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TWI496929B - 含鉿與鋯的前驅物及使用彼之方法 - Google Patents

含鉿與鋯的前驅物及使用彼之方法 Download PDF

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TWI496929B
TWI496929B TW099127256A TW99127256A TWI496929B TW I496929 B TWI496929 B TW I496929B TW 099127256 A TW099127256 A TW 099127256A TW 99127256 A TW99127256 A TW 99127256A TW I496929 B TWI496929 B TW I496929B
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TW
Taiwan
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zirconium
reactor
precursor
compound
disclosed
Prior art date
Application number
TW099127256A
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TW201114939A (en
Inventor
Christian Dussarrat
Vincent M Omarjee
Venkateswara R Pallem
Original Assignee
Air Liquide
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Publication date
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    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
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Description

含鉿與鋯的前驅物及使用彼之方法 【相關申請案之交叉引用】
本申請案根據35 U.S.C. § 119(e)規定主張2009年8月14日申請之臨時申請案第61/233,912號的權利，該案之全文以引用的方式併入本文中。
所揭示之含鉿與鋯之前驅物可用於製造半導體裝置、光伏打裝置、液晶顯示器-薄膜電晶體(liquid crystal display-thin film transistor，LCD-TFT)裝置或平板型裝置的氣相沉積方法，較佳ALD或電漿增強原子層沉積(plasma-enhanced atomic layer deposition，PEALD)。
工業面臨的一個嚴重挑戰為開發用於動態隨機存取記憶體(Dynamic Random Access Memory，DRAM)及電容器的新穎閘極介電材料。數十年來，二氧化矽(SiO2 )為可靠的介電質。然而，因為電晶體不斷縮小，且技術已自「全Si」電晶體轉至「金屬閘極/高k」電晶體，所以基於SiO2 之閘極介電質之可靠性將達到其物理極限。一個解決方法為使用其他閘極介電材料，諸如基於鉿或基於鋯之金屬氧化物。此等高k材料(如此命名係因為其介電常數高)可製得遠比SiO2 厚，同時達成相同的閘極電容。
具有經取代之環戊二烯基配位體的含鉿與鋯之胺基化合物已有描述。參見例如Niinisto等人,Journal of Materials Chemistry(2008),18(43),5243-5247；Tri Chemical Laboratories公司之WO2007/066546；L'Air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude et L'exploitation Des Procedes Georges Claude之WO2007/140813；DNF有限公司之KR2007-0121281；Barry等人之US2008/0102205；UP Chemical有限公司之KR10-2008-0101040；及Sigma-Aldrich公司之WO2009/036046。
