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TWI413064B - 顯示器裝置、顯示器裝置驅動方法及電子裝置 - Google Patents

顯示器裝置、顯示器裝置驅動方法及電子裝置 Download PDF

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TWI413064B
TWI413064B TW098112390A TW98112390A TWI413064B TW I413064 B TWI413064 B TW I413064B TW 098112390 A TW098112390 A TW 098112390A TW 98112390 A TW98112390 A TW 98112390A TW I413064 B TWI413064 B TW I413064B
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transistor
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Masatsugu Tomida
Mitsuru Asano
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Description

顯示器裝置、顯示器裝置驅動方法及電子裝置
一般地，本發明係關於一種顯示器裝置、一種針對該顯示器裝置提供的驅動方法以及一種運用該顯示器裝置的電子儀器。特定言之，本發明係關於一種具有運用經2維佈置用以形成一矩陣為各包括一電光器件之像素的一平板之類型的顯示器裝置而且係關於一種用於驅動該顯示器裝置以及運用該顯示器裝置之一電子儀器所提供的方法。
近年來，在用於顯示影像的顯示器裝置領域中，具有運用經2維佈置用以形成一矩陣作為各包括用作一發光器件的一電光器件之像素電路的平板之類型的顯示器裝置已以高速度變得普遍。一平板顯示器裝置之每一像素電路中所運用的電光器件係所謂電流驅動式類型之一發光器件，其中藉由該發光器件發射的光之亮度依據流經該器件的一驅動電流之量值而變化。運用各包括所謂電流驅動式類型之發光器件的像素電路之一平板顯示器裝置的一範例係一有機EL(電致發光)顯示器裝置，其運用各包括用作一發光器件之一有機EL器件的像素電路。一有機EL顯示器裝置運用各包括一有機EL器件的像素電路，其各利用其中當將一電場施加於該有機EL器件之一有機薄膜時會產生光的現象。
運用各包括用作一電光器件之一有機EL器件的像素電路之一有機EL顯示器裝置具有下列特性。一有機EL器件具有低功率消耗，因為即使藉由在不超過10V之低位準下所設定的施加電壓來驅動該器件，該器件仍能夠操作。此外，因為一有機EL器件係藉由本身產生光的器件，故與依據一操作來顯示一影像以控制藉由瞭解為用於在每一個像素電路中所運用的液晶之背光的光源所產生的光之亮度的液晶顯示器裝置比較，藉由光產生的一影像展現高度的可辨識性。除此之外，因為一有機EL顯示器裝置不需要一照明部件(例如背光)，故能容易地使該裝置輕而且薄。此外，因為一有機EL器件具有約幾微秒的極短回應時間，故在一顯示時間不會產生殘像。
更像一液晶顯示器裝置一樣，有機EL顯示器裝置能採用一簡單(被動)或主動矩陣方法作為其驅動方法。不過，即使採用被動矩陣方法的一顯示器裝置具有一簡單結構，該電光器件之發光週期仍隨掃描線之數目(即，像素電路之數目)增加而減少。因此，該有機EL顯示器裝置提出在實施較大的大小及高清晰度模型之困難的問題。
基於以上說明的原因，近年來廣泛地開發採用主動矩陣方法的顯示器裝置。依據主動矩陣方法，用於控制流經一電光器件之一驅動電流的主動器件係提供在與該電光器件相同之像素電路中。該主動器件之一範例係絕緣閘極類型之一場效電晶體。絕緣閘極類型之該場效電晶體一般係一TFT(薄膜電晶體)。在採用主動矩陣方法的一顯示器裝置中，每一電光器件能夠在整個一個圖框之週期中維持發光之狀態。因此容易實施採用主動矩陣方法的較大的大小及高清晰度顯示器裝置。
順便提及，藉由該有機EL器件展現為代表施加於該器件的一電壓與因向其施加該電壓而流動至該器件的一驅動電流之間的關係之特性的I-V特性一般隨時間之流逝而劣化，此已為人所共同瞭解。隨時間之流逝的劣化亦稱為時間衰變。在運用N通道類型之一TFT作為用於產生流動至包括於一像素電路中的該有機EL器件之一驅動電流的器件驅動電晶體之像素電路中，該TFT之源極電極係連接至該有機EL器件。因此，由於藉由該有機EL器件展現的I-V特性之時間衰變，施加於該器件驅動電晶體之閘極與源極電極之間的電壓Vgs會改變，並且因此，藉由該有機EL器件發射的光之亮度亦會改變。在下列說明中，技術術語「器件驅動電晶體」係用以暗示用於產生流動至該有機EL器件之一驅動電流的一TFT。
如下更具體地解釋以上說明的內容。出現於一器件驅動電晶體之源極電極上的一電位係藉由該器件驅動電晶體與該有機EL器件的操作點來決定。由於該有機EL器件之I-V特性的時間衰變，該器件驅動電晶體與該有機EL器件的操作點會不合需要地改變。因此，即使施加於該器件驅動電晶體之閘極電極的電壓保持不變，出現於一器件驅動電晶體之源極電極上的電位仍會改變。即，施加於該器件驅動電晶體之閘極與源極電極之間的電壓Vgs會改變。因此，流經該器件驅動電晶體的一驅動電流亦會改變。因此，流經該有機EL器件的一驅動電流亦會改變，以致即使施加於該器件驅動電晶體之閘極電極的電壓保持不變，藉由該有機EL器件發射的光之亮度仍會變化。
此外，在運用一多晶矽TFT作為該器件驅動電晶體的一像素電路中，除該有機EL器件之I-V特性的時間衰變以外，該器件驅動電晶體之臨限電壓Vth及構成該器件驅動電晶體中的一通道的一半導體薄膜之遷移率μ亦由於時間衰變而改變。在下列說明中，構成該器件驅動電晶體中的一通道的一半導體薄膜之遷移率μ係簡單地稱為該器件驅動電晶體之遷移率μ。此外，代表該器件驅動電晶體之特性的臨限電壓Vth及移動率μ亦由於製程的變化而在像素間改變。即，該器件驅動電晶體之特性在像素間變化。
若該器件驅動電晶體之臨限電壓Vth及遷移率μ由於製程的變化及/或由於時間衰變而在像素間改變，則即使施加於該器件驅動電晶體之閘極與源極電極之間的電壓保持不變，流經該器件驅動電晶體的驅動電流仍亦在像素間改變。因此，即使施加於該器件驅動電晶體之閘極與源極電極之間的電壓保持不變，藉由該有機EL器件發射的光之亮度仍亦在像素間變化。因此，螢幕均勻性會損失。
為了針對施加於該器件驅動電晶體之閘極與源極電極之間的一恆定電壓來將藉由該有機EL器件發射的光之亮度維持在不受該有機EL器件之I-V特性的變化、該器件驅動電晶體之臨限電壓Vth的變化以及該器件驅動電晶體之遷移率μ的變化影響的一恆定值，即使該有機EL器件之I-V特性(即臨限電壓Vth及遷移率μ)由於時間衰變而改變，如在日本專利特許公開案第2006-133542號中揭示，仍因此必需提供包括各種補償功能的一組態。
每一像素電路之補償功能包括用於針對該有機EL器件之I-V特性的變化來補償藉由該有機EL器件發射的光之亮度的補償功能、用於針對該器件驅動電晶體之臨限電壓Vth的變化來補償藉由該有機EL器件發射的光之亮度的補償功能以及用於針對該器件驅動電晶體之遷移率μ的變化來補償藉由該有機EL器件發射的光之亮度的補償功能。在下列說明中，針對該器件驅動電晶體之臨限電壓Vth的變化來補償藉由該有機EL器件發射的光之亮度的程序係稱為一臨限電壓補償程序而針對該器件驅動電晶體之遷移率μ的變化來補償藉由該有機EL器件發射的光之亮度的程序係稱為一遷移率補償程序。
藉由使每一像素電路具備如以上說明的用於針對該有機EL器件之I-V特性的變化來補償藉由該有機EL器件發射的光之亮度的補償功能、用於針對該器件驅動電晶體之臨限電壓Vth的變化來補償藉由該有機EL器件發射的光之亮度的補償功能以及用於針對該器件驅動電晶體之遷移率μ的變化來補償藉由該有機EL器件發射的光之亮度的補償功能，可以針對施加於該器件驅動電晶體之閘極與源極電極之間的恆定電壓將藉由該有機EL器件發射的光之亮度維持在不受該有機EL器件之I-V特性的變化、該器件驅動電晶體之臨限電壓Vth的變化以及遷移率μ的變化影響的一恆定值，即使該有機EL器件之I-V特性由於時間衰變而改變而臨限電壓Vth以及遷移率μ由於時間衰變及/或製程的變化而改變。然而，每一個像素電路中所運用的組件之數目會增加。因此，提出由於每一個像素電路中所運用的組件之增加數目而減小像素電路之大小的困難，以及因此實施一高清晰度顯示器裝置的困難之問題。
同時，作為一範例，亦已提議能夠改變出現於用於提供一驅動電流至該器件驅動電晶體之一電源供應線上的電源供應電位之一像素電路。因為能改變出現於用於提供一驅動電流至該器件驅動電晶體之一電源供應線上的電源供應電位，故該像素電路不需要用於控制自該電光器件之發光週期至該電光器件之非發光週期且反之亦然的轉變之一電晶體。事實上，該像素電路亦不需要用於初始化出現於該器件驅動電晶體之源極電極上的電位之一電晶體以及用於初始化出現於該器件驅動電晶體之閘極電極上的電位之一電晶體。對於提議之像素電路上的更多資訊，建議讀者參考諸如日本專利特許公開案第2007-310311號之文件。因為能省略用於控制自該電光器件之發光週期至該電光器件之非發光週期且反之亦然的轉變之電晶體以及用於初始化出現於該器件驅動電晶體之源極及閘極電極上的電位之電晶體，故能減小每一個像素電路中所運用的組件之數目以及連接此類組件的導線之數目。
依據日本專利特許公開案第2007-310311號中揭示的現有技術，能減小每一個像素電路中所運用的組件之數目以及連接此類組件的導線之數目。因此，可以減小該像素電路之大小，並且因此可以實施高清晰度顯示器裝置。在此像素電路之情況下，採用一組態用於藉由改變出現於用於提供一驅動電流至該器件驅動電晶體之一電源供應線上的電源供應電位來控制自該電光器件之發光週期至該電光器件之非發光週期且反之亦然的轉變。詳細而言，為了進行自該電光器件之發光週期至該電光器件之非發光週期的轉變，將出現於該電源供應線上的電源供應電位改變至低位準以便施加反向偏壓至該電光器件以致將該電光器件設定在非發光之狀態中。
