖，其顯示於撓性基板6上搭載半導體晶片5之前的狀態。如圖1所示，半導體安裝裝置1具備由下方賦與熱之加熱台2、及由上方賦與熱及壓力之加熱工具4。並具備使撓性基板6固定於加熱台2之夾具(固定構件)3。該夾具3設有氣體噴出口3a，向半導體晶片5搭載前之撓性基板6上之晶片搭載區域(半導體晶片搭載區域)噴出氣體，於後詳述。

加熱台2之上面(壓接面)與加熱工具4之下面(壓接面)平行且彼此相對。

加熱台2及加熱工具4係使半導體晶片5熱壓著於撓性基板6。藉由未圖示之移動機構，以使撓性基板6之晶片搭載區域位於加熱台2上之固定位置之方式配置撓性基板6。加熱台2由所配置之撓性基板6下方上升，使撓性基板6真空吸附。又，加熱工具4將真空吸附之半導體晶片5以其凸塊5a在下，對合位於真空吸附於加熱台2之撓性基板6之晶片搭載區域的正上方而配置。其後，使加熱工具4朝向加熱台2下降加壓壓著。本實施形態中為加熱台2上升且加熱工具4下降，然而亦可為另一者不移動之構成。

此處，加熱台2及加熱工具4分別作為加熱構件內建有加熱器(未圖示)，而能夠加熱撓性基板6及半導體晶片5。藉由該加熱，使半導體晶片5之凸塊(外部連接端子)5a與撓性基板6之晶片搭載區域之內引線(電極部)熱壓著。另，藉由控制加熱器，調整加熱台2及加熱工具4之表面溫度。本實施形態中，加熱台2控制於約100℃，加熱工具4約400℃，然而並非限定於該等數值。

加熱台2設有真空溝7，用以將撓性基板6固定於加熱台2。真空溝7由加熱台2之壓接面貫穿加熱台而設，且連接於壓縮機等(未圖示)。藉由該壓縮機等，抽吸真空溝7內之氣體，使真空溝7內部處於近似真空之狀態，而使撓性基板6真空吸附固定於加熱台2上。又，加熱工具4亦設有真空孔與上述相同，用以使半導體晶片5真空吸附固定於加熱工具。

夾具3為將撓性基板6固定於加熱台2之構件。如同以下詳述，在撓性基板6之晶片搭載區域被配置於加熱台2上之前，該夾具3以未相接於加熱台2之狀態而配置於加熱台2上方，當晶片搭載區域被配置於加熱台2之固定位置時，其下降而將撓性基板6推壓固定於加熱台2。再者，夾具3藉由設於其內部之氣體噴出機構3b，向半導體晶片5安裝前之撓性基板6上之晶片搭載區域噴出氣體。

夾具3之材料最好為不易蓄熱之材料，如不銹鋼、陶瓷等。或為即使蓄熱但易冷卻之材料，如鋁、鉬等。

夾具3之內部有空洞，使氣體可流動。作為氣體，除空氣以外亦可為N₂ 等氣體。該空洞連接有將氣體送入夾具3之空洞之送風機構，如壓縮機等。又，亦可設置使送入空洞之氣體的溫度變化之溫度轉換機構，如電熱線、熱泵等。

氣體噴出機構3b如圖2所示，其構成為，使氣體由夾具3之內部向半導體晶片5安裝前之撓性基板6上之晶片搭載區域噴出。因此，氣體噴出機構3b之氣體噴出口3a之噴出面的剖面形狀，尤其向晶片搭載區域全體吹送氣體之形狀，最好為如圓形、橢圓等。又，較好的是，由氣體噴出口3a噴出之氣體的壓力為如0.05~1.0MPa。本實施形態中，氣體噴出機構3b係由上述空洞與氣體噴出口3a構成。

在此說明撓性基板6之構成。撓性基板6係由捲帶基材(薄膜基材)、在該捲帶基材上以光蝕刻等形成之導體配線、及覆蓋導體配線圖案上之抗焊劑等構成。撓性基板6具有搭載半導體晶片5之晶片搭載區域，且上述導體配線之一部分為在晶片搭載區域中與半導體晶片5之凸塊5a接合之電極。