此等分子之穩定性可導致較窄的沉積製程窗。因此仍需要含鉿與鋯之新穎前驅物。
記法與命名法
以下說明書及申請專利範圍中使用特定術語來表示各種組件及組分。
本文使用元素週期表中元素的標準縮寫。應理解元素可由此等縮寫表示(例如，Hf係指鉿，Zr係指鋯，Pd係指鈀，Co係指鈷，等)。
如本文所用，術語「脂族基團」係指有機化合物之基團，其為以開鏈方式連接之碳原子，諸如烷烴、烯烴及炔烴；術語「烷基」係指只含有碳原子及氫原子之飽和官能基。此外，術語「烷基」係指直鏈烷基、分支鏈烷基或環烷基。直鏈烷基之實例包括(但不限於)甲基、乙基、丙基、丁基等。分支鏈烷基之實例包括(但不限於)異丙基、第三丁基等。環烷基之實例包括(但不限於)環丙基、環戊基、環己基等。
如本文所用，縮寫「CHD」係指環己二烯基；縮寫「Cp」係指環戊二烯基；縮寫「Me」係指甲基；縮寫「Et」係指乙基；縮寫「iPr」係指異丙基；且縮寫「t-Bu」係指第三丁基。
如本文所用，術語「獨立地」當用於描述R基之情況時，應理解為表示個體R基不僅相對於帶有相同或不同下標或上標之其他R基獨立地選擇，而且相對於任何其他種類之相同R基獨立地選擇。舉例而言，在式MR1 x (NR2 R3 )(4-x )中，其中x為2或3，該2或3個R1 基可能但不必需彼此相同或與R2 或與R3 相同。此外，應理解除非特別說明，否則當用於不同式中時，R基之涵義彼此獨立。
本發明揭示具有式ML(NR7 R8 )3 之化合物，其中M為Hf或Zr，L為環己二烯基配位體或五甲基環戊二烯基配位體，且R7 及R8 獨立地選自H或具有1至6個碳原子之脂族基團(較佳脂族部分)。所揭示之化合物可包括一或多個以下態樣：
‧　化合物選自(五甲基環戊二烯基)三(二甲基醯胺基)鉿或(五甲基環戊二烯基)三(二甲基醯胺基)鋯；
‧　L為環己二烯基配位體且化合物具有下式：
其中R1 、R2 、R3 、R4 、R5 及R6 獨立地選自H或具有1至6個碳原子之脂族基團(較佳脂族部分)；
‧　R1 、R2 、R3 、R4 、R5 及R6 中至少3者不為H；及
‧　化合物為(三甲基環己二烯基)三(二甲基醯胺基)鉿或(三甲基環己二烯基)三(二甲基醯胺基)鋯。
本發明亦揭示在安置於反應器中之基板上形成含鉿或鋯之層的方法。包含至少一種如所揭示化合物中任一者之化合物的蒸氣引入至反應器中。含鉿或鋯之層係利用氣相沉積製程形成於基板上。所揭示之方法可包括一或多個以下態樣：
‧　將包含至少一種第二前驅物的蒸氣引入至反應器中；
‧　該至少一種第二前驅物之金屬選自由以下組成之群：Ti、Ta、Bi、Hf、Zr、Pb、Nb、Mg、Al、Sr、Y、Ba、Ca、鑭系元素及其組合；
‧　該含鉿或鋯之層為氧化鉿層或氧化鋯層；
‧　該含鉿或鋯之層為矽酸鉿層或矽酸鋯層；
‧　將至少一種共反應物(co-reactant)引入至反應器中；
‧　該共反應物選自由以下組成之群：O2 、O3 、H2 O、H2 O2 、NO、NO2 、羧酸及其組合；
‧　該氣相沉積製程為化學氣相沉積製程；及
‧　該氣相沉積製程為原子層沉積製程。
為了進一步理解本發明之本質與目標，應參考以下實施方式，結合隨附圖式。
本文揭示可用於製造半導體裝置、光伏打裝置、LCD-TFT裝置或平板型裝置之方法及化合物的非限制性具體實例。
本發明揭示含鉿與鋯的前驅物。本發明亦揭示使用所揭示之含鉿與鋯的前驅物於基板上沉積含鉿與鋯之層的方法。
所揭示之含鉿與鋯的前驅物具有式ML(NR7 R8 )3 ，其中M為Hf或Zr，L為環己二烯基(「CHD」)配位體或五甲基環戊二烯基(Me5 Cp)配位體，且R7 及R8 獨立地選自H或具有1至6個碳原子之脂族基團(較佳脂族部分)。
較佳，所揭示之含鉿與鋯之化合物具有適用於氣相沉積方法之性質，諸如蒸氣壓高、熔點低(較佳在室溫下呈液體形式)、昇華點低及熱穩定性高。
本發明申請人已發現使用環己二烯基或五甲基環戊二烯基可產生具有較高熱穩定性之化合物，其可提供寬製程窗，同時達成高生長率。在不受理論限制之情況下，本發明申請人認為五甲基環戊二烯基或環己二烯基可使Hf-N鍵或Zr-N鍵穩定，由此改良分子之熱穩定性同時不會降低化合物之總反應性。
