JP3006029B2 - 真空成膜装置 - Google Patents
真空成膜装置Info
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- JP3006029B2 JP3006029B2 JP2127813A JP12781390A JP3006029B2 JP 3006029 B2 JP3006029 B2 JP 3006029B2 JP 2127813 A JP2127813 A JP 2127813A JP 12781390 A JP12781390 A JP 12781390A JP 3006029 B2 JP3006029 B2 JP 3006029B2
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- electrode
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、基板に成膜処理を行うための真空成膜装置
に関する。
に関する。
基板上に薄膜を形成する装置として、たとえばプラズ
マCVD装置等の真空成膜装置が用いられている。この真
空成膜装置は、一般に、基板を保持するための基板ホル
ダと、基板ホルダに対向して配置された対向電極とを有
している。成膜処理の際には、基板ホルダに基板を保持
させた状態で、基板ホルダと対向電極との間でグロー放
電を起こさせる。これにより、基板上に膜形成が行われ
る。
マCVD装置等の真空成膜装置が用いられている。この真
空成膜装置は、一般に、基板を保持するための基板ホル
ダと、基板ホルダに対向して配置された対向電極とを有
している。成膜処理の際には、基板ホルダに基板を保持
させた状態で、基板ホルダと対向電極との間でグロー放
電を起こさせる。これにより、基板上に膜形成が行われ
る。
一方、従来より、基板の処理枚数（すなわち、スルー
プット）向上の要請が強い。ところが、前記従来装置で
は、基板の処理枚数には限界がある。そこで、基板ホル
ダを大形にすることにより基板の処理枚数を増やすこと
も考えられるが、基板ホルダを大形にすると装置全体が
大形化するため好ましくない。
プット）向上の要請が強い。ところが、前記従来装置で
は、基板の処理枚数には限界がある。そこで、基板ホル
ダを大形にすることにより基板の処理枚数を増やすこと
も考えられるが、基板ホルダを大形にすると装置全体が
大形化するため好ましくない。
本発明の目的は、装置を大形化することなく基板の処
理枚数を向上できる真空成膜装置を提供することにあ
る。
理枚数を向上できる真空成膜装置を提供することにあ
る。
本発明に係る真空成膜装置は、基板に成膜処理を行う
ための真空成膜装置であって、相対向して配置された複
数対の対向電極と、前記対向電極の間にそれぞれ配置さ
れ、電気的に絶縁されるとともに前記基板を保持するた
めの第1,第２主面を有する複数枚の基板ホルダと、前記
対向電極の各対にそれぞれ接続された複数の可変コンデ
ンサを含むマッチング回路と、を備えている。
ための真空成膜装置であって、相対向して配置された複
数対の対向電極と、前記対向電極の間にそれぞれ配置さ
れ、電気的に絶縁されるとともに前記基板を保持するた
めの第1,第２主面を有する複数枚の基板ホルダと、前記
対向電極の各対にそれぞれ接続された複数の可変コンデ
ンサを含むマッチング回路と、を備えている。
本発明に係る真空成膜装置では、成膜処理すべき基板
が複数枚の基板ホルダの第1,第２主面に保持される。そ
して、それぞれ可変コンデンサが接続された各対向電極
間で放電を起こさせる。すると、一方の対向電極とこれ
に対向する第１主面との間にプラズマ状態が形成され
る。これにより、第１主面に保持された基板に膜形成が
行われる。また、この場合において、基板ホルダは電気
的に絶縁されている。このため、他方の対向電極とこれ
に対向する第２主面との間にもプラズマ状態が形成され
る。これにより、第２主面に保持された基板上に膜形成
が行われる。
が複数枚の基板ホルダの第1,第２主面に保持される。そ
して、それぞれ可変コンデンサが接続された各対向電極
間で放電を起こさせる。すると、一方の対向電極とこれ
に対向する第１主面との間にプラズマ状態が形成され
る。これにより、第１主面に保持された基板に膜形成が
行われる。また、この場合において、基板ホルダは電気
的に絶縁されている。このため、他方の対向電極とこれ
に対向する第２主面との間にもプラズマ状態が形成され
る。これにより、第２主面に保持された基板上に膜形成
が行われる。
この場合には、基板ホルダの両主面に保持された各基
板について成膜処理を行うことができるので、一回に処
理される基板の枚数を増加でき、スループットを向上で
きる。また、スループットの向上のために、装置を大形
化する必要がなくなる。
板について成膜処理を行うことができるので、一回に処
理される基板の枚数を増加でき、スループットを向上で
きる。また、スループットの向上のために、装置を大形
化する必要がなくなる。
第１図は本発明の一実施例によるプラズマCVD装置を
示している。ここでは、基板縦置型の平行平板型装置を
例にとる。
示している。ここでは、基板縦置型の平行平板型装置を
例にとる。
第１図において、成膜室１の中央部には、電極（カソ
ード電極）2,3が設けられている。各電極2,3には、マッ
チング回路４を介して高周波電源15（周波数13.56MHz）
が接続されている。マッチング回路４は成膜室１内に発
