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TWI422660B - 具有導引撕開之封帶的承載帶及其製造方法 - Google Patents

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TWI422660B
TWI422660B TW096129248A TW96129248A TWI422660B TW I422660 B TWI422660 B TW I422660B TW 096129248 A TW096129248 A TW 096129248A TW 96129248 A TW96129248 A TW 96129248A TW I422660 B TWI422660 B TW I422660B
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film
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Urey Ruben Emilio Velasquez
Rocky Damone Edwards
Douglas Bradley Gundel
Original Assignee
3M Innovative Properties Co
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Description

具有導引撕開之封帶的承載帶及其製造方法
本發明係關於用於儲存電子表面黏合組件之承載帶。特定言之，本發明係關於併有具有導引撕開特徵之封帶之承載帶。
在電子電路組裝期間，電子組件通常自此等組件之供給承載至電路板上之特定位置以供附著。用於將電子組件之連續供給提供至所要位置之一方式為將一串此等組件裝載至沿承載帶隔開之凹穴中。通常以卷筒形式提供之經裝載之承載帶可既而隨著每一接連組件藉由機器人置放機器自膠帶移除而以預定速率向拾取位置前進。
習知承載帶通常包括承載組件之自支撐基底部分，及有助於防止外來物質有害地影響組件之可撓性封帶。封帶通常以密封裝置密封至基底部分，且僅在機器人置放機器自承載帶移除組件之前自基底部分進行式地剝離。然而，承載帶之共同問題在於基底部分與封帶之間的黏結需要足以防止封帶過早自基底部分剝落，而足夠軟弱以允許封帶在無需過度移除力或產生不良振動的情況下容易自基底部分剝離。因此，需要展現對基底部分之適當黏結強度且在需要時亦容易移除之封帶。
本發明之至少一態樣係關於用於承載帶之封帶。該封帶包括延伸穿過封帶之橫向邊緣之至少一導引撕開特徵，其中該導引撕開特徵至少部分地界定撕開之預定方向以沿封帶之部分導引撕開。在一實施例中，該至少一導引撕開特徵具有弓形形狀。在另一實施例中，該至少一導引撕開特徵係藉由自薄膜之頂表面穿過薄膜切割而形成。
本發明之至少一態樣亦係關於一種形成封帶之方法。該方法包含：將至少一軌跡自薄膜之第一主表面切入至薄膜中；自薄膜之第二主表面在薄膜中切割弱化線；將黏合材料施加至薄膜之第二主表面；及穿過至少一軌跡扯裂薄膜而將薄膜分成多個封帶，藉此由至少一劃分軌跡形成至少一導引撕開特徵。
圖1為承載帶10之透視圖，承載帶10為用於儲存及運輸電子組件之方便系統。如圖示，承載帶10包括基底部分12及封帶14，且安置於包括橫軸16x、縱軸16y及垂直軸16z之座標系統中。在本文中，指向性定向係為了便於論述而使用，且並不意欲限制。
基底部分12為沿縱軸16y延伸的可撓性、自支撐結構，且包括周邊表面18及凹穴20。周邊表面18為圍繞凹穴20延伸之平坦邊界，且包括邊緣部分22a及22b。邊緣部分22a及22b各自沿縱軸16y延伸且沿橫軸16x偏移。此外，橫向邊緣部分22b包括在周邊表面18中形成的一列對準之前進孔24。前進孔24允許承載帶10與前進機構(未圖示)嚙合，前進機構用於使承載帶10在使用過程中前進至預定位置。凹穴20為在周邊表面18內在基底部分12中形成的壓痕，其沿縱軸16y而隔開。凹穴20經設計以符合所儲存之電子組件(諸如，圖1中所示之組件26)的大小。
封帶14為沿縱軸16y延伸之單層或多層薄膜且垂直安置於基底部分12之周邊表面18及凹穴20上方。因此，在儲存及運輸期間，封帶14將所儲存之電子組件(例如，組件26)密封於凹穴20內。封帶14包括頂表面28及底表面30，其為封帶14之沿垂直軸16z偏移之相反主表面。封帶14亦包括黏結部分32a及32b，以及中間部分34，其中中間部分34橫向安置於黏結部分32a與32b之間。黏結部分32a及32b為分別在邊緣部分22a及22b處黏合至周邊表面18的封帶14之部分。中間部分34為經組態以如圖1中所示而剝離(亦即，與黏結部分32a及32b分離)以供存取凹穴20的封帶14之中央部分。
