TWI489171B - 畫素陣列基板、顯示面板、接觸窗結構及其製造方法 - Google Patents

Description

畫素陣列基板、顯示面板、接觸窗結構及其製造方法

本發明是有關於一種畫素陣列基板、顯示面板及接觸窗結構及其製造方法，且特別是有關於一種良率佳的畫素陣列基板、顯示面板、接觸窗結構及其製造方法。

在半導體製程中，常需要在作為隔離之絕緣層中形成接觸窗(Contact Window)結構，藉以連接上下兩層導電層，或是連接半導體基底與低層導電層。

圖1為一種習知的接觸窗結構。為使第一導電層140及第二導電層170能做電性連接，在第一導電層140上依序覆蓋第一絕緣層150與第二絕緣層160之後，會以蝕刻方式製作出接觸窗100A。之後，再覆蓋上第二層導電層170。然而，第一絕緣層150與第二絕緣層160由不同材料所構成，因此在蝕刻製程中第一絕緣層150的被蝕刻速率大於第二絕緣層160的被蝕刻速率。如此一來，因為第一絕緣層150被蝕刻的較快，導致覆蓋其上的第二絕緣層160有部分尚未被蝕刻，而這部分會懸空於第一絕緣層150上方。因此，後續形成的第二導電層170無法完整地覆蓋接觸窗100A，使第二導電層170的可靠度產生問題。

此外，第二導電層170後續可能會再覆蓋上另外的兩層導電層與一層絕緣層以做為電容。但第二絕緣層160的懸空部分會使後續覆蓋上的絕緣層產生一樣的懸空問題， 導致作為電容的上下電極而應該互相絕緣的兩個導電層導通，最終使得電容失效。

本發明提供一種接觸窗結構，可解決其中絕緣層懸空的問題。

本發明提供一種畫素陣列基板與顯示面板，可解決良率不佳的問題。

本發明提供一種接觸窗結構的製造方法，可解決其中絕緣層懸空的問題。

本發明提出一種接觸窗結構，包括一第一導體層、一第一絕緣層、一第二絕緣層以及一第二導體層。第一導體層配置於一基板上。第一絕緣層覆蓋第一導體層與基板，且具有一第一接觸窗。其中第一導體層的一部份暴露於第一接觸窗。第二絕緣層覆蓋第一絕緣層，且具有一第二接觸窗，其中第一接觸窗暴露於第二接觸窗。第一絕緣層的材質不同於第二絕緣層的材質。對於相同蝕刻液，第一絕緣層的被蝕刻速率大於第二絕緣層的被蝕刻速率，第二絕緣層靠近第一絕緣層的部分的被蝕刻速率大於第二絕緣層遠離第一絕緣層的部分的被蝕刻速率。第二導體層覆蓋第一接觸窗與第二接觸窗，並接觸第一導體層暴露於第一接觸窗的部份。

本發明提出一種畫素陣列基板，此畫素陣列基板包括前述的接觸窗結構。

本發明提出一種顯示面板，包括一對向基板、一顯示介質與前述的畫素陣列基板。顯示介質配置於對向基板與畫素陣列基板之間。

在本發明一實施例中，上述之接觸窗結構的第一絕緣層的材質為氧化矽。

在本發明一實施例中，上述之接觸窗結構的第二絕緣層的材質為氮化矽，且第二絕緣層靠近第一絕緣層的部分的氮矽比大於第二絕緣層遠離第一絕緣層的部分的氮矽比。

在本發明一實施例中，上述之接觸窗結構中，其中對於相同蝕刻液，第二絕緣層從靠近第一絕緣層的部分至遠離第一絕緣層的部分的被蝕刻速率是漸進變化。

在本發明一實施例中，上述之接觸窗結構中，其中對於相同蝕刻液，第二絕緣層從靠近第一絕緣層的部分至遠離第一絕緣層的部分的被蝕刻速率是兩階段變化。

在本發明一實施例中，上述之接觸窗結構中更包括一第一透明導電層、一第二透明導電層以及一第三絕緣層。第一透明導電層覆蓋並接觸第二導體層。第三絕緣層配置於第一透明導電層與第二透明導電層之間，以形成一電容。

在本發明一實施例中，上述之畫素陣列基板更包括多個畫素驅動單元。每一畫素驅動單元包括一畫素電極與一對向電極。畫素電極具有多個第一條狀圖案，對向電極具有多個第二條狀圖案，而第一條狀圖案與第二條狀圖案交替排列。對向電極與畫素電極相互電性絕緣。

在本發明一實施例中，上述之畫素陣列基板之畫素驅動單元的畫素電極與對向電極位於同一平面上。

在本發明一實施例中，上述之畫素陣列基板之畫素驅動單元的畫素電極與對向電極位於不同平面上。

在本發明一實施例中，上述之畫素陣列基板更包括多個畫素驅動單元，每一畫素驅動單元包括一畫素電極與一對向電極。畫素電極具有多個第一條狀圖案且位於同一平面上，對向電極位於畫素電極下方，且畫素電極與對向電極相互電性絕緣。

本發明提出一接觸窗結構的製造方法，包括下列步驟。首先，形成一第一導體層於一基板上。接著形成一第一絕緣層以覆蓋第一導體層與基板。之後，形成一第二絕緣層以覆蓋第一絕緣層。其中，第一絕緣層的材質不同於第二絕緣層的材質。對於相同蝕刻液，第一絕緣層的被蝕刻速率大於第二絕緣層的被蝕刻速率。在第二絕緣層中，靠近第一絕緣層的部分的被蝕刻速率大於遠離第一絕緣層的部分的被蝕刻速率。在形成第一絕緣層與第二絕緣層後，接著蝕刻第一絕緣層與第二絕緣層，以於第一絕緣層形成一第一接觸窗，以及於第二絕緣層形成一第二接觸窗。其中，第一導體層的一部份暴露於第一接觸窗，第一接觸窗暴露於第二接觸窗。最後，形成一第二導體層以覆蓋第一接觸窗與第二接觸窗，並接觸第一導體層暴露於第一接觸窗的部份。

在本發明一實施例中，上述之接觸窗結構的製造方法 裡，形成第二絕緣層的方法包括使用矽烷與氨氣進行化學氣相沈積製程，並於進行化學氣相沈積製程的過程中調低氨氣對矽烷的比例。

在本發明一實施例中，上述之接觸窗結構的製造方法裡，進行化學氣相沈積製程的過程時，前段時的氨氣對矽烷的比例為七比一，後段時的氨氣對矽烷的比例為三比一。

在本發明一實施例中，上述之接觸窗結構的製造方法裡，進行化學氣相沈積製程的過程中，調低氨氣對矽烷的比例的方式是漸進調低。

在本發明一實施例中，上述之接觸窗結構的製造方法裡，蝕刻第一絕緣層與第二絕緣層的方法包括先進行乾式蝕刻再進行濕式蝕刻。

在本發明一實施例中，上述之接觸窗結構的製造方法，在形成該第二導體層之後更包括進行下列步驟。形成一第一透明導電層以覆蓋並接觸第二導體層。形成一第三絕緣層以覆蓋第一透明導電層。形成一第二透明導電層於第三絕緣層上，以形成一電容。

基於上述，在本發明之畫素陣列基板、顯示面板、接觸窗結構及其製造方法中，接觸窗結構的第二絕緣層在靠近第一絕緣層的部分的被蝕刻速率與第一絕緣層較為相近。如此可提高接觸窗結構的良率。

為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖2是依照本發明之第一實施例之一種顯示面板的剖面示意圖。圖2中省略部分元件以使圖面清楚。請先參考圖2。顯示面板200包括一對向基板210、一顯示介質220、一畫素陣列基板230。顯示介質220例如是液晶分子，配置於對向基板210與畫素陣列基板230之間。對向基板210例如是彩色濾光片，其具有紅色、綠色以及藍色等彩色濾光膜(圖2中未繪示)的彩色濾光基板或者是無色的透明玻璃基板。

圖3是圖2之畫素陣列基板的局部上視圖。圖4是圖3之畫素陣列基板沿AA’線的剖面圖。如圖3所繪示，畫素陣列基板230包括一接觸窗結構231。請接著參考圖4，此接觸窗結構231包括一第一導體層2316、一第一絕緣層2315、一第二絕緣層2317以及一第二導體層2318。第一導體層2316配置於一基板2311上。第一絕緣層2315覆蓋第一導體層2316與基板2311，且具有一第一接觸窗2315a。其中，第一導體層2316的一部份暴露於第一接觸窗2315a。第二絕緣層2317覆蓋第一絕緣層2315，且具有一第二接觸窗2317a。第一接觸窗2315a暴露於第二接觸窗2317a。第二導體層2318覆蓋第一接觸窗2315a與第二接觸窗2317a，並接觸第一導體層2316暴露於第一接觸窗2315a的部份。