然而，若將該電光器件設定在反向偏壓狀態中，則即使該電光器件並非在發光，仍在該電光器件中產生電應力。若在其期間於該電光器件中產生電應力的週期係較長，則螢幕均勻性會由於其他原因當中該電光器件之特性劣化並且該電光器件在不能發光的狀態中變為有缺陷的事實而損失。
解決以上說明的問題，本發明之發明者已創新能夠減小藉由在非發光週期期間施加於該電光器件的反向偏壓所產生的電應力之數量的顯示器裝置。發明者亦已創新用於驅動該顯示器裝置及運用該顯示器裝置的電子儀器之方法。
為了解決以上說明的問題，提供一顯示器裝置，其運用經佈置用以形成一像素矩陣的像素電路以用作各具有下列的像素電路：一電光器件；一信號寫入電晶體，其用於寫入一視訊信號至一信號儲存電容器中，該信號儲存電容器用於保持藉由該信號寫入電晶體寫入至該信號儲存電容器中的該視訊信號；以及一器件驅動電晶體，其用於依據藉由該信號儲存電容器所保持的該視訊信號來驅動該電光器件。
在用以藉由利用該器件驅動電晶體來驅動該電光器件的操作中，將出現於用於提供流動至該器件驅動電晶體之一驅動電流的一電源供應線上的電源供應電位自一個位準改變至另一位準以便控制自該電光器件之發光週期至該電光器件之非發光週期且反之亦然的轉變，而且在該電光器件之非發光週期的一部分中，將出現於該電源供應線上的電源供應電位設定在出現於該電光器件之陰極電極上的電位。
在該電光器件之非透光週期期間，將一反向偏壓施加於該電光器件。然而，在該電光器件之非透光週期之一部分期間，將出現於該電源供應線上的電源供應電位設定在出現於該電光器件之陰極電極上的電位以便將出現於一電極(其屬於該器件驅動電晶體並且係關於該器件驅動電晶體而放置在與該電源供應線相對的一側上)上的電位亦設定在出現於該電光器件之陰極電極上的電位。在此狀態中，出現於該電光器件之陽極與陰極電極之間的電壓因此變為等於0V。因此，因為在該電光器件之非透光週期之部分期間未將反向偏壓施加於該電光器件，故可以減小其中將反向偏壓施加於該電光器件的一週期之長度。因此，亦可以減少藉由施加於該電光器件的反向偏壓在該電光器件中產生的電應力之數量。
依據本發明之具體實施例，可以減小在非發光週期藉由施加於該電光器件的反向偏壓所產生的電應力之數量。因此可以預防該電光器件之特性改變以及該電光器件在不能夠發光或由於電應力而不能夠發光的狀態中變為有缺陷。
藉由參考下列圖來詳細解釋本發明之較佳具體實施例。系統組態
圖1係顯示應用本發明之具體實施例的一主動矩陣類型顯示器裝置之一粗略組態的系統組態圖。作為一範例，該主動矩陣類型顯示器裝置中所運用的每一像素電路具有用作一電光器件的一電流驅動式發光器件，該電光器件以藉由流經該電光器件的一驅動電流之量值所決定的亮度來發光。此一電光器件之一典型範例係有機EL器件。運用各具有用作一發光器件之一有機EL器件的像素電路之顯示器裝置係稱為一主動矩陣類型有機EL顯示器裝置，其係在以下解釋為一典型主動矩陣類型顯示器裝置。
如圖1之系統組態圖中所示，用作該主動矩陣類型顯示器裝置之一典型範例的一有機EL顯示器裝置10運用一像素矩陣區段30及驅動區段，其係提供於包圍像素矩陣區段30的位置處作為各用於驅動在像素矩陣區段30中所運用的複數個像素電路(PXLC)20之驅動區段。在像素矩陣區段30中，各包括一發光器件的像素電路20經2維配置用以形成一像素矩陣。該等驅動區段通常係一寫入掃描電路40、一電源供應掃描電路50以及一信號輸出電路60。
在用於顯示一彩色顯示器之一主動矩陣有機EL顯示器裝置10的情況下，像素電路20之每一者包括各用作一像素電路20的複數個子像素電路。更具體而言，在用於顯示彩色顯示器之一主動矩陣有機EL顯示器裝置10中，像素電路20之每一者包括三個子像素電路，即，用於發射紅光(即，R色彩之光)的一子像素電路、用於發射綠光(即，G色彩之光)的一子像素電路以及用於發射藍光(即，B色彩之光)的一子像素電路。
然而，各用作一像素電路的子像素電路之組合係決不限於用於三原色(即，R、G及B色彩)的子像素電路之以上組態。例如，能將另一色彩之一子像素電路或甚至用於複數個其他色彩之複數個子像素電路添加至用於三原色的子像素電路以用作一像素電路。更具體而言，例如，能將用於產生用於增加亮度的白(W)色彩之光的一子像素電路添加至用於三原色的子像素電路以用作一像素電路。作為另一範例，能將各用於產生一互補色之光的子像素電路添加至用於三原色的子像素電路以用作具有增加色彩再現範圍的一像素電路。
對於經配置用以形成像素矩陣區段30中的m個列及n個行的像素電路20之m列/n行矩陣，提供掃描線31-1至31-m及電源供應線32-1至32-m，其係定向於圖1之方塊圖的列方向或水平方向上。列方向係配置像素電路20所沿的每一個矩陣列之方向。更明確而言，針對像素電路20之矩陣的m個列之一者提供掃描線31-1至31-m之每一者及電源供應線32-1至32-m之每一者。另外，像素矩陣區段30中的像素電路20之m列/n行矩陣亦具備各定向於圖1之方塊圖中的行方向或垂直方向上的信號線33-1至33-n。行方向係配置像素電路20所沿的每一個矩陣行之方向。更明確而言，針對像素電路20之矩陣的n個行之一者提供信號線33-1至33-n之每一者。
掃描線31-1至31-m之任一特定者係連接至一輸出終端，其係在寫入掃描電路40中所運用作為與提供特定掃描線31所針對的一列相關聯之一輸出終端。出於同樣原因，電源供應線32-1至32-m之任一特定者係連接至一輸出終端，其係在電源供應掃描電路50中所運用作為與提供特定電源供應線32所針對的一列相關聯之一輸出終端。另一方面，信號線33-1至33-n之任一特定者係連接至一輸出終端，其係在信號輸出電路60中所運用作為與提供特定信號線33所針對的一行相關聯之一輸出終端。
像素陣列區段30係正常地建立於一透明絕緣基板(例如一玻璃基板)上。因此，主動矩陣有機EL顯示器裝置10能經構造用以具有平板結構。各用作經組態用以驅動包括於像素矩陣區段30中的像素電路20之驅動區段的寫入掃描電路40、電源供應掃描電路50及信號輸出電路60之每一者能由非晶矽TFT(薄膜電晶體)或低溫矽TFT構成。若運用低溫矽TFT，則寫入掃描電路40、電源供應掃描電路50及信號輸出電路60之每一者亦能建立於構成像素矩陣區段30的顯示器面板70(或基板)上。
寫入掃描電路40包括用於循序地與一時脈脈衝信號ck同步偏移(傳播)一開始脈衝sp的一移位暫存器。在用以寫入視訊信號至在像素矩陣區段30中所運用的像素電路20之操作中，寫入掃描電路40循序地供應作為寫入脈衝(或掃描信號)WS1至WSm之一者的開始脈衝sp至掃描線31-1至31-m之一者。供應至掃描線31-1至31-m的寫入脈衝係因此用於循序地以列單元在所謂的逐線循序掃描操作中掃描在像素矩陣區段30中所運用的像素電路20以將設於相同列上的像素電路20置於經啟用用以同時接收該視訊信號的狀態中。
出於同樣原因，電源供應掃描電路50亦包括用於循序地與一時脈脈衝信號ck同步偏移(傳播)一開始脈衝sp的一移位暫存器。與藉由寫入掃描電路40實行的逐線循序掃描操作同步，即，與藉由開始脈衝sp決定的時序同步，電源供應掃描電路50分別供應電源供應線電位DS1至DSm至電源供應線32-1至32-m。電源供應線電位DS1至DSm之每一者係自一第一電源供應電位Vccp切換至低於第一電源供應電位Vccp的一第二電源供應電位Vini且反之亦然以便以列單元控制像素電路20之發光狀態及非發光狀態並且以便以列單元供應一驅動電流至有機EL器件，其係在像素電路20中各運用為一發光器件。
信號輸出電路60適當地選擇代表自圖1之方塊圖中未顯示的一信號源接收之亮度資訊的一視訊信號之電壓Vsig或一參考電位Vofs並且透過信號線33-1至33-n通常以列單元寫入選定者至在像素矩陣區段30中所運用的像素電路20。在下列說明中，代表自該信號源接收之亮度資訊的一視訊信號之電壓的視訊信號電壓Vsig係亦稱為一信號電壓。即，信號輸出電路60採用逐線循序寫入操作之驅動方法用於在經啟用用以以列單元接收視訊信號電壓Vsig的狀態中寫入視訊信號電壓Vsig至像素電路20。此係因為將像素電路20置於經啟用用以以列單元接收視訊信號電壓Vsig的狀態中，如前面所解釋。
像素電路
圖2係顯示像素電路20之具體典型組態的圖。
如圖2之圖中所示，像素電路20包括用作一電光器件(或電流驅動式發光器件)之一有機EL器件21，其改變因此依據流經該器件的電流之量值所產生的光之亮度。像素電路20亦具有用於驅動有機EL器件21的一驅動電流。有機EL器件21之陰極電極係連接至藉由所有像素電路20所共用的一共同電源供應線34。共同電源供應線34亦係稱為所謂的貝他(beta)線。
如以上說明，除有機EL器件21以外，像素電路20亦具有由包括以上提及的器件驅動電晶體22、信號寫入電晶體23及信號儲存電容器24之驅動組件構成的驅動電路。在像素電路20之典型組態中，器件驅動電晶體22及信號寫入電晶體23之每一者係一N通道TFT。然而，器件驅動電晶體22及信號寫入電晶體23之傳導類型係決不限於N通道傳導類型。即，器件驅動電晶體22及信號寫入電晶體23之傳導類型能各係另一傳導類型或能係彼此不同的傳導類型。
應該注意，若使用N通道TFT作為器件驅動電晶體22及信號寫入電晶體23之每一者，則能施加非晶矽(a-Si)程序於像素電路20的製造。藉由施加非晶矽(a-Si)程序於像素電路20的製造，可以降低上面建立該等TFT的一基板之成本，並且因此降低主動矩陣有機EL顯示器裝置10本身之成本。此外，若器件驅動電晶體22及信號寫入電晶體23具有相同傳導類型，則能將相同程序用於建立器件驅動電晶體22及信號寫入電晶體23。因此，器件驅動電晶體22及信號寫入電晶體23之相同傳導類型促成成本降低。
器件驅動電晶體22的電極之一者(即，源極或汲極電極)係連接至有機EL器件21之陽極電極而器件驅動電晶體22的另一個電極(即，汲極或源極電極)係連接至電源供應線32，即，電源供應線32-1至32-m之一者。
