TWI404450B - 奈米碳管植入方法 - Google Patents
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Description
本發明係有關於一種奈米碳管植入方法，更詳而言之，係有關於一種應用於至少由陰極板(Cathode Plate)及陽極板(Anode Plate)所組成之奈米碳管發光裝置之製程中之奈米碳管植入方法。
按，奈米碳管場發射顯示器(Carbon Nanotube Field Emission Display；CNT－FED)不僅保留了陰極射線管(Cathode Ray Tube；CRT)的影像品質，並具有省電及體積薄小的好處；利用奈米碳管的低導通電場、高發射電流密度以及高穩定特性，所生產之大尺寸、低成本的全新之平面顯示器相較於液晶顯示器與電漿顯示器等技術，更具有低驅動電壓、反應時間迅速、工作溫度範圍大、高發光效率、無視角問題及省電的優點。
而在國內外業界主要的奈米碳管塗佈技術主要可以分為：網印法(Screen printing)、電泳法(electrophoretic deposition)(如中華民國公告號第00468041號之專利案)與化學氣相沉積法(如中華民國公開號第200535274號及公告號第00464896號之專利案)等三種製程技術，然而前述之三種製法各有其缺點，例如，網印法製成後之奈米碳管材料均勻性差、電泳法製成後之奈米碳管材料黏附性差且量產困難度高，化學氣相沉積法則具有玻璃基板無法承受高溫之缺點，而為解決上述之缺失，遂有另一種奈米碳管塗佈技術產生，其係以雷射光局部植入奈米碳管材料，不僅可在常溫下進行製程，更可令製成後之奈米碳管材料之均勻性較佳。
惟，上述以雷射光局部植入奈米碳管材料之奈米碳管塗佈技術，若適用於大面積奈米碳管材料之植入製程，則具生產效率低之問題，此外，其在製成後之奈米碳管材料黏附性亦不佳。
職是，如何提供一種可大面積地植入奈米碳管材料以相應提昇生產效率，並可於植入奈米碳管材料後令該奈米碳管材料具有較佳黏附性之奈米碳管植入方法，實為此產業中亟待解決之問題。
鑒於上述習知技術之缺失，本發明之主要目的在於提供一種可大面積地植入奈米碳管材料於陰極板上之奈米碳管植入方法。
本發明之另一目的在於提供一種可提昇生產效率之奈米碳管植入方法。
本發明之又一目的在於提供一種於植入奈米碳管材料於陰極板上後，令該奈米碳管材料具有較佳黏附性之奈米碳管植入方法。
為達上述所有目的，本發明之應用於至少由陰極板(Cathode Plate)及陽極板(Anode Plate)所組成之奈米碳管發光裝置之製程中之奈米碳管植入方法係包括以下步驟：塗佈一奈米碳管材料於一承載板表面；以及提供一電磁波光源，並透過一光路系統使該電磁波光源轉換為一圖案化電磁波光束，且以該承載板表面之奈米碳管材料對應該陰極板的方式，藉由該圖案化電磁波光束推動該承載板表面之奈米碳管材料，俾令該奈米碳管材料附著於該陰極板表面。
為達上述所有目的，本發明之應用於至少由陰極板(Cathode Plate)及陽極板(Anode Plate)所組成之奈米碳管發光裝置之製程中之奈米碳管植入方法係包括以下步驟：塗佈一介質材料於一承載板表面；提供一電磁波光源，並透過一光路系統使該電磁波光源轉換為一圖案化電磁波光束，且以該承載板表面之介質材料對應該陰極板的方式，藉由該圖案化電磁波光束推動該承載板表面之介質材料，俾形成一介質層於該陰極板表面；塗佈一奈米碳管材料於該承載板表面；以及提供該電磁波光源，並透過該光路系統使該電磁波光源轉換為圖案化電磁波光束，且以該承載板表面之奈米碳管材料對應該介質層的方式，藉由該圖案化電磁波光束推動該承載板表面之奈米碳管材料，俾令該奈米碳管材料附著於該介質層上。
為達上述所有目的，本發明之應用於至少由陰極板(Cathode Plate)及陽極板(Anode Plate)所組成之奈米碳管發光裝置之製程中之奈米碳管植入方法係包括以下步驟：均勻混合一介質材料及一奈米碳管材料，並據以塗佈於一承載板表面；以及提供一電磁波光源，並透過一光路系統使該電磁波光源轉換為圖案化電磁波光束，且以該承載板表面之介質材料及奈米碳管材料之混合者對應該陰極板的方式，藉由該圖案化電磁波光束推動該承載板表面之介質材料及奈米碳管材料之混合者，俾令該介質材料及奈米碳管材料之混合者附著於該陰極板表面。
