TWI498955B - A method for manufacturing a semiconductor wafer with a spin - die tape and an adhesive layer - Google Patents

Description

切晶-黏晶帶及附帶黏著劑層之半導體晶片之製造方法

本發明係關於一種用以獲得附帶黏著劑層之半導體晶片，且用以對該附帶黏著劑層之半導體晶片進行黏晶之切晶-黏晶帶、以及使用該切晶-黏晶帶之附帶黏著劑層之半導體晶片之製造方法。

自半導體晶圓切取半導體晶片時，係使用稱為預先切晶法之切晶法。關於預先切晶法之一例，例如揭示於下述專利文獻1。

於預先切晶法中，首先於半導體晶圓之表面形成切口。其次，於形成有切口之半導體晶圓之表面黏附保護片。其後，將半導體晶圓之背面研磨至切口部分為止，使半導體晶圓之厚度變薄，並分割成各個半導體晶片。於分割成各個半導體晶片之分割後半導體晶圓之表面黏附有保護片。

又，為使藉由上述預先切晶法而獲得之各個半導體晶片容易地安裝於基板上，多係於半導體晶片之背面黏附黏晶層。為獲得該附帶黏晶層之半導體晶片，係使用包含黏晶層及切晶層之切晶-黏晶帶。

作為切晶-黏晶帶之一例，於下述專利文獻2中揭示有如下切晶-黏晶帶，即，於剝離片上積層有黏晶層，並以覆蓋該黏晶層之方式，於剝離片及黏晶層上積層有切晶層。黏晶層係於切晶後連同半導體晶片一併取出，用於半導體晶片之黏晶之層。為使切晶層容易地自剝離片剝離，於切晶層之外周緣設置有突出部。

[先行技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2006-245467號公報

[專利文獻2]日本專利特開2005-116790號公報

於使用專利文獻1所記載之切晶-黏晶帶獲得附帶黏晶層之半導體晶片時，將切晶層之突出部作為剝離起點，自剝離片剝離黏晶層及切晶層，從而使黏晶層及切晶層之外周部分露出。其次，將所露出之黏晶層黏附於分割後半導體晶圓，且將所露出之切晶層之外周部分黏附於切晶環。其次，剝離黏附於分割後半導體晶圓之表面之保護片。其後，沿分割後半導體晶圓之切斷部分對黏晶層進行切晶。切晶後，自切晶層剝離並取出附帶黏晶層之半導體晶片。所取出之附帶黏晶層之半導體晶片係自黏晶層側安裝於基板上。

於專利文獻1所記載之切晶-黏晶帶中，存在該切晶-黏晶帶以局部變形之狀態黏附於切晶環之情形。

於此情形時，存在將切晶層黏附於切晶環後，於切晶層，通常緩和黏附時之拉伸應力之收縮力會起作用，從而切晶層之收縮力局部性地不同之情形。因此，存在作為分割後半導體晶圓之切斷部分的切晶線彎曲之(稱為脊線位移之現象)情形。特別是對保護片進行加熱而加以剝離之情形時，藉由加熱，切晶層之黏附時之拉伸應力易於緩和，從而切晶線易於彎曲。因此，存在無法對黏晶層高精度地進行切晶，或晶片間未均等地拉寬，從而附帶黏晶層之半導體晶片之拾取性較低之情形。

本發明之目的在於提供一種獲得附帶黏著劑層之半導體晶片時，在黏附於切晶環時可抑制局部性變形，從而可提高切晶之精度，且藉由晶片間均等地拉寬，可提高附帶黏著劑層之半導體晶片之拾取性之切晶-黏晶帶、以及使用該切晶-黏晶帶之半導體晶片之製造方法。

根據本發明之較廣態樣，提供一種切晶-黏晶帶，其包含黏著劑層、及積層於該黏著劑層之一面之基材層，於切晶時，在上述基材層之外周部分黏附有切晶環，上述基材層於外周部分具有於黏附時黏附於切晶環之黏附起點，將上述基材層之除上述黏附起點外之部分中之黏附於上述切晶環上的部分之寬度設為W(mm)，將上述基材層之除上述黏附起點外之部分中之上述基材層之外徑設為D(mm)時，自上述基材層之靠上述黏附起點側之外周前端朝向內側相距0.3W(mm)之距離的位置處之上述黏附起點之長度L(mm)處於0.30D~0.44D(mm)之範圍內。

於本發明之切晶-黏晶帶之某一特定態樣中，上述基材層之上述黏附起點側之外周前端之曲率大於上述基材層之除上述黏附起點外之部分之外周端的曲率。

於本發明之切晶-黏晶帶之其他特定態樣中，上述基材層於上述黏附起點側之外周端具有凸部，且上述基材層之上述黏附起點側之外周前端為上述凸部之頂點。

於本發明之切晶-黏晶帶之進而其他特定態樣中，上述基材層於上述黏附起點側之外周端具有複數個凸部，且該複數個凸部由曲線連接。

本發明之附帶黏著劑層之半導體晶片之製造方法包含如下步驟：使用根據本發明構成之切晶-黏晶帶、以及含有保護片及積層於該保護片之一面且分割成各個半導體晶片之分割後半導體晶圓之積層體，將上述切晶-黏晶帶之上述黏著劑層黏附於上述積層體之上述分割後半導體晶圓；將上述基材層之上述黏附起點黏附於圓環狀之切晶環，其次將除上述黏附起點外之上述基材層之外周部分黏附於上述切晶環；自上述分割後半導體晶圓剝離上述保護片；沿上述分割後半導體晶圓之切斷部分對上述黏著劑層進行切晶；及切晶後，自上述基材層剝離黏附有上述半導體晶片之上述黏著劑層，將半導體晶片連同上述黏著劑層一併取出。再者，亦可同時進行如下步驟：將上述切晶-黏晶帶之上述黏著劑層黏附於上述積層體之上述分割後半導體晶圓；及將上述基材層之上述黏附起點黏附於圓環狀之切晶環，其次將除上述黏附起點外之上述基材層之外周部分黏附於上述切晶環。

於本發明之附帶黏著劑層之半導體晶片之製造方法的某一特定態樣中，進而包含如下步驟：於半導體晶圓之表面形成用以將該半導體晶圓分割成各個半導體晶片之切口；於形成有切口之上述半導體晶圓之表面黏附保護片；及研磨黏附有上述保護片之上述半導體晶圓之背面，將上述半導體晶圓分割成各個半導體晶片，從而獲得上述積層體。

本發明之附帶黏著劑層之半導體晶片之其他製造方法包含如下步驟：使用根據本發明構成之切晶-黏晶帶及半導體晶圓，將上述切晶-黏晶帶之上述黏著劑層黏附於上述半導體晶圓；將上述基材層之上述黏附起點黏附於圓環狀之切晶環，其次將除上述黏附起點外之上述基材層之外周部分黏附於上述切晶環；對上述半導體晶圓及上述黏著劑層進行切晶；及切晶後，自上述基材層剝離黏附有上述半導體晶片之上述黏著劑層，將半導體晶片連同上述黏著劑層一併取出。再者，亦可同時進行如下步驟：黏附於上述積層體之上述分割後半導體晶圓；及將上述基材層之上述黏附起點黏附於圓環狀之切晶環，其次將除上述黏附起點外之上述基材層之外周部分黏附於上述切晶環。

本發明之切晶-黏晶帶係將於除黏附起點外之部分之基材層之黏附於切晶環的部分之寬度設為W(mm)，將於除黏附起點外之部分之基材層之外徑設為D(mm)時，於基材層之自黏附起點側之外周前端起向內側0.3W(mm)之距離的位置之黏附起點之長度L(mm)處於0.30D~0.44D(mm)之範圍內，故而藉由將基材層之黏附起點黏附於圓環狀之切晶環，其次將除黏附起點外之基材層之外周部分黏附於切晶環，可抑制局部性變形而將切晶-黏晶帶黏附於切晶環。因此，切晶後之切晶線難以彎曲。因此，可提高附帶黏著劑層之半導體晶片之拾取性。

進而，於使用保護片及分割後半導體晶圓之積層體獲得附帶黏著劑層之半導體晶片之情形時，即便將切晶-黏晶帶之黏著劑層黏附於積層體之分割後半導體晶圓，且自分割後半導體晶圓剝離保護片，作為分割後半導體晶圓之切斷部分的切晶線亦難以彎曲。因此，可高精度地對黏著劑層進行切晶，從而可提高拾取性。

以下，參照圖式，說明本發明之具體實施形態及實施例，藉此闡明本發明。

(切晶-黏晶帶)

圖1(a)及(b)係模式性地表示本發明之一實施形態之切晶-黏晶帶之圖。圖1(a)係局部欠缺平面圖，圖1(b)係沿圖1(a)中之I-I線之局部欠缺前視剖面圖。再者，於圖1及下述圖中，為便於圖示，尺寸及大小係自實際之尺寸及大小適當變更。

如圖1(a)及(b)所示，切晶-黏晶帶1包含長條狀之脫模層2。於脫模層2之上表面2a，依此順序積層有黏著劑層3、基材層4、切晶層5。於黏著劑層3之一面3a(第1面)積層有基材層4。於黏著劑層3之另一面3b(第2面)積層有脫模層2。

於長條狀之脫模層2之上表面2a，等間隔地配置有包含黏著劑層3、基材層4及切晶層5之複數個積層物。於該積層物之側方，亦可在脫模層2之上表面2a設置有保護片。

脫模層2例如為脫模膜。脫模層2係用以保護黏著劑層3之黏附半導體晶圓之另一面3b。再者，脫模層2可不必使用。

作為構成脫模層2之材料，可列舉聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂等之聚酯系樹脂、聚四氟乙烯樹脂、聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚甲基戊烯樹脂、聚醋酸乙烯酯樹脂等聚烯烴系樹脂、聚氯乙烯樹脂、及聚醯亞胺樹脂等塑膠樹脂等。

脫模層2之表面亦可進行脫模處理。脫模層可為單層，亦可為複數層。於脫模層為複數層之情形時，各層亦可由不同之樹脂所形成。

就更進一步提高脫模層2之處理性或剝離性之觀點而言，脫模層2之厚度較佳為處於10~100 μm之範圍內。

黏著劑層3係用於半導體晶片之黏晶之層。黏著劑層3係用以將半導體晶片接合於基板或其他半導體晶片等。

黏著劑層3係由例如包含適當之硬化性樹脂等硬化性化合物之硬化性樹脂組合物、或熱塑性樹脂等形成。由於硬化前之上述硬化性樹脂組合物較軟，故而易於因外力而變形。於獲得附帶黏著劑層3之半導體晶片後，將所獲得之附帶黏著劑層3之半導體晶片自黏著劑層3側積層至基板等被黏著體。其後，賦予熱或光之能量，使黏著劑層3硬化，藉此可經由黏著劑層3使半導體晶片牢固地接合於被黏著體。

為使上述硬化性樹脂組合物硬化，係使用硬化劑。作為該硬化劑，例如可列舉三烷基四氫鄰苯二甲酸酐等加熱硬化型酸酐系硬化劑、苯酚系硬化劑、胺系硬化劑或雙氰胺等潛在性硬化劑、及陽離子系觸媒型硬化劑等。為調整硬化速度或硬化物之物性等，亦可併用上述硬化劑與硬化促進劑。

黏著劑層3之厚度並無特別限定。黏著劑層3之厚度較佳為處於1~100 μm之範圍內。黏著劑層3之厚度之更佳下限為3 μm，更佳上限為60 μm。若黏著劑層3之厚度處於上述範圍內，則易於黏附半導體晶片，從而可進一步因應半導體裝置之薄型化。

基材層4包含具有非黏著性之非黏著部4A。非黏著部4A設置於基材層4之中央區域。非黏著部4A設置於與黏著劑層3之黏附半導體晶圓之位置相對應之部分。非黏著部4A之平面形狀為圓形。於平面觀察時，基材層4較黏著劑層3更大，非黏著部4A較黏著劑層3更大。因此，非黏著部4A具有較黏著劑層3之外周側面3c更向側方突出之區域。因此，於黏著劑層3黏附半導體晶圓時，可使半導體晶圓準確地位置對準於黏著劑層3之黏附有非黏著部4A之部分。黏附後，可於黏附有半導體晶圓之黏著劑層3之一面3a上確實地配置非黏著部4A。因此，切晶後，可容易地自基材層4之非黏著部4A剝離附帶黏著劑層3之半導體晶片。因此，可降低生產損失，從而可提高良率。

再者，所謂「非黏著性」，不僅係指表面不具有黏著性，亦包含具有以手指碰觸表面時不會黏住之程度之黏著性之情形。具體而言，所謂「非黏著」，係指將基材層4之非黏著部4A黏附於不鏽鋼板，將基材層4以300 mm/分之剝離速度剝離時，黏著力為0.05 N/25 mm寬度以下。

基材層4於非黏著部4A之外側部分之區域包含具有黏著性之黏著部4B。黏著部4B為環狀。基材層4覆蓋黏著劑層3，且基材層4之黏著部4B黏附於脫模層2之上表面2a。於黏著劑層3之一面3a之整面積層有基材層4之非黏著部4A。於黏著劑層3之一面3a未積層有黏著部4B。於切晶時，在基材層4之黏著部4B黏附切晶環。

於圖2中，僅放大切晶-黏晶帶1之基材層4而以平面圖表示。

如圖2所示，基材層4於外周部分具有在黏附開始時黏附於切晶環之黏附起點4C。黏附起點4C為黏附開始部分。於獲得附帶黏著劑層之半導體晶片時，自黏附起點4C起將基材層4之外周部分黏附於切晶環。基材層4之黏附於切晶環之部分為具有黏著性之黏著部4B。

基材層4之平面形狀大致為圓形，除黏附起點4C部分外之基材層4之平面形狀為圓形之一部分。於圖2中，以一點鏈線表示假設基材層4整體之平面形狀為圓形之情形時之虛擬線。

將除黏附起點4C外之基材層4之黏附於切晶環之部分的寬度設為W(mm)，將於除黏附起點4C外之部分之基材層4之外徑(直徑)設為D(mm)。於本實施形態中，於基材層4之自黏附起點4C側之外周前端起向內側0.3W(mm)之距離的位置之黏附起點4C之長度L(mm)為0.30D~0.44D(mm)之範圍內。若長度L小於0.30D，則於黏附時發生局部變形之可能性升高。又，若長度L大於0.44D，則自切晶環露出之可能性變高，於已露出之情形時，有成為向下一步驟之搬送過程中黏附於其他切晶環、或於加工裝置內黏附於周邊部等的困擾之原因。進而，若黏附起點之長度過短，則於黏附開始時，應力易於集中在黏附起點。藉由延長黏附起點之長度，可使黏附開始時之應力沿黏附起點之長度方向分散。因此，可防止經預先切晶之分割後半導體晶圓中之複數個半導體晶片之位置偏移。

黏附起點4C之前端係將自假設基材層4整體之平面形狀為圓形之情形時之虛擬線(圖2之一點鏈線)之黏附方向上之前端向黏附方向突出之長度設為突出長度Z(mm)。於下述實施形態中，亦將相同地突出之長度設為突出長度Z(mm)。突出長度Z(mm)宜小於0.20W，突出程度宜較小。若突出量變大，則存在黏附至切晶環時，黏附在切晶環之部分之寬度變得不均勻，或自切晶環露出之情形。所謂「黏附方向」，係指將設置有黏附開始時黏附於切晶環之黏附起點之基材層之一端、及與該一端為相反側之另一端連結之方向。

寬度W係將基材層4黏附至切晶環時，於除黏附起點4C外之部分之自切晶環之內周端至基材層4之外周端為止之距離。

除黏附起點4C部分外之基材層4之平面形狀為圓形之一部分，外徑D係表示於圓形部分之基材層4之外徑(直徑)。

黏附起點4C具有寬度方向及較該寬度方向更長之長度方向。長度L係表示於基材層4之自黏附起點4C側之外周前端起向內側，即於黏附方向上向內側0.3W之距離的位置之黏附起點4C之長度方向尺寸。長度L係表示於基材層4之自黏附起點4C側之外周前端起向與基材層4之黏附起點4C側為相反側0.3W之距離的位置之黏附起點4C之長度方向尺寸。

基材層4於黏附起點4C側之外周端含有3個凸部4a~4c。凸部4b位於凸部4a與凸部4c之間。圖2中，將凸部4a之頂點表示為B1，將凸部4b之頂點表示為A1，將凸部4c之頂點表示為B2。A1係基材層4之黏附起點4C側之外周前端。

於基材層4中，B1與A1由直線連接，且A1與B2由直線連接。由連結B1、A1及B2之3條直線所圍成之部分之平面形狀為連結B1與A1之直線、及連結A1與B2之直線之長度相等之等腰三角形。圖2中，將連結B1與B2之直線、與自A1下垂至該直線之垂線之交叉點表示為A11。

B1與基材層4之圓形部分、及B2與基材層4之圓形部分係由直線連接。圖2中，將B1與基材層4之圓形部分之接點表示為C1，將B2與基材層4之圓形部分之接點表示為C2。連結B1與C1之直線係基材層4之圓形部分之於C1之切線。連結B2與C2之直線係基材層4之圓形部分之於C2之切線。

基材層4之非黏著部4A與黏著部4B係形成為一體。非黏著部4A與黏著部4B係由相同之材料形成，而並非由不同之材料形成。

基材層4例如可使用具有活性能量線硬化型或熱硬化型之黏著性之組合物形成。於活性能量線硬化型之組合物之情形時，藉由對相對於組合物之活性能量線之照射量進行部分調整，可使基材層4之黏著性局部性地不同。為使基材層4具有非黏著性，只要增多活性能量線之照射量即可。為使基材層4具有黏著性，只要不照射活性能量線、或減少活性能量線之照射量即可。

基材層4較佳為由包含丙烯酸系聚合物之組合物形成。基材層4較佳為由使包含丙烯酸系聚合物之組合物交聯而成之交聯體形成。於此情形時，可更進一步提高切晶時之切削性。又，可容易地控制及設計基材層4之極性、儲存模數(storage modulus)或斷裂伸長率(rupture elongation)。

上述丙烯酸系聚合物並無特別限定。上述丙烯酸系聚合物較佳為(甲基)丙烯酸烷基酯聚合物。作為(甲基)丙烯酸烷基酯聚合物，宜使用具有碳數為1~18之烷基之(甲基)丙烯酸烷基酯聚合物。藉由使用具有碳數為1~18之烷基之(甲基)丙烯酸烷基酯聚合物，可充分地降低基材層4之極性，可降低基材層4之表面能量，且可提高黏著劑層3之自基材層4之剝離性。

上述組合物較佳為包含活性能量線反應起始劑及熱反應起始劑中之至少一者，更佳為包含活性能量線反應起始劑。活性能量線反應起始劑較佳為光反應起始劑。

上述活性能量線中包含紫外線、電子束、α線、β線、γ線、X線、紅外線及可見光線。於該等活性能量線中，紫外線或電子束因硬化性優異且硬化物難以劣化，故而較佳。

作為上述光反應起始劑，例如可使用光自由基產生劑或光陽離子產生劑等。作為上述熱反應起始劑，可列舉熱自由基產生劑等。於上述組合物中，為控制黏著力，亦可添加異氰酸酯系交聯劑。

基材層4之厚度並無特別限定。基材層4之厚度較佳為處於1~100 μm之範圍內。基材層4之厚度之更佳下限為5 μm，更佳上限為60 μm。若基材層4之厚度滿足上述較佳下限，可更進一步提高伸展性。若基材層4之厚度滿足上述較佳上限，則厚度變得更加均勻，從而可更進一步提高切晶之精度。

切晶層5例如為切晶膜。作為構成切晶層5之材料，可列舉聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂等聚酯系樹脂、聚四氟乙烯樹脂、聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚甲基戊烯樹脂、聚醋酸乙烯酯樹脂等聚烯烴系樹脂、聚氯乙烯樹脂、及聚醯亞胺樹脂等塑膠樹脂等。其中，因伸展性優異，環境負荷較小，故宜使用聚烯烴系樹脂。

切晶層5之厚度並無特別限定。切晶層5之厚度較佳為處於10~200 μm之範圍內。切晶層5之厚度之更佳下限為60 μm，更佳上限為150 μm。若切晶層5之厚度處於上述範圍內，則可更進一步提高脫模層2之剝離性及切晶層5之伸展性。

於本實施形態中，切晶層5之平面形狀與基材層4之平面形狀相同。切晶層5之平面形狀亦可與基材層4之平面形狀不同。切晶層5之大小於不妨礙本發明之效果之範圍內，可大於基材層4之大小，亦可小於基材層4之大小。切晶層5之大小較佳為大於基材層4之大小。

於切晶-黏晶帶1中，係使用切晶層5。亦可省略切晶層5，由基材層4兼用作切晶層。於切晶-黏晶帶1中，可於基材層4之黏著部4B黏附切晶環，故而無需於切晶層5黏附切晶環。因此，可省略切晶層5。於切晶層5無需黏附切晶環，故而切晶層5亦可不具有黏著力。因此，可自更廣範圍選擇構成切晶層5之材料及組成。

於切晶時，可更進一步有效地防止半導體晶片之飛出等，故而較佳為於基材層4之與黏附有黏著劑層3之一面為相反側之另一面黏附有切晶層5。於此情形時，對基材層4並未大幅要求伸展性等，故而可自更廣範圍選擇構成基材層4之材料及組成。

於圖3及圖4中，表示基材層之變形例。

圖3、4所示之基材層11、12除黏附起點之形狀不同外，與基材層4同樣地構成。基材層11、12包含非黏著部11A、12A、及設於非黏著部11A、12A之外周部分之區域的黏著部11B、12B。基材層11、12之黏附於切晶環之部分係具有黏著性之黏著部11B、12B。

基材層11、12之平面形狀大致為圓形，且除黏附起點11C、12C部分外之基材層11、12之平面形狀為圓形之一部分。於圖3、4中，以一點鏈線表示假設基材層11、12整體之平面形狀為圓形之情形時之虛擬線。將於基材層11、12之除黏附起點11C、12C外之部分之基材層11、12的黏附於切晶環之部分之寬度設為W(mm)，將於除黏附起點11C、12C外之部分之基材層11、12之外徑設為D(mm)。於基材層11、12之自黏附起點11C、12C側之外周前端起向內側0.3W(mm)之距離的位置之黏附起點11C、12C之長度L(mm)處於0.30D~0.44D(mm)之範圍內。若長度L小於0.30D，則黏附時發生局部變形之可能性升高。又，若長度L大於0.44D，則自切晶環露出之可能性變高，且於已露出之情形時，存在導致向下一步驟之搬送過程中黏附於其他切晶環、或於加工裝置內黏附於周邊部等的問題之情形。

圖3所示之基材層11於黏附起點11C側之外周端包含4個凸部11a~11d。凸部11b及凸部11c位於凸部11a與凸部11d之間，且凸部11b位於凸部11a側，凸部11c位於凸部11d側。圖3中，將凸部11a之頂點表示為B1，將凸部11b之頂點表示為A1，將凸部11c之頂點表示為A2，將凸部11d之頂點表示為B2。A1及A2係基材層11之黏附起點11C側之外周前端。

於基材層11中，B1與A1由直線連接，A1與A2由曲線連接，且A2與B2由直線連接。藉由連結B1、A1、A2及B2之4條直線所圍成之部分之平面形狀為將連結A1與A2之直線作為上底，將連結B1與B2之直線作為下底之等腰梯形。圖3中，將凸部11b與凸部11c之間之凹部之最深部表示為A11。又，圖3中，將連結B1與B2之直線、與自A1下垂至該直線之垂線之交叉點表示為A21，將連結B1與B2之直線、與自A2下垂至該直線之垂線之交叉點表示為A22。

B1與基材層11之圓形部分、及B2與基材層11之圓形部分由直線連接。圖3中，將B1與基材層11之圓形部分之接點表示為C1，將B2與基材層11之圓形部分之接點表示為C2。連結B1與C1之直線及連結B2與C2之直線分別為基材層11之圓形部分之於C1、C2之切線。

圖4所示之基材層12於黏附起點12C側之外周端包含4個凸部12a~12d。凸部12b及凸部12c位於凸部12a與凸部12d之間，且凸部12b位於凸部12a側，凸部12c位於凸部12d側。圖4中，將凸部12a之頂點表示為A1，將凸部12b之頂點表示為A2，將凸部21c之頂點表示為A3，將凸部21d之頂點表示為A4。A1、A2、A3及A4均為基材層12之黏附起點12C側之外周前端。

於基材層12中，A1與A2、A2與A3、A3與A4分別由曲線連接。圖4中，將凸部12a與凸部12b之間的凹部之最深部表示為A11，將凸部12b與凸部12c之間的凹部之最深部表示為A12，將凸部12c與凸部12d之間的凹部之最深部表示為A13。

A1與基材層12之圓形部分、及A4與基材層12之圓形部分係相連接。圖4中，將A1與基材層12之圓形部分之接點表示為C1，將A4與基材層12之圓形部分之接點表示為C2。A1與C1由曲線及直線連接，且A1側為曲線，C1側為直線。圖4中，將自A1延伸之曲線與自C1延伸之直線之邊界表示為B1。A4與C2由曲線及直線連接，且A4側為曲線，C2側為直線。圖4中，將自A4延伸之曲線與自C2延伸之直線之邊界表示為B2。自C1延伸之直線及自C2延伸之直線分別為基材層12之圓形部分之於C1、C2之切線。

圖4中，將連結B1與B2之直線、與自A1下垂至該直線之垂線之交叉點表示為A21，將連結B1與B2之直線、與自A2下垂至該直線之垂線之交叉點表示為A22，將連結B1與B2之直線、與自A3下垂至該直線之垂線之交叉點表示為A23，將連結B1與B2之直線、與自A4下垂至該直線之垂線之交叉點表示為A24。

凸部12a~12d之前端為曲線。基材層12之黏附起點12C側之外周前端之於A1~A4的曲率大於基材層12之除黏附起點12C外之部分之外周端的曲率。

如圖3及圖4所示，只要於基材層之自黏附起點側之外周前端起向內側0.3W(mm)之距離的位置之黏附起點之長度L(mm)處於0.30D~0.44D(mm)之範圍內，基材層之黏附起點之平面形狀即可進行適當變更。

如基材層12，基材層之黏附起點側之外周前端之曲率較佳為大於基材層之除黏附起點外之部分之外周端的曲率。於此情形時，自脫模層2進行剝離時，基材層之黏附起點側之外周前端成為剝離起點，從而可容易地進行剝離，於獲得附帶黏著劑層之半導體晶片時，可更進一步高精度地對黏著劑層進行切晶。

基材層4之黏附起點4C側之外周前端係凸部4b之頂點A1。基材層11之黏附起點11C側之外周前端係凸部11b、11c之頂點A1、A2。基材層12之黏附起點12C側之外周前端係凸部12a~12d之頂點A1~A4。如上所述，基材層較佳為於黏附起點側之外周端含有凸部，且基材層之黏附起點側之外周前端為該凸部之頂點。於此情形時，自脫模層2剝離時，基材層之黏附起點側之凸部成為剝離起點，從而可容易地進行剝離，當獲得附帶黏著劑層之半導體晶片時，可更進一步高精度地對黏著劑層進行切晶。

基材層11於黏附起點11C側之外周端含有複數個凸部11a~11d，且凸部11b與凸部1tc由曲線連接。基材層12於黏附起點12C側之外周端含有複數個凸部12a~12d，且該複數個凸部12a~12d由曲線連接。如上所述，基材層較佳為於黏附起點側之外周端含有複數個凸部，且該複數個凸部由曲線連接。於此情形時，自脫模層2剝離時成為剝離起點，從而可容易地進行剝離，當獲得附帶黏著劑層之半導體晶片時，可更進一步高精度地對黏著劑層進行切晶。

又，於基材層4、11、12中，黏附起點4C、11C、12C與除黏附起點4C、11C、12C外之部分所成之內角為180度以下。即，於黏附起點4C、11C、12C之基端部分，黏附起點4C、11C、12C與除黏附起點4C、11C、12C外之部分係以內角為180度以下之方式連接。如上所述，若上述內角為180度以下，則可防止於黏附起點之基端，基材層被切斷。若上述內角超過180度，則存在於黏附起點之基端，基材層容易被切斷之傾向。

於圖1所示之切晶-黏晶帶1中，在1個基材層4上，僅設有1處黏附起點4C。黏附起點4C係設置於長條狀脫模層2之長度方向之一端側。於圖15中表示切晶-黏晶帶之變形例。圖1所示之切晶-黏晶帶1與圖15所示之切晶-黏晶帶51係基材層上之黏附起點之個數及形成位置不同，伴隨於此切晶層亦不同。設置於切晶-黏晶帶1之黏附起點4C、與設置於切晶-黏晶帶51之基材層52之黏附起點52C之形狀相同。設置於切晶-黏晶帶51之基材層52與切晶層53之形狀相同。再者，於圖15中，基材層52係由切晶層53所覆蓋。

於圖15所示之切晶-黏晶帶51中，於1個基材層52上，設置有2處黏附起點52C。黏附起點52C係設置於長條狀脫模層2之長度方向之一端側、及與該一端側相反之另一端側。如上所述，較佳為於1個基材層上設置有複數個黏附起點，且較佳為設置有至少2個黏附起點。於在1個基材層上設置有複數個黏附起點之情形時，較佳為於基材層之一端側及與該一端側相反之另一端側設置有黏附起點。於此情形時，可消除切晶-黏晶帶使用時之方向性。又，例如於未能較佳地自一端側之黏附起點黏附基材層之情形等時，可自另一端側之黏附起點黏附基材層。更具體而言，於未能較佳地自一端側之黏附起點黏附基材層之情形等時，藉由將長條狀之切晶-黏晶帶暫時捲取後再次捲開，可自另一端側之黏附起點黏附基材層。

(附帶黏著劑層之半導體晶片之製造方法)

其次，以下說明使用圖1(a)、(b)及圖2所示之切晶_- 黏晶帶1之情形時的附帶黏著劑層之半導體晶片之製造方法的一例。

首先，包含切晶-黏晶帶1、及積層體21。

如圖5(d)所示，積層體21包含保護片22、及積層於保護片22之一面22a之分割後半導體晶圓23。分割後半導體晶圓23被分割成各個半導體晶片。分割後半導體晶圓23之平面形狀為圓形。

積層體21可經由圖5(a)~(d)所示之各步驟，以如下方式獲得。

首先，如圖5(a)所示，準備半導體晶圓23A。半導體晶圓23A係分割前半導體晶圓。半導體晶圓23A之平面形狀為圓形。於半導體晶圓23A之表面23a，在藉由界道(street)呈矩陣狀劃分而成之各區域內，形成有用以構成各個半導體晶片之電路。

如圖5(b)所示，對所準備之半導體晶圓23A自表面23a側進行切晶。切晶後，半導體晶圓23A未被切斷。於半導體晶圓23A之表面23a形成有用以分割成各個半導體晶片之切口23c。切晶係例如使用包含高速旋轉之刀片之切晶裝置等來進行。

其次，如圖5(c)所示，於半導體晶圓23A之表面23a黏附保護片22。其後，對半導體晶圓23A之背面23b進行研磨，使半導體晶圓23A之厚度變薄。此處，半導體晶圓23A之背面23b係研磨至切口23c部分為止。以如此方式，可獲得圖5(d)所示之積層體21。

半導體晶圓23A之背面23b較佳為研磨至切口23c部分為止。研磨係使用包含例如研磨磁鐵等之磨床(grinder)等的研磨機來進行。於研磨時，在半導體晶圓23A之表面23a黏附有保護片22，故而於電路上不會附著研磨屑。又，即便於研磨後半導體晶圓23A分割成各個半導體晶片，複數個半導體晶片亦不會零亂而仍舊黏附於保護片22。

獲得積層體21後，如圖6(a)所示，使積層體21自保護片22側搭載至平台25上。於平台25上，在自分割後半導體晶圓23之外周側面相隔固定間隔之位置，設置有圓環狀之切晶環26。一面剝離切晶-黏晶帶1之脫模層2，或於剝離脫模層2後，將所露出之黏著劑層3之另一面3b黏附於分割後半導體晶圓23之背面23b。又，將所露出之基材層4之外周部分自黏附起點4C黏附於切晶環26。

於圖8(a)中，以前視剖面圖表示將基材層4黏附於切晶環26時之狀態，並且於圖8(b)中，以平面圖表示將基材層4黏附於切晶環26後之狀態。

如圖8(a)及(b)所示，通常係於將基材層4黏附於切晶環26時，使用剝離邊緣32將基材層4及切晶層5自脫模層2之上表面2a剝離。將基材層4之黏附起點4C黏附於切晶環26，利用捲輥31按壓黏附起點4C上。繼而，一面拉伸黏著劑層3、基材層4及切晶層5以避免於黏著劑層3、基材層4及切晶層5上產生褶皺，一面將基材層4之外周部分黏附於切晶環26。於黏附於切晶環26之基材層4及切晶層5，收縮力在起作用。

若上述收縮力局部性地不同，則例如將基材層黏附於切晶環後，或者自分割後半導體晶圓剝離保護片後，分割後半導體晶圓之切斷部分即切晶線易於彎曲。

於切晶-黏晶帶1中，長度L(mm)處於0.30D~0.44D(mm)之範圍內。即，於將切晶-黏晶帶1之基材層4黏附於切晶環時，將基材層4之自黏附起點4C側之外周前端起向內側0.3W之距離的位置黏附於切晶環26，其次將除黏附起點4C外之基材層4之外周部分黏附於切晶環26。換言之，於黏附開始時，黏附於切晶環26之基材層4部分之長度L(mm)處於0.30D~0.44D(mm)之範圍內。因此，黏附於切晶環26之基材層4、及積層於該基材層4之黏著劑層3及切晶層5之收縮力難以局部性地大幅不同。

因此，將基材層4黏附於切晶環26後，或於自黏附於黏著劑層3之分割後半導體晶圓23剝離保護片22後，分割後半導體晶圓23之切晶線難以彎曲。因此，可高精度地對黏著劑層3進行切晶。進而，可提高附帶黏著劑層3之半導體晶片之拾取性。

將基材層4黏附於切晶環26後，如圖6(b)所示，將黏附有黏著劑層3之分割後半導體晶圓23自平台25取出並翻轉過來。此時，以將切晶環26黏附於基材層4之黏著部4B之狀態取出。將所取出之分割後半導體晶圓23翻轉以使表面23a成為上方，而搭載於另一平台27上。

其次，如圖7(a)所示，自分割後半導體晶圓23之表面23a剝離保護片22。於剝離保護片22時，為易於剝離，亦可對保護片22進行加熱。

其次，如圖7(b)所示，沿分割後半導體晶圓23之切口23c(切斷部分)，即沿切晶線對黏著劑層3進行切晶。以貫通兩面之方式對黏著劑層3進行切晶，分割成各個半導體晶片之大小。於切晶後，在黏著劑層3形成切斷部分3d。於使用切晶-黏晶帶1之情形時，在黏附有分割後半導體晶圓23之黏著劑層3部分之下方，設置有具有非黏著性之非黏著部4A，故而可高精度地進行切晶。因此，切晶後，可提高附帶黏著劑層之半導體晶片之拾取性。

切晶係只要係以貫通黏著劑層3之方式進行則並無特別限定。作為對黏著劑層3進行切晶之方法，可列舉使用切晶刀片之方法、及雷射切晶之方法等。於使用分割後半導體晶圓23之情形時，通常係使用雷射切晶之方法。

於基材層4之非黏著部4A例如已被硬化之情形時，非黏著部4A難以藉由雷射光之照射而發生反應。因此，基材層4難以融著於黏著劑層3。因此，即使於已進行使用雷射光之切晶之情形時，亦可輕鬆地進行半導體晶片之拾取。

對半導體晶圓進行切晶而分割成各個半導體晶片後，拉伸切晶層5，擴大經分割而成之各個半導體晶片間之間隔。其後，將半導體晶片連同黏著劑層3一併自基材層4剝離而取出。以如此方式，可獲得附帶黏著劑層3之半導體晶片。

又，較佳為於切晶後，不改變黏著劑層3與非黏著部4A之間之剝離力而取出半導體晶片。基材層4之黏附於黏著劑層3之非黏著部4A具有非黏著性。因此，切晶後，即便不改變上述剝離力，亦可輕鬆地取出附帶黏著劑層3之半導體晶片。

其次，以下說明使用圖9(a)、(b)所示之切晶-黏晶帶1之附帶黏著劑層之半導體晶片的製造方法的另一例。

首先，準備上述切晶-黏晶帶1及半導體晶圓41。半導體晶圓41之平面形狀為圓形。半導體晶圓41未分割成各個半導體晶片。

如圖9(a)所示，將半導體晶圓41翻轉，使經翻轉之半導體晶圓41自表面41a側搭載於平台25上。於平台25上，在自半導體晶圓41之外周側面相隔固定間隔之位置，設置有圓環狀之切晶環26。一面剝離切晶-黏晶帶1之脫模層2，或於剝離脫模層2後，將所露出之黏著劑層3之另一面3b黏附於半導體晶圓41之背面41b。又，將所露出之基材層4之外周部分自黏附起點4C黏附於切晶環26。

其次，如圖9(b)所示，將黏附有黏著劑層3之半導體晶圓41自平台25取出並翻轉過來。此時，以將切晶環26黏附於基材層4之黏著部4B之狀態取出。將所取出之半導體晶圓41翻轉以使表面41a成為上方，而搭載至另一平台27上。其次，對半導體晶圓41連同黏著劑層3一併進行切晶，分割成各個半導體晶片。將半導體晶圓41及黏著劑層3分別以貫通兩面之方式切斷。於切晶後，在半導體晶圓41形成切斷部分41c，在黏著劑層3形成切斷部分3d，且於基材層4形成切口。

其次，拉伸切晶層5，將半導體晶片連同黏著劑層3一併自基材層4剝離而取出，藉此可獲得附帶黏著劑層3之半導體晶片。

以下，藉由列舉實施例及比較例，對本發明進行具體說明。本發明並不限定於以下之實施例。

(丙烯酸系聚合物1)

使95重量份之丙烯酸-2-乙基己酯、5重量份之丙烯酸-2-羥乙酯、0.2重量份之作為光自由基產生劑之Irgacure651之(汽巴-嘉基(Ciba-Geigy)公司製造、50%乙酸乙酯溶液)、及0.01重量份之十二硫醇溶解於乙酸乙酯中，獲得溶液。對該溶液照射紫外線而進行聚合，獲得聚合物之乙酸乙酯溶液。進而，相對於100重量份之該溶液之固形物成分，使3.5重量份的2-甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯(昭和電工公司製造，Karenz MOI)進行反應，獲得丙烯酸共聚物(丙烯酸系聚合物1)。所獲得之丙烯酸系聚合物1之重量平均分子量為70萬，且酸值為0.86(mgKOH/g)。

又，作為構成用以形成基材層之組合物之材料，準備以下之化合物。

(光聚合起始劑)

Irgacure651(日本汽巴(Ciba Japan)公司製造)

(寡聚物)

U324A：新中村化學工業公司製造，丙烯酸聚氨酯寡聚物(具有10個官能基之丙烯酸聚氨酯寡聚物)，重量平均分子量：1,300

(交聯劑)

CoronateL-45：日本聚氨酯工業公司製造，異氰酸酯系交聯劑

(切晶層)

使用聚乙烯(普瑞曼聚合物(Prime Polymer)公司製造，M12)作為原料，藉由T模法製造作為厚度為100 μm之切晶層之聚乙烯膜。

(實施例1)

於實施例1中，形成圖1(a)、(b)及圖2所示之形狀之切晶-黏晶帶及基材層。

(1)　第1積層體之製作

調配1 100重量份之上述丙烯酸系聚合物、1重量份之Irgacure651、15重量份之作為丙烯酸聚氨酯寡聚物之U324A、及1重量份之CoronateL-45，獲得黏著劑組合物。將所獲得之黏著劑組合物塗佈於脫模PET(polyethylene terephthalate，聚對苯二甲酸伸乙酯)膜，於110℃進行5分鐘乾燥，去除溶劑，從而形成組合物層。

對積層作為切晶層之聚乙烯膜之基材層之面進行鏡面加工及電暈處理。於與黏附有組合物層之脫模PET膜之面為相反側之面黏附聚乙烯膜。其後，於40℃保管24小時。

其次，對所獲得之組合物層之中央區域，使用水銀燈，以成為2000 mJ/cm² 之能量之方式照射光，使組合物層硬化。以如此方式，獲得基材層(厚度20 μm)，該基材層係於中央區域含有非黏著部，於該非黏著部之外側部分之區域含有黏著部者。

以上述方式，獲得依此順序積層有脫模PET膜、基材層及切晶層之第1積層體。

(2)　第2積層體之製作

調配15重量份之G-2050M(日油公司製造，含環氧基之丙烯酸聚合物，重量平均分子量Mw為20萬)、70重量份之EXA-7200HH(DIC(迪愛生)公司製造，二環戊二烯型環氧化物)、15重量份之HP-4032D(DIC公司製造，萘型環氧化物)、38重量份之YH-309(三菱化學公司製造，酸酐系硬化劑)、8重量份之2MAOK-PW(四國化成公司製造，咪唑)、2重量份之S320(智索(Chisso)公司製造，胺基矽烷)、及4重量份之MT-10(德山(Tokuyama)公司製造，表面疏水化燻矽)，獲得調配物。將所獲得之調配物以固形物成分成為60重量%之方式添加至作為溶劑之甲基乙基酮(MEK(methyl ethyl ketone))中，並加以攪拌，而獲得塗液。

將所獲得之塗液塗佈於脫模PET膜上以使厚度成為10 μm，並於110℃之燒爐內進行2分鐘加熱乾燥。

其後，以黏著劑層之平面形狀成為下述表1所示之直徑之圓形的方式進行加工，獲得於脫模PET膜上積層有黏著劑層之第2積層體。

(3)　切晶-黏晶帶之製作

其次，剝離第1積層體之脫模PET膜，使基材層露出。將基材層及切晶層之積層體自基材層側以60℃層壓至黏著劑層上，從而獲得層壓體。其後，以成為圖1(a)、(b)及圖2所示之形狀，即下述表1所示之尺寸之方式，切下基材層及切晶層。以如此方式，製作具有依次順序積層有脫模PET膜/黏著劑層/基材層/切晶層之4層積層構造之切晶-黏晶帶。

於所獲得之切晶-黏晶帶中，具有非黏著部較黏著劑層更大且非黏著部較黏著劑層之外周側面更向側方突出之區域。

(實施例2~4)

於實施例2~4中，形成有圖1(a)、(b)及圖2所示之形狀之切晶-黏晶帶及基材層。除如下述表1所示般變更基材層及切晶層之尺寸以外，與實施例1同樣地製作切晶-黏晶帶。再者，於圖2中，黏附起點4C之前端並未自假設基材層4整體之平面形狀為圓形之情形時之虛擬線(一點鏈線)之黏附方向上之前端向黏附方向突出，但於實施例4中，黏附起點4C之前端則自虛擬線之黏附方向上之前端向黏附方向突出。

(實施例5~6)

於實施例2~6中，除將基材層及切晶層之形狀及尺寸變更為圖3所示之形狀，即下述表2所示之尺寸以外，與實施例1同樣地製作切晶-黏晶帶。再者，於圖3中，黏附起點11C之前端並未自假設基材層11整體之平面形狀為圓形之情形時之虛擬線(一點鏈線)之黏附方向上之前端向黏附方向突出，但於實施例6中，黏附起點11C之前端則自虛擬線之黏附方向上之前端向黏附方向突出。

(實施例7)

於實施例7中，除將基材層及切晶層之形狀及尺寸變更為圖4所示之形狀，即下述表3所示之尺寸以外，與實施例1同樣地製作切晶-黏晶帶。

(比較例1~5)

於比較例1~5中，除將基材層及切晶層之形狀及尺寸變更為下述表4所示之圖10~14中之任一形狀，即下述表4所示之尺寸以外，與實施例1同樣地製作切晶-黏晶帶。

於比較例1、2、4、5中，基材層之平面形狀大致為圓形，且除黏附起點部分外之基材層之平面形狀為圓形之一部分。於圖10~11、13~14中，以一點鏈線表示假設基材層101~102、104~105整體之平面形狀為圓形之情形時之虛擬線。於比較例3中，基材層103之平面形狀為圓形。

(評價)

於直徑為300 mm(12inch)之半導體晶圓(矽晶圓，厚度為80 μm)之表面切入深度為100 μm之切口。其次，自丙烯酸系黏著劑側將作為保護片之背面研磨帶Icross SB135S-BN(三井化學公司製造，於烯烴之單面塗佈有丙烯酸系黏著劑)層壓於半導體晶圓之表面。其次，研磨半導體晶圓之背面直至半導體晶圓之厚度成為35 μm後，使用CMP(Chemical Mechanical Polishing，化學機械拋光法)研磨漿，進行半導體晶圓之背面之鏡面潤飾，直至半導體晶圓之厚度成為30 μm為止。以如此方式，獲得保護片及分割後半導體晶圓之積層體。

其次，使用晶圓貼片機DAM-812M(Takatori公司製造)，將切晶黏晶膜黏附於積層體之分割後半導體晶圓之背面及切晶環(外徑為400 mm，內徑為350 mm)。再者，搭載積層體之分割後半導體晶圓之平台設定成60℃。

其次，將黏附有黏著劑層之分割後半導體晶圓自平台取出並翻轉過來，搭載至另一平台上。其後，於60℃自分割後半導體晶圓之表面剝離保護片。

其次，使用切晶裝置DFL7160(迪思科(Disco)公司製造)，於雷射輸出0.5 W、頻率50 kHz、傳送速度100 mm/秒、散焦量-0.05 mm、焦點位置為黏著劑層表面之條件下，將黏著劑層切晶成各個半導體晶片之大小。切晶後，使用黏晶機bestem D-02(佳能機械(Canon Machinery)公司製造)，於夾頭尺寸8 mm見方、頂出速度5 mm/秒、拾取溫度23℃之條件下，連續地拾取20個附帶黏著劑層之半導體晶片。

於上述附帶黏著劑層之半導體晶片之製造中，對下述(1)~(4)之評價項目進行評價。

(1)　突出性

根據下述判定基準，判定將基材層之外周部分自黏附起點黏附於切晶環時之突出性。

[突出性之判定基準]

○：可毫無問題地將基材層黏附於切晶環

×：存在無法將基材層之黏附起點黏附於切晶環之情形

(2)黏附後之基材層有無切斷或變形

根據下述判定基準，判定黏附於分割後半導體晶圓後之基材層有無切斷或變形。

[黏附後之基材層有無切斷或變形之判定基準]

○：於黏附後，基材層無切斷或變形

△：於黏附後，基材層雖未被切斷，但被拉伸

×：於黏附後，基材層被切斷

(3)基材層之露出

根據下述判定基準，判定將基材層之外周部分自黏附起點黏附於切晶環時之基材層之露出。

[黏附後之基材層之露出的判定基準]

○：於黏附後，基材層未自切晶環露出

×：於黏附後，基材層自切晶環露出

(4)脊線位移

剝離保護片後，觀察分割後半導體晶圓之切斷部分，根據下述判定基準，對脊線位移進行判定。

[脊線位移之判定基準]

○：複數個半導體晶片之對齊排列無異常，於2個半導體晶片間之切斷部分之延長線上，無不存在鄰接於該2個半導體晶片之2個半導體晶片間之切斷部分的部分

×：複數個半導體晶片之對齊排列存在異常，於2個半導體晶片間之切斷部分之延長線上，有不存在鄰接於該2個半導體晶片之2個半導體晶片間之切斷部分的部分

(5)拾取性

根據下述判定基準，判定附帶黏著劑層之半導體晶片之拾取性。

[拾取性之判定基準]