封帶14亦包括複數個導引撕開特徵36，在此實施例中，複數個導引撕開特徵36為在黏結部分32a及32b處自頂表面28向(且通常穿過)底表面30延伸的弓形隙縫且沿縱軸16y位於間歇位置處。導引撕開特徵36允許中間部分34在無需過量移除力的情況下容易自黏結部分32a及32b剝離。當封帶14自基底部分12之周邊表面18剝離時，黏結部分32a及32b分別自周邊表面18之邊緣部分22a及22b剝落直至剝離與導引撕開特徵36相交為止。此時，封帶14開始撕開，且撕開藉由導引撕開特徵36之角度與形狀而被引導向封帶14之中央。撕開繼續直至其到達劃痕線(圖1中未圖示)為止，劃痕線接著提供封帶14將繼續撕開所沿著的方向。
導引撕開特徵36允許封帶14依賴於撕開機構而非黏合劑分離機構而自基底部分12剝離封帶14。此減少對用以將封帶14黏結至基底部分12之專用黏合劑的需要，其另外需要黏合及移除力之間的平衡。因此，封帶14可以較強黏合力黏合至基底部分12，其仍允許中間部分34容易以適度且一致之移除力移除。
圖2A及圖2B分別為封帶14之區段之俯視透視圖及俯視圖。根據圖2A中所示之實施例，封帶14為多層薄膜，且包括頂蓋層38、核芯層40、底部塗層42，及黏合帶44a及44b。核芯層40為封帶14之基底層，且理想地單向或雙向定向以促進沿縱軸16y之順沿織造(downweb)撕開並減少或防止沿橫軸16x之橫向撕開。封帶14之核芯層40可為聚合物薄膜，例如，聚對苯二甲酸乙二酯、定向聚丙烯(例如，雙向定向聚丙烯)、定向聚醯胺、定向聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚乙烯、聚丙烯腈、聚烯烴及聚醯亞胺薄膜。核芯層40亦可為透明的、本質非傳導的、電傳導的、靜電消散的，及其組合。核芯層40可藉由將諸如碳黑或金屬之材料混配至形成核芯層40之聚合物薄膜材料中而被製成為電傳導的或靜電耗散的。
視情況沿封帶14之頂面28而提供頂蓋層38。頂蓋層38可為或可包括靜電耗散(SD)塗層、LAB(亦即，黏合釋放塗層)、抗反射或眩光減少塗層，及其他塗層，及塗層之組合。頂蓋層38亦可為在儲存及運輸期間保護封帶14及所固持之電子組件的保護層。頂蓋層38之適當材料包括抗風化及磨損材料，諸如，聚胺基甲酸酯、交聯材料(例如，固化之丙烯酸酯及環氧樹脂)、聚矽氧、矽烷符合材料，及其組合。雖然將頂蓋層38展示為跨越核芯層40之整個頂部部分，但頂蓋層38可替代地安置於核芯層40之一或多個較小部分上方(例如，以在封帶14捲攏時與黏合帶44a及44b對準)。
亦視情況沿封帶14之底面30提供底部塗層42。底部塗層42可為SD塗層或其他類型之塗層，且可至少部分地與核芯層40摻合。或者，可消散靜電之金屬化層可取代底部塗層42。金屬化層之適當材料包括可藉由氣相塗佈或濺鍍技術而塗覆的金屬，諸如鋁、不銹鋼、鎳鉻及鎳鎘。此外，頂蓋層38及核芯層40中之一或兩者亦可包括消散電的金屬。
雖然以上述層展示封帶14，但在替代實施例中，封帶14亦可視需要包括用於特定儲存應用之不同類型之功能及非功能層。在另一替代實施例中，封帶14為僅包括核芯層40之單層薄膜。在此實施例中，頂表面28及底表面30為核芯層40之相反主表面。此實施例有益於在形成封帶14過程中減少材料及加工成本。
黏合帶44a及44b為分別在黏結部分32a及32b處黏結至底表面30之黏合材料的基於薄膜之條帶。黏合帶44a及44b沿縱軸16y延伸，且為黏合至基底部分12之邊緣部分22a及22b之封帶14的部分。用於黏合帶44a及44b之適當材料包括壓敏黏合劑及熱激黏合劑(例如，乙烯乙酸乙烯酯共聚物)。在與基底部分12(上文在圖1中展示)組裝時，黏合帶44a及44b將封帶14之黏結部分32a及32b黏結至基底部分12之邊緣部分22a及22b。
如圖2A中進一步展示，封帶14包括劃痕線46a及46b，其為在底表面30中形成的弱化線且延伸穿過底部塗層42且部分進入核芯層40中。劃痕線46a及46b分別橫向鄰近於黏合帶44a及44b而安置，且沿縱軸16y而延伸。在替代實施例中，劃痕線46a及46b部分延伸入核芯層40中，但在底部塗層42固定至核芯層40之前形成。因此，在此實施例中，劃痕線46a及46b不延伸穿過底部塗層42。導引撕開特徵36延伸穿過頂蓋層38、核芯層40及底部塗層42，且各自沿頂表面28及底表面30具有弓形形狀。
如圖2B中所示，劃痕線46a及46b(以隱線展示)相對於黏合帶44a及44b(以假想線展示)橫向安置於內部。結果，當封帶14之撕開到達劃痕線46a及46b時，剝離中間部分34所需之力僅需要超過劃痕線46a及46b之撕開力。在黏結部分32a及32b處之黏合劑黏結之強度不再直接影響所需之剝離力。