第一絕緣層2315的材質與第二絕緣層2317的材質不同。對於相同蝕刻液，第一絕緣層2315的被蝕刻速率大於 第二絕緣層2317的被蝕刻速率。在第二絕緣層2317中，靠近第一絕緣層2315的部分的被蝕刻速率大於第二絕緣層2317遠離第一絕緣層2315的部分的被蝕刻速率。換言之，相對於第二絕緣層2317遠離第一絕緣層2315的部分的被蝕刻速率，第二絕緣層2317靠近第一絕緣層2315的部分的被蝕刻速率會比較接近第一絕緣層2315的被蝕刻速率。因此，蝕刻第一絕緣層2315與第二絕緣層2317後，第一絕緣層2315與第二絕緣層2317的交界處被蝕刻後會較為連續，減少部份的第二絕緣層2317懸空於第一絕緣層2315上方的機會，確保第二導體層2318完整而連續地覆蓋第一接觸窗2315a與第二接觸窗2317a。

在本實施例中，第一絕緣層2315的材質是氧化矽(SiO_x )，第二絕緣層2317的材質為氮化矽(SiN_x )，但本發明並不以此為限。第二絕緣層2317靠近第一絕緣層2315的部分的氮矽比大於第二絕緣層2317遠離第一絕緣層2315的部分的氮矽比。因此，以相同蝕刻液對第一絕緣層2315與第二絕緣層2317進行蝕刻時，雖然第一絕緣層2315的被蝕刻速率是大於第二絕緣層2317，但遠離第一絕緣層2315的部分的被蝕刻速率是大於靠近第一絕緣層2315的部分的被蝕刻速率，所以靠近第一絕緣層2315的部份的被蝕刻率跟第一絕緣層2315的被蝕刻速率相近。如此，蝕刻後可獲得斜率變化較為連續的第一接觸窗2315a與第二接觸窗2317a的剖面輪廓。本實施例所使用的蝕刻液例如是氫氟酸(HF acid)。

本實施例中，對於相同蝕刻液，第二絕緣層2317從靠近第一絕緣層2315的部分至遠離第一絕緣層2315的部分的被蝕刻速率是兩階段變化。在另一個實施例中，對於相同蝕刻液，第二絕緣層2317從靠近第一絕緣層2315的部分至遠離第一絕緣層2315的部分的被蝕刻速率是漸進變化。當然，第二絕緣層2317的被蝕刻速率也可以是三階段以上的變化。

本實施例的接觸窗結構231更包括一第一透明導電層231a、一第二透明導電層231b以及一第三絕緣層2319。第一透明導電層231a覆蓋並接觸第二導體層2318，第三絕緣層2319配置於第一透明導電層231a與第二透明導電層231b之間，以在第一透明導電層231a與第二透明導電層231b之間形成一電容。由於本實施例的第二導體層2318可完整而連續地覆蓋第一接觸窗2315a與第二接觸窗2317a，因此後續的第一透明導電層231a與第二透明導電層231b可確時被第三絕緣層2319電性絕緣。如此，可提高所形成的電容的良率。

在本實施例中，基板2311與第一導電層2316之間可以有其他材料層存在。基板2311與第一導電層2316之間更依序包括一第一緩衝層2312、一第二緩衝層2313以及一第四絕緣層2314。第一緩衝層2312的材質例如為氧化矽(SiO_x )，第二緩衝層2313的材質例如為氮化矽(SiN_x )。第一緩衝層2312與第二緩衝層2313可防止基板2311含有的雜質擴散到上層的其他材料層而造成損壞。配置在第一 導電層2316下的第四絕緣層2314則可提供絕緣效果，使第一導電層2316能與下方其他導電材料絕緣。

