TWI406065B - 顯示器件及電子裝置 - Google Patents
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Description
本發明係關於一種具備儲存用於驅動像素的電荷之儲存電容器之顯示器件及電子裝置。
諸如液晶顯示器件及有機EL(電致發光)顯示器件之類的顯示器件包括用於驅動像素之驅動基板。一驅動基板包括驅動電晶體,例如形成用於驅動在一影像顯示區域中配置於一矩陣中的個別像素之TFT(薄膜電晶體)。
特定言之,一有機EL顯示器件包括一在一有機EL發光層之下提供的平坦化絕緣膜,因為該有機EL顯示器件具有一其中在一陽極電極與一陰極電極之間提供一薄有機膜的結構。此外,針對每一像素而提供用於驅動該有機EL發光層之一驅動電晶體(TFT)與用於儲存用於保持該有機EL發光層之一發光狀態的電荷之一儲存電容器(參考日本未經審核專利申請公告案第2007-035964號)。
在此一顯示器件中,每一像素之一顯示電極係透過在該電容器電極上提供之一平坦化絕緣膜而提供於一儲存電容器之一電極(電容器電極)之上。但是,藉由該平坦化絕緣膜並不充分實現平坦化。
即,該電容器電極之不規則性影響該平坦化絕緣膜且還影響在該平坦化絕緣膜上形成之顯示電極。此類不規則性引起在該顯示電極中及在形成於其上的發光層中引起缺陷之問題以及由於在外部光或類似者入射於一開口上時因內部不規則性所致的繞射而導致顯示品質劣化之問題。
需要藉由一平坦化絕緣膜來充分確保平坦性以提高顯示品質。
依據本發明之一具體實施例之一顯示器件包括:一顯示電極,其係針對每一像素而提供;一開口絕緣膜,其覆蓋該顯示電極之周邊且其界定一像素開口;及一儲存電容器,其係透過一平坦化絕緣膜而佈置於該顯示電極之下,其具有用以儲存用於驅動一像素的電荷之一功能,且其包括比該像素開口更寬之一電容器電極。
在該顯示器件中,透過該平坦化絕緣膜佈置於該顯示電極之下的儲存電容器之電容器電極具有比該像素開口更寬之一部分。因此,在該電容器電極之端處生產的該平坦化絕緣膜之不規則性不影響該開口之內部區域。
在該顯示器件中,構成該儲存電容器的一對電容器電極兩者皆具有比一像素開口更寬之一部分。因此,在該對電容器電極之端處生產的該平坦化絕緣膜之不規則性不影響該開口之內部區域。
在該顯示器件中,在構成該儲存電容器的該對電容器電極當中,至少較靠近該顯示電極之電容器電極具有對應於一像素開口的形狀之一形狀,因此。在該等電容器電極之端處生產的該平坦化絕緣膜之不規則性不影響該開口之內部區域。
在該顯示器件中,在構成該儲存電容器的該對電容器電極當中,至少較靠近該顯示電極之電容器電極具有與該顯示電極的寬度實質上相同之寬度。因此,在該等電容器電極之端處生產的該平坦化絕緣膜之不規則性不影響該開口之內部區域。
依據本發明之一具體實施例之一電子裝置包括安裝於一主體外殼上之一顯示器件,該顯示器件包括:一顯示電極,其係針對每一像素而提供;一開口絕緣膜,其覆蓋該顯示電極之周邊且其界定一像素開口;及一儲存電容器,其係透過一平坦化絕緣膜而佈置於該顯示電極之下,具有用以儲存用於驅動一像素的電荷之一功能,且包括比該像素開口更寬之一電容器電極。
在該電子裝置中,安裝於該主體外殼上之顯示器件包括透過該平坦化絕緣膜佈置於該顯示電極之下的儲存電容器,而該儲存電容器之電容器電極具有比該像素開口更寬之一部分。因此,在該電容器電極之端處生產的該平坦化絕緣膜之不規則性不影響該開口之內部區域。
依據本發明之一具體實施例,在一電容器電極之端處生產之一平坦化絕緣膜的不規則性不影響一開口之內部區域,由此藉由該平坦化絕緣膜充分確保平坦性並提高顯示品質。
參考圖式來說明本發明之一具體實施例。
圖1係解說依據本發明之一具體實施例之一顯示器件之外形的一示意性平面圖。即,一顯示器件1包括實質上在一支撐基板(例如,一玻璃基板)的中心提供之一驅動元件形成區域10及圍繞該驅動元件形成區域10佈置之一電源供應部分20、一信號線輸入部分21、一掃描信號輸入部分24及一電源控制信號部分25。該驅動元件形成區域10包括配置於一矩陣中之複數個像素部分30。在顯示彩色影像之一顯示器件中,一顯示像素包括對應於(例如)R(紅色)、G(綠色)及B(藍色)的像素部分30之一組合。