如圖2B中進一步展示，導引撕開特徵36自封帶14之橫向邊緣延伸至安置於黏合帶44a及44b上方的橫向內部之點。此保持封帶14錨定至基底部分12，且降低封帶14在過早時間點(例如，在儲存或運輸期間)偶然剝離的風險。導引撕開特徵36亦不與劃痕線46a及46b相交以保持封帶14之結構完整性。
為獲得對基底部分12之凹穴20(上文在圖1中展示)之存取，移除力施加至封帶14之中間部分34。此最初使黏結部分32a及52b與基底部分12之邊緣部分22a及22b分離，藉此自基底部分12剝離封帶14，如箭頭48a所示。移除力之繼續施加導致進一步分離直至剝離沿縱軸16y到達導引撕開特徵36之第一集合為止。
當剝離到達導引撕開特徵36時，剝離接著遵循導引撕開特徵36之弓形形狀，藉此向封帶14之中心橫向向內移動剝離，如箭頭48b所示。當剝離到達導引撕開特徵36之末端時，封帶14接著開始在與導引撕開特徵36之後邊緣相同之方向上撕開，如箭頭48c所示。移除力之繼續施加導致撕開繼續直至到達劃痕線46a及46b。因為劃痕線46a及46b具有較低撕開強度，所以所施加之移除力接著導致撕開遵循劃痕線46a及46b，如箭頭48d所示。此使得中間部分34與黏結部分32a及32b分離，而黏結部分32a及32b保持黏合至基底部分12。
圖3為方法50之流程圖，方法50為用於形成封帶14之適當方法。如圖示，方法50包括步驟52至58，且最初包含形成封帶14之多層薄膜(亦即，頂蓋層38、核芯層40及底部塗層42)(步驟52)。封帶14之該等層可以各種方式形成，諸如，共疊層技術(例如，共擠壓及濕式鑄造)、沈積技術(例如，氣相塗佈及濺鍍技術)，及其組合。
接著將導引撕開特徵36自頂表面28切入至封帶14之多層薄膜之橫向邊緣中(步驟54)。自頂表面28形成導引撕開特徵36減少頂表面28上之碎屑污染之量，藉此減少污染用於將封帶14密封至基底部分12之密封設備的導軌及密封屐的風險。
一旦形成了導引撕開特徵36，接著將劃痕線46a及46b自底表面30切入至封帶14中(步驟56)。因為劃痕線46a及46b不延伸穿過核芯層40或頂蓋層38，所以劃痕線46a及46b可在未在頂表面28上形成碎屑污染的情況下自底表面30切割。在替代實施例中，劃痕線延伸穿過頂蓋層38且進入核芯層40中。在此實施例中，劃痕線被切入至頂表面28中而非底表面30中。雖然上文以圖3中所示之次序描述步驟54及56，但步驟54及56可替代地以相反次序(亦即，在切割導引撕開特徵36之前切割劃痕線46a及46b)或以大體上同時的方式形成。
一旦形成了導引撕開特徵36及劃痕線46a及46b，接著將黏合帶44a及44b在黏結部分32a及32b處塗佈至底表面30上(步驟58)。此可藉由標準疊層製程來執行。在形成導引撕開特徵36之後施加黏合帶44a及44b亦減少在將黏合帶44a及44b施加至底表面30之後切割導引撕開特徵36時可另外發生的污染。在施加黏合帶44a及44b之後自底表面30切割導引撕開特徵36推動黏合材料穿過導引撕開特徵36且離開頂表面28。此亦推動薄膜碎屑穿出頂表面28，其中碎屑可潛在地收集於帶密封設備之導軌及密封屐中。因此，在自頂表面28(或自底表面30)形成導引撕開特徵36後將黏合帶44a及44b塗佈至底表面30上減少產生污染碎屑之風險。此外，在已形成導引撕開特徵36之後施加黏合帶44a及44b將使在形成導引撕開特徵36時沈積於底表面30上之任何薄膜碎屑囊封於黏合帶內。
在形成封膜14後，其接著密封至基底部分12(在電子組件置放於凹穴20中之後)以形成承載帶10。用於將封膜14密封至基底部分12之適當密封系統包括可自Ismeca USA,Inc.,Carlsbad,CA.購得的系統。
圖4A及圖4B為拍攝的含有導引撕開特徵之封帶的俯視圖相片(以20x放大率拍攝)。在圖4A中所示之實例中，封帶包括部分60a及60b，以及導引撕開特徵62。部分60a為鄰近於封帶之橫向邊緣之多層薄膜之部分，且部分60b為黏合帶安置於多層薄膜下方的部分。如圖示，導引撕開特徵62延伸穿過部分60a且具有終止於部分60b(亦即，黏合帶上方)的後端。
在此實例中，導引撕開特徵62在黏合帶施加至底表面30之後自底表面30切入至多層薄膜中，藉此亦穿過黏合帶而形成導引撕開特徵62。因此，導引撕開特徵62之延伸入部分60b中的部分伸展開，且黏合材料被向上推動穿過導引撕開特徵62。切割刀片穿過黏合帶而穿透推動黏合劑離開導引撕開特徵62之區域，藉此引起具有不充足黏合劑之較小區。此區域具有與相應基底部分黏結之減少之黏合劑黏結，且為剝落之潛在點，其可對密封設備導致關機及損壞。
