TWI487451B - Manufacturing method of multilayer printed wiring board - Google Patents

Description

多層印刷配線板之製造方法

本發明係關於多層印刷配線板之製造方法，更詳而言之，係關於積層(build-up)型之多層印刷配線板之製造方法。

近年來，如行動電話等攜帶式資訊終端所代表，電子機器的小型化及高功能化不斷在進展。因此，對於電子機器所使用的印刷配線板的高密度化的要求不斷提高。

因此，為了在印刷配線板高密度安裝電子零件等，積層型的多層可撓性印刷配線板不斷被研究開發(參照例如專利文獻1)。該積層型多層可撓性印刷配線板係以雙面可撓性印刷配線板或多層可撓性印刷配線板為核心基板，在該核心基板的雙面或單面形成1～2層程度的增層(build-up layer)者。在該積層型多層可撓性印刷配線板，為了將增層與內層的核心基板作電性連接，設置在有底型的通孔(導通用孔)的內壁施行鍍敷處理而得到層間導通的鍍敷通孔。

但是，隨著該有底型的通孔變深，會產生以下問題。首先，由於印刷配線板的各構成構件作熱膨脹，鍍敷通孔容易被破壞。此外，為了獲得層間導通，當在有底型的通孔的內壁形成鍍敷皮膜時，鍍敷液變得容易滯留在通孔的底部，因此無法獲得所希望的鍍敷厚度。基於如上所示之理由，有底型通孔愈深，愈不易確保通孔配線的電氣可靠性。

以該問題的對策而言，考慮在有底型的通孔的內壁形成充分厚的鍍敷皮膜。但是，若在形成在有底型通孔內壁的鍍敷皮膜的厚度增加，無法避免隨此形成在增層上的導體層的厚度亦變大。外層的電路圖案係藉由將增層上的導體層按照所希望的圖案進行濕式蝕刻而形成。因此，隨著導體層的厚度增加，愈不易將增層上的導體層微細加工。結果，以外層的電路圖案而言，無法形成微細的圖案，要在增層上高密度安裝電子零件變得困難。

如上所述，在習知的積層型多層可撓性印刷配線板，會有難以滿足高密度安裝要求的問題。

但是，積層型的多層可撓性印刷配線板之中，由高密度化及設計自由度的提升的觀點來看，尤其圖求一種具有所謂的堆疊通孔(stack via)構造的積層型多層可撓性印刷配線板。在此，堆疊通孔構造係指在由核心基板的鍍敷通孔所構成的層間連接部之上，重疊配置由增層的鍍敷通孔所構成的層間連接部的構造。

廉價且安定製造具有可高密度安裝的堆疊通孔構造的多層印刷配線板的方法被強烈期望。

以往已揭示一種手法是藉由雷射加工而總括形成所謂的階梯通孔構造的通孔(階梯通孔(step via))(參照專利文獻2、專利文獻3及專利文獻4)。藉由該等文獻所揭示的手法，可有效率地形成階梯通孔構造。但是，在該手法中，用以利用鍍敷皮膜來被覆階梯通孔的內壁的電解銅鍍敷通常是一次彙整進行。因此，會有形成在階梯通孔之下穴(小徑側)的側壁的鍍敷皮膜變薄的傾向。因此，會有不易充分確保層間連接可靠性的情形。

接著，使用第3圖，詳加說明藉由習知技術所為之具有堆疊通孔構造的積層型多層印刷配線板之製造方法。第3圖係用以說明具有堆疊通孔構造之積層型多層印刷配線板之製造方法的工程剖面圖。

首先，準備聚醯亞胺等可撓性絕緣基底材101(例如25μm厚)、及在其雙面具有銅箔102及銅箔103(均為例如8μm厚)的雙面覆銅層積板104。

接著，由第3圖(1)可知，對該雙面覆銅層積板104，藉由雷射加工法形成屬於有底型通孔的有底通孔105。在該有底通孔105的底部露出銅箔103。之後，藉由對銅箔102、103及有底通孔105施行導電化處理及繼之的電解鍍敷處理，在銅箔102、103上、及有底通孔105的內壁形成電解鍍敷皮膜。該電解鍍敷皮膜的厚度係被形成為用以確保通孔配線之連接可靠性的所需值(例如15μm左右)。經由至此為止的工程，形成有將可撓性絕緣基底材101的銅箔102與銅箔103作電性連接之屬於有底型層間導通部的鍍敷有底通孔106。

接著，由第3圖(1)可知，藉由感光蝕刻加工法(photofabrication)，將可撓性絕緣基底材101的銅箔102與銅箔103按照預定的圖案進行蝕刻，藉此形成電路圖案(內層電路圖案)。更詳而言之，藉由由阻劑層的形成、曝光、顯影、銅箔的蝕刻及阻劑層的剝離等所構成的一連串工程，在可撓性絕緣基底材101的雙面形成電路圖案。

接著，由第3圖(1)可知，準備在聚醯亞胺薄膜等絕緣薄膜107(例如12μm厚)上具有接著劑層108的覆蓋膜109。接著劑層108係由例如丙烯酸、環氧等接著劑所構成。接著，使用真空疊合機等，進行在形成有電路圖案的可撓性絕緣基底材101上黏貼覆蓋膜109的層疊工程。該接著材層108的厚度係被形成為可利用接著劑來完全填充鍍敷有底通孔106的內部的厚度(例如25μm)。經由至此為止的工程，取得第3圖(1)所示之雙面核心基板110。

接著，由第3圖(2)可知，準備在可撓性絕緣基底材(例如25μm厚的聚醯亞胺)的單面具有銅箔(例如厚度12μm)的單面覆銅層積板111。藉由前述的感光蝕刻加工法，在該單面覆銅層積板111的銅箔的預定部分形成開口部。將具有該開口部的銅箔形成為雷射遮光用的共型遮罩(Conformal Mask)(亦稱為金屬遮罩)。形成在銅箔的開口係用以藉由雷射加工來去除在該開口的底面所露出的可撓性絕緣基底材等的樹脂而形成通孔者。

接著，由第3圖(2)可知，使用用以在雙面核心基板110積層的接著材，將具有共型遮罩的單面覆銅層積板111、111透過接著劑層112、112而分別層積接著在雙面核心基板110的表面及背面。

接著，由第3圖(2)可知，使用單面覆銅層積板111的共型遮罩來進行雷射加工，藉此形成階梯通孔113A及通孔113B、113C。

接著，由第3圖(3)可知，對單面覆銅層積板111的銅箔上、階梯通孔113A的內壁、及通孔113B、113C的內壁施行導電化處理及繼之的電解鍍敷處理，藉此形成電解鍍敷皮膜。該電解鍍敷皮膜的厚度係形成為例如25～30μm程度，俾以確保層間連接的可靠性。藉此，形成用以獲得核心基板與增層的層間導通的鍍敷積層通孔114A、114B、114C。鍍敷積層通孔114A係對階梯通孔113A的內壁施行鍍敷處理者，鍍敷積層通孔114B係對與階梯通孔113A相對向的通孔113B的內壁施行鍍敷處理者，鍍敷積層通孔114C係對通孔113C的內壁施行鍍敷處理者。

接著，由第3圖(3)可知，使用感光蝕刻加工法，將單面覆銅層積板111、111的銅箔按照預定的圖案進行蝕刻，藉此形成外層電路圖案115、115。之後，視需要形成光阻焊層(未圖示)，在電路圖案的端子施行焊料鍍敷、鎳鍍敷、金鍍敷等表面處理，藉由利用模具所為之鑽孔等來進行外形加工。

經由以上工程，獲得具有堆疊通孔構造的積層型多層印刷配線板116。由第3圖(3)可知，鍍敷積層通孔114A係形成在內層的雙面核心基板110的鍍敷有底通孔106的正上方，鍍敷有底通孔106與鍍敷積層通孔114A係形成堆疊通孔構造。在積層型多層印刷配線板116中，雙面核心基板110的表面與背面的層間連接係藉由鍍敷有底通孔106來進行。

其中，由第3圖(3)可知，積層型多層印刷配線板116係具有：在雙面核心基板110層積有增層的零件安裝部116a、及由該零件安裝部116b延伸的可撓性線材部116b。該可撓性線材部116b係未設有增層的雙面核心基板110的一部分。

經由上述工程，鍍敷有底通孔106內部係必須利用接著材來完全填充。但是，若與在貫穿雙面覆銅層積板104的通孔的內壁施行鍍敷處理所形成的鍍敷貫穿通孔相比，鍍敷有底通孔106係不易填充接著劑。此係基於鍍敷貫穿通孔係可由表面與背面的2方向填充，相對於此，有底鍍敷通孔僅可由1方向填充之故。因此，與以鍍敷貫穿通孔來進行雙面核心基板110的層間連接的情形相比，接著材層108的厚度會變得較厚的情形並無法避免。因此，積層通孔113會變深。如此一來，如前所述，用以確保層間連接可靠性的鍍敷厚度會變大。例如，如上所示在形成鍍敷積層通孔114A、114B、114C時，必須進行用以形成25～30μm程度的鍍敷皮膜的電解鍍敷。假設將在單面覆銅層積板111的銅箔(12μm厚)上進行該程度的電解鍍敷，單面覆銅層積板111上的導體層(銅箔+電解鍍敷皮膜)的厚度總計為37～42μm。導體層的圖案化係藉由濕式蝕刻來進行，因此不易良率佳地形成電路間距為100μm左右的微細電路圖案。

如以上說明所示，以往會有無法製造滿足高密度安裝要求的積層型多層印刷配線板的問題。其中，當然該問題即使在不具有可撓性線材116b的多層印刷配線板亦為相同。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2004-200260號公報

[專利文獻2]日本特開2008-235801號公報

[專利文獻3]日本特開2008-288434號公報

[專利文獻4]日本特開2009-026912號公報

本發明係用以解決由於不易形成微細的外層電路圖案而無法獲得可高密度安裝的多層印刷配線板的上述問題者，目的在提供具有可高密度安裝的堆疊通孔構造的積層型多層印刷配線板之製造方法。

