TWI484587B - Substrate processing equipment - Google Patents

Description

基片處理設備

本發明涉及微電子生產技術領域，尤指一種基片承載裝置及應用該基片承載裝置的基片處理設備。

在微電子產品製造領域中，採用金屬有機化合物化學氣相沉積(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，以下簡稱MOCVD)設備製備薄膜的工作原理是將Ⅱ或Ⅲ族金屬有機化合物與Ⅳ或Ⅴ族元素的氫化物相混合後通入反應腔室，混合氣體流經加熱的基片表面時，在基片表面發生熱分解反應，並晶膜生長成化合物單晶薄膜。現有技術中，上述MOCVD設備普遍存在單台設備產能較低的問題。據此，為了提高MOCVD設備的單台設備產能，一般在製程腔室內採用具有大尺寸托盤的基片承載裝置，藉以能夠一次性承載更多的基片並同時進行製程加工。

圖1為一種常用的應用在MOCVD製程腔室中的基片承載裝置的結構示意圖。請參閱圖1，該基片承載裝置包括大托盤1和疊置於大托盤1上的多個小托盤2，其中，多個小托盤2沿大托盤1的周圍均勻分佈，且在每個小托盤2上水平放置有多個基片。在製程進行的過程中，大托盤1繞其中心軸旋轉，小托盤2在隨大托盤1公轉的同時發生自轉，藉以使各個小托盤2上的多個基片隨之同步旋轉。進一步的，在製程腔室內靠近中央位置處設有中央供氣系統(圖未示)，其沿大托盤1的徑向方向均勻供氣；進入製程腔室中的製程氣體在通過基片表面時將發生反應並在基片表面沈積以形成所需的晶膜生長膜層。

上述MOCVD設備利用大托盤和小托盤的行星式旋轉可有效提升均勻性，並在一定程度上提高腔室內部的有效製程空間，藉以提高產能。但是，上述基片承載裝置不可避免地存在下述缺點：首先，在上述基片承載裝置結構的基礎上，若要進一步增大單台設備產能，只能通過增大上述大托盤尺寸的方式而使其承載更多的基片來實現。但是，對於由石墨材質製成的托盤而言，要使其尺寸在現有基礎上進一步增大，必將導致托盤加工難度及加工成本的急劇增加，進而造成設備成本及運行成本隨之增加。

其次，在製程進行的過程中，製程氣體由製程腔室的供氣系統進入製程腔室內並充滿整個腔室空間，藉以在基片表面形成所需膜層。然而由於現有的托盤結構僅能在其一面承載基片，因此，流經托盤另一面的製程氣體被作為廢氣而直接排出製程腔室，進而導致製程氣體的嚴重浪費，而製程氣體的利用率低，則提高了設備的生產運行成本。

為解決上述問題，本發明提供一種基片承載裝置，其能夠在保證生產良率的同時，有效提高單台MOCVD設備的產能及製程氣體的利用率。

為解決上述問題，本發明還提供一種基片處理設備，其在保證生產良率的同時，可有效提高產能及製程氣體的利用率。

據此，本發明提供一種基片承載裝置，其係用於承載基片，其係包括至少一個托盤，該托盤具有兩個相反的用於承載基片的盤面。

其中，該盤面上設置有多個用於放置基片的裝片位。

其中，該裝片位係為與基片形狀相符合的凹槽、凸台或與盤面相平齊的平面。

其中，該托盤以靜電吸附的方式將基片固定在裝片位上。

其中，在凹槽與盤面相交的邊緣處設置有凸爪和/或凸緣，藉由所述之凸爪和/或凸緣而將基片固定在凹槽中。

其中，該托盤包括可分離地貼合在一起的第一托盤和第二托盤，在第一托盤和/或第二托盤的貼合面上設置有一與凹槽連通的裝片通道；在裝/卸基片時，通過該裝片通道而將基片放入凹槽中或從凹槽中取出。

其中，在托盤上與盤面相鄰的側面設置有一與凹槽相連通的裝片通道；在裝/卸基片時，通過該裝片通道而將基片放入凹槽中或從凹槽中取出。

其中，所述凸爪和/或凸緣分布於凹槽的部分邊緣處，凹槽的未被凸爪和/或凸緣覆蓋的區域面積足以使基片通過；在裝/卸基片時，使基片通過凹槽中未被凸爪和/或凸緣覆蓋的區域進入凹槽內部，然後將基片移動至凸爪和/或凸緣所在位置處，以藉由凸爪和/或凸緣將基片固定於凹槽內。其中，凸緣為半圓環狀。

