TWI459006B - Led檢測裝置 - Google Patents
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Description
本發明是有關於一種檢測裝置，特別是有關於一種LED檢測裝置。
隨著科技進步及生活品質的提升，現代人對於照明更趨重視。從自古藉由物質燃燒以進行發光照明之火把、動植物油燈、蠟燭、煤油燈，藉以電力發光之白熾燈、熒光燈，抑或是現今常用之發光二極體(light-emitting diode，LED)，皆顯示照明在人類日常生活中扮演極重要之角色。
發光二極體係藉由電子電洞結合以發出單色光，以達到照明或警示之作用。發光二極體相較於傳統光源，具有發光效率高、使用壽命長、不易破損、反應速度快等優點。由於近幾年政府大力的提倡及各城市LED路燈規模的加速擴大下，使用LED作為照明用途已隨處可見。
一般常用檢測機以檢測發光二極體晶片之發光效率。習知之檢測機係藉由探針提供發光二極體晶片發光之電壓來源，發光二極體晶片發出之光線經由檢測機之收光裝置收集光線後，由光電轉換裝置轉換成電訊號，進而判斷發光二極體晶片之發光效率。然而，發光二極體晶片發出之光線卻可能因為收光裝置形狀之限制，
造成發光二極體晶片無法貼近收光裝置，產生漏光，而無法完全收集發光二極體晶片發出之光線，進而影響檢測發光二極體晶片發光效率之準確度。
有鑑於上述習知技藝之問題，本發明之其中一目的就是在提供一種LED檢測裝置，以解決收光裝置無法完全收集發光二極體晶片發出之光線的問題。
本發明之另一目的，在於提出一種LED檢測裝置，以準確檢測發光二極體晶片之發光效率。
為達前述目的，本發明提出一種LED檢測裝置，至少包含具有開口之收光裝置、支撐件以及點測裝置。支撐件用以承載至少一發光二極體晶片，且待檢測之發光二極體晶片設置位置相對應於收光裝置之開口。點測裝置包含電源供應器及至少二個可撓性之輸電元件，且輸電元件之二端係分別電性連接發光二極體晶片及電源供應器，以令發光二極體晶片發出光線，由於輸電元件具有可撓性，可使得發光二極體晶片與收光裝置的開口更為貼合，發光二極體晶片發出之光線可較完整地進入收光裝置，以解決光線從收光裝置和發光二極體晶片間的縫隙漏失的問題。更明確地說，輸電元件包含透明薄膜及透明導電層，且透明導電層設置於透明薄膜之上，透明導電層之材質為氧化銦錫(indium tin oxide，ITO)或氧化銦鋅(indium zinc oxide，IZO)，而透明薄膜的透光率大於80%，透明薄膜之材質例如但不限於聚乙烯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚乙烯(polyethylene，PE)、聚萘二甲酸乙二酯(Polyethylene naphthalate，PEN)、聚
醚碸(Polyether sulfone，PES)、聚丙烯(PP)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚氯乙烯(PolyVinyl Chloride，PVC)、聚丙烯(Polypropylene，PP)或聚苯乙烯(Polystyrene，PS)，其中，透明薄膜之材質較佳者為聚乙烯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚乙烯(polyethylene，PE)或聚氯乙烯(PolyVinyl Chloride，PVC)，此外，透明薄膜具有可撓性，透明導電層設置於可撓性的透明薄膜上，藉此獲得可撓性的輸電元件。。而收光裝置可為積分球、太陽能板或光偵測器陣列(photodetector array)，上述之太陽能板或光偵測器陣列較佳地可為排列成一罩形(cap-shape)裝置，以利於收集發光二極體晶片所發出之光線，其中光偵測器陣列為光電二極體、電荷耦合器件(charge coupled device，CCD)、量子器件光學偵測器、光電閘、光電阻、光電晶體或光導體之陣列，收光裝置之較佳實施例為積分球。