捲帶基材具有絕緣性，只要是可於其表面形成導體配線者即可。具體而言，作為捲帶基材，使用聚醯亞胺或聚酯等絕緣膜。導體配線只要具有導電性即可，可適宜使用Cu等，藉由光蝕刻等形成作為配線圖案。為防止導體配線之劣化，亦有於導體配線之表面覆蓋Sn或Au等之情形。又，在形成有撓性基板6之導體配線之面上，基於保護該導體配線之目的，在半導體晶片搭載區域之電極之與外部電路的連接部分以外之區域，形成有抗焊劑。

又，撓性基板6為長條狀。即，於長條狀之捲帶基材上形成有複數之導體配線圖案，在安裝半導體晶片5而完成模組(半導體裝置)之階段，以各模組為單位將捲帶基材切斷。如圖2所示，於上述捲帶基材之兩側緣以特定之間隔形成有輸送孔6a，藉由使輸送用鏈輪(未圖示)嚙合於該輸送孔6a，而使撓性基板6於長度方向移動。因此，長條狀之撓性基板6依序送入加熱台2，而安裝半導體晶片5。

如此於撓性基板6連續安裝半導體晶片5時，會因加熱工具4及加熱台2之熱使夾具3之溫度上升。其夾具3之溫度會傳遞到捲帶，使捲帶基材發生熱膨脹。又，若捲帶基材上之導體配線之圖案形狀不同，則捲帶基材之膨脹率之量亦不同。因此，撓性基板6之製品當中，便出現連接點偏離原先之位置而配線者，使其與半導體晶片5之凸塊5a無法順利連接。

然而，本實施形態藉由使用設於夾具3內部之氣體噴出機構3b，向撓性基板之晶片搭載區域噴出氣體，可消除上述「偏離」。具體而言，藉由氣體噴出機構3b向晶片搭載區域噴出溫度低於加熱台之氣體，可抑制撓性基板之捲帶基材的熱膨脹，防止因撓性基板6上之晶片搭載區域之電極部發生熱膨脹而導致由原先應在之位置偏離。

另一方面，對於撓性基板6之晶片搭載區域之電極部由原先應在之位置偏離被配線之情形，若藉由氣體噴出機構3b向晶片搭載區域噴出溫度高於加熱台2之氣體，使撓性基板6之捲帶基材熱膨脹，可使撓性基板6上之晶片搭載區域之電極部回到原先應在之位置。

此處，如圖2所示，較好的是，氣體噴出機構3b具有複數之噴出口。以氣浴式噴出而於氣體噴出機構3b上設置複數之噴出口，可向晶片搭載區域全體均勻噴射氣體。再者，如圖2所示，較好的是，夾具3此處設有2個，且分別設有氣體噴出機構3b。藉由所有的夾具均設置氣體噴出機構，可向晶片搭載區域全體均勻噴射氣體。

另，本實施形態中，藉由使夾具3接觸撓性基板6之壓力，而將撓性基板6固定於加熱台，然而亦可不使夾具3接觸撓性基板6，而藉由從夾具3噴出之氣體進行固定。該情形，由於無需如藉由夾具3之壓力將撓性基板固定於加熱台2時及解除固定時必須進行夾具3之移動，故不需要使夾具3移動之機構，而可降低該部分之成本。

又，藉由從夾具3噴出之氣體固定撓性基板6時，由氣體噴出口3a噴出之氣體之壓力雖然會因捲帶基材之硬度而不同，但較佳為，例如，與上述冷卻時或加熱時噴出之氣體之壓力相同程度之0.05~1.0MPa。但不限定於該數值。

(半導體晶片安裝方法)

其次說明使用半導體安裝裝置1將半導體晶片安裝於撓性基板6之半導體安裝方法。此處，設定將加熱工具4之表面溫度控制為約400℃，加熱台2之表面溫度控制為約100℃。該等溫度僅為一例。