在圖4B中所示之實例中，封帶包括部分64a及64b以及導引撕開特徵66，其對應於部分60a及60b以及導引撕開特徵62(上文在圖4A中展示)。與圖4A中所示之實例相反，導引撕開特徵66在施加黏合帶之前自頂表面28切入至多層薄膜中。如圖示，導引撕開特徵66之延伸入部分64b中的部分被清潔地切割且黏合劑未被向上推動。因此，在施加黏合帶之前自頂表面28(或自底表面30)形成導引撕開特徵66減少在封帶之頂表面上形成之污染黏合劑及碎屑之量。此外，在形成導引撕開特徵66時產生之碎屑中的大部分由黏合帶俘獲或囊封，藉此使得其較清潔。此外，在黏合帶之區中的碎屑似乎不降低黏合帶之黏合強度。
圖5為方法68之流程圖，方法68為用於同時形成多個封帶之適當方法。如圖示，方法68包括步驟70至78，且最初包含形成含有封帶之層的多層薄膜(步驟70)。可使用與上文在方法50之步驟52(上文在圖3中展示)中所論述之技術相同的技術來形成多層薄膜。接著自薄膜之頂表面將多個軌跡切入至多層薄膜中(步驟72)。接著自薄膜之底表面將多個劃痕線切入至多層薄膜中(步驟74)。在替代實施例中，自薄膜之頂表面將劃痕線切入至多層薄膜中。雖然上文以圖5中所示之次序描述步驟72及74，但步驟72及74可替代地以相反次序(亦即，在切割軌跡之前切割劃痕線)或以大體上同時的方式形成。在形成軌跡及劃痕線之後，接著將多個黏合帶塗佈至薄膜之底表面之黏結部分上(步驟76)。最終，藉由穿過軌跡扯裂薄膜而將薄膜分為多個封帶(步驟78)。如下文在圖6中進一步論述，在黏合帶之間(且穿過軌跡)扯裂薄膜切開軌跡中之每一者，藉此在每一封帶之橫向邊緣上形成一對導引撕開特徵列。
圖6為薄膜80之俯視圖，薄膜80為根據方法68之步驟70形成的多層薄膜。薄膜80包括頂表面82、軌跡84、劃痕線86(以隱線展示)、黏合帶88(以隱線展示)及隙縫線90。如上所述，根據方法68之步驟72，多個軌跡84切入至頂表面82中。如圖示，軌跡84為"U"形特徵91之列，其中每一"U"形特徵91隨後經劃分而形成一對弓形導引撕開特徵。因此，此允許單一切割刀片形成一對鄰近封帶之導引撕開特徵。"U"形特徵91之間的沿薄膜80之距離可取決於所得封帶之特定大小要求而變化。適當分離距離包括至少約0.1英吋，其中較適當之距離通常在約0.5英吋至約3英吋之範圍內。"U"形特徵91之適當橫向寬度包括至少約0.1毫米，其中較適當之寬度通常在約0.5毫米至約2.0毫米之範圍內。在一實施例中，多層薄膜包括單一"U"形特徵91。如上所述，自頂表面82(且亦在施加黏合帶88之前)形成導引撕開特徵減少在頂表面82上形成的污染碎屑之量。
接著，根據方法68之步驟74，多個劃痕線86自底表面(在圖6中未圖示)切割於多層薄膜80中。如圖示，劃痕線86遠離"U"形特徵91且遠離黏合帶88之預期位置而橫向安置。接著，根據方法68之步驟76，黏合帶88塗佈至多層薄膜80之底表面上。此時，多層薄膜80包括多個含有軌跡84、劃痕線86及黏合帶88之重複圖案。接著，根據方法68之步驟78，藉由沿隙縫線90扯裂薄膜80，多層薄膜80分為多個封帶(例如，封帶92a及92b)。如圖6中所示，隙縫線90分開軌跡84，藉此將每一"U"形特徵91分為自分離之封帶之每一橫向邊緣延伸的一對弓形導引撕開特徵。
上文在圖5中展示並在圖6中論述之方法68係用於由單一多層薄膜形成多個封帶之有效技術。可根據方法68製備之封帶之數目可取決於薄膜80之橫向寬度、封帶之所要橫向寬度且取決於切割模具之橫向寬度而變化。
軌跡84可以各種方式切入至薄膜80中。舉例而言，可以一或多個刀片、刀片簇、旋轉模具、衝壓模具，或其組合來執行切割。在一實施例中，標準密封裝置之密封屐以較小刀片修改以充當旋轉模具。在此實施例中，在施加黏合帶88之後，軌跡84自頂表面82切入至封帶(例如，封帶92a)中。當在施加黏合帶之後形成軌跡84時，密封屐經理想地處理以使得黏合帶88不黏附至密封屐(例如，鐵氟龍、電漿及其他潤滑劑)。當封帶92a安置於對應於基底部分12(上文在圖1中展示)之基底部分上方時，封帶92a及基底部分穿過密封屐。密封屐接著以大體上同時之方式將封帶92a密封至基底部分且將軌跡84切入至封帶92a中。因為在密封製程期間發生切割製程，所以黏合材料在封帶92a之經密封之部分離開密封屐之前未擠壓穿過所形成之特徵。因此，減少了對污染碎屑之關注。
在替代實施例中，切割模具(對應於旋轉模具或衝壓模具)可位於將封帶92a饋入至密封屐之多個空轉輥中之一者上，藉此僅在封帶92a密封至基底部分之前將軌跡84切入至封帶92a中。在額外替代實施例中，可使用不同類型之切割機構將軌跡84切入至多層薄膜80中。適當替代切割機構之實例包括雷射切割系統、旋轉刀片及超音切割系統。
