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TWI490199B - 化合物及化學放大型正光阻組成物 - Google Patents

化合物及化學放大型正光阻組成物 Download PDF

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TWI490199B
TWI490199B TW099106559A TW99106559A TWI490199B TW I490199 B TWI490199 B TW I490199B TW 099106559 A TW099106559 A TW 099106559A TW 99106559 A TW99106559 A TW 99106559A TW I490199 B TWI490199 B TW I490199B
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TW
Taiwan
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group
polymer
branched alkyl
structural unit
alkyl group
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TW099106559A
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English (en)
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TW201035042A (en
Inventor
Makoto Akita
Isao Yoshida
Kazuhiko Hashimoto
Original Assignee
Sumitomo Chemical Co
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Publication date
Application filed by Sumitomo Chemical Co filed Critical Sumitomo Chemical Co
Publication of TW201035042A publication Critical patent/TW201035042A/zh
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Description

化合物及化學放大型正光阻組成物
本發明係有關一種化合物及化學放大型正光阻組成物。
化學放大型正光阻組成物係使用於利用使用i-射線、KrF、ArF及電子束之微影技術製程(lithography process)之半導體微製造(semiconductor microfabrication)；在半導體裝置製造中形成凸塊或厚膜光阻圖案；在電路板製造中形成配線圖案或厚膜光阻層合體；等等。
預期此化學放大型光阻組成物賦予具有高解析度及良好圖案輪廓之圖案。
US2002/147259A1揭露一種化學放大型正光阻組成物，包括樹脂，其包括衍生自羥基苯乙烯之結構單元和衍生自甲基丙烯酸2-甲基-2-金剛烷基酯之結構單元，以及酸產生劑。
WO2006/126433揭露一種化學放大型正光阻組成物，包括樹脂，其包括衍生自4-羥基苯乙烯之結構單元、衍生自苯乙烯之結構單元、衍生自甲基丙烯酸第三丁酯之結構單元和衍生自甲基丙烯酸4-(4-羥基苯基硫氧基)苯酯之結構單元，以及酸產生劑。WO2006/126433亦揭露一種化學放大型正光阻組成物，包括樹脂，其包括衍生自4-羥基苯乙烯之結構單元、衍生自4-(1-乙氧基乙氧基)苯乙烯之結構單元、衍生自甲基丙烯酸4-(4-羥基苯基硫氧基)苯酯之結構單元和衍生自甲基丙烯酸4-[4-(1-乙氧基乙氧基)苯基硫氧基]苯酯之結構單元，以及酸產生劑。
本發明係有關下述者：
<1>一種式(I)所示之化合物：
[式中R1 表示氫原子、氟原子、C1-C4直鏈或支鏈烷基或C1-C4氟化直鏈或支鏈烷基，R2 及R3 各自獨立地表示氫原子或C1-C4直鏈或支鏈烷基，R4 表示C1-C8二價烴基，R5 表示單鍵、C1-C4二價烴基或羰基，及R6 表示未取代或經取代之C6-C20芳香族烴基]；
<2>依據<1>之化合物，其中R6 之未取代或經取代之C6-C20芳香族烴基為苯基、萘基、蒽基或菲基且此苯基、萘基、蒽基及菲基(phenanthryl group)可具有C1-C6直鏈或支鏈烷基或C1-C6直鏈或支鏈烷氧基；
<3>依據<1>之化合物，其中R6 之未取代或經取代之C6-C20芳香族烴基為可具有C1-C6直鏈或支鏈烷基或C1-C6直鏈或支鏈烷氧基之蒽基；
<4>依據<3>之化合物，其中蒽基為9-蒽基；
<5>一種包括衍生自式(I)所示之化合物之結構單元之聚合物：
[式中R1 表示氫原子、氟原子、C1-C4直鏈或支鏈烷基或C1-C4氟化直鏈或支鏈烷基，R2 及R3 各自獨立地表示氫原子或C1-C4直鏈或支鏈烷基，R4 表示C1-C8二價烴基，R5 表示單鍵、C1-C4二價烴基或羰基，及R6 表示未取代或經取代之C6-C20芳香族烴基]；
<6>依據<5>之聚合物，其中R6 之未取代或經取代之C6-C20芳香族烴基為苯基、萘基、蒽基或菲基且此苯基、萘基、蒽基及菲基可具有C1-C6直鏈或支鏈烷基或C1-C6直鏈或支鏈烷氧基；
<7>依據<5>或<6>之聚合物，其中該聚合物進一步包括衍生自具有一個或多個酚系羥基之苯乙烯之結構單元；
<8>依據<7>之聚合物，其中該衍生自具有一個或多個酚系羥基之苯乙烯之結構單元為式(II)所示之結構單元：