該等像素部分30之每一者具備包括一驅動電晶體之一驅動部分31a。該驅動部分31a之驅動電晶體包括形成於一基板上之薄膜電晶體(TFT)以便藉由施加一電壓來驅動提供於該像素部分30中之一驅動物件。當該像素部分30之驅動物件係一有機EL(電致發光)發光層時,藉由該驅動電晶體控制向對應於每一色彩的有機EL發光層施加之一電場。當該像素部分30之驅動物件係一液晶層時,藉由該驅動電晶體控制向一液晶施加之一電場。
另外,電源控制線22及掃描線23係連接至該等驅動電晶體以便藉由該掃描信號輸入部分24來循序驅動在該驅動元件形成區域10中的驅動電晶體以顯示一影像。即,從該等電源供應控制線22向藉由該等掃描線23選擇之一水平像素列供應一電源供應電壓,並藉由一對應像素依據在垂直像素列方向上透過該信號線26從該信號線輸入部分21輸入的像素信號來進行顯示。因此,藉由該等掃描線23選擇一水平像素線與從該等信號線26輸入像素信號係同步以驅動該驅動元件形成區域10,由此顯示一影像。
透過藉由CVD(化學汽相沈積)或類似者在一支撐基板上形成多個層(例如一半導體層、一絕緣膜層及類似者)之一沈積步驟、一雜質植入步驟、用於形成驅動元件及圖案化線路之一光微影步驟及類似者來生產一驅動基板1。
在此具體實施例中,藉由一分隔曝光在該驅動基板1之驅動元件形成區域10中形成電路,在該分隔曝光中將該驅動元件形成區域10分成複數個曝光區域。在該分隔曝光中,將一次曝光稱為「拍攝」。在此具體實施例中,藉由複數個拍攝使用相同的曝光圖案來實現該驅動元件形成區域10之曝光。例如,在用於使用有機EL(電致發光)生產一顯示器件之一圖案化步驟中,針對每一層藉由一遮罩來實行分隔曝光以便提高複數個層的對齊精度。
圖2係解說一像素部分之一組態之一範例的一示意性平面圖。複數個像素部分30係佈置於一顯示區域中且係藉由該等掃描線23、該等電源控制線22及該等信號線21來分割。儘管一驅動物件(例如一有機EL發光層、一液晶或類似者)係佈置於該等像素部分30上,但圖2未顯示該驅動物件。
該等像素部分30之每一者具備一寫入電晶體32、一儲存電容器33及一驅動電晶體31。在該寫入電晶體32中,該對應掃描線23係連接至一閘極電極,一汲極電極係連接至該對應信號線21,而一源極電極係連接至該驅動電晶體31之一閘極電極及該儲存電容器33之該等電極之一者。
藉由來自該對應掃描線23之一ON(開啟)信號輸入來開啟該寫入電晶體32,而該儲存電容器33儲存從該對應信號線21傳送之像素信號。結果,開啟該驅動電晶體31以向該驅動物件施加一電源供應電壓。
在該儲存電容器33中,該等電極之一者(電容器電極33a)係連接至該寫入電晶體32之源極,而另一電極(電容器電極33b)係連接至該驅動電晶體31之源極電極。該儲存電容器33具有用以將像素信號儲存一預定週期並保持一像素狀態之功能。
在依據此具體實施例之顯示器件中,構成該儲存電容器33的該對電容器電極33a與33b之至少一者具有比一像素之一開口(即藉由提供於每一像素部分33中之一開口絕緣膜55形成之一開口(參考圖2中之一陰影部分))更寬的一部分。在圖2所示之範例中,在線III-III所示之一部分中,該儲存電容器33之該對電容器電極33a與33b比藉由該開口絕緣膜55形成之開口更寬。
在此範例中,該對電容器電極33a與33b兩者皆具有比該開口更寬之部分。但是,該等電容器電極33a與33b之至少一者可具有比該開口更寬之一部分。
該對電容器電極33a與33b兩者最佳的皆係具有比該開口更寬之部分,而該對電容器電極之陽極電極側電容器電極較佳的係具有比該開口更寬之一部分。以此方式,當該等電容器電極33a與33b具有比該開口更寬之部分時,在該等電容器電極33a與33b之端處生產之一平坦化絕緣膜的不規則性不影響該開口之內部區域。
圖3係解說沿圖2中的線III-III所截取之一像素部分之組態之一範例的一示意性斷面圖。圖3主要顯示該儲存電容器33之一斷面部分,即,在一玻璃基板40中形成一第一金屬層61,而透過一閘極絕緣膜41在該第一金屬層61上形成一第二金屬層62。該儲存電容器33包括:該第一金屬層61,其用作該電容器電極33a與33b之一者33a;該第二金屬層62,其用作該另一電容器電極33b;及該閘極絕緣膜41,其係固持於兩個電極之間。
此外,一信號線62B與一電源控制線62C係作為與該第二金屬層62相同之層形成於該閘極絕緣膜41上。另外,在該第二金屬層62上形成一鈍化膜64,而在該鈍化膜64上形成一平坦化絕緣膜65。另外,在該平坦化絕緣膜65上形成一陽極電極51,而形成一開口絕緣膜55來包圍該陽極電極51之周邊。不具有該開口絕緣膜55之一部分用作一開口,而一EL層50係沈積於該陽極電極51之曝露表面上。另外,一陰極電極52係形成於整個表面之上。
在此一斷面結構中,用作該儲存電容器33的電容器電極33之第一金屬層61與用作該另一電容器電極33b之第二金屬層62係形成為比藉由該開口絕緣膜55形成之開口更寬。因此,藉由該開口絕緣膜55來覆蓋用作該等個別電容器電極33a與33b的第一金屬層61與第二金屬層62之端,而因此藉由該鈍化膜64及該平坦化絕緣膜65在該開口中形成一充分平坦表面。
特定言之,當較靠近該陽極電極51之電容器電極33b具有實質上與該陽極電極51的寬度相同之寬度時,在該電容器電極33b的端處之不規則性不影響該陽極電極51。因此,形成於該平坦化膜65上的陽極電極51亦確保在該開口內充分的平坦性,而該EL層50亦係沈積於一令人滿意的平坦表面上。
圖4A至5E係循序解說依據此具體實施例用於製造該顯示器件之一方法之一範例的示意性斷面圖。此等圖式主要顯示一驅動部分之一驅動電晶體部分。如圖4A所示,首先,藉由濺鍍或類似者將諸如鉬或類似者之一金屬沈積於一絕緣基板(例如一玻璃基板40)上而接著讓其經受預定圖案化以形成一閘極電極Trg。該閘極電極Trg係形成於一對應於每一驅動電晶體的位置以便針對該等像素部分而並聯配置複數個驅動電晶體。
接下來,如圖4B所示,藉由(例如)一電漿CVD方法在該閘極電極Trg上形成一閘極絕緣膜41、一半導體層(非晶矽)42及一緩衝器氧化物膜43。該閘極絕緣膜41具有包括(例如)氮化矽與氧化矽之一層壓結構。該緩衝器氧化物膜43包括(例如)一氧化矽膜。可連續沈積此等膜。
接著,如圖4C所示,在該緩衝器氧化物膜43上形成一熱交換層44。該熱交換層44係由(例如)鉬組成且係藉由濺鍍或類似者形成。
接著,藉由掃描來以固態雷射光照射該熱交換層44。沿該等像素部分之驅動電晶體之配置方向實行固態雷射光之掃描。該固態雷射光之照射寬度係等於該等驅動電晶體之通道長度或一包括該通道長度與針對照射位置偏差之一容限的寬度。依據需求,可藉由往復掃描來實行採用該固態雷射光之照射。結果,令該半導體層(非晶矽)42結晶以形成每一驅動電晶體之一通道區域42'。
接下來,移除該熱交換層44與該緩衝器氧化物膜43。接著,如圖5A所示,在該通道區域42'上形成一通道保護膜(蝕刻停止器)45,且如圖5B及5C所示,沈積一n+層46,而以一島狀物形式同時圖案化該n+層46與該通道區域42'。該通道保護膜45包括(例如)一氮化矽膜且係藉由一電漿CVD方法或類似者形成。
接下來,針對一源極電極Trs及一汲極電極Trd形成一第二金屬層,如圖5D所示。讓該第二金屬層經受預定圖案化,而接著如圖5E所示形成一絕緣保護膜(鈍化)47。
在此等步驟中,形成對應於每一像素部分之電晶體31。藉由相同步驟形成一儲存電容器。換言之,使用與該電晶體31的閘極電極Trg之金屬層相同之金屬層(第一金屬層)來形成該儲存電容器之電容器電極33a,而使用與該電晶體31的源極電極Trs及汲極電極Trd之金屬層相同之金屬層(第二金屬層)來形成該儲存電容器之另一電容器電極33b。
在此情況下,該儲存電容器之電容器電極33a係連接至每一電晶體31之閘極電極Trg,而該儲存電容器之另一電容器電極33b係連接至每一電晶體31之源極電極Trs。
圖6係解說一電容器電極之另一組態(範例1)的一示意性平面圖。在此範例中,圖6所顯示的電容器電極33a與33b兩者皆係圓形。該儲存電容器33之電容器電極33a係電連接至該驅動電晶體31之閘極電極Trg,而另一電容器電極33b係電連接至該驅動電晶體33之源極電極Trs。
具有上文提到的形狀之該等電容器電極33a與33b之至少一者具有比藉由該開口絕緣膜55形成的開口(參考圖6中之一陰影部分)更寬之一部分。此外,該等電容器電極33a與33b之一者33a比另一電容器電極33b略大。當該等電容器電極33a與33b係以包括作為一大小差異之一微影邊限的大小來形成時,即使在微影術中出現偏差,亦可牢固地重疊該等電容器電極33a與33b。
此外,該等電容器電極33a與33b可以係以對應於藉由該開口絕緣膜55形成的開口之形狀之一形狀形成。即,在圖6所示之範例中,該開口係圓形,而因此該等電容器電極33a與33b亦係以對應於該開口的圓形形狀之一圓形形狀形成。因此,該等電容器電極33a與33b之端係完全藉由該開口絕緣膜55覆蓋,藉由在該鈍化膜、該平坦化絕緣膜及該陽極電極中的該等端形成之段差不出現於該開口內。
圖7係解說一電容器電極之另一組態(範例2)的一示意性平面圖。在此範例中,該等電容器電極33a與33b之電容器電極33b包括複數個圓形電極33b'。另一方面,該儲存電容器33之電容器電極33a係電連接至該驅動電晶體31之閘極電極Trg且係以一實質上矩形形狀提供。構成該電容器電極33b之複數個圓形電極33b'係互相電連接且亦係電連接至該驅動電晶體31之源極電極Trs。
具有上文提到的形狀之該等電容器電極33a與33b之一者33a具有比藉由該開口絕緣膜55形成的開口(參考圖7中之一陰影部分)更寬之一部分。此外,構成另一電容器電極33b的所有複數個圓形電極33b'係佈置於該電容器電極33a之區域內。當形成該等電容器電極33a與33b時,即使在微影術中出現偏差亦可牢固地重疊該等電容器電極33a與33b。
由於該等電容器電極33a與33b之一者33a具有比藉由該開口絕緣膜55形成的開口更寬之一部分,該等電容器電極33a之端係藉由該開口絕緣膜55覆蓋,藉由在該鈍化膜、該平坦化絕緣膜及該陽極電極中的該等端形成之段差不出現於該開口內。
圖8係解說一電容器電極之另一組態(範例3)的一示意性平面圖。在此範例中,圖8所示的電容器電極33a與33b兩者皆係規則六邊形。該儲存電容器33之電容器電極33a係電連接至該驅動電晶體31之閘極電極Trg,而另一電容器電極33b係電連接至該驅動電晶體33之源極電極Trs。
具有上文提到的形狀之該等電容器電極33a與33b之至少一者具有比藉由該開口絕緣膜55形成的開口更寬之一部分(參考圖8中之一陰影部分)。此外,該等電容器電極33a與33b之一者33a比該另一電容器電極33b略大。當該等電容器電極33a與33b係以包括作為一大小差異之一微影邊限的大小來形成時,即使在微影術中出現偏差,亦可牢固地重疊該等電容器電極33a與33b。
此外,該等電容器電極33a與33b具有比藉由該開口絕緣膜55形成的開口更寬之一部分。因此,該等電容器電極33a與33b之端係藉由該開口絕緣膜55覆蓋,藉由在該鈍化膜、該平坦化絕緣膜及該陽極電極中的該等端形成之段差不出現於該開口內儘管圖8顯示一其中該等電容器電極33a與33b係規則六邊形之範例,但等電容器電極33a與33b可具有任何形狀,只要該形狀係規則多邊形。
圖9係解說一電容器電極之另一組態(範例4)的一示意性平面圖。在此範例中,該等電容器電極33a與33b之電容器電極33b包括複數個方形電極33b"。另一方面,該儲存電容器33之電容器電極33a係電連接至該驅動電晶體31之閘極電極Trg且係以一實質上矩形形狀提供。構成該電容器電極33b之複數個方形電極33b"係互相電連接且亦係電連接至該驅動電晶體31之源極電極Trs。
具有上文提到的形狀之該等電容器電極33a與33b之一者33a具有比藉由該開口絕緣膜55形成的開口(參考圖9中之一陰影部分)更寬之一部分。此外,構成另一電容器電極33b的所有複數個方形電極33b"係佈置於該電容器電極33a之區域內。因此,當形成該等電容器電極33a與33b時,即使在微影術中出現偏差亦可牢固地重疊該等電容器電極33a與33b。
由於該等電容器電極33a與33b之一者33a具有比藉由該開口絕緣膜55形成的開口更寬之一部分,該等電容器電極33a之端係藉由該開口絕緣膜55覆蓋,藉由在該鈍化膜,該平坦化絕緣膜及該陽極電極中的該等端形成之段差不出現於該開口內。
在此具體實施例之顯示器件中,該等電容器電極33a與33b之端係藉由在一像素的開口外側之開口絕緣膜55覆蓋,而因此在該開口內不出現該等端的不規則性對該平坦化絕緣膜及類似者之影響。特定言之,較靠近該陽極電極51之電容器電極33b具有與該陽極電極51的寬度實質上相同之寬度。因此,可以提高該陽極電極51的平坦性,而不具有在該電容器電極33b的端處之不規則性對該陽極電極51之影響。由於在該開口之區域內不存在不規則性,因此不會歸因於在外部光入射於該開口上時因不規則性所致之繞射而減小顯示品質。
接下來,下文說明依據此具體實施例之顯示器件之應用範例。
此具體實施例之顯示器件包括如圖10所示之一平坦型模組形狀。例如,各包括一發光區域之多個像素、一薄膜電晶體、一光接收元件及類似者係成整體地形成於一矩陣中以提供在(例如)一絕緣基板2002上之一像素陣列部分2002a。此外,一黏合劑2021係佈置為包圍該像素陣列部分(像素矩陣部分)2002a而一反基板2006(例如一玻璃基板)係附接為形成一顯示模組。依據需求,可在透明的反基板2006上提供一彩色濾光層、一保護膜、一遮光膜及類似者。另外,可提供FPC(撓性印刷電路)2023作為用於從外側向該像素陣列部分2002a輸入信號及從該像素陣列部分2002a向外側輸出信號之一連接器。
可將依據上述具體實施例之顯示器件應用於圖11至15所示的各種電子裝置(例如一數位相機、一筆記型個人電腦、諸如一蜂巢式電話之類的一行動終端機器件、一攝錄影機及類似者)之顯示器件。即,可將該顯示器件應用於在將向一電子裝置輸入的視訊信號或產生於一電子裝置中的視訊信號顯示為一影像或圖像之任何領域中的電子裝置。下文,說明應用該具體實施例之電子裝置之範例。
圖11係顯示應用該具體實施例之一電視機的一透視圖。此應用範例之一電視機包括一影像顯示螢幕101,該影像顯示螢幕101包括一前面板102、一濾光玻璃103及類似者。使用依據此具體實施例之顯示器件作為該影像顯示螢幕101。
圖12A及12B係顯示應用該具體實施例之一數位相機的透視圖。圖12A係一正視透視圖,而圖12B係一後視透視圖。此應用範例之一數位相機包括用於閃光之一發光部分111、一顯示部分112、一功能表開關113、一快門按鈕114以及類似物。使用依據此具體實施例之顯示器件作為該顯示部分112。
圖13係應用該具體實施例之一筆記型個人電腦的一透視圖。此應用範例之一筆記型個人電腦包括一主體121、為輸入字元及類似者而操作之一鍵盤122、用於顯示影像之一顯示部分123及類似者。使用依據此具體實施例之顯示器件作為該顯示部分123。
圖14係應用該具體實施例之一攝錄影機的一透視圖。此應用範例之一攝錄影機包括一主體131、提供於面朝前之一側上的一攝影物鏡132、用於攝影之一開始/停止開關133、一顯示部分134及類似者。使用依據此具體實施例之顯示器件作為該顯示部分134。
圖15A至15G係顯示應用該具體實施例之一行動終端機器件(例如,一蜂巢式電話)的圖式。圖15A及15B分別係在一打開狀態中之一正視圖及一側視圖;而圖15C、15D、15E、15F及15G分別係在一關閉狀態中之一正視圖、一左側視圖、一右側視圖、一俯視圖及一仰視圖。此應用範例之一蜂巢式電話包括一上部外殼141、一下部外殼142、一連接部分(在此係一絞鏈)143、一顯示器144、一子顯示器145、一圖像燈146、一相機147及類似者。使用依據此具體實施例之顯示器件作為該顯示器144及該子顯示器145。
可將此具體實施例之顯示器件應用於一下文將說明之顯示成像器件。亦可將該顯示成像器件應用於上述各種電子裝置。圖16顯示一顯示成像器件之整體組態。該顯示成像器件包括一I/O顯示面板2000、一背光1500、一顯示驅動電路1200、一光接收驅動電路1300、一影像處理部分1400及一應用程式執行部分1100。
該I/O顯示面板2000包括一有機電致發光器件(包括在該整個表面之上配置於一矩陣中之複數個像素)而因此具有用以藉由線性順序操作來基於顯示資料顯示影像(例如一預定數字、字元及類似者)之功能(顯示功能)及用以成像接觸或靠近該I/O顯示面板2000之一物件的功能(成像功能),如下所述。該背光1500包括複數個發光二極體且用作一用於該I/O顯示面板2000之光源,以便與該I/O顯示面板2000的操作時序同步地在預定時序以一高速度開啟與關閉該背光1500。
該顯示驅動電路1200係用於驅動I/O顯示面板2000(藉由線性順序操作來驅動)之一電路以使得在該I/O顯示面板2000上基於顯示資料顯示一影像(顯示操作)。
該光接收驅動電路1300係用於驅動該I/O顯示面板2000(藉由線性順序操作來驅動)之一電路以使得在該I/O顯示面板2000中獲得光接收資料(以便成像一物件)。每一像素之光接收資料係(例如以圖框為單位)儲存於一圖框記憶體1300A中,且係作為一讀取影像輸出至該影像處理部分1400。
該影像處理部分1400基於從該光接收驅動電路1300輸出之讀取影像來實行預定影像處理(算術處理)以偵測關於接觸或靠近該I/O顯示面板2000之一物件的資訊(位置座標資料、關於一物件的形狀及大小之資料,及類似者)並獲取該資訊。下文詳細說明該偵測處理。
