TWI485371B - 檢測裝置 - Google Patents

Description

檢測裝置

本發明是有關於一種檢測裝置，且特別是有關於一種晶片的檢測裝置。

發光二極體具有諸如壽命長、體積小、高抗震性、低熱產生及低功率消耗等優點，因此已被廣泛應用於家用及各種設備中的指示器或光源。近年來，發光二極體已朝高功率發展，因此其應用領域已擴展至道路照明、大型戶外看板、交通號誌燈及相關領域。在未來，發光二極體甚至可能成為兼具省電及環保功能的主要照明光源。

在發光二極體晶片的生產流程中，包括許多測試步驟以測試產品的性能是否符合出廠規格，例如亮度的測試即為其中一種。以亮度的測試而言，會採用探針分別接觸發光二極體晶片的正負極以點亮發光二極體晶片，進一步獲得其亮度的資料。前述的測試方法會配合移動載台，將多個晶片設置在移動載台上以依序傳送各個晶片至探針處，然而此種測試方法一次僅能測出一個晶片的亮度，量測速率慢且產能也較低。

本發明提供一種檢測裝置，其具有良好的檢測效率。

本發明的一種檢測裝置，適用於接觸多個晶片以進行這些晶片的檢測，其中各晶片包括一第一電極以及一第二電極。檢測裝置包括一基板以及多個電極組。基板具有一配置表面，這些電極組配置於基板的配置表面上。各電極組包括一第一接墊以及一第二接墊，其中這些晶片與這些電極組對應設置，以使各晶片的第一電極與第二電極直接接觸同組電極組中的第一接墊與第二接墊。

在本發明的一實施例中，上述的基板為一透光基板。

在本發明的一實施例中，上述的檢測裝置更包括一收光單元，每一晶片具有一出光側，其中收光單元配置於晶片的出光側，以收集和記錄每一晶片的亮度資料。

在本發明的一實施例中，上述的收光單元為一太陽能板、一積分球或一光偵測器陣列。

在本發明的一實施例中，上述的基板包括多條第一導線與多條第二導線，這些第一導線連接至前述的第一接墊，且這些第二導線連接至前述的第二接墊。

在本發明的一實施例中，上述的檢測裝置更包括一控制器，前述的這些第一導線與這些第二導線電性連接至控制器，其中連接至同組電極組之第一接墊與第二接墊的第一導線與第二導 線構成一電路迴路，且控制器分別控制這些電路迴路以分別驅動這些晶片。

在本發明的一實施例中，上述的這些電極組呈陣列排列。

在本發明的一實施例中，上述的檢測裝置更包括一承載平台，配置於這些晶片的下方以承載這些晶片，其中這些晶片位在承載平台與基板的配置表面之間。

在本發明的一實施例中，上述的檢測裝置更包括一收光單元以及一反射元件層。晶片配置於收光單元與基板之間。反射元件層設置於基板相對於配置表面的一表面上。

在本發明的一實施例中，上述的這些第一接墊與這些第二接墊的材質包括金屬或透明導電材料。

本發明的一種檢測裝置，適用於接觸多個晶片以進行晶片的檢測，其中每一晶片包括一第一電極、一發光層以及一第二電極，且第一電極與第二電極分別位於發光層的相對二側。檢測裝置包括：一基板、多個接墊以及一承載平台。基板具有一配置表面。接墊配置於基板的配置表面上，其中晶片的第一電極與接墊對應設置，以使每一晶片的第一電極直接接觸對應的接墊。承載平台配置於晶片的下方以承載晶片，其中承載平台具有導電功能並接觸晶片的第二電極。

在本發明的一實施例中，上述的基板包括多條導線，且導線連接至接墊。

在本發明的一實施例中，上述的檢測裝置，更包括：一 控制器，導線電性連接至控制器之一端，承載平台電性連接至控制器的另一端。

在本發明的一實施例中，上述的承載平台具有一高導電率的金屬薄膜，且金屬薄膜接觸晶片的第二電極。

在本發明的一實施例中，上述的檢測裝置更包括一收光單元，配置於基板的上方，以收集和記錄每一晶片的亮度資料。

在本發明的一實施例中，上述的收光單元為一太陽能板、一積分球或一光偵測器陣列。

基於上述，本發明的檢測裝置適用於檢測晶片，其中檢測裝置可對應多個晶片且針對每一晶片形成一獨立的電路迴路。

因此，本發明的檢測裝置在檢測晶片時無須移動基板，可快速地檢測多個晶片，而達到良好的檢測效率並提升產能。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