[式中R41 表示氫原子、氟原子、C1-C4直鏈或支鏈烷基或C1-C4氟化直鏈或支鏈烷基，R42 、R43 、R44 、R45 及R46 各自獨立地表示氫原子、羥基或C1-C4直鏈或支鏈烷基，但R42 至R46 中之一至三個基團為羥基且R42 至R46 中之零至二個基團為C1-C4直鏈或支鏈烷基]；
<9>依據<5>至<8>任一者之聚合物，其中該聚合物進一步包括在其側鏈具有酸不穩定基之結構單元；
<10>依據<9>之聚合物，其中該在其側鏈具有酸不穩定基之結構單元為式(III)所示之結構單元：
[式中R47 表示氫原子、氟原子、C1-C4直鏈或支鏈烷基或C1-C4氟化直鏈或支鏈烷基，及R48 表示下式所示之基團：
[R50 ，R51 及R52 各自獨立地表示C1-C6烷基或C3-C12脂環族烴基，且R51 與R52 可結合以形成可經取代之C3-C20環狀烴基]；
<11>依據<7>至<10>任一者之聚合物，其中對於每100莫耳之總結構單元，式(I)所示之結構單元的含量為0.1至50莫耳；
<12>一種化學放大型正光阻組成物，包括依據<5>至<11>任一者之聚合物、至少一種酸產生劑及至少一種溶劑；
<13>依據<12>之化學放大型正光阻組成物，其中至少一種酸產生劑係包括具有磺醯基之重氮甲烷化合物；
<14>依據<12>或<13>之化學放大型正光阻組成物，其中該化學放大型正光阻組成物進一步包括鹼性含氮有機化合物。
首先，說明本發明之式(I)所示之化合物：
式(I)所示之化合物係一種新穎化合物。
式(I)中，R1 係表示氫原子、氟原子、C1-C4直鏈或支鏈烷基或C1-C4氟化直鏈或支鏈烷基。
C1-C4直鏈或支鏈烷基的實例包含甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第二丁基及第三丁基，較佳為甲基及乙基，更佳為甲基。
C1-C4氟化直鏈或支鏈烷基的實例包含C1-C4直鏈或支鏈全氟烷基如三氟甲基、五氟乙基、七氟丙基、七氟異丙基、九氟丁基、九氟異丁基、九氟第二丁基及九氟第三丁基。
R1 較佳為氫原子或C1-C4直鏈烷基，且更佳為氫原子或甲基。
R2 及R3 各自獨立地表示氫原子或C1-C4直鏈或支鏈烷基。C1-C4直鏈或支鏈烷基的實例包含與上述相同者。R2 與R3 較佳為相同基團且更佳為甲基。
R4 表示C1-C8二價烴基，且其實例包含亞甲基、二亞甲基、三亞甲基、亞乙基、1-甲基-1,2-伸乙基、亞丙基、1,2-伸丙基、異亞丙基、四亞甲基、五亞甲基、六亞甲基、八亞甲基及2-甲基伸環己-3,5-二基，較佳為C1-C4二價烴基，更佳為亞甲基、二亞甲基及三亞甲基。
R5 表示單鍵、C1-C4二價烴基或羰基，C1-C4二價烴基的實例包含亞甲基、二亞甲基、三亞甲基、亞乙基、1-甲基-1,2-伸乙基、亞丙基、1,2-伸丙基、異亞丙基及四亞甲基。R5 較佳為單鍵、亞甲基或羰基，更佳為單鍵或羰基，特佳為羰基。
R6 表示未取代或經取代之C6-C20芳香族烴基。未取代或經取代之C6-C20芳香族烴基的實例包含苯基、茚基、萘基、薁基、并環庚三烯基、伸聯苯基、二環戊二烯并苯基、蒽基、稠四苯基、菲基、芴基、9,10-苯并菲基、芘基及1,2-苯苊基，較佳為苯基、萘基、蒽基及菲基，更佳為苯基及蒽基，特佳為蒽基。
經取代之C6-C20芳香族烴基之取代基的實例包含C1-C6直鏈或支鏈烷基如甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第三丁基、戊基和己基，以及C1-C6直鏈或支鏈烷氧基如甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、第三丁氧基、戊氧基和己氧基。至於C1-C6直鏈或支鏈烷基，較佳為甲基及乙基，至於C1-C6直鏈或支鏈烷氧基較佳為甲氧基。作為取代基較佳為C1-C6直鏈或支鏈烷基。經取代之C6-C20芳香族烴基的實例包含甲苯基、二甲苯基、均三甲苯基及枯基。
R6 較佳為可具有C1-C6直鏈或支鏈烷基或者C1-C6直鏈或支鏈烷氧基之9-蒽基，更佳為9-蒽基。
式(I)所示之化合物的實例包含式(M-1)至(M-192)所示之下述化合物。
式(I)所示之化合物可藉由使式(IV)所示之化合物：
[式中，R1 係如上述相同定義，且X係表示鹵素原子]，與式(V)所示之醇化合物：
[式中，R2 ，R3 ，R4 ，R5 及R6 係如上述相同定義]，於惰性溶劑如甲苯、四氫呋喃、N,N-二甲基甲醯胺、二甲基亞碸、乙腈、水、甲醇、氯仿、二氯甲烷及二氯乙烷中，在鹼的存在下於-100至150℃，較佳為-20至100℃反應而製得之。
式(IV)中，X係表示鹵素原子，且鹵素原子的實例包含氟原子、氯原子、溴原子及碘原子，較佳為氟原子、氯原子及溴原子，更佳為氟原子及氯原子。
對於每1莫耳式(V)所示之醇化合物，式(IV)所示之化合物的用量通常為1至5莫耳，較佳為1至3莫耳。
鹼的實例包含無機鹼如氫氧化鈉、氫氧化鉀及碳酸鉀，有機鹼如吡啶、三乙胺、二甲基吡啶及1-甲基吡咯烷，及其混合物。對於每1莫耳式(V)所示之醇化合物，鹼的用量通常為1至5莫耳，較佳為1至3莫耳。
藉由上述方法所得到之式(I)所示之化合物可利用萃取及濃縮予以單離，且其可利用再結晶、蒸餾或管柱層析術予以進一步純化。
式(I)所示之化合物亦可藉由使式(V)所示之醇化合物與式(VI)所示之化合物：
[式中，R1 係如上述相同定義]，反應而製得之。
使式(V)所示之醇化合物與式(VI)所示之化合物的反應通常係藉由使之在非質子溶劑如二氯乙烷、甲苯、乙苯、單氯苯、乙腈及N,N-二甲基甲醯胺中，於20至200℃，較佳為50至150℃進行之。在此反應中，可使用酸觸媒，此酸觸媒的實例包含有機酸如對-甲苯磺酸，及無機酸如硫酸。此反應可在脫水下進行之，因為易於縮短反應時間。脫水可使用Dean-Stark裝置進行之，且可在脫水劑如1,1-羰基二咪唑及N,N’-二環己基碳二亞胺的存在下進行之。
對於每1莫耳式(V)所示之醇化合物，式(VI)所示之化合物的用量通常為0.2至3莫耳，較佳為0.5至2莫耳。
當使用酸觸媒時，其用量可為催化量或相當於溶劑的用量，且對於每1莫耳式(V)所示之醇化合物，通常為0.001至5莫耳。
其次，說明包括衍生自式(I)所示之化合物之結構單元之聚合物。此聚合物為新穎聚合物。
包括衍生自式(I)所示之化合物之結構單元之聚合物，其中較佳為R6 之未取代或經取代之C6-C20芳香族烴基為苯基、萘基、蒽基或菲基且此苯基、萘基、蒽基及菲基可具有C1-C6直鏈或支鏈烷基或者C1-C6直鏈或支鏈烷氧基。
此聚合物除了衍生自式(I)所示之化合物之結構單元外，可進一步包括衍生自具有一個或多個酚系羥基之苯乙烯之結構單元。此聚合物除了衍生自式(I)所示之化合物之結構單元外，較佳進一步包括衍生自具有一個或多個酚系羥基之苯乙烯之結構單元。
衍生自具有一個或多個酚系羥基之苯乙烯之結構單元的實例包含式(II)所示之結構單元：
[式中R41 表示氫原子、氟原子、C1-C4直鏈或支鏈烷基或C1-C4氟化直鏈或支鏈烷基，R42 、R43 、R44 、R45 及R46 各自獨立地表示氫原子、羥基或C1-C4直鏈或支鏈烷基，但R42 至R46 中之一至三個基團為羥基且R42 至R46 中之零至二個基團為C1-C4直鏈或支鏈烷基]。
C1-C4直鏈或支鏈烷基及C1-C4氟化直鏈或支鏈烷基的實例分別包含如上述相同定義者。
較佳為其中R42 、R43 、R44 、R45 及R46 各自獨立地表示氫原子或羥基，但R42 至R46 中之一至三個基團為羥基之式(II)所示之結構單元，更佳為其中R42 、R43 、R44 、R45 及R46 各自獨立地表示氫原子或羥基，但R42 至R46 中之一或兩個基團為羥基之式(II)所示之結構單元，特佳為其中R42 、R43 、R44 、R45 及R46 各自獨立地表示氫原子或羥基，但R42 至R46 中之一個基團為羥基之式(II)所示之結構單元。
式(II)所示之結構單元的實例包含下述者。
上式中，R41 、R42 、R43 、R44 、R45 及R46 係如上述相同定義。
較佳為衍生自羥基苯乙烯之結構單元且更佳為衍生自4-羥基苯乙烯之結構單元。
此聚合物除了衍生自式(I)所示之化合物之結構單元外，可進一步包括在其側鏈具有酸不穩定基之結構單元。此聚合物除了衍生自式(I)所示之化合物之結構單元外，較佳進一步包括在其側鏈具有酸不穩定基之結構單元。
較佳之聚合物係包括衍生自式(I)所示之化合物之結構單元、衍生自具有一個或多個酚系羥基之苯乙烯之結構單元及在其側鏈具有酸不穩定基之結構單元。
此說明書中，"酸不穩定基(acid-labile group)"係指因為酸的作用會消除之基團。
本說明書中，"酯基"係指"具有羧酸之酯的結構"。更明確地說，"第三丁基酯基"為"具有羧酸之第三丁基酯的結構"且可以"-COOC(CH3 )3 "描述之。
酸不穩定基的實例包含具有羧酸之酯的結構如其中相鄰於氧原子之碳原子為四級碳原子之烷基酯基、其中相鄰於氧原子之碳原子為四級碳原子之脂環族酯基、及其中相鄰於氧原子之碳原子為四級碳原子之內酯酯基。"四級碳原子"係指結合於四個非氫原子之取代基的碳原子。
酸不穩定基的實例包含其中相鄰於氧原子之碳原子為四級碳原子之烷基酯基如第三丁基酯基；縮醛型酯基如甲氧基甲基酯、乙氧基甲基酯、1-乙氧基乙基酯、1-異丁氧基乙基酯、1-異丙氧基乙基酯、1-乙氧基丙氧基酯、1-(2-甲氧基乙氧基)乙基酯、1-(2-乙醯氧基乙氧基)乙基酯、1-[2-(1-金剛氧基)乙氧基]乙基酯、1-[2-(1-金剛烷羰氧基)乙氧基]乙基酯、四氫-2-呋喃基酯及及四氫-2-吡喃基酯；其中相鄰於氧原子之碳原子為四級碳原子之脂環族酯基，如異冰片基酯、1-烷基環烷基酯、2-烷基-2-金剛烷基酯及1-(1-金剛烷基)-1-烷基烷基酯基。
在其側鏈具有酸不穩定基之較佳結構單元為式(III)所示之結構單元：
[式中R47 表示氫原子、氟原子、C1-C4直鏈或支鏈烷基或C1-C4氟化直鏈或支鏈烷基，及R48 表示下式所示之基團]：
[R50 、R51 及R52 各自獨立地表示C1-C6烷基或C3-C12脂環族烴基，且R51 與R52 可結合以形成可經取代之C3-C20環狀烴基]。
C1-C4直鏈或支鏈烷基及C1-C4氟化直鏈或支鏈烷基的實例包含如上述相同定義者。C1-C6烷基的實例包含上述之C1-C4烷基、戊基及己基。C3-C12脂環族烴基的實例包含環戊基、環己基、降冰片基、甲基環戊基、甲基環己基、二甲基環己基及甲基降冰片基。C3-C20環狀烴基的實例包含金剛烷基。
R47 較佳為氫原子、甲基或三氟甲基，更佳為氫原子或甲基。
至於式(III)所示之結構單元，較佳為式(IIIa)所示之結構單元：
[式中，R47 係如上述相同定義且R49 係表示C1-C8直鏈或支鏈烷基]。
C1-C8直鏈或支鏈烷基的較佳實例包含甲基、乙基及異丙基。
聚合物的實例包含包括式(i)及(ii)所示之結構單元之聚合物：
包括式(iii)及(iv)所示之結構單元之聚合物：
包括式(i)、(v)及(vi)所示之結構單元之聚合物：
包括式(i)、(iii)及(vii)所示之結構單元之聚合物：
，以及包括式(i)、(viii)及(ix)所示之結構單元之聚合物：
本發明之聚合物本身不溶或難溶於鹼性水溶液但藉由酸的作用變成可溶於鹼性水溶液。此聚合物可具有其他結構單元。
對於每100莫耳之總結構單元，衍生自式(I)所示之化合物之結構單元的用量通常為0.1至100莫耳，較佳為0.1至50莫耳，更佳為0.5至20莫耳，又更佳為1至15莫耳，特佳為1至10莫耳。