藉由本發明之一態樣，提供一種多層印刷配線板之製造方法，其特徵為：在表面及背面分別具有第1導電膜及第2導電膜的雙面覆導電膜層積板，形成將前述第1導電膜與前述第2導電膜作電性連接的鍍敷貫穿通孔及鍍敷有底通孔，將前述第1導電膜及前述第2導電膜按照預定的圖案進行蝕刻，藉此製作具有內層電路圖案的雙面可撓性基板，準備具有：絕緣薄膜、及形成在前述絕緣薄膜之單面的接著劑層的覆蓋膜，在藉由前述覆蓋膜的前述接著劑層熔融後的接著劑，使前述鍍敷貫穿通孔的內部被完全填充，而且在前述鍍敷有底通孔的內部容許發生未藉由前述接著劑予以填充的空氣空隙的條件下，進行將前述覆蓋膜黏貼在前述雙面可撓性基板之雙面的層疊工程，藉此製作雙面核心基板，在前述雙面核心基板的至少前述鍍敷有底通孔的開口面側，層積接著具有形成在單面的第3導電膜的增層；藉由雷射加工，去除前述鍍敷有底通孔內部的前述接著劑而使前述空氣空隙消滅，藉此，在底部露出前述鍍敷有底通孔，形成前述鍍敷有底通孔成為下穴的階梯通孔，藉由對前述第3導電膜及前述階梯通孔的內壁施行鍍敷處理，形成將前述第3導電膜與前述內層電路圖案作電性連接的鍍敷積層通孔，將被施行鍍敷處理的前述第3導電膜按照預定的圖案進行蝕刻，藉此形成外層電路圖案。

藉由該等特徵，本發明係達成如下所示之效果。

在本發明之一實施形態之具有堆疊通孔構造的積層型多層印刷配線板中，堆疊通孔構造係由：將雙面可撓性基板的表面與背面作電性連接的鍍敷有底通孔；及配置在該鍍敷有底通孔之上的鍍敷積層通孔所構成。該鍍敷積層通孔係將外層電路圖案與內層電路圖案作電性連接者，在將形成在雙面可撓性基板的有底通孔形成為小徑孔洞的階梯通孔的內壁形成有鍍敷皮膜者。藉此，形成由鍍敷有底通孔、及形成在其上的鍍敷積層通孔所構成的階梯通孔構造。

藉由如上所示之特徵，藉由本發明之一實施形態，在將覆蓋膜層疊時，並不需要在形成在雙面可撓性基板的鍍敷有底通孔的內部完全填充接著材。其係基於在形成前述階梯通孔時，鍍敷有底通孔內的接著劑會被去除之故。因此，在可在雙面可撓性基板的貫穿通孔內填充接著劑的範圍內，可儘可能減小接著材層的厚度。

結果，與習知技術相比，可使階梯通孔變得較淺。藉此，為了形成鍍敷積層通孔而進行電解鍍敷處理時，電沈積容易性會提升，並且因構成構件的熱膨脹所造成之對鍍敷積層通孔的影響受到減輕。

因此，藉由本發明，可使良率提升，可儘可能減低用以確保通孔配線的連接可靠性所需之鍍敷厚。因此，藉由本發明，可使形成在增層的外層電路圖案更為微細。

此外，藉由本發明，在形成鍍敷積層通孔時，在雙面可撓性基板的鍍敷有底通孔之上亦形成有電解鍍敷皮膜。藉此，因非對稱的形狀而起，與鍍敷貫穿通孔相比，熱應力較易於集中的鍍敷有底通孔受到補強，可使連接可靠性提升。

此外，如上所述鍍敷有底通孔受到補強，因此可使該鍍敷有底通孔的鍍敷厚薄至可確保鍍敷貫穿通孔之連接可靠性的程度。結果，可縮短鍍敷工程所需時間，可減低成本。此外，可將形成在雙面可撓性基板的內層電路圖案微細化。

如上所述，藉由本發明，提供一種廉價且安定製造具有可高密度安裝之堆疊通孔構造的積層型多層印刷配線板的方法。

以下，一面參照圖示，一面針對具有本發明之實施形態之堆疊通孔構造的積層型多層印刷配線板之製造方法加以說明。

其中，對於具有同等功能的構成要素標註相同的元件符號，且省略詳加說明。此外，圖示為模式表示者，以實施形態之特徵部分為中心來顯示者，厚度與平面尺寸的關係、各層的厚度比率等係與現實者有所不同。

首先，使用第1A圖至第1C圖及第2圖，針對本發明之實施形態之具有堆疊通孔構造的積層型多層印刷配線板32之製造方法加以說明。

第1A圖至第1C圖係用以說明該積層型多層印刷配線板32之製造方法的工程剖面圖。第2圖係本實施形態之積層型多層印刷配線板32的剖面圖。

首先，由第1A圖(1)可知，準備在可撓性絕緣基底材1(例如25μm厚的聚醯亞胺)的雙面分別具有銅箔2及銅箔3(第1導電膜及第2導電膜)的雙面覆銅層積板4。銅箔2及銅箔3的厚度例如均為5μm。