信號寫入電晶體23之閘極電極係連接至掃描線31，即，掃描線31-1至31-m之一者。信號寫入電晶體23的電極之一者(即，源極或汲極電極)係連接至信號線33，即，信號線33-1至33-n之一者；而信號寫入電晶體23的另一個電極(即，汲極或源極電極)係連接至器件驅動電晶體22之閘極電極。
在器件驅動電晶體22及信號寫入電晶體23中，該等電極之一者係連接至該電晶體之源極或汲極區域的一金屬導線而另一個電極係連接至該電晶體之汲極或源極區域的一金屬導線。此外，依據出現於該等電極之一者上的電位與出現於另一個電極上的電位之間的關係，該等電極之一者變為一源極或汲極電極而另一個電極變為汲極或源極電極。
信號儲存電容器24的終端之一者係連接至器件驅動電晶體22之閘極電極而信號儲存電容器24之另一個終端係連接至器件驅動電晶體22的電極之一者以及有機EL器件21之陽極電極。
應注意用於驅動有機EL器件21的驅動電路之組態決不限於運用如以上說明的器件驅動電晶體22、信號寫入電晶體23以及信號儲存電容器24之組態。例如，若有必要，則該驅動電路可包括一補充電容器，其具有用於針對有機EL器件21之電容的不足而補償有機EL器件21的電容。該補充電容器的終端之一者係連接至有機EL器件21之陽極電極而該補充電容器的終端之另一個終端係連接至有機EL器件21之陰極電極。如以上說明，有機EL器件21之陰極電極係連接至加以設定在一固定電位的共同電源供應線34。
在具有以上說明的組態之像素電路20中，藉由一高位準掃描信號WS將信號寫入電晶體23置於傳導狀態中，該信號係透過掃描線31(即，掃描線31-1至31-m之一者)藉由寫入掃描電路40施加於信號寫入電晶體23之閘極電極。在信號寫入電晶體23之此傳導狀態中，信號寫入電晶體23取樣藉由信號輸出電路60透過信號線33(即，信號線33-1至33-n之一者)供應的視訊信號電壓Vsig作為具有代表亮度資訊之一量值的電壓，或取樣亦藉由信號輸出電路60透過信號線33供應的參考電位Vofs並且寫入取樣的視訊信號電壓Vsig或取樣的參考電位Vofs至在像素電路20中所運用的信號儲存電容器24。取樣的視訊信號電壓Vsig或取樣的參考電位Vofs係施加於器件驅動電晶體22之閘極電極並且保持在信號儲存電容器24中。
於在電源供應線32(即，電源供應線32-1至32-m之一者)上確證第一電源供應電位Vccp為電位DS的情況下，器件驅動電晶體22的電極之一特定者變為汲極電極而器件驅動電晶體22的電極之另一者變為源極電極。在以此方式發揮功能的器件驅動電晶體22之電極中，器件驅動電晶體22係在一飽和區中操作並且讓自電源供應線32接收的一電流流動至有機EL器件21作為用於驅動有機EL器件21至發光之狀態中的一驅動電流。更具體而言，器件驅動電晶體22係在一飽和區中操作以供應用作具有依據儲存於信號儲存電容器24中的視訊信號電壓Vsig之量值的一量值之一發光電流的一驅動電流至有機EL器件21。有機EL器件21因此發射具有依據在一發光狀態中的驅動電流之量值的亮度之光。
當將在電源供應線32(即，電源供應線32-1至32-m之一者)上確證為電位DS的第一電源供應電位Vccp改變至第二電源供應電位Vini時，器件驅動電晶體22操作為一切換電晶體。當操作為一切換電晶體時，器件驅動電晶體22之特定電極變為源極電極而器件驅動電晶體22之另一個電極變為汲極電極。作為此一切換電晶體，器件驅動電晶體22停止操作以供應驅動電流至有機EL器件21，從而將有機EL器件21置於非發光狀態中。即，器件驅動電晶體22亦具有用於控制有機EL器件21的發光狀態與非發光狀態之間的轉變之一電晶體的功能。
器件驅動電晶體22實行一切換操作以便將用於有機EL器件21的非發光週期設定為非發光狀態的週期並且控制定義為有機EL器件21的發光週期與有機EL器件21的非發光週期之比率的作用時間。藉由執行此控制，可以減小藉由歸因於藉由像素電路在整個一個圖框期間產生的光之一殘像引起的模糊之數量。因此，特定言之，能使一移動影像之品質更優良。
藉由信號輸出電路60選擇性產生並且在信號線33上確證的參考電位Vofs係用作代表自該信號源接收的亮度資訊之視訊信號電壓Vsig的參考之電位。參考電位Vofs通常係代表黑色位準的電位。
第一電源供應電位Vccp或第二電源供應電位Vini係藉由電源供應掃描電路50選擇性地產生並且在電源供應線32上確證。第一電源供應電位Vccp係用於使器件驅動電晶體22具備用於驅動有機EL器件21以發光的一驅動電流之一電源供應電位。另一方面，第二電源供應電位Vini係用作一反向偏壓的一電源供應電位，該反向偏壓係施加於有機EL器件21以便將有機EL器件21置於非發光狀態中。第二電源供應電位Vini必須係低於參考電位Vofs。例如，第二電源供應電位Vini係低於(Vofs-Vth)，其中參考記號Vth表示在像素電路20中所運用的一器件驅動電晶體22之臨限電壓。需要將第二電源供應電位Vini設定在充分低於(Vofs-Vth)的一電位。
像素結構
圖3係顯示像素電路20之一典型結構的斷面之斷面圖。如圖3中所示，像素電路20之結構包括一玻璃基板201，在其之上建立包括器件驅動電晶體22的驅動組件。此外，像素電路20之結構亦包括一絕緣膜202、一絕緣平坦膜203以及一窗口絕緣膜204，其係以在此句中列舉絕緣膜202、絕緣平坦膜203及窗口絕緣膜204之順序而循序地建立於玻璃基板201上。在此結構中，有機EL器件21係設於窗口絕緣膜204之凹部204A上。圖3僅顯示作為一組態元件的驅動電路之器件驅動電晶體22，從而省略該驅動電路之其他驅動組件。
有機EL器件21具有包括一陽極電極205、有機層206及一陰極電極207之一組態。陽極電極205通常係建立於窗口絕緣膜204之凹部204A之底部上的金屬。有機層206係建立於陽極電極205之上的一電子傳輸層、一發光層及一電洞傳輸/注入層。放置在有機層206上的陰極電極207通常係建立為所有像素電路20所共同的一膜的一透明傳導膜。
包括於有機EL器件21中的有機層206係藉由循序地堆疊一電洞傳輸層/電洞注入層2061、一發光層2062、一電子傳輸層2063及一電子注入層於陽極電極205上來建立。應注意圖3中未顯示該電子注入層。在藉由器件驅動電晶體22實行以驅動有機EL器件21藉由讓一電流流動至有機EL器件21而發光的操作中，如圖2之圖中所示，該電流藉由陽極電極205自器件驅動電晶體22流動至有機層206。在該電流流動至有機層206的情況下，電洞及電子在發光層2062中彼此再組合，從而使光加以發射。
器件驅動電晶體22經建立以具有包括一閘極電極221、一半導體層222、一源極/汲極區域223、一汲極/源極區域224及一通道建立區域225的一組態。在此組態中，源極/汲極區域223係建立於半導體層222的側之一者上而汲極/源極區域224係建立於半導體層222之另一側上並且通道建立區域225面對半導體層222之閘極電極221。源極/汲極區域223係透過一接觸孔電性連接至有機EL器件21之陽極電極205。
如圖3中所示，對於每一個像素電路20，一有機EL器件21係建立於玻璃基板201之上，從而在有機EL器件21與上面形成包括器件驅動電晶體22之驅動組件的玻璃基板201之間夾置絕緣膜202、絕緣平坦膜203及窗口絕緣膜204。在以此方式建立有機EL器件21之後，於有機EL器件21之上建立一鈍化膜208並且藉由一密封基板209覆蓋該鈍化膜，從而在密封基板209與鈍化膜208之間夾置一黏著劑210。以此方式，有機EL器件21係藉由密封基板209密封，從而形成一顯示器面板70。
有機EL顯示器裝置之電路操作
接著，藉由參考圖4之時序/波形圖作為圖5及6之基礎及電路圖，下列說明解釋藉由運用經2維佈置用以形成一矩陣的像素電路20之主動矩陣有機EL顯示器裝置10所實行的電路操作。
應注意，在圖5及6之電路操作解釋性圖中，將信號寫入電晶體23顯示為代表一關開的一符號，以便使該等圖簡單。此外，一電容器25係在圖5及6之電路操作解釋性圖中顯示以用作有機EL器件21之等效電容器。
圖4之時序/波形圖顯示出現於掃描線31(掃描線31-1至31-m之任一者)上的電位(寫入掃描信號)WS之變化、出現於電源供應線32(電源供應線32-1至32-m之任一者)上的電位DS之變化、出現於器件驅動電晶體22之閘極電極上的閘極電位Vg之變化以及出現於器件驅動電晶體22之源極電極上的源極電位Vs之變化。閘極電位Vg之波形係藉由點虛線顯示而源極電位Vs之波形係藉由點線顯示以便此等波形能彼此加以區分。
前述圖框之發光週期
在圖4之時序/波形圖中，在時間t1之前的一週期係緊接在本圖框(或本圖場)前之一圖框(或一圖場)中的有機EL器件21之發光週期。在一發光週期中，出現於電源供應線32上的電位DS係在以下亦稱為高電位的第一電源供應電位Vccp而且信號寫入電晶體23係在非導電狀態中。
於在電源供應線32上確證第一電源供應電位Vccp並且將其施加於器件驅動電晶體22的情況下，將器件驅動電晶體22設定至在一飽和區中操作。因此，在該發光週期中，依據施加於器件驅動電晶體22之閘極與源極電極之間的閘極-源極電壓Vgs之一驅動電流(即，於器件驅動電晶體22之汲極與源極電極之間流動的發光電流或汲極-源極電流Ids)藉由器件驅動電晶體22自電源供應線32流動至有機EL器件21，如圖5A之電路圖中所示。因此，有機EL器件21發射具有與驅動電流Ids之量值成比例的亮度之光。
臨限電壓補償製備週期
接著，在時間t1，逐線循序掃描操作之一新圖框(在圖4之時序/波形圖中稱為上述本圖框)到達。如圖5B之電路圖中所示，出現於電源供應線32上的電位DS係自高電位Vccp改變至第二電源供應電位Vini以便開始一臨限電壓補償製備週期。亦在以下稱為一低電位，通常地，低電位Vini係充分低於(Vofs-Vth)(其係低於Vofs)，其中參考記號Vth表示器件驅動電晶體22之臨限電壓而參考記號Vofs表示出現於信號線33上的上述參考電位Vofs。