例示性五甲基環戊二烯基鉿或鋯化合物可選自M(Me5 Cp)(NMe2 )3 、M(Me5 Cp)(NEt2 )3 、M(Me5 Cp)(NMeEt)3 、M(Me5 Cp)(NMeiPr)3 、M(Me5 Cp)(NMetBu)3 M(Me5 Cp)(NMe2 )x (NMeEt)y 、M(Me5 Cp)(NEt2 )x (NMeEt)y 、M(Me5 Cp)(NMeiPr)x (NMe2 )y 及其組合，其中當y=2時，x=1；且當y=1時，x=2。
所揭示之含鉿或鋯之化合物可包括(五甲基環戊二烯基)三(二甲基醯胺基)鉿(Me5 Cp)Hf(NMe2 )3 ，或(五甲基環戊二烯基)三(二甲基醯胺基)鋯(Me5 Cp)Zr(NMe2 )3 。
所揭示之含鉿或鋯之五甲基環戊二烯基化合物可藉由添加HNR7 R8 至BuLi/己烷冷溶液中來製備。可攪拌混合物約1小時，接著冷卻至約0℃。可添加Me5 CpMCl3 至已冷卻之混合物中。所得混合物接著在室溫下攪拌隔夜。過濾混合物且在真空下蒸發溶劑，製得粗產物M(Me5 Cp)(NR7 R8 )3 ，其可以已知方法純化。所有起始物質均可購得。
為製備所揭示之具有不同醯胺基配位體的含鉿或鋯之五甲基環戊二烯基化合物(亦即M(Me5 Cp)(NR7 R8 )2 (NR7 R8 ))，將兩種不同的藉由上述方法製得且具有所要醯胺基配位體之五甲基環戊二烯基化合物在己烷中混合隔夜，之後蒸發溶劑。所得粗產物可以已知方法純化。
在第二具體實例中，所揭示之含鉿或鋯之化合物具有環己二烯基配位體及下式：
其中R1 、R2 、R3 、R4 、R5 及R6 係獨立地選自H或具有1至6個碳原子之脂族基團(較佳脂族部分)。在此具體實例中，本發明申請人認為處於環己二烯基(CHD)配位體平面外之碳原子可降低所得化合物之熔點。較佳，R1 、R2 、R3 、R4 、R5 及R6 中至少3者不為H。
例示性環己二烯基鉿或鋯化合物可選自M(R1 -R6 CHD)(NMe2 )3 、M(R1 -R6 CHD)(NEt2 )3 、M(R1 -R6 CHD)(NMeEt)3 、M(R1 -R6 CHD)(NMeiPr)3 、M(R1 -R6 CHD)(NMetBu)3 、M(R1 -R6 CHD)(NMe2 )x (NMeEt)y 、M(R1 -R6 CHD)(NEt2 )x (NMeEt)y 、M(R1 -R6 CHD)(NMeiPr)x (NMe2 )y 及其組合，其中R1 -R6 如上文定義，當y=2時，x=1；及當y=1時，x=2。
所揭示之含鉿或鋯之化合物可包括(三甲基環己二烯基)三(二甲基醯胺基)鋯(Me3 CHD)Zr(NMe2 )3 ，及(三甲基環己二烯基)三(二甲基醯胺基)鉿(Me3 CHD)Hf(NMe2 )3 。
所揭示之含鉿或鋯之環己二烯基化合物可藉由添加HNR7 R8 至BuLi/己烷冷溶液中來製備。可攪拌混合物約1小時，接著冷卻至約0℃。可添加可以已經方法製得之(R1-6 CHD)MCl3 至已冷卻之混合物中。所得混合物接著在室溫下攪拌隔夜。過濾混合物且在真空下蒸發溶劑，製得粗產物M(R1 -R6 CHD)(NR7 R8 )3 ，其可以已知方法純化。
除可以此項技術中所揭示之方法製得之(R1-6 CHD)MCl3 之外，所有起始物質均可購得。
為製備所揭示之具有不同醯胺基配位體的含鉿或鋯之環己二烯基化合物(亦即M(R1-6 CHD)(NR7 R8 )2 (NR7 R8 ))，將兩種不同的藉由上述方法製得且具有所要醯胺基配位體之環己二烯基化合物在己烷中混合隔夜，之後蒸發溶劑。所得粗產物可以已知方法純化。
所揭示之方法使用所揭示的前驅物以氣相沉積製程在基板(例如，半導體基板或基板總成)上形成含鉿或鋯之層。該方法可用於製造半導體結構。該方法包括：提供反應器及安置於其中之至少一個基板；將包含所揭示之化合物的蒸氣引入至反應器中；及在基板上形成含鉿或鋯之層。
薄膜可使用熟習此項技術者已知之任何氣相沉積方法自所揭示的前驅物沉積。適合的沉積方法之實例包括(但不限於)化學氣相沉積(CVD)、低壓CVD(LPCVD)、電漿增強CVD(PECVD)、脈衝PECVD、原子層沉積(ALD)、電漿增強ALD(PE-ALD)或其組合。較佳，沉積製程選自ALD、PEALD或其組合。電漿製程可利用直接或遠端電漿源。