圖5A到圖5F是圖4之接觸窗結構的製造方法之剖面流程示意圖。請先參考圖5A，依序在基板2311上形成第一緩衝層2312、第二緩衝層2313與第四絕緣層2314。基板2311的材質可以是玻璃、石英或是其他類似材質。形成此三層結構的方法可以是化學氣相沈積法(Chemical Vapor Deposition,CVD)，但並不限於此，亦可使用其它適合的製程方式，本發明並不對此加以限制。

接著請參考圖5B，形成第一導體層2316，第一導體層2316係為圖案化結構，於第四絕緣層2314之上。接著，如圖5C所繪示，形成一第一絕緣層2315以覆蓋第一導體層2316與基板2311。再來請參考圖5D，形成一第二絕緣層2317以覆蓋第一絕緣層2315。其中，第一絕緣層2315與第二絕緣層2317能夠使第一導體層2316與後續形成的其他導體層電性絕緣。此外，第一絕緣層2315的材質不同於第二絕緣層2317的材質。對於相同蝕刻液，第一絕緣層2315的被蝕刻速率大於第二絕緣層2317的被蝕刻速率。第二絕緣層2317靠近第一絕緣層2315的部分的被蝕刻速率大於第二絕緣層2317遠離第一絕緣層2315的部分的被蝕刻速率。

請接著參考圖5E，在圖5E的步驟中，蝕刻第一絕緣層2315與第二絕緣層2317。在此步驟中，會在第一絕緣層2315蝕刻出一第一接觸窗2315a，並且在第二絕緣層 2317蝕刻出一第二接觸窗2317a。此第一接觸窗2315a會暴露於第二接觸窗2317a。蝕刻後的第一絕緣層2315與第二絕緣層2317會讓第一導體層2316的一部份暴露於第一接觸窗2315a。

接著，請參考圖5F，在蝕刻步驟後，形成一第二導體層2318以覆蓋第一接觸窗2315a與第二接觸窗2317a。此第二導體層2318會接觸前述第一導體層2316暴露於第一接觸窗2315a的部份。因此，第二導體層2318和第一導體層2316接觸的部分可產生電性連接。

在本實施例中，第一絕緣層2315的材質為氧化矽，可以使用化學氣相沉積製程來製備。第二絕緣層2317的材料是氮化矽，故可用矽烷(SiH₄ )與氨氣(NH₃ )進行化學氣相沈積製程形成氮化矽。矽烷提供氮化矽中矽的來源，氨氣提供氮化矽中氮的來源。為了使第二絕緣層2317在靠近第一絕緣層2315的部分的被蝕刻速率大於第二絕緣層2317遠離第一絕緣層2315的部分的被蝕刻速率，可以在進行化學氣相沈積製程的過程中，漸漸調低氨氣對矽烷的比例，使化學氣相沉積製程中行成的氮化矽層的氮矽比(N/Si)漸漸變小。在本實施例中，沉積前段的氨氣對矽烷的比例調整為七比一，而後段時的氨氣對矽烷的比例調整為三比一。

由於沉積過程中第二絕緣層2317是覆蓋在第一絕緣層2315上，因此製程中，前段氨氣對矽烷的比例為七比一所形成的氮化矽(氮矽比大)會沉積的較靠近第一絕緣層 2315。後段氨氣對矽烷的比例為三比一所形成的氮化矽(氮矽比小)，會接著沉積在前段沉積的氮化矽上。因此在第二絕緣層2317中，靠近第一絕緣層2315的部分的氮矽比會大於第二絕緣層2317中遠離第一絕緣層2315的部分，並藉此調整第二絕緣層2317的被蝕刻速率。

製程中調整氨氣對矽烷的比例使沉積的氮化矽具有不同的氮矽比，可使後續蝕刻步驟中，第二絕緣層2317中靠近第一絕緣層2315的部分能與第一絕緣層2315的被蝕刻率較相近。此外，在蝕刻步驟中，形成第一絕緣層2315的第一接觸窗2315a與第二絕緣層2317的第二接觸窗2317a的方式，可以是先進行乾式蝕刻，再進行濕式蝕刻。