圖7為薄膜94之俯視圖，薄膜94亦為根據方法68之步驟70形成的多層薄膜。薄膜94包括頂表面95、軌跡96、劃痕線97(以隱線展示)、隙縫線98及"U"形特徵99，其與如圖6中所示之頂表面82、軌跡84、劃痕線86、隙縫線90及"U"形特徵91相同。如圖7中所示，薄膜94亦包括黏合帶100(以隱線展示)，黏合帶100跨越隙縫線98延伸且圍繞軌跡96。根據方法68之步驟78，薄膜94藉由沿隙縫線98扯裂薄膜94而分為多個封帶。如圖7中所示，隙縫線98分開軌跡96及黏合帶100。因此，每一"U"形特徵99皆分為一對弓形導引撕開特徵，且每一黏合帶100皆分為自分離之封帶之每一橫向邊緣延伸的一對黏合帶。
圖8A及圖8B分別為卷筒104之側視透視圖及前視透視圖，卷筒104為包括劃痕線(未圖示)及導引撕開特徵108之封帶106之捲繞卷筒。為較佳地說明導引撕開特徵108，在圖式中未展示卷筒104上之封帶106之層。可根據方法68(上文在圖5中展示)來形成封帶106，不同之處在於：在將多層薄膜分為獨立封帶(例如，封帶106)之前省略步驟72(切割軌跡)。在此實施例中，藉由將導引撕開特徵108切入至卷筒104之側邊中而形成導引撕開特徵108。因此，此實施例適用於在現有(例如，市售)封帶中形成導引撕開特徵。此允許現有封帶在所要方向上藉由使用導引撕開特徵而打開。
可一次切割由單一刀片形成的一或多群導引撕開特徵。或者，可藉由固持在適當方向上具有角度之多個刀片的切割機構來執行切割，藉此在單一切割運動中將所有導引撕開特徵108切入至卷筒104之側邊中之一者中。此實施例係有益的，因為導引撕開特徵108可藉由最小設備在卷筒104之每一層中切割。因為大多數卷筒(例如，卷筒104)以良好準確度捲繞，所以刀片之預設深度將在合理容差內切割所有層。然而，以此方式形成之封帶之例示性樣本即使在導引撕開特徵未切割至準確所要深度時亦導引撕開。因此，導引撕開特徵108之切割深度容差允許處理變化。
雖然圍繞卷筒104安置之許多導引撕開特徵108對於確保在切割封帶時始終存在導引撕開特徵108係理想的，但在卷筒104之側邊上之單一切割足以形成導引撕開特徵108以供使用。導引撕開特徵108之單一集合有益於在密封之卷軸之開始處置放導引撕開特徵108，因此客戶可容易地導引撕開。此亦改良封帶106之強度及完整性。
圖9A及圖9B為多層薄膜之俯視圖，多層薄膜中之每一者皆描繪可根據方法68之步驟72(上文在圖5中展示)而形成的替代"U"形特徵。如圖9A中所示，薄膜110包括特徵112a至112c及隙縫線114，其中特徵112a至112c比"U"形特徵91(上文在圖6中展示)銳利。術語"銳利"、"較銳利"及類似者指具有導致特徵類似"V"形之較窄角形頂點的"U"形特徵。"U"形特徵亦可為較呈圓形的，使得其為半圓形或在"U"形與半圓形之間。
如圖示，特徵112a以隙縫線114為中心，特徵112b在圖9A中所示之視圖中橫向向上偏移，且特徵112c在圖9A中所示之視圖中橫向向下偏移。因為此偏移且因為銳利"U"形，隙縫線114在"U"形之頂點處不與特徵112b及112c相交。結果，當沿隙縫線114使封帶分離時，所得劃分之導引撕開特徵係不均勻的。儘管如此，銳利"U"形產生用於封帶之具有較小表面積之銳利點，其傾向於在受到應力時(例如，當在封帶密封至底部部分之後捲繞於卷筒中時)起離。因此，特徵112a至112c減少封帶起離之風險，封帶起離係不良的且可導致設備關機。
如圖9B中所示，薄膜116包括特徵118a至118c及隙縫線120，其中特徵118a至118c比"U"形特徵91(上文在圖6中展示)及隙縫線120扁平。術語"扁平"、"較扁平"及類似者指具有寬廣、擴展頂點的"U"形特徵。特徵118a至118c之較扁平之形狀減少對使特徵118a至118c準確地以隙縫線120為中心的需要。如圖示，特徵118a以隙縫線120為中心，特徵118b在圖9B中所示之視圖中橫向向上偏移，且特徵118c在圖9B中所示之視圖中橫向向下偏移。儘管如此，因為特徵118a至118c具有扁平"U"形，所以當沿隙縫線120使封帶分離時，所得導引撕開特徵各自在相同方向上自封帶之橫向邊緣延伸。因此，自偏移之導引撕開特徵(亦即，特徵118b及118c)剝離封帶所需之撕開力大體上與自中心對齊之導引撕開特徵(亦即，特徵118a)剝離封帶所需之撕開力相同。因此，使用諸如特徵118a至118c之扁平特徵允許關於與隙縫線120對準之較大準確度容差。此外，扁平"U"形亦允許與黏合材料之較大表面接觸面積，藉此減少封帶起離之風險。
