TWI491451B - A substrate heating apparatus, a liquid material coating apparatus provided with the apparatus, and a substrate heating method - Google Patents

Description

基板加熱裝置，具備該裝置之液體材料塗佈裝置及基板加熱方法

本發明係關於一種對塗佈有液體材料之基板進行加熱之基板加熱裝置、具備該裝置之塗佈裝置及基板加熱方法。尤其係關於一種於半導體封裝之底部填充步驟中，在直至底部填充步驟結束為止對於基板及載置於其上之晶片不會造成損傷的基板加熱裝置、具備該裝置之塗佈裝置及基板加熱方法。

再者，於本說明書中，有時將載置有半導體晶片等工件之基板僅稱為基板。

半導體晶片之安裝技術之一中，有被稱作倒裝晶片(flip chip)方式之技術。在倒裝晶片方式中，於半導體晶片1之表面形成突起狀電極，將其相對於基板2上之電極墊而直接連接。

於倒裝晶片封裝中，為能防止由半導體晶片1與基板2之熱膨脹係數之差所產生之應力集中於連接部3，致使連接部3破損，而向半導體晶片1與基板2之間隙中填充樹脂4以加強連接部3。該步驟即稱為底部填充(參照圖1)。

底部填充步驟係藉由下述方式而進行：沿著半導體晶片1之外周塗佈液狀樹脂4，並於利用毛細管現象向半導體晶片1與基板2之間隙中填充樹脂4後，用烘箱等進行加熱，而使樹脂4硬化。

近年來，製品之小型化、薄型化得到進一步發展，伴隨此發展，倒裝晶片方式之半導體晶片1及基板2本身亦在向小型化、薄型化發展。若變為小型、薄型，則由於容易向半導體晶片1及基板2傳遞熱，故容易受周圍溫度之影響，在由此而產生之上述應力之作用下，連接部3容易破損。因此，為能確實地進行底部填充步驟中之加強而降低樹脂之黏度，為能容易進行填充而加熱基板。

例如，於專利文獻1中，揭示有一種基板加熱裝置，其係藉由噴射經加熱之氣體而加熱基板者，其特徵在於其包括：加熱單元，其具有朝向基板之底面並向上方突出而設置之突出部，且形成有氣體流路，該氣體流路之一端連通於突出部之上面所形成之噴出孔，另一端連通於氣體供給部；氣體加熱手段，其對流動於氣體流路內之氣體進行加熱；開閉閥，其打開或關閉氣體向氣體流路中之流入；以及閥控制部，其藉由控制開閉閥之開閉動作而將基板加熱至目標溫度。

又，於專利文獻2中，揭示有一種電子零件之安裝方法，其係於底部填充步驟中，在向IC晶片與基板間注入樹脂時，對IC晶片中通電，使經加熱之熱板僅接觸IC晶片，或者僅對IC晶片施加振動，藉此使IC晶片與基板之對向間之樹脂的黏性低於其他部位之樹脂的黏性。

於專利文獻3中，揭示有一種半導體裝置之製造裝置，其係具有載置已搭載有半導體晶片之捲帶式自動接合(TAB，Tape Automated Bonding)捲帶之塗佈台、並向半導體晶片與TAB捲帶之間供給樹脂者，該半導體裝置之製造裝置之特徵在於具有在塗佈台上對半導體晶片與TAB捲帶進行加熱之加熱手段。

[先行技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：日本專利特開2006-314861號公報

專利文獻2：日本專利特開2005-45284號公報

專利文獻3：日本專利特開2007-227558號公報

如上述各專利文獻中所記載，僅於塗佈時進行基板加熱之基板加熱裝置在先前已存在。然而，在申請人所瞭解的範圍內，尚無貫穿塗佈之前後而進行基板加熱之裝置。即，先前之基板加熱裝置存在下述問題：由於塗佈前後之搬送時為非加熱狀態，故塗佈時與搬送時之溫度變化變大，上述因熱膨脹係數之差所產生之應力之變化變大，因而連接部容易破損。

因此，本發明之目的在於提供一種可貫穿塗佈作業之前後而減小載置有半導體晶片之基板之溫度變化，並防止連接部之破損的基板加熱裝置、具備該裝置之塗佈裝置及基板加熱方法。

第1發明係一種基板加熱裝置，其係用以自下方對朝著一個方向被搬送、且於搬送途中對配置於其上之工件進行塗佈作業之基板進行加熱者，其特徵在於包括：加熱構件，其具備抵接於上述基板之底面而加熱基板之平坦的上面、及形成於該上面且向上述基板之底面噴出加熱用氣體之噴出用開口；以及升降機構，其使加熱構件升降。