然而，調整化學氣相沈積製程過程中，氨氣對矽烷的比例的方式並不限於上述方法。在另一個實施例裡，進行化學氣相沈積製程的過程中，調低氨氣對矽烷的比例是以漸進調低的方式進行，這同樣可達到使第二絕緣層2317靠近第一絕緣層2315的部分的氮矽比會大於第二絕緣層2317遠離第一絕緣層2315的部分的氮矽比，使後續蝕刻步驟中第二絕緣層2317靠近第一絕緣層2315的部分的被蝕刻率較其遠離的部分大。

請再參考圖4，在本實施例中，經由圖5F的步驟形成第二導體層2318之後，更可形成一第一透明導電層231a以覆蓋並接觸第二導體層2318。接著，再形成一第三絕緣層2319覆蓋在第一透明導電層231a上，隨後形成一第二透明導電層231b於第三絕緣層2319上。第一透明導電層 231a與第二透明導電層231b會形成一電容。由圖5A到圖5F的製備流程並配合上述形成第一透明導電層231a、第三絕緣層2319以及第二透明導電層231b的步驟所形成的接觸窗結構231結構將如圖4所繪示。

請接著參考圖2與圖3。本實施例的顯示面板200的畫素陣列基板230更包括多個畫素驅動單元232，圖3中僅示意性地繪示出其中一個。每一畫素驅動單元232包括一畫素電極2321與一對向電極2322。畫素電極2321具有多個第一條狀圖案2321a。對向電極2322具有多個第二條狀圖案2322a。第一條狀圖案2321a與第二條狀圖案2322a呈現交替排列，且對向電極2322與畫素電極2321相互電性絕緣。換言之，本實施例之示面板200是一般所稱的共平面切換(In-Plane Switching，IPS)式顯示面板，熟習該項技藝者亦可作等效的設計變更如圖2所繪示，畫素電極2321與對向電極2322位於不同平面上。

請接著參考圖6。圖6是依照本發明之第二實施例之顯示面板的剖面示意圖。顯示面板300包括一對向基板210、一顯示介質220、一畫素陣列基板330。由於本實施例與第一實施例實質上相似因此採用相同的標號來表示相同或近似的元件。在畫素陣列基板330中，同樣使用了圖4所繪示的接觸窗結構231。本實施例與前述第一實施例之主要的差異是在於本實施例的顯示面板300中，畫素電極3321與對向電極3322位於同一平面上，其中該些對向電極3322與該第一導體層2316、第二導體層2318及第一透 明導電層231a電性連接，畫素電極3321係與第二透明導電層231b電性連接。本實施例之顯示面板300也是共平面切換式顯示面板。

請再參考圖7。圖7是依照本發明之第三實施例之一種顯示面板的剖面示意圖。圖8是圖7之畫素陣列基板的局部上視圖。顯示面板400包括一對向基板210、一顯示介質220、一畫素陣列基板430。本實施例與第一實施例實質上相似因此採用相同的標號來表示相同或近似的元件，且在畫素陣列基板430中，同樣使用了圖4所繪示的接觸窗結構231。請同時參考圖7與圖8，具體而言，本實施例與前述第一實施例之主要的差異是在於本實施例中，顯示面板400的畫素陣列基板430的畫素驅動單元432中，每一畫素驅動單元432包括一畫素電極4321與一對向電極4322。畫素電極4321具有多個第一條狀圖案4321a且前述的第一條狀圖案4321a位於同一平面上。對向電極4322位於畫素電極4321下方，且畫素電極4321與對向電極4322相互電性絕緣。換言之，本實施例之顯示面板400以邊際場切換(Fringe Field Switching，FFS)式顯示面板為例進行說明，熟習該項技藝者亦可作等效的設計變更。此外，在第三實施例中，關於其他元件的位置配置、製備方法以及材料皆與第一實施例相似，因此不再加以贅述。

綜上所述，本發明之接觸窗結構及其製造方法中，第二絕緣層在靠近第一絕緣層的部分的被蝕刻速率與第一絕緣層相近。如此可避免第二絕緣層因為被蝕刻速率較慢而 懸空於下方已被蝕刻的第一絕緣層，進而確保後續形成的材料層的完整性，提高產品的可靠度。此接觸窗結構可應用在畫素陣列基板上，並可將前述畫素陣列基板用於顯示面板當中。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，可對本發明的結構作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為准。