讓吾人假定低電位Vini滿足關係Vini<(Vthel+Vcath)，其中參考記號Vthel表示有機EL器件21之臨限電壓而參考記號Vcath表示出現於共同電源供應線34上的電位。在此情況下，因為出現於器件驅動電晶體22之源極電極上的源極電位Vs係約等於低電位Vini，故將有機EL器件21置於反向偏壓狀態中，從而停止以發光。
接著，在一稍後時間t2，出現於掃描線31上的電位WS係自低位準改變至高位準，從而將信號寫入電晶體23置於傳導狀態中以開始一臨限電壓補償製備週期，如圖5C中所示。在此狀態中，信號輸出電路60係在信號線33上確證參考電位Vofs並且藉由信號寫入電晶體23將參考電位Vofs施加於器件驅動電晶體22之閘極電極作為閘極電位Vg。如以上說明，將充分低於參考電位Vofs的低電位Vini施加於器件驅動電晶體22之源極電極作為此時的源極電位Vs。
因此，此時，施加於器件驅動電晶體22之閘極與源極電極之間的閘極-源極電壓Vgs係等於電位差異(Vofs-Vini)。若電位差異(Vofs-Vini)並非大於器件驅動電晶體22之臨限電壓Vth，則可以不實行稍後待說明的臨限電壓補償程序。因此有必要將低電位Vini及參考電位Vofs設定在滿足電位關係(Vofs-Vini)>Vth的位準。
用以固定(設定)出現於器件驅動電晶體22之閘極電極上的電位Vg在參考電位Vofs以及出現於器件驅動電晶體22之源極電極上的電位Vs在低電位Vini的初始化程序係製備稍後待說明的臨限電壓補償程序的程序。在下列說明中，製備臨限電壓補償程序的程序係稱為臨限電壓補償製備程序。在此程序中，參考電位Vofs係出現於器件驅動電晶體22之閘極電極上的電位Vg之初始化電位而低電位Vini係出現於器件驅動電晶體22之源極電極上的電位Vs之初始化電位。
臨限電壓補償週期
接著，當在按原樣維持出現於器件驅動電晶體22之閘極電極上的電位Vg之狀態中在稍後時間t3將出現於電源供應線32上的電位DS自低電位Vini改變至高電位Vccp時，如圖5D中所示，開始臨限電壓補償週期。即，出現於器件驅動電晶體22之源極電極上的電位Vs開始朝因自閘極電位Vg減去器件驅動電晶體22之臨限電壓Vth所獲得的電位上升。
為方便起見，用作出現於如以上說明的器件驅動電晶體22之閘極電極上的電位Vg之初始化電位的參考電位Vofs係視為一參考電位而且提升電位Vs至因自閘極電位Vg減去器件驅動電晶體22之臨限電壓Vth所獲得的電位之程序係稱為臨限電壓補償程序。隨著臨限電壓補償程序在繼續，在適當時間，施加於器件驅動電晶體22之閘極與源極電極之間的電壓Vgs係收斂至器件驅動電晶體22之臨限電壓Vth，從而使對應於臨限電壓Vth的一電壓加以儲存於信號儲存電容器24中。
應注意，為了讓整個驅動電流在其中實行臨限電壓補償程序的臨限電壓補償週期期間流動至信號儲存電容器24而非部分地流動至有機EL器件21，預先將共同電源供應線34設定在電位Vcath以便將有機EL器件21置於切斷狀態中。
接著，在與臨限電壓補償週期結束相符的稍後時間t4，將出現於掃描線31上的電位WS改變至低位準以便將信號寫入電晶體23置於非傳導狀態中，如圖6A中所示。在信號寫入電晶體23之此非傳導狀態中，器件驅動電晶體22之閘極電極係與信號線33電性斷開，從而進入一浮動狀態。然而，因為出現於器件驅動電晶體22之閘極與源極電極之間的電壓Vgs係等於器件驅動電晶體22之臨限電壓Vth，故將器件驅動電晶體22置於切斷狀態中。因此，汲極-源極電流Ids並不流經器件驅動電晶體22。
信號寫入及遷移率補償週期
接著，在一稍後時間t5，將出現於信號線33上的電位自參考電位Vofs改變至視訊信號電壓Vsig，如圖6B中所示。其後，在與信號寫入及遷移率補償週期之開始相符的稍後時間t6，藉由設定出現於掃描線31上的電位WS在高位準，將信號寫入電晶體23置於傳導狀態中，如圖6C中所示。在此狀態中，信號寫入電晶體23取樣視訊信號電壓Vsig並且儲存取樣的視訊信號電壓Vsig至像素電路20中。
因藉由信號寫入電晶體23實行以儲存取樣的視訊信號電壓Vsig至像素電路20中的操作，出現於器件驅動電晶體22之閘極電極上的電位Vg變為等於視訊信號電壓Vsig。在用以藉由利用視訊信號電壓Vsig來驅動器件驅動電晶體22的操作中，器件驅動電晶體22之臨限電壓Vth以及儲存於信號儲存電容器24中作為對應於臨限電壓Vth之電壓的一電壓在所謂的臨限電壓補償程序中彼此抵消，其原理將在稍後加以詳細說明。
此時，有機EL器件21係初始地在切斷狀態(或高阻抗狀態)中。因此，自電源供應線32流動至藉由視訊信號電壓Vsig所驅動的器件驅動電晶體22之汲極-源極電流Ids實際上走到並聯連接至有機EL器件21的上述等效電容器25而非進入有機EL器件21本身。因此，開始等效電容器25的充電程序。
雖然等效電容器25係在充電，但是出現於器件驅動電晶體22之源極電極上的電位Vs隨時間之流逝而上升。因為已針對像素間的Vth(臨限電壓)變化而補償於器件驅動電晶體22之汲極與源極電極之間流動的汲極-源極電流Ids，故汲極-源極電流Ids僅依據器件驅動電晶體22之遷移率μ在像素間變化。
讓吾人假定寫入增益具有一理想數值1。該寫入增益係定義為電壓Vgs(其係在器件驅動電晶體22之閘極與源極電極之間觀察而得並且儲存於信號儲存電容器24中作為如以上說明對應於器件驅動電晶體22之臨限電壓Vth的電壓)與視訊信號電壓Vsig之比率。在出現於器件驅動電晶體22之源極電極上的電位Vs達到一電位(Vofs-Vth+ΔV)時，在器件驅動電晶體22之閘極與源極電極之間觀察而得的電壓Vgs變為等於一電位(Vsig-Vofs+Vth-ΔV)，其中參考記號ΔV表示源極電位Vs的增加。
即，實行負回授操作以便自儲存於信號儲存電容器24中作為電壓(Vsig-Vofs+Vth)的一電壓減去出現於器件驅動電晶體22之源極電極上的電位Vs之增加ΔV，或換言之，實行負回授操作以便自信號儲存電容器24電性放電某一電荷。在負回授操作中，將出現於器件驅動電晶體22之源極電極上的電位Vs之增加ΔV用作負回授數量。
如以上說明，藉由負饋送於器件驅動電晶體22之汲極與源極電極之間流動的汲極-源極電流Ids回至器件驅動電晶體22之閘極輸入，即，藉由負饋送於器件驅動電晶體22之汲極與源極電極之間流動的汲極-源極電流Ids回至出現於器件驅動電晶體22之閘極與源極電極之間的電壓Vgs，能消除汲極-源極電流Ids對器件驅動電晶體22之遷移率μ的相依性。即，在用以取樣視訊信號電壓Vsig並且儲存取樣的視訊信號電壓Vsig至像素電路20的操作中，同時亦實行遷移率補償程序以便針對像素間的遷移率(μ)變化來補償於器件驅動電晶體22之汲極與源極電極之間流動的汲極-源極電流Ids。
更具體而言，待儲存於器件驅動電晶體22之閘極電極中的視訊信號電壓Vsig之振幅Vin(=Vsig-Vofs)越大，於器件驅動電晶體22之汲極與源極電極之間流動的汲極-源極電流Ids就越大，並且因此用作負回授操作之負回授數量(或補償數量)的增加ΔV之絕對值就越大。因此，可以依據藉由有機EL器件21發射的光之亮度的位準來實行一遷移率補償程序。
對於視訊信號電壓Vsig之固定振幅Vin，器件驅動電晶體22之遷移率μ越大，用作負回授操作之負回授數量(或補償數量)的增加ΔV之絕對值就越大。因此可以針對像素間的遷移率(μ)來補償於器件驅動電晶體22之汲極與源極電極之間流動的汲極-源極電流Ids。稍後將詳細說明遷移率補償程序之原理。
發光週期
接著，在與信號寫入及遷移率補償週期之結束或發光週期之開始相符的稍後時間t7，將出現於掃描線31上的電位WS改變至一低位準以便將信號寫入電晶體23置於非傳導狀態中，如圖6D中所示。在將電位WS置於低位準的情況下，器件驅動電晶體22之閘極電極係與信號線33電性斷開，從而進入一浮動狀態。
在將器件驅動電晶體22之閘極電極置於一浮動狀態中並且將器件驅動電晶體22之閘極及源極電極連接至信號儲存電容器24的情況下，當出現於器件驅動電晶體22之源極電極上的電位Vs依據儲存於信號儲存電容器24中的電荷之數量而變化時，出現於器件驅動電晶體22之閘極電極上的電位Vg亦以與電位Vs之變化連鎖的方式而變化。其中出現於器件驅動電晶體22之閘極電極上的電位Vg亦以與出現於器件驅動電晶體22之源極電極上的電位Vs之變化連鎖的方式而變化的操作係稱為啟動操作，其係基於藉由信號儲存電容器24提供的耦合效應。
在將器件驅動電晶體22之閘極電極置於一浮動狀態中時，於器件驅動電晶體22之汲極與源極電極之間流動的汲極-源極電流Ids開始流動至有機EL器件21。因此，出現於有機EL器件21之陽極電極上的電位依據汲極-源極電流Ids的增加而上升。
隨著出現於有機EL器件21之陽極電極上的電位超過電位(Vthel+Vcath)，一驅動電流(或一發光電流)開始流經有機EL器件21，從而使有機EL器件21開始發光。出現於有機EL器件21之陽極電極上的電位之增加正係出現於器件驅動電晶體22之源極電極上的電位Vs之增加。當出現於器件驅動電晶體22之源極電極上的電位Vs上升時，在基於藉由信號儲存電容器24提供的耦合效應之啟動操作中，出現於器件驅動電晶體22之閘極電極上的電位Vg亦以與出現於器件驅動電晶體22之源極電極上的電位Vs之變化連鎖的方式而上升。
讓吾人假定啟動操作之啟動增益具有一理想值1。啟動操作之啟動增益係定義為出現於器件驅動電晶體22之閘極電極上的電位Vg之增加與出現於器件驅動電晶體22之源極電極上的電位Vs之增加的比率。在假定啟動操作之啟動增益具有理想值1的情況下，出現於器件驅動電晶體22之閘極電極上的電位Vg之增加係等於出現於器件驅動電晶體22之源極電極上的電位Vs之增加。因此，在發光週期期間，將施加於器件驅動電晶體22之閘極與源極電極之間的閘極-源極電壓Vgs維持在固定位準(Vsig-Vofs+Vth-ΔV)。接著，在一稍後時間t8，將在信號線33上確證的視訊信號電壓Vsig改變至參考電位Vofs。