其中，所述托盤還包括支撐片，支撐片可分離地貼合在盤面上，並且在支撐片上設置有與凹槽相對應的通孔， 該通孔的至少部分邊緣將基片固定在凹槽內。

其中，位於同一托盤的兩個盤面上的裝片位係對稱或錯位設置。

其中，基片承載裝置包括至少兩個相互間隔疊置的托盤，相鄰托盤上的裝片位係相對或錯位設置。

其中，基片承載裝置還包括旋轉連接機構，用以將各個托盤間隔地連接在一起，藉以驅動各個托盤進行同步或獨立地旋轉運動。其中，該旋轉機構包含貫穿所述多個托盤的轉軸。

其中，所述托盤的材料包括石墨、鉬或鉬合金。

其中，所述托盤係由石墨材料製成，並且基片承載裝置表面係具有SiC塗層。

其中，基片承載裝置可承載的基片材料包括藍寶石、Ge、GaAs、GaN、SiC或Si。

此外，本發明還提供一種基片處理設備，包括製程腔室，在製程腔室內設置有上述本發明所提供的基片承載裝置，用以在製程過程中承載基片。

本發明具有下述優點：本發明提供的基片承載裝置包括至少一個托盤，並且該托盤具有兩個相反的用於承載基片的盤面。因此，本發明提供的基片承載裝置與現有的同等尺寸的基片承載裝置相比，藉由上述至少一個托盤、以及各個托盤上的兩個盤面能夠承載更多的基片，進而能夠有效提高製程設備的產能。而且，由於應用本發明提供的基片承載裝置在增大設備產能的同時無需增加基片承載裝置的尺寸，因此，在製 程過程中有利於對製程設備中的氣流場及溫度場進行有效控制，藉以保證了製程結果的穩定性及均勻性。並且，在利用本發明提供的基片承載裝置進行實際製程時，製程氣體可同時與位於托盤的兩個盤面上的基片發生反應，並在基片表面形成所需膜層，藉以在增大設備產能的同時能夠有效提高製程氣體的利用率，進而降低設備的生產運行成本。

本發明提供的基片處理設備包括製程腔室，並且在該製程腔室內部設置有上述本發明提供的基片承載裝置，用以在製程過程中承載基片。因此，本發明提供的基片處理設備在保證製程穩定性及均勻性的同時，能夠一次性承載更多的基片同時進行製程，不但具有較高的產能，而且還可有效提高製程氣體的利用率，進而降低生產成本。

為使本領域的通常知識者更好地理解本發明的技術方案，下面結合附圖對本發明提供的基片承載裝置及應用該基片承載裝置的基片處理設備進行詳細描述。

為了便於描述，在下述各個實施例中均是將基片裝載裝置的托盤水平放置作為基準面，托盤的上盤面和下盤面分別是指當基片裝載裝置的托盤水平放置時托盤向上的面和托盤向下的面。

請參閱圖2，為本發明提供的基片承載裝置的結構示意圖。該基片承載裝置包括一個托盤30，該托盤30具有兩個相反的盤面，分別為上盤面310和下盤面320，並且在上盤面310和下盤面320上分別設有多個可用於放置基片的裝 片位311、321，所述之裝片位311、321係為與基片形狀相符合的凹槽。也就是說，托盤30具有可用於承載基片的雙面盤面，藉以托盤30與現有的同等尺寸的托盤相比，能夠一次性承載更多的基片。因此，該基片承載裝置具有更強的承載能力，將其應用於製程設備中時，能夠有效提高製程設備的產能。

此外，基片承載裝置還可以包括一個以上的托盤30，並且一個以上的托盤30均具有兩個相反的用於承載基片的盤面，以進一步提高基片承載裝置的承載能力，進而提高了製程設備的產能。