此外，本發明之LED檢測裝置更包含頂針，用以將發光二極體晶片通過開口推入收光裝置內，藉以使得收光裝置收集發光二極體晶片發出之光線。
根據本發明之LED檢測裝置之第一較佳實施例，頂針位於支撐件與收光裝置的下方，發光二極體晶片位於輸電元件與支撐件之間，且輸電元件設置於發光二極體晶片之出光側。當頂針推動支撐件時，位於支撐件上之發光二極體晶片發出之光線係穿透輸電元件，藉以使得收光裝置較完整地收集發光二極體晶片發出之光線。
根據本發明之LED檢測裝置之第二較佳實施例，本實施例之LED檢
測裝置與第一較佳實施例之LED檢測裝置相似，其不同之處在於：本實施例之LED檢測裝置之輸電元件分別設置於發光二極體晶片之二側。當頂針推動支撐件時，位於支撐件上之發光二極體晶片發出之光線係穿透輸電元件，藉以使得收光裝置較完整地收集發光二極體晶片發出之光線。
根據本發明之LED檢測裝置之第三較佳實施例，本實施例之LED檢測裝置與第一較佳實施例之LED檢測裝置相似，其不同之處在於：本實施例之LED檢測裝置之輸電元件係設置於頂針與支撐件之間。當頂針推動支撐件時，位於支撐件上之發光二極體晶片發出之光線直接射入收光裝置，藉以使得收光裝置較完整地收集發光二極體晶片發出之光線。
根據本發明之LED檢測裝置之第四較佳實施例，本實施例之LED檢測裝置與第一較佳實施例之LED檢測裝置相似，其不同之處在於：頂針位於支撐件與收光裝置的上方，輸電元件係設置於支撐件與發光二極體晶片之間，本實施例之支撐件係由透光率大於80%之透明材料所構成，且支撐件為具有彈性。當頂針推動發光二極體晶片時，發光二極體晶片發出之光線係穿透輸電元件及支撐件，藉以使得收光裝置完全收集發光二極體晶片發出之光線。
根據本發明之LED檢測裝置之第五較佳實施例，本實施例之LED檢測裝置與第四較佳實施例之LED檢測裝置相似，其不同之處在於：本實施例之LED檢測裝置之輸電元件分別設置於發光二極體晶片之二側。當頂針推動發光二極體晶片時，發光二極體晶片發出之光線係穿透輸電元件及支撐件，藉以使得收光裝置完全收集發光二極體晶片發出之光線。
根據本發明之LED檢測裝置之第六較佳實施例，本實施例之LED檢測裝置與第四較佳實施例之LED檢測裝置相似，其不同之處在於：本實施例之LED檢測裝置之輸電元件係設置於頂針與發光二極體晶片之間。當頂針推動發光二極體晶片時，發光二極體晶片發出之光線係穿透支撐件，藉以使得收光裝置完全收集發光二極體晶片發出之光線。
承上所述，本發明之LED檢測裝置，其可具有一或多個下述優點：
(1)本發明之LED檢測裝置，藉由可撓性之輸電元件，可使收光裝置和發光二極體晶片更接近，使得發光二極體晶片發出之光線可較完整地進入收光裝置，以解決光線從收光裝置和發光二極體晶片間的縫隙漏失的問題。
(2)本發明之LED檢測裝置，藉由頂針將發光二極體晶片推入收光裝置內，以解決收光裝置無法完全收集發光二極體晶片發出之光線的問題。
(3)本發明之LED檢測裝置，藉由頂針將發光二極體晶片推入收光裝置內，可解決收光裝置無法完全收集發光二極體晶片發出之光線的問題，以準確檢測發光二極體晶片之發光效率。