所揭示的前驅物可以純淨形式或以與諸如乙苯、二甲苯、均三甲苯、癸烷、十二烷之適合溶劑的摻混物形式提供。所揭示的前驅物可以不同濃度存在於溶劑中。
純淨或經摻混的前驅物以蒸氣形式引入至反應器中。呈蒸氣形式的前驅物可藉由使純淨或經摻混的前驅物溶液經由諸如直接汽化、蒸餾之習知汽化步驟或藉由鼓泡來汽化而製得。純淨或經摻混的前驅物可以液態形式饋入汽化器中，在汽化器中汽化之後，將其引入至反應器中。或者，純淨或經摻混的前驅物可藉由使載體氣體進入含有所揭示的前驅物之容器中或藉由使載體氣體鼓泡至所揭示的前驅物中來汽化。載體氣體可包括(但不限於)Ar、He、N2 及其混合物。用載體氣體鼓泡亦可移除存在於純淨或經摻混的前驅物溶液中的任何溶氧。載體氣體及所揭示的前驅物接著以蒸氣形式引入至反應器中。
若需要，則可加熱所揭示的前驅物的容器至使前驅物呈液相且具有足夠蒸氣壓之溫度。容器可維持在例如約0℃至約150℃範圍內之溫度。熟習此項技術者瞭解可以已知方式調節容器溫度以控制經汽化前驅物之量。
反應器可為裝置內進行沉積方法之任何密閉室(enclosure)或腔室，諸如(但不限於)平行板式反應器、冷壁式反應器、熱壁式反應器、單晶圓反應器、多晶圓反應器或其他類型之沉積系統，其處於適於引起前驅物反應且形成層之條件下。
反應器含有一或多個上面將沉積薄膜的基板。一或多個基板可為適用於製造半導體裝置、光伏打裝置、平板裝置或LCD-TFT裝置的任何基板。適合的基板之實例包括(但不限於)矽基板、二氧化矽基板、氮化矽基板、氮氧化矽基板、鎢基板、氮化鈦、氮化鉭或其組合。另外，可使用包含鎢或貴金屬(例如鉑、鈀、銠或金)之基板。基板亦可具有一或多層已自先前製造步驟沉積於其上的不同物質。
反應器內之溫度及壓力保持在適於沉積製程之條件下。舉例而言，反應器中之壓力根據沉積參數之需要可保持在約0.5毫托與約20托之間，較佳在約0.2托與10托之間，且更佳在約1托與10托之間。同樣，反應器中之溫度可保持在約50℃與約600℃之間，較佳在約50℃與約250℃之間，且更佳在約50℃與約100℃之間。
除所揭示的前驅物之外，共反應物亦可引入至反應器中。共反應物可為氧化氣體，諸如氧、臭氧、水、過氧化氫、氧化氮、二氧化氮、羧酸以及任何兩種或兩種以上此等氣體之混合物。或者，共反應物可為還原氣體，諸如氫、氨、矽烷(例如SiH4 、Si2 H6 、Si3 H8 )、含有Si-H鍵之烷基矽烷(例如SiH2 Me2 、SiH2 Et2 )、N(SiH3 )3 以及任何兩種或兩種以上此等氣體之混合物。較佳共反應物為H2 或NH3 。
共反應物可經電漿處理，以使共反應物分解為其自由基形式。當用電漿處理時，N2 亦可用作還原氣體。舉例而言，電漿可以約50 W至約500 W、較佳約100 W至約200 W範圍內之功率產生。電漿可產生或存在於反應器自身內。或者，電漿通常可位於遠離反應腔室之位置，例如在遠端位置電漿系統中。熟習此項技術者會想到適用於該電漿處理之方法及裝置。
腔室內之氣相沉積條件容許所揭示之摻混物及視情況選用之共反應物在基板之至少一個表面上形成含鉿或鋯之層。在某些具體實例中，本發明申請人咸信對視情況選用之共反應物進行電漿處理可為視情況選用之共反應物提供與所揭示之摻混物反應所需的能量。
視所要沉積之薄膜類型而定，可將第二前驅物引入至反應器中。第二前驅物可為另一金屬源，諸如Ti、Ta、Si、Bi、Hf、Zr、Pb、Nb、Mg、Mn、Ru、Cu、Al、Sr、Y、Ba、Ca、鑭系元素及其組合。使用含金屬之第二前驅物時，沉積於基板上之所得薄膜可含有至少兩種不同類型的金屬。
所揭示的前驅物及任何視情況選用之共反應物及前驅物可同時(CVD)、依序(ALD、P-CVD)或以其他組合引入至反應器中。前驅物及共反應物可混合在一起以形成共反應物/前驅物混合物，接著以混合物形式引入至反應器中。或者，前驅物及共反應物可依序引入至反應腔室中，且在引入前驅物與引入共反應物之間用惰性氣體淨化。舉例而言，所揭示的前驅物可引入至一脈衝中而其他兩種含金屬的前驅物源可一起引入至另一脈衝中[改良PE-ALD]。或者，在引入所揭示的前驅物之前，反應器可已含有共反應物質，視情況可在引入所揭示的前驅物之後第二次引入共反應物質。在另一替代方法中，所揭示的前驅物可連續引入至反應器中，而其他金屬源由脈衝引入(脈衝PECVD)。在各實施例中，可在脈衝之後進行淨化或抽真空步驟以移除所引入之過量組分。在各實施例中，脈衝可持續之時段在約0.01秒至約30秒，或者約0.3秒至約10秒，或者約0.5秒至約2秒之範圍內。
視特定製程參數而定，沉積可進行不同長度之時間。通常，沉積可持續所要或所需長度之時間以製得具有必需性質之薄膜。視特定沉積製程而定，典型的薄膜厚度可為幾百埃至幾百微米不等。沉積製程亦可進行足夠多次以獲得所要薄膜。
在一非限制性例示性PE-ALD式製程中，所揭示的前驅物之氣相引入至反應器中，在反應器中其與適合的基板接觸。接著可藉由將反應器淨化及/或抽真空自反應器移除過量前驅物。還原氣體(例如H2 )在電漿功率下引入至反應器中，其在反應器中以自限方式與已吸收的前驅物反應。藉由將反應器淨化及/或抽真空自反應器移除任何過量之還原氣體。若所要薄膜為鉿薄膜或鋯薄膜，則此二步驟製程可提供所要薄膜厚度，或可重複直至獲得具有必需厚度之薄膜。
或者，若所要薄膜為雙金屬薄膜，則可在上述二步驟製程之後，將含金屬的前驅物之蒸氣引入至反應器中。含金屬的前驅物將基於所沉積之雙金屬薄膜之性質來選擇。在引入至反應器之後，含金屬的前驅物與基板接觸。藉由將反應器淨化及/或抽真空自反應器移除任何過量之含金屬的前驅物。還原氣體可再次引入至反應器中與含金屬的前驅物反應。藉由將反應器淨化及/或抽真空自反應器移除過量還原氣體。若已達成所要薄膜厚度，則可終止製程。然而，若需要較厚的薄膜，則可重複整個四步驟製程。藉由交替提供所揭示的前驅物、含金屬的前驅物及共反應物，可沉積具有所要組成及厚度之薄膜。
由上述製程製得之含鉿或鋯之薄膜或層可包括純金屬(M)；含雙金屬之薄膜(M1 M2 )，諸如金屬矽酸鹽(MkSil )薄膜、金屬鑭化物(Mk Lnl )薄膜、金屬氧化物(Mn Om )薄膜或金屬氮氧化物(Mx Ny Oz )薄膜；其中M=Hf或Zr且k、l、m、n、x、y及z為1至6之範圍內(包括1及6)之整數。較佳，含金屬之薄膜選自金屬鑭化物、HfO2 或ZrO2 。一般技術者將認識到藉由慎重選擇適當的所揭示的前驅物、視情況選用之含金屬的前驅物及視情況選用之共反應物質，可獲得所要薄膜組成。
實施例
提供以下非限制性實施例以進一步說明本發明之具體實例。然而，該等實施例不意欲包括所有在內，且不意欲限制本發明之範疇。
實施例1，(Me 5 Cp)Zr(NMe 2 ) 3 ： 藉由添加HNMe2 (0.186 mol，添加8.4 g另加3.6 g)至BuLi/己烷溶液之冰冷浴中來新鮮製備配位體LiNMe2 。攪拌所得混合物1小時。再次將燒瓶冷卻至0℃，接著添加Me5 CpZrCl3 固體，且在室溫下攪拌所得混合物隔夜。過濾反應混合物，在真空下自濾液中蒸發溶劑，且獲得黃色固體粗產物。使粗物質昇華得到18 g(83%)呈白色固體狀之純產物。圖1為說明白色固體(Me5 Cp)Zr(NMe2 )3 之重量損失百分比對溫度之熱重分析(thermogravimetric analysis，TGA)數據圖。圖2為(Me5 Cp)Zr(NMe2 )3 於C6 D6 中之質子NMR譜。1 H NMR(C6 D6 ,δ)：1.98(15H,s,(CH3 )5 C5 )，2.93(18H,s,N(CH3 )2 )。
預示性實施例2[Me 5 Cp]Zr(NMe 2 ) 2 (NMeEt) 實施例1之產物可與[(CH3 )5 C5 ]Zr(NMeEt)3 (其可藉由與實施例1相同之方法用LiNMeEt替代LiNMe2 製得)在己烷中反應隔夜，且蒸發溶劑。粗產物可以已知方法純化。
預示性實施例3，[Me 5 Cp]Hf(NMe 2 ) 3 ： 預期藉由為實施例1鋯化合物制定的方法來合成，其中在反應中改用Me5 CpHfCl3 替代Me5 CpZrCl3 。
預示性實施例4，(Me 3 CHD)Zr(NMe 2 ) 3 ： 預期藉由以下程序來合成。藉由添加HNMe2 至BuLi/己烷溶液之冰冷浴中來新鮮製備配位體LiNMe2 。攪拌所得混合物。再次將燒瓶冷卻至0℃，接著添加可由已經方法製得之[(CH3 )3 CHD]ZrCl3 ，且在室溫下攪拌所得混合物隔夜。過濾反應混合物；在真空下自濾液中蒸發溶劑，且獲得粗物質。對粗產物進行純化以分離純產物。
