TWI416545B - 導電板的製作方法及其製備系統 - Google Patents
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Description
本發明係關於一種導電板的製作方法及其製備系統。
奈米碳管(carbon nanotube,CNT)係一種由碳原子組成、直徑為奈米等級之中空管狀物，隨著奈米碳管之長度、直徑及螺旋方式之變化，奈米碳管可呈現出金屬性質或半導體性質，由於奈米碳管之優異特性，因此可望在許多不同技術領域中發揮重要作用。
由於CNT具有導電性，因此陸續有人嘗試以CNT製作成導電膜。以CNT所製作的導電膜而言，其製作條件相對製作銦錫氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)等透明導電膜要來的容易，且製作成本相對其他透明導電膜來的低廉。因為透明導電膜其光學級穿透度上的需求，因此以CNT所製作成的透明導電膜需要把CNT本身的密度降低，以達成較高的穿透度。目前所使用的方式為：將生長於晶圓(或其他基板)上的CNT叢集，藉由機械力量來將晶圓(或其他基板)上的CNT叢集懸空拉伸成一透明狀導電膜。同時使用雷射掃描上述之半透明狀導電膜，藉由雷射集中能量式的方法來燃燒一部份的CNT，藉以達到提升穿透率的效果。最後再將雷射處理過後的CNT透明導電膜以微速小心貼到已上膠的基板上，用以將CNT透明導電膜固定於基板上。
但是這種於晶圓(或其他基板)上將CNT拉伸成透明狀導電膜後，即先行以雷射處理以提升穿透率的方式的缺點是：
1.因雷射處理的過程是在懸空狀態下燃燒一部份的CNT，因此懸空部份的CNT面積若是過大，則會受重力影響使製程不穩定，進而機台的生產速度與良率受到限制，因此使得懸空部份的CNT面積會受到限制。
2.雷射處理後的CNT透明導電膜會因為CNT密度降低使得其機械強度也跟著下降，因此製程中的微小氣流都可能造成良率影響，例如：機械動作氣流擾動、熱循環氣流等。
3.由於懸空的CNT透明導電膜的機械強度脆弱，因此於雷射處理時需注意到雷射的能量功率及密度。由於CNT本身無法即時消散過高的雷射功率所產生之熱能，因此會導致CNT於製程途中被燒斷，因此限制了生產速度與製程參數範圍，例如：雷射能量不能過高、雷射掃瞄方向要垂直於CNT等。
本發明提供一種導電板的製作方法及其製備系統，以解決習知之問題。
本發明的其他目的和優點可以從本發明所揭露的技術特徵中得到進一步的了解。
為了達到上述的目的，本發明之實施例揭露一種導電板的製作方法及其製備系統。導電板的製作方法包含：首先提供具複數個奈米單元之一導電膜；接著將導電膜置於一基材上；以及後處理已置於基材上之導電膜。
其中奈米單元可大致呈一定向排列。導電膜可具電異向性。奈米單元可為奈米碳管。
導電板製備系統包含一第一供應裝置、一第二供應裝置、一
結合裝置、一後處理裝置與一帶動裝置。
其中第一供應裝置適於供應一基材。第二供應裝置適於供應具複數奈米單元之一導電膜。結合裝置適於將導電膜置於基材上以形成一複合材。後處理裝置適於後處理複合材。帶動裝置適於帶動基材與導電膜。
其中基材係由第一供應裝置經由結合裝置延伸至後處理裝置，且導電膜係由第二供應裝置經由結合裝置延伸至後處理裝置。
根據本發明所揭露之一種導電板的製作方法及其製備系統，先行將導電膜置於基材上，再對已置於基材上的導電膜進行雷射等後處理，於此可提升製程的生產速度與良率，且製程參數較易控制，同時導電膜可以不間斷的大面積導入。
有關本發明的特徵與實作，茲配合圖示作最佳實施例詳細說明如下。