據此，上述裝片位311、321具體的係為設置在上盤面310和下盤面320上且與基片形狀相符合的凹槽。需要指出的是，在實際應用中，上述裝片位311、321也可以設置為其他結構，例如，還可以是凸出於上述盤面且與基片形狀相符合的凸台，或者僅僅是在盤面上劃分出且用於放置基片的特定的平面位置而非為凹槽或凸台。

針對基片承載裝置水平放置在製程腔室中時，托盤的上、下盤面的位置不同的特點，托盤的上、下盤面可以採取不同的基片承載方式。下面分別就托盤上盤面與下盤面對於基片的承載方式所採取的技術方案進行詳細說明。

首先，請依次參閱圖3A至圖3C，分別為本發明提供的托盤的上盤面所採取的承載基片的三種具體方案。

請參閱圖3A，為本發明提供的托盤中的上盤面所採用的第一種基片承載方式的結構示意圖。本方案中，托盤41的上盤面410上的裝片位具體為與上盤面410相平齊的平 面，也就是說，該裝片位僅為在上盤面410上所指定的多個專門用於放置基片80的區域，而非為凹槽或是凸台。由於基片承載裝置被水平放置在製程腔室內，利用基片80的重力作用即可實現與基片承載裝置之間的定位，進一步的，還可以為基片承載裝置施加一定的直流偏壓，藉以以靜電吸附的方式而將基片80固定在各自的裝片位上。

請參閱圖3B，為本發明提供的托盤中的上盤面所採用的第二種基片承載方式的結構示意圖。本方案中，托盤42的上盤面420的裝片位421係為與基片80的形狀相符合的凹槽，基片80被置於該凹槽中，藉以利用凹槽的側壁而實現對基片80的定位。本方案中所示的凹槽深度大於基片80的厚度而使基片80的上表面低於上盤面420。在實際應用中，該凹槽的深度還可以小於基片的厚度，藉以使基片上表面高於上盤面；進一步的，還可以使凹槽的深度與基片的厚度大致相等，藉以使基片上表面與上盤面相平齊。

請參閱圖3C，為本發明提供的托盤中的上盤面所採用的第三種基片承載方式的結構示意圖。本方案中，托盤43的上盤面430的裝片位431係為一種凸出於上盤面430且與基片80的形狀相符合的凸台，基片80被置於該凸台的上表面上，並利用基片80自身重力或利用施加在托盤43上的直流偏壓而將基片80固定於裝片位431上。

需要指出的是，在實際應用中，還可以在同一個托盤的上盤面上同時應用上述圖3A至3C所示的三種或其中任意兩種結構的裝片位，只要其能夠穩固可靠地將基片固定於裝片位上。

還需要指出的是，上述圖3A至3C所示的上盤面承載基片的方式僅僅是作為部分實施例而用以示範性地說明本發明提供的基片承載裝置的結構；但本發明並不局限於此，其他基於本發明的原理而進行的變形和改進同樣應視為本發明的保護範圍。

請依次參閱圖4A至4E，分別為本發明提供的托盤的下盤面所採取的承載基片的五種具體方案。具體而言，這五種具體方案中的下盤面均採用係為凹槽的裝片位來固定基片，並藉由在凹槽與下盤面相交的邊緣處所設置的凸爪和/或凸緣而將基片固定在裝片位中；區別在於裝/卸基片的方式有所不同，具體說明請分別參閱下述描述。

請參閱圖4A，為本發明所提供的托盤的下盤面所採用的第一種基片承載方式的結構示意圖。本方案中，托盤51進一步包括第一托盤511和第二托盤512，二者之間係以可分離的方式緊密地貼合在一起而構成完整的托盤51。其中，托盤51的下盤面521即為第二托盤512的下表面，且下盤面521上的多個裝片位523均係為一凹槽，在凹槽與下盤面521相交的邊緣處設置有凸緣524，基片80被置於凸緣524的至少部分邊緣上，藉以將基片固定於下盤面521上的裝片位523內。此外，在第二托盤512與第一托盤511相貼合的貼合面522上具有與裝片位523連通的裝片通道，本方案中使凹槽在第二托盤512的厚度方向上貫通該第二托盤512，藉以形成上述的裝片通道。上述基片承載裝置結構通過該裝片通道進行裝/卸基片的過程如下，先將第一托盤511和第二托盤512相互分離，藉由機械手或人工 將基片80從凹槽中取出或放入凹槽內，然後將第一托盤511和第二托盤512重新貼合即可。對於上述第一托盤511和第二托盤512之間的可分離的連接方式，可以採用例如但不限於螺栓連接或者卡套及卡具連接等方式而實現。