生したプラズマに効率良く電力を供給するためのもので
あり、可変コンデンサ等を含んでいる。
ード電極）2,3が設けられている。各電極2,3には、マッ
チング回路４を介して高周波電源15（周波数13.56MHz）
が接続されている。マッチング回路４は成膜室１内に発
生したプラズマに効率良く電力を供給するためのもので
あり、可変コンデンサ等を含んでいる。
成膜室１の左右側壁部には、カソード電極2,3に対向
するように、それぞれアノード電極5,6が設けられてい
る。アノード電極5,6は、それぞれアースに接続されて
いる。また、アノード電極5,6の裏面側にはヒータが設
けられており、このヒータはヒータ電源に接続されてい
る。電極２と電極５との間、及び電極３と電極６との間
には、それぞれ基板ホルダ7,8が配置されている。各基
板ホルダ7,8は、それぞれガラス等の絶縁部材により支
持されており、成膜室１内において電気的に絶縁され、
フローティング状態となっている。また、各基板ホルダ
7,8の第１主面7a,8a及び第２主面7b,8bには、それぞれ
基板９を保持することができるようになっている。ま
た、成膜室１には排気口10が形成されており、図示しな
い排気系に接続されている。
するように、それぞれアノード電極5,6が設けられてい
る。アノード電極5,6は、それぞれアースに接続されて
いる。また、アノード電極5,6の裏面側にはヒータが設
けられており、このヒータはヒータ電源に接続されてい
る。電極２と電極５との間、及び電極３と電極６との間
には、それぞれ基板ホルダ7,8が配置されている。各基
板ホルダ7,8は、それぞれガラス等の絶縁部材により支
持されており、成膜室１内において電気的に絶縁され、
フローティング状態となっている。また、各基板ホルダ
7,8の第１主面7a,8a及び第２主面7b,8bには、それぞれ
基板９を保持することができるようになっている。ま
た、成膜室１には排気口10が形成されており、図示しな
い排気系に接続されている。
次に、本成膜装置の作動について説明する。
まず、成膜室１内を真空排気し、成膜室１内に反応ガ
スを導入して所定の成膜条件に保つ。一方、ヒータをオ
ンにし、基板を所定の温度を維持する。次に、高周波電
源15からマッチング回路４を通して電極2,3に高周波電
力を供給する。すると、電極２と電極５との間、及び電
極３と電極６との間でグロー放電が発生する。これによ
り、電極２と基板ホルダ７との間、及び電極３と基板ホ
ルダ８との間にプラズマ領域が形成される。これによ
り、各基板ホルダ7,8の各第１主面7a,8a上に保持された
各基板９上に膜形成が行われる。
スを導入して所定の成膜条件に保つ。一方、ヒータをオ
ンにし、基板を所定の温度を維持する。次に、高周波電
源15からマッチング回路４を通して電極2,3に高周波電
力を供給する。すると、電極２と電極５との間、及び電
極３と電極６との間でグロー放電が発生する。これによ
り、電極２と基板ホルダ７との間、及び電極３と基板ホ
ルダ８との間にプラズマ領域が形成される。これによ
り、各基板ホルダ7,8の各第１主面7a,8a上に保持された
各基板９上に膜形成が行われる。
一方、この成膜時におけるプラズマポテンシャルと基
板９の位置との対応関係は第２図のようになっていると
推定される。なお、第２図では電極２側について示して
いるが、電極３側についても同様である。第２図におい
て、縦軸はプラズマポテンシャルを示し、横軸は距離を
示している。これによると、基板９は、＋側のプラズマ
ポテンシャルのほぼ中間位置に位置している。なお、第
３図は従来装置の第２図に相当する図である。従来装置
では基板がオースに接続されているため、基板はプラズ
マポテンシャルが０の位置に位置している。
板９の位置との対応関係は第２図のようになっていると
推定される。なお、第２図では電極２側について示して
いるが、電極３側についても同様である。第２図におい
て、縦軸はプラズマポテンシャルを示し、横軸は距離を
示している。これによると、基板９は、＋側のプラズマ
ポテンシャルのほぼ中間位置に位置している。なお、第
３図は従来装置の第２図に相当する図である。従来装置
では基板がオースに接続されているため、基板はプラズ
マポテンシャルが０の位置に位置している。
このように、本装置では、基板９が＋側のプラズマポ
テンシャルにおいて電気的に浮いた状態にある。この結
果、基板ホルダ７と電極５との間、及び基板ホルダ８と
電極６との間にもプラズマ領域が形成されることにな
る。これにより、基板ホルダ7,8の第２主面7b,8b上に保
持された基板９上にも膜形成が行われる。
テンシャルにおいて電気的に浮いた状態にある。この結
果、基板ホルダ７と電極５との間、及び基板ホルダ８と
電極６との間にもプラズマ領域が形成されることにな
る。これにより、基板ホルダ7,8の第２主面7b,8b上に保
持された基板９上にも膜形成が行われる。
なお、電極2,3として約650×650mmのものを用い、電
極２と電極５との間、及び電極３と電極６との間の間隔
をそれぞれ約45mmに保って成膜処理を行った結果、各基
板９について成膜速度は約0.8Å/secであった。また、
従来装置に比べ、イオンダメージの少ない膜が得られる
ものと思われる。
極２と電極５との間、及び電極３と電極６との間の間隔
をそれぞれ約45mmに保って成膜処理を行った結果、各基
板９について成膜速度は約0.8Å/secであった。また、
従来装置に比べ、イオンダメージの少ない膜が得られる
ものと思われる。
このような本実施例では、基板ホルダの両主面上に保