為達上述所有目的，本發明之應用於至少由陰極板(Cathode Plate)及陽極板(Anode Plate)所組成之奈米碳管發光裝置之製程中之奈米碳管植入方法係包括以下步驟：塗佈一奈米碳管材料於一承載板表面；塗佈一介質材料於該奈米碳管材料上；以及提供一電磁波光源，並透過一光路系統使該電磁波光源轉換為圖案化電磁波光束，且以該承載板表面之奈米碳管材料及該奈米碳管材料上之介質材料對應該陰極板的方式，藉由該圖案化電磁波光束推動該承載板表面之奈米碳管材料及該奈米碳管材料上之介質材料，俾形成一介質層於該陰極板表面，同時該介質層上係附著有該奈米碳管材料。
相較於習知技術，本發明之奈米碳管植入方法主要係透過該光路系統轉換所得之圖案化電磁波光束，可大面積地植入奈米碳管材料於該陰極板上，相應地，則可提昇生產效率，俾達上揭之主要及另一目的，此外，透過上揭之介質材料更可於植入奈米碳管材料於陰極板上後，提高該奈米碳管材料之黏附性，俾達上揭之又一目的。
以下係藉由特定的具體實例說明本發明之實施方式，熟悉此技藝之人士可由本說明書所揭示之內容輕易地瞭解本發明之其他優點與功效。本發明亦可藉由其他不同的具體實例加以施行或應用，本說明書中的各項細節亦可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明之精神下進行各種修飾與變更。
請參閱第1A至1C圖，其係為本發明奈米碳管植入方法之第一實施例之操作流程示意圖。該奈米碳管植入方法係應用於奈米碳管發光裝置，如奈米碳管場發射背光板(CNT－BLU)或奈米碳管顯示器之製程中，其中，該奈米碳管發光裝置至少由陰極板(Cathode Plate)10及陽極板(Anode Plate)所組成。於本實施例中，該奈米碳管場發射背光板係可應用於各種平面顯示器(FPD)中，如液晶顯示器(Liquid Crystal Display；LCD)中之背光模組，但並非以此為限。
如第1A圖所示，該奈米碳管植入方法係先塗佈一奈米碳管材料20於一承載板21表面。接著如第1B圖所示，先提供一電磁波光源22，並透過一光路系統23使該電磁波光源22轉換為一圖案化電磁波光束24，且以該承載板21表面之奈米碳管材料20對應該陰極板10的方式，藉由該圖案化電磁波光束24推動該承載板21表面之奈米碳管材料20，最後如第1C圖所示，俾令該奈米碳管材料20附著於該陰極板10表面。
請一同配合第2圖所示，於本實施例中，該陰極板10係由玻璃基板100、形成於該玻璃基板100上之陰極101及閘極102所組成，且於該奈米碳管植入方法執行完成後，該奈米碳管材料20係附著於該陰極101表面；由圖中可知，該電磁波光源22經該光路系統23轉換後所得之圖案化電磁波光束24係為配合該陰極板10之陰極101形狀而為線型電磁波光束(長條狀)，但並非以此為限。
又如第3圖所示，若多次執行該奈米碳管植入方法後，則可將該奈米碳管場發射背光板上之陰極板10上之所有陰極101表面皆植入有該奈米碳管材料20，此外，該奈米碳管材料20中更包括有一與該奈米碳管材料20中之奈米碳管混合之高分子材料，其中，該高分子材料係具有流動性，以使該高分子材料上之每一個分子鍵上之分子會獨立吸附一根奈米碳管，再者，該電磁波光源22係為一全波段雷射或一紫外光波雷射(UV Light Laser)。需附加說明的是，該光路系統23亦可搭配如反射鏡或聚焦鏡等光學元件以調整該圖案化電磁波光束24之光傳導路逕至該承載板21，俾植入該奈米碳管材料20於該陰極板10表面。
另請參閱第4及5圖，復可於藉由該圖案化電磁波光束24推動該承載板21表面之奈米碳管材料20時，依需求藉由遮罩之方式，如利用光罩25遮蔽部分該圖案化電磁波光束24，以使該光罩25未遮蔽之圖案化電磁波光束24可將部份該奈米碳管材料20植入於特定之區域(如陰極板10之陰極101表面)，而此種配合該光罩25之奈米碳管植入方法係可應用於奈米碳管顯示器之修補及大面積雷射直接植入奈米碳管之製程中，當然，於實際實施時，該光罩25係可依需求調整其擺設位置，且亦可增加其實施數量並透過組合或疊加等方式產生所需的遮蔽效果，並非以圖中所示者為限。需予以說明的是，第4及5圖係以奈米碳管場發射顯示器(CNT－FED)為例，其中，第4圖係將該光罩25設置於承載板21上，第5圖係將該光罩25設置於垂直式三極結構(包括玻璃基板100、絕緣層103及閘極102)上方。