在以上說明的系列操作中，在稱為1H的一個水平掃描週期中實行各種處理，包括臨限電壓補償製備程序、臨限電壓補償程序、用以儲存視訊信號電壓Vsig至信號儲存電容器24中的信號寫入操作以及遷移率補償程序。在時間t6與t7之間的週期期間同時實行用以儲存視訊信號電壓Vsig至信號儲存電容器24中的信號寫入操作以及遷移率補償程序。
臨限電壓補償程序之原理
下列說明解釋在時間t3與t4(其係較早藉由參考圖4之時序/波形而說明)之間的臨限電壓補償週期中實行的臨限電壓補償程序之原理，以便針對器件驅動電晶體22之臨限電壓Vth在像素間的變化來補償於器件驅動電晶體22之汲極與源極電極之間流動的汲極-源極電流Ids。如前面所說明，器件驅動電晶體22經設計用以在如圖5D及6A之電路圖中所示的時間t3與t4之間的臨限電壓補償週期中在一飽和區中採用在電源供應線32上確證並且施加於器件驅動電晶體22之第一電源供應電位Vccp來操作。因此，器件驅動電晶體22工作為一恆定電流源。因此，器件驅動電晶體22供應藉由等式(1)給定的恆定汲極-源極電流Ids(亦稱為驅動電流或發光電流)至有機EL器件21。
Ids=(1/2)‧μ(W/L)Cox(Vgs-Vth)2 ...(1)
在以上等式中，參考記號W表示器件驅動電晶體22之通道的寬度，參考記號L表示通道的長度以及參考記號Cox表示每單位面積的閘極電容。
圖7係特性圖，其顯示各代表表達於器件驅動電晶體22之汲極與源極電極之間流動的汲極-源極電流Ids與施加於器件驅動電晶體22之閘極與源極電極之間的閘極-源極電壓Vgs之間的關係之電流-電壓特性的曲線。
圖7之特性圖中的一實線代表具有帶有臨限電壓Vth1的器件驅動電晶體22之像素電路A的一特性而相同特性圖中的一虛線代表具有帶有不同於臨限電壓Vth1之臨限電壓Vth2的器件驅動電晶體22之像素電路B的一特性。如自圖7之特性圖顯而易見，對於藉由水平軸代表的閘極-源極電壓Vgs之相同量值，除非實行臨限電壓補償程序以針對像素間Vth的變化來補償於器件驅動電晶體22之汲極與源極電極之間流動的汲極-源極電流Ids，其中參考記號Vth表示器件驅動電晶體22之臨限電壓，否則於在像素電路A中所運用的器件驅動電晶體22之汲極與源極電極之間流動的汲極-源極電流Ids係Ids1而於在像素電路B中所運用的器件驅動電晶體22之汲極與源極電極之間流動的汲極-源極電流Ids係不同於汲極-源極電流Ids1的Ids2。
在圖7之特性圖中所示的範例中，在像素電路B中所運用的器件驅動電晶體22之臨限電壓Vth2係大於在像素電路A中所運用的器件驅動電晶體22之臨限電壓Vth1，即，Vth2>Vth1。在此情況下，對於藉由水平軸代表的閘極-源極電壓Vgs之相同量值，於在像素電路A中所運用的器件驅動電晶體22之汲極與源極電極之間流動的汲極-源極電流Ids係Ids1而於在像素電路B中所運用的器件驅動電晶體22之汲極與源極電極之間流動的汲極-源極電流Ids係小於汲極-源極電流Ids1的Ids2，即，Ids2<Ids1。即，即使對於藉由水平軸代表的閘極-源極電壓Vgs之相同量值，若器件驅動電晶體22之臨限電壓Vth在像素間變化，則於器件驅動電晶體22之汲極與源極電極之間流動的汲極-源極電流Ids亦在像素間變化。
另一方面，在具有以上說明的組態之像素電路20中，在發光時間施加於器件驅動電晶體22之閘極與源極電極之間的閘極-源極電壓Vgs係等於(Vsig-Vofs+Vth-ΔV)，如前面所說明。藉由將表達式(Vsig-Vofs+Vth-ΔV)代入等式(1)以用作項Vgs之替換，能如下藉由等式(2)表達汲極-源極電流Ids：
Ids=(1/2)‧μ(W/L)Cox(Vsig-Vofs-ΔV)2 　...(2)
即，代表器件驅動電晶體22之臨限電壓的項Vth自等式(2)之右手側上的表達式消失。換言之，自器件驅動電晶體22流動至有機EL器件21的汲極-源極電流Ids係不再取決於器件驅動電晶體22之臨限電壓Vth。因此，即使器件驅動電晶體22之臨限電壓Vth由於製造器件驅動電晶體22之程序的變化或由於時間衰變而在像素間變化，汲極-源極電流Ids仍不在像素間變化，其限制條件為將藉由水平軸代表的相同閘極-源極電壓Vgs施加於在該等像素電路中所運用的器件驅動電晶體22之閘極電極。因此，若將代表相同視訊信號電壓Vsig的相同閘極-源極電壓Vgs施加於在各包括有機EL器件21之一者的像素電路20中所運用的器件驅動電晶體22之閘極電極，則可以將藉由有機EL器件21之每一者所發射的光之亮度維持在相同數值。
遷移率補償程序之原理
下列說明解釋經實行用以針對器件驅動電晶體22之遷移率在像素間的變化來補償於器件驅動電晶體22之汲極與源極電極之間流動的汲極-源極電流Ids之遷移率補償程序的原理。圖8亦係特性圖，其顯示各代表表達於器件驅動電晶體22之汲極與源極電極之間流動的汲極-源極電流Ids與施加於器件驅動電晶體22之閘極與源極電極之間的閘極-源極電壓Vgs之間的關係之電流-電壓特性的曲線。圖8之特性圖中的一實線代表具有帶有相對較大遷移率μ之器件驅動電晶體22的像素電路A之特性而相同特性圖中的一虛線代表具有帶有相對較小遷移率μ之器件驅動電晶體22的像素電路B之特性，即使在像素電路A中所運用的器件驅動電晶體22具有等於在像素電路B中所運用的器件驅動電晶體22之臨限電壓Vth的一臨限電壓Vth。如自圖8之特性圖顯而易見，對於藉由水平軸代表的閘極-源極電壓Vgs之相同量值，除非實行遷移率補償程序以針對像素間的遷移率變化來補償於器件驅動電晶體22之汲極與源極電極之間流動的汲極-源極電流Ids，否則於在像素電路A中所運用的器件驅動電晶體22之汲極與源極電極之間流動的汲極-源極電流Ids係Ids1'而於在像素電路B中所運用的器件驅動電晶體22之汲極與源極電極之間流動的汲極-源極電流Ids係不同於汲極-源極電流Ids1'的Ids2'。若在像素電路20中運用多晶矽薄膜電晶體或類似物作為器件驅動電晶體22，則不可以避免像素間遷移率μ的變化，例如像素電路A與B之間遷移率μ的差異。
在像素電路A與B之間遷移率μ的現有差異情況下，即使將代表相同視訊信號電壓Vsig之相同閘極-源極電壓Vgs施加於在運用具有相對較大遷移率μ之器件驅動電晶體22的像素電路A以及運用具有相對較小遷移率μ之器件驅動電晶體22的像素電路B中所運用的器件驅動電晶體22之閘極電極，除非實行一遷移率補償程序以針對像素電路A與B之間遷移率μ的差異來補償於器件驅動電晶體22之汲極與源極電極之間流動的汲極-源極電流Ids，否則於在像素電路A中所運用的器件驅動電晶體22之汲極與源極電極之間流動的汲極-源極電流Ids仍係Ids1'而於在像素電路B中所運用的器件驅動電晶體22之汲極與源極電極之間流動的汲極-源極電流Ids仍係甚不同於汲極-源極電流Ids1'的Ids2'。若此一大Ids差異係藉由像素間μ的變化引起作為器件驅動電晶體22之間的汲極-源極電流Ids的差異(其中參考記號μ表示器件驅動電晶體22之遷移率)，則螢幕之均勻性會損失。
如自較早給定為表達器件驅動電晶體22之特性的等式之等式(1)顯而易見，器件驅動電晶體22之遷移率μ越大，於器件驅動電晶體22之汲極與源極電極之間流動的汲極-源極電流Ids就越大。因為負回授操作的回授數量ΔV係與於器件驅動電晶體22之汲極與源極電極之間流動的汲極-源極電流Ids成比例，故器件驅動電晶體22之遷移率μ越大，負回授操作的回授數量ΔV就越大。如圖8之特性圖中所示，運用具有相對較大遷移率μ之器件驅動電晶體22的像素電路A之回授數量ΔV1係大於運用具有相對較小遷移率μ之器件驅動電晶體22的像素電路B之回授數量ΔV2。
藉由負饋送於器件驅動電晶體22之汲極與源極電極之間流動的汲極-源極電流Ids回至Vsig側來實行遷移率補償程序，其中參考記號Vsig表示該視訊信號之電壓。在此負回授操作中，器件驅動電晶體22之遷移率μ越大，實行負回授操作的程度就越高。因此，可以消除像素間μ的變化，其中參考記號μ表示器件驅動電晶體22之遷移率。
具體而言，若補償數量ΔV1係視為在運用具有相對較大遷移μ之器件驅動電晶體22的像素電路A上實行的遷移率補償程序之負回授操作中的回授數量ΔV1，則於在像素電路A中所運用的器件驅動電晶體22之汲極與源極電極之間流動的汲極-源極電流Ids係極大地自Ids1'減小至Ids1。另一方面，與像素電路A比較，若小於補償數量ΔV1的補償數量ΔV2係視為在運用具有相對較小遷移μ之器件驅動電晶體22的像素電路B上實行的遷移率補償程序之負回授操作中的回授數量ΔV2，則於在像素電路B中所運用的器件驅動電晶體22之汲極與源極電極之間流動的汲極-源極電流Ids係略微地自Ids2'減小至幾乎等於汲極-源極電流Ids1的Ids2。因此，因為代表於在像素電路A中所運用的器件驅動電晶體22之汲極與源極電極之間流動的汲極-源極電流Ids之Ids1係幾乎等於代表於在像素電路B中所運用的器件驅動電晶體22之汲極與源極電極之間流動的汲極-源極電流Ids之Ids2，故可以針對像素間器件驅動電晶體22之遷移率的變化來補償於器件驅動電晶體22之汲極與源極電極之間流動的汲極-源極電流Ids。
如下概述以上已說明的內容。與在對運用具有相對較小遷移率μ之器件驅動電晶體22的像素電路B實行的遷移率補償程序之負回授操作中所取得的回授數量ΔV2比較，在對運用具有相對較大遷移率μ之器件驅動電晶體22的像素電路A實行為遷移率補償程序之負回授操作中所取得的回授數量ΔV1係較大。即，器件驅動電晶體22之遷移率μ越大，對運用器件驅動電晶體22之像素電路實行的負回授操作之回授數量ΔV就越大，並且因此於器件驅動電晶體22之汲極與源極電極之間流動的汲極-源極電流Ids的減少就越大。
因此，藉由負饋送於器件驅動電晶體22之汲極與源極電極之間流動的汲極-源極電流Ids回至具備視訊信號電壓Vsig的閘極電極側作為器件驅動電晶體22之閘極電極側，能平均化流經在像素電路中所運用作為具有不同遷移率μ數值的器件驅動電晶體22的器件驅動電晶體22之汲極-源極電流Ids的量值。因此，可以針對像素間器件驅動電晶體22之遷移率的變化而補償於器件驅動電晶體22之汲極與源極電極之間流動的汲極-源極電流Ids。即，負饋送於器件驅動電晶體22之汲極與源極電極之間流動的汲極-源極電流Ids之量值回至器件驅動電晶體22之閘極電極側的負回授操作係遷移率補償程序。