該應用程式執行部分1100基於該影像處理部分1400之偵測結果來依據一預定應用軟體實行處理,以使得(例如)一所偵測物件之位置座標係包括於該顯示資料中且係顯示於該I/O顯示面板2000上。在該應用程式執行部分1100中生產的顯示資料係供應至該顯示驅動電路1200。
接下來,參考圖17說明該I/O顯示面板2000之一詳細組態的一範例。該I/O顯示面板2000包括一顯示區域(感測器區域)2100、一顯示器H驅動器2200、一顯示器V驅動器2300、一感測器讀出H驅動器2500及一感測器V驅動器2400。
該顯示區域(感測器區域)2100係一在其中調變來自該等有機電致發光器件的光並將其作為顯示光來發射並且成像接觸或靠近該區域之一物件的區域。用作發光元件(顯示元件)及光接收元件(成像元件)之有機電致發光器件係配置於個別矩陣中。
該顯示器H驅動器2200與該顯示器V驅動器2300一起基於從該顯示驅動電路1200供應的顯示驅動顯示信號及控制時脈來驅動在該顯示區域2100內的像素之有機電致發光器件。
該感測器讀出H驅動器2500與該感測器V驅動器2400配合實行在該感測器區域2100內之像素之光接收元件的線性順序驅動以獲取光接收信號。
接下來,參考圖18說明在該顯示區域2100中的像素與該感測器讀出H驅動器2500之間的一連接關係。在該顯示區域2100中,排列紅色(R)像素3100、綠色(G)像素3200及藍色(B)像素3300。
在連接至該等像素的光接收感測器3100c、3200c及3300c的電容器中累積之電荷係分別藉由緩衝器放大器3100g、3200f及3300f放大且係在開啟讀出開關3100g、3200g及3300g之時序透過信號輸出電極供應至該感測器讀出H驅動器2500。此外,將恆定電流源4100a、4100b及4100c連接至個別信號輸出電極以使得藉由具有高敏感度之感測器讀出H驅動器2500偵測對應於所接收的光量之信號。
本申請案包含與2008年5月20日向日本專利局申請的日本優先權專利申請案JP 2008-131664相關之標的,其全部內容係以引用的方式併入本文中。
熟習此項技術者應瞭解,可根據設計要求及其他因素進行各種修改、組合、子組合與變更,只要其係在隨附申請專利範圍或其等效物之範疇內。
1...顯示器件/驅動基板
10...驅動元件形成區域
20...電源供應部分
21...信號線輸入部分/信號線
22...電源控制線/電源供應控制線
23...掃描線
24...掃描信號輸入部分
25...電源控制信號部分
26...信號線
30...像素部分
31...驅動電晶體
31a...驅動部分
32...寫入電晶體
33...儲存電容器
33a...電容器電極
33b...電容器電極
33b'...圓形電極
33b"...方形電極
40...玻璃基板
41...閘極絕緣膜
42...半導體層(非晶矽)
42'...通道區域
43...緩衝器氧化物膜
44...熱交換層
45...通道保護膜(蝕刻停止器)
46...n+層
47...絕緣保護膜(鈍化)
50...EL層
51...陽極電極
52...陰極電極
55...開口絕緣膜
61...第一金屬層
62...第二金屬層
62B...信號線
62C...電源控制線
64...鈍化膜
65...平坦化絕緣膜/平坦膜
101...影像顯示螢幕
102...前面板
103...濾光玻璃
111...發光部分
112...顯示部分
113...功能表開關
114...快門按鈕
121...主體
122...鍵盤
123...顯示部分
131...主體
132...攝影物鏡
133...開始/停止開關
134...顯示部分
141...上部外殼
142...下部外殼
143...連接部分
144...顯示器
145...子顯示器
146...圖像燈
147...相機
1100...應用程式執行部分
1200...顯示驅動電路
1300...光接收驅動電路
1300A...圖框記憶體
1400...影像處理部分
1500...背光
2000...I/O顯示面板
2002...絕緣基板
2002a...像素陣列部分(像素矩陣部分)
2006...反基板
2021...黏合劑
2023...FPC(撓性印刷電路)
2100...顯示區域(感測器區域)
2200...顯示器H驅動器
2300...顯示器V驅動器
2400...感測器V驅動器
2500...感測器讀出H驅動器
3100...紅色(R)像素