10‧‧‧發光二極體晶片
30‧‧‧積分球
301‧‧‧開口
20‧‧‧支撐件
100‧‧‧點測裝置
11‧‧‧透明導電層
12‧‧‧輸電元件
13‧‧‧電源供應器
40‧‧‧頂針
15‧‧‧光電轉換裝置
L1‧‧‧光線
50‧‧‧透明薄膜
201‧‧‧導電區
D1、D2、D3、D4‧‧‧方向
第1圖係為本發明之LED檢測裝置之剖面示意圖。
第2圖係為本發明之LED檢測裝置之第一較佳實施例之剖面示意圖。
第3圖係為本發明之LED檢測裝置之第一較佳實施例中頂針將發光二極體晶片推入積分球內之剖面示意圖。
第4圖係為本發明之LED檢測裝置之第二較佳實施例之剖面示意圖。
第5圖係為本發明之LED檢測裝置之第三較佳實施例之剖面示意圖。
第6圖係為本發明之LED檢測裝置之第四較佳實施例之剖面示意圖。
第7圖係為本發明之LED檢測裝置之第五較佳實施例之剖面示意圖。
第8圖係為本發明之LED檢測裝置之第六較佳實施例之剖面示意圖。
本發明之LED檢測裝置係藉由可撓式輸電元件取代傳統探針，使得收光裝置得以較完整地收集發光二極體晶片發出之光線，達到準確量測發光二極體晶片發光效率的目的。收光裝置可為積分球、太陽能板或光偵測器陣列(photodetector array)，其中光偵測器陣列為光電二極體、電荷耦合器件(charge coupled device，CCD)、量子器件光學偵測器、光電閘、光電阻、光電晶體或光導體之陣列。其中，收光裝置之較佳實施例為積分球。下列將列舉出本發明之LED檢測裝置之數種實施例以進一步說明本發明之LED檢測裝置，惟這些實施例並非用以限定本發明。
請參閱第1圖，其為本發明之LED檢測裝置之剖面示意圖。本發明之LED檢測裝置包含具有開口301之積分球30、支撐件20以及點測裝置100(開口301之位置請參閱第2圖)。支撐件20用以承載至少一發光二極體晶片10，且待測之發光二極體晶片10之擺放位置相對應於積分球30之開口301。點測裝置100包含電源供應器13及至少二個可撓性之輸電元件12，且輸電元件12之二端係分別電性連接發光二極體晶片10及電源供應器13，以令發光二極體晶片10發出光線L1。由於輸電元件之可撓特性，使得發光二極體晶片與積分球開口更為貼合，發光二極體晶片發出之光線可較完整地進入收光裝置，以解決光線從收光裝置和發光二極體晶片間的縫隙漏失的問題。
請參閱第2圖以及第4圖至第8圖，其係分別為本發明之LED檢測裝置之第一較佳實施例至第六較佳實施例之剖面示意圖。然而，任何不脫離本發明申請專利範圍之精神與範疇下進行修改之實施方式，皆屬於本發明所申請保護之範圍。
請一併參閱第2圖及第3圖，其中第3圖係為本發明之LED檢測裝置之第一較佳實施例中頂針將發光二極體晶片推入積分球內之剖面示意圖。如第2圖及第3圖所示，本發明之LED檢測裝置之第一較佳實施例包含具有開口301之積分球30、支撐件20、頂針40以及點測裝置100。支撐件20用以承載至少一發光二極體晶片10，頂針40位於支撐件20與積分球30的下方，且待測之發光二極體晶片10之擺放位置相對應於積分球30之開口301。點測裝置100包含電源供應器13及至少二個可撓性之輸電元件12，且輸電元件12之二端係分別電性連接發光二極體晶片10及電源供應器13，以令發光
二極體晶片10發出光線L1。頂針40用以將發光二極體晶片10通過開口301沿方向D1推入積分球30內，藉以使得積分球30收集光線L1，並經由光電轉換裝置15轉換光線L1成一電訊號。其中，輸電元件12包含透明導電層11及透明薄膜50，透明導電層11之材質可例如為氧化銦錫或氧化銦鋅等具可透光特性之材料，而透明薄膜50之材質為聚乙烯對苯二甲酸酯、聚乙烯、聚氯乙烯，且其透光率大於80%，並且透明薄膜50具有可撓曲性。其中，最佳實施例為聚氯乙烯。