50、60‧‧‧晶片

51‧‧‧出光側

52、62‧‧‧第一電極

54、64‧‧‧第二電極

66‧‧‧發光層

100、100b、200‧‧‧檢測裝置

120、120’、210‧‧‧基板

120a、120a’、212‧‧‧配置表面

120b’‧‧‧表面

122‧‧‧第一導線

124‧‧‧第二導線

140‧‧‧電極組

142‧‧‧第一接墊

144‧‧‧第二接墊

160、160b、250‧‧‧收光單元

170‧‧‧反射元件層

180、230‧‧‧承載平台

190、240‧‧‧控制器

214‧‧‧導線

220‧‧‧接墊

232‧‧‧金屬薄膜

圖1繪示為本發明的一實施例的一種檢測裝置的俯視示意圖。

圖2繪示為本發明待檢測的多個晶片的俯視示意圖。

圖3繪示為圖1之檢測裝置在檢測晶片時的剖面示意圖。

圖4繪示為圖1之檢測裝置在檢測晶片時的仰視示意圖。

圖5繪示為本發明的另一實施例的一種檢測裝置在檢測晶片 時的剖面示意圖。

圖6繪示為本發明之一實施例之一種檢測裝置在檢測晶片時的剖面示意圖。

圖7繪示為圖6之檢測裝置的基板的仰視示意圖。

圖1繪示為本發明的一實施例的一種檢測裝置的俯視示意圖。圖2繪示為本發明待檢測的多個晶片的俯視示意圖。請同時參考圖1與圖2，本實施例的檢測裝置100適用於接觸圖2中的多個晶片50以進行這些晶片50的檢測，其中各晶片50包括一第一電極52以及一第二電極54。檢測裝置100包括一基板120以及多個電極組140。基板120具有一配置表面120a，這些電極組140配置於基板120的配置表面120a上，且各電極組140包括一第一接墊142以及一第二接墊144。

圖3繪示為圖1之檢測裝置在檢測晶片時的剖面示意圖。在本實施例中，檢測裝置100在檢測晶片50時，是將基板120覆蓋在多個晶片50上，使配置表面120a上的電極組140接觸晶片50。值得注意的是，如圖3中所繪示，晶片50與電極組140對應設置，以使各晶片50的第一電極52與第二電極54直接接觸同組電極組140中的第一接墊142與第二接墊144。也就是說，多個晶片50的排列方式是對應這些電極組140在基板120上的排列方式。當基板120覆蓋在多個晶片50上時，這種一對一的排列方式 使得每一個晶片50都對應到一個電極組140。如此一來，檢測裝置100可利用基板120上的多個電極組140快速地檢測多個晶片50，進一步達到良好的檢測效率並提升產能。

請參考圖3，在本實施例中，基板120的透光率大於90%，更佳地，基板120為透光基板。檢測裝置100更包括一收光單元160，其中每一晶片50具有一出光側51，而收光單元160配置於這些晶片50的出光側51，以收集和記錄各晶片50的亮度資料。這些亮度資料可以與晶片50的一標準資料做比對，以檢測出不符合標準的晶片50。在本實施例中，收光單元160可以是一太陽能板、一積分球或是一光偵測器陣列。在本實施例中，晶片50可以是發光二極體晶片，且這些發光二極體晶片發出相同顏色的光或不同顏色的光。此外，在本實施例中，第一接墊142與第二接墊144的材質包括金屬，例如是銅；或者是，透明導電材料，例如銦錫氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)或是銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide，IZO)，於此並不加以限制。

此外，檢測裝置100可更包括一承載平台180，其中承載平台180配置於晶片50的下方以承載晶片50，其中晶片50位在承載平台180與基板120的配置表面120a之間，且固定於承載平台180上。

圖4繪示為圖1之檢測裝置在檢測晶片時的仰視示意圖。為了清楚表示所有構件，圖4省略了部分的構件。請參考圖4，在本實施例中，電極組140例如是呈陣列排列，為了對應電極組140 的排列方式，多個晶片50也例如是呈陣列排列，但並不以此為限。在本實施例中，基板120更包括多條第一導線122與多條第二導線124，其中這些第一導線122連接至這些第一接墊142，且這些第二導線124連接至這些第二接墊144。在此需說明的是，當檢測裝置100在檢測這些晶片50時，其中連接至同組電極組140之第一接墊142與第二接墊144的第一導線122與第二導線124可構成一電路迴路，而檢測裝置100則是利用此電路迴路達到檢測的目的。舉例而言，當電路迴路導通時，晶片50可被驅動而得知其規格資料。

在此需說明的是，一個電極組140上的第一接墊142、第二接墊144與其連接的第一導線122、第二導線124構成一個單獨的一個電路迴路，且基板120上的各個電路迴路彼此電性絕緣。請參考圖4，詳細而言，本實施例的檢測裝置100更包括一控制器190，例如數位開關。這些第一導線122與這些第二導線124電性連接至控制器190，而連接至同組電極組140之第一接墊142與第二接墊144的第一導線122與第二導線124構成一電路迴路，且控制器190分別控制電路迴路以分別驅動晶片50。例如，在檢測的過程中，控制器190可控制電源的輸出程序以逐一地驅動每一個晶片50，如此一來，本實施例之檢測裝置100可逐一檢測晶片50以確保晶片50的可靠度。

圖5繪示為本發明的另一實施例的一種檢測裝置在檢測晶片時的剖面示意圖。本實施例沿用前述實施例的元件標號與部 分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參照前述實施例，本實施例不再重複贅述。請參考圖5，本實施例的檢測裝置100b與圖3之檢測裝置100主要的差異是在於：本實施例的收光單元160b配置於承載平台180的下方，且承載平台180例如為透明材質，其中晶片50配置於收光單元160b與基板120’之間。此外，本實施例的檢測裝置100b更包括一反射元件層170，其中反射元件層170配置於基板120’相對於配置表面120a’的一表面120b’上。換言之，收光單元160b亦可配置於晶片50之出光側51的背面，藉由反射元件層170的反射將晶片50所發出的光線反射至收光單元160b，而使收光單元160b收集和記錄每一晶片50的亮度資料。

圖6繪示為本發明之一實施例之一種檢測裝置在檢測晶片時的剖面示意圖。圖7繪示為圖6之檢測裝置的基板的仰視示意圖。為了方便說明起見，圖7中省略繪示部分構件。請先參考圖6，本實施例之檢測裝置100c適用於接觸多個晶片60以進行晶片60的檢測，其中每一晶片60包括一第一電極62、一發光層66以及一第二電極64，且第一電極62與第二電極64分別位於發光層66的相對二側。意即，本實施例之晶片60為一垂直式晶片。檢測裝置200包括一基板210、多個接墊220以及一承載平台230。基板210具有一配置表面212。接墊220配置於基板210的配置表面212上，其中晶片60的第一電極62與接墊220對應設置，以 使每一晶片60的第一電極62直接接觸對應的接墊220。承載平台230配置於晶片60的下方以承載晶片60，其中承載平台230具有導電功能並接觸晶片60的第二電極64。

更具體來說，請同時參考圖6與圖7，在本實施例中，基板210包括多條導線214，且導線214連接至接墊220。再者，本實施例之檢測裝置200更包括一控制器240，其中導線214電性連接至控制器240之一端，而承載平台230電性連接至控制器240的另一端。此處，承載平台230具有一高導電率的金屬薄膜232，而使其具有導電功能，其中金屬薄膜232接觸晶片60的第二電極64。此外，本實施例之檢測裝置200可更包括一收光單元250，其中收光單元250配置於基板210的上方，以收集和記錄各晶片60的亮度資料。這些亮度資料可以與晶片60的一標準資料做比對，以檢測出不符合標準的晶片60。在本實施例中，收光單元250可以是一太陽能板、一積分球或是一光偵測器陣列。