根據本發明之導電板的製作方法包含：首先提供具複數個奈米單元之一導電膜；接著將導電膜置於一基材上；以及後處理已置於基材上之導電膜。
請參照「第一圖」與「第二圖」。「第一圖」係為本發明第一具體實施例之導電板的製作方法中各步驟的流程圖，且「第二圖」係為本發明第一具體實施例之導電板製備系統示意圖。
於本實施例中，首先提供具複數個奈米單元之導電膜。其中提供具複數個奈米單元之導電膜的步驟可包含：步驟10：提供一底材；步驟11：形成複數個奈米單元於底材上；以及
步驟12：拉伸處理該等奈米單元以形成一導電膜。
上述之步驟10至步驟12可於第二供應裝置50內完成。第二供應裝置50包含成膜裝置51與拉膜裝置52。首先將底材置於成膜裝置51內，底材可係為晶圓、石墨或石英等含矽材料。成膜裝置51可透過電弧放電法(arc discharge)、雷射蒸發法(laser vaporization)或有機氣相沉積法(chemical vapor deposition)等方式於底材上形成一膜層結構。膜層結構係佈滿底材，且膜層結構係為由複數個奈米單元所組成之一集合結。奈米單元例如是奈米碳管、奈米粒子等。上述之奈米單元可係為非等向性形狀之奈米單元，所謂非等向性形狀之奈米單元係形狀上長度與寬度相異之奈米單元。
當於底材上形成一膜層結構後，接著由拉膜裝置52透過機械直接施力自底材上拉出膜層結構而形成一導電膜。詳言之，底材上之複數個奈米單元中之一奈米單元受到外部拉力而離開底材時，與該奈米單元鄰近的另一奈米單元會因為與該奈米單元之間的凡得瓦力的作用而一併被帶離底材。
於此，當底材上的多個奈米單元中受到外部拉力而離開底材時，其中每一受到外部拉力的奈米單元後會串接起複數個奈米單元以形成一奈米單元束，因此可將底材上的複數個奈米單元以拉伸處理的方式形成具複數個奈米單元束的導電膜，且這些奈米單元束之間係以一定向排列來配置。
就具一定排列配向之導電膜而言，在沿著該定向排列的方向來配置之奈米單元束的方向上的電阻抗較小，在沿著相異於該定向排列配向的方向來配置之奈米單元束的方向上的電阻抗較大，故所形成之具一定排列配向之導電薄膜具電異向性。在此，所謂
的電異向性又稱導電異向性或稱電阻抗異向性，係不同方向上具有不同的導電性質或電阻抗性質之謂。
由底材上所拉伸出之具複數個奈米單元之導電膜可於拉伸後以捲材方式保存，因此第二供應裝置50可係以捲材方式或以片材方式提供具複數個奈米單元之導電膜。第二供應裝置50可為第二捲材。
上述之將導電膜置於基材上的步驟可包含：步驟13：提供一基材；上述之步驟13係當第二供應裝置50提供具複數個奈米單元之導電膜的同時，由第一供應裝置60提供基材。基材可為一透明材質。透明材質基材可包含玻璃基材、高分子透明材質基材。其中高分子透明材質基材可為包含有聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethylmethacrylate，PMMA)、聚對苯二甲酸乙二酯(Polyethylene terephthalate，PET)或聚碳酸酯樹脂(Polycarbonate，P C)之基材。然，在本發明之基材為高分子透明材質基材之情況下，高分子透明材質並不以上述例為限，亦可為其他高分子透明材質。其中基材係具可撓性。
其中第一供應裝置60可係以捲材方式或以片材方式提供基材。第一供應裝置60可為第一捲材。
上述之第一供應裝置60所提供之基材與上述之第二供應裝置50所提供之具複數個奈米單元之導電膜係由帶動裝置70所帶動。基材與導電膜由帶動裝置70先行帶動至結合裝置80。由結合裝置80將導電膜置於基材上以形成一複合材。其中結合裝置80可為滾筒以藉由轉動來帶動基材與導電膜的結合，亦可係透過機械來置放導電膜於基材上以使基材與導電膜的結合等方式。
上述之將導電膜置於基材上的步驟更可包含：步驟14：提供一膠體；以及步驟15：利用膠體使導電膜承載於基材上。
所述之步驟14可係為基材的表面係已事先附著一黏著物，例如黏膠等，亦可是透過一上膠裝置90透過塗佈、滴定等方式在基材上形成膠體。膠體可依固化方式之不同選擇用光固化膠、熱固化膠或光-熱固化膠。所謂的光固化膠指會受特定波段的光線照射而固化的膠體，例如是紫外線硬化膠(Ultraviolet glue)，而所謂的熱固化膠則指會在某特定溫度範圍以上的環境中而固化的膠體，而所謂的光-熱固化膠則指需要在某特定溫度範圍以上的環境中，同時受特定波長的光線照射而固化的膠體。此外，膠體亦可選用具導電性之膠體，例如是導電高分子膠。
其中上膠裝置90係位於第一供應裝置60與結合裝置80之間。於此，步驟15係透過結合裝置80來使基材與導電膜的結合，由於基材上具有黏著物或膠體，因此可將導電膜固定於基材上以形成一複合材。
上述之後處理已置於基材上之導電膜的步驟係透過後處理裝置100來後處理複合材。所述之後處理包含雷射處理、固化處理或裁切處理等過程。其中基材可係由第一供應裝置60經由結合裝置80延伸至後處理裝置100。其中導電材可係由第二供應裝置50經由結合裝置80延伸至後處理裝置100。
其中後處理已置於基材上之導電膜的步驟包含：步驟16：雷射處理已置於基材上之導電膜；以及步驟17：固化膠體。
所述之步驟16係透過後處理裝置100來對基材上之導電膜進
行雷射處理。其中雷射處理可係將雷射以大致垂直於導電膜內之奈米單元束或奈米單元之定向排列的方向來回進行加熱、燒斷等處理方式，用以提高導電膜的透光度。雷射處理亦可係將雷射以大致平行於導電膜內之奈米單元束或奈米單元之定向排列的方向來回進行加熱、燒斷等處理方式，用以提高導電膜的電異向性。
於上述之步驟16之後，後處理裝置可接續進行步驟17，亦即視膠體的種類而進行相應的固化膠體的作動。舉例而言，當膠體為光固化膠時，則以特定波段的光線照射使膠體固化；當膠體為熱固化膠時，則將膠體放置於某特定溫度範圍以上的環境使膠體固化；當膠體為光-熱固化膠時，則將膠體放置於某特定溫度範圍以上的環境並以特定波段的光線照射之，使膠體固化。
請參照「第三圖」與「第四圖」，並合併參照前述具體實施例。
「第三圖」係為本發明第二具體實施例之導電板的製作方法中各步驟的流程圖，且「第四圖」係為本發明第二具體實施例之導電板製備系統示意圖。
於本實施例中，首先提供具複數個奈米單元之導電膜。其中提供具複數個奈米單元之導電膜的步驟可包含：步驟20：提供一底材；步驟21：形成複數個奈米單元於底材上；以及步驟22：混合複數個奈米單元於一溶劑以形成一混合物。
上述之步驟20與前述實施例之步驟10大致相同，且步驟21與前述實施例之步驟11大致相同，在此不作贅述。
所述之步驟22係當於底材上形成具複數個奈米單元之膜層結構後，可藉由刀片刮除等方式將複數個奈米單元由底材上收集並混入溶劑中以形成具複數個奈米單元之混合物。其中溶劑可為導
電膠或高分子膠等。由於奈米單元具導電性，因此具有複數個奈米單元之混合物亦具導電性，其混合物所形成之薄膜狀可視為導電膜。分佈裝置110係具有該混合物。
上述之將導電膜置於基材上的步驟可包含：步驟23：提供一基材；上述之步驟23係在分佈裝置110具有該混合物的同時，由第一供應裝置60提供基材。其中基材與前述實施例相同，在此不作贅述。
上述之第一供應裝置60所提供之基材係由帶動裝置70所帶動。
上述之將導電膜置於基材上的步驟更可包含：步驟24：將該混合物置於該基材上。
所述之步驟24係由分佈裝置110將前述之混合物置於基材上。分佈裝置110將前述之混合物置於基材上的方式可透過塗佈、滴定等方式。其中分佈裝置110係位於第一供應裝置60與後處理裝置100之間。於此，步驟24係透過分佈裝置110將前述之混合物置於基材上以形成一複合材。
上述之後處理已置於基材上之導電膜的步驟係透過後處理裝置100來後處理複合材。所述之後處理包含雷射處理、固化處理或裁切處理等過程。其中基材可係由第一供應裝置60延伸至後處理裝置100。
根據本發明所揭露之一種導電板的製作方法及其製備系統，先行將導電膜置於基材上，再對已置於基材上的導電膜進行雷射等後處理，於此可提升製程的生產速度與良率，且製程參數較易控制，同時導電膜可以不間斷的大面積導入。
雖然本發明以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。另外，本發明的任一實施例或申請專利範圍不須達成本發明所揭露之全部目的或優點或特點。此外，摘要部分和標題僅是用來輔助專利文件搜尋之用，並非用來限制本發明之權利範圍。
50‧‧‧第二供應裝置
51‧‧‧成膜裝置
52‧‧‧拉膜裝置
60‧‧‧第一供應裝置
70‧‧‧帶動裝置
80‧‧‧結合裝置
90‧‧‧上膠裝置
100‧‧‧後處理裝置
110‧‧‧分佈裝置
50‧‧‧第二供應裝置
51‧‧‧成膜裝置
710‧‧‧第二基板
720‧‧‧第二膠體
730‧‧‧第二導電薄膜
740‧‧‧第二導電材
AA’‧‧‧剖面線
D‧‧‧線距
d‧‧‧線寬
第一圖係為本發明第一具體實施例之導電板的製作方法中各步驟的流程圖；第二圖係為本發明第一具體實施例之導電板製備系統示意圖；第三圖係為為本發明第二具體實施例之導電板的製作方法中各步驟的流程圖；以及第四圖係為本發明第一具體實施例之導電板製備系統示意圖。
Claims (32)
- 一種導電板的製作方法，包含：提供具複數個奈米單元之一導電膜；將該導電膜置於一基材上；及後處理已置於該基材上之該導電膜；其中，該導電膜係具電異向性，該等奈米單元係大致具一定向排列。
- 如申請專利範圍第1項所述之導電板的製作方法，其中提供該導電膜的步驟包含：提供一底材；形成複數個奈米單元於該底材上；及拉伸處理該等奈米單元以形成一導電膜。
- 如申請專利範圍第2項所述之導電板的製作方法，其中該等奈米單元係為奈米碳管。
- 如申請專利範圍第2項所述之導電板的製作方法，其中形成該導電膜的步驟係形成具複數個奈米單元束之該導電膜。
- 如申請專利範圍第4項所述之導電板的製作方法，其中該等奈米單元束係大致具一定向排列。
- 如申請專利範圍第1項所述之導電板的製作方法，其中提供該導電膜的步驟包含：提供一底材；形成複數個奈米單元於該底材上；及混合該複數個奈米單元於一溶劑以形成一混合物。
- 如申請專利範圍第6項所述之導電板的製作方法，其中將該導 電膜置於該基材上的步驟包含：將該混合物置於該基材上。
- 如申請專利範圍第6項所述之導電板的製作方法，其中後處理已置於該基材上之該導電膜的步驟包含：後處理置於該基材上之該混合物。
- 如申請專利範圍第5項所述之導電板的製作方法，其中該等奈米單元係為奈米碳管。
- 如申請專利範圍第1項所述之導電板的製作方法，其中該等奈米單元係為奈米碳管。
- 如申請專利範圍第1項所述之導電板的製作方法，其中該基材係具可撓性。