接著，對該雙面覆銅層積板4，使用雷射加工法或樹脂蝕刻法等，形成貫穿雙面覆銅層積板4的貫穿通孔5、及有底通孔6。該有底通孔6由第1A圖(1)可知，係在底面露出銅箔3的有底型的通孔。其中，該貫穿通孔5及有底通孔6的加工直徑均為例如直徑70μm。

在本工程中使用雷射加工法時，係可選擇以下2個方法。第1方法係被稱為共型雷射加工法的方法。在該方法中，在銅箔2、3設置與通孔直徑相同直徑的開口部，而形成共型遮罩。之後，對共型遮罩照射雷射光而去除在開口部露出的絕緣樹脂。第2方法係被稱為直接雷射加工法的方法。在該方法中，未形成共型遮罩，而對銅箔上直接照射雷射光，來去除銅箔及其下方的絕緣樹脂。在本實施形態中，並非為必須進行藉由感光蝕刻加工法所為之銅箔蝕刻工程的共型雷射加工法，而是考慮到生產性，而選擇一種藉由二氧化碳雷射所為之直接雷射加工法。

在進行該直接雷射加工法之前，係對雙面覆銅層積板4的銅箔2、3施行表面處理。亦即，進行將被照射雷射光的銅箔面形成為低粗度的粗化處理。藉此，當使用二氧化碳雷射(波長：約9.8μm)進行雷射加工時，可使銅箔2、3的雷射光的吸收穩定提升。在本實施形態中，在該粗化處理使用日本MacDermid公司(股)的Multi-bond 150。藉此，可確保與在後工程中所形成的電解銅鍍敷皮膜7的密接性，並且可使銅箔的表面中的二氧化碳雷射光的吸收提升。確認出實際上在表面處理的前後，二氧化碳雷射光的吸收率由約20%提升至約30%。

其中，在本實施形態中，係將貫穿通孔5與有底通孔6同時加工。因此，對銅箔2的表面，係藉由進行上述粗化處理而容易進行銅箔2的加工。與此同時以在形成有底通孔6時不會貫穿銅箔3的方式，進行將銅箔面形成為低粗度的處理來作為銅箔3的背面處理，以使雷射光的吸收降低為佳。但是，在欲效率佳地形成貫穿通孔5時，以進行粗化處理來作為銅箔3的背面處理為佳。

雙面覆銅層積板4的銅箔2、3愈薄，在雷射加工時，愈容易發生貫穿銅箔2、3。因此，若如本實施形態所示銅箔的厚度較薄，為10μm以下時，由於容易形成有底通孔6，因此以使用幾乎未施行粗化處理來作為背面處理的低粗度的銅箔3為佳。

在此，詳加說明雷射加工方式。首先，敘述將有底通孔6進行加工的情形。在將銅箔2進行加工時，提高平均1發射(shot)的雷射光能量(設為功率P)。接著，較佳為以1發射結束銅箔2的加工。之後，在將可撓性絕緣基底材1的樹脂加工至露出銅箔3為止時，使平均1發射的雷射光能量降低至(1/2)P～(1/3)P，而以2～3發射完成樹脂加工。接著，針對貫穿通孔5的情形加以敘述。此時，使用將平均1發射的雷射光能量設為前述功率P的雷射光，將雙面的銅箔及樹脂進行加工。連續照射3～4發射，完成貫穿通孔5的加工。

在使用更薄的銅箔時，為了容易形成有底通孔6，先將成為有底通孔6之底部的銅箔3的背面(與基底材相接的面)形成為低粗度。伴隨此，在銅箔2的背面(與基底材相接的面)進行粗化處理。接著，貫穿通孔5係由銅箔3的表面加工形成。藉由該方法，可一面輕易形成有底通孔6，一面效率佳地形成貫穿通孔。此外，以其他方法而言，亦可由銅箔2的表面及銅箔3的表面的2方向進行雷射加工，而形成貫穿通孔5。此時，在銅箔2、3的表面係進行粗化處理，因此具有從任何方向均容易加工，並且不需要考慮銅箔的背面處理狀態(粗度的高低)的優點。

接著，為了去除在形成貫穿通孔5及有底通孔6時所產生的污跡(樹脂殘渣)，進行電漿處理及濕式蝕刻(去污跡處理)。對貫穿通孔5與有底通孔6的該電漿處理的最適條件係大致相同。另一方面，關於使用過硫酸鈉等的濕式蝕刻，在兩者之間，最適條件不同。亦即，濕式蝕刻對貫穿通孔5而言幾乎不需要。不如進行蝕刻，藉此銅箔2、3會後退，會有對之後的導電化處理造成不良影響的情形。另一方面，對有底通孔6，為了去除因背面處理所造成之銅箔3的背面的鎳、鉻等異種金屬，必須進行1～2μm的蝕刻。考慮到對貫穿通孔5的影響，以儘量以較少的蝕刻量來完成處理為佳。在本實施形態中，係進行1μm的蝕刻。