○：沒有無法拾取之半導體晶片

×：有無法拾取之半導體晶片

再者，該拾取不良的主要原因在於由脊線之異常(半導體晶片之對齊排列異常)所導致之半導體晶片之傾斜，其係因半導體晶片之識別不足所引起。

將結果示於下述表5。

1、51．．．切晶-黏晶帶

2．．．脫模層

2a．．．上表面

3．．．黏著劑層

3a、22a．．．一面

3b．．．另一面

3c．．．外周側面

3d、41c．．．切斷部分

4、11、12、52、101、102、103、104、105．．．基材層

4A、11A、12A．．．非黏著部

4B、11B、12B．．．黏著部

4C、11C、12C、52C．．．黏附起點

4a~4c、11a~11d、12a~12d．．．凸部

5、53．．．切晶層

21．．．積層體

22．．．保護片

23．．．分割後半導體晶圓

23A、41．．．半導體晶圓

23a、41a．．．表面

23b、41b．．．背面

23c．．．切口

25、27．．．平台

26．．．切晶環

31．．．捲輥

32．．．剝離邊緣

A1、A2、A3、A4、B1、B2．．．頂點

A11．．．交叉點、凸部11b與凸部11c之間之凹部之最深部、凸部12a與凸部12b之間之凹部之最深部

A12．．．凸部12b與凸部12c之間之凹部之最深部

A13．．．凸部12c與凸部12d之間之凹部之最深部

A21、A22、A23、A24．．．交叉點

C1、C2．．．接點

I-I．．．線

D．．．外徑

L．．．長度

W．．．寬度

圖1(a)及(b)係模式性地表示本發明之一實施形態之切晶-黏晶帶之局部欠缺平面圖及局部欠缺前視剖面圖；

圖2係僅放大圖1所示之切晶-黏晶帶之基材層而模式性表示之局部欠缺平面圖；

圖3係模式性地表示切晶-黏晶帶之基材層之變形例之局部欠缺平面圖；

圖4係模式性地表示切晶-黏晶帶之基材層之其他變形例之局部欠缺平面圖；

圖5(a)~(d)係用以說明獲得製造附帶黏著劑層之半導體晶片時所使用之積層體之各步驟的一例之局部欠缺前視剖面圖；

圖6(a)~(b)係用以說明使用本發明之一實施形態之切晶-黏晶帶製造附帶黏著劑層之半導體晶片之方法之一例之局部欠缺前視剖面圖；

圖7(a)~(b)係用以說明使用本發明之一實施形態之切晶-黏晶帶製造附帶黏著劑層之半導體晶片之方法之一例之局部欠缺前視剖面圖；

圖8(a)係表示將切晶-黏晶帶黏附於切晶環時之狀態之前視剖面圖，圖8(b)係表示將切晶-黏晶帶黏附於切晶環後之狀態之平面圖；

圖9(a)及(b)係用以說明使用本發明之一實施形態之切晶-黏晶帶製造附帶黏著劑層之半導體晶片之其他方法之局部欠缺前視剖面圖；

圖10係模式性地表示比較例1之基材層之形狀之局部欠缺平面圖；

圖11係模式性地表示比較例2之基材層之形狀之局部欠缺平面圖；

圖12係模式性地表示比較例3之基材層之形狀之局部欠缺平面圖；

圖13係模式性地表示比較例4之基材層之形狀之局部欠缺平面圖；

圖14係模式性地表示比較例5之基材層之形狀之局部欠缺平面圖；及

圖15係模式性地表示圖1所示之切晶-黏晶帶之變形例之局部欠缺平面圖。

1．．．切晶-黏晶帶

2．．．脫模層

2a．．．上表面

3．．．黏著劑層

3a．．．一面

3b．．．另一面

3c．．．外周側面

4．．．基材層

4A．．．非黏著部

4B．．．黏著部

4C．．．黏附起點

4a~4c．．．凸部

5．．．切晶層

26．．．切晶環

31．．．捲輥

32．．．剝離邊緣

D．．．外徑

L．．．長度

W．．．寬度

Claims (7)

1. 一種切晶-黏晶帶，其包含：黏著劑層；及基材層，其積層於上述黏著劑層之一面；且於切晶時，在上述基材層之外周部分黏附切晶環，上述基材層於外周部分含有在黏附開始時黏附於切晶環之黏附起點；將上述基材層之除上述黏附起點外之部分中之黏附於上述切晶環的部分之寬度設為W(mm)，將上述基材層之除上述黏附起點外之部分中之外徑設為D(mm)時，自上述基材層之靠上述黏附起點側之外周前端朝向內側相距0.3W之距離的位置處之上述黏附起點之長度L(mm)為0.30D~0.44D(mm)之範圍內。
2. 如請求項1之切晶-黏晶帶，其中上述基材層之上述黏附起點側之外周前端之曲率大於上述基材層之除上述黏附起點外之部分之外周端的曲率。
3. 如請求項1或2之切晶-黏晶帶，其中上述基材層於上述黏附起點側之外周端包含凸部；且上述基材層之黏附起點側之外周前端為上述凸部之頂點。
4. 如請求項1之切晶-黏晶帶，其中上述基材層於上述黏附起點側之外周端包含複數個凸部，且該複數個凸部由曲線連接。
5. 一種附帶黏著劑層之半導體晶片之製造方法，其包含如下步驟：使用如請求項1至4中任一項之切晶-黏晶帶、以及含有保護片及積層於該保護片之一面且分割成各個半導體晶片之分割後半導體晶圓之積層體，將上述切晶-黏晶帶之上述黏著劑層黏附於上述積層體之上述分割後半導體晶圓；將上述基材層之上述黏附起點黏附於圓環狀之切晶環，其次將除上述黏附起點外之上述基材層之外周部分黏附於上述切晶環；自上述分割後半導體晶圓剝離上述保護片；沿上述分割後半導體晶圓之切斷部分對上述黏著劑層進行切晶；及切晶後，自上述基材層剝離黏附有上述半導體晶片之上述黏著劑層，將半導體晶片連同上述黏著劑層一併取出。
6. 如請求項5之附帶黏著劑層之半導體晶片之製造方法，其中進而包含如下步驟：於半導體晶圓之表面，形成用以將該半導體晶圓分割成各個半導體晶片之切口；於形成有切口之上述半導體晶圓之表面黏附保護片；及研磨黏附有上述保護片之上述半導體晶圓之背面，將上述半導體晶圓分割成各個半導體晶片，從而獲得上述積層體。
7. 一種附帶黏著劑層之半導體晶片之製造方法，其包含如下步驟：使用如請求項1至4中任一項之切晶-黏晶帶及半導體晶圓，將上述切晶-黏晶帶之上述黏著劑層黏附於上述半導體晶圓；將上述基材層之上述黏附起點黏附於圓環狀之切晶環，其次將除上述黏附起點外之上述基材層之外周部分黏附於上述切晶環；對上述半導體晶圓及上述黏著劑層進行切晶；及切晶後，自上述基材層剝離黏附有上述半導體晶片之上述黏著劑層，將半導體晶片連同上述黏著劑層一併取出。