第2發明如第1發明，其中，上述加熱構件於其上面含有使吸引力作用於上述基板之底面之吸引用開口，而於上述升降機構之上升位置，自上述吸引用開口而使吸引力發揮作用，致使上述加熱構件之上面接觸於上述基板之底面以加熱上述基板，而於上述升降機構之下降位置，自上述噴出用開口噴出經加熱之氣體以加熱上述基板。

第3發明如第2發明，其中，上述噴出用開口與上述吸引用開口係由同一開口所構成，該開口經由切換閥而連接於負壓源及加壓源。

第4發明如第1至3中之任一發明，其中，存在複數個上述開口。

第5發明如第1至4中之任一發明，其中，複數個加熱構件係於上述基板之搬送方向上連續配設。

第6發明如第5發明，其中，上述加熱構件係由長度不同之複數種類之加熱塊所構成。

第7發明係一種液體材料塗佈裝置，其包括：如第1至6中之任一發明之基板加熱裝置；吐出上述液體材料之吐出裝置；使上述吐出裝置相對於上述基板進行相對移動之驅動機構；將上述基板朝著一個方向搬送之搬送機構；以及控制該等動作之控制部。

第8發明如第7發明，其中，上述控制部係在對配置於基板上之工件進行塗佈作業時，使上述升降機構處於上升位置而使加熱構件之上面接觸於基板之底面，並在搬送基板時，使上述升降機構處於下降位置而自上述噴出口噴出經加熱之氣體。

第9發明係一種基板加熱方法，其係用以自下方對朝著一個方向被搬送、且於搬送途中對配置於其上之工件進行塗佈作業之基板進行加熱者，其特徵在於包括：接觸加熱步驟，其係藉由升降機構而使加熱構件之平坦的上面抵接於上述基板之底面，從而加熱基板；以及非接觸加熱步驟，其係藉由升降機構而使上述基板之底面與加熱構件之上述上面分開，並自形成於上述加熱構件之上面之噴出用開口而噴出加熱用氣體。

第10發明如第9發明，其中，於上述接觸加熱步驟中，自形成於上述加熱構件之上面之吸引用開口而使吸引力發揮作用。

第11發明如第10發明，其中，藉由同一開口而構成上述噴出用開口與上述吸引用開口，並將該開口經由切換閥而連接於負壓源及加壓源；於上述接觸加熱步驟中，使上述開口與負壓源連通；於上述非接觸加熱步驟中，使上述開口與加壓源連通。

第12發明如第9至11中之任一發明，其中，在對配置於上述基板上之工件進行塗佈作業時，則實施上述接觸加熱步驟，在進行上述基板之搬送時，則實施上述非接觸加熱步驟。

第13發明如第12發明，其中，於上述塗佈作業之前後實施上述非接觸加熱步驟。

第14發明如第12或13發明，其中，上述塗佈作業為底部填充步驟。

第15發明如第14發明，其中，於上述接觸加熱步驟及上述非接觸加熱步驟中，對上述基板之整個底面進行均勻加熱。藉由對基板之整個底面進行均勻加熱，可更有效地保護連接部。

若自其他觀點來說明本發明之基板加熱裝置，則如下所述。

本發明之基板加熱裝置係配設於對塗佈有液體材料之基板進行搬送之搬送機構之下方、且對上述基板進行加熱者，其特徵在於包括：流路，其一端連通於流通口，另一端連通於對與負壓源及加壓源之連通進行切換的切換閥；加熱塊，其在與上述基板相對向之面上穿設有上述流通口，且內設有上述流路；加熱器，其內設於上述加熱塊中，而對上述加熱塊進行加熱，同時對上述流路內之氣體進行加熱；溫度感測器，其內設於上述加熱塊中，而檢測上述加熱塊之溫度；溫度控制部，其根據來自上述溫度感測器之信號而控制上述加熱器；以及升降機構，其在塗佈液體材料時自底面接觸並支持上述基板的上升位置、及搬送上述基板時上述加熱塊之與上述基板相對向之面與上述基板分開的下降位置之間，使上述加熱塊進行升降移動。