請參閱圖4B和4C，分別為本發明提供的托盤中的下盤面所採用的第二和第三種基片承載方式的結構示意圖。這兩種方案均是在上述圖4A所示方案的基礎上對裝片通道所進行的變形和改進。

具體而言，圖4B所示方案為，托盤52同樣由第一托盤511和第二托盤512貼合而成，與圖4A所示方案的區別在於，在第二托盤512中設置有一個可被所有的裝片位523共用的裝片通道525。此外，本方案中托盤52的各部分結構均與圖4A所示結構類似，並且具有同樣的裝/卸基片過程。而本方案相對於圖4A所示結構的托盤而言，其優點在於，可實現對所有裝片位523中的基片80同時進行裝/卸操作，進而在一定程度上提高基片的裝/卸效率。

圖4C所示方案為，裝片通道525設置在托盤53的與盤面相鄰的側面上；在裝/卸基片時，可藉由機械手或人工通過該裝片通道525而將基片80放入係為凹槽的裝片位523中或將基片80從該凹槽中取出。進一步的，也可以不設置凹槽作為裝片位523，並將該裝片通道525設置在靠近下盤面521的位置處，藉以直接將該裝片通道525的一部分作為裝片位523使用。此外，較佳的，在裝片通道525的入口處設置擋板或擋塊，以防止製程氣體進入該裝片通道525內部。

需要指出的是，對於托盤裝片通道的設置位置及結構，並不局限於上述圖4A至圖4C中所示的方案，本領域通常知識者可以在此基礎上做出多種變形和改進，而凡是基於本發明的原理及實質所做出的變形及改進均應視為為本發明的保護範圍。

請參閱4D，為本發明提供的托盤中的下盤面所採用的第四種基片承載方式的結構示意圖。托盤54的下盤面521上的裝片位523係為一種長圓形或橢圓形的凹槽，並且，在該凹槽一端且與下盤面521相交的邊緣處設置一個半圓環狀的凸緣524。在裝/卸基片80時，可以藉由機械手將基片托起並經由凹槽未設置凸緣524的一端進入凹槽內部，然後移動至具有凸緣524的一端，藉由該半圓環狀的凸緣524將基片80固定於裝片位523中。可以理解的是，在實際應用中，上述作為裝片位523的凹槽的形狀以及凸緣524的形狀均可產生多種變形和改進，而只要將凸緣524僅設置於係為凹槽的裝片位523與下盤面521相交的部分邊緣處，而且凹槽的未被凸緣524覆蓋的區域面積足以使基片80順利地通過並進入裝片位523內部即為本發明的保護範圍。這種方案的優點在於，能夠提高裝/卸基片的自動化程度，也就是說，裝/卸基片的過程可完全依靠機械手完成，藉以提高基片的裝/卸效率；另外，由於本方案中用於支撐基片的凸緣面積較小，因而可在一定程度上增加基片的表面利用率。

請參閱圖4E，為本發明提供的托盤的下盤面所採用的第五種基片承載方式的結構示意圖。本方案中，在托盤55 的下盤面上設置有一個與下盤面形狀相符合的支撐片526，該支撐片526能夠與下盤面分離地拆/裝，具體而言可以採用螺接或卡接等與圖4A所示方案中類似的連接方式而將二者結合在一起。在支撐片526上設置有多個與下盤面上的裝片位523的位置相對應的通孔527，且通孔527的至少部分邊緣能夠用於穩定地承載基片80。在裝載基片80時，可先將該支撐片526與托盤55的下盤面分離，然後將基片80裝入下盤面的係為凹槽的裝片位523中，再將支撐片526與托盤55進行貼合連接即可；卸載基片的過程與之類似。

上述圖4A至圖4E中所示的各方案中，均以凸緣作為承載基片的支撐結構，容易理解的是，當把凸緣改為其他形狀時或者改為幾個獨立的凸爪時，同樣能實現支撐基片的作用。並且，將凸緣改為凸爪後還可進一步增大基片的表面利用率。

請一併參閱圖5A至5C，為本發明提供的托盤中所採用的三種凸爪結構，該圖5A至圖5C所示的各圖形均為裝片位的輪廓示意圖。如圖所示，以實現對圓形基片的承載為例，可以在圓形的裝片位的邊緣處設置複數個凸爪，例如圖中所示的3個或4個凸爪，並且各個凸爪在裝片位的周圍可以均勻分佈，也可以不均勻分佈。而且，可以理解的是，在同一裝片位上還可同時設置凸緣及凸爪，以更好地承載基片。此外，上述圖4E所示的方案實際上是將位於裝片位處的凸緣和/或凸爪結構從托盤上分離出來的結構，因此，圖4E所示的支撐片的通孔形狀同樣可參照上述圖5A 至5C所示的輪廓形狀而設置。

容易理解的是，上述圖3A至圖5C所示的各種對基片的承載方案可在托盤的上、下盤面的裝片位中進行互換；也就是說，上述圖3A至圖3C所示的以靜電吸附等方式承載基片的裝片位結構同樣可應用於下盤面上；同樣的，上述圖4A至圖5C所示的利用凹槽及凸緣和/或凸爪等結構承載基片的裝片位結構也可應用於上盤面上。本領域通常知識者可根據實際需要進行靈活操作，此處不再一一贅述。

此外還可以理解的是，對於上述本發明所提供的托盤中，位於上盤面和下盤面的裝片位的位置關係，可以採取相互對應的方式設置，也可以採取相互錯位的方式設置。通常知識者可以根據實際應用中，針對托盤溫度場及腔室氣流場分佈的具體需要對同一托盤上的裝片位進行不同的設置。

請參閱圖6，為本發明提供的基片承載裝置一個具體實施例的結構示意圖。本實施例中，基片承載裝置由三個相互平行設置的托盤構成，並通過旋轉連接機構74進行連接，並且各托盤之間具有一定的間隔距離以便於製程氣體通過。上述旋轉連接機構74可驅動各個托盤進行同步旋轉運動，也可單獨地驅動各個托盤各自進行運動。當各個托盤被同步驅動旋轉時，相鄰托盤上的裝片位的位置可以採取相互對應的方式進行設置，也可以採取相互錯位的方式進行設置。例如，圖6所示基片承載裝置中，相鄰的托盤71與托盤72上的裝片位的位置為相對設置，而托盤72和托盤73之間的裝片位的位置則採取錯位設置。而且，通常 知識者還可根據需要對同一個托盤上的上、下盤面的裝片位的位置進行設置，以滿足製程需求。而對於各托盤中的裝片位承載基片的具體結構可參照上述圖3A至圖5C中所述的方案進行選擇和設置，在此不予贅述。

本發明提供的基片承載裝置中，托盤的材料可以包括但不限於石墨、鉬或鉬合金等耐高溫、且化學性質穩定的材質；當採用石墨作為托盤的材料時，較佳的，在托盤表面設置一層SiC塗層。此外，本發明所提供的基片承載裝置可用於承載包括藍寶石、Ge、GaAs、GaN、SiC或Si等材料的基片進行相應的薄膜製備製程。

需要指出的是，上述各附圖及實施例均以圓形的托盤為例對本發明提供的基片承載裝置結構加以描述，但本發明並不局限于此，通常知識者可根據實際需要而對各托盤的形狀進行變形或改進，並且該變形和改進均應視為本發明的保護範圍。並且，本發明所提供的基片承載裝置中的裝片位的形狀並不局限於圓形，當基片形狀發生變化時，通常知識者可據此對各個托盤上的裝片位的形狀進行改變。

還需要指出的是，本發明提供的基片承載裝置還可採用豎直放置的方式進行製程，具體而言，使基片承載裝置的旋轉軸為水平方向，藉以使各個托盤的盤面均處於豎直的平面內進行旋轉或靜止。