在本發明之第一較佳實施例中，發光二極體晶片10位於輸電元件12與支撐件20之間，且兩輸電元件皆設置於發光二極體晶片之出光側。此外，每一輸電元件12係與相鄰之輸電元件12電性絕緣，使得電性接觸兩輸電元件12之發光二極體晶片10得以接收不同之電壓而發出光線。
請參閱第3圖，當頂針40沿方向D1推動支撐件20使得位於支撐件20上之發光二極體晶片10電性接觸輸電元件12時，由於輸電元件12具備可撓性之特性，因此頂針40可將發光二極體晶片10連同輸電元件12通過開口301(如第2圖中所繪示)沿方向D1推入積分球30內，此時兩相鄰之輸電元件12提供一電壓差使得發光二極體晶片10發出光線L1，由於發光二極體晶片10發出之光線可穿透具備可透光特性之輸電元件12，積分球30可較完整地收集發光二極體晶片10發出之光線L1，進而達到準確檢測發光二極體晶片10之發光效率的目的。
如第2圖及第3圖所示，本發明之LED檢測裝置之第一較佳實施例適用於檢測發光二極體晶片10之發光效率，其檢測過程如下所述
：以支撐件20承載發光二極體晶片10；將頂針40沿方向D1移動以推動支撐件20，使得位於支撐件20上之發光二極體晶片10電性接觸輸電元件12；接著，繼續將發光二極體晶片10連同輸電元件12沿方向D1推入積分球30內，施加電壓使得發光二極體晶片10發出得以穿透輸電元件12之光線L1並朝向積分球30，進而使積分球30得以較完整地收集光線L1；接著，再藉由光電轉換裝置15接收光訊號並轉換成電訊號以呈現發光二極體晶片10之發光效率；最後，頂針40可再沿方向D2移動，使得發光二極體晶片10遠離積分球30之量測區域，以結束量測發光二極體晶片10之發光效率。
此外，在本發明之第一較佳實施例之檢測過程中，頂針40係提供將發光二極體晶片10推入或推出積分球30之量測區域之功能，此處的「推出」指的是由於輸電元件12中的透明薄膜50具有可撓性，因此當頂針40不再對支撐件20施加壓力，發光二極體晶片10及支撐件20會因透明薄膜50的反彈力而沿方向D2退出積分球30。換言之，使用者可先以頂針40將發光二極體晶片10推入積分球30內，再藉由點測裝置100提供發光二極體晶片10之電壓來源，以達到收集發光二極體晶片10發出之光線L1的目的。
在本發明之LED檢測裝置中，輸電元件12之設置位置並不限於本發明所述之各種實施例，任何能提供發光二極體晶片電壓，使得發光二極體晶片得以發出光線之輸電元件的設置位置，皆屬於本發明所申請保護之範圍。
請接續參閱第4圖，其係為本發明之LED檢測裝置之第二較佳實施例之剖面示意圖。在本發明之LED檢測裝置之第二較佳實施例中，輸電元件12分別設置於發光二極體晶片10的兩端，其中一輸電
元件12位於發光二極體晶片10之出光面，另一輸電元件12設置於頂針40與支撐件20之間，以供應承載於支撐件20上之發光二極體晶片10之電壓來源。因此，在本發明之第二較佳實施例中，支撐件20之材質須為具備可導電特性之材料，以達到提供發光二極體晶片10電壓之作用。其中，輸電元件12包含透明導電層11及透明薄膜50，透明導電層11之材質可例如為氧化銦錫或氧化銦鋅等具可透光特性之材料，而透明薄膜50之材質為聚乙烯對苯二甲酸酯、聚乙烯、聚氯乙烯，且其透光率大於80%，並且透明薄膜50具有可撓曲性。其中，最佳實施例為聚氯乙烯。