較佳為：上述加熱塊在位於上述上升位置時，藉由上述切換閥而與負壓源連通，而自上述流通口吸引氣體，於上述加熱塊上吸附自底面受到支持之上述基板，使上述加熱塊接觸於上述基板從而加熱上述基板；在位於上述下降位置時，藉由切換閥而與加壓源連通，使經上述加熱器所加熱之流路內之氣體自上述流通口朝向存在於與上述加熱塊分開之位置的上述基板底面噴出，藉以加熱上述基板。此處更佳為：於上述加熱塊中穿設有複數個上述流通口，且內設有複數個上述流路。

又，較佳為：上述流路分為第一流路及第二流路，其中，第一流路之一端連通於第一流通口，另一端連通於對與負壓源之連通進行切換的第一閥，第二流路之一端連通於第二流通口，另一端連通於對與加壓源之連通進行切換的第二閥；上述加熱塊在與基板相對向之面上穿設有上述第一流通口及上述第二流通口，且內設有上述第一流路及上述第二流路。此處，更佳為：上述加熱塊在位於上述上升位置時，藉由上述第一閥而與負壓源連通，而自上述第一流通口吸引氣體，於上述加熱塊上吸附自底面受到支持之上述基板，使上述加熱塊接觸於上述基板從而加熱上述基板；在位於上述下降位置時，藉由上述第二閥而與加壓源連通，使經上述加熱器所加熱之第二流路內之氣體自上述第二流通口朝向存在於與上述加熱塊分開之位置的上述基板底面噴出，藉以加熱上述基板。此處進一步更佳為：於上述加熱塊中穿設有複數個上述第一流通口及上述第二流通口，且內設有複數個上述第一流路及上述第二流路。

若自其他觀點來說明本發明之塗佈裝置，則如下所述。

本發明之塗佈裝置之特徵在於包括：上述任一基板加熱裝置；吐出液體材料之吐出裝置；使上述吐出裝置相對於基板進行相對移動之驅動機構；延設於塗佈裝置內並搬送上述基板之搬送機構；以及控制該等動作之控制部。此處較佳為，上述搬送機構分為複數個部分，對應上述搬送機構之複數個部分而分別設置複數個上述基板加熱裝置。

根據本發明，不僅於塗佈時、而且於其前後之搬送時亦進行加熱，故例如於底部填充步驟中，載置有半導體晶片之基板之溫度變化極小，從而可防止連接部之破損。

又，由於在塗佈作業期間可使基板之溫度變化變得極小，因而液體材料之狀態穩定，可穩定地進行塗佈。

進而，由於可利用一個加熱機構而實施兩種不同之加熱方式，因而塗佈時及非塗佈時(搬送時)之任一加熱均可利用一個加熱機構來應對。因此，可實現裝置之小型化。

以對配置有半導體晶片之基板實施底部填充步驟之情況為例，說明用以實施本發明之一形態。

[加熱機構本體]

將本發明之基板加熱機構105之概略立體圖表示於圖2中。又，將主要部分剖面圖、框線圖分別表示於圖3、圖4中。

本實施形態之加熱機構105之主要部分即加熱塊11係大致為長方體形狀，而與基板相對向之上面12成為與基板2之大小大致相同寬窄之面。

於上面12上，以一定之間隔均勻地配置有複數個第一流通口13及複數個第二流通口14。此處，圖2所示之流通口13及14之配置僅為一例，該配置可適當變更，但於本實施例之形態中，從保護連接部之觀點而言，為能使基板2之整個底面無溫度差而採用均勻配置。

複數個第一流通口13為吸引用開口，其連通於加熱塊11 中所內設之複數個第一流路15。又，複數個第二流通口14為噴出用開口，其分別連通於加熱塊11中所內設之複數個第二流路16。複數個第一流路15係通過上側之配管接頭25並經由第一閥17而與負壓源19連通，複數個第二流路16係通過下側之配管接頭25並經由第二閥18而與加壓源20連通。藉由開閉該第一閥17及第二閥18而可吸入流路(15、16)內之氣體、或者向流路內噴出氣體。此處，第一閥17及第二閥18較佳為設置在與加熱塊11不同之部位。又，第一閥17及第二閥18可根據負壓源19及加壓源20之強度而設置複數個。於流路(15、16)中流動有空氣作為作動氣體，但並不限定於此，例如在惰性氣體較佳之情況下，亦可使用氮氣等。

加熱器21設置於加熱塊11內部，對加熱塊11及第二流路16內之氣體進行加熱。本實施形態中，於加熱器21中使用有電熱加熱器，但不限定於此，例如亦可使用珀爾帖元件(peltier device)等。再者，所設置之加熱器之數量可為數個，其配置亦可適當變更，但是從保護連接部之觀點而言，較佳為採用使基板2之整個底面不產生溫度差之數量及配置。

又，與加熱器21一併，於加熱塊11內部設置有溫度感測器22。並且，加熱器21及溫度感測器22連接於溫度控制部23，溫度控制部23根據來自溫度感測器22之信號而控制加熱器21，以使其溫度一定。作為控制方法，並無特別限定，可使用溫度控制中常使用之PID(Proportional Integral Derivative，比例、積分、微分)控制、一般的反饋控制、及簡便的接通．斷開控制等。再者，溫度感測器22之配置及數量可適當變更而應用。

基板2藉由搬送機構104而朝著一個方向被搬送。搬送機構104包括兩根軌道狀構件109，於其間配設有加熱機構105。作為加熱機構105之主要部分的加熱塊11載置於升降機構24上(參照圖2)。升降機構24具有自底面支持位於加熱塊11之上方之基板2的上升位置、及使加熱塊11離開基板2之下降位置。於上升位置，基板2係藉由鉤狀基板按壓構件106與加熱塊之上面12而被夾持固定。

作為驅動升降機構24之裝置，可使用例如藉由壓縮氣體而使活塞驅動之氣缸、或將馬達與滾珠螺桿組合而成者等。於塗佈液體材料4時，加熱塊11向上升位置移動，而自底面支持基板2，由此發揮作為塗佈台之作用。另一方面，於基板搬送時，加熱塊11向離開基板2之下降位置移動以便順利地進行基板搬送。為能有效地進行加熱氣體對基板溫度之維持，加熱塊之上面12與基板2之底面之距離較佳為不要分開太遠，例如為數mm。關於搬送機構104之詳細情況，將於實施例中說明。

[加熱態樣]

本發明之加熱機構105之加熱態樣，根據加熱塊11之位置大致分為兩種。

[1]上升位置處的加熱(圖5)

當加熱塊11位於上升位置時，第一閥17連通加熱塊11內之第一流路15與負壓源19。藉此，自加熱塊11內之第一流路15與在另一端連通之第一流通口13吸入氣體(參照元件符號26之箭頭)。在第一流通口13之正上方緊鄰處存在有基板2，在來自第一流通口13之吸引作用下吸附基板2，從而加熱塊之上面12與基板2之底面緊密抵接。如此，基板2之底面會與加熱塊上面12接觸，從而來自加熱器21之熱經由加熱塊11而直接且迅速地傳導。並且，利用溫度控制部23進行加熱器21之控制，以使其溫度一定，藉此可使基板2之溫度保持一定。

根據上述加熱手法，由於使加熱塊之上面12抵接於基板2之底面，故可將來自加熱器21之熱進行有效傳導，且可穩定地控制基板2之溫度。穩定地控制溫度不僅可防止連接部3之破損，亦可穩定液體材料4之狀態而使塗佈穩定。又，藉由遍及與基板相對向之面12所開設之複數個第一流通口13而可均勻地進行吸附，故可同樣地接觸於基板2，且可保持基板2之平面度。

[2]下降位置處的加熱(圖6)

當加熱塊11位於下降位置時，第二閥18連通加熱塊11內之第二流路16與加壓源20。藉此，自加熱塊11內之第二流路16與在另一端連通之第二流通口14噴出氣體(27)。 由於第二流通口14會與基板2分開，因此會朝向基板2之底面噴出氣體。所噴出之氣體於加熱塊11內藉由加熱器21受到加熱，而基板2上藉由該經加熱之氣體而傳導有熱。並且，利用溫度控制部23進行加熱器21之控制，以使其溫度一定，藉此可使基板2之溫度保持一定。

根據上述加熱手法，自離開之部位噴出經加熱之氣體，從而移動中之基板2上亦傳導有熱。亦即，對於移動中之基板2亦可控制其溫度，故可使底部填充步驟內之溫度變化極小。又，由於自遍及與基板相對向之面12而開設之複數個第二流通口14噴出經加熱之氣體，故可加熱整個基板2。