綜上所述，本發明提供的基片承載裝置包括至少一個托盤，並且各托盤的兩個盤面均可用於承載基片進行製程。因此，本發明所提供的基片承載裝置與目前常用的同 等尺寸的基片承載裝置相比，能夠承載更多的基片進行製程，進而有效提高設備的產能，同時提高製程氣體的有效利用率。而且，由於應用本發明提供的基片承載裝置，在增大設備產能的同時無需增加基片承載裝置的尺寸，因而有利於製程設備對氣流場及溫度場的穩定性和均勻性實現有效控制，進而可獲得理想的製程效果。此外，在一個較佳實施例中，本發明提供的基片承載裝置還具有旋轉連接機構，可驅動各托盤同步或進行獨立的旋轉運動，藉以有效提高製程的均勻性。

作為另一種技術方案，本發明還提供一種基片處理設備，包括製程腔室，在製程腔室內設置上述本發明所提供的基片承載裝置，用以在製程過程中承載基片。在實際應用中，該基片處理設備可以是但不限於MOCVD設備。

由於本發明提供的基片處理設備中設置有上述本發明提供的基片承載裝置。因此，基於類似的理由，該基片處理設備能夠在保證製程穩定性及均勻性的同時，具有較高的產能以及較高的製程氣體利用率，進而降低設備及生產運行等的成本。

可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發明的原理而採用的示例性實施方式，然而本發明並不局限於此。對於本領域內的通常知識者而言，在不脫離本發明的精神和實質的情況下，可以做出各種變形和改進，這些變形和改進也視為本發明的保護範圍。

1‧‧‧大托盤

2‧‧‧小托盤

30‧‧‧托盤

310‧‧‧上盤面

311‧‧‧裝片位

320‧‧‧下盤面

321‧‧‧裝片位

41‧‧‧托盤

42‧‧‧托盤

43‧‧‧托盤

410‧‧‧上盤面

420‧‧‧上盤面

421‧‧‧裝片位

430‧‧‧上盤面

431‧‧‧裝片位

51‧‧‧托盤

52‧‧‧托盤

53‧‧‧托盤

54‧‧‧托盤

55‧‧‧托盤

511‧‧‧第一托盤

512‧‧‧第二托盤

521‧‧‧下盤面

522‧‧‧貼合面

523‧‧‧裝片位

524‧‧‧凸緣

525‧‧‧裝片通道

526‧‧‧支撐片

527‧‧‧通孔

71‧‧‧托盤

72‧‧‧托盤

73‧‧‧托盤

74‧‧‧旋轉連接機構

80‧‧‧基片

圖1為一種常用的MOCVD製程腔室的結構示意圖。

圖2為本發明提供的基片承載裝置中的托盤的結構示意圖。

圖3A為本發明提供的托盤中的上盤面所採用的第一種基片承載方式的結構示意圖。

圖3B為本發明提供的托盤中的上盤面所採用的第二種基片承載方式的結構示意圖。

圖3C為本發明提供的托盤中的上盤面所採用的第三種基片承載方式的結構示意圖。

圖4A為本發明提供的托盤中的下盤面所採用的第一種基片承載方式的結構示意圖。

圖4B為本發明提供的托盤中的下盤面所採用的第二種基片承載方式的結構示意圖。

圖4C為本發明提供的托盤中的下盤面所採用的第三種基片承載方式的結構示意圖。

圖4D為本發明提供的托盤中的下盤面所採用的第四種基片承載方式的結構示意圖。

圖4E為本發明提供的托盤中的下盤面所採用的第五種基片承載方式的結構示意圖。

圖5A為本發明提供的托盤中所採用的第一種凸爪結構示意圖。

圖5B為本發明提供的托盤中所採用的第二種凸爪結構示意圖。

圖5C為本發明提供的托盤中所採用的第三種凸爪結構示意圖。

圖6為本發明提供的基片承載裝置一種具體實施方式的結構示意圖。

71‧‧‧托盤

72‧‧‧托盤

73‧‧‧托盤

74‧‧‧旋轉連接機構

Claims (20)