復請參閱第6A至6F圖，其係為本發明奈米碳管植入方法之第二實施例之操作流程示意圖。該奈米碳管植入方法係應用於奈米碳管發光裝置，如奈米碳管場發射背光板(CNT－BLU)或奈米碳管顯示器之製程中，其中，該奈米碳管發光裝置至少由陰極板(Cathode Plate)10及陽極板(Anode Plate)所組成。於本實施例中，該奈米碳管場發射背光板係可應用於各種平面顯示器(FPD)中，如液晶顯示器(Liquid Crystal Display；LCD)中之背光模組，但並非以此為限。
如第6A圖所示，該奈米碳管植入方法係先塗佈一介質材料26於一承載板21表面。接著如第6B圖所示，先提供一電磁波光源22，並透過一光路系統23使該電磁波光源22轉換為一圖案化電磁波光束24，且以該承載板21表面之介質材料26對應該陰極板10的方式，藉由該圖案化電磁波光束24推動該承載板21表面之介質材料26，藉此如第6C圖所示，俾形成一介質層於該陰極板10表面，接續，如第6D圖所示，塗佈一奈米碳管材料20於該承載板21表面，最後，如第6E圖所示，再次提供該電磁波光源22，並透過該光路系統23使該電磁波光源22轉換為圖案化電磁波光束24，且以該承載板21表面之奈米碳管材料20對應該介質層的方式，藉由該圖案化電磁波光束24推動該承載板21表面之奈米碳管材料20，俾如第6F圖所示，令該奈米碳管材料20附著於該介質層上俾令該奈米碳管材料20附著於該陰極板10表面。
於本實施例中，該陰極板10係由玻璃基板100、形成於該玻璃基板100上之陰極101及閘極102所組成，且於該奈米碳管植入方法執行完成後，該介質層係形成於該陰極101表面，此外，該介質材料26係為具有導電性及黏著性之材料，例如為導電銀膠材料等，而該電磁波光源22係為一全波段雷射或一紫外光波雷射(UV Light Laser)，且該奈米碳管材料20中更包括有一與該奈米碳管材料20中之奈米碳管混合之高分子材料，其中，該高分子材料係具有流動性，以使該高分子材料上之每一個分子鍵上之分子會獨立吸附一根奈米碳管，再者，此第二實施例係如同第一實施例，亦可於藉由該圖案化電磁波光束24推動該承載板21表面之介質材料26及奈米碳管材料20時，依需求藉由光罩遮蔽部分該圖案化電磁波光束24，而此種配合光罩之奈米碳管植入方法係可應用於奈米碳管顯示器之修補及大面積雷射直接植入奈米碳管之製程中，當然，於實際實施時，該光罩係可依需求調整其擺設位置，且亦可增加其實施數量並透過組合或疊加等方式產生所需的遮蔽效果。
又請參閱第7A至7C圖，其係為本發明奈米碳管植入方法之第三實施例之操作流程示意圖。該奈米碳管植入方法係應用於奈米碳管發光裝置，如奈米碳管場發射背光板(CNT－BLU)或奈米碳管顯示器之製程中，其中，該奈米碳管發光裝置至少由陰極板(Cathode Plate)10及陽極板(Anode Plate)所組成。於本實施例中，該奈米碳管場發射背光板係可應用於各種平面顯示器(FPD)中，如液晶顯示器(Liquid Crystal Display；LCD)中之背光模組，但並非以此為限。
如第7A圖所示，該奈米碳管植入方法係先均勻混合一介質材料及一奈米碳管材料，並據以塗佈於一承載板21表面(介質材料及奈米碳管材料之混合者27)。接著如第7B圖所示，先提供一電磁波光源22，並透過一光路系統23使該電磁波光源22轉換為圖案化電磁波光束24，且以該承載板21表面之介質材料及奈米碳管材料之混合者27對應該陰極板10的方式，藉由該圖案化電磁波光束24推動該承載板21表面之介質材料及奈米碳管材料之混合者27，俾如第7C圖所示，令該介質材料及奈米碳管材料之混合者27附著於該陰極板10表面。
於本實施例中，該陰極板10係至少由玻璃基板100及形成於該玻璃基板100上之陰極101所組成，且於該奈米碳管植入方法執行完成後，該介質材料及奈米碳管材料之混合者27係附著於該陰極101表面，此外，該介質材料係為具有導電性及黏著性之材料，例如為導電銀膠材料等，而該奈米碳管材料中更包括有一與該奈米碳管材料中之奈米碳管混合之高分子材料，其中，該高分子材料係具有流動性，以使該高分子材料上之每一個分子鍵上之分子會獨立吸附一根奈米碳管，且該電磁波光源22係為一全波段雷射或一紫外光波雷射(UV Light Laser)，再者，此第三實施例係如同第一及二實施例，亦可於藉由該圖案化電磁波光束24推動該承載板21表面之介質材料及奈米碳管材料之混合者27時，依需求藉由光罩遮蔽部分該圖案化電磁波光束24，而此種配合光罩之奈米碳管植入方法係可應用於奈米碳管顯示器之修補及大面積雷射直接植入奈米碳管之製程中，當然，於實際實施時，該光罩係可依需求調整其擺設位置，且亦可增加其實施數量並透過組合或疊加等方式產生所需的遮蔽效果。
再請參閱第8A至8D圖，其係為本發明奈米碳管植入方法之第四實施例之操作流程示意圖。該奈米碳管植入方法係應用於奈米碳管發光裝置，如奈米碳管場發射背光板(CNT－BLU)或奈米碳管顯示器之製程中，其中，該奈米碳管發光裝置至少由陰極板(Cathode Plate)10及陽極板(Anode Plate)所組成。於本實施例中，該奈米碳管場發射背光板係可應用於各種平面顯示器(FPD)中，如液晶顯示器(Liquid Crystal Display；LCD)中之背光模組，但並非以此為限。
如第8A圖所示，該奈米碳管植入方法係先塗佈一奈米碳管材料20於一承載板21表面。接著如第8B圖所示，塗佈一介質材料26於該奈米碳管材料20上，之後如第8C圖所示，先提供一電磁波光源22，並透過一光路系統23使該電磁波光源22轉換為圖案化電磁波光束24，且以該承載板21表面之奈米碳管材料20及該奈米碳管材料20上之介質材料26對應該陰極板10的方式，藉由該圖案化電磁波光束24推動該承載板21表面之奈米碳管材料20及該奈米碳管材料20上之介質材料26，俾如第8D圖所示，形成一介質層於該陰極板10表面，同時該介質層上係附著有該奈米碳管材料20。
於本實施例中，該陰極板10係至少由玻璃基板100及形成於該玻璃基板100上之陰極101所組成，且於該奈米碳管植入方法執行完成後，該介質層係形成於該陰極101表面，此外，該奈米碳管材料20中更包括有一與該奈米碳管材料20中之奈米碳管混合之高分子材料，其中，該高分子材料係具有流動性，以使該高分子材料上之每一個分子鍵上之分子會獨立吸附一根奈米碳管，而該介質材料26係為具有導電性及黏著性之材料，例如為導電銀膠材料等，且該電磁波光源22係為一全波段雷射或一紫外光波雷射(UV Light Laser)，再者，此第四實施例係如同第一、二及三實施例，亦可於藉由該圖案化電磁波光束24推動該承載板21表面之奈米碳管材料20及該奈米碳管材料20上之介質材料26時，依需求藉由光罩遮蔽部分該圖案化電磁波光束24，而此種配合光罩之奈米碳管植入方法係可應用於奈米碳管顯示器之修補及大面積雷射直接植入奈米碳管之製程中，當然，於實際實施時，該光罩係可依需求調整其擺設位置，且亦可增加其實施數量並透過組合或疊加等方式產生所需的遮蔽效果。
需附加說明的是，上揭之所有實施例中之塗佈程序係可透過旋轉塗佈等精密塗佈技術予以進行，但並非以此為限。
綜上所述，本發明之奈米碳管植入方法主要係透過該光路系統轉換所得之圖案化電磁波光束，可大面積地植入奈米碳管材料於該陰極板上，相應地，則可提昇生產效率，此外，透過上揭之具有導電性及黏著性之介質材料更可於植入奈米碳管材料於陰極板上後，提高該奈米碳管材料之黏附性，當然，本發明之奈米碳管植入方法亦可於常溫下操作且製成後之奈米碳管材料係具較佳之均勻性。
上述實施例僅例示性說明本發明之原理及其功效，而非用於限制本發明。任何熟習此項技藝之人士均可在不違背本發明之精神及範疇下，對上述實施例進行修飾與改變。因此，本發明之權利保護範圍，應如後述之申請專利範圍所列。
10．．．陰極板
100．．．玻璃基板
101．．．陰極
102．．．閘極
103．．．絕緣層
20．．．奈米碳管材料
21．．．承載板
22．．．電磁波光源