將上述[1]與[2]適當組合，由此，無論在使基板2停止而進行塗佈時，抑或使基板2移動而進行搬送時，均可使底部填充步驟內之基板2之溫度保持一定，從而可防止半導體晶片1與基板2之連接部3之破損。就上述[2]之下降位置處的加熱，較佳為於塗佈作業步驟之前後進行。塗佈作業步驟前之加熱係預備加熱，塗佈作業步驟後之加熱係將基板之溫度變化抑制於既定範圍內之溫度保持加熱。

於以上所述中，對藉由使吸引力作用於第一流通口13而使基板2之底面與加熱塊之上面12接觸的構成進行了說明，亦可形成為不設置第一流通口13，而以基板按壓構件106與升降機構24之組合，使基板2與加熱塊之上面12接觸的構成。然而，於基板之底面被精度良好地加工之情況下，藉 由設置使吸引力發揮作用之流通口，可取得以使加熱塊之上面仿照基板底面之方式進行吸附之作用。因此，接觸面積變多，可取得有效地進行熱傳導之效果。又，於將加熱塊之上面12作為塗佈台之情況下，亦可取得基板2之平面度變好、塗佈精度提高之效果。該等效果在基板2較薄的情況下尤其顯著。另一方面，於不設置使吸引力發揮作用之流通口，而以基板按壓構件106進行夾持之構成中，會產生基板之中央部翹曲之問題。

根據以上理由，較佳為採用於加熱塊11上設置有使吸引力發揮作用之流通口的構成。

以下，利用實施例來說明本發明之詳細情況，但本發明並未因實施例而受到任何限定。

[實施例1] [塗佈裝置]

如圖7所示，本實施例之塗佈裝置101包括：吐出裝置102、驅動機構103、搬送機構104、加熱機構105、及控制該等之控制部124。

吐出裝置102包括：貯留液體材料4之貯留容器107(未圖示)、及用以吐出液體材料4之噴嘴108(參照圖1)。該吐出裝置102係以使噴嘴108與塗佈對象基板2之塗佈面相對向之方式安裝於XYZ驅動機構103上，可向由搬送機構104所搬送之塗佈對象基板2上移動。

搬送機構104橫跨塗佈裝置101之寬度而設置，其係由三個搬送單元(114、115、116)所構成，可分別獨立地動作。由於搬送機構104係由三個搬送單元所構成，因而即便當正在進行塗佈動作時，亦可各別地進行搬入、搬出動作，從而可縮短步驟處理時間。如圖8所示，本實施例之搬送機構104形成為平行設置有橫跨所搬送之基板2之寬度的兩根軌道狀構件109的構造，於軌道狀構件109之上方設置有於輥110之作用下而旋轉之傳送帶111。對輥110進行旋轉驅動，藉此，傳送帶111旋轉，載置於傳送帶111上之基板2被搬送。兩根軌道狀構件109之寬度可對照基板2之大小進行變更。此處，如圖7中箭頭所圖示，基板2自左側搬送機構114被搬入至塗佈裝置101內，並經由中央搬送機構115而自右側搬送機構116被搬出至塗佈裝置101外。

加熱機構105係由三個加熱單元(121、122、123)所構成。各加熱單元對應於搬送單元(114、115、116)而配設於構成搬送機構104之兩根軌道狀構件109之間。藉由三個加熱單元而構成加熱機構105，從而可對應於各別的搬送動作而進行基板2之加熱。

加熱塊11係與基板2大致相同之大小，故存在著於搬入側及搬出側等之不足基板2之大小之空間內無法設置加熱單元之情況。因此，本實施例中，形成為設置有相較加熱單元更小型之輔助加熱單元(118、119、120)之構成。與上述加熱單元的不同之處在於：輔助加熱單元係於不進行升降移動而離開基板2之下降位置被固定，以及不設置第一流通口13而僅自第二流通口14噴出經加熱之氣體。輔助加熱單元(118、119、120)之大小只要為可埋入於三個加熱單元(121、122、123)間之大小即可，並可進行適當變更而配設。本實施例中，於搬入部的位置上設置有輔助加熱單元118，於中央加熱單元122與右側加熱單元123之間的位置上設置有輔助加熱單元119，於搬出部的位置上設置有輔助加熱單元120。

加熱機構105之設定溫度會對應於基板2之尺寸及半導體晶片1之數量等而變化，但大致設定於攝氏100度至150度之範圍內。於該範圍中，亦可控制為進行與預備加熱、塗佈時之最適溫度、及溫度保持加熱之目的相對應的加熱。

[作動]