3100c、3200c、3300c...光接收感測器
3100f、3200f、3300f...緩衝器放大器
3100g、3200g、3300g...讀出開關
3200...綠色(G)像素
3300...藍色(B)像素
4100a、4100b、4100c...恆定電流源
Trd...汲極電極
Trg...閘極電極
Trs...源極電極
圖1係解說依據本發明之一具體實施例之一顯示器件之一整體組態之一範例的一示意圖;圖2係解說一像素部分之一組態之一範例的一示意性平面圖;圖3係解說一像素部分之一組態之一範例的一示意性斷面圖;圖4A至4D係解說依據本發明之一具體實施例用於製造一顯示器件之一方法之一範例的示意性斷面圖;圖5A至5E係接續圖4D解說用於製造一顯示器件之方法之一範例的示意性斷面圖;圖6係解說一儲存電容器之另一組態的一示意性平面圖;圖7係解說一儲存電容器之另一組態的一示意性平面圖;圖8係解說一儲存電容器之另一組態的一示意性平面圖;圖9係解說一儲存電容器之另一組態的一示意性平面圖;圖10係解說一平坦型模組形狀之一範例的一示意圖;圖11係解說應用本發明之一具體實施例的一電視機之一透視圖;圖12A及12B係解說應用本發明之一具體實施例的一數位相機之透視圖;圖13係解說應用本發明之一具體實施例的一筆記型個人電腦之一透視圖;圖14係解說應用本發明之一具體實施例的一攝錄影機之一透視圖;圖15A至15G係解說應用本發明之一具體實施例的一行動終端機器件(例如,一蜂巢式電話)之透視圖;圖16係顯示一顯示成像器件之一組態的一方塊圖;圖17係顯示一I/O顯示面板之一組態之一範例的一方塊圖;以及圖18係解說每一像素與一感測器讀出H驅動器之間的一連接關係的一電路圖。
21...信號線輸入部分/信號線
23...掃描線
30...像素部分
31...驅動電晶體
32...寫入電晶體
33...儲存電容器
33a...電容器電極
33b...電容器電極
51...陽極電極
55...開口絕緣膜
Claims (7)
- 一種顯示器件,其包含:一顯示電極,其係針對每一像素而提供,一開口絕緣膜,其覆蓋該顯示電極之周邊且其界定一像素開口,以及一儲存電容器,其係透過一平坦化絕緣膜佈置於該顯示電極之下,具有用以儲存用於驅動該像素的電荷之一功能,且包括比該像素開口更寬之一電容器電極,其中該顯示電極係大於該像素開口,且該儲存電容器之一像素中之一窄側之一方向上的至少一長度係大於該像素開口之長度。
- 如請求項1之顯示器件,其中構成該儲存電容器的一對電容器電極兩者皆具有比該像素開口更寬之一部分。
- 如請求項1之顯示器件,其中在構成該儲存電容器的一對該等電容器電極當中,至少較靠近該顯示電極之該電容器電極具有對應於該像素開口的一形狀之形狀。
- 如請求項1之顯示器件,其中在構成該儲存電容器的一對該等電容器電極當中,至少較靠近該顯示電極之該電容器電極具有與該像素開口的寬度實質上相同之寬度。
- 如請求項1之顯示器件,其中在該儲存電容器之該像素中之一窄側之該方向上之該至少一長度係小於該顯示電極之長度。
- 一種電子裝置,其包含:一顯示器件,其係安裝於一主體外殼上, 其中該顯示器件包括:一顯示電極,其係針對每一像素而提供;一開口絕緣膜,其覆蓋該顯示電極之周邊且其界定一像素開口;及一儲存電容器,其係透過一平坦化絕緣膜而佈置於該顯示電極之下,其具有用以儲存用於驅動該像素的電荷之一功能,且其包括比該像素開口更寬之一電容器電極,其中該顯示電極係大於該像素開口,且該儲存電容器之一像素中之一窄側之一方向上的至少一長度係大於該像素開口之長度。
- 如請求項6之電子裝置,其中在該儲存電容器之該像素中之一窄側之該方向上之該至少一長度係小於該顯示電極之長度。
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Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| CN111095385B (zh) * | 2017-09-21 | 2021-06-22 | 夏普株式会社 | 显示装置 |