首先進行配置步驟。配置步驟係以使撓性基板6之晶片搭載區域位於加熱台2上之固定位置，且使半導體晶片對合於晶片搭載區域之正上方的狀態而配置。在進行該配置步驟期間進行氣體噴出步驟。

具體地說明，首先，將撓性基板6之晶片搭載區域配置於加熱台2上之固定位置。此處，於撓性基板6之長度方向、換言之，撓性基板6之輸送方向之位置對合，係藉由用以輸送撓性基板6之未圖示之輸送用鏈輪齒進行，然而亦可用其它方法。撓性基板6以形成有導體配線之面位於加熱工具4側，即上側，且與加熱台2之壓接面平行之方式而配置於加熱台2上。

其後，進行藉由氣體向晶片搭載區域噴出氣體之氣體噴出步驟。氣體噴出步驟藉由夾具3之氣體噴出機構3b，向晶片搭載區域噴出溫度低於加熱台2之氣體，此處為5~100℃之氣體。藉由如此氣體噴出進行冷卻，可抑制撓性基板6之捲帶基材的熱膨脹，防止因撓性基板6上之晶片搭載區域之電極部發生熱膨脹而導致由原先應在之位置偏離。

其後，藉由使加熱台2上升而由下方支撐撓性基板6，並啟動連接於加熱台2之真空溝7的壓縮機，將撓性基板6真空吸附於加熱台2。再者，使夾具3由撓性基板6之上側下降，接觸撓性基板6進行按壓。使加熱台2接於撓性基板6進行輸送時，或使夾具3接於撓性基板6進行輸送時，係使用如機械臂等。

另一方面，半導體晶片5係以真空吸附於加熱工具4，並配置為與撓性基板之晶片搭載區域相對向，且使凸塊5a位於下側並位於撓性基板6之晶片搭載區域之正上方。將加熱工具4輸送於加熱台2上時係使用如機械臂等。另，藉由啟動連接加熱工具4之真空孔之壓縮機，將半導體晶片真空吸附於加熱工具4並固定。

在將半導體晶片5與撓性基板6進行熱壓著之熱壓著步驟之前，於上述氣體噴出步驟中，藉由向晶片搭載區域噴出氣體進行冷卻，可於其後之熱壓著步驟中，確實地接合撓性基板之晶片搭載區域之電極部與半導體晶片5之凸塊5a，而無接合位置之偏離。

其後說明熱壓著步驟。於上述氣體噴出步驟噴出氣體之狀態，即，將撓性基板6之晶片搭載區域冷卻之狀態，使加熱工具4下降。其後，藉由用加熱工具4及加熱台2，由上下夾住半導體晶片5與撓性基板6進行加壓及加熱。藉此，使半導體晶片5之凸塊5a與撓性基板6之晶片搭載區域之電極熱壓著。

在熱壓著步驟後，藉由解除加熱工具4內之真空孔之真空狀態，解除半導體晶片5之吸附，使加熱工具4上升，再解除賦與半導體晶片5與撓性基板6之壓力。且，亦使夾具3上升。再者，藉由解除真空溝7之真空狀態，亦解除撓性基板6與加熱台2之吸附狀態。其後，以使接下來應接著半導體晶片5之撓性基板6上之晶片搭載區域位於加熱台2上之固定位置，輸送撓性基板6。其後，與上述同樣，藉由半導體安裝裝置1進行下一個半導體晶片之安裝。另，由於將氣體朝向晶片搭載區域均勻噴出，故氣體噴出只要至少於加熱台2上升前至使加熱工具4上升時之間進行即可。亦可於更久之期間進行。又，亦可在夾具3上升中之狀態噴出氣體。