如第4圖及第2圖所示，本發明第二較佳實施例與第一較佳實施例差異之處在於，第二較佳實施例之輸電元件12分別設置於發光二極體晶片10之兩側，其中一輸電元件12位於發光二極體晶片10之出光面，另一輸電元件12位於頂針40與支撐件20之間。本發明第二較佳實施例之檢測過程如下所述：以支撐件20承載發光二極體晶片10；藉由移動頂針40以推動支撐件20，接著，繼續將發光二極體晶片10連同輸電元件12沿方向D1推入積分球30內，施加電壓使得位於支撐件20上之發光二極體晶片10電性接觸分別設置於其出光面及頂針40上之輸電元件12而發出光線L1；發出之光線L1得以穿透輸電元件12並朝向積分球30，進而使積分球30得以較完整地收集光線L1並藉由光電轉換裝置15轉換發光二極體晶片10發出之光線L1成一電訊號，以呈現發光二極體晶片10之發光效率。
此外，在本發明之LED檢測裝置中，使用者更可視實際需求將輸電元件12直接設置於頂針40上。如第5圖所示，其係為本發明之LED檢測裝置之第三較佳實施例之剖面示意圖。在本發明之LED檢
測裝置之第三較佳實施例中，輸電元件12設置於頂針40表面上，以供應位於支撐件20上之發光二極體晶片10之電壓來源。此外，由於位於支撐件20上之發光二極體晶片10係藉由設置於頂針40表面上之輸電元件12以供應發光二極體晶片10發光之電壓來源，因此，在本發明之第三最佳實施例中，分別對應於兩個輸電元件12位置之支撐件20須設置導電區201，使得頂針40接觸支撐件20時，可藉由導電區201以電性接觸發光二極體晶片10，並將發光二極體晶片10連同輸電元件12推入積分球30內，進而使發光二極體晶片10發出光線L1。其中，輸電元件12包含透明導電層11及透明薄膜50，透明導電層11之材質可例如為氧化銦錫或氧化銦鋅，但不限於此。
如第5圖及第2圖所示，本發明第三較佳實施例與第一較佳實施例差異之處在於，第三較佳實施例之輸電元件12設置於頂針40和支撐件20之間。本發明第三較佳實施例之檢測過程如下所述：以支撐件20承載發光二極體晶片10；藉由移動頂針40以推動支撐件20直到推入積分球30內，使發光二極體晶片10藉由導電區201電性接觸設置於頂針40上之輸電元件12而發出光線L1；藉由積分球30收集光線L1並藉由光電轉換裝置15將其轉換為電訊號以呈現發光二極體晶片10之發光效率。
本發明之LED檢測裝置具有可撓式輸電元件與頂針，藉由頂針將發光二極體晶片推入積分球內，使得積分球得以較完整地收集發光二極體晶片發出之光線，達到準確量測發光二極體晶片之發光效率的目的。然而，在本發明之LED檢測裝置中，上述第一至第三較佳實施例之圖式並不用以限定本發明之LED檢測裝置。本發
明之LED檢測裝置更可為下列第四至第六較佳實施例所述。
第6圖至第8圖係分別本發明之LED檢測裝置之第四較佳實施例至第六較佳實施例之剖面示意圖。在本發明之第四至第六較佳實施例中，頂針40位於支撐件20與該積分球30的上方，支撐件20係由透光率大於80%且具可撓性特性之材料所構成。當頂針40推動發光二極體晶片10時，可連同支撐件20一併推入於積分球30內，發光二極體晶片10發出之光線L1可穿透具透明特性之支撐件20，藉以使得積分球30較完整地收集發光二極體晶片10發出之光線L1。
請參閱第6圖，在本發明之第四較佳實施例中，輸電元件12設置於發光二極體晶片10與支撐件20之間，且每一輸電元件12係與相鄰之輸電元件12電性絕緣，使得電性接觸兩輸電元件12之發光二極體晶片10得以接收不同之電壓而發出光線。其中，輸電元件12包含透明導電層11及透明薄膜50，透明導電層11之材質可例如為氧化銦錫或氧化銦鋅等具可透光特性之材料。