| GB2618939A (en) * | 2021-07-12 | 2023-11-22 | Boe Technology Group Co Ltd | Display substrate and preparation method therefor, and display device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200300922A (en) * | 2001-12-13 | 2003-06-16 | Seiko Epson Corp | Pixel circuit for light emitting element |
| US6882105B2 (en) * | 2002-12-11 | 2005-04-19 | Hitachi Displays, Ltd. | Organic light-emitting display device |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2682997B2 (ja) * | 1987-11-14 | 1997-11-26 | 株式会社日立製作所 | 補助容量付液晶表示装置及び補助容量付液晶表示装置の製造方法 |
| JP3281848B2 (ja) * | 1996-11-29 | 2002-05-13 | 三洋電機株式会社 | 表示装置 |
| DE10046917A1 (de) * | 1999-09-21 | 2001-05-03 | Murata Manufacturing Co | LC-Filter |
| JP2003140188A (ja) * | 2001-11-07 | 2003-05-14 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| JP4182467B2 (ja) * | 2001-12-27 | 2008-11-19 | セイコーエプソン株式会社 | 回路基板、電気光学装置及び電子機器 |
| JP4123832B2 (ja) * | 2002-05-31 | 2008-07-23 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
| JP2004062152A (ja) * | 2002-06-03 | 2004-02-26 | Sharp Corp | 双方向二端子素子を用いた表示装置およびその製造方法 |
| JP4639662B2 (ja) * | 2004-06-25 | 2011-02-23 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
| KR100741967B1 (ko) * | 2004-11-08 | 2007-07-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 |
| JP4274151B2 (ja) * | 2005-05-26 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、及び電子機器 |
| JP2007035964A (ja) | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Sony Corp | 薄膜トランジスタとその製造方法、及び表示装置 |
| JP2007264053A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Kyocera Corp | 画像表示装置 |
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Patent Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
| TW200300922A (en) * | 2001-12-13 | 2003-06-16 | Seiko Epson Corp | Pixel circuit for light emitting element |
| US6882105B2 (en) * | 2002-12-11 | 2005-04-19 | Hitachi Displays, Ltd. | Organic light-emitting display device |
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