本發明之聚合物可含有除了衍生自式(I)所示之化合物之結構單元以外之其他結構單元，且對於每100莫耳之總結構單元，其他結構單元的用量通常為0至99.9莫耳，較佳為50至99.9莫耳，更佳為80至99.5莫耳，又更佳為85至99莫耳，特佳為90至99莫耳。
當本發明之聚合物除了衍生自式(I)所示之化合物之結構單元外，亦含有衍生自具有一個或多個酚系羥基之苯乙烯之結構單元及在其側鏈具有酸不穩定基之結構單元時，衍生自具有一個或多個酚系羥基之苯乙烯之結構單元對在其側鏈具有酸不穩定基之結構單元的比率(衍生自具有一個或多個酚系羥基之苯乙烯之結構單元/在其側鏈具有酸不穩定基之結構單元)通常為99.9/0.1至0.1/99.9，較佳為99/1至55/45。
本發明之聚合物可藉由例如，藉由使式(I)所示之化合物、其中羥基受乙醯基保護之具有一個或多個酚系羥基之苯乙烯與相對應之在其側鏈具有酸不穩定基之單體，進行聚合反應接著進行水解作用而製得之。
此聚合反應通常係在聚合反應起始劑存在下進行之。聚合反應起始劑的實例包含偶氮化合物如2,2’-偶氮雙異丁腈及2,2’-偶氮雙(2-甲基丙酸)二甲基酯；有機氫過氧化物如第三丁基氫過氧化物及過氧化苯甲醯；氧化還原型起始劑如過氧化氫/亞鐵鹽及過氧化苯甲醯/二甲基苯胺；以及烷基金屬化合物如丁基鋰及三乙基鋁。
聚合反應起始劑的用量並無限制，但較佳為以總單體或寡聚物莫耳量計之1至20莫耳%。
聚合反應溫度通常為0至150℃，較佳為40至100℃。
此聚合反應通常係在溶劑存在中進行之且較佳使用足以溶解單體、聚合反應起始劑及所得到之聚合物的溶劑。其實例包含芳香族烴溶劑如苯、甲苯及二甲苯；醚溶劑如1,4-二烷及四氫呋喃；以及醇溶劑如甲醇、乙醇和異丙醇。這些溶劑可以單獨或以其混合物使用之。溶劑的用量並無限制，但在實務上，相對於1份總單體或寡聚物，較佳為1至5重量份。
聚合反應完成後，可藉由，例如，添加其中聚合物不溶或難溶之溶劑至所得到之反應混合物中再過濾所沉澱之聚合物，然後混合聚合物與酸如對-甲苯磺酸而單離所製得之聚合物。
其次，說明本發明之化學放大型正光阻組成物。
本發明之光阻組成物係包括本發明之聚合物、至少一種酸產生劑及至少一種溶劑。
較佳為包括衍生自式(I)所示之化合物之結構單元、衍生自具有一個或多個酚系羥基之苯乙烯之結構單元及在其側鏈具有酸不穩定基之結構單元的聚合物。更佳為包括衍生自式(I)所示之化合物之結構單元、式(II)所示之結構單元及式(III)所示之結構單元的聚合物。特佳為包括衍生自式(I)所示之化合物之結構單元、式(II)所示之結構單元及式(IIIa)所示之結構單元的聚合物。
本發明之光阻組成物可含有其他聚合物(群)。其他聚合物的實例包含包括衍生自具有一個或多個酚系羥基之苯乙烯之結構單元及在其側鏈具有酸不穩定基之結構單元的聚合物，較佳為包括式(II)所示之結構單元及式(III)所示之結構單元的聚合物。
以聚合物成分之總重量計之，本發明之聚合物的含量較佳為10重量%或更多，且更佳為50重量%或更多。
對於每100重量份之組成物固成分，聚合物成分的含量通常為60至98重量份，較佳為80至95重量份。後文，"組成物固成分"係指本發明之光阻組成物中溶劑以外的成分。
本發明之光阻組成物含有至少一種酸產生劑，較佳含有兩種或更多種酸產生劑。
酸產生劑藉由對其本身或含其之組成物照射輻射而產生酸，所產生之酸對本發明之聚合物及/或具有酸不穩定基之其他聚合物催化地作用，使本發明之聚合物及/或具有酸不穩定基之其他聚合物變成可溶於鹼性水溶液。
酸產生劑可選自藉由對酸產生劑本身或本發明之光阻組成物照射輻射時產生酸之各種化合物。
至於酸產生劑，較佳為選自下述之至少一者：鎓鹽、鹵化之烷基三嗪化合物、具有磺醯基之重氮甲烷化合物、磺酸酯合物及具有磺醯基氧基之醯亞胺化合物。更佳為鎓鹽、具有磺醯基之重氮甲烷化合物及其混合物，更佳為鎓鹽與具有磺醯基之重氮甲烷化合物之混合物。至於鎓鹽，較佳為鎏鹽，更佳為三苯基鎏鹽。
可使用已知的酸產生劑。
具有磺醯基之重氮甲烷化合物的實例包含雙(丙基磺醯基)重氮甲烷、雙(異丙基磺醯基)重氮甲烷、雙(丁基磺醯基)重氮甲烷、雙(第三丁基磺醯基)重氮甲烷、雙(環戊基磺醯基)重氮甲烷、雙(環己基磺醯基)重氮甲烷、雙(苯基磺醯基)重氮甲烷、雙(4-氯苯基磺醯基)重氮甲烷、雙(對-甲苯基磺醯基)重氮甲烷、雙(4-第三丁基苯基磺醯基)重氮甲烷、雙(2,4-二甲苯基磺醯基)重氮甲烷、雙(4-異丙基苯基磺醯基)重氮甲烷、雙(萘基磺醯基)重氮甲烷及雙(蒽基磺醯基)重氮甲烷。
對於每100重量份之組成物固成分，酸產生劑的含量通常為2至40重量份，較佳為5至20重量份。
此光阻組成物含有至少一種溶劑，溶劑的實例包含二醇醚酯如乙酸乙基溶纖素酯、乙酸甲基溶纖素酯及乙酸丙二醇單甲基醚酯；非環狀酯如乳酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸戊酯及丙酮酸乙酯；酮如丙酮、甲基異丁基酮、2-庚酮及環己酮；及環狀酯如γ-丁內酯。這些溶劑可單獨或者混合兩種或更多種使用。
對於每100重量份之組成物固成分，溶劑的含量通常為70至98重量份，較佳為85至96重量份。
本發明之光阻組成物中，由於後曝光延遲所造成之酸之去活化所導致之性能劣化可藉由添加鹼性含氮有機化合物作為焠熄劑(quencher)而減少。
含氮之有機鹼化合物的特定實例包含下式所示之胺化合物：
式中T1 及T2 各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基或芳基，且該烷基、環烷基及芳基可具有選自羥基、可經C1-C4烷基取代之胺基及可具有C1-C6烷氧基之C1-C6烷氧基之至少一個基團，T3 及T4 各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、芳基或烷氧基，且該烷基、環烷基、芳基及烷氧基可具有選自羥基、可經C1-C4烷基取代之胺基及C1-C6烷氧基之至少一個基團，或者T3 及T4 與和其鍵結之碳原子一起結合以形成芳香族環，T5 表示氫原子、烷基、環烷基、芳基、烷氧基或硝基，且該烷基、環烷基、芳基及烷氧基可具有選自羥基、可以C1-C4烷基予以取代之胺基及C1-C6烷氧基之至少一個基團，T6 表示烷基或環烷基，且該烷基及環烷基可具有選自羥基、可以C1-C4烷基予以取代之胺基及C1-C6烷氧基之至少一個基團，以及A表示-CO-、-NH-、-S-、-S-S-、其中至少一個亞甲基可以-O-予以置換之伸烷基、或其中至少一個亞甲基可以-O-置換取代之伸烯基，及下式所示之四級氫氧化銨：