圖9係各顯示視訊信號電壓Vsig(或取樣的電位)與於在包括於圖2之方塊圖中所示的主動矩陣有機EL顯示器裝置10中的像素電路20中所運用的器件驅動電晶體22之汲極與源極電極之間流動的汲極-源極電流Ids之間的關係之複數個圖。該等圖顯示用於使用或不使用臨限電壓補償程序以及使用或不使用遷移率補償程序所實行的各種驅動方法之此類關係。
更明確而言，圖9A係分別針對既不經歷臨限電壓補償程序也不經歷遷移率補償程序的不同像素電路A及B而顯示各代表視訊信號電壓Vsig與於器件驅動電晶體22之汲極與源極電極之間流動的汲極-源極電流Ids之間的關係之兩個曲線的圖。圖9B係分別針對經歷臨限電壓補償程序但不經歷遷移率補償程序的不同像素電路A及B而顯示各代表視訊信號電壓Vsig與於器件驅動電晶體22之汲極與源極電極之間流動的汲極-源極電流Ids之間的關係之兩個曲線的圖。圖9C係分別針對經歷臨限電壓補償程序及遷移率補償程序兩者的不同像素電路A及B而顯示各代表視訊信號電壓Vsig與於器件驅動電晶體22之汲極與源極電極之間流動的汲極-源極電流Ids之間的關係之兩個曲線的圖。
如藉由針對其中像素電路A及B既不經歷臨限電壓補償程序也不經歷遷移率補償程序之情況給定的圖9A之曲線所示，對於藉由水平軸代表的閘極-源極電壓Vgs之相同量值，於具有不同臨限電壓Vth及不同遷移率μ數值的像素電路A與B之間的汲極-源極電流Ids的大差異係觀察為藉由不同臨限電壓Vth及不同遷移率μ數值所引起的差異。
另一方面，如藉由針對其中像素電路A及B經歷臨限電壓補償程序但不經歷遷移率補償程序之情況給定的圖9B之曲線所示，對於藉由水平軸代表的閘極-源極電壓Vgs之相同量值，於具有不同臨限電壓Vth及不同遷移率μ數值的像素電路A與B之間的汲極-源極電流Ids的小差異係觀察為藉由不同臨限電壓Vth及不同遷移率μ數值所引起的差異°即使將該差異自對於藉由圖9A之曲線所示的情況之差異減小至某一程度，該差異仍保持。
如藉由針對其中像素電路A及B經歷臨限電壓補償程序及遷移率補償程序兩者之情況給定的圖9C之曲線所示，對於藉由水平軸代表的閘極-源極電壓Vgs之相同量值，於具有不同臨限電壓Vth及不同遷移率μ數值的像素電路A與B之間的汲極-源極電流Ids的幾乎無差異係觀察為藉由不同臨限電壓Vth及不同遷移率μ數值所引起的差異。因此，對於每一個層次不存在像素間藉由有機EL器件21所發射的光之亮度的變化。因此，可以顯示具有高品質的影像。
此外，除臨限電壓及遷移率補償功能以外，包括於圖2中所示的主動矩陣有機EL顯示器裝置10中的像素電路20亦具有基於藉由如先前說明的信號儲存電容器24提供的耦合效應之啟動操作功能以致像素電路20能夠展現如下說明的一效應。
即使出現於器件驅動電晶體22之源極電極上的電位Vs因為有機EL器件21之I-V特性在時間衰變程序中隨時間之流逝劣化而改變，基於藉由信號儲存電容器24提供的耦合效應之啟動操作仍允許施加於器件驅動電晶體22之閘極與源極電極之間的閘極-源極電壓Vgs加以維持在一固定位準以致流經有機EL器件21的驅動電流亦不在時間衰變程序中隨時間之流逝而改變。因此，因為藉由有機EL器件21發射的光之亮度亦不在時間衰變程序中隨時間之流逝而變化，故即使I-V特性在時間衰變程序中隨時間之流逝而惡化，仍可以顯示影像，其中不存在伴隨有機EL器件21之I-V特性之時間衰變的劣化。
在非發光週期期間於有機EL器件中產生的應力自藉由像素電路20實行的操作之以上說明顯而易見，在時間t1與t2之間的有機EL器件21之非發光週期期間，將在電源供應線32上確證的電位DS切換至第二電源供應電位Vini，從而將有機EL器件21置於反向偏壓狀態中。在將有機EL器件21置於反向偏壓狀態中的情況下，有機EL器件21不發光，因此進入具有高可靠度的非發光狀態。
然而，若有機EL器件21係置於反向偏壓狀態中，則電應力係在有機EL器件21中展開。此外，若在其期間電應力係在有機EL器件21中展開的週期係較長，則有機EL器件21之特性會改變或有機EL器件21在由於如前面所解釋的應力而不能夠發光的狀態中會變為有缺陷。因此，顯示的影像之品質會劣化。一有機EL器件21之發光缺陷係使該有機EL器件21不能夠發光的缺陷。
具體實施例
為了解決以上說明的問題，本發明之一具體實施例實施一操作以藉由在有機EL器件21之非發光週期之一部分期間不在有機EL器件21中產生電應力來驅動像素電路20。依據藉由用作一電源供應區段的電源供應掃描電路50所執行的控制來實行此驅動操作。下列說明具體地解釋一驅動方法，其不在有機EL器件21中展開電應力。
圖10係在藉由在依據本發明之具體實施例之一有機EL顯示器裝置中所運用的像素電路20實行的操作之解釋中所參考的時序/波形圖。如在此時序/波形圖中所示，在有機EL器件21之非發光週期之一部分中，將出現於電源供應線32上的電源供應線電位DS設定在出現於有機EL器件21之陰極電極上的陰極電位Vcath。有機EL器件21之非發光週期的上述部分係非發光週期之早期部分。即，有機EL器件21之非發光週期之該部分係緊接領先於初始化出現於器件驅動電晶體22之源極電極上的源極電位Vs至第二電源供應電位Vini之程序的一部分。如較早說明，器件驅動電晶體22之源極電極係關於器件驅動電晶體22在與電源供應線32相對之側上的電極。具體而言，有機EL器件21之非發光週期之該部分係圖10中所示的時間t1與t10之間的週期。
如以上說明，在有機EL器件21之非透光週期之一部分期間，將出現於電源供應線32上的電源供應線電位DS設定在出現於有機EL器件21之陰極電極上的陰極電位Vcath以便將出現於一電極(其屬於器件驅動電晶體22並且係關於器件驅動電晶體22放置在與電源供應線32相對之側上)上的電位亦設定在陰極電位Vcath。屬於器件驅動電晶體22並且係關於器件驅動電晶體22放置在與電源供應線32相對之側上的電極係器件驅動電晶體22之源極電極。因此，當將出現於電源供應線32上的電源供應線電位DS設定在出現於有機EL器件21之陰極電極上的陰極電極Vcath時，亦將出現於器件驅動電晶體22之源極電極上的源極電極Vs設定在陰極電極Vcath。因此，出現於有機EL器件21之陽極與陰極電極之間的電壓變為等於0V。
在有機EL器件21之非發光週期的該部分期間，不施加反向偏壓於有機EL器件21。因此，與其中並非將出現於電源供應線32上的電源供應線電位DS設定在出現於有機EL器件21之陰極電極上的陰極電位Vcath的組態比較，其中施加一反向偏壓於器件驅動電晶體22的週期係極短的。因此，可以由於施加於有機EL器件21的反向偏壓而減小在有機EL器件21中展開的電應力之數量。因此，可以藉由施加於有機EL器件21的反向偏壓來預防有機EL器件21之特性改變以及有機EL器件21在由於在有機EL器件21中展開的電應力而不能夠發光之狀態中變為有缺陷。因此，能改良顯示的影像之品質。
電源供應掃描電路
接著，下列說明解釋電源供應掃描電路50之具體組態，其中在有機EL器件21之非發光週期的該部分期間將出現於電源供應線32上的電源供應線電位DS設定在出現於有機EL器件21之陰極電極上的陰極電位Vcath。
圖11係顯示依據該具體實施例的電源供應掃描電路50之具體組態的一典型範例之方塊圖。如該方塊圖中所示，電源供應掃描電路50運用一第一移位暫存器51、一第二移位暫存器52以及一波形形成邏輯電路53。能將藉由電源供應掃描電路50在電源供應線32上確證的電源供應線電位DS設定在3個位準(即，第一電源供應線電位Vccp、出現於共同電源供應線34上的電位Vcath以及第二電源供應線電位Vini)之一者。
第一移位暫存器51係一區段，其經組態用以輸出一掃描脈衝SP用於與藉由圖1之方塊圖中所示的寫入掃描電路40實行為寫入掃描操作的一垂直掃描操作同步地改變電位DS。第二移位暫存器52係一區段，其經組態用以輸出一控制脈衝CP用於控制該操作以與藉由第一移位暫存器51實行的一掃描操作同步地停止電源供應線32上的電位DS之確證。波形形成邏輯電路53係一區段，其用於依據藉由第一移位暫存器51產生的掃描脈衝SP及藉由第二移位暫存器52產生的控制脈衝CP而在適當地選自第一電源供應線電位Vccp、電位Vcath以及第二電源供應線電位Vini之位準的一位準下確證電源供應線電位DS。
圖12係顯示依據該具體實施例的波形形成邏輯電路53之一典型組態的電路圖。如該電路圖中所示，波形形成邏輯電路53運用兩個NAND電路521及522、一AND電路523、三個反相器524、525及526、兩個P通道MOS電晶體527及528以及一N通道MOS電晶體529。
藉由波形形成邏輯電路53之一輸入終端in1供應至波形形成邏輯電路53的掃描脈衝SP係藉由NAND電路521的兩個輸入終端之一特定者接收。藉由波形形成邏輯電路53之一輸入終端in2供應至波形形成邏輯電路53的控制脈衝CP在加以繼續傳遞至NAND電路521的兩個輸入終端之另一者之前藉由反相器525加以倒轉。
藉由波形形成邏輯電路53之一輸入終端in1供應至波形形成邏輯電路53的掃描脈衝SP在加以繼續傳遞至NAND電路522的兩個輸入終端之一特定者之前藉由反相器524加以倒轉。藉由波形形成邏輯電路53之輸入終端in2供應至波形形成邏輯電路53的控制脈衝CP係藉由NAND電路522的兩個輸入終端之另一者接收。
藉由波形形成邏輯電路53之一輸入終端in1供應至波形形成邏輯電路53的掃描脈衝SP在加以繼續傳遞至AND電路523的兩個輸入終端之一特定者之前藉由反相器524加以倒轉。藉由波形形成邏輯電路53之輸入終端in2供應至波形形成邏輯電路53的控制脈衝CP在加以繼續傳遞至AND電路523的兩個輸入終端之另一者之前藉由反相器526加以倒轉。