100A‧‧‧接觸窗

100、231‧‧‧接觸窗結構

110、2311‧‧‧基板

120‧‧‧緩衝層

130、2319‧‧‧第三絕緣層

140、2316‧‧‧第一導體層

150、2315‧‧‧第一絕緣層

160、2317‧‧‧第二絕緣層

170、2318‧‧‧第二導體層

200、300、400‧‧‧顯示面板

210‧‧‧對向基板

220‧‧‧顯示介質

230、330、430‧‧‧畫素陣列基板

2312‧‧‧第一緩衝層

2313‧‧‧第二緩衝層

2314‧‧‧第四絕緣層

2315a‧‧‧第一接觸窗

2317a‧‧‧第二接觸窗

231a‧‧‧第一透明導電層

231b‧‧‧第二透明導電層

232、432‧‧‧畫素驅動單元

2321、3321、4321‧‧‧畫素電極

2321a、4321a‧‧‧第一條狀圖案

2322、3322、4322‧‧‧對向電極

2322a‧‧‧第二條狀圖案

圖1是習知之一種接觸窗結構的示意圖。

圖2是依照本發明之第一實施例之一種顯示面板的剖面示意圖。

圖3是圖2之畫素陣列基板的局部上視圖。

圖4是圖3之畫素陣列基板沿AA’線的剖面圖。

圖5A到圖5F是圖4之接觸窗結構的製造方法之剖面流程示意圖。

圖6是依照本發明之第二實施例之一種顯示面板的剖面示意圖。

圖7是依照本發明之第三實施例之一種顯示面板的剖面示意圖。

圖8是圖7之畫素陣列基板的局部上視圖。

231‧‧‧接觸窗結構

2311‧‧‧基板

2312‧‧‧第一緩衝層

2313‧‧‧第二緩衝層

2314‧‧‧第四絕緣層

2315‧‧‧第一絕緣層

2315a‧‧‧第一接觸窗

2316‧‧‧第一導體層

2317‧‧‧第二絕緣層

2317a‧‧‧第二接觸窗

2318‧‧‧第二導體層

2319‧‧‧第三絕緣層

231a‧‧‧第一透明導電層

231b‧‧‧第二透明導電層

Claims (27)