又，若捲帶基材上之導體配線之圖案形狀不同，則捲帶基材之膨脹率之量亦不同。因此，製品當中會出現撓性基板上之晶片搭載區域之電極部偏離原先應在之位置而配線者。使用如此撓性基板之情形，於上述氣體噴出步驟中，可藉由夾具3之氣體噴出機構3b，向晶片搭載區域噴出溫度高於加熱台2之氣體，如100~200℃之氣體。如此藉由氣體進行加熱，可使撓性基板6之捲帶基材發生熱膨脹，使撓性基板6上之晶片搭載區域之電極部回到原先應在之位置。如此，在熱壓著步驟之前，於氣體噴出步驟向晶片搭載區域噴出氣體進行加熱，可於其後之熱壓著步驟中，確實地接合撓性基板之晶片搭載區域之電極部與半導體晶片5之凸塊5a，而無接合位置之偏離。

如上，本發明之半導體安裝裝置，其具備：加熱台，其係搭載捲帶基材上形成導體配線之撓性基板；及加熱工具，其係將保持之半導體晶片搭載於上述加熱台上之上述撓性基板；且，藉由上述加熱工具使上述半導體晶片之外部連接部與上述撓性基板上之半導體晶片搭載區域之電極部位置對合，而進行熱壓著；其特徵為：具備固定構件，其係使上述撓性基板固定於上述加熱台，且，於上述固定構件之內部設有氣體噴出機構，向撓性基板上之半導體晶片搭載區域噴出氣體。

此處，如為噴出氣體冷卻防止捲帶基材之熱膨脹之情形，例如，可使氣體噴出機構噴出5~100℃之氣體。氣體可為空氣以外之N₂ 等氣體。又，如為噴出氣體加熱使捲帶基材發生熱膨脹之情形，例如，可使氣體噴出機構噴出100~250℃之氣體。

又，本發明之半導體安裝裝置，在上述構成基礎上，還可使上述固定構件藉由從上述氣體噴出機構所噴出氣體之氣壓，將上述撓性基板固定於上述加熱台。

根據上述構成，由於無需如藉由固定構件之壓力將撓性基板固定於加熱台時及解除固定時必須進行固定構件之移動，故不需要使固定構件移動之機構，而可降低該部分之成本。

又，本發明之半導體安裝裝置，在上述構成基礎上，較好的是，上述氣體噴出機構更具有複數之噴出口。以氣浴式噴出而於氣體噴出機構上設置複數之噴出口，可向晶片搭載區域全體均勻噴射氣體，且在藉由氣體冷卻撓性基板之情形時，可有效防止熱膨脹。或者，在藉由氣體加熱撓性基板之情形時，可有效使其發生熱膨脹。

又，本發明之半導體安裝裝置，在上述構成基礎上，較好的是，上述固定構件以複數設置，且於該複數之固定構件之每一者設有上述氣體噴出機構。藉由於所有的固定構件設置氣體噴出機構，可向晶片搭載區域全體均勻噴射氣體，且在藉由氣體冷卻撓性基板之情形時，可有效防止熱膨脹。或者，在藉由氣體加熱撓性基板之情形時，可有效使其發生熱膨脹。

又，本發明之半導體安裝裝置，在上述構成基礎上，可使上述氣體噴出機構噴出0.05~1.0MPa之氣體。

又，本發明之半導體安裝裝置，在上述構成基礎上，上述撓性基板為長條狀，且可具備使該撓性基板向長度方向移動之移動機構。

本發明之半導體安裝方法，其係使半導體晶片之外部連接部位置對合於加熱台上之撓性基板之半導體晶片搭載區域的電極部且進行熱壓著，而將上述半導體晶片安裝於上述撓性基板，其特徵為包含以下步驟：在將上述半導體晶片搭載於上述撓性基板之半導體晶片搭載區域之前，向藉由上述加熱台予以加熱且形成有撓性基板之電極部的半導體晶片搭載區域噴出氣體。