- 如申請專利範圍第1項所述之導電板的製作方法，其中將該導電膜置於該基材上的步驟包含：提供一基材；提供一膠體；以及利用該膠體使該導電膜承載於該基材上。
- 如申請專利範圍第12項所述之導電板的製作方法，其中提供該膠體之步驟係提供一膠體選自於由光固化膠、熱固化膠與光熱固化膠所組成之群組。
- 如申請專利範圍第1項所述之導電板的製作方法，其中後處理已置於該基材上之該導電膜的步驟包含：雷射處理已置於該基材上之該導電膜。
- 如申請專利範圍第9項所述之導電板的製作方法，其中後處理的步驟係利用雷射在大致垂直於該定向排列的方向來回處理已置於該基材上之該導電膜。
- 如申請專利範圍第9項所述之導電板的製作方法，其中後處理的步驟係利用雷射在大致平行於該定向排列的方向來回處理已置於該基材上之該導電膜。
- 如申請專利範圍第12項所述之導電板的製作方法，其中後處理已設置於該基材上之該導電膜的步驟包含：雷射處理已置於該基材上之該導電膜；以及固化該膠體。
- 如申請專利範圍第17項所述之導電板的製作方法，其中固化該膠體的步驟係在雷射處理已置於該基材上之該導電膜的步驟之後。
- 一種導電板製備系統，包括：一第一供應裝置，適於供應一基材；一第二供應裝置，適於供應具複數奈米單元之一導電膜；一結合裝置，適於將該導電膜置於該基材上以形成一複合材；一後處理裝置，適於後處理該複合材，其中該基材係由該第一供應裝置經由該結合裝置延伸至該後處理裝置，且該導電膜係由該第二供應裝置經由該結合裝置延伸至該後處理裝置；及一帶動裝置，適於帶動該基材與該導電膜；其中，該導電膜係具電異向性，該等奈米單元係大致具一定向排列。
- 如申請專利範圍第19項所述之導電板製備系統，其中該第一供應裝置係為一第一捲材。
- 如申請專利範圍第19項所述之導電板製備系統，其中該第二 供應裝置包含：一成膜裝置，適於形成一膜層結構於一底材上；及一拉膜裝置，自該底材上拉出該膜層結構而形成一導電膜。
- 如申請專利範圍第21項所述之導電板製備系統，其中該膜層結構係為複數個奈米單元所組成之一集合結構。
- 如申請專利範圍第22項所述之導電板製備系統，其中該奈米單元為奈米碳管。
- 如申請專利範圍第19項所述之導電板製備系統，其中該第二供應裝置係為一第二捲材。
- 如申請專利範圍第19項所述之導電板製備系統，其中該後處理裝置係適於雷射處理已置於該基材上之該導電膜。
- 如申請專利範圍第19項所述之導電板製備系統，其中該後處理裝置係利用雷射以大致垂直於該定向排列的方向來回處理已置於該基材上之該導電膜。
- 如申請專利範圍第19項所述之導電板製備系統，其中該後處理裝置係利用雷射以大致平行於該定向排列的方向來回處理已置於該基材上之該導電膜。
- 如申請專利範圍第19項所述之導電板製備系統，其中該結合裝置用以藉由轉動來帶動該基材與該導電膜結合。
- 如申請專利範圍第19項所述之導電板製備系統，其中該基材的表面係已事先附著一黏著物。
- 如申請專利範圍第19項所述之導電板製備系統，更包含：一上膠裝置，位於該第一供應裝置與該結合裝置之間，適於形成一膠體於該基材上。
- 如申請專利範圍第30項所述之導電板製備系統，其中該後處理裝置係適於先行雷射處理已置於該基材上之該導電膜，然後固化該膠體。
- 如申請專利範圍第19項所述之導電板製備系統，其中該第二供應裝置與該結合裝置係組成一分佈裝置，該分佈裝置適於分佈一混合物於該基材上，其中該混合物係由該複數個奈米單元與一溶劑混合所形成。
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