預示性實施例5，(Me 3 CHD)Zr(NMe 2 ) 2 (NMeEt)： 實施例4之產物可與[(CH3 )3 CHD]Zr(NMeEt)3 (其可藉由與實施例4相同之方法用LiNMeEt替代LiNMe2 製得)在己烷中反應隔夜，且蒸發溶劑。粗產物可以已知方法純化。
預示性實施例6，(Me 3 CHD)Hf(NMe 2 ) 3 ： 預期藉由以下程序來合成。藉由添加HNMe2 至BuLi/己烷溶液之冰冷浴中來新鮮製備配位體LiNMe2 。攪拌所得混合物。再次將燒瓶冷卻至0℃，接著添加[(CH3 )3 CHD]HfCl3 ，且在室溫下攪拌所得混合物隔夜。過濾反應混合物；在真空下自濾液中蒸發溶劑，且獲得粗物質。對粗產物進行純化以分離純產物。
應理解熟習此項技術者可對本文為了說明本發明之性質而描述並說明之細節、物質、步驟及部分配置作出許多其他變化，其在隨附申請專利範圍所表述的本發明之精神及範疇內。因此，本發明不意欲限於上文及/或隨附圖式給出的實施例中之特定具體實例。
圖1為說明(Me5 Cp)Zr(NMe2 )3 之重量損失百分比對溫度的熱重分析(TGA)數據圖；及
圖2為(Me5 Cp)Zr(NMe2 )3 於C6 D6 中之質子核磁共振(nuclear magnetic resource，NMR)譜。

Claims (13)

  1. 一種在基板上形成含鉿或鋯之層之方法，該方法包含以下步驟：安置至少一個基板於反應器中；將包含具有下式之化合物的蒸氣引入至該反應器中 其中M為Hf或Zr且R1 、R2 、R3 、R4 、R5 、R6 、R7 及R8 係獨立地選自H或具有1至6個碳原子之脂族基團；及使用氣相沉積製程在該基板上形成該含鉿或鋯之層。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，其進一步包含：將包含至少一種第二前驅物之蒸氣引入至該反應器中。
  3. 如申請專利範圍第2項之方法，其中該至少一種第二前驅物之金屬係選自由以下組成之群：Ti、Ta、Bi、Hf、Zr、Pb、Nb、Mg、Al、Sr、Y、Ba、Ca、鑭系元素及其組合。
  4. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該含鉿或鋯之層為氧化鉿層或氧化鋯層。
  5. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該含鉿或鋯之層為矽酸鉿層或矽酸鋯層。
  6. 如申請專利範圍第1項之方法，其進一步包含將至少 一種共反應物引入至該反應器中。
  7. 如申請專利範圍第6項之方法，其中該共反應物係選自由以下組成之群：O2 、O3 、H2 O、H2 O2 、NO、NO2 、羧酸及其組合。
  8. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該氣相沉積製程為化學氣相沉積製程。
  9. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該氣相沉積製程為原子層沉積製程。
  10. 如申請專利範圍第1項之方法，其中R1 、R2 、R3 、R4 、R5 及R6 中至少3個不為H。
  11. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該化合物係選自由(三甲基環己二烯基)三(二甲基醯胺基)鉿及(三甲基環己二烯基)三(二甲基醯胺基)鋯組成之群。
  12. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該化合物係(三甲基環己二烯基)三(二甲基醯胺基)鉿。
  13. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該化合物係(三甲基環己二烯基)三(二甲基醯胺基)鋯。
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