TWI489155B

TWI489155B - 極遠紫外光光學部件

Info

Publication number: TWI489155B
Application number: TW100131687A
Authority: TW
Inventors: Norbert R Bowering; Igor V Fomenkov
Original assignee: Asml Netherlands Bv
Priority date: 2006-08-16
Filing date: 2007-07-25
Publication date: 2015-06-21
Also published as: US8907310B2; US8598549B2; TW201213892A; US20110075253A1; KR20130119012A; JP2013016872A; US20080043321A1; US7843632B2; JP2010500776A; WO2008020965A2; TW200820526A; WO2008020965A3; TWI367611B; US20140176926A1; JP5667615B2; KR20090040434A

Description

極遠紫外光光學部件

本發明主張2006年8月16日提申名稱為“極遠紫外光光學部件”的美國專利申請案號11/505,177之優先權，且有關2005年6月29日提申名稱為“LPP極遠紫外光光源驅動雷射系統”之共同審查中的美國專利申請案號11/174,299，事務所案號2005-0044-01、2003年9月23日頒布名稱為“極窄帶、兩室、高重覆率氣體放電雷射系統”的美國專利案號6,625,191，及2003年4月15日頒布且名稱為“具有精密定時控制之射出籽式雷射”的美國專利案號6,549,551，及2003年4月20日頒布且名稱為“極窄帶、兩室、高重覆率氣體放電雷射系統”的美國專利案號6,567,450，其整體內容合併於本文中以供參考。

發明領域

本發明有關極遠紫外光(EUV)光產生器，其從一源材料所生成且收集及導引至一焦點以供EUV光源產生室外側使用(譬如用於半導體積體電路製造光微影術)之一電漿來提供譬如處於50 nm左右及以下的波長之EUV光。

發明背景

光微影術製程中可使用譬如具有50 nm左右或更小波長的電磁輻射(有時亦稱為軟x射線)且包括處於約13.5 nm波長的光之EUV光以在譬如矽晶圓等基材中產生極小的特徵結構。

用於產生EUV光之方法係包括但未必限於將一材料轉換成一具有一諸如氙、鋰或錫、銦、銻、碲、鋁等元素之電漿狀態，其中具有位於EUV範圍中的一發射線。一常稱為雷射產生式電漿(LPP)的此方法中，可藉由以一雷射束來輻照具有所需要線發射元素之一諸如滴粒、物流或叢集的材料等標靶材料來產生所需要的電漿。

一旦產生，EUV光通常被一有時稱為收集器面鏡之多層面鏡所反射。譬如，一建置中，可使用一具有一開孔以容許雷射光在一輻照位址處穿過且抵達標靶材料之正常入射橢圓形反射器。一配置中，可定位一扁長橢球形狀的收集器使其第一焦點設置於輻照位址處且其第二焦點定位在一所謂中間點處(亦稱為中間焦點)其中EUV光可從光源輸出及譬如輸入至一積體電路微影術工具。

部分微影術工具採用一弧場照射場以有效率地輻照該工具的光罩/主光罩。譬如，請見2001年4月3日發予司威特(Sweatt)等人名稱為“極遠紫外光微影術聚光器”之美國專利案號6,210,865，其內容合併於本文中以供參考。因此，對於此型工具，電漿輻照位址處所產生的EUV光可能需被收集、凝聚及定形以生成弧場。一般而言，對於EUV光，使用譬如掠射及/或法向入射面鏡等反射光學部件，各反射導致約20至40%的頻帶中強烈度損失(in-band intensity loss)。因此，可能想要在電漿輻照位址與光罩/主光罩之間使用盡量少個光學部件。

設計高容積EUV光源時所常考慮的另一因素係為可能損害諸如雷射輸入窗、收集器面鏡及/或度量設備等EUV光源光學部件之雜屑的產生及移徙。因此，對於至少部分源材料，電漿生成亦可能在電漿室中產生不良副產品(譬如，雜屑)，其會潛在地損害或降低不同電漿室光學元件的操作效率。此雜屑可包括來自電漿形成之散射雜屑及高能離子、頻帶外光子，譬如源材料的堆塊/微滴粒及/或原子。此雜屑亦可包括來自次級濺鍍的室材料，而對於放電型系統則包括電極材料。基於此理由，常想要採用一或多種技術來盡量減少對於一給定EUV輸出功率所形成之雜屑的類型、相對量及總量。當選擇諸如滴粒直徑等標靶尺寸及/或諸如化學作用等標靶構成以盡量減少雜屑時，標靶有時稱為所謂的“質量限制式”標靶。

高能離子及/或源材料雜屑可能以數種方式損害光學元件，包括使其加熱、以降低光透射之材料將其塗覆、穿透進入其內、及譬如損害結構完整性及/或光學性質，譬如面鏡在此等短波長反射光之能力、將其腐蝕或侵蝕及/或擴散至其內。因此，在設計高容積EUV光源時可能需要考慮雜屑降低及/或降低雜屑衝擊之適當技術。

一種降低雜屑影響之方式係將收集器面鏡移動遠離輻照位址。這則代表應使用一較大收集器面鏡來收集相同的光量。一收集器面鏡的效能，亦即將盡量多之頻帶中的光精確地導引至譬如一焦點之能力係依據形體及表面光製譬如收集器的粗度而定。可能預期隨著收集器面鏡尺寸增大，變得愈來愈難以製造適當的形體及表面光製。一般而言，這些EUV收集器面鏡已包括一鋪覆有一諸如Mo/Si等多層介電塗層之單體性基材。依據應用而定，這些多層面鏡亦可包括沉積在一或多個介面處之薄障壁層且在部分案例中可包括一蓋覆層。收集器面鏡基材要件可包括下列一或多者：真空相容性、機械強度譬如高溫強度、高熱傳導性、低熱膨脹、維度穩定性、被拋光至適當形體及光製之能力、及被硬銲或結合之能力。

有鑒於此，申請人揭露包括收集器面鏡之EUV光學部件、對應的製造方法、及使用方法。

發明概要

第一態樣中，揭露一用於製造一極遠紫外光(EUV)光源面鏡之方法，其可包含下列作用/步驟：提供複數個離散基材；將基材固接在一其中使各基材定向至一共同焦點之配置中；及其後拋光基材的至少一者及以一各別EUV反射多層塗層來塗覆各基材。面鏡可為一法向入射面鏡或掠射入射面鏡。一實行方式中，該配置包含一橢球，且一特定實行方式中，橢球具有大於500 mm的一直徑。一實施例中，複數個基材可包含九個基材。可藉由結合及/或硬銲來達成固接塗層基材之作用/步驟。

另一態樣中，揭露一配合EUV光使用之光學部件，其可包含一基材；一選自由Si、C、Si₃ N₄ 、B₄ C、SiC及Cr所組成之群組的材料之平坦化層，利用高度能量性沉積條件來沉積該平坦化層材料；及一鋪覆於平坦化層之多層塗層。

高度能量性沉積條件可包括沉積期間之基材加熱及/或增加粒子能量。一實施例中，平坦化層係鋪覆於且接觸基材，而一特定實施例中，基材包含SiC。範例中，平坦化層可具有位於3nm至100nm範圍中之厚度且可包含一非晶材料。一實行方式中，多層塗層包含交替層之Mo及Si且一特定實施例中，光學部件為一用於一EUV光源之收集器面鏡。

一特定態樣中，一用於製造一配合EUV光使用之光學部件之方法可包含下列步驟/作用：提供一基材；將一平坦化層沉積在基材上；拋光平坦化層；及將一多層塗層鋪覆於平坦化層。部分案例中，該方法可進一步包含拋光基材之步驟。譬如，基材可包含SiC且平坦化層可包含沉積至位於約5μm至100μm範圍的厚度之晶矽。

一實施例的一態樣中，一製造一法向入射、EUV光源面鏡之方法係可包含下列步驟/作用：提供複數個離散基材，至少一基材藉由從一母片圖案複製而成；以一各別法向入射EUV反射多層塗層來塗覆各基材；及將經塗覆基材固接在一起以形成單一面鏡。基材可包含鎳，譬如鎳合金。一實行方式中，基材的一或多者(或部分案例中為全部)可為可變形性，譬如具有位於約0.5mm至約1.5mm範圍中的厚度之鎳合金。另一實行方式中，基材的一或多者(或部分案例中為全部)可為剛性，譬如具有位於3.5mm至6.5mm範圍中的厚度之鎳合金。複數個基材可藉由從一共同母片圖案複製而成，且部分案例中，基材可由一電積成形複製製程來製成。

對於一態樣，一EUV光源面鏡總成可包含一支撐結構及複數個離散基材，其中各基材塗覆有一各別反射多層塗層且基材的至少一者可被可移式安裝在支撐結構上以容許基材相對於支撐結構作調整。譬如，面鏡總成可包括一致動器，譬如，一具有一可電致動元件之致動器，其譬如為壓電性，用以將基材可移式安裝至支撐結構。一配置中，基材可為可變形且致動器的啟動可使基材變形。另一配置中，基材可為剛性且致動器的啟動可使基材相對於支撐結構平移。基材可安裝在一共同支撐結構上且支撐結構可由一諸如矽-碳纖維複合物、SiC、恒範鋼或不銹鋼等低熱膨脹係數材料製成。一實施例中，面鏡總成係可包括複數個環，其中至少一基材被安裝在至少一環上；及一用以相對於支撐結構可移式安裝至少一環之致動器。一特定實施例中，至少一基材安裝在複數個環上且基材可為可變形性。

另一態樣包括一用於製造及對準一光源收集器面鏡之方法，其可包含下列步驟/作用：提供一支撐結構；以一EUV反射多層塗層來塗覆複數個離散基材；使用一致動器以將基材的至少一者可移式安裝至支撐結構及啟動致動器以相對於支撐結構來調整基材的至少一者。一實行方式中，面鏡可為一用於建立第一及第二焦點之橢球形面鏡且該方法可進一步包含將譬如具有位於可見頻譜之頻率的光等光從第一焦點導引往面鏡以在第二焦點處作測量及使用該測量來啟動致動器及對準基材之步驟。啟動步驟可在面鏡裝設於一光源中、譬如一LPP光源的一電漿室中之後進行，同時面鏡處於升高溫度。

一實施例的另一態樣中，提供用於直接地從一EUV光發射電漿接收光及產生一經定形束以配合一系統使用之EUV光源收集器面鏡，其中該系統在一與光傳播方向呈法向之平面中以一具有譬如弧形等預選形狀之照射場來照射一微影術罩幕。收集器面鏡可包含一支撐結構及複數個斷面，各斷面具有一輪廓形狀，且其中照射場的預選形狀及斷面的輪廓形狀實質地相同。對於此態樣，各斷面可包含一旋轉對稱性反射表面且斷面可安裝在支撐結構上且對準以將光束導引往複數個焦小區(focal spots)。譬如，旋轉對稱性反射表面可為一球體的一偏離軸線式表面分段，一非球體的一表面分段或一超環面的一位於軸線式表面分段。一實行方式中，至少一斷面為弧形且一特定實行方式中，面鏡可包含超過50個斷面。可想見數種配置，包括一將斷面定位在一概呈橢球圖案中之配置，一將斷面定位在一概呈拋物線形圖案中之配置，及一將斷面定位在一概呈近拋物線形圖案中之配置。一建置中，提供複數個致動器，其中各致動器將一各別斷面可移式安裝至支撐結構。

一實施例的另一態樣中，揭露一用於在一對於光傳播方向呈法向之平面中均質化及定形從一EUV光發射電漿至一罩幕的光作為一具有譬如弧形等預選形狀的照射場之光學配置。該配置可包含一EUV反射面鏡，其包含複數個反射表面及一直接地從電漿接收光之法向入射、EUV光源收集器面鏡，收集器面鏡具有複數個斷面，其中各斷面具有一輪廓形狀，且其中照射場的預選形狀及斷面的輪廓形狀實質地相同。對於此態樣，該配置可進一步包含一EUV光凝聚器面鏡。一實施例中，EUV反射面鏡的反射表面可配置於一概呈平面性圖案中且在一特定實施例中，收集器面鏡的斷面可包含一旋轉對稱性反射表面。

另一態樣中，一用於EUV面鏡之抗腐蝕、多層塗層可包含複數個雙層，各雙層具有一包含Si之層及一包含一具有氮與一第五週期過渡金屬(譬如，Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag或Cd)的化合物材料之層。一實施例中，第5週期過渡金屬選自由Nb、Mo及Ru所組成的群組且一特定實施例中，化合物材料為譬如MoN、MoNbN或NbN等氮化物。

圖式簡單說明

第1圖顯示用於一雷射產生式電漿EUV光源之一整體廣泛概念的示意圖；

第2圖為顯示用於製造一EUV光源面鏡的製程步驟/作用之流程圖；

第3圖顯示一已藉由將九個經塗覆基材結合/硬銲在一起所製造之橢圓形EUV收集器面鏡之正視圖；

第4圖為顯示一平坦化層之一EUV光學部件的放大剖視圖；

第5圖為一多層系統之放大未依實際比例剖視圖；

第5A圖為一具有一相對較厚平坦化層之MLM面鏡的一替代性實施例之放大未依實際比例剖視圖；

第6圖顯示一已藉由將八個相同形狀的經塗覆基材固接在一起所製成之橢圓形、法向入射、EUV收集器面鏡的正視圖；

第7圖顯示一用於一收集器面鏡之單體性、蜂巢支撐結構的一範例；

第8圖顯示一用於一收集器面鏡之單體性、等邊三角形肋、支撐結構的一範例；

第9圖顯示一收集器面鏡，其中多重的經塗覆基材可被可移式安裝在一支撐結構上以容許利用致動器使各基材相對於一支撐結構作調整；

第10圖顯示一用於均質化及定形從一EUV光發射電漿製一罩幕的光作為一弧形照射場之光學配置的示意圖；

第11圖顯示一供使用於第10圖所示的配置中之多斷面式收集器面鏡的正視圖；

第12圖顯示一供使用於第11圖所示的收集器面鏡中之面鏡斷面的立體圖；

第13圖顯示一供使用於第10圖所示的配置中之多斷面式光瞳面鏡的正視圖；

第14圖顯示一適合輻照一EUV光罩/主光罩之維度式、弧形照射場的一範例；

第15圖為一抗腐蝕性多層面鏡之放大未依實際比例剖視圖；及

第16圖顯示對於具有MoN/Si雙層、NbN/Si雙層及MoNbN/矽雙層的多層面鏡之經計算反射率。

較佳實施例之詳細說明

首先參照第1圖，顯示一示範性EUV光源、譬如根據一實施例的一態樣之一雷射產生式電漿EUV光源20之示意圖。如圖所示，LPP光源20可包括一脈衝式或連續性雷射源22，譬如以相對較高功率及高脈衝重覆率操作的DC或RF激勵產生10.6μm輻射之一脈衝式氣體放電CO₂ 雷射源。譬如，在整體內容先行合併於本文中以供參考之2005年6月29日提申且名稱為“LPP EUV光源驅動雷射系統”、事務所案號2005-0044-01的共同審查中美國專利申請案號11/174,299中揭露一具有一MO-PA1-PA2-PA3組態之適當CO₂ 雷射源。

依據應用而定，亦可能適合採用其他型雷射。譬如，可能適合採用一固態雷射，一受激準分子，一分子氟雷射，一MOPA組態式受激準分子雷射系統，譬如美國專利案號6,625,191、6,549,551及6,567,450所示，一具有單室之受激準分子雷射，一具有不只兩室之受激準分子雷射，譬如一振盪器室及兩放大室(放大室呈現並聯或串聯)，一母片振盪器/功率振盪器(MOPO)配置，一功率振盪器/功率放大器(POPA)配置，或一用於籽化一或多個CO₂ 之固態雷射，受激準分子或分子氟放大器或振盪器室。可能具有其他設計。

進一步如第1圖所示，光源20亦可包括一源材料輸送系統24，譬如將一源材料滴粒輸送至一室26的內部中到達一標靶容積28，其中源材料將被一或多個光脈衝(譬如一預脈衝及其後的一主脈衝)所輻照，以產生一電漿且產生一EUV發射。源材料可包括但不限於一包括錫、鋰、氙或其組合之材料。譬如錫、鋰、氙等EUV發射元素可為液體滴粒及/或包含在液體滴粒內的固體粒子之形式或用於將EUV發射元素輸送至標靶容積之任何其他形式。

繼續參照第1圖，光源20亦可包括一收集器30，譬如一法向入射反射器，譬如一截角橢圓的形式，譬如一具有交替層的鉬及矽之多層面鏡，其具有一可容許源22所產生的光脈衝穿過且抵達標靶容積28之開孔。收集器30可譬如為一橢圓形面鏡，具有一位於標靶容積28內或近處的第一焦點，及一位於一所謂中間點40之第二焦點(亦稱為中間焦點40)其中EUV光可從光源20輸出且輸入至譬如一積體電路微影術工具(未圖示)。

光源20亦可包括一EUV光源控制器系統60，其亦可包括一發射控制系統65以觸發源22中的一或多個燈及/或雷射源藉以產生光脈衝以供輸送至室26內。此外，光源20可包括一可包括一或多個滴粒成像器70之滴粒位置偵測系統，滴粒成像器70提供一指示一或多個滴粒譬如相對於標靶容積28的位置之輸出且將此輸出提供至一滴粒位置偵測回饋系統62，其可譬如運算一滴粒位置及軌跡，可譬如以逐一滴粒基礎或平均地自其運算岀滴粒誤差。滴粒誤差隨後可以一輸入提供至光源控制器60，其可譬如提供一位置、方向及定時矯正信號至源22以控制一源定時電路及/或控制一束位置及定形系統，譬如藉以改變被輸送至室26之光脈衝的區位及/或焦度(focal power)。