23．．．光路系統
24．．．圖案化電磁波光束
25．．．光罩
26．．．介質材料
27．．．介質材料及奈米碳管材料之混合者
第1A至1C圖係為本發明奈米碳管植入方法之第一實施例之操作流程示意圖；第2圖係為第1C圖之俯視示意圖；第3圖係為本發明奈米碳管植入方法之第一實施例應用於奈米碳管場發射背光板且執行完成後之側視狀態示意圖；第4及5圖係為本發明奈米碳管植入方法之第一實施例配合遮罩加以實施之示意圖；第6A至6F圖係為本發明奈米碳管植入方法之第二實施例之操作流程示意圖；第7A至7C圖係為本發明奈米碳管植入方法之第三實施例之操作流程示意圖；以及第8A至8D圖係為本發明奈米碳管植入方法之第四實施例之操作流程示意圖。
10．．．陰極板
100．．．玻璃基板
101．．．陰極
20．．．奈米碳管材料
21．．．承載板
22．．．電磁波光源
23．．．光路系統
24．．．圖案化電磁波光束
Claims (42)
- 一種奈米碳管植入方法，係應用於奈米碳管發光裝置之製程中，其中，該奈米碳管發光裝置至少由陰極板(Cathode Plate)及陽極板(Anode Plate)所組成，該奈米碳管植入方法係包括以下步驟：塗佈一奈米碳管材料於一承載板表面；以及提供一電磁波光源，並透過一光路系統使該電磁波光源轉換為一圖案化電磁波光束，其中，該圖案化電磁波光束的截面積大於該電磁波光源的截面積，且以該承載板表面之奈米碳管材料對應該陰極板的方式，藉由該圖案化電磁波光束推動該承載板表面之奈米碳管材料，俾令該奈米碳管材料附著於該陰極板表面。
- 如申請專利範圍第1項之奈米碳管植入方法，其中，該奈米碳管發光裝置係為奈米碳管場發射背光板(CNT-BLU)或奈米碳管顯示器。
- 如申請專利範圍第2項之奈米碳管植入方法，其中，該奈米碳管場發射背光板係應用於平面顯示器(FPD)中。
- 如申請專利範圍第1項之奈米碳管植入方法，其中，該陰極板係至少由玻璃基板及形成於該玻璃基板上之陰極所組成，且於該奈米碳管植入方法執行完成後，該奈米碳管材料係附著於該陰極表面。
- 如申請專利範圍第1項之奈米碳管植入方法，其中， 該奈米碳管材料中更包括有一與該奈米碳管材料中之奈米碳管混合之高分子材料。
- 如申請專利範圍第5項之奈米碳管植入方法，其中，該高分子材料係具有流動性，以使該高分子材料上之每一個分子鍵上之分子會獨立吸附一根奈米碳管。
- 如申請專利範圍第1項之奈米碳管植入方法，其中，該電磁波光源係為一全波段雷射。
- 如申請專利範圍第1項之奈米碳管植入方法，其中，該電磁波光源係為一紫外光波雷射(UV Light Laser)。
- 如申請專利範圍第1項之奈米碳管植入方法，其中，復於藉由該圖案化電磁波光束推動該承載板表面之奈米碳管材料時，依需求藉由遮罩之方式遮蔽部分該圖案化電磁波光束。
- 一種奈米碳管植入方法，係應用於奈米碳管發光裝置之製程中，其中，該奈米碳管發光裝置至少由陰極板(Cathode Plate)及陽極板(Anode Plate)所組成，該奈米碳管植入方法係包括以下步驟：塗佈一介質材料於一承載板表面；提供一電磁波光源，並透過一光路系統使該電磁波光源轉換為一圖案化電磁波光束，其中，該圖案化電磁波光束的截面積大於該電磁波光源的截面積，且以該承載板表面之介質材料對應該陰極板的方式，藉由該圖案化電磁波光束推動該承載板表面之介質材 料，俾形成一介質層於該陰極板表面；塗佈一奈米碳管材料於該承載板表面；以及提供該電磁波光源，並透過該光路系統使該電磁波光源轉換為圖案化電磁波光束，且以該承載板表面之奈米碳管材料對應該介質層的方式，藉由該圖案化電磁波光束推動該承載板表面之奈米碳管材料，俾令該奈米碳管材料附著於該介質層上。
- 如申請專利範圍第10項之奈米碳管植入方法，其中，該奈米碳管發光裝置係為奈米碳管場發射背光板(CNT-BLU)或奈米碳管顯示器。
- 如申請專利範圍第11項之奈米碳管植入方法，其中，該奈米碳管場發射背光板係應用於平面顯示器(FPD)中。
- 如申請專利範圍第10項之奈米碳管植入方法，其中，該陰極板係至少由玻璃基板及形成於該玻璃基板上之陰極所組成，且於該奈米碳管植入方法執行完成後，該介質層係形成於該陰極表面。