將藉由NAND電路521輸出的一信號供應至p通道MOS電晶體527之閘極電極。當將藉由NAND電路521輸出的信號設定在低位準時，將P通道MOS電晶體527置於傳導狀態中，從而藉由一輸出終端「out」在電源供應線32上確證用作前面引用的第一電源供應線電位Vccp之一電源供應電位VDD。將在電源供應線32上確證的電源供應電位VDD用作較早說明的電源供應線電位DS。
將藉由NAND電路522輸出的一信號供應至P通道MOS電晶體528之閘極電極。當將藉由NAND電路522輸出的信號設定在低位準時，將P通道MOS電晶體528置於傳導狀態中，從而藉由輸出終端「out」在電源供應線32上確證前面提及的電位Vcath為電源供應線電位DS。
將藉由AND電路523輸出的一信號供應至N通道MOS電晶體529之閘極電極。當將藉由AND電路523輸出的信號設定在低位準時，將N通道MOS電晶體529置於傳導狀態中，從而藉由輸出終端「out」在電源供應線32上確證用作前面引用的第二電源供應線電位Vini之一電源供應電位VSS。將在電源供應線32上確證的電源供應電位VSS用作較早說明的電源供應線電位DS。
圖13係顯示在電源供應掃描電路50A中產生在電源供應線32上確證的電位DS、掃描脈衝SP及控制脈衝CP所使用的時序之間的關係之時序圖。
在將掃描脈衝SP設定在高位準並且將控制脈衝SP設定在低位準的情況下，即，在時間t1之前的一週期及時間t2之後的一週期期間，將P通道MOS電晶體527置於傳導狀態中，從而在電源供應線32上確證電源供應電位VDD以用作第一電源供應線電位Vccp其係出現於電源供應線32上的電源供應線電位DS之一位準。
在將掃描脈衝SP設定在低位準但是將控制脈衝CP設定在高位準的情況下，即，在時間t1與t10之間的一週期期間，將P通道MOS電晶體528置於傳導狀態中，從而在電源供應線32上確證電位Vcath以用作出現於電源供應線32上的電源供應線電位DS之另一位準。
在將掃描脈衝SP及控制脈衝CP兩者設定在低位準的情況下，即，在時間t10與t2之間的一週期期間，將N通道MOS電晶體529置於傳導狀態中，從而在電源供應線32上確證電源供應電位VSS以用作第二電源供應線電位Vini，其係出現於電源供應線32上的電源供應線電位DS之另一位準。
藉由運用以上說明的電源供應掃描電路50，可以在不利用像素電路20中的一特殊控制器件之情況下預防一反向偏壓在有機EL器件21之非發光週期的一部分期間施加於有機EL器件21。
然而，應注意，電源供應掃描電路50之實施方案決不限於以上說明的電源供應掃描電路50。即，電源供應掃描電路50能具有任何組態，只要該組態能夠停止操作以在有機EL器件21之非發光週期的一部分期間在電源供應線32上確證電位DS。
修改版本
在以上各說明為一典型範例的具體實施例中，在像素電路20中所運用以用作用於驅動有機EL器件21之一電路的驅動電路基本上包括兩個電晶體，即，器件驅動電晶體22及信號寫入電晶體23。然而，本發明之應用決不限於此像素組態。例如，本發明亦能應用於各種可想像的像素組態，包括具有用於選擇性地供應參考電位Vofs至器件驅動電晶體22之閘極電極的切換電晶體之組態。
除此之外，即使以上說明的具體實施例之每一者係應用於運用各具有一有機EL器件以用作該電光器件的像素電路20之主動矩陣有機EL顯示器裝置10，本發明之範疇仍決不限於此等具體實施例。具體而言，本發明能應用於一般顯示器裝置，其各運用各具有一電流驅動式發光器件(或電光器件)用於發射具有依據流經該器件的電流之量值的亮度之光的像素電路。此一電流驅動式電光器件之範例係無機EL器件、一LED(發光二極體)器件以及一半導體雷射器件。
應用範例
依據以上說明的本發明之具體實施例的顯示器裝置係通常在圖14至18之圖中所示的各種電子儀器中所運用作為在所有領域中所使用的儀器。該等電子儀器之典型範例係一數位相機、一筆記型個人電腦、一可攜式終端機(例如蜂巢式電話)以及一攝錄影機。在此等電子儀器之每一者中，將該顯示器裝置用於顯示供應至其或在其中產生為一影像或一視訊的一視訊信號。
藉由在所有領域中所使用的各種電子儀器中運用依據本發明之具體實施例的顯示器裝置作為該等儀器之每一者的顯示器單元，該等電子儀器之每一者能夠顯示具有高品質的影像。即，自該等具體實施例之說明顯而易見，藉由本發明提供的顯示器裝置能夠藉由在非發光週期期間施加於有機EL器件21的反向偏壓來減小在有機EL器件21中產生的電應力之數量。因此，可以預防有機EL器件21之特性改變以及有機EL器件21在由於電應力而不能夠發光的狀態中變為有缺陷。因此，能改良顯示的影像之品質。
依據本發明之具體實施例的顯示器裝置包括構造成具有密封組態的模組形狀之一裝置。例如，依據本發明之具體實施例的顯示器裝置係設計成一組態，其中像素矩陣區段30係實施為一顯示器模組，其係藉由將該模組附接於由諸如透明玻璃之材料製造的對向單元而建立。在該透明對向單元上，除較早說明的屏蔽膜以外還能建立諸如彩色濾光片及保護膜之組件。應注意，用作像素矩陣區段30的顯示器模組可包括諸如用於供應自一外部來源接收的一信號至像素矩陣區段30的一電路、用於供應自像素矩陣區段30接收的一信號至一外部目的地的一電路以及一FPC(撓性印刷電路)之組件。
下列說明解釋應用本發明之具體實施例的電子儀器之具體實施方案。
圖14係顯示應用本發明之具體實施例的一電視機之外觀的斜視圖之圖。用作應用本發明之具體實施例的電子儀器之一典型實施方案的電視機運用一前面板102及一視訊顯示器螢幕區段101，其通常係一濾光玻璃板103。該電視機係藉由在該電視機中運用藉由本發明之具體實施例提供的顯示器裝置作為視訊顯示器螢幕區段101來構造。
圖15係各顯示應用本發明之具體實施例的一數位相機之外觀的斜視圖之複數個圖。更明確而言，圖15A係顯示自該數位相機之前側上的一位置看見的該數位相機之外觀的斜視圖之圖而圖15B係顯示自該數位相機之後側上的一位置看見的該數位相機之外觀的斜視圖之圖。用作應用本發明之具體實施例的電子儀器之一典型實施方案的數位相機運用用於產生閃光的一發光區段111、一顯示器區段112、一功能表開關113以及一快門按鈕114。該數位相機係藉由在該數位相機中運用藉由本發明之具體實施例提供的顯示器裝置作為顯示器區段112來構造。
圖16係顯示應用本發明之具體實施例的一筆記型個人電腦之外觀的斜視圖之圖。用作應用本發明之具體實施例的電子儀器之一典型實施方案的筆記型個人電腦運用一主體121，其包括藉由使用者操作以鍵入字元的一鍵盤122以及用於顯示一影像的一顯示器區段123。該筆記型個人電腦係藉由在個人電腦中運用藉由本發明之具體實施例提供的顯示器裝置作為顯示器區段123來構造。
圖17係顯示應用本發明之具體實施例的一攝錄影機之外觀的斜視圖之圖。用作應用本發明之具體實施例的電子儀器之一典型實施方案的攝錄影機運用一主體131、一攝影透鏡132、一開始/停止開關133以及一顯示器區段134。設於該攝錄影機之前表面上的在正向方向上定向的攝影透鏡132係用於拍攝一攝影物件之圖像的透鏡。開始/停止開關133係藉由使用者操作以開始或停止攝影操作的開關。該攝錄影機係藉由在該攝錄影機中運用藉由本發明之具體實施例提供的顯示器裝置作為顯示器區段134來構造。
圖18係各顯示應用本發明之具體實施例的一可攜式終端機(例如蜂巢式電話)之外觀的複數個圖。更明確而言，圖18A係顯示在已經打開之狀態中的該蜂巢式電話之正視圖的圖。圖18B係顯示在已經打開之狀態中的該蜂巢式電話之一側的圖。圖18C係顯示在已經閉合之狀態中的該蜂巢式電話之正視圖的圖。圖18D係顯示在已經閉合之狀態中的該蜂巢式電話之左側的圖。圖18E係顯示在已經閉合之狀態中的該蜂巢式電話之右側的圖。圖18F係顯示在已經閉合之狀態中的該蜂巢式電話之俯視圖的圖。圖18G係在已經閉合之狀態中的該蜂巢式電話之仰視圖的圖。用作應用本發明之具體實施例的電子儀器之一典型實施方案的蜂巢式電話運用一上部外殼141、一下部外殼142、一鉸鏈的一連結區段143、一顯示器區段144、一顯示器子區段145、一圖像燈146以及一相機147。該蜂巢式電話係藉由在該蜂巢式電話中運用藉由本發明之具體實施例提供的顯示器裝置作為顯示器區段144及/或顯示器子區段145來構造。
本申請案含有與在2008年5月8日向日本專利局申請的日本優先專利申請案JP 2008-122000中揭示的標的有關之標的，該申請案之全部內容係以引用方式併入本文中。
熟習此項技術者應瞭解可根據設計要求及其他因素來進行各種修改、組合、子組合及變更，只要其落在隨附申請專利範圍或其等效物之範疇內。
10．．．主動矩陣有機EL顯示器裝置
20．．．像素電路
21．．．有機EL器件
22．．．器件驅動電晶體
23．．．信號寫入電晶體
24．．．信號儲存電容器
25．．．等效電容器
30．．．像素矩陣區段
31．．．掃描線
31-1至31-m．．．掃描線
32．．．電源供應線
32-1至32-m．．．電源供應線
33．．．信號線
33-1至33-n．．．信號線
34．．．共同電源供應線
40．．．寫入掃描電路
50．．．電源供應掃描電路
51．．．第一移位暫存器
52．．．第二移位暫存器
53．．．波形形成邏輯電路
60．．．信號輸出電路
70．．．顯示器面板
101．．．視訊顯示器螢幕區段
102．．．前面板
103．．．濾光玻璃板
111．．．發光區段
112．．．顯示器區段
113．．．功能表開關
114．．．快門按鈕
121．．．主體
122．．．鍵盤
123．．．顯示器區段
131．．．主體
132．．．攝影透鏡
133．．．開始/停止開關
134．．．顯示器區段
141．．．上部外殼
142．．．下部外殼
143．．．連結區段
144．．．顯示器區段
145．．．顯示器子區段
146．．．圖像燈
147．．．相機
201．．．玻璃基板
202．．．絕緣膜
203．．．絕緣平坦膜
204．．．窗口絕緣膜
204A．．．凹部
205．．．陽極電極
206．．．有機層
207．．．陰極電極
208．．．鈍化膜
209．．．密封基板
210．．．黏著劑
221．．．閘極電極