如第1圖所示，光源20可包括一滴粒輸送控制系統90，可回應於來自系統控制器60之一信號(其在部分實行方式中可包括上述滴粒誤差，或自其輸送的部分數量)而操作，以譬如修改源材料從一滴粒輸送機構92之釋放點以矯正抵達所想要標靶容積28之滴粒中的誤差。

交叉參考第1及3圖可看出，包括一中央橢球形基材110及八個周邊基材112a-h之九個基材110、112a-h係可配置為單一相對較大的橢球面鏡30，在部分案例中容許一具有大於500 mm的直徑d之橢球。雖然顯示一具有九個基材110、112a-h的實施例，請瞭解可利用此處所述的程序將大於九個及少達兩個基材接合在一起。對於部分應用，使用上述技術可容許使用單晶矽來生成原本技術及/或經濟上不可行的面鏡尺寸，然而，此揭示中不應將任何項目詮釋為使製造方法限於任何特定類型的基材材料或尺寸。

第4及5圖顯示一用於一光學元件基材之塗層，諸如第1圖所示的收集器面鏡30。如此處所述，第4及5圖所示的塗層及塗覆製程可使用於多基材諸如第1及3圖所示的面鏡30，單基材譬如單體性面鏡，法向入射面鏡諸如收集器面鏡，掠射入射面鏡(譬如通常使用譬如釕等金屬性塗層之低角度(<20度)掠射入射面鏡，及通常使用諸如介電多層塗層、譬如Mo/Si多層塗層等多層塗層之高角度(20至40度)掠射入射面鏡)等上。此外，第4及5圖所示的塗層及塗覆製程可使用於塗覆有一多層塗層之任何其他EUV光學部件上。

從第4圖開始，為了配合13nm光使用，基材118a可由下列製成：矽包括單晶及多晶材料，鋁擴散強化無氧高電導率銅合金(glidcop)，浮式玻璃，ULE玻璃(超低膨脹玻璃)，陶瓷玻璃(Zerodur)，熔合矽石，鋁，鈹，銅，鎳或鎳合金，碳化矽包括高密度SiC及其他密度，不同技術所產生的SiC諸如CVD SiC，CVC SiC，反應結合式SiC，及其他複合物包含SiC或相關技藝已知或將得知的其他適當基材材料。塗層可包括一層130，其可能為沉積在基材118a上以鋪覆於且接觸基材的一表面之所謂平坦化層，如圖所示。第4圖顯示塗層可進一步包括一鋪覆於層130之多層系統132。如此處所用，“平坦化層”用語及其衍生物係包括但未必限於一促進一鋪覆於平坦化層之後續施加層中的平坦光製之層且可藉由生成對於鋪覆於平坦化層上之一或多個後續層的一平坦化層來進行此功能，包括頂塗覆物，平坦化層的平坦表面係依沉積現狀生成或在譬如拋光等後續操作之後生成。

特定言之，平坦化層可能適合使用於難以拋光之光學部件上，譬如非球形光學部件，然而，其亦可具有用於其他光學部件之應用，譬如扁平光學部件及球形光學部件。平坦化層亦可適用於平坦化及改良以一多層塗層被重新塗覆前之一所使用EUV光學部件(其可能已受到侵蝕、雜屑沉積、污染等)的表面條件。

一實施例中，層130可包括已利用高度能量性沉積條件被沉積之一平坦化層材料諸如Si、C、Si₃ N₄ 、B₄ C、SiC、Cr、CrSiC₂ 、MoC₂ 或MoSi₂ 。高度能量性沉積條件可包括相較於標準沉積技術利用增加的粒子能量作基材加熱及/或沉積該材料。如此處所用，“粒子”用語及其衍生物係包括但不限於一特定化學元素或分子的離子及中性物(neutrals)。譬如，基材可被加熱至位於約100至200度C範圍中之一溫度。

沉積期間供應(藉由沉積期間基材加熱或增加離子及中性物的能量)之高能量係可增加沉積期間表面上之原子活動力，其轉而可導致平坦化作用。典型的離子能量可能位於數個100 eV至數個1000 eV的範圍中。可使用一掠射離子入射角經由離子拋光獲得一平坦表面。部分案例中，可有利地首先在沉積平坦化層之前藉由某時間長度的離子轟擊來處理表面。這可導致施加平坦化層前之基材表面上的最粗特徵結構之消除。

雖然第4圖顯示單一平坦化層130，此處所提供的揭示不限於單一連續性沉積製程期間所沉積的單一平坦化層。取而代之，可施加多重平坦化層，其具有不同之平坦化材料及/或沉積時間，且可在沉積之間進行譬如拋光等其他處理步驟。譬如，可施加平坦化層然後作離子轟擊拋光，且後續施加另一平坦化層。各層可施加一不同時程。並且，可在沉積期間之中或之間使用藉由氬離子或其他濺鍍離子之離子轟擊的不同能量。

層30可利用相關技藝已知之沉積技術來沉積，諸如但不限於藉由熱源或電子束的物理氣相沉積，或離子輔助式沉積。層130沉積之前，基材可利用一或多下列技術作清理以包括超音波水性清理及/或溶劑清理，譬如使用高純度甲醇或部分其他適當溶劑。部分案例中，且對於譬如碳及氮化矽等部分材料，層130可沉積至低於供發生結晶以獲得實質非晶塗層12的臨界厚度之一厚度“t”。對於部分實施例，平坦化層可具有位於3nm至100nm範圍中的厚度。所使用厚度通常將依據所使用材料(譬如基材及平坦化材料)而定。譬如，對於Si，可使用5至20nm厚度，而對於鉻，可使用20至40nm厚度。