圖10為特徵122之展開圖，特徵122為根據方法68之步驟72(上文在圖5中展示)形成的"U"形特徵。如圖10中所示，沿隙縫線124劃分特徵122以形成獨立、弓形導引撕開特徵126a及126b，導引撕開特徵126a及126b安置於鄰近封帶上。如本文中所使用，術語"弓形"指導引撕開特徵(例如，導引撕開特徵126a)之彎曲形狀，其中鄰近於封帶之邊緣的導引撕開特徵之前端(展示為前端128)在不同於導引撕開特徵之後端(展示為後端130)之方向的方向上定向。因為導引撕開特徵126a之彎曲，所以前端128及後端130之方向可藉由在前端128及後端130處之導引撕開特徵126a之切線(分別展示為切線132及134)確定。因此，若前端處之第一切線(亦即，切線132)在不同於後端處之第二切線(亦即，切線134)之方向的方向上定向，則導引撕開特徵被界定為弓形的。在一實施例中，術語"弓形"包括具有頂角的形狀。
圖11及圖12為多層薄膜之俯視圖，其中之每一者皆描繪可根據方法68之步驟72(上文在圖5中展示)形成的替代非弓形特徵。如圖11中所示，薄膜134包括"V"形軌跡特徵136及隙縫線138，其中每一特徵136皆具有以隙縫線138為中心之頂角頂點。結果，當沿隙縫線138使封帶分離時，所得導引撕開特徵(由軌跡特徵界定)為自封帶之邊緣以相同角度延伸的線性凹口。如圖12中所示，薄膜140包括凹口軌跡特徵142及隙縫線144，其中每一凹口特徵皆自隙縫線144延伸。在此實施例中，當沿隙縫線144使封帶分離時，所得導引撕開凹口特徵142與每一封膜分離。
圖13為承載帶146之俯視圖相片，承載帶146包括基底部分148及封帶150。封帶150包括凹口特徵152，凹口特徵152為可與薄膜134及140(上文在圖11及圖12中展示)形成的導引撕開特徵。如上所述，藉由在施加黏合帶之前自頂表面切割薄膜來形成凹口特徵152。此降低在薄膜之頂表面上形成污染碎屑之風險。
圖14A至圖14D為多層薄膜之俯視圖，其中之每一者皆描繪可根據方法68之步驟72(上文在圖5中展示)形成的額外替代特徵。如圖14A中所示，薄膜154a至154d各自包括切入至薄膜中的不同軌跡(展示為軌跡156a至156d)。軌跡156a至156d說明適用於本發明之各種軌跡及導引撕開特徵。圖14B展示具有特徵160a至160c之薄膜158，其中特徵160a至160c切入至薄膜158中以形成以變化角度(在約15°至約45°之範圍內)延伸的凹口特徵。圖14C及圖14D分別展示薄膜162及164，薄膜162及164分別包括特徵166a至166c及特徵168a至168f。如圖示，特徵166a至166c及特徵168a至168f係自上文在圖14A中展示之"U"形特徵顛倒而成。因此，特徵166a至166c及特徵168a至168f展現以變化角度延伸的三角形或錐形。然而，當劃分特徵166a至166c及特徵168a至168f時，所得導引撕開特徵為弓形的，且以與如上所述之方式相同的方式起作用。
圖15A及圖15B為多層薄膜之俯視圖，其中之每一者皆描繪可根據方法68之步驟72(上文在圖5中展示)形成的額外替代"U"形特徵。如圖15A中所示，薄膜170包括特徵172及隙縫線174，其中特徵172包括線性頂點部分176及線性後端178a及178b。如圖示，線性後端178a及178b分別在頂角180a及180b處自線性頂點部分176延伸。
如圖15B中所示，薄膜182包括特徵184及隙縫線186，其中特徵184包括線性頂點部分188及彎曲後端190a及190b。如圖示，彎曲後端190a及190b分別在頂角192a及192b處自線性頂點部分188延伸。特徵172及184進一步說明可根據本發明使用之各種不同特徵。
圖16為具有凹入部分的本發明之封帶之另一實施例的橫截面示意圖。封帶220包括細長薄膜222，其具有相反縱向邊緣224及226以及相反頂面及底面(分別為)228及230。縱向延伸之賦能撕開特徵232及234以及縱向延伸之凹處236及238相對於薄膜222之底面230而定位。賦能撕開特徵232及234分開，且薄膜222之中央部分240界定於賦能撕開特徵232與234之間。視情況沿薄膜222之頂面228提供頂部塗層242。亦視情況沿薄膜222之底面230提供底部塗層244。沿凹處236及238提供縱向安置之黏合帶246及248。
凹處236及238分別位於薄膜222之縱向邊緣224及226處。凹處236及238分別各自向薄膜222之底面230以及縱向邊緣224及226開放。或者，凹處可在封帶之兩個表面上形成。舉例而言，在黏合帶之厚度大於深度DR 時，此特徵將係適用的，因為，其將促進封帶之捲繞。
在圖16中所示之實施例中，底部部分250及側面部分252界定凹處236及238中之每一者。黏合帶246及248可分別安置於凹處236及238之底部部分250上。凹處236及238之底部部分250可具有用於較佳地將黏合帶246及248黏合至薄膜222之微觀紋理(圖16中未圖示)。應認識到，可利用其他凹處形狀，只要凹處236及238向薄膜222之鄰近細長邊緣224或226及薄膜222之底面230開放即可。