如第6圖及第2圖所示，本發明第四較佳實施例與第一較佳實施例差異之處在於，第四較佳實施例之頂針40位於支撐件20與積分球30的上方，且輸電元件12設置於發光二極體晶片10與支撐件20之間。頂針40直接接觸發光二極體晶片10並將其經由開口301沿方向D4推入積分球30內。本發明第四較佳實施例之檢測過程如下所述：在設置有二個輸電元件12之支撐件20上承載發光二極體晶片10；將頂針40沿方向D4移動以推動發光二極體晶片10，使得發光二極體晶片10連同支撐件20被頂針40推入積分球30內；藉由點測裝置100進行檢測，其中點測裝置100之電源供應器13係經由輸電元件12提供發光二極體晶片10之電壓來源，以令發光二極體晶片
10發出光線L1；積分球30可較完整地接收發光二極體晶片10發出之光線L1並藉由光電轉換裝置15將其轉換成一電訊號以呈現發光二極體晶片10之發光效率；最後，頂針40可再沿方向D3移動，使得發光二極體晶片10遠離積分球30之量測區域，以結束量測發光二極體晶片10之發光效率。
相較於第四較佳實施例，在本發明之LED檢測裝置中，輸電元件12除了可設置於發光二極體晶片10與支撐件20之間(如第6圖及第四較佳實施例中所述)，使用者更可視實際需求將輸電元件12設置於本發明之檢測裝置中之其他元件上。並且，輸電元件12之設置位置並不限於本發明所述之各種實施例，任何能提供發光二極體晶片電壓，使得發光二極體晶片得以發出光線之輸電元件的設置位置，皆屬於本發明所申請保護之範圍。
請接續參閱第7圖，其係為本發明之LED檢測裝置之第五較佳實施例之剖面示意圖。在本發明之LED檢測裝置之第五較佳實施例中，支撐件20係由透光率大於80%且具可撓性特性之材料所構成，且輸電元件12分別設置於發光二極體晶片兩側，以供應位於支撐件20上之發光二極體晶片10之電壓來源。當頂針40推動發光二極體晶片10時，支撐件20可一併被推入積分球30內，發光二極體晶片10發出之光線L1可穿透具透明特性之支撐件20，藉以使得積分球30較完整地收集發光二極體晶片10發出之光線L1。其中，設置於支撐件20上之輸電元件12包含透明導電層11及透明薄膜50，透明導電層11之材質可例如為氧化銦錫或氧化銦鋅等具可透光特性之材料。
如第7圖及第6圖所示，本發明第五較佳實施例與第四較佳實施例
差異之處在於，第五較佳實施例之輸電元件12分別設置於發光二極體晶片10兩側。本發明第五較佳實施例之檢測過程如下所述：將發光二極體晶片10設置於有一輸電元件12之支撐件20上；移動頂針40，使得發光二極體晶片10電性接觸分別設置於頂針40及支撐件20上之輸電元件12；接著，繼續將發光二極體晶片10連同支撐件20推入積分球30內，使得發光二極體晶片10發出光線L1，且得以穿透位於支撐件20上之輸電元件12以及支撐件20並朝向積分球30，進而使積分球30得以較完整地收集光線L1，並藉由光電轉換裝置15將發光二極體晶片10發出之光線L1轉換成一電訊號以呈現發光二極體晶片10之發光效率。
此外，在本發明之LED檢測裝置中，使用者更可視實際需求將輸電元件12設置於頂針40與發光二極體晶片10之間。如第8圖所示，其係為本發明之LED檢測裝置之第六較佳實施例之剖面示意圖。在本發明之LED檢測裝置之第六較佳實施例中，支撐件20係由透光率大於80%且具可撓性特性之材料所構成，且輸電元件12設置於頂針40與發光二極體晶片10之間，以供應位於支撐件20上之發光二極體晶片10之電壓來源。