1. 一種接觸窗結構，包括：一第一導體層，配置於一基板上；一第一絕緣層，覆蓋該第一導體層與該基板，且具有一第一接觸窗，其中該第一導體層的一部份暴露於該第一接觸窗；一第二絕緣層，覆蓋該第一絕緣層，且具有一第二接觸窗，其中該第一接觸窗暴露於該第二接觸窗，該第一絕緣層的材質不同於該第二絕緣層的材質，對於相同蝕刻液，該第一絕緣層的被蝕刻速率大於該第二絕緣層的被蝕刻速率，該第二絕緣層靠近該第一絕緣層的部分的被蝕刻速率大於該第二絕緣層遠離該第一絕緣層的部分的被蝕刻速率；以及一第二導體層，覆蓋該第一接觸窗與該第二接觸窗並接觸該第一導體層暴露於該第一接觸窗的部份，其中該第一絕緣層的材質為氧化矽，該第二絕緣層的材質為氮化矽，該第二絕緣層靠近該第一絕緣層的部分的氮矽比大於該第二絕緣層遠離該第一絕緣層的部分的氮矽比，且該蝕刻液為氫氟酸。
2. 如申請專利範圍第1項所述之接觸窗結構，其中該第一絕緣層接觸於該第一導體層，該第二絕緣層接觸於該第一絕緣層。
3. 如申請專利範圍第1項所述之接觸窗結構，其中對於相同蝕刻液，該第二絕緣層從靠近該第一絕緣層的部分 至遠離該第一絕緣層的部分的被蝕刻速率是漸進變化。
4. 如申請專利範圍第1項所述之接觸窗結構，其中對於相同蝕刻液，該第二絕緣層從靠近該第一絕緣層的部分至遠離該第一絕緣層的部分的被蝕刻速率是兩階段變化。
5. 如申請專利範圍第1項所述之接觸窗結構，更包括：一第一透明導電層，覆蓋並接觸該第二導體層；一第二透明導電層；以及一第三絕緣層，配置於該第一透明導電層與該第二透明導電層之間，以形成一電容。
6. 一種畫素陣列基板，包括一接觸窗結構，其中該接觸窗結構包括：一第一導體層，配置於一基板上；一第一絕緣層，覆蓋該第一導體層與該基板，且具有一第一接觸窗，其中該第一導體層的一部份暴露於該第一接觸窗；一第二絕緣層，覆蓋該第一絕緣層，且具有一第二接觸窗，其中該第一接觸窗暴露於該第二接觸窗，該第一絕緣層的材質不同於該第二絕緣層的材質，對於相同蝕刻液，該第一絕緣層的被蝕刻速率大於該第二絕緣層的被蝕刻速率，該第二絕緣層靠近該第一絕緣層的部分的被蝕刻速率大於該第二絕緣層遠離該第一絕緣層的部分的被蝕刻速率；以及一第二導體層，覆蓋該第一接觸窗與該第二接觸窗並接觸該第一導體層暴露於該第一接觸窗的部份， 其中該第一絕緣層的材質為氧化矽，該第二絕緣層的材質為氮化矽，該第二絕緣層靠近該第一絕緣層的部分的氮矽比大於該第二絕緣層遠離該第一絕緣層的部分的氮矽比，且該蝕刻液為氫氟酸。
7. 如申請專利範圍第6項所述之畫素陣列基板，其中對於相同蝕刻液，該第二絕緣層從靠近該第一絕緣層的部分至遠離該第一絕緣層的部分的被蝕刻速率是漸進變化。
8. 如申請專利範圍第6項所述之畫素陣列基板，其中對於相同蝕刻液，該第二絕緣層從靠近該第一絕緣層的部分至遠離該第一絕緣層的部分的被蝕刻速率是兩階段變化。
9. 如申請專利範圍第6項所述之畫素陣列基板，其中該接觸窗結構更包括：一第一透明導電層，覆蓋並接觸該第二導體層；一第二透明導電層；以及一第三絕緣層，配置於該第一透明導電層與該第二透明導電層之間，以形成一電容。
10. 如申請專利範圍第6項所述之畫素陣列基板，更包括多個畫素驅動單元，每一畫素驅動單元包括一畫素電極與一對向電極，該些畫素電極具有多個第一條狀圖案，該些對向電極與該些畫素電極相互電性絕緣，該些對向電極具有多個第二條狀圖案，而該些第一條狀圖案與該些第二條狀圖案交替排列。
11. 如申請專利範圍第10項所述之畫素陣列基板，其 中該些畫素電極與該些對向電極位於同一平面上。
12. 如申請專利範圍第10項所述之畫素陣列基板，其中該些畫素電極與該些對向電極位於不同平面上。
13. 如申請專利範圍第6項所述之畫素陣列基板，更包括多個畫素驅動單元，每一畫素驅動單元包括一畫素電極與一對向電極，該些畫素電極具有多個第一條狀圖案且位於同一平面上，該些對向電極位於該些畫素電極下方，且該些畫素電極與該些對向電極相互電性絕緣。