接著，由第1A圖(2)可知，對銅箔2、3上、貫穿通孔5的內壁及有底通孔6的內壁施行導電化處理及繼之的電解銅鍍敷處理，藉此形成電解銅鍍敷皮膜7(約8μm厚)。藉此，形成銅箔2、3上的銅鍍敷層8、鍍敷貫穿通孔9、及鍍敷有底通孔10。該鍍敷貫穿通孔9係貫穿型的層間導電路，鍍敷有底通孔10係有底型的層間導電路。該等鍍敷通孔係均將可撓性絕緣基底材1的表面的銅箔2與背面的銅箔3作電性連接。

其中，上述導電化處理工程及電解銅鍍敷工程中的處理液的液體更新性，在貫穿通孔5與有底通孔6並不相同。亦即，與貫穿通孔5相比，有底通孔6的液體更新性較差。因此，基本上係進行以可處理有底通孔6的條件下的工程流動。關於電解銅鍍敷工程，對有底通孔6的底部附近的側壁到處附著容易變差。因此，電解銅鍍敷處理係以使用包含高濃度硫酸銅的鍍敷浴來進行為佳。

接著，由第1A圖(3)可知，在銅鍍敷層8、8之上形成阻劑層11、11。在形成該阻劑層11時係使用乾式薄膜阻劑。該乾式薄膜阻劑係以使用可將鍍敷貫穿通孔9及鍍敷有底通孔10之二者進行蓋孔(tenting)的厚度(例如20μm)者為佳。藉此，防止阻劑進入至鍍敷貫穿通孔9及鍍敷有底通孔10內，可輕易進行之後進行的阻劑層11的剝離。其中，亦可使用液狀阻劑或電沈積阻劑來取代乾式薄膜阻劑。

接著，由第1A圖(4)可知，藉由感光蝕刻加工法，藉由阻劑層11的曝光、顯影，將阻劑層11按照預定的圖案進行蝕刻，之後，將被圖案化的阻劑層11形成為遮罩，將銅鍍敷層8及銅箔2、3進行蝕刻。之後，將阻劑層11剝離。藉此，在可撓性絕緣基底材1的表面及背面分別形成內層電路圖案12A及12B。

藉由至此為止的工程，獲得第1A圖(4)所示之雙面可撓性基板13。

接著，由第1B圖(5)可知，準備具有：聚醯亞胺薄膜等絕緣薄膜14(例如12μm厚)、及形成在絕緣薄膜14之單面的接著劑層15的覆蓋膜16。接著劑層15係由例如丙烯酸、環氧等接著劑所構成。接著，使用真空疊合機等，進行在雙面可撓性基板13的雙面黏貼覆蓋膜16的層疊工程。藉此，內層電路圖案12A、12B及鍍敷貫穿通孔9係藉由接著劑層15予以填充。

在本層疊工程中，並不需要利用接著劑而將鍍敷有底通孔10的內部完全填充。亦即，層疊工程係在藉由覆蓋膜16的接著劑層15熔融後的接著劑而使鍍敷貫穿通孔9的內部被完全填充，而且在鍍敷有底通孔10的內部容許發生未藉由接著劑層15熔融後的接著劑予以填充的空氣空隙15a的條件下來進行。如上所示，本實施形態中的接著材層15的厚度若可完全填充鍍敷貫穿通孔9即可，並不需要考慮鍍敷有底通孔10內部的填充狀態。因此，接著劑層15係在可完全填充鍍敷貫穿通孔9的範圍內儘可能變薄。在本實施形態中，接著劑層15的厚度係形成為15μm。如第1B圖(5)所示，會有在鍍敷有底通孔10內部發生空氣空隙15a的情形。但是，在後工程中藉由雷射加工，鍍敷有底通孔10內的接著劑會全部去除，因此該空氣空隙15a並不會成為問題。

以至此為止的工程，獲得第1B圖(5)所示之成為多層印刷配線板之核心基板的雙面核心基板17。

接著，如第1B圖(6)所示，準備在可撓性絕緣基底材19(例如25μm厚的聚醯亞胺)的單面具有例如12μm厚的銅箔18(第3導電膜)的單面覆銅層積板20。接著，藉由感光蝕刻加工法，在單面覆銅層積板20的銅箔18形成開口部18a。更詳而言之，在銅箔18之上形成阻劑層(未圖示)，藉由曝光及顯影將該阻劑層進行圖案化。接著，將被圖案化的阻劑層形成為遮罩，將銅箔18進行蝕刻。藉此，形成共型遮罩21。該開口部18a係用以在後工程中藉由雷射加工來去除基底材的樹脂而形成通孔者。

接著，由第1B圖(6)可知，使用用以積層的接著劑，將形成有共型遮罩21的單面覆銅層積板20、20，透過接著劑層22、22而層積接著在雙面核心基板17的雙面。以在此使用的接著材而言，以低流量類型(Low Flow type)的預浸體或接合片等流出較少者為佳。其中，亦可在將具有未加工的銅箔18的單面覆銅層積板20透過接著材層22而接著在雙面核心基板17後，將銅箔18按照預定的圖案進行蝕刻，來形成共型遮罩21。