部分案例中，可經由充分能量性沉積條件期間由多價化學鍵與表面原子所引發之非晶層生長來提供高度的基材平坦化。因此，除了碳(C)及矽(Si)外，可能適合採用含有如SiC、B₄ C、Si₃ C₄ 等化合物之薄層的碳或矽。鉻或CrSi₂ 由於其生長性質亦可形成一良好平坦化層，譬如可對於廣泛範圍的沉積參數生長20nm至40nm厚之非晶層的鉻。

第5圖更詳細地顯示第4圖所示可沉積於層130上之一多層系統132。如圖示，多層系統132可包括複數個雙層134a、134b、134c，其可橫越面鏡的面呈階化。對於多層系統132，各雙層可包括一層的一具有折射率n₁ 之第一介電材料，及一層的一具有折射率n₂ 之第二介電材料，其中n₁ ≠n₂ 。譬如，對於所顯示的系統132，雙層134a可具有一層136a的鉬(Mo)及一層136b的矽(Si)，雙層134b可具有一層138a的Mo及一層138b的Si，且雙層134c可具有一層140a的Mo及一層140b的Si。部分設計中，各層的多層系統132可具有可能近似為λ/4(部分案例中為λ/2)之一層厚度，其中λ為照射於光學部件的光之一選定中心波長，譬如13nm。可能利用上述技術的一者來沉積多層系統132的各層。

第5A圖顯示一具有一平坦表面光製的MLM面鏡142之一替代性實施例。對於此實施例，首先製備一譬如可能為SiC之基材，且在部分案例中加以拋光。然後，沉積一相對較厚的平坦化層146，譬如位於約5μm至100μm，且部分案例中約為10μm至25μm範圍中的厚度之晶矽。可利用電子束蒸鍍來沉積平坦化層，且通常可能不需要上述能量性條件。平坦化層可隨後譬如利用原子性拋光被拋光，然後塗覆一多層塗層148，圖所示。

第6圖顯示一已藉由將相同形狀經塗覆基板150a-h(譬如，塗覆有EUV法向入射、多層塗層之基材)固接在一起所製成之橢圓形、法向入射、EUV收集器面鏡的正視圖。對於第6圖所示的面鏡，可從一母片圖案複製藉以製造各基材150a-h。譬如，此複製可利用一電積成形複製製程來進行，其中譬如藉由電蝕性沉積將一譬如鎳合金等材料沉積至母片圖案上且隨後利用熱分離技術予以分離，譬如利用鎳合金與圖案材料之間的熱膨脹係數差異。利用此製程，可獲得具有位於約0.5mm至約1.5mm範圍中的厚度之鎳合金的基材以產生可變形基材且可獲得具有位於3.5mm至6.5mm範圍中的厚度之鎳合金的基材以產生一相對較剛性的基材。從一共同母片圖案之複製係可能導致一用於製造相對較大EUV面鏡之相對較便宜的生產技術。雖然對於第6圖所示的面鏡使用八個基材150a-h，請瞭解可利用此處所揭露的複製技術來製造具有大於八個及少達一個基材之面鏡(譬如用以產生多重面鏡)且可使用該技術來產生具有部分相同基材及部分不同基材之面鏡(諸如第3圖所示的面鏡)。

諸如第6圖所示的基材150a-h等之多重基材可由結合、硬銲及/或譬如螺栓作用等機械緊固被固接在一起。譬如，基材150a-h可固接至一共同譬如單體性支撐結構諸如第7圖所示的蜂巢支撐結構700或第8圖所示的等邊三角形肋結構800。對於鎳合金複製式基材，可能想要製造鎳合金的支撐結構以利硬銲且使得基材及支撐結構具有類似或相同的熱膨脹係數。用於支撐結構之其他適當材料可包括低熱膨脹係數材料諸如Si-碳纖維複合物、SiC、恒範鋼或不銹鋼。

第9圖顯示一收集器面鏡30”的一實施例，其中多重基材900a-h可被可移式安裝在一支撐結構上以容許經由致動器902a-h相對於支撐結構來調整各基材900a-h。對於圖示實施例，支撐結構可包括複數個環904、906，其中各基材900a-h的各角落附接至一致動器902a-p，致動器902a-p轉而附接至環904、906的一者。另一配置中，基材可剛性地附接至環，環隨後經由一或多個各別致動器可移式附接至一支撐結構，諸如第7或8圖所示的結構之一者。另一配置中，基材可經由一或多個各別致動器被可移式附接至一支撐結構(亦即，不具有環)，諸如第7或8圖所示的基材之一者。

對於收集器面鏡30”，致動器902a-p可具有一譬如壓電性等可電致動元件，以將基材可移式安裝至支撐結構。如此處所用的“可電致動元件”及其衍生物用語係指一當受到電壓、電場、磁場、或其組合時將經歷維度變化之材料或結構，且包括但不限於壓電性材料、電致伸縮性材料及磁致伸縮性材料。

如上述，各基材900a-h可為可變形性且致動器902a-p的一者之致動可能使基材變形。另一配置中，各基材900a-h可為剛性且致動器902a-p的一或多者之啟動可能使一基材900a-h相對於支撐結構平移。部分案例中，可在面鏡30”裝設於一光源中(譬如一LPP光源的一電漿室中)、同時面鏡30”位於升高溫度及/或處於高真空之後經由致動器902a-p進行基材900a-h的調整。在此例中，可利用一高溫、壓電性材料、譬如額定用於150℃服務之壓電性材料來製造致動器。

可交叉參考第1及9圖來描述一用於製造及對準一光源收集器面鏡之程序。如第1圖所示，橢球面鏡建立一第一焦點28及一第二焦點40，其可用來對準收集器面鏡30及/或構成收集器面鏡之個別基材的一或多者。因此，可對於一具有一單件式譬如單體性基材、固接在一起以形成一剛性構造的多重基材、或可相對於一支撐結構/環及/或相對於彼此可調式移動的多重基材之面鏡採用該程序。

對於該程序，一光源可定位在電漿室內側且定向為將譬如具有位於可見頻譜中的一頻率之光等光從譬如點28等第一焦點導引往面鏡30以在譬如點40等第二焦點處作測量。然後可利用此測量來選擇性地啟動致動器902a-p的一或多者及對準基材900a-h的一或多者。可在面鏡30裝設於一光源中(譬如一LPP光源的一電漿室中)、同時面鏡30處於升高溫度及/或處於真空下之後進行測量及啟動步驟。

第10圖顯示一用於收集及/或均質化及/或定形從一EUV光發射電漿1002至一平面1004(譬如罩幕平面)的光在一與概括傳播方向呈法向之平面中作為一定形譬如弧形或長方形照射場亦即一具有譬如弧或長方形等預選形狀的束之光學配置(概標為1000)(亦請見第14圖)。如圖所示，配置1000可包括一EUV光源收集器面鏡1006，一EUV反射面鏡1008，譬如一光瞳面鏡，及一凝聚器面鏡1010。一般而言，如圖所示，來自電漿1002之光的一部分首先抵達收集器面鏡1006，其在該處被反射及導引至面鏡1008而其在該處被反射及導引至凝聚器面鏡1010而其在該處被反射及導引至平面1004。

交叉參考第10及11圖，可看出收集器面鏡1006可包括複數個個別斷面，其中斷面1012a-c已標示編號。雖然第11圖中顯示數百個斷面，請瞭解可在收集器面鏡1006中使用大於數百個及少達兩個的斷面。更特定言之，包含可使用約50至1000個斷面。

第12圖顯示使用於收集器面鏡1006中之一斷面1012的一範例。對於收集器面鏡1006，斷面1012的一或多者可具有一具有與照射場的選定形狀(亦即，一在微影術罩幕處對於光傳播方向呈法向的平面中之形狀)呈實質相同形狀的一輪廓形狀(其對於第12圖所示的斷面為弧形)之反射表面1014。因此，對於一弧場微影術工具，斷面1012可具有一弧形的輪廓形狀，對於一長方形場微影術工具，斷面1012可具有一長方形的輪廓形狀，等等。

利用具有一包含弧形斷面的多斷面式面鏡之一EUV光源下游之一面鏡對以產生一弧場之方式係已先行揭露於滝野(Takino)等人所著且刊行於2003年九月的Opt. Eng. 42(9)之標題為“一用於極遠紫外光微影照射系統之複雜形狀面鏡之製造”的文件中及小松田(Komatsuda)所著且刊行於Proc. SPIE 3997,765-776(2000)之“用於EUVL的新穎照射系統”中，兩文件皆被合併於本文中以供參考。

對於配置1000，各斷面1012可具有一凹形旋轉對稱性反射表面1014，譬如，一球體的一偏離軸線式表面分段，一非球體的一表面分段或一超環面的一位於軸線式表面分段。並且，各斷面1012可塗覆有一法向入射EUV反射塗層，譬如多層介電塗層，譬如Mo/Si塗層。不只一個、且部分實行方式中所有的收集器面鏡斷面可能相同。並且，不只一個、且部分案例中所有的收集器面鏡斷面可能利用一如上述的複製製程來製造，或可為切割、研磨及拋光件。藉由範例而非限制，各斷面1012可為長方形及弧形如第12圖所示且可具有約40mm的長度“L”，約10mm的寬度“W”及約1mm的厚度“T”。藉由此形狀，可達成約90%的一充填因數。

第10圖顯示斷面1012a-c可安裝在一支撐結構1016上且配置於一圖案中，譬如可能概呈橢球形、概呈拋物線形或概呈近拋物線形圖案等之週期性圖案。在概括圖案內，各斷面1012a-c可個別地對準，以將一束光導引往一特定小區(spot)，因此，從斷面1012至斷面1012可能有不均勻的對準。

一建置中，致動器1018可能設有一或多個將一各別斷面可移式安裝至支撐結構之致動器(譬如一具有一譬如壓電性等可電致動元件之致動器)，譬如，可提供兩致動器以提供兩軸線，譬如翻倒-傾斜控制。或者，可提供一配置(未圖示)而其中一致動器可移動一或多個斷面。致動器可用來在光源/微影術工具操作之前及/或操作期間對準斷面1012且可回應於譬如由譬如光偵測器陣列、波前感測器等一光學偵測器所產生的一控制信號來操作。

可交叉參照第10及13圖更加能夠瞭解面鏡1008，譬如光瞳面鏡。如圖所示，面鏡1008可包括複數個個別斷面，其中斷面1020a-c已標示編號。雖然第13圖只顯示一部分譬如約二十個斷面，請瞭解面鏡1008的整個可操作表面皆可覆有斷面1020。

第13圖顯示斷面1020可為六角形且放置在一將充填空間以降低強烈度損失之配置中。各斷面1020可塗覆有一法向入射EUV反射塗層，譬如多層介面塗層，譬如Mo/Si塗層。不只一個、且部分實行方式中所有的斷面120可能相同。並且，不只一個、且部分案例中所有的面鏡斷面1020可利用如上述的一複製製程加以製造，且可為切割、研磨及拋光件。藉由範例而非限制，各斷面1020可如第12圖所示為六角形且可具有約10至30mm的寬度。

第10圖顯示斷面1020a-c可安裝在一支撐結構1024上且配置於一圖案中，譬如週期性圖案而其譬如可為平面性，如圖所示。概括圖案內，各斷面1020a-c可個別地對準以將一束光導引往凝聚器面鏡1010上的一特定小區，因此從斷面1020至斷面1020可能具有不均勻的對準。

一建置中，致動器1026可能設有一或多個將一各別斷面可移式安裝至支撐結構之致動器(譬如一具有一譬如壓電性等可電致動元件之致動器)，譬如，可提供兩致動器以提供兩軸線，譬如翻倒-傾斜控制。或者，可提供一配置(未圖示)而其中一致動器可移動一或多個斷面。致動器可用來在光源/微影術工具操作之前及/或操作期間對準斷面1012且可回應於譬如由譬如光偵測器陣列、波前感測器等一光學偵測器所產生的一控制信號來操作。