根據上述方法，可獲得與上述半導體安裝裝置相同之效果，可確實地使撓性基板之半導體晶片搭載區域之電極部與半導體晶片之外部連接端子接合，製造可靠性高的半導體裝置。

以上之發明之詳細說明中所述之具體之實施形態及實施例終究僅為說明本發明之技術內容，僅限定於如上之具體例進行狹義之解釋，在本發明之精神與後述之專利請求項之範圍內，可實施各種更改。又，即使在本說明書所示數值範圍以外，但只要是不違背本發明之主旨之合理的範圍，亦視其為包含於本發明之範圍內。

[產業上利用之可能性]

本發明可利用於搭載/內建於電子機器等半導體裝置之製造。使用本發明製造之半導體裝置，由於其裝置之可靠性增高，故可廣泛應用於民生用電子製品乃至產業用電子製品、電子零件等。例如，可利用於行動用通信終端機、筆記型電腦、家電製品、醫療儀器、及遊戲機等。

1．．．半導體安裝裝置

2．．．加熱台

3．．．夾具(固定構件)

3a．．．氣體噴出口

3b．．．氣體噴出機構

4．．．加熱工具

5．．．半導體晶片

5a．．．凸塊

6．．．撓性基板

圖1係本實施之一形態之半導體安裝裝置之剖面圖。

圖2係俯視圖1之半導體安裝裝置之加熱台及夾具時的平面圖。

圖3係先前之半導體安裝裝置之剖面圖。

圖4係俯視先前之半導體安裝裝置之加熱台及夾具時的平面圖。

1．．．半導體安裝裝置

2．．．加熱台

3．．．夾具(固定構件)

3a．．．氣體噴出口

3b．．．氣體噴出機構

4．．．加熱工具

5．．．半導體晶片

5a．．．凸塊

6．．．撓性基板

7．．．真空溝

Claims (9)

1. 一種半導體安裝裝置，具備：加熱台，其係搭載於捲帶基材上形成有導體配線之撓性基板；及加熱工具，其係保持半導體晶片且將其搭載於上述加熱台上之上述撓性基板；且，藉由上述加熱工具使上述半導體晶片之外部連接部與上述撓性基板之半導體晶片搭載區域之電極部位置對合，而進行熱壓著；其特徵為具備：固定構件，其係使上述撓性基板固定於上述加熱台；且於上述固定構件之內部設有氣體噴出機構，向撓性基板之半導體晶片搭載區域噴出氣體。
2. 如請求項1之半導體安裝裝置，其中，上述氣體噴出機構噴出5~100℃之氣體。
3. 如請求項1之半導體安裝裝置，其中，上述氣體噴出機構噴出100~250℃之氣體。
4. 如請求項1至3中任一項之半導體安裝裝置，其中，固定構件係藉由從上述氣體噴出機構所噴出氣體的氣壓，將上述撓性基板固定於上述加熱台。
5. 如請求項1至3中任一項之半導體安裝裝置，其中，上述氣體噴出機構具有複數之噴出口。
6. 如請求項1至3中任一項之半導體安裝裝置，其中，上述固定構件以複數設置，且於該複數之固定構件之每一者設有上述氣體噴出機構。
7. 如請求項1至3中任一項之半導體安裝裝置，其中，上述氣體噴出機構噴出0.05~1.0MPa之氣體。
8. 如請求項1至3中任一項之半導體安裝裝置，其中，上述撓性基板為長條狀，且上述半導體安裝裝置具備使該撓性基板於長度方向移動之移動機構。
9. 一種半導體安裝方法，其係使用如請求項1至8中任一項之半導體安裝裝置，使半導體晶片之外部連接部位置對合於上述半導體安裝裝置之加熱台上之撓性基板之半導體晶片搭載區域的電極部，藉由上述半導體安裝裝置之加熱工具進行熱壓著，而將上述半導體晶片安裝於上述撓性基板，其特徵為包含以下步驟：在將上述半導體晶片搭載於上述撓性基板之半導體晶片搭載區域之前，向藉由上述半導體安裝裝置之加熱台加熱後的撓性基板之形成有電極部的半導體晶片搭載區域，藉由上述半導體安裝裝置之氣體噴出機構噴出氣體。