一邊參照圖9至圖12，一邊對本實施例之塗佈裝置101之作動加以說明。

於塗佈裝置101之左側，具有供給未塗佈之基板2之承載器或前步驟之裝置。於塗佈裝置101之右側，具有回收已完成塗佈之基板2的卸載器或後步驟之裝置。以下，為了方便說明，將加熱單元及輔助加熱單元分別稱作台。

開始動作後，在將基板2向塗佈裝置101內搬入之前，讀取搬入口台118及前台121之溫度(步驟101)，判定其是否處於設定溫度之範圍內(步驟102)。當未達到設定溫度之情況下，再次讀取溫度，反覆進行該操作直至達到設定溫度為止。當達到設定溫度之情況下，判定前台121上是否殘留有基板2(步驟103)。在殘留有基板2之情況下，待機直至基板2被去除為止。在未殘留基板2之情況下，開始噴出來自搬入口台118及前台121之氣體(步驟104)。並且，將基板2搬送至前台121位置(步驟105)為止。當基板2到達前台121位置後，停止噴出來自前台121之氣體，前台121上升而支持基板2，從而開始前台121之吸引以吸附固定基板2(步驟106)。

在被固定於前台121後，讀取塗佈台122之溫度(步驟107)，判定其是否處於設定溫度之範圍內(步驟108)。當未達到設定溫度之情況下，一邊對固定於前台121上之基板2進行控制以使其溫度一定(步驟110)，一邊再次讀取溫度，反覆進行該操作直至達到設定溫度為止。當達到設定溫度之情況下，判定塗佈台122上是否殘留有基板2(步驟109)。在殘留有基板2之情況下，一邊對固定於前台121上之基板2進行控制以使其溫度一定(步驟110)，一邊待機直至基板2被去除為止。在未殘留基板2之情況下，開始噴出來自塗佈台122之氣體(步驟111)。並且，切斷前台121之吸引，前台121下降，從而開始噴出來自前台121之氣體(步驟112)。其後，將基板2搬送至塗佈台122位置(步驟113)。在基板2到達塗佈台122位置後，停止噴出來自塗佈台122之氣體，塗佈台122上升而支持基板2，從而開始塗佈台122之吸引以吸附固定基板2(步驟114)。

於塗佈台122上，藉由吐出裝置102而塗佈液體材料4(步驟115)。當塗佈結束時，讀取中間台119及後台123之溫度(步驟116)，判定其是否處於設定溫度之範圍內(步驟117)。當未達到設定溫度之情況，一邊對固定於塗佈台122上之基板2進行控制以使其溫度一定(步驟119)，一邊再次讀取溫度，反覆進行該操作直至達到設定溫度為止。當達到設定溫度之情況下，判定於後台123上是否殘留有基板2(步驟118)。在殘留有基板2之情況下，一邊對固定於塗佈台122上之基板2進行控制以使其溫度一定(步驟119)，一邊待機直至基板2被去除為止。在未殘留基板2之情況，開始噴出來自中間台119及後台123之氣體(步驟120)。並且，切斷塗佈台122之吸引，塗佈台122下降，從而開始噴出來自塗佈台122之氣體(步驟121)。其後，將基板2搬送至後台123位置(步驟122)。在基板2到達後台123位置後，停止噴出來自後台123之氣體，後台123上升而支持基板2，從而開始後台123之吸引而吸附固定基板2(步驟123)。

在被固定於後台123後，讀取搬出口台120之溫度(步驟124)，判定其是否處於設定溫度之範圍內(步驟125)。當未達到設定溫度之情況，一邊對固定於後台123上之基板2進行控制以使其溫度一定(步驟127)，一邊再次讀取溫度，反覆進行該操作直至達到設定溫度為止。在達到設定溫度之情況下，判定是否可將基板2向裝置101外搬出(步驟126)。在不能搬出之情況下，一邊對固定於後台123上之基板2進行控制以使其溫度一定(步驟127)，一邊待機直至可搬出為止。在可搬出之情況下，開始噴出來自搬出口台120之氣體(步驟128)。並且，切斷後台123之吸引，後台123下降，從而開始噴出來自後台123之氣體(步驟129)。其後，將基板2搬送至裝置101外(步驟130)。

上述動作表示對一片基板2之流程，當然亦可連續地對複數片之基板2進行塗佈。於該情況下，由於步驟101至步驟106、步驟107至步驟114、步驟115至步驟123、步驟124至步驟130之各動作可獨立地進行，因此可同時進行各個動作，縮短步驟處理之時間。

[實施例2]