接著，由第1C圖(7)可知，使用共型遮罩21來進行雷射加工，形成階梯通孔23及通孔24A、24B。該階梯通孔23係貫穿可撓性絕緣基底材19、接著劑層22、絕緣薄膜14及接著劑層15，在底部露出鍍敷有底通孔10。在該雷射加工工程中，鍍敷有底通孔10內部的樹脂被全部去除，空氣空隙15a即會消滅。通孔24A、24B係貫穿可撓性絕緣基底材19、接著劑層22、絕緣薄膜14及接著劑層15，在其底部露出內層電路圖案12A、12B。

其中，為了形成階梯通孔23，必須連位於鍍敷有底通孔10內部的樹脂亦去除。因此，應去除的樹脂材料的量係以階梯通孔23比通孔24A、24B還多。因此，在形成階梯通孔23時，係以增加雷射加工的發射數、或加長雷射光的脈衝寬幅為佳。以使用在該雷射加工的雷射而言，可選擇UV-YAG雷射、碳酸雷射、準分子雷射等。

接著，由第1C圖(8)可知，對銅箔18上、階梯通孔23的內壁及通孔24A、24B的內壁施行導電化處理及繼之的電解鍍敷處理，藉此形成電解鍍敷皮膜25。藉此，形成銅箔18上的銅鍍敷層26、及鍍敷積層通孔27、28、29。該等鍍敷通孔係均將內層電路圖案12A、12B、與銅箔18及銅鍍敷層26(之後的外層電路圖案30)作電性連接者。鍍敷積層通孔27係在階梯通孔23的內壁形成有鍍敷層者。鍍敷積層通孔28係在與階梯通孔23相對向的通孔24A的內壁形成有鍍敷層者。鍍敷積層通孔29係在通孔24B的內壁形成有鍍敷層者。

該電解鍍敷皮膜25的厚度係形成為用以確保連接可靠性所需的值。在本實施形態中，相較於習知技術，使接著劑層15的厚度更為減低，藉此連電解鍍敷皮膜25的厚度亦比習知技術(例如25～30μm程度)，可減薄至例如15μm～20μm程度。

由第1C圖(8)可知，藉由至此為止的工程，完成在鍍敷有底通孔10上形成有鍍敷積層通孔27的堆疊通孔構造。

接著，由第2圖可知，使用感光蝕刻加工法，將銅箔18及電解鍍敷皮膜25按照預定的圖案進行蝕刻，藉此形成外層電路圖案30。之後，視需要形成光阻焊層(未圖示)，對電路圖案的端子施行焊料鍍敷、鎳鍍敷、金鍍敷等表面處理，藉由利用模具所進行的鑽孔等來進行外形加工。

經由以上工程，可得第2圖所示之本實施形態之具有堆疊通孔構造的積層型多層印刷配線板32。

本實施形態之積層型多層印刷配線板32係在成為內層的雙面核心基板17的表面及背面，透過接著劑層22、22而層積外層的單面覆銅層積板20、20者。本實施形態並非侷限於此，亦可僅在雙面核心基板17的表面，亦即雙面核心基板17的鍍敷有底通孔10的開口面側，透過接著劑層22來層積外層的單面覆銅層積板20。藉此，可得僅在單面具備有增層的多層印刷配線板。

內層電路圖案12A、12B係藉由鍍敷積層通孔27、28、29而與外層電路圖案30作電性連接。

其中，藉由本實施形態之製造方法所得之積層型多層印刷配線板32係具有：在屬於可撓性印刷配線板的雙面核心基板17層積有增層31的零件安裝部32a；及在雙面核心基板17未層積有增層的可撓性線材部32b。亦即，可撓性線材部32b係由零件安裝部32a延伸的構成。本實施形態並非侷限於此，亦可製造雙面核心基板17未構成可撓性線材32b的多層印刷配線板。

此外，在本實施形態中，係針對可撓性多層印刷配線板之製造方法加以說明，但是本發明並非侷限於此。

此外，以雷射加工法而言，除了前述的共型雷射加工法或直接雷射加工法以外，亦有：在銅箔18形成比階梯通孔23的上穴直徑為更大的開口之後，照射與階梯通孔23的上穴直徑相同的光束直徑的雷射光的開大窗(large window)法等。可選擇的雷射加工法並非侷限於在上述實施形態的說明中所使用者，可按每個工程來任意選擇共型法、直接雷射法及開大窗法。其中，若使用直接雷射法，如本實施形態所示銅箔的厚度係以15μm以下為佳。