從多斷面式面鏡1008，光可被凝聚器面鏡1010凝聚在平面1004上，如第10圖所示。譬如，面鏡1010可為一凹形、EUV法向入射面鏡，譬如具有一多層介電塗層，譬如Mo/Si塗層。第14圖顯示位於平面1004、譬如光罩/主光罩平面處之一維度式、弧形照射場1028。

第15圖更詳細地顯示一可沉積在一基材118a及/或層130上之多層系統1132(請見第4圖)。如第15圖所示，多層系統1132可包括複數個雙層1134a、1134b、1134c，其可橫越面鏡的面呈階化。對於多層系統1132，各雙層可包括一層的一具有折射率n₁ 之第一介電材料，及一層的一具有折射率n₂ 之第二介電材料，其中n₁ ≠n₂ 。譬如，對於所顯示的系統1132，雙層1134a可具有一包括一具有氮及一或多個第5週期過渡金屬(譬如，Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag及Cd)的化合物材料之層1136a及一層1136b的矽(Si)。特定言之，Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd(及其合金)之氮化合物對於13nm至14nm間的波長之光顯示出相對較好的反射率。

這些抗腐蝕、EUV反射性、多層塗層可使用於傾向於氧化次等材料之環境中。一般而言，氧化物層可導致相對較大的EUV光吸收，譬如13.5 nm左右波長之光且可能造成塗層劣化。因此，大部份案例中，若可避免氧化，可維持面鏡的較高反射係數且可預期較長的面鏡壽命。一種氧化來源可能來自於通常出現在電漿真空室中之相對較高的水蒸氣含量及/或當室通風時塗層可能曝露於氧接觸。當採用譬如HBr氣等雜屑移徙蝕刻劑時，矽層可比其他雙層材料(譬如，對於一標準Mo/Si MLM之Mo)更快被蝕除而可容許氧化鉬層形成於多層塗層的頂部上。並且，可能隨時間經過，藉由來自電漿之離子轟擊及/或藉由譬如來自HBr清理氣體之蝕刻以蝕除數層。

一般而言，譬如TM_x N_y 等過渡金屬氮化物比起其純過渡金屬而言更能抵抗氧化物。此外，對於氮化物傾向於具有較低之層互混作用。因此，具有過渡金屬氮化物之MLM塗層亦可具有改良的高溫穩定性。雖然譬如MoN等部分過渡金屬氮化物在13.5 nm比其純過渡金屬(譬如Mo)吸收更強，反射率仍可能適宜。利用具有過渡金屬氮化物之複數個雙層、且在部分案例中所有雙層，可藉由電漿離子轟擊或含鹵素清理氣體同時維持一抗腐蝕表面來蝕刻可犧牲層。

部分設計中，多層系統1132的各層可具有可能近似λ/4的層厚度(部分案例中為λ/2)，其中λ為照射光學部件的光之選定中心波長，譬如13.5nm。可利用上述技術的一者來沉積多層系統132的各層。部分實行方式中，可藉由將氮摻合至濺鍍氣體(亦即藉由反應性濺鍍)在沉積期間導入氮化。對於此實行方式，氮化程度可改變且層的總氮含量可降低至1:1化學計量氮含量以下。這可能由於氮吸收物降低而增加反射率。亦可能使用一MoRu合金標靶而非純Mo或純Ru。在此例中，形成MoRuN(Mo_x Ru_y N_z )。相關的過渡金屬中，釕特別可抗氧化。因此，當對於過渡金屬層使用Ru或含Ru合金時可施加低的氮化程度。

第16圖顯示對於具有MoN/Si雙層、NbN/Si雙層及MoNbN/矽雙層的多層面鏡之所計算的反射率。RuN及RhN層(未圖示)提供略微較低的峰值反射率。對於該計算，使用0.4的層比值且層數為60。介面粗度不列入考慮。對於MoN的層週期為6.90 nm，對於NbN為6.88 nm且對於MoNbN為6.89 nm。對於MoNb，採用1:1合金混合物。如圖所示，經計算的峰值反射率位於約67至69%範圍中，然而，可達成的反射率值通常由於有限層粗度而將為較低，譬如55%左右。

熟習該技術者將瞭解，上文所揭露的主體物之實施例的態樣預定可滿足揭露各申請專利範圍的主體物之至少一致能實施例之要件且只是一或多個此等示範性實施例而未限制任何申請專利範圍的範圍且特別不單限於一特定揭露實施例。可對於將由熟習該技術者所瞭解及理解之申請專利範圍的所揭露主體物之所揭露態樣作出許多變化及修改，特別是就基於均等物原理之申請專利範圍的詮釋來說。申請專利範圍在範圍與意義上預定不只涵蓋所主張主體物的實施例之所揭露態樣亦涵蓋此等均等物及熟習該技術者所得知的其他修改與變化。除了對於上述本發明所揭露主體物之所揭露及主張態樣的變化及修改，亦可實行它者。

雖然需滿足35 U. S. C. §112之此專利申請案所詳細描述及顯示的EUV光學部件之實施例的特定態樣完全地能夠達成任何上述目的，為了解決問題或任何其他理由或一上述實施例的態樣之目的，熟習該技術者瞭解所主張的主體物之所描述實施例的目前描述態樣只供示範、說明及代表所主張主體物所廣泛包含的主體物。目前描述及主張的實施例態樣之範圍完全地涵蓋此時基於說明書的教導對於熟習該技術者可能為明顯或可變成明顯之其他實施例。目前EUV光學部件的範圍僅僅且完全只受限於申請專利範圍且不超過申請專利範圍的引述。除非明示，以單數提及此等申請專利範圍中的一元件並無意指且不應指將此申請專利範圍元件詮釋為“一且唯一”，而是“一或多個”。一般熟習該技術者將得知或稍後得知之對於實施例上述態樣的任何元件之所有結構性及功能性均等物係被明示合併於本文中以供參考且預定被申請專利範圍所涵蓋。本申請案中在說明書及/或申請專利範圍中所使用或說明書及/或申請專利範圍中所明示提供一意義之任何用語將具有該意義，而不論此用語的任何字典或其他常用意義。身為一實施例的任何態樣之說明書中所討論的一裝置或方法無意或需要解決此申請案中所揭露的實施例態樣企圖解決之各項及每項問題，因為其被申請專利範圍所涵蓋。本揭示中並無元件、組件或方法步驟預定貢獻予公眾，不論該元件、組件或方法步驟是否明示引述於申請專利範圍皆然。申請專利範圍中並無申請專利範圍元件在35 U. S. C. §112，第六段的條款下構成，除非該元件利用“用於之裝置”片語被明示引述，或在一方法請求項的案例中，該元件被引述為一“步驟”而非一“作用(act)”。