式中T7 ，T8 ，T9 及T10 各自獨立地表示烷基、環烷基或芳基，且該烷基、環烷基及芳基可具有選自羥基、可以C1-C4烷基予以取代之胺基及C1-C6烷氧基之至少一個基團。
T1 、T2 、T3 、T4 、T5 、T6 、T7 、T8 、T9 及T10 中之烷基較佳具有約1至10個碳原子，更佳具有約1至6個碳原子。
可以C1-C4烷基予以取代之胺基的實例包含胺基、甲胺基、乙胺基、丁胺基、二甲胺基及二乙胺基。可具有C1-C6烷氧基之C1-C6烷氧基的實例包含甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、第三丁氧基、戊氧基、己氧基及2-甲氧基乙氧基。
可具有選自由羥基、可以C1-C4烷基予以取代之胺基及可具有C1-C6烷氧基所成組群之C1-C6烷氧基之至少一個基團之烷基的特定實例包含甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、第三丁基、戊基、己基、辛基、壬基、癸基、2-(2-甲氧基乙氧基)乙基、2-羥基乙基、2-羥基丙基、2-胺基乙基、4-胺基丁基及6-胺基己基。
T1 、T2 、T3 、T4 、T5 、T6 、T7 、T8 、T9 及T10 中之環烷基較佳具有約5至10個碳原子。可具有選自由羥基、可以C1-C4烷基予以取代之胺基及C1-C6烷氧基所成組群之至少一個基團之環烷基的特定實例包含環戊基、環己基、環庚基及環辛基。
T1 、T2 、T3 、T4 、T5 、T6 、T7 、T8 、T9 及T10 中之芳基較佳具有約6至10個碳原子。可具有選自由羥基、可以C1-C4烷基予以取代之胺基及C1-C6烷氧基所成組群之至少一個基團之芳基的特定實例包含苯基及萘基。
T3 、T4 及T5 中之烷氧基較佳具有約1至6個碳原子且其特定實例包含甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、第三丁氧基、戊氧基及己氧基。
A中之伸烷基及伸烯基較佳具有2至6個碳原子。伸烷基的特定實例包含伸乙基、三亞甲基、四亞甲基、亞甲基二氧基及伸乙基-1,2-二氧基，且伸烯基的特定實例包含乙烯-1,2-二基、1-丙烯-1,3-二基及2-丁烯-1,4-二基。
胺化合物的特定實例包含己胺、庚胺、辛胺、壬胺、癸胺、苯胺、2-甲基苯胺、3-甲基苯胺、4-甲基苯胺、4-硝基苯胺、1-萘基胺、2-萘基胺、乙二胺、四亞甲二胺、六亞甲二胺、4,4’-二胺基-1,2-二苯基乙烷、4,4’-二胺基-3,3’-二甲基二苯基甲烷、4,4’-二胺基-3,3’-二乙基二苯基甲烷、二丁胺、二戊胺、二己胺、二庚胺、二辛胺、二壬胺、二癸胺、N-甲基苯胺、哌啶、二苯基胺、三乙胺、三甲胺、三丙胺、三丁胺、三戊胺、三己胺、三庚胺、三辛胺、三壬胺、三癸胺、甲基二丁胺、甲基二戊胺、甲基二己胺、甲基二環己胺、甲基二庚胺、甲基二辛胺、甲基二壬胺、甲基二癸胺、乙基二丁胺、乙基二戊胺、乙基二己胺、乙基二庚胺、乙基二辛胺、乙基二壬胺、乙基二癸胺、二環己基甲胺、參[2-(2-甲氧基乙氧基)乙基]胺、參異丙醇胺、N,N-二甲基苯胺、2,6-二異丙基苯胺、咪唑、苯并咪唑、吡啶、4-甲基吡啶、4-甲基咪唑、聯吡啶、2,2’-二吡啶基胺、二(2-吡啶基)酮、1,2-二(2-吡啶基)乙烷、1,2-二(4-吡啶基)乙烷、1,3-二(4-吡啶基)丙烷、1,2-雙(2-吡啶基)伸乙烷、1,2-雙(4-吡啶基)伸乙烷、1,2-雙(4-吡啶基氧基)乙烷、4,4’-二吡啶硫化物、4,4’-二吡啶二硫化物、1,2-雙(4-吡啶基)伸乙烷、2,2’-二(甲基吡啶基)胺及3,3’-二(甲基吡啶基)胺。
四級氫氧化銨的實例包含氫氧化四甲銨、氫氧化四異丙銨、氫氧化四丁銨、氫氧化四己銨、氫氧化四辛銨、氫氧化苯基三甲銨、氫氧化(3-三氟甲基苯基)三甲銨及氫氧化(2-羥基乙基)三甲銨(所謂的"膽鹼"choline)。
如揭露於JP11-52575A1之具有哌啶骨架之受阻胺化合物亦可使用作為焠熄劑。
就形成具有較高解析度之圖案的點而言，較佳使用四級氫氧化銨作為焠熄劑。
當使用鹼性含氮有機化合物作為焠熄劑時，對於每100重量份組成物之固體成分，本發明之光阻組成物較佳包含0.1至2重量份，更佳為0.2至1重量份之鹼性含氮有機化合物。
若有需要，本發明之光阻組成物可含有小量的各種添加劑如敏化劑、溶液抑制劑、其他聚合物、界面活性劑、安定劑及染料，只要不妨礙本發明的效果即可。
對塗敷於基板上然後乾燥之光阻膜施加圖案化之曝光，然後熱處理以促進脫封反應，之後以鹼顯影劑予以顯影。所使用之顯影劑可為此技藝中所使用之各種鹼水溶液之任一種。一般而言，經常使用氫氧化四甲銨或氫氧化(2-羥基乙基)三甲銨(所謂的"膽鹼")的水溶液。
揭露於本文之實例在所有方面上應闡釋為實施例而非限制。意指本發明的範圍並非由上述說明而是由隨附之申請專利範圍所決定，而且包含與申請專利範圍均等意義及範圍之所有變化。
本發明將藉由實施例更加明確地說明，其不闡釋為限制本發明的範圍。使用於表示下述實施例及比較例所使用之任何成分的含量及任何材料的用量之"%"及"份數"皆以重量計，除非另有說明。下述實施例所使用之任何材料的重量平均分子量，數目平均分子量係使用聚苯乙烯作為標準參考材料藉由凝膠滲透層析術[HLC-8120GPC型，TOSOH公司出品，管柱(三管柱)：TSKgel Multipore HXL-M，溶劑：四氫呋喃]所得到之值。
使用於下述實施例之所獲得之化合物的結構係藉由NMR分析[EX-270型或GX-270型，JEOL公司出品]及/或質譜儀[液體層析術：1100型，Agilent Technologies公司製造，質譜儀：LC/MSD型，Agilent Technologies公司製造]。
參考合成例1
將五十份蒽-9-羧酸溶解在150份N,N-二甲基甲醯胺中。於50℃加熱所得之溶液。對此溶液滴加藉由將36.5份1,1’-羰基二咪唑溶解於150份N,N-二甲基甲醯胺中所得到之溶液，然後使所得之溶液於50℃攪拌2小時。使所得之溶液冷卻至室溫以得到溶液(A)。於50℃加熱11.8份氫化鈉與141份N,N-二甲基甲醯胺的混合物。對此溶液滴加藉由將28.1份2-甲基-丁-2,4-二醇溶解於28份N,N-二甲基甲醯胺中所得到之溶液，然後使所得之混合物於50℃攪拌2小時。使所得之混合物冷卻至室溫。在室溫對此所得之混合物滴加溶液(A)。在低於30℃對所得之混合物滴加595份5%草酸水溶液。對此所得之混合物添加298份乙酸乙酯再予以攪拌，然後過濾所得之混合物。將濾液分成有機層及水層。以298份乙酸乙酯萃取水層，再將所得之有機層與先前得到之有機層混合。以離子交換水沖洗此混合之有機層五次，然後在22.1份硫酸鎂上予以乾燥。過濾此混合物再濃縮所得之濾液以得到55.6份蒽-9-羧酸3-甲基-3-羥基丁酯呈棕色油狀物。此化合物被稱為化合物(C)。
1 H-NMR(二甲基亞碸-d6 ,內部標準：四甲基矽烷)δ(ppm)1.17(s,6H),1.94(t,2H,J=7.58 Hz),4.50(s,1H),4.70(t,2H,J=6.60 Hz),7.54-7.66(m,4H),7.97(d,2H,J=9.54 Hz),8.16(d,2H,J=9.57 Hz),8.76(s,1H)
參考合成例2
將18.2份蒽-9-碳醯氯溶解在182份氯仿中，然後對其添加41.5份吡啶。對此所得之混合物滴加藉由將42.1份2-甲基-丁-2,4-二醇溶解於42份氯仿中所得到之溶液，然後使所得之混合物在室溫攪拌整夜再於50℃進一步攪拌9小時。利用冰浴冷卻所得之混合物，在低於30℃對其添加163份離子交換水。將所得之混合物分成有機層及水層。以163份2%草酸水溶液沖洗有機層兩次，然後再以離子交換水沖洗五次。對所得之有機層添加4.3份活性碳及21.7份硫酸鎂再予以攪拌，然後過濾所得之混合物。濃縮所得之濾液再以矽膠管柱層析術純化殘留物以得到11.3份化合物(C)呈橘色油狀物。
實施例1
將44.2份化合物(C)溶解在133份甲基異丁基酮中，再對所得之溶液添加1.8份活性碳，在室溫下攪拌1小時。過濾此混合物再濃縮濾液。對殘留物添加160份甲基異丁基酮及25份1-甲基吡咯烷，在50℃加熱所得之混合物。對此混合物滴加18.4份甲基丙烯醯氯，在50℃攪拌所得之混合物6小時。對此混合物添加8.3份1-甲基吡咯烷，然後再添加6.1份甲基丙烯醯氯，在50℃攪拌所得之混合物4小時。利用冰浴冷卻反應混合物再對其滴加441份2%草酸水溶液，然後將所得之混合物分成有機層及水層。以92份甲基異丁基酮萃取水層兩次，再將所得之有機層與先前得到之有機層混合。以離子交換水沖洗此混合之有機層七次。對所得之有機層添加4.2份活性碳再予以攪拌，然後過濾所得之混合物。濃縮所得之濾液再以矽膠管柱層析術純化殘留物以得到39份蒽-9-羧酸3-甲基-3-甲基丙烯醯氧基丁酯呈黃色油狀物。此化合物被稱為化合物(E)。
1 H-NMR(二甲基亞碸-d6 ,內部標準：四甲基矽烷)δ(ppm) 1.51(s,6H),1.68(s,3H),2.34(t,2H,J=6.19 Hz),4.70(t,2H,J=7.24 Hz),5.40(t,1H,J=1.65 Hz),5.58(t,1H,J=0.97 Hz),7.54-7.65(m,4H),7.97(d,2H,J=9.56 Hz),8.15(d,2H,J=8.88 Hz),8.76(s,1H)
參考合成例3
將三份苯甲酸與2.6份2-甲基-丁-2,4-二醇、0.6份4-二甲基胺基吡啶及45份脫水四氫呋喃混合。對所得之混合物添加5.6份N,N’-二環己基碳二亞胺，然後在室溫攪拌所得之混合物24小時。過濾所得之混合物再濃縮濾液。對殘留物添加33份甲基第三丁基醚，然後再添加17份2%草酸水溶液。攪拌再過濾所得之混合物。將濾液分成有機層及水層。以離子交換水沖洗有機層五次，然後在3.1份硫酸鎂上予以乾燥。過濾此混合物再濃縮所得之濾液。將所得之殘留物與6份甲基第三丁基醚混合再過濾所得之混合物。濃縮此濾液以得到4.8份苯甲酸3-甲基-3-羥基丁酯呈無色油狀物。此化合物被稱為化合物(G)。
1 H-NMR(二甲基亞碸-d6 ,內部標準：四甲基矽烷)δ(ppm) 1.16(s,6H),1.82(t,2H,J=7.08 Hz),4.37(s,2H,J=6.94 Hz),4.41(s,1H),7.48-7.53(m,2H),7.60-7.67(m,1H),7.93-7.96(m,2H)
實施例2
將38.9份化合物(G)及39.8份1-甲基吡咯烷溶解在脫水四氫呋喃中。於50℃加熱所得之溶液。對此溶液滴加29.3份甲基丙烯醯氯，在50℃攪拌所得之混合物7小時。利用冰浴冷卻反應混合物再對其添加101份離子交換水及101份乙酸乙酯，然後將所得之混合物分成有機層及水層。以101份乙酸乙酯萃取水層兩次，再將所得之有機層與先前得到之有機層混合。以2%草酸水溶液沖洗此混合之有機層三次，然後再以離子交換水沖洗八次。對所得之有機層添加3.9份活性碳再予以攪拌，然後過濾所得之混合物。濃縮所得之濾液再以矽膠管柱層析術純化殘留物以得到43.8份苯甲酸3-甲基-3-甲基丙烯醯氧基丁酯呈無色油狀物。此化合物被稱為化合物(H)。
1 H-NMR(二甲基亞碸-d6 ,內部標準：四甲基矽烷)δ(ppm) 1.51(s,6H),1.77-1.78(m,3H),2.26(t,2H,J=6.62 Hz),4.39(t,2H,J=6.59 Hz),5.54-5.55(m,1H),5.92-5.93(m,1H),7.47-7.53(m,2H),7.61-7.67(m,1H),7.91-7.95(m,2H)
MS(ESI(+)光譜): [M+Na]+ =299.1(C16 H20 O4 Na+ =299.32)
實施例3
備有攪拌器、冷凝管及溫度計之四頸燒瓶的內部氣體以氮氣置換。將3.6份甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷基酯、11.8份4-(1-乙氧基乙氧基)苯乙烯、1.6份化合物(E)及23.2份甲基異丁基酮加入燒瓶中再於80℃加熱所得之混合物。對此混合物歷時10分鐘滴加藉由將0.8份2,2’-偶氮雙(2-甲基丙酸)二甲基酯溶解於2.2份甲基異丁基酮所得之溶液中。使所得之混合物於80℃保持15小時。將所得之反應混合物滴加至350份甲醇與43份水的溶液中。藉由過濾得到沉澱聚合物。將此聚合物溶解在51份甲基異丁基酮中，再對其添加0.3份對-甲苯磺酸及34份水。在室溫攪拌所得之混合物5小時。對此混合物施加分離及沖洗程序再重複此程序。濃縮所得之有機層再將所得之殘留物與乙酸丙二醇甲基醚酯混合。濃縮所得之溶液以得到含有聚合物之溶液。此聚合物被稱為聚合物(J1)。聚合物(J1)的重量平均分子量(Mw)為6,000及聚合物(J1)的分散度(Mw/Mn)為1.6。對於每100莫耳聚合物(J1)之總結構單元，衍生自聚合物(J1)中之化合物(E)之結構單元的含量為5莫耳。
聚合物(J1)包括下述結構單元。
實施例4
備有攪拌器、冷凝管及溫度計之四頸燒瓶的內部氣體以氮氣置換。將3.1份甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷基酯、9.7份4-(1-乙氧基乙氧基)苯乙烯、2.8份化合物(E)及21.2份甲基異丁基酮加入燒瓶中再於80℃加熱所得之混合物。對此混合物歷時10分鐘滴加藉由將0.7份2,2’-偶氮雙(2-甲基丙酸)二甲基酯溶解於1.9份甲基異丁基酮所得之溶液。使所得之混合物於80℃保持15小時。將所得之反應混合物滴加至320份甲醇與40份水的溶液中。藉由過濾得到沉澱聚合物。將此聚合物溶解在46份甲基異丁基酮中，再對其添加0.3份對-甲苯磺酸及34份水。在室溫攪拌所得之混合物5小時。對此混合物施加分離及沖洗程序再重複此程序。濃縮所得之有機層再將所得之殘留物與乙酸丙二醇甲基醚酯混合。濃縮所得之溶液以得到含有聚合物之溶液。此聚合物被稱為聚合物(J2)。聚合物(J2)的重量平均分子量(Mw)為8,200及聚合物(J2)的分散度(Mw/Mn)為1.78。對於每100莫耳聚合物(J2)之總結構單元，衍生自聚合物(J2)中之化合物(E)之結構單元的含量為10莫耳。
聚合物(J2)包括下述結構單元。
實施例5
備有攪拌器、冷凝管及溫度計之四頸燒瓶的內部氣體以氮氣置換。將3.7份甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷基酯、14.4份4-(1-乙氧基乙氧基)苯乙烯、2.8份化合物(H)及28.6份甲基異丁基酮加入燒瓶中再於80℃加熱所得之混合物。對此混合物歷時10分鐘滴加藉由將1.0份2,2’-偶氮雙(2-甲基丙酸)二甲基酯溶解於2.8份甲基異丁基酮所得之溶液。使所得之混合物於80℃保持15小時。將所得之反應混合物滴加至430份甲醇與53份水的溶液中。藉由過濾得到沉澱聚合物。將此聚合物溶解在63份甲基異丁基酮中，再對其添加0.4份對-甲苯磺酸及42份水。在室溫攪拌所得之混合物1小時。對此混合物施加分離及沖洗程序再重複此程序。濃縮所得之有機層再將所得之殘留物與乙酸丙二醇甲基醚酯混合。濃縮所得之溶液以得到含有聚合物之溶液。此聚合物被稱為聚合物(J5)。聚合物(J5)的重量平均分子量(Mw)為6,900及聚合物(J5)的分散度(Mw/Mn)為1.62。對於每100莫耳聚合物(J5)之總結構單元，衍生自聚合物(J5)中之化合物(H)之結構單元的含量為10莫耳。
聚合物(J5)包括下述結構單元。
參考合成例4
將103.8份4-乙醯氧基苯乙烯、39.7份甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯及265份異丙醇置入燒瓶中。在氮氣氛下將所得之溶液加熱至75℃，然後將藉由溶解11.05份2,2’-偶氮雙(2-甲基丙酸)二甲基酯至22.11份異丙醇中所製備之溶液滴加至此混合物中。使所得之混合物迴流12小時。冷卻所得之反應混合物再倒入大量甲醇中。藉由過濾收集沉澱之聚合物以得到250份聚合物。所得到之聚合物含有甲醇。
將250份所得到之聚合物、202份甲醇及10.3份4-二甲基胺基吡啶置入燒瓶中再使所得之混合物迴流20小時。冷卻所得到之混合物，然後與7.6份冰醋酸混合之。將所得到之混合物倒入大量水中再藉由過濾收集沉澱之聚合物。將聚合物溶解在丙酮中再將所得到之溶液倒入大量水中以沉澱樹脂。此操作重複三次以得到95.9份聚合物。此聚合物被稱為聚合物(J3)。聚合物(J3)的重量平均分子量(Mw)為約8,600。聚合物(J3)包括下述結構單元，且由13 C-NMR分析的結果，衍生自甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯之結構單元對衍生自4-羥基苯乙烯之結構單元(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯之結構單元/衍生自4-羥基苯乙烯之結構單元)的比率為約20/80。
參考合成例5
依據與參考合成例4相同之方式進行反應，但使用59.6份甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯取代39.7份甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯，以及使用90.8份4-乙醯氧基苯乙烯取代103.8份4-乙醯氧基苯乙烯。結果，得到102.8份聚合物。此聚合物被稱為聚合物(J4)。聚合物(J4)的重量平均分子量(Mw)為約8,200。聚合物(J4)包括下述結構單元，且由13 C-NMR分析的結果，衍生自甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯之結構單元對衍生自4-羥基苯乙烯之結構單元(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯之結構單元/衍生自4-羥基苯乙烯之結構單元)的比率為約30/70。
實施例6至10及比較例1 <酸產生劑>
酸產生劑K1：2,4,6-三異丙基苯磺酸三苯基鎏
酸產生劑K2：雙(環己基磺醯基)重氮甲烷
<焠熄劑>
焠熄劑L1：2,6-二異丙基苯胺
<添加劑>
添加劑M1：聚丙二醇(分子量：2000)
<溶劑>
溶劑S1：乙酸丙二醇單甲基醚酯/丙二醇單甲基醚(重量比=4/1)
混合下述成分以得到溶液，再經由具有0.2μm孔洞直徑之氟樹脂過濾器進一步過濾此溶液，以製備光阻液體。
聚合物(種類及用量示於表1)
酸產生劑(種類及用量示於表1)
焠熄劑(種類及用量示於表1)
添加劑(種類及用量示於表1)
溶劑(種類及用量示於表1)
將上述製備之各光阻液體旋轉塗佈在其上形成著100nm厚度之二氧化矽膜之矽晶圓上。在塗佈各光阻液體後，使由此經各光阻液體塗佈之矽晶圓在近接式加熱板上於90℃各預烘烤60秒以形成厚度為200nm之光阻膜。使用KrF準分子雷射步進器("NSR-2205EX12B"，Nikon公司出品，NA=0.55，σ=0.80)，經由具有不同形狀及尺寸之數種光罩使其上由此所形成各光阻膜之各晶圓曝光。
曝光後，於110℃之溫度在加熱板上對各晶圓施加後曝光烘烤60秒然後以2.38%氫氧化四甲銨水溶液槳式顯影60秒。
以掃描式電子顯微鏡觀察顯影後在矽基板上顯影之各圖案，結果示於表2。
有效靈敏度(ES)：以經由250nm線與空間圖案所提供光罩曝光及顯影之後，線與空間圖案變成1：1之曝光量表示之。
解析度：以在有效靈敏度之曝光量時給予由線圖案所分割之空間圖案所提供之空間圖案的最小尺寸表示之。
輪廓：以掃描式電子顯微鏡觀察顯影後在有機抗反射塗佈基板上顯影之圖案的各壁表面。當壁表面為波浪圖案時，其評價以"X"標示之，當壁表面為平坦或接近平坦圖案時，其評價以"○"標示之。
本發明之化學放大型正光阻組成物賦予具有高解析度及良好圖案輪廓之圖案且適合於KrF微影技術、ArF微影技術、EUV(超紫外線)微影技術及EB(電子束)微影技術。

Claims (11)

  1. 一種式(I)所示之化合物： 式中R1 表示氫原子、氟原子、C1-C4直鏈或支鏈烷基或C1-C4氟化直鏈或支鏈烷基，R2 及R3 各自獨立地表示C1-C4直鏈或支鏈烷基，R4 表示C1-C8二價烴基，R5 表示C1-C4二價烴基或羰基，R6 表示可具有C1-C6直鏈或支鏈烷基或C1-C6直鏈或支鏈烷氧基之蒽基。
  2. 如申請專利範圍第1項之化合物，其中蒽基為9-蒽基。
  3. 一種包括衍生自式(I)所示化合物之結構單元之聚合物： 式中R1 表示氫原子、氟原子、C1-C4直鏈或支鏈烷基或C1-C4氟化直鏈或支鏈烷基，R2 及R3 各自獨立地表示C1-C4直鏈或支鏈烷基，R4 表示C1-C8二價烴基，R5 表示C1-C4二價烴基或羰基，及R6 表示可具有C1-C6直鏈或支鏈烷基或C1-C6直鏈或支鏈烷氧基之蒽基。
  4. 如申請專利範圍第3項之聚合物，其中該聚合物進一步包括衍生自具有一個或多個酚系羥基之苯乙烯之結構單元。
  5. 如申請專利範圍第4項之聚合物，其中該衍生自具有一 個或多個酚系羥基之苯乙烯之結構單元為式(II)所示之結構單元： 式中R41 表示氫原子、氟原子、C1-C4直鏈或支鏈烷基或C1-C4氟化直鏈或支鏈烷基，R42 、R43 、R44 、R45 及R46 各自獨立地表示氫原子、羥基或C1-C4直鏈或支鏈烷基，但R42 至R46 中之一至三個基團為羥基且R42 至R46 中之零至二個基團為C1-C4直鏈或支鏈烷基。
  6. 如申請專利範圍第3或4項之聚合物，其中該聚合物進一步包括在其側鏈具有酸不穩定基之結構單元。
  7. 如申請專利範圍第6項之聚合物，其中該在其側鏈具有酸不穩定基之結構單元為式(III)所示之結構單元： 式中R47 表示氫原子、氟原子、C1-C4直鏈或支鏈烷基或C1-C4氟化直鏈或支鏈烷基，及R48 表示下式所示之基團： R50 、R51 及R52 各自獨立地表示C1-C6烷基或C3-C12脂環族烴基，且R51 與R52 可結合以形成可經取代之C3-C20環狀烴基。
  8. 如申請專利範圍第4或6項之聚合物，其中對於每100莫耳之總結構單元，式(I)所示之結構單元的含量為0.1至50莫耳。
  9. 一種化學放大型正光阻組成物，包括申請專利範圍第3項之聚合物、至少一種酸產生劑及至少一種溶劑。
  10. 如申請專利範圍第9項之化學放大型正光阻組成物，其中至少一種酸產生劑係包括具有磺醯基之重氮甲烷化合物。
  11. 如申請專利範圍第9項之化學放大型正光阻組成物，其中該化學放大型正光阻組成物進一步包括鹼性含氮有機化合物。
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