於實施例1中，加熱塊11內之流路分別分為負壓系統15與加壓系統16，但是亦可將其設為一個流路。圖13表示實施例2之加熱機構之主要部分剖面圖，圖14中表示其框線圖。

實施例2之加熱塊201大致成長方體形狀，與基板相對向之上面202成為與基板2之大小大致相同寬窄之面。於上面202上，以一定之間隔均勻地開設有複數個流通口203。各流通口203連通於加熱塊201中內設之流路204。流路204通向與加熱塊201不同之部位上所設置的切換閥205，並經由切換閥205而連通於負壓源206及加壓源207。切換該切換閥205而使負壓源206或加壓源207之任一方與流路204連通，藉此吸入流路204內之氣體，或向流路內噴出氣體。根據負壓源206及加壓源207之壓力強度，亦可設置複數個切換閥205。此外之加熱器21、溫度感測器22、及升降機構24等與實施例1相同。

當加熱塊201位於上升位置時，切換閥205連通加熱塊201內之流路204與負壓源206。藉此，自加熱塊201內之流路204與在另一端連通之流通口203吸入氣體。在流通口203之正上方緊鄰處存在有基板2，在來自流通口203之吸引作用下吸附基板2，從而加熱塊之上面202與基板2之底面緊密抵接。如此，由於基板2之底面會與加熱塊之上面202接觸，從而來自加熱器之熱經由加熱塊201而直接且迅速地傳導。並且，利用溫度控制部208進行加熱器之控制，以使其溫度一定，藉此可使基板2之溫度保持一定。

當加熱塊201位於下降位置時，切換閥205連通加熱塊201內之流路204與加壓源207。藉此，自加熱塊201內之流路204與在另一端連通之流通口203噴出氣體。由於流通口203會與基板2分開，因此會朝向基板2之底面噴出氣體。所噴出之氣體於加熱塊201內藉由加熱器而受到加熱，且基板2上藉由該經加熱之氣體而傳導有熱。並且，利用溫度控制部208進行加熱器之控制，以使其溫度一定，藉此可使基板2之溫度保持一定。

又，根據本實施例之加熱塊201，將流路設為一個系統，藉此可減少閥及通向其之配管等，從而可節省空間。

1．．．工件(半導體晶片)

2．．．基板

3．．．連接部(突起狀電極、電極墊)

4．．．液狀樹脂、液體材料

11、201．．．加熱塊

12、202．．．與基板相對向之面(上面)

13．．．第一流通口(吸引用開口)

14．．．第二流通口(噴出用開口)

15．．．第一流路

16．．．第二流路

17．．．第一閥

18．．．第二閥

19、206．．．負壓源

20、207．．．加壓源

21．．．加熱器

22．．．溫度感測器

23、208．．．溫度控制部

24．．．升降機構

25．．．配管接頭

26．．．吸入之氣體流

27．．．噴出之氣體流

101．．．塗佈裝置

102．．．吐出裝置

103．．．XYZ驅動機構

104．．．搬送機構

105．．．基板加熱機構

106．．．基板按壓構件

107．．．貯留容器

108．．．噴嘴

109．．．軌道狀構件

110．．．輥

111．．．傳送帶

112．．．基板搬送方向

113．．．驅動方向

114．．．左側搬送單元

115．．．中央搬送單元

116．．．右側搬送單元

118．．．左側輔助加熱單元(搬入口台)

119．．．中央輔助加熱單元(中間台)

120．．．右側輔助加熱單元(搬出口台)

121．．．左側加熱單元(前台)

122．．．中央加熱單元(塗佈台)

123．．．右側加熱單元(後台)

124．．．控制部

203．．．流通口

204．．．流路

205．．．切換閥

209．．．氣體流

圖1係說明底部填充步驟之說明圖。

圖2係本發明之加熱機構之概略立體圖。

圖3係本發明之加熱機構之主要部分剖面圖。

圖4係本發明之加熱機構之框線圖。

圖5係說明本發明之加熱塊上升位置處的加熱態樣的說明圖。

圖6係說明本發明之加熱塊下降位置處的加熱態樣的說明圖。

圖7係實施例1之塗佈裝置之概略立體圖。

圖8係說明實施例1之塗佈裝置之搬送機構的說明圖。

圖9係表示實施例1之塗佈裝置之動作流程的流程圖。

圖10係表示實施例1之塗佈裝置之動作流程的流程圖。

圖11係表示實施例1之塗佈裝置之動作流程的流程圖。

圖12係表示實施例1之塗佈裝置之動作流程的流程圖。

圖13係實施例2之加熱機構之主要部分剖面圖。

圖14係實施例2之加熱機構之框線圖。

11．．．加熱塊

12．．．與基板相對向之面(上面)