14. 一種顯示面板，包括：一對向基板；一顯示介質；一畫素陣列基板，包括一接觸窗結構，其中該顯示介質配置於該對向基板與該畫素陣列基板之間，該接觸窗結構包括：一第一導體層，配置於一基板上；一第一絕緣層，覆蓋該第一導體層與該基板，且具有一第一接觸窗，其中該第一導體層的一部份暴露於該第一接觸窗；一第二絕緣層，覆蓋該第一絕緣層，且具有一第二接觸窗，其中該第一接觸窗暴露於該第二接觸窗，該第一絕緣層的材質不同於該第二絕緣層的材質，對於相同蝕刻液，該第一絕緣層的被蝕刻速率大於該第二絕緣層的被蝕刻速率，該第二絕緣層靠近該第一絕緣層的部分的被蝕刻速率大於該第二絕緣層遠離該第 一絕緣層的部分的被蝕刻速率；以及一第二導體層，覆蓋該第一接觸窗與該第二接觸窗並接觸該第一導體層暴露於該第一接觸窗的部份，其中該第一絕緣層的材質為氧化矽，該第二絕緣層的材質為氮化矽，該第二絕緣層靠近該第一絕緣層的部分的氮矽比大於該第二絕緣層遠離該第一絕緣層的部分的氮矽比，且該蝕刻液為氫氟酸。
15. 如申請專利範圍第14項所述之顯示面板，其中對於相同蝕刻液，該第二絕緣層從靠近該第一絕緣層的部分至遠離該第一絕緣層的部分的被蝕刻速率是漸進變化。
16. 如申請專利範圍第14項所述之顯示面板，其中對於相同蝕刻液，該第二絕緣層從靠近該第一絕緣層的部分至遠離該第一絕緣層的部分的被蝕刻速率是兩階段變化。
17. 如申請專利範圍第14項所述之顯示面板，其中該接觸窗結構更包括：一第一透明導電層，覆蓋並接觸該第二導體層；一第二透明導電層；以及一第三絕緣層，配置於該第一透明導電層與該第二透明導電層之間，以形成一電容。
18. 如申請專利範圍第14項所述之顯示面板，其中該畫素陣列基板更包括多個畫素驅動單元，每一畫素驅動單元包括一畫素電極與一對向電極，該些畫素電極具有多個第一條狀圖案，該些對向電極與該些畫素電極相互電性絕緣，該些對向電極具有多個第二條狀圖案，而該些第一條 狀圖案與該些第二條狀圖案交替排列。
19. 如申請專利範圍第18項所述之顯示面板，其中該些畫素電極與該些對向電極位於同一平面上。
20. 如申請專利範圍第18項所述之顯示面板，其中該些畫素電極與該些對向電極位於不同平面上。
21. 如申請專利範圍第14項所述之顯示面板，其中該畫素陣列基板更包括多個畫素驅動單元，每一畫素驅動單元包括一畫素電極與一對向電極，該些畫素電極具有多個第一條狀圖案且位於同一平面上，該些對向電極位於該些畫素電極下方，且該些畫素電極與該些對向電極相互電性絕緣，其中該些對向電極與該第一導體層電性連接。
22. 一種接觸窗結構的製造方法，包括：形成一第一導體層於一基板上；形成一第一絕緣層以覆蓋該第一導體層與該基板；形成一第二絕緣層以覆蓋該第一絕緣層，其中該第一絕緣層的材質不同於該第二絕緣層的材質，對於相同蝕刻液，該第一絕緣層的被蝕刻速率大於該第二絕緣層的被蝕刻速率，該第二絕緣層靠近該第一絕緣層的部分的被蝕刻速率大於該第二絕緣層遠離該第一絕緣層的部分的被蝕刻速率；蝕刻該第一絕緣層與該第二絕緣層，以於該第一絕緣層形成一第一接觸窗，並於該第二絕緣層形成一第二接觸窗，其中該第一導體層的一部份暴露於該第一接觸窗，該第一接觸窗暴露於該第二接觸窗；以及 形成一第二導體層以覆蓋該第一接觸窗與該第二接觸窗，並接觸該第一導體層暴露於該第一接觸窗的部份，其中該第一絕緣層的材質為氧化矽，該第二絕緣層的材質為氮化矽，該第二絕緣層靠近該第一絕緣層的部分的氮矽比大於該第二絕緣層遠離該第一絕緣層的部分的氮矽比，且該蝕刻液為氫氟酸。
23. 如申請專利範圍第22項所述之接觸窗結構的製造方法，其中形成該第二絕緣層的方法包括使用矽烷與氨氣進行化學氣相沈積製程，並於進行化學氣相沈積製程的過程中調低氨氣對矽烷的比例。
24. 如申請專利範圍第23項所述之接觸窗結構的製造方法，其中進行化學氣相沈積製程的過程中，前段時的氨氣對矽烷的比例為七比一，後段時的氨氣對矽烷的比例為三比一。
25. 如申請專利範圍第23項所述之接觸窗結構的製造方法，其中進行化學氣相沈積製程的過程中，調低氨氣對矽烷的比例的方式是漸進調低。
26. 如申請專利範圍第22項所述之接觸窗結構的製造方法，其中蝕刻該第一絕緣層與該第二絕緣層的方法包括先進行乾式蝕刻再進行濕式蝕刻。
27. 如申請專利範圍第22項所述之接觸窗結構的製造方法，其中在形成該第二導體層之後更包括：形成一第一透明導電層以覆蓋並接觸該第二導體層；形成一第三絕緣層以覆蓋該第一透明導電層；以及形成一第二透明導電層於該第三絕緣層上，以形成一 電容。