此外，在本實施形態中，在雙面可撓性基板13的雙面層疊覆蓋膜16而製作出雙面核心基板17之後，在雙面核心基板17層積增層，但是本發明並非侷限於此，亦可使用附接著劑的單面覆銅層積板來取代覆蓋膜16，而在雙面可撓性基板13直接設置增層。此時，如下所述製作多層印刷配線板。首先，如前所述，製作出形成有鍍敷貫穿通孔9、鍍敷有底通孔10及內層電路圖案12A、12B的雙面可撓性基板13。之後，準備具有：絕緣基底材、形成在前述絕緣基底材的表面的導電膜(第3導電膜)、及形成在前述絕緣基底材背面的接著劑層的附接著劑層的單面覆導電膜層積板。接著，進行將附接著劑層的單面覆導電膜層積板黏貼在雙面可撓性基板13的雙面的層疊工程。該層疊工程係在藉由附接著劑層的單面覆導電膜層積板的接著劑層熔融後的接著劑而使鍍敷貫穿通孔9的內部被完全填充，而且在鍍敷有底通孔10的內部容許發生未藉由接著劑層熔融後的接著劑予以填充的空氣空隙的條件下進行。對如上所示所得的多層印刷配線板，藉由雷射加工，去除鍍敷有底通孔10內部的接著劑而使空氣空隙消滅，藉此，在底部露出鍍敷有底通孔10，形成鍍敷有底通孔10成為下穴的階梯通孔。之後，藉由對第3導電膜及階梯通孔的內壁施行鍍敷處理，形成將第3導電膜與內層電路圖案12A作電性連接的鍍敷積層通孔。接著，將已施行鍍敷處理的第3導電膜按照預定的圖案進行蝕刻，藉此形成外層電路圖案，而獲得積層型的多層印刷配線板。

如上所述，雙面核心基板17係具有用以將內層電路圖案12A與內層電路圖案12B作電性連接的鍍敷貫穿通孔9與鍍敷有底通孔10。堆疊通孔構造係由鍍敷有底通孔10、及配置在該鍍敷有底通孔10上的鍍敷積層通孔27所構成。該鍍敷積層通孔27係在將形成在雙面核心基板17的鍍敷有底通孔10形成為小徑孔洞的階梯通孔23的內壁形成有電解鍍敷皮膜者。此外，鍍敷貫穿通孔10係構成為僅進行雙面核心基板17的表面與背面的層間導通，外層電路圖案30與內層電路圖案12A、12B的層間導通並未進行者。

根據上述特徵，藉由本實施形態可得以下效果。

在將覆蓋膜16層疊時，變得不需要利用接著材來完全填充鍍敷有底通孔10的內部。亦即，鍍敷有底通孔10的內部亦可利用接著劑而以不完全填充的狀態，而不存在有空氣空隙15a。因此，在可在鍍敷貫穿通孔9的內部完全填充接著劑的範圍內，儘可能減小覆蓋膜16的接著材層15的厚度。結果，可儘可能使階梯通孔23變淺(例如10μm左右)，使得在階梯通孔23及通孔24A、24B的內壁施行電解鍍敷處理時的電沈積容易性提升。此外，鍍敷積層通孔27、28、29係形成為不易受到因印刷配線板的構成構件的熱膨脹所造成的影響等有利的構造。構成構件之中尤其構成接著劑層15的接著劑係熱膨脹率較大，因此因接著劑層15變薄所造成的效果較大。因此，可提升良率及減低用以確保連接可靠性所需的電解鍍敷皮膜25的厚度。結果，藉由本實施形態，可形成微細的外層電路圖案30。

此外，藉由本實施形態，在形成鍍敷積層通孔27時，在鍍敷有底通孔10之上亦形成有電解鍍敷皮膜26。藉此，因非對稱形狀而起，與鍍敷貫穿通孔9相比，熱應力較易於集中的鍍敷有底通孔10受到補強，可使連接可靠性提升。

此外，藉由本實施形態，由於鍍敷有底通孔10受到補強，因此可使鍍敷有底通孔10的鍍敷厚(電解銅鍍敷皮膜7的厚度)薄至可確保鍍敷貫穿通孔9之連接可靠性的程度。結果，可縮短鍍敷工程所需時間，而可減低成本。此外，由於配合鍍敷有底通孔10的鍍敷厚度，銅鍍敷層8亦變得較薄，因此可將雙面核心基板17的內層電路圖案12微細化。

其中，在實施形態之說明中，配線圖案及鍍敷皮膜係由銅所構成者，但是本發明並非限定於此，亦可為例如鋁或銀等其他金屬。

根據上述記載，若為該領域熟習該項技術者，或許可思及本發明之追加效果或各種變形，惟本發明之態樣並非限定於上述實施形態。在未脫離由申請專利範圍所規定的內容及其均等物所導出的本發明之概念思想與趣旨的範圍內，可為各種追加、變更及局部刪除。