13．．．第一流通口(吸引用開口)

14．．．第二流通口(噴出用開口)

21．．．加熱器

22．．．溫度感測器

24．．．升降機構

25．．．配管接頭

105．．．基板加熱機構

Claims (15)

1. 一種基板加熱裝置，其係用以自下方對朝著一個方向被搬送、且於搬送途中對配置於其上之工件進行塗佈作業之基板進行加熱者，其特徵在於，其包括：加熱構件，其具備抵接於上述基板之底面來加熱基板之平坦的上面、及形成於該上面且向上述基板之底面噴出加熱用氣體之噴出用開口；以及升降機構，其使加熱構件升降；上述加熱構件的上面係與上述基板之大小大致相同寬窄。
2. 如申請專利範圍第1項之基板加熱裝置，其中，上述加熱構件於其上面具有使吸引力作用於上述基板之底面之吸引用開口，於上述升降機構之上升位置，自上述吸引用開口而使吸引力發揮作用，致使上述加熱構件之上面接觸於上述基板之底面來加熱上述基板，於上述升降機構之下降位置，自上述噴出用開口噴出經加熱之氣體來加熱上述基板。
3. 如申請專利範圍第2項之基板加熱裝置，其中，上述噴出用開口與上述吸引用開口係由同一開口所構成，該開口經由切換閥而連接於負壓源及加壓源。
4. 如申請專利範圍第1或2項之基板加熱裝置，其中，上述開口具有複數個。
5. 如申請專利範圍第1或2項之基板加熱裝置，其中，複數個加熱構件係於上述基板之搬送方向連續配設。
6. 如申請專利範圍第5項之基板加熱裝置，其中，上述加熱構件係由長度不同之複數種類之加熱塊所構成。
7. 一種液體材料塗佈裝置，其包括：申請專利範圍第1或2項之基板加熱裝置；吐出上述液體材料之吐出裝置；使上述吐出裝置相對於上述基板進行相對移動之驅動機構；將上述基板朝著一個方向搬送之搬送機構；以及控制該等動作之控制部。
8. 如申請專利範圍第7項之液體材料塗佈裝置，其中，上述控制部係在對配置於基板上之工件進行塗佈作業時，使上述升降機構處於上升位置而使加熱構件之上面接觸於基板之底面，並在搬送基板時，使上述升降機構處於下降位置而自上述噴出口噴出經加熱之氣體。
9. 一種基板加熱方法，其係用以自下方對朝著一個方向被搬送、且於搬送途中對配置於其上之工件進行塗佈作業之基板進行加熱者，其特徵在於，其包括：接觸加熱步驟，其係藉由升降機構而使加熱構件所具有與基板之大小大致相同寬窄之平坦的上面抵接於上述基板之底面，從而加熱基板；以及非接觸加熱步驟，其係藉由升降機構而使上述基板之底面與上述加熱構件之上面分開，並自形成於上述加熱構件之上面之噴出用開口而噴出加熱用氣體。
10. 如申請專利範圍第9項之基板加熱方法，其中，於上 述接觸加熱步驟中，自形成於上述加熱構件之上面之吸引用開口而使吸引力發揮作用。
11. 如申請專利範圍第10項之基板加熱方法，其中，藉由同一開口而構成上述噴出用開口與上述吸引用開口，並將該開口經由切換閥而連接於負壓源及加壓源；於上述接觸加熱步驟中，使上述開口與負壓源連通；於上述非接觸加熱步驟中，使上述開口與加壓源連通。
12. 如申請專利範圍第9或10項之基板加熱方法，其中，在對配置於上述基板上之工件進行塗佈作業時實施上述接觸加熱步驟，在進行上述基板之搬送時實施上述非接觸加熱步驟。
13. 如申請專利範圍第12項之基板加熱方法，其中，於上述塗佈作業之前後實施上述非接觸加熱步驟。
14. 如申請專利範圍第12項之基板加熱方法，其中，上述塗佈作業為底部填充步驟。
15. 如申請專利範圍第14項之基板加熱方法，其中，於上述接觸加熱步驟及上述非接觸加熱步驟中，對上述基板之整個底面進行均勻加熱。