- 如申請專利範圍第10項之奈米碳管植入方法，其中，該介質材料係為具有導電性及黏著性之材料。
- 如申請專利範圍第14項之奈米碳管植入方法，其中，該介質材料係為一導電銀膠材料。
- 如申請專利範圍第10項之奈米碳管植入方法，其中，該電磁波光源係為一全波段雷射。
- 如申請專利範圍第10項之奈米碳管植入方法，其中， 該電磁波光源係為一紫外光波雷射(UV Light Laser)。
- 如申請專利範圍第10項之奈米碳管植入方法，其中，該奈米碳管材料中更包括有一與該奈米碳管材料中之奈米碳管混合之高分子材料。
- 如申請專利範圍第18項之奈米碳管植入方法，其中，該高分子材料係具有流動性，以使該高分子材料上之每一個分子鍵上之分子會獨立吸附一根奈米碳管。
- 如申請專利範圍第10項之奈米碳管植入方法，其中，復於藉由該圖案化電磁波光束推動該承載板表面之介質材料及奈米碳管材料時，依需求藉由遮罩之方式遮蔽部分該圖案化電磁波光束。
- 一種奈米碳管植入方法，係應用於奈米碳管發光裝置之製程中，其中，該奈米碳管發光裝置至少由陰極板(Cathode Plate)及陽極板(Anode Plate)所組成，該奈米碳管植入方法係包括以下步驟：均勻混合一介質材料及一奈米碳管材料，並塗佈於一承載板表面；以及提供一電磁波光源，並透過一光路系統使該電磁波光源轉換為圖案化電磁波光束，其中，該圖案化電磁波光束的截面積大於該電磁波光源的截面積，且以該承載板表面之介質材料及奈米碳管材料之混合者對應該陰極板的方式，藉由該圖案化電磁波光束推動該承載板表面之介質材料及奈米碳管材料之混合 者，俾令該介質材料及奈米碳管材料之混合者附著於該陰極板表面。
- 如申請專利範圍第21項之奈米碳管植入方法，其中，該奈米碳管發光裝置係為奈米碳管場發射背光板(CNT-BLU)或奈米碳管顯示器。
- 如申請專利範圍第22項之奈米碳管植入方法，其中，該奈米碳管場發射背光板係應用於平面顯示器(FPD)中。
- 如申請專利範圍第21項之奈米碳管植入方法，其中，該陰極板係至少由玻璃基板及形成於該玻璃基板上之陰極所組成，且於該奈米碳管植入方法執行完成後，該介質材料及奈米碳管材料之混合者係附著於該陰極表面。
- 如申請專利範圍第21項之奈米碳管植入方法，其中，該介質材料係為具有導電性及黏著性之材料。
- 如申請專利範圍第25項之奈米碳管植入方法，其中，該介質材料係為一導電銀膠材料。
- 如申請專利範圍第21項之奈米碳管植入方法，其中，該奈米碳管材料中更包括有一與該奈米碳管材料中之奈米碳管混合之高分子材料。
- 如申請專利範圍第27項之奈米碳管植入方法，其中，該高分子材料係具有流動性，以使該高分子材料上之每一個分子鍵上之分子會獨立吸附一根奈米碳管。
- 如申請專利範圍第21項之奈米碳管植入方法，其中， 該電磁波光源係為一全波段雷射。
- 如申請專利範圍第21項之奈米碳管植入方法，其中，該電磁波光源係為一紫外光波雷射(UV Light Laser)。
- 如申請專利範圍第21項之奈米碳管植入方法，其中，復於藉由該圖案化電磁波光束推動該承載板表面之介質材料及奈米碳管材料之混合者時，依需求藉由遮罩之方式遮蔽部分該圖案化電磁波光束。
- 一種奈米碳管植入方法，係應用於奈米碳管發光裝置之製程中，其中，該奈米碳管發光裝置至少由陰極板(Cathode Plate)及陽極板(Anode Plate)所組成，該奈米碳管植入方法係包括以下步驟：塗佈一奈米碳管材料於一承載板表面；塗佈一介質材料於該奈米碳管材料上；以及提供一電磁波光源，並透過一光路系統使該電磁波光源轉換為圖案化電磁波光束，其中，該圖案化電磁波光束的截面積大於該電磁波光源的截面積，且以該承載板表面之奈米碳管材料及該奈米碳管材料上之介質材料對應該陰極板的方式，藉由該圖案化電磁波光束推動該承載板表面之奈米碳管材料及該奈米碳管材料上之介質材料，俾形成一介質層於該陰極板表面，同時該介質層上係附著有該奈米碳管材料。
- 如申請專利範圍第32項之奈米碳管植入方法，其中，該奈米碳管發光裝置係為奈米碳管場發射背光板 (CNT-BLU)或奈米碳管顯示器。
- 如申請專利範圍第33項之奈米碳管植入方法，其中，該奈米碳管場發射背光板係應用於平面顯示器(FPD)中。