1、19、101．．．可撓性絕緣基底材

2、3、18、102、103．．．銅箔

4、104．．．雙面覆銅層積板

5．．．貫穿通孔

6、105．．．有底通孔

7．．．電解銅鍍敷皮膜

8、26．．．銅鍍敷層

9．．．鍍敷貫穿通孔

10、106．．．鍍敷有底通孔

11．．．阻劑層

12A、12B．．．內層電路圖案

13．．．雙面可撓性基板

14、107．．．絕緣薄膜

15、22、108、112．．．接著材層

15a．．．空氣空隙

16、109．．．覆蓋膜

17、110．．．雙面核心基板

18．．．銅箔

18a．．．開口部

20、111．．．單面覆銅層積板

21．．．共型遮罩

23、113A．．．階梯通孔

24A、24B、113B、113C．．．通孔

25．．．電解鍍敷皮膜

27、28、29、114A、114B、114C．．．鍍敷積層通孔

30、115．．．外層電路圖案

31．．．積層通孔

32、116．．．積層型多層印刷配線板

32a、116a．．．零件安裝部

32b、116b．．．可撓性線材部

第1A圖係用以說明本發明之實施形態之積層型多層印刷配線板之製造方法的工程剖面圖。

第1B圖係接續第1A圖，用以說明本發明之實施形態之積層型多層印刷配線板之製造方法的工程剖面圖。

第1C圖係接續第1B圖，用以說明本發明之實施形態之積層型多層印刷配線板之製造方法的工程剖面圖。

第2圖係本發明之實施形態之積層型多層印刷配線板的剖面圖。

第3圖係藉由習知技術所得之具有堆疊通孔構造的積層型多層印刷配線板之製造方法的工程剖面圖。

1、19．．．可撓性絕緣基底材

9．．．鍍敷貫穿通孔

10．．．鍍敷有底通孔

14．．．絕緣薄膜

15、22．．．接著材層

15a．．．空氣空隙

16．．．覆蓋膜

17．．．雙面核心基板

18．．．銅箔

18a．．．開口部

20．．．單面覆銅層積板

21．．．共型遮罩

Claims (3)

1. 一種多層印刷配線板之製造方法，其特徵為：在表面及背面分別具有第1導電膜及第2導電膜的雙面覆導電膜層積板，形成將前述第1導電膜與前述第2導電膜作電性連接的鍍敷貫穿通孔及鍍敷有底通孔，將前述第1導電膜及前述第2導電膜按照預定的圖案進行蝕刻，藉此製作具有內層電路圖案的雙面可撓性基板，準備具有：絕緣薄膜、及形成在前述絕緣薄膜之單面的接著劑層的覆蓋膜，在藉由前述覆蓋膜的前述接著劑層熔融後的接著劑而使前述鍍敷貫穿通孔的內部被完全填充，而且在前述鍍敷有底通孔的內部容許發生未藉由前述接著劑予以填充的空氣空隙的條件下，進行將前述覆蓋膜黏貼在前述雙面可撓性基板之雙面的層疊工程，藉此製作雙面核心基板，在前述雙面核心基板的至少前述鍍敷有底通孔的開口面側，層積接著具有形成在單面的第3導電膜的增層；藉由雷射加工，去除前述鍍敷有底通孔內部的前述接著劑而使前述空氣空隙消滅，藉此，在底部露出前述鍍敷有底通孔，形成前述鍍敷有底通孔成為下穴的階梯通孔，藉由對前述第3導電膜及前述階梯通孔的內壁施行鍍敷處理，形成將前述第3導電膜與前述內層電路圖案作電性連接的鍍敷積層通孔，將被施行鍍敷處理的前述第3導電膜按照預定的圖案進行蝕刻，藉此形成外層電路圖案。
2. 一種多層印刷配線板之製造方法，其特徵為：在表面及背面分別具有第1導電膜及第2導電膜的雙面覆導電膜層積板，形成將前述第1導電膜與前述第2導電膜作電性連接的鍍敷貫穿通孔及鍍敷有底通孔，將前述第1導電膜及前述第2導電膜按照預定的圖案進行蝕刻，藉此製作具有內層電路圖案的雙面可撓性基板，準備具有：絕緣基底材、形成在前述絕緣基底材表面的第3導電膜、及形成在前述絕緣基底材背面的接著劑層的附接著劑層的單面覆導電膜層積板，在藉由前述接著劑層熔融後的接著劑，使前述鍍敷貫穿通孔的內部被完全填充，而且在前述鍍敷有底通孔的內部容許發生未藉由前述接著劑予以填充的空氣空隙的條件下，進行將前述附接著劑層的單面覆導電膜層積板黏貼在前述雙面可撓性基板之雙面的層疊工程，藉由雷射加工，去除前述鍍敷有底通孔內部的前述接著劑而使前述空氣空隙消滅，藉此，在底部露出前述鍍敷有底通孔，形成前述鍍敷有底通孔成為下穴的階梯通孔，藉由對前述第3導電膜及前述階梯通孔的內壁施行鍍敷處理，形成將前述第3導電膜與前述內層電路圖案作電性連接的鍍敷積層通孔，將被施行鍍敷處理的前述第3導電膜按照預定的圖案進行蝕刻，藉此形成外層電路圖案。
3. 如申請專利範圍第1項或第2項之多層印刷配線板之製造方法，其中，前述雷射加工係藉由以下方法來進行：使用將前述第3導電膜進行蝕刻所形成的共型遮罩(conformal mask)所進行的共型雷射加工法；對前述第3導電膜直接照射雷射光的直接雷射加工法；或將比前述階梯通孔的上穴直徑還大的開口形成在前述第3導電膜，照射與前述上穴直徑相同光束直徑的雷射光的開大窗法(large window)。