可使用若干製程來形成包括凹處236及238以及任何微觀紋理之薄膜222，諸如，劃痕、擠壓、壓延、微觀複製、雷射切除、超音、模切、化學蝕刻及剝裂。在其他實施例中，可使用不同製程來形成凹處236及238。
凹處236及238之底部部分250上之黏合帶246及248可為(例如)壓敏黏合劑(PSA)、熱激及微囊封黏合劑。黏合帶246及248可具有大於、小於或等於凹入區域236及238之深度DR 的厚度。通常，厚度小於或等於深度DR 。黏合帶246及248具有等於或小於凹入區域236及238之寬度WR 的寬度。具有小於凹入區域236及238之寬度WR 的寬度在封帶220未施加至表面(亦即，不處於張力下)時提供大體上無黏合劑之區域，大體上無黏合劑之區域在黏合帶246及248中之每一者之任一側上沿凹處236及238之底部部分250縱向延伸。
賦能撕開特徵232及234相對於薄膜222之底面230而定位，且可在凹處236及238之側面部分252處鄰近於凹處236及238而定位。然而，在其他實施例中，賦能撕開特徵232及234可沿薄膜222之頂面228、底面230或兩個面幾乎在任何一處而定位，只要賦能撕開特徵232及234可各自與薄膜222之縱向邊緣224及226分開即可。如圖16中所示，賦能撕開特徵232及234為沿薄膜222縱向延伸之連續劃痕線。此等劃痕線可藉由切入至薄膜222中(例如，根據下述刀片劃痕程序，例如，藉由雷射、模切機及刀片)而形成。在其他實施例中，賦能撕開特徵232及234可為薄膜222之軟弱區(例如，不同材料之界面、較薄區、微孔等等)、兩種材料(例如，第一材料構成薄膜222之中央部分240且第二材料構成凹處236及238之底部部分250與頂面228之間的薄膜222之區)之間的過渡，或促進撕開之其他結構。
在一實施例中，以舉例方式而非限制方式來描述，封帶220可具有以下尺寸。薄膜222之總寬度WO (在細長邊緣224與226之間量測)為約1英吋(2.54 cm)。薄膜222之厚度T為約2密爾(0.0254 mm)(在薄膜222之中央區240之最厚部分處量測)。凹處236及238各自具有約0.0393701英吋(1 mm)之寬度WR 及約0.5密爾(0.0127 mm)之深度DR 。賦能撕開特徵232及234為各自具有約1.5密爾(0.0381 mm)(自薄膜222之底面230量測)之深度的劃痕線。應認識到，封帶220之尺寸可視需要而變化。舉例而言，封帶222之中央部分240之寬度可經選擇以使得其至少與封帶220一起使用之承載帶之凹穴一樣寬。
在共同申請之美國專利申請案第11/228956中揭示具有凹處之封帶之其他實施例，該申請案以引用方式併入本文中。
儘管已關於較佳實施例描述了本發明，但熟習此項技術者將認識到可在不偏離本發明之精神及範疇的情況下進行形式及細節之改變。
10．．．承載帶
12．．．基底部分
14．．．封帶
16x．．．橫軸
16y．．．縱軸
16z．．．垂直軸
18．．．周邊表面
20．．．凹穴
22a．．．邊緣部分
22b．．．邊緣部分
24．．．前進孔
26．．．組件
28．．．頂表面
30．．．底表面
32a．．．黏結部分
32b．．．黏結部分
34．．．中間部分
36．．．導引撕開特徵
38．．．頂蓋層
40．．．核芯層
42．．．底部塗層
44a．．．黏合帶
44b．．．黏合帶
46a．．．劃痕線
46b．．．劃痕線
48a．．．箭頭
48b．．．箭頭
48c．．．箭頭
48d．．．箭頭
60a．．．部分
60b．．．部分
62．．．導引撕開特徵
64a．．．部分
64b．．．部分
66．．．導引撕開特徵
80．．．薄膜
82．．．頂表面
84．．．軌跡
86．．．劃痕線
88．．．黏合帶
90．．．隙縫線
91．．．"U"形特徵
92a．．．封帶
92b．．．封帶
94．．．薄膜
95．．．頂表面
96．．．軌跡
97．．．劃痕線
98．．．隙縫線
99．．．"U"形特徵
100．．．黏合帶
104．．．卷筒
106．．．封帶
108．．．導引撕開特徵
110．．．薄膜
112a－112c．．．特徵
114．．．隙縫線
116．．．薄膜
118a－118c．．．特徵
120．．．隙縫線
122．．．特徵
124．．．隙縫線
126a．．．導引撕開特徵
126b．．．導引撕開特徵
128．．．前端
130．．．後端
132．．．切線
134．．．切線/薄膜
136．．．"V"形軌跡特徵
138．．．隙縫線
140．．．薄膜
142．．．凹口軌跡特徵
144．．．隙縫線
146．．．承載帶
148．．．基底部分