- 如申請專利範圍第32項之奈米碳管植入方法，其中，該陰極板係至少由玻璃基板及形成於該玻璃基板上之陰極所組成，且於該奈米碳管植入方法執行完成後，該介質層係形成於該陰極表面。
- 如申請專利範圍第32項之奈米碳管植入方法，其中，該奈米碳管材料中更包括有一與該奈米碳管材料中之奈米碳管混合之高分子材料。
- 如申請專利範圍第36項之奈米碳管植入方法，其中，該高分子材料係具有流動性，以使該高分子材料上之每一個分子鍵上之分子會獨立吸附一根奈米碳管。
- 如申請專利範圍第32項之奈米碳管植入方法，其中，該介質材料係為具有導電性及黏著性之材料。
- 如申請專利範圍第38項之奈米碳管植入方法，其中，該介質材料係為一導電銀膠材料。
- 如申請專利範圍第32項之奈米碳管植入方法，其中，該電磁波光源係為一全波段雷射。
- 如申請專利範圍第32項之奈米碳管植入方法，其中，該電磁波光源係為一紫外光波雷射(UV Light Laser)。
- 如申請專利範圍第32項之奈米碳管植入方法，其中， 復於藉由該圖案化電磁波光束推動該承載板表面之奈米碳管材料及該奈米碳管材料上之介質材料時，依需求藉由遮罩之方式遮蔽部分該圖案化電磁波光束。
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| Publication Number | Publication Date |
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ID=44817848
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| TW95149741A TWI404450B (zh) | 2006-12-29 | 2006-12-29 | 奈米碳管植入方法 |
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|---|---|
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Citations (1)
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|---|---|---|---|---|
| US4970196A (en) * | 1987-01-15 | 1990-11-13 | The Johns Hopkins University | Method and apparatus for the thin film deposition of materials with a high power pulsed laser |
-
2006
- 2006-12-29 TW TW95149741A patent/TWI404450B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4970196A (en) * | 1987-01-15 | 1990-11-13 | The Johns Hopkins University | Method and apparatus for the thin film deposition of materials with a high power pulsed laser |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Chang-Jianetal.,"Fabricationofcarbonnanotubefieldemissioncathodesinpatternsbyalasertransfermethod",Nanotechnologyv17,p1184~1187,2006/2/7 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW200829071A (en) | 2008-07-01 |
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