需說明的是，在本實施例中並不限定承載平台230的結構型態，雖然此處所提及之承載平台230具體化為一具有高導電率的金屬薄膜232，而使其具有導電功能。但於其他未繪示的實施例中，承載平台亦可為一金屬塊，意即承載平台本身即具有導電功能，且無須設置金屬薄膜或線路層。上述技術仍屬於本發明可採用的技術方案，不脫離本發明所欲保護的範圍。

當檢測裝置200在檢測這些晶片60時，一電流(未繪示)由控制器240依序經由導線214、接墊220、晶片60的第一電極 62、發光層66、第二電極64、承載平台230而回到控制器240，以形成一迴路，而檢測裝置200則是利用此電路迴路達到檢測的目的。舉例而言，當電路迴路導通時，晶片60可被驅動而得知其規格資料。此外，由於控制器240可分別控制電路迴路以分別驅動晶片60。例如，在檢測的過程中，控制器240可控制電源的輸出程序以逐一地驅動每一個晶片60，如此一來，本實施例之檢測裝置200可逐一檢測晶片60以確保晶片60的可靠度。

綜上所述，由於本發明的檢測裝置可對應多個晶片且針對每一晶片形成一獨立的電路迴路，因此檢測裝置無須移動基板即可快速地檢測晶片，可達到良好的檢測效率並提升產能。再者，本發明的檢測裝置可更透過收光單元來紀錄各晶片的規格資料，其中這些規格資料可以與晶片的一標準資料做比對，以檢測出不符合標準的晶片。此外，本發明的檢測裝置可更透過控制器以分別驅動每一個晶片，如此一來，可逐一檢測晶片以有效確保晶片的可靠度。據此，本發明的檢測裝置可快速且精確地檢測晶片，進而增加產能。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

50‧‧‧晶片

51‧‧‧出光側

52‧‧‧第一電極

54‧‧‧第二電極

100‧‧‧檢測裝置

120‧‧‧基板

120a‧‧‧配置表面

140‧‧‧電極組

142‧‧‧第一接墊

144‧‧‧第二接墊

160‧‧‧收光單元

180‧‧‧承載平台

Claims (9)

1. 一種檢測裝置，適用於接觸多個晶片以進行該些晶片的檢測，其中各該晶片包括一第一電極以及一第二電極，該檢測裝置包括：一基板，具有一配置表面；多個電極組，配置於該基板的該配置表面上，各該電極組包括一第一接墊以及一第二接墊，其中該些晶片與該些電極組對應設置，以使各該晶片的該第一電極與該第二電極直接接觸同組該電極組中的該第一接墊與該第二接墊；一收光單元，其中該些晶片配置於該收光單元與該基板之間；以及一反射元件層，設置於該基板相對於該配置表面的一表面上。
2. 如申請專利範圍第1項所述的檢測裝置，其中該基板為一透光基板。
3. 如申請專利範圍第1項所述的檢測裝置，更包括：一收光單元，配置於該些晶片的出光側，以收集和記錄各該晶片的亮度資料。
4. 如申請專利範圍第3項所述的檢測裝置，該收光單元為一太陽能板、一積分球或一光偵測器陣列。
5. 如申請專利範圍第1項所述的檢測裝置，其中該基板包括多條第一導線與多條第二導線，該些第一導線連接至該些第一接 墊，且該些第二導線連接至該些第二接墊。
6. 如申請專利範圍第5項所述的檢測裝置，更包括：一控制器，該些第一導線與該些第二導線電性連接至該控制器，其中連接至同組該電極組之該第一接墊與該第二接墊的該第一導線與該第二導線構成一電路迴路，且該控制器分別控制該些電路迴路以分別驅動該些晶片。
7. 如申請專利範圍第1項所述的檢測裝置，其中該些電極組呈陣列排列。
8. 如申請專利範圍第1項所述的檢測裝置，更包括一承載平台，配置於該些晶片的下方以承載該些晶片，其中該些晶片位在該承載平台與該基板的該配置表面之間。
9. 如申請專利範圍第1項所述的檢測裝置，其中該些第一接墊與該些第二接墊的材質包括金屬或透明導電材料。