222．．．半導體層
223．．．源極/汲極區域
224．．．汲極/源極區域
225．．．通道建立區域
521．．．NAND電路
522．．．NAND電路
523．．．AND電路
524．．．反相器
525．．．反相器
526．．．反相器
527．．．P通道MOS電晶體
528．．．P通道MOS電晶體
529．．．N通道MOS電晶體
2061．．．電洞傳輸層/電洞注入層
2062．．．發光層
2063．．．電子傳輸層
in1．．．輸入終端
in2．．．輸入終端
out．．．輸出終端
圖1係顯示應用本發明之具體實施例的一主動矩陣有機EL顯示器裝置之一粗略組態的方塊圖；
圖2係顯示在該有機EL顯示器裝置中所運用的一像素電路之一具體典型組態的圖；
圖3係顯示該像素電路之一典型結構的斷面之斷面圖；
圖4係在藉由該有機EL顯示器裝置實行的基本電路操作之說明中參考的一範例性時序/波形圖；
圖5A至5D係在基本電路操作之第一部分之說明中參考的複數個解釋性圖；
圖6A至6D係在基本電路操作之第二部分之說明中參考的複數個解釋性圖；
圖7係一特性圖，其顯示各代表表達於一器件驅動電晶體之汲極與源極電極之間流動的汲極-源極電流Ids與施加於該器件驅動電晶體之閘極與源極電極之間的閘極-源極電壓Vgs之間的關係之電流-電壓特性的曲線作為用於解釋電晶體間臨限電壓Vth的變化之曲線；
圖8係一特性圖，其顯示各代表表達於一器件驅動電晶體之汲極與源極電極之間流動的汲極-源極電流Ids與施加於該器件驅動電晶體之閘極與源極電極之間的閘極-源極電壓Vgs之間的關係之電流-電壓特性的曲線作為用於解釋電晶體間遷移率μ的變化之曲線；
圖9A至9C係針對各種情況各顯示一視訊信號電壓Vsig與於一器件驅動電晶體之汲極與源極電極之間流動的汲極-源極電流Ids之間的關係之複數個圖；
圖10係在藉由在依據本發明之具體實施例之一有機EL顯示器裝置中所運用的像素電路實行的電路操作之解釋中所參考的時序/波形圖。
圖11係顯示該電源供應掃描電路之具體組態的一典型範例之方塊圖；
圖12係顯示在該電源供應掃描電路中所運用的一波形形成邏輯電路之一典型組態的電路圖；
圖13係顯示在依據第一具體實施例之電源供應掃描導線中產生在一電源供應線上確證的電位DS、掃描脈衝SP及控制脈衝CP所使用的時序之間的關係之時序圖。
圖14係顯示應用本發明之具體實施例的一電視機之外觀的斜視圖之圖；
圖15A係顯示自該數位相機之前側上的一位置看見的該數位相機之外觀之斜視圖的圖；
圖15B係顯示自該數位相機之後側上的一位置看見的該數位相機之外觀之斜視圖的圖；
圖16係顯示應用本發明之具體實施例的一筆記型個人電腦之外觀的斜視圖之圖；
圖17係顯示應用本發明之具體實施例的一攝錄影機之外觀的斜視圖之圖；
圖18A係顯示在已經打開之狀態中的該蜂巢式電話之正視圖的圖；
圖18B係顯示在已經打開之狀態中的該蜂巢式電話之一側的圖；
圖18C係係顯示在已經閉合之狀態中的該蜂巢式電話之一正視圖的圖；
圖18D係顯示在已經閉合之狀態中的該蜂巢式電話之左側的圖；
圖18E係顯示在已經閉合之狀態中的該蜂巢式電話之右側的圖；
圖18F係顯示在已經閉合之狀態中的該蜂巢式電話之俯視圖的圖；及
圖18G係顯示在已經閉合之狀態中的該蜂巢式電話之仰視圖的圖。
(無元件符號說明)

Claims (12)

  1. 一種顯示器裝置，其包含：一像素矩陣區段，其包括經佈置用以形成一像素矩陣的多個像素電路，每一像素電路具有：一電光器件，其經組態以提供一發光週期及一非發光週期，一信號寫入電晶體，其用於寫入一視訊信號，一信號儲存電容器，其用於保持藉由該信號寫入電晶體寫入的該視訊信號，以及一器件驅動電晶體，其用於依據藉由該信號儲存電容器所保持的該視訊信號來驅動該電光器件，該信號儲存電容器具有連接至該器件驅動電晶體之一閘極終端的一第一終端及連接至該器件驅動電晶體之一電流終端的一第二終端，以及一電源供應區段，其經組態用以改變出現於連接至該器件驅動電晶體之一電源供應線上的一電源供應電位，在該發光週期期間施加一第一電位至該電源供應線以提供流動通過該器件驅動電晶體之一驅動電流，在該非發光週期內施加一第二電位至該電源供應線，且在該非發光週期內施加一陰極電位至該電源供應線，該陰極電位係出現於該電光器件之陰極電極且不同於該第二電位，其中在該非發光週期之一第一部分期間施加該陰極電位至該電源供應線，在該非發光週期之一第二部分期間施加該第二電位至該電源供應線，該第二部分發生於該第 一部分之後，且該第二電位係低於該陰極電位以施加一反向偏壓至該電光器件。
  2. 如請求項1之顯示器裝置，其中該電源供應線係連接至該器件驅動電晶體之另一電流終端，該另一電流終端係相對於該器件驅動電晶體之該電流終端，該電流終端係連接至該信號儲存電容器之該第二終端。
  3. 如請求項1之顯示器裝置，其中該電源供應區段藉由調整該發光週期之一長度來控制該發光週期與該非發光週期的一比率，其中該電源供應區段施加一正向偏壓於該電光器件。
  4. 一種針對一顯示器裝置提供的驅動之方法，該顯示器裝置包括多個像素電路，其經佈置用以形成一像素矩陣，每一像素電路具有：經組態以提供一發光週期及一非發光週期之一電光器件、用於寫入一視訊信號之一信號寫入電晶體、用於保持藉由該信號寫入電晶體寫入的該視訊信號之一信號儲存電容器、以及用於依據藉由該信號儲存電容器所保持的該視訊信號來驅動該電光器件之一器件驅動電晶體，該信號儲存電容器具有連接至該器件驅動電晶體之一閘極終端的一第一終端及連接至該器件驅動電晶體之一電流終端的一第二終端，該驅動方法包括：改變出現於連接至該器件驅動電晶體之一電源供應線上的一電源供應電位，在該發光週期期間施加一第一電位至該電源供應線以提供流動通過該器件驅動電晶體 之一驅動電流，在該非發光週期內施加一第二電位至該電源供應線，且在該非發光週期內施加一陰極電位至該電源供應線，該陰極電位係出現於該電光器件之陰極電極且不同於該第二電位，其中在該非發光週期之一第一部分期間施加該陰極電位至該電源供應線，在該非發光週期之一第二部分期間施加該第二電位至該電源供應線，該第二部分發生於該第一部分之後，且該第二電位係低於該陰極電位以施加一反向偏壓至該電光器件。
  5. 如請求項4之方法，其中該電源供應線係連接至該器件驅動電晶體之另一電流終端，該另一電流終端係相對於該器件驅動電晶體之該電流終端，該電流終端係連接至該信號儲存電容器之該第二終端。
  6. 如請求項4之方法，其中該電源供應區段藉由調整該發光週期之一長度來控制該發光週期與該非發光週期的一比率，其中該電源供應區段施加一正向偏壓於該電光器件。
  7. 一種運用一顯示器裝置的電子裝置，該顯示器裝置包含：一像素矩陣區段，其包括經佈置用以形成一像素矩陣的多個像素電路，每一像素電路具有：一電光器件，其經組態以提供一發光週期及一非發光週期，一信號寫入電晶體，其用於寫入一視訊信號至一信號儲存電容器中， 該信號儲存電容器用於保持藉由該信號寫入電晶體寫入的該視訊信號，以及一器件驅動電晶體，其用於依據藉由該信號儲存電容器所保持的該視訊信號來驅動該電光器件，該信號儲存電容器具有連接至該器件驅動電晶體之一閘極終端的一第一終端及連接至該器件驅動電晶體之一電流終端的一第二終端，以及一電源供應區段，其經組態用以改變出現於連接至該器件驅動電晶體之一電源供應線上的一電源供應電位，在該發光週期期間施加一第一電位至該電源供應線以提供流動通過該器件驅動電晶體之一驅動電流，在該非發光週期內施加一第二電位至該電源供應線，且在該非發光週期內施加一陰極電位至該電源供應線，該陰極電位係出現於該電光器件之陰極電極且不同於該第二電位，其中在該非發光週期之一第一部分期間施加該陰極電位至該電源供應線，在該非發光週期之一第二部分期間施加該第二電位至該電源供應線，該第二部分發生於該第一部分之後，且該第二電位係低於該陰極電位以施加一反向偏壓至該電光器件。
  8. 如請求項7之電子裝置，其中該電源供應線係連接至該器件驅動電晶體之另一電流終端，該另一電流終端係相對於該器件驅動電晶體之該電流終端，該電流終端係連接至該信號儲存電容器之該第二終端。
  9. 如請求項7之電子裝置，其中該電源供應區段藉由調整 該發光週期之一長度來控制該發光週期與該非發光週期的一比率，其中該電源供應區段施加一正向偏壓於該電光器件。
  10. 一種顯示器裝置，其包含：像素矩陣構件，其包括經佈置用以形成一像素矩陣的多個像素電路，每一像素電路具有：一電光器件，其經組態以提供一發光週期及一非發光週期，一信號寫入電晶體，其用於寫入一視訊信號，一信號儲存電容器，其用於保持藉由該信號寫入電晶體寫入的該視訊信號，以及一器件驅動電晶體，其用於依據藉由該信號儲存電容器所保持的該視訊信號來驅動該電光器件，該信號儲存電容器具有連接至該器件驅動電晶體之一閘極終端的一第一終端及連接至該器件驅動電晶體之一電流終端的一第二終端，以及電源供應構件，其用於改變出現於連接至該器件驅動電晶體之一電源供應線上的一電源供應電位，在該發光週期期間施加一第一電位至該電源供應線以提供流動通過該器件驅動電晶體之一驅動電流，在該非發光週期內施加一第二電位至該電源供應線，且在該非發光週期內施加一陰極電位至該電源供應線，該陰極電位係出現於該電光器件之陰極電極且不同於該第二電位，其中在該非發光週期之一第一部分期間施加該陰極電位至該電源 供應線，在該非發光週期之一第二部分期間施加該第二電位至該電源供應線，該第二部分發生於該第一部分之後，且該第二電位係低於該陰極電位以施加一反向偏壓至該電光器件。
  11. 如請求項10之顯示器裝置，其中該電源供應線係連接至該器件驅動電晶體之另一電流終端，該另一電流終端係相對於該器件驅動電晶體之該電流終端，該電流終端係連接至該信號儲存電容器之該第二終端。
  12. 如請求項10之顯示器裝置，其中該電源供應區段藉由調整該發光週期之一長度來控制該發光週期與該非發光週期的一比率，其中該電源供應區段施加一正向偏壓於該電光器件。
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