150．．．封帶
152．．．凹口特徵
154a－154d．．．薄膜
156a－156d．．．軌跡
158．．．薄膜
160a－160c．．．特徵
162．．．薄膜
164．．．薄膜
166a－166c．．．特徵
168a－168f．．．特徵
170．．．薄膜
172．．．特徵
174．．．隙縫線
176．．．線性頂點部分
178a．．．線性後端
178b．．．線性後端
180a．．．頂角
180b．．．頂角
182．．．薄膜
184．．．特徵
186．．．隙縫線
188．．．線性頂點部分
190a．．．彎曲後端
190b．．．彎曲後端
192a．．．頂角
192b．．．頂角
220．．．封帶
222．．．細長薄膜
224．．．縱向邊緣
226．．．縱向邊緣
228．．．頂面
230．．．底面
232．．．賦能撕開特徵
234．．．賦能撕開特徵
236．．．凹處
238．．．凹處
240．．．中央部分
242．．．頂部塗層
244．．．底部塗層
246．．．黏合帶
248．．．黏合帶
250．．．底部部分
252．．．側面部分
DR ．．．深度
T．．．厚度
WO ．．．總寬度
WR ．．．寬度
圖1為本發明之實施例之承載帶的透視圖。
圖2A為承載帶之封帶之區段的俯視透視圖。
圖2B為承載帶之封帶之區段的俯視圖。
圖3為形成封帶之方法之流程圖。
圖4A為在施加黏合帶之後拍攝的含有所形成之導引撕開特徵之封帶的俯視圖相片。
圖4B為在施加黏合帶之前拍攝的含有所形成之導引撕開特徵之封帶的俯視圖相片。
圖5為以同時方式形成多個封帶之方法之流程圖。
圖6為根據圖5中所示之方法形成的多層薄膜之俯視圖。
圖7為根據圖5中所示之方法形成的替代多層薄膜之俯視圖。
圖8A為說明用於形成導引撕開特徵之替代方法的封帶之捲攏卷筒的側視透視圖。
圖8B為封帶之捲攏卷筒之前視透視圖。
圖9A為根據圖5中所示之方法形成的多層薄膜之俯視圖，其中多層薄膜具有第一替代"U"形特徵。
圖9B為根據圖5中所示之方法形成的多層薄膜之俯視圖，其中多層薄膜具有第二替代"U"形特徵。
圖10為根據圖5中所示之方法形成的"U"形特徵之展開圖。
圖11為根據圖5中所示之方法形成的多層薄膜之俯視圖，其中多層薄膜具有第一替代非弓形特徵。
圖12為根據圖5中所示之方法形成的多層薄膜之俯視圖，其中多層薄膜具有第二替代非弓形特徵。
圖13為承載帶之俯視圖相片，該承載帶包括具有非弓形導引撕開特徵之封帶。
圖14A至圖14D為根據圖5中所示之方法形成的多層薄膜之俯視圖，其中多層薄膜描繪額外替代特徵。
圖15A為根據圖5中所示之方法形成的多層薄膜之俯視圖，其中多層薄膜具有含線性頂點部分及線性後端之"U"形特徵。
圖15B為根據圖5中所示之方法形成的多層薄膜之俯視圖，其中多層薄膜具有含線性頂點部分及彎曲後端之"U"形特徵。
圖16為具有凹入部分之封帶之橫截面圖。
雖然以上描繪之諸圖闡述本發明之若干實施例，但亦預期其他實施例，如論述中所說明。在所有狀況下，本揭示案以說明方式而非限制方式來呈現本發明。應理解熟習此項技術者可設計許多其他修改及實施例，該等修改及實施例皆在本發明之原理之精神及範疇內。該等圖式可能並未按比例繪製。
10．．．承載帶
12．．．基底部分
14．．．封帶
16x．．．橫軸
16y．．．縱軸
16z．．．垂直軸
18．．．周邊表面
20．．．凹穴
22a．．．邊緣部分
22b．．．邊緣部分
24．．．前進孔
26．．．組件
28．．．頂表面
30．．．底表面
32a．．．黏結部分
32b．．．黏結部分
34．．．中間部分
36．．．導引撕開特徵

Claims (6)

  1. 一種封帶，其包含：一薄膜，其具有第一主表面及第二主表面、一沿該薄膜之縱向長度延伸之側向部分及一鄰近於該側向部分而安置之中間部分；一黏合部分，其鄰近於該側向部分而固定至該第一主表面；一處於該第一主表面中之弱化線，該弱化線鄰近於該側向部分沿該薄膜之縱向長度而延伸，且經組態以使得該中間部分能與該側向黏結部分逐漸分離；及至少一個特徵，其延伸穿過該側向部分，各特徵形成一對導引撕開特徵，其在該側向部分中用以界定一預定撕開方向以沿該弱化線中之每一者導引撕開。
  2. 如請求項1之封帶，其中該至少一個特徵係U形。
  3. 如請求項1之封帶，其中該至少一個特徵係自該薄膜之第二表面切割穿透該側向部分。
  4. 如請求項3之封帶，其中該至少一個導引撕開特徵係在將該黏合部分固定至該第一主表面之前進行切割。
  5. 如請求項1之封帶，其中該薄膜為一多層薄膜。
  6. 如請求項5之封帶，其中該多層薄膜包含一頂蓋層、一核芯層及一底部塗層。
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