如第8圖及第6圖所示，本發明第六較佳實施例與第四較佳實施例差異之處在於，第六較佳實施例之輸電元件12設置於頂針40與發光二極體晶片10之間。本發明第六較佳實施例之檢測過程如下所述：以支撐件20承載發光二極體晶片10；藉由移動頂針40以將位於頂針40與發光二極體晶片10之間之輸電元件12電性接觸發光二極體晶片10；繼續推動頂針40使得發光二極體晶片10連同支撐件20一併被推入積分球30內並發出光線L1，使得積分球30得以較完
整地收集光線L1並藉由光電轉換裝置15將光線L1轉換成一電訊號以呈現發光二極體晶片10之發光效率。
綜上所述，本發明之LED檢測裝置藉由頂針將發光二極體晶片推入積分球內，使得積分球得以完全收集發光二極體晶片發出之光線，達到準確量測發光二極體晶片之發光效率的目的。
以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發明之精神與範疇，而對其進行之等效修改或變更，均應包含於後附之申請專利範圍中。
10‧‧‧發光二極體晶片
30‧‧‧積分球
20‧‧‧支撐件
100‧‧‧點測裝置
11‧‧‧透明導電層
12‧‧‧輸電元件
13‧‧‧電源供應器
15‧‧‧光電轉換裝置
L1‧‧‧光線
50‧‧‧透明薄膜
Claims (12)
- 一種LED檢測裝置，至少包含：具有開口之一收光裝置；一支撐件，用以承載至少一發光二極體晶片；以及一點測裝置，該點測裝置包含一電源供應器及至少二個可撓性之輸電元件，該些輸電元件之二端係分別電性連接該發光二極體晶片及該電源供應器，以令該發光二極體晶片發出光線，其中該輸電元件包含一透明薄膜及一透明導電層，該透明導電層設置於該透明薄膜之上。
- 如申請專利範圍第1項所述之LED檢測裝置，其中該透明導電層之材質為氧化銦錫(indium tin oxide，ITO)或氧化銦鋅(indium zinc oxide，IZO)。
- 如申請專利範圍第1項所述之LED檢測裝置，其中該透明薄膜之材質為聚乙烯對苯二甲酸酯、聚氯乙烯或聚乙烯。
- 如申請專利範圍第1項所述之LED檢測裝置，其中該收光裝置為積分球、太陽能板或光偵測器陣列(photodetector array)。
- 如申請專利範圍第1項所述之LED檢測裝置，更包含一頂針，該頂針位於該支撐件與該收光裝置之下方，用以將該發光二極體晶片通過該開口推入該收光裝置內，藉以使得該收光裝置收集該發光二極體晶片發出之光線。
- 如申請專利範圍第5項所述之LED檢測裝置，其中該發光二極體晶片位於該輸電元件與該支撐件之間。
- 如申請專利範圍第5項所述之LED檢測裝置，其中該些輸電元件分別設置於該發光二極體晶片之二側。
- 如申請專利範圍第5項所述之LED檢測裝置，其中該些輸電元件係設置於該頂針與該支撐件之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之LED檢測裝置，更包含一頂針，該頂針位於該支撐件與該收光裝置之上方，用以將該發光二極體晶片通過該開口推入該收光裝置內，藉以使得該收光裝置收集該發光二極體晶片發出之光線，且該支撐件係由透光率大於80%之透明材料所構成。
- 如申請專利範圍第9項所述之LED檢測裝置，其中該些輸電元件係設置於該支撐件與該發光二極體晶片之間。
- 如申請專利範圍第9項所述之LED檢測裝置，其中該些輸電元件係分別設置於該發光二極體晶片之二側。
- 如申請專利範圍第9項所述之LED檢測裝置，其中該些輸電元件係設置於該頂針與該發光二極體晶片之間。
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