1. 一種基片處理設備，包括一製程腔室，該製程腔室內設置有一基片承載裝置，所述基片承載裝置係用以在製程過程中承載基片，所述基片承載裝置係包括多個托盤，該托盤具有兩個相反的用於承載所述基片的盤面，且所述多個托盤透過一旋轉機構連接，該旋轉機構包含貫穿所述多個托盤的轉軸，該盤面上設置有多個用於放置該基片的裝片位，該裝片位係為與該基片形狀相符合的凹槽或凸台或與該基片的盤面相平齊的平面，該凹槽與該盤面相接觸的邊緣處設置有一凸爪和/或凸緣，藉由所述之凸爪和/或凸緣而將該基片固定在該凹槽中，且該托盤與該盤面相鄰的側面上設置有一與該凹槽相連通的裝片通道；在裝/卸基片時，通過該裝片通道而將基片放入該凹槽中或從該凹槽中取出。
2. 如請求項1所述之基片處理設備，其中該托盤係以靜電吸附的方式將該基片固定在該裝片位上。
3. 如請求項1所述之基片處理設備，其中該凸緣為半圓環狀。
4. 如請求項1所述之基片處理設備，其更包括一支撐片，該支撐片可分離地貼合在該盤面上，並且在該支撐片上設置有一與該凹槽相對應的通孔，該通孔的至少部分邊緣將該基片固定在該凹槽內。
5. 如請求項1所述之基片處理設備，其中位於同一托盤的兩個盤面上的裝片位係為對稱或錯位設置。
6. 如請求項1或5所述之基片處理設備，其中該基片處 理設備包括至少兩個相互間隔疊置的托盤，相鄰托盤上的裝片位係為相對或錯位設置。
7. 如請求項6所述之基片處理設備，其中，所述旋轉連接機構係用以驅動各個托盤進行同步或獨立地旋轉運動。
8. 如請求項1所述之基片處理設備，其中該托盤的材料包括石墨、鉬或鉬合金。
9. 如請求項5所述之基片處理設備，其中該托盤係由石墨材料製成，並且該基片處理設備表面係具有SiC塗層。
10. 如請求項1所述之基片處理設備，其中該基片處理設備可承載的基片材料包括藍寶石、Ge、GaAs、GaN、SiC或Si。
11. 一種基片處理設備，包括一製程腔室，該製程腔室內設置有一基片承載裝置，所述基片承載裝置係用以在製程過程中承載基片，所述基片承載裝置係包括多個托盤，該托盤具有兩個相反的用於承載所述基片的盤面，且所述多個托盤透過一旋轉機構連接，該旋轉機構包含貫穿所述多個托盤的轉軸，該盤面上設置有多個用於放置該基片的裝片位，該裝片位係為與該基片形狀相符合的凹槽或凸台或與該基片的盤面相平齊的平面，該凹槽與該盤面相接觸的邊緣處設置有一凸爪和/或凸緣，藉由所述之凸爪和/或凸緣而將該基片固定在該凹槽中，且該凸爪和/或凸緣分布於該凹槽的部分邊緣處，該凹槽的未被該凸爪和/或凸緣覆蓋的區域面積足以使基片通過；在裝/卸基片時，使該基片通過該凹槽中未被該凸爪和/或凸緣覆蓋的區域進入該凹槽內部，然後將該基片移動至該凸爪和/或凸緣所在位置處，以 藉由所述凸爪和/或凸緣將該基片固定於該凹槽內。
12. 如請求項11所述之基片處理設備，其中該托盤係以靜電吸附的方式將該基片固定在該裝片位上。
13. 如請求項11所述之基片處理設備，其中該凸緣為半圓環狀。
14. 如請求項11所述之基片處理設備，其更包括一支撐片，該支撐片可分離地貼合在該盤面上，並且在該支撐片上設置有一與該凹槽相對應的通孔，該通孔的至少部分邊緣將該基片固定在該凹槽內。
15. 如請求項11所述之基片處理設備，其中位於同一托盤的兩個盤面上的裝片位係為對稱或錯位設置。
16. 如請求項11或15所述之基片處理設備，其中該基片處理設備包括至少兩個相互間隔疊置的托盤，相鄰托盤上的裝片位係為相對或錯位設置。
17. 如請求項16所述之基片處理設備，其中，所述旋轉連接機構係用以驅動各個托盤進行同步或獨立地旋轉運動。
18. 如請求項11所述之基片處理設備，其中該托盤的材料包括石墨、鉬或鉬合金。
19. 如請求項15所述之基片處理設備，其中該托盤係由石墨材料製成，並且該基片處理設備表面係具有SiC塗層。
20. 如請求項11所述之基片處理設備，其中該基片處理設備可承載的基片材料包括藍寶石、Ge、GaAs、GaN、SiC或Si。