熟習該技術者亦將瞭解，在實行美國的專利法規，申請人已經揭露本申請案的說明書所附之任何各別申請專利範圍中所引述的各發明之至少一項致能及工作實施例且或許在部分案例中只有一項。為了縮減專利申請案的長度及撰寫時間並使本專利申請案對於發明人及他人更為可讀，界定所揭露主體物的一實施例之一態樣/特徵結構/元件的任何其他定義之描述及/或機能性或一作用之一態樣/特徵結構/結構時，申請人在本申請案中各處不時使用限定動詞(譬如，“為(is)”、“是(are)”、“做(does)”、“具有”、“包括”或類似物)及或其他限定動詞(譬如，“產生”、”造成”、“樣本”、“讀取”、“信號”或類似物)及/或動名詞(譬如，“產生”、“使用”、“取得”、“保持”、“使得”、“決定”、“測量”、“計算”或類似物)。每當使用任何此限定詞或片語或類似物來描述此處所揭露的任何一或多實施例之一態樣/特徵結構/元件(亦即，任何特徵結構、元件、系統、次系統、組件、次組件、製程或演算法步驟、特別是材料、或類似物)時，其應被閱讀藉以詮釋申請人已經發明、及主張之主體物的範圍以在前面具有一或多個、或全部的下列限制片語：“藉由範例”、“譬如”、“一範例中”、“僅供示範”、“僅藉由示範”等，及/或包括任一或多個、或全部的下列片語：“可能為”、“會為”、“有可能為”、“可為”及類似物。所有此等特徵結構、元件、步驟、材料及類似物應視為只描述作為一或多個揭露實施例的一可能態樣而非所主張的主體物之唯一可能實施例及/或任何實施例的任一或多個態樣/特徵結構/元件之唯一可能實行方式，即若在符合專利法規的要件時，申請人已只發現所主張主體物的任何實施例或一實施例之任何此等態樣/特徵結構/元件的單一致能範例亦然。除非在本申請案或此申請案的實行中明確且特定地陳述申請人相信所主張的主體物之任何揭露的實施例或任何特定揭露的實施例之一特定態樣/特徵結構/元件等同於一且唯一的實行所主張主體物之方式或任何此申請專利範圍所引述的任何態樣/特徵結構/元件，申請人並無意使本專利申請案中所主張的主體物之任何揭露實施例的任何揭露態樣/特徵結構/元件的任何描述或整個實施例被詮釋為此一且唯一的實行所主張主體物之方式或其任何態樣/特徵結構/元件，及因此將廣泛足以涵蓋所主張主體物的任何此等所揭露實行方式及其他可能實行方式之任何申請專利範圍限制為此所揭露實施例的此揭露態樣/特徵結構/元件或此所揭露實施例。申請人確切地、明示地且清楚地預定使自其依附的任何請求項成為一具有自其直接或間接地依附的母請求項或請求項中所引述之所主張主體物的任何態樣/特徵結構/元件、步驟或類似物的任何進一步細節之依附請求項被詮釋為代表母請求項中的引述足夠廣泛以涵蓋依附請求項的進一步細節及其他實行方式且該進一步細節不是實行任何此母請求項所主張的態樣/特徵結構/元件之唯一方式，且因此不以任何方式受限於任何此母請求項的較廣泛態樣/特徵結構/元件的範圍，包括將依附請求項的進一步細節包括在母請求項內。

20．．．雷射產生式電漿EUV光源

22．．．脈衝式或連續性雷射源

24．．．源材料輸送系統

26．．．室

28．．．第一焦點

30,30”．．．收集器面鏡

40．．．中間點，中間焦點，第二焦點

60．．．EUV光源控制器系統

62．．．滴粒位置偵測回饋系統

65．．．發射控制系統

70．．．滴粒成像器

90．．．滴粒輸送控制系統

92．．．滴粒輸送機構

100．．．製備複數個離散基材

102．．．定位及對準各基材以建立一共同焦點

104．．．將基材結合/硬銲在一起以生成單一面鏡

106．．．將基材拋光至一細微形體/光製

108．．．以一多層塗層來塗覆各基材

110,112a-h,118a,150a-h．．．基材

130．．．層

132,1132．．．多層系統

134a,134b,134c,1134a,1134b,1134c．．．雙層

136a．．．鉬(Mo)層

138a,140a．．．Mo層

138b,140b．．．Si層

142．．．MLM面鏡

146．．．相對較厚的平坦化層

148．．．多層塗層

700．．．蜂巢支撐結構

800．．．等邊三角形肋結構

900a-h．．．多重基材

902a-p,1018,1026．．．致動器

904,906．．．環

1000．．．光學配置

1002．．．EUV光發射電漿

1004．．．平面

1006．．．EUV光源收集器面鏡

1008．．．EUV反射面鏡

1010．．．凝聚器面鏡

1012,1012a-c,1020,1020a-c．．．斷面

1014．．．反射表面

1016,1024．．．支撐結構

1028．．．維度式、弧形照射場

1136a．．．化合物材料層

1136b．．．矽(Si)層

d．．．直徑

L．．．斷面長度

n1．．．第一介電材料折射率

n2．．．第二介電材料折射率

t．．．厚度

T．．．斷面厚度

W．．．斷面寬度

λ．．．照射於光學部件的光之選定中心波長