持された各基板について成膜処理が行われるので、装置
を大形化することなく、一回に処理される基板枚数を増
加でき、スループットを向上できる。
持された各基板について成膜処理が行われるので、装置
を大形化することなく、一回に処理される基板枚数を増
加でき、スループットを向上できる。
前記実施例では、縦置型のプラズマCVD装置に本発明
が適用された場合について説明したが、本発明の適用は
これに限定されない。
が適用された場合について説明したが、本発明の適用は
これに限定されない。
たとえば、横置型の装置にも同様に適用できる。
本発明に係る真空成膜装置は、基板ホルダの両面に保
持された各基板について成膜処理を行えるので、一回の
処理枚数を増加でき、スループットを向上できるととも
に、複数の基板ホルダに対して成膜条件を調整して複数
の基板ホルダを用いた基板処理を可能とし、基板処理効
率を格段に高めることが出来る。
持された各基板について成膜処理を行えるので、一回の
処理枚数を増加でき、スループットを向上できるととも
に、複数の基板ホルダに対して成膜条件を調整して複数
の基板ホルダを用いた基板処理を可能とし、基板処理効
率を格段に高めることが出来る。
第１図は本発明の一実施例によるプラズマCVD装置の縦
断面概略構成図、第２図はプラズマポテンシャルと基板
位置と対応関係を示す図、第３図は従来装置の第２図に
相当する図である。 2,3……電極（カソード電極）、5,6……アノード電極、
7,8……基板ホルダ、7a,8a……第１主面、7b,8b……第
２主面。
断面概略構成図、第２図はプラズマポテンシャルと基板
位置と対応関係を示す図、第３図は従来装置の第２図に
相当する図である。 2,3……電極（カソード電極）、5,6……アノード電極、
7,8……基板ホルダ、7a,8a……第１主面、7b,8b……第
２主面。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 H01L 21/31
Claims (1)
- 【請求項１】基板に成膜処理を行うための真空成膜装置
であって、相対向して配置された複数対の対向電極と、
前記対向電極の間にそれぞれ配置され、電気的に絶縁さ
れるとともに前記基板を保持するための第１、第２主面
を有する複数枚の基板ホルダと、前記対向電極の各対に
それぞれ接続された複数の可変コンデンサを含むマッチ
ング回路と、を備えた真空成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2127813A JP3006029B2 (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | 真空成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2127813A JP3006029B2 (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | 真空成膜装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0425017A JPH0425017A (ja) | 1992-01-28 |
| JP3006029B2 true JP3006029B2 (ja) | 2000-02-07 |
Family
ID=14969308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2127813A Expired - Fee Related JP3006029B2 (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | 真空成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3006029B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6267075B1 (en) * | 1998-07-09 | 2001-07-31 | Yield Engineering Systems, Inc. | Apparatus for cleaning items using gas plasma |
| JP4907304B2 (ja) * | 2006-11-13 | 2012-03-28 | 花王株式会社 | 繊維製品処理剤 |
| JP5034078B2 (ja) * | 2008-02-07 | 2012-09-26 | ライオン株式会社 | 液体柔軟剤組成物 |
| TWI429098B (zh) * | 2008-06-06 | 2014-03-01 | 愛發科股份有限公司 | 薄膜太陽能電池製造裝置 |
| CN102560636B (zh) * | 2010-12-14 | 2016-03-30 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种基片承载装置及应用该装置的基片处理设备 |
-
1990
- 1990-05-16 JP JP2127813A patent/JP3006029B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0425